JP4193261B2

JP4193261B2 - 半導体バリ取り方法およびバリ除去幅広ガン

Info

Publication number: JP4193261B2
Application number: JP00714799A
Authority: JP
Inventors: 修山形
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-01-14
Filing date: 1999-01-14
Publication date: 2008-12-10
Anticipated expiration: 2019-01-14
Also published as: JP2000202775A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体のバリを除去する半導体バリ取り方法およびバリ除去幅広ガンに関し、特に研磨剤を噴射しバリを除去する半導体バリ取り方法およびバリ除去幅広ガンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体パッケージのバリを除去する代表的な方法として、乾式、水圧方式および液体ホーキング方式等が挙げられる。中でも液体ホーキング方式は、バリの除去効率が高く、またバリ除去後の洗浄等の後処理が容易であり、さらにランニングコストも安いため、最も多用されているバリ除去法である。
【０００３】
液体ホーニング方式とは、粉末状の研磨剤を液体と混合し、その混合された研磨剤を対象物に噴射し、それによりバリ取り等を行なうバリ取り方法である。この液体ホーニング方式は、その噴射形態により、全面打ち方式と狙い打ち方式とに大別することができる。
【０００４】
全面打ち方式は、バリ取り対象物全体に対し前記の研磨剤を噴射してバリ取りを行なうことを特徴としており、噴射口と対象物間において複雑な位置制御を必要としないため、装置の簡略化、低コスト化が可能となる。また、バリ取り時に噴射口と対象物間の複雑な位置制御を必要としないため、バリ取り作業時間が短縮でき、これにより高い作業効率を得ることができる。
【０００５】
一方、狙い打ち方式は、バリ取り対象物のバリ位置に対し局部的に前記の研磨剤を噴射してバリ取りを行なうことを特徴としており、バリ取りが不要な部分に研磨剤を当てることなく、必要な部分のバリ取りを行なうことが可能である。これにより、表面の傷が致命傷となる光ピックアップ等の受光素子の受光部に研磨剤を当てることなく、バリ取りを行なうことが可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、全面打ち方式は、バリ取り対象物全体に対し前記の研磨剤を噴射するため、バリ取り対象物が光ピックアップ等の受光素子であった場合、その研磨剤の噴射は受光素子の受光部を傷つける結果となる。受光素子において、その受光部の傷は致命的な欠陥となるため、このような方法は受光素子には適用できない。
【０００７】
一方、狙い打ち方式を用いれば、受光素子の受光部に研磨剤を当てることなくバリ取りができるため、このような受光素子のバリ取りを行なうことが可能となる。しかし、狙い打ち方式は、細く絞った噴射口の位置を複雑に制御し、バリ取り対象物のバリ部分に研磨剤を噴射することとなるため、装置が複雑化し、装置の低コスト化が図れない。また、噴射口とバリ取り対象物の位置関係を複雑に制御しながらバリ取り作業を行なうため作業効率も悪い。さらに、複数のバリ取り対象物を同時に処理する場合、更なる装置の複雑化、ハイコスト化、作業効率の悪化が進むという問題点がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、単純で低コストな構造の装置を用い、作業効率が良く、受光素子の受光部に研磨剤を当てることなくバリ取り作業を行なうことが可能な半導体バリ取り方法およびバリ除去幅広ガンを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、半導体のバリを除去する半導体バリ取り方法において、半導体の表面のみに、前記半導体を保護するマスクを設置し、リードフレームにおける表面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ複数の噴射口の幅が、その噴射口に対応する表面の各リード部の幅以上に設定された表面用バリ除去幅広ガンから、半導体の表面のバリ部分に局所的に、液体と混合された研磨剤を噴射する。また、リードフレームにおける裏面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ複数の噴射口の幅が、その噴射口に対応する裏面の各リード部の幅以上に設定された裏面用バリ除去幅広ガンから、半導体の裏面のバリ部分に局所的に、液体と混合された研磨剤を噴射する。そして、表面用バリ除去幅広ガン及び裏面用バリ除去幅広ガンを移動させながら半導体のバリを除去し、半導体をシャワーによって洗浄し、半導体を洗浄幅広ガンによって洗浄することを特徴とする半導体バリ取り方法が提供される。また、半導体のバリを除去するバリ除去幅広ガンにおいて、リードフレーム上における表面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ複数の噴射口の幅が、対応する表面の各リード部の幅以上に設定された表面用バリ除去幅広ガンと、リードフレーム上における裏面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ複数の噴射口の幅が、対応する裏面の各リード部の幅以上に設定された裏面用バリ除去幅広ガンと、を備えている。表面用バリ除去幅広ガンは、噴射口から、液体と混合された研磨剤を前記半導体の表面のバリ部分に局所的に噴射し、裏面用バリ除去幅広ガンは、噴射口から、液体と混合された研磨剤を半導体の裏面のバリ部分に局所的に噴射し、表面用バリ除去幅広ガン及び裏面用バリ除去幅広ガンが、表面のリード部及び裏面のリード部と平行に移動することを特徴とするバリ除去幅広ガンが提供される。
【００１０】
ここで、複数の噴射口を有するバリ除去幅広ガンは、同時に複数の半導体のバリ部分に研磨剤を噴射し、半導体上を移動しながらバリを除去する。シャワーは、バリ除去後の半導体を１次洗浄し、洗浄幅広ガンは、１次洗浄後の半導体を２次洗浄する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
まず、本形態における半導体の表面バリ取り処理の構成について説明する。
【００１２】
図１、図２および図３は、本発明の実施の形態における半導体の表面バリ取り処理を示す平面図、正面図および左側面図である。
本形態では、図１の示すように複数個の半導体１１〜１４、２１〜２４が一列の帯状に接続され半導体バンド１０、２０を形成している。これらの半導体バンド１０、２０は互いに平行に配置され、帯状のリード部３ｂを介し接続されている。また、リード部３ｂが接続されていない半導体バンド１０のもう一方側の側面にはリード部３ａが接続されている。そして、このように半導体およびリード部が交互に接続されることによりリードフレーム４を形成している。
【００１３】
半導体１１〜１４、２１〜２４の表面には受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａが設置されており、半導体１１〜１４、２１〜２４の上部には、この受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａを保護するために、図２および図３に示すマスク１０ｂ、２０ｂが設置されている。
【００１４】
また、リード部３ａ、３ｂの下部には、一つのリード部３ａ、３ｂに対し一つの裏面サポート４０ａ、４０ｂが配置されており、これによりリード部３ａ、３ｂを保持している。図２の場合、リード部３ａの下部には裏面サポート４０ａが、リード部３ｂの下部には裏面サポート４０ｂが配置され、リード部３ａ、３ｂを保持している。
【００１５】
リードフレーム４の上部には、半導体１１〜１４、２１〜２４のバリ取りを行なう表面用バリ除去幅広ガン１が配置される。表面用バリ除去幅広ガン１は、複数個の噴射口１ａ、１ｂを有しており、この噴射口１ａ、１ｂからリードフレーム４上に研磨剤を噴射して半導体１１〜１４、２１〜２４のバリ取りを行なう。表面用バリ除去幅広ガン１に設置されている複数の噴射口１ａ、１ｂは、それぞれリードフレーム４のいずれか一つのリード部３ａ、３ｂと一対一で対応しており、各噴射口１ａ、１ｂは、それぞれが対応しているリード部３ａ、３ｂの真上に一つずつ配置される。図１、図２の場合、リード部３ａの真上に噴射口１ａが、リード部３ｂの真上に噴射口１ｂが配置される。
【００１６】
各噴射口１ａ、１ｂの噴射口幅は、その噴射口１ａ、１ｂに対応するリード部３ａ、３ｂのリード部幅以上となるように設定されている。例えば、噴射口１ｂの場合、噴射口１ｂの噴射口幅Ｗ１は、その噴射口１ｂに対応するリード部３ｂのリード部幅Ｗ２以上となるように設定されている。また同時に噴射口１ａ、１ｂは、その噴射口１ａ、１ｂから噴射される研磨剤が半導体１１〜１４、２１〜２４の受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａの上部に当たらないよう、その噴射口幅の上限が設定される。
【００１７】
次に、図１、図２および図３を用いて、半導体１１〜１４、２１〜２４表面のバリ取り処理動作について説明する。
表面のバリ取り処理が始まると、まず表面用バリ除去幅広ガン１に備え付けられている複数の噴射口１ａ、１ｂから研磨剤が噴射される。この研磨剤としては、粉末状の研磨剤と液体を混合させた混合剤、例えばガラスビーズと樹脂ビーズと水を混合させたものを用いる。
【００１８】
各噴射口１ａ、１ｂから噴射された研磨剤は、それぞれの噴射口１ａ、１ｂの直下に位置するリード部３ａ、３ｂとその両端に位置する半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部分に達し、それにより、その半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部分に位置するバリを除去する。この研磨剤の噴射は、表面用バリ除去幅広ガン１に備え付けられている複数の噴射口１ａ、１ｂから同時に行なわれるため、それぞれの噴射口１ａ、１ｂに対応するリード部３ａ、３ｂの両端に位置する半導体１１〜１４、２１〜２４のバリを同時に除去することができる。
【００１９】
このとき、噴射された研磨剤の一部は噴射口１ａ、１ｂから直接に半導体１１〜１４、２１〜２４の受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａの上部に達し、また一部は半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部分に到達後噴射の圧力等により受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａに上部へ間接的に到達する。しかし、半導体１１〜１４、２１〜２４の上部にはマスク１０ａ、１０ｂが配置されており、これにより研磨剤が受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａに直接に接することを防いでいる。
【００２０】
表面用バリ除去幅広ガン１は、以上のように研磨剤を噴射した状態でリード部３ａ、３ｂおよび半導体バンド１０、２０と平行にリードフレーム４上を移動し、その直下にある半導体１１〜１４、２１〜２４のバリを除去していく。ここで表面用バリ除去幅広ガン１を平行移動させる動力は、後述する裏面用バリ除去幅広ガン５０を平行移動させる動力と共通であり、その共通動力である一つのモータを駆動させることにより、表面用バリ除去幅広ガン１ならびに裏面用バリ除去幅広ガン５０の移動を行なう。
【００２１】
このようにして半導体１１〜１４、２１〜２４の表面のバリ取りが終了すると、次は半導体１１〜１４、２１〜２４の裏面のバリ取り処理へ移る。
次に、本形態における半導体の裏面バリ取り処理の構成について説明する。
【００２２】
図４、図５および図６は、本発明の実施の形態における半導体の裏面バリ取り処理を示す下面図、正面図および左側面図である。
リードフレーム４の裏面も表面と同様に、リード部３ａ、３ｂと半導体１１〜１４、２１〜２４の帯が交互に配列されている。しかし、半導体１１〜１４、２１〜２４の裏面には受光部が無いため、裏面には受光部を守るためのマスクは配置されない。また、リード部３ａ、３ｂの上部には図５に示す表面サポート６０ａ、６０ｂが配置され、リード部３ａ、３ｂを保持する。
【００２３】
リードフレーム４の下部には、裏面用バリ除去幅広ガン５０が配置されており、裏面用バリ除去幅広ガン５０には複数の噴射口５０ａ、５０ｂを有している。そして、表面用バリ除去幅広ガン１の場合と同様に、裏面用バリ除去幅広ガン５０の噴射口５０ａ、５０ｂは、それぞれリードフレーム４のいずれか一つのリード部３ａ、３ｂと一対一で対応しており、各噴射口５０ａ、５０ｂは、それぞれが対応しているリード部３ａ、３ｂの真下に一つずつ配置される。各噴射口５０ａ、５０ｂの噴射口幅は、その噴射口５０ａ、５０ｂに対応するリード部３ａ，３ｂのリード部幅以上となるように設定されている。噴射口５０ｂの場合、噴射口５０ｂの噴射口幅Ｗ３は、その噴射口５０ｂに対応するリード部３ｂのリード部幅Ｗ４以上となるように設定されている。
【００２４】
次に、図４、図５および図６を用いて、半導体１１〜１４、２１〜２４裏面のバリ取り処理動作について説明する。
裏面のバリ取り処理が始まると、まず裏面用バリ除去幅広ガン５０に備え付けられている複数の噴射口５０ａ、５０ｂから研磨剤が噴射される。
【００２５】
各噴射口５０ａ、５０ｂから噴射された研磨剤は、それぞれの噴射口５０ａ、５０ｂの直上に位置するリード部３ａ、３ｂとその両端に位置する半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部分に達し、それにより、その半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部分に位置するバリを除去する。この研磨剤の噴射は、裏面用バリ除去幅広ガン５０に備え付けられている複数の噴射口５０ａ、５０ｂから同時に行なわれるため、それぞれの噴射口５０ａ、５０ｂに対応するリード部３ａ、３ｂの両端に位置する半導体１１〜１４、２１〜２４のバリを同時に除去することができる。
【００２６】
そして、裏面用バリ除去幅広ガン５０は、以上のように研磨剤を噴射した状態でリード部３ａ、３ｂおよび半導体バンド１０、２０に平行にリードフレーム４下部を移動し、その真上にある半導体１１〜１４、２１〜２４のバリを除去していく。このようにして半導体１１〜１４、２１〜２４の裏面のバリ取りが終了すると、次は洗浄処理へ移る。
【００２７】
図７は、本形態の処理工程を示した概念図である。
本形態の処理工程は、半導体１１〜１４、２１〜２４の表面ならびに裏面のバリ取り処理を行なう処理室６０、バリ取り処理が終了した半導体１１〜１４、２１〜２４の１次洗浄を行なう両面シャワー６１、両面シャワー６１に用いる洗浄水を貯水する１次洗浄タンク６３、１次洗浄後の半導体１１〜１４、２１〜２４の２次洗浄を行なう洗浄幅広ガン６２、および洗浄幅広ガン６２に用いる洗浄水を貯水する２次洗浄タンク６４により構成されている。
【００２８】
処理室６０でバリ取り処理を行なった半導体１１〜１４、２１〜２４を有するリードフレーム４は、両面シャワー６１により、その両面を洗浄される。処理室６０でバリ取り処理を行なった半導体１１〜１４、２１〜２４の表面および裏面には、研磨剤およびにバリ取り処理によって研磨されたバリの削りくず等が付着しており、両面シャワー６１は、これらの付着物の１次洗浄を行なう。この１次洗浄を高い水圧で行なうと、付着物により半導体１１〜１４、２１〜２４の表面が傷つけられてしまう危険性があるため、１次洗浄の両面シャワー６１の水圧は極力弱くする。
【００２９】
両面シャワー６１により１次洗浄を終えた半導体１１〜１４、２１〜２４を有するリードフレーム４は、洗浄幅広ガン６２によって２次洗浄される。洗浄幅広ガンは、図示していない複数の噴射口を有しており、その噴射口から洗浄水を噴射し、半導体１１〜１４、２１〜２４の表面およびに裏面の付着物を除去する。２次洗浄時点では、１次洗浄により大まかな付着物は除去されており、２次洗浄時に付着物が半導体１１〜１４、２１〜２４の表面を傷つけることはない。そのため２次洗浄の洗浄幅広ガン６２の水圧は高めに設定してあり、半導体１１〜１４、２１〜２４の付着物を十分に取り除くことができる。
【００３０】
以上のように、本形態では、半導体１１〜１４、２１〜２４の表面にマスク１０ｂ、２０ｂを配し、各リード部３ａ、３ｂと一対一で対応した複数の噴射口１ａ、１ｂを有する表面用バリ除去幅広ガン１の複数の噴射口１ａ、１ｂから研磨剤を噴射し、複数の半導体１１〜１４、２１〜２４のバリ部分に局所的に、かつ同時に研磨剤を当てながら、表面用バリ除去幅広ガン１をリード部３ａ、３ｂと平行に移動させて半導体１１〜１４、２１〜２４表面のバリ取りを行ない、同様に各リード部３ａ、３ｂに一対一で対応した複数の噴射口５０ａ、５０ｂを有する裏面用バリ除去幅広ガン５０によって半導体裏面のバリ取り処理を行なうこととしたため、半導体１１〜１４、２１〜２４の受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａを傷つけることなくバリ取り処理を行なうことができる。
【００３１】
また、複数の噴射口を一体化した幅広ガンを平行移動することでバリ取りが行なえるため、装置構成が単純になり設備コストの低減がはかれるとともに、バリ取り作業中の位置制御が容易になり作業時間の短縮がはかれる。さらに、バリ取り処理を行なう半導体１１〜１４、２１〜２４の数を増やしたとしても、幅広ガンのサイズを大きくし噴射口の数を増やすか、もしくは平行移動する距離を延ばすだけで対応できるため、半導体の処理個数に応じて装置の構造および処理工程自体を複雑にする必要はない。
【００３２】
また、本形態では、半導体１１〜１４、２１〜２４の表面のバリ取り処理を表面用バリ除去幅広ガン１で行ない、裏面のバリ取り処理を裏面用バリ除去幅広ガン５０で行なうこととしたため、表面および裏面に噴射する研磨剤の出力をそれぞれ独立に設定することができる。これによりより詳細な条件設定が可能となる。なおかつ、表面用バリ除去幅広ガン１および裏面用バリ除去幅広ガン５０の平行移動時の動力は共通のモータで行なうこととしたため、設備の簡略化がはかれる。
【００３３】
さらに、本形態では、バリ取り処理後に両面シャワーにより半導体１１〜１４、２１〜２４を１次洗浄し、その後洗浄幅広ガン６２により２次洗浄を行なうこととしたため、洗浄によって受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａが傷つくこと防ぎ、なおかつ十分な洗浄を行なうことができる。
【００３４】
なお、本形態では、受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａを有する半導体１１〜１４、２１〜２４の表面部のみにマスク１０ｂ、２０ｂを配置しバリ取り処理を行なったが、表面および裏面の両面にマスクを配置することとしてもよい。
【００３５】
また、本形態では、半導体１１〜１４、２１〜２４裏面のバリ取りを表面と同様にバリ除去幅広ガンを用いて行なったが、受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａを有する半導体１１〜１４、２１〜２４表面のバリ取りをバリ除去幅広ガンで行ない、受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａを有しない半導体１１〜１４、２１〜２４裏面のバリ取りを全面打ちの液体ホーキング方式としてもよい。
【００３６】
さらに、本形態では幅広ガンに設置されている複数噴射口は、いずれかのリード部３ａ、３ｂと一対一で対応することとしたが、いずれかの半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部と一対一で対応するようにしてもよい。またさらに、いずれか一つの半導体１１〜１４、２１〜２４のエッジ部に複数の噴射口が対応するようにしてもよい。
【００３７】
また、本形態ではリードフレーム４の表面に半導体１１〜１４、２１〜２４の受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａが位置するように配置されていたが、リードフレーム４の裏面に半導体１１〜１４、２１〜２４の受光部１１ａ〜１４ａ、２１ａ〜２４ａが位置するように配置してもよい。その場合マスク１０ｂ、２０ｂは、リードフレーム４の裏面側に設置される。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、半導体の表面にマスクを配し、各リード部と一対一で対応した複数の噴射口を有する表面用バリ除去幅広ガンの複数の噴射口から研磨剤を噴射し、複数の半導体のバリ部分に局所的に、かつ同時に研磨剤を当てながら、表面用バリ除去ガンをリード部と平行に移動させて半導体表面のバリ取りを行ない、同様に各リード部に一対一で対応した複数の噴射口を有する裏面用バリ除去幅広ガンによって半導体裏面のバリ取り処理を行なうこととしたため、単純な構成で安価な装置を用い、高い作業効率を保ちつつ、半導体の受光部を傷つけることなくバリ取り処理を行なうことができ、また、半導体の処理個数に応じて設備の複雑化、処理工程の複雑化を招くこともない。
【００３９】
また、半導体の表面のバリ取り処理を表面用バリ除去幅広ガンで行ない、裏面のバリ取り処理を裏面用バリ除去幅広ガンで行なうこととしたため、表面および裏面に噴射する研磨剤の出力をそれぞれ独立に設定することができ、より詳細な条件設定が可能となる。なおかつ、表面用バリ除去幅広ガンおよび裏面用バリ除去幅広ガンの平行移動時の動力は共通のモータで行なうこととしたため、設備の簡略化をはかれる。
【００４０】
さらに、バリ取り処理後に両面シャワーにより半導体を１次洗浄し、その後洗浄幅広ガンにより２次洗浄を行なうこととしたため、洗浄によって受光部が傷つくこと防ぎ、なおかつ十分な洗浄を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体の表面バリ取り処理を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態における半導体の表面バリ取り処理を示す正面図である。
【図３】本発明の実施の形態における半導体の表面バリ取り処理を示す左側面図である。
【図４】本発明の実施の形態における半導体の裏面バリ取り処理を示す下面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体の裏面バリ取り処理を示す正面図である。
【図６】本発明の実施の形態における半導体の裏面バリ取り処理を示す左側面図である。
【図７】本形態の処理工程を示した概念図である。
【符号の説明】
１…表面用バリ除去幅広ガン、１ａ…噴射口、１ｂ…噴射口、１１〜１４…半導体、２１〜２４…半導体、１１ａ〜１４ａ…受光部、２１ａ〜２４ａ…受光部、３ａ…リード部、３ｂ…リード部、４…リードフレーム、５０…裏面用バリ除去幅広ガン、６１…両面シャワー、６２…洗浄幅広ガン

Claims

半導体のバリを除去する半導体バリ取り方法において、
前記半導体の表面のみに、前記半導体を保護するマスクを設置し、
リードフレームにおける表面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ前記複数の噴射口の幅が、その噴射口に対応する前記表面の各リード部の幅以上に設定された表面用バリ除去幅広ガンから、前記半導体の表面のバリ部分に局所的に、液体と混合された研磨剤を噴射し、
前記リードフレームにおける裏面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ前記複数の噴射口の幅が、その噴射口に対応する前記裏面の各リード部の幅以上に設定された裏面用バリ除去幅広ガンから、前記半導体の裏面のバリ部分に局所的に、液体と混合された研磨剤を噴射し、
前記表面用バリ除去幅広ガン及び前記裏面用バリ除去幅広ガンを移動させながら前記半導体のバリを除去し、
前記半導体をシャワーによって洗浄し、
前記半導体を洗浄幅広ガンによって洗浄する
半導体バリ取り方法。
前記表面用バリ除去幅広ガンと前記裏面用バリ除去幅広ガンは、同一モーターによって駆動することを特徴とする請求項１記載の半導体バリ取り方法。
前記表面用バリ除去幅広ガンの噴射口は、前記表面の各リード部と一対一で対応しており、
前記裏面用バリ除去幅広ガンの噴射口は、前記裏面の各リード部と一対一で対応していることを特徴とする請求項１記載の半導体バリ取り方法。
前記研磨剤は、ガラスビーズと樹脂ビーズの混合剤を有することを特徴とする請求項１記載の半導体バリ取り方法。
半導体のバリを除去するバリ除去幅広ガンにおいて、
リードフレーム上における表面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ前記複数の噴射口の幅が、対応する前記表面の各リード部の幅以上に設定された表面用バリ除去幅広ガンと、
前記リードフレーム上における裏面の各リード部に対応した複数の噴射口を有し、かつ前記複数の噴射口の幅が、対応する前記裏面の各リード部の幅以上に設定された裏面用バリ除去幅広ガンと、を備え、
前記表面用バリ除去幅広ガンは、前記噴射口から、液体と混合された研磨剤を前記半導体の表面のバリ部分に局所的に噴射し、
前記裏面用バリ除去幅広ガンは、前記噴射口から、液体と混合された研磨剤を前記半導体の裏面のバリ部分に局所的に噴射し、
前記表面用バリ除去幅広ガン及び前記裏面用バリ除去幅広ガンが、前記表面のリード部及び前記裏面のリード部と平行に移動するバリ除去幅広ガン。
前記表面用バリ除去幅広ガンの噴射口は、前記表面の各リード部と一対一で対応しており、
前記裏面用バリ除去幅広ガンの噴射口は、前記裏面の各リード部と一対一で対応していることを特徴とする請求項５記載のバリ除去幅広ガン。