JP4158199B2

JP4158199B2 - Ｔｆｔアレイ検査装置

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Publication number: JP4158199B2
Application number: JP2004022820A
Authority: JP
Inventors: 光太岩崎
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2004-01-30
Filing date: 2004-01-30
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2024-01-30
Also published as: US20050174140A1; JP2005217239A

Description

本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置に関し、特に、荷電粒子ビームによって液晶ディスレイや有機ＥＬディスプレイ等に利用される薄膜トランジスタアレイ（ＴＦＴアレイ）の欠陥画素の検査や性能検査を測定データを用いて行う検査装置に関するものである。

ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をアレイ状に配列した構成として例えば液晶基板があり、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等に用いられている。

ＴＦＴを用いて構成された液晶ディスプレイは、ＴＦＴ及びピクセル電極が形成された一方のガラス基板と対向電極が形成された他方のガラス基板との間に液晶を流しこんだ液晶パネルを基本構造とする。

ガラス基板は、一般の集積回路の製造プロセスにより形成された複数のパネルを有し、パネルはマトリックス状に配列された複数の画素により構成されている。各画素は、画素電極、蓄積容量及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える。画素電極は、光を通す物質、一般的には、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）を用いて形成される。

図９は、ディスプレイ用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一構成例であり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ａ、画素電極ｂ、奇数データ線ｅ、偶数データ線ｆ、奇数ゲート線ｃ、偶数ゲート線ｄ、及びコモン線ｇから構成される。ここで、データ線ｅ，ｆとゲート線ｃ，ｄは交差しているが、電気的には接続されていない。各ＴＦＴａは、それぞれデータ線ｅ，ｆとゲート線ｃ，ｄに接続されている。なお、コモン線ｇを持たないＴＦＴアレイも存在し、この場合には、画素電極ｂは静電容量を介して隣接するゲート線に接続されている。ディスプレイが機能するためには、各ＴＦＴが正常に機能し、画像を映し出すように画素電極に電圧が印加されなければならない。

画素電極に正常に電圧が印加されているか否かを調べるために、荷電粒子を画素電極に照射した場合に発生する二次電子の運動エネルギーが画素電極の電圧によって変化することを利用することができる。（特許文献１参照）

この荷電粒子の電圧コントラスト技術は、非接触で基板上の各ＴＦＴの状態を判定する方法であり、従来の機械的プローブを用いた検査方法に比べてコストが安く、また、光学的検査方法に比べて、検査速度が速いという利点を有する。

以下に、二次電子の検出量に基づく電圧コントラスト技術の原理について説明する。

ＴＦＴ基板の各画素電極から放出され検出器に到達する二次電子の量は、そのＴＦＴ基板の画素電極の電圧の極性に依存している。例えば、ＴＦＴ基板の画素電極が正電位（プラス）に駆動されている場合、該画素電極への荷電粒子の照射により発生した二次電子は、負電位（マイナス）の電荷をもっているために該画素電極へ引き込まれる。この結果、二次電子検出器に到達する二次電子の量は減少する。

一方、ＴＦＴ基板の画素電極が負電位（マイナス）に駆動されている場合、該画素電極への荷電粒子の照射により発生した二次電子は、負電位（マイナス）の電荷をもっているために該画素電極と反発しあう。この結果、画素電極から発生した二次電子は減少することなく二次電子検出器に到達する。

このように、画像電極に負の電圧，正の電圧，あるいは電圧が印加されない場合など、画素電極の電圧の極性によって該画素電極から発生した二次電子の検出量が影響されることを利用して、画素電極の電圧波形に対応した二次電子波形を測定することができる。すなわち、間接的に画素電極の電圧波形を知ることが可能となり、予め予測される二次電子波形と比較することにより画像電極に正常に電圧が印加されているか否かを調べることができる。

ＴＦＴアレイの画素電極の形状は、通常長方形あるいは多角形であり、大きさは数十ミクロンから数百ミクロンである。この画素電極の大きさは、完成品であるディスプレイの大きさと解像度によって決まる。そのため、一つのＴＦＴアレイ検査装置によって大きさや解像度が異なる複数種類のＴＦＴアレイを検査する場合には、それぞれ大きさが異なる画素電極を検査する必要がある。

一方、従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査装置は、一定の口径の荷電粒子ビーム径をＴＦＴ基板上で走査させ、所定のタイミングで二次電子を検出することによって二次電子波形を取得している。図１０は荷電粒子ビームの走査及び二次電子の検出を説明するための図である。なお、ここでは、一画素電極上で得る検出点を４点とする場合について示している。また、ここでは、各画素電極をα，β，γ，…で表した横方向座標と、１，２，…で表した縦方向座標の座標表示で表している。

荷電粒子ビームをＴＦＴアレイに対して横方向に走査させ、一画素電極を横切る間に２点を検出するタイミングで二次電子を検出する。図１０（ａ）は座標位置（α１）の画素電極上の第１点目の検出点α１−１の位置を示し、図１０（ｂ）は第２点目の検出点α１−２の位置を示している。次に、荷電粒子ビームは隣接する座標位置（β１）の画素電極に移動し、画素電極上の第１点目の検出点β１−１を検出する（図１０（ｃ））。

荷電粒子ビームは、ＴＦＴ基板の１行目の走査が終了した後２行目の走査を行い、同様にして画素電極上の検出点の二次電子を検出する（図１０（ｄ），（ｅ））。この走査と所定タイミングでの二次電子信号の検出を繰り返すことによって、画素電極上において４点の検出を行う。図１１（ａ）は荷電粒子ビームの走査信号の一例であり、図１１（ｂ）は二次電子信号を検出するタイミング信号の一例である。この走査信号に対するタイミング信号を変えることによって、一画素電極中の検出点の個数を変更することができる。
米国特許第５，９８２，１９０号明細書

図１２は、ＴＦＴ基板上の画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係を説明するための概略図である。なお、ここでは、一例として各画素電極上において４点に荷電粒子ビームが照射される例を示している。一画素電極上において荷電粒子ビームの照射位置の個数は４点に限らず、６点や８点等任意の点数とすることができる。

図１２（ａ）は、画素電極２１，２２よりも荷電粒子ビームの口径が充分に小さく荷電粒子ビームが照射される領域２３ａは画素電極２１，２２の一部を占める過ぎない場合を示している。この場合には、画素電極上に荷電粒子ビームの照射位置によって二次電子放出率に偏りがあるため、二次電子発生量が変動し易いという特性がある。しかし、荷電粒子ビームの照射位置の位置決め精度が低い場合であっても、荷電粒子ビームの照射領域１２ａは隣接する画素電極を誤って照射することがないため、測定対象の画素電極から生じた二次電子のみを観察することができるという利点がある。例えば、画素電極２１を正常な画素電極とし、画素電極２２を欠陥のある画素電極としたとき、荷電粒子ビームの照射領域２３ａは各画素電極２１，２２を誤って照射することはないため、正常画素電極と欠陥画素電極との判別が容易である。

図１２（ｂ）は荷電粒子ビームの照射位置が重複しないように隣接させた場合を示している。この場合には、荷電粒子ビームが照射される領域２３ｂは、画素電極２１，２２の多くの部分を占めるため、画素電極上の二次電子放出率のむらに影響されにくくなる。そのため、各画素電極から放出される二次電子の検出量の揺らぎが少なくなり、欠陥検出精度が向上する。

一方、荷電粒子ビームの照射位置の位置決め精度が低い場合には、荷電粒子ビームの照射領域２３ｂは、隣接する画素電極と跨って照射する可能性がある。そのため、正常な画素電極２１と欠陥がある画素電極２２とが隣接している場合には、正常画素電極からの二次電子と欠陥画素電極からの二次電子とが混ざり合い、結果として正常画素と欠陥画素との判別が困難となることになる。

図１２（ｃ）は荷電粒子ビームの口径が大きく荷電粒子ビームが照射される領域２３ｃは画素電極２１，２２からははみ出す場合を示している。この場合には、隣接する画素電極からの二次電子を常に検出することになる。そのため、前記した図１２（ｂ）の場合よりもさらに正常画素と欠陥画素との判別が困難となる。ただし、画素電極の全面に荷電粒子ビームを照射することができる。

したがって、従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査では、荷電粒子ビームの口径が一定であるため、上記したように荷電粒子ビームの照射領域と画素電極との大小の関係によって欠陥検出の精度が変動するという問題がある。

また、画素電極の形状が変化した場合においても、従来の荷電粒子ビームを用いたＴＦＴアレイ検査では、荷電粒子ビームの形状が一定であるため、荷電粒子ビームの照射領域と画素電極との形状の相違によって欠陥検出の精度が変動するという問題がある。

そこで、本発明は上記課題を解決し、検査対象のＴＦＴ基板の画素電極の大きさが変化した場合であっても、欠陥検出の精度が変動しないＴＦＴアレイ検査装置を提供することを目的とする。

上記目的を解決するために、本発明は、検出対象の画素電極の大きさや設定条件に応じた最適な口径や形状を備えた荷電粒子ビームを画素電極に照射することによって、ＴＦＴアレイの欠陥検出性能がＴＦＴアレイの画素電極の大きさや形状に影響されることなく検査する。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、当該荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、荷電粒子ビームのビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を、画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に応じて変更する荷電粒子ビーム制御手段を備える。

荷電粒子ビーム制御手段は、画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に対応して予め設定したビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を定めるビームデータを格納するデータテーブルを備え、測定対象の画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に基づいて当該データテーブルからビームデータを読み出し、当該ビームデータに基づいて荷電粒子ビームのビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を制御する。

画素電極の仕様は、ＴＦＴ基板の大きさ及び分解能の少なくとも何れ一方をパラメータとする他、画素電極の設定条件をパラメータとして備える。

データテーブルは、ＴＦＴ基板の大きさや分解能に応じて荷電粒子ビームのビーム寸法を予め定め、荷電粒子源から発せられ荷電粒子ビームを当該ビーム寸法に絞る制御を行うためのビームデータを格納する。また、データテーブルは、画素電極の設定条件に応じて荷電粒子ビームの形状を予め定め、荷電粒子源から発せられ荷電粒子ビームを当該ビーム寸法に成形する制御を行うためのビームデータを格納する。

また、データテーブルは、一画素電極中における信号取り込み点数に応じて荷電粒子ビームのビーム寸法を予め定め、荷電粒子源から発せられ荷電粒子ビームを当該ビーム寸法に絞る制御を行うためのビームデータを格納する。

また、上記各パラメータを含む画素電極の種々の仕様は、ＴＦＴ基板の種類によって特定することができ、データテーブルはＴＦＴ基板の種類を指標として荷電粒子ビームのビーム寸法やビーム形状を格納することができる。データテーブルからは、ＴＦＴ基板の種類を指標として荷電粒子ビームの所定のビーム寸法やビーム形状に成形する制御を行うビームデータを読み出すことができる。

荷電粒子ビーム制御手段は、ビーム形状が円形の荷電粒子ビームの場合には、画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に応じてビーム口径を変更する。

本発明によれば、検査対象のＴＦＴ基板の画素電極の大きさが変化した場合であっても、欠陥検出の精度は影響を受けず所定の検出精度を維持することができる。

以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。

図１は本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略構成を説明するためのブロック図である。なお、図１では、検査対象のＴＦＴ基板、当該ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム源、荷電粒子ビームの走査機構、チャンバ等の構成は省略している。

図１において、荷電粒子ビーム源（図示していない）から発せられた荷電粒子ビームは、静電レンズ（磁気レンズ）４によって所定のビーム寸法及び所定のビーム形状に成形され、ＴＦＴ基板（図示していない）に照射される。荷電粒子ビームが照射されたＴＦＴ基板からは二次電子が放出され、二次電子検出器６によって検出される。二次電子検出器６で検出された二次電子信号は、信号処理手段１２によって信号処理され、画素電極の欠陥検査等が行われる。

静電レンズ（磁気レンズ）４は、荷電粒子ビーム制御手段１１からの制御により荷電粒子ビームを所定のビーム寸法及び所定のビーム形状に成形する。荷電粒子ビーム制御手段１１は、荷電粒子ビームを成形するためのビームデータを格納するデータテーブル１３を備え、レンズ制御手段１４はデータテーブル１３からビームデータを読み出し、静電レンズ（磁気レンズ）４を駆動して、荷電粒子ビームを所定のビーム寸法及び所定のビーム形状に成形する。

信号取り込み点数や画素電極の仕様に応じてビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を予め定めておき、データテーブル１３は、このビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を実現させるための、静電レンズ（磁気レンズ）を制御するビームデータを格納する。

図２は、ビーム寸法及びビーム形状と、信号取り込み点数及び画素電極の仕様との関係例を説明するための図である。

図２において、ビーム寸法及びビーム形状を定める一方の要素は信号取り込み点数であり、他方の要素は画素電極の仕様である。信号取り込み点数は、一画素電極中に照射する荷電粒子ビームの照射位置の個数に対応し、例えば、４個，６個，８個，９個等の任意の個数とすることができる。この信号取り込み点数は、検査対象のＴＦＴ基板毎に検査レシピとして予め設定することも、あるいはＴＦＴアレイ検査装置において設定あるいは変更することもできる。また、ＴＦＴアレイ検査装置が備える荷電粒子ビームの走査機構及び二次電子検出器は、この信号取り込み点数に応じて荷電粒子ビームの走査速度や二次電子の検出のタイミング等を制御する。

画素電極の仕様としては、ＴＦＴ基板の大きさや解像度をパラメータとして持つ他、画素電極の設定条件とすることができる。ＴＦＴ基板の大きさや解像度をパラメータとする場合、例えば、１５インチ，ＸＧＡ規格のＴＦＴアレイを測定する場合には電子ビームの口径を７０ミクロンに設定し、１７インチ，ＳＸＧＡ規格のＴＦＴアレイを測定する場合には電子ビームの口径を５０ミクロンに設定する。なお、このビーム寸法は、前記図１２に示すような画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係から理論的に求めることも、あるいは実験的に求めることもできる。

また、ビーム形状は、画素電極の形状内に収まる口径を有する円形形状とする他、楕円形状や画素電極の矩形形状に合わせて矩形形状とすることもできる。

画素電極の仕様は基板の種類によって特定することもできる。例えば、前記したように、１５インチ，ＸＧＡ規格のＴＦＴアレイや１７インチ，ＳＸＧＡ規格のＴＦＴアレイの仕様に対して、これら画素電極仕様をＴＦＴ基板の種類が一対一に対応する場合には、ＴＦＴ基板の種類によりビーム径やビーム形状のビームデータを特定することができる。

図２（ｂ）〜（ｄ）はビームデータの一例である。また、図３（ｂ）〜（ｃ）は基板種に対して定めたビーム寸法やビーム形状の例を示す図であり、図２（ｂ）〜図２（ｄ）に対応した例を示している。

図２（ｂ），図３（ａ）は基板種Ａに対してビームの口径がｄaでビーム形状が円のビームデータが設定される。図２（ｃ），図３（ｂ）は基板種Ｂに対してビームの口径がｄb1，ｄb2でビーム形状が楕円のビームデータが設定される。図２（ｄ），図３（ｃ）は基板種Ｃに対してビーム形状が矩形のビームデータが設定される。

なお、図２，３では、一画素電極に荷電粒子ビームを照射する照射位置の個数を４とした場合について示している。

信号処理手段１２は、管理手段１５によって、二次電子検出器６から二次電子検出信号を入力する他、データテーブル１３やレンズ制御手段１４からビームデータを取り込み、データメモリ１６に記録する。信号処理回路１７は、データメモリ１６に記録された二次電子検出信号、及び当該二次電子信号を測定する際のビームデータに基づいて画素電極の欠陥検査を行う。

図４は、データテーブルの一例である。図４（ａ）は信号取り込み点数と基板種類に対応して設定したビーム口径の一例であり、図４（ｂ）は電極設定条件と基板種類に対応して設定したビーム形状の一例である。電極設定条件としては例えば電圧がある。

例えば、図４（ａ）において、信号取り込み点数を４としたとき、口径及びビームデータとして、基板種ＡではｄA4，ＤA4を設定し、基板種ＢではｄB4及びＤB4を設定し、基板種ＣではｄC4及びＤC4を設定する。また、信号取り込み点数が６，８，９，…の場合についても同様に設定することができる。

また、図４（ｂ）において、電極設定条件を設定条件１としたとき、基板種ＥではビームデータＤE1を設定し、基板種ＦではビームデータＤF1を設定し、基板種ＧではビームデータＤG1を設定する。また、電極設定条件が設定条件２，設定条件３，…の場合についても同様に設定することができる。

図５は、信号取り込み点数と基板種に応じて荷電粒子ビームのビーム寸法を設定する例を説明する図である。

図５（ａ）〜（ｃ）は、図４（ａ）において信号取り込み点数が４の場合において、基板種がＡ，Ｂ，Ｃの場合における画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係例を説明するための図である。図５（ａ）は基板種Ａの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄA4の照射領域が４個照射される。図５（ｂ）は基板種Ｂの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄB4の照射領域が４個照射され、図５（ｃ）は基板種Ｃの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄC4の照射領域が４個照射される。

また、図５（ｄ）〜（ｆ）は、図４（ａ）において信号取り込み点数が６の場合において、基板種がＡ，Ｂ，Ｃの場合における画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係例を示し、図５（ｄ）は基板種Ａの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄA6の照射領域が４個照射される。図５（ｂ）は基板種Ｂの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄB6の照射領域が６個照射され、図５（ｃ）は基板種Ｃの例であり、一つの画素電極内にビーム径ｄC6の照射領域が６個照射される。

本発明では、信号取り込み点数及び基板種を定めることにより、予め最適に設定されたビーム径が設定されると共に、所定のタイミングで二次電子信号の検出が行われ、一画素電極内に定められた個数の二次電子検出信号を取得することができる。

次に、図６は、画素電極の設定条件に応じて荷電粒子ビームのビーム形状を設定する例を説明する図である。

図６（ａ）〜（ｃ）は、図４（ｂ）において基板種がＥの場合において、設定条件が設定条件１，設定条件２，設定条件３の場合における画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係例を説明するための図である。図６（ａ）は設定条件１の例であり、一つの画素電極内にビーム形状１の照射領域が照射される。ここで、ビーム形状１は楕円形状の例を示している。

図６（ｂ）は設定条件２の例であり、一つの画素電極内にビーム形状２の照射領域が照射される。ここで、ビーム形状２は１つの矩形形状で構成する例を示している。また、図６（ｃ）は設定条件３の例であり、一つの画素電極内にビーム形状３の照射領域が３個照射される。ここで、ビーム形状３は矩形形状を複数個用いて構成する例を示している。なお、各照射領域は、同形とすることも、あるいは、ＴＦＴが配置された部分と切り欠き部分を持たない部分にそれぞれに対応した矩形形状の組合せとすることもでき、ＴＦＴ部分を有する位置に楕円形状や多角形形状の照射領域を配置し、その他の部分に矩形形状の照射領域を配置することもできる。

図７は、検査対象のＴＦＴ基板に対して、ビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を設定する構成例を説明するための概略図である。

図７において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、真空槽２に電子銃等の荷電粒子ビーム源３と磁界レンズや静電レンズ及びスリット等のレンズ系４とエネルギーフィルタ５と二次電子検出器６を備える。荷電粒子ビーム源３及びレンズ系４は、荷電粒子ビーム制御手段１１によって制御され、レンズ系４を制御することによって荷電粒子ビームのビーム径を所定径に収束させ、また、ビーム形状を所定形状に成形する。荷電粒子ビーム制御手段１１は、信号取り込み点数や基板種に対してビーム径やビーム形状を設定するビームデータを格納するデータテーブル１３を備え、入力した信号取り込み点数や基板種に基づいてデータテーブル１３からビームデータを読み出してレンズ系４を制御する。

レンズ系４を通過した荷電粒子ビームはＴＦＴ基板２０上に照射され、ＴＦＴ基板の画素電極上に荷電粒子ビームが照射される。画素電極上に照射される荷電粒子ビームの照射領域は、所定のビーム寸法で所定形状に成形される。二次電子検出器６は、画素電極から放出された二次電子の内エネルギーフィルタ５により選択された二次電子を検出する。信号処理装置１２は、二次電子検出器６から二次電子検出信号を入力すると共に、荷電粒子ビーム制御手段１１から荷電粒子ビームの照射に用いたビームデータを入力して、二次電子信号の画素電極上の位置を識別し、ＴＦＴアレイの欠陥検査を行う。

荷電粒子ビーム制御手段１１による信号取り込み点数や基板種の入力は、ＴＦＴ基板の検査手順を設定したプログラム１８から取得することも、あるいは、ＴＦＴ基板２０の搬送路中に検出手段を設け、ＴＦＴ基板に設けた識別情報を搬送中に検出し、当該識別情報から取得することもできる。なお、識別情報は、信号取り込み点数や基板種の情報の他、基板を特定する特定情報とすることしてもよい。特定情報を用いた場合には荷電粒子ビーム制御手段１１に、この特定情報に対して信号取り込み点数や基板種の情報を予め設定しておき、入力した特定情報に基づいて信号取り込み点数や基板種を読み出すことで取得することができる。

図８は、二次電子検出信号の記録を説明するための概略図である。

図８（ａ）は、画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係を示し、各画素電極について４個の照射領域を含む場合を示している。図中においてａ１の座標で示される画素電極では、ａ1-1，ａ1-2，ａ1-3，ａ1-4で示される位置に照射領域が設定され、各照射領域からは二次電子検出信号が取得される。

検出された二次電子検出信号は、データメモリに格納される。図８（ｂ）は、データメモリのデータ領域に記録される二次電子検出信号のデータ例である。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、液晶ディスレイや有機ＥＬディスプレイ等に利用されるＴＦＴ基板に適用することができる。

本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略構成を説明するためのブロック図である。ビーム寸法及びビーム形状と、信号取り込み点数及び画素電極の仕様との関係例を説明するための図である。基板種に対して定めたビーム寸法とビーム形状の例を示す図である。データテーブルの一例である。信号取り込み点数と基板種に応じて荷電粒子ビームのビーム寸法を設定する例を説明する図である。画素電極の設定条件に応じて荷電粒子ビームのビーム形状を設定する例を説明する図である。検査対象のＴＦＴ基板に対して、ビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を設定する構成を説明するための構成図である。二次電子検出信号の記録を説明するための概略図である。ディスプレイ用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一構成例である。荷電粒子ビームの走査及び二次電子の検出を説明するための図である。荷電粒子ビームの走査信号例、二次電子信号を検出するタイミング信号例である。ＴＦＴ基板上の画素電極と荷電粒子ビームの照射領域との関係を説明するための概略図である。

符号の説明

１…ＴＦＴアレイ検査装置、２…真空槽、３…荷電粒子ビーム源、４…レンズ系、５…エネルギーフィルタ、６…二次電子検出器、１１…荷電粒子ビーム制御手段、１２…信号処理手段、１３…データテーブル、１４…レンズ制御手段、１５…管理手段、１６…データメモリ、１７…信号処理回路、１８…プログラム、２０…ＴＦＴ基板、２１，２２…画素電極、２３…ビーム照射領域。

Claims

ＴＦＴ基板に荷電粒子ビームを照射し、当該荷電粒子ビーム照射によりＴＦＴ基板の画素電極から発生する二次電子を検出することによってＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
荷電粒子ビームのビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を、前記画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に応じて変更する荷電粒子ビーム制御手段を備えることを特徴とするＴＦＴアレイ検査装置。
前記荷電粒子ビーム制御手段は、画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に対応して予め設定したビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を定めるビームデータを格納するデータテーブルを備え、
測定対象の画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に基づいて当該データテーブルからビームデータを読み出し、当該ビームデータに基づいて荷電粒子ビームのビーム寸法及びビーム形状の少なくとも何れか一方を制御することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
前記画素電極の仕様は、ＴＦＴ基板の大きさ及び分解能の少なくとも何れか一方、及び画素電極の設定条件をパラメータとして備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
前記データテーブルは、ＴＦＴ基板の種類により前記画素電極の仕様を特定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
前記荷電粒子ビーム制御手段は、ビーム形状が円形の荷電粒子ビームに対して、画素電極の仕様及び一画素電極における信号取り込み点数に応じてビーム口径を変更することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。