JP3591513B2 - 電気光学装置およびプロジェクタ - Google Patents

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に関し、特に画素電極に対し蓄積容量を付加するための容量電極及び容量線と、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下適宜、ＴＦＴと称す）とを、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、ＴＦＴのゲート電極に走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ドレイン間を介して画素電極に供給される。このような画像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて短時間しか行われないので、ＴＦＴを介して供給される画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、各画素電極には（液晶容量等と並列に）蓄積容量が付加されるのが一般的である。
【０００３】
係る蓄積容量は一般に、画素電極に接続されたＴＦＴのドレイン領域を構成する導電性のポリシリコン膜等から延設され画素電極電位とされる容量電極と、この容量電極に誘電体膜を介して対向配置された電極部分を含み所定電位とされる容量線とを備えて構成されている。そして、このような容量線は、走査線と同一導電膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）から構成され、走査線に平行して横並びに配線されるのが一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の電気光学装置においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素開口率を高める（即ち、各画素において、表示光が透過しない各画素における非開口領域に対して、表示光が透過する開口領域を広げる）ことが重要となる。
【０００５】
しかしながら、画像表示領域内において走査線と容量線とが横並びに配線された前述の背景技術によれば、このように微細ピッチな画素の高開口率化に伴い走査線や容量線を配線可能な各画素の非開口領域は狭くなる。このため、画素ピッチの微細化が進む程、十分な大きさの蓄積容量を作り込むことや、走査線や容量線に十分な導電性を与えることが困難になるという問題点がある。そして、十分な蓄積容量が得られなかったり、走査線や容量線に十分な導電性が得られなかったりすると、最終的には、表示画像中におけるクロストークやゴーストが増大して画質劣化するという問題点が生じる。即ち、微細ピッチな画素の高開口率化に伴ってこのような画質劣化が顕在化してくるという画質向上のために解決困難な問題点がある。
【０００６】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図る（或いは蓄積容量の減少を抑制する）ことができ、クロストークやゴーストが低減されており、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して上方に積層形成された蓄積容量とを備え、前記画素電位側容量電極と前記固定電位側容量電極の少なくとも一方は遮光性の膜でなり、前記蓄積容量は前記データ線の下側の層間位置にあることを特徴とする。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、蓄積容量は、走査線に対して（例えば、層間絶縁膜を介して）積層形成されており、画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された所定電位とされる固定電位側容量電極とを含む。従って、基板上で平面的に見て走査線に重なる領域に形成された画素電位側容量電極と、これに対向配置された固定電位側容量電極とを利用して、当該走査線に重なる領域に蓄積容量を構築することが可能となる。この際、前述した背景技術の如く固定電位側容量電極（或いは容量線）を走査線に横並びに配線する必要が無いので、当該横並びの走査線及び固定電位側容量電極（或いは容量線）の存在により、各画素の非開口領域を広げないで済む。
【０００９】
即ち、基板上で固定電位側容量電極（或いは容量線）を走査線に立体的に重ねて形成することにより各画素の開口領域を広げつつ固定電位側容量電極（或いは容量線）を配置可能な領域を広げることにより、相対的に蓄積容量を増大させることが可能となる。従って、十分な線幅を確保することにより走査線や固定電位側容量電極（或いは容量線）に十分な導電性を与えることが可能となり、特に微細ピッチな画素の高開口率化を図りつつ、表示画像中におけるクロストークやゴーストを低減して画質を向上できる。本発明の電気光学装置の一態様では、前記薄膜トランジスタは、前記走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の上側に位置する。
【００１０】
この態様によれば、基板上で蓄積容量が積層形成された走査線を有する、所謂トップゲート型の薄膜トランジスタが得られる。
【００１１】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタは、前記走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の下側に位置する。
【００１２】
この態様によれば、基板上で蓄積容量が積層形成された走査線を有する、所謂ボトムゲート型の薄膜トランジスタが得られる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記走査線と同一の導電層からなる。
【００１４】
この態様によれば、例えば導電性のポリシリコン膜、金属或いは合金膜等からなる直線状或いは串歯状の走査線のうち、各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜上に配置された部分がゲート電極として機能する。
【００１５】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記走査線と別の導電層からなる。
【００１６】
この態様によれば、例えば導電性のポリシリコン膜、金属或いは合金膜等からなる直線状の走査線に直接又はコンタクトホールを介して接続された島状のゲート電極が、各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜上に配置される。係るゲート電極の具体的材質は、例えば導電性のポリシリコン膜、金属或いは合金膜等である。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上における前記走査線の上側に位置する。
【００１８】
この態様によれば、走査線の上側に重なる非開口領域を利用して蓄積容量を作り込む領域を広げられる。
【００１９】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上における前記走査線の下側に位置する。
【００２０】
この態様によれば、走査線の下側に重なる非開口領域を利用して蓄積容量を作り込む領域を広げられる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上における前記データ線の上側の層間位置にある。
【００２２】
この態様によれば、基板上でデータ線よりも上側の層間位置にあると共に走査線に重なる非開口領域を利用して蓄積容量を作り込む領域を広げられる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上における前記データ線と前記走査線との間の層間位置にある。
【００２４】
この態様によれば、基板上でデータ線と走査線との間の層間位置にあると共に走査線に重なる非開口領域を利用して蓄積容量を作り込む領域を広げられる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極及び前記画素電位側容量電極の一方は、前記データ線と同一の導電層からなる。
【００２６】
この態様によれば、例えばＡｌ（アルミニウム）膜等からなるデータ線と同一の導電層からなる容量電極を有する蓄積容量を、走査線に重なる非開口領域に構築できる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の上側にある。
【００２８】
この態様によれば、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の上側にあるので、画素電極及び薄膜トランジスタのうちの一方と画素電位側容量電極とを、コンタクトホール等を介して比較的簡単に電気的に接続できる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の下側にある。
【００３０】
この態様によれば、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の下側にあるので、画素電極及び薄膜トランジスタのうちの他方と画素電位側容量電極とを、コンタクトホール等を介して比較的簡単に電気的に接続できる。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極の層間位置は、前記基板上における前記走査線の上側にある。
【００３２】
この態様によれば、例えば基板上の積層構造における最上層付近に位置する画素電極を、その下方の層間位置に作り込まれた薄膜トランジスタによりスイッチング制御する構成が得られる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極の層間位置は、前記基板上における前記走査線の下側にある。
【００３４】
この態様によれば、例えば基板上の積層構造における最下層付近に位置する画素電極を、その上方の層間位置に作り込まれた薄膜トランジスタによりスイッチング制御する構成が得られる。
【００３５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記走査線に加えて前記データ線に対して積層形成されている。
【００３６】
この態様によれば、基板上で固定電位側容量電極（或いは容量線）を、走査線のみならずデータ線にも立体的に重ねて形成することにより各画素の開口領域を広げつつ固定電位側容量電極（或いは容量線）を配置可能な領域を広げることにより、より一層蓄積容量を増大させることが可能となる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極に接続されており、前記基板上でストライプ状又は格子状に配線され、画像表示領域外で所定電位に落とされる容量線を更に備える。
【００３８】
この態様によれば、画像表示領域内において蓄積容量を構成する固定電位側容量電極は、基板上でストライプ状又は格子状に配線された容量線を介して、画像表示領域外で所定電位に落とされる。従って、画像表示領域外の周辺領域にある周辺回路や駆動回路用の定電位線或いは定電位源を利用して、画像表示領域内に配置される固定電位側容量電極を比較的簡単且つ確実に所定電位にできる。
【００３９】
この態様では、前記容量線は、前記固定電位側容量電極と同一の導電層からなってもよい。
【００４０】
このように構成すれば、例えば高融点金属膜、ポリシリコン膜等からなると共に走査線に重なって延びる容量線のうち各蓄積容量を構成する誘電体膜上に位置する部分が夫々、固定電位側容量電極として機能する。
【００４１】
或いはこの態様では、前記容量線は、前記固定電位側容量電極と別の導電層からなってもよい。
【００４２】
このように構成すれば、例えば高融点金属膜、ポリシリコン膜等からなると共に走査線に重なって延びる容量線に直接又はコンタクトホールを介して接続された島状の固定電位側容量電極が、各蓄積容量の誘電体膜上に配置される。係る固定電位側容量電極の具体的材質は、例えば高融点金属膜、ポリシリコン膜等である。
【００４３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極間に介在する島状の導電膜である。
【００４４】
この態様によれば、島状の導電膜からなる画素電位側容量電極を、薄膜トランジスタと画素電極間とを中継接続する中間導電層（或いはバリア層）としても機能させられる。
【００４５】
この態様では、前記薄膜トランジスタと前記島状の導電膜との接続部は、前記データ線に対応する領域に形成されてもよいし、前記画素電極と前記島状の導電膜との接続部は、前記データ線に対応する領域に形成されてもよいし、或いは前記画素電極と前記島状の導電膜との接続部は、前記走査線に対応する領域に形成されてもよい。
【００４６】
このように構成すれば、島状の導電膜の接続部を、走査線又はデータ線に重なる各画素の非開口領域内に位置させることができ、当該接続部により開口領域を狭めないで済む。
【００４７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極は、前記走査線と前記画素電位側容量電極との間に積層されている。
【００４８】
この態様によれば、画素電極電位とされる画素電位側容量電極と走査線との間には、所定電位とされる固定電位側容量電極が積層されているので、画素電位側容量電極における電位変動が、容量カップリングにより走査線に悪影響を及ぼすこと（更に、走査線における電位変動が容量カップリングにより画素電位側容量電極に悪影響を及ぼすこと）はなくなり、当該蓄積容量を走査線に重ねて構築する構造の採用による画質劣化を低減できるので有利である。
【００４９】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極よりも前記走査線に近い側に積層されている。
【００５０】
この態様によれば、画像信号に応じて電位変動する画素電位側容量電極は走査線に近い側に位置するものの、画素電位側容量電極及び走査線間に介在する層間絶縁膜の膜厚を一定値以上に厚く設定すれば両者間における容量カップリングによる悪影響を実践的な意味で低減可能となる。即ち、この場合には、実験的、経験的或いはシミュレーション等に従って両者間の容量カップリングを装置仕様上無視し得る程度に小さくするように両者間の層間絶縁膜の厚みを設定すればよい。
【００５１】
尚、このような固定電位側容量電極としては、導電性の透明膜（ポリシリコン膜等）から別途形成してもよいし、各画素の開口領域を規定するための内蔵遮光膜（高融点金属膜等）を利用してもよい。
【００５２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極は、前記データ線と前記画素電位側容量電極との間に積層されている。
【００５３】
この態様によれば、画素電極電位とされる画素電位側容量電極とデータ線との間には、所定電位とされる固定電位側容量電極が積層されているので、画素電位側容量電極における電位変動が、容量カップリングによりデータ線に悪影響を及ぼすこと（更に、データ線における電位変動が容量カップリングにより画素電位側容量電極に悪影響を及ぼすこと）はなくなり、当該蓄積容量をデータ線に重ねて構築する構造の採用による画質劣化を低減できるので有利である。しかも、この態様によれば、走査線に重なる領域のみならずデータ線に重なる領域にも蓄積容量を積層形成するので、蓄積容量のより一層の増大を図れる。
【００５４】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極よりも前記データ線に近い側に積層されている。
【００５５】
この態様によれば、画像信号に応じて電位変動する画素電位側容量電極はデータ線に近い側に位置するものの、画素電位側容量電極及びデータ線間に介在する層間絶縁膜の膜厚を一定値以上に厚く設定すれば両者間における容量カップリングによる悪影響を実践的な意味で低減可能となる。即ち、この場合には、実験的、経験的或いはシミュレーション等に従って両者間の容量カップリングを装置仕様上無視し得る程度に小さくするように両者間の層間絶縁膜の厚みを設定すればよい。
【００５６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記固定電位側容量電極は、前記基板上で走査線に沿った領域において前記走査線と前記画素電位側容量電極との間に積層された部分を含み、前記基板上でデータ線に沿った領域において前記データ線と前記画素電位側容量電極との間に積層された部分を含む。
【００５７】
この態様によれば、基板上で走査線に沿った領域においては、所定電位とされる固定電位側容量電極部分が、走査線と画素電位側容量電極との間に積層されているので、この領域においては、走査線及び画素電位側容量電極間における容量カップリングによる悪影響を低減できる。同時に、基板上でデータ線に沿った領域においては、所定電位とされる固定電位側容量電極部分が、データ線と画素電位側容量電極との間に積層されているので、この領域においては、データ線及び画素電位側容量電極間における容量カップリングによる悪影響を低減できる。
【００５８】
この態様では、前記走査線に沿った領域では、前記誘電体膜を介して積層された第１及び第２導電膜のうちの一方から前記画素電位側容量電極が構成されていると共に前記第１及び第２導電膜のうちの他方から前記固定電位側容量電極が構成されており、且つ前記データ線に沿った領域では、前記第１及び第２導電膜のうちの他方から前記画素電位側容量電極が構成されていると共に前記第１及び第２導電膜の一方から前記固定電位側容量電極が構成されてもよい。
【００５９】
このように構成すれば、走査線に沿った領域においては、走査線及び画素電位側容量電極間における容量カップリングによる悪影響を低減できると同時に、データ線に沿った領域においてはデータ線及び画素電位側容量電極間における容量カップリングによる悪影響を低減できる構成が比較的簡単に得られる。
【００６０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極の一方は、他方を上下から挟持する一対の電極からなる。
【００６１】
この態様によれば、画素電位側容量電極及び固定電位側容量電極の一方は、他方を上下から挟持する一対の電極からなるので、基板上における同一面積に、より大きな蓄積容量を構築することが可能となる。
【００６２】
この態様では、前記固定電位側容量電極が、前記画素電位側容量電極を上下から挟持する一対の電極からなる。
【００６３】
この態様では、画素電極電位とされる画素電位側容量電極は、所定電位とされる固定電位側容量電極を構成する一対の電極により上下から挟持されるので、画素電位側容量電極における電位変動が、容量カップリングにより他の走査線やデータ線に悪影響を及ぼすこと（更に、走査線やデータ線における電位変動が容量カップリングにより画素電位側容量電極に悪影響を及ぼすこと）はなくなり、当該蓄積容量を走査線に重ねて構築する構造の採用による画質劣化を低減できるので有利である。
【００６４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極のうち少なくとも一方は、遮光性を有する。
【００６５】
この態様によれば、遮光性を有する画素電位側容量電極や固定電位側容量電極を利用して、薄膜トランジスタに対する遮光を行ったり、画素の開口領域の縁付近における光抜けを防止したりすることが可能となる。
【００６６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光性を有する一方の容量電極は、高融点金属を含む。より具体的には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００６７】
この容量電極が遮光性を有する態様では、前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの上層に位置し且つ各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の上層遮光膜からなるように構成してもよい。
【００６８】
このように構成すれば、固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極は、各絵素の開口領域を規定する導電性の上層遮光膜からなる（即ち、薄膜トランジスタの上側にある内蔵遮光膜に、本来の遮光機能に加えて固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極としての機能をも与える）ので、係る固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極を形成するために専用の導電膜を積層構造中に別途追加形成するのと比べて、積層構造及び製造工程を単純化する上で大変有利である。
【００６９】
尚、このような上層遮光膜は、走査線を構成する導電膜とデータ線を構成する導電膜との間に積層されてもよいし、データ線を構成する導電膜と画素電極を構成する導電膜との間に積層されてもよい。
【００７０】
この場合には、前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないのが好ましい。
【００７１】
このように構成すれば、基板上に入射した入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出した走査線、データ線又は薄膜トランジスタの表面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【００７２】
或いは、この容量電極が遮光性を有する態様では、前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆うように構成してもよい。
【００７３】
このように構成すれば、遮光性を有する固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極は、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆うので、チャネル領域に入射光或いは戻り光が入射して、光電効果による光電流の発生でトランジスタ特性が変化することを効果的に防止できる。
【００７４】
この態様では、前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層に位置し且つ前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う導電性の下層遮光膜からなる。
【００７５】
このように構成すれば、固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極は、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見て（即ち、薄膜トランジスタの下側から）覆う導電性の下層遮光膜からなる（即ち、薄膜トランジスタの下側にある内蔵遮光膜に、本来の遮光機能に加えて固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極としての機能をも与える）ので、係る固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極を形成するために専用の導電膜を積層構造中に別途追加形成するのと比べて、積層構造及び製造工程を単純化する上で大変有利である。
【００７６】
尚、このような下層遮光膜は、基板上に直接又は下地絶縁膜を介して積層されてよい。
【００７７】
この場合には、前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平面的に見て前記下層遮光膜の形成領域からはみ出さないのが好ましい。
【００７８】
このように構成すれば、裏面反射光や、複数の当該電気光学装置を組み合わせて複板式のプロジェクタを構成する場合の合成光学系を突き抜けてくる光等の戻り光が下層遮光膜の形成領域からはみ出した走査線、データ線又は薄膜トランジスタの表面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【００７９】
また、上記の如く容量電極が遮光性を有する態様では、前記基板上で前記薄膜トランジスタの上層に位置し且つ各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する上層遮光膜と、前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層に位置し且つ前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う下層遮光膜とを更に備え、前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記上層遮光膜及び前記下層遮光膜のうちの一方からなり、前記下層遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないように構成してもよい。
【００８０】
このように構成すれば、各画素の開口領域を規定する導電性の上層遮光膜と、薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う下層遮光膜とを更に備え、遮光性を有する一方の容量電極は、上層遮光膜及び下層遮光膜のうちの一方からなるので、係る固定電位側容量電極又は画素電位側容量電極を形成するために専用の導電膜を積層構造中に別途追加形成するのと比べて、積層構造及び製造工程を単純化する上で大変有利である。しかも、基板上に入射した入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出した下層遮光膜で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【００８１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記薄膜トランジスタのドレイン領域を構成する導電膜が延設されてなる。
【００８２】
この態様によれば、薄膜トランジスタのドレイン領域を構成する導電膜（例えば、導電性のポリシリコン膜）から延設することで、当該ドレイン領域に接続された画素電極における画素電極電位となる画素電位側容量電極を比較的簡単に構築できる。
【００８３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電位側容量電極は、前記画素電極を構成する導電膜が延設されてなる。
【００８４】
この態様によれば、画素電極を構成する導電膜（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜）から延設することで、当該画素電極における画素電極電位となる画素電位側容量電極を比較的簡単に構築できる。
【００８５】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施例から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８６】
発明を実施するための最良の形態以下、本発明を実施するための最良の形態について実施例毎に順に図面に基づいて説明する。以下の各実施例は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８７】
（第１実施例）
本発明の第１実施例における電気光学装置の構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００８８】
図１において、本実施例における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が低くなり、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が高くなり、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと定電位を供給する容量線３００との間に誘電体膜を介して形成されている。
【００８９】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａが設けられている。
【００９０】
また、半導体層１ａのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００９１】
本実施例では、容量線３００が、図中太線で示したように走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って伸びる本線部と、図２中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８４に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。容量線３００は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００９２】
図２及び図３に示すように、データ線６ａは、バリア層３０３を中継することにより、コンタクトホール８１及び８２を介して例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。他方、画素電極９ａは、バリア層３０３と同一膜からなる容量電極３０２をバリア層として利用して中継することにより、コンタクトホール８３及び８４を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００９３】
このように容量電極３０２をバリア層として用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホール８３及び８４で両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特にこのようなバリア層を用いれば、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。同様に、バリア層３０３を用いることにより、データ線６ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距離が長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホール８１及び８２で両者間を良好に接続できる。このような容量電極３０２及びバリア層３０３は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。このような高融点金属から構成することにより、容量電極３０２及びバリア層３０３を各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する遮光膜として機能させることも可能となる。このような容量電極３０２及びバリア層３０３はスパッタリングにより比較的容易に形成できる。但し、容量電極３０２及びバリア層３０３は、高融点金属以外の金属膜から構成されてもよいし、光吸収層として或いは遮光機能とは無関係に透明な導電性のポリシリコン膜から構成されてもよいし、更に、これらの膜を複数含む多層膜から構成されてもよい。いずれの場合にも、容量電極３０２及びバリア層３０３の膜厚は、例えば５０〜５００ｎｍ程度とされる。
【００９４】
図２及び図３に示すように、容量電極３０２と容量線３００とが誘電体膜３０１を介して対向配置されることにより、平面的に見て走査線３ａに重なる領域及びデータ線６ａに重なる領域に、蓄積容量７０（図１参照）の一例たる蓄積容量７０−１が構築されている。
【００９５】
即ち、容量線３００は、走査線３ａを覆うように延びると共に、データ線６ａの領域下で、容量電極３０２を覆うように突き出す突出部を有し櫛歯状に形成している。容量電極３０２は、走査線３ａとデータ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域下にある容量線３００の突出部に沿って延び、他方が走査線３ａの領域上にある容量線３００に沿って隣接するデータ線６ａ近傍まで延びるＬ字状の島状容量電極を形成している。そして、誘電体膜３０１を介して容量線３００にＬ字状の容量電極３０２が重なる領域で蓄積容量７０−１が形成される。
【００９６】
蓄積容量７０−１の一方の容量電極である容量電極３０２は、コンタクトホール８４で画素電極９ａと接続されており（同時にコンタクトホール８３で高濃度ドレイン領域１ｅと接続されており）、画素電極電位とされる。
【００９７】
蓄積容量７０−１の他方の容量電極を含む容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、所定電位とされる。定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板に供給される定電位でも構わない。
【００９８】
蓄積容量７０−１の誘電体膜３０１は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０−１を増大させる観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜３０１は薄い程良い。
【００９９】
図３に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【０１００】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【０１０１】
ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【０１０２】
対向基板２０には、更に図３に示すように、第２遮光膜２３を設けるようにしても良い。このような構成を採ることで、対向基板２０側から入射光Ｌ１が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、入射光Ｌ１が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
【０１０３】
尚、本実施例では、Ａ１膜等からなる遮光性のデータ線６ａで、各画素の遮光領域のうちデータ線６ａに沿った部分を遮光してもよいし、容量線３００を遮光性の膜で形成することにより、コンタクトホール８１，８２の形成領域を除いたデータ線６ａ下方において遮光することができる。
【０１０４】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【０１０５】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【０１０６】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが、コンタクトホール８３及び８４を介して（容量電極としても機能する）容量電極３０２により中継接続されている。また、走査線３ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々形成された第１層間絶縁膜３１１が形成されている。
【０１０７】
容量線３００上には、バリア層３０３へ通じるコンタクトホール８１及び容量電極３０２へ通じるコンタクトホール８４が各々形成された第２層間絶縁膜３１２が形成されている。
【０１０８】
第２層間絶縁膜３１２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には更に、容量電極３０２へのコンタクトホール８４が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【０１０９】
以上説明したように本実施例によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００や容量電極３０２を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成するように、容量線３００を走査線３ａの領域に沿って延出すると共にその一部をデータ線６ａに沿って突出して形成し、容量電極３０２を容量線３００に沿ってＬ字状に形成して蓄積容量７０−１を構築したので、前述した背景技術の如く容量線３００を走査線３ａに横並びに配線する必要が無く、各画素の非開口領域を広げないで済み、大きな蓄積容量が得られる。更に、十分な線幅を確保することにより走査線３ａや容量線３００を低抵抗化することもでき、特に微細ピッチな画素の高開口率化を図りつつ、表示画像中におけるクロストークやゴーストを低減して画質を向上できる。
【０１１０】
また本実施例では特に、画素電極電位とされる容量電極３０２が、所定電位とされる容量線３００よりも走査線３ａに近い側に積層される構造を採用している。このため、容量電極３０２及び走査線３ａ間に介在する第１層間絶縁膜３１１の膜厚を２００〜２０００ｎｍ程度に厚くするとよい。このように第１層間絶縁膜３１１を比較的厚く積むことにより、容量電極３０２及び走査線３ａ間における容量カップリングによる悪影響を実践的な意味で低減できる。他方、画素電極電位とされる容量電極３０２とデータ線６ａとの間には、所定電位とされる容量線３００が積層されているので、容量電極３０２における電位変動が、容量カップリングによりデータ線６ａに悪影響を及ぼすこと或いはデータ線６ａにおける電位変動が容量カップリングにより容量電極３０２（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことがないので有利である。
【０１１１】
更に本実施例では特に、容量線３００を遮光膜から構成することにより、或いはこれに加えて容量電極３０２及びバリア層３０３を遮光膜から構成することにより、画素開口領域を規定する遮光膜として機能させることができる。この際図２の平面図において、走査線３ａ、データ線６ａ及びＴＦＴ３０が、係る遮光膜の形成領域からはみ出さないのが好ましい。このように構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上に図３で上方から入射した入射光Ｌ１が係る遮光膜からはみ出した走査線３ａ、データ線６ａ又はＴＦＴ３０の表面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【０１１２】
尚、本実施例では、省略しているが、後述の第３実施例等のように、ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側（図３中、下側）から覆う部分を含む下層遮光膜（図７等に示す第１遮光膜１１ａ）を走査線３ａに沿ってストライプ状に或いは走査線３ａ及びデータ線６ａに沿ってマトリクス状に形成してもよい。このような下層遮光膜は、ＴＦＴアレイ基板の裏面や投射光学系からの戻り光Ｌ２を遮光し、この光に基づく光励起によりＴＦＴ３０のオフ時のリーク電流が原因でＴＦＴ３０の特性が変化するのを有効に防止する。このような下層遮光層は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等やポリシリコン膜からなる。特に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からなる戻り光Ｌ２は強力であるので、このようにＴＦＴ３０の下側に下層遮光膜を設けることは大変有効である。このような下層遮光膜についても、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１１３】
以上説明した実施例では、多数の導電層を積層することにより、データ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるが、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜３１１、第２層間絶縁膜３１２に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶縁膜７や第２層間絶縁膜３１２の上面の段差をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１１４】
更に以上説明した実施例では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施例では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【０１１５】
尚、第１実施例及び以下に説明する各実施例の電気光学装置において各種導電膜間を絶縁する各種の層間絶縁膜は、例えば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から構成すればよい。
【０１１６】
（第２実施例）
次に、図４及び図５を参照して本発明の電気光学装置の第２実施例について説明する。ここに、図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図５は、図４におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０１１７】
尚、図５においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図４及び図５において、図２及び図３（第１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１１８】
図４及び図５に示すように、第２実施例では、第１実施例と比べて、蓄積容量を構成する下側の導電層から、容量電極３０２に代えて、容量線３００’が形成されている。更に、この上に誘電体膜３０１を介して積層された導電膜から容量線３００に代えて、容量電極３０２’が形成されている。また、この容量電極３０２’と同一層からデータ線６ａを高濃度ソース領域１ｄに接続するためのバリア層３０３’が形成されている。容量線３００’は、第１実施例の容量線３００と同様に所定電位とされ、容量電極３０２’は、第１実施例の容量電極３０２と同様に画素電極電位とされて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−２が構成されている。その他の構成については、第１実施例の場合と同様である。
【０１１９】
従って、第２実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線３００’を走査線３ａに横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００’及び容量電極３０２’を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。更に、十分な線幅を確保することにより走査線３ａや容量線３００’を低抵抗化することもでき、特に微細ピッチな画素の高開口率化を図りつつ、表示画像中におけるクロストークやゴーストを低減して画質を向上できる。
【０１２０】
また第２実施例では特に、容量電極３０２’が、所定電位とされる容量線３００’よりもデータ線６ａに近い側に積層される構造を採用している。このため、容量電極３０２’及びデータ線６ａ間に介在する第２層間絶縁膜３１２の膜厚を２００〜２０００ｎｍ程度に厚くするとよい。このように第２層間絶縁膜３１２を比較的厚く積むことにより、容量電極３０２’及びデータ線６ａ間における容量カップリングによる悪影響を実践的な意味で低減できる。他方、画素電極電位とされる容量電極３０２’と走査線３ａとの間には、所定電位とされる容量線３００’が積層されているので、容量電極３０２’における電位変動が、容量カップリングにより走査線３ａに悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａにおける電位変動が容量カップリングにより容量電極３０２’（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことがないので有利である。
【０１２１】
（第３実施例）
次に、図６から図１０を参照して本発明の電気光学装置の第３実施例について説明する。ここに、図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図７は、図６におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。図８は、図６のＸ−Ｘ’断面図、図９は、図６のＹ−Ｙ’断面図、図１０は、図６のＺ−Ｚ’断面図である。尚、図７においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。図８から図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図６から図１０において、図２及び図３（第１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１２２】
第３実施例の電気光学装置では、図６から図１０に示すように、蓄積容量７０−３は、平面的に見てデータ線６ａに重なる部分と、走査線３ａに重なる部分とに分けて形成されている。更に、下地絶縁膜１２の下側に導電性の第１遮光膜１１ａを備え、第３層間絶縁膜７内（即ち、層間絶縁膜７ａと層間絶縁膜７ｂとの間）に内蔵遮光膜４２０を備える。
【０１２３】
より具体的には、図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画像表示領域の周辺で所定電位に落とされる容量線を兼ねる第１遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２及びＴＦＴ３０がこの順に積層される。ＴＦＴ３０上には、第１層間絶縁膜３１１、蓄積容量層、第２層間絶縁膜３１２、データ線６ａ、層間絶縁膜７ａ、内蔵遮光層４２０、層間絶縁層７ｂ及び画素電極９ａがこの順に積層される。ＴＦＴ３０は、走査線３ａとデータ線６ａが交差する部位をチャネル領域１ａ’として、データ線６上にＴＦＴの高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。
【０１２４】
更に図６及び図７に示すように、蓄積容量７０−３を構成する画素電位側容量電極の一例として、第１層間絶縁膜３１１上に、データ線６ａの領域下で、走査線３ａの隣接する領域からデータ線６ａを覆う島状のバリア層４０３ａが形成されている。このバリア層４０３ａは平面的に見て一部画素電極９ａ側に突き出した突出部を有する。また、蓄積容量７０−３を構成する固定電位側容量電極の一例として、バリア層４０３ａと同層で走査線３ａの領域上に、データ線６ａの隣接する領域から走査線３ａを覆う島状のバリア層４０３ｂが形成されている。これらのバリア層４０３ａ、バリア層４０３ｂ及び第１層間絶縁膜３１１上には誘電体膜４０１が形成される。誘電体膜４０１上には、蓄積容量７０−３を構成する固定電位側容量電極の一例として、データ線６ａの領域下で、チャネル領域１ａ’からバリア層４０３ａとデータ線６ａを覆う島状のバリア層４０４ａが形成されている。バリア層４０４ａはバリア層４０３ｂに重なる突出部を有する。また、蓄積容量７０−３を構成する画素電位側容量電極の一例として、バリア層４０４ａと同層で走査線３ａの領域上に、バリア層４０３ｂと走査線３ａを覆う島状のバリア層４０４ｂが形成されている。このバリア層４０４ｂはバリア層４０３ａの突出部と重なる突出部を有する。
【０１２５】
高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとの接続は、第１層間絶縁膜３１１と第２層間絶縁膜３１２を貫通するコンタクトホールＡＣＮＴで導通している。
【０１２６】
また、高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの接続は、まず、高濃度ドレイン領域１ｅとバリア層４０３ａとが第１層間絶縁膜３１１を貫通するコンタクトホールＢＣＮＴで導通している。そして、図６及び図１０に示すように、バリア層４０３ａの突出部とバリア層４０４ｂの突出部とがコンタクトホールＤＣＮＴで導通している。そして、図６及び図９に示すように、バリア層４０４ｂと画素電極９ａ（図６中、点線９ａ’で輪郭が示されている）とが第２層間絶縁膜３１２と層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホールＩＣＮＴで導通している。
【０１２７】
そして、蓄積容量７０−３を形成するためにバリア層４０４ａは所定電位の容量線である第１遮光膜１１ａに、第１層間絶縁膜３１１と下地絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＳＣＮＴで導通している。また、図６及び図８に示すように、バリア層４０４ａの突出部とバリア層４０３ｂがコンタクトホールＣＣＮＴで導通し、バリア層４０３ｂを所定電位としている。また、画素電極９に導通するバリア層４０４ｂとバリア層４０３ａは画素電位を得る。
【０１２８】
これらにより第３実施例では特に、誘電体膜４０１を介して対向配置されたバリア層４０３ａとバリア層４０４ａとで蓄積容量７０−３の一部が形成され、誘電体膜４０１を介して対向配置されたバリア層４０３ｂとバリア層４０４ｂとで蓄積容量７０−３の他の一部が形成され、全体として走査線３ａ及びデータ線６ａの形成領域に重ねて蓄積容量７０−３が構築されている。そして、第１遮光膜１１ａは、画像表示領域の周辺で所定電位に落とされる容量線としての機能と同時に、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光がＴＦＴ３０の半導体層１ａに入るのを阻止する機能を有する。
【０１２９】
従って、第３実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板上で容量線及び容量電極を走査線やデータ線に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。更に、十分な線幅を確保することにより走査線や容量線を低抵抗化することもでき、特に微細ピッチな画素の高開口率化を図りつつ、表示画像中におけるクロストークやゴーストを低減して画質を向上できる。
【０１３０】
また第３実施例では特に、走査線３ａに沿った領域とデータ線６ａに沿った領域とで、画素電位側容量電極を構成する導電膜と固定電位側容量電極を構成する導電膜とを入れ替える構成を採用する。即ち、走査線３ａに沿った領域の大半で、画素電極電位とされるバリア層４０４ｂと走査線３ａとの間には、所定電位とされるバリア層４０３ｂが積層されているので、バリア層４０４ｂにおける電位変動が、容量カップリングにより走査線３ａに悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａにおける電位変動が容量カップリングによりバリア層４０４ｂ（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことがないので有利である。同時に、データ線６ａに沿った領域の大半で、画素電極電位とされるバリア層４０３ａとデータ線６ａとの間には、所定電位とされるバリア層４０４ａが積層されているので、バリア層４０３ａにおける電位変動が、容量カップリングによりデータ線６ａに悪影響を及ぼすこと或いはデータ線６ａにおける電位変動が容量カップリングによりバリア層４０３ａ（更に画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことがないので有利である。
【０１３１】
加えて第３実施例では、容量線は、ＴＦＴアレイ基板１０上で各画素毎に島状に形成されたバリア層４０３ｂ及びバリア層４０４ａに夫々接続されると共にＴＦＴアレイ基板１０上でストライプ状又は格子状に配線された第１遮光膜１１ａからなり、第１遮光膜１１ａを介して画像表示領域外で所定電位に落とす構成を採用するので、画像表示領域外の周辺領域にある定電位線或いは定電位源を利用して、画像表示領域内に配線される容量線を比較的簡単且つ確実に所定電位にできる。
【０１３２】
尚、バリア層４０３ａ、４０３ｂ、４０４ａ及び４０４ｂ、第１遮光膜１１ａ並びに内蔵遮光膜４２０の材質については、例えば第１実施例における容量電極３０２及びバリア層３０３と同様に高融点金属、合金、金属シリサイド、或いはそれらを含む多層膜から構成される。第１遮光膜１１ａの膜厚は、例えば５〜２００ｎｍ程度である。また、図９でコンタクトホールＩＣＮＴ内には、第２層間絶縁膜３１２上に形成されるデータ線６ａと同一膜（Ａｌ膜）を用いてプラグ６ｂを形成し、更に層間絶縁膜７ａ上に形成される内蔵遮光膜４２０と同一膜を用いてプラグ４２０ｂを形成してもよい。同様に他の各コンタクトホール内にも、各層間絶縁膜上に形成される導電膜を用いてプラグを形成してもよいし、或いは、プラグを形成することなく直接接続してもよい。
【０１３３】
（第４実施例）
次に、図１１及び図１２を参照して本発明の電気光学装置の第４実施例について説明する。ここに、図１１は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図１２は、図１１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図１２においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図１１及び図１２において、図２及び図３（第１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１３４】
図１１及び図１２に示すように、第４実施例では、第１実施例と比べて、１本の容量線３００に代えて、平面的に見てデータ線６ａの形成領域から外れた走査線３ａの中央付近において誘電体膜３０１ａ及び３０１ｂに開孔されたコンタクトホール３２１により相接続された一対の容量線３００ａ及び３００ｂを備えており、これらの間に容量電極３０２を挟持することで、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−４が構成されている。容量線３００ａ及び３００ｂは、走査線３ａを覆うように延びると共に、データ線６ａと交差する個所から図１１中上側に向って突き出す突出部を有し櫛歯状に形成している。この際、容量線３００ｂにおける突出部は、高濃度ドレイン領域１ｅと容量電極３０２とを接続するコンタクトホール８３の手前まで突き出しており、容量線３００ｂにおける突出部は、コンタクトホール８３を超えて突き出している。そして、誘電体膜３０１ａ及び３０１ｂを介して、容量線３００ａ及び３００ｂとＬ字状の容量電極３０２とが夫々対向配置されることにより、蓄積容量７０−４が形成される。尚、これに伴い、コンタクトホール８１及び８２を介してデータ線６ａを高
濃度ソース領域１ｄに接続するためのバリア層３０３”が容量線３００ｂと同一層から形成されている。その他の構成については、第１実施例の場合と同様である。
【０１３５】
従って、第４実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線３００ａ及び３００ｂ並びに容量電極３０２を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、極めて大きな蓄積容量が得られる。
【０１３６】
また第４実施例では特に、画素電極電位とされる容量電極３０２は、所定電位とされる一対の容量線３００ａ及び３００ｂにより上下から挟持されるので、容量電極３０２における電位変動が、容量カップリングにより走査線３ａやデータ線６ａに悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａやデータ線６ａにおける電位変動が容量カップリングにより容量電極３０２（更には画素電極９ａ）に悪影響を及ぼすことはないので有利である。そして、このように構成すれば、容量カップリング低減のために、第１層間絶縁膜３１１や第２層間絶縁膜３１２を厚くしなくても済む。
【０１３７】
（第５実施例）
次に、図１３及び図１４を参照して本発明の電気光学装置の第５実施例について説明する。ここに、図１３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図１４は、図１３におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図１４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図１３及び図１４において、図２及び図３（第１実施例）或いは図６から図１０（第３実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１３８】
第５実施例の電気光学装置は、図１３及び図１４に示すようにＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａを遮光膜としてのみならず固定電位側容量電極としても用い、これに対して別途追加的に形成した画素電位側容量電極としての容量電極５０２を、誘電体膜５０１を介して対向配置させることにより蓄積容量を形成したものである。
【０１３９】
より具体的には図１４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画像表示領域の周辺で所定電位に落とされる容量線を兼ねる第１遮光膜１１ａ、誘電体膜５０１及び容量電極５０２がこの順に積層される。容量電極５０２上に下地絶縁膜１２及びＴＦＴ３０が積層される。そして、走査線３ａと同層にバリア層５１０が形成されている。ＴＦＴ３０及びバリア層５１０上には第１層間絶縁膜５１１、データ線６ａ、層間絶縁膜７及び画素電極９ａがこの順に積層される。
【０１４０】
ＴＦＴ３０は、走査線３ａとデータ線６ａが交差する部位をチャネル領域１ａ’として、データ線６上にＴＦＴの高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。
【０１４１】
バリア層５１０は、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に隣接したデータ線６ａの領域下で島状に形成されている。バリア層５１０の一部は平面的に見て画素電極９ａ側に突出する突出部を有する。
【０１４２】
高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとの接続は、第１層間絶縁膜５１１を貫通するコンタクトホール５５１で導通している。
【０１４３】
また、高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの接続は、まず、高濃度ドレイン領域１ｅとバリア層５１０とがコンタクトホール５５４で導通している。そして、バリア層５１０の突出部と画素電極９ａとが第１層間絶縁膜５１１と層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール５５３で導通している。
【０１４４】
そして、蓄積容量７０−５を形成するために、第１遮光膜１１ａは、走査線３ａとデータ線６ａの領域に沿ったマトリクス状に延び、所定電位に接続される。
【０１４５】
容量電極５０２は、走査線３ａとデータ線６ａの交差部から、一方がデータ線６ａの領域下にある第１遮光膜１１ａ上に沿って延び、他方が走査線３ａの領域下にある第１遮光膜１１ａ上に沿って延びるＬ字状の島状容量電極を形成している。
【０１４６】
そして、容量電極５０２はバリア層５１０と下地絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール５５５で導通し、画素電位を得る。これにより、誘電体膜５０１を介して第１遮光膜１１ａとＬ字状の容量電極５０２とが対向配置されることにより、蓄積容量７０−５が形成される。
【０１４７】
従って、第５実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線（第１遮光膜１１ａ）及び容量電極５０２を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１４８】
尚、第１遮光膜１１ａは、例えば第１実施例における容量電極３０２及びバリア層３０３と同様に高融点金属、合金、金属シリサイド、或いはそれらを含む多層膜から構成され、その膜厚は、例えば５〜２００ｎｍ程度である。容量電極５０２は、導電性のポリシリコン膜や上述した第１遮光膜１１ａと同一材料から構成され、その膜厚は、５０〜１００ｎｍ程度である。誘電体膜５０１は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ膜、ＬＴＯ膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。他方、画素電極電位とされる容量電極５０２と半導体層１ａとの間の容量カップリングを低減する観点から、本実施例では好ましくは下地絶縁膜１２の層厚は、２００〜２０００ｎｍ程度に比較的厚く設定される。
【０１４９】
（第６実施例）
次に、図１５及び図１６を参照して本発明の電気光学装置の第６実施例について説明する。ここに、図１５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図１６は、図１５におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図１６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図１５及び図１６において、図２及び図３（第１実施例）或いは図１３及び図１４（第５実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１５０】
図１５及び図１６に示すように、第６実施例では、第５実施例と比べて、誘電体膜５０１を介して第１遮光膜１１ａの上側にある容量電極５０２に代えて、誘電体膜５０１’を介して第１遮光膜１１ａ’の下側に容量電極５０２’が配置されて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−６は構成されている。またコンタクトホール５５５が存在する個所で第１遮光膜１１ａ’が分断されている。その他の構成については第５実施例の場合と同様である。
【０１５１】
従って、第６実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線（第１遮光膜１１ａ）及び容量電極５０２’を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１５２】
尚、第５実施例と比べると、画素電極電位とされる容量電極５０２’と半導体層１ａとの間には、所定電位の遮光膜１１ａ’が介在しているため、これら両者間における容量カップリングを低減するために、下地絶縁膜１２の層厚を厚くしなくても済む。
【０１５３】
（第７実施例）
次に、図１７及び図１８を参照して本発明の電気光学装置の第７実施例について説明する。ここに、図１７は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図１８は、図１７におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図１８においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図１７及び図１８において、図２及び図３（第１実施例）或いは図１３及び図１４（第５実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１５４】
図１７及び図１８に示すように、第７実施例では、第５実施例と比べて、誘電体膜５０１を介して第１遮光膜１１ａと容量電極５０２とを対向配置するのに代えて、下地絶縁膜１２内（即ち、第１下地絶縁膜１２ａと第２下地絶縁膜１２ｂとの間）に、誘電体膜６０１を介して容量電極６０２と導電膜６０３とを対向配置することで、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−７が構成されている。この容量電極６０２は、コンタクトホール６５５を介して、バリア層５１０に接続されて、画素電極電位とされる。他方、導電膜６０３は、コンタクトホール６５６を介して第１遮光膜１１ａに接続されて所定電位とされる。
【０１５５】
尚、これら一対の容量電極６０２及び導電膜６０３は、走査線３ａに沿って伸びる部分とデータ線６ａに沿って伸びる部分とが連結されてなるＬ字状の平面形状を有する。この際、導電層６０３のデータ線６ａに沿った部分は、バリア層５１０と容量電極６０２とを接続するコンタクトホール６５５の手前まで突き出しており、容量電極６０２のデータ線６ａに沿った部分は、コンタクトホール６５５を超えて突き出している。他方、導電層６０３の走査線３ａに沿った部分は、導電層６０３と第１遮光膜１１ａとを接続するコンタクトホール６５６を超えて突き出しており、容量電極６０２の走査線３ａに沿った部分は、コンタクトホール６５６の手前まで突き出している。その他の構成については第５実施例の場合と同様である。
【０１５６】
従って、第７実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１５７】
また第７実施例では、蓄積容量７０−７を第１遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間に構築したが、これを第１遮光膜１１ａとＴＦＴアレイ基板１０との間に構築することも可能である。
【０１５８】
尚、以上説明した第５実施例から第７実施例のように半導体層１ａの下側に蓄積容量７０を構築する場合には、容量電極に代えて又は加えて、半導体層１ｅから延設した半導体層１ａの部分を、上側に位置する容量電極として用いてもよい。
【０１５９】
更に、以上説明した第３実施例及び第５実施例から第７実施例によれば、半導体層１ａの下側にある第１遮光膜１１ａに、本来の遮光機能に加えて容量線としての機能を与えるので、積層構造及び製造工程を単純化する上で大変有利である。更にこのように第１遮光膜１１ａを設ける場合には、走査線３ａ、データ線６ａ及びＴＦＴ３０は、平面的に見て第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出さないのが好ましい。これにより、戻り光が第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出した走査線３ａ、データ線６ａ又はＴＦＴ３０の表面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【０１６０】
（第８実施例）
次に、図１９及び図２０を参照して本発明の電気光学装置の第８実施例について説明する。ここに、図１９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図２０は、図１９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図２０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図１９及び図２０において、図２及び図３（第１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１６１】
図１９及び図２０に示すように、第８実施例では、第１実施例と比べて、誘電体膜３０１を介して容量線３００と容量電極３０２とを対向配置するのに代えて、第３層間絶縁膜７内（即ち、層間絶縁膜７ａと層間絶縁膜７ｂとの間）に導電性の内蔵遮光膜７００を容量線として備え且つ誘電体膜７０１を介してこの内蔵遮光膜７００と容量電極７０２とを対向配置することで、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−８が構成されている。この容量電極７０２は、層間絶縁膜７ｂに開孔されたコンタクトホール７５１を介して、画素電極９ａに接続されて画素電極電位とされる。また、容量電極７０２は、層間絶縁膜７ａに開孔されたコンタクトホール７５２及び第１層間絶縁膜３１１に開孔されたコンタクトホール７５３を介してデータ線６ａと同一膜（例えば、Ａｌ膜）からなるバリア層７０５を中継して、高濃度ドレイン領域１ｅに接続されている。
【０１６２】
更に、各画素の開口領域を規定すると共に蓄積容量７０−８の容量線としても機能する内蔵遮光膜７００は、画像表示領域外にまで格子状に延設されて所定電位に落とされている。内蔵遮光膜７００は、コンタクトホール７５１の開孔を可能ならしめるべくコンタクトホール７５１に対応する個所が若干括れて平面形成されている。また、容量電極７０２は、走査線３ａに沿って伸びる部分とデータ線６ａに沿って伸びる部分とが連結されてなるＬ字状の平面形状を有し、コンタクトホール７５１による画素電極９ａとの接続を良好に行うべくコンタクトホール７５１の周囲で若干幅広に形成されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅについても、コンタクトホール７５３によるバリア層７０５との接続を良好に行うべくコンタクトホール７５３の周囲で若干幅広に形成されている。尚、バリア層７０５は、平面的に見てコンタクトホール７５２及び７５３の開孔位置を夫々含むようにＬ字状に形成されており、バリア層７０５と同一層からなるデータ線６ａは、バリア層７０５のコンタクトホール７５３付近における部分を避けるように若干括れて平面形成されている。その他の構成については第１実施例の場合と同様である。
【０１６３】
従って、第８実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１６４】
尚、内蔵遮光膜７００及び容量電極７０２は、高融点金属、合金、金属シリサイド、或いはそれらを含む多層膜の他、データ線６ａと同じＡｌ膜等から構成してもよい。
【０１６５】
（第９実施例）
次に、図２１及び図２２を参照して本発明の電気光学装置の第９実施例について説明する。ここに、図２１は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図２２は、図２１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図２２においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図２１及び図２２において、図２及び図３（第１実施例）或いは図１９及び図２０（第８実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１６６】
図２１及び図２２に示すように、第９実施例では、第８実施例と比べて、容量線としての内蔵遮光膜７００’と容量電極７０２’との上下関係が両者間の誘電体膜７０１’を中心に逆転して、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−９が構成されている。これに伴い、格子状の内蔵遮光膜７００’は各画素毎に、コンタクトホール７５２の開孔を可能ならしめるべくコンタクトホール７５２に対応する個所が若干括れて平面形成されている。また、容量電極７０２’は、走査線３ａに沿って伸びる部分とデータ線６ａに沿って伸びる部分とが連結されてなるＬ字状の平面形状を有し、コンタクトホール７５１による画素電極９ａとの接続を良好に行うべくコンタクトホール７５１の周囲で若干幅広に形成されている。その他の構成については第８実施例の場合と同様である。
【０１６７】
従って、第９実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａやデータ線６ａに立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１６８】
尚、以上説明した第８又は第９実施例のように画素電極９ａに近接する第３層間絶縁膜７内に蓄積容量７０を構築する場合には、容量電極に代えて又は加えて、画素電極９ａから延設した部分を、上側に位置する容量電極として用いてもよい。
【０１６９】
（第１０実施例）
次に、図２３を参照して本発明の電気光学装置の第１０実施例について説明する。第１０実施例は、第８及び第９実施例の如くデータ線６ａの上側に内蔵遮光膜１０１１ａを備え、更に第３及び第５から第７実施例の如くＴＦＴ３０の下側に第１遮光膜１１ａを備え、両遮光膜間に上述した各実施例に示したＴＦＴ３０や蓄積容量７０を構築した電気光学装置に係る。ここに、図２３は、内蔵遮光膜１０１１ａ及び第１遮光膜１１ａのみを抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０１７０】
図２３に示すように、第１０実施例では、内蔵遮光膜１０１１ａ及び第１遮光膜１１ａ共に格子状に形成されており、第１遮光膜１１ａは、平面的に見て内蔵遮光膜１０１１ａの形成領域からはみ出さないように（即ち、一回り小さく）構成されている。内蔵遮光膜１０１１ａにより各画素の開口領域が規定される。また、両者間にある不図示の走査線、データ線及びＴＦＴ等は、平面的に見て第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出さないように構成されている。
【０１７１】
第１０実施例によれば、対向基板２０側からの入射光が内蔵遮光膜１０１１ａの形成領域からはみ出した第１遮光膜１１ａ（更に、走査線、データ線等）で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。尚、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光が第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出した内蔵遮光膜１０１１ａ部分で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光は若干発生する。しかしながら、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いために、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射光のそれ比べて軽微である。従って本実施例の構成は有利である。
【０１７２】
（第１１実施例）
以上説明した第１から第１０実施例は、半導体層のチャネル領域の上側にゲート電極（走査線）が配置されたトップゲート型のＴＦＴを画素スイッチング用のＴＦＴとして備えたものであるが、以下に説明する第１１から第１８実施例は、半導体層のチャネル領域の下側にゲート電極（走査線）が配置されたボトムゲート型のＴＦＴを画素スイッチング用のＴＦＴとして備えたものである。
【０１７３】
次に、図２４及び図２５を参照して本発明の電気光学装置の第１１実施例について説明する。ここに、図２４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図２５は、図２４におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図２５においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図２４及び図２５において、図２及び図３（第１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１７４】
図２４及び図２５に示すように、第１１実施例では、ボトムゲート型の画素スイッチング用ＴＦＴ３０’の上方に、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１１が構築されている。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０上で、走査線３ａ’からデータ線６ａ’に沿って図２４で上側に角状に突出したゲート電極部分上に、ゲート絶縁膜２’を介して半導体層２１０ａが積層されている。このゲート電極部分に対向する半導体層２１０ａの部分がチャネル領域とされている。半導体層２１０ａ上には、ソース電極２０４ａ及びドレイン電極２０４ｂが、データ線６ａ’と同一膜（例えばＡｌ膜）から形成されている。ソース電極２０４ａ及びドレイン電極２０４ｂと半導体層２１０ａとの間には夫々、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層からなる接合層２０５ａ及び２０５ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層２１０ａ上には、チャネルを保護するための絶縁性のエッチストップ膜２０８が形成されている。ドレイン電極２０４ｂには、画素電極２０９ａの端部が接続されており、この画素電極２０９ａの端部上には、層間絶縁膜２１２を介して島状の容量電極２０２が積層されており、更に容量電極２０２上には、誘電体膜２０１を介して容量線２００が積層されている。そして、容量線２００は、画像表示領域内をストライプ状に伸びて画像表示領域外まで延設されて、所定電位に落とされている。容量線２００は図２４に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ａ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うように各画素毎に図２４中上側に幅広に形成された部分を有する（即ち、容量線２００は、図２４中上側に櫛歯を有すると共に走査線に沿って伸びるストライプ状に平面形成されている）。他方、容量電極２０２は、層間絶縁膜２１２に開孔されたコンタクトホール２１３を介して画素電極２０９ａの端部に接続されて、画素電極電位とされている。島状の容量電極２０２は図２４に示したように平面的に見て、走査線３ａ’に沿って伸びると共に、上述した容量電極２００の各画素毎の幅広部分に対応する部分が幅広に形成されている。
【０１７５】
このように第１１実施例では、誘電体膜２０１を介して画素電極電位とされた島状の容量電極２０２と所定電位とされた容量線２００とが対向配置されることにより、蓄積容量７０−１１がＴＦＴ３０’の上方に構築される。
【０１７６】
従って、第１１実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横 並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線及び容量電極を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１７７】
尚、本実施例では、容量線２００及び容量電極２０２の一方又は両方を、導電性の遮光膜から構成することにより、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜として機能させることも可能である。或いは、容量線２００及び容量電極２０２の一方又は両方を、透明の導電膜から構成して、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜は別途形成してもよい。
【０１７８】
（第１２実施例）
次に、図２６及び図２７を参照して本発明の電気光学装置の第１２実施例について説明する。ここに、図２６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図２７は、図２６におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図２７においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図２６及び図２７において、図２４及び図２５（第１１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１７９】
図２６及び図２７に示すように、第１２実施例では、第１１実施例と比べて、１本の容量線２００に代えて、一対の容量線２００ａ及び２００ｂを備えており、これらの間に容量電極２０２を挟持することで、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１２が構成されている。また、容量線２００ａ及び２００ｂは図２６に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ｂ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、データ線６ａ’を覆うように各画素毎に図２６中上側に大きく幅広に或いは突出して（即ち、上側に大きな櫛歯を有するストライプ状に）形成されている。他方、島状の容量電極２０２は、これに対応して図２６中上側に大きく幅広に（即ち、各島毎に、隅が膨れたＬ字形状に）形成されている。尚、所定電位とされる一対の容量線２００ａ及び２００ｂは、各画素毎或いは複数画素毎にコンタクトホールにより相接続されてもよいし、相互から独立して画像表示領域外までストライプ状に夫々引き回され、別々に定電位線等に接続されてもよい。その他の構成については、第１１実施例の場合と同様である。
【０１８０】
従って、第１２実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線２００ａ及び２００ｂ並びに容量電極２０２を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、極めて大きな蓄積容量７０が得られる。
【０１８１】
また第１２実施例では、画素電極電位とされる容量電極２０２は、所定電位とされる一対の容量線２００ａ及び２００ｂにより上下から挟持されるので、容量電極２０２における電位変動が、容量カップリングにより走査線３ａ’やデータ線６ａ’に悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’における電位変動が容量カップリングにより容量電極２０２（更には画素電極２０９ａ）に悪影響を及ぼすことはないので有利である。そして、このように構成すれば、容量カップリング低減のために、第１層間絶縁膜２１２を厚くしなくても済む。
【０１８２】
以上説明した第１１及び第１２実施例では、半導体層２１０ａの上側に画素電極２０９ａの端部が配置されているが、図２８に示すように、半導体層２１０ａの下側に画素電極２０９ａを配置してもよい。この場合における半導体層２１０ａと画素電極２０９ａとの接続は、ゲート絶縁膜２’にコンタクトホール２１４を開孔して行えばよい。
【０１８３】
（第１３実施例）
次に、図２９及び図３０を参照して本発明の電気光学装置の第１３実施例について説明する。ここに、図２９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図３０は、図２９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図３０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図２９及び図３０において、図２４及び図２５（第１１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１８４】
図２９及び図３０に示すように、第１３実施例では、第１１実施例と比べて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１３の上方に画素電極２０９ａ’が配置されており、容量線２００と画素電極２０９ａ’との間には層間絶縁膜２１６が積層されている。層間絶縁膜２１６に開孔されたコンタクトホール２１７を介して、画素電極２０９ａ’と容量電極２０２とが接続されて、容量電極２０２は、画素電極電位とされている。尚、各画素毎に幅広部分を持つ（即ち、図２９中上側に櫛歯を有する）ストライプ状の容量線２００は、図２９に示したように平面的に見て、コンタクトホール２１７を避ける分だけ当該幅広部分が若干小さくされており、島状の容量電極２０２は、コンタクトホール２１７で接続可能なように、その幅広部分がコンタクトホール２１７付近で容量線２００よりも若干大きくされている。その他の構成については、第１１実施例の場合と同様である。
【０１８５】
従って、第１３実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線２００並びに容量電極２０２を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１８６】
（第１４実施例）
次に、図３１及び図３２を参照して本発明の電気光学装置の第１４実施例について説明する。ここに、図３１は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図３２は、図３１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図３２においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図３１及び図３２において、図２４及び図２５（第１１実施例）或いは図２９及び図３０（第１３実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１８７】
図３１及び図３２に示すように、第１４実施例では、第１３実施例と比べて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１４は、上側の導電膜から島状の容量電極２０２’が構成され、下側の導電膜からストライプ状の容量線２００’が構成されている。そして、画素電極２０９ａ’と容量電極２０２’とは、層間絶縁膜２１６に開孔されたコンタクトホール２１７’を介して接続されて、容量電極２０２’は、画素電極電位とされる。また、容量電極２０２’は、層間絶縁膜２１２に開孔されたコンタクトホール２１３’を介してＴＦＴ３０’のドレイン電極２０４ｂに接続されている。尚、図３１に示すように、容量線２００’は、ソース電極２０４ｂ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、データ線６ａ’を覆うように各画素毎に図３１中上側に大きく幅広に或いは突出して（即ち、上側に大きな櫛歯を有するストライプ状に）形成されている。これに対応して、島状の容量電極２０２’は夫々、図３１中上側に大きく幅広に或いは突出して（即ち、隅が膨れたＬ字形状に）形成されている。その他の構成については、第１３実施例の場合と同様である。
【０１８８】
従って、第１４実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線２００’並びに容量電極２０２’を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１８９】
また第１４実施例では、ＴＦＴ３０’、走査線３ａ’及びデータ線６ａ’と、画素電極電位とされる容量電極２０２’との間には、所定電位とされる容量線２００’が介在しているので、容量電極２０２’における電位変動が、容量カップリングによりＴＦＴ３０’或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’に悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’における電位変動が容量カップリングにより容量電極２０２’（更には画素電極２０９ａ’）に悪影響を及ぼすことはないので有利である。そして、このように構成すれば、容量カップリング低減
のために、第１層間絶縁膜２１２を厚くしなくても済む。
【０１９０】
尚、第１３実施例や第１４実施例の如く画素電極２０９ａ’の下方に蓄積容量７０を作り込む場合にも、容量線及び容量電極の一方又は両方を、導電性の遮光膜から構成することにより、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜として機能させることも可能である。或いは、容量線及び容量電極の一方又は両方を、透明の導電膜から構成して、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜は別途形成してもよい。更に、第１３実施例や第１４実施例の如く画素電極２０９ａ’の下方に蓄積容量７０を作り込む場合にも、第１２実施例の如く一対の容量線で容量電極を挟持する構成を採ることも可能である。更に、容量線２００’はデータ線、走査線を覆うマトリクス状に形成してもよい。
【０１９１】
（第１５実施例）
次に、図３３及び図３４を参照して本発明の電気光学装置の第１５実施例について説明する。ここに、図３３は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図３４は、図３３におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図３４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図３３及び図３４において、図２４及び図２５（第１１実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１９２】
図３３及び図３４に示すように、第１５実施例では、第１１実施例と比べて、ＴＦＴアレイ基板１０上でボトムゲート型のＴＦＴ３０’の下方に、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１５が構築されている。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０上に、島状の容量電極８０２が形成され、この上に容量線８００が誘電体膜８０１を介して対向配置されている。そして、この容量線８００上に下地絶縁膜１２を介して走査線３ａが形成されている。容量線８００は、ストライプ状に画像表示領域外に延設されて、所定電位に落とされる。
【０１９３】
他方、容量電極８０２は、下地絶縁膜１２及び誘電体膜８０１に開孔されたコンタクトホール８１３により、半導体層２１０ａのドレイン領域に接続されて、画素電極電位とされる。コンタクトホール８１３内には、走査線３ａと同一の導電性材料（例えば、導電性のポリシリコン）からなるプラグ３ｂ’が配置されている。尚、容量線８００は図３３に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ａ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、データ線６ａ’を覆うように各画素毎に図３３中上側に大きく幅広に或いは突出して（即ち、上側に大きな櫛歯を有するストライプ状に）形成されている。他方、島状の容量電極８０２は、これに対応して図３３中上側に大きく幅広に（即ち、各島毎に、隅が膨れたＬ字形状に）形成されている。その他の構成については、第１１実施例の場合と同様である。
【０１９４】
従って、第１５実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線８００並びに容量電極８０２を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１９５】
また第１５実施例では、ＴＦＴ３０’、走査線３ａ’及びデータ線６ａ’と、画素電極電位とされる容量電極８０２との間には、所定電位とされる容量線８００が介在しているので、容量電極８０２における電位変動が、容量カップリングによりＴＦＴ３０’或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’に悪影響を及ぼすこと或いは走査線３ａ’やデータ線６ａ’における電位変動が容量カップリングにより容量電極８０２（更には画素電極２０９ａ）に悪影響を及ぼすことはないので有利である。そして、このように構成すれば、容量カップリング低減のために、下地絶縁膜１２を厚くしなくても済む。
【０１９６】
（第１６実施例）
次に、図３５及び図３６を参照して本発明の電気光学装置の第１６実施例について説明する。ここに、図３５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図３６は、図３５におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図３６においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図３５及び図３６において、図２４及び図２５（第１１実施例）或いは図３３及び図３４（第１５実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０１９７】
図３５及び図３６に示すように、第１６実施例では、第１５実施例と比べて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１６は、上側の導電膜から島状の容量電極８０２’が構成され、下側の導電膜からストライプ状の容量線８００’が構成されている。そして、容量電極８０２’は、下地絶縁膜１２に開孔されたコンタクトホール８１３’を介してＴＦＴ３０’のドレイン領域に接続され、画素電極電位とされる。尚、容量線８００’は図３５に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ａ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うように各画素毎に図３５中上側に比較的小さく幅広に形成されている（即ち、データ線６ａ’を覆うように各画素毎に図３５中上側に大きく突出していない）。他方、島状の容量電極８０２は、これに対応して図３５中上側に比較的小さく幅広に形成されている。その他の構成については、第１５実施例の場合と同様である。
【０１９８】
従って、第１６実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線８００’並びに容量電極８０２’を走査線３ａ’やデータ線６ａ’に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０１９９】
尚、第１５実施例や第１６実施例の如く走査線３ａ’の下方に蓄積容量７０を作り込む場合にも、容量線及び容量電極の一方又は両方を、導電性の遮光膜から構成することにより、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜やＴＦＴ３０’を戻り光から遮光する第１遮光膜として機能させることも可能である。或いは、容量線及び容量電極の一方又は両方を、透明の導電膜から構成して、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜やＴＦＴ３０’を遮光する第１遮光膜は別途形成してもよい。更に、第１５実施例や第１６実施例の如く走査線３ａ’の下方に蓄積容量７０を作り込む場合にも、第１２実施例の如く一対の容量線で容量電極を挟持する構成を採ることも可能である。
（第１７実施例）
次に、図３７及び図３８を参照して本発明の電気光学装置の第１７実施例について説明する。ここに、図３７は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図３８は、図３７におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図３８においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図３７及び図３８において、図２４及び図２５（第１１実施例）或いは図２９及び図３０（第１３実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０２００】
図３７及び図３８に示すように、第１７実施例では、第１３実施例と比べて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１７の上方にある層間絶縁膜２１６ａ及び２１６ｂ間に、データ線６ａ”が配置されている。データ線６ａ”は、層間絶縁膜２１６ａ及び層間絶縁膜２１２に開孔されたコンタクトホール２１８を介してＴＦＴ３０’のソース領域に接続されており、平面的に見てＴＦＴ３０’のゲート電極を上方から部分的に覆う位置に形成されている。容量電極２０２は、層間絶縁膜２１６ａ及び２１６ｂに開孔されたコンタクトホール２１７”を介して画素電極２０９ａ’に接続され、画素電極電位とされている。尚、容量線２００は図３７に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ａ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、データ線６ａ”及び画素電極９ａにおけるデータ線６ａ”に隣接する領域の一部を覆うように各画素毎に図３７中上側に大きく突出して（即ち、上側に鋭い櫛歯を有するストライプ状に）形成されている。他方、島状の容量電極２０２は、これに対応して図３７中上側に大きく幅広に（即ち、各島毎に、隅が膨れたＬ字形状に）形成されている。その他の構成については、第１３実施例の場合と同様である。
【０２０１】
従って、第１７実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線２００並びに容量電極２０２を走査線３ａ’やデータ線６ａ”に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０２０２】
（第１８実施例）
次に、図３９及び図４０を参照して本発明の電気光学装置の第１８実施例について説明する。ここに、図３９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図４０は、図３９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。尚、図４０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため並びにコンタクトホールによる接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を理解し易くするため、各層や各部材毎に縮尺及び相対的な平面配置を適宜異ならしめてある。また、図３９及び図４０において、図２４及び図２５（第１１実施例）或いは図３７及び図３８（第１７実施例）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【０２０３】
図３９及び図４０に示すように、第１８実施例では、第１７実施例と比べて、上側の導電膜から島状の容量電極２０２’を構成し、下側の導電膜からストライプ状の容量線２００’を構成している。そして、画素電極２０９ａ’と容量電極２０２’とは、層間絶縁膜２１６ａ及び２１６ｂに開孔されたコンタクトホール２１７”を介して接続されて、容量電極２０２’は、画素電極電位とされる。また、容量電極２０２’が層間絶縁膜２１２に開孔されたコンタクトホール２１３’を介してＴＦＴ３０’のドレイン電極２０４ｂに接続されて、蓄積容量７０（図１参照）の他の一例たる蓄積容量７０−１８が構成されている。尚、容量線２００’は図３９に示したように平面的に見て、ソース電極２０４ｂ、走査線３ａ’から突出したゲート電極及びドレイン電極２０４ｂを覆うのみならず、データ線６ａ”の大半及び画素電極９ａにおけるデータ線６ａ”に隣接する領域の一部を覆うように各画素毎に図３９中上側に非常に大きく突出して（即ち、上側に非常に大きな櫛歯を有するストライプ状に）形成されている。更に、容量線２００’は、コンタクトホール２１３’、２１７”及び２１８を避けるようにコンタクトホール２１３’とコンタクトホール２１８との間にある上記上側に大きく突出する部分の根元付近がくびれた平面形状を有する。他方、島状の容量電極２０２’は、これに対応して図３９中上側に非常に大きく幅広に（即ち、各島毎に、隅が膨れたＬ字形状に）形成されている。その他の構成については、第１７実施例の場合と同様である。
【０２０４】
従って、第１８実施例によれば、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要が無いので、各画素の非開口領域を広げないで済み、ＴＦＴアレイ基板１０上で容量線２００’並びに容量電極２０２’を走査線３ａ’やデータ線６ａ”に立体的に重ねて形成することにより、大きな蓄積容量が得られる。
【０２０５】
尚、第１７実施例や第１８実施例の如く走査線３ａ’とデータ線６ａ”との間に蓄積容量７０を作り込む場合にも、容量線及び容量電極の一方又は両方を、導電性の遮光膜から構成することにより、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜として機能させることも可能である。或いは、容量線及び容量電極の一方又は両方を、透明の導電膜から構成して、各画素の開口領域を規定する内蔵遮光膜は別途形成してもよい。更に、第１７実施例や第１８実施例の如く走査線３ａ’とデータ線６ａ”との間に蓄積容量７０を作り込む場合にも、第１２実施例の如く一対の容量線で容量電極を挟持する構成を採ることも可能である。
【０２０６】
以上説明した第１１から第１８実施例のように、ボトムゲート型のＴＦＴを画素スイッチング用ＴＦＴとして用いる場合、画素電極とデータ線とを同一導電膜から構成することも可能である。この場合にも、画素電極とＴＦＴとの間に各種の蓄積容量を構築可能であり、容量線と容量電極との上下関係についてはどちらでも可能であり、更に容量電極を一対の容量線で挟持することも可能である。
【０２０７】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施例における電気光学装置の全体構成を図４１及び図４２を参照して説明する。尚、図４１は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図４２は、図４１のＨ−Ｈ’断面図である。
【０２０８】
図４２において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図４２に示すように、図４１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０２０９】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０２１０】
以上図１から図４２を参照して説明した各実施例では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０２１１】
以上説明した各実施例における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施例では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施例における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０２１２】
本発明は、上述した各実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【０２１３】
産業上の利用可能性本発明に係る電気光学装置は、画素開口率を高めると同時に蓄積容量の増大を図ることができ、クロストークやゴーストが低減されており、高品位の画像表示が可能な各種の表示装置として利用可能であり、更に、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種の電子機器の表示部を構成する表示装置として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２１４】
図１は、本発明の第１実施例の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【０２１５】
図２は、第１実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【０２１６】
図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。
【０２１７】
図４は、第２実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２１８】
図５は、図４におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２１９】
図６は、第３実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２２０】
図７は、図６におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２２１】
図８は、図６のＸ−Ｘ’断面図である。
【０２２２】
図９は、図６のＹ−Ｙ’断面図である。
【０２２３】
図１０は、図６のＺ−Ｚ’断面図である。
【０２２４】
図１１は、第４実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２２５】
図１２は、図１１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２２６】
図１３は、第５実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２２７】
図１４は、図１３におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２２８】
図１５は、第６実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２２９】
図１６は、図１５におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２３０】
図１７は、第７実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２３１】
図１８は、図１７におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２３２】
図１９は、第８実施例の
電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２３３】
図２０は、図１９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２３４】
図２１は、第９実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２３５】
図２２は、図２１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２３６】
図２３は、第１０実施例の電気光学装置における内蔵遮光膜及び第１遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２３７】
図２４は、第１１実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２３８】
図２５は、図２４におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２３９】
図２６は、第１２実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２４０】
図２７は、図２６におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２４１】
図２８は、第１１及び第１２実施例の変形例を示す断面図である。
【０２４２】
図２９は、第１３実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２４３】
図３０は、図２９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２４４】
図３１は、第１４実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２４５】
図３２は、図３１におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２４６】
図３３は、第１５実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２４７】
図３４は、図３３におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２４８】
図３５は、第１６実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２４９】
図３６は、図３５におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２５０】
図３７は、第１７実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２５１】
図３８は、図３７におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２５２】
図３９は、第１８実施例の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【０２５３】
図４０は、図３９におけるコンタクトホールによる各層の接続関係及び蓄積容量を構築する積層状態を示す図式的な断面図である。
【０２５４】
図４１は、各実施例の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【０２５５】
図４２は、図４１のＨ−Ｈ’断面図である。

Claims (25)

1. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して上方に積層形成された蓄積容量とを備え、
   前記画素電位側容量電極と前記固定電位側容量電極の少なくとも一方は遮光性の膜でなり、前記蓄積容量は前記データ線の下側の層間位置にあることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記薄膜トランジスタは、前記走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の上側に位置することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
3. 前記薄膜トランジスタは、前記走査線の一部からなるゲート電極がチャネル領域の下側に位置することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
4. 前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記走査線と別の導電層からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の上側にあることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極の下側にあることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
7. 前記蓄積容量は、前記走査線及び前記データ線に対して重なるように積層形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
8. 前記固定電位側容量電極は、前記データ線と前記画素電位側容量電極との間に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記画素電位側容量電極は、前記固定電位側容量電極よりも前記データ線に近い側に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
10. 前記固定電位側容量電極は、前記基板上で走査線に沿った領域において前記走査線と前記画素電位側容量電極との間に積層された部分を含み、前記基板上でデータ線に沿った領域において前記データ線と前記画素電位側容量電極との間に積層された部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
11. 前記画素電位側容量電極及び前記固定電位側容量電極の一方は、他方を上下から挟持する一対の電極からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
12. 前記固定電位側容量電極が、前記画素電位側容量電極を上下から挟持する一対の電極からなることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記蓄積容量は、前記基板上における前記走査線の下側に位置することを特徴とする電気光学装置。
14. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記固定電位側容量電極は、前記データ線と同一の導電層からなることを特徴とする電気光学装置。
15. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記画素電極の位置は、前記基板上における前記走査線の下側にあることを特徴とする電気光学装置。
16. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含む蓄積容量とを備え、
    前記固定電位側容量電極に接続されており、前記基板上でストライプ状又は格子状に配線される遮光性の容量線を更に備え、前記容量線は、前記データ線の上側の層間位置にあることを特徴とする電気光学装置。
17. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記画素電位側容量電極は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極間に介在する島状の導電膜であることを特徴とする電気光学装置。
18. 前記薄膜トランジスタと前記島状の導電膜との接続部は、前記データ線に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置。
19. 前記画素電極と前記島状の導電膜との接続部は、前記データ線に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置。
20. 前記画素電極と前記島状の導電膜との接続部は、前記走査線に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項１８に記載の電気光学装置。
21. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記画素電位側容量電極と前記固定電位側容量電極の少なくとも一方の容量電極は遮光性を有し、前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層に位置し且つ前記少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う導電性の下層遮光膜からなる特徴とする電気光学装置。
22. 前記走査線、前記データ線及び前記薄膜トランジスタは、前記基板上で平面的に見て前記下層遮光膜の形成領域からはみ出さないことを特徴とする請求項２１に記載の電気光学装置。
23. 基板上に、相交差する走査線及びデータ線と、該走査線及びデータ線に電気的に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、さらに、前記画素電極に接続され画素電極電位とされる画素電位側容量電極と、誘電体膜を介して前記画素電位側容量電極と重ねて配置された固定電位とされる固定電位側容量電極とを含み前記薄膜トランジスタのゲート電極に対して積層形成された蓄積容量とを備え、
    前記画素電位側容量電極と前記固定電位側容量電極の少なくとも一方の容量電極は遮光性を有し、
    更に、前記基板上で前記薄膜トランジスタの上層に位置し且つ各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する上層遮光膜と、
    前記基板上で前記薄膜トランジスタの下層に位置し且つ前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う下層遮光膜と
    を備え、
    前記遮光性を有する一方の容量電極は、前記上層遮光膜及び前記下層遮光膜のうちの一方からなり、
    前記下層遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないことを特徴とする電気光学装置。
24. 前記蓄積容量は、前記走査線及び前記データ線に対して重なるように積層形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
25. 請求項１乃至２４のいずれか一項の電気光学装置をライトバルブとして用いたことを特徴とするプロジェクタ。

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