JP3566327B2 - プラズマ発生装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は陰極により真空室内で基板を処理するプラズマ発生装置に関し、該陰極はその上面にターゲットの形式でこのターゲットの背面の少くとも１個の磁石デバイスを用いて、処理すべき材料を含むものであり、該磁石デバイスは陰極表面のトンネル脚部で磁極を生ずる陰極表面の領域に少くとも１つのトンネル状磁界を発生し、これによりトンネル状磁界は少くとも水平トンネル軸の一部に沿って伸びているものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁界支持形プラズマ発生装置は広く知られかつ使用され、これは特に、薄膜により基板を被覆するためのスパッタ装置として用いられている（ＰＶＤ）。このようなプラズマ放電は基板から物質を取除くためにも用いられ、これは亦スパッタエッチングと呼ばれている。更に、このようなプラズマ放電はまた、いわゆるＰＥＣＶＤ法（プラズマエッチングＣＶＤ法）により用いられ、この方法は気相からのプラズマ活性化により薄膜の化学的気相成長が基板上で発生するものである。ＰＶＤ法（物理的気相成長法）とＣＶＤ法（化学的気相成長法）の混合形法も亦ありふれたものである。
【０００３】
いわゆるマグネトロンの原理に従って作動するプラズマ発生装置が最も適切で、広汎に広まっている。例えばマグネトロン・スパッタリングは到達し得るその高いスパッタ速度、および容易な制御可能性と同様に装置の簡単な動作によって通常使用される方法となった。供給源はそれぞれの位置において使用可能で、その広域供給源としての多様な動作は完全自動化生産装置にとって好都合である。このような供給源は真空室内の負電圧に置かれた陰極より構成され、そこで同時にプラズマ放電が、アルゴンのような現存する貴ガス、もしくは貴ガスと反応ガスとの混合気体により維持され、そのようにして発生したイオン衝撃がターゲットをスパッタし、薄膜の気相成長を可能にするものである。
【０００４】
高いプラズマ密度と、したがって高いスパッタ速度に到達するためには、プラズマ放電は磁界によって濃縮される。これは、例えば、ターゲット前面側でプラズマ放電用の電子トラップとして動作するトンネル状構造が形成されるように、例えば磁界がターゲットを通って入力および退出するように、磁界発生装置を陰極もしくはターゲットの上、側面もしくは背面上に配列することによりマグネトロンソースを用いて行われる。トンネル状電子トラップが環状に形成され、したがってターゲットの前面側に閉ループを形成する場合にこの効果は更に増大される。したがって電子トラップは極めて有効になる。このような装置はドイツ特許明細書ＤＥＮｏ． ２４１７２８８に記載されている。
【０００５】
上記マグネトロン供給源はプラズマループのホース状構造がターゲット材料の溝（トレンチ）状腐食に導かれるという不都合な点を有している。この溝状腐食はターゲット材料の極めて悪い利用を２０ないし３０％の範囲に導くものである。
【０００６】
本発明に関係する重要な従来技術であるドイツ公開公報ＤＥ−ＯＳＮｏ． ２７０７１４４によれば、この不都合さを無効にするために、磁気的電子トラップとターゲットを相互に相対的に移動させることが提起されている。ターゲットが例えば回転板もしくは回転円柱としてこの磁気システムの上部を移動され得るのみならず、また磁気システムそれ自身がターゲットの下部を移動され得ることが開示されている。両方の場合に、ターゲットはより均質的に腐食される。同様の結果は、電磁遊動フイールドに対しても達成され得る。両方の場合において完全な電子トラップや閉ループ放電をターゲットに対し相対的に移動させることが提起されている。電磁バージョンの実用的な実現は、高度の成果と高い価格につながるものであるが、これは、数百ガウスの高い磁気的流れ密度が小さな空間内で発生されねばならぬからである。
【０００７】
ターゲット同様に全体の磁気システムの機械的移動は実現時にまた極めて消費的であり、大きな構成寸法に導かれる。固定された磁気システムのまわりを移動する円柱型ターゲットに関する１つの例は米国特許明細書Ｎｏ． ４３５６，０７３に示されている。円柱内側に位置された磁気システムの装置に関して提供された解決法は高度の構造上の努力を必要とする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は従来技術の不都合さを無効にするためのタスクを解決することを希望したものである。例えばスパッタ装置もしくはエッチング装置に対して、コンパクトで経済的な構造を以て、規定されたもしくは一様なターゲットの腐食に導かれる陰極表面上の予め設定された領域にプラズマ放電を生起するのを許容するプラズマ発生装置を実現するのが主要な焦点であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、請求項１の特徴に従ってこの課題を解決するものである。少くともプラズマループの一部分が長手方向に拡張されるマグネトロン放電に対して電子トラップ全体が動かされることは推奨されず、一部分のみ、特に電子トラップの直線部分が移動されるならば十分である。
【００１０】
更に直線部分のトンネル脚部磁極の一側面のみを移動することが勧告される。トンネル脚部極は、トンネル状磁界によって陰極表面で発生される磁極である。磁界トンネルは常に陰極表面上に入口極と出口極とを形成する。中間トンネル脚部極のみが移動される簡単な環状放電が使用される場合、装置は特に簡単で有効である。この中間トンネル脚部極の直線部分の制御された運動により、例えばそれを前後に周期的に移動することにより、ターゲット上のプラズマ放電の幅と同様に中間位置が変化される。スパッタ放電に対しては之はその時例えばターゲット表面の一層均質な腐食をするように導かれる。
【００１１】
本発明に係る該装置の別の利点は、プラズマにより過走査されないターゲット上の領域を阻止することを許容することである。これは反応的応用、特に多層光学的フイルムのような光学的薄膜の応用に対し誘電体材料をスパッタする時に特に重要である。勿論また１つより多い環状放電、即ち数個の直線状トンネル脚部点が移動可能である数個の大表面プラズマ放電環を有する、プラズマ放電装置を製作することも可能である。
【００１２】
【作用】
上記の如く、プラズマ発生装置を支持する磁界はまた閉止した磁界ループ又はプラズマループなしに製作され得る。しかしながらこの場合に電子トラップの効果は減少され、プラズマ放電はより高い電圧を用いて操作されねばならない。更に、最大可能な放電電力又はプラズマ密度はこの事実により低下される。したがって、閉じたプラズマループを用いてプラズマ放電を規定する磁石界磁発生装置を使用することは大きな利点である。この場合、本発明に係る構成は極めて容易に実現され得る。
【００１３】
永久磁石より成る外側フレームはトンネル状磁界が第１および第２の磁石磁極発生装置の間に発生されるように、例えば第１の磁石磁極発生装置を形成し、第２の磁石磁極発生装置を包囲して使用可能である。長く広がった平面的構造を用いて−実用上の応用に対し屡々必要とされるものであるが−本発明に係る内部もしくは第２の磁石極は平面状表面に沿って陰極の長さの広がりの方へ横方向に移動可能である。
【００１４】
例えば対応するトンネル脚部磁極を周期的に前後方向に動かすことによりプラズマ放電が伴って発生し、したがって例えば、スパッタ装置もしくはエッチング装置を用いれば、夫々陰極もしくはターゲット表面が一層広域にわたり、かつ一層均質な腐食を生ずることになる。本発明によれば、トンネル脚部磁極の直線部分のみが移動されねばならないので装置は極めて簡単になる。マグネトロン型環状放電の複雑な放電関係は、したがって、全体の環状電子トラップの構造が修正されねばならない如く、一層良好な制御が可能となる。
【００１５】
幾つかの直線状移動可能なトンネル脚部磁極が固定されたフレーム状磁石フレーム内で発生されることを意味する、本発明に係る構造を用いて幾つかの環状放電を操作することは勿論可能である。またこの運動は、プラズマ密度のある平均分布のプロフイールを発生することを許容するあるプロフイールに従ってこの運動は操作可能となる。例えばスパッタ装置を用いて、これによりターゲットの腐食の形状が主として望む通りに予め規定され得ることをもたらすものである。
【００１６】
更に、このことは、スパッタ材料部分の分布特性を規定したり、固定することをまた一層容易にするものである。本発明に係る構造は、永久磁石が磁界を発生するように使用されるならばおよび長手方向のトンネル脚部磁極を形成する磁石装置の一部が機械的に動かされ得るならば、容易にかつ経済的に構築され得る。しかしながら之はこのような永久磁石の電磁構造又は組合せを使用することによりまた可能である。
【００１７】
線型の平行に運動可能な磁石容器を用いて実際に作動する場合、容易に制御されず、かつ駆動に対してと同様にシステムの態様に対してもある努力を必要とする高機械力が存在する。この問題に対する都合のよい推奨すべき解決策は、本発明により、縦方向に長い磁極発生容器が長手方向の軸上にて軸回転可能であるように、更に構造を形成することにより得られる。この軸回転の態様は別々に生ずる力を管理することが可能で、実現の努力は之に対応して低くなる。所望の駆動力はまた極めて低いもので、常にプラズマ発生装置の寸法に依存するエンジン駆動特性の数ワットから約１００ワット（Ｗ）までの範囲内にある。大略４５ｃｍの陰極寸法を用いて、大略１００Ｗの駆動エネルギーは完全に十分である。構造が大きくなれば、それに対応してより大きな駆動部の寸法が必要とされる。
【００１８】
例えば、非常に適切な構造は、２個の軸回転可能な直線状磁石磁極の線を囲む外部固定形永久磁石磁極フレームより構成される。その時最初の磁極は軸回転可能な隣接している極に対応する外部フレームの１つの長さ側にあるターゲットに対向する側に配置され、軸回転可能な第２の極は反対側の極として配置される。プラズマの中断を阻止するために、９０°の回転の後に、各極はそれに対応して構造の中間軸上に配置されるように、軸回転可能な極が相互に対して滑らかに回転されねばならない。もう１回の９０°の回転の後に、軸回転可能な極は互いに入れ替った状態になる。
【００１９】
今ターゲット表面において生じたトンネル脚部磁極は一方の側から他方の側に遊動し、外部のトンネル脚部磁極は、外部の磁極フレームと一つの軸回転可能な磁石磁極の位置に依存して形成される。１８０°の回転の後に、別の側に状態は変化する。プラズマ放電を中断することなしに夫々均一な運動とトンネル脚部磁極の幅変調を達成するために、磁石は１８０°反転される。このような構造よりなるスパッタリング装置に対して７０％以上までのターゲット利用率が容易に達成し得る。
【００２０】
機械的構造は軸回転可能な磁力線が１８０°だけ前後に揺動することを保証する介挿された振子駆動部を用いた連続転回エンジン駆動装置が用いられるならば更に簡略化可能である。電気式、水力式、空気圧式などのような周知のエンジンが駆動部として使用可能である。
【００２１】
もし大きな寸法の陰極が望まれるならば、若干の軸回転可能な磁石磁極発生装置より成る構造を作成することは問題にならない。軸回転可能な磁石磁極発生装置は、陰極表面領域上のプラズマ放電の一種の動揺を発生させるために連続的に前後に移動され得るのみならず、これらの装置はまた対応するプラズマループの破壊又は対応するプラズマ環の放電の付与に導かれるその効果において、トンネル状電子トラップが著しく悪化されるように意図されかつ移動され得る。したがって例えば環状放電の局所的設置により陰極表面を走査することが可能であることを意味する陰極表面上の単一プラズマループを意図的にスイッチオンとスイッチオフすることが可能である。
【００２２】
更に、本発明によりプラズマ放電の位置を年代順に事前設定することが可能であるのみならず、また更にプラズマ放電の異なる位置の値を事前設定するように放電電力を導くことも可能である。これは例えば放電電力が制御手段により誘導され得る場合、制御可能な電源により実現され得る。
【００２３】
極限において、この変調はまたパルス化又は切換可能である。例えば、パルス化は反応プロセスにより誘電材料をスパッタする時、望ましくない火花連絡（ｓｐａｒｋ−ｏｖｅｒ）が大部分阻止されるという付加的な利点、もしくは放電が夫々安定に制御され得るという付加的利点を有する。局所的に可変のプラズマ放電を変調可能な電源と組合せることにより、夫々スパッタされた材料の腐食特性もしくは分布特性の制御に付加的に影響を与えることが許可され得るものとなる。
【００２４】
【実施例】
図面は、表示された例がスパッタリング装置を示すプラズマ発生装置の相異なる方法での実用上の実現を概略的に示している。しかしながら同じ機能方式は之が前に述べたようにエッチング装置として使用可能である。このような場合、スパッタリングターゲットの代りに基板が用いられ、これはそれからスパッタリングもしくは反応プロセスにより処理される。
【００２５】
図２Ａは従来技術に係る移動可能な電子トラップをもったスパッタ供給源に対する陰極構造の概略断面図を示している。図２Ａのいわゆるマグネトロン型スパッタ装置において、ハウジング１７、冷却チャンネル６付きの冷却板５およびターゲット１よりなる陰極本体は、強化絶縁９を用いて真空室８上にフランジ付けされる。スパッタリング・ターゲット１はスクリュー３付保持フレーム２と接触薄片４により冷却板５に対し押圧される。その上真空室８は、同時に陽極を形成し、陰極構造を外周上で囲むように設置されたシールド７で取付けられる。例えば全体の構造は、ターゲットがたとえば１４５×４５０ｍｍの典型的な寸法を有する矩形として製造される。
【００２６】
冷却板５の後には、外部フレームに対し反対極を形成する中心磁石１０を取巻く外部永久磁石フレーム１１より構成される磁石系が設置される。それらの磁石が冷却板５とターゲット１を通りしたがってターゲット表面の前に環状電子トラップを形成するトンネル状磁界１５を発生するように磁石は設置される。背面側では、背面側の磁界の流れを閉ループにするために磁石系は強磁性材料の磁極板１２を備えている。
【００２７】
磁石磁極発生装置１０，１１，１２もしくは磁石系は磁界線がトンネル状磁界１５を通って出入りする時に、トンネル脚部磁極（ tunnel foot pole ）１６がターゲット表面上に生ずるように形成される。ここで、トンネル脚部磁極は、ターゲット表面上の、トンネル状磁界１５の磁力線が出入りする部分（例えば図２Ａの丸印１６で示した部分）を示すが、これはあたかもその部分にトンネル状磁界を生成する磁極が存在するかのように見える部分であるので、このように呼ぶものである。磁石磁極発生装置１０，１１，１２は種々の異った方法で構成され得るが、重要なことは、ターゲット表面において、ターゲット表面上の対応するトンネル脚部磁極１６を用いてループを形成するトンネル状磁石磁界１５が存在することである。プラズマ放電を発生するために、例えば数百ボルトの負電圧が、陽極７に関して夫々陰極本体１７又はターゲット１に印加される。よく知られているように、数１００ヘルツないしキロヘルツの中間又は高周波の範囲内で陰極はまた交流電源を用いて作動可能である。交流電源と直流電源の組合せもしくは重ね合わせ方法もまた可能である。
【００２８】
更に、共通バイアス配置の付加的電極が使用可能である。真空室はそれから大略１０−２ないし１０−３ミリバールのアルゴンガス圧力に設定される。ターゲット上に生じた環状プラズマ放電から環状溝を腐食さすイオンがターゲット１に向けて加速される。この不都合を避けるために、図２Ａに示す如く、磁石磁極発生装置１０，１１，１２を全体として移動さすことが提案された。この全体の電子トラップの運動は移動はまた全体のプラズマ環の移動という結果になる。ターゲット１は、図２Ａに図示されるようにしたがって比較的均質に腐食される。
【００２９】
このような磁石系１０，１１，１２を移動するための所要の駆動部と軸受とは実現するには全く高価である。結果としての製作寸法は応用に対しじゃまになり制限を与えるものである。更にターゲット腐食のプロフイールを不都合なものにし、かつターゲット端部領域のある場所に腐食を集中せしめるプラズマのホースの曲線領域に交差点が現われる。これは、それから、大きな表面の、長い主ターゲット領域が完全に腐食され得る前に、したがって効率的に使用不可能となる前でさえ、ターゲットはこれらの制限された領域において完全に腐食されるので、ターゲットの最大利用を減少させる。
【００３０】
ある領域におけるプラズマのみが一時的に完全なターゲット表面にわたり存在するので、特に誘電材料がスパッタされる時に、望ましくないアーク放電と反応プロセスを用いた放電の不安定性に関係する不都合さが存在し得るものである。所望の腐食プロフイールの事前設定も制限される。これは従来技術から知られるように、このような構造は管状構造のような別の陰極幾何学的形状に対しても種々の寸法で使用可能である。図２Ｂは概略上面図であり、点線を引いた磁石装置１０，１１が矢印方向のように、ターゲット１の下で前後方向にいかに移動され得るかを示している。
【００３１】
図３Ａは概略図で、一例として本発明の解決策の第１の局面の断面図である。第１の磁石磁極発生装置１１はターゲット１に関係する固定位置におけるフレームとして形成される。第２の磁石磁極発生装置１０は、一周する磁石磁極発生装置１１の内部で陰極長手方向軸に対して横方向に変位可能な如く配置されている。上記の陰極長手方向軸の方向（図３Ｂのターゲット１の点線１０で表されたような長手方向）に伸び、トンネル状磁界１５の中心を通る軸をトンネル長手軸と呼ぶ。これを特定するために図３Ｂはまた上面図を示している。第２の磁石磁極発生装置１０の前後方向の運動の振れの振幅は、所望の腐食がターゲット１上に発生するように選定される。これは簡単な普通の試験により容易に計算可能である。しかしながら、トンネル脚部磁極１６がターゲット表面１から見えなくならないような、もしくは陰極面上のトンネル状電子トラップ１５が完全に見えなくならないような、したがってプラズマ放電を禁止することになるような程度までしか振れの振幅が達し得ない。これが望まれるならば、プラズマ放電を切断するために、或る場合にはこの効果から利益が得られる。
【００３２】
第２の磁石磁極発生装置１０の運動は周知の駆動手段の使用により達成可能である。実用上の実現に対して磁石磁極発生装置１０と駆動部との間に設置される振子駆動ギヤユニットを使用することは特に都合のよいことである。しかしながら制御された電動機装置を使用することにより、このような介挿された振子駆動ギヤユニットなしに被制御運動を行うことは可能である。
【００３３】
本発明の好適な実施例は図１の断面図において概略的に示されている。この第１のフレーム状磁石磁極発生装置１１内にその長手方向軸のまわりに回転可能な２個の永久磁石構造１３と１４がある。磁石の配置態様は、磁石が、周知の如くターゲット表面上のトンネル状磁界を発生し得るようになっている。この目的のために、対に設置された永久磁石１３と１４とは、背面側の磁界の流れ１２を閉じるために磁極板に向けて十分な距離を備えていなければならない。
【００３４】
図４Ａは軸回転可能な永久磁石の構造１３，１４の第１の始動位置を示している。左方の軸回転可能な磁石１３は、ターゲットに接近している側におけるその磁極は磁石フレーム１１の磁極に対応するように設定されている。右側の軸回転可能な磁石１４は対向磁極として配設されている。左側においてこの磁石は磁石１４と１３と１１の間および右側における磁石１４と１１の間で、トンネル状磁界１５を結果として生ずる。今度は磁石１３と１４とが共に同一方向で９０°回転されるならば磁石の磁極はお互に対し単極的に動作する。
【００３５】
双極子を形成する磁石１３と１４とが、図４Ｂで示されるように、今度はターゲット板１に平行に方向付けられる。この位置において磁石１３と１４の２個の対向して存在し反撥する磁極は、ターゲット表面の中心において合成的なトンネル脚部磁極１６を発生する。このトンネル脚部磁極はしたがって右から左へ遊動した。これによりまたプラズマ位置の変位とターゲット上の放電の幅の変位に導かれる。中心からそらされた磁石１３と１４の磁極は今度はフレーム状磁石磁極発生装置１１のターゲットに向けて回転されたものに対応している。
【００３６】
磁石１３，１４を９０°だけ更に回転したものが図４Ｃに示されている。この磁石１３，１４をもう１回転することはトンネル脚部磁極１６を変位させ、したがってプラズマ放電を更にターゲットの左側に変位させる。磁石１３と１４の回転方向は、ターゲットに近い磁石１３，１４の磁極は、磁石１１，１４又は１１，１３の外部中間領域におけるターゲットに接近したフレーム磁石磁極１１に相互に逆極性に面しないようにしてトンネル状磁界が中断又は破壊されるようには決してならないように常に選択されねばならない。放電の連続的な動作が所望されるならば、この課題は注意を払わねばならない。しかしながら或る場合には、意図的なひっくり返しと電子トラップの破壊とがプラズマを中断するために望まれることもある。制御された駆動装置により磁石１３，１４は、ある腐食のプロフイールが達成されるように容易に移動され得る。再び、駆動機関と磁石１３，１４間の振子駆動ギヤユニットの介挿は構造を簡略化するのに最も適している。したがって更に構造を簡略化する被制御駆動装置なしに作動可能である。提案された実現は勿論、例えば管状陰極構造においても使用可能である。
【００３７】
図５ないし図７は、図４Ａ，４Ｂ，４Ｃに係る原理が大きな表面の構造に適用される場合、本発明の構造としての概略断面図を示す。例えば３個の軸回転可能な磁石磁極対１３，１４が使用されるならば、運転制御の可能な３個のプラズマループが発生可能である。しかしながら、電子トラップの効果が対応する希望の位置で禁止されるように、少くとも１個の軸回転可能な磁石磁極を偏向することにより、プラズマループは系列的にスイッチオンおよびスイッチオフが可能である。図８は多重に移動可能なトンネル脚部磁極を用いた大きな表面構造の概略上面図を示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の好適な実施例の断面図である。
【図２】図２Ａは従来技術による移動可能な電子トラップをもつスパッタリング供給源に対する陰極構造の概略断面図を示すものであり、図２Ｂは図２Ａの概略平面図である。
【図３】図３Ａは本発明の解決策の第１のバージョンの断面図であり、図３Ｂは図３Ａの平面図である。
【図４】図４Ａは枢軸可能な永久磁石の構造１３，１４の第１の始動位置を示す図であり、図４Ｂは双極子を形成する磁石１３，１４がターゲット板に平行に向いた図であり、また図４Ｃは磁石１３，１４を９０°だけ更に回転した場合の図を示している。
【図５】図５は、図４Ａに係る原理が大きな表面の構造に適用された場合の本発明の構造としての概略断面図である。
【図６】図６は、図４Ｂに係る原理が大きな表面の構造に適用された場合の本発明の構造としての概略断面図である。
【図７】図７は、図４Ｃに係る原理が大きな表面の構造に適用された場合の本発明の構造としての概略断面図である。
【図８】図８は、多重に移動可能なトンネル脚部磁極を用いた大きな表面構造の概略平面図を示している。
【符号の説明】
１…ターゲット
２…保持フレーム
３…スクリュー
４…接触薄片
５…冷却板
６…冷却チャンネル
７…陽極
８…真空室
９…強化絶縁
１０…中心磁石（磁石磁極発生装置）
１１…外部永久磁石フレーム（磁石磁極発生装置）
１２…磁界の流れ（磁石磁極発生装置）
１３…永久磁石
１４…永久磁石
１５…トンネル状磁界
１６…トンネル脚部磁極
１７…ハウジング

Claims (10)

1. ターゲット（１）の形で陰極上面に処理すべき材料を含む陰極（１７，５，２，１）を備えた、真空室内で基板を処理するマグネトロンプラズマ発生装置であって、該プラズマ発生装置は、前記ターゲットの背面側領域に、前記陰極の表面の領域内において該陰極の表面上にトンネル脚部磁極（１６）を形成する少くとも１個のトンネル状磁石磁界（１５）を発生する少くとも１個の磁石装置（１０，１１，１２）を具備することにより、前記トンネル状磁石磁界（１５）は前記ターゲットの長手方向に沿ったトンネル長手軸の少くとも一部に沿って伸展するマグネトロンプラズマ発生装置において、前記磁石装置（１０，１１，１２）は、少くとも１個の前記トンネル脚部磁極（１６）を、前記トンネル長手軸に対し垂直に変位させる手段を含み、前記磁石装置（１０，１１，１２）は、固定された第１の磁極発生装置（１１）であって、前記トンネル状磁石磁界（１５）に属する前記のトンネル脚部磁極（１６）を変位させる手段を提供する少くとも１つの第２の磁極発生装置（１０）を、閉じたフレーム（１１）として包囲する第１の磁極発生装置（１１）を備え、前記第２の磁極発生装置は少くとも１つの永久磁石対（１３，１４）より構成され、該永久磁石は、前記陰極の表面の領域においてトンネル状の横方向に修正可能な磁石磁界（１５）を発生するように、前記ターゲット（１）に対して、前記永久磁石の長手方向軸上にて並列に軸回転可能な如く設置されてなることを特徴とするマグネトロンプラズマ発生装置。
2. 中間位置から離れた最初の位置にある前記の磁石（１３，１４）の磁極対（１３，１４）は、該磁石対（１３，１４）が前記ターゲットに接近した位置で互に反対極性になり、一方端縁極対（１１，１３；１１，１４）の１つが常に外側の前記閉じたフレーム（１１）と同極になるように設置されてなる、請求項１に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
3. 前記磁石対（１３，１４）は、該磁石対の前記中間位置において磁極が等しく、反発し合うように１８０°だけ反対方向に向けられ軸回転可能である、請求項２に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
4. 前記磁石対（１３，１４）が振子駆動装置と結合されてなる、請求項３に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
5. 前記振子駆動装置は振子駆動ギヤユニットと電動機駆動装置とを含む、請求項４に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
6. 数個の対よりなる軸回転可能な磁石（１３，１４）を備える、請求項１〜５の何れか１項に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
7. 一定の運動プロフイールに従って前記トンネル状磁石磁界（１５）の直線状部分領域の制御された横方向運動を提供するための前記磁石対（１３，１４）の駆動制御部を含む、請求項６に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
8. 前記ターゲットの表面の相異なる領域におけるプラズマ放電の逐次オンオフ・スイッチングのために、前記磁石磁界（１５）のトンネル状部分領域の逐次オンオフスイッチングを提供する前記磁石対（１３，１４）のための駆動制御部を具備する、請求項７に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
9. 変調可能な、もしくはパルス化可能な電源が前記プラズマ発生装置と結合され、更に前記トンネル脚部磁極（１６）を移動させる手段を同期させるように結合されてなる、請求項１〜８の何れか１項に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。
10. プラズマ発生装置がスパッタ装置、エッチング装置、又はプラズマＣＶＤ装置である、請求項１〜９の何れか１項に記載のマグネトロンプラズマ発生装置。

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