JP4004050B2 - アクティブ基板、表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、二次元状に配置された複数の表示用絵素電極にそれぞれ各スイッチング素子をそれぞれ介して駆動信号を印加することにより表示画面上に所望の表示画像を表示可能とする液晶表示装置などの表示装置およびその製造方法、この表示装置に用いるアクティブ基板に関する。

従来、この種の表示装置としては、液晶表示装置の他に、ＥＬ表示装置およびプラズマ表示装置などがあり、例えばマトリクス状に配置された複数の絵素部を選択的に駆動することにより、表示画面上に所望の表示パターン（画像）を表示して高密度表示を行うことができる。

この絵素部の選択方式として、個々に独立した絵素電極を縦および横方向のマトリクス状に配置し、この各絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を接続して選択駆動するアクティブ駆動方式が知られている。複数の絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオードなどが一般的に使用されている。これらのスイッチング素子により絵素電極を選択的に駆動して、絵素電極とこれに対向する対向電極との間に介在させた液晶、ＥＬ発光層またはプラズマ発光体などの各種表示媒体を光学的に駆動させることにより表示パターンとして視認される。このようなアクティブ駆動方式は、高コントラストの表示が可能であり、液晶テレビジョンやコンピュータの端末表示装置などに実用化されている。

図９（ａ）は、従来のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、図９（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図であり、図９（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。

図９（ａ）〜図９（ｃ）において、従来のアクティブ型液晶表示装置は、一対の基板として、表示媒体としての液晶層を間に挟んで対向配置されるアクティブマトリクス基板１００および対向基板を有している。このアクティブマトリクス基板１００は、ガラス基板１０上に、複数のゲートバスライン１（走査配線）が横方向に所定間隔でそれぞれ平行に配線され、これと直交（または交叉）する縦方向に複数のソースバスライン２（信号配線）が所定間隔でそれぞれ平行に配線されて、両者が格子状（マトリクス状）に配設されている。また、隣接するゲートバスライン１およびソースバスライン２で囲まれた各領域毎（または両配線の交叉部毎）に透明電極からなる各絵素電極３（点線にて囲った部分）がマトリクス状にそれぞれ設けられている。

図９（ａ）に示すように、ゲートバスライン１から突出した部分には、スイッチング素子として機能するデュアルゲートのＴＦＴ４が形成されている。ＴＦＴ４は、図９（ｂ）のＸ−Ｘ’線断面図に示すように、ガラス基板１０上にベースコート膜１１を介してシリコン（Ｓｉ）からなる半導体層が設けられている。この半導体層は、チャネル領域１２ａと、その両側の高濃度に不純物が添加されたソース領域・ドレイン領域（例えばｎ＋Ｓｉ層）１２ｃとの間に低濃度に不純物が添加されたＬＤＤ領域（例えばｎ−Ｓｉ層）１２ｂがそれぞれ設けられている。チャネル領域１２ａ上には、ゲート絶縁膜１３を介してゲートバスライン１から突出（分岐）されたゲート電極１ａが設けられている。その上を覆うように層間膜１４および樹脂層１５を介して絵素電極３が設けられている。ここでは図示されていないが、絵素電極３上には配向膜（ＰＩ）が設けられ、この配向膜（ＰＩ）上に接して液晶層が設けられている。

また、図９（ａ）に示すように、ゲートバスライン１と同じ工程でパターニングされた金属層（ゲートメタル）からなる付加容量バスライン（付加容量配線）５がゲートバスライン１と平行にゲートバスライン１毎に配置されている。この付加容量部分の積層構造は、図９（ｃ）のＹ−Ｙ’線断面図に示すように、付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側層にはゲート絶縁膜１３を介してＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃから延在された半導体層（延在部１２）が重畳されている。この半導体層の延在部１２は、ゲート絶縁膜１３、層間膜１４および樹脂層１５に設けられたコンタクトホール部６ａにおいて、ソースバスライン２と同じ工程でパターニングされた金属層（ソースメタル）６を介して絵素電極３と接続されている。これにより、延在部１２を一方の付加容量電極と、ゲート絶縁膜１３を介した付加容量バスライン５の広幅部５Ａ（他方の付加容量電極）とが対向配設され、これらの延在部１２と広幅部５Ａとの間に付加容量が構成される。

このように構成された従来のアクティブ型液晶表示装置において、例えばスイッチング素子としてのＴＦＴ４が不良素子として形成されると、その不良素子に接続された絵素電極３には、本来与えられるべき信号電圧が入力されない。このため、表示画面上では点状の絵素欠陥（以下、点欠陥という）としてユーザに認識されてしまう。このような点欠陥は、液晶表示装置の表示品位を著しく損ない、製造歩留まりの点でも大きな問題となっている。

このような絵素不良の主原因は、以下の２種類に大別される。

まず、その一つは、ＴＦＴ４の欠陥などによって、走査信号（ゲートバスライン１からの信号）によってＴＦＴ４が選択されている時間内に、ソースバスライン２からの画像信号によって絵素電極３を十分に充電できないために生じる不良（以下、ＯＮ不良という）であり、他の一つは、ＴＦＴ４の欠陥によって、ＴＦＴ４の非選択時に、絵素電極３に充電された電荷が漏洩する不良（以下、ＯＦＦ不良という）である。

このうち、ＯＮ不良（オン不良）はスイッチング素子としてのＴＦＴ４の不良に起因するが、ＯＦＦ不良（オフ不良）はスイッチング素子としてのＴＦＴ４を介して電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極３とバスライン１，２との間に電気的漏洩が起こっている場合との２種類がある。ＯＮ不良およびＯＦＦ不良のいずれの場合にも、絵素電極３と対向電極（図示せず）との間に印加される電圧が必要な表示電圧値に達しなくなる。このため、ノーマリホワイトモード（液晶層に印加される電圧が０Ｖのときに光の透過率が最大になる表示モード）を採用する場合には絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラックモード（電圧０Ｖで透過率が最低になる表示モード）を採用する場合は黒点に見えることになる。

このような点欠陥は、スイッチング素子としてのＴＦＴ４が形成された一方のアクティブマトリクス基板１００に、対向電極が形成された他方の対向基板を貼り合わせ、その間に液晶を封入した段階で、両バスライン１，２に所定の電気信号（検査信号）を印加することによって検査者が目視で検出することができる。その後に、例えばソースバスライン２と絵素電極３とを短絡させることによって、ゲートバスライン１の選択・非選択に関わらず、ソースバスライン２からの信号電圧により、絵素電極３の電荷の充放電を行わせる修正作業を要することになる。

しかしながら、上記図９の従来例では、ソースバスライン２と絵素電極３との配線構造により、このような修正が困難である。その結果、点欠陥が多く発生した製品を破棄しなければならず、製造歩留まりが悪化し、製造コストが高価になるという問題がある。

このような点欠陥を修正できる液晶表示装置が特許文献１に提案されている。この特許文献１の液晶表示装置について図１０（ａ）および図１０（ｂ）を用いて説明する。

図１０（ａ）は、従来のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、図１０（ｂ）は（ａ）に丸で囲んだ部分を示す拡大図である。なお、ここでは、図９（ａ）の構成部材とほぼ同一の作用効果を奏する部材には同一の符号を付けて説明している。

図１０（ａ）に示すように、液晶表示装置は、ゲートバスライン１から絵素電極３側に向けてゲートバスライン突出部２１が設けられ、ソースバスライン２から絵素電極３側に向けてソースバスライン突出部２２が設けられ、両突出部２１，２２は絶縁膜を間に挟んで互いに重畳されている。また、ゲートバスライン突出部２１の先端部には絶縁膜を挟んで導電体片２３が設けられている。この導電体片２３は、絵素電極３に電気的に接続されているが、ゲートバスライン突出部２１と絵素電極３とは絶縁膜によって電気的に非接続状態にある。ソースバスライン突出部２２とゲートバスライン突出部２１も絶縁膜によって電気的に非接続状態にある。

点欠陥が検出された絵素部では、図１０（ｂ）の点線部Ａに示すようにゲートバスライン突出部２１の根元部にレーザ照射を行ってゲートバスライン突出部２１とゲートバスライン１とを電気的に分離（カット）して絶縁状態とする。次に、点線部Ｂにおいて、ソースバスライン突出部２２とゲートバスライン突出部２１との間の絶縁膜をレーザ照射により破壊してソースバスライン突出部２２とゲートバスライン突出部２１とを短絡させる。さらに、点線部Ｃにおいて、ゲートバスライン突出部２１と、絵素電極３に接続される導電体片２３との間の絶縁膜をレーザ照射により破壊してゲートバスライン突出部２１と導電体片２３とを短絡させる。この３回のレーザ照射によって、ソースバスライン２と絵素電極３とが導通され、不良絵素が全絵素の平均的な明るさに点灯されて、点欠陥が解消される。
特開平４−２６５９４３号公報

しかしながら、上記特許文献１のアクティブ型液晶表示装置では、ソースバスライン２と絵素電極３とを短絡させるために、ゲートバスライン突出部２１とゲートバスライン１とを電気的に分離するためのレーザ照射、ゲートバスライン突出部２１とソースバスライン突出部２２とを短絡させるためのレーザ照射、およびゲートバスライン突出部２１と絵素電極３とを短絡させるためのレーザ照射というように、３回のレーザ照射工程が必要になる。このため、不良ＴＦＴなどによる欠陥絵素部の修正が容易ではない。

本発明は、上記従来の問題を解決するもので、絵素欠陥が生じてもより容易に修復できて、その製造歩留まりを向上できるアクティブ基板、これを用いた表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明のアクティブ基板は、走査配線が平行に複数設けられ、該複数の走査配線と交叉するように信号配線が平行に複数設けられ、前記各走査配線がそれぞれの制御領域に接続され、前記各信号配線が一方駆動領域にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続されて両配線の交叉部毎にそれぞれ配設された絵素電極とを有する絵素部が二次元状に複数配列されたアクティブ基板において、前記各スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記各信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されており、前記第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部から突出した第１の突出部であり、前記第２層は、前記信号配線と第１のコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部であり、前記第１の突出部と前記第２の突出部とは、それぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出しており、前記延在部が第２のコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されていることを特徴とする。

また、本発明のアクティブ基板は、走査配線が平行に複数設けられ、該複数の走査配線と交叉するように信号配線が平行に複数設けられ、前記各走査配線がそれぞれの制御領域に接続され、前記各信号配線が一方駆動領域にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続されて両配線の交叉部毎にそれぞれ配設された絵素電極とを有する絵素部が二次元状に複数配列されたアクティブ基板において、前記各スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記各信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されており、前記第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部から突出した第１の突出部であり、前記第２層は、前記信号配線と第１のコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部であり、前記第１の突出部と前記第２の突出部とは、それぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出しており、前記延在部が第２のコンタクトホール部を介して導電性物質層に接続され、該導電性物質層が別の第３のコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されていることを特徴とする。

さらに、好ましくは、前記走査配線毎に該走査配線と平行に付加容量配線が設けられ、該付加容量配線に幅広部が設けられており、前記延在部の少なくとも一部が該付加容量配線の該幅広部と絶縁膜を挟んで対向配置されている。

さらに、好ましくは、前記第１の突出部は、前記延在部に第４のコンタクトホール部を介して接続された導電性物質層である。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における絶縁膜は前記スイッチング素子のゲート絶縁膜と同一の材料である。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における絶縁膜は層間膜である。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第２の突出部は前記走査配線と同じ金属層からなる。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板におけるスイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の上層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の下層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第１層および第２層の少なくとも一方は半導体シリコン層からなる。

さらに、好ましくは、本発明のアクティブ基板における第１層および第２層の少なくとも一方は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＣｕのうちのいずれかの金属材料、これらの金属元素のうちの少なくとも１種類を主成分とする合金材料または化合物材料からなる。

本発明の表示装置は、前記アクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能とし、そのことにより上記目的が達成される。

また、好ましくは、前記複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部の前記第１の突出部と前記第２の突出部間の絶縁膜がエネルギー照射により破壊されて該第１の突出部と該第２の突出部とが短絡状態にされている。

さらに、好ましくは、本発明の表示装置における表示媒体は、液晶、ＥＬ発光層およびプラズマ発光体のいずれかである。

本発明の表示装置の製造方法は、前記表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、該点欠陥が検出された欠陥絵素部に対して、基板外側から前記第１の突出部および前記第２の突出部の重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行って該第１の突出部と該第２の突出部の間の絶縁膜を破壊して該第１の突出部と該第２の突出部を短絡させて点欠陥を修復するエネルギー照射工程とを有し、そのことにより上記目的が達成される。

さらに、好ましくは、本発明の表示装置の製造方法において、エネルギーとしてレーザ光を用いる。

上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。

本発明にあっては、表示媒体を挟んで対向配置される一対の基板のうち一方のアクティブ基板において、スイッチング素子の他方駆動領域（ドレイン電極）を構成する半導体層またはこの半導体層に接続された導電性物質層の第１層（例えば第１の突出部）と、信号配線（ソースバスライン）に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層（第２の突出部）とが絶縁層を挟んで少なくとも一部重畳されている。

この一方のアクティブ基板と対向基板とを貼り合わせて、両基板間に液晶層などの表示媒体を設けた後、ゲートバスライン、ソースバスラインおよび絵素電極に適切な駆動信号を与えると、表示画面上に所定の表示パターンが表示される。その表示画面を観察することにより、人が目視にて点欠陥（欠陥絵素）を発見することができる。

点欠陥が検出された絵素部では、基板の裏側から第１の突出部と第２の突出部との重畳部にレーザ照射を行う。これにより、第１の突出部と第２の突出部間に挟持された絶縁膜が破壊され、第１の突出部と第２の突出部とが短絡して、第１の突出部に他の駆動領域を介して接続された絵素電極と、第２の突出部に接続されたソースバスライン（信号配線）とが電気的に接続されることになる。

このようにして、ソースバスライン（信号配線）と絵素電極とが短絡されると、絵素電極には、ゲートバスライン（走査配線）からのゲート信号（制御領域への制御信号）に関らず、ソースバスラインのソース信号がそのまま絵素電極に入力される。これによって、完全な輝点でも黒点でもない表示状態となり、上記修復処理が施された絵素部は、正常に作動している訳ではないものの、視覚上、欠陥絵素として極めて判別しにくい表示状態になり、表示上、正常な絵素部といってもよい状態になる。

したがって、特許文献１に開示されている従来技術のように、３回もレーザ照射工程を行う必要がなく、１回のレーザ照射工程により、絵素欠陥が生じてもより容易に修復できて、その製造歩留まりが向上する。

また、特許文献１に開示されている従来技術では、スイッチング素子としてアモルファスシリコンＴＦＴを用いた場合、ゲートバスラインとソースバスラインとの間の厚みおよびゲートバスラインと導電体片との間の厚みは３００ｎｍ程度である。これに対して、本発明では、多結晶シリコンＴＦＴを用いた場合、ソースバスラインとコンタクトホール部を介して接続される第２の突出部（例えばゲート配線と同じ金属層を用いた場合、以下ではゲートメタル突出部という）と、他方の駆動領域（ドレイン領域）を構成する半導体層に接続された第１の突出部（例えば半導体層と同じ層を用いた場合、以下では半導体層突出部という）との間の厚みは１００ｎｍ程度（実施形態１〜３ではゲート絶縁膜の厚み）である。これによって、従来よりも第１の突出部と第２の突出部との間の厚みを薄くできる。このため、レーザ照射のパワーを抑制できて、これによる不良をも抑制できる。

ここで、短絡させるべき絶縁膜の間隔（厚み）が大きいほど、短絡させるために必要とされるレーザパワーも大きくなる。レーザパワーを増大させると、レーザスポットＲの周囲に半導体層や金属層が飛散するなど、レーザ照射による悪影響も大きくなり、他の素子がその悪影響の領域範囲内に配置されていると、不良が生じる。よって、本発明では、特許文献１に比べて絶縁膜の厚みが薄い分だけ、レーザ照射による不良を抑制することが可能となる。

リペア時のレーザ照射時に、第１の突出部と第２の突出部とを、それらの重畳部よりもそれぞれ突出させることによって、アライメント精度を向上させることができる。

レーザ照射時に、第１の突出部および第２の突出部の重畳部の中央部をレーザ照射した場合、例えば第１の突出部または第２の突出部が半導体層で構成されていると、レーザスポット全面に半導体層が存在することになり、レーザパワーの大部分が半導体層で吸収される。そこで、第１の突出部と第２の突出部との重畳部の隅部（上記両突出部および重畳部を含む隅部）をレーザ照射して、第１の突出部と第２の突出部との重畳部よりも突出させた部分をレーザスポットに入れることにより、両突出部にレーザパワーが行き届くようにできて、より少ないパワーにてより容易に短絡できる。なお、これは、特開２００１−２６４８００号公報に開示されているように、レーザ照射幅ぶれによる断線を回避するために、第１導電層と第２導電層との重ね合わせ領域の隅部をレーザで溶着させることとは全くその構成を相違するものである。

本発明によれば、基板の外側よりレーザ光などのエネルギー照射により絵素欠陥の修復をより容易に行うことができる。これによって、高い歩留まりでの表示装置を製造でき、表示装置のコストダウンに大いに寄与することができる。

以下に、本発明のアクティブ基板を用いた表示装置の実施形態１〜４を、アクティブマトリクス基板を用いたアクティブ型液晶表示装置に適用した場合について図面を参照しながら説明する。

（実施形態１）
図１（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態１において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。なお、図９（ａ）〜図９（ｃ）の従来の構成部材とほぼ同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。また、図９（ｂ）および図９（ｃ）の各断面は図１（ａ）の同じ位置における各断面と同様であるのでその説明を省略する。

図１（ａ）および図１（ｂ）において、本実施形態１のアクティブ型液晶表示装置は、一対の基板として、表示媒体である液晶層を間に挟んで対向配置されたアクティブマトリクス基板１１０および対向基板を有している。このアクティブマトリクス基板１１０は、ガラス基板１０上に、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示す従来のアクティブマトリクス基板１００の構成に加えて、ソースバスライン２が一方駆動領域（例えばソース領域１２ｃ）に接続されたスイッチング素子（ここではＴＦＴ４）の他方駆動領域（例えばドレイン領域１２ｃ）から付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側部まで半導体層を延在させた部分（延在部１２）からゲートバスライン１側の方向（ソースバスライン２と平行な方向）に突出させた第１の突出部１２Ａ（第１層）が設けられている。この第１の突出部１２Ａ（第１層）は半導体層１２と同じ製造工程で同じ半導体層から構成されており、以下、これを半導体層突出部１２Ａという。

また、ソースバスライン２からコンタクトホール部２Ａを介して接続された第２の突出部７が設けられている。この第２の突出部７はゲートバスライン５と同じ製造工程で同じ導電性物質層としての金属層からなり、以下、これをゲートメタル突出部７という。

これらの半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とは、図１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３を間に挟んで一部重畳（重畳部７ａ）されている。

図２は、図１（ａ）の矢印Ｚで示す○で囲んだ本発明の要部の拡大図であって、（ａ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが隅部に照射される場合を示す図、（ｂ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが重畳部中央に照射される場合を示す図である。

図２（ａ）に示すように、半導体層突出部１２Ａは、延在部１２の左上端部分から上側に向かってソースバスライン２と平行に幅１０μｍで所定長さだけ突出されている。ゲートメタル突出部７は、ゲートバスライン１と付加容量バスライン５とのほぼ中間位置付近において、ソースバスライン２の下方位置（積層構造の下側層位置）でソースバスライン２と直交（または交叉）するように右側の半導体層突出部１２Ａに向かって、平面視でソースバスライン２から幅１０μｍで突出している。また、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とはそれぞれ、その重畳部７ａからさらに１μｍ程度それぞれ突出している。なお、レーザスポットＲの照射位置については後述する。

ここで、上記構成のアクティブマトリクス基板１１０およびこれを用いたアクティブ型液晶表示装置の製造方法について説明する。

まず、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりガラス基板１０上にベースコート膜１１としてＳｉＯＮ膜を厚み１００ｎｍで設ける。

次に、プラズマＣＶＤ法により半導体層としてシリコン（Ｓｉ）層を厚み５０ｎｍに設け、熱処理およびレーザアニールにより結晶化を行う。このＳｉ層を所定形状にパターニングして、ＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃを、付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側層まで延在した延在部１２および、この延在部１２から突出した半導体層突出部１２Ａを一体的に形成する。

この場合、シリコン（Ｓｉ）層のＮチャネル領域１２ａにはＰ（リン）をドーピングして、ｎ−領域１２ｂ（ＬＤＤ領域）およびｎ＋領域１２ｃ（ソース領域・ドレイン領域）を形成する。熱処理を行って、半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する。なお、Ｐチャネル領域ではボロンをドーピングする。

さらに、プラズマＣＶＤ法によりベースコート膜１１および半導体層突出部１２Ａを含む半導体層上にゲート絶縁膜１３としてＳｉＯＮ膜を厚み１１５ｎｍで設ける。

このゲート絶縁膜１３上にゲート金属層（ゲートメタル）として、膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜および膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を順次スパッタリング法にて積層し、所定形状にパターニングを行う。これにより、この同一工程で同一材質にて、ゲートバスライン１および制御電極としてのゲート電極１ａを形成すると共に、付加容量バスライン５、その幅広部５Ａおよびゲートメタル突出部７を形成する。このとき、半導体層突出部１２Ａおよびゲートメタル突出部７の重畳部７ａは、その間にあるゲート絶縁膜１３によって絶縁されている。

さらに、ＣＶＤ法により層間膜１４として窒化シリコン膜を厚み３００ｎｍに設ける。これを熱処理して、Ｓｉ層を水素化する工程を行う。この工程は、窒化シリコン膜からなる層間膜１４に含まれる水素によりＳｉ層のダングリングボンドを終端化する工程である。

さらに、有機絶縁材料からなる樹脂層１５を例えば膜厚１．６μｍに設ける。

さらに、層間膜１４および樹脂層１５にゲートメタル突出部７とソースバスライン２とを接続するためのコンタクトホール部２Ａを形成し、さらに、ゲート絶縁膜１３、層間膜１４および樹脂層１５に半導体層の延在部１２と透明電極の絵素電極３とを接続するためのコンタクトホール部６Ａを形成する。

その後、ソース金属として、Ｔｉ、ＡｌおよびＴｉをそれぞれ１００ｎｍ、５００ｎｍおよび１００ｎｍの膜厚でスパッタリング法により積層し、所定形状にパターニングを行う。これにより、ソースバスライン２と、絵素電極３と延在部１２を接続するためのソースメタル６とを形成し、図１（ｂ）に示すように、ソースバスライン２とゲートメタル突出部７とがコンタクトホール部２Ａを介して接続されている。

さらに、透明電極としてＩＴＯ膜をスパッタリング法により厚み１００ｎｍに形成し、縦横のマトリクス状に複数の所定形状にパターニングを行って各絵素電極３をそれぞれ形成する。

その後、ソースバスライン２、絵素電極３および樹脂層１５上に配向膜（ＰＩ；図示せず）を印刷して所定方向のラビング処理を行って、本発明のアクティブマトリクス基板１１０が完成する。

このアクティブマトリクス基板１１０の配向膜側に球状スペーサ（図示せず）を散布した後、これに対向基板（図示せず）を重ね合わせて、アクティブマトリクス基板１１０と対向基板（図示せず）とを所定間隔で均一に貼り合わせる。これら両基板の間に液晶を封入し、その封入口を封止する。この対向基板（図示せず）には、透明電極である対向電極が形成されており、この上にも配向膜（ＰＩ；図示せず）を印刷した後、上記と同様のラビング処理が行われている。

以上により、本発明の実施形態１のアクティブマトリクス基板１１０を用いた表示装置としてのアクティブ型液晶表示装置が完成する。

次に、本発明の実施形態１のアクティブ型液晶表示装置において、絵素欠陥が生じた場合の修正方法について説明する。

ＴＦＴ４に異常が生じたり、ソースバスライン２と絵素電極３との間に電流リークが発生したりすると、絵素欠陥が現れ、表示上の問題として点欠陥が発生する。このような表示上の問題が発生した場合に、本実施形態１では、その絵素欠陥（点欠陥）を以下のようにして修復することができる。

まず、ＴＦＴ４が形成された側のアクティブマトリクス基板１１０（ＴＦＴ基板）と対向基板（図示せず）とが貼り合わせられてその間に液晶が注入された状態で、ゲートバスライン１およびソースバスライン２に検査用の所定の電気信号を印加することによって、複数の絵素部の何処かに欠陥点が検出され得る。

このように点欠陥が検出された絵素部に対して、互いに直交するゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとの重畳部７ａを、比較的低いパワーの一回のレーザ照射により、ゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとの間のゲート絶縁膜１３を絶縁破壊してゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとを短絡させることができる。このとき、既にアクティブマトリクス基板１１０（ＴＦＴ基板）と対向基板（図示せず）とが貼り合わせられているため、レーザ照射は、基板１０の透明なガラス面外側（ＴＦＴ４の裏側）から内側に向けて行われる。

このときのレーザ照射は、例えばＹＡＧレーザ光を用いる。また、レーザスポットＲは一般的にその形状が直径数μｍの円形または一辺が数μｍの正方形であり、本実施形態１では例えば５μｍ×５μｍの正方形のレーザスポットＲを用いる。

本実施形態１のように、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との重畳部７ａよりも各１μｍ程度更に突出させて形成されており、その突出部分を含む隅部にレーザ照射することにより、レーザ照射時のアライメント精度が向上し、容易にレーザ照射を行って半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを、より少ないパワーにて短絡させることができる。

さらに、図２（ａ）のレーザスポットＲに示すように、半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との両先端側の隅部（重畳部７ａを含む）にレーザ照射することにより、より容易に（より少ないパワーで）半導体層突出部１２ａとゲートメタル突出部７ａを短絡させることができる。

これに対して、図２（ｂ）のレーザスポットＲに示すように、半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の重畳部７ａにおける中央部をレーザ照射すると、レーザーパワーの大部分が半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａだけに吸収（集中）されて、半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とが短絡し難くなる。上記図２（ａ）のレーザスポットＲに示すような半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａおよびゲートメタル突出部７の重畳部７ａの隅部へのレーザ照射と同じ条件（レーザパワー）にて、図２（ｂ）のレーザスポットＲに示すように、Ｓｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７における重畳部７ａの中央部をレーザ照射した場合には、半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを確実に短絡させることができなかった。

よって、その重畳部７ａの隅部へのレーザ照射であれば、重畳部７ａの中央部へのレーザ照射の場合に比べて、より少ないレーザパワーにより半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。また、重畳部７ａの隅部へのレーザ照射に比べてそのレーザーパワーを増大させていくと、図２（ｂ）に示すようにＳｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７との重畳部７ａにおける中央部をレーザ照射しても、Ｓｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることができる。しかしながら、レーザーパワーをあまり強くすると、レーザ照射部以外の領域へのレーザ照射による悪影響が大きくなり、Ｓｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７以外の素子部分に影響を及ぼすおそれがある。このことについて、図３（ａ）および図３（ｂ）を用いて説明する。

図３（ｂ）は、図３（ａ）のレーザ照射による影響部Ｓ１に対して、レーザスポットＲを同一の大きさにして、レーザーパワーのみを増大させた場合のレーザ照射による影響部Ｓ２を示す図である。図３のＬ（Ｌ１またはＬ２）で示される影響部は、Ｓｉやゲートメタルの飛び散りが発生しており、他の素子がその領域に入ってしまうと、レーザ照射による不良が発生するおそれがある。したがって、可能な限り小さなレーザパワーにてレーザ照射を行うことが好ましく、Ｓｉ突出部１２Ａとゲートメタル突出部７の重畳部７ａにおける先端部分の隅部（図２（ａ）のレーザスポットＲの位置）をレーザ照射することが好ましい。なお、レーザ照射位置が重畳部７ａの先端部分の隅部以外の隅部（例えばレーザスポットＲ１の照射位置よりもソースバスライン２寄りの位置）では、ソースバスライン２に近づく分だけその影響が問題になる。

このようにして、半導体層突出部１２Ａとゲートメタル突出部７とを短絡させることにより、絵素電極３には、ゲートバスライン１からのゲート信号に関らず、ソースバスライン２からのソース信号（画像信号）がそのまま直に入力されることになる。これにより、その欠陥絵素部は、完全な輝点でも黒点でもない表示状態になる。その結果、上記修正処理（メルト処理）が施された欠陥絵素部は、正常に作動している訳ではないものの、視覚上、欠陥として極めて判別しにくい中間的な表示状態になり、画面表示上、正常な絵素部といってよい状態になる。

このように、本実施形態１によれば、絵素欠陥が生じても、ソースバスライン２と絵素電極３とを短絡させるのに、従来の三回のレーザ照射に比べて１回のレーザ照射で、かつより少ないパワーのレーザ照射で欠陥絵素を容易に修復できるアクティブマトリクス基板１１０を得ることができる。これによって、その製造歩留まりも向上させることができて製造コストを低減させることができる。

（実施形態２）
上記実施形態１では、ＴＦＴ４のチャネル層１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介してゲート金属層（ゲート電極１ａ）が配置されたトップゲート構造について説明したが、本実施形態２では、図４（ａ）および図４（ｂ）と図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、チャネル層１２ａの下層側にゲート絶縁膜１３を介してゲート金属層（ゲート電極１ａ）が配置されたボトムゲート構造について説明する。

図４（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態２において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の他の構成例を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。図５（ａ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図、図５（ｂ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。

図４（ａ）および（ｂ）と図５（ａ）および（ｂ）において、ＴＦＴ４がボトムゲート構造のアクティブ型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板１２０では、ゲートバスライン１、付加容量バスライン５およびゲートメタル突出部７を構成するゲート金属層上にゲート絶縁膜１３を介して、ＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃおよび半導体層（Ｓｉ層）突出部１２Ａを有する半導体層（延在部１２を含む）が設けられている。それ以外は、図１に示すアクティブマトリクス基板１１０の場合とその構成が同じである。

このアクティブマトリクス基板１２０を用いたアクティブ型液晶表示装置においても、ゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとの重畳部７ａの隅部に一回だけレーザ照射を行ってゲート絶縁膜１３を絶縁破壊し、ゲートメタル突出部７と半導体層突出部１２Ａとを短絡させることにより欠陥絵素をより目立たなくすることにより、容易に修復することができる。

（実施形態３）
上記実施形態１，２では、リペア時に、導電性物質の金属層からなるゲートメタル突出部７と、半導体層からなる半導体層突出部１２Ａとの重畳部７ａとを短絡させるように構成したが、本実施形態３では、リペア時に、導電性物質の金属層からなるゲートメタル突出部７と、半導体（Ｓｉ）層の延在部１２に接続された導電性物質層突出部１２Ｂとの重畳部７ｂとを短絡させる場合について説明する。

図６（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態３において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の更に他の構成例を示す平面図、図６（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線部分の断面図である。

図１では、ＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃに接続される第１の突出部として、半導体層の延在部１２と同じ半導体（Ｓｉ）層を用いて半導体層突出部１２Ａを形成したが、ここでは、これに代えて、半導体（Ｓｉ）層以外の半導体や、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料またはこれらの金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料などによって第１の突出部として導電性物質層突出部１２Ｂとすることができる。

また、図１では、ソースバスライン２とコンタクトホール部２Ａを介して接続される第２の突出部としてゲートバスライン１と同じ金属層を用いてゲートメタル突出部７を形成したが、ここでは、Ｓｉなどの半導体や、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料、またはこれらの金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料などによって第２の突出部７Ｂを形成することも可能である。

第１の突出部１２Ｂおよび第２の突出部７Ｂの位置やサイズは、上記図１、図４および図５に示した位置やサイズに限らず、第１の突出部１２Ｂは、ＴＦＴ４のドレイン領域を有する半導体層から、付加容量バスライン５の幅広部５Ａの下側部まで延在させた延在部１２に接続され、第２の突出部７ｂはソースバスライン２にコンタクトホール部２Ａを介して接続され、これら両者間にゲート絶縁膜１３が設けられて両者が重畳されるように形成されていればよい。例えば、第１の突出部１２Ｂを、半導体層の延在部１２から下側に突出させたり、図１に示すような半導体層の延在部１２の左端部ではなくその中央部や右端側の部分から突出させたりしてもよく、この突出部の幅をこの場合よりも広くしたり、重畳部７ｂからさらに突出された部分を長くしたりすることも可能である。また同様に、第２の突出部７Ｂについても、ゲートバスライン１と付加容量バスライン５との中央位置ではなく、ゲートバスライン１寄りに設けたり、付加容量バスライン５寄りに設けたりしてもよく、この突出部の幅をこの場合よりも広くしたり、それらの重畳部７ｂからさらに突出した部分を長くしたりすることも可能である。

（実施形態４）
上記実施形態１〜３では、第１の突出部として、半導体層突出部１２Ａまたは導電性物質層突出部１２Ｂを半導体層の延在部１２（付加容量の一方電極）から突出させ、これと、ゲートメタル突出部７または半導体または導電性物質からなる第２の突出部７Ｂとの重畳部７ａまたは７ｂとを、その間のゲート絶縁膜１３を絶縁破壊して短絡させるように構成したが、本実施形態４では、ＴＦＴ４のドレイン電極Ｄ（ドレイン電極Ｄから延在した延在部１２を含む）から突出した導電性物質突出部１２Ｄと、導電性物質突出部７Ｄとの重畳部を、その間の層間膜１４を絶縁破壊して短絡させる場合について説明する。

図７（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態４におけるアクティブマトリクス基板の単位構成例を模式的に示す回路図、図７（ｂ）は（ａ）のスイッチング素子部分およびソースバスライン短絡部位の各断面図である。なお、図１（ａ）および図１（ｂ）の構成部材とほぼ同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付している。

図７（ａ）において、アクティブマトリクス基板１４０は、互いに平行な複数のゲートバスライン１と、互いに平行な複数のソースバスライン２とを直交（または交叉）させて格子状に配線し、補助容量バスライン５をゲートバスライン１毎にゲートバスライン１と平行に配置する。また、両バスライン１，２で囲まれた領域毎（両バスライン１，２の交叉部毎）に絵素電極３（または画素電極３）をそれぞれ配設すると共に、絵素電極３と、補助容量の一方の電極（上記実施形態１では半導体層の延在部１２）とがスイッチング素子としてのＴＦＴ４（デュアルゲート構成）のドレイン電極Ｄ（上記実施形態１ではドレイン領域１２ｃ）に接続され、ゲート電極Ｇ（上記実施形態１ではゲート領域１ａ）にはゲートバスライン１が接続され、ソース電極Ｓ（上記実施形態１ではソース領域１２ｃ）にはソースバスライン２にそれぞれ接続されている。

また、ＴＦＴ４のドレイン電極Ｄ（上記実施形態１ではドレイン領域１２ｃ）に接続される導電性物質からなる導電性物質突出部１２Ｄ（ここではソースバスライン２の形成材料と同一）をソースバスライン２の近くまで延ばして設けている。この第１の突出部としての導電性物質突出部１２Ｄから間に絶縁膜（層間膜１４）を挟んで重畳する導電性物質突出部７Ｄを設けている。この第２の突出部としての導電性物質突出部７Ｄは、コンタクトホール部２Ａを介してソースバスライン２に接続された導電性物質（ここではゲートバスライン１の形成材料と同一）にて構成されている。これらの導電性物質突出部１２Ｄと導電性物質突出部７Ｄとの重畳部は、上記実施形態１〜３の場合と同様に、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いにそれぞれ先端部が突出している。その重畳部は、欠陥絵素のリペア時に短絡させる部位である。即ち、欠陥絵素の場合に、その両突出部および重畳部を含む隅部に所定パワーのレーザ光を照射することにより、図７（ｂ）の導電性物質突出部７Ｄの点線で示すように導電性物質突出部７Ｄと導電性物質突出部１２Ｄとを短絡させる。

ここで、上記構成のアクティブマトリクス基板１４０およびこれを用いたアクティブ型液晶表示装置１５０（図８参照）の製造方法について説明する。

まず、図７（ｂ）に示すように、まず、プラズマＣＶＤ法により絶縁性基板としてのガラス基板上１０にベースコート１１としてＳｉＯＮを厚さ１００ｎｍ設ける。

次に、ベースコート１１上に、プラズマＣＶＤ法により半導体層（例えばシリコン層）を厚さ５０ｎｍで設ける。その半導体層を、熱処理として、レーザアニールにより半導体層の結晶化を行う。さらに、その半導体層を平面視所定形状にパターンニングする。

さらに、この半導体層上に、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１３としてＳｉＯＮを厚さ１１５ｎｍで設ける。

さらに、ゲート絶縁膜１３上に、導電性物質として、膜厚５０ｎｍの窒化タンタル膜、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜を、スパッタリング法にて順次積層し、導電性物質突出部７Ｄおよびゲート領域１ａ（７Ｄと１ａは同一材料）となる所定形状にパターンニングする。なお、これらの導電性物質突出部７Ｄおよびゲート領域１ａは、窒化タンタル、タングステンの材料に代えて、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料または、化合物材料で形成することもできる。

上記シリコン半導体層に、ゲート領域１ａの上からゲート絶縁膜１３を通してＰ（リン）をドーピングし、ゲート領域１ａの両側のシリコン半導体層をｎ−領域１２ｂ、ｎ＋領域１２ｃ（ソース領域１２ｃとドレイン領域１２ｃ）とする。これによってＴＦＴ４が形成される。なお、これはＮチャネル形成の場合であって、Ｐチャネル形成の場合には半導体層にＢ（ボロン）をドーピングする。

さらに、熱処理を行い、半導体層に添加された不純物元素を活性化処理する。

さらに、絶縁膜として、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜、酸化膜の２層構造からなる層間膜１４を膜厚９５０ｎｍに設ける。

次いで、ＴＦＴ４のドレイン領域１２ｃに達するコンタクトホール部をゲート絶縁膜１３および層間膜１４に形成すると共に、導電性物質突出部７Ｄに達するコンタクトホール部２Ａを層間膜１４にそれぞれ形成する。

その後、導電性物質（ここでは導電性物質突出部１２Ｄとソースバスライン２とは同一材料）として、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉをそれぞれ１００ｎｍ、５００ｎｍ、１００ｎｍの各膜厚にてスパッタリング法により順次積層し、これらを所定形状にパターンニングして導電性物質突出部１２Ｄとソースバスライン２を形成する。

ここで、導電性物質突出部１２Ｄと導電性物質突出部７Ｄとが層間膜１４で絶縁されている。ここでは、導電性物質突出部１２Ｄが幅５μｍ、導電性物質突出部７Ｄが幅７μｍで互いに直交（交叉）して、間に層間膜１４を挟み込んだ状態で重畳し、その重畳部を短絡部位としている。

以上の積層構造を熱処理して、上記半導体層を水素化する工程を行う。この水素化工程は、窒化シリコン膜などからなる層間膜１４（層間絶縁膜）に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。

さらに、層間絶縁膜１４、導電性物質突出部１２Ｄおよびソースバスライン２上に、有機絶縁材料からなる樹脂層１５を設ける。この場合、樹脂層１５は１．６μｍの膜厚で設ける。

さらに、導電性物質突出部１２Ｄに達するコンタクトホール部を形成する。その上から、絵素電極３となるＩＴＯをスパッタリング法により膜厚１００ｎｍで設け、所定形状にパターンニングしてマトリクス状に複数の絵素電極３を設ける。

その後、これらの絵素電極３および樹脂層１５上に配向膜（ＰＩ；図示せず）を印刷して所定方向のラビング処理を行って、本発明のアクティブマトリクス基板１４０が完成する。

このアクティブマトリクス基板１４０の配向膜側に球状スペーサ（図示せず）を散布した後、図８に示すように、アクティブマトリクス基板１４０に対向基板１４１を重ね合わせて、アクティブマトリクス基板１４０と対向基板１４１とを所定間隔で均一に貼り合わせる。これら両基板の間に液晶層１４２を挟持させる。この対向基板１４１には、透明電極である対向電極が形成されており、この上に配向膜（ＰＩ；図示せず）を印刷した後、上記と同様のラビング処理が行われている。

本発明の実施形態４のアクティブマトリクス基板１４０を用いた表示装置としてのアクティブ型液晶表示装置１５０が完成する。

次に、本発明の実施形態４のアクティブ型液晶表示装置１５０において、絵素欠陥が生じた場合の修復方法について説明する。

ＴＦＴ４に異常が生じたり、ソースバスライン２と画素電極３間に電流リークが発生した場合、上記導電性物質突出部１２Ｄと導電性物質突出部７Ｄの重畳部を含む隅部にレーザ照射してこれらを短絡させる。このレーザ照射の一例として、上記実施形態１〜３の場合と同様に、ＹＡＧレーザ光のレーザスポットＲとして、５μｍ×５μｍの正方形を用いた。

但し、絶縁膜の厚さによって、レーザパワー、レーザのショット回数などが異なり、膜構成によっても異なる。この欠陥絵素の修復時には、すでにＴＦＴ４があるアクティブマトリクス基板１４０と対向基板１４１とは貼り合わせられており、レーザ照射は、アクティブマトリクス基板１４０のガラス面（ＴＦＴ４の裏面側）からレーザ照射を行うことになる。

このように、ソースバスライン２と絵素電極３とを短絡すると、絵素電極３には、ゲートバスライン１からのゲート信号（走査信号）に関らず、ソースバスライン２からのソース信号がそのまま入力される。これは完全な輝点でも黒点でもない。例えば全面黒表示であれば、ソースバスライン２には黒表示電位が入力されており、この画素部には黒表示電圧が印加される。全面白表示であれば同様に白表示になるため、上記修正処理が施された絵素部（絵素電極３）は、正常に作動している訳ではないものの、人の視覚上、表示欠陥として極めて判別しにくい表示状態となる。

なお、上記実施形態１〜４では、表示装置として、表示媒体として液晶を用いた液晶表示装置について説明したが、これに限らず、ＥＬ発光層やプラズマ発光体を用いた表示装置についても適用可能である。また、上記実施形態１〜４では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ４）を用いたアクティブ型液晶表示装置について説明したが、これに限らず、ＭＩＭ素子やダイオード素子、ＭＯＳトランジスタなどを用いた液晶表示装置などの各種の表示装置についても適用可能である。さらに、上記実施形態４では、ＴＦＴ４などのスイッチング素子構造が、デュアルゲートでトップゲート構造の場合について説明したが、ボトムゲート構造であってもく、シングルゲートまたはトリプルゲート以上であってもよい。

また、上記実施形態１〜４では、第１の突出部および第２の突出部の重畳部を含む隅部にＹＡＧレーザ光を照射し第１の突出部および第２の突出部を短絡させるように構成したが、これに限らず、ＹＡＧレーザ光以外のレーザ光（レーザビーム）などの熱エネルギーを照射して第１の突出部および第２の突出部を短絡させることもできる。

さらに、上記実施形態１〜４では、導電性物質からなるゲート金属層は、第２の突出部として、窒化タンタルおよびタングステンの積層構造により構成したが、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＣｕなどの金属材料、またはこれらの金属元素を主成分とする合金材料または化合物材料を用いてもよい。要は、第２の突出部の材質は、第１の突出部との短絡および電気的接続に対して相性がよく、効率的かつ確実に短絡および電気的接続し安いものであればよい。

さらに、上記実施形態４では、層間膜１４上にソースバスライン２と導電性物質突出部１２Ｄの各導電性物質材料を配置し、この導電性物質材料と絵素電極３間に樹脂層１５を設けているが、これに限らず、層間膜１４上にソースバスライン２と導電性物質突出部１２Ｄが設けられ、導電性物質突出部１２Ｄ上のみに絵素電極３が直に配置され、導電性物質突出部１２Ｄと絵素電極３間には樹脂層１５がなく、これらが互いに電気的に接続された構成であってもよい。この場合に、ソースバスライン２と絵素電極３とは離間している。また、層間膜１４は２層など複数層構造であってもよい。

また、上記実施形態２では、特に説明しなかったが、その図５（ｂ）において、コンタクトホール部６Ａが層間膜１４のみに形成され、層間膜１４上にはソースメタル６が直に設けられ、このコンタクトホール部６Ａを介して半導体層の延在部１２とソースメタル６とが電気的に接続されるようになっていてもよい。この場合に、新たなコンタクトホール部がソースメタル６上の樹脂層１５に形成され、この樹脂層１５上に絵素電極３が設けられ、その新たなコンタクトホール部を介してソースメタル６と絵素電極３とが電気的に接続される。これによって、ここで用いるコンタクトホール部を浅くできて、一つのコンタクトホール部に占める面積を小さくできると共に、コンタクトホール部を介した上下層の接触安定性を向上させることもできる。

また、上記実施形態１〜４では、延在部１２から突出した第１の突出部と、ソースバスライン２とコンタクトホール部を介して接続され、ソースバスライン２から第１の突出部側に一部重畳した第２の突出部とについて説明したが、これらの第１の突出部および第２の突出部のうち少なくとも一方が突出部でなくてもよい。

例えば液晶テレビジョンやコンピュータ端末表示装置など画像表示装置の分野において、透明基板であるガラス基板の外側からレーザ光などのエネルギー照射をすることにより、より容易に絵素欠陥を修復できて、その製造歩留まりを向上できる。

（ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態１において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。 図１（ａ）の矢印Ｚで示す○で囲んだ本発明の要部の拡大図であって、（ａ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが隅部に照射される場合を示す図、（ｂ）は欠陥修正時のレーザ照射位置としてレーザスポットＲが重畳部中央に照射される場合を示す図である。 （ａ）および（ｂ）はそれぞれ、欠陥修正時にレーザ照射により生じる影響を説明するための図である。 （ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態２において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の他の構成例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線部分の断面図である。 （ａ）は、図４（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図、（ｂ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。 （ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態３において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の更に他の構成例を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線部分の断面図である。 （ａ）は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態４におけるアクティブマトリクス基板の単位構成例を模式的に示す回路図、（ｂ）は（ａ）のスイッチング素子部分およびソースバスライン短絡部位の各断面図である。 図７のアクティブ型液晶表示装置の一部断面構成を示す模式図である。 （ａ）は、従来のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線部分の断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線部分の断面図である。 （ａ）は、従来の他のアクティブ型液晶表示装置において、液晶層を挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板における基本単位の構成例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に丸印で囲んだ部分を示す拡大図である。

符号の説明

１ ゲートバスライン
１ａ ゲート電極
２ ソースバスライン
２Ａ，６Ａ コンタクトホール部
３ 透明電極（絵素電極）
４ ＴＦＴ
５ 付加容量バスライン
５Ａ 幅広部
６ ソースバスラインと同じ金属層（ソースメタル）
７ ゲートメタル突出部（第２の突出部）
７Ｂ 半導体または導電性物質からなる第２の突出部
１０ ガラス基板
１１ ベースコート膜
１２ 半導体層の延在部
１２ａ チャネル領域
１２ｂ ＬＤＤ領域（ｎ-層）
１２ｃ ソース領域・ドレイン領域（ｎ+層）
１２Ａ 半導体層突出部（第１の突出部）
１３ ゲート絶縁膜
１４ 層間膜
１５ 樹脂層
１１０，１２０，１３０，１４０ アクティブマトリクス基板

Claims (18)

1. 走査配線が平行に複数設けられ、
   該複数の走査配線と交叉するように信号配線が平行に複数設けられ、
   前記各走査配線がそれぞれの制御領域に接続され、前記各信号配線が一方駆動領域にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続されて両配線の交叉部毎にそれぞれ配設された絵素電極とを有する絵素部が二次元状に複数配列されたアクティブ基板において、
   前記各スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記各信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されており、
   前記第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部から突出した第１の突出部であり、
   前記第２層は、前記信号配線と第１のコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部であり、
   前記第１の突出部と前記第２の突出部とは、それぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出しており、
   前記延在部が第２のコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されていることを特徴とするアクティブ基板。
2. 走査配線が平行に複数設けられ、
   該複数の走査配線と交叉するように信号配線が平行に複数設けられ、
   前記各走査配線がそれぞれの制御領域に接続され、前記各信号配線が一方駆動領域にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続されて両配線の交叉部毎にそれぞれ配設された絵素電極とを有する絵素部が二次元状に複数配列されたアクティブ基板において、
   前記各スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第１層と、前記各信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第２層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されており、
   前記第１層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層を延長した延在部から突出した第１の突出部であり、
   前記第２層は、前記信号配線と第１のコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第１の突出部側に一部重畳するように突出した第２の突出部であり、
   前記第１の突出部と前記第２の突出部とは、それぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出しており、
   前記延在部が第２のコンタクトホール部を介して導電性物質層に接続され、該導電性物質層が別の第３のコンタクトホール部を介して前記絵素電極と接続されていることを特徴とするアクティブ基板。
3. 前記走査配線毎に該走査配線と平行に付加容量配線が設けられ、該付加容量配線に幅広部が設けられており、前記延在部の少なくとも一部が該付加容量配線の該幅広部と絶縁膜を挟んで対向配置されている請求項１または２に記載のアクティブ基板。
4. 前記第１の突出部は、前記延在部に第４のコンタクトホール部を介して接続された導電性物質層である請求項１または２に記載のアクティブ基板。
5. 前記絶縁膜は前記スイッチング素子のゲート絶縁膜と同一の材料である請求項１または２に記載のアクティブ基板。
6. 前記絶縁膜は層間膜である請求項１または２に記載のアクティブ基板。
7. 前記第２の突出部は前記走査配線と同じ金属層からなる請求項１または２に記載のアクティブ基板。
8. 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである請求項１または２に記載のアクティブ基板。
9. 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである請求項８に記載のアクティブ基板。
10. 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の上層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である請求項９に記載のアクティブ基板。
11. 前記薄膜トランジスタ素子は、前記半導体層に接続されるチャネル層の下層側に前記絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である請求項９に記載のアクティブ基板。
12. 前記第１の層および第２の層の少なくとも一方は半導体シリコン層からなる請求項１に記載のアクティブ基板。
13. 前記第１の層および第２の層の少なくとも一方は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＡｌおよびＣｕのうちのいずれかの金属材料、これらの金属元素のうちの少なくとも１種類を主成分とする合金材料または化合物材料からなる請求項１に記載のアクティブ基板。
14. 請求項１〜１３のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能とする表示装置。
15. 前記複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部の前記第１の突出部と前記第２の突出部間の絶縁膜がエネルギー照射により破壊されて該第１の突出部と該第２の突出部とが短絡状態にされている請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記表示媒体は、液晶、ＥＬ発光層およびプラズマ発光体のいずれかである請求項１４に記載の表示装置。
17. 請求項１４に記載の表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、
    該点欠陥が検出された欠陥絵素部に対して、基板外側から前記第１の突出部および前記第２の突出部の重畳部よりもさらに所定量だけ互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行って該第１の突出部と該第２の突出部の間の絶縁膜を破壊して該第１の突出部と該第２の突出部を短絡させて点欠陥を修復するエネルギー照射工程とを有する表示装置の製造方法。
18. 前記エネルギーとしてレーザ光を用いる請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

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