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JP3971541B2 - 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型 Download PDF

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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法及びその製造に用いられる分割金型に関し、より詳しくはチップサイズパッケージ構造を有した半導体装置の製造方法及びこれに用いられる分割金型に関する。
近年、電子機器及び装置の小型化の要求に伴い、半導体装置の小型化、高密度化が図られている。このために、半導体装置の寸法を半導体素子(チップ)の寸法に極力近づけ小型化を図った、いわゆるチップサイズパッケージ構造(以下、CSPという)タイプの半導体装置が提案されている。このCSPタイプの半導体装置は、小型化を維持しつつ信頼性の向上を図るため、チップが樹脂により封止された構成とされている。
【0002】
また、その一方において半導体装置はその生産性において高い効率化が望まれている。したがって、CSPタイプの半導体装置において樹脂を封止する工程においても、生産性を向上し高効率化を図る必要がある。
【0003】
【従来の技術】
例えば、図4から7に示されるようにCSPタイプの半導体装置が製造される。CSPタイプの半導体装置を製造するには、半導体素子が複数形成されている基板の上部に樹脂層を形成する処理が必要となる。図4に示す半導体装置製造用の分割金型20は大略すると上型21と下型22とにより構成されている。この上型21及び下型22には、共に図示しないヒータが内設されており、後述する封止樹脂35を加熱溶融しうる構成とされている。
【0004】
上型21は、図4中矢印Z1、Z2方向に昇降動作する構成とされている。また、上型21の下面は封止樹脂を加圧する加圧面21aとされており、この加圧面21aは平坦面とされている。
一方、下型22は、円筒状の第1の下型半体23とその外周に環状に配置される第2の下型半体24とにより構成されている。第1の下型半体23は、基板16の形状に対応した形状とされており、具体的には基板16の径寸法より若干大きな径寸法に設定されている。基板16は、この下型半体23の上面に形成された加圧面25に載置される。また、第2の下型半体24の側面には封止樹脂35の側面を規定するためのキャビティ面26が形成される。
【0005】
また、第2の下型半体24は、第1の下型半体23を囲繞するように略環状形状とされている。この第2の下型半体24は、第1の下型半体23に対して図中矢印Z1、Z2方向(上型21の加圧面21aに対し接離する方向)に昇降動作する構成とされている。
樹脂層形成工程の開始直前の状態では、図4に示すように、第2の下型半体24は第1の下型半体23に対してZ2方向に上動した状態となっており、よって前記した基板16は第1及び第2の下型半体23、24が協働して形成する凹部内に配置される。この際、基板16はバンプ12が形成された面が上側となるように供給される。よって装着状態において基板16に形成されたバンプ(突起電極)12は上型21と対向した状態となっている。
【0006】
上記のように下型22に基板16を配置し、続いて上型21の下部に離型用の離型シート30を配設すると共に、基板16のバンプ12上に封止樹脂35を載置する。この封止樹脂35を載置した状態を上型21から見た様子を示す図5において、参照番号11は分割前の複数の半導体素子を示している。
上記のように基板配置工程及び樹脂供給工程が終了すると、続いて樹脂層形成工程が実施される。樹脂層形成工程が開始されると、金型20による加熱により封止樹脂35が溶融し得る温度まで昇温したことを確認した上で、上型21がZ1方向に下動される。
【0007】
上型21をZ1方向に下動することにより、先ず上型21は第2の下型半体24の上面と当接する。この際、前記のように上型21の下部には離型シート30が配設されているため、上型21が第2の下型半体24と当接した時点で、図6に示されるように、離型シート30は上型21と第2の下型半体24との間でクランプされて挟持状態となる。また、図示せぬ真空源に接続されている吸引溝29に離型シート30の外周部が吸引されることで離型シート30へ一定の張力を付与し皺の発生を抑制する。この時点で、金型20内には前記した加圧面21a、25及び側面26により囲繞されたキャビティ28が形成される。
【0008】
また、封止樹脂35は下動する上型21により離型シート30を介して加圧される。封止樹脂35は溶融し得る温度まで昇温されているため、同図に示されるように、基板16上に押し広げられることになる。。
上型21が第2の下型半体24と当接すると、その後は上型21及び第2の下型半体24は離型シート30をクランプした状態を維持しつつ一体的にZ1方向に下動を行う。即ち、上型21及び第2の下型半体24は、共にZ1方向に下動する。
【0009】
これに対し、下型22を構成する第1の下型半体23は固定された状態を維持するため、図7に示すように、キャビティ28の容積は上型21及び第2の下型半体24の下動に伴い減少する。よって、封止樹脂35はキャビティ28内でさらに強く加圧されて基板16上に樹脂層が形成されることとなる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した製造工程にあっては、単に下型22の加圧面25に対し平行状態を維持するように上型21の加圧面21aを下動している。すなわち、製造しようとするCSPタイプの半導体装置の高さに近い幅となるまで上型21を下型22へ向けて下降させる。この下降により封止樹脂35に高い圧力を加えて押し潰すことで外方へ広げるようにしている。このような基板16への樹脂層形成工程では、封止樹脂35が載置された部分(通常は基板の略中央)の成型圧がその外周に比較して過度に高くなる。よって、基板の略中央位置していた半導体素子は高い成型圧をもって封止されることになる。その一方で、周辺に位置していた半導体素子は押し広げられ、比較的低い圧力となった樹脂により封止されることになる。このように樹脂層形成工程で成型圧に不均一性が生じるとこの後分割され製品化される単体の半導体装置にばらつきが生じる虞が生じる。また、今後さらに小型化、薄型化が進むと中央部に存在している半導体素子について過度な加圧を受けたことによる破損の虞、その一方で低い加圧の周辺に位置していた半導体素子について封止不良の状態となる虞もある。
【0011】
また、前記離型シートの配設に関して、前述した半導体製造装置にあっては、単に真空作用のみを利用して離型シートを吸着するようしていた。しかし、真空力で離型シートを保持するには限界があり、上記樹脂層形成工程で離型シートが上型21の表面から離脱する虞がある。また、樹脂層形成工程では封止樹脂の変形に伴って離型シートにも変形力が加わり皺が発生し、これを確実に除去しなければならないが真空作用を利用して離型シートを吸着している場合にはこの皺を完全に除去することが困難である。
【0012】
したがって、本発明の課題は、均一な成型圧を供給しつつ半導体素子を樹脂封止することができる半導体装置製造の方法及びこの方法に用いる金型を提供すること、並びに半導体装置製造工程で使用される離型シートの張力を確実に得ることができる金型を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、請求項1に記載される如く、
複数の半導体素子が形成された基板上に封止用の樹脂を載置し、第1の金型と第2の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法により樹脂封止した後、該基板を半導体装置単位に分割して半導体装置を製造する方法において、
前記第1の金型に前記基板を配置する基板配置工程と、前記第2の金型の加圧面に離型シートを配設する離型シート配設工程と、前記第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とを近づけて前記樹脂に成形圧を加える際に、該樹脂を順次外方へ流動するように加圧して、前記基板を該樹脂により封止する樹脂層形成工程とを有し、
前記分割金型は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされ前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁を有し、
前記樹脂層形成工程において、前記当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ前記押圧壁を前記吸引溝内に進入させることにより離型シートに張力を付与し、離型シートに生じる皺を除去しつつ該樹脂層形成工程を行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法、により達成される。
【0014】
請求項1記載の発明によれば、第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とが相対的に接近するにしたがって、第2の金型に接する側の樹脂から順次外方へ流動される。よって、樹脂が当初載置されていた周辺に過度の圧力が加わることがなく均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。
また、第 2 の金型による加圧は離型シートを介して行われる。よって、樹脂が第2の金型の加圧面に付着することを防止しつつ均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。
さらに、樹脂層形成工程において、当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ押圧壁を吸引溝内に進入させるので、離型シートを保持しつつ離型シートの張力を増すことができる。よって、樹脂層形成工程での離型シートの離脱や皺の発生を確実に防止することができる。
そして、請求項2に記載される如く、請求項1記載の半導体装置の製造方法は、前記第2の金型はインナー部及び該インナー部の周部に設けられ独立して可動な少なくとも1つのアウター可動部を有し、前記インナー部で前記樹脂を加圧して外方へ流動させ、該流動した樹脂をさらに前記アウター可動部で加圧することにより該樹脂を順次外方へ流動させる、構成とすることができる。
【0015】
請求項2に記載の発明では、先ずインナー部で樹脂を加圧して外方へ放射状に流動させ、次にこのインナー部側から流動してきた樹脂をアウター可動部で加圧するので、樹脂を円滑に外方へ導くことができる。よって、均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。なお、このアウター可動部は1に限るものではなく、同心状に拡大するように複数設けてもよい。
【0018】
さらに、上記課題は、請求項に記載される如く、第1の金型及び第2の金型を有し、複数の半導体素子が形成された基板を樹脂により封止して半導体装置を製造する分割金型において、
前記第2の金型は、前記第1の金型の加圧面に対して接離する方向で相対的に移動可能とされると共に、加圧面を有するインナー部及び該インナー部の周部に設けられ独立して可動な少なくとも1つの、加圧面を有するアウター可動部を有し、該アウター可動部の加圧面の外側に離型シートを保持しつつ張力を付与する離型シート保持手段を有し、
該離型シート保持手段は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされて前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁と、により構成されることにより
達成することができる。
【0019】
請求項記載の発明よれば、第2の金型のインナー部とアウター可動部は第1の金型の加圧面に対してその垂直方向において、それぞれ独立して可動できる。先ずインナー部で樹脂を加圧することにより外方へ流動させ、次にインナー部から流動してきた樹脂をアウター可動部でさらに外方へ流動させるようできる。よって、樹脂の一部に過度の加圧が掛かることが防止され、均一な形成圧により基板に樹脂層を形成することができる金型となる。
また、第2の金型の加圧面に離型シートが配設でき、この離型シートを保持しつつ張力を付与する分割金型となる。よって、離型シートに生じる皺を確実に抑制して樹脂層形成工程を行うことができる。
さらに、当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ押圧壁を吸引溝内に進入させるので、離型シートを保持しつつ離型シートの張力を増すことができる。よって、離型シートの離脱と皺の発生を確実に防止することができる分割金型となる。
【0020】
そして、請求項6に記載される如く、請求項5記載の分割金型は、
前記インナー部は円形状の加圧面を、前記アウター可動部は環状の加圧面を有する、構成とすることができる。
請求項6記載の発明では、円形状の加圧面を有するインナー部で樹脂を加圧することにより放射方向に流動させ、これを環状の加圧面を有するアウター可動部でさらに外方に流動させることができるので、均一な形成圧をもって基板に樹脂層を形成することができる金型となる。
【0023】
さらに、請求項に記載される如く、第1の金型及び第2の金型並びに該第2の金型の加圧面に離型シートを配設し、複数の半導体素子が形成された基板を樹脂により封止して半導体装置を製造する分割金型において、
前記第2の金型は、該第2の金型の加圧面の外側に離型シートを保持しつつ張力を付与する離型シート保持手段を有し、
前記離型シート保持手段は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされ前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁と、により構成することもできる。
【0025】
請求項の発明では、離型シートの離脱や皺の発生を確実に防止することができる分割金型となる。
そして、前記当接壁は、離型シートをクランプする挟持圧力が変更可能である挟持圧力付勢機構を有する構成としてもよい。この場合、必要応じて離型シートをクランプする挟持圧力を調整することができる。また、前記押圧壁は、離型シートを押圧する押圧力が変更可能である押圧力付勢機構を有する構成としてもよい。この場合、必要応じて離型シートを押圧する押圧力を調整することができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づき本発明の一実施例を説明する。
図1は本発明を適用した分割金型100の概要構成を示す図である。
分割金型100は、第1の金型140(以下、下型140とする)と第2の金型120(以下、上型120とする)を有している。
【0027】
下型140は封止用の樹脂135に圧力(形成圧)を加える加圧面141aを有する下型インナーダイ141と、この下型インナーダイ141の周囲を囲むように下型アウターダイ143が配置されている。下型140は図示せぬ駆動源により、Z1、Z2方向に上下動可能とされている。よって、相対的に見ると上型120は下型140の加圧面141aに対して接離する方向で移動可能となる。また、さらにアウターダイ143は、下型インナーダイ141に対して単独でZ1、Z2方向に上下動が可能である。
【0028】
下型インナーダイ141は略円筒形状であり、その加圧面141aは略円形状である。下型インナーダイ141外側の下型アウターダイ143は環状形である。加圧面141a上の略中央位置には複数の半導体素子が形成されている基板116が載置される。そして、基板116の略中央位置には封止用の樹脂135が載置される。
【0029】
上記下型アウターダイ143側には、後述する離型シート130を保持し、さらに張力を付与して皺の発生を防ぐ離型シート保持手段が設けられている。 この離型シート保持手段は、上型120に形成されている後述する円周溝126内へ進退可能とされて前記離型シートに張力を付与する環状の押圧壁(以下、プリテンショナー)147と、このプリテンショナー147の外側で上型120に向け立上がり上型120との間で離型シート130をクランプする環状の当接壁(以下、クランパー)145とからなる。プリテンショナー147は、その基部は付勢機構148により支持されている。この付勢機構148は例えばバネ力、空圧、油圧、磁力を介してプリテンショナー147をZ2方向に付勢している。よって、付勢機構148内の設定圧を変更することで離型シート130から皺を除去するのに必要な押圧力を得ることができる。同様にクランパー145の基部は付勢機構146により支持されており、付勢機構146内の設定圧を変更することで離型シート130を確実に挟持するのに必要な挟持圧力を得ることができる。
【0030】
また、下型アウターダイ143には、付勢機構148の内側に外方に向け傾斜している環状のテーパー部144が形成されている。このテーパー部144は樹脂層形成に伴って外方に押し出された余分な樹脂135の受け部となり、またその頂部144aは樹脂層形成工程の最後に製品側とバリ側(余分な樹脂側)とを切断するのに用いられる。
【0031】
次に上型120について説明する。上型120は略中央に位置する上型インナー部121、その外周に設けられる第1上型アウター可動部122、さらにその外周に設けられる第2上型アウター可動部123及び上型アウターダイ125を有している。本実施例では上型120は固定状態であり上型インナー部121はハウジング131を介して固定されている。上型インナー部121は固定状態となるが、前述したように下型140がZ1、Z2方向に可動であるので、相対的に見て上型インナー部121は下型140の加圧面141aに対して垂直な方向に可動となる。上型インナー部121は略円筒形状であり、その下面には樹脂135を加圧する略円形状の加圧面121aを有している。上型インナー部121は下型インナーダイ141と互いの中央位置が略一致するように配置されている。
【0032】
上型インナー部121の外周に接して、第1上型アウター可動部122が環状に配置されている。ただし、図2に示されるように第1上型アウター可動部122は油圧シリンダ132に接続されおり、上型インナー部121及び第2上型アウター可動部123に対して独立して上下動できるようになっている。この第1上型アウター可動部122の外周に接して、第2上型アウター可動部123が環状に配置されている。図2に示されるように、第2上型アウター可動部123も油圧シリンダ133に接続されおり、上型インナー部121及び第1上型アウター可動部122に対して独立して上下動できるようになっている。
【0033】
第1上型アウター可動部122の下面には環状の加圧面122aが、また第2上型アウター可動部123の下面には環状の加圧面123aが形成されている。そして、上型インナー部の加圧面121a及び加圧面122a、123aが同一面上に存在している時には実質的に1つの円形状をなすように各加圧面は平面性を有している。
【0034】
さらに第2上型アウター可動部123の外周側には、上型アウターダイ125が環状に配置されている。この上型アウターダイ125は図2に示すように、上型120のハウジング131に固定されており、上型インナー部121と一体的に上下動するようになっている。なお、図2では左右で第1上型アウター可動部122と第2上型アウター可動部123とが異なる位置にあり、これを中心線で合成して示している。左側は第1上型アウター可動部122及び第2上型アウター可動部123の両方が下動しておらず上型インナー部より上方にある初期状態、右側は第1上型アウター可動部122が単独で下動して上型インナー部と同一位置となり、第2上型アウター可動部123は下動しておらず上型インナー部より上方にある中間状態を示している。
【0035】
上型アウターダイ125の下面125aは上型インナー部121の加圧面121aと略同一の面内に形成されている。下面125aも環状であり、その表面には環状の吸引溝(以下、円周溝)126が形成されている。円周溝126は図示せぬ真空源に接続されており、その内部は負圧状態となっている。
なお、Z1、Z2方向で、前述した下型140のプリテンショナー147はこの円周溝126に対応する位置に配置されている。また、クランパー145は円周溝126の外側の下面125aに当接できる位置に配置されている。
【0036】
離型シート130は分割金型100を使用する際に上型120の下面に配設される。このとき離型シート130は上記加圧面121aに接するように配設され、円周溝126でサクションされて下面125a上に保持される。離型シート130として、例えばポリイミド、塩化ビニール、PC、PET、生分解性樹脂、合成紙等の紙、金属箔若しくはこれらの複合材料を用いることができる。
【0037】
また、上記封止用の樹脂135として、例えばポリイミド、エポキシ(PPS、PEEK、PES、及び耐熱性液晶樹脂等の熱可塑性樹脂)等の樹脂を用いることができる。本実施例では上記したように加圧面が円形状の分割金型を用ているので、樹脂135についても円柱形状に成形したものを準備することが好ましい。
【0038】
以上のような構成を有する分割金型100を用いてCSPタイプの半導体装置を製造する工程が図3(A)から(F)に示される。図3に基づきCSPタイプの半導体装置の製造工程を説明する。なお、図3(A)から(F)で示される各工程は、中心線の左右で略同様であるので左側半分のみを示している。
図3(A)は上型インナー部121の加圧面121aに離型シート130を配設する離型シート配設工程と、複数の半導体素子が形成されている基板116を下型インナーダイ141の加圧面141a上に配置する基板配置工程が完了した状態を示している。離型シート配設工程では、離型シート130の外周部側を円周溝126で吸着し保持することで、上型120の下面にセットし、上型インナー部121の加圧面121aに接した状態とする。
【0039】
なお、この時、上型インナー部121と第1上型アウター可動部122及び第2上型アウター可動部123の位置関係は、第1上型アウター可動部122及び第2上型アウター可動部123が上方(Z2)方向に退避して段状の空間を形成している。
図3(B)は基板116上に封止用の樹脂135を載置する樹脂載置工程である。樹脂135が基板116の略中央位置に載置される。この位置は上型インナー部121の加圧面121aの略中央位置に対応する。
【0040】
図3(C)以降の各図には、樹脂135を順次外側に流動させらながら基板116に樹脂層を形成して行く様子が示される。
図3(C)では、下型140が上型120に向け上昇する。この時上型アウターダイの下面125aにクランパー147の頂部が当接し、離型シート130の外周部をクランプし始める。その後、プリテンショナー147は円周溝126内へ進入状態となる。離型シート130はその外周部がクランプされ、その内側では円周溝126内に押込まれる。よって、下型140が上昇するにしたがって離型シート130は確実に挟持され、さらに強い張力が離型シート130へ付与される。したがって、離型シート130の離脱及び皺の発生は確実に防止される。
【0041】
さらに、図3(C)で、樹脂135への加圧状態を見ると、上型インナー部121の加圧面121aが樹脂135を加圧する。このとき、第1上型アウター可動部122及び第2上型アウター可動部123が上方(Z2)方向に退避した状態となっているのでその下に段状の空間が確保されている。よって、加圧面121aにより加圧された樹脂135は中心位置から放射状に流動するが、その外周には段状の空間が形成されているので上方へ迫出しながら外方に流動することになる。このよう樹脂135が流動する際に、従来とは異なる退避空間を設けているので、過度となり易い中央側の圧力が軽減され形成圧が均一化できる。
【0042】
下型140は、製造するCSPタイプの半導体装置の高さに対応した位置となるまで上型インナー部121の加圧面121aに向け上昇し、その後停止する。図3(D)で、第1上型アウター可動部122は上型インナー部121と同じ位置まで下降する。この時、加圧面122aが樹脂135を加圧するので、樹脂135はその外周に形成された第2上型アウター可動部123下に形成された段状の空間へ流動する。第1上型アウター可動部122は、その加圧面122aが上型インナー部121の加圧面121aと高さ位置が一致した時点で停止する。よって、加圧面122aと加圧面121aは実質的に均一な平面を形成することになる。
【0043】
図3(E)で、第2上型アウター可動部123も上型インナー部121が停止した位置と同じ位置まで下降する。この時、加圧面123aが樹脂135を加圧するので、樹脂135はさらに外側に押出されることになる。余分な樹脂135は下型アウターダイ143のテーパー部144に堆積する。
第2上型アウター可動部123もその加圧面123aが上型インナー部121の加圧面121a及び第1上型アウター可動部122の加圧面122aと高さ位置が一致した時点で停止する。よって、加圧面123a、加圧面122a及び加圧面121aは実質的に均一な平面を形成することになる。上記のように樹脂135を加圧するので、部分的に過度な圧力が生じることがなく順次中央から外方(放射方向)へ流動する。よって、基板116の各部での形成圧を均一な状態にして樹脂層を形成することがきる。
【0044】
そして、上記積層形成工程の間、クランパー145及びプリテンショナー147により離型シート130には皺が発生しないように強い張力が付与されているので、基板116上に形成された樹脂層は均一となる。
図3(F)では、下型アウターダイ143が上昇してテーパー部144が突出した状態となり、下型インナーダイ141から流出した余分な樹脂135と基板116側とを分断するようにトリミングを行う。そして、最後に、下型インナーダイ140をさらに上昇させて樹脂135を適性形成圧に維持して基板116への樹脂封止を完了する。
【0045】
前記実施例では、上型120の位置を固定状態として下型140側を上昇させる例について説明したが、その逆に下型140の位置を固定状態として上型120側を下降させる構成を同様に採用できることは言うまでもない。
さらに、前記実施例ではハウジング131に上型インナー部121が固定状態である例を示したが、上型インナー部121自身もハウジング131に対して上下可動とする構成を採用すると、上型120のハウジング131及び下型140を固定状態としても上型インナー部121、第1上型アウター可動部122及び第2上型アウター可動部123を適宜昇降することで同様に本発明を実施することができる。
【0046】
また、前記実施例では加圧面が円形或いは環状である例を示したが、加圧面の形状はこれらの形状に限定するものではない。また、吸引溝(円周溝)126、当接壁(クランパー)145及び押圧壁(プリテンショナー)147についても、環状に形成した場合に限定するものではない。
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【0047】
【発明の効果】
以上詳述したところから明らかなように、請求項1記載の発明によれば、第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とが相対的に接近するにしたがって、第2の金型に接する側の樹脂から順次外方へ流動される。よって、樹脂が当初配置されていた部分に過度の圧力が加わることがなく均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。
また、第2の金型による加圧は離型シートを介して行われる。よって、樹脂が第2の金型の加圧面に付着することを防止しつつ均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。
さらに、樹脂層形成工程において、当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ押圧円周壁を円周溝内に進入させるので、離型シートを保持しつつ離型シートの張力を増すことができる。よって、樹脂層形成工程での離型シートの離脱や皺の発生を確実に防止することができる。
【0048】
また、請求項2に記載の発明によれば、先ずインナー部で樹脂を加圧して外方へ放射状に流動させ、次にこのインナー部側から流動してきた樹脂をアウター可動部で加圧するので、樹脂を円滑に外方へ導くことができる。よって、均一な成形圧をもって基板に樹脂層を形成することができる。
【0049】
また、請求項記載の発明よれば、第2の金型のインナー部とアウター可動部は第1の金型の加圧面に対してその垂直方向において、それぞれ独立して可動できる。先ずインナー部で樹脂を加圧することにより外方へ流動させ、次にインナー部から流動してきた樹脂をアウター可動部でさらに外方へ流動させるようできる。よって、樹脂の一部に過度の加圧が掛かることが防止され、均一な形成圧により基板に樹脂層を形成することができる金型となる。
さらに、第2の金型の加圧面に離型シートが配設でき、この離型シートを保持しつつ張力を付与する分割金型となる。よって、離型シートに生じる皺を確実に抑制して樹脂層形成工程を行うことができる。
さらにまた、当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ押圧円周壁を円周溝内に進入させるので、離型シートを保持しつつ離型シートの張力を増すことができる。よって、離型シートの離脱と皺の発生を確実に防止することができる分割金型となる。
【0050】
また、請求項記載の発明によれば、円形状の加圧面を有するインナー部で樹脂を加圧することにより放射方向に流動させ、これを環状の加圧面を有するアウター可動部でさらに外方に流動させることができるので、均一な形成圧をもって基板に樹脂層を形成することができる金型となる。
【0052】
また、請求項の発明によれば、離型シートの離脱や皺の発生を確実に防止することができる分割金型となる。
【図面の簡単な説明】
【図1 】本発明を適用した実施例の分割金型の概要構成を示す図である。
【図2】図1に示す分割金型の上型の概要構成を示す図である。
【図3】図1に示した分割金型を用いてCSPタイプの半導体装置を製造する工程を説明する図である。
【図4】従来の半導体装置製造用の分割金型の概要構成を示す図である。
【図5】図4の金型について封止樹脂を載置した状態を上型から見たようすを示す図である。
【図6】図4の金型について離型シートが上型と第2の下型半体との間でクランプされた時の状態を示す図である。
【図7】図6の状態から上型をさらに下降させた状態を示す図である。
【符号の説明】
100 分割金型
116 基板
120 上型(第2の金型)
121 上型インナー部
121a 加圧面
122 第1上型アウター可動部
122a 加圧面
123 第2上型アウター可動部
123a 加圧面
126 円周溝(吸引溝)
130 離型シート
135 封止用樹脂
140 下型(第1の金型)
141 下型インナーダイ
143 下型アウターダイ
145 クランパー(当接壁)
147 プリテンショナー(押圧壁)

Claims (5)

  1. 複数の半導体素子が形成された基板上に封止用の樹脂を載置し、第1の金型と第2の金型とからなる分割金型を用いて圧縮成形法により樹脂封止した後、該基板を半導体装置単位に分割して半導体装置を製造する方法において、
    前記第1の金型に前記基板を配置する基板配置工程と、前記第2の金型の加圧面に離型シートを配設する離型シート配設工程と、前記第1の金型の加圧面と前記第2の金型の加圧面とを近づけて前記樹脂に成形圧を加える際に、該樹脂を順次外方へ流動するように加圧して、前記基板を該樹脂により封止する樹脂層形成工程とを有し、
    前記分割金型は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされ前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁を有し、
    前記樹脂層形成工程において、前記当接壁と第2の金型との間で離型シートを挟持しつつ前記押圧壁を前記吸引溝内に進入させることにより離型シートに張力を付与し、離型シートに生じる皺を除去しつつ該樹脂層形成工程を行う、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記第2の金型はインナー部及び該インナー部の周部に設けられ独立して可動な少なくとも1つのアウター可動部を有し、前記インナー部で前記樹脂を加圧して外方へ流動させ、該流動した樹脂をさらに前記アウター可動部で加圧することにより該樹脂を順次外方へ流動させる、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
  3. 第1の金型及び第2の金型を有し、複数の半導体素子が形成された基板を樹脂により封止して半導体装置を製造する分割金型において、
    前記第2の金型は、前記第1の金型の加圧面に対して接離する方向で相対的に移動可能とされると共に、加圧面を有するインナー部及び該インナー部の周部に設けられ独立して可動な少なくとも1つの、加圧面を有するアウター可動部を有し、該アウター可動部の加圧面の外側に離型シートを保持しつつ張力を付与する離型シート保持手段を有し、
    該離型シート保持手段は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされて前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁と、により構成されることを特徴とする分割金型。
  4. 前記インナー部の加圧面は円形状であり、前記アウター可動部の加圧面は環状であることを特徴とする請求項3記載の分割金型
  5. 第1の金型及び第2の金型並びに該第2の金型の加圧面に離型シートを配設し、複数の半導体素子が形成された基板を樹脂により封止して半導体装置を製造する分割金型において、
    前記第2の金型は、該第2の金型の加圧面の外側に離型シートを保持しつつ張力を付与する離型シート保持手段を有し、
    前記離型シート保持手段は、前記第2の金型の加圧面の外側に形成され離型シートを吸着する吸引溝と、前記第1の金型の加圧面の外側に形成され前記吸引溝内に進退可能とされ前記離型シートに張力を付与する押圧壁と該押圧壁の外側で前記第2の金型に向け立上がり第2の金型との間で離型シートをクランプする当接壁と、により構成されることを特徴とする分割金型
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