JP4386031B2

JP4386031B2 - 半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム結晶基板の識別方法

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Publication number: JP4386031B2
Application number: JP2005372547A
Authority: JP
Inventors: 学奥井; 健一郎宮武; 英章中幡; 伸介藤原; 成二中畑
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2005-12-26
Filing date: 2005-12-26
Publication date: 2009-12-16
Anticipated expiration: 2025-12-26
Also published as: US20070145376A1; JP2007169132A

Description

本発明は半導体デバイスの製造方法および窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶基板の識別方法に関する。

窒化物半導体結晶基板の中でも特にＧａＮ結晶基板は、発光デバイスや電子デバイスなどの半導体デバイス用の基板として注目されている。現在、ＧａＮ結晶基板を製造する方法としては、サファイア基板上に、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）などにより、ＧａＮ結晶を気相成長させる方法が一般的に用いられている。

また、ＧａＮ結晶基板を用いた半導体デバイスは、ＧａＮ結晶基板上に、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ；Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などにより１層以上の窒化物半導体結晶層を気相成長させた後に電極を形成し、その後、チップ状に分割することにより製造されている。
播磨弘，「ＧａＮおよび関連窒化物のラマン散乱分光」，材料，日本材料学会，Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．９，２００２年９月，ｐｐ．９８３−９８８

半導体デバイスの製造コストを低減するためには、なるべく大きな表面を有するＧａＮ結晶基板上に窒化物半導体結晶層を気相成長させ、１枚のＧａＮ結晶基板からなるべく多くの半導体デバイスを得ることが有効である。

しかしながら、ＧａＮ結晶基板の表面が大きくなればなるほど、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板にクラックや割れが発生する可能性が高くなる。半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板にクラックや割れが発生した場合には、不良品が多発したり、半導体デバイスの製造装置にＧａＮ結晶基板の破片などが飛散して連続生産が妨げられたりして、半導体デバイスの製造コストを低減することができないだけでなく、半導体デバイスの特性も悪化する可能性がある。したがって、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックおよび割れの発生を低減することができるＧａＮ結晶基板の開発が望まれていた。

本発明の目的は、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックおよび割れの発生を低減することができるＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法を提供することにある。

本発明は、面積が１０ｃｍ²以上の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下である窒化ガリウム結晶基板を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法である。

また、本発明は、面積が１０ｃｍ ² 以上の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２ ^H フォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ ^-1 以下である窒化ガリウム結晶基板を識別する工程と、識別された窒化ガリウム結晶基板の表面上に窒化物半導体層を積層する工程とを含む半導体デバイスの製造方法である。

また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、窒化物半導体層の表面上にショットキー電極を形成する工程と、窒化ガリウム結晶基板の窒化物半導体層の積層側とは反対側の裏面にオーミック電極を形成する工程とを含むことができる。

また、本発明は、面積が１０ｃｍ²以上の表面を有するＧａＮ結晶基板について、表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下のＧａＮ結晶基板を識別するＧａＮ結晶基板の識別方法である。

本発明によれば、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックおよび割れの発生を低減することができるＧａＮ結晶基板を含む半導体デバイスの製造方法ならびにそのＧａＮ結晶基板の識別方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。

図１に、本発明のＧａＮ結晶基板の表面の好ましい一例の模式的な平面図を示す。ここで、本発明のＧａＮ結晶基板は、その表面１の面積が１０ｃｍ²以上であり、表面１の周縁から５ｍｍ内側までの領域２（図１の実線と破線の間の領域）を除いた領域３（図１の破線で囲まれた領域）内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下であることを特徴としている。

これは、本発明者らが鋭意検討した結果、図１に示すように、１０ｃｍ²以上の面積を有する表面１の周縁から５ｍｍ内側までの領域２を除いた領域３内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下であるＧａＮ結晶基板を用いて半導体デバイスを作製した場合にはＧａＮ結晶基板の残留歪み（応力）が小さくなることに起因して、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックや割れの発生を低減できることを見い出し、本発明を完成するに至ったものである。

なお、図１に示されている破線は説明の便宜のために記載された仮想線であって、本発明のＧａＮ結晶基板の表面に必ずしも形成されているわけではない。

ここで、Ｅ２^Hフォノンモードについて、ウルツ鉱型のＧａＮ結晶を例にして説明すると、Ｅ２^Hフォノンモードは、図２（ａ）に示すＧａ原子（白丸）およびＮ原子（黒丸）からなる結晶構造を有するＧａＮ結晶において、図２（ｂ）に示すようにＮ原子がｃ面内で変位するモードである。

また、図１に示す領域３内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトは、領域３をラマン分光分析して得られるラマンシフトのスペクトルにおいてＥ２^Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数により特定される。なお、非特許文献１の９８５頁のＴａｂｌｅＩＩにおいて、３００Ｋの温度におけるウルツ鉱型のＧａＮ結晶のＥ２^Hフォノンモードのフォノン周波数として５６７．６ｃｍ^-1が挙げられており、非特許文献１のＦｉｇ．３のラマンスペクトル図にはＥ２^Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数が５６７．６ｃｍ^-1の近傍に現れている。

また、ＧａＮ結晶基板の表面が大きいほど、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板にクラックおよび割れが発生しやすくなる。したがって、本発明は、ＧａＮ結晶基板の表面の面積が好ましくは１８ｃｍ²以上、より好ましくは４０ｃｍ²以上、さらに好ましくは７０ｃｍ²以上である場合に有効となる。

また、本発明のＧａＮ結晶基板の１０ｃｍ²以上の面積を有する表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差は０．１ｃｍ^-1以下であることが好ましい。この場合には、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックや割れの発生を低減できる効果が特に顕著に現れる傾向にある。

また、本発明のＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値が２ｃｍ^-1以下であることが好ましい。この場合には、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックや割れの発生がより低減する傾向にあるだけでなく、結晶性が良好であるため、本発明のＧａＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスの特性も良好となる傾向にある。ここで、上記のＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅は、たとえば、表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域をラマン分光分析して得られたラマンシフトのスペクトルのＥ２^Hフォノンモードに対応するピークの半値幅（Ｅ２^Hフォノンモードに対応するピークの強度の１／２のときのピークの波数の幅）を測定することにより算出することができる。

また、本発明のＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値が１．５ｃｍ^-1以下であることがより好ましい。この場合には、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックや割れの発生の低減の効果が特に顕著に現れる傾向にあるだけでなく、結晶性がさらに良好となるために、本発明のＧａＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスの特性もさらに良好となる傾向にある。

さらに、本発明においては、面積が１０ｃｍ²以上、好ましくは１８ｃｍ²以上、より好ましくは４０ｃｍ²以上、さらに好ましくは７０ｃｍ²以上の表面を有するＧａＮ結晶基板について、ＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下、好ましくは０．１ｃｍ^-1以下となる本発明のＧａＮ結晶基板を識別し、そのように識別された本発明のＧａＮ結晶基板を用いて半導体デバイスを作製することができる。

このようにして半導体デバイスを作製した場合には、半導体デバイスの作製時にＧａＮ結晶基板におけるクラックや割れの発生を低減することができるために、大きな面積の表面を有するＧａＮ結晶基板を用いることができ、半導体デバイスの製造コストを低減することができる傾向にある。ここで、半導体デバイスは、上記のように識別された本発明のＧａＮ結晶基板上に窒化物半導体層などを従来から公知の方法により積層することなどによって作製することができる。また、上記の半導体デバイスの作製においても、本発明のＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値は２ｃｍ^-1以下であることが好ましく、１．５ｃｍ^-1以下であることがより好ましいことは言うまでもない。

このような半導体デバイスとしては、たとえば、発光ダイオード若しくはレーザダイオードなどの発光素子、整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ若しくはＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor；高電子移動度トランジスタ）などの電子素子、温度センサ、圧力センサ、放射センサ若しくは可視−紫外光検出器などの半導体センサ、ＳＡＷデバイス（Surface Acoustic Wave Device；表面弾性波素子）、振動子、共振器、発振器、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品または圧電アクチュエータなどの半導体デバイスが挙げられる。

（実施例１）
図３にその概略を示す成長炉３００を使用して、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy；ハイドライド気相成長）法によりＧａＮ結晶の成長を行なった。

ここで、成長炉３００は、反応室３０１と、反応室３０１内に種結晶基板１０を保持するための基板ホルダ３０２と、Ｇａ原料ガス（ＧａＣｌ）３３を合成するための合成室３０３と、合成室３０３内にＨＣｌガス３１を導入するためのガス導入管３０５と、反応室３０１内にＮ原料ガス（ＮＨ₃）３６を導入するためのガス導入管３０６と、反応後のガスを反応室３０１から排気するための排気管３０７と、を含んでいる。また、合成室３０３内にはＧａ３２が収容されているＧａボート３０４が設置されており、反応室３０１、合成室３０３、ガス導入管３０５およびガス導入管３０６の周囲には、ヒータ３０８、ヒータ３０９およびヒータ３１０が設置されている。

まず、反応室３０１内の基板ホルダ３０２上に種結晶基板１０を設置した。ここで、種結晶基板１０としては、直径が２インチで厚みが３５０μｍのＧａＮ結晶からなるものを用いた。また、種結晶基板１０の表面は、（０００１）の面方位を有するＧａ面から＜１−１００＞方向に５°傾斜させるとともに鏡面研磨が施された表面であり、種結晶基板１０の表面の転位密度は５×１０⁶ｃｍ^-2〜５×１０⁷ｃｍ^-2程度であった。また、種結晶基板１０は、種結晶基板１０の表面内における原料ガスの供給量の均一性を向上させるために１０°傾けて設置された。

次に、種結晶基板１０を加熱して種結晶基板１０の表面温度を１２５０℃に保持するとともに種結晶基板１０を６０ｒｐｍの速度で回転させた状態で、Ｇａ原料ガス３３およびＮ原料ガス３６を含む原料ガスを反応室３０１内に導入することにより、種結晶基板１０の表面上にＧａＮ結晶を成長させた。ここで、Ｇａ原料ガス３３の分圧は０．０５ａｔｍであり、Ｎ原料ガス３６の分圧は０．１ａｔｍであって、キャリアガスとしてＨ₂ガスが用いられた。

なお、Ｇａ原料ガス３３は、合成室３０３内に設置されているＧａボート３０４を８００℃に加熱し、ガス導入管３０５により合成室３０３内にＨＣｌガス３１を導入して、Ｇａボート３０４中のＧａ３２とＨＣｌガス３１とを反応させることにより生成された。また、ＨＣｌガス３１は、キャリアガスであるＨ₂ガスととも合成室３０３内に導入された。

そして、種結晶基板１０の表面上にＧａＮ結晶を１００時間成長させた。成長したＧａＮ結晶の表面は種結晶基板１０の表面に対して５°傾斜しており、平坦で傾斜のない（０００１）面となっていた。また、成長したＧａＮ結晶の厚みは、この（０００１）面の形成に伴って、ＧａＮ結晶の表面内で異なっており、最も厚い部分で約１０ｍｍ、最も薄い部分で約６ｍｍとなっていた。

上記のようにして成長させたＧａＮ結晶の表面に近い部分から、ＧａＮ結晶の表面の（０００１）面から＜１−１００＞方向に５°傾斜させて厚み３５０μｍのＧａＮ結晶基板を切り取った。そして、ＧａＮ結晶基板の表面（Ｇａ面）である上記の（０００１）面を鏡面研磨した後に、その表面の転位密度を測定したところ、２×１０⁴ｃｍ^-2〜１×１０⁵ｃｍ^-2という極めて低転位密度で高品質なＧａＮ結晶基板が得られた。

このようにして直径２インチのＧａＮ結晶基板を６０枚作製し、それぞれのＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトとそのラマンシフトのピークの半値幅とをそれぞれ縦横２ｍｍピッチで計５００点測定した。こうして測定した６０枚のＧａＮ結晶基板を、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差により６段階に分類し、これらのＧａＮ結晶基板を用いて半導体デバイスを作製したときにクラックまたは割れが生じたＧａＮ結晶基板の枚数を調査した。その結果を表１に示す。なお、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークは測定条件によって変化したが、５６６．０ｃｍ^-1〜５６８．６ｃｍ^-1の範囲内にあった。

表１に示すように、上記のＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を低減することができ、特に０．１ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を顕著に低減することができることがわかった。

なお、上記のＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトは、以下のようにして測定した。まず、光源としてＡｒレーザ装置を用い、Ａｒレーザ装置から出射された波長５１４．５ｎｍのＡｒレーザ光を分光器スリット（１００μｍ）に通した。ここで、レーザ光のスポット径は５０倍の対物レンズを使用したため約２μｍとなり、露光は積算３０秒で１回とした。また、レーザ光の強度は、発振出力０．１Ｗ（ＧａＮ結晶基板の表面では約１０ｍＷ）であった。そして、図４の模式的斜視図に示すように、ＧａＮ結晶基板の表面１の周縁から５ｍｍ内側までの領域２を除いた領域３に上記Ａｒレーザ光４を表面１に垂直に照射し、ｃ軸方向の後方散乱配置で反射光５をＧａＮ結晶基板の表面の温度が２０℃の状態で検出することにより行なった。なお、波数校正にはＮｅランプの４本の輝線スペクトルを二次関数で近似する方法を用い、測定した数値データはローレンツ関数で近似し、得られたラマンシフトのスペクトルにおいて、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するピークの最大ピーク時の波数とそのピークの半値幅とを求めた。

（実施例２）
直径を３インチとしたこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でＧａＮ結晶基板を３０枚作製した。このようにして作製された直径３インチのＧａＮ結晶基板のそれぞれの表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内についてＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトをこの領域内において均一に計３００点測定した。なお、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトは、実施例１と同一の方法および同一の条件で測定した。

こうして測定した３０枚のＧａＮ結晶基板を、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差により６段階に分類し、これらのＧａＮ結晶基板を用いて半導体デバイスを作製したときにクラックまたは割れが生じたＧａＮ結晶基板の枚数を調査した。その結果を表２に示す。

表２に示すように、上記のＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を低減することができ、特に０．１ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を顕著に低減することができることがわかった。

（実施例３）
直径を４インチとしたこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件でＧａＮ結晶基板を２０枚作製した。このようにして作製された直径４インチのＧａＮ結晶基板のそれぞれの表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内についてＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトをこの領域内において均一に計３００点測定した。なお、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトは、実施例１と同一の方法および同一の条件で測定した。

このようにして測定した２０枚のＧａＮ結晶基板を、Ｅ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差により６段階に分類し、これらのＧａＮ結晶基板を用いて半導体デバイスを作製したときにクラックまたは割れが生じたＧａＮ結晶基板の枚数を調査した。その結果を表３に示す。

表３に示すように、上記のＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を低減することができ、特に０．１ｃｍ^-1以下である場合には半導体デバイスの作製時におけるクラックおよび割れの発生を顕著に低減することができることがわかった。

（実施例４）
実施例１において半導体デバイスの作製時にクラックおよび割れが発生しなかった３９枚のＧａＮ結晶基板のそれぞれの表面上に、ＭＯＣＶＤ法により、厚さ１５μｍでキャリア濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3のｎ型ＧａＮ薄膜を成膜した。そして、それぞれｎ型ＧａＮ薄膜の表面上にＡｕからなる直径２００μｍのショットキー電極を２ｍｍピッチで形成し、それぞれのＧａＮ結晶基板の裏面の全面にはＴｉ／Ａｌからなるオーミック電極を形成して、それぞれのＧａＮ結晶基板から半導体デバイスとして１００個のショットキーダイオードを作製した。

そして、上記のようにして作製したそれぞれのショットキーダイオードのショットキー電極とオーミック電極との間に逆電圧を印加して耐圧を測定することによりショットキーダイオードの評価を行なった。図５に、上記の３９枚のＧａＮ結晶基板のそれぞれの表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値と、それぞれのＧａＮ結晶基板から作製されたショットキーダイオードの耐圧の平均値との関係を示す。なお、図５においては、縦軸がショットキーダイオードの耐圧の平均値を示し、横軸が上記の半値幅の平均値を示しており、縦軸の耐圧の平均値が高いほど良好な特性のショットキーダイオードが得られたことを示している。

図５に示すように、ＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値が２ｃｍ^-1以下である場合にはショットキーダイオードの耐圧の平均値が高くなり、上記の半値幅の平均値が１．５ｃｍ^-1以下である場合には上記の耐圧の平均値が特に高くなっていることがわかった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明のＧａＮ結晶基板の表面の好ましい一例の模式的な平面図である。（ａ）はウルツ鉱型のＧａＮ結晶の結晶構造を示す図であり、（ｂ）はＥ２^Hフォノンモードを説明する図である。本発明の実施例においてＧａＮ結晶の成長に用いられた成長炉の概略を示す図である。本発明の実施例においてＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの最大ピーク時の波数とそのピークの半値幅の測定方法を図解するための模式的な斜視図である。本発明の実施例におけるＧａＮ結晶基板の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトのピークの半値幅の平均値と、それぞれのＧａＮ結晶基板から作製されたショットキーダイオードの耐圧の平均値との関係を示す図である。

符号の説明

１表面、２，３領域、４Ａｒレーザ光、５反射光、１０種結晶基板、３１ＨＣｌガス、３２Ｇａ、３３Ｇａ原料ガス、３６Ｎ原料ガス、３００成長炉、３０１反応室、３０２基板ホルダ、３０３合成室、３０４Ｇａボート、３０５，３０６ガス導入管、３０７排気管、３０８，３０９，３１０ヒータ。

Claims

面積が１０ｃｍ²以上の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下である窒化ガリウム結晶基板を用いて半導体デバイスを製造する、半導体デバイスの製造方法。
面積が１０ｃｍ ² 以上の表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２ ^H フォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ ^-1 以下である窒化ガリウム結晶基板を識別する工程と、
前記識別された前記窒化ガリウム結晶基板の表面上に窒化物半導体層を積層する工程とを含む、半導体デバイスの製造方法。
前記窒化物半導体層の表面上にショットキー電極を形成する工程と、
前記窒化ガリウム結晶基板の前記窒化物半導体層の積層側とは反対側の裏面にオーミック電極を形成する工程とを含む、請求項２に記載の半導体デバイスの製造方法。
面積が１０ｃｍ²以上の表面を有する窒化ガリウム結晶基板について、前記表面の周縁から５ｍｍ内側までの領域を除いた領域内におけるＥ２^Hフォノンモードに対応するラマンシフトの最大値と最小値との差が０．５ｃｍ^-1以下の窒化ガリウム結晶基板を識別することを特徴とする、窒化ガリウム結晶基板の識別方法。