JP4006971B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4006971B2 JP4006971B2 JP2001320391A JP2001320391A JP4006971B2 JP 4006971 B2 JP4006971 B2 JP 4006971B2 JP 2001320391 A JP2001320391 A JP 2001320391A JP 2001320391 A JP2001320391 A JP 2001320391A JP 4006971 B2 JP4006971 B2 JP 4006971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reinforcing plate
- metal layer
- pattern
- flexible film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 73
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 60
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 44
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 34
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 33
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 30
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 6
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 5
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005606 hygroscopic expansion Effects 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 3-[[3-aminopropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCN GPXCORHXFPYJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004091 panning Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高精度な回路パターンを有するとともに生産性に優れた可撓性フィルムを用いた回路基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
エレクトロニクス製品の軽量化、小型化に伴い、プリント回路基板のパターニングの高精度化が求められている。中でも可撓性フィルム基板は、曲げることができるために三次元配線ができ、エレクトロニクス製品の小型化に適していることから需要が拡大している。液晶ディスプレイパネルへのIC接続に用いられるTAB(Tape Automated Bonding)技術は、比較的細幅の長尺ポリイミドフィルム基板を加工することで樹脂基板としては最高の微細パターンを得ることができるが、微細化の進展に関しては限界に近づきつつある。微細化にはライン幅やライン間のスペース幅で表される指標と基板上のパターンの位置で表される指標がある。後者の指標、いわゆる累積精度は、回路基板とICなどの電子部品とを接続する際の電極パッドと回路基板パターンとの位置合わせに係わり、ICの多ピン化の進展に従い要求される精度に対応することが厳しくなってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記累積精度の点において、特に可撓性フィルム基板加工は改良が難しい状況になりつつある。回路基板加工プロセスでは、乾燥やキュアなどの熱処理プロセス、エッチングや現像などの湿式プロセスがあり、可撓性フィルムは、膨張と収縮を繰り返す。このときのヒステリシスは、基板上の回路パターンの位置ずれを引き起こす。また、アライメントが必要なプロセスが複数ある場合、これらのプロセスの間に膨張、収縮があると形成されるパターン間で位置ずれが発生する。可撓性フィルムの膨張と収縮による変形は、比較的大面積の基板寸法で加工を進めるFPC(フレキシブルプリント基板)の場合には更に大きな影響を及ぼす。また、位置ずれは引っ張りや捻れなどの外力でも引き起こされ、柔軟性を上げるために薄い基板を使う場合は特に注意を要している。
【0004】
本発明の目的は、上記のような問題点を解決し、さらに両面に回路パターンを設けた高精細な可撓性フィルム回路基板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は以下の構成からなる。すなわち、可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さ5μm以上の金属層を形成し、次いで、該金属層の形成された面のうち一面の金属層をパターニングした後、該パターニングされた金属層形成面側の一表面に補強板を剥離可能な有機物層を介して貼り合わせ、次いで補強板が貼り合わされていない面に回路パターンを形成してから、該可撓性フィルムを該補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法である。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の代表的な態様は、可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さ5μm以上の金属層を形成した後、露出した該金属層の一表面に補強板を剥離可能な有機物層を介して貼り合わせ、次いで、補強板が貼り合わされていない面に回路パターンを形成してから、可撓性フィルムを補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法である。
【0007】
本発明において、可撓性フィルムは、プラスチックフィルムであって、回路パターン製造工程および電子部品実装での熱プロセスに耐えるだけの耐熱性を備えていることが重要であり、ポリカーボネート、ポリエーテルサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、液晶ポリマーなどのフィルムを採用することができる。中でもポリイミドフィルムは、耐熱性に優れるとともに耐薬品性にも優れているので好適に採用される。また、低誘電損失など電気的特性が優れている点で、液晶ポリマーが好適に採用される。可撓性のガラス繊維補強樹脂板を採用することも可能である。
【0008】
上記ガラス繊維補強樹脂板の樹脂としては、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテル、マレイミド、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。
【0009】
可撓性フィルムの厚さは、電子機器の軽量化、小型化、あるいは微細なビアホール形成のためには薄い方が好ましく、一方、機械的強度を確保するためや平坦性を維持するためには厚い方が好ましい点から、12.5μmから125μmの範囲が好ましい。
【0010】
本発明において補強板として用いられる基板は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどの無機ガラス類、インバー合金、チタンなどの金属やガラス繊維補強樹脂板などが採用できる。ここで補強板として使われるガラス繊維補強樹脂板は、前記の可撓性フィルムとして使われるガラス繊維補強樹脂板よりも厚くて固いものである。いずれも線膨張係数や吸湿膨張係数が小さい点で好ましいが、回路パターン製造工程の耐熱性、耐薬品性に優れている点や大面積で表面平滑性が高い基板が安価に入手しやすい点や塑性変形しにくい点、あるいは接触によりパーティクルを発生しにくい点で無機ガラス類が好ましい。中でもアルミノホウケイ酸ガラスに代表される無アルカリガラスは、高弾性率でかつ熱膨張係数が小さいため特に好ましい。
【0011】
また、剥離可能な有機物層が紫外線照射で接着力、粘着力が減少するタイプのものである場合は、紫外線を通す基板であることが好ましい。本発明の製造方法の一例として、可撓性フィルム上に形成した金属層の表面(第1の面)を剥離可能な有機物層を介して第1の補強板に貼り合わせて、貼り合わせ面とは反対側の第2の面に回路パターンを形成した後、第2の面の回路パターン上に剥離可能な有機物層を介して第2の補強板を貼り合わせてから、第1の補強板を剥離し、可撓性フィルムの第1の面上に既に形成されている金属層を基にして回路パターンを形成し、更に第2の補強板を剥離する方法が挙げられる。この方法によると可撓性フィルムの両面に特に高精度な回路パターンを作製することができる。このようにプロセス中にフィルム両面に補強板が貼り合わせられた構成をとり、片側の補強板だけを剥離したいときには剥離可能な有機物層が紫外線照射で接着力、粘着力が減少するタイプであり、かつ補強板が紫外線を通す基板であることが好ましい。
【0012】
金属やガラス繊維補強樹脂を補強板に採用する場合は、長尺連続体での製造もできるが、累積精度を確保しやすい点で、本発明の回路基板の製造方法は枚葉式で行うことが好ましい。枚葉とは、長尺連続体でなく、個別のシート状でハンドリングされる状態を言う。
【0013】
補強板に用いられるガラス基板は、ヤング率が小さかったり、厚みが小さいと可撓性フィルムの膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着したときにガラス基板が割れることがある。また、真空吸着・脱着で可撓性フィルムが変形することになり位置精度の確保が難しくなる傾向がある。一方、ガラス基板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる傾向がある。また、ロボット等によるハンドリングに負荷が大きくなり、素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する傾向がある。
【0014】
この点から、枚葉補強板であるガラス基板のヤング率(kg/mm2)と厚さ(mm)の3乗の積が、850kg・mm以上860000kg・mm以下の範囲であることが好ましく、1500kg・mm以上190000kg・mm以下が更に好ましく、2400kg・mm以上110000kg・mm以下の範囲が最も好ましい。
【0015】
補強板に金属基板を用いる場合、金属基板のヤング率が小さかったり、厚みが小さいと可撓性フィルムの膨張・収縮力で反りやねじれが大きくなり、平坦なステージ上に真空吸着しできなくなったり、金属基板の反りやねじれ分、可撓性フィルムが変形することにより、位置精度の確保が難しくなる。また、折れがあるとその時点で不良品になる。一方、金属基板が厚いと、肉厚ムラにより平坦性が悪くなることがあり、露光精度が悪くなる。また、ロボット等によるハンドリングに負荷が大きくなり素早い取り回しが難しくなって生産性が低下する要因になる他、運搬コストも増大する。
【0016】
この点から、枚葉補強板である金属基板のヤング率(kg/mm2)と厚さ(mm)の3乗の積が、2kg・mm以上162560kg・mm以下の範囲であることが好ましい。金属基板のヤング率(kg/mm2)と厚さ(mm)の3乗の積が、10kg・mm以上30000kg・mm以下であることが更に好ましく、15kg・mm以上20500kg・mm以下の範囲であることが最も好ましい。
【0017】
本発明に用いられる剥離可能な有機物層は接着剤または粘着剤からなり、可撓性フィルムを該有機物層を介して補強板に貼り付けて加工後、可撓性フィルムを剥離しうるものであれば特に限定されない。このような接着剤または粘着剤としては、アクリル系またはウレタン系の再剥離粘着剤と呼ばれる粘着剤を挙げることができる。可撓性フィルム加工中は十分な接着力があり、剥離時は容易に剥離でき、可撓性フィルム基板に歪みを生じさせないために、弱粘着から中粘着と呼ばれる領域の粘着力のものが好ましい。
【0018】
シリコーン樹脂膜は離型剤として用いられることがあるが、タック性があるものは本発明において剥離可能な有機物層として使用することができる。その他、タック性があるエポキシ系樹脂膜を剥離可能な有機物層として使用することも可能である。
【0019】
好ましい粘着力を数値で表現すると、基材をポリエステルフィルムとし、25μm厚みに粘着剤を積層した粘着テープをステンレス板に貼り付けて剥離する際の180°方向ピール強度が、1g/25mmから500g/25mmの範囲にあるものである。中でも弱粘着と呼ばれる2g/25mmから200g/25mmの範囲が特に好ましい。
【0020】
その他、低温領域で接着力、粘着力が減少するもの、紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものや加熱処理で接着力、粘着力が減少するものも好適に用いられる。これらの中でも紫外線照射によるものは、接着力、粘着力の変化が大きく好ましい。紫外線照射で接着力、粘着力が減少するものの例としては、2液架橋型のアクリル系粘着剤が挙げられる。また、低温領域で接着力、粘着力が減少するものの例としては、結晶状態と非結晶状態間を可逆的に変化するアクリル系粘着剤が挙げられる。
【0021】
本発明において可撓性フィルムには、補強板との貼り付けに先立って、少なくとも一方の面に厚さが5μm以上の金属層が形成され、かつ該金属層形成面側が補強板と貼り合わせられることが重要である。本発明は、補強板に可撓性フィルムを固定することで寸法精度を確保するが、さらに該可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さが5μm以上の金属層を形成しておくことによって、該可撓性フィルムを補強板に貼り合わせる際の張力による該可撓性フィルムの変形を抑制することができる。また、補強板に固定した後の可撓性フィルムの吸湿膨張や乾燥収縮の抑制の助けにもなる。該金属層の厚さは、8μm以上であることがさらに好ましく、10μm以上であることが最も好ましい。一方、該金属層が厚すぎると、微細な配線形成が難しくなるほか、該金属層の内部応力や金属箔を貼り合わせる接着剤層の内部応力増大で可撓性フィルムが変形する恐れがあるので、18μm以下であることが好ましい。
【0022】
補強板との貼り付けに先だって形成される金属層は、銅箔などの金属箔を接着剤層で貼り付けて形成することができる他、スパッタやメッキ、あるいはこれらの組合せで形成することができる。また、銅などの金属箔の上に可撓性フィルムの原料樹脂あるいはその前駆体を塗布、乾燥、キュアすることで、金属層付き可撓性フィルムを作り、これを利用することもできる。
【0023】
該金属層は、補強板に貼り合わせる前にパーニングして配線回路を形成する。配線回路形成後に補強板と貼り合わせる場合、配線およびダミーパターンとして残存する金属層の面積が50%以上であることが好ましい。また、ベタの金属層を形成することなく、フルアディティブ法で直接配線回路を形成したり、薄い金属層を下地層としてセミアディティブ法で配線回路形成しても良い。この場合も配線およびダミーパターンである金属層の面積が50%以上であることが、可撓性フィルムの変形抑制のために好ましい。金属層の面積は60%以上であることがさらに好ましい。
【0024】
補強板に貼り合わせる前に配線回路を形成する場合、該パターン形成と同時に、もう一方の面に形成される回路パターンとの位置合わせ用マークを形成することが好ましい。貼り合わせ面とは反対側の面に形成する高精細パターンの高精細さを活かすために、位置合わせマークを設けて位置合わせすることは非常に有効である。位置合わせマークは、透明な補強板を通して読みとっても良いし、可撓性フィルムを通して読みとっても良いが、可撓性フィルムの貼り合わせ面とは反対側に金属層が形成されている場合は、該金属層のパターンによらず読み取りができることから補強板側からの読み取りが好ましい。この位置合わせマークは、該可撓性フィルムを補強板と貼り合わせる際の位置合わせにも利用することができる。該位置合わせマークの形状は特に限定されず、露光機などで一般に使用される形状が好適に採用できる。
【0025】
補強板に貼り付けた後に、可撓性フィルムの該貼り付け面とは反対面に形成される回路パターンは、補強板及び金属層により加工時に生じる可撓性フィルムの変形を防止できるため、特に高精度なパターンを形成することができる。一方、補強板との貼り付け面に形成されるパターンは、主にプリント配線板などへの入出力端子およびその周辺の配線や電源と接地電位配線の役割を持たせるものであり、補強板への貼り付け面とは反対面に形成されるパターンほどの高精細を要求されない場合がある。本発明によれば、このような、片面に特に高精細なパターンを形成した両面配線を提供することも容易である。両面配線であることのメリットとしては、スルーホールを介しての配線交差ができ、配線設計の自由度が増すこと、太い配線で接地電位を必要な場所の近傍まで伝搬することで高速動作するLSIのノイズ低減ができること、同様に太い配線で電源電位を必要な場所の近傍まで伝搬することにより、高速スイッチングでも電位の低下を防ぎ、LSIの動作を安定化させること、電磁波シールドとして外部ノイズを遮断することなどがあり、LSIが高速化し、また、多機能化による多ピン化が進むと非常に重要になる。
【0026】
さらに本発明では、可撓性フィルムの両面の加工時に共に補強板を使用し、両面とも特に高精度なパターンを形成することも可能である。例えば、第1の補強板と可撓性フィルムの第2の面とを剥離可能な有機物層を介して貼り合わせて、可撓性フィルムの第1の面に回路パターンを形成してから、該第1の面と第2の補強板とを剥離可能な有機物層を介して貼り合わせた後、該可撓性フィルムを第1の補強板から剥離し、次いで該可撓性フィルムの第2の面に回路パターンを形成してから、該可撓性フィルムを第2の補強板から剥離する方法が挙げられ、両面共に高精度の回路パターン加工を実現することができる。
【0027】
本発明の回路基板の製造方法の一例を以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0028】
厚さ0.7mmのアルミノホウケイ酸ガラスにスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などで、弱粘着性再剥離剤を塗布する。間欠的に送られてくる枚葉基板に均一に塗布するためには、ダイコーターの使用が好ましい。再剥離剤塗布後、加熱乾燥や真空乾燥などにより乾燥し、厚みが20μmの再剥離剤層を得る。塗布した再剥離剤層にポリエステルフィルム上にシリコーン樹脂層を設けた離型フィルムからなる空気遮断用フィルムを貼り付けて1週間熟成させる。空気遮断用フィルムを貼り合わせる代わりに、窒素雰囲気中や真空中で保管することもできる。弱粘着性再剥離剤を長尺フィルム基体に塗布、乾燥後、枚葉基板に転写することも可能である。
【0029】
厚さ25μmのポリイミドフィルムを準備し、片面に金属層を形成する。ポリイミドフィルムの片面に金属層を形成する方法としては、銅箔などの金属箔を接着剤層で貼り付けることができる他、スパッタやメッキ、あるいはこれらの組合せでを採用することができる。このとき、5μm以上の厚さに金属層を形成することが重要である。
【0030】
このようにして、該ポリイミドフィルムにベタの金属層が形成されている場合には、ガラス基板への貼り合わせ前、フォトレジストとエッチング液を使ったサブトラクティブ法で回路パターンを形成することができる。サブトラクティブ法は、製造プロセスが短く、低コストである点で好適に採用できる。
【0031】
該ポリイミドフィルムの貼り合わせ面にあらかじめ金属層が設けられていない場合は、フルアディティブ法やセミアディティブ法で金属層を形成することができる。このとき、回路配線およびダミーパターンとして残る金属層の面積が50%以上であることが好ましく、60%以上であることがさらに好ましい。
【0032】
フルアディティブ法は、以下のようなプロセスである。金属層を形成する面にパラジウム、ニッケルやクロムなどの触媒付与処理をし、乾燥する。ここで言う触媒とは、そのままではメッキ成長の核としては働かないが、活性化処理をすることでメッキ成長の核となるものである。次いでフォトレジストをスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、バーコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などで塗布して乾燥する。該フォトレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、メッキ膜が不要な部分にレジスト層を形成する。この後、必要に応じて活性化処理をしてから、硫酸銅とホルムアルデヒドの組合せからなる無電解メッキ液に、該ポリイミドフィルムを浸漬し、厚さ2μmから20μmの銅メッキ膜を形成して、回路パターンを得る。
【0033】
セミアディティブ法は、以下のようなプロセスである。金属層を形成する面に、クロム、ニッケル、銅またはこれらの合金をスパッタし、下地層を形成する。該下地層の厚みは1nmから1000nmの範囲である。該下地層の上に銅スパッタ膜をさらに50nmから3000nm積層することは、金属層の接着力向上やピンホール欠陥防止に効果がある。該下地層形成に先立ち、ポリイミドフィルム表面に接着力向上のために、プラズマ処理、逆スパッタ処理、プライマー層塗布、接着剤層塗布が行われることは適宜許される。中でもエポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、ポリアミド樹脂系、ポリイミド樹脂系、NBR系などの接着剤層塗布は接着力改善効果が大きく好ましい。これらの処理や塗布は、ガラス基板貼り付け前に実施されても良いし、ガラス基板貼り付け後に実施されても良い。ただし、最初に補強板に貼り付ける面については、補強板に貼り付ける工程に先立つ金属層形成よりも前に、これらの処理や塗布を実施する。ガラス基板貼り付け前に長尺のポリイミドフィルムに対してロールツーロールで連続処理されることは生産性向上が図れ好ましい。このようにして形成した下地層上にフォトレジストをスピンコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などで塗布して乾燥する。該フォトレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、メッキ膜が不要な部分にレジスト層を形成する。次いで該下地層を電極として電解メッキをおこなう。電解メッキ液としては、硫酸銅メッキ液、シアン化銅メッキ液、ピロ燐酸銅メッキ液などが用いられる。厚さ2μmから20μmの銅メッキ膜を形成後、フォトレジストを剥離し、続いてスライトエッチングにて下地層を除去して、回路パターンを得る。
【0034】
上記ガラス基板上の空気遮断用フィルムを剥がして、回路パターンが形成された面を貼り合わせ面としてポリイミドフィルムをガラス基板に貼り付ける。貼り合わせに際しては、該ポリイミドフィルムはあらかじめ所定の大きさのカットシートにしておいて貼り付けても良いし、長尺ロールから巻き出しながら、貼り付けと切断をしてもよい。このような貼り付け作業には、ロール式ラミネーターを使用することができる。
【0035】
ポリイミドフィルムを貼り合わせた後、上述のサブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法で貼り合わせ面と反対側の面に高精細な回路パターンを形成する。特に高精細な回路パターンを得るためには、セミアディティブ法、フルアディティブ法の採用が好ましい。
【0036】
さらに、ポリイミドフィルムに接続孔を設けることができる。すなわち、ガラス基板との貼り合わせ面側に設けた金属層との電気的接続を取るビアホールを設けたり、ボールグッリドアレーのボール設置用の孔を設けたりすることができる。接続孔の設け方としては、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザーなどのレーザー孔開けやケミカルエッチングを採用することができる。
【0037】
レーザーエッチングを採用する場合は、エッチングストッパ層として、ポリイミドフィルムのガラス基板貼り付け面側に金属層があることが好ましい。ポリイミドフィルムのケミカルエッチング液としては、ヒドラジン、水酸化カリウム水溶液などを採用することができる。また、ケミカルエッチング用マスクとしては、パターニングされたフォトレジストや金属層が採用できる。電気的接続を取る場合は、接続孔形成後、前述の金属層パターン形成と同時にメッキ法で孔内面を導体化することが好ましい。両面に高精度な回路パターンを形成し、かつこれらの間の接続孔を設けることで、配線設計上の自由度が大幅に向上する。例えば、高精細回路ができることを利用して、信号線の両脇に接地配線と電源配線を配置することと、かつもう一方の面から比較的広幅の電源配線をLSIチップの接地レベル入力電極の近くまで配置し、接続孔を介してLSIチップに供給することで大幅に信号波形の歪みを低減することが容易になる。
【0038】
電気的接続をとるための接続孔は、直径が15μmから200μmが好ましい。ボール設置用の孔は、直径が50μmから800μmが好ましい。
【0039】
特に、可撓性フィルムのガラス基板との貼り合わせ面の反対面から接続孔を形成することが好ましい。
【0040】
次に回路パターンが形成されたポリイミドフィルムをガラス基板から剥離する。該回路パターンへ電子部品を搭載する装置などで取り扱い易いように、レーザー、高圧水ジェットやカッターなどを用いて、剥離前に個片または個片の集合体に該回路パターン付きポリイミドフィルムを切り分けておくことが好ましい。また、個片または個片の集合体のように小さくしておくとポリイミドフィルムに応力が残りにくく好ましい。
【0041】
さらに、電子部品との接続の位置精度を保つために、ポリイミドフィルム上の回路パターンへ電子部品を接続後に該フィルムをガラス基板から剥離することが好ましい。電子部品との接続方法としては、ハンダ接続、異方性導電フィルムによる接続、金属共晶による接続、等方性非導電接着剤による接続、ワイヤーボンディング接続などが採用できる。
【0043】
上述の例は、可撓性フィルムの一方の面の回路パターン形成は、他方の面がガラス基板を貼り合わせていない状態で行なったが、可撓性フィルムの両面に特に高精細の回路パターンを形成する場合は、最初に回路パターンが形成される面の加工においてもガラス基板に貼り合わせられていることが望ましい。この場合は、まず、可撓性フィルムの後から加工される面をガラス基板に貼り合わせて、反対面をサブトラクティブ法、セミアディティブ法やフルアディティブ法で回路パターンを形成し、次いで別のガラス基板に該回路形成面側を貼り合わせてから、最初に貼り合わせたガラス基板を剥離し、可撓性フィルムの補強板を剥離した側の面に、サブトラクティブ法、セミアディティブ法やフルアディティブ法で回路パターンを形成する。その後、後から貼りつけたガラス基板を剥離する。
【0044】
該可撓性フィルムの両面にガラス基板が貼り付けられた状態から、片側だけのガラス基板を剥がすプロセスにおいては、剥離可能な有機物層が紫外線照射で接着力、粘着力が減少するタイプであり、かつ可撓性フィルムが紫外線を遮断する性能を持つか可撓性フィルム上にベタの金属層があり、この金属層が紫外線を遮断することが好ましい。
【0045】
本発明の回路基板の製造方法によって得られる回路基板は、電子機器の配線板、ICパッケージ用インターポーザーなどに好ましく使用される。回路パターンに抵抗素子や容量素子を入れ込むことは適宜許される。
【0046】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお本発明においてヤング率は、JIS R1602によって求められる値とする。
【0047】
参考例1
金属層接着力向上のための接着剤を以下のようにして用意した。フラスコ内を窒素雰囲気に置換し、N,N−ジメチルアセトアミド228gを入れ、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン19.88gを溶解した。次いで、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物25.76gを加え、窒素雰囲気下で10℃、1時間撹拌した。続いて50℃で3時間撹拌しながら反応させ、ポリイミド前駆体ワニスからなる接着剤を得た。
【0048】
コンマコーターを用いて、厚さ25μm、幅300mmの長尺のポリイミドフィルム(”ユーピレックス”宇部興産(株)製)の両面に該接着剤を連続的に塗布した。次いで、80℃で10分間、130℃で10分間、150℃で15分間乾燥し、250℃で5分間キュアした。キュア後の接着剤層の膜厚は1μmであった。ポリイミドフィルムはロット違いのもの5点を用意した。
【0049】
次いでスパッタ法にて厚さ50nmのクロム−ニッケル合金膜と厚さ100nmの銅膜をこの順に該接着剤層上に積層した。合金膜を設けたのは、ポリイミドフィルムの補強板との貼り合わせ面側である。該合金膜を電極として、硫酸銅液中で電解メッキをおこない、厚さ8μmの銅メッキ膜を形成した。
【0050】
厚さ0.7mm、300mm角のアルミノホウケイ酸ガラスにダイコーターで、弱粘着性再剥離剤”SKダイン”1491と硬化剤L45(綜研化学(株)製)を75:1で混合したものを塗布し、90℃で2分乾燥した。乾燥後の再剥離剤厚みを20μmとした。次いで再剥離剤層に、ポリエステルフィルム上に離型容易なシリコーン樹脂層を設けたフィルムからなる空気遮断用フィルムを貼り付けて(アルミノホウケイ酸ガラス/再剥離剤層/シリコーン樹脂層/ポリエステルフィルムの構成)1週間おいた。該ガラス基板のヤング率は、7140kg/mm2であり、ヤング率(kg/mm2)と厚さ(mm)の3乗の積は、2449kg・mmであった。
【0051】
上記ポリエステルフィルムとシリコーン樹脂層からなる空気遮断用フィルムを剥がしつつ、再剥離剤層が形成されているガラスにロール式ラミネーターで、銅メッキ膜を形成したポリイミドフィルムを、銅メッキ膜面がガラス基板と対向するように貼り付けた。このときポリイミドフィルムに与える張力は、500gとした。
【0052】
次いで、炭酸ガスレーザーを用いて、直径100μmの接続孔を10mmピッチで格子状に配置して形成した。該接続孔は、ポリイミドフィルムのガラス基板貼り付け面の反対面から形成され、貼り付け面側の銅メッキ膜に到達している。
【0053】
スパッタにて厚さ50nmのクロム−ニッケル合金膜と厚さ100nmの銅膜をこの順に貼り合わせ面とは反対側の面に設けられた接着剤層上に積層した。該銅膜上にポジ型フォトレジストをスピンコーターで塗布して80℃で10分間乾燥した。基板該フォトレジストをフォトマスクを介して露光した。該フォトレジストを現像して、メッキ膜が不要な部分に厚さ10μmのレジスト層を形成した。テスト用フォトマスクパターンは、線幅10μmで、ピッチが500μmの格子状パターンと10mmピッチのレーザーで孔開けした部分には直径300μmの円形を繰り返して配置したパターンを白黒反転したパターンとした。すなわち、格子状のメッキパターンと10mmピッチの円形パターンが得られる。現像後、120℃で10分間ポストベークした。次いで該銅膜を電極として電解メッキをおこなった。電解メッキ液は、硫酸銅メッキ液とした。厚さ6μmの銅メッキ膜を形成後、フォトレジストをフォトレジスト剥離液で剥離し、続いて塩化鉄水溶液によるソフトエッチングにてレジスト層の下にあった金属層を除去して、金属層パターンを得た。ガラス基板との貼り合わせ面の銅メッキ膜のパターニング工程で、該金属層パターンがエッチングされないようにドライフィルムレジストをラミネートした。
【0054】
ドライフィルムレジストがラミネートされたポリイミドフィルムを真空吸着し、端部から徐々にガラス基板から剥離した。
【0055】
ガラス基板との貼り合わせ面の銅メッキ膜上にドライフィルムレジストをラミネートし、該ドライフィルムレジストを所定パターンのフォトマスクを介して露光、現像して、ドライフィルムレジストパターンを形成した。塩化鉄の銅エッチング液にドライフィルムレジストパターンが形成されたポリイミドフィルムを浸漬し、銅膜をパターニングすると同時に銅膜下のクロム−ニッケル合金膜もパターニングした。最後に、両面のドライフィルムレジストを剥離剤で剥離した。
【0061】
実施例1
参考例1と同様にして、ポリイミドフィルムの片面に厚さ8μmの銅メッキ膜を形成した。ガラス基板に貼りつける前に、該銅メッキ膜をドライフィルムレジストとエッチング液を用いたサブトラクティブ法にてパターニングした。銅メッキ膜の残存面積率は50%とした。
【0062】
参考例1と同様にして作製した弱粘着性再剥離剤付きガラス基板にロール式ラミネーターで、銅メッキ膜を形成したポリイミドフィルムを、銅メッキ膜面がガラス面と対向するように貼り付けた。
【0063】
次いで、炭酸ガスレーザーを用いて、直径100μmの接続孔を10mmピッチで格子状に配置して形成した。該接続孔は、ポリイミドフィルムのガラス基板貼りつけ面の反対側から形成され、貼り付け面側の銅メッキ膜に到達している。
【0064】
参考例1と同様にして、貼り合わせ面とは反対側の面にセミアディティブ法で厚さ6μmの銅メッキ膜による配線パターンを得た。
【0065】
ポリイミドフィルムを真空吸着し、端部から徐々にガラス基板から剥離した。
【0066】
測長機SNIC−800(ソキア(株)製)にて、交差する金属層線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約283mm離れた2点(x方向に200mm、y方向に200mm離れた点)の距離を測定したところ、ロット違いポリイミドフィルム5点ともフォトマスクパターンに対して±5μm以内にあり、非常に良好であった。
【0067】
実施例2
ガラス基板貼り合わせ面に形成する銅メッキ膜の残存面積率を25%としたこと以外は、実施例1と同様にして両面配線基板を得た。
【0068】
測長機SNIC−800(ソキア(株)製)にて、交差する金属層線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約283mm離れた2点(x方向に200mm、y方向に200mm離れた点)の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して25μm収縮したものがあり、実施例1よりは劣るものの、目的とする高精細パターンは得られた。
【0069】
比較例1
参考例1と同様にして厚さ25μm、幅300mmのポリイミドフィルムに接着剤を塗布、乾燥、キュアした。ガラス基板に該ポリイミドフィルムを貼り付ける代わりに、銅メッキ膜の保護としてドライフィルムレジストを貼り合わせたこと以外は、参考例1と同様にして、300mm角のポリイミドフィルムの両面に対して、回路パターンを形成した。
【0070】
測長機SNIC−800(ソキア(株)製)にて、交差する金属層線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約283mm離れた2点(x方向に200mm、y方向に200mm離れた点)の距離を測定したところ、フォトマスクパターンに対して基板外側に向かって110μm歪んだものがあった。200μmピッチ以上の比較的粗い加工でも問題になるレベルであった。
【0071】
比較例2
ポリイミドフィルムをガラス基板へ貼り合わせる前に形成する銅メッキ膜の厚さを3μmとしたこと以外は、参考例1と同様にして両面配線基板を作製した。再剥離剤層が形成されているガラスにロール式ラミネーターで、銅メッキ膜を形成したポリイミドフィルムを貼り付ける際にフィルムに与えた500gの張力によりポリイミドフィルムが引き延ばされた状態でガラスに貼り合わせられ、ガラス基板からポリイミドフィルムを剥離すると、ポリイミドフィルムに加わっていた応力が開放され、元の状態に向かって縮む。
【0072】
測長機SNIC−800(ソキア(株)製)にて、交差する金属層線の中心線が交わる点として該格子状金属パターンの交点の位置を測定した。対角方向に本来約283mm離れた2点(x方向に200mm、y方向に200mm離れた点)の距離を測定したところ、ガラスに貼り合わされた状態で露光されたフォトマスクパターンに対して基板内側に向かって50μm縮小したものがあり、不良であった。
【0073】
【発明の効果】
本発明の回路基板の製造方法によると、可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さ5μm以上の金属層を形成した後、露出した該金属層の少なくとも一つの表面に補強板を剥離可能な有機物層を介して貼り合わせ、次いで、一方の面に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを補強板から剥離するので、加工工程での熱処理プロセス、湿式プロセスによる膨張と収縮、あるいは引っ張りや捻れなどの外力による変形を抑制して、より設計値に近い微細加工を可能とする。特に、ICなどの電子部品を接続する際の電極パッドと回路基板パターンとの位置合わせ精度に係わる累積精度の改善に効果が大きい。
Claims (5)
- 可撓性フィルムの少なくとも一方の面に厚さ5μm以上の金属層を形成し、次いで、該金属層の形成された面のうち一面の金属層をパターニングした後、該パターニングされた金属層形成面側の一表面に補強板を剥離可能な有機物層を介して貼り合わせ、次いで補強板が貼り合わされていない面に回路パターンを形成してから、該可撓性フィルムを該補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
- 可撓性フィルムの補強板との貼り合わせ面の反対面から接続孔を形成する工程を更に含む請求項1記載の回路基板の製造方法。
- 補強板のヤング率(kg/mm2)と厚さ(mm)の3乗の積が、2kg・mm以上860000kg・mm以下の範囲のものである請求項1記載の回路基板の製造方法。
- 補強板がガラスである請求項1記載の回路基板の製造方法。
- パターニングされ、補強板と貼り合わせられた面の金属層の残存面積率が50%以上であることを特徴とする請求項1記載の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001320391A JP4006971B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001320391A JP4006971B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124606A JP2003124606A (ja) | 2003-04-25 |
| JP4006971B2 true JP4006971B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=19137791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001320391A Expired - Fee Related JP4006971B2 (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4006971B2 (ja) |
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001320391A patent/JP4006971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003124606A (ja) | 2003-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008300881A (ja) | 回路基板用部材およびそれを用いた電子部品実装回路基板の製造方法 | |
| JP4006970B2 (ja) | 両面回路基板の製造方法 | |
| JP4178869B2 (ja) | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 | |
| JP2007287953A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JP4314834B2 (ja) | 回路基板の製造方法および回路基板用部材 | |
| JP2006013030A (ja) | 回路基板用部材およびその製造方法 | |
| JP4006971B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP4075652B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4862238B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP4479512B2 (ja) | 回路基板用部材および回路基板用部材の製造方法 | |
| JP2010108964A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP4973122B2 (ja) | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 | |
| JP2003101193A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3945341B2 (ja) | 回路基板用部材 | |
| JP2003101192A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2008243899A (ja) | 回路基板の製造方法および回路基板 | |
| JP4626139B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2003273493A (ja) | 回路基板の製造方法及び回路基板用部材 | |
| JP2004319869A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP4211413B2 (ja) | 回路基板用部材 | |
| JP2003279594A (ja) | プローバ用配線基板およびその製造方法 | |
| JP4135375B2 (ja) | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 | |
| JP2004265913A (ja) | 回路基板用部材および回路基板の製造方法 | |
| JP4158659B2 (ja) | 電子部品実装回路基板の製造方法 | |
| JP4345464B2 (ja) | 電子部品が接合された回路基板用部材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070213 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070329 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070807 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070820 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100907 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110907 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |