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JP3326041B2 - ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物 - Google Patents

ハイブリッドic基板用洗浄剤組成物

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Publication number
JP3326041B2
JP3326041B2 JP05671695A JP5671695A JP3326041B2 JP 3326041 B2 JP3326041 B2 JP 3326041B2 JP 05671695 A JP05671695 A JP 05671695A JP 5671695 A JP5671695 A JP 5671695A JP 3326041 B2 JP3326041 B2 JP 3326041B2
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JP
Japan
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mol
phosphate
carbon atoms
ether
weight
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Expired - Lifetime
Application number
JP05671695A
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English (en)
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JPH08225797A (ja
Inventor
純二 近藤
栄二 樫原
浩一 川下
伸吉 大林
靖彦 鈴木
靖秀 園田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Denso Corp
Original Assignee
Kao Corp
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=13035216&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3326041(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Kao Corp, Denso Corp filed Critical Kao Corp
Priority to JP05671695A priority Critical patent/JP3326041B2/ja
Publication of JPH08225797A publication Critical patent/JPH08225797A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドIC基板
用洗浄剤組成物、更に詳しくは鉛、亜鉛等の金属イオン
を含有する低融点のはんだガラスでオーバーコートされ
たハイブリッドIC基板の表面に存在するロジン系フラ
ックス等の汚れの除去性に優れ、はんだガラスの浸食を
防止し、金属部材への影響が無いハイブリッドIC基板
用洗浄剤組成物に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ハイ
ブリッドIC基板として、例えば車載用ハイブリッドI
C基板は、一般家電製品等と比較して、特に自動車等の
過酷な環境下で使用できるように設計されたハイブリッ
ドIC基板である。その製造は、アルミナ系セラミック
基板に導体印刷/乾燥/焼成、抵抗体印刷/乾燥/焼
成、次いで低融点のはんだガラスをオーバーコートガラ
スとして印刷/乾燥/焼成する厚膜印刷工程、その後、
各種部品組み付け/はんだ付け/フラックス洗浄/乾燥
/ワイヤーボンディング等の部品組立工程、及びパッケ
ージ工程、検査工程等を経て行われる。
【0003】ここで、低融点のはんだガラスからなるオ
ーバーコート層は、一般的にはパッシベーション機能と
言われるが、高温高湿、排ガス等の過酷な車載環境にお
いて、水分、排ガス中の硫黄分、腐食性イオン等の浸入
による厚膜導体、例えば銀や銅等の腐食、マイグレーシ
ョン、及び厚膜抵抗の劣化や特性値変動を防止する機能
を持つ。この機能を充分発揮するため、及び基板の信頼
性確保のためには、はんだ付け後のフラックス等を充分
に洗浄し、しかもオーバーコート層を浸食しないことが
重要となっている。
【0004】従来、ハイブリッドIC基板等の電子部品
の表面に存在するロジン系フラックス等の汚れの除去に
は、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
剤;ケロシン、ベンゼン、キシレン等の炭化水素系溶
剤;トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等の塩
素系溶剤;トリクロロトリフルオロエタン等のフロン系
溶剤等の溶剤系洗浄剤が使用されている。
【0005】しかしながら、アルコール系溶剤は安全性
に問題があり、また、炭化水素系溶剤、特にベンゼン、
キシレン等は毒性が強く、労働安全衛生上の有害物に指
定されている化合物であって、これを取り扱う作業の危
険性および煩雑さを考慮すると、洗浄剤として用いるこ
とは好ましくない。一方、塩素系およびフロン系の溶剤
を用いる洗浄剤は、安全性、毒性、環境汚染性等に大き
な問題を有していることが明らかにされ、国際レベルで
その廃止が進められている。
【0006】最近、電子部品の表面に存在するロジン系
フラックス等の汚れの除去にも改良された水系の洗浄
剤、あるいは水でリンス可能な洗浄剤の使用が検討され
ている。これらの洗浄剤は洗浄剤に使用する界面活性剤
やビルダー等を適宜選択配合することにより溶剤系洗浄
剤と同等以上の洗浄性を有すること、あるいは引火性が
ないため火災や爆発の危険がない等、種々の利点を有す
る。
【0007】しかしながら、これらの水系洗浄剤を用い
てハイブリッドIC基板を洗浄する場合、フラックス等
の汚れの除去性が劣っていたり、はんだガラスから成る
オーバーコート層を浸食し、それに伴って、パッシベー
ション機能を著しく阻害する。結果として、基板の電気
的信頼性も低下するという不都合があった。
【0008】一般的なガラス材質を対象とする水系洗浄
剤については、これまでに幾多の工夫がなされている。
例えば特開平5−271699号公報には、水酸化第4
級アンモニウム塩基をアルカリ基材とし、非イオン界面
活性剤とアルカノールアミンとを添加して得られる有機
アルカリ水溶液を洗浄剤として使用することが示されて
いる。しかし、これらはロジン系フラックス等の汚れの
洗浄性が充分ではない。更に、ハイブリッドIC基板に
用いられるはんだガラスの浸食防止効果もないばかり
か、アルミニウム、銅等の電極部材及び部品類を浸食
し、電気的な信頼性を低下させる。
【0009】また、特開平5−302099号公報に
は、エチレングリコールモノヘキシルエーテルと界面活
性剤、補助溶媒、水を包含する組成物を洗浄剤として使
用することが示されている。しかし、これらははんだガ
ラスの浸食防止効果がほとんど期待できない。
【0010】一方、ガラス材質の「焼け」に関しては、
例えば窯業協会誌 Vol.87, No.1 (1979)には、アルカリ
ガラスのアルカリ溶液による表面層の浸食、いわゆる
「潜傷」をCa2+、テトラメチルアンモニウムイオン
(N(CH34 + )の存在により遅らせることができ
ることが開示されている。しかし、本発明で対象とする
ハイブリッドIC基板に用いられるはんだガラスでは、
修飾酸化物の含有量が多いため、より激しい溶出が起こ
る。また、ロジン系フラックス等の汚れの中に含まれる
成分の中には、これら修飾酸化物の金属イオンと結合し
やすいものがあり、浸食を著しく促進することから、上
記のエッチングと異なる機構によるものである。
【0011】本発明の目的は、このようにこれまでに解
決されたことのない課題を解決することにある。即ち、
従来の洗浄剤のもつ欠点を改良し、安全性、洗浄性、す
すぎ性に優れ、はんだガラスの浸食を防止し、金属部材
への影響がないハイブリッドIC基板用洗浄剤組成物を
提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記問題点
を解決すべく鋭意研究を行った結果、グリコールエーテ
ル系化合物、単環芳香族系ジアミンのエチレンオキサイ
ド付加物、アルキルホスフェートを分岐鎖アルキル第1
級アミンで中和した化合物、非イオン性界面活性剤、及
び水を含有してなる洗浄剤組成物が、ハイブリッドIC
基板を洗浄する際の安全性、洗浄性、すすぎ性に優れ、
はんだガラスの浸食を防止し、金属部材への影響がない
という優れたものであることを見いだし、本発明を完成
するに至った。
【0013】即ち、本発明の要旨は、 (1) 次の成分(A)〜(E) (A)次の一般式(I) R1 −O−(CH2 CH2 O)i −H (I) (式中、R1 は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、iは
2〜3の整数を示す。)で表されるグリコールエーテル
系化合物70〜95重量%、 (B)次の一般式(II)
【0014】
【化3】
【0015】(式中、j、kは0〜2の整数を示す。
a、b、c及びdは2≦a+b+c+d≦10を満たす
整数である。)で表される単環芳香族系ジアミンのエチ
レンオキサイド付加物0.3〜5重量%、 (C)次の一般式(III)
【0016】
【化4】
【0017】(式中、R2 は炭素数1〜4のアルキル基
を示し、Xは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
示す。)で表されるアルキルホスフェートの50〜10
0%当量を、炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級ア
ミンで中和した化合物0.2〜5重量%、 (D)次の一般式(IV) R3 −O−(CH2 CH2 O)p −H (IV) (式中、R3 は炭素数12〜18の直鎖若しくは分岐鎖
アルキル基、アルケニル基、フェニル基、又は炭素数8
〜9の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェ
ニル基を示し、pは4〜13の整数を示す。)で表され
る非イオン性界面活性剤1〜15重量%、 (E)水3〜15重量%、を含有するハイブリッドIC
基板用洗浄剤組成物、に関する。
【0018】本発明の洗浄剤組成物で用いられる成分の
うち、(A)成分のグリコールエーテル系化合物は前記
一般式(I)で表される。一般式(I)中、R1 は炭素
数1〜4の炭化水素基であり、iは2〜3の整数であ
る。R1 が炭化水素基でない場合、フラックス等の有機
汚れとの親和性が低下する傾向がある。また、水に対す
る溶解性の観点から、R1 は飽和又は不飽和の炭化水素
基であり、その炭素数は2〜4がより好ましい。グリコ
ールエーテル系化合物の水に対する溶解性が悪化すると
洗浄液自体の粘度も上昇するため、ハイブリッドIC基
板等の洗浄には不適当だからである。さらに、iが2以
上の場合は、引火点が90℃を超え引火の危険性がなく
なり、他方iが3を超えると洗浄液自体の粘度が上昇す
る傾向がある。即ち、本発明で用いるグリコールエーテ
ル系化合物は、引火点が90℃以上で、水に50%以上
溶解可能なものが好ましい。
【0019】かかるグリコールエーテル系化合物の具体
例としては、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール
モノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノア
リルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル類など;トリエチレングリコールモノメチルエー
テル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、ト
リエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリ
エチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリ
コールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコール
モノアルキルエーテル類等が挙げられる。上記化合物は
一般の取扱い業者から入手できる。
【0020】上記化合物のうち、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエ
チレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレング
リコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコール
モノブチルエーテルが性能と入手容易性の観点から好ま
しく用いることができる。
【0021】これらのグリコールエーテル系化合物は、
例えば炭素数1〜4の炭化水素基を有するアルコールに
苛性ソーダ等の触媒の存在下、加熱しながらエチレンオ
キサイドを気体状で加えて反応させることにより得られ
る。
【0022】これらのグリコールエーテル系化合物は、
洗浄性及びその持続性並びにコストバイパフォーマンス
の観点から、洗浄剤組成物中に70〜95重量%、特に
80〜90重量%配合するのが好ましい。また、これら
のグリコールエーテル系化合物は1種を単独で、或いは
2種以上を併用しても何ら差し支えない。
【0023】本発明の洗浄剤組成物で用いられる成分の
うち、(B)成分の単環芳香族系ジアミンのエチレンオ
キサイド付加物は前記一般式(II)で表される。一般
式(II)中、j、kは0〜2の整数であり、a、b、
c及びdは2≦a+b+c+d≦10を満たす整数であ
る。j、kが2を超える単環芳香族系ジアミンは入手が
困難な上、非常に高価である。単環芳香族系ジアミンの
アルカリ度及びはんだガラスの浸食の防止効果の観点か
ら、a+b+c+dは3〜8がより好ましい。単環芳香
族系ジアミンのアルカリ度が高いと、洗浄剤残存時のハ
イブリッドIC基板の電気特性劣化や金属部材の発錆等
を引き起こすからである。また、ここでa、b、c及び
dの組み合わせは特に限定されるものではなく、上記の
数値範囲を満たすものであればよい。
【0024】かかる単環芳香族系ジアミンのエチレンオ
キサイド付加物の具体例としては、m−キシリレンジア
ミン、p−キシリレンジアミン、1,2−フェニレンジ
アミン、1,3−フェニレンジアミン、1,4−フェニ
レンジアミン、2−アミノベンジルアミン、4−アミノ
ベンジルアミン、2−(4−アミノフェニル)エチルア
ミン等にエチレンオキサイドを付加させたもの等、即
ち、m−キシリレンジアミン1モルにエチレンオキサイ
ドが2〜10モル付加した化合物(m−キシリレンジア
ミンの(POE)2-10付加物と略記する。なお、同様の
化合物はそれに対応した表現で同様に略記する。)、p
−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,2
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,3
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、1,4
−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、2−ア
ミノベンジルアミンの(POE)2-10付加物、4−アミ
ノベンジルアミンの(POE)2-10付加物、2−(4−
アミノフェニル)エチルアミンの(POE)2-10付加物
等が挙げられる。
【0025】これらのうち、性能及び入手容易性の観点
から、m−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加
物、p−キシリレンジアミンの(POE)2-10付加物、
1,2−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物、
1,3−フェニレンジアミンの(POE)2-10付加物が
より好ましい。上記単環芳香族系ジアミンは一般の取扱
い業者から入手できる。
【0026】これらの単環芳香族系ジアミンのエチレン
オキサイド付加物は、上記の単環芳香族系ジアミンに苛
性ソーダ等の触媒の存在下、加熱しながらエチレンオキ
サイドを気体状で加えて反応させることにより得られ
る。
【0027】これらの単環芳香族系ジアミンのエチレン
オキサイド付加物は、はんだガラスの浸食の防止効果及
びその持続性並びにコストバイパフォーマンスの観点よ
り、有洗浄剤組成物中に0.3〜5重量%、特に0.5
〜3重量%配合するのが好ましい。また、これらの単環
芳香族系ジアミンのエチレンオキサイド付加物は1種を
単独で、或いは2種以上を併用しても何ら差し支えな
い。
【0028】本発明の洗浄剤組成物で用いられる成分の
うち、(C)成分のアルキルホスフェートの50〜10
0%当量を分岐鎖アルキル第1級アミンで中和した化合
物において、アルキルホスフェートは前記一般式(II
I)で表される。一般式(III)中、R2 は炭素数1
〜4のアルキル基であり、Xは水素原子又は炭素数1〜
4のアルキル基である。R2 がアルキル基でない場合、
及びXが水素原子又はアルキル基でない場合、はんだガ
ラスの浸食の防止効果及びその持続性が不充分となる傾
向がある。また、R2 又はXが炭素数4を超えるアルキ
ル基である場合には、分岐鎖アルキル第1級アミンとの
中和物の粘度が高くなり、すすぎ性が低下する傾向があ
る。
【0029】かかるアルキルホスフェートの具体例とし
ては、モノメチルホスフェート、モノエチルホスフェー
ト、モノイソプロピルホスフェート、モノブチルホスフ
ェート等のモノアルキルホスフェート類;ジメチルホス
フェート、ジエチルホスフェート、ジイソプロピルホス
フェート、ジブチルホスフェート等のジアルキルホスフ
ェート類;これらモノアルキルホスフェートとジアルキ
ルホスフェートの混合物(以下、この混合物をセスキア
ルキルホスフェートと称する。なお、ジアルキルホスフ
ェートのアルキル鎖は同じであっても、異なっていても
よい。)が挙げられる。セスキアルキルホスフェートの
具体例としては、セスキメチルホスフェート、セスキエ
チルホスフェート、セスキイソプロピルホスフェート、
セスキブチルホスフェート等が挙げられる。
【0030】上記化合物のうち、モノメチルホスフェー
ト、モノエチルホスフェート、モノイソプロピルホスフ
ェート、モノブチルホスフェート、セスキメチルホスフ
ェート、セスキエチルホスフェート、セスキイソプロピ
ルホスフェート、セスキブチルホスフェートが性能及び
入手容易性の観点から特に好ましく用いることができ
る。
【0031】上記モノアルキルホスフェート、ジアルキ
ルホスフェート及びセスキアルキルホスフェートは、例
えば炭素数1〜4のアルコールに五酸化二リン、オキシ
塩化リン、三塩化リン等の活性に富むリンの誘導体やオ
ルトリン酸、縮合リン酸(ポリリン酸)等のリン酸類を
反応せしめる方法により得られる。
【0032】本発明において、モノアルキルホスフェー
トを用いるには上記のようにして得られたアルキルホス
フェートを、例えば水中にて、セスキアルキルホスフェ
ートを水酸化ナトリウム等の無機アルカリや有機アミン
で中和し、塩を形成して溶解させたものをアセトンやエ
タノール等の有機溶剤中に添加しモノアルキルホスフェ
ートを沈殿させる、または、セスキアルキルホスフェー
トを加温したn−ヘキサン等の有機溶剤中に溶解させた
後冷却して、モノアルキルホスフェートを沈殿させるな
どの通常の分離方法により単離すればよい。また、ジア
ルキルホスフェートを用いるには、上記のモノアルキル
ホスフェートの沈殿を取り除いた有機溶剤溶液から濃縮
乾固するなどの通常の分離方法により単離すればよい。
また、上記のアルキルホスフェートは1種を単独で、或
いは2種以上を併用しても何ら差し支えない。
【0033】上記アルキルホスフェートは、その50〜
100%当量を炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級
アミンで中和して用いられる。アルキル基が分岐鎖でな
い場合、はんだガラスの浸食の防止効果及びその持続性
が不充分となる傾向がある。得られる洗浄剤組成物の臭
気、及びアルキルホスフェートとの中和物の粘度の観点
から、炭素数は5〜19がより好ましい。
【0034】かかる分岐鎖アルキル第1級アミンの具体
例としては、イソブチルアミン、t−ブチルアミン、1
−メチルブチルアミン、1−エチルプロピルアミン、2
−メチルブチルアミン、イソアミルアミン、ジメチルプ
ロピルアミン、t−アミルアミン、1,3−ジメチルブ
チルアミン、3,3−ジメチルブチルアミン、2−アミ
ノヘプタン、3−アミノヘプタン、1−メチルヘプチル
アミン、2−エチルヘキシルアミン、1,5−ジメルヘ
キシルアミン、t−オクチルアミン、t−トリデシルア
ミン、t−ノナデシルアミン等が挙げられる。上記化合
物は一般の取扱い業者から入手できる。
【0035】上記の化合物のうち、t−ブチルアミン、
t−アミルアミン、t−オクチルアミン、t−トリデシ
ルアミン、t−ノナデシルアミンが性能及び入手容易性
の観点から好ましく用いることができる。これらの分岐
鎖アルキル第1級アミンは1種を単独で、或いは2種以
上を併用しても何ら差し支えない。
【0036】かかるアルキルホスフェートの分岐鎖アル
キル第1級アミンとの中和物は、例えば、上記のアルキ
ルホスフェートと分岐鎖アルキル第1級アミンを水及び
/又は溶剤等の溶液中、あるいは洗浄剤組成物として常
法により混合することにより得られる。この際の中和の
程度は洗浄剤のpH低下による金属部材の発錆防止の観
点からアルキルホスフェートの50〜100%当量、好
ましくは60〜95%当量である。
【0037】上記のアルキルホスフェートを分岐鎖アル
キル第1級アミンで中和した化合物は、はんだガラスの
浸食の防止効果及びその持続性並びにコストバイパフォ
ーマンス及び洗浄剤の粘度の観点から、洗浄剤組成物中
に0.2〜5重量%、特に0.3〜3重量%配合するの
が好ましい。
【0038】本発明の洗浄剤組成物で用いられる成分の
うち、(D)成分の非イオン性界面活性剤は前記一般式
(IV)で表される。一般式(IV)中、R3 は炭素数
12〜18の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基、アルケニ
ル基、フェニル基、または炭素数8〜9の直鎖もしくは
分岐鎖アルキル基で置換されたフェニル基であり、pは
4〜13の整数である。
【0039】R3 は、洗浄剤効果及びその持続性の観点
から炭素数12〜18、好ましくは12〜15の直鎖も
しくは分岐鎖アルキル基、フェニル基、又は炭素数8〜
9の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェニ
ル基である。また、pについては洗浄効果、親油性及び
親水性の観点から、4〜13の整数、好ましくは6〜1
1の整数である。親油性が強くなるとすすぎ性が低下
し、一方親水性が強くなると油性汚れの洗浄性が低下す
るからである。
【0040】かかる非イオン性界面活性剤としては、ラ
ウリルアルコール、ミリスチルアルコール、セチルアル
コール、ステアリルアルコール、オレイルアルコール、
炭素数12〜14の合成アルコール(C12-14 合成アル
コールと略記する。)等の直鎖もしくは分岐鎖アルキル
基、アルケニル基、フェニル基含有アルコール類のエチ
レンオキサイド付加物;オクチルフェノール、ノニルフ
ェノール等の直鎖もしくは分岐鎖アルキル基で置換され
たフェノール類のエチレンオキサイド付加物等が挙げら
れる。
【0041】具体的には、C12-14 合成アルコール1モ
ルにエチレンオキサイドが4〜13モル付加した化合物
((POE)4-1312-14 合成アルコールエーテルと略
記する。また、同様の化合物はそれに対応した表現で同
様に略記する。)、(POE)4-13ラウリルエーテル、
(POE)4-13ミリスチルエーテル、(POE)4-13
チルエーテル、(POE)4-13ステアリルエーテル、
(POE)4-13オレイルエーテル、(POE)4-13オク
チルフェニルエーテル、(POE)4-13ノニルフェニル
エーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポ
リオキシエチレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチ
レンアルキルフェニルエーテル等が挙げられる。これら
の化合物は一般の業者から入手できる。
【0042】上記の化合物のうち、(POE)5-9
12-14 合成アルコールエーテル、(POE)4-10ラウリ
ルエーテル、(POE)5-8 セチルエーテル、(PO
E)11-14 ステアリルエーテル、(POE)6-13オレイ
ルエーテル、(POE)7-10オクチルフェニルエーテ
ル、(POE)5-12ノニルフェニルエーテルが性能及び
入手容易性の観点から好ましく用いることができる。
【0043】これらの非イオン性界面活性剤は、上記の
アルコール、アルキルフェノール類に苛性ソーダ等の触
媒の存在下、加熱しながらエチレンオキサイドを気体状
で加えて反応させることにより得られる。
【0044】これらの非イオン性界面活性剤は効果発揮
及びコストバイパフォーマンスの観点から洗浄剤組成物
中に1〜15重量%、特に3〜10重量%配合するのが
好ましい。これらの非イオン性界面活性剤は1種を単独
で、或いは2種以上を併用しても何ら差し支えない。
【0045】本発明の洗浄剤組成物で用いられる成分の
うち、(E)成分の水は安全性及び洗浄性の観点から、
洗浄剤組成物中に3〜15重量%、好ましくは5〜10
重量%配合される。ここで用いられる水は、本発明の洗
浄剤組成物の効果を損なわないものであれば特に限定さ
れるものではなく、超純水、純水、イオン交換水、蒸留
水、通常の水道水等が用いられる。
【0046】本発明の洗浄剤組成物においては、本発明
の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤
に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキ
シエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等
のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防
腐剤、防錆剤、シリコン等の消泡剤、酸化防止剤、ヤシ
脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステル、炭化水素系
溶剤あるいはアルコール類等を適宜併用することができ
る。
【0047】本発明の洗浄剤組成物は、前記(A)〜
(E)成分及び任意成分等を常法によって混合すること
により製造することができる。
【0048】本発明の洗浄剤組成物を用いてハイブリッ
ドIC基板を洗浄するには、例えば、本発明の洗浄剤組
成物を用いて浸漬法、超音波洗浄法、浸漬揺動法、スプ
レー法、手拭き法等の各種の洗浄方法が採用でき、最後
に溶剤又は温水でリンスする等の方法を連続的に行う方
法等が、効率の良い洗浄方法として挙げられ、かつ好ま
しい結果を得ることができる。
【0049】
【実施例】以下、製造例、製造比較例、実施例及び比較
例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこ
れらの実施例等によりなんら限定されるものではない。
【0050】〔単環芳香族系ジアミンのエチレンオキサ
イド付加物の製造〕 製造例1 窒素置換した1リットルのオートクレーブに、1,2−
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)と100%KO
Hを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しな
がら110℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキ
サイド440.0g(10モル)を温度110〜120
℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添
加し、その後5時間反応させた。反応終了後、温度を室
温まで冷却し、1,2−フェニレンジアミン1モル当た
りエチレンオキサイドが10モル付加した化合物(1,
2−フェニレンジアミンの(POE)10付加物と略記す
る。また、同様の化合物はそれに対応した表現で同様に
略記する。)を得た。反応生成物の収率は98.2%で
あった。付加モル数は水酸基価及びNMR分析により求
めた。
【0051】製造例2 窒素置換した1リットルのオートクレーブに、1,3−
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)と100%KO
Hを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しな
がら100℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキ
サイド264.0g(6モル)を温度100〜110
℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添
加し、その後4時間反応させた。反応終了後、温度を室
温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの(PO
E)6 付加物を得た。反応生成物の収率は97.6%で
あった。
【0052】製造例3 窒素置換した1リットルのオートクレーブに、1,3−
フェニレンジアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を108.2g(1モル)仕込み、よく攪
拌しながら100℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド88.0g(2モル)を温度100〜12
0℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ
添加し、その後2時間反応させた。反応終了後、温度を
室温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの(PO
E)2 付加物を得た。反応生成物の収率は98.1%で
あった。
【0053】製造例4 1リットルのオートクレーブに、m−キシリレンジアミ
ン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPANY,INC. 製)を13
6.0g(1モル)仕込み、よく攪拌しながら120℃
になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド17
6.0g(4モル)を温度120〜130℃、圧力1〜
4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後
3時間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却
し、m−キシリレンジアミンの(POE)4 付加物を得
た。反応生成物の収率は97.8%であった。
【0054】製造例5 1リットルのオートクレーブに、p−キシリレンジアミ
ン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPANY,INC. 製)を13
6.0g(1モル)仕込み、よく攪拌しながら100℃
になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド88.
0g(2モル)を温度100〜110℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後3時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、p
−キシリレンジアミンの(POE)2 付加物を得た。反
応生成物の収率は97.5%であった。
【0055】製造例6 1リットルのオートクレーブに、2−アミノベンジルア
ミン(試薬、ALDRICHCHEMICAL COMPANY,INC. 製)を1
22.0g(1モル)と100%KOHを0.56g
(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら120℃に
なるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド352.
0g(8モル)を温度120〜130℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後4時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、2
−アミノベンジルアミンの(POE)8 付加物を得た。
反応生成物の収率は98.7%であった。
【0056】製造例7 1リットルのオートクレーブに、4−アミノベンジルア
ミン(試薬、ALDRICHCHEMICAL COMPANY,INC. 製)を1
22.0g(1モル)と100%KOHを0.56g
(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら100℃に
なるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド220.
0g(5モル)を温度100〜110℃、圧力1〜4k
g/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その後3時
間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却し、4
−アミノベンジルアミンの(POE)5 付加物を得た。
反応生成物の収率は98.9%であった。
【0057】製造例8 1リットルのオートクレーブに、2−(4−アミノフェ
ニル)エチルアミン(試薬、ALDRICH CHEMICAL COMPAN
Y,INC. 製)を136.0g(1モル)仕込み、よく攪
拌しながら110℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド132.0g(3モル)を温度110〜1
20℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しず
つ添加し、その後3時間反応させた。反応終了後、温度
を室温まで冷却し、2−(4−アミノフェニル)エチル
アミンの(POE)3 付加物を得た。反応生成物の収率
は97.6%であった。
【0058】製造比較例1 窒素置換した1リットルのオートクレーブに、1,3−
フェニレンジアミンを108.2g(1モル)と100
%KOHを0.56g(0.01モル)仕込み、よく攪
拌しながら100℃になるまで昇温した。次いでエチレ
ンオキサイド528.0g(12モル)を温度100〜
110℃、圧力1〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少し
ずつ添加し、その後5時間反応させた。反応終了後、温
度を室温まで冷却し、1,3−フェニレンジアミンの
(POE)12付加物を得た。反応生成物の収率は97.
9%であった。
【0059】製造比較例2 1リットルのオートクレーブに、m−キシリレンジアミ
ンを136.0g(1モル)と100%KOHを0.5
6g(0.01モル)仕込み、よく攪拌しながら120
℃になるまで昇温した。次いでエチレンオキサイド66
0.0g(15モル)を温度120〜130℃、圧力1
〜4kg/cm2 (ゲージ)下で少しずつ添加し、その
後6時間反応させた。反応終了後、温度を室温まで冷却
し、m−キシリレンジアミンの(POE)15付加物を得
た。反応生成物の収率は98.1%であった。
【0060】〔アルキルホスフェートの製造〕 製造例9 反応容器にメタノール64.0g(2モル)、イオン交
換水18.0g(1モル)、五酸化二リン141.9g
(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、70
℃まで昇温した。その後、25時間反応させて、モノメ
チルホスフェート含有量が90モル%の反応物を得た。
【0061】製造例10 反応容器にメタノール96.0g(3モル)と五酸化二
リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しながら
油浴に浸し、70℃まで昇温した。その後、18時間反
応させて、モノメチルホスフェート61モル%、ジメチ
ルホスフェート39モル%のセスキメチルホスフェート
を得た。
【0062】製造例11 反応容器にエタノール92.2g(2モル)、イオン交
換水18.0g(1モル)、五酸化二リン141.9g
(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、75
℃まで昇温した。その後、20時間反応させて、モノエ
チルホスフェート含有量が86モル%の反応物を得た。
【0063】製造例12 反応容器にエタノール138.3g(3モル)と五酸化
二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しなが
ら油浴に浸し、75℃まで昇温した。その後、20時間
反応させて、モノエチルホスフェート63モル%、ジエ
チルホスフェート37モル%のセスキエチルホスフェー
トを得た。
【0064】製造例13 反応容器にイソプロパノール120.2g(2モル)、
イオン交換水18.0g(1モル)、五酸化二リン14
1.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸
し、70℃まで昇温した。その後、18時間反応させ
て、モノイソプロピルホスフェート含有量が89モル%
の反応物を得た。
【0065】製造例14 反応容器にブタノール74.1g(1モル)、イオン交
換水9.0g(0.5モル)、五酸化二リン71.0g
(0.5モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸し、
85℃まで昇温した。その後、12時間反応させて、モ
ノブチルホスフェート含有量が86モル%の反応物を得
た。
【0066】製造例15 反応容器にブタノール222.3g(3モル)と五酸化
二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌しなが
ら油浴に浸し、85℃まで昇温した。その後、20時間
反応させて、モノブチルホスフェート62モル%、ジブ
チルホスフェート38モル%のセスキブチルホスフェー
トを得た。
【0067】製造比較例3 反応容器に1−ヘキサノール310.0g(3モル)と
五酸化二リン141.9g(1モル)を入れ、よく攪拌
しながら油浴に浸し、90℃まで昇温した。その後、1
8時間反応させて、モノヘキシルホスフェート57モル
%、ジヘキシルホスフェート43モル%のセスキヘキシ
ルホスフェートを得た。
【0068】製造比較例4 反応容器にオクタノール129.6g(1モル)、イオ
ン交換水9.0g(0.5モル)、五酸化二リン71.
0g(0.5モル)を入れ、よく攪拌しながら油浴に浸
し、90℃まで昇温した。その後、20時間反応させ
た。さらに、この反応物を50℃のヘキサンに溶解し、
20℃まで冷却して、モノオクチルホスフェートを析出
させた。このものを濾別することによって、モノオクチ
ルホスフェート含有量が93モル%の反応物を得た。
【0069】実施例1〜10及び比較例1〜9 表1〜4に示すような成分からなる洗浄剤組成物(a〜
s)を用いて洗浄することにより洗浄試験を行った。そ
の結果を表1〜4に示す。なお、表5、6は表1〜4に
示す化合物の由来を示すものである。なお、試験条件等
は以下のとおりである。
【0070】
【表1】
【0071】
【表2】
【0072】
【表3】
【0073】
【表4】
【0074】
【表5】
【0075】
【表6】
【0076】(テストピースの作成)長さ36mm×幅
21mm×厚さ1mmのアルミナ基板上に、鉛(Pb)
を50重量%含有するPbO−SiO2 −B2 3 −A
2 3 系はんだガラスを約15μmの厚さで印刷、焼
成した。このものにフラックス(ソルボンドR500
2、日本アルファメタルズ(株)製)を2.5g/m2
の割合で塗布した後、250℃、2分間リフローし、室
温まで冷却したものをテストピースとした。
【0077】(洗浄試験)上記のテストピースを60℃
に保った表1〜4記載の洗浄剤組成物に浸漬し、39k
Hz、200Wの超音波洗浄装置(SILENTSONIC UT-20
4、シャープ(株)製)で20分間洗浄した。次いで、
30℃のイオン交換水に浸漬し、洗浄と同様の超音波洗
浄機で20分間リンス(第一リンス)した。更に、同じ
く、30℃のイオン交換水に浸漬し、超音波洗浄機で2
0分間仕上げリンス(第二リンス)した。この洗浄/第
一リンス/第二リンスを4回繰り返した後、1分間エア
ーブローし、送風定温乾燥機(FV-630、(株)東洋製作
所製)にて80℃、10分間乾燥した。
【0078】(評価方法及び評価基準)フラックスの洗
浄性の評価は、光学顕微鏡の倍率50倍にて、目視によ
り次の基準で行った。 ◎:表面にフラックスの残着がなく極めて清浄、非常に
良好 ○:表面にフラックスの残着が殆どなく、良好 △:表面にフラックスの残着が僅かに有り、やや悪い ×:表面にフラックスの残着が有り、悪い 洗浄後のはんだガラスの浸食の評価は、光学顕微鏡の倍
率50倍にて、目視により次の基準で行った。 ◎:ガラス表面に変色、エッチングが観測されず、洗浄
前と変化がない。 ○:ガラス表面にまだらに茶色系の変色が少し観察され
る。 △:ガラス表面全体に茶色〜青色に変色しているのが観
測される。 ×:ガラス表面が変色しているだけではなく、エッチン
グされて光沢が無くなっているのが観測される。
【0079】表1及び2より、本発明の洗浄剤組成物は
フラックスの洗浄性に優れ、はんだガラスを浸食しない
という優れた性質を有するものであった(実施例1〜1
0)。また、本発明の洗浄剤組成物はアルコール系溶
剤、炭化水素系溶剤、塩素系およびフロン系の溶剤を本
質的に含有するものではないため、環境に優しく、安全
性も高い。一方、表3及び4より、(C)成分が配合さ
れていない例(比較例1)、(B)成分が配合されてい
ない例(比較例2)、(D)成分が配合されていない例
(比較例3)、(C)成分が中和されていない例(比較
例4)、(C)成分のアルキルホスフェートの炭素数が
多い例(比較例5、6)、(B)成分のエチレンオキサ
イドの付加数が多い例(比較例7、8)、(C)成分に
おけるアミンが分岐鎖第1級アミンでない例(比較例
9)では、フラックスの洗浄性がやや良好な例もあるも
のの、いずれもはんだガラスを浸食することが分かっ
た。
【0080】
【発明の効果】本発明の洗浄剤組成物を用いることによ
り、ハイブリッドIC基板を安全に、洗浄性・すすぎ性
が良く、はんだガラスを浸食することなく、金属部材へ
の影響を与えずに洗浄することができる。
フロントページの続き (72)発明者 大林 伸吉 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 鈴木 靖彦 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 園田 靖秀 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−161310(JP,A) 特開 平4−327519(JP,A) 特開 昭62−197345(JP,A) 特開 平8−127798(JP,A) 西独国特許出願公開1227178(DE, A1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C11D 1/72 C11D 3/20 C11D 3/30 C11D 3/36 H01L 21/304 特許ファイル(PATOLIS) JICSTファイル(JOIS) CAPLUS(STN) REGISTRY(STN)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次の成分(A)〜(E) (A)次の一般式(I) R1 −O−(CH2 CH2 O)i −H (I) (式中、R1 は炭素数1〜4の炭化水素基を示し、iは
    2〜3の整数を示す。)で表されるグリコールエーテル
    系化合物70〜95重量%、 (B)次の一般式(II) 【化1】 (式中、j、kは0〜2の整数を示す。a、b、c及び
    dは2≦a+b+c+d≦10を満たす整数である。)
    で表される単環芳香族系ジアミンのエチレンオキサイド
    付加物0.3〜5重量%、 (C)次の一般式(III) 【化2】 (式中、R2 は炭素数1〜4のアルキル基を示し、Xは
    水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す。)で表
    されるアルキルホスフェートの50〜100%当量を、
    炭素数4〜22の分岐鎖アルキル第1級アミンで中和し
    た化合物0.2〜5重量%、 (D)次の一般式(IV) R3 −O−(CH2 CH2 O)p −H (IV) (式中、R3 は炭素数12〜18の直鎖若しくは分岐鎖
    アルキル基、アルケニル基、フェニル基、又は炭素数8
    〜9の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェ
    ニル基を示し、pは4〜13の整数を示す。)で表され
    る非イオン性界面活性剤1〜15重量%、 (E)水3〜15重量%、を含有するハイブリッドIC
    基板用洗浄剤組成物。
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