JP3326041B2 - ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物 - Google Patents
ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物Info
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Description
用洗浄剤組成物、更に詳しくは鉛、亜鉛等の金属イオン
を含有する低融点のはんだガラスでオーバーコートされ
たハイブリッドIC基板の表面に存在するロジン系フラ
ックス等の汚れの除去性に優れ、はんだガラスの浸食を
防止し、金属部材への影響が無いハイブリッドIC基板
用洗浄剤組成物に関する。
ブリッドIC基板として、例えば車載用ハイブリッドI
C基板は、一般家電製品等と比較して、特に自動車等の
過酷な環境下で使用できるように設計されたハイブリッ
ドIC基板である。その製造は、アルミナ系セラミック
基板に導体印刷/乾燥/焼成、抵抗体印刷/乾燥/焼
成、次いで低融点のはんだガラスをオーバーコートガラ
スとして印刷/乾燥/焼成する厚膜印刷工程、その後、
各種部品組み付け/はんだ付け/フラックス洗浄/乾燥
/ワイヤーボンディング等の部品組立工程、及びパッケ
ージ工程、検査工程等を経て行われる。
ーバーコート層は、一般的にはパッシベーション機能と
言われるが、高温高湿、排ガス等の過酷な車載環境にお
いて、水分、排ガス中の硫黄分、腐食性イオン等の浸入
による厚膜導体、例えば銀や銅等の腐食、マイグレーシ
ョン、及び厚膜抵抗の劣化や特性値変動を防止する機能
を持つ。この機能を充分発揮するため、及び基板の信頼
性確保のためには、はんだ付け後のフラックス等を充分
に洗浄し、しかもオーバーコート層を浸食しないことが
重要となっている。
の表面に存在するロジン系フラックス等の汚れの除去に
は、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
剤;ケロシン、ベンゼン、キシレン等の炭化水素系溶
剤;トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等の塩
素系溶剤;トリクロロトリフルオロエタン等のフロン系
溶剤等の溶剤系洗浄剤が使用されている。
に問題があり、また、炭化水素系溶剤、特にベンゼン、
キシレン等は毒性が強く、労働安全衛生上の有害物に指
定されている化合物であって、これを取り扱う作業の危
険性および煩雑さを考慮すると、洗浄剤として用いるこ
とは好ましくない。一方、塩素系およびフロン系の溶剤
を用いる洗浄剤は、安全性、毒性、環境汚染性等に大き
な問題を有していることが明らかにされ、国際レベルで
その廃止が進められている。
フラックス等の汚れの除去にも改良された水系の洗浄
剤、あるいは水でリンス可能な洗浄剤の使用が検討され
ている。これらの洗浄剤は洗浄剤に使用する界面活性剤
やビルダー等を適宜選択配合することにより溶剤系洗浄
剤と同等以上の洗浄性を有すること、あるいは引火性が
ないため火災や爆発の危険がない等、種々の利点を有す
る。
てハイブリッドIC基板を洗浄する場合、フラックス等
の汚れの除去性が劣っていたり、はんだガラスから成る
オーバーコート層を浸食し、それに伴って、パッシベー
ション機能を著しく阻害する。結果として、基板の電気
的信頼性も低下するという不都合があった。
剤については、これまでに幾多の工夫がなされている。
例えば特開平5−271699号公報には、水酸化第4
級アンモニウム塩基をアルカリ基材とし、非イオン界面
活性剤とアルカノールアミンとを添加して得られる有機
アルカリ水溶液を洗浄剤として使用することが示されて
いる。しかし、これらはロジン系フラックス等の汚れの
洗浄性が充分ではない。更に、ハイブリッドIC基板に
用いられるはんだガラスの浸食防止効果もないばかり
か、アルミニウム、銅等の電極部材及び部品類を浸食
し、電気的な信頼性を低下させる。
は、エチレングリコールモノヘキシルエーテルと界面活
性剤、補助溶媒、水を包含する組成物を洗浄剤として使
用することが示されている。しかし、これらははんだガ
ラスの浸食防止効果がほとんど期待できない。
例えば窯業協会誌 Vol.87, No.1 (1979)には、アルカリ
ガラスのアルカリ溶液による表面層の浸食、いわゆる
「潜傷」をCa2+、テトラメチルアンモニウムイオン
(N(CH3 )4 + )の存在により遅らせることができ
ることが開示されている。しかし、本発明で対象とする
ハイブリッドIC基板に用いられるはんだガラスでは、
修飾酸化物の含有量が多いため、より激しい溶出が起こ
る。また、ロジン系フラックス等の汚れの中に含まれる
成分の中には、これら修飾酸化物の金属イオンと結合し
やすいものがあり、浸食を著しく促進することから、上
記のエッチングと異なる機構によるものである。
決されたことのない課題を解決することにある。即ち、
従来の洗浄剤のもつ欠点を改良し、安全性、洗浄性、す
すぎ性に優れ、はんだガラスの浸食を防止し、金属部材
への影響がないハイブリッドIC基板用洗浄剤組成物を
提供することにある。
を解決すべく鋭意研究を行った結果、グリコールエーテ
ル系化合物、単環芳香族系ジアミンのエチレンオキサイ
ド付加物、アルキルホスフェートを分岐鎖アルキル第1
級アミンで中和した化合物、非イオン性界面活性剤、及
び水を含有してなる洗浄剤組成物が、ハイブリッドIC
基板を洗浄する際の安全性、洗浄性、すすぎ性に優れ、
はんだガラスの浸食を防止し、金属部材への影響がない
という優れたものであることを見いだし、本発明を完成
するに至った。
2〜3の整数を示す。)で表されるグリコールエーテル
系化合物70〜95重量%、 (B)次の一般式(II)
a、b、c及びdは2≦a+b+c+d≦10を満たす
整数である。)で表される単環芳香族系ジアミンのエチ
レンオキサイド付加物0.3〜5重量%、 (C)次の一般式(III)
を示し、Xは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
示す。)で表されるアルキルホスフェートの50〜10
0%当量を、炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級ア
ミンで中和した化合物0.2〜5重量%、 (D)次の一般式(IV) R3 −O−(CH2 CH2 O)p −H (IV) (式中、R3 は炭素数12〜18の直鎖若しくは分岐鎖
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、又は炭素数8
〜9の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェ
ニル基を示し、pは4〜13の整数を示す。)で表され
る非イオン性界面活性剤1〜15重量%、 (E)水3〜15重量%、を含有するハイブリッドIC
基板用洗浄剤組成物、に関する。
うち、(A)成分のグリコールエーテル系化合物は前記
一般式(I)で表される。一般式(I)中、R1 は炭素
数1〜4の炭化水素基であり、iは2〜3の整数であ
る。R1 が炭化水素基でない場合、フラックス等の有機
汚れとの親和性が低下する傾向がある。また、水に対す
る溶解性の観点から、R1 は飽和又は不飽和の炭化水素
基であり、その炭素数は2〜4がより好ましい。グリコ
ールエーテル系化合物の水に対する溶解性が悪化すると
洗浄液自体の粘度も上昇するため、ハイブリッドIC基
板等の洗浄には不適当だからである。さらに、iが2以
上の場合は、引火点が90℃を超え引火の危険性がなく
なり、他方iが3を超えると洗浄液自体の粘度が上昇す
る傾向がある。即ち、本発明で用いるグリコールエーテ
ル系化合物は、引火点が90℃以上で、水に50%以上
溶解可能なものが好ましい。
例としては、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノア
リルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル類など;トリエチレングリコールモノメチルエー
テル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ト
リエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリ
エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリ
コールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコール
モノアルキルエーテル類等が挙げられる。上記化合物は
一般の取扱い業者から入手できる。
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエ
チレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレング
リコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコール
モノブチルエーテルが性能と入手容易性の観点から好ま
しく用いることができる。
例えば炭素数1〜4の炭化水素基を有するアルコールに
苛性ソーダ等の触媒の存在下、加熱しながらエチレンオ
キサイドを気体状で加えて反応させることにより得られ
る。
洗浄性及びその持続性並びにコストバイパフォーマンス
の観点から、洗浄剤組成物中に70〜95重量%、特に
80〜90重量%配合するのが好ましい。また、これら
のグリコールエーテル系化合物は1種を単独で、或いは
2種以上を併用しても何ら差し支えない。
うち、(B)成分の単環芳香族系ジアミンのエチレンオ
キサイド付加物は前記一般式(II)で表される。一般
式(II)中、j、kは0〜2の整数であり、a、b、
c及びdは2≦a+b+c+d≦10を満たす整数であ
る。j、kが2を超える単環芳香族系ジアミンは入手が
困難な上、非常に高価である。単環芳香族系ジアミンの
アルカリ度及びはんだガラスの浸食の防止効果の観点か
ら、a+b+c+dは3〜8がより好ましい。単環芳香
族系ジアミンのアルカリ度が高いと、洗浄剤残存時のハ
イブリッドIC基板の電気特性劣化や金属部材の発錆等
を引き起こすからである。また、ここでa、b、c及び
dの組み合わせは特に限定されるものではなく、上記の
数値範囲を満たすものであればよい。
キサイド付加物の具体例としては、m−キシリレンジア
ミン、p−キシリレンジアミン、1,2−フェニレンジ
アミン、1,3−フェニレンジアミン、1,4−フェニ
レンジアミン、2−アミノベンジルアミン、4−アミノ
ベンジルアミン、2−(4−アミノフェニル)エチルア
ミン等にエチレンオキサイドを付加させたもの等、即
ち、m−キシリレンジアミン1モルにエチレンオキサイ
ドが2〜10モル付加した化合物(m−キシリレンジア
ミンの(POE)2-10付加物と略記する。なお、同様の
化合物はそれに対応した表現で同様に略記する。)、p
−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,2
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,3
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,4
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、2−ア
ミノベンジルアミンの(POE)2-10付加物、4−アミ
ノベンジルアミンの(POE)2-10付加物、2−(4−
アミノフェニル)エチルアミンの(POE)2-10付加物
等が挙げられる。
から、m−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加
物、p−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加物、
1,2−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、
1,3−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物が
より好ましい。上記単環芳香族系ジアミンは一般の取扱
い業者から入手できる。
オキサイド付加物は、上記の単環芳香族系ジアミンに苛
性ソーダ等の触媒の存在下、加熱しながらエチレンオキ
サイドを気体状で加えて反応させることにより得られ
る。
オキサイド付加物は、はんだガラスの浸食の防止効果及
びその持続性並びにコストバイパフォーマンスの観点よ
り、有洗浄剤組成物中に0.3〜5重量%、特に0.5
〜3重量%配合するのが好ましい。また、これらの単環
芳香族系ジアミンのエチレンオキサイド付加物は1種を
単独で、或いは2種以上を併用しても何ら差し支えな
い。
うち、(C)成分のアルキルホスフェートの50〜10
0%当量を分岐鎖アルキル第1級アミンで中和した化合
物において、アルキルホスフェートは前記一般式(II
I)で表される。一般式(III)中、R2 は炭素数1
〜4のアルキル基であり、Xは水素原子又は炭素数1〜
4のアルキル基である。R2 がアルキル基でない場合、
及びXが水素原子又はアルキル基でない場合、はんだガ
ラスの浸食の防止効果及びその持続性が不充分となる傾
向がある。また、R2 又はXが炭素数4を超えるアルキ
ル基である場合には、分岐鎖アルキル第1級アミンとの
中和物の粘度が高くなり、すすぎ性が低下する傾向があ
る。
ては、モノメチルホスフェート、モノエチルホスフェー
ト、モノイソプロピルホスフェート、モノブチルホスフ
ェート等のモノアルキルホスフェート類;ジメチルホス
フェート、ジエチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェート、ジブチルホスフェート等のジアルキルホスフ
ェート類;これらモノアルキルホスフェートとジアルキ
ルホスフェートの混合物(以下、この混合物をセスキア
ルキルホスフェートと称する。なお、ジアルキルホスフ
ェートのアルキル鎖は同じであっても、異なっていても
よい。)が挙げられる。セスキアルキルホスフェートの
具体例としては、セスキメチルホスフェート、セスキエ
チルホスフェート、セスキイソプロピルホスフェート、
セスキブチルホスフェート等が挙げられる。
ト、モノエチルホスフェート、モノイソプロピルホスフ
ェート、モノブチルホスフェート、セスキメチルホスフ
ェート、セスキエチルホスフェート、セスキイソプロピ
ルホスフェート、セスキブチルホスフェートが性能及び
入手容易性の観点から特に好ましく用いることができ
る。
ルホスフェート及びセスキアルキルホスフェートは、例
えば炭素数1〜4のアルコールに五酸化二リン、オキシ
塩化リン、三塩化リン等の活性に富むリンの誘導体やオ
ルトリン酸、縮合リン酸(ポリリン酸)等のリン酸類を
反応せしめる方法により得られる。
トを用いるには上記のようにして得られたアルキルホス
フェートを、例えば水中にて、セスキアルキルホスフェ
ートを水酸化ナトリウム等の無機アルカリや有機アミン
で中和し、塩を形成して溶解させたものをアセトンやエ
タノール等の有機溶剤中に添加しモノアルキルホスフェ
ートを沈殿させる、または、セスキアルキルホスフェー
トを加温したn−ヘキサン等の有機溶剤中に溶解させた
後冷却して、モノアルキルホスフェートを沈殿させるな
どの通常の分離方法により単離すればよい。また、ジア
ルキルホスフェートを用いるには、上記のモノアルキル
ホスフェートの沈殿を取り除いた有機溶剤溶液から濃縮
乾固するなどの通常の分離方法により単離すればよい。
また、上記のアルキルホスフェートは1種を単独で、或
いは2種以上を併用しても何ら差し支えない。
100%当量を炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級
アミンで中和して用いられる。アルキル基が分岐鎖でな
い場合、はんだガラスの浸食の防止効果及びその持続性
が不充分となる傾向がある。得られる洗浄剤組成物の臭
気、及びアルキルホスフェートとの中和物の粘度の観点
から、炭素数は5〜19がより好ましい。
例としては、イソブチルアミン、t−ブチルアミン、1
−メチルブチルアミン、1−エチルプロピルアミン、2
−メチルブチルアミン、イソアミルアミン、ジメチルプ
ロピルアミン、t−アミルアミン、1,3−ジメチルブ
チルアミン、3,3−ジメチルブチルアミン、2−アミ
ノヘプタン、3−アミノヘプタン、1−メチルヘプチル
アミン、2−エチルヘキシルアミン、1,5−ジメルヘ
キシルアミン、t−オクチルアミン、t−トリデシルア
ミン、t−ノナデシルアミン等が挙げられる。上記化合
物は一般の取扱い業者から入手できる。
t−アミルアミン、t−オクチルアミン、t−トリデシ
ルアミン、t−ノナデシルアミンが性能及び入手容易性
の観点から好ましく用いることができる。これらの分岐
鎖アルキル第1級アミンは1種を単独で、或いは2種以
上を併用しても何ら差し支えない。
キル第1級アミンとの中和物は、例えば、上記のアルキ
ルホスフェートと分岐鎖アルキル第1級アミンを水及び
/又は溶剤等の溶液中、あるいは洗浄剤組成物として常
法により混合することにより得られる。この際の中和の
程度は洗浄剤のpH低下による金属部材の発錆防止の観
点からアルキルホスフェートの50〜100%当量、好
ましくは60〜95%当量である。
キル第1級アミンで中和した化合物は、はんだガラスの
浸食の防止効果及びその持続性並びにコストバイパフォ
ーマンス及び洗浄剤の粘度の観点から、洗浄剤組成物中
に0.2〜5重量%、特に0.3〜3重量%配合するの
が好ましい。
うち、(D)成分の非イオン性界面活性剤は前記一般式
(IV)で表される。一般式(IV)中、R3 は炭素数
12〜18の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基、アルケニ
ル基、フェニル基、または炭素数8〜9の直鎖もしくは
分岐鎖アルキル基で置換されたフェニル基であり、pは
4〜13の整数である。
から炭素数12〜18、好ましくは12〜15の直鎖も
しくは分岐鎖アルキル基、フェニル基、又は炭素数8〜
9の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェニ
ル基である。また、pについては洗浄効果、親油性及び
親水性の観点から、4〜13の整数、好ましくは6〜1
1の整数である。親油性が強くなるとすすぎ性が低下
し、一方親水性が強くなると油性汚れの洗浄性が低下す
るからである。
ウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアル
コール、ステアリルアルコール、オレイルアルコール、
炭素数12〜14の合成アルコール(C12-14 合成アル
コールと略記する。)等の直鎖もしくは分岐鎖アルキル
基、アルケニル基、フェニル基含有アルコール類のエチ
レンオキサイド付加物;オクチルフェノール、ノニルフ
ェノール等の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基で置換され
たフェノール類のエチレンオキサイド付加物等が挙げら
れる。
ルにエチレンオキサイドが4〜13モル付加した化合物
((POE)4-13C12-14 合成アルコールエーテルと略
記する。また、同様の化合物はそれに対応した表現で同
様に略記する。)、(POE)4-13ラウリルエーテル、
(POE)4-13ミリスチルエーテル、(POE)4-13セ
チルエーテル、(POE)4-13ステアリルエーテル、
(POE)4-13オレイルエーテル、(POE)4-13オク
チルフェニルエーテル、(POE)4-13ノニルフェニル
エーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポ
リオキシエチレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチ
レンアルキルフェニルエーテル等が挙げられる。これら
の化合物は一般の業者から入手できる。
12-14 合成アルコールエーテル、(POE)4-10ラウリ
ルエーテル、(POE)5-8 セチルエーテル、(PO
E)11-14 ステアリルエーテル、(POE)6-13オレイ
ルエーテル、(POE)7-10オクチルフェニルエーテ
ル、(POE)5-12ノニルフェニルエーテルが性能及び
入手容易性の観点から好ましく用いることができる。
アルコール、アルキルフェノール類に苛性ソーダ等の触
媒の存在下、加熱しながらエチレンオキサイドを気体状
で加えて反応させることにより得られる。
及びコストバイパフォーマンスの観点から洗浄剤組成物
中に1〜15重量%、特に3〜10重量%配合するのが
好ましい。これらの非イオン性界面活性剤は1種を単独
で、或いは2種以上を併用しても何ら差し支えない。
うち、(E)成分の水は安全性及び洗浄性の観点から、
洗浄剤組成物中に3〜15重量%、好ましくは5〜10
重量%配合される。ここで用いられる水は、本発明の洗
浄剤組成物の効果を損なわないものであれば特に限定さ
れるものではなく、超純水、純水、イオン交換水、蒸留
水、通常の水道水等が用いられる。
の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤
に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキ
シエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等
のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防
腐剤、防錆剤、シリコン等の消泡剤、酸化防止剤、ヤシ
脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステル、炭化水素系
溶剤あるいはアルコール類等を適宜併用することができ
る。
(E)成分及び任意成分等を常法によって混合すること
により製造することができる。
ドIC基板を洗浄するには、例えば、本発明の洗浄剤組
成物を用いて浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプ
レー法、手拭き法等の各種の洗浄方法が採用でき、最後
に溶剤又は温水でリンスする等の方法を連続的に行う方
法等が、効率の良い洗浄方法として挙げられ、かつ好ま
しい結果を得ることができる。
例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこ
れらの実施例等によりなんら限定されるものではない。
イド付加物の製造〕 製造例1 窒素置換した1リットルのオートクレーブに、1,2−
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)と100%KO
Hを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しな
がら110℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキ
サイド440.0g(10モル)を温度110〜120
℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添
加し、その後5時間反応させた。反応終了後、温度を室
温まで冷却し、1,2−フェニレンジアミン1モル当た
りエチレンオキサイドが10モル付加した化合物(1,
2−フェニレンジアミンの(POE)10付加物と略記す
る。また、同様の化合物はそれに対応した表現で同様に
略記する。)を得た。反応生成物の収率は98.2%で
あった。付加モル数は水酸基価及びNMR分析により求
めた。
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)と100%KO
Hを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しな
がら100℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキ
サイド264.0g(6モル)を温度100〜110
℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添
加し、その後4時間反応させた。反応終了後、温度を室
温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの(PO
E)6 付加物を得た。反応生成物の収率は97.6%で
あった。
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)仕込み、よく攪
拌しながら100℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド88.0g(2モル)を温度100〜12
0℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ
添加し、その後2時間反応させた。反応終了後、温度を
室温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの(PO
E)2 付加物を得た。反応生成物の収率は98.1%で
あった。
ン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPANY,INC. 製)を13
6.0g(1モル)仕込み、よく攪拌しながら120℃
になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド17
6.0g(4モル)を温度120〜130℃、圧力1〜
4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後
3時間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却
し、m−キシリレンジアミンの(POE)4 付加物を得
た。反応生成物の収率は97.8%であった。
ン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPANY,INC. 製)を13
6.0g(1モル)仕込み、よく攪拌しながら100℃
になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド88.
0g(2モル)を温度100〜110℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後3時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、p
−キシリレンジアミンの(POE)2 付加物を得た。反
応生成物の収率は97.5%であった。
ミン(試薬、ALDRICHCHEMICAL COMPANY,INC. 製)を1
22.0g(1モル)と100%KOHを0.56g
(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら120℃に
なるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド352.
0g(8モル)を温度120〜130℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後4時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、2
−アミノベンジルアミンの(POE)8 付加物を得た。
反応生成物の収率は98.7%であった。
ミン(試薬、ALDRICHCHEMICAL COMPANY,INC. 製)を1
22.0g(1モル)と100%KOHを0.56g
(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら100℃に
なるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド220.
0g(5モル)を温度100〜110℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後3時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、4
−アミノベンジルアミンの(POE)5 付加物を得た。
反応生成物の収率は98.9%であった。
ニル)エチルアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を136.0g(1モル)仕込み、よく攪
拌しながら110℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド132.0g(3モル)を温度110〜1
20℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しず
つ添加し、その後3時間反応させた。反応終了後、温度
を室温まで冷却し、2−(4−アミノフェニル)エチル
アミンの(POE)3 付加物を得た。反応生成物の収率
は97.6%であった。
フェニレンジアミンを108.2g(1モル)と100
%KOHを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪
拌しながら100℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド528.0g(12モル)を温度100〜
110℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少し
ずつ添加し、その後5時間反応させた。反応終了後、温
度を室温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの
(POE)12付加物を得た。反応生成物の収率は97.
9%であった。
ンを136.0g(1モル)と100%KOHを0.5
6g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら120
℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド66
0.0g(15モル)を温度120〜130℃、圧力1
〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その
後6時間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却
し、m−キシリレンジアミンの(POE)15付加物を得
た。反応生成物の収率は98.1%であった。
換水18.0g(1モル)、五酸化二リン141.9g
(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、70
℃まで昇温した。その後、25時間反応させて、モノメ
チルホスフェート含有量が90モル%の反応物を得た。
リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しながら
油浴に浸し、70℃まで昇温した。その後、18時間反
応させて、モノメチルホスフェート61モル%、ジメチ
ルホスフェート39モル%のセスキメチルホスフェート
を得た。
換水18.0g(1モル)、五酸化二リン141.9g
(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、75
℃まで昇温した。その後、20時間反応させて、モノエ
チルホスフェート含有量が86モル%の反応物を得た。
二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しなが
ら油浴に浸し、75℃まで昇温した。その後、20時間
反応させて、モノエチルホスフェート63モル%、ジエ
チルホスフェート37モル%のセスキエチルホスフェー
トを得た。
イオン交換水18.0g(1モル)、五酸化二リン14
1.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸
し、70℃まで昇温した。その後、18時間反応させ
て、モノイソプロピルホスフェート含有量が89モル%
の反応物を得た。
換水9.0g(0.5モル)、五酸化二リン71.0g
(0.5モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、
85℃まで昇温した。その後、12時間反応させて、モ
ノブチルホスフェート含有量が86モル%の反応物を得
た。
二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しなが
ら油浴に浸し、85℃まで昇温した。その後、20時間
反応させて、モノブチルホスフェート62モル%、ジブ
チルホスフェート38モル%のセスキブチルホスフェー
トを得た。
五酸化二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌
しながら油浴に浸し、90℃まで昇温した。その後、1
8時間反応させて、モノヘキシルホスフェート57モル
%、ジヘキシルホスフェート43モル%のセスキヘキシ
ルホスフェートを得た。
ン交換水9.0g(0.5モル)、五酸化二リン71.
0g(0.5モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸
し、90℃まで昇温した。その後、20時間反応させ
た。さらに、この反応物を50℃のヘキサンに溶解し、
20℃まで冷却して、モノオクチルホスフェートを析出
させた。このものを濾別することによって、モノオクチ
ルホスフェート含有量が93モル%の反応物を得た。
s)を用いて洗浄することにより洗浄試験を行った。そ
の結果を表1〜4に示す。なお、表5、6は表1〜4に
示す化合物の由来を示すものである。なお、試験条件等
は以下のとおりである。
21mm×厚さ1mmのアルミナ基板上に、鉛(Pb)
を50重量%含有するPbO−SiO2 −B2 O3 −A
l2 O3 系はんだガラスを約15μmの厚さで印刷、焼
成した。このものにフラックス(ソルボンドR500
2、日本アルファメタルズ(株)製)を2.5g/m2
の割合で塗布した後、250℃、2分間リフローし、室
温まで冷却したものをテストピースとした。
に保った表1〜4記載の洗浄剤組成物に浸漬し、39k
Hz、200Wの超音波洗浄装置(SILENTSONIC UT-20
4、シャープ(株)製)で20分間洗浄した。次いで、
30℃のイオン交換水に浸漬し、洗浄と同様の超音波洗
浄機で20分間リンス(第一リンス)した。更に、同じ
く、30℃のイオン交換水に浸漬し、超音波洗浄機で2
0分間仕上げリンス(第二リンス)した。この洗浄/第
一リンス/第二リンスを4回繰り返した後、1分間エア
ーブローし、送風定温乾燥機(FV-630、(株)東洋製作
所製)にて80℃、10分間乾燥した。
浄性の評価は、光学顕微鏡の倍率50倍にて、目視によ
り次の基準で行った。 ◎:表面にフラックスの残着がなく極めて清浄、非常に
良好 ○:表面にフラックスの残着が殆どなく、良好 △:表面にフラックスの残着が僅かに有り、やや悪い ×:表面にフラックスの残着が有り、悪い 洗浄後のはんだガラスの浸食の評価は、光学顕微鏡の倍
率50倍にて、目視により次の基準で行った。 ◎:ガラス表面に変色、エッチングが観測されず、洗浄
前と変化がない。 ○:ガラス表面にまだらに茶色系の変色が少し観察され
る。 △:ガラス表面全体に茶色〜青色に変色しているのが観
測される。 ×:ガラス表面が変色しているだけではなく、エッチン
グされて光沢が無くなっているのが観測される。
フラックスの洗浄性に優れ、はんだガラスを浸食しない
という優れた性質を有するものであった(実施例1〜1
0)。また、本発明の洗浄剤組成物はアルコール系溶
剤、炭化水素系溶剤、塩素系およびフロン系の溶剤を本
質的に含有するものではないため、環境に優しく、安全
性も高い。一方、表3及び4より、(C)成分が配合さ
れていない例(比較例1)、(B)成分が配合されてい
ない例(比較例2)、(D)成分が配合されていない例
(比較例3)、(C)成分が中和されていない例(比較
例4)、(C)成分のアルキルホスフェートの炭素数が
多い例(比較例5、6)、(B)成分のエチレンオキサ
イドの付加数が多い例(比較例7、8)、(C)成分に
おけるアミンが分岐鎖第1級アミンでない例(比較例
9)では、フラックスの洗浄性がやや良好な例もあるも
のの、いずれもはんだガラスを浸食することが分かっ
た。
り、ハイブリッドIC基板を安全に、洗浄性・すすぎ性
が良く、はんだガラスを浸食することなく、金属部材へ
の影響を与えずに洗浄することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 次の成分(A)〜(E) (A)次の一般式(I) R1 −O−(CH2 CH2 O)i −H (I) (式中、R1 は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、iは
2〜3の整数を示す。)で表されるグリコールエーテル
系化合物70〜95重量%、 (B)次の一般式(II) 【化1】 (式中、j、kは0〜2の整数を示す。a、b、c及び
dは2≦a+b+c+d≦10を満たす整数である。)
で表される単環芳香族系ジアミンのエチレンオキサイド
付加物0.3〜5重量%、 (C)次の一般式(III) 【化2】 (式中、R2 は炭素数1〜4のアルキル基を示し、Xは
水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。)で表
されるアルキルホスフェートの50〜100%当量を、
炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級アミンで中和し
た化合物0.2〜5重量%、 (D)次の一般式(IV) R3 −O−(CH2 CH2 O)p −H (IV) (式中、R3 は炭素数12〜18の直鎖若しくは分岐鎖
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、又は炭素数8
〜9の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェ
ニル基を示し、pは4〜13の整数を示す。)で表され
る非イオン性界面活性剤1〜15重量%、 (E)水3〜15重量%、を含有するハイブリッドIC
基板用洗浄剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05671695A JP3326041B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05671695A JP3326041B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08225797A JPH08225797A (ja) | 1996-09-03 |
| JP3326041B2 true JP3326041B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=13035216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05671695A Expired - Lifetime JP3326041B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3326041B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007219009A (ja) | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Az Electronic Materials Kk | レジスト基板用処理液とそれを用いたレジスト基板の処理方法 |
| JP5252853B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-07-31 | 花王株式会社 | ハンダフラックス用洗浄剤組成物 |
| BRPI0905701A2 (pt) * | 2008-01-17 | 2015-07-14 | Dow Global Technologies Inc | Processo para preparar uma espuma rígida baseada em isocianato e espuma rígida baseada em isocianato |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP05671695A patent/JP3326041B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08225797A (ja) | 1996-09-03 |
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