[go: up one dir, main page]

JP4203374B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4203374B2
JP4203374B2 JP2003288294A JP2003288294A JP4203374B2 JP 4203374 B2 JP4203374 B2 JP 4203374B2 JP 2003288294 A JP2003288294 A JP 2003288294A JP 2003288294 A JP2003288294 A JP 2003288294A JP 4203374 B2 JP4203374 B2 JP 4203374B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting device
light emitting
light
wiring pattern
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003288294A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005057144A (ja
Inventor
英昭 加藤
佳苗 松村
俊輔 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Koha Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Koha Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd, Koha Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2003288294A priority Critical patent/JP4203374B2/ja
Priority to TW093107348A priority patent/TWI249864B/zh
Priority to US10/804,212 priority patent/US7279723B2/en
Priority to KR1020040018628A priority patent/KR100596116B1/ko
Priority to CNB2004100302224A priority patent/CN1317776C/zh
Priority to US10/911,643 priority patent/US7285803B2/en
Priority to CNB2004100562077A priority patent/CN100352071C/zh
Priority to KR1020040061545A priority patent/KR100644304B1/ko
Priority to HK05101192.9A priority patent/HK1067914B/xx
Publication of JP2005057144A publication Critical patent/JP2005057144A/ja
Priority to HK05106781.5A priority patent/HK1073181B/xx
Priority to US11/892,095 priority patent/US7768029B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4203374B2 publication Critical patent/JP4203374B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10H20/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/1075—Shape details
    • H05K2201/1084—Notched leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10931—Exposed leads, i.e. encapsulation of component partly removed for exposing a part of lead, e.g. for soldering purposes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Description

本発明は発光装置に関し、特に、配線パターンとの接合の際にはんだの流れを規制するようにした発光装置に関する。
従来、発光ダイオード（Light-Emitting Diode：以下「ＬＥＤ」という。）を光源とした発光装置が知られている。このような発光装置は、ＬＥＤを光源とすることで、低消費電力で充分な照明性を有するとともに、光源を必要とする種々の電子機器等への実装性に優れるという特徴を有している。
近年、電子機器等の小型化が進み、そのことによって発光装置により一層の小型化が要求されている。発光装置を小型化するにあたって、ＬＥＤの点灯に伴う熱の放熱性と実装性が問題となる。特に、実装性については発光装置が小型化すると相対的に実装面積も減少することから、充分な接合強度を確保しつつ電気的接続性を安定的に確保することが難しいという問題がある。
かかる問題を解消するものとして、発光装置の底面にボール状のはんだからなるバンプを収容可能な凹部を設け、凹部の底面と側面を接合面として接合強度を確保するようにした発光装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
図９は、特許文献１に記載された発光装置の断面図である。この発光装置３０は、絶縁基板３１と、絶縁基板３１と接着フィルム４０を介して接着された薄型平板５０によって構成されている。
絶縁基板３１は、ＬＥＤチップ３２を収容する貫通孔３１Ａを有し、貫通孔３１Ａの底部には第１および第２のメッキ層５４が設けられている。第１のメッキ層５４にはＬＥＤチップ３２が搭載されており、ＬＥＤチップ３２の上面電極は極性の異なる第２のめっき層５４とワイヤ３３で電気的に接続されている。
薄型平板５０は、金属薄板５１および５２の下面を絶縁性樹脂５３で覆うとともに分離部５３Ａで電気的に絶縁して形成されている。また、薄型平板５０の下面にはバンプ５５を設けるための凹状の開口が形成されており、開口から露出する金属薄板５１および５２をめっき層５４で覆ってバンプ５５を設けている。このような構成によると、バンプ５５を溶融させてはんだ接合を行う際にめっき層５４で覆われた凹部の底部と側面とが接合面となるので、はんだ接合性を向上させることができる。
特開２０００−２４４０２２号公報（第９図）
しかし、特許文献１に記載された発光装置によると、薄型平板５０の下面にバンプ５５を設けるバンプ形成工程が必要となるため、製造工程が増加する。また、発光装置のはんだ接合性がバンプの形状や溶融性に依存するため、安定したはんだ接合性を得るにはバンプの形状安定性を一定のレベルに管理する必要があり、製造コストが大になるという問題がある。
従って、本発明の目的は、安定したはんだ接合性を容易に得ることができる発光装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、複数の発光素子をアレイ状に搭載し、複数の端子部を実装面と直交するパターン形成面に形成したランプと、
前記複数の端子部ごとにはんだによって接続される複数の配線パターンを有する回路基板と、を備え、
前記ランプの実装面の一部を前記端子部とともに切り欠いて形成され、当該端子部における前記回路基板の配線パターンとの境界部分に当該境界部分から当該端子部の内側へ向かって延び前記はんだを流入させる切欠部を設けることを特徴とする発光装置を提供する。
前記端子部は、導電パターンを有した導電性薄膜によって形成されても良い。
前記ランプは、セラミックスの薄板を積層して焼成することによって形成することができる。
前記ランプは、前記ランプの集合体から切断される際の切断面に前記切欠部が形成されるようにしても良い。
また、本発明は、上記目的を達成するため、上記発光装置を製造するにあたり、
凹部が形成されたパターン形成面を有する薄板を含む、複数のセラミックスの薄板を準備する薄板準備工程と、
前記複数のセラミックスの薄板を積層して、複数のランプが一体的に整列した集合体とする薄板積層工程と、
前記集合体に焼成処理を施して、前記複数のセラミックスの薄板を一体化する焼成工程と、
焼成された前記集合体に発光素子を搭載する発光素子搭載工程と、
前記発光素子が搭載された前記集合体を切断することにより、前記凹部が前記パターン形成面の切欠部をなす発光装置を得る切断工程と、を含む発光装置の製造方法を提供する。
本発明の発光装置によれば、発光素子アレイを搭載したランプの端子部と回路基板の配線パターンとの接続部にはんだを流入させる切欠部を設けたため、ランプの端子部と回路基板の配線パターンとの接続部に適切な量のはんだを供給できるようになり、安定したはんだ接合性を容易に得ることができる。
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の正面図である。この発光装置１は、薄板状の材料を積層して形成されるケース２と、ケース２の開口部２Ａ内に収容される発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）３Ｒ1、３Ｒ2、３Ｇ、３Ｂ1、および３Ｂ2と、後述する基板に設けられてＬＥＤを電気的に接続するための配線パターン４とを有し、開口部２Ａには透明なエポキシ樹脂が封止樹脂として充填されて封止部２Ｂを形成しており、各ＬＥＤを保護している。
ケース２は、セラミックスからなる複数の薄板状の材料を積層して形成されており、長円状に形成される開口部２Ａ内にアレイ状にＬＥＤ３Ｒ1、３Ｒ2、３Ｇ、３Ｂ1、および３Ｂ2を配置してＬＥＤランプを形成している。また、ケース２は逆円弧状に形成される角部２ａを有している。
ＬＥＤ３Ｒ1、３Ｒ2（赤色）は、上面および底面に電極を有し、上面の電極と配線パターンとをワイヤ５によって電気的に接続している。また、ＬＥＤ３Ｇ（緑色）、３Ｂ1、および３Ｂ2（ともに青色）は、その底面に図示しない電極を有するものであり、Ａｕバンプを介して電極と配線パターン４とを電気的に接続している。なお、図示する発光装置１では、ＲＧＢのＬＥＤを配置したものであるが、例えば、１色もしくは２色の発光色のＬＥＤで構成されても良い。
配線パターン４は、タングステン層上にＡｕを積層して形成されており、複数の配線領域４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、および４Ｆからなる。第１の実施の形態では、配線領域４Ａをアノードとし、配線領域４Ｃ、４Ｄ、４Ｅおよび４Ｇがカソードである。また、配線領域４Ｂは、基板断面内に設けられる図示しない配線層によって配線領域４Ｆと電気的に接続されている。
図２は、第１の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。この斜視図は、外部基板８に実装された発光装置１の光出射方向と反対側の底面側斜視図である。発光装置１の底面側には、セラミックスからなる薄板状の材料を貼り合わせて形成される基板６を有し、基板６の一面には配線パターン７が設けられている。なお、図２においては、配線パターン７と配線パターン９とのはんだ接合前の状態を示している。
配線パターン７は、タングステン層上にＡｕを設けて形成されており、複数の領域７０、７１、７２、７３、７４、および７５と、基板６を貫通して前述の配線パターン４と電気的に接続するためのスルーホール７ａとを有し、領域７２、７３、および７４は、基板６とともに矩形状に切り欠かれた切欠部７Ａを配線パターンとの境界部分に有する。また、領域７０は、角部２ａの逆円弧状の端部に沿ってはんだを流すようになっている。
外部基板８は、ガラスエポキシ基板等の表面に導電性薄膜によってパターン状に形成される配線パターン９を有する。本実施の形態では、配線パターン９を銅箔によって形成している。この配線パターン９は、発光装置１の配線パターン７と直交するように形成されており、図示しないはんだが表面に設けられている。
図３は、図１のＡ−Ａ部における発光装置１の断面図である。ケース２は、薄板材２０、２１、および２２の３枚を積層して形成されており、接合面１０を介して基板６と接合されている。
薄板材２１は、薄板材２０との界面および開口部２Ａ内に露出する面にタングステン層２１Ａを有し、開口部２内に露出するタングステン層２１Ａに光を反射させるためのＡｇ層２１Ｂを積層している。
薄板材２２は、開口部２Ａの深さ方向に傾斜した面を形成するように形成されている。
基板６は、セラミックスからなる薄板材６Ａと６Ｂとを積層して構成されており、薄板材６Ａと６Ｂとの間には図示しない配線パターンが設けられている。また、薄板材６Ｂは、エッチング等によって配線パターン７とともに切り欠かれた切欠部７Ａを有する。
図４は、切欠部に流れ込むはんだを示す部分拡大図である。図４（ａ）に示すように、配線パターン９と領域７２とが直交するように配置される状態でリフローを行うと、はんだ９ａが溶けて毛細管現象に基づいて矢印Ｂで示すように流動し、切欠部７Ａに流れ込む。図４（ｂ）は、はんだ９ａが固まった状態を示し、配線パターン９と領域７２との間で傾斜状に固まったはんだ９ａによって電気的接続が得られる。また、溶けたはんだ９ａは切欠部７Ａの上端で上昇が食い止められることにより、領域７２全体に溶けたはんだ９ａが広がることを防ぐようになっている。
図５は、第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す工程図である。以下に、図６に示すフローチャートに基づく発光装置の製造工程を説明する。
（１）薄板材準備工程
まず、図５（ａ）に示すように、薄板材２０、２１、および２２と、配線パターン４を形成された薄板材６Ａと、配線パターン７を形成された薄板材６Ｂとを準備する。
ここで、薄板材２０、２１、および２２には予め別工程で開口部２Ａを形成する長円を所定の配列で形成しているが、その工程については説明を省略する。
また、薄板材６Ｂの配線パターン７形成面には、矩形状の凹部が所定の配列で形成されている。この凹部は、後述する切断工程で発光装置１を切り出すことによって、発光装置１の配線パターン７形成面に切欠部７Ａを形成するようになっている。
また、図５においては、図１および図２で説明した発光装置１の逆円弧状の角部２ａについても図示を省略している。
薄板材２１は、予め別工程で開口部２Ａを開口された後に、薄膜形成処理に基づいて上面および開口部２Ａの内壁面にタングステンによる薄膜が形成される。
（２）薄板材積層工程
次に、図５（ｂ）に示すように、薄板材２０、２１、および２２と、薄板材６Ａおよび６Ｂとを積層する。このとき、薄板材２０、２１、および２２に形成されている長円が位置ずれを生じないように位置決めをしながら行う。この状態では、複数の発光装置が一体的に整列した集合体となっている。
（３）焼成工程
次に、集合体に焼成処理を施してセラミックスを焼成させることにより、薄板材２０、２１、および２２と、薄板材６Ａおよび６Ｂとを一体化する。
（４）発光素子搭載工程
次に、図５（ｂ）に示す集合体について、配線パターン４および７の露出部分にＡｕ層を形成する。次に、開口部２Ａ内にＬＥＤを５個実装し、その一部について配線パターン４とのワイヤボンディングを行う。
（５）切断工程
次に、図５（ｃ）に示すように、集合体をダイシング等によって切断することにより、発光装置１が得られる。
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）配線パターン７形成面に切欠部７Ａを設け、外部基板８の配線パターン９と接触する部分に配置するようにしたので、はんだリフローによって溶けたはんだ９ａが切欠部７Ａのエッジに沿って速やかに上昇するようになり、はんだ接合性が向上する。
（２）また、切欠部７Ａが基板６を切り欠いた窪み状に形成されているので、溶けたはんだ９ａが窪み内に溜まり、切欠部７Ａより上方に移動しにくくなる。はんだ９ａが配線パターン７に沿って大量に上昇すると、発光装置１全体の重量バランスが崩れ、配線パターン７形成面が下になるように発光装置１が転倒する恐れがある。本実施の形態によれば、切欠部７Ａより上方にはんだ９ａが移動することがないので、発光装置１の重量バランスが崩れることを防げる。
（３）配線パターン７に切欠部７Ａを設けることで、ダイシング等によって発光装置１を切り出す際に配線パターン７端部にバリが生じにくくなり、はんだ９ａのぬれ性低下やパターン剥離等の不良の発生を防ぐことができる。
（４）切欠部７Ａによってはんだ接合性が向上することにより、ＬＥＤ３Ｒ1、３Ｒ2、３Ｇ、３Ｂ1、および３Ｂ2の点灯に基づく発熱をはんだ接合部を介して配線パターン９等に効率良く伝達することが可能になり、放熱性が向上する。
（５）発光装置１の基板実装面と外部基板８とが位置決めされた状態で配線パターン７および９のはんだ接合が行われるので、発光装置１の位置決め精度に優れる。
なお、第１の実施の形態では、開口部２Ａに透明なエポキシ樹脂を封止樹脂として充填した構成を説明したが、例えば、ＬＥＤから放射される光によって励起される蛍光体を混入させたエポキシ樹脂を用いて波長変換を行う構成としても良い。
図７（ａ）は、第２の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。図７（ｂ）は切欠部の部分拡大図である。この斜視図は外部基板８に実装された発光装置１の光出射方向と反対側の底面側斜視図である。なお、以下の説明では、第１の実施の形態と同様の構成を有する部分については同一の引用数字を付している。
第２の実施の形態では、切欠部７Ａが設けられる部分の配線パターン９に凹状の溝部９Ａを設けた構成としており、溝部９Ａは、図７（ｂ）に示すように切欠部７Ａと長さｌのずれ量を有して配置されている。このような溝部９Ａは、例えば、エッチングによって配線パターン９および外部基板８を部分的に除去することにより得られる。
上記した第２の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）切欠部７Ａが配置される配線パターン９にも溝部９Ａを設けたので、はんだの流れやすいエッジが増えることによりはんだ接合性を高めることができる。
（２）溶けたはんだが切欠部７Ａだけでなく溝部９Ａにも溜まるようになるので、はんだ接合性を高めながら配線パターン７の上方に大量のはんだが上昇することをより効率良く抑制することができる。
なお、第２の実施の形態では、配線パターン９の溝部９Ａを切欠部７Ａと長さｌだけずらして配置する構成を説明したが、例えば、切欠部７Ａの位置に一致するように溝部９Ａを設けても良い。
図８（ａ）は、第３の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。図８（ｂ）は切欠部の部分拡大図である。この斜視図は外部基板８に実装された発光装置１の光出射方向と反対側の底面側斜視図である。
第３の実施の形態では、配線パターン７に切欠部を設けずに配線パターン９に溝部９Ａを設けた構成としており、このような構成としても大量のはんだの上昇を抑制することが可能である。
本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の正面図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。 図１のＡ−Ａ部における発光装置１の断面図である。 切欠部に流れ込むはんだを示す部分拡大図であり、（ａ）はリフロー時のはんだ流れを示す図、（ｂ）ははんだが固まった状態を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す工程図であり、（ａ）は薄板材準備工程を示す図、（ｂ）は薄板材積層工程を示す図、（ｃ）は切断工程を示す図である。 第１の実施の形態に係る発光装置の製造工程のフローチャートである。 （ａ）は、第２の実施の形態に係る発光装置の斜視図であり、（ｂ）は切欠部の部分拡大図である。 （ａ）は、第３の実施の形態に係る発光装置の斜視図であり、（ｂ）は溝部の部分拡大図である。 特許文献１に記載された発光装置の断面図である。
符号の説明
１、発光装置 ２、ケース ２Ａ、開口部 ２ａ、角部 ４、配線パターン
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、４Ｅ、４Ｆ、４Ｇ、配線領域 ５、ワイヤ
６、基板 ６Ａ、薄板材 ６Ｂ、薄板材 ７、配線パターン
７Ａ、切欠部 ７ａ、スルーホール ８、外部基板 ９、配線パターン
９Ａ、溝部 １０、接合面 ２０、薄板材 ２１、薄板材
２１Ａ、タングステン層 ２１Ｂ、Ａｇ層 ２２、薄板材
３０、発光装置 ３１、絶縁基板 ３１Ａ、貫通孔 ３２、チップ
３３、ワイヤ ４０、接着フィルム ５０、薄型平板 ５１、金属薄板
５３、絶縁性樹脂 ５３Ａ、分離部 ５４、メッキ層
５５、バンプ ７０、７１、７２、７３、７４、７５、領域

Claims (5)

  1. 複数の発光素子をアレイ状に搭載し、複数の端子部を実装面と直交するパターン形成面に形成したランプと、
    前記複数の端子部ごとにはんだによって接続される複数の配線パターンを有する回路基板と、を備え、
    前記ランプの実装面の一部を前記端子部とともに切り欠いて形成され、当該端子部における前記回路基板の配線パターンとの境界部分に当該境界部分から当該端子部の内側へ向かって延び前記はんだを流入させる切欠部を設けることを特徴とする発光装置。
  2. 前記端子部は、導電パターンを有した導電性薄膜によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
  3. 前記ランプは、セラミックスの薄板を積層して焼成することによって形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の発光装置。
  4. 前記ランプは、前記ランプの集合体から切断される際の切断面に前記切欠部が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の発光装置。
  5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置を製造するにあたり、
    凹部が形成されたパターン形成面を有する薄板を含む、複数のセラミックスの薄板を準備する薄板準備工程と、
    前記複数のセラミックスの薄板を積層して、複数のランプが一体的に整列した集合体とする薄板積層工程と、
    前記集合体に焼成処理を施して、前記複数のセラミックスの薄板を一体化する焼成工程と、
    焼成された前記集合体に発光素子を搭載する発光素子搭載工程と、
    前記発光素子が搭載された前記集合体を切断することにより、前記凹部が前記パターン形成面の切欠部をなす発光装置を得る切断工程と、を含む発光装置の製造方法。
JP2003288294A 2003-03-20 2003-08-06 発光装置 Expired - Fee Related JP4203374B2 (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003288294A JP4203374B2 (ja) 2003-08-06 2003-08-06 発光装置
TW093107348A TWI249864B (en) 2003-03-20 2004-03-18 LED lamp
US10/804,212 US7279723B2 (en) 2003-03-20 2004-03-19 LED lamp
KR1020040018628A KR100596116B1 (ko) 2003-03-20 2004-03-19 Ｌｅｄ 램프
CNB2004100302224A CN1317776C (zh) 2003-03-20 2004-03-22 发光二极管灯
CNB2004100562077A CN100352071C (zh) 2003-08-06 2004-08-05 发光二极管灯
US10/911,643 US7285803B2 (en) 2003-08-06 2004-08-05 Light-emitting diode lamp having a terminal portion with a notch portion
KR1020040061545A KR100644304B1 (ko) 2003-08-06 2004-08-05 발광 다이오드 램프
HK05101192.9A HK1067914B (en) 2003-03-20 2005-02-15 Led lamp
HK05106781.5A HK1073181B (en) 2003-08-06 2005-08-08 Light-emitting diode lamp
US11/892,095 US7768029B2 (en) 2003-03-20 2007-08-20 LED lamp

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003288294A JP4203374B2 (ja) 2003-08-06 2003-08-06 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005057144A JP2005057144A (ja) 2005-03-03
JP4203374B2 true JP4203374B2 (ja) 2008-12-24

Family

ID=34114040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003288294A Expired - Fee Related JP4203374B2 (ja) 2003-03-20 2003-08-06 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7285803B2 (ja)
JP (1) JP4203374B2 (ja)
KR (1) KR100644304B1 (ja)
CN (1) CN100352071C (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US7683393B2 (en) * 2004-12-07 2010-03-23 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate for mounting light emitting element
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7592637B2 (en) * 2005-06-17 2009-09-22 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes with reflective electrode and side electrode
US20090153462A1 (en) * 2005-12-08 2009-06-18 Sharp Kabushiki Kaisha Illumination device and display apparatus provided with the same
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
TWI337409B (en) * 2007-01-31 2011-02-11 Harvatek Corp Led chip package structure with thickness guiding pin
KR101523527B1 (ko) * 2008-12-30 2015-05-28 서울반도체 주식회사 발광소자 및 이러한 발광소자 제조방법
CN102549785B (zh) * 2009-10-01 2014-12-17 日亚化学工业株式会社 发光装置
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
WO2013035017A1 (en) * 2011-09-06 2013-03-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for manufacturing a led matrix and a device comprising a led matrix
KR20140044103A (ko) * 2012-10-04 2014-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5974910B2 (ja) * 2013-01-18 2016-08-23 ソニー株式会社 表示パネルおよび表示装置
DE102013215326A1 (de) * 2013-04-30 2014-10-30 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit hochreflektierender Fläche
CN205355527U (zh) 2013-05-30 2016-06-29 古河电气工业株式会社 光学模块
JP7148826B2 (ja) * 2014-05-21 2022-10-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105472963B (zh) * 2016-01-07 2022-06-17 深圳市日昭自动化设备有限公司 一种全彩高清led屏幕插装装置的自动化拨料切刀机构
JP6432639B2 (ja) * 2017-04-28 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4060822A (en) * 1973-06-27 1977-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Strip type radiation detector and method of making same
US4700076A (en) * 1983-09-02 1987-10-13 Digital Imaging Company Of America, Inc. Solid-state X-ray receptor and method of making same
EP0355522B1 (en) * 1988-08-18 1993-12-15 Seiko Epson Corporation Solid state image pickup device
US4999077A (en) * 1989-08-31 1991-03-12 Xerox Corporation Method of fabricating full width scanning or imaging arrays from subunits
JP2572421Y2 (ja) * 1992-06-12 1998-05-25 スタンレー電気株式会社 チップｌｅｄ
JPH07131072A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Rohm Co Ltd 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置
JPH07235624A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄランプ
US5545913A (en) * 1994-10-17 1996-08-13 Xerox Corporation Assembly for mounting semiconductor chips in a full-width-array image scanner
US5663573A (en) * 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
JP3311914B2 (ja) * 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
JP3316838B2 (ja) * 1997-01-31 2002-08-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3217322B2 (ja) * 1999-02-18 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 チップ部品型発光素子
JP2001345485A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP4737842B2 (ja) * 2001-01-30 2011-08-03 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP4818536B2 (ja) * 2001-06-26 2011-11-16 ローム株式会社 赤外線データ通信モジュールの実装方法
KR100439402B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
TW587842U (en) * 2002-05-30 2004-05-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Optical package

Also Published As

Publication number Publication date
HK1073181A1 (en) 2005-09-23
KR100644304B1 (ko) 2006-11-10
US20050030762A1 (en) 2005-02-10
CN100352071C (zh) 2007-11-28
CN1581524A (zh) 2005-02-16
KR20050016150A (ko) 2005-02-21
US7285803B2 (en) 2007-10-23
JP2005057144A (ja) 2005-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4203374B2 (ja) 発光装置
US7279723B2 (en) LED lamp
JP3993736B2 (ja) チップ部品型発光素子の製造方法とチップ部品型発光素子用パッケージの製造方法
EP1627437B1 (en) Light-emitting device
JP5933959B2 (ja) 半導体光学装置
JP4689637B2 (ja) 半導体発光装置
CN102473656B (zh) 发光装置
JP2009081193A (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP6191667B2 (ja) 発光装置
US7154155B2 (en) Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
KR20090082470A (ko) 발광 장치, 그 제조 방법 및 실장 기판
CN100391017C (zh) 发光器件
JP5401025B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP2019216250A (ja) 半導体発光装置
JP6576581B1 (ja) サイドビューｌｅｄパッケージ及びサイドビューｌｅｄモジュール
JP2009188005A (ja) 表面実装型半導体装置
JP4250171B2 (ja) 発光素子用セラミックパッケージ
CN107534076A (zh) Led封装体、发光装置以及led封装体的制造方法
JP6504019B2 (ja) 発光装置
JP2007214183A (ja) 発光素子搭載用セラミックパッケージ
JP2008041923A (ja) 発光装置
JP2008041922A (ja) 発光装置
JP2008135566A (ja) 電子部品搭載用基板および電子装置、ならびに電子装置の製造方法
HK1067914B (en) Led lamp

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080527

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080725

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080924

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111017

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees