JP4374041B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

積層コンデンサとして、複数の絶縁体層が積層されたコンデンサ素体と、絶縁体層を挟んで対向するように配置されるそれぞれ複数の第１の内部電極及び第２の内部電極と、コンデンサ素体の外表面のうち複数の絶縁体層の積層方向に平行な方向に伸びる一つの外表面に配置された第１及び第２の端子電極と、を備え、複数の第１の内部電極が第１の端子電極に接続され、複数の第２の内部電極が第２の端子電極に接続されているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されたセラミック電子部品では、第１及び第２の端子電極が同じ外表面に配置されていることから、積層コンデンサ内に形成される電流の経路が比較的短くなり、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低減することが可能である。
特開２００４−１４０１８３号公報

ところで、ノイズ除去のために電子機器の電源回路等に接続される積層コンデンサでは、広い周波数帯域でノイズ除去の効果を発揮することが要求される。そのため、広い周波数帯域でノイズを効果的に除去できるよう、この種の積層コンデンサでは広帯域にわたって低インピーダンスであることが求められている。しかしながら、特許文献１に記載の積層コンデンサでは、広帯域にわたってインピーダンスを低くするための検討が行われていない。そのため、特許文献１に記載の積層コンデンサでは、広帯域にわたってインピーダンスを低くすることができず、広い周波数帯域でノイズを効果的に除去することが困難となる懼れがある。

本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、等価直列インダクタンスを低く維持しつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することを目的とする。

本発明に係る積層コンデンサは、複数の絶縁体層が積層されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の外表面のうち複数の絶縁体層の積層方向に平行な方向に伸びる一つの外表面に配置された第１及び第２の端子電極と、第１の端子電極に接続される第１の内部電極と、第２の端子電極に接続される第２の内部電極と、を有する第１の内部電極群と、第１の端子電極に接続される第３の内部電極と、第２の端子電極に接続される第４の内部電極と、第１及び第２の端子電極に接続されない少なくとも一つの中間内部電極と、を有する第２の内部電極群と、を備え、第１及び第２の内部電極は、第１及び第２の内部電極の間に一つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層を挟んで配置され、第３及び第４の内部電極並びに中間内部電極は、第３及び第４の内部電極の間に複数の静電容量成分が形成されるように、絶縁体層を挟んで配置されていることを特徴とする。

本発明に係る積層コンデンサでは、第１の内部電極群において上記一つの静電容量成分が形成され、第２の内部電極群において上記複数の静電容量成分が形成される。このとき、上記複数の静電容量成分は直列接続されているため、上記複数の静電容量成分の合成静電容量は、上記一つの静電容量成分の静電容量より小さい。したがって、第１の内部電極群における上記一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数と第２の内部電極群における上記複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数とが異なり、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。上記複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数は、上記複数の静電容量成分の合成静電容量が上記一つの静電容量成分の静電容量より小さいことから、上記一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数よりも高い。

また、本発明においては、第１及び第２の端子電極が、上記一つの外表面に配置されているので、積層コンデンサ内に形成される電流の経路が比較的短くなり、積層コンデンサの等価直列インダクタンスを低減することが可能である。

好ましくは、第２の内部電極群は、少なくとも一つの中間内部電極として、第３及び第４の内部電極に対向する第１の中間内部電極を有している。また、好ましくは、第２の内部電極群は、少なくとも一つの中間内部電極として、第２〜第４の中間内部電極を有しており、第２の中間内部電極は、第３の内部電極及び第３の中間内部電極に対向し、第４の中間内部電極は、第４の内部電極及び第３の中間内部電極に対向している。

好ましくは、第２の内部電極群には、第１の中間内部電極を有している内部電極群と、第２〜第４の中間内部電極を有している内部電極群と、の２種類の内部電極群が含まれており、第１の中間内部電極は、第３及び第４の内部電極に対向し、第２の中間内部電極は、第３の内部電極及び第３の中間内部電極に対向し、第４の中間内部電極は、第４の内部電極及び第３の中間内部電極に対向している。この場合、第２の内部電極群に上記２種類の内部電極群が含まれていることから、より一層広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。第２〜第４の中間内部電極を有している内部電極群は、第１の中間内部電極を有している内部電極群よりも、直列接続される静電容量成分の数が多く、その合成静電容量が小さくなる。したがって、第１の内部電極群における上記一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数と、第１の中間内部電極を有している内部電極群における複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数と、第２〜第４の中間内部電極を有している内部電極群における複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数と、がそれぞれ異なる。

好ましくは、第１の内部電極は、第１の端子電極に接続される第１の引き出し部を有し、第２の内部電極は、第２の端子電極に接続される第２の引き出し部を有し、第３の内部電極は、第１の端子電極に接続される第３の引き出し部を有し、第４の内部電極は、第２の端子電極に接続される第４の引き出し部を有し、第３及び第４の引き出し部の幅は、第１及び第２の引き出し部の幅よりも広い。この場合、第２の内部電極群における上記複数の静電容量成分の等価直列インダクタンスは、第１の内部電極群における上記一つの静電容量成分の等価直列インダクタンスよりも低くなり、積層コンデンサの等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

ところで、第１及び第２の引き出し部の幅を第３及び第４の引き出し部の幅よりも広くすることによっても、等価直列インダクタンスを低減することは可能である。コンデンサの自己共振周波数は、一般に、コンデンサの等価直列インダクタンスが小さくなると高くなる。したがって、第１及び第２の引き出し部の幅が第３及び第４の引き出し部の幅よりも広い場合、上記一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数と上記複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数とが近くなり、広帯域にわたっての低インピーダンス化が阻害されることとなる。

好ましくは、第１の内部電極は、第１の端子電極に接続される第１の引き出し部を有し、第２の内部電極は、第２の端子電極に接続される第２の引き出し部を有し、第３の内部電極は、第１の端子電極に接続される第３の引き出し部を有し、第４の内部電極は、第２の端子電極に接続される第４の引き出し部を有し、第３の引き出し部と第４の引き出し部との距離は、第１の引き出し部と第２の引き出し部との距離よりも短い。この場合、第２の内部電極群における上記複数の静電容量成分の等価直列インダクタンスは、第１の内部電極群における上記一つの静電容量成分の等価直列インダクタンスよりも低くなり、積層コンデンサの等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

ところで、第１の引き出し部と第２の引き出し部との距離を第３の引き出し部と第４の引き出し部との距離よりも短くすることによっても、等価直列インダクタンスを低減することは可能である。コンデンサの自己共振周波数は、上述したように、コンデンサの等価直列インダクタンスが小さくなると高くなる。したがって、第１の引き出し部と第２の引き出し部との距離が第３の引き出し部と第４の引き出し部との距離よりも短い場合、上記一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数と上記複数の静電容量成分に起因する自己共振周波数とが近くなり、広帯域にわたっての低インピーダンス化が阻害されることとなる。

好ましくは、第１及び第２の内部電極群は、コンデンサ素体内において、複数の絶縁体層の積層方向に沿って配置されている。

好ましくは、第１及び第２の端子電極が配置された外表面が、他の部品に対する実装面を構成している。

本発明によれば、等価直列インダクタンスを低く維持しつつ、広帯域にわたって低インピーダンスである積層コンデンサを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１〜図６を参照して、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１及び図２は、第１実施形態に係る積層コンデンサを示す概略斜視図である。図３は、第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図４〜図６の（ａ）及び（ｂ）は、各内部電極の構成を示す図である。

積層コンデンサＣ１は、図１及び図２に示されるように、略直方体状のコンデンサ素体１と、第１の端子電極４０と、第２の端子電極４２と、を備えている。

コンデンサ素体１は、互いに対向する第１の端面２及び第２の端面３と、互いに対向する第１の側面４及び第２の側面５と、互いに対向する第３の側面６及び第４の側面７と、を含んでいる。第１の側面４及び第２の側面５は、第１及び第２の端面２，３を連結するように第１及び第２の端面２，３が対向する第１の方向に伸びている。第３の側面６及び第４の側面７は、第１及び第２の端面２，３を連結するように第１及び第２の端面２，３が対向する第１の方向に伸びている。第１の方向、第１及び第２の側面４，５が対向する第２の方向、及び、第３及び第４の側面６，７が対向する第３の方向は、互いに直交している。本実施形態では、第２の側面５が、他の部品（例えば、回路基板や電子部品等）に対する実装面となる。

コンデンサ素体１は、図３に示されるように、複数の絶縁体層９を有している。コンデンサ素体１は、複数の絶縁体層９が第１及び第２の端面２，３が対向する第１の方向に積層されることにより構成されており、誘電特性を有している。各絶縁体層９は、例えば誘電体セラミック（ＢａＴｉＯ_３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ_３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３系等の誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際の積層コンデンサＣ１では、各絶縁体層９は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

積層コンデンサＣ１は、図３に示されるように、複数の第１の内部電極群１０と、複数の第２の内部電極群２０と、を備えている。各第１の内部電極群１０は、第１の内部電極１１及び第２の内部電極１５を有している。各第２の内部電極群２０は、第３の内部電極２１、第４の内部電極２５、第１の中間内部電極３０、第２の中間内部電極３１、第３の中間内部電極３２、及び第４の中間内部電極３３を有している。各内部電極１１，１５，２１，２５，３０〜３３（第１の内部電極群１０及び第２の内部電極群２０）は、コンデンサ素体１内に配置されている。第１及び第２の内部電極群１０，２０は、コンデンサ素体１内において、第１の方向に沿って配置されている。各内部電極１１，１５，２１，２５，３０〜３３は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（例えば、卑金属であるＮｉ等）からなる。各内部電極１１，１５，２１，２５，３０〜３３は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

各第１の内部電極１１は、図４（ａ）に示されるように、主電極部１２と、第２の側面５に端部が露出するように主電極部１２から伸びる第１の引き出し部１３と、を有している。主電極部１２と第１の引き出し部１３とは、一体に形成されている。第１の引き出し部１３は、主電極部１２の第２の側面５側の長辺における第３の側面６寄りの部分から、第２の側面５に向けて伸びている。

各第２の内部電極１５は、図４（ｂ）に示されるように、矩形状の主電極部１６と、第２の側面５に端部が露出するように主電極部１６から伸びる第２の引き出し部１７と、を有している。主電極部１６と第２の引き出し部１７とは、一体に形成されている。第２の引き出し部１７は、主電極部１６の第２の側面５側の長辺における第４の側面７寄りの部分から、第２の側面５に向けて伸びている。

第１の内部電極１１の主電極部１２と第２の内部電極１５の主電極部１６とは、絶縁体層９を挟んで対向している。絶縁体層９のうち、第１の内部電極１１の主電極部１２と第２の内部電極１５の主電極部１６とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第１の内部電極１１と第２の内部電極１５とは、当該第１及び第２の内部電極１１，１５の間に一つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。

各第３の内部電極２１は、図５（ａ）に示されるように、矩形状の主電極部２２と、第２の側面５に端部が露出するように主電極部２２から伸びる第３の引き出し部２３と、を有している。主電極部２２と第３の引き出し部２３とは、一体に形成されている。第３の引き出し部２３は、主電極部２２の第２の側面５側の長辺における第３の側面６寄りの部分から、第２の側面５に向けて伸びている。主電極部２２の面積は、主電極部１２，１６の面積よりも小さい。

各第４の内部電極２５は、図５（ａ）に示されるように、矩形状の主電極部２６と、第２の側面５に端部が露出するように主電極部２６から伸びる第４の引き出し部２７と、を有している。主電極部２６と第４の引き出し部２７とは、一体に形成されている。第４の引き出し部２７は、主電極部２６の第２の側面５側の長辺における第４の側面７寄りの部分から、第２の側面５に向けて伸びている。第３の内部電極２１と第４の内部電極２５とは、同じ層に位置している。主電極部２６の面積は、主電極部１２，１６の面積よりも小さい。

第１の中間内部電極３０は、第３及び第４の内部電極２１，２５とは異なる層に位置している。すなわち、第１の中間内部電極３０は、絶縁体層９を挟んで、第３及び第４の内部電極２１，２５（主電極部２２，２６）と対向している。

絶縁体層９のうち、第３の内部電極２１の主電極部２２と第１の中間内部電極３０とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第４の内部電極２５の主電極部２６と第１の中間内部電極３０とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第３の内部電極２１と第４の内部電極２５と第１の中間内部電極３０とは、当該第３及び第４の内部電極２１，２５の間に二つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。第３及び第４の内部電極２１，２５の間に形成される二つの静電容量成分は、直列接続されている。

第３の中間内部電極３２は、図６（ａ）に示されるように、第３及び第４の内部電極２１，２５と同じ層に位置している。第３の中間内部電極３２は、第３及び第４の内部電極２１，２５の間に位置している。第３及び第４の内部電極２１，２５並びに第３の中間内部電極３２は、第３の側面６から第４の側面７に向う方向で、第３の内部電極２１、第３の中間内部電極３２、第４の内部電極２５の順で配置されている。

第２及び第４の中間内部電極３１，３３は、図６（ｂ）に示されるように、同じ層に位置し、第３及び第４の内部電極２１，２５並びに第３の中間内部電極３２とは異なる層に位置している。すなわち、第２の中間内部電極３１は、絶縁体層９を挟んで、第３の内部電極２１（主電極部２２）及び第３の中間内部電極３２と対向している。第４の中間内部電極３３は、絶縁体層９を挟んで、第４の内部電極２５（主電極部２６）及び第３の中間内部電極３２と対向している。

絶縁体層９のうち、第３の内部電極２１の主電極部２２と第２の中間内部電極３１とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第２の中間内部電極３１と第３の中間内部電極３２とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第３の中間内部電極３２と第４の中間内部電極３３とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。第４の内部電極２５の主電極部２６と第４の中間内部電極３３とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第３の内部電極２１と第４の内部電極２５と第２〜第４の中間内部電極３１〜３３とは、当該第３及び第４の内部電極２１，２５の間に四つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。第３及び第４の内部電極２１，２５の間に形成される四つの静電容量成分は、直列接続されている。

第２の内部電極群２０には、第３及び第４の内部電極２１，２５並びに第１の中間内部電極３０を有している第２の内部電極群２０ａと、第３及び第４の内部電極２１，２５並びに第２〜第４の中間内部電極３１〜３３を有している第２の内部電極群２０ｂと、の２種類の内部電極群が含まれている。

第３及び第４の引き出し部２３，２７の幅（Ｗ_２，Ｗ_３）は、第１及び第２の引き出し部１３，１７の幅（Ｗ_１）よりも広く設定されている。すなわち、第３及び第４の引き出し部２３，２７における第２の側面５に露出する部分の長さは、第１及び第２の引き出し部１３，１７における第２の側面５に露出する部分の長さよりも長く設定されている。第２の内部電極群２０ｂが有している第３及び第４の内部電極２１，２５の第３及び第４の引き出し部２３，２７の幅（Ｗ_３）は、第２の内部電極群２０ａが有している第３及び第４の内部電極２１，２５の第３及び第４の引き出し部２３，２７の幅（Ｗ_２）よりも広く設定されている。すなわち、第２の内部電極群２０ｂの第３及び第４の引き出し部２３，２７における第２の側面５に露出する部分の長さは、第２の内部電極群２０ａの第３及び第４の引き出し部２３，２７における第２の側面５に露出する部分の長さよりも長く設定されている。各引き出し部１３，１７，２３，２７の幅は、当該引き出し部１３，１７，２３，２７の第３の方向での長さである。

第１及び第２の端面２，３は、第１の内部電極１１と第２の内部電極１５との対向方向に対向している。したがって、積層コンデンサＣ１が他の部品に実装された状態では、第１〜第４の内部電極１１，１５，２１，２５と第１〜第４の中間内部電極３０〜３３とは、他の部品の被実装面（積層コンデンサＣ１が実装される面）に対して直交する方向に伸びることとなる。

第１の端子電極４０は、コンデンサ素体１の第２の側面５に配置されている。第１の端子電極４０は、第１の引き出し部１３の第２の側面５に露出した部分及び第３の引き出し部２３の第２の側面５に露出した部分をすべて覆うように、第１の方向に伸びて形成されている。第１の端子電極４０は、各第１及び第３の引き出し部１３，２３に物理的且つ電気的に接続されている。これにより、すべての第１及び第３の内部電極１１，２１は、第１の端子電極４０に電気的且つ物理的に接続されることとなる。

第２の端子電極４２は、コンデンサ素体１の第２の側面５に配置されている。第２の端子電極４２は、第２の引き出し部１７の第２の側面５に露出した部分及び第４の引き出し部２７の第２の側面５に露出した部分をすべて覆うように、第１の方向に伸びて形成されている。第２の端子電極４２は、各第２及び第４の引き出し部１７，２７に物理的且つ電気的に接続されている。これにより、すべての第２及び第４の内部電極１５，２５は、第２の端子電極４２に電気的且つ物理的に接続されることとなる。

第１及び第２の端子電極４０，４２は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体１の外表面に付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた第１及び第２の端子電極４０，４２の上にめっき層が形成されることもある。導電性ペーストの付与は、ディップ法又は印刷法等により行なうことができる。第１及び第２の端子電極４０，４２は、コンデンサ素体１の表面上においては互いに電気的に絶縁されて形成されている。

以上のように、第１実施形態では、第１の内部電極群１０において一つの静電容量成分が形成され、第２の内部電極群２０ａにおいて二つの静電容量成分が形成され、第２の内部電極群２０ｂにおいて四つの静電容量成分が形成される。第２の内部電極群２０ａにて形成される二つの静電容量成分は直列接続され、第２の内部電極群２０ｂにて形成される四つの静電容量成分は直列接続されている。したがって、第２の内部電極群２０ｂにて形成される四つの静電容量成分の合成静電容量は第２の内部電極群２０ａにて形成される二つの静電容量成分の合成静電容量より小さく、第２の内部電極群２０ａにて形成される二つの静電容量成分の合成静電容量は第１の内部電極群１０にて形成される静電容量成分の静電容量より小さい。

一般に、コンデンサの自己共振周波数（ｆｒ）は、当該コンデンサの等価直列インダクタンスをＬとし、静電容量をＣとすると、
ｆｒ＝（２π（Ｌ＊Ｃ）^１／２）^−１
で表される。このため、コンデンサの等価直列インダクタンスや静電容量を変えることにより、コンデンサの自己共振周波数を変更することができる。このとき、静電容量が小さくなると、自己共振周波数は高くなる。また、等価直列インダクタンスが低くなると、自己共振周波数は高くなる。

第１実施形態において、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける二つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２１）と、第２の内部電極群２０ｂにおける四つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２２）との関係は、
ｆｒ_１＜ｆｒ_２１＜ｆｒ_２２
となり、図７に示されるように、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。図７は、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の周波数（Ｈｚ)に関するインピーダンス（Ω）特性を示すグラフである。図７に示したグラフの横軸は周波数（Ｈｚ）を表し、縦軸はインピーダンス（Ω）を表す。

本実施形態においては、第１及び第２の端子電極４０，４２が、コンデンサ素体１の第２の側面５に配置されているので、積層コンデンサＣ１内に形成される電流の経路が比較的短くなり、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスを低減することが可能である。

本実施形態では、第１及び第２の引き出し部１３，１７の幅（Ｗ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける第３及び第４の引き出し部２３，２７の幅（Ｗ_２）と、第２の内部電極群２０ｂにおける第３及び第４の引き出し部２３，２７の幅（Ｗ_３）との関係は、
Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３
に設定されている。これにより、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける二つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２１）と、第２の内部電極群２０ｂにおける四つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２２）との関係は、
Ｌ_１＞Ｌ_２１＞Ｌ_２２
となり、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

ところで、各引き出し部１３，１７，２３，２７の幅（Ｗ_１，Ｗ_２，Ｗ_３）の関係を
Ｗ_１＞Ｗ_２＞Ｗ_３
と設定することによっても、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスを低減することは可能である。しかしながら、各引き出し部１３，１７，２３，２７の幅（Ｗ_１，Ｗ_２，Ｗ_３）の関係が
Ｗ_１＞Ｗ_２＞Ｗ_３
である場合、各自己共振周波数（ｆｒ_１，ｆｒ_２１，ｆｒ_２２）の値が近くなり、広帯域にわたっての低インピーダンス化が阻害される懼れがあり、好ましくない。

次に、図８〜図１０に基づいて、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１の変形例について説明する。本変形例に係る積層コンデンサは、第１〜第４の内部電極１１，１５，２１，２５の形状の点で上述した実施形態に係る積層コンデンサＣ１と異なる。図８〜図１０の（ａ）及び（ｂ）は、第１実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。

図８〜図１０に示されるように、第１の引き出し部１３と第２の引き出し部１７との距離（Ｄ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける第３の引き出し部２３と第４の引き出し部２７との距離（Ｄ_２）と、第２の内部電極群２０ｂにおける第３の引き出し部２３と第４の引き出し部２７との距離（Ｄ_３）との関係は、
Ｄ_１＞Ｄ_２＞Ｄ_３
に設定されている。第１の引き出し部１３と第２の引き出し部１７との距離（Ｄ_１）とは、具体的には、第１の引き出し部１３と第１の端子電極４０との接続点と、第２の引き出し部１７と第２の端子電極４２との接続点との間の最短直線距離をいう。第３の引き出し部２３と第４の引き出し部２７との距離（Ｄ_２，Ｄ_３）とは、具体的には、第３の引き出し部２３と第１の端子電極４０との接続点と、第４の引き出し部２７と第２の端子電極４２との接続点との間の最短直線距離をいう。

本変形例においても、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける二つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２１）と、第２の内部電極群２０ｂにおける四つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２２）との関係は、
ｆｒ_１＜ｆｒ_２１＜ｆｒ_２２
となり、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。

第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_１）と、第２の内部電極群２０ａにおける二つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２１）と、第２の内部電極群２０ｂにおける四つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２２）との関係は、
Ｌ_１＞Ｌ_２１＞Ｌ_２２
となり、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

ところで、各引き出し部１３，１７，２３，２７の間の距離（Ｄ_１，Ｄ_２，Ｄ_３）の関係を
Ｄ_１＜Ｄ_２＜Ｄ_３
と設定することによっても、積層コンデンサＣ１の等価直列インダクタンスを低減することは可能である。しかしながら、上記各引き出し部１３，１７，２３，２７の間の距離（Ｄ_１，Ｄ_２，Ｄ_３）の関係が
Ｄ_１＜Ｄ_２＜Ｄ_３
である場合、各自己共振周波数（ｆｒ_１，ｆｒ_２１，ｆｒ_２２）の値が近くなり、広帯域にわたっての低インピーダンス化が阻害される懼れがあり、好ましくない。

（第２実施形態）
図１１〜図１４を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成について説明する。図１１は、第２実施形態に係る積層コンデンサを示す概略斜視図である。図１２は、第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図１３及び図１４の（ａ）及び（ｂ）は、各内部電極の構成を示す図である。

積層コンデンサＣ２は、図１１に示されるように、略直方体状のコンデンサ素体１と、第１の端子電極８０と、第２の端子電極８２と、を備えている。本実施形態においても、第２の側面５が、他の部品（例えば、回路基板や電子部品等）に対する実装面となる。

積層コンデンサＣ２は、図１２に示されるように、複数の第１の内部電極群１０と、複数の第２の内部電極群２０と、を備えている。各第１の内部電極群１０は、第１の内部電極５１及び第２の内部電極５５を有している。各第２の内部電極群２０は、第３の内部電極６１、第４の内部電極６５、及び第１の中間内部電極７０を有している。各内部電極５１，５５，６１，６５，７０は、コンデンサ素体１内に配置されている。各内部電極５１，５５，６１，６５，７０は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（例えば、卑金属であるＮｉ等）からなる。各内部電極５１，５５，６１，６５，７０は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

各第１の内部電極５１は、図１３（ａ）に示されるように、矩形状の主電極部５２と、第１〜第３の側面４，５，６に端部が露出するように主電極部５２から伸びる第１の引き出し部５３と、を有している。主電極部５２と第１の引き出し部５３とは、一体に形成されている。第１の引き出し部５３は、主電極部５２の第３の側面６寄りの端部から、第１〜第３の側面４，５，６に向けて伸びている。

各第２の内部電極１５は、図１３（ｂ）に示されるように、矩形状の主電極部５６と、
第１、第２及び第４の側面４，５，７に端部が露出するように主電極部５６から伸びる第２の引き出し部５７と、を有している。主電極部５６と第２の引き出し部５７とは、一体に形成されている。第２の引き出し部５７は、主電極部５６の第４の側面７寄りの端部から、第１、第２及び第４の側面４，５，７に向けて伸びている。

第１の内部電極５１の主電極部５２と第２の内部電極５５の主電極部５６とは、絶縁体層９を挟んで対向している。絶縁体層９のうち、第１の内部電極５１の主電極部５２と第２の内部電極５５の主電極部５６とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第１の内部電極５１と第２の内部電極５５とは、当該第１及び第２の内部電極５１，５５の間に一つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。

各第３の内部電極６１は、図１４（ａ）に示されるように、矩形状の主電極部６２と、第１〜第３の側面４，５，６に端部が露出するように主電極部６２から伸びる第３の引き出し部６３と、を有している。主電極部６２と第３の引き出し部６３とは、一体に形成されている。第３の引き出し部６３は、主電極部６２の第３の側面６寄りの端部から、第１〜第３の側面４，５，６に向けて伸びている。主電極部６２の面積は、主電極部５２，５６の面積よりも小さい。

各第４の内部電極６５は、図１４（ａ）に示されるように、矩形状の主電極部６６と、第１、第２及び第４の側面４，５，７に端部が露出するように主電極部６６から伸びる第４の引き出し部６７と、を有している。主電極部６６と第４の引き出し部６７とは、一体に形成されている。第４の引き出し部６７は、主電極部６６の第４の側面７寄りの端部から、第１、第２及び第４の側面４，５，７に向けて伸びている。第３の内部電極６１と第４の内部電極６５とは、同じ層に位置している。主電極部６６の面積は、主電極部５２，５６の面積よりも小さい。

第１の中間内部電極７０は、第３及び第４の内部電極６１，６５とは異なる層に位置している。すなわち、第１の中間内部電極７０は、絶縁体層９を挟んで、第３及び第４の内部電極６１，６５（主電極部６２，６６）と対向している。

絶縁体層９のうち、第３の内部電極６１の主電極部６２と第１の中間内部電極７０とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第４の内部電極６５の主電極部６６と第１の中間内部電極７０とに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第３の内部電極６１と第４の内部電極６５と第１の中間内部電極７０とは、当該第３及び第４の内部電極６１，６５の間に二つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。第３及び第４の内部電極６１，６５の間に形成される二つの静電容量成分は、直列接続されている。

第１及び第３の引き出し部５３，５７は第１〜第３の側面４，５，６に亘って露出し、第２及び第４の引き出し部６３，６７は第１、第２及び第４の側面４，５，７に亘って露出している。第３及び第４の引き出し部６３，６７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_２）は、第１及び第２の引き出し部５３，５７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_１）よりも長く設定されている。ここでは、各引き出し部５３，５７，６３，６７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_１，Ｘ_２）が、各引き出し部５３，５７，６３，６７の幅に相当する。

積層コンデンサＣ２においても、積層コンデンサＣ１と同様に、積層コンデンサＣ２が他の部品に実装された状態では、第１〜第４の内部電極５１，５５，６１，６５と第１の中間内部電極７０とは、他の部品の被実装面（積層コンデンサＣ２が実装される面）に対して直交する方向に伸びることとなる。

第１の端子電極８０は、コンデンサ素体１の第３の側面６全体を覆い且つ第３の側面６に隣り合う四つの面２，３，４，５に亘るように配置されている。第１の端子電極８０は、第１及び第３の引き出し部５３，６３の第１〜第３の側面４，５，６に露出した部分をすべて覆うように形成されている。第１の端子電極８０は、各第１及び第３の引き出し部５３，６３に物理的且つ電気的に接続されている。これにより、すべての第１及び第３の内部電極５１，６１は、第１の端子電極８０に電気的且つ物理的に接続されることとなる。

第２の端子電極８２は、コンデンサ素体１の第４の側面７全体を覆い且つ第４の側面７に隣り合う四つの面２，３，４，５に亘るように配置されている。第２の端子電極８２は、第２及び第４の引き出し部５７，６７の第１、第２及び第４の側面４，５，７に露出した部分をすべて覆うように形成されている。第２の端子電極８２は、各第２及び第４の引き出し部５７，６７に物理的且つ電気的に接続されている。これにより、すべての第２及び第４の内部電極５５，６５は、第２の端子電極８２に電気的且つ物理的に接続されることとなる。

第１及び第２の端子電極８０，８２は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体１の外表面に付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた第１及び第２の端子電極８０，８２の上にめっき層が形成されることもある。導電性ペーストの付与は、ディップ法又は印刷法等により行なうことができる。第１及び第２の端子電極８０，８２は、コンデンサ素体１の表面上においては互いに電気的に絶縁されて形成されている。

以上のように、第２実施形態では、第１の内部電極群１０において一つの静電容量成分が形成され、第２の内部電極群２０において二つの静電容量成分が形成される。第２の内部電極群２０にて形成される二つの静電容量成分は直列接続されている。したがって、第２の内部電極群２０にて形成される二つの静電容量成分の合成静電容量は第１の内部電極群１０にて形成される静電容量成分の静電容量より小さい。

第２実施形態において、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_１）と、第２の内部電極群２０における二つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２）との関係は、
ｆｒ_１＜ｆｒ_２
となり、図１５に示されるように、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。図１５は、第２実施形態に係る積層コンデンサＣ２の周波数（Ｈｚ)に関するインピーダンス（Ω）特性を示すグラフである。図１５に示したグラフの横軸は周波数（Ｈｚ）を表し、縦軸はインピーダンス（Ω）を表す。

本実施形態においては、第１及び第２の端子電極８０，８２の一部が、コンデンサ素体１の第２の側面５に配置されているので、積層コンデンサＣ２内に形成される電流の経路が比較的短くなり、積層コンデンサＣ２の等価直列インダクタンスを低減することが可能である。

本実施形態では、第１及び第２の引き出し部５３，５７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_１）と、第３及び第４の引き出し部６３，６７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_２）との関係は、
Ｘ_１＜Ｘ_２
に設定されている。これにより、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_１）と、第２の内部電極群２０における二つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２）との関係は、
Ｌ_１＞Ｌ_２
となり、積層コンデンサＣ２の等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

ところで、第２実施形態では、図１３及び図１４に示されるように、第１の引き出し部５３と第２の引き出し部５７との距離（Ｄ_４）と、第３の引き出し部６３と第４の引き出し部６７との距離（Ｄ_５）との関係は、
Ｄ_４＞Ｄ_５
に設定されている。第１の引き出し部５３と第２の引き出し部５７との距離（Ｄ_４）とは、具体的には、第１の引き出し部５３と第１の端子電極８０との接続点と、第２の引き出し部５７と第２の端子電極８２との接続点との間の最短直線距離をいう。第３の引き出し部６３と第４の引き出し部６７との距離（Ｄ_５）とは、具体的には、第３の引き出し部６３と第１の端子電極８０との接続点と、第４の引き出し部６７と第２の端子電極８２との接続点との間の最短直線距離をいう。

これにより、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_１）と、第２の内部電極群２０における二つの静電容量成分の等価直列インダクタンス（Ｌ_２）との関係は、
Ｌ_１＞Ｌ_２
となり、積層コンデンサＣ２の等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

次に、図１６〜図１９に基づいて、第２実施形態に係る積層コンデンサＣ２の変形例について説明する。本変形例に係る積層コンデンサは、第１〜第４の内部電極５１，５５，６１，６５及び第１の中間内部電極７０の形状の点で上述した実施形態に係る積層コンデンサＣ２と異なる。図１６〜図１９の（ａ）及び（ｂ）は、各内部電極の構成を示す図である。

まず、図１６及び図１７に示された変形例の構成を説明する。図１６に示されるように、第１の引き出し部５３は第１〜第３の側面４，５，６に亘って露出し、第２の引き出し部６３，６７は第１、第２及び第４の側面４，５，７に亘って露出している。図１７に示されるように、第３の引き出し部５７は第１〜第３の側面４，５，６に亘って露出し、第４の引き出し部６３，６７は第１、第２及び第４の側面４，５，７に亘って露出している。第１及び第２の引き出し部５３，５７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_１）と、第３及び第４の引き出し部６３，６７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_２）との関係は、
Ｘ_１＜Ｘ_２
に設定されている。

第１の引き出し部５３と第２の引き出し部５７との距離（Ｄ_４）と、第３の引き出し部６３と第４の引き出し部６７との距離（Ｄ_５）との関係は、
Ｄ_４＞Ｄ_５
に設定されている。

図１６及び図１７に示された本変形例においても、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_１）と、第２の内部電極群２０における二つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２）との関係は、
ｆｒ_１＜ｆｒ_２
となり、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。また、等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

次に、図１８及び図１９に示された変形例の構成を説明する。第２の内部電極群２０は、図１９に示されるように、第１の中間内部電極７０ａ，７０ｂを有している。第１の中間内部電極７０ａ，７０ｂは、同じ層に位置し、第３及び第４の内部電極６１，６５とは異なる層に位置している。すなわち、第１の中間内部電極７０ａ，７０ｂは、絶縁体層９を挟んで、第３及び第４の内部電極６１，６５（主電極部６２，６６）と対向している。

絶縁体層９のうち、第３の内部電極６１の主電極部６２と第１の中間内部電極７０ａとに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第４の内部電極６５の主電極部６６と第１の中間内部電極７０ａとに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第３の内部電極６１と第４の内部電極６５と第１の中間内部電極７０ａとは、当該第３及び第４の内部電極６１，６５の間に二つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。この二つの静電容量成分は、直列接続されている。

絶縁体層９のうち、第３の内部電極６１の主電極部６２と第１の中間内部電極７０ｂとに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。絶縁体層９のうち、第４の内部電極６５の主電極部６６と第１の中間内部電極７０ｂとに重なる部分は、一つの静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。すなわち、第３の内部電極６１と第４の内部電極６５と第１の中間内部電極７０ｂとも、当該第３及び第４の内部電極６１，６５の間に二つの静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。この二つの静電容量成分は、直列接続されている。

第１の中間内部電極７０ａにより直列接続されることとなる二つの静電容量成分と、第１の中間内部電極７０ｂにより直列接続されることとなる二つの静電容量成分とは、並列接続されている。

図１８に示されるように、第１の引き出し部５３は、第１及び第３の側面４，６に亘って露出すると共に、第２及び第３の側面５，６に亘って露出している。第２の引き出し部６３，６７は、第１及び第４の側面４，７に亘って露出すると共に、第２及び第４の側面５，７に亘って露出している。図１９に示されるように、第３の引き出し部５７は、第１及び第３の側面４，６に亘って露出すると共に、第２及び第３の側面５，６に亘って露出している。第４の引き出し部６３，６７は、第１及び第４の側面４，７に亘って露出すると共に、第２及び第４の側面５，７に亘って露出している。
第１及び第２の引き出し部５３，５７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_１１＋Ｘ_１２）と、第３及び第４の引き出し部６３，６７におけるコンデンサ素体１の外表面に露出している部分の長さ（Ｘ_２１＋Ｘ_２２）との関係は、
Ｘ_１１＋Ｘ_１２＜Ｘ_２１＋Ｘ_２２
に設定されている。

第１の引き出し部５３と第２の引き出し部５７との距離（Ｄ_４）と、第３の引き出し部６３と第４の引き出し部６７との距離（Ｄ_５）との関係は、
Ｄ_４＞Ｄ_５
に設定されている。

図１８及び図１９に示された本変形例においても、第１の内部電極群１０における一つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_１）と、第２の内部電極群２０における二つの静電容量成分に起因する自己共振周波数（ｆｒ_２）との関係は、
ｆｒ_１＜ｆｒ_２
となり、広い周波数帯域にわたって低インピーダンス化を図ることができる。また、等価直列インダクタンスをより一層低減することが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

第１及び第２の内部電極群の数及び位置は、上述した実施形態や変形例に限られない。コンデンサ素体１に含まれる絶縁体層９の積層数及び各内部電極１１，１５，２１，２５，３０〜３３，５１，５５，６１，６５，７０，７０ａ，７０ｂの積層数は、上述した実施形態及び変形例にて示された数に限られない。各内部電極１１，１５，２１，２５，３０〜３３，５１，５５，６１，６５，７０，７０ａ，７０ｂの形状も、上述した実施形態及び変形例に示された形状に限られない。

第２の内部電極群１０の種類は、上述した実施形態及び変形例に記載された数（一つ又は二つ）に限られることなく、三つ以上であってもよい。第２の内部電極群１０において直列接続される静電容量成分の数も、上述した実施形態及び変形例に記載された数（二つ又は四つ）に限られることなく、三つでもよく、また、五つ以上であってもよい。第２実施形態では、第２の内部電極群２０において、二つの静電容量成分が直列接続されているが、これに限られることなく、第１実施形態の第２の内部電極群２０ｂのように、四つの静電容量成分が直列接続されていてもよい。

第１実施形態に係る積層コンデンサを示す概略斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサを示す概略斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 内部電極の構成を示す図である。 内部電極の構成を示す図である。 内部電極の構成を示す図である。 第１実施形態に係る積層型フィルタにおける、インピーダンスの周波数特性を示す線図である。 第１実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第１実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第１実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサを示す概略斜視図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 内部電極の構成を示す図である。 内部電極の構成を示す図である。 第２実施形態に係る積層型フィルタにおける、インピーダンスの周波数特性を示す線図である。 第２実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第２実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第２実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。 第２実施形態の変形例における、各内部電極の構成を示す図である。

符号の説明

１…コンデンサ素体、９…絶縁体層、１０…第１の内部電極群、１１，５１…第１の内部電極、１２，５２…主電極部、１３，５３…引き出し部、１５，５５…第２の内部電極、１６，５６…主電極部、１７，５７…引き出し部、２０，２０ａ，２０ｂ…第２の内部電極群、２１，６１…第３の内部電極、２２，６２…主電極部、２３，６３…引き出し部、２５，６５…第４の内部電極、２６，６６…主電極部、２７，６７…引き出し部、３０，７０，７０ａ，７０ｂ…第１の中間内部電極、３１…第２の中間内部電極、３２…第３の中間内部電極、３３…第４の中間内部電極、４０，８０…第１の端子電極、４２，８２…第２の端子電極、Ｃ１，Ｃ２…積層コンデンサ。

Claims (7)

1. 複数の絶縁体層が積層されたコンデンサ素体と、
   前記コンデンサ素体の外表面のうち前記複数の絶縁体層の積層方向に平行な方向に伸びる一つの外表面に配置された第１及び第２の端子電極と、
   前記第１の端子電極に接続される第１の内部電極と、前記第２の端子電極に接続される第２の内部電極と、を有する第１の内部電極群と、
   前記第１の端子電極に接続される第３の内部電極と、前記第２の端子電極に接続される第４の内部電極と、前記第１及び第２の端子電極に接続されない少なくとも一つの中間内部電極と、を有する第２の内部電極群と、を備え、
   前記第１及び第２の内部電極は、前記第１及び第２の内部電極の間に一つの静電容量成分が形成されるように、前記絶縁体層を挟んで配置され、
   前記第３及び第４の内部電極並びに前記中間内部電極は、前記第３及び第４の内部電極の間に複数の静電容量成分が形成されるように、前記絶縁体層を挟んで配置され、
   前記第１の内部電極は、前記第１の端子電極に接続される第１の引き出し部を有し、
   前記第２の内部電極は、前記第２の端子電極に接続される第２の引き出し部を有し、
   前記第３の内部電極は、前記第１の端子電極に接続される第３の引き出し部を有し、
   前記第４の内部電極は、前記第２の端子電極に接続される第４の引き出し部を有し、
   前記第３及び第４の引き出し部の幅は、前記第１及び第２の引き出し部の幅よりも広いことを特徴とする積層コンデンサ。
2. 複数の絶縁体層が積層されたコンデンサ素体と、
   前記コンデンサ素体の外表面のうち前記複数の絶縁体層の積層方向に平行な方向に伸びる一つの外表面に配置された第１及び第２の端子電極と、
   前記第１の端子電極に接続される第１の内部電極と、前記第２の端子電極に接続される第２の内部電極と、を有する第１の内部電極群と、
   前記第１の端子電極に接続される第３の内部電極と、前記第２の端子電極に接続される第４の内部電極と、前記第１及び第２の端子電極に接続されない少なくとも一つの中間内部電極と、を有する第２の内部電極群と、を備え、
   前記第１及び第２の内部電極は、前記第１及び第２の内部電極の間に一つの静電容量成分が形成されるように、前記絶縁体層を挟んで配置され、
   前記第３及び第４の内部電極並びに前記中間内部電極は、前記第３及び第４の内部電極の間に複数の静電容量成分が形成されるように、前記絶縁体層を挟んで配置され、
   前記第１の内部電極は、前記第１の端子電極に接続される第１の引き出し部を有し、
   前記第２の内部電極は、前記第２の端子電極に接続される第２の引き出し部を有し、
   前記第３の内部電極は、前記第１の端子電極に接続される第３の引き出し部を有し、
   前記第４の内部電極は、前記第２の端子電極に接続される第４の引き出し部を有し、
   前記第３の引き出し部と第４の引き出し部との距離は、前記第１の引き出し部と第２の引き出し部との距離よりも短いことを特徴とする積層コンデンサ。
3. 前記第２の内部電極群は、前記少なくとも一つの中間内部電極として、前記第３及び第４の内部電極に対向する第１の中間内部電極を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
4. 前記第２の内部電極群は、前記少なくとも一つの中間内部電極として、第２〜第４の中間内部電極を有しており、
   前記第２の中間内部電極は、前記第３の内部電極及び前記第３の中間内部電極に対向し、
   前記第４の中間内部電極は、前記第４の内部電極及び前記第３の中間内部電極に対向していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
5. 前記第２の内部電極群には、第１の中間内部電極を有している内部電極群と、第２〜第４の中間内部電極を有している内部電極群と、の２種類の内部電極群が含まれており、
   前記第１の中間内部電極は、前記第３及び第４の内部電極に対向し、
   前記第２の中間内部電極は、前記第３の内部電極及び前記第３の中間内部電極に対向し、
   前記第４の中間内部電極は、前記第４の内部電極及び前記第３の中間内部電極に対向していることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
6. 前記第１及び第２の内部電極群は、前記コンデンサ素体内において、前記複数の絶縁体層の積層方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
7. 前記第１及び第２の端子電極が配置された前記外表面が、他の部品に対する実装面を構成していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。

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