JP4461268B2 - 半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを用いた半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、放熱板などの半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを接合したパワー半導体モジュールなどの半導体装置に関するものである。

近年、半導体装置において、半導体素子から発生する熱を効率よく放散し、更には、一時的に熱を分散するために放熱板が広く使用される。例えば、パワー半導体モジュールにおいては、半導体素子から発生する熱は、銅又はアルミニウムなどのパターン、Ａｌ₂Ｏ₃又はＡｌＮなどのセラミックおよび導体層で構成される回路基板を介して放熱板へ伝熱され、構造物全体の温度を低下させるために放熱板には高い熱伝導性が要求されている。

パワー半導体モジュールは半導体素子と回路基板、回路基板と放熱板をはんだ接合しており、半導体素子と回路基板ははんだ接合面積が小さいので問題にならないことが多いが、回路基板と放熱板ははんだ接合面積が大きいので、両者の熱膨張係数の差が大きい場合には、はんだ接合部に大きな応力が負荷されるために、アセンブリ時や使用環境によってクラックが発生して、半導体装置としての信頼性が得られない場合がある。
さらに近年、環境問題によって鉛を含有しないはんだ、すなわちＰｂフリーはんだの要求が高まっており、回路基板と放熱板の接合に、Ｓｎ-Ｃｕ系（ＳｎとＣｕを主成分とするもの）、Ｓｎ-Ａｇ系（ＳｎとＡｇを主成分とするもの）、Ｓｎ-Ａｇ-Cu系（ＳｎとＡｇとＣｕを主成分とするもの）などのＰｂフリーはんだを使用すると、はんだ接合時に放熱板の反りが大きくなってしまう。放熱板は放熱用フィンに固定されるので、そりが大きいと接触面積が少なくなり、フィン側への放熱性が大きく低下してしまう。
そりが大きくなる理由として、はんだが凝固すると同時に回路基板と放熱板の熱膨張係数差による応力が加わり、負荷応力に応じて放熱板が変形する。Ｓｎ-Ｐｂ系（ＳｎとＰｂを主成分とするもの）のはんだでは、変形後の負荷応力に対してクリープによる変形が起こり、放熱板のそり量は少なくなる。しかしＰｂフリーはんだは常温でクリープによる変形が少なく、放熱板は大きく反ったままである。

この対策のひとつとして、はんだ接合前の放熱板にはんだ接合で発生する反りと逆方向に大きなそりを形成する方法があるが、一般的に放熱板のそり付けはプレスで行っており、そり量が大きくなるとその精度が低下してしまう。更にアセンブリ時においても、湾曲した放熱板に精度良く位置決めして回路基板や半導体素子をはんだ接合するのは困難である。
また、熱伝導率が高くかつ加熱時に軟化しにくい材料、つまり加熱時に耐力の劣化が少ない析出強化型の銅基合金などの材料を用いる手法もある（例えば、特許文献１参照。）が、Ｐｂフリーはんだを変形させるには至らない。
そこで、これを本質的に解決するには熱膨張係数を低くした放熱板が必要となる。放熱板材料に使用される金属としては熱伝導率が高いＣｕやＡｌが広く用いられている。但しパワー半導体モジュールにおいては、特に高い熱伝導率が必要であるから、Ｃｕ系材料が用いられている。Cuは３９０W／ｍ・Ｋの熱伝導率を有しているが、熱膨張係数が１７×１０^-6／Ｋと高く、はんだ接合後のそり量が大きくなってしまう。そこで材料の熱膨張係数を下げるためにＭｏ、Ｗ、Ｃｒといった低熱膨張係数元素やＣｕ₂Ｏ、ＳｉＣなど非金属化合物を第二相として分散させた材料が提案されている。しかし、熱伝導率が低下してしまう、更に製法上の制約からコストが高くなるといった問題が挙げられる。
特開２００３−６８９４９号公報

本発明は、放熱板などの半導体装置部品用材料において従来のような弊害の多い熱膨張係数低減用の第二相を金属内部に分散させて熱膨張係数を下げるのではなく、放熱板用の金属表面に処理膜を形成させて上記問題を解決する放熱板などの半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを接合したパワー半導体モジュールなどの半導体装置の提供を目的とするものである。

本発明は半導体装置における熱膨張係数が異なった回路基板と放熱板を接合する場合の、熱膨張係数差から生じる接合部の応力を低減し、且つ熱伝導率に優れ、コスト的に低廉である放熱板などの半導体装置部品およびその製造方法ならびにこれを接合したパワー半導体モジュールなどの半導体装置を提供するものであって、放熱板などの半導体装置部品に必要とされる、低熱膨張係数、高熱伝導率を達成するために、銅又は銅基合金の板状体を母材として、低熱膨張係数であるＣｕ-Ｓｎ系などの金属間化合物を表面に形成して被覆するものであって、特にＰｂフリーはんだで接合した場合でもそりを低減させ、良好な半導体装置を得ることができるものである。

すなわち、本発明は、第１に、銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に金属間化合物の層が形成されてなる、半導体装置への接合用の半導体装置部品；第２に、前記半導体装置部品が、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋ以下の放熱板である、第１記載の半導体装置部品；第３に、前記金属間化合物の層がＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物（ＣｕとＳｎを主成分とする金属間化合物）の層である、第１または２に記載の半導体装置部品；第４に、前記Ｃｕ−Ｓｎ系金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層である、第３記載の半導体装置部品；第５に、前記Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、前記Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下である、第４記載の半導体装置部品；第６に、前記Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さと前記Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上である、第４または５に記載の半導体装置部品；第７に、前記接合がＳｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のＰｂフリーはんだによる接合である、第１〜６のいずれかに記載の半導体装置部品；第８に、前記半導体装置がパワー半導体モジュールである、第１〜７のいずれかに記載の半導体装置部品；第９に、銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に金属間化合物の層が形成されてなり、該金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層であり、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下であり、かつ、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さと該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上である、金属間化合物の層が形成された板状体；第１０に、前記銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に１〜１５μｍの厚さのＳｎメッキを施し、次いで１８０〜２４０℃で２時間以上熱処理する、第１〜８のいずれかに記載の前記半導体装置部品を製造する方法；第１１に、前記熱処理に続いて２４０℃を超える温度で二次熱処理を行う、第１０記載の製造方法；第１２に、第１〜８のいずれかに記載の前記半導体装置部品が接合されてなる半導体装置である。

本発明に係る半導体装置部品は接合されるべき半導体装置の絶縁基板等からなる回路基板などに近い低熱膨張係数を、さらには高熱伝導率を有し、低コストで生産性よく製造されるものであって、半導体装置への接合において、そりが低減されて放熱性の良好な半導体装置を低コストで提供できるという効果を奏する。

以下に本発明の内容をさらに具体的に説明する。銅又は銅基合金は熱伝導性に優れているが熱膨張係数が接合される絶縁基板を含む回路基板と比較して大きい。そこで、銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面を金属間化合物で被覆して、熱伝導性を保ちつつ、熱膨張係数を下げる方法が良いことを見出し本発明に至った。Ｃｕ-Ｓｎ系金属間化合物は銅又は銅基合金からなる板状体を母材として、Ｓｎを電解又は無電解でめっきして熱処理によって形成させる。Ｓｎめっき厚さは１〜１５μｍが望ましい。１μm未満の場合には、熱処理後に目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物が形成されず、又、１５μｍを超える場合には、必要とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物を形成するのに非常に長い時間がかかり、コスト、生産性において不利になるためである。また、１５μｍを超える場合には、熱処理温度によって、Ｃｕ-Ｓｎ系金属間化合物が形成される前にめっきされたＳｎが溶融しやすく、液滴上になって平滑な平面が得られないためである。更に好ましいＳｎめっき厚さは１〜１０μｍである。

本発明に用いられる銅又は銅基合金の板状体の厚さは１〜５ｍｍがよく、例えばコネクター等の他の電子材料に使用される銅又は銅基合金に比べて厚い場合が多い。このような比較的厚い板状体の熱膨張の制御が数μｍ〜３０μｍという比較的薄い金属間化合物の被覆によりできること、さらには熱伝導率の低下も小さく、両特性を放熱板として十分なレベルに保持できることが本発明の最大の特徴であり利点である。特にこのような比較的薄い金属間化合物層を被覆させることで、比較的厚い銅又は銅基合金の板状体の熱膨張を制御できることを見出し本発明に至ったのものである。
よって、特に銅又は銅基合金の板状体の厚さは好ましくは１〜５ｍｍ、さらに好ましくは２〜５ｍｍとする。

Ｓｎめっきを施した後に、１８０℃〜２４０℃で２時間以上、好ましくは２〜２００時間熱処理を行うことによって、Ｓｎ中にＣｕが拡散して、目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物層を形成することができる。熱処理温度が２００℃〜２４０℃であると更に良い。１８０℃未満又は２時間未満の場合には、Cuが十分に拡散しないために、目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物が形成されない。また、２４０℃を超える温度では、Ｃｕ-Ｓｎ系金属間化合物が形成される前に、Ｓｎが溶融してしまう。又、２００時間を超える時間では拡散効果が飽和し、生産性、コストの面で効果がなく不利となる。
Ｓｎめっきを施した後に熱処理を行うことで、目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物が得られる。その金属間化合物はＣｕ₆Ｓｎ₅、Ｃｕ₃Ｓｎであり、それぞれの厚さが０〜１５μm、１〜１５μｍで且つＣｕ₆Ｓｎ₅の厚さの１／２とＣｕ₃Ｓｎの厚さの和が２μｍ以上であることが望ましい。和が２μｍ未満の場合には必要とする低い熱膨張係数が得られず、又、金属間化合物の各層の厚さが１５μｍを超えると、必要とする熱伝導率が得られないためである。

Ｃｕ-Ｓｎ系金属間化合物を形成するために必要な熱処理は、１８０℃〜２４０℃と、２４０℃を超える温度の2段で行うとさらに良い。1段目は１８０℃以上で、Ｓｎ融点近傍である２４０℃以下で行うことで、Ｓｎ中にＣｕを拡散させる。その後、２段目に２４０℃を超える温度で二次熱処理することにより、必要なＣｕ₆Ｓｎ₅、Ｃｕ₃Ｓｎの厚さを得るのに短時間で済み、生産性、コスト面で優れているからである。
以上のように、銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面にＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物を形成して被覆した放熱板などの半導体装置部品は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋ以下である。熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ未満の場合には半導体装置が必要とする放熱性が得られず、熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋより大きいと半導体装置の接合部の信頼性が得られないためである。更に好ましくは熱伝導率が３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１５×１０^-6／Ｋ以下である。

また、以上の構成要件を備えた板状体として、銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に金属間化合物の層が形成されており、該金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層であり、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下であり、かつ、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さと該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上である、金属間化合物の層が形成された板状体は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋ以下の上記特性を有するものであり、半導体装置部品のみならず、機械部品用などの広範な用途を有するものである。

以下に本発明の実施例を記載するが、本発明の技術的範囲はこれらの記載に限定されるものではないことはいうまでもない。

［実施例Ａ］ 銅を高周波誘導溶解炉を用いて溶製し、１８０ｍｍの厚さでインゴットを鋳造した。その後、９００℃で均質化処理を行い、１０mｍの厚さまで熱間圧延を行った。しかる後に冷間圧延、焼鈍、冷間圧延を繰り返して、板厚３.０ｍｍの板状体の試片を試作した。
放熱板の平面図および側面図について図1に示したように、上記試片を９０mｍ×５０mｍの形状にプレス加工し、浸漬、電解脱脂、純水洗といった前処理を行った後に全外周面に１、３、５、１０μｍの厚さの電気Ｓｎめっきを施した。そのめっき厚を表1に示す。そのときのベース(試片)のそり量は接合後に発生するそり方向と反対方向へ長手方向７０μm、短手方向０μｍのそりとした。しかる後に１５０℃〜３５０℃の範囲の所定温度で熱処理を行い、断面を切断して、Ｃｕ-Ｓｎ系金属化合物の厚さを測定した。詳しくは断面を切断後、断面研磨し、レーザー顕微鏡にて色の異なる層の厚さを測定した。それぞれの色の異なる層はＸ線回折装置及びＥＰＭＡで、それぞれＳｎ、Ｃｕ₃Ｓｎ、Ｃｕ₆Ｓｎ₅等の金属や金属間化合物であることを同定、確認した。レーザー顕微鏡により、各層の厚さを１０点測定して、その平均を代表値とした。その結果を表１に示す。

しかる後に、上記のとおり得られた放熱板１に回路基板の平面図および側面図について図２に示した外形が６０mm×３５mｍのＡｌ₂Ｏ₃からなる絶縁基板５と銅パターン４（厚さ０.３ｍｍ）および銅板の導体層６（厚さ０.３ｍｍ）で構成された回路基板３をはんだ付けにより接合した。はんだ接合はＳｎ-3.0Ａｇ-0.5Ｃｕ(すなわち、Ｓｎ 96.5質量％、Ａｇ 3.0質量％、Ｃｕ 0.5質量％)のＰｂフリーはんだ２で、３００℃で１分間加熱して接合した。パワー半導体モジュール用放熱板として、銅の板状体を用いる場合は、銅の酸化によるはんだ濡れ性低下、はんだ接合部健全性を保つために、通常Ｎｉめっきを施す。そこで、基準用として前記試片に電気Ｎｉめっきを３μｍ厚さ施し、上記のＰｂフリーはんだ２で接合した後のそり量を測定した。Ｎｉめっき後の試片の接合前のそり量は前記同様に接合後に発生するそり方向と反対方向へ長手方向７０μm、短手方向０μｍとし、この場合のはんだ接合後のそり量に対比して、上記実施例１〜２３及び比較例１〜４、６〜８についてそり量を測定して、放熱板１と回路基板３との接合時の断面図の図３に示したように、Ｎｉめっきを施した放熱板１のそり量に対する各実施例、比較例のそり低減量を測定して評価した。その結果を上記表１に示す。
なお、図３の放熱板１について破線で示した部分は接合前の放熱板（の形状、位置）であり、実線で示した部分は接合後のそりが発生した放熱板（の形状、位置）であって、上記の両者のそり量の差（そり低減量ｄｘ）を求めて、上記そり低減量とした。

表１の結果から、本発明である実施例１〜２３はいずれも、Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍの範囲内にあり、Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さとＣｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上のため、そり低減量が２０μｍ以上で優れている。Ｃｕ₃Ｓｎ厚さとＣｕ₆Ｓｎ₅厚さの１／２との和が２μｍ以上になるためには、熱処理前Ｓｎめっき厚が1〜１５μｍで、熱処理温度が１８０℃〜２４０℃で、且つ熱処理時間が２時間以上であることが必要である。
比較例１、２、６、７は熱処理温度が低く、Ｓｎ中へのＣｕの拡散が不十分のため、目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物の層の厚さが得られないために、そり低減量が小さく効果が得られない。比較例３、４、８は熱処理時間が1時間と短く、Ｓｎ中へのＣｕの拡散が不十分のため、目的とするＣｕ-Ｓｎ系金属間化合物の層の厚さが得られないために、そり低減量が小さく効果が得られない。比較例５、９は熱処理温度が高いため、ＣｕがＳｎ中へ拡散する前にＳｎが溶融してしまい、放熱板１表面にＳｎの液滴が発生して凹凸になってしまい、その高さは数十μmと高くなり、回路基板３とのはんだ接合部健全性が得られない。

［実施例Ｂ］ 前記表1に示した本発明品である実施例１３、１５、めっき熱処理を施していないＣｕの板状体のみの比較例１０及び前述のＣｕの板状体に電気Ｎｉめっきを施した比較例１１(前述の基準用放熱板)について熱膨張係数及び熱伝導率を測定した。熱膨張係数の測定は２０〜３００℃において実施し、それぞれ２０℃の放熱板長手方向の長さに対する３００℃における伸び量を測定して計測した。また、熱伝導率はレーザーフラッシュ法により２０℃における値を測定した。その結果を表２に示す。

表２の結果から、本発明である実施例１３及び１５は熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋ以下、さらには１４×１０^-6／Ｋ以下と低いものであって優れており、更に熱伝導性も２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって高い値を示しており、銅基合金で同等の熱膨張係数を有するＣｕ-ＣｒやＣｕ-Ｃｕ₂Ｏと比べて１００W／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を示し優れている。比較例１０、１１は熱膨張係数が１７×１０^-6／Ｋ以上と高いために、絶縁基板を含む回路基板３とのはんだ接合後のそり量が大きくなる。

図４は、本発明に係るパワー半導体モジュールの断面を示す概念図であって、Ａｌ₂Ｏ₃からなる絶縁基板５と銅パターン４および銅板などの導体層６で構成された回路基板３において、銅パターン４にＳｉチップ７をはんだ２で接合しこれをＡｌリード線８で配線して回路を形成するとともに、導体層６に放熱板１をはんだ２で接合したものである。

さらに、図５は、本発明に係るパワー半導体モジュールの実例において一部を破断して内部を示した斜視図であって、エポキシケース９、シリコーンゲル充填剤１０、端子１１、半導体チップ１２、接着剤１３、放熱板１４、回路基板１５、Ａｌリード線１６から構成されるものであって、放熱板１４に穿設されたねじ孔を介して（図外の）放熱用フィンに固定されるものである。

低熱膨張係数と高熱伝導率を備え、Ｐｂフリーはんだを用いた場合であっても接合後のそりが低減される放熱板などの半導体装置部品に適する。

放熱板の平面図および側面図である。 回路基板の平面図および側面図である。 放熱板と回路基板の接合時の断面図であり、左側の図は各実施例および比較例１〜１０の接合を示す図であり、右側の図は電気Ｎｉめっきを施した放熱板を用いて接合した基準用の比較例１１の場合を示す図である。 パワー半導体モジュールの断面を示す概念図である。 パワー半導体モジュールの実例において一部を破断して内部を示した斜視図である。

符号の説明

１ 放熱板
２ Ｐｂフリーはんだ
３ 回路基板
４ 銅パターン
５ 絶縁基板
６ 導体層
ｄｘ そり低減量
７ Ｓｉチップ
８ Ａｌリード線
９ エポキシケース
１０ シリコーンゲル充填剤
１１ 端子
１２ 半導体チップ
１３ 接着剤
１４ 放熱板
１５ 回路基板
１６ Ａｌリード線

Claims (13)

1. 銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面にＳｎをメッキし次いで熱処理して金属間化合物の層が形成されてなり、該金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層であり、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下である、半導体装置への接合用の半導体装置部品。
2. 銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面にＳｎをメッキし次いで熱処理して金属間化合物の層が形成されてなり、該金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層であり、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下であり、かつ、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さと該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上である、半導体装置への接合用の半導体装置部品。
3. 前記Ｓｎをメッキし次いで熱処理する工程が、１〜１５μｍの厚さのＳｎメッキを施し次いで１８０〜２４０℃で２時間以上熱処理する工程である、請求項１または２に記載の半導体装置部品。
4. 前記の１８０〜２４０℃で２時間以上の熱処理に続いて２４０℃を超える温度で二次熱処理されてなる、請求項３に記載の半導体装置部品。
5. 前記半導体装置部品が、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、熱膨張係数が１６×１０^-6／Ｋ以下の放熱板である、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置部品。
6. 前記接合がＳｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のＰｂフリーはんだによる接合である、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置部品。
7. 前記半導体装置がパワー半導体モジュールである、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置部品。
8. 銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面にＳｎをメッキし次いで熱処理して金属間化合物の層が形成されてなり、該金属間化合物の層がＣｕ₃Ｓｎの層又はＣｕ₃Ｓｎの層とＣｕ₆Ｓｎ₅の層との積層であり、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さが１〜１５μｍ、該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さが１５μｍ以下であり、かつ、該Ｃｕ₃Ｓｎの層の厚さと該Ｃｕ₆Ｓｎ₅の層の厚さの１／２との和が２μｍ以上である、金属間化合物の層が形成された板状体。
9. 前記Ｓｎをメッキし次いで熱処理する工程が、１〜１５μｍの厚さのＳｎメッキを施し次いで１８０〜２４０℃で２時間以上熱処理する工程である、請求項８に記載の板状体。
10. 前記の１８０〜２４０℃で２時間以上の熱処理に続いて２４０℃を超える温度で二次熱処理されてなる、請求項９に記載の板状体。
11. 前記銅又は銅基合金からなる板状体の表裏両面に１〜１５μｍの厚さのＳｎメッキを施し、次いで１８０〜２４０℃で２時間以上熱処理する、請求項１〜７のいずれかに記載の前記半導体装置部品を製造する方法。
12. 前記熱処理に続いて２４０℃を超える温度で二次熱処理を行う、請求項１１に記載の製造方法。
13. 請求項１〜７のいずれかに記載の前記半導体装置部品が接合されてなる半導体装置。

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