JP3385631B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JP3385631B2 JP3385631B2 JP27806892A JP27806892A JP3385631B2 JP 3385631 B2 JP3385631 B2 JP 3385631B2 JP 27806892 A JP27806892 A JP 27806892A JP 27806892 A JP27806892 A JP 27806892A JP 3385631 B2 JP3385631 B2 JP 3385631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- porcelain
- less
- reducing
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】積層セラミックコンデンサを製造するに
は、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布し
たシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材料
としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料な
どが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の誘
電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然雰
囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、内部
電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この誘電
体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼き付
けて、積層セラミックコンデンサが製造される。 【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。 【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。 【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。 【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。 【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。 【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。 【００１１】一方、特開昭６１−１０１４５９号公報に
示されるように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｄｙなどの希土類酸化物を添加した、結晶粒
径の小さい非還元性誘電体磁器が知られている。このよ
うに結晶粒径を小さくすることによって、１つの層中に
存在する結晶粒の数を増やすことができ、信頼性の低下
を防ぐことができる。 【００１２】しかしながら、この希土類酸化物を添加し
た材料では、大きな誘電率を得ることができない上、焼
成するときに還元されやすくなり、特性の面で問題があ
った。 【００１３】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。 【００１４】 【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各酸化物
からなり、次の一般式、｛（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）
Ｏ｝m （Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、
ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、０．０５≦ｘ≦０．３０、
０．００５≦ｙ≦０．１２、０＜ｏ≦０．２０、０．０
００５≦ｐ≦０．０１２、１．００２≦ｍ≦１．０３の
関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸
化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．０モ
ル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類を合
計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁器組
成物である。 【００１５】 【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
３００℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。 【００１６】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が１２０００以上あり、しかもこ
のように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μ
ｍ以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデン
サを製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の
積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶
粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、し
かも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得るこ
とができる。 【００１７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。 【００１８】 【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，
ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これら
の原料を｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，
ｙ，ｍ，ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合し
て、配合原料を得た。この配合原料をボールミルで湿式
混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中において１１００
℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式粉
砕機によって粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得
た。この粉砕物に純水と酢酸ビニルバインダを加えて、
ボールミルで１６時間混合して混合物を得た。 【００１９】 【表１】 【００２０】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。 【００２１】 【表２】 【００２２】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。 【００２３】さらに、また、絶縁抵抗計によって、５０
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。 【００２４】次に、各組成の限定理由について説明す
る。 【００２５】｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔ
ｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１
のように、ストロンチウム量ｘが０．０５未満の場合、
誘電率が１２０００未満で、誘電損失が２．０％を超
え、静電容量の温度変化率も大きくなり好ましくない。
また、試料番号１７のように、ストロンチウム量ｘが
０．３０を超えると、磁器の焼結性が悪く、誘電率が１
２０００未満で、静電容量の温度変化率がＪＩＳ規格の
Ｆ特性を満足しなくなり好ましくない。 【００２６】さらに、試料番号２のように、カルシウム
量ｙが０．００５未満であれば、磁器の焼結性が悪く、
誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ好ま
しくない。一方、試料番号１８のように、カルシウム量
ｙが０．１２を超えると、焼結性が悪くなり、誘電率が
低下し好ましくない。 【００２７】試料番号３のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が１２０００未満になり、静電容量の
温度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号
１９のように、ジルコニウム量ｏが０．２０を超える
と、焼結性が低下し、誘電率が１２０００未満になり好
ましくない。 【００２８】試料番号４のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満の場合、誘電率が１２０００未満になり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号２０のように、ニオブ量ｐが０．０
１２を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器
が還元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ま
しくない。 【００２９】試料番号５のように、｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒ
x Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2
のモル比ｍが１．００２未満では、還元性雰囲気中で焼
成したときに磁器が還元され、半導体化して絶縁抵抗が
低下してしまい好ましくない。一方、試料番号２１のよ
うに、モル比ｍが１．０３を超えると、焼結性が極端に
悪くなり好ましくない。 【００３０】さらに、試料番号６のように、添加物
（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯおよびＮｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、
８５℃以上での絶縁抵抗が小さくなり、高温中における
長時間使用の信頼性が低下し好ましくない。一方、試料
番号２２のように、これらの添加物の量が２．０モルを
超えると、誘電損失が２．０％を超えて大きくなり、同
時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００３１】また、試料番号７のように、添加物（Ｂ）
としてのＳｉＯ2 およびＺｎＯの添加量が０．１モル未
満の場合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超
えて好ましくない。一方、試料番号２３のように、これ
らの添加物の量が２．０モルを超えると、誘電率が１２
０００未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより
大きくなり、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００３２】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が１２０００以上と高
く、誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量
の変化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＦ特性規格を満足する誘電体磁器を得ることがで
きる。さらに、この誘電体磁器では、２５℃，８５℃に
おける絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で表したときに１
２以上と高い値を示す。また、この発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、焼成温度も１３００℃以下と比較的低
温で焼結可能であり、粒径についても３μｍ以下と小さ
い。
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】積層セラミックコンデンサを製造するに
は、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布し
たシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材料
としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料な
どが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の誘
電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然雰
囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成して、内部
電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、この誘電
体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極を焼き付
けて、積層セラミックコンデンサが製造される。 【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。 【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。 【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。 【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。 【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。 【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。 【００１１】一方、特開昭６１−１０１４５９号公報に
示されるように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎ
ｄ，Ｓｍ，Ｄｙなどの希土類酸化物を添加した、結晶粒
径の小さい非還元性誘電体磁器が知られている。このよ
うに結晶粒径を小さくすることによって、１つの層中に
存在する結晶粒の数を増やすことができ、信頼性の低下
を防ぐことができる。 【００１２】しかしながら、この希土類酸化物を添加し
た材料では、大きな誘電率を得ることができない上、焼
成するときに還元されやすくなり、特性の面で問題があ
った。 【００１３】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。 【００１４】 【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各酸化物
からなり、次の一般式、｛（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）
Ｏ｝m （Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、
ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、０．０５≦ｘ≦０．３０、
０．００５≦ｙ≦０．１２、０＜ｏ≦０．２０、０．０
００５≦ｐ≦０．０１２、１．００２≦ｍ≦１．０３の
関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、各酸
化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．０モ
ル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類を合
計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁器組
成物である。 【００１５】 【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
３００℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。 【００１６】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が１２０００以上あり、しかもこ
のように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μ
ｍ以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデン
サを製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の
積層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶
粒の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、し
かも小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得るこ
とができる。 【００１７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。 【００１８】 【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ
2 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，
ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これら
の原料を｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，
ｙ，ｍ，ｏ，ｐが表１に示す割合となるように配合し
て、配合原料を得た。この配合原料をボールミルで湿式
混合し、粉砕したのち乾燥し、空気中において１１００
℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。この仮焼物を乾式粉
砕機によって粉砕し、粒径が１μｍ以下の粉砕物を得
た。この粉砕物に純水と酢酸ビニルバインダを加えて、
ボールミルで１６時間混合して混合物を得た。 【００１９】 【表１】 【００２０】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。 【００２１】 【表２】 【００２２】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。 【００２３】さらに、また、絶縁抵抗計によって、５０
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。 【００２４】次に、各組成の限定理由について説明す
る。 【００２５】｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔ
ｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１
のように、ストロンチウム量ｘが０．０５未満の場合、
誘電率が１２０００未満で、誘電損失が２．０％を超
え、静電容量の温度変化率も大きくなり好ましくない。
また、試料番号１７のように、ストロンチウム量ｘが
０．３０を超えると、磁器の焼結性が悪く、誘電率が１
２０００未満で、静電容量の温度変化率がＪＩＳ規格の
Ｆ特性を満足しなくなり好ましくない。 【００２６】さらに、試料番号２のように、カルシウム
量ｙが０．００５未満であれば、磁器の焼結性が悪く、
誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ好ま
しくない。一方、試料番号１８のように、カルシウム量
ｙが０．１２を超えると、焼結性が悪くなり、誘電率が
低下し好ましくない。 【００２７】試料番号３のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が１２０００未満になり、静電容量の
温度変化率が大きくなり好ましくない。一方、試料番号
１９のように、ジルコニウム量ｏが０．２０を超える
と、焼結性が低下し、誘電率が１２０００未満になり好
ましくない。 【００２８】試料番号４のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満の場合、誘電率が１２０００未満になり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号２０のように、ニオブ量ｐが０．０
１２を超えると、還元性雰囲気で焼成したときに、磁器
が還元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ま
しくない。 【００２９】試料番号５のように、｛ (Ｂａ1-x-y Ｓｒ
x Ｃａy ) Ｏ｝m ( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2
のモル比ｍが１．００２未満では、還元性雰囲気中で焼
成したときに磁器が還元され、半導体化して絶縁抵抗が
低下してしまい好ましくない。一方、試料番号２１のよ
うに、モル比ｍが１．０３を超えると、焼結性が極端に
悪くなり好ましくない。 【００３０】さらに、試料番号６のように、添加物
（Ａ）としてのＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｃ
ｏＯおよびＮｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、
８５℃以上での絶縁抵抗が小さくなり、高温中における
長時間使用の信頼性が低下し好ましくない。一方、試料
番号２２のように、これらの添加物の量が２．０モルを
超えると、誘電損失が２．０％を超えて大きくなり、同
時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００３１】また、試料番号７のように、添加物（Ｂ）
としてのＳｉＯ2 およびＺｎＯの添加量が０．１モル未
満の場合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超
えて好ましくない。一方、試料番号２３のように、これ
らの添加物の量が２．０モルを超えると、誘電率が１２
０００未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより
大きくなり、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００３２】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が１２０００以上と高
く、誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量
の変化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＦ特性規格を満足する誘電体磁器を得ることがで
きる。さらに、この誘電体磁器では、２５℃，８５℃に
おける絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で表したときに１
２以上と高い値を示す。また、この発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、焼成温度も１３００℃以下と比較的低
温で焼結可能であり、粒径についても３μｍ以下と小さ
い。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭55−67568（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−224109（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−289708（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−289709（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−170806（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−217425（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 3/12 303
C04B 35/46
H01G 4/12 358
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 その主成分がＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｔｉ，
ＺｒおよびＮｂの各酸化物からなり、次の一般式 ｛（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）Ｏ｝m （Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｙ，ｏ，ｐおよびｍが、 ０．０５≦ｘ≦０．３０ ０．００５≦ｙ≦０．１２ ０＜ｏ≦０．２０ ０．０００５≦ｐ≦０．０１２ １．００２≦ｍ≦１．０３ の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．
０モル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類
を合計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27806892A JP3385631B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27458891 | 1991-09-25 | ||
| JP3-274588 | 1991-09-25 | ||
| JP27806892A JP3385631B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205523A JPH05205523A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3385631B2 true JP3385631B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=26551094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27806892A Expired - Lifetime JP3385631B2 (ja) | 1991-09-25 | 1992-09-22 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385631B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3435607B2 (ja) * | 1992-05-01 | 2003-08-11 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JP7196484B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-12-27 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27806892A patent/JP3385631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05205523A (ja) | 1993-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3435607B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3227859B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH02123614A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JP3368602B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2566995B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ | |
| JP3945033B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3321823B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958819B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0925162A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3385631B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3385630B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3438261B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3368599B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0734327B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3438334B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3316717B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3362408B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0734326B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3603842B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958826B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3318951B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3318952B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP2958822B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958820B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130110 Year of fee payment: 10 |