JP4570653B2 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、圧電体或いは強誘電体の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続したＳＡＷフィルタに関するものである。

従来、ＳＡＷ共振子を用いたＳＡＷフィルタに関する技術としては、例えば次のような文献に記載されたものがある。

電子情報通信学会論文誌Ａ、J76-A［2]（1993−2)、佐藤他著"ＳＡＷ共振器を用いた低損失帯域フィルタ"P.245-252 電子情報通信学会論文誌Ａ、J76-A［2]（1993−2)、疋田他著"移動無線通信機用ＳＡＷフィルタの実験"P.233-244 日本応用物理学会論文誌、３６［５Ｂ］（1997-5）、Noritoshi Kimura他著、"The Power Durability of 900MHz Band Double-Mode-Type Surface Acoustic Wave Filtersand Improvement in Power Durability of Al-Cu Thin Film Electrodes by Cu Atom Segregation "P.3101-3106

前記非特許文献１〜３には、ＳＡＷフィルタの構成及びＳＡＷフィルタの寿命等について記載されている。

図２は、前記文献１〜３に示された従来のＳＡＷフィルタの基本構成を示す回路図であり、図３は、図２の周波数特性を示す特性図である。

１端子対ＳＡＷ共振子を梯子型に接続したＳＡＷフィルタは、ＳＡＷ共振子１０を、図２のように直列腕と並列腕とに用い、これを梯子型に接続し、直列腕の周波数特性１１により、フィルタの高域の減衰極１３を形成し、並列腕の周波数特性１２により、フィルタの低域の減衰極１４を形成して帯域フィルタにしたものである。

図４は、図２のＳＡＷ共振子１０の要部を示す構成図であり、斜視図とＡ部分拡大図が示されている。

ＳＡＷ共振子１０は、基板１５に形成されてＳＡＷを送受するためのすだれ状電極（以下、ＩＤＴという）１６を持ち、その両側には、金属ストリップによるグレーティング反射器１７が配置されている。

定Ｋ型フィルタの理論から、直列腕における共振周波数と並列腕の反共振周波数とを一致させることにより、帯域フィルタが実現できる。通常、１段だけでは減衰量が不十分なため、例えば４段構成にする。

図５は、４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの回路図であり、図６は、図５のＳＡＷフィルタの構成図であり、図７は、図５のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す特性図である。

４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの場合、１段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０_s1と、２段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０_s2と、３段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０_s3と、４段目の直列腕のＳＡＷ共振子１０_s4とが、全体の直列腕になっている。この直列腕に対して、１段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０_p1と、２段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０_p2と、３段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０_p3と、４段目の並列腕のＳＡＷ共振子１０_p4とが、梯子型に接続されている。

図８は、従来のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
図５のＳＡＷフィルタは、例えば図８（ａ）〜（ｅ）の工程を経て形成される。

まず、図８（ａ）の工程では、例えば、結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板１５を用意し、該基板１５のパターン形成予定面にレジスト１８をスピンコートで塗布する。図８（ｂ）の工程において、レジスト１８が塗布された基板１５に対して光学マスク１９を設定し、光２０で露光することにより、レジスト１８にＳＡＷフィルタのパターンを転写する。図８（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１８を選択的に除去する。図８（ｄ）の工程において、不要なレジスト１８が除去された基板１５の上全面に、ＳＡＷ共振子のＩＤＴ１６となる電極金属のＡｌ（アルミニウム）薄膜２１を蒸着する。図８（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いて、Ａｌ薄膜２１の不要な部分をレジスト１８と共に除去する。

しかしながら、従来の梯子型ＳＡＷフィルタでは、次のような課題があった。
直列腕のＳＡＷ共振子１０_s1〜１０_s4及び並列腕のＳＡＷ共振子１０_p1〜１０_p4がいずれも定在波を利用するために、エネルギー密度が高く、トランスバーサル型フィルタと比較すると、耐電力的に厳しくなる。また、ＳＡＷを利用するので、波のエネルギーが基板１５の表面から１波長以内の領域にそのエネルギーが集中する。つまり、エネルギー密度が高くなる。このことは、近年の携帯電話用アンテナ共用器（デュープレクサ）等のように、ワットオーダーの入力電力がある場合に、特に厳しくなる。

ＳＡＷデバイスに大きな電力が入力されると、ＳＡＷの送受を行うＩＤＴ１６に強い繰り返し応力が加わるので、電極金属Ａｌにマイグレレーシュンが発生したり、発熱したりする。この対策として、現在では、電極金属であるＡｌに，Ｃｕ（銅）やＴｉ（チタン）を添加し、ＩＤＴ１６における耐ストレスマイグレーション性や耐エレクトロマイグレーション性を向上させて耐電力を向上させている。ところが、このように耐電力を向上させようとすると、添加する金属を増加させなければならず、添加する金属がＡｌ中で偏在したり、エッチングのときに該添加金属が残ってしまったり、抵抗値が上昇するという課題があった。

前記課題を解決するために、本発明のうちの第１の発明のＳＡＷフィルタは、表面を具えた基板と、前記基板の前記表面に形成された第１ＳＡＷ共振子と、前記基板の前記表面に形成されたボンディングパッドと、前記基板の前記表面に形成され、前記第１ＳＡＷ共振子と前記ボンディングパッドとを接続する接続パターンと、前記接続パターン上に前記接続パターンの幅よりも狭く形成され、前記基板よりも熱伝導率の大きい誘電体膜とを有している。

第２の発明のＳＡＷフィルタは、表面を具えた基板と、前記基板の前記表面に形成された第１ＳＡＷ共振子と、前記基板の前記表面に形成された第２ＳＡＷ共振子と、前記基板の前記表面に形成され、前記第１ＳＡＷ共振子と前記第２ＳＡＷ共振子とを接続する接続パターンと、前記接続パターン上に前記接続パターンの幅よりも狭く形成され、前記基板よりも熱伝導率の大きい誘電体膜とを有している。

以上詳細に説明したように、本発明によれば、接続パターン上に誘電体膜を形成したので、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が誘電体膜を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

また、接続パターンとボンディングパッドとを、Ａｌ或いはＡｌ合金の膜と、これよりも熱伝導率が高い金属で形成された放熱膜とで構成した場合は、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が放熱膜を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

接続パターンとボンディングパッドとを、Ａｌ或いはＡｌ合金よりも熱伝導率が高い金属の膜パターンで構成した場合は、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が該膜を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

接続パターンとボンディングパッドとを、ＳＡＷ共振子の電極の厚さよりも５０％以上厚いＡｌ或いはＡｌ合金の膜で構成した場合は、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が該膜を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

接続パターンとボンディングパッドとを、圧電または強誘電体単結晶基板上に蒸着されて形成されたＡｌ或いはＡｌ合金の膜と、該圧電または強誘電体単結晶基板よりも熱伝導率が高い誘電体を１層以上重ねた構成にした場合は、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が誘電体を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

接続パターンとボンディングパッドとを、Ａｌ或いはＡｌ合金以上に熱伝導率が高い金属の膜に、該圧電または強誘電体単結晶基板よりも熱伝導率が高い誘電体を１層以上重ねて構成した場合は、ＳＡＷ共振子の振動で発生した熱が金属膜及び誘電体を伝わって逃げ、耐熱性を向上させる。よって耐電力が向上する。

前記誘電体を、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡＩＮまたはＳｉ₃Ｎ₄で構成した場合は、圧電または強誘電体単結晶基板が通常のＳＡＷ共振子等で使用されるものでも、放熱効果が確保できる。

前記Ａｌ合金を、ＡｌにＣｕ、ＴｉまたはＴａを加えたものとした場合は、耐マイグレーション性をさらに、向上できる。

前記Ａｌ或いはＡｌ合金よりも熱伝導率が高い金属は、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕで構成した場合は、十分な放熱性が得られる。

本発明を実施するための最良の形態として、好ましい実施例を以下説明する。

図９は、本発明の実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１０は、図９中のＳＡＷ共振子３０_s1の構成を示す斜視図である。

この実施例１の梯子型ＳＡＷフィルタは、耐電力の特に発熱に着目し、梯子型ＳＡＷフィルタにおける各ＳＡＷ共振子間を接続するパターン、ＳＡＷ共振子とボンディングパッドとの間を接続する接続パターン及び該ボンディングパッドに、例えば熱伝導率のよいＡｕ（金）等を蒸着することにより、発熱の大きい共振子で発生した熱を後段の発熱の小さい共振子及び外部回路に逃がし、耐熱性を向上させ、耐電力を向上させたものである。特に、発熱によって電極のマイグレーションが加速されるという報告もあるので、発生した熱を分散・放熱させて耐熱性を向上することは、重要である。

図９の梯子型ＳＡＷフィルタは、従来の図５のＳＡＷフィルタと同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子３０_s1，３０_s2，３０_s3，３０_s4，３０_p1，３０_p2，３０_p3，３０_p4と、入力ボンディングパッド３１と、出力ボンディングパッド３２と、複数のアースボンディングパッド３３とを備えている。

ＳＡＷ共振子３０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子３０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子３０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子３０_s1は、図１０に示すように、基板３５上にＡｌ或いはＡｌ合金で形成されたＩＤＴ３０ａ及び該ＩＤＴ３０ａの両側に形成された反射器３０ｂ，３０ｃを有している。ＳＡＷ共振子３０_s2〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4も、同様のＩＤＴ３０ａ及び反射器３０ｂ，３０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子３０_s1〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4の間、ＳＡＷ共振子３０_s1と入力ボンディングパッド３１との間、ＳＡＷ共振子３０_s4と出力ボンディングパッド３２との間、及び各ＳＡＷ共振子３０_p1〜３０_p4とアースボンディングパッド３３との間が、接続パターン３４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図１は、図９及び図１０における実施例１を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１０のＢ部分拡大斜視図が示されている。

各ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４は、基板３５上に形成されたＡｌ或いはＡｌ合金の膜３６と、前記耐熱性の向上のために、その上に蒸着された例えばＡｕの放熱用の膜３７とで構成されている。

図１１（ａ）〜（ｉ）は、図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図９のＳＡＷフィルタは、図１１（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図１１（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板３５を用意し、該基板３５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト３８をスピンコートで塗布する。図１１（ｂ）の工程において、レジスト３８が塗布された基板３１に対して光学マスク３９を設定し、光４０で露光することにより、レジスト３８に、ＳＡＷ共振子３０_s1〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4、ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４のパターンが転写される。図１１（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト３８を選択的に除去し、図１１（ｄ）の工程において、不要なレジスト３８が除去された基板３５の上側全面にＡｌ薄膜４１を蒸着する。図１１（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト３８及びＡＬ薄膜４１を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子３０_s1〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4、ボンディングパッド３１〜３３及び接続パターン３４の膜３６が、基板３５上に形成される。

図１１（ｆ）の工程において、基板３５のＳＡＷフィルタ３０_s1〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4等が形成された面上に、再びレジスト４２を塗布する。図１１（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、膜３７のパターン転写を行い、その後の現像で、不要なレジスト４２を除去してＡｌ薄膜４１の表面を露出させる。

図１１（ｈ）の工程において、Ａｌ薄膜４１の表面が露出した基板３５の上側全面に、膜３７となるＡｕ薄膜４３を蒸着する。図１１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜４３をレジスト４２と共に除去する。以上により、膜３７が、ボンディングパッド３１〜３３及び膜３６の上に形成される。

次に、図９のＳＡＷフィルタの動作を説明する。
入力ボンディングパッド３１に図示しないボンディングワイヤを介して信号が印加されると、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1〜３０_s4には電力が通過し、かつ、最初の段になるほど大きな電力がかかる。これは、後段になるほど、途中のＳＡＷ共振子で電力が減衰するためである。つまり、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1に一番大きな電力がかかり、該直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の発熱量が一番おおきくなって、耐電力的に一番厳しくなる。そこで、直列腕ＳＡＷ共振子３０s1の耐電力を説明する。

入力ボンディングパッド３１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1に入り、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０_s2と１段目及び２段目の並列腕ＳＡＷ共振子３０_p1，３０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1に入力された電力により、該直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1が振動し、基板３５における共振子３０_s1の下の１波長以内の領域にはＳＡＷの定在波が発生し、それによって発熱する。

直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1で発生した熱は、図９に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

放熱ルートＲ１は、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の入力側電極指からパターン３４を伝わり、ボンディングパッド３１及びボンディングワイヤを通って外部回路へ伝わるルートである。放熱ルートＲ２は、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の出力側電極指からパターン３４を伝わり、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s2と並列腕ＳＡＷ共振子３０_p1，３０_p2とに伝わるルートである。放熱ルートＲ３は、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の入力側電極指からボンディングパッド３１に至るパターン３４から、基板３５の結晶中に伝わるルートである。放熱ルートＲ４は、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の出力側電極指から直列腕ＳＡＷ共振子３０_s2及び並列腕ＳＡＷ共振子３０_p1，３０_p2にいたるパターン３４から、基板３５の結晶中に伝わるルートである。放熱ルートＲ５は、基板３５における直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1の下側の、深さが１波長以下の領域で発生した熱が、該基板３５の横方向及び深さ方向へ伝わるルートである。

この実施例１のＳＡＷフィルタでは、ボンディングパッド３１〜３３と接続パターン３４の膜３６の上に、Ａｕの放熱用の膜３７を形成している。Ａｌ、Ａｕ、ＬｉＴａＯ₃の熱伝導率は、それぞれ２３７，３１５，４．２［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、放熱ルートＲ１〜Ｒ４での放熱効果が著しく向上し、結果的に耐熱性が向上して耐電力が向上する。

例えば、９００ＭＨｚ携帯電話の周波数帯域で、Ａｌ薄膜４１の膜厚比（＝膜厚Ｈ／周波数λ）を１１％、Ａｕ薄膜４３の膜厚比を５％とし、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1とボンディングパッド３１との間のパターン３４と、直列腕ＳＡＷ共振子３０_s1と直列腕ＳＡＷ共振子３０_s2及び並列腕ＳＡＷ共振子３０_p1との間のパターン３４との上のみに放熱用膜３７を形成した簡単なもので評価をしても、６％の温度低下が見られた。

よって、基板３５の表面近傍で発生した熱を、熱伝導率がよくない結晶内部からではなく、表面の膜３７を通じて早く放熱する。

以上のように、この実施例１では、接続パターン３４の上及びボンディングパッド３１〜３３の上に放熱用膜３７を形成して放熱性を改善したので、次のような利点を持つＳＡＷフィルタが得られる。

（１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（４） 膜３６の上にＡｕが蒸着されるので、該膜３６の膜はがれが防止できる。

（５） 膜３６の上にＡｕが蒸着されるので、該接続パターン３４の電気抵抗が下がる。

（６） 各ＳＡＷ共振子３０_s2〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

（８） 放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、チップサイズを大きくしないですむ。

（９） 放熱効果を上げるために、接続パターン、ボンディングパッドを広げる必要がなく、寄生容量が増加しない。

図１２は、本発明の実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１３は、図１２中のＳＡＷ共振子５０_s1の構成を示す斜視図である。

この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4と、入力ボンディングパッド５１と、出力ボンディングパッド５２と、複数のアースボンディングパッド５３とを備えている。

ＳＡＷ共振子５０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子５０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子５０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子５０_s1は、図１２に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ５０ａ及び反射器５０ｂ，５０ｃを有している。ＳＡＷ共振子５０_s2〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4も、同様のＩＤＴ５０ａ及び反射器５０ｂ，５０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4の間、ＳＡＷ共振子５０_s1と入力ボンディングパッド５１との間、ＳＡＷ共振子５０_s4と出力ボンディングパッド５２との間、及び各ＳＡＷ共振子５０_p1〜５０_p4とアースボンディングパッド５３との間が、接続パターン５４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図１４は、図１２及び図１３における実施例２を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１３のＣ部分拡大斜視図が示されている。

実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上に放熱用の膜を形成していたが、本実施例２では、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３の下側と基板５５との間に放熱用の膜５６を形成している。即ち、放熱用の膜パターン５６の上に、ＡｌまたはＡｌ合金の膜５７が積層された構成になっている。

図１５（ａ）〜（ｉ）は、図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図１２のＳＡＷフィルタは、図１５（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図１５（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板５５を用意し、該基板５５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト５８をスピンコートで塗布する。図１５（ｂ）の工程において、レジスト５８が塗布された基板５５に対して光学マスク５９を設定し、光６０で露光することにより、レジスト５８に、接続パターン５４の放熱用膜５６のパターンが転写される。図１５（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト５８を選択的に除去し、図１５（ｄ）の工程において、不要なレジスト５８が除去された基板５５の上側全面にＡｕ薄膜６１を蒸着する。図１５（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト５８及びＡｕ薄膜６１を除去する。ここまでの工程で、膜５６が基板５５上に形成される。

図１５（ｆ）の工程において、基板５５の放熱用の膜５６が形成された面上に、再びレジスト６２を塗布する。図１５（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4、ボンディングパッド５１〜５３及び膜５７のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト６２を除去する。Ａｕ薄膜６１の表面を露出させる。

図１５（ｈ）の工程において、Ａｕ薄膜６１の表面が露出した基板５５の上側全面に、ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4、及び５７となるＡｌ薄膜６３を蒸着する。図１５（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜６３をレジスト６２と共に除去する。以上により、ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4、ボンディングパッド５１〜５３及び接続パターン５４が、形成される。

次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図１２中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。

この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド５１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０_s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子５０_s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０_s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子５０_p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子５０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子５０_s1で発生した熱は、第１の実施形態と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

ここで、この実施例２の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３において、放熱用の膜５６が形成されているので、実施例１と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、その放熱膜５６が直接基板５５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン５４が細くかつ基板５５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶裏面からの放熱が期待できない時等には、非常に有効である。

以上のように、この実施例２では、接続パターン５４及びボンディングパッド５１〜５３の下側に放熱用の膜５６を形成して各ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4における放熱を改善したので、次の（１１）から（１７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。

（１１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（１２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（１３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（１４） ＡｌまたはＡＬ合金の膜５７の下にＡｕの放熱用の膜５６が蒸着されるので、該膜５６の膜はがれを防止できる。

（１５） 接続パターン５４の下にＡｕ薄膜６１が蒸着されるので、該接続パターン５４のオーミック抵抗が下がる。

（１６） 各ＳＡＷ共振子５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（１７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

図１６は、本発明の実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１７は、図１６中のＳＡＷ共振子７０_s1の構成を示す斜視図である。

この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4と、入力ボンディングパッド７１と、出力ボンディングパッド７２と、複数のアースボンディングパッド７３とを備えている。

ＳＡＷ共振子７０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子７０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子７０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子７０_s1は、図１７に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。ＳＡＷ共振子７０_s2〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4も、同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4の間、ＳＡＷ共振子７０_s1と入力ボンディングパッド７１との間、ＳＡＷ共振子７０_s4と出力ボンディングパッド７２との間、及び各ＳＡＷ共振子７０_p1〜７０_p4とアースボンディングパッド７３との間が、接続パターン７４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図１８は、図１６及び図１７における実施例３を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１７のＤ部分拡大図が示されている。

実施例１では、接続用パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例３では、これらの接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３を、放熱用の膜７６だけで形成している。

図１９（ａ）〜（ｉ）は、図１６のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図１６のＳＡＷフィルタは、図１９（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図１９（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板７５を用意し、該基板７５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト７７をスピンコートで塗布する。図１９（ｂ）の工程において、レジスト７７が塗布された基板７５に対して光学マスク７８を設定し、光７９で露光することにより、レジスト７７に、共振子のパターンが転写される。図１９（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト７７を選択的に除去し、図１９（ｄ）の工程において、不要なレジスト７８が除去された基板７５の上側全面にＡｌ薄膜８０を蒸着する。図１９（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト７７及びＡｌ薄膜８０を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4が基板７５上に形成される。

図１９（ｆ）の工程において、基板７５のＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4が形成された面上に、再びレジスト８１を塗布する。図１９（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト８１を除去し、基板７５の表面とＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4の端部を露出させる。

図１９（ｈ）の工程において、基板７５の上側全面に、接続パターン７４となるＡｕ薄膜８２を蒸着する。図１９（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜８２をレジスト８１と共に除去する。以上により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３が、基板７５上に形成される。

次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図１６中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。

この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド７１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０_s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子７０_s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０_s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子７０_p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子７０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子７０_s1で発生した熱は、第１の実施形態と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

ここで、この実施例３の梯子型ＳＡＷフィルタでは、信号伝送用パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３が、Ａｕ膜８２で形成されているので、第１の実施形態と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、放熱ルートとなるＡｕ薄膜８２が、直接基板７５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン７４が細くかつ基板７５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で結晶基板がフェースダウンで接続され、結晶基板の裏面からの放熱が期待できない時等には、非常に有効である。

以上のように、この実施例３では、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３をＡｕ膜で形成して各ＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4における放熱を改善したので、次の（２１）から（２８）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。

（２１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（２２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（２３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（２４） 接続パターン７４がＡｕで構成されるので、デバイスのオーミック損失が低減できる。

（２５） 接続パターン７４は、Ａｕのみで蒸着・形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、Ａｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。

（２６） 各ＳＡＷ共振子７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（２７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

（２８） 細い電極指と太い接続パターン７４とを同時にエッチングまたはリフトオフすると、過剰に細い電極指をエッチングまたはリフトオフする危険があったが、本実施例３では電極指と接続パターン７４とが別の工程で形成されるので、制御が容易である。

図２０は、本発明の実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２１は、図２０中のＳＡＷ共振子９０_s1の構成を示す斜視図である。

この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4と、入力ボンディングパッド９１と、出力ボンディングパッド９２と、複数のアースボンディングパッド９３とを備えている。

ＳＡＷ共振子９０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子９０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子９０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子９０_s1は、図２１に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ９０ａ及び反射器９０ｂ，９０ｃを有している。ＳＡＷ共振子９０_s2〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4も、同様のＩＤＴ９０ａ及び反射器９０ｂ，９０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4の間、ＳＡＷ共振子９０_s1と入力ボンディングパッド９１との間、ＳＡＷ共振子９０_s4と出力ボンディングパッド９２との間、及び各ＳＡＷ共振子９０_p1〜９０_p4とアースボンディングパッド９３との間が、接続パターン９４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図２２は、図２０及び図２１における実施例４を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２１のＥ部分拡大図が示されている。

実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例４では、これらの接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３を、共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4よりも５０％以上厚いＡｌまたはＡｌ合金の膜９６だけで形成している。

図２３（ａ）〜（ｉ）は、図２０のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図２０のＳＡＷフィルタは、図２３（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図２３（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板９５を用意し、該基板９５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト９７をスピンコートで塗布する。図２３（ｂ）の工程において、レジスト９７が塗布された基板９５に対して光学マスク９８を設定し、光９９で露光することにより、レジスト９７に、共振子のパターンが転写される。図２３（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト９７を選択的に除去し、図２３（ｄ）の工程において、不要なレジスト９８が除去された基板９５の上側全面にＡｌ薄膜１００を蒸着する。図２３（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト９７及びＡｌ薄膜１００を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4が基板９５上に形成される。

図２３（ｆ）の工程において、基板９５のＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4が形成された面上に、再びレジスト１０１を塗布する。図２３（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１０１を除去し、基板９５の表面とＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4の端部を露出させる。

図２３（ｈ）の工程において、基板９５の上側全面に、接続パターン９４となるＡｕ薄膜１０２を蒸着する。図２３（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜１０２をレジスト１０１と共に除去する。以上により、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３が、基板９５上に形成される。

次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図２０中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。

この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド９１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０_s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子９０_s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０_s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子９０_p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子９０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子９０_s1で発生した熱は、実施例１と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

ここで、この実施例４の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３が、ＡｌまたはＡｌ合金の厚い膜で形成されているので、第１の実施形態と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、放熱ルートとなるＡｌまたはＡｌ合金が、直接基板９５に蒸着されているので、特に高周波で、接続パターン９４が細くかつ基板９５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できない場合等には、非常に有効である。

以上のように、この実施例４では、接続パターン９４及びボンディングパッド９１〜９３を厚いＡｌまたはＡｌ合金で形成して各ＳＡＷ共振子９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4における放熱を改善したので、次の（３１）から（３７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。

（３１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（３２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（３３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（３４） 接続パターン９４がＡｌで構成されるので、特別な工程を追加せずにすむ。

（３５） 接続パターン９４は、Ａｌのみが蒸着され形成されるので、他の金属との密着不良により膜はがれがなくなると共に、他の金属のＡｌ中拡散による信頼性低下も防止できる。

（３６） 各ＳＡＷ共振子９０_s2〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（３７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

図２４は、本発明の実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２５は、図２４中のＳＡＷ共振子１１０_s1の構成を示す斜視図である。

この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4と、入力ボンディングパッド１１１と、出力ボンディングパッド１１２と、複数のアースボンディングパッド１１３とを備えている。

ＳＡＷ共振子１１０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子１１０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１１０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子１１０_s1は、図２５に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ１１０ａ及び反射器１１０ｂ，１１０ｃを有している。ＳＡＷ共振子１１０_s2〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4も、同様のＩＤＴ１１０ａ及び反射器１１０ｂ，１１０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4の間、ＳＡＷ共振子１１０_s1と入力ボンディングパッド１１１との間、ＳＡＷ共振子１１０_s4と出力ボンディングパッド１１２との間、及び各ＳＡＷ共振子１１０_p1〜１１０_p4とアースボンディングパッド１１３との間が、接続パターン１１４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図２６は、図２４及び図２５における実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２５のＦ部分拡大斜視図が示されている。

実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例５では、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の上側に基板１１５よりも、熱伝導率の大きい誘電体膜１１６を蒸着して耐熱性を向上させている。

図２７（ａ）〜（ｉ）は、図２４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図２４のＳＡＷフィルタは、図２７（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図２７（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板１１５を用意し、該基板１１５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト１１７をスピンコートで塗布する。図２７（ｂ）の工程において、レジスト１１７が塗布された基板１１５に対して光学マスク１１８を設定し、光１１９で露光することにより、レジスト１１７に、ＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4とボンディングパッド１１１〜１１３、及び接続パターン１１４のパターンが転写される。図２７（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１１７を選択的に除去し、図２７（ｄ）の工程において、不要なレジスト１１８が除去された基板１１５の上側全面にＡｌ薄膜１２０を蒸着する。図２７（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト１１７及びＡｌ薄膜１２０を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4と、ボンディングパッド１１１〜１１３及び接続パターン１１４の下地が基板１１５上に形成される。

図２７（ｆ）の工程において、基板１１５のＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4が形成された面上に、再びレジスト１２１を塗布する。図２７（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１２１を除去し、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の下地のパターンを露出させる。

図２７（ｈ）の工程において、基板１１５の上側から全面に、膜１１６となる伝導率の高い誘電体の例えばＡｌ₂Ｏ₃の膜１２２を蒸着する。Ａｌ₂ Ｏ₃ の熱伝導率は、２１［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。図２７（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１２２をレジスト１２１と共に除去する。以上により、上側に膜１１６が乗った接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３が、基板１１５上に形成される。

次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図２４中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。

この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド９１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０_s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子１１０_s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０_s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子１１０_p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子１１０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１１０_s1で発生した熱は、第１の実施形態と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

ここで、この第５の実施形態の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３の上側に、熱伝導率の高い膜１１６が形成されているので、第１の実施形態と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、特に高周波で、接続パターン１１４が細くかつ基板１１５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できない場合等には、非常に有効である。

以上のように、この実施例５では、接続パターン１１４及びボンディングパッド１１１〜１１３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜と熱伝導率が高い誘電体の膜１１６とで形成して、各ＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4における放熱を改善したので、次の（４１）から（４７）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。

（４１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（４２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（４３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（４４） 接続パターン１１４の上側が誘電体の膜１１６になるので、パターンに保護ができる。

（４５） 誘電体の膜１１６は、接続パターン１１４やボンディングパッド１１１〜１１３以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。

（４６） 各ＳＡＷ共振子１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4での温度上昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（４７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

図２８は、本発明の実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図２９は、図２８中のＳＡＷ共振子１３０_s1の構成を示す斜視図である。

この梯子型ＳＡＷフィルタは、実施例１を示す図９と同様に、４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4と、入力ボンディングパッド１３１と、出力ボンディングパッド１３２と、複数のアースボンディングパッド１３３とを備えている。

ＳＡＷ共振子１３０_s1が１段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_s2が２段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_s3が３段目の直列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_s4が４段目の直列腕の共振子である。ＳＡＷ共振子１３０_p1が１段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_p2が２段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_p3が３段目の並列腕の共振子であり、ＳＡＷ共振子１３０_p4が４段目の並列腕の共振子である。

ＳＡＷ共振子１３０_s1は、図２９に示すように、実施例１と同様のＩＤＴ１３０ａ及び反射器１３０ｂ，１３０ｃを有している。ＳＡＷ共振子１３０_s2〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4も、同様のＩＤＴ１３０ａ及び反射器１３０ｂ，１３０ｃを有している。

各ＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4の間、ＳＡＷ共振子１３０_s1と入力ボンディングパッド１３１との間、ＳＡＷ共振子１３０_s4と出力ボンディングパッド１３２との間、及び各ＳＡＷ共振子１３０_p1〜１３０_p4とアースボンディングパッド１３３との間が、接続パターン１３４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。

図３０は、図２８及び図２９における実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図２９のＧ部分拡大斜視図が示されている。

実施例１では、接続パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施例６では、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６を基板１３５に形成し、その上に、放熱用の膜１３７を積層し、さらに、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８を積層して構成し、耐熱性を向上させている。

図３１（ａ）〜（ｍ）は、図２８のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

図２８のＳＡＷフィルタは、図３１（ａ）〜（ｍ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。

まず、図３１（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ₃単結晶基板１３５を用意し、該基板１３５のＳＡＷ共振子形成予定面にレジスト１３９をスピンコートで塗布する。図３１（ｂ）の工程において、レジスト１３９が塗布された基板１３５に対して光学マスク１４０を設定し、光１４１で露光することにより、レジスト１３９に、ＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4とボンディングパッド１３１〜１３３、及び接続パターン１３４の膜１３６のパターンが転写される。図３１（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１３９を選択的に除去し、図３１（ｄ）の工程において、不要なレジスト１３９が除去された基板１３５の上側全面にＡｌ薄膜１４２を蒸着する。図３１（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト１３９及びＡｌ薄膜１４２を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4と、ボンディングパッド１３１〜１３３及び接続パターン１３４の下地の膜１３６が基板１３５上に形成される。

図３１（ｆ）の工程において、基板１３５のＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4１３０_p1〜１３０_p4等が形成された面上に、再びレジスト１４３を塗布する。図３１（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１４３を除去し、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３６のパターンを露出させる。

図３１（ｈ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、膜１３７となるＡｕの薄膜１４４を蒸着する。図３１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１４４をレジスト１４３と共に除去する。

図３１（ｊ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、再びレジスト１４５を塗布する。図３１（ｋ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３８のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト１４５を除去し、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３の膜１３７のパターンを露出させる。

図３１（ｌ）の工程において、基板１３５の上側から全面に、膜１３８となる伝導率の高い誘電体のＡｌ₂Ｏ₃の膜１４６を蒸着する。図３１（ｍ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な膜１４６をレジスト１４５と共に除去する。以上により、３層の接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３が、基板１３５上に形成される。

次に、このＳＡＷフィルタの動作を、図３１中に示した放熱ルートＲ１〜Ｒ５を参照して説明する。

この梯子型ＳＡＷフィルタにおいても、ボンディングパッド１３１に入力された電力は、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０_s1に入り、該直列腕ＳＡＷ共振子１３０_s1が振動することにより、熱が発生する。１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０_s1を通った電力は、２段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０_s2と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子１３０_p1と２段目の並列腕ＳＡＷ共振子１３０_p2とに入力される。

１段目の直列腕ＳＡＷ共振子１３０_s1で発生した熱は、第１の実施形態と同様の放熱ルートＲ１〜Ｒ５を伝わって逃げる。

ここで、この第６の実施形態の梯子型ＳＡＷフィルタでは、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６と、Ａｕの放熱用の膜１３７と、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８とで構成したので、第１の実施形態と同様に、放熱ルートＲ１〜Ｒ４による放熱が、従来に比べて圧倒的によくなる。さらに、特に高周波で、接続パターン１３４が細くかつ基板１３５の結晶が厚い場合や、基板結晶が放熱性の悪いパッケージに固定されている場合、バンプ等で基板結晶がフェースダウンで接続され、基板結晶の裏面からの放熱が期待できないとき等には、非常に有効である。

以上のように、この実施例６では、接続パターン１３４及びボンディングパッド１３１〜１３３を、ＡｌまたはＡｌ合金の膜１３６と、Ａｕの放熱用の膜１３７と、熱伝導率の高い誘電体の膜１３８とで構成して放熱性を改善したので、次の（５１）から（６０）の利点を有する梯子型ＳＡＷフィルタが得られる。

（５１） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がＡｌ中で偏在することがない。

（５２） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該添加する金属がエッチング時に残ることがない。

（５３） Ａｌに多量の金属を添加する必要がなく、該抵抗値が上昇することがない。

（５４） Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、膜１３６の膜はがれが防止できる。

（５５） Ａｌの膜１３６上にＡｕの膜１３７が蒸着されるので、接続パターン１３４の断面積が増え、抵抗が減じることができる。

（５６） 各ＳＡＷ共振子１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１０_p4での温度上
昇が抑えられるので、温度上昇による周波数変化が抑制できる。

（５７） 電極金属のＡｌに、Ｃｕ，Ｔｉ，Ｔａ等を添加して耐マイグレーション性を向上させる従来の方法とも併用が可能であり、これによる相乗効果も期待できる。

（５８） 接続パターン１３４の上側が誘電体の膜１３８になるので、パターンに保護ができる。なおＡｌで構成されるので特別な工程を追加せずにすむ。

（５９） 接続パターン１３４の最上部が誘電体の膜１３８になるので、Ａｕの膜１３７のはがれも防止できる。

（６０） 誘電体の膜１３８は、接続パターン１３４やボンディングパッド１３１〜１３３以外の電気的特性に影響のでない部分にも蒸着可能であり、該誘電体で放熱構造を構築すれば、さらに、外部への放熱が改善できる。

なお、本発明は、上記実施例に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。

（ｉ） 実施例１〜３及び実施例５では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属としてＡｕを使用したが、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。

（ii） 実施例１、２及び実施例５では、ＡｌまたはＡＬ合金よりも、熱伝導率の高い金属の膜３７，５６を一層に形成したが、金属を変えて多層にしてもよい。

（iii) 実施例５、６では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体をＡｌ₂Ｏ₃としたが、ＡＩＮやＳｉ₃Ｎ₄も利用可能である。ＡＩＮやＳｉ₃Ｎ₄の熱伝導率は、２００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，５．５［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］である。また、ＡｇやＣｕも熱伝導率が高く、それぞれ４２６［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］，３９８［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］なので、これらを利用しても同様の効果が得られる。

（iv） 実施例５、６では、基板よりも熱伝導率の高い誘電体の膜１１６，１３８を１層にしたが、多層にしてもよい。

（ｖ） 実施例３の膜７６の上、或いは実施例４の膜９６の上に、基板よりも熱伝導率の高い誘電体のＡｌ₂Ｏ₃を積層してもよい。

（vi） 実施例１〜６で説明した製造工程では、ＡｌやＡｌ₂Ｏ₃にリフトオフを適用したが、エッチングを行うようにしてもよい。

本発明の実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 従来のＳＡＷフィルタの基本構成を示す回路図である。 図２の周波数特性を示す特性図である。 図２のＳＡＷ共振子１０の要部を示す構成図である。 ４段構成の梯子型ＳＡＷフィルタの回路図である。 図５のＳＡＷフィルタの構成図である。 図５のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す特性図である。 従来のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例１を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図９中のＳＡＷ共振子３０_s1の構成を示す斜視図である。 図１のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図１２中のＳＡＷ共振子５０_s1の構成を示す斜視図である。 本発明の実施例２を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 図１２のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図１６中のＳＡＷ共振子７０_s1の構成を示す斜視図である。 本発明の実施例３を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 図１６のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図２０中のＳＡＷ共振子９０_s1の構成を示す斜視図である。 本発明の実施例４を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 図２０のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図２４中のＳＡＷ共振子１１０_s1の構成を示す斜視図である。 本発明の実施例５を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 図２４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。 本発明の実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図である。 図２８中のＳＡＷ共振子１３０_s1の構成を示す斜視図である。 本発明の実施例６を示す梯子型ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図である。 図２８のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。

符号の説明

１０_s1〜１０_s4，１０_p1〜１０_p4，３０_s1〜３０_s4，３０_p1〜３０_p4，５０_s1〜５０_s4，５０_p1〜５０_p4，７０_s1〜７０_s4，７０_p1〜７０_p4，９０_s1〜９０_s4，９０_p1〜９０_p4，１１０_s1〜１１０_s4，１１０_p1〜１１０_p4，１３０_s1〜１３０_s4，１３０_p1〜１３０_p4 ＳＡＷ共振子
１１〜１３，３１〜３３，５１〜５３，７１〜７３，９１〜９３，１１１〜１１３，１３１〜１３３ ボンディングパッド
１４，３４，５４，７４，９４，１１４，１３４ 接続パターン
１５，３５，５５，７５，９５，１１５，１３５ 基板
１０ａ，３０ａ，５０ａ，７０ａ，９０ａ，１１０ａ，１３０ａ ＩＤＴ
３６，５７，９４，１３４ ＡｌまたはＡｌ合金膜
３７，５６，７４，１３７ Ａｕ膜
１１６，１３８ 誘電体膜

Claims (2)

1. 表面を具えた基板と、
   前記基板の前記表面に形成された第１弾性表面波共振子と、
   前記基板の前記表面に形成されたボンディングパッドと、
   前記基板の前記表面に形成され、前記第１弾性表面波共振子と前記ボンディングパッドとを接続する接続パターンと、
   前記接続パターン上に前記接続パターンの幅よりも狭く形成され、前記基板よりも熱伝導率の大きい誘電体膜と、
   を有することを特徴とする弾性表面波フィルタ。
2. 表面を具えた基板と、
   前記基板の前記表面に形成された第１弾性表面波共振子と、
   前記基板の前記表面に形成された第２弾性表面波共振子と、
   前記基板の前記表面に形成され、前記第１弾性表面波共振子と前記第２弾性表面波共振子とを接続する接続パターンと、
   前記接続パターン上に前記接続パターンの幅よりも狭く形成され、前記基板よりも熱伝導率の大きい誘電体膜と、
   を有することを特徴とする弾性表面波フィルタ。

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