JP4052205B2

JP4052205B2 - 電力変換装置

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Publication number: JP4052205B2
Application number: JP2003299247A
Authority: JP
Inventors: 大輔原田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2003-08-22
Filing date: 2003-08-22
Publication date: 2008-02-27
Anticipated expiration: 2023-08-22
Also published as: JP2005073373A

Description

本発明は、半導体モジュールと、該半導体モジュールの制御電極端子が接続される制御回路基板と、上記半導体モジュールの主電極端子に接続されるバスバアッセンブリと、上記半導体モジュールを冷却するための冷却チューブとを備えた電力変換装置に関する。

従来より、ＩＧＢＴ素子等の半導体素子を内蔵する半導体モジュールの放熱を行うために、該半導体モジュールを両面から挟持するように冷却チューブを配設した両面冷却型の半導体装置がある（特許文献１）。
上記半導体モジュールは、上記半導体素子の主電極に接続された主電極端子と、上記半導体素子の制御電極に接続された制御電極端子とを有する。
そして、該制御電極端子は、上記半導体モジュールを制御するための制御回路基板に接続される。

しかしながら、上記半導体装置は、組み立て時において、上記半導体モジュールと上記制御回路基板との位置決めを正確に行うことが困難となる場合がある。即ち、上記半導体モジュールの制御電極端子を上記制御回路基板における接続端子部に正確に接続することが困難となり、接続不良の原因となるおそれがある。

そこで、上記制御電極端子と上記制御回路基板の接続端子との接続ずれを防止すべく、上記半導体モジュールと制御回路基板とを正確な位置に保持する工程が必要となり、生産効率の低下を招く。
このように、上記半導体装置の製造を正確かつ容易に行うことが困難となるという問題がある。
また、組み立て後においても、上記半導体モジュールと制御回路基板との相対位置がずれる方向に負荷が掛かった場合に、上記制御電極端子に負荷が掛かり、接続不良の原因となるおそれがある。
特開２００１−３０８２３７号公報

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体モジュールと制御回路基板との接続信頼性に優れ、正確かつ容易に製造することができる電力変換装置を提供しようとするものである。

本発明は、半導体素子を内蔵してなると共に主電極端子と制御電極端子とを有する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールの上記制御電極端子が接続される制御回路基板と、上記半導体モジュールの主電極端子が接続される複数のバスバーにより構成されたバスバアッセンブリと、上記半導体モジュールをその両面から冷却するための複数の冷却チューブとを備えた電力変換装置であって、
上記複数の半導体モジュールは、該半導体モジュールの両主面から上記冷却チューブによって挟み込まれるように配設されており、
上記半導体モジュール及び上記制御回路基板のいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第１凸部を設けてあり、
上記半導体モジュールと上記バスバアッセンブリのいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第２凸部を設けてあることを特徴とする電力変換装置にある（請求項１）。

次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記のごとく、上記電力変換装置は、上記半導体モジュール及び上記制御回路基板のいずれか一方に、互いの位置決めを行うための第１凸部を設けてなる。そのため、上記第１凸部を半導体モジュール又は制御回路基板に当接させたり、嵌入させたりすることにより、半導体モジュールと制御回路基板との互いの位置決めをすることができる。

それ故、組み立て時において、上記半導体モジュールと上記制御回路基板との位置決めを容易かつ正確に行うことができる。即ち、上記半導体モジュールの制御電極端子を上記制御回路基板における接続端子部に正確に接続することが容易となり、接続信頼性を向上させることができる。

また、上記制御電極端子と上記制御回路基板との接続ずれを防止するための工程も不要となり、上記電力変換装置の製造を容易に行うことができる。
また、組み立て後においても、上記第１凸部によって、上記半導体モジュールと制御回路基板とが互いに位置決めされているため、両者の相対位置がずれる方向に負荷が掛かった場合に、上記制御電極端子に負荷が掛かることを防ぎ、接続信頼性を確保することができる。

以上のごとく、本発明によれば、半導体モジュールと制御回路基板との接続信頼性に優れ、正確かつ容易に製造することができる電力変換装置を提供することができる。

本発明（請求項１）において、上記第１凸部は、上記半導体モジュールに設けてあっても、上記制御回路基板に設けてあってもよい。また、上記第１凸部は、例えば相手方の部品に当接したり、嵌入したり、係合したりすることにより、上記半導体モジュールと上記制御回路基板との互いの位置決めを行うことができる。

また、上記制御回路基板及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第１凸部を嵌入する第１嵌入部を設けてなることが好ましい（請求項２）。
この場合には、上記第１凸部を上記第１嵌入部に嵌入することにより、上記半導体モジュールと制御回路基板との位置決めを、より正確に行うことができる。
上記第１嵌入部は、例えば、上記制御回路基板を貫通する貫通孔、制御回路基板の表面を窪ませた凹部、制御回路基板を切欠いた切欠部等、或いは半導体モジュールの表面を窪ませた凹部、半導体モジュールを切欠いた切欠部等によって構成することができる。

また、上記第１凸部は上記半導体モジュールに設けてあり、上記第１嵌入部は上記制御回路基板に設けてあり、上記第１凸部は、上記第１嵌入部に嵌入する先端小径部と、該先端小径部よりも外径の大きい大径部とを有し、該大径部と上記先端小径部との間に形成された段部は、上記第１嵌入部の周りにおける上記制御回路基板の表面に当接していてもよい（請求項３）。
この場合には、上記第１嵌入部を、上記制御回路基板を貫通する貫通孔とした場合であっても、嵌入方向についての上記半導体モジュールと制御回路基板との位置決めをも容易かつ正確に行うことができる。

また、上記第１凸部は角柱形状を有することが好ましい（請求項４）。
この場合には、上記第１凸部を軸とした回転方向について、上記半導体モジュールと制御回路基板との位置ずれを防ぐことができる。

また、上記第１凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることが好ましい（請求項５）。
この場合には、たとえ上記第１凸部が、上記半導体モジュールの制御電極端子や上記制御回路基板の配線等に接触したとしても、短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

また、上記半導体モジュールと上記バスバアッセンブリのいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第２凸部を設けてある。
これにより、上記半導体モジュールと上記バスバアッセンブリとの互いの位置決めを容易かつ正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュールの主電極端子と上記バスバアッセンブリのバスバーとの接続を容易かつ正確に行うことができ、両者の接続信頼性を確保することができる。

また、上記バスバアッセンブリ及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第
２凸部を嵌入する第２嵌入部を設けてなることが好ましい（請求項６）。
この場合には、上記半導体モジュールと上記バスバアッセンブリとの互いの位置決めを
より容易かつ正確に行うことができる。
上記第２嵌入部は、例えば、上記バスバアッセンブリを貫通する貫通孔、バスバアッセ
ンブリの表面を窪ませた凹部、バスバアッセンブリを切欠いた切欠部等、或いは半導体モ
ジュールの表面を窪ませた凹部、半導体モジュールを切欠いた切欠部等によって構成する
ことができる。

また、上記第２凸部は角柱形状を有することが好ましい（請求項７）。
この場合には、上記第２凸部を軸とした回転方向について、上記半導体モジュールとバスバアッセンブリとの位置ずれを防ぐことができる。

また、上記第２凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることが好ましい（請求項８）。
この場合には、上記半導体モジュール及びバスバアッセンブリにおける短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

また、上記半導体モジュールは、複数配設されており、各半導体モジュールには、隣り合う他の半導体モジュールとの間の位置決めを行うための第３凸部を設けてなることが好ましい（請求項９）。
この場合には、隣り合う上記半導体モジュール同士の互いの位置決めを容易かつ正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュールと、上記制御回路基板等、周囲の部品との位置決めをも一層正確かつ容易に行うことができる。

また、上記半導体モジュールには、隣り合う他の半導体モジュールの上記第３凸部を嵌入する第３嵌入部を設けてなることが好ましい（請求項１０）。
この場合には、隣り合う上記半導体モジュール同士の互いの位置決めをより容易かつ正
確に行うことができる。
上記第３嵌入部は、例えば、半導体モジュールの表面を窪ませた凹部、半導体モジュー
ルを切欠いた切欠部等によって構成することができる。

また、上記第３凸部は角柱形状を有することが好ましい（請求項１１）。
この場合には、上記第３凸部を軸とした回転方向について、隣り合う上記半導体モジュール同士の位置ずれを防ぐことができる。

また、上記第３凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることが好ましい（請求項１２）。
この場合には、上記半導体モジュールにおける短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

また、上記半導体モジュール及び上記冷却チューブのいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第４凸部を設けてなることが好ましい（請求項１３）。
この場合には、上記半導体モジュールと上記冷却チューブとの間の位置決めを容易かつ
正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュールの冷却を確実に行うことが
できる。

また、上記冷却チューブ及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第４凸部を嵌入する第４嵌入部を設けてなることが好ましい（請求項１４）。
この場合には、上記冷却チューブと半導体モジュールとをより容易かつ正確に位置決めすることができる。
上記第４嵌入部は、例えば、冷却チューブ又は半導体モジュールの表面を窪ませた凹部、半導体モジュールを切欠いた切欠部等によって構成することができる。

また、上記第４凸部は角柱形状を有することが好ましい（請求項１５）。
この場合には、上記第１凸部を軸とした回転方向について、上記半導体モジュールと制御回路基板との位置ずれを防ぐことができる。

また、上記第４凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることが好ましい（請求項１６）。
この場合には、上記半導体モジュールにおける短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

（実施例１）
本発明の実施例にかかる電力変換装置につき、図１〜図４を用いて説明する。
本例の電力変換装置１は、図１に示すごとく、半導体モジュール２と、制御回路基板３と、バスバアッセンブリ４と、複数の冷却チューブ５とを備えている。
上記半導体モジュール２は、ＩＧＢＴ等の半導体素子を内蔵してなると共に、図３に示すごとく、主電極端子２１と制御電極端子２２とを有する。図１、図２に示すごとく、上記制御回路基板３には、上記半導体モジュール２の制御電極端子２２が接続されている。

上記バスバアッセンブリ４は、上記半導体モジュール２の主電極端子２１が接続される複数のバスバー４１により構成されている。図１、図２、図４に示すごとく、上記冷却チューブ５は、上記半導体モジュール２をその両面から冷却する。なお、図４は、上記制御回路基板３及びバスバアッセンブリ４を省略してある。また、冷却チューブ５は、３列以上配設することもでき、それらの間に形成された２列以上の間隙に上記複数の半導体モジュール２をそれぞれ配設することもできる。

上記電力変換装置１としては、例えば電気自動車用の走行モーターを制御するためのインバータ装置等がある。
図１〜図３に示すごとく、上記半導体モジュール２には、上記制御回路基板３との互いの位置決めを行うための第１凸部２３１を設けてある。図３に示すごとく、上記第１凸部２３１は、上記制御電極端子２２が突出した上記半導体モジュール２の下面２０１の端部に設けてある。なお、「下面」とは便宜的な名称であり、特にその向きが限定されるものではない。以下における「上」、「下」の表現についても同様であり、便宜的に制御電極端子２２側を「下」、主電極端子２１側を「上」として説明する。

一方、図１、図２に示すごとく、上記制御回路基板３には、上記第１凸部２３１を嵌入する第１嵌入部３３を設けてある。該第１嵌入部３３は、上記制御回路基板３を貫通する貫通孔からなり、図１、図２に示すごとく、上記第１凸部２３１は上記第１嵌入部３３に挿通されている。

また、上記半導体モジュール２には、上記バスバアッセンブリ４との互いの位置決めを行うための第２凸部２３２を設けてある。図３に示すごとく、上記第２凸部２３２は、上記主電極端子２１が突出した上記半導体モジュール２の上面２０２の端部に設けてある。そして、図２に示すごとく、上記バスバアッセンブリ４には、上記第２凸部２３２を嵌入する第２嵌入部４３を設けてある。該第２嵌入部４３は、上記バスバアッセンブリ４の表面を窪ませた凹部からなる。

また、図１に示すごとく、上記半導体モジュール２は、複数配設されており、各半導体モジュール２には、隣り合う他の半導体モジュール２との間の位置決めを行うための第３凸部２３３を設けてある。
また、上記半導体モジュール２には、隣り合う他の半導体モジュール２の上記第３凸部２３３を嵌入する第３嵌入部２９を設けてある。該第３嵌入部２９は、半導体モジュール２の側面２０３を窪ませた凹部からなる。
図３に示すごとく、上記第３凸部２３３及び上記第３嵌入部２９は、上記半導体モジュール２の２つの側面２０３にそれぞれ１個ずつ形成されている。

また、図１に示すごとく、上記第１凸部２３１、第２凸部２３２、第３凸部２３３は、いずれも四角柱形状を有し、電気絶縁性を有する絶縁部材からなる。一方、上記第１嵌入部３３、第２嵌入部４３、第３嵌入部２９は、それぞれ上記第１凸部２３１、第２凸部２３２、第３凸部２３３の断面形状と略同形状の四角形状に開口している。

また、上記半導体モジュール２は、封止樹脂部によって本体部２４が被覆されており、上記第１凸部２３１、第２凸部２３２、第３凸部２３３は、この封止樹脂部と一体成形されている。
図１〜図４に示すごとく、上記第１凸部２３１及び第２凸部２３２は、それぞれ上記半導体モジュール２の制御電極端子２２及び主電極端子２１よりも長く形成してある。

また、上記半導体モジュール２における外部放熱面２８（図３）を設けた一対の主面２０４に、図２に示すごとく、それぞれ熱伝導性に優れた絶縁板６を介して、上記冷却チューブ５が配設されている。なお、上記絶縁板６は必要に応じて設ければよく、該絶縁板６を介設しない場合にも当然本発明を適用することができる。また、図１、図４においては、絶縁体６を省略してある。
上記冷却チューブ５は、図１、図２、図４に示すごとく、冷却媒体を流通させる冷媒流路５１を複数設けてなる。

上記バスバアッセンブリ４は、図１に示すごとく、複数のバスバー４１と、該複数のバスバー４１を連結固定する絶縁体からなる基板部４２とを有する。上記バスバー４１は、昇圧回路やモーターに接続されるバスラインに接続されている（図示略）。

本例の電力変換装置１を組み立てるに当っては、まず図４に示すごとく、複数の半導体モジュール２を、互いの第３凸部２３３を互いの第３嵌入部２９に嵌入させて連結する。
次いで、上記冷却チューブ５を上記半導体モジュール２の両主面２０４から、上記絶縁板６を介して挟み込むように配設する。

次いで、上記バスバアッセンブリ４を、上記半導体モジュール２の上方に、上記第２凸部２３２が上記第２嵌入部４２に嵌入するようにして配設する。このとき、半導体モジュール２の主電極端子２１がバスバアッセンブリ４のバスバー４１に正確に当接する。

次いで、上記制御回路基板３を、半導体モジュール２の下方に、上記第１凸部２３１が上記第１嵌入部３３に嵌入するようにして配設する。このとき、半導体モジュール２の制御電極端子２２が、制御回路基板３の接続端子部のスルーホール３１に挿入される。
その後、上記主電極端子２１とバスバー４１、上記制御電極端子２２と接続端子部とを、それぞれ、溶接、ビス止め、はんだ付け等の手段を用いて接続する。

次に、本例の作用効果につき説明する。
上記のごとく、上記電力変換装置１は、上記半導体モジュール２に、上記制御回路基板３との互いの位置決めを行うための第１凸部２３１を設けてなる。そのため、図１、図２に示すごとく、上記第１凸部２３１を制御回路基板３に嵌入させることにより、半導体モジュール２と制御回路基板３との互いの位置決めをすることができる。

それ故、組み立て時において、上記半導体モジュール２と上記制御回路基板３との互いの位置決めを容易かつ正確に行うことができる。即ち、上記半導体モジュール２の制御電極端子２２を上記制御回路基板３における接続端子部に正確に接続することが容易となり、接続信頼性を向上させることができる。

また、上記制御電極端子２２と上記制御回路基板３との接続ずれを防止するための工程も不要となり、上記電力変換装置１の製造を容易に行うことができる。
また、組み立て後においても、上記第１凸部２３１によって、上記半導体モジュール２と制御回路基板３とが互いに位置決めされているため、両者の相対位置がずれる方向に負荷が掛かった場合に、上記制御電極端子２２に負荷が掛かることを防ぎ、接続信頼性を確保することができる。

また、上記制御回路基板３には上記第１嵌入部３３を設けてあるため、上記第１凸部２３１を上記第１嵌入部３３に嵌入することにより、上記半導体モジュール２と制御回路基板３との位置決めを、より正確に行うことができる。
また、上記第１凸部３３は角柱形状を有するため、上記第１凸部２３１を軸とした回転方向について、上記半導体モジュール２と制御回路基板３との位置ずれを防ぐことができる。

また、上記第１凸部２３１は電気絶縁性を有する絶縁部材からなるため、たとえ上記第１凸部２３１が、上記半導体モジュール２の制御電極端子２１や上記制御回路基板３の配線等に接触したとしても、短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

また、上記半導体モジュール２には、上記第２凸部２３２を設けてあるため、上記半導体モジュール２と上記バスバアッセンブリ４との互いの位置決めを容易かつ正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュール２の主電極端子２１と上記バスバアッセンブリ４のバスバー４１との接続を容易かつ正確に行うことができ、両者の接続信頼性を確保することができる。

また、図２に示すごとく、上記バスバアッセンブリ４には上記第２嵌入部４３を設けてあるため、上記半導体モジュール２と上記バスバアッセンブリ４との互いの位置決めをより容易かつ正確に行うことができる。
また、上記第２凸部２３２は角柱形状を有するため、上記第２凸部２３２を軸とした回転方向について、上記半導体モジュール２とバスバアッセンブリ４との位置ずれを防ぐことができる。
また、上記第２凸部２３２は絶縁部材からなるため、上記半導体モジュール２及びバスバアッセンブリ４における短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

また、上記半導体モジュール２は上記第３凸部２３３を設けてなるため、図１、図４に示すごとく、隣り合う上記半導体モジュール２同士の互いの位置決めを容易かつ正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュール２と、上記制御回路基板４等、周囲の部品との位置決めをも一層正確かつ容易に行うことができる。

また、上記半導体モジュール２には上記第３嵌入部２９を設けてあるため、隣り合う上記半導体モジュール２同士の互いの位置決めをより容易かつ正確に行うことができる。
また、上記第３凸部２３３は角柱形状を有するため、上記第３凸部２３３を軸とした回転方向について、隣り合う上記半導体モジュール２同士の位置ずれを防ぐことができる。
また、上記第３凸部２３３は絶縁部材からなるため、上記半導体モジュール２における短絡等の問題が生ずることを確実に防ぐことができる。

以上のごとく、本例によれば、半導体モジュールと制御回路基板との接続信頼性に優れ、正確かつ容易に製造することができる電力変換装置を提供することができる。

（実施例２）
本例は、図５に示すごとく、半導体モジュール２に設けた第１凸部２３１を、先端小径部２３５と該先端小径部２３５よりも外径の大きい大径部２３６とによって構成した例である。
半導体モジュール２と制御回路基板３とを組付けるに当っては、上記先端小径部２３５を制御回路基板４に設けた第１嵌入部３３に挿入し、上記大径部２３６と上記先端小径部２３５との間に形成された段部２３７を、上記第１嵌入部３３の周りにおける上記制御回路基板４の表面に当接させる。
上記第１嵌入部３３は、上記大径部２３６の外径よりも小さく、上記先端小径部２３５の外径よりも若干大きめの内径を有する貫通孔からなる。
その他は、実施例１と同様である。

これにより、上記第１嵌入部２３１を、上記制御回路基板３を貫通する貫通孔とした場合であっても、嵌入方向についての上記半導体モジュール２と制御回路基板３との位置決めをも容易かつ確実に行うことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

（実施例３）
本例は、図６〜図１０に示すごとく、半導体モジュール２に、冷却チューブ５との互いの位置決めを行うための第４凸部２３４を設けてある。
該第４凸部２３４は、上記半導体モジュール２の本体部の主面２０４から例えば２ｍｍ程度突出した角柱形状を有し、絶縁部材からなる。

図７、図８に示すごとく、上記冷却チューブ５には、上記第４凸部２３４を嵌入する第４嵌入部５３を設けてある。また、半導体モジュール２と冷却チューブ５との間に介設した絶縁板６には、上記第４凸部２３４を挿通する開口部６３が形成されている。
その他は、実施例１と同様である。

この場合には、上記半導体モジュール２と上記冷却チューブ５との間の位置決めを容易かつ正確に行うことができる。これにより、上記半導体モジュール２の冷却を確実に行うことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。

また、上記各実施例においては、第１凸部２３１、第２凸部２３２、第３凸部２３３、第４凸部２３４をそれぞれ角柱形状としているが、例えば、円柱形状等、他の形状とすることもできる。この場合には、各凸部の軸を中心とした回転方向の位置決めはできないが、第１凸部２３１、第２凸部２３２、第３凸部２３３、第４凸部２３４や、第１嵌入部３３、第２嵌入部４３、第３嵌入部２９、第４嵌入部５３の成形誤差等があっても無理なく組付けることができるという利点がある。

実施例１における、電力変換装置の斜視図。図１のＡ−Ａ線矢視断面図。実施例１における、半導体モジュールの斜視図。実施例１における、半導体モジュールと冷却チューブの斜視図。実施例２における、制御回路基板に嵌入させた第１凸部の説明図。実施例３における、電力変換装置の斜視図。図６のＢ−Ｂ線矢視断面図。実施例３における、第４凸部と第４嵌入部の説明図。実施例３における、半導体モジュールの斜視図。実施例３における、半導体モジュールと冷却チューブの斜視図。

符号の説明

１電力変換装置
２半導体モジュール
２１主電極端子
２２制御電極端子
２３１第１凸部
２３２第２凸部
２３３第３凸部
２３４第４凸部
２９第３嵌入部
３制御回路基板
３３第１嵌入部
４バスバアッセンブリ
４３第２嵌入部
５冷却チューブ
５３第４嵌入部

Claims

半導体素子を内蔵してなると共に主電極端子と制御電極端子とを有する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールの上記制御電極端子が接続される制御回路基板と、上記半導体モジュールの主電極端子が接続される複数のバスバーにより構成されたバスバアッセンブリと、上記半導体モジュールをその両面から冷却するための複数の冷却チューブとを備えた電力変換装置であって、
上記複数の半導体モジュールは、該半導体モジュールの両主面から上記冷却チューブによって挟み込まれるように配設されており、
上記半導体モジュール及び上記制御回路基板のいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第１凸部を設けてあり、
上記半導体モジュールと上記バスバアッセンブリのいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第２凸部を設けてあることを特徴とする電力変換装置。
請求項１において、上記制御回路基板及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第１凸部を嵌入する第１嵌入部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項２において、上記第１凸部は上記半導体モジュールに設けてあり、上記第１嵌入部は上記制御回路基板に設けてあり、上記第１凸部は、上記第１嵌入部に嵌入する先端小径部と、該先端小径部よりも外径の大きい大径部とを有し、該大径部と上記先端小径部との間に形成された段部は、上記第１嵌入部の周りにおける上記制御回路基板の表面に当接していることを特徴とする電力変換装置。
請求項２又は３において、上記第１凸部は角柱形状を有することを特徴とする電力変換装置。
請求項１〜４のいずれか１項において、上記第１凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１〜５のいずれか一項において、上記バスバアッセンブリ及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第２凸部を嵌入する第２嵌入部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項６において、上記第２凸部は角柱形状を有することを特徴とする電力変換装置。
請求項５〜７のいずれか１項において、上記第２凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１〜８のいずれか１項において、上記半導体モジュールは、複数配設されており、各半導体モジュールには、隣り合う他の半導体モジュールとの間の位置決めを行うための第３凸部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項９において、上記半導体モジュールには、隣り合う他の半導体モジュールの上記第３凸部を嵌入する第３嵌入部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１０において、上記第３凸部は角柱形状を有することを特徴とする電力変換装置。
請求項９〜１１のいずれか１項において、上記第３凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１〜１２のいずれか１項において、上記半導体モジュール及び上記冷却チューブのいずれか一方には、互いの位置決めを行うための第４凸部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１３において、上記冷却チューブ及び上記半導体モジュールのいずれか一方には、上記第４凸部を嵌入する第４嵌入部を設けてなることを特徴とする電力変換装置。
請求項１４において、上記第４凸部は角柱形状を有することを特徴とする電力変換装置。
請求項１３〜１５のいずれか１項において、上記第４凸部は電気絶縁性を有する絶縁部材からなることを特徴とする電力変換装置。