JP3875175B2

JP3875175B2 - Aluminum alloy substrate for magnetic disk and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3875175B2
Application number: JP2002311933A
Authority: JP
Inventors: 秀俊梅田; 良則加藤; 晃三星野
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 2002-10-25
Filing date: 2002-10-25
Publication date: 2007-01-31
Anticipated expiration: 2022-10-25
Also published as: JP2004143559A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法に関し、特に、アルミニウム合金基板の表面に形成された無電解ＮｉＰメッキ膜の表面に発生する微細な凹凸を抑制でき、高記録密度化を可能にする磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
外部記録装置の一つである磁気ディスク装置は、情報を記録（保存）するための磁気ディスク及び磁気ディスクに情報を書込み又は再生するための磁気ヘッドからなる。近年、このような磁気ディスク及び磁気ヘッドの性能は大幅に向上し、近い将来には、面記録密度１００Ｇｂ／ｉｎ^２が達成されようとしている。また、このような磁気ディスク装置は、一般に、パソコン用の外部記録装置として使用されているが、最近では、テレビ用録画機等家電製品へも搭載され始めており、低コスト化が強く求められている。
【０００３】
従来より、磁気ディスク用基板としては、軽量及び非磁性であると共に加工性に優れ、且つ低コストなアルミニウム合金基板が使用されている。しかし、アルミニウム合金基板は表面硬度が低いため、磁気ヘッドが磁気ディスクに衝突した際に記録層が破壊され易い。また、記録密度を高めるためには、磁気ヘッドを低浮上量で安定浮上させる必要があるが、それに必要な基板の高平滑性がアルミニウム合金板単独では得られ難いといった問題もある。このため、一般に磁気ディスク用基板としては、アルミニウム合金基板表面に硬度が比較的高い無電解ＮｉＰメッキ膜を１０μｍ程度形成したＮｉＰメッキアルミニウム合金基板（以下、ＮｉＰメッキＡｌ基板という）が使用されている。前記ＮｉＰメッキＡｌ基板は、次のようにして作製されている。
【０００４】
先ず、溶解及び圧延により所望の合金種、調質及び板厚に調整されたアルミニウム合金板を打抜きプレスにより所定のドーナツ状に打抜く。次に、基板内で均一な特性を持たせるためにＯ材化を行い、更に、平坦度を向上させるために、高平坦度を有するスペーサー間に積み付けして全体を加圧しながら焼鈍する（加圧焼鈍）。一般に、加圧焼純後のものをブランクという。その後、ブランクの内外径端部に、所定の端面加工を施す。
【０００５】
次に、端面加工を施したアルミニウム合金板を、自動両面研削機に予めセットされたキャリアのポケット内にセットし、砥石により目標の板厚になるまで研削加工する。このようにして得られたアルミニウム合金基板は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が１００Å程度と極めて平滑な表面状態を有しているが、磁気ディスク用基板としての要求仕様は満足していない。そこで、前記研削加工を２段階にしたり、切削後に更に研削したりする場合もあるが、そうした場合でも目標とする表面粗さは得られず、更に、アルミニウム合金基板の表面にジンケート処理を施し、無電解ＮｉＰメッキ膜を形成した後、Ｒａが１０Å以下になるようにＮｉＰメッキ膜の表面を研磨して磁気ディスク用基板としている。
【０００６】
一般的な磁気ディスクは、前記ＮｉＰメッキＡｌ基板上に、磁気特性を高めるための下地膜、Ｃｏ系合金からなる磁性膜及び、磁性膜を保護するためのＣからなる保護膜をスパッタリングにより形成する。
【０００７】
また、磁気ヘッドの低浮上量化を達成するためには、磁気ディスク用基板の高平坦化及び高平滑化が重要である。磁気ディスク装置の動作時には、高速で回転する磁気ディスク上を、磁気ヘッドが数百Å以下の超低浮上量で浮上しているため、記録密度によっては、磁気ディスク表面にある数十μｍ乃至数ｍｍ周期の微小なうねりが問題となる。磁気ディスク表面にこのような微小なうねりがあると、磁気ヘッドの浮上安定性が損なわれ、ノイズ成分が増大したり、モジュレーションエラーが発生したりする。更に、場合によっては、ヘッドクラッシュに至り、磁気ディスクに記録された情報が破壊されるといった問題が発生する。このため、磁気ディスクを高記録密度化するためには、基板においても、表面の微小なうねりを低減する必要がある。
【０００８】
そこで、磁気ディスク用基板の表面の微小なうねりを低減する方法として、ＮｉＰメッキ後の研磨加工を複数段に分ける方法（特許文献１参照）、及びＮｉＰメッキ後の粗研磨に従来使用していたものより硬い研磨布を使用する方法（特許文献２参照）等が提案されている。また、中間焼鈍条件及び合金成分を規定することにより基板の表面性を向上させる方法（特許文献３参照）、及びディスクが積み付けられた状態での焼鈍条件を規定してＭｇ_２Ｓｉ金属間化合物の個数を制御することにより基板の表面性を向上させる方法（特許文献４参照）等が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１０４９２号公報（第２−３頁）
【特許文献２】
特開２００１−１４８１１６号公報（第２−６頁）
【特許文献３】
特開平７−３３１３９７号公報（第２−６頁）
【特許文献４】
特開平９−２３５６４０号公報（第２−５頁）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１及び２のＮｉＰメッキ後に研磨を行う方法では、目標とする表面状態は得られていないのが現状である。また、特許文献３の方法は、ブランクとなる前の中間焼鈍の条件を規定したものであるため、その後に行う焼鈍等により状態が変化し、磁気ディスク用基板として求められている表面性が得られない。同様に、特許文献４の方法もディスクが積み付けられた状態での加圧焼鈍後の冷却条件を規定したものであるため、研削加工後の焼鈍条件によって、基板の表面状態が変化してしまう。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、ＮｉＰメッキ後も表面に微小なうねりを発生することなく、高平坦度及び高平滑度な表面が得られ、磁気ディスクの高密度化が可能な磁気ディスク用アルミニウム合金基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制し、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下であることを特徴とする。本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板表面には、ＮｉＰメッキが施されていてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法は、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％、Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％及びＣｒ：０．０２乃至０．２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＦｅを０．０５質量％以下、Ｓｉを０．０５質量％以下、その他の不可避的不純物元素を夫々０．０２質量％以下に規制した組成を有するアルミニウム合金材を、３００乃至４００℃に３０分間以上保持した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却し、その後、ＮｉＰメッキを行うことにより、結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数が１ｍｍあたり平均で１個以下である磁気ディスク用アルミニウム合金基板を製造することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。一般に、ＮｉＰメッキＡｌ基板においては、膜の密着性及び平滑性を高めるため、ＮｉＰメッキの前処理としてアルミニウム合金板表面にジンケート処理を行うが、本発明者等は、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面の微小なうねりは、前記ジンケート処理後の表面状態を反映していることを見出した。前記ジンケート処理においては、アルミニウム合金結晶粒の結晶方位の違いによりＺｎの析出状態が異なり、そのため、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面には結晶粒の分布を反映した表面模様が生じる。アルミニウム合金基板上に形成されるＮｉＰメッキ膜は、これらの結晶粒模様を反映した形で成長するため、ＮｉＰメッキ膜表面には微小な凹凸が生じ、それが微小なうねりとなる。本発明者等の実験研究により、このような結晶粒模様は、アルミニウム合金中のＺｎ濃度を高めることで低減されることが判明した。しかし、その後、アルミニウム合金中のＺｎ含有量が一定量以上に増加すると、結晶粒界にはＡｌ-Ｍｇ-Ｚｎ系金属間化合物が多数析出することを見出した。更に、前記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物は、ＮｉＰメッキの前処理時の酸エッチングにより溶解してピットを形成し、その後のジンケート処理工程では前記ピットが更に成長し、結晶粒界に沿ったピットが形成されることも判明した。このような微小ピットは、前記結晶粒模様と同様に、ＮｉＰメッキ膜表面の微小な凹凸の発生原因となるため、磁気ディスクの高記録密度化においては重大な問題となる。このため、本発明者等は、本発明の特許請求の範囲に記載の要件を満足することにより、上記課題を解決できることを見出した。即ち、本発明によると、ＮｉＰメッキ膜表面に微小な凹凸又は微小ピットが発生するのを防ぐことができるため、表面に微小なうねりが発生することなく、高平坦度及び高平滑度な表面を有し、磁気ディスクの高密度化が可能な磁気ディスク用ＮｉＰメッキＡｌ基板を作製することができる。
【００１５】
本発明のアルミニウム合金基板に加工されるアルミニウム合金板は、溶解、鋳造、圧延及び熱処理を行う一般的な方法により得られ、溶解時に、アルミニウム原料に各種元素を添加することにより、所望の組成のアルミニウム合金とするものである。また、この鋳塊を圧延する際の圧延条件及び熱処理条件を調節することにより、板厚及び強度等を変更することができる。
【００１６】
次に、本発明における各成分の限定理由ついて説明する。
【００１７】
Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％
Ｍｇ含有量が３．０質量％より少ない場合、磁気ディスク用基板としての強度が不足する。また、Ｍｇ含有量が６．０質量％を超えると、熱間圧延時にアルミニウム合金板に割れが発生する等、加工性が低下する。よって、Ｍｇ含有量は３．０乃至６．０質量％の範囲とする。
【００１８】
Ｃｕ：０．０１乃至０．２質量％
Ｃｕは、ジンケート処理においてＺｎの析出形態に影響を及ぼし、これにより、ＮｉＰメッキ膜表面の品質（例えば、ピットの発生等）が決定する。Ｃｕ含有量が０．０１質量％未満では、ジンケート処理におけるＺｎの析出が基板表面内で不均一となり、ＮｉＰメッキ膜の表面に微小な凹凸を生じる等の問題が発生する。また、Ｃｕ含有量が０．２質量％を超えるとジンケート処理で生じたピットに起因し、ＮｉＰメッキ膜表面にもピットが発生する。このため、Ｃｕ含有量は、０．０１乃至０．２質量％の範囲とする。
【００１９】
Ｚｎ：０．２５乃至１．０質量％
Ｚｎは、Ｃｕと同様にジンケート処理においてＺｎの析出形態に影響を及ぼし、これにより、ＮｉＰメッキ膜表面の品質（例えば、ピットの発生等）が決定される。Ｚｎ含有量が０．２５質量％未満では、ジンケート処理におけるＺｎの析出が基板表面内で不均一となり、ＮｉＰメッキ膜の表面に微小な凹凸を生じる等の問題が発生する。また、Ｚｎ含有量が１．０質量％を超えるとジンケート処理で生じたピットに起因し、ＮｉＰメッキ膜表面にもピットが発生する。更には、アルミニウム合金結晶粒界にＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を形成し易くなる。このため、Ｚｎ含有量は、０．２５乃至１．０質量％の範囲とする。
【００２０】
Ｃｒ：０．０１乃至０．２質量％
Ｃｒ含有量が０．０１質量％より少ないと、最大長１００μｍを超えるような粗大な結晶粒が生成し易くなる。このような不均一な結晶粒組織は、ジンケート処理においてＺｎの析出が不均一となるため好ましくない。また、Ｃｒ含有量が０．２質量％を超えると、Ａｌ−Ｃｒ系の粗大な金属間化合物（例えば、ＣｒＡｌ_７等）が生成するため、ＮｉＰメッキ膜を形成した場合にメッキ膜表面にピットのような欠陥が生じる。このため、Ｃｒ含有量は、０．０１乃至０．２質量％の範囲とする。
【００２１】
Ｆｅ：０．０５質量％以下
Ｆｅは、必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合し、ＮｉＰメッキ膜において欠陥原因となる金属間化合物（例えば、ＦｅＡｌ_３又はＦｅＡｌ_６等）を生成するため、規制する必要がある。Ｆｅ含有量が０．０５質量％を超えると、ジンケート処理時に前記金属間化合物が脱落して表面に大きなピットを形成し、メッキ欠陥の原因になるため、Ｆｅ含有量は０．０５質量％以下とする。
【００２２】
Ｓｉ：０．０５質量％以下
Ｓｉも、Ｆｅと同様に、必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合し、欠陥原因となる金属間化合物（例えば、Ｍｇ_２Ｓｉ等）を生成するため、厳しく規制する必要がある。Ｓｉ含有量が、０．０５質量％より多くなると大きな金属間化合物を生成し、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面に大きなピットを形成するため、Ｓｉ含有量は０．０５質量％以下とする。
【００２３】
なお、本発明のアルミニウム合金基板に含まれるその他の不可避的不純物としては、例えばＭｎ及びＴｉ等が挙げられるが、これらも必須元素であるＡｌ及びＭｇと結合して金属間化合物を生成し、ＮｉＰメッキ膜の形成時にピット又はノジュールの発生原因となるため、夫々の含有量は０．０２質量％以下とする。
【００２４】
結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が平均で１個／ｍｍ以下
アルミニウム合金結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を平均で１個／ｍｍ以下とすることにより、メッキ前処理の酸エッチング及びジンケート処理工程における粒界ピットの発生起点を抑制し、ジンケート処理面が平滑化される。それにより、ＮｉＰメッキ膜表面に発生する微小な凹凸に起因する微小なうねりがなくなり、高記録密度化が可能な高平滑度な表面が得られる。なお、ここで使用している単位（個／ｍｍ）は、各アルミニウム合金結晶粒の粒界を長さで表わした場合、単位長さ（１ｍｍ）当たりに存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数の平均値を示す。
【００２５】
また、本発明の磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法においては、上記規定の組成を有するアルミニウム合金基板を、３００乃至４００℃に３０分間以上保持した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却し（フリー焼鈍）、その後、ＮｉＰメッキを行う。
【００２６】
前記アルミニウム合金基板の結晶粒界に存在する最大幅０．０２μｍ以上、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物を、平均で１個／ｍｍ以下とするためには、研削及び切削等の表面加工後に前記フリー焼鈍を行い、その際の熱処理温度及び冷却速度を一定範囲に規制することが有効である。メッキ前処理工程前の焼鈍温度が３００℃未満の場合、アルミニウム合金結晶粒界に形成されたＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解せず残存する。また、前記焼鈍温度が４００℃を超えるとアルミニウム合金基板表面の酸化が激しくなり、アルミニウム合金結晶粒毎の酸化皮膜の厚さに差を生じ、ジンケート処理後の表面における結晶粒模様が顕著になる。従って、メッキ前処理前の焼鈍温度は３００乃至４００℃の範囲とする。一方、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度が２００℃／分未満の場合、焼鈍温度が高いため、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解していても、降温過程においてＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が再析出する。よって、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度は２００℃／分以上とする。
【００２７】
なお、前記フリー焼鈍は、ＮｉＰメッキの前処理工程を行う前で、表面加工後に行うのが好ましく、例えば、２段研削の場合は、１回目の研削後若しくは２回目の研削後、又は１回目の研削後及び２回目の両方の研削後に行う。
【００２８】
【実施例】
以下、本発明の特許請求の範囲を満たす実施例の効果について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して具体的に説明する。始めに、本願第１発明の実施例及び比較例として、下記表１に示すアルミニウム合金を使用し、以下の製造工程により、板厚１．２５ｍｍの３．５インチタイプの磁気ディスク用アルミニウム合金基板を作製した。
【００２９】
表１におけるＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数は、フリー焼鈍後のアルミニウム合金基板から試片を切り出し、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope：透過型電子顕微鏡）により、２０個のアルミニウム合金結晶粒の粒界を観察し、それにより得られた最大幅０．０２μｍ、最大長さ０．１μｍ以上のＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の合計数を全粒界長さで割ることにより、単位長さ当たりに存在する前記Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物の数の平均値とした。
【００３０】
【表１】

【００３１】
アルミニウム合金基板の製造工程は、表１に示した組成のアルミニウム合金を溶解した後、板厚５０ｍｍに鋳造し、面削した後、５４０℃で８時間加熱して均質化処理し、最終板厚が３ｍｍになるように熱間圧延した。その後、最終板厚が１．３ｍｍになるように冷間圧延し、３４０℃で３時間加圧焼鈍した。その際の冷却速度は８０℃／分とした。更に、端面加工をした後、２段の研削加工により最終板厚を１．２５ｍｍとしたアルミニウム合金基板を、３００乃至４００℃の焼鈍温度で３０分焼鈍した後、３５０乃至２００℃の温度範囲が２００℃／分以上の冷却速度となるように冷却した。（フリー焼鈍）。
【００３２】
前記工程により得られたアルミニウム合金基板について、下記の方法により各種項目について評価を行った。
【００３３】
１．引張強さ
冷間圧延後のアルミニウム合金基板を３４０℃にてＯ材化処理した後、引張り方向が圧延方向と平行になるようにＪＩＳ５号による引張り試験片を作製した。その後、引張り試験を実施し、引張り強さを求めた。なお、引張り強さが２３０Ｎ／ｍｍ^２以上であれば、磁気ディスク用基板として問題なく使用することができる。
【００３４】
２．ジンケート処理によるＺｎの析出形態
アルミニウム合金基板に下記の処理工程を行い、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）により、ジンケート処理後のアルミニウム合金基板表面におけるＺｎの析出形態を観察した。その際、Ｚｎが皮膜状に均一析出していた場合を○、Ｚｎが皮膜状及び粒状の析出の中間であった場合を△、Ｚｎが粒状に不均一析出していた場合を×として評価した。
＜処理工程＞
アルカリ脱脂（６０℃×５分間） → 水洗 → 酸エッチング（６５℃×２分間） → 水洗 → 硝酸デスマット（室温×１分間） → 水洗 → １次ジンケート → 水洗 → 硝酸剥離 → 水洗 → ２次ジンケート → 水洗 → 乾燥
【００３５】
３．ＮｉＰメッキ膜形成後のメッキ膜の表面観察
ジンケート処理後、無電解メッキによりアルミニウム合金基板上にＮｉＰメッキ膜を約１０μｍ形成した。その後、両面研磨機（スピードファム社製-１８Ｂ）により表面を研磨し、その表面を光学顕微鏡で観察することにより、ピットの発生状況を各アルミニウム合金基板で比較した。今回の評価では、ピットが見られた場合を×、ピットが見られなかった場合を○とした。以上の評価結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】

【００３７】
表２に示すように、比較例６及び７は、Ｚｎ含有量が本発明の範囲より少ないため、Ｚｎの析出が不均一であった。一方、Ｚｎの含有量及びＡｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物数が本発明の範囲より多い比較例８は、表面にピットが発生した。また、Ｍｇ含有量及びＣｕ含有量が本発明の範囲より多い比較例９及１０でも同様に表面にピットが発生した。Ｃｒを含有していない比較例１１は、Ｚｎの析出が不均一であった。更に、Ｆｅ含有量が本発明の範囲を超えている比較例１２及びＳｉ含有量が本発明の範囲を超えている比較例１３では、金属間化合物が形成され、ピットが発生した。
【００３８】
これに対し、本願第１発明の請求範囲内で作製した実施例１乃至３のアルミニウム合金基板は、ジンケート処理によりＺｎがアルミニウム合金基板の表面に均一に析出した。また、ＮｉＰメッキ膜形成及び研磨を行った後においても、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面にピットは発生しなかった。更に、本実施例のアルミニウム合金基板にＮｉＰメッキ膜を形成した後、研磨してＮｉＰメッキＡｌ基板としたものに、Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ合金磁性膜及びＣ保護膜を形成して磁気ディスクとしたところ、エラーもなく高密度記録が可能であった。
【００３９】
次に、本願第２発明の実施例及び比較例として、下記表３に示すアルミニウム合金を使用し、前述した第１発明の実施例と同様の製造工程により、板厚１．２５ｍｍの３．５インチタイプの磁気ディスク用アルミニウム合金基板を作製した。但し、焼鈍温度及び３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却速度は表４に示す条件とした。
【００４０】
【表３】

【００４１】
【表４】

【００４２】
前記工程により得られたアルミニウム合金基板について、前述した第１発明の実施例と同様の評価方法により評価を行った。その結果を表５に示す。
【００４３】
【表５】

【００４４】
表４に示すように、比較例１４は、焼鈍温度が本発明の範囲より高いため、アルミニウム合金基板表面の酸化が激しく、Ｚｎの析出が不均一であった。また、焼鈍温度が本発明の範囲より低い比較例１５は、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が完全に溶解せずに残存したため、本発明の範囲を超え、ピットが発生した。更に、３５０乃至２００℃の温度範囲における冷却温度が２００℃／分未満の比較例１６でも、Ａｌ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が再析出したため、本発明の範囲を超え、ピットが発生した。
【００４５】
これに対し、本願第２発明の請求範囲内で作製した実施例４及び５のアルミニウム合金基板は、ジンケート処理によりＺｎがアルミニウム合金基板の表面に均一に析出し、ＮｉＰメッキ膜形成及び研磨を行った後においても、ＮｉＰメッキＡｌ基板表面にピットは発生しなかった。また、本実施例のアルミニウム合金基板にＮｉＰメッキ膜を形成した後、研磨してＮｉＰメッキＡｌ基板としたものに、Ｃｒ下地膜、ＣｏＣｒＴａ合金磁性膜及びＣ保護膜を形成して磁気ディスクとしたところ、エラーもなく高密度記録が可能であった。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、磁気ディスク用アルミニウム合金基板において、各含有成分の量を限定し、ＮｉＰメッキを行う前に所定の条件でフリー焼鈍を行うことにより、磁気ディスクの高記録密度化で問題となるＮｉＰメッキ膜表面の微小な凹凸に起因する微小なうねりが発生しない磁気ディスク用アルミニウム合金基板が得られる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a method for manufacturing the same, and in particular, fine irregularities generated on the surface of an electroless NiP plating film formed on the surface of the aluminum alloy substrate can be suppressed, and a high recording density can be achieved. The present invention relates to an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
A magnetic disk device as one of external recording devices includes a magnetic disk for recording (storing) information and a magnetic head for writing or reproducing information on the magnetic disk. In recent years, the performance of such magnetic disks and magnetic heads has been greatly improved, and an area recording density of 100 Gb / in ² is about to be achieved in the near future. In addition, such a magnetic disk device is generally used as an external recording device for a personal computer, but recently, it has begun to be installed in home appliances such as a TV recorder, and there is a strong demand for cost reduction. Yes.
[0003]
Conventionally, as a substrate for a magnetic disk, an aluminum alloy substrate that is light and non-magnetic, has excellent workability, and is low in cost has been used. However, since the aluminum alloy substrate has a low surface hardness, the recording layer is easily destroyed when the magnetic head collides with the magnetic disk. Further, in order to increase the recording density, it is necessary to stably float the magnetic head with a low flying height, but there is also a problem that the high smoothness of the substrate necessary for it is difficult to obtain with an aluminum alloy plate alone. For this reason, a NiP-plated aluminum alloy substrate (hereinafter referred to as a NiP-plated Al substrate) in which an electroless NiP plating film having a relatively high hardness is formed on the surface of an aluminum alloy substrate to about 10 μm is generally used as a magnetic disk substrate. . The NiP plated Al substrate is produced as follows.
[0004]
First, an aluminum alloy plate adjusted to a desired alloy type, tempering and plate thickness by melting and rolling is punched into a predetermined donut shape by a punching press. Next, in order to have uniform characteristics in the substrate, O material is made, and in order to further improve the flatness, it is stacked between spacers having high flatness and annealed while pressing the whole ( Pressure annealing). Generally, the one after pressure sinter is called a blank. Thereafter, predetermined end face processing is performed on the inner and outer diameter end portions of the blank.
[0005]
Next, the end surface processed aluminum alloy plate is set in a pocket of a carrier set in advance in an automatic double-side grinding machine, and is ground by a grindstone until a target plate thickness is reached. The aluminum alloy substrate thus obtained has a very smooth surface state with a center line average roughness (Ra) of about 100 mm, but does not satisfy the required specifications as a magnetic disk substrate. Therefore, there are cases where the grinding process is performed in two stages or further grinding after cutting, but even in such a case, the target surface roughness cannot be obtained, and further, the surface of the aluminum alloy substrate is subjected to a zincate treatment, After the formation of the electroless NiP plating film, the surface of the NiP plating film is polished so that Ra is 10 mm or less to obtain a magnetic disk substrate.
[0006]
In a general magnetic disk, a base film for enhancing magnetic properties, a magnetic film made of a Co-based alloy, and a protective film made of C for protecting the magnetic film are formed on the NiP plated Al substrate by sputtering. .
[0007]
In order to achieve a low flying height of the magnetic head, it is important to make the magnetic disk substrate flat and smooth. During the operation of the magnetic disk device, the magnetic head floats on the magnetic disk rotating at a high speed with an ultra-low flying height of several hundreds of millimeters or less. Minute waviness with a period of mm is a problem. If such a slight undulation is present on the surface of the magnetic disk, the flying stability of the magnetic head is impaired, noise components increase, and a modulation error occurs. Further, depending on the case, there is a problem that the head crashes and information recorded on the magnetic disk is destroyed. For this reason, in order to increase the recording density of the magnetic disk, it is necessary to reduce the fine waviness on the surface of the substrate as well.
[0008]
Therefore, as a method of reducing minute waviness on the surface of the magnetic disk substrate, a method of dividing polishing after NiP plating into a plurality of stages (see Patent Document 1) and a conventional method of rough polishing after NiP plating have been used. A method of using a polishing cloth harder than the one proposed (see Patent Document 2) has been proposed. In addition, a method for improving the surface properties of the substrate by defining intermediate annealing conditions and alloy components (see Patent Document 3), and annealing conditions in a state in which the disks are stacked define Mg ₂ Si intermetallic compounds. A method of improving the surface property of the substrate by controlling the number of the substrate (see Patent Document 4) has been proposed.
[0009]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 11-10492 (page 2-3)
[Patent Document 2]
JP 2001-148116 A (page 2-6)
[Patent Document 3]
JP 7-331397 A (page 2-6)
[Patent Document 4]
JP-A-9-235640 (Page 2-5)
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the methods of performing polishing after NiP plating in Patent Documents 1 and 2, the target surface state is not obtained at present. Moreover, since the method of patent document 3 prescribes | regulates the conditions of the intermediate annealing before becoming a blank, a state changes by annealing performed after that, etc., and the surface property calculated | required as a board | substrate for magnetic disks is obtained. I can't. Similarly, since the method of Patent Document 4 also defines cooling conditions after pressure annealing in a state where disks are stacked, the surface condition of the substrate changes depending on the annealing conditions after grinding. .
[0011]
The present invention has been made in view of such a problem, and a surface with high flatness and high smoothness can be obtained without generating minute waviness on the surface even after NiP plating, and the density of the magnetic disk is increased. An object of the present invention is to provide an aluminum alloy substrate for a magnetic disk and a method for manufacturing the same.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
The aluminum alloy substrate for a magnetic disk according to the present invention has Mg: 3.0 to 6.0 mass%, Cu: 0.01 to 0.2 mass%, Zn: 0.25 to 1.0 mass%, and Cr: It contains 0.02 to 0.2% by mass, and the balance is made of Al and inevitable impurities. Of the inevitable impurities, Fe is 0.05% by mass or less, Si is 0.05% by mass or less, and other inevitable The number of Al-Mg-Zn-based intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 μm or more and a maximum length of 0.1 μm or more present at grain boundaries per 1 mm It is characterized by an average of 1 or less. The surface of the aluminum alloy substrate for magnetic disks of the present invention may be subjected to NiP plating.
[0013]
The method for producing an aluminum alloy substrate for a magnetic disk according to the present invention includes Mg: 3.0 to 6.0 mass%, Cu: 0.01 to 0.2 mass%, Zn: 0.25 to 1.0. % By mass and Cr: 0.02 to 0.2% by mass with the balance being Al and unavoidable impurities, of which 0.05% by mass or less of Fe and 0.05% by mass of Si. Hereinafter, after holding an aluminum alloy material having a composition in which other inevitable impurity elements are regulated to 0.02% by mass or less at 300 to 400 ° C. for 30 minutes or more, a temperature range of 350 to 200 ° C. is 200 ° C. / By cooling to a cooling rate of at least min, and then performing NiP plating, between Al-Mg-Zn-based metals having a maximum width of 0.02 μm or more and a maximum length of 0.1 μm or more present at the grain boundaries Number of compounds Is an aluminum alloy substrate for a magnetic disk having an average of 1 or less per mm.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. In general, in order to improve the adhesion and smoothness of the NiP-plated Al substrate, zincate treatment is performed on the surface of the aluminum alloy plate as a pretreatment for NiP plating. It was found that naundulation reflects the surface condition after the zincate treatment. In the zincate treatment, the precipitation state of Zn differs depending on the crystal orientation of the aluminum alloy crystal grains. Therefore, a surface pattern reflecting the distribution of crystal grains is generated on the surface of the aluminum alloy substrate after the zincate treatment. Since the NiP plating film formed on the aluminum alloy substrate grows in a form reflecting these crystal grain patterns, minute irregularities are generated on the surface of the NiP plating film, resulting in minute undulations. Experimental studies by the present inventors have revealed that such a crystal grain pattern is reduced by increasing the Zn concentration in the aluminum alloy. However, after that, when the Zn content in the aluminum alloy was increased to a certain level or more, it was found that a large number of Al—Mg—Zn intermetallic compounds were precipitated at the crystal grain boundaries. Further, the Al—Mg—Zn-based intermetallic compound is dissolved by acid etching at the time of NiP plating pretreatment to form pits, and in the subsequent zincate treatment process, the pits further grow, along the crystal grain boundaries. It was also found that pits were formed. Such micro pits cause micro unevenness on the surface of the NiP plating film as in the case of the crystal grain pattern, so that it becomes a serious problem in increasing the recording density of the magnetic disk. For this reason, the present inventors have found that the above problems can be solved by satisfying the requirements described in the claims of the present invention. That is, according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of minute irregularities or pits on the surface of the NiP plating film, so that a surface with high flatness and high smoothness can be obtained without causing minute waviness on the surface. It is possible to manufacture a NiP-plated Al substrate for a magnetic disk that has a high density of the magnetic disk.
[0015]
The aluminum alloy plate processed into the aluminum alloy substrate of the present invention is obtained by a general method of melting, casting, rolling and heat treatment, and at the time of melting, by adding various elements to the aluminum raw material, it has a desired composition. It is an aluminum alloy. Further, by adjusting the rolling conditions and heat treatment conditions when rolling the ingot, the plate thickness, strength, and the like can be changed.
[0016]
Next, the reason for limitation of each component in this invention is demonstrated.
[0017]
Mg: 3.0 to 6.0 mass%
When the Mg content is less than 3.0% by mass, the strength as a magnetic disk substrate is insufficient. Moreover, when Mg content exceeds 6.0 mass%, workability will fall, such as a crack generate | occur | produced in an aluminum alloy plate at the time of hot rolling. Therefore, the Mg content is in the range of 3.0 to 6.0 mass%.
[0018]
Cu: 0.01 to 0.2% by mass
Cu affects the Zn precipitation form in the zincate treatment, thereby determining the quality (for example, the generation of pits) of the NiP plating film surface. When the Cu content is less than 0.01% by mass, Zn deposition in the zincate treatment becomes non-uniform within the substrate surface, and problems such as minute irregularities occur on the surface of the NiP plating film. On the other hand, if the Cu content exceeds 0.2% by mass, pits are generated on the surface of the NiP plating film due to pits generated by the zincate treatment. For this reason, Cu content shall be the range of 0.01 to 0.2 mass%.
[0019]
Zn: 0.25 to 1.0% by mass
Zn influences the precipitation form of Zn in the zincate treatment similarly to Cu, and thereby the quality of the NiP plating film surface (for example, generation of pits) is determined. When the Zn content is less than 0.25% by mass, Zn deposition in the zincate treatment becomes non-uniform within the substrate surface, causing problems such as generating minute irregularities on the surface of the NiP plating film. If the Zn content exceeds 1.0% by mass, pits are also generated on the NiP plating film surface due to pits generated by the zincate treatment. Furthermore, it becomes easy to form an Al—Mg—Zn-based intermetallic compound at an aluminum alloy crystal grain boundary. For this reason, Zn content shall be the range of 0.25 to 1.0 mass%.
[0020]
Cr: 0.01 to 0.2% by mass
When the Cr content is less than 0.01% by mass, coarse crystal grains exceeding the maximum length of 100 μm are easily generated. Such a non-uniform crystal grain structure is not preferable because Zn deposition is not uniform in the zincate treatment. In addition, when the Cr content exceeds 0.2% by mass, coarse Al—Cr-based intermetallic compounds (for example, CrAl ₇ etc.) are generated. Therefore, when a NiP plating film is formed, pits are formed on the surface of the plating film. Such a defect occurs. For this reason, Cr content shall be the range of 0.01 thru | or 0.2 mass%.
[0021]
Fe: 0.05 mass% or less Fe is restricted because it combines with essential elements Al and Mg to form intermetallic compounds (for example, FeAl ₃ or FeAl ₆ ) that cause defects in the NiP plating film. There is a need. If the Fe content exceeds 0.05% by mass, the intermetallic compound drops off during the zincate treatment and forms large pits on the surface, causing plating defects. Therefore, the Fe content is 0.05% by mass or less. And
[0022]
Si: 0.05% by mass or less Si is also strictly controlled because it combines with essential elements Al and Mg to form an intermetallic compound (for example, Mg ₂ Si, etc.) that causes defects, similarly to Fe. There is a need. When the Si content is more than 0.05% by mass, a large intermetallic compound is produced and large pits are formed on the surface of the aluminum alloy substrate after the zincate treatment, so the Si content is set to 0.05% by mass or less.
[0023]
In addition, as other inevitable impurities contained in the aluminum alloy substrate of the present invention, for example, Mn, Ti, and the like can be cited. These also combine with essential elements Al and Mg to form an intermetallic compound, and NiP. Since pits or nodules are generated during the formation of the plating film, the respective contents are set to 0.02 mass% or less.
[0024]
Al-Mg-Zn-based intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 µm or more and a maximum length of 0.1 µm or more existing at the grain boundaries are present on average at 1 piece / mm or less at the aluminum alloy grain boundaries. Grain boundaries in the acid etching and zincate treatment steps of the plating pretreatment by making the average of Al-Mg-Zn-based intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 µm or more and a maximum length of 0.1 µm or more to 1 piece / mm or less on average. The starting point of the pit is suppressed, and the zincate processing surface is smoothed. Thereby, there is no minute undulation due to minute irregularities generated on the surface of the NiP plating film, and a highly smooth surface capable of increasing the recording density can be obtained. The unit (pieces / mm) used here is a maximum width of 0.02 μm or more per unit length (1 mm) when the grain boundary of each aluminum alloy crystal grain is represented by a length. The average value of the number of Al—Mg—Zn-based intermetallic compounds having a length of 0.1 μm or more is shown.
[0025]
In the method for producing an aluminum alloy substrate for a magnetic disk of the present invention, an aluminum alloy substrate having the above-mentioned composition is held at 300 to 400 ° C. for 30 minutes or more, and then a temperature range of 350 to 200 ° C. is 200 ° C. Cooling is performed at a cooling rate of at least / min (free annealing), and then NiP plating is performed.
[0026]
In order to set the average width of the Al—Mg—Zn intermetallic compound having a maximum width of 0.02 μm or more and a maximum length of 0.1 μm or more present at the grain boundaries of the aluminum alloy substrate to 1 / mm or less on average, It is effective to perform the above-mentioned free annealing after surface processing such as grinding and cutting, and to regulate the heat treatment temperature and cooling rate at that time within a certain range. When the annealing temperature before the plating pretreatment step is less than 300 ° C., the Al—Mg—Zn intermetallic compound formed at the aluminum alloy crystal grain boundary does not completely dissolve and remains. Further, when the annealing temperature exceeds 400 ° C., the surface of the aluminum alloy substrate is strongly oxidized, resulting in a difference in the thickness of the oxide film for each aluminum alloy crystal grain, and the crystal grain pattern on the surface after the zincate treatment becomes remarkable. . Accordingly, the annealing temperature before plating pretreatment is set to a range of 300 to 400 ° C. On the other hand, when the cooling rate in the temperature range of 350 to 200 ° C. is less than 200 ° C./min, since the annealing temperature is high, even if the Al—Mg—Zn intermetallic compound is completely dissolved, Al— The Mg—Zn-based intermetallic compound is precipitated again. Therefore, the cooling rate in the temperature range of 350 to 200 ° C. is 200 ° C./min or more.
[0027]
The free annealing is preferably performed after the surface processing before the NiP plating pretreatment step. For example, in the case of two-stage grinding, the first annealing is performed after the first grinding, the second grinding, or the first grinding. And after the second grinding.
[0028]
【Example】
Hereinafter, the effects of the examples satisfying the claims of the present invention will be specifically described in comparison with comparative examples that are out of the scope of the present invention. First, as an example and a comparative example of the first invention of the present application, an aluminum alloy shown in Table 1 below is used, and a 3.5-inch type aluminum alloy substrate for a magnetic disk having a plate thickness of 1.25 mm is manufactured by the following manufacturing process. Was made.
[0029]
Al-Mg-Zn-based intermetallic compound has a number in Table 1, it was cut out test piece of an aluminum alloy substrate after free annealing, TEM: by (T ransmission E lectron M icroscope transmission electron microscope), 20 aluminum alloy By observing the grain boundaries of the crystal grains and dividing the total number of Al—Mg—Zn-based intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 μm and a maximum length of 0.1 μm or more by the total grain boundary length The average value of the number of the Al—Mg—Zn-based intermetallic compounds present per unit length was used.
[0030]
[Table 1]

[0031]
The manufacturing process of the aluminum alloy substrate is as follows. After the aluminum alloy having the composition shown in Table 1 is melted, it is cast to a plate thickness of 50 mm, chamfered, heated at 540 ° C. for 8 hours, and homogenized. Was hot-rolled to 3 mm. Then, it cold-rolled so that the last board thickness might be 1.3 mm, and pressure-annealed at 340 degreeC for 3 hours. The cooling rate at that time was 80 ° C./min. Further, after the end face processing, an aluminum alloy substrate having a final plate thickness of 1.25 mm by two-stage grinding is annealed at an annealing temperature of 300 to 400 ° C. for 30 minutes, and then a temperature range of 350 to 200 ° C. It cooled so that it might become a cooling rate of 200 degrees C / min or more. (Free annealing).
[0032]
About the aluminum alloy substrate obtained by the said process, various items were evaluated by the following method.
[0033]
1. Tensile strength After the cold-rolled aluminum alloy substrate was O-treated at 340 ° C, tensile test pieces according to JIS No. 5 were prepared so that the tensile direction was parallel to the rolling direction. Thereafter, a tensile test was performed to determine the tensile strength. If the tensile strength is 230 N / mm ² or more, it can be used as a magnetic disk substrate without any problem.
[0034]
2. Performs the following processing steps by zincate treatment to deposit forms <br/> aluminum alloy substrate of Zn, SEM: the (S canning E lectron M icroscope scanning electron microscope), deposition of Zn in the aluminum alloy substrate surface after zincate treatment The morphology was observed. At that time, the case where Zn was uniformly deposited in a film form was evaluated as ◯, the case where Zn was intermediate between the film form and the granular form was evaluated as Δ, and the case where Zn was deposited in a granular form was evaluated as x. .
<Processing process>
Alkaline degreasing (60 ° C x 5 minutes) → Water washing → Acid etching (65 ° C x 2 minutes) → Water washing → Nitric acid desmut (room temperature x 1 minute) → Water washing → Primary zincate → Water washing → Nitric acid stripping → Water washing → Secondary zincate → Washing in water → drying [0035]
3. Observation of the surface of the plated film after the formation of the NiP plated film After the zincate treatment, a NiP plated film of about 10 μm was formed on the aluminum alloy substrate by electroless plating. Thereafter, the surface was polished by a double-side polishing machine (-18B manufactured by Speedfam Co., Ltd.), and the surface was observed with an optical microscope, thereby comparing the occurrence of pits with each aluminum alloy substrate. In this evaluation, a case where a pit was seen was marked as x, and a case where a pit was not seen was marked as ◯. The above evaluation results are shown in Table 2.
[0036]
[Table 2]

[0037]
As shown in Table 2, in Comparative Examples 6 and 7, the Zn content was less than the range of the present invention, so the Zn deposition was not uniform. On the other hand, in Comparative Example 8 in which the Zn content and the number of Al—Mg—Zn-based intermetallic compounds were larger than the range of the present invention, pits were generated on the surface. Further, in Comparative Examples 9 and 10 in which the Mg content and the Cu content were higher than the range of the present invention, pits were similarly generated on the surface. In Comparative Example 11 containing no Cr, the precipitation of Zn was uneven. Furthermore, in Comparative Example 12 in which the Fe content exceeds the range of the present invention and in Comparative Example 13 in which the Si content exceeds the range of the present invention, an intermetallic compound was formed and pits were generated.
[0038]
On the other hand, in the aluminum alloy substrates of Examples 1 to 3 manufactured within the scope of the claims of the first invention of the present application, Zn was uniformly deposited on the surface of the aluminum alloy substrate by the zincate treatment. Further, even after the NiP plating film was formed and polished, no pits were generated on the surface of the NiP plated Al substrate. Further, after forming a NiP plating film on the aluminum alloy substrate of this example and polishing it to obtain a NiP plating Al substrate, a Cr underlayer, a CoCrTa alloy magnetic film, and a C protective film were formed to obtain a magnetic disk. However, high-density recording was possible without error.
[0039]
Next, as an example and a comparative example of the second invention of the present application, an aluminum alloy shown in Table 3 below was used, and the same manufacturing process as that of the example of the first invention described above was used. Inch type aluminum alloy substrate for magnetic disk was prepared. However, the annealing temperature and the cooling rate in the temperature range of 350 to 200 ° C. were the conditions shown in Table 4.
[0040]
[Table 3]

[0041]
[Table 4]

[0042]
About the aluminum alloy substrate obtained by the said process, it evaluated by the evaluation method similar to the Example of 1st invention mentioned above. The results are shown in Table 5.
[0043]
[Table 5]

[0044]
As shown in Table 4, in Comparative Example 14, since the annealing temperature was higher than the range of the present invention, oxidation of the aluminum alloy substrate surface was intense, and Zn deposition was uneven. Further, in Comparative Example 15 where the annealing temperature was lower than the range of the present invention, the Al—Mg—Zn-based intermetallic compound remained without being completely dissolved, and thus exceeded the range of the present invention and pits were generated. Furthermore, even in Comparative Example 16 in which the cooling temperature in the temperature range of 350 to 200 ° C. was less than 200 ° C./min, since the Al—Mg—Zn intermetallic compound was reprecipitated, the range of the present invention was exceeded and pits were generated.
[0045]
In contrast, in the aluminum alloy substrates of Examples 4 and 5 manufactured within the scope of the claims of the second invention of the present application, Zn was uniformly deposited on the surface of the aluminum alloy substrate by the zincate treatment, and the NiP plating film was formed and polished. Even after this, no pits were generated on the surface of the NiP plated Al substrate. Further, after forming a NiP plating film on the aluminum alloy substrate of this example and polishing it to obtain a NiP plating Al substrate, a Cr underlayer, a CoCrTa alloy magnetic film, and a C protective film were formed to obtain a magnetic disk. However, high-density recording was possible without error.
[0046]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, in the aluminum alloy substrate for a magnetic disk, the amount of each component is limited, and free annealing is performed under predetermined conditions before performing NiP plating. An aluminum alloy substrate for a magnetic disk that does not generate minute waviness due to minute irregularities on the surface of the NiP plating film, which is a problem in increasing the recording density, can be obtained.

Claims

Mg: 3.0 to 6.0 mass%, Cu: 0.01 to 0.2 mass%, Zn: 0.25 to 1.0 mass%, and Cr: 0.02 to 0.2 mass% The balance is made of Al and inevitable impurities, and among the inevitable impurities, Fe is 0.05% by mass or less, Si is 0.05% by mass or less, and other inevitable impurity elements are 0.02% by mass or less, respectively. The number of Al—Mg—Zn intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 μm or more and a maximum length of 0.1 μm or more present at the grain boundaries is 1 or less on average per mm. Aluminum alloy substrate for magnetic disks.

2. The aluminum alloy substrate for a magnetic disk according to claim 1, wherein the surface is plated with NiP.

Mg: 3.0 to 6.0 mass%, Cu: 0.01 to 0.2 mass%, Zn: 0.25 to 1.0 mass%, and Cr: 0.02 to 0.2 mass% The balance is made of Al and inevitable impurities, and among the inevitable impurities, Fe is 0.05% by mass or less, Si is 0.05% by mass or less, and other inevitable impurity elements are 0.02% by mass or less, respectively. An aluminum alloy material having a regulated composition is held at 300 to 400 ° C. for 30 minutes or more, and then cooled so that a temperature range of 350 to 200 ° C. becomes a cooling rate of 200 ° C./minute or more, and then NiP plating is performed. By performing, the average number of Al—Mg—Zn intermetallic compounds having a maximum width of 0.02 μm or more and a maximum length of 0.1 μm or more present in the grain boundary is 1 or less per mm on average. Alloy base A method for producing an aluminum alloy substrate for a magnetic disk, comprising producing a plate.