JP4119881B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
請求項14の発明は、請求項1ないし請求項13のいずれかの発明に係る半導体メモリ装置において、前記情報処理装置から、前記入力端子に対して、前記第1の動作モードと前記第2の動作モードのうちの一時的に遷移する動作モードの情報と、遷移中の時間を指定する時間情報とが含まれる復帰条件付きコマンド、がさらに与えられ、前記動作モード制御手段は、前記復帰条件付きコマンドに含まれる情報に応じて、前記動作モードを選択することを特徴とする。
次に、第1の実施の形態に係る半導体メモリ10の構成について説明する。図2は、半導体メモリ10の回路ブロック図である。半導体メモリ10は、メモリコア部11と入出力端子部12を含み、メモリコア部11と入出力端子部12との間にメモリ制御部13を挿入することによって、メモリコア部11に記憶されるデータの機密保護を図っている。
次に、第2の実施の形態に係る半導体メモリ10Aの構成について説明する。図5は半導体メモリ10Aのブロック図である。なお、第1の実施の形態と同様の構成部分については説明を省略する。
次に、第3の実施の形態に係る半導体メモリ10Bの構成について説明する。図7は、半導体メモリ10Bの回路ブロック図である。なお、第1または第2の実施の形態と同様の構成部分については説明を省略する。
第4の実施の形態における半導体メモリ10Bは、表4に示すような2つの動作モードを切り替えて動作可能とされる。この実施形態では、第2モードにおいてコマンドデスクランブル回路136がON制御される以外、第3の実施の形態と同様である。
第5の実施の形態における半導体メモリ10Bは、表5に示すような2つの動作モードを切り替えて動作可能とする。第1モードにおいて、コマンドデスクランブル回路136がON/OFFのいずれかに制御され、コマンド復号回路131及びデータスクランブル回路133がON制御される。第2モードにおいては、コマンドデスクランブル回路136及びデータスクランブル回路133がON制御され、コマンド復号回路131がON/OFFいずれかに制御される。
第6の実施の形態における半導体メモリ10は、表6に示すような2つの動作モードを切り替えて動作可能とする。第1モードにおいて、データスクランブル回路133がOFF制御される以外、第5の実施の形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。
本発明の半導体メモリ10は、さらにデータの機密保護の強化を図るため、以下のような機能を付加してもよい。
セキュリティ強度の高い第1モードで動作中に、モード制御回路134がレジスタ135に格納された値を更新するようにする。すなわち、レジスタ135に格納された値は、コマンドデスクランブル回路136がコマンドデスクランブル処理する場合のデスクランブルの規則性を決めるデスクランブル値であり、データスクランブル回路133がデータスクランブル処理する場合のスクランブルの規則性を決めるスクランブル値である。この値(デスクランブル値又はスクランブル値)が、これを情報処理装置1の電源投入時だけではなく、第1モード中にプログラム処理によって設定可能にする。
次に、第3モードの動作について説明する。上述したように、第1モードおよび第2モードにおいては、情報処理装置1から供給されたコマンドに対して復号化処理あるいはデスクランブル処理を実行している。そして、正しいコマンド、すなわち半導体メモリ10の復号化アルゴリズムあるいはデスクランブルアルゴリズムに同期した暗号化アルゴリズムもしくはスクランブルアルゴリズムを用いて生成されたコマンドが供給された場合は、コマンド判定回路132がコマンドの内容を正しく判定することが可能である。ところが、同期のとれていない不正な暗号処理やスクランブル処理が施されたコマンドを受け取った場合は、コマンド判定回路132が復号化処理あるいはデスクランブル処理後のコマンドを異常なコマンドと判定する。また、暗号処理やスクランブル処理が正しく行われている場合でも、コマンド自体が不正な場合には異常なコマンドと判定することになる。
以上のように、本実施の形態の半導体メモリ10,10A,10Bが複数の動作モードを有しているが、情報処理装置1はセキュリティ強度とパフォーマンスのバランスをとるため、半導体メモリ10,10A,10Bが第2モードを中心に動作するように制御する。そして、予め定められた時間間隔で、あるいは情報処理装置1において動作するアプリケーションプログラムによって指定された時間経過後に、第1モードへ遷移するよう半導体メモリ10にコマンドを供給してもよい。
本実施の形態の半導体メモリ10,10A,10Bは、上述の如く、異なるセキュリティレベルに対応した複数の動作モードを有しているが、さらにモードに応じてアクセス可能なメモリ領域(又は空間)を異なるように設定してもよい。
次に、復帰条件付きコマンドについて説明する。情報処理装置1によって発生される復帰条件付コマンドは、半導体メモリ10の現在の動作モードを、ある別のモードに一時的に変更し、所定時間経過後に再び元のモードに復帰変更させることを指定するためのコマンドである。この復帰条件付コマンドは、たとえば「現在のモード(第1モード)を第2モードに変更させ、10秒後に再び第1モードに変更する。」といった内容のコマンドであり、一時的に遷移するモードの種類情報と、遷移中の時間を指定する情報が含まれる。
以上説明した各実施の形態に係る半導体メモリ10,10A,10Bが着脱される情報処理装置1は、具体的にはパーソナルコンピュータ、PDAのような携帯情報端末装置、画像処理装置、ゲーム装置(携帯又は据置用の何れも含む)、若しくは携帯電話機等に適用可能である。これらの何れの機器においても、着脱自在に半導体メモリとして本願発明を用いることができる。
2 制御部
10 半導体メモリ
11 メモリコア部
12 入出力端子部
13 メモリ制御部
Claims (14)
- 情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、
「スクランブル処理」を、ビット操作によって情報を攪乱する処理として定義し、
「暗号処理」を、前記スクランブル処理を含まない処理として定義したとき、
前記半導体メモリ装置は、
保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、
前記情報処理装置から与えられ、(a)前記半導体メモリ装置に対する読出しまたは書込み命令を示す命令コードとアドレスデータとを含んだ読み書きコマンドと、(b)モード切替情報を含むモード切替コマンドとが、別個のコマンドとして入力されるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、
前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、
を備え、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、
前記メモリコア部から読み出されたデータをスクランブルし、またはデータをそのまま出力するように選択的に動作するスクランブル手段と、
前記情報処理装置から与えられたコマンドが前記モード切替コマンドである場合に、当該コマンドに含まれている前記モード切替情報が、第1の動作モードへの遷移を指定する第1のコマンドであるか、または第2の動作モードへの遷移を指定する第2のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、
前記コマンド判定手段によって第1のコマンドと判定されたことに応じて、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第1の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第2のコマンドと判定されたことに応じて、前記スクランブル手段によるスクランブル機能を有効にする第2の動作モードを選択する動作モード制御手段と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項1に記載の半導体メモリ装置において、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをそのまま通過させ、またはコマンドをデスクランブルするように選択的に動作するデスクランブル手段、
を含み、
前記動作モード制御手段は、前記第1の動作モードを選択したとき、前記デスクランブル手段のデスクランブル機能を無効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項2に記載の半導体メモリ装置において、
前記動作モード制御手段は、前記第2の動作モードを選択したとき、前記デスクランブル手段のデスクランブル機能を有効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、
「スクランブル処理」を、ビット操作によって情報を攪乱する処理として定義し、
「暗号処理」を、前記スクランブル処理を含まない処理として定義したとき、
前記半導体メモリ装置は、
保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、
前記情報処理装置から与えられ、(a)前記半導体メモリ装置に対する読出しまたは書込み命令を示す命令コードとアドレスデータとを含んだ読み書きコマンドと、(b)モード切替情報を含むモード切替コマンドとが、別個のコマンドとして入力されるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、
前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、
を備え、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、
前記情報処理装置から与えられたコマンドが前記モード切替コマンドである場合に、当該コマンドに含まれている前記モード切替情報が、第1の動作モードへの遷移を指定する第1のコマンドであるか、または第2の動作モードへの遷移を指定する第2のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、
前記コマンド判定手段によって第1のコマンドであると判定されたことに応じて、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第1の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第2のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段によるデスクランブル機能を有効にする第2の動作モードを選択する動作モード制御手段と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項4に記載の半導体メモリ装置において、
前記メモリ制御手段は、
前記メモリコア部から読み出されたデータをスクランブルし、または前記メモリコア部から読み出されたデータをそのまま出力するように選択的に動作するスクランブル手段、
を含み、
前記動作モード制御手段は、前記第2の動作モードを選択したとき、前記スクランブル手段のスクランブル機能を有効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項5に記載の半導体メモリ装置において、
前記動作モード制御手段は、前記第1の動作モードを選択したとき、前記スクランブル手段のスクランブル機能を無効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、
「スクランブル処理」を、ビット操作によって情報を攪乱する処理として定義し、
「暗号処理」を、前記スクランブル処理を含まない処理として定義したとき、
前記半導体メモリ装置は、
保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、
前記情報処理装置から与えられ、(a)前記半導体メモリ装置に対する読出しまたは書込み命令を示す命令コードとアドレスデータとを含んだ読み書きコマンドと、(b)モード切替情報を含むモード切替コマンドとが、別個のコマンドとして入力されるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、
前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、
を備え、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、
前記メモリコア部から読み出されたデータをスクランブルし、またはデータをそのまま出力するように選択的に動作するスクランブル手段と、
前記情報処理装置からコマンドが前記モード切替コマンドである場合に、当該コマンドに含まれている前記モード切替情報が、第1の動作モードへの遷移を指定する第1のコマンドであるか、または第2の動作モードへの遷移を指定する第2のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、
前記コマンド判定手段によって第1のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段のデスクランブル機能を無効にし、かつ、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第1の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第2のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段および前記スクランブル手段のうちいずれか一方の機能を有効にする第2の動作モードを選択する動作モード制御手段と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項7に記載の半導体メモリ装置において、
前記動作モード制御手段は、前記コマンド判定手段によって前記第2のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段および前記スクランブル手段の両方の機能を有効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項7に記載の半導体メモリ装置において、
前記動作モード制御手段は、前記コマンド判定手段によって前記第1のコマンドであると判定されたことに応じて、前記スクランブル手段のスクランブル機能を有効にすることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の半導体メモリ装置において、
前記入出力端子部は、所定数の端子を有し、時分割的に切り換えることにより、前記コマンド入力端子と前記データ出力端子とを兼用することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項1または請求項7に記載の半導体メモリ装置において、
前記メモリ制御手段は、
前記スクランブル手段のスクランブル条件を設定するレジスタ、
を含み、
前記動作モード制御手段は、前記第1の動作モードによる動作中、前記レジスタの内容を更新することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項4に記載の半導体メモリ装置において、
前記メモリ制御手段は、
前記デスクランブル手段のデスクランブル条件を設定するレジスタ、
を含み、
前記動作モード制御手段は、前記第1の動作モードによる動作中、前記レジスタの内容を更新することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項1ないし請求項12のいずれかに記載の半導体メモリ装置において、
前記情報処理装置により与えられるコマンドにより、前記第1動作モードによる動作期間よりも前記第2動作モードによる動作期間が長くなるように制御されることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 請求項1ないし請求項13のいずれかに記載の半導体メモリ装置において、
前記情報処理装置から、前記入力端子に対して、前記第1の動作モードと前記第2の動作モードのうちの一時的に遷移する動作モードの情報と、遷移中の時間を指定する時間情報とが含まれる復帰条件付きコマンド、がさらに与えられ、
前記動作モード制御手段は、前記復帰条件付きコマンドに含まれる情報に応じて、前記動作モードを選択することを特徴とする半導体メモリ装置。
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