JP4460418B2 - シールド体および真空処理装置 - Google Patents

Description

本発明は真空処理装置に用いるシールド体、および当該シールド体を用いた真空処理装置に関する。

従来、例えば半導体装置や表示装置、または電子装置などの製造においては、真空状態または減圧状態の雰囲気中で被処理基板に対して、成膜、エッチング、表面処理などの基板処理を行う、様々な種類の、いわゆる真空処理装置が用いられてきた。

このような真空処理装置を用いる場合、被処理基板を内部に保持する処理容器の内壁面には成膜やエッチング、表面処理などで飛散した付着物など付着して堆積物となり、当該堆積物が剥離することでパーティクルなどの被処理基板の汚染源の発生原因となってしまう場合があった。

そこで、これらの堆積物が処理容器の内壁面などに付着することを防止するため、処理容器の内壁面など処理容器内で堆積物が堆積する部分を覆って堆積物の付着を防止する、いわゆるシールド板が用いられることがあった。

真空処理装置の処理容器の内部にこのようなシールド板を用いた場合、メンテナンス時にはシールド板を交換するか、またはシールド板に堆積した堆積物を除去することでパーティクルの発生などを防止することが可能となり、処理容器内部などに堆積物が堆積した場合にくらべてメンテナンスのコストと時間が節約できる。

しかし、真空処理装置の処理容器内にシールド板を用いた場合、例えば成膜、エッチング、表面処理などで処理容器内に温度変化が生じた場合、当該シールド板が温度変化に応じて伸縮するため、当該シールド板に堆積した堆積物が剥離してパーティクルの発生源になってしまう場合があった。また、シールド板の温度が基板処理に影響を与える場合もあるため、シールド板の温度は任意の温度にできることが好ましい。

そこで、処理容器内のシールド板に、例えばヒータなどの加熱手段を付加してシールド板を加熱する場合があった。
特開２０００−０８２６９９号公報

しかし、真空処理装置の処理容器内に設置するシールド板にヒータを付加する場合には、例えば以下に示すように様々な問題が生じる場合があった。

例えば、シールド板の外側にヒータを取り付けようとする場合には、処理容器内が真空状態または減圧状態であるため、これらの条件に耐えるヒータである必要があるため、用いる材料が限定され、使用できるヒータの種類や構造、材質などが限定されてしまう場合があった。

また、ヒータを取り付けたシールド板の構造が複雑化・大型化してしまい、その結果シールド板が厚くなり、またヒータを含めたシールド板に係るコストが増大してしまう懸念があった。

そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な、真空処理装置に用いるシールド体と、当該シールド体を用いた真空処理装置を提供することを課題としている。

本発明の具体的な課題は、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、加熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体を用いた真空処理装置を提供することである。

本発明では上記の課題を、請求項１に記載したように、
真空処理装置の処理容器内部に設置される、シールド体であって、
前記処理容器内部の減圧された処理空間に露出される外壁構造と、
前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、
前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、
前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸するようにして形成されており、
前記加熱手段の一面と前記外壁構造との間に空間が形成されていることを特徴とするシールド体により、また、
請求項２に記載したように、
前記内部空間を含む前記外壁構造の厚さは５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のシールド体により、また、
請求項３に記載したように、
前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特徴とする請求項１または２記載のシールド体により、また、
請求項４に記載したように、
前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載のシールド体により、また、
請求項５に記載したように、
前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項３記載のシールド体により、また、
請求項６に記載したように、
処理容器と、
前記処理容器内部の処理空間を排気する排気手段と、
被処理基板を保持する保持台と、
前記処理容器内部に設置されるシールド体と、を有する真空処理装置であって、
前記シールド体は、
前記処理容器内部の減圧された前記処理空間に露出される外壁構造と、
前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、
前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、
前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸するようにして形成されており、
前記加熱手段の一面と前記外壁構造との間に空間が形成されていることを特徴とする真空処理装置により、また、
請求項７に記載したように、
前記内部空間を含む前記外壁構造の厚さは５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の真空処理装置により、また、
請求項８に記載したように、
前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特徴とする請求項６または７記載の真空処理装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項６乃至８のうち、いずれか１項記載の真空処理装置により、また、
請求項１０に記載したように、
前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項８記載の真空処理装置により、また、
請求項１１に記載したように、
前記シールド体は前記保持台の周囲を覆うように前記処理容器の内壁に沿って形成されていることを特徴とする請求項６乃至１０のうち、いずれか１項記載の真空処理装置により、また、
請求項１２に記載したように、
前記シールド体は略円筒形状であることを特徴とする請求項６乃至１１のうち、いずれか１項記載の真空処理装置により、また、
請求項１３に記載したように、
前記処理容器には、平行平板プラズマによるプラズマ励起手段が設けられていることを特徴とする請求項６乃至１２のうち、いずれか１項記載の真空処理装置により、また、
請求項１４に記載したように、
前記処理容器には、ラジアルラインスロットアンテナを含むプラズマ励起手段が設けられていることを特徴とする請求項６乃至１２のうち、いずれか１項記載の真空処理装置により、解決する。

本発明によれば、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、加熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体を用いた真空処理装置を提供することが可能となる。

次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、以下に説明する。

図１は、本発明の実施例１による、真空処理装置１０と、当該真空処理装置１０に用いられるシールド体１００を、模式的に示した図である。

図１を参照するに、前記真空処理装置１０は、例えば、上部が開口した、略円筒形の処理容器１１と、当該処理容器１１の開口部を塞ぐように、当該処理容器１１上に設置された、例えば、いわゆるシャワーヘッド構造を有する供給部１３を有している。

前記処理容器１１と前記供給部１３によって画成される、前記処理容器１１内部の空間である処理空間１１Ａの底部には、例えば半導体ウェハなどの被処理基板Ｗを保持する保持台１２が設置されている。前記保持台１２は、例えばヒータなどの加熱手段を有するように構成してもよい。

前記処理容器１１の底部には、排気口１１Ｂに接続された、例えば真空ポンプなどの排気手段１４が設置され、前記処理空間を排気することが可能に構成され、前記処理空間は、真空状態に排気される。なお、本文では厳密な意味での真空状態のみならず、処理空間を真空ポンプなどで排気した状態で、処理空間中に、例えば残留気体などの残留物質がある状態、いわゆる減圧状態も含めて真空状態と表記している。

前記供給部１３には、供給ライン１５が接続され、当該供給ライン１５から供給される、基板処理に必要な、成膜、エッチング、表面処理などに係る処理ガスは、前記供給部１３に複数形成された、ガス孔１３Ａから前記処理空間１１Ａに供給される構造になっている。

さらに、前記供給部１３には、例えば高周波電源１６が電気的に接続され、高周波電力が印加されて前記処理空間１１Ａに処理ガスのプラズマを励起することが可能となっており、いわゆる平行平板プラズマを励起することが可能な構造になっている。

本実施例による真空処理装置１０では、前記処理空間１１Ａに、前記処理容器１１の内壁面を保護する、シールド体１００が設置されている。当該シールド体１００を設置したことで、基板処理において、成膜やエッチング、表面処理などで飛散した付着物が、処理容器の内壁面などに付着することを防止している。そのため、処理容器のメンテナンス時には当該シールド体を交換するか、またはシールド体を処理容器より取り外して、堆積した堆積物を除去することでパーティクルの発生などを防止することが可能となり、処理容器の内壁面などに堆積物が堆積した場合にくらべてメンテナンスのコストと時間が節約できる。

この場合、本実施例による前記シールド体１００は、前記処理空間１１Ａに露出される外壁構造１０１と、前記外壁構造１０１の内部に形成された、前記処理空間１１Ａと隔絶された内部空間１０１Ａと、前記内部空間１０１Ａに設置された、前記外壁構造１０１を加熱する加熱手段１０２と、を有している。さらに、前記内部空間１０１Ａは前記処理空間１１Ａの外部に連通しており、前記加熱手段１０２はシート状に前記内部空間１０１Ａに延伸するようにして形成されている。

このため、本実施例によるシールド体１００は、加熱手段を有しながら、単純な構造であり、また内部に加熱手段を有するシールド体の外壁構造の厚さを薄くして、薄型化・小型化された構造である特長を有している。

また、前記内部空間１０１Ａが、前記処理容器１１の外部、すなわち前記処理空間１１Ａの外部の空間である外部空間１１Ｃに連通している。この場合、前記内部空間１０１Ａは、前記外部空間１１Ｃの側に開口した、前記外壁構造１０１の開口部である開口部１０１Ｂを介して、前記外部空間に連通している。この場合、前記外部空間１１Ｃは、通常の大気で満たされた大気圧の空間であるため、前記内部空間１０１Ａに関しても内部は大気で満たされ、また圧力も略大気圧となる。すなわち、前記内部空間１０１Ａは、前記処理空間１１Ａの側では当該処理空間１１Ａと前記外壁構造１０１で隔絶されており、前記外部空間１１Ｃの側では前記開口部１０１Ｂにより、当該外部空間１１Ｃと連通して内部が大気圧となっている。

このため、前記内部空間１０１Ａに設置して用いる加熱手段１０２、例えばヒータは、真空状態から隔絶され、大気圧の状態で用いることができる。例えば従来は真空中に設置するシールド板に加熱手段を付加する場合、用いる材質に様々な制限があり、例えばガス放出特性などの特性上、形成できる加熱手段の形状や大きさなどが制限される問題があった。本実施例による加熱手段では、用いる材料のガス放出特性などの制限が少なく、設計の自由度が上がり、様々な材料を用いて様々な形状の加熱手段を用いることが可能になり、加熱手段に係るコストの低減、形状の単純化・薄型化・小型化が容易となる効果を奏する。

このため、従来真空中では用いることが困難であった、ラバー状のヒータや、ポリイミド製の樹脂ヒータ、マイカシートによるヒータなどを用いることが可能となり、例えば前記内部空間１０１Ａに延伸するように、シート状に形成された加熱手段を低コストで、単純な構造で製造することが可能となっている。

また、上記の特徴を有するため、本実施例によるシールド体は、薄型化が可能であり、図１に示すように、シールド体の厚さ、すなわち前記加熱手段１０２が設置された前記内部空間１０１Ａを含む前記外壁構造１０１の厚さＴを、５ｍｍ以下とすることが可能となっている。この場合、前記外壁構造１０１の厚さＴは、外壁構造の全ての部位において必ずしも同じである必要は無く、前記処理空間１１Ａに露出した、前記外壁構造１０１の主要な部分の厚さがＴであることを示し、本実施例の場合、当該主要な部分の厚さＴが５ｍｍ以下であることを示す。

また、前記加熱手段１０２に必要な電力を供給する電源１０３は、前記外部空間１１Ｃに設置されるが、前記加熱手段１０２と前記電源１０３を接続する接続線１０２Ａは、前記加熱手段１０２から前記開口部１０１Ｂを介して、前記電源１０３に接続されている。このように、前記加熱手段１０２と前記外部空間１１Ｃに設置された電源１０３とを接続する場合、前記内部空間１０１Ａが前記外部空間１１Ｃと連通しているため、加熱手段と電源などの外部機器の接続が容易である特長を有している。この場合、例えばシール材料や、隙間を充填する材料、フランジなどを必要とせず、単純な構造で容易に加熱手段と、電源などの外部機器を接続することが可能となる。

次に、図１に示したシールド体１００について、模式的に示した斜視図を図２に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図２を参照するに、前記シールド体１００は、略円筒形状を有しており、略円筒形状の外壁構造１０１の内部に前記内部空間が形成され、当該内部空間に例えばシート状の加熱手段が延伸するように形成された構造を有している。また、前記シールド体１００には、例えば円筒形状の外壁構造の周縁部に、当該円筒形状の半径方向に延伸する、つば状の接続部１０１Ｃが形成され、当該接続部１０１Ｃの先端部付近に前記開口部１０１Ｂが形成され、当該開口部１０１Ｂから前記接続線１０２Ａが挿入される構造を有している。

また、図１、図２からわかるように、前記シールド体１００は、略円筒形状を有しており、略円筒形状のシールド体が、前記保持台１２の周囲を覆うようにして、前記処理容器１１の内壁に沿って形成されている。このため、前記処理容器１１の内壁面に付着物が付着することを防止している。なお、シールド体の構造は図１、図２に示した形状に限定されるものではなく、様々な処理装置、処理容器の形状に応じて、変形、変更して用いることが可能であり、例えば、略直方体の処理容器に対応して略直方体の形状とすることや、また処理容器の内壁面に対して、分割してシールド体を構成すること、また処理容器の内壁面に限定されず、処理容器内の構造物、例えば保持台や、シャワーヘッドなどのガス供給部などを覆うように構成し、これらに付着物や堆積物が形成されることを防止することが可能である。

次に、図１に示した真空処理装置１０の変形例である真空処理装置１０Ａを、図３に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図３を参照するに、本実施例による真空処理装置１０Ａには、前記外壁構造１０１の温度を測定する温度測定手段１０４と、該温度測定手段１０４により測定される温度に対応して前記加熱手段１０２を制御する制御手段１０５とを有するシールド体１００Ａが設置されている。

前記温度測定手段１０４は、例えば熱電対などからなり、当該温度測定手段１０４で測定された、温度に対応する信号は、接続線１０４Ａを介して前記制御手段１０５に送られ、当該制御手段１０５では、前記外壁構造１０１の温度に対応して前記電源１０３の出力を制御し、前記電源１０３を介して前記加熱手段１０２を制御する構成になっている。

本実施例によるシールド体１００Ａでは、前記温度測定手段１０４で測定された温度または温度に対応する信号などに対応して前記制御手段１０５が前記電源１０３の出力を制御するため、前記シールド体１００Ａを所望の温度に制御することが可能であり、またシールド体の温度が安定する特長を有する。そのため、シールド体から付着物が剥離することを抑制し、パーティクルの発生が抑制される。また、成膜やエッチング、表面処理などの基板処理に対して、シールド体が与える温度変化の影響を抑制し、安定な基板処理を行う事が可能となる。

また、前記電源と前記制御手段の機能を有するような電源・制御手段の一体型のものを用いてもよい。

次に、図３に示した真空処理装置１０Ａの変形例である真空処理装置１０Ｂを、図４に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図４を参照するに、本実施例による真空処理装置１０Ｂには、シールド体１００Ｂが設置されている。前記シールド体１００Ｂの前記内部空間１０１Ａには、前記外壁構造１０１を冷却する冷却手段１０６が設置されている。

また、前記冷却手段１０６は、例えば冷却媒体を内部に流す冷却管などからなり、冷却媒体を流すことで当該冷却媒体と前記外壁構造１０１の間で熱交換を行い、当該外壁構造１０１を冷却する。この場合、冷却媒体としては、例えば冷却水などの液体や、Ｈｅなどの気体、その他様々な媒体を用いることが可能である。

また、前記冷却手段１０６は、接続ライン１０６Ａを介して冷却部１０７に接続されている。例えば、前記接続ライン１０６Ａは、供給ラインと還流ラインよりなり、前記冷却部１０７から前記冷却手段１０６に冷却媒体を供給、または前記冷却手段１０６から冷却媒体を還流させる構造になっている。前記冷却部１０７では、冷却手段から還流された冷却媒体を冷却し、冷却手段１０６に供給している。

さらに、前記制御手段１０５は、前記温度測定手段１０４で測定された温度または温度に対応する信号などに対応して前記冷却部１０７の冷却量を制御するため、前記シールド体１００Ｂを所望の温度に制御することが可能であり、またシールド体の温度が安定する特長を有する。本実施例によるシールド体１００Ｂでは、加熱手段と冷却手段の双方を有しているため、加熱手段のみを有している場合に比べて外壁構造の温度が安定しやすく、また速やかに所望の温度とすることができる特徴を有している。

次に、図１に示した真空処理装置１０の別の変形例である真空処理装置１０Ｃを、図５に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図５を参照するに、本実施例による真空処理装置１０Ｃには、前記保持部１２に高周波電源１６Ａが接続され、当該保持部１２に高周波電力を印加することが可能となっている。

上記のように構成することにより、本実施例による真空処理装置１０Ｃでは、前記供給部１３と、前記保持部１２の双方に高周波電力を印加することが可能であり、また必要に応じて前記供給部１３のみ、または前記保持部１２のみに高周波電力が印加されるようにしてもよい。また、前記供給部１３に印加される高周波電力と、前記保持部１２に印加される高周波電力の、周波数が異なるように構成してもよい。

次に、図１に示した真空処理装置１０のさらに別の変形例である真空処理装置１０Ｄを、図６に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。

図６を参照するに、本実施例による真空処理装置１０Ｄの場合、前記処理容器１１上には、前記保持台１２上の被処理基板Ｗに対応する位置に、低損失誘電体よりなるカバープレート１７が、ガス供給リング２０を介して前記被処理基板Ｗに対面するように設置されている。

前記カバープレート１７は、前記処理容器１１上に設置された前記ガス供給リング２０に着座しており、前記ガス供給リング２０には、成膜、エッチング、基板表面処理などの処理に用いる処理ガスを供給するガス供給ラインに接続された、リング形状のプラズマガス通路が形成され、該プラズマガス通路に連通する複数のガス孔２０Ａが、前記被処理基板Ｗに対して略軸対称に形成されている。前記ガス孔２０Ａからは、前記処理ガスが被処理基板上の前記処理空間１１Ａに供給される。

前記処理容器１１上には、さらに前記カバープレート１７上に、前記カバープレート１７から４〜５ｍｍ離間して、図７に示す放射板を有するラジアルラインスロットアンテナ３０が設けられている。

前記ラジアルラインスロットアンテナ３０は前記ガス供給リング２０に着座しており、外部のマイクロ波源（図示せず）に同軸導波管２１を介して接続されている。前記ラジアルラインスロットアンテナ３０は、前記マイクロ波源からのマイクロ波により、前記空間１１Ａに放出された前記処理ガスをプラズマ励起する。

前記ラジアルラインスロットアンテナ３０は、前記同軸導波管２１の外側導波管２１Ａに接続された平坦なディスク状のアンテナ本体２２と、前記アンテナ本体２２の開口部に形成された、図７に示す多数のスロット１８ａおよびこれに直交する多数のスロット１８ｂを形成された放射板１８とよりなり、前記アンテナ本体２２と前記放射板１８との間には、厚さが一定の誘電体板よりなる遅相板１９が挿入されている。また前記放射板１８には、同軸導波管２１を構成する中心導体２１Ｂが接続されている。

かかる構成のラジアルラインスロットアンテナ３０では、前記同軸導波管２１から給電されたマイクロ波は、前記ディスク状のアンテナ本体２２と放射板１８との間を、半径方向に広がりながら進行するが、その際に前記遅相板１９の作用により波長が圧縮される。そこで、このようにして半径方向に進行するマイクロ波の波長に対応して前記スロット１８ａおよび１８ｂを同心円状に、かつ相互に直交するように形成しておくことにより、円偏波を有する平面波を前記放射板１８に実質的に垂直な方向に放射することができる。

かかるラジアルラインスロットアンテナ３０を使うことにより、前記カバープレート１７直下の空間１１Ａに均一な高密度プラズマが形成される。このようにして形成された高密度プラズマは電子温度が低く、そのため被処理基板Ｗにダメージが生じることがなく、さらに、前記シールド体１００の外壁構造１０１がスパッタリングされる程度が小さくなるため、シールド体へのダメージが少なくなる特長を有している。

また、本実施例による真空処理装置は、被処理基板上でプラズマ密度の均一性が良好であるため、シールド体の温度が被処理基板上に与える影響が抑制された本シールド体と併せて用いることで、被処理基板上での、例えば成膜、エッチング、表面処理などの基板処理の、被処理基板の面内均一性が良好となる特徴を有する。

このように、本発明によるシールド体は、様々な真空処理装置と組み合わせて用いることが可能であり、上記の実施例に限定されず、様々な真空処理容器内で用いることが可能である。

本発明によれば、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、加熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体を用いた真空処理装置を提供することが可能となる。

実施例１による真空処理装置を模式的に示した図である。 図１の真空処理装置に用いるシールド体を模式的に示した斜視図である。 図１に示した真空処理装置の変形例（その１）である。 図１に示した真空処理装置の変形例（その２）である。 図１に示した真空処理装置の変形例（その３）である。 図１に示した真空処理装置の変形例（その４）である。 図６に示した真空処理装置に用いるアンテナの放射板を示す図である。

符号の説明

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 真空処理装置
１１ 処理容器
１１Ａ 処理空間
１１Ｂ 排気口
１２ 保持台
１３ 供給部
１３Ａ ガス孔
１４ 排気手段
１５ 供給ライン
１６，１６Ａ 高周波電力
１７ カバープレート
１８ 放射板
１８ａ，１８ｂ スロット
１９ 遅相板
２０ ガス供給リング
２１ 同軸導波管
２２ アンテナ本体
３０ ラジアルラインスロットアンテナ
１００，１００Ａ，１００Ｂ シールド体
１０１ 外壁構造
１０１Ａ 内部空間
１０１Ｂ 開口部
１０１Ｃ 接続部
１０２ 加熱手段
１０２Ａ 接続線
１０３ 電源
１０４ 温度測定手段
１０４Ａ 接続線
１０５ 制御手段
１０６ 冷却手段
１０６Ａ 接続ライン

Claims (14)

1. 真空処理装置の処理容器内部に設置される、シールド体であって、
   前記処理容器内部の減圧された処理空間に露出される外壁構造と、
   前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、
   前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、
   前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸するようにして形成されており、
   前記加熱手段の一面と前記外壁構造との間に空間が形成されていることを特徴とするシールド体。
2. 前記内部空間を含む前記外壁構造の厚さは５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のシールド体。
3. 前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特徴とする請求項１または２記載のシールド体。
4. 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載のシールド体。
5. 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項３記載のシールド体。
6. 処理容器と、
   前記処理容器内部の処理空間を排気する排気手段と、
   被処理基板を保持する保持台と、
   前記処理容器内部に設置されるシールド体と、を有する真空処理装置であって、
   前記シールド体は、
   前記処理容器内部の減圧された前記処理空間に露出される外壁構造と、
   前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、
   前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、
   前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸するようにして形成されており、
   前記加熱手段の一面と前記外壁構造との間に空間が形成されていることを特徴とする真空処理装置。
7. 前記加熱手段を含む、外壁構造の厚さは５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の真空処理装置。
8. 前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特徴とする請求項６または７記載の真空処理装置。
9. 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項６乃至８のうち、いずれか１項記載の真空処理装置。
10. 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段により測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項８記載の真空処理装置。
11. 前記シールド体は前記保持台の周囲を覆うように前記処理容器の内壁に沿って形成されていることを特徴とする請求項６乃至１０のうち、いずれか１項記載の真空処理装置。
12. 前記シールド体は略円筒形状であることを特徴とする請求項６乃至１１のうち、いずれか１項記載の真空処理装置。
13. 前記処理容器には、平行平板プラズマによるプラズマ励起手段が設けられていることを特徴とする請求項６乃至１２のうち、いずれか１項記載の真空処理装置。
14. 前記処理容器には、ラジアルラインスロットアンテナを含むプラズマ励起手段が設けられていることを特徴とする請求項６乃至１２のうち、いずれか１項記載の真空処理装置。

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