[go: up one dir, main page]

JP3665579B2 - 電気装置製造方法 - Google Patents

電気装置製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3665579B2
JP3665579B2 JP2001049615A JP2001049615A JP3665579B2 JP 3665579 B2 JP3665579 B2 JP 3665579B2 JP 2001049615 A JP2001049615 A JP 2001049615A JP 2001049615 A JP2001049615 A JP 2001049615A JP 3665579 B2 JP3665579 B2 JP 3665579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
temperature
semiconductor chip
manufacturing
electric device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001049615A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002252254A (ja
Inventor
博之 熊倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Sony Chemicals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2001049615A priority Critical patent/JP3665579B2/ja
Application filed by Sony Chemicals Corp filed Critical Sony Chemicals Corp
Priority to CNB028087933A priority patent/CN100392832C/zh
Priority to PCT/JP2002/001284 priority patent/WO2002071469A1/ja
Priority to HK04107600.3A priority patent/HK1064804B/xx
Priority to KR1020037011127A priority patent/KR100790671B1/ko
Priority to TW091102771A priority patent/TW523885B/zh
Publication of JP2002252254A publication Critical patent/JP2002252254A/ja
Priority to US10/647,448 priority patent/US7341642B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3665579B2 publication Critical patent/JP3665579B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は接着剤にかかり、特に、半導体チップを基板に接続する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体チップをフレキシブル配線板のような基板上に接着するために、熱硬化性の接着剤が用いられている。図８の符号１０１は、半導体チップ１１１が、接着剤１１２によって基板１１３に貼付されてなる電気装置を示している。
【０００３】
基板１１３の半導体チップ１１１と対向する面には金属配線１２２が配置されている。また、半導体チップ１１１の基板１１３と対向する面には、バンプ状の端子１２１が配置されており、それらの端子１２１は対向する基板１１３の金属配線１２２に当接されている。
【０００４】
半導体チップ１１１の端子１２１は不図示の内部回路に接続されているので、図８に示した状態では、半導体チップ１１１の内部回路と基板１１３の金属配線１２２とは端子１２１を介して電気的に接続されている。また接着剤１１２は加熱によって硬化されており、この接着剤１１２を介して半導体チップ１１１と基板１１３は機械的にも接続されている。このように接着剤１１２を用いれば、半田を用いなくても半導体チップ１１１と基板１１３とを接続することができる。
【０００５】
従来技術の接着工程では、基板１１３表面に常温の接着剤１１２を塗布又は貼付した後、加熱した押圧ヘッドを用いて半導体チップ１１１を接着剤１１２に押しつけ（加熱押圧）接着を行っているが、基板１１３に接着剤１１２を塗布、又は貼付するときや、半導体チップ１１１を接着剤１１２に押し当てる際に空気が巻き込まれ、基板１１３と接着剤１１２との間や半導体チップ１１１の端子１２１間にボイド（気泡）１３０が生じる場合がある。接着剤１１２中にボイド１３０がある場合には、リフロー処理等電気装置が加熱される際に、半導体チップ１１１が剥離したり、導通不良が生じる場合がある。
【０００６】
接着剤１１２の粘度を低くすれば、基板１１３や半導体チップ１１１と接着剤１１２との濡れ性が高くなるので、塗布の際の空気の巻き込み量が少なくなるが、一旦巻き込まれた空気は加熱押圧の際に除去されない。
他方、粘度が高い場合には、塗布時には空気を巻き込みやすい反面、巻き込んだ空気は加熱押圧の際に除去されやすいが、端子間の接続不良を生じやすいという問題がある。
【０００７】
ボイドを少なくする技術としては、特開平５−１４４８７３に開示されているように、押圧ヘッドを用いて半導体チップ１１１を常温の接着剤１１２に押し当てた後、押圧ヘッドを段階的又は連続的に除々に昇温させて接着剤１１２を加熱する方法が知られている。この方法によれば、接着剤１１２が除々に昇温することによって、ボイド１３０が発生し難くなる。しかしながら上記の方法では、同一の押圧ヘッドの温度調整を行うことで、複数の半導体チップ１１１を連続して処理することができずタクトタイムが長くなり、生産性が低くなってしまう。
【０００８】
他方、タクトタイムを短くする技術としては、半導体チップ１１１を接着剤１１２に載せるアライメント工程（仮圧着工程）と、半導体チップ１１１を加熱押圧する接着工程（本圧着工程）とでそれぞれ異なる押圧ヘッドを用い、アライメント工程では加熱せずに位置合せをし、接着工程で一度に加熱する方法が知られている。この方法によれば、生産性は向上するがボイド１３０が発生しやすい。何れにしろ、信頼性の高い電気装置１０１を効率良く生産することは困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、接着剤中にボイドが無く、信頼性の高い電気装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板の接続端子と半導体チップの接続端子とが互いに対向するように位置合せし、前記基板上に配置された接着剤に前記半導体チップを押し当て、前記半導体チップを押圧しながら加熱し、前記接続端子同士を接触させる接着工程を有する電気装置製造方法であって、前記接着剤に、最低粘度を示す温度が反応開始温度以上のものを用い、前記接着工程は、前記接着剤を前記反応開始温度以上の第一の温度に加熱し、前記接着剤の粘度を低下させる余熱工程と、前記半導体チップの前記接続端子を前記基板の前記接続端子に接触させずに粘度が低下された前記接着剤に前記半導体チップを押し当てる仮圧着工程と、前記半導体チップを押圧して前記半導体チップの前記接続端子を前記基板の前記接続端子に当接させた状態で、前記接着剤を前記第一の温度よりも高い第二の温度に加熱し、前記接着剤を硬化させる本圧着工程とを有する電気装置の製造方法である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の電気装置の製造方法であって、前記仮圧着工程では、第一の温度を維持し、前記接着剤の粘度を増大させる請求項１記載の電気装置の製造方法である。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の電気装置の製造方法であって、前記接着剤の反応率が２％以上２０％以下になるように前記第一の温度を維持する電気装置の製造方法である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記第一の温度は、前記接着剤の反応ピーク温度未満である電気装置の製造方法である。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記第二の温度は、前記接着剤の反応ピーク温度以上である電気装置の製造方法である。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記仮圧着工程は、前記基板を第一の載置台上に配置し、前記第一の載置台を前記第一の温度に加熱する電気装置の製造方法である。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記仮圧着工程は、前記位置合せを行った後、前記半導体チップを前記接着剤に押し当てる電気装置の製造方法。
請求項８記載の発明は、請求項６又は請求項７のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記本圧着工程は、前記第一の載置台とは異なる第二の載置台に前記基板を移載して行う電気装置の製造方法である。
請求項９記載の発明は、請求項８記載の電気装置の製造方法であって、前記本圧着工程は、加熱可能な押圧ヘッドを前記第二の温度に加熱し、前記押圧ヘッドを前記半導体チップに押し当て、前記本圧着工程を行う電気装置の製造方法である。
請求項１０記載の発明は、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の電気装置の製造方法であって、前記接着剤に熱硬化性樹脂と潜在性硬化剤とを含有させる電気装置の製造方法である。
【００１１】
尚、接着剤の反応開始温度とは、接着剤の示差走査熱分析を行った場合に得られるＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）曲線が、ベースラインよりも発熱方向に立ち上がったときの温度のことであり、接着剤の反応ピーク温度とは該ＤＳＣ曲線の発熱ピークの温度のことである。
【００１２】
本発明は上記のように構成されており、本発明では仮圧着工程の際、半導体チップを接着剤に押し当てる前に接着剤が第一の温度に加熱されており、加熱によって接着剤の粘度が塗布時よりも低下しているので、半導体チップを接着剤に押し当てたとき、接着剤が半導体チップの接続端子間に流れ込みやすく、空気が巻き込まれ難い。
【００１３】
この状態では、半導体チップの接続端子は基板の接続端子に当接されておらず、接続端子の間には余分な接着剤が残留している。第一の温度は接着剤の反応開始温度より高いので、接着剤を第一の温度に維持すると、接着剤の硬化反応が進むが、第一の温度は接着剤の反応ピーク温度未満なので反応の進行速度が遅く、接着剤の反応率が２％以上２０％以下の範囲に留まる。
【００１４】
その状態では、接着剤の粘度は塗布時よりも高くなっているが流動性は失われていない。従って、本圧着工程で更に半導体チップを押圧すると、半導体チップの接続端子と基板の接続端子との間に残留した余分な接着剤が残留するボイドと共に押し出され、半導体チップの接続端子が基板の接続端子に当接される。
【００１５】
接続端子同士が接触した状態で、接着剤が第二の温度に昇温すると接着剤が完全に硬化し、半導体チップと基板とが電気的にも機械的にも接続される。
仮圧着工程で第一の載置台を加熱すれば、常温ヘッドを保持機構として用い、位置合せを行うことができる。この場合、位置合せを行える限り、押圧ヘッドを加熱することもできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
先ず、熱硬化性の樹脂であるエポキシ樹脂と、マイクロカプセル化した硬化剤からなる潜在性硬化剤と、導電性粒子とを混合し、後述する表１の実施例１〜３の欄に示す組成の接着剤を作製した。この状態では接着剤はペースト状である。
【００１８】
図１(ａ)の符号１３はフレキシブル配線板（基板）を示している。このフレキシブル配線板１３の表面には金属配線が配置されており、金属配線の一部から接続端子２２が複数個構成されている。これらの接続端子２２はフレキシブル配線板１３の表面にそれぞれ露出しており、後述する半導体チップのバンプと対応する位置にそれぞれ配置されている。後述する半導体チップを搭載する位置に接着剤１２を塗布すると、フレキシブル配線板１３の接続端子２２が接着剤１２で覆われる（図１（ｂ））。
【００１９】
図１（ｃ）の符号５０は仮圧着ステージ（第一の載置台）を示している。仮圧着ステージ５０の表面近傍にはセラミックヒーター５１が配置されている。仮圧着ステージ５０はセラミックヒーター５１によって、少なくとも接着剤１２の反応開始温度以上に予め加熱されており、フレキシブル配線板１３を接続端子２２が配置されていない側の面を下にして、仮圧着ステージ５０の表面に載置すると、フレキシブル配線板１３と接着剤１２とが熱伝導により反応開始温度以上に加熱される。その状態でセラミックヒーター５１の通電量を調整し、接着剤１２を反応開始温度以上反応ピーク温度未満の温度（第一の温度）にする。
【００２０】
このとき、加熱によって接着剤１２の粘度が低下し、接着剤１２のフレキシブル配線板１３に対する濡れ性が向上するので、接着剤１２を塗布する際に巻き込まれた気泡（ボイド）が消える。
図１（ｄ）の符号１１は半導体チップを示している。半導体チップ１１の一面にはバンプ２１（接続端子）が複数個配置されており、それらのバンプ２１は半導体チップ１１の不図示の内部回路に電気的に接続されている。
【００２１】
図１（ｄ）の符号４０は保持機構を示しており、図１（ｄ）に示したように、半導体チップ１１のバンプ２１が配置された側の面を下に向けた状態で、保持機構４０により半導体チップ１１を保持し、半導体チップ１１をフレキシブル配線板１３の上方に位置させた状態で、半導体チップ１１のバンプ２１とフレキシブル配線板１３の接続端子２２とが互いに対向するように位置合わせを行った後、保持機構４０を下降させ、半導体チップ１１をフレキシブル配線板１３上の接着剤１２に載せる。
【００２２】
半導体チップ１１のバンプ２１がフレキシブル配線板１３の接続端子２２に当接されない程度に半導体チップ１１を押圧すると、バンプ２１先端表面から接着剤１２が押し退けられ、隣接するバンプ２１間の空隙に接着剤１２が流れ込む。このとき、接着剤１２の粘度は加熱によって塗布時よりも低くなっているので、接着剤１２がバンプ２１間に流れ込む際にボイドが生じない。
【００２３】
図２（ｅ）は、その状態を示しており、半導体チップ１１のバンプ２１の間にはボイドが無く、接着剤１２が充填されている。また、互いに対向するバンプ２１と接続端子２２との間には余分な接着剤１２が残留しており、バンプ２１と接続端子２２とは電気的に接続されていない。また、仮圧着ステージ５０のセラミックヒーター５１によって、接着剤１２の温度は第一の温度に維持されている。
【００２４】
接着剤１２が第一の温度に維持されることによって、潜在性硬化剤のマイクロカプセルが一部溶解し、接着剤の硬化反応がゆっくり進行する。接着剤１２の反応率が２％以上２０％以下の範囲に達したところで、半導体チップ１１を接着剤１２に搭載した状態で保持機構４０を上方に退避させ、フレキシブル配線板１３を接着剤１２、半導体チップ１１と共に仮圧着ステージ５０から本圧着ステージ７０（第二の載置台）上へ移載する（図２（ｆ））。
【００２５】
本圧着ステージ７０の上方には、本圧着ヘッド（押圧ヘッド）６０が配置されている。本圧着ヘッド６０にはヒーター６１が内蔵されており、予め本圧着ヘッド６０は少なくとも接着剤１２の反応ピーク温度を超える温度に予め加熱されている。
【００２６】
図２（ｆ）に示した状態では、接着剤１２の粘度は塗布時よりも高くなっているが流動性は失われていないので、本圧着ヘッド６０を接着剤１２上の半導体チップ１１に押し当て、本圧着ヘッド６０を加熱しながら所定の荷重を加えると、半導体チップ１１のバンプ２１とフレキシブル配線板１３の接続端子２２との間から余分な接着剤１２がボイドと共に押し出され、接着剤１２が反応ピーク温度以上に加熱される前にバンプ２１が接続端子２２に当接される。
【００２７】
その状態で更に加熱押圧を続け、熱伝導により接着剤１２が反応ピーク温度以上（第二の温度）に加熱されると、接着剤１２中の潜在性硬化剤が完全に溶解して接着剤の熱硬化反応が急激に進み、バンプ２１が接続端子２２に当接した状態で接着剤１２が完全に硬化する。
【００２８】
図２（ｇ）は接着剤１２が完全に硬化した状態の電気装置１を示している。この電気装置１では、フレキシブル配線板１３と半導体チップ１１とが硬化した接着剤１２によって機械的に接続されているだけでは無く、バンプ２１を介して電気的にも接続されている。
【００２９】
以上はペースト状の接着剤１２を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無い。例えば、本発明に用いる接着剤を自己支持性を示す程度に半硬化させたフィルム状のものや、固形樹脂を添加してフィルム状にしたものも含まれる。
【００３０】
図３(ａ)の符号１５は、上記のようなフィルム状の接着剤の一例を示している。図３(ｂ)に示すように、フィルム状の接着剤１５をフレキシブル配線板１３の接続端子２２が配置された側の面に貼付した後、図１（ｃ）〜図２（ｇ）に示した工程と同じ条件で仮圧着工程と本圧着工程とをそれぞれ行うと、図３（ｃ）に示したような電気装置２が得られる。
【００３１】
【実施例】
下記表１に示すエポキシ樹脂と、潜在性硬化剤と、導電性粒子とを、それぞれ下記表１に示す割合で混合し、導電性粒子を含有するペースト状の接着剤（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）と、導電性粒子を含有するフィルム状の接着剤（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）と、導電性粒子を含有しないペースト状の接着剤（ＮＣＰ：Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）とをそれぞれ作製した。
【００３２】
【表１】
Figure 0003665579
【００３３】
次いで、上記３種類の接着剤のうち、ＡＣＰについて示差走査熱分析計（セイコー電子工業（株）社製の商品名「ＤＳＣ２００」）を用い、１０℃／分の昇温速度で３０℃から２５０℃まで昇温させて示差走査熱分析を行った。得られたＤＳＣ曲線を図４に示す。
【００３４】
図４の横軸は温度（℃）を、縦軸は熱流（ｍＷ）であり、図４の符号ＤはＤＳＣ曲線を示している。また、同図の符号Ｂはベースライン（ブランク）を示している。
【００３５】
図４の符号ＳはＤＳＣ曲線ＤがベースラインＢよりも立ち上がる点（反応開始点）を、符号ＰはＤＳＣ曲線の発熱ピークの位置（反応ピーク点）をそれぞれ示しており、反応開始点Ｓは７０℃に、反応ピーク点Ｐは１１５．２℃にそれぞれある。このＤＳＣ曲線Ｄの発熱ピークは、ＡＣＰの熱硬化反応によるので、ＡＣＰを加熱した場合、ＡＣＰの硬化反応が開始する温度は７０℃（反応開始温度）、硬化反応がピークに達する温度（反応ピーク温度）は約１１５℃であることがわかる。また、反応ピーク温度よりも高い温度では、発熱量が急激に低くくなり、硬化反応がほぼ終了したことがわかる。尚、このときの発熱量はＡＣＰ１ｍｇ当たり４４２．９ｍＪであった。
【００３６】
更に、粘度計（ＨＡＡＫＥ社製の商品名「レオメータ ＲＳ７５」）を用い、ＡＣＰを昇温速度１０℃／分で２０℃から２００℃まで昇温させたときの粘度変化を測定した（粘度測定）。図５はその測定結果より得られたグラフを示しており、図５の横軸は温度（℃）を、縦軸は粘度（ｍＰａ・ｓ）をそれぞれ示している。
【００３７】
図５の符号Ｓ1は図４の反応開始点Ｓに対応する温度（反応開始温度）を、図５の符号Ｐ1は図４の反応ピーク点Ｐに対応する温度（反応ピーク温度）をそれぞれ示している。図５に示した温度粘度曲線Ｌ1から分かるように、接着剤を加熱した場合の粘度は、反応開始温度Ｓ1以上反応ピーク温度Ｐ1未満の範囲で最も低くなることがわかる。また、反応ピーク温度Ｐ1以上では接着剤の硬化反応が進んだため、接着剤の粘度が急激に高くなった。
【００３８】
また、ＡＣＦとＮＣＰについて、２０℃から２００℃まで昇温させたときの粘度変化をそれぞれ測定した。図６にＡＣＦの温度粘度曲線Ｌ2を、図７にＮＣＰの温度粘度曲線Ｌ3をそれぞれ記載する。更に、ＡＣＦ、ＮＣＰを用いて示差走査熱分析を行った。示差走査熱分析から得られたＡＣＦの反応開始温度Ｓ2と反応ピーク温度Ｐ2を図６中に、ＮＣＰの反応開始温度Ｓ3と反応ピーク温度Ｐ3を図７中にそれぞれ記載した。
【００３９】
図６、７から明らかなように、接着剤をフィルム状にした場合（ＡＣＦ）や、導電性粒子を含有させない場合（ＮＣＰ）であっても、温度粘度曲線Ｌ2、Ｌ3の粘度が最も低くなる温度は反応開始温度Ｓ2、Ｓ3以上反応ピーク温度Ｐ2、Ｐ3は未満の範囲にあることがわかる。これらの結果から、接着剤が熱硬化性である場合にはその種類に係わり無く、粘度が最も低くなる温度は反応開始温度以上反応ピーク温度未満の範囲にあり、反応ピーク温度以上では接着剤の硬化反応が急激に進むことが確認された。
【００４０】
次に、上記３種類の接着剤（ＡＣＰ、ＡＣＦ、ＮＣＰ）をそれぞれフレキシブル配線板１３に塗布、又は、貼付し、フレキシブル配線板１３を仮圧着ステージ５０に載置後、仮圧着ステージ５０を加熱し、各接着剤１２の温度を下記表２の「第一の温度」の欄に示す温度に昇温させた。次いで、図１（ｅ）〜図２（ｇ）の工程で本圧着を行い、実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１を作製した。
【００４１】
【表２】
Figure 0003665579
【００４２】
ここではフレキシブル配線板１３として、厚さ２０μｍのポリイミドフィルムの表面に、厚さ１２μｍの金属配線（ニッケル−金メッキ銅配線）を配置したものを用い、半導体チップ１１としては、６ｍｍ角の正方形形状、厚さ０．４ｍｍのチップの表面に、金メッキバンプ（６０μｍ角正方形形状、高さ２０μｍ）を配置したものを用いた。尚、本圧着工程で加熱した接着剤１２の温度（第二の温度）は２３０℃であり、本圧着工程で加えた荷重はバンプ２１当たり０．６Ｎであった。
【００４３】
これら実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１を用い、下記に示す「反応率」、「ボイド外観」、「初期導通」、「エージング後導通」の各評価試験をそれぞれ行った。
【００４４】
〔反応率〕実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１を製造する工程において、仮圧着工程後の接着剤１２を試料として用い、各試料について、上記示差走査熱分析と同じ方法で示差走査熱分析を行って接着剤の反応率をそれぞれ求めた。
【００４５】
ここでは、加熱前（塗布前）の接着剤をそれぞれ標準試料として用い、標準試料の示差走査熱分析による試料１ｍｇ当たりの発熱量をＡ1、試料（仮圧着後の接着剤）の示差走査熱分析による試料１ｍｇ当たりの発熱量Ａ2とした場合に、下記式（１）によって得られる値を反応率Ｒ％とした。
【００４６】
Ｒ（％）＝（１−Ａ2／Ａ1）×１００……式（１）
各反応率を上記表２に記載した。
【００４７】
〔ボイド外観〕実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１について、半導体チップ１１とは反対側のフレキシブル配線板１３の表面から金属顕微鏡を用いて、接続部（バンプ２１が接続端子２２に当接されている部分）周囲の接着剤１２のボイドの有無を観察した。
【００４８】
このとき、半導体チップ１１のバンプ２１よりも大きいボイドが観察されない場合を「○」、バンプ２１よりも大きいボイドが観察される場合を「×」として評価した。これらの評価結果を上記表２に記載した。
【００４９】
〔初期導通〕実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１について、それぞれバンプ２１が当接されている２つの接続端子２２間の導通抵抗値を測定した。導通抵抗値が１００ｍΩ未満の場合を「○」、１００ｍΩ以上のものを「×」として評価し、それらの評価結果を上記表２に記載した。
【００５０】
〔エージング後導通〕実施例１〜７、比較例１〜７の電気装置１を１２１℃、１００％ＲＨの高温高湿条件で１００時間放置（エージング）した後、上記「初期導通」と同じ方法で導通抵抗値を測定した。導通抵抗値が５００ｍΩ未満の場合を「○」、５００ｍΩ以上のものを「×」として評価し、それらの評価結果を上記表２に記載した。
【００５１】
上記表２から明らかなように、仮圧着前の接着剤の加熱温度（第一の温度）が、反応開始温度以上反応ピーク温度以下である実施例１〜７の電気装置１では、各評価試験において優れた結果が得られた。
【００５２】
他方、仮圧着前に加熱を行わなかった比較例１の電気装置や、第一の温度が各接着剤の反応開始温度よりも低い比較例２、４、６では、仮圧着前に接着剤の粘度が十分に低下していないため、接続部周囲の接着剤にボイドが多数存在し、その結果、エージング後の導通結果が悪かった。
【００５３】
また、仮圧着前の温度が各接着剤の反応ピーク温度よりもそれぞれ高い比較例３、５、７では、接着剤中に大きなボイドが観察されなかったが、本圧着前に接着剤の粘度が高くなりすぎて、接着剤が十分に押し退けられなかっため、接続端子とバンプとの間の導通が十分に取れず、エージング前の初期導通の段階で導通不良が確認された。
【００５４】
以上は仮圧着工程と本圧着工程とをそれぞれ異なるステージ上で行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無く、同一ステージ上で仮圧着、本圧着の工程を行っても良い。また、接着剤を基板に塗布する工程を仮圧着ステージ上で行っても良い。
【００５５】
また、以上は仮圧着ステージ５０を昇温させ、接着剤１２を第一の温度に加熱する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものは無く、種々の加熱手段を用いることができ、例えば、保持機構４０に加熱手段を内蔵させたり、仮圧着工程を加熱炉内で行うことによって、接着剤１２を第一の温度に加熱することができる。
【００５６】
また、本圧着ステージに加熱手段を内蔵させ、加熱手段によって本圧着ステージを予め加熱しておけば、仮圧着ステージ５０からフレキシブル配線板１３を本圧着ステージに移載したときに接着剤１２の温度が低下しないので、本圧着工程にかかる時間をより短くすることができる。この場合、本圧着ステージの温度は第二の温度未満、より好ましくは第一の温度程度であることが望ましい。
【００５７】
以上は半導体チップ１１とフレキシブル配線板１３とを接続する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものでは無く、種々の電気装置の製造に用いることができる。例えば、フレキシブル配線板の代わりにリジッド基板を用い、リジッド基板と半導体チップとを接続して、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｂｏａｒｄ）を作製することもできる。また、半導体チップを搭載可能なＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）と、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）との接続に本発明の製造方法を用いることもできる。
【００５８】
本発明に用いることのできる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等種々のものを用いることができるが、硬化速度や熱硬化後の接着剤強度等を考慮するとエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００５９】
熱硬化製樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤を併用することが好ましい。硬化剤としてはイミダゾール系硬化剤、ポリアミン硬化剤、フェノール類、イソシアネート類、ポリメルカプタン類、酸無水物硬化剤など種々のものを用いることができる。これらの硬化剤をマイクロカプセル化し、潜在性硬化剤として用いることもできる。
【００６０】
また、接着剤に熱可塑性樹脂を添加することも可能である。熱可塑性樹脂としてはフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等種々のものを用いることができる。
本発明に用いる接着剤には、消泡剤、着色剤、老化防止剤、フィラー、カップリング剤等種々の添加剤を添加することもできる。
【００６１】
【発明の効果】
半導体チップを基板上の接着剤に当接させる仮圧着の際には、接着剤の粘度が低下しており、半導体チップを接着剤に載せる時に空気が巻き込まれ難いので、接着剤中にボイドが生じない。また、仮圧着後にボイドが残留している場合であっても、本圧着時には接着剤の粘度が高くなっているため、押圧によって接着剤中のボイドが押し出される。従って、本発明によれば、接着剤中にボイドが無く、導通信頼性の高い電気装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)〜(ｄ)：本発明による電気装置の製造工程の前半を説明するための図
【図２】(ｅ)〜(ｇ)：本発明による電気装置の製造工程の後半を説明するための図
【図３】(ａ)〜(ｃ)：本発明による電気装置の製造工程の他の例を説明するための図
【図４】本発明に用いる第一例の接着剤のＤＳＣ曲線を示した図
【図５】第一例の接着剤の温度粘度曲線を示した図
【図６】第二例の接着剤の温度粘度曲線を示した図
【図７】第三例の接着剤の温度粘度曲線を示した図
【図８】従来技術の電気装置を説明するための図
【符号の説明】
１……電気装置
１２、１５……接着剤
１３……基板（フレキシブル配線板）
１１……半導体チップ
２１……半導体チップの接続端子（バンプ）
２２……基板の接続端子
５０……第一の載置台（仮圧着ステージ）
６０……第二の載置台（本圧着ステージ）
７０……押圧ヘッド（本圧着ヘッド）

Claims (10)

  1. 基板の接続端子と半導体チップの接続端子とが互いに対向するように位置合せし、前記基板上に配置された接着剤に前記半導体チップを押し当て、前記半導体チップを押圧しながら加熱し、前記接続端子同士を接触させる接着工程を有する電気装置製造方法であって、
    前記接着剤に、最低粘度を示す温度が反応開始温度以上のものを用い、
    前記接着工程は、
    前記接着剤を前記反応開始温度以上の第一の温度に加熱し、前記接着剤の粘度を低下させる余熱工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子を前記基板の前記接続端子に接触させずに粘度が低下された前記接着剤に前記半導体チップを押し当てる仮圧着工程と、
    前記半導体チップを押圧して前記半導体チップの前記接続端子を前記基板の前記接続端子に当接させた状態で、前記接着剤を前記第一の温度よりも高い第二の温度に加熱し、前記接着剤を硬化させる本圧着工程とを有する電気装置の製造方法。
  2. 前記仮圧着工程では、第一の温度を維持し、前記接着剤の粘度を増大させる請求項１記載の電気装置の製造方法。
  3. 前記接着剤の反応率が２％以上２０％以下になるように前記第一の温度を維持する請求項２記載の電気装置の製造方法。
  4. 前記第一の温度は、前記接着剤の反応ピーク温度未満である請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
  5. 前記第二の温度は、前記接着剤の反応ピーク温度以上である請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
  6. 前記仮圧着工程は、前記基板を第一の載置台上に配置し、前記第一の載置台を前記第一の温度に加熱する請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
  7. 前記仮圧着工程は、前記位置合せを行った後、前記半導体チップを前記接着剤に押し当てる請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
  8. 前記本圧着工程は、前記第一の載置台とは異なる第二の載置台に前記基板を移載して行う請求項６又は請求項７のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
  9. 前記本圧着工程は、加熱可能な押圧ヘッドを前記第二の温度に加熱し、前記押圧ヘッドを前記半導体チップに押し当て、前記本圧着工程を行う請求項８記載の電気装置の製造方法。
  10. 前記接着剤に熱硬化性樹脂と潜在性硬化剤とを含有させる請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の電気装置の製造方法。
JP2001049615A 2001-02-26 2001-02-26 電気装置製造方法 Expired - Lifetime JP3665579B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001049615A JP3665579B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 電気装置製造方法
PCT/JP2002/001284 WO2002071469A1 (en) 2001-02-26 2002-02-15 Electric device producing method
HK04107600.3A HK1064804B (en) 2001-02-26 2002-02-15 Electric device producing method
KR1020037011127A KR100790671B1 (ko) 2001-02-26 2002-02-15 전기 장치 제조 방법
CNB028087933A CN100392832C (zh) 2001-02-26 2002-02-15 电气装置制造方法
TW091102771A TW523885B (en) 2001-02-26 2002-02-19 Manufacturing method of electric device
US10/647,448 US7341642B2 (en) 2001-02-26 2003-08-25 Manufacturing method for electric device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001049615A JP3665579B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 電気装置製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002252254A JP2002252254A (ja) 2002-09-06
JP3665579B2 true JP3665579B2 (ja) 2005-06-29

Family

ID=18910693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001049615A Expired - Lifetime JP3665579B2 (ja) 2001-02-26 2001-02-26 電気装置製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7341642B2 (ja)
JP (1) JP3665579B2 (ja)
KR (1) KR100790671B1 (ja)
CN (1) CN100392832C (ja)
TW (1) TW523885B (ja)
WO (1) WO2002071469A1 (ja)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4206320B2 (ja) * 2003-09-19 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US20080055581A1 (en) * 2004-04-27 2008-03-06 Rogers John A Devices and methods for pattern generation by ink lithography
US7943491B2 (en) * 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7521292B2 (en) * 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
KR101572992B1 (ko) 2004-06-04 2015-12-11 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
CH697279B1 (de) * 2004-12-06 2008-07-31 Oerlikon Assembly Equipment Ag Verfahren für die Montage eines Halbleiterchips auf einem Substrat.
CN100573839C (zh) * 2005-04-14 2009-12-23 松下电器产业株式会社 电子电路装置及其制造方法
JP4621595B2 (ja) * 2006-01-11 2011-01-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN101506413A (zh) 2006-03-03 2009-08-12 伊利诺伊大学评议会 制造空间排列的纳米管和纳米管阵列的方法
JP5020629B2 (ja) * 2006-12-28 2012-09-05 パナソニック株式会社 電子部品の接続方法
EP2104954B1 (en) 2007-01-17 2022-03-16 The Board of Trustees of the University of Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
JP2008209961A (ja) * 2007-02-23 2008-09-11 Fujitsu Ltd 電子装置の製造方法、電子装置が実装された電子機器の製造方法、および、電子装置が装着された物品の製造方法
WO2009001605A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Sony Chemical & Information Device Corporation 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法
JP5093482B2 (ja) * 2007-06-26 2012-12-12 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法
JP4998732B2 (ja) * 2007-10-22 2012-08-15 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電接着剤
JP2009105276A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Omron Corp 半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板
JP5743553B2 (ja) 2008-03-05 2015-07-01 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 伸張可能及び折畳み可能な電子デバイス
US8470701B2 (en) * 2008-04-03 2013-06-25 Advanced Diamond Technologies, Inc. Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management
US8946683B2 (en) * 2008-06-16 2015-02-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Medium scale carbon nanotube thin film integrated circuits on flexible plastic substrates
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US8372726B2 (en) * 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9289132B2 (en) * 2008-10-07 2016-03-22 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
TWI671811B (zh) * 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
WO2011040081A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 シャープ株式会社 基板モジュールおよびその製造方法
US9723122B2 (en) 2009-10-01 2017-08-01 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
JP6046491B2 (ja) 2009-12-16 2016-12-21 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ コンフォーマル電子機器を使用した生体内での電気生理学
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
EP2547258B1 (en) 2010-03-17 2015-08-05 The Board of Trustees of the University of Illionis Implantable biomedical devices on bioresorbable substrates
KR101670887B1 (ko) 2010-03-22 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 이의 제조방법
JP5586313B2 (ja) * 2010-04-23 2014-09-10 京セラケミカル株式会社 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物
US9629255B2 (en) * 2010-10-14 2017-04-18 Stora Enso Oyj Method and arrangement for attaching a chip to a printed conductive surface
US9442285B2 (en) 2011-01-14 2016-09-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
EP2712491B1 (en) 2011-05-27 2019-12-04 Mc10, Inc. Flexible electronic structure
WO2012167096A2 (en) 2011-06-03 2012-12-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Conformable actively multiplexed high-density surface electrode array for brain interfacing
WO2013010113A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
KR101979354B1 (ko) 2011-12-01 2019-08-29 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 프로그램 변형을 실행하도록 설계된 과도 장치
KR101395707B1 (ko) * 2011-12-16 2014-05-15 제일모직주식회사 반도체용 접착 필름
KR101403865B1 (ko) * 2011-12-16 2014-06-10 제일모직주식회사 이방성 도전 필름용 조성물, 이방성 도전 필름 및 반도체 장치
EP2830492B1 (en) 2012-03-30 2021-05-19 The Board of Trustees of the University of Illinois Appendage mountable electronic devices conformable to surfaces and method of making the same
JP5857233B2 (ja) * 2012-04-10 2016-02-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電極接合方法、電極接合構造体の製造方法、および電極接合構造体の製造システム
JP5978725B2 (ja) * 2012-04-11 2016-08-24 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
US10034389B2 (en) * 2012-04-19 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electric component mounting method
JP5851952B2 (ja) * 2012-07-19 2016-02-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5564151B1 (ja) 2012-08-06 2014-07-30 積水化学工業株式会社 半導体装置の製造方法及びフリップチップ実装用接着剤
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
KR101551758B1 (ko) * 2012-12-11 2015-09-09 제일모직주식회사 이방 도전성 필름용 조성물 및 이방 도전성 필름
CN104428881B (zh) * 2013-07-08 2017-06-09 索尼公司 固化条件的确定方法、电路器件的生产方法和电路器件
JP6438790B2 (ja) * 2015-02-06 2018-12-19 デクセリアルズ株式会社 半導体装置の製造方法、及びアンダーフィルフィルム
JP6679370B2 (ja) * 2015-03-26 2020-04-15 デクセリアルズ株式会社 可撓性実装モジュール体の製造方法
KR20180033468A (ko) 2015-06-01 2018-04-03 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 무선 전력 및 근거리 통신기능을 갖는 소형화된 전자 시스템
WO2016196673A1 (en) 2015-06-01 2016-12-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Alternative approach to uv sensing
US10925543B2 (en) 2015-11-11 2021-02-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Bioresorbable silicon electronics for transient implants
KR102429619B1 (ko) * 2015-11-18 2022-08-04 삼성전자주식회사 본딩 스테이지와 이를 포함하는 본딩 장치
CN108039415B (zh) 2017-11-02 2019-06-07 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的封装方法
CN109887849A (zh) * 2019-01-31 2019-06-14 通富微电子股份有限公司 一种散热片贴装芯片的方法及系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02226738A (ja) * 1989-02-28 1990-09-10 Toshiba Corp キャリアテープ部品の実装装置
JPH04302444A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Toshiba Corp 半導体素子の実装方法
JP3417110B2 (ja) * 1994-12-30 2003-06-16 カシオ計算機株式会社 電子部品の接続方法
JP2830852B2 (ja) 1996-08-08 1998-12-02 松下電器産業株式会社 電子部品実装方法
TWI242679B (en) * 1997-02-19 2005-11-01 Alps Electric Co Ltd Method for mounting electric component
US6077382A (en) * 1997-05-09 2000-06-20 Citizen Watch Co., Ltd Mounting method of semiconductor chip
JPH11330162A (ja) 1998-05-19 1999-11-30 Sony Corp 半導体チップの実装方法
JP2000113919A (ja) * 1998-08-03 2000-04-21 Sony Corp 電気的接続装置と電気的接続方法
JP2001024032A (ja) * 1999-07-06 2001-01-26 Toppan Printing Co Ltd 非接触ｉｃカード用ｉｃチップ実装方法及びその実装装置
US7244675B2 (en) * 2000-03-23 2007-07-17 Sony Corporation Electrical connection materials and electrical connection method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030080035A (ko) 2003-10-10
KR100790671B1 (ko) 2007-12-31
US7341642B2 (en) 2008-03-11
WO2002071469A1 (en) 2002-09-12
HK1064804A1 (zh) 2005-02-04
CN1505835A (zh) 2004-06-16
US20040079464A1 (en) 2004-04-29
TW523885B (en) 2003-03-11
CN100392832C (zh) 2008-06-04
JP2002252254A (ja) 2002-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3665579B2 (ja) 電気装置製造方法
KR100384314B1 (ko) 회로기판에의 전자부품 실장방법 및 장치
JP5311772B2 (ja) 接着フィルム
JP3921459B2 (ja) 電気部品の実装方法及び実装装置
CN101322233B (zh) 使用超声振动在电气器件之间结合的方法
JP3886401B2 (ja) 接続構造体の製造方法
KR101150613B1 (ko) 접착 필름, 접속 방법 및 접합체
JPWO1998030073A1 (ja) 回路基板への電子部品の実装方法及びその装置
KR100563890B1 (ko) 전기적 접속 장치 및 전기적 접속 방법
JP2025143523A (ja) 接続体の製造方法及び接続体
CN119300260A (zh) 连接体的制造方法以及连接体
JP2755696B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR102106996B1 (ko) 솔더입자를 포함한 시트를 사용한 부품 실장 방법
JP3750606B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001068508A (ja) 実装方法
JP4378788B2 (ja) Ｉｃチップの接続方法
JP3148008B2 (ja) 導電性接着剤を用いた基板とチップの接続方法
JP4218181B2 (ja) 半田接合接着方法
JP2000174066A (ja) 半導体装置の実装方法
HK1064804B (en) Electric device producing method
JP2000323620A (ja) 半導体搭載用基板とその製造方法及び半導体チップの実装方法
JPH11166169A (ja) 接着剤組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050218

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3665579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100408

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120408

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130408

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130408

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term