JP4338143B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 - Google Patents
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- YRBQDUAWXYFTFA-QNBDEBJPSA-N C(c1ccccc1)=C/c1cc(-c2ccccc2)c(ccc2ccc(-c(cc3)ccc3-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(/C=C/c6ccccc6)n4)c5cc3)nc22)c2n1 Chemical compound C(c1ccccc1)=C/c1cc(-c2ccccc2)c(ccc2ccc(-c(cc3)ccc3-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(/C=C/c6ccccc6)n4)c5cc3)nc22)c2n1 YRBQDUAWXYFTFA-QNBDEBJPSA-N 0.000 description 1
- ADECKVLLXVGEJY-BQYBEJQRSA-N C/C=C/c1cc(-c2ccccc2)c(ccc(cc2)c3nc2-c(cc2)ccc2-c(ccc2ccc45)nc2c4nc(/C=C/C)cc5N)c3n1 Chemical compound C/C=C/c1cc(-c2ccccc2)c(ccc(cc2)c3nc2-c(cc2)ccc2-c(ccc2ccc45)nc2c4nc(/C=C/C)cc5N)c3n1 ADECKVLLXVGEJY-BQYBEJQRSA-N 0.000 description 1
- 0 COC(c(cc(-c1ccccc1)c1ccc2cc3)nc1c2nc3-c(cc1)ccc1-c1nc(c2c(cc3)c(-c4ccccc4)cc(*)n2)c3c(-c(cc(cc2)-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(*)n4)c5cc3)c2-c2ccc(ccc3c4nc(*)cc3-c3ccccc3)c4n2)c1)=O Chemical compound COC(c(cc(-c1ccccc1)c1ccc2cc3)nc1c2nc3-c(cc1)ccc1-c1nc(c2c(cc3)c(-c4ccccc4)cc(*)n2)c3c(-c(cc(cc2)-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(*)n4)c5cc3)c2-c2ccc(ccc3c4nc(*)cc3-c3ccccc3)c4n2)c1)=O 0.000 description 1
- CKLQGMWLGMIHAX-UHFFFAOYSA-N Nc1c(ccc2cc(-c3cc4ccc(c(-c5ccccc5)cc(-c5ccccc5)n5)c5c4nc3-c(cc3)ccc3-c(ccc3ccc4c(-c5ccccc5)c5)nc3c4nc5-c3ccccc3)c(-c(cc3)ccc3-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(F)n4)c5cc3)nc22)c2nc(F)c1 Chemical compound Nc1c(ccc2cc(-c3cc4ccc(c(-c5ccccc5)cc(-c5ccccc5)n5)c5c4nc3-c(cc3)ccc3-c(ccc3ccc4c(-c5ccccc5)c5)nc3c4nc5-c3ccccc3)c(-c(cc3)ccc3-c3nc(c4c(cc5)c(-c6ccccc6)cc(F)n4)c5cc3)nc22)c2nc(F)c1 CKLQGMWLGMIHAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOTNMHIQKKWTDE-UHFFFAOYSA-N c1cc(-c2ccc(ccc3cccnc33)c3n2)c(cc(cccc2-c3nc4c5ncccc5ccc4cc3)c2c2)c2c1 Chemical compound c1cc(-c2ccc(ccc3cccnc33)c3n2)c(cc(cccc2-c3nc4c5ncccc5ccc4cc3)c2c2)c2c1 AOTNMHIQKKWTDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
しかしながら、これらの方法では、マスクのずれ等によって陰極のパターンボケが発生したり、また、湿式のフォトリソグラフ工程を経るため、有機発光材料に対応した適切な溶剤の選択を要する等の課題を有していた。
なお、ここでいう「パターン」とは、素子パネル上に表示されるアイコン、キャラクター、文字、絵柄、図案、模様等を指し、「パターン化」とは、これらのパターン表示機能を持たせることを言う。
また、このパターン化方法においては、有機EL素子の紫外線照射部分が非発光領域となるものであり、発光領域におけるコントラストの制御を行うことはできなかった。
Z(Y) n ……(I)
〔式中、Zは2価または3価の芳香族炭化水素基、および、2価または3価の複素環基よりなる群から選ばれた2価または3価の基であり、Yは
上記方法により、発光パターンに発光輝度によるコントラストを付与することができ、デザイン性に優れた有機ELパネルの作製を簡便に行うことができる。
また、このような多核型フェナントロリン誘導体を添加して有機層を形成することにより、紫外線照射によるパターン化を効率的に行うことができる。
この方法によれば、紫外線照射によるパターン化時における輝度減衰速度を加速させることができ、簡便に、パターン化の効率化を図ることができる。
また、本発明によれば、有機EL素子をパネルに形成した後においても、任意のパターニングを施すことができるため、効率的であり、有機ELパネルの生産性の向上を図ることができる。
さらに、発光時のみコントラストを有するパターンが現れる、デザイン性に優れた有機ELパネル照明等の作製が可能となる。
本発明に係る有機EL素子のパターン化方法は、一対の対向電極間に有機発光材料を含む有機層を備えた有機EL素子を紫外線照射によってパターン化する方法であり、前記有機層への紫外線の照射量を変化させて、コントラストを有する発光パターン形成を施すものである。
このような本発明に係るパターン化方法によれば、有機EL素子の電極形成前に限らず、有機ELパネル形成後においても、コントラストを有する任意のパターニングを施すことができ、デザイン性に優れた有機ELパネル照明等を効率的に作製することができる。
対向電極形成前に紫外線照射する場合は、電極や基板を透過させずに、有機層に紫外線が照射されるため、その照射効果を大きくすることができる。
一方、有機EL素子をパネルに形成した後に紫外線照射する場合は、取り扱い容易となり、パターン化処理がより簡便となるという利点を有している。
図1に示された有機EL素子は、透明基板2に、透明電極(陽極)3、有機発光材料を含む有機層4、陰極5が順次積層されており、両電極3,5が配線接続されている構成からなる。
この有機EL素子は、透明基板2側が発光面であり、該透明基板2上に、所定のパターン形状で加工されたスリットを有する紫外線遮光マスク1を載置して、その上方から紫外線を照射する。
また、紫外線の波長は、400〜10nmの範囲内であることが好ましい。
前記紫外線照射時に、光強度または照射時間等を調整して、その照射量を変化させることにより、紫外線照射量に対応して、有機EL素子の発光輝度も変化する。紫外線照射量が多いほど、発光輝度は減衰し、紫外線照射量が少ないと、発光輝度の減衰率は小さい。また、紫外線照射量が0、すなわち、紫外線未照射の場合は、発光輝度は最高となる。
このように、紫外線照射量を変化させることにより、発光輝度によるコントラストを有する発光パターンを形成することができる。
前記紫外線照射量の調整は、マスクの紫外線遮光率を調整することにより行うこともできる。
上記のように、本発明によれば、紫外線照射によりパターン化することができるため、従来は必要であったパターニング用蒸着マスクの作製およびセッティング、また、フォトリソグラフ工程を要することなく、簡便にパターン化することができる。
したがって、上記のような現象を利用することにより、発光時のみコントラストを有するパターニングが可能となり、このようなパターニングされた有機EL素子は、特に、面発光特性を活かした照明用途に好適である。
前記多核型フェナントロリン誘導体が添加された有機層は、紫外線照射による凹凸化等の変形を生じることなく、また、強力な紫外線レーザを用いなくても、紫外線照射による輝度低下効果が大きく、効率的にパターン化を行うことができるため好ましい。
バイアスを印加することにより、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)等の紫外線照射による輝度低下効果が小さい、すなわち、輝度減衰速度が遅い有機材料を含む有機層に紫外線を照射した場合であっても、輝度減衰速度を加速させることができる。
したがって、バイアスを印加するのみで、紫外線照射による発光パターン形成の効率化を図ることができる。
前記透明基板としては、一般に、BK7、BaK1、F2等の光学ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等のガラス基板、PMMA等のアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホネート、ポリスチレン、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル等のポリマー基板が用いられる。
ただし、この透明基板側から有機層に紫外線を照射して、パターン化処理を施す場合は、紫外線を吸収しにくいことから、石英ガラス、無アルカリガラス等のガラス基板を用いることが好ましい。
陽極は、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、導電性化合物等により構成されるが、通常は、陽極を前記透明基板上に形成される透明電極とする。
この透明電極には、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛等の金属酸化物が一般的に用いられ、特に、透明性や導電性等の観点から、ITOが好適に用いられる。
この透明電極の膜厚は、透明性および導電性の確保のため、80〜400nmであることが好ましく、100〜200nmであることがより好ましい。
前記陰極の膜厚は、10〜500nmであることが好ましく、50〜200nmであることがより好ましい。
ただし、前記有機層には、DPBに代表されるような前記式(I)で示される多核型フェナントロリン誘導体のように、紫外線照射によるパターン化可能な化合物を含んでいることを要する。
これらの有機層の各層の形成も、スピンコート法、真空蒸着法等の通常用いられる各種成膜手段によって行うことができる。
また、前記各層の膜厚も、各層同士の適応性や求められる全体の層厚さ等を考慮して、適宜状況に応じて定められるが、通常、5nm〜5μmの範囲内であることが好ましい。
前記発光層を形成する発光材料としては、例えば、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス[8−p−トシル)アミノキノリン]亜鉛錯体またはカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−p−フェニレンビニレン等の低分子系発光材料が挙げられる。
また、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポリフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N’−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等や、イリジウム錯体等の燐光性発光体等の低分子系材料を、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものも用いることができる。
また、ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)(DO−PPP)やポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−o−1,4−フェニルレン]ジブロマイド等のPPP誘導体、ポリ[2−(2’−エチルヘキシルオキシ]−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン](MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)(PDAF)、ポリスピロフルオレン等の高分子系材料であってもよい。また、PPV前駆体、PPP前駆体等の高分子前駆体、その他既存の発光材料を用いることもできる。
また、これらの材料の中には、発光材料としての機能を兼ね備えているものもある。
また、ホール輸送または注入材料、電子輸送または注入材料を溶解または分散させる溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等を単独または混合して用いることができる。
[実施例1]
厚さ0.7mmのガラス基板上に、厚さ150nmのITO膜が形成されている透明電極に、厚さ10nmの三酸化モリブデンドープN,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)膜をホール注入層、厚さ21nmのα−NPD膜をホール輸送層、厚さ30nmのトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)と
この有機EL素子の透明基板側を、直径2mmの開孔を有する紫外線遮光マスクで覆い、紫外線(ピーク波長:365nm、150mW/cm2)を所定量照射した。
そして、紫外線を1.5J/cm2、7.5J/cm2、15.0J/cm2照射した場合および未照射の場合の各素子の発光状態を比較観察した。
目視による観察の結果、紫外線を1.5J/cm2照射した場合および未照射の場合は、素子の全面が緑色に発光し、紫外線を7.5J/cm2、15.0J/cm2照射した場合は、マスク開孔部分のみ緑色発光が暗かった。
表1に、輝度減衰の評価結果として、素子の紫外線照射後の輝度の未照射時の輝度に対する割合と積算光量との関係を示す。
ホール輸送層のα−NPD膜の厚さを50nm(実施例2)、80nm(実施例3)とし、それ以外については、実施例1と同様の素子構成で、有機EL素子を作製した。
各有機EL素子について、実施例1と同様にして、紫外線照射後の観察および評価を行った。
目視による観察の結果、紫外線を1.5J/cm2照射した場合および未照射の場合は、素子の全面が緑色に発光し、紫外線を7.5J/cm2、15.0J/cm2照射した場合は、マスク開孔部分のみ緑色発光がやや暗く、実施例1と比較すると、実施例2,3と順に、暗くなっていた。また、紫外線照射量が15.0J/cm2の場合の方が、7.5J/cm2の場合よりも、やや暗かった。
表1に、輝度減衰の評価結果を示す。
また、実施例2の素子について、紫外線を照射して60日経過した後にも、同様の輝度−電圧特性の評価を行った。
電子輸送層および電子注入層のDPBの代わりに、Alq3を用い、それ以外については、実施例2と同様の素子構成で、有機EL素子を作製した。
この有機EL素子について、実施例1と同様にして、紫外線照射後の観察および評価を行った。
目視による観察の結果、紫外線照射量に関係なく、素子の全面が緑色に発光していた。
表1に、輝度減衰の評価結果を示す。
これに対して、DPBを電子輸送材料として用いた場合(実施例1〜3)も、緑色発光であるが、紫外線照射の積算光量の増加に伴い、紫外線照射領域の輝度が減衰していることが認められた。
また、実施例1〜3を比較すると、ホール輸送層であるα−NPD膜が厚い方が(実施例3)、紫外線照射による輝度減衰効果が小さいことが認められた。
また、電子輸送材料にDPBを用いた素子(実施例2)は、1kcd/m2の輝度における電圧が4.2Vであり、Alq3を用いた素子(比較例1)の5.8Vよりも低電圧であった。
比較例1で作製した素子を用いて、該素子の電極間にバイアス(+7.5V)を印加しながら、実施例1と同様にして、全面に紫外線を15.0J/cm2照射し、輝度減衰の評価を行った。
その結果、素子の紫外線照射後の輝度の未照射時の輝度に対する割合は83%であった。
参考例1と同様の素子を用いて、バイアスを印加せずに、参考例1と同様にして紫外線を照射し、輝度減衰の評価を行った。
その結果、素子の紫外線照射後の輝度の未照射時の輝度に対する割合は95%であった。
ホール輸送層のα−NPD膜の厚さを41.5nm、電子輸送層のAlq3の厚さを71nmとし、それ以外については、比較例1と同様の素子構成で、有機EL素子を作製した。
この有機EL素子について、参考例1と同様にして紫外線を照射し、輝度減衰の評価を行った。
その結果、素子の紫外線照射後の輝度の未照射時の輝度に対する割合は92%であった。
参考例2と同様の素子を用いて、バイアスを印加せずに、参考例1と同様にして紫外線を照射し、輝度減衰の評価を行った。
その結果、素子の紫外線照射後の輝度の未照射時の輝度に対する割合は100%であった。
2 透明基板
3 透明電極(陽極)
4 有機層
5 陰極
6 配線
Claims (5)
- 一対の対向電極間に有機発光材料を含む有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式(I)
Z(Y) n ……(I)
〔式中、Zは2価または3価の芳香族炭化水素基、および、2価または3価の複素環基よりなる群から選ばれた2価または3価の基であり、Yは
で示されるフェナントロリン基であり、nは2または3であり、R 1 〜R 5 は、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基(アルキル基で置換されていてもよい)、アリーロキシ基、アラルキル基(アリール基部分がアルキル基で置換されていてもよい)、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、RCOO−(Rはアルキル基、アリール基およびアラルキル基よりなる群から選ばれる)、カルボキシル基、アミノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、ハロゲン、シアノ基およびXA(XはO、S、SeおよびTeよりなる群から選ばれた元素であり、Aはアルキル基またはアリール基である)よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕で示される多核型フェナントロリン誘導体を含む前記有機層に紫外線を照射し、該照射量を変化させて、紫外線照射量に対応した発光輝度によるコントラストを有する発光パターン形成を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法。 - 前記対向電極形成前に、有機層に紫外線を照射することを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法。
- 前記対向電極の少なくとも一方が透明電極であり、該有機エレクトロルミネッセンス素子の透明電極側から紫外線を照射することを特徴とする請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法。
- 前記対向電極間に、陽極側が正の電圧となるようにバイアスを印加しながら、紫外線を照射することを特徴とする請求項4記載の有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006320982A JP4338143B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 |
| KR1020070121414A KR20080048945A (ko) | 2006-11-29 | 2007-11-27 | 유기 전계발광 소자의 패턴화 방법 |
| CN2007103077768A CN101232081B (zh) | 2006-11-29 | 2007-11-29 | 有机电致发光元件的图案化方法 |
| EP07023130A EP1928040A3 (en) | 2006-11-29 | 2007-11-29 | Patterning method of organic electroluminescent device |
| US11/947,121 US8053176B2 (en) | 2006-11-29 | 2007-11-29 | Patterning method of organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006320982A JP4338143B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008135306A JP2008135306A (ja) | 2008-06-12 |
| JP4338143B2 true JP4338143B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=39192678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006320982A Expired - Fee Related JP4338143B2 (ja) | 2006-11-29 | 2006-11-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8053176B2 (ja) |
| EP (1) | EP1928040A3 (ja) |
| JP (1) | JP4338143B2 (ja) |
| KR (1) | KR20080048945A (ja) |
| CN (1) | CN101232081B (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100951990B1 (ko) | 2008-05-27 | 2010-04-08 | 현대자동차주식회사 | 전동식 파워 스티어링의 스트어링 샤프트 구동장치 |
| WO2010064163A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device and method for lighting |
| KR101077843B1 (ko) | 2010-01-22 | 2011-10-28 | 순천대학교 산학협력단 | 인광재료용 이리듐 착체 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN102013457A (zh) * | 2010-10-29 | 2011-04-13 | 信利半导体有限公司 | Oled器件制造方法和oled器件 |
| JP5690578B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2015-03-25 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
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| JP7163037B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-10-31 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 有機el表示装置 |
| KR101926770B1 (ko) * | 2018-03-05 | 2018-12-07 | 주식회사 진웅산업 | 페난트롤린 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| CN112707915B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-03-25 | 烟台九目化学股份有限公司 | 一种含苯并呋喃结构的喹啉类材料及其制备方法与应用 |
| WO2023058644A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 東レ株式会社 | 化合物、有機el素子、表示装置および照明装置 |
| CN116543725A (zh) * | 2022-01-25 | 2023-08-04 | 北京小米移动软件有限公司 | 一种显示屏亮度的补偿方法、装置、设备及存储介质 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2793373B2 (ja) | 1991-02-07 | 1998-09-03 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 |
| JP3599077B2 (ja) | 1996-05-15 | 2004-12-08 | ケミプロ化成株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| US6037190A (en) * | 1998-11-13 | 2000-03-14 | Industrial Technology Research Institute | Method for fabricating an organic electro-luminescent device |
| JP2001167881A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Nippon Seiki Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
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| JP2003115387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Junji Kido | 有機発光素子及びその製造方法 |
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-
2006
- 2006-11-29 JP JP2006320982A patent/JP4338143B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-27 KR KR1020070121414A patent/KR20080048945A/ko not_active Ceased
- 2007-11-29 US US11/947,121 patent/US8053176B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-29 EP EP07023130A patent/EP1928040A3/en not_active Withdrawn
- 2007-11-29 CN CN2007103077768A patent/CN101232081B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1928040A3 (en) | 2010-05-05 |
| CN101232081A (zh) | 2008-07-30 |
| JP2008135306A (ja) | 2008-06-12 |
| CN101232081B (zh) | 2011-11-16 |
| US8053176B2 (en) | 2011-11-08 |
| EP1928040A2 (en) | 2008-06-04 |
| KR20080048945A (ko) | 2008-06-03 |
| US20080131816A1 (en) | 2008-06-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080829 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090313 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090515 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090626 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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