JP3379534B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
液晶装置および電子機器Info
- Publication number
- JP3379534B2 JP3379534B2 JP2001510886A JP2001510886A JP3379534B2 JP 3379534 B2 JP3379534 B2 JP 3379534B2 JP 2001510886 A JP2001510886 A JP 2001510886A JP 2001510886 A JP2001510886 A JP 2001510886A JP 3379534 B2 JP3379534 B2 JP 3379534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- region
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 255
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 182
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 406
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 190
- 239000000463 material Substances 0.000 description 57
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 36
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BURBNIPKSRJAIQ-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-3-[3-(trifluoromethyl)phenyl]propanoate Chemical compound OC(=O)C(N)CC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 BURBNIPKSRJAIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940006015 4-hydroxybutyric acid Drugs 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229940063284 ammonium salicylate Drugs 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、基板の液晶層側の面に反射膜および着色層
が形成された液晶装置、該液晶装置を備える電子機器お
よび液晶装置用基板に関する。
が形成された液晶装置、該液晶装置を備える電子機器お
よび液晶装置用基板に関する。
＜背景技術＞
従来より、携帯情報端末等には、低消費電力という利
点を有する反射型液晶装置が用いられている。特に最近
では、画像情報の授受が増えてきたことに伴って、反射
型液晶装置にカラー化の動きが高まっている。
点を有する反射型液晶装置が用いられている。特に最近
では、画像情報の授受が増えてきたことに伴って、反射
型液晶装置にカラー化の動きが高まっている。
ここで、液晶装置において、反射膜を液晶層の外面あ
るいは内面のいずれか一方に設けることにより、反射型
液晶装置を実現することができるが、反射膜を内面に設
ける構成の方が、視差による二重像や色ボケなどの表示
品質の低下が抑えられる点において好ましい、と考え
る。例えば、アクティブマトリクス方式の液晶装置で
は、スイッチング素子が設けられる基板に形成される画
素電極に反射性を持たせて、画素電極を反射膜として兼
用することで、表示品質の低下が抑えられた反射型カラ
ー液晶装置を実現することができる。
るいは内面のいずれか一方に設けることにより、反射型
液晶装置を実現することができるが、反射膜を内面に設
ける構成の方が、視差による二重像や色ボケなどの表示
品質の低下が抑えられる点において好ましい、と考え
る。例えば、アクティブマトリクス方式の液晶装置で
は、スイッチング素子が設けられる基板に形成される画
素電極に反射性を持たせて、画素電極を反射膜として兼
用することで、表示品質の低下が抑えられた反射型カラ
ー液晶装置を実現することができる。
また、近年では、暗所での視認性を確保するために、
光を反射させるだけでなく、光を透過させるように反射
膜を形成することにより、反射型表示と透過型表示との
双方の表示を可能とする半透過反射型液晶装置が提案さ
れている。このような半透過反射型液晶装置によれば、
通常は反射型表示として用いることにより、低消費電力
が図られる一方、暗所においては必要に応じて透過型表
示として用いることにより、視認性が確保されることと
なる。
光を反射させるだけでなく、光を透過させるように反射
膜を形成することにより、反射型表示と透過型表示との
双方の表示を可能とする半透過反射型液晶装置が提案さ
れている。このような半透過反射型液晶装置によれば、
通常は反射型表示として用いることにより、低消費電力
が図られる一方、暗所においては必要に応じて透過型表
示として用いることにより、視認性が確保されることと
なる。
＜発明の開示＞
しかしながら、画素電極を反射膜と兼用する構成で
は、製造工程中、反射膜として一般的に用いられるアル
ミニウムが露出することになる。周知のようにアルミニ
ウムは耐蝕性に欠けるので、このような構成では、アル
ミニウムがダメージを受けて、反射膜としての反射特性
や、電極としての電気特性等が悪化する可能性がある。
は、製造工程中、反射膜として一般的に用いられるアル
ミニウムが露出することになる。周知のようにアルミニ
ウムは耐蝕性に欠けるので、このような構成では、アル
ミニウムがダメージを受けて、反射膜としての反射特性
や、電極としての電気特性等が悪化する可能性がある。
例えば、液晶装置の製造プロセスのうち、配向膜の形
成工程では、Ｎ−メチルピロリドン（１−メチル−２−
ピロリジノン）や、γ−ブチロラクトン（４−ヒドロキ
シブチィリック酸γ−ラクトン）などのような極性溶媒
に溶解したポリイミドやポリアミク酸を主成分とする溶
液を基板に塗布した後に、１５０℃から２５０℃に加熱
する工程を含む。このため、当該アルミニウムがダメー
ジを受ける可能性が高い。
成工程では、Ｎ−メチルピロリドン（１−メチル−２−
ピロリジノン）や、γ−ブチロラクトン（４−ヒドロキ
シブチィリック酸γ−ラクトン）などのような極性溶媒
に溶解したポリイミドやポリアミク酸を主成分とする溶
液を基板に塗布した後に、１５０℃から２５０℃に加熱
する工程を含む。このため、当該アルミニウムがダメー
ジを受ける可能性が高い。
さらに、反射電極に対向する他方の電極がＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）である構成では、液晶層を狭持するア
ルミニウム電極とＩＴＯ電極との間には極性差が生じる
ので、液晶装置の表示品位のみならず、長期信頼性も低
下する。そして、これらの現象は、他の元素を含んだア
ルミニウム合金においても、程度の大小はあるものの、
同様に発生する。
dium Tin Oxide）である構成では、液晶層を狭持するア
ルミニウム電極とＩＴＯ電極との間には極性差が生じる
ので、液晶装置の表示品位のみならず、長期信頼性も低
下する。そして、これらの現象は、他の元素を含んだア
ルミニウム合金においても、程度の大小はあるものの、
同様に発生する。
また、上述した半透過反射型液晶装置において、透過
型表示とする場合、画素外からの漏れ光によりコントラ
スト比が大幅に低下してしまい、高品位な表示を行うこ
とができない。このような漏れ光によるコントラスト比
の低下を防ぐためには、反射膜が設けられる基板と対向
する基板に、すなわち、観察者から見て手前側の基板
に、遮光膜を別途設ける構成とすれば良い。
型表示とする場合、画素外からの漏れ光によりコントラ
スト比が大幅に低下してしまい、高品位な表示を行うこ
とができない。このような漏れ光によるコントラスト比
の低下を防ぐためには、反射膜が設けられる基板と対向
する基板に、すなわち、観察者から見て手前側の基板
に、遮光膜を別途設ける構成とすれば良い。
ここで、遮光膜としては、クロムあるいは黒色樹脂材
料を用いるのが一般的である。このうち、クロムは、遮
光性が高く、膜厚を２００ｎｍ以下にすることができる
が、金属材料であるために、表面反射率が大きい。例え
ば、単層クロムでは反射率が約６０％程度もあり、ま
た、低反射２層クロムでも反射率が約７％程度である。
このため、遮光膜にクロムを用いると、観察側から入射
した光が当該遮光膜の表面で反射してしまうため、特に
反射型表示においてコントラスト比が低下してしまう、
という問題があった。
料を用いるのが一般的である。このうち、クロムは、遮
光性が高く、膜厚を２００ｎｍ以下にすることができる
が、金属材料であるために、表面反射率が大きい。例え
ば、単層クロムでは反射率が約６０％程度もあり、ま
た、低反射２層クロムでも反射率が約７％程度である。
このため、遮光膜にクロムを用いると、観察側から入射
した光が当該遮光膜の表面で反射してしまうため、特に
反射型表示においてコントラスト比が低下してしまう、
という問題があった。
一方、黒色樹脂材料は、低反射率であるため、表面反
射率を抑えることができるが、遮光性が劣るので、透過
型表示において要求される２以上の光学濃度を確保する
ためには、黒色樹脂を厚くしなければならない。このた
め、基板の平坦性が悪化するばかりか、パターニング幅
を狭くできないので、結果的に開口率が小さくなる、と
いった問題があった。
射率を抑えることができるが、遮光性が劣るので、透過
型表示において要求される２以上の光学濃度を確保する
ためには、黒色樹脂を厚くしなければならない。このた
め、基板の平坦性が悪化するばかりか、パターニング幅
を狭くできないので、結果的に開口率が小さくなる、と
いった問題があった。
本発明は、このような背景の下でなされたものであ
り、その目的とするところは、反射特性や表示特性が良
好な液晶装置並びに電子機器及び液晶装置用基板を提供
することにある。
り、その目的とするところは、反射特性や表示特性が良
好な液晶装置並びに電子機器及び液晶装置用基板を提供
することにある。
本発明の液晶装置は、第１の基板の側に形成された第
１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２の透明
電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層側の
面に形成されるとともに、前記第１および第２の透明電
極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した開口
領域を有する遮光膜と、前記第２の基板における前記液
晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成され
た着色層とを具備し、前記遮光膜の開口領域は、前記第
１および第２の透明電極が平面的にみて互いに重なる画
素領域に対し、当該画素領域の端部から前記第１および
第２の透明電極間の距離の略半分までを限度として当該
画素領域の外側に広くなっていることを特徴とする。
１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２の透明
電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層側の
面に形成されるとともに、前記第１および第２の透明電
極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した開口
領域を有する遮光膜と、前記第２の基板における前記液
晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成され
た着色層とを具備し、前記遮光膜の開口領域は、前記第
１および第２の透明電極が平面的にみて互いに重なる画
素領域に対し、当該画素領域の端部から前記第１および
第２の透明電極間の距離の略半分までを限度として当該
画素領域の外側に広くなっていることを特徴とする。
また、前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域において
前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する位置に
配置されていることを特徴とする。
前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する位置に
配置されていることを特徴とする。
また、前記遮光膜の開口領域において前記画素領域の
外側に広くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が
駆動される領域であることを特徴とする。
外側に広くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が
駆動される領域であることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置は、第１の基板の側に形成さ
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜と、前記第２の基板における前
記液晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成
された着色層とを具備し、前記画素領域は矩形状の領域
であり、前記遮光膜の開口領域は、前記画素領域に対し
て、前記液晶層における液晶分子のダイレクタ方向と直
交する辺の一方では、長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなっており、それ以外の辺においては、長さｄ２
だけ前記画素領域の外側に広くなっていることを特徴と
する。
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜と、前記第２の基板における前
記液晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成
された着色層とを具備し、前記画素領域は矩形状の領域
であり、前記遮光膜の開口領域は、前記画素領域に対し
て、前記液晶層における液晶分子のダイレクタ方向と直
交する辺の一方では、長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなっており、それ以外の辺においては、長さｄ２
だけ前記画素領域の外側に広くなっていることを特徴と
する。
また、前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域において
前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くなった領域
に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くなった領域
に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
また、前記遮光膜の開口領域において前記長さｄ２だ
け前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜め電界に
よって液晶分子が駆動される領域であり、前記遮光膜の
開口領域において前記長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が駆動
されない領域であることを特徴とする。
け前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜め電界に
よって液晶分子が駆動される領域であり、前記遮光膜の
開口領域において前記長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が駆動
されない領域であることを特徴とする。
また、前記画素領域の長さをＬ１で、前記画素領域の
幅をＷ１で表し、前記第１および前記第２の透明電極間
の距離をｄで表したとき、前記長さｄ１は、距離ｄと概
ね同等以下の値であり、前記長さｄ２は、距離ｄの概ね
１／２以下の値であり、前記遮光膜の開口領域の長さＬ
２および幅Ｗ２は、それぞれ、 Ｌ１−２ｄ１≦Ｌ２≦Ｌ１＋２ｄ２ Ｗ１−２ｄ１≦Ｗ２≦Ｗ１＋２ｄ２ の範囲に収まることを特徴とする。
幅をＷ１で表し、前記第１および前記第２の透明電極間
の距離をｄで表したとき、前記長さｄ１は、距離ｄと概
ね同等以下の値であり、前記長さｄ２は、距離ｄの概ね
１／２以下の値であり、前記遮光膜の開口領域の長さＬ
２および幅Ｗ２は、それぞれ、 Ｌ１−２ｄ１≦Ｌ２≦Ｌ１＋２ｄ２ Ｗ１−２ｄ１≦Ｗ２≦Ｗ１＋２ｄ２ の範囲に収まることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置は、第１の基板の側に形成さ
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置てあ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜とを具備し、前記遮光膜の開口
領域は、前記第１および第２の透明電極が平面的にみて
互いに重なる画素領域に対し、当該画素領域の端部から
前記第１および第２の透明電極間の距離の略半分までを
限度として当該画素領域の外側に広くなっていることを
特徴とする。
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置てあ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜とを具備し、前記遮光膜の開口
領域は、前記第１および第２の透明電極が平面的にみて
互いに重なる画素領域に対し、当該画素領域の端部から
前記第１および第２の透明電極間の距離の略半分までを
限度として当該画素領域の外側に広くなっていることを
特徴とする。
また、前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域において
前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する位置に
配置されていることを特徴とする。
前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する位置に
配置されていることを特徴とする。
また、前記遮光膜の開口領域において前記画素領域の
外側に広くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が
駆動される領域であることを特徴とする。
外側に広くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が
駆動される領域であることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置は、第１の基板の側に形成さ
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜と、を具備し、前記画素領域は
矩形状の領域であり、前記遮光膜の開口領域は、前記画
素領域に対して、前記液晶層における液晶分子のダイレ
クタ方向と直交する辺の一方では、長さｄ１だけ前記画
素領域の内側に狭くなっており、それ以外の辺において
は、長さｄ２だけ前記画素領域の外側に広くなっている
ことを特徴とする。
れた第１の透明電極と第２の基板の側に形成された第２
の透明電極との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であ
って、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成
されて、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を
反射する反射膜と、前記第２の基板における前記液晶層
側の面に形成されるとともに、前記第１および第２の透
明電極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対応した
開口領域を有する遮光膜と、を具備し、前記画素領域は
矩形状の領域であり、前記遮光膜の開口領域は、前記画
素領域に対して、前記液晶層における液晶分子のダイレ
クタ方向と直交する辺の一方では、長さｄ１だけ前記画
素領域の内側に狭くなっており、それ以外の辺において
は、長さｄ２だけ前記画素領域の外側に広くなっている
ことを特徴とする。
また、前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域において
前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くなった領域
に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くなった領域
に対応する位置に配置されていることを特徴とする。
また、前記遮光膜の開口領域において前記長さｄ２だ
け前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜め電界に
よって液晶分子が駆動される領域であり、前記遮光膜の
開口領域において前記長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が駆動
されない領域であることを特徴とする。
け前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜め電界に
よって液晶分子が駆動される領域であり、前記遮光膜の
開口領域において前記長さｄ１だけ前記画素領域の内側
に狭くなった領域は、斜め電界によって液晶分子が駆動
されない領域であることを特徴とする。
また、前記遮光膜の開口領域内にあって、前記反射膜
に光を透過する第１の開口部を備えることが好ましい。
に光を透過する第１の開口部を備えることが好ましい。
また、前記反射膜と第２の基板における前記液晶層側
の面との間に第１の膜を、さらに備えることが好まし
い。
の面との間に第１の膜を、さらに備えることが好まし
い。
また、前記反射膜の表面を少なくとも覆う第２の膜
を、さらに備えることが好ましい。
を、さらに備えることが好ましい。
また、本発明の電子機器は、上記いずれかの液晶装置
を備えることを特徴とする。
を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本件第１の発明に係る液
晶装置にあっては、第１の基板の側に形成された第１の
透明電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極
との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記
第２の基板における前記液晶層側の面に形成されて、少
なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射する反
射膜と、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形
成されるとともに、前記第１および第２の透明電極の交
差領域に対応した開口領域を有する遮光膜と、前記第２
の基板における前記液晶層側の面であって、前記遮光膜
を覆うように形成された着色層とを具備することを特徴
としている。
晶装置にあっては、第１の基板の側に形成された第１の
透明電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極
との間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記
第２の基板における前記液晶層側の面に形成されて、少
なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射する反
射膜と、前記第２の基板における前記液晶層側の面に形
成されるとともに、前記第１および第２の透明電極の交
差領域に対応した開口領域を有する遮光膜と、前記第２
の基板における前記液晶層側の面であって、前記遮光膜
を覆うように形成された着色層とを具備することを特徴
としている。
この第１の発明によれば、液晶層は、同種の第１およ
び第２の透明電極によって挟持されるので、液晶装置の
表示品位や長期信頼性が低下することがない。また、反
射膜上には、遮光膜および着色層が形成されるので、反
射膜を露出させないようにすることができる。このた
め、液晶装置の製造工程において、反射膜が、薬液や、
ガス、液晶層等にさらされないようにして、反射膜への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層が遮光
膜を覆うように形成されているので、遮光膜での表面反
射が抑えられるだけでなく、遮光膜に要求される光学濃
度も小さくて済む。特に反射型表示において光は遮光膜
を２回通過することになるので、反射型表示を主とする
場合には、遮光膜の光学濃度が小さくても実質的には充
分な遮光性が得られる。
び第２の透明電極によって挟持されるので、液晶装置の
表示品位や長期信頼性が低下することがない。また、反
射膜上には、遮光膜および着色層が形成されるので、反
射膜を露出させないようにすることができる。このた
め、液晶装置の製造工程において、反射膜が、薬液や、
ガス、液晶層等にさらされないようにして、反射膜への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層が遮光
膜を覆うように形成されているので、遮光膜での表面反
射が抑えられるだけでなく、遮光膜に要求される光学濃
度も小さくて済む。特に反射型表示において光は遮光膜
を２回通過することになるので、反射型表示を主とする
場合には、遮光膜の光学濃度が小さくても実質的には充
分な遮光性が得られる。
ここで、第１の発明において、前記遮光膜の開口領域
内にあって、前記反射膜に光を透過する第１の開口部を
備える構成が望ましい。この構成では、反射膜が電極と
して機能しないので、すなわち、反射膜の第１の開口部
であっても第２の透明電極によって液晶層が駆動される
ので、当該開口部を透過する光による透過型表示が可能
となる。さらに、透過型表示において光は、遮光膜の開
口領域ではなく、反射膜に設けられる第１の開口部によ
って規定されるので、遮光膜に要求される光学濃度は、
反射型表示のみを考慮して設定すれば良いことになる。
内にあって、前記反射膜に光を透過する第１の開口部を
備える構成が望ましい。この構成では、反射膜が電極と
して機能しないので、すなわち、反射膜の第１の開口部
であっても第２の透明電極によって液晶層が駆動される
ので、当該開口部を透過する光による透過型表示が可能
となる。さらに、透過型表示において光は、遮光膜の開
口領域ではなく、反射膜に設けられる第１の開口部によ
って規定されるので、遮光膜に要求される光学濃度は、
反射型表示のみを考慮して設定すれば良いことになる。
また、第１の発明において、前記反射膜と第２の基板
における前記液晶層側の面との間に第１の膜をさらに備
える構成が好ましい。この構成によれば、反射膜として
用いられる金属と第２の基板表面との密着性が劣るよう
な組み合わせであっても、第１の膜により、反射膜の密
着性を向上させることが可能となる。このように反射膜
の密着性を向上させる第１の膜としては、金属や、酸化
物、窒化物を用いることができる。このうち、金属とし
ては、Ｔａや、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの５ｂ〜６ｂ族に含
まれる遷移金属が挙げられる。また、酸化物の一例とし
ては、Ｔａ2Ｏ5などの上記遷移金属の酸化物やＳｉＯ2
等の酸化シリコンなどが挙げられ、別例としては、Ｔｉ
Ｏ2や、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせた
もの、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。さらに、窒化物とし
ては、Ｓｉ3Ｎ4に代表される窒化シリコンが挙げられ
る。この第１の膜は、反射膜の密着性を向上させるため
のものであるので、その膜厚は、１００ｎｍ前後、場合
によっては３０〜６０ｎｍ程度で十分である。さらに、
導電性を有さないＳｉＯ2膜やＴａ2Ｏ5膜などを用いる
場合には、当該膜が第２の基板全面に残存していても構
わないので、当該膜をパターニングしないで済む。例え
ば、反射膜として銀や銀を主成分とする銀合金を用いる
とともに、第２の基板としてガラスを用いた場合におい
ては、密着性を向上するための第１の膜としては、Ｍｏ
や、Ｔａ2Ｏ5 ＳｉＯ2膜などを用いるのが望ましい。ま
た、絶縁性基板にプラスチックフィルムなどの可撓性を
有する基板を用いる場合においては、第１の膜として、
ＳｉＯ2膜や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適
宜組み合わせたものなど用いるのが望ましい。
における前記液晶層側の面との間に第１の膜をさらに備
える構成が好ましい。この構成によれば、反射膜として
用いられる金属と第２の基板表面との密着性が劣るよう
な組み合わせであっても、第１の膜により、反射膜の密
着性を向上させることが可能となる。このように反射膜
の密着性を向上させる第１の膜としては、金属や、酸化
物、窒化物を用いることができる。このうち、金属とし
ては、Ｔａや、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの５ｂ〜６ｂ族に含
まれる遷移金属が挙げられる。また、酸化物の一例とし
ては、Ｔａ2Ｏ5などの上記遷移金属の酸化物やＳｉＯ2
等の酸化シリコンなどが挙げられ、別例としては、Ｔｉ
Ｏ2や、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせた
もの、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。さらに、窒化物とし
ては、Ｓｉ3Ｎ4に代表される窒化シリコンが挙げられ
る。この第１の膜は、反射膜の密着性を向上させるため
のものであるので、その膜厚は、１００ｎｍ前後、場合
によっては３０〜６０ｎｍ程度で十分である。さらに、
導電性を有さないＳｉＯ2膜やＴａ2Ｏ5膜などを用いる
場合には、当該膜が第２の基板全面に残存していても構
わないので、当該膜をパターニングしないで済む。例え
ば、反射膜として銀や銀を主成分とする銀合金を用いる
とともに、第２の基板としてガラスを用いた場合におい
ては、密着性を向上するための第１の膜としては、Ｍｏ
や、Ｔａ2Ｏ5 ＳｉＯ2膜などを用いるのが望ましい。ま
た、絶縁性基板にプラスチックフィルムなどの可撓性を
有する基板を用いる場合においては、第１の膜として、
ＳｉＯ2膜や、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適
宜組み合わせたものなど用いるのが望ましい。
さて、第１の発明において、前記遮光膜は、黒色の樹
脂材料からなる構成が好ましい。このような黒色の樹脂
材料としては、例えば、黒色顔料を分散させたカラーレ
ジストや、印刷可能な黒色塗料などが挙げられる。上述
したように黒色樹脂材料は、クロムと比較して、低反射
率の点で優れているが、遮光性の点で劣る。ただし、第
１の発明では、上述したように遮光膜の光学濃度が小さ
くて済むので、遮光膜を厚く形成する必要がない。例え
ば、透過型表示のみを考えた場合、遮光膜には２以上の
光学濃度が要求されるが、この光学濃度を、黒色樹脂材
料で得るためには、約０．９μｍの膜厚が必要である。
これに対して、第１の発明では、着色層が遮光膜を覆う
ように形成され、さらに、反射型表示において光は遮光
膜を２回通過するので、また、透過型表示において光は
反射膜の第１の開口部によって規定されるので、遮光膜
に黒色樹脂材料を用いたとしても、必要な膜厚は０．５
μｍ以下で済み、ほぼ半減させることが可能となる。こ
のため、第１の発明において、遮光膜に黒色樹脂材料を
用いても、基板の平坦性が悪化することがないし、開口
率が低下することもない。なお、一般的に反射型表示装
置のコントラスト比は１：１０〜１：２５程度であり、
この値は透過型液晶装置に比較して低いので、用いる液
晶モードに合わせて光学濃度を小さくして、黒色樹脂材
料の膜厚をさらに薄く済ませることも可能である。
脂材料からなる構成が好ましい。このような黒色の樹脂
材料としては、例えば、黒色顔料を分散させたカラーレ
ジストや、印刷可能な黒色塗料などが挙げられる。上述
したように黒色樹脂材料は、クロムと比較して、低反射
率の点で優れているが、遮光性の点で劣る。ただし、第
１の発明では、上述したように遮光膜の光学濃度が小さ
くて済むので、遮光膜を厚く形成する必要がない。例え
ば、透過型表示のみを考えた場合、遮光膜には２以上の
光学濃度が要求されるが、この光学濃度を、黒色樹脂材
料で得るためには、約０．９μｍの膜厚が必要である。
これに対して、第１の発明では、着色層が遮光膜を覆う
ように形成され、さらに、反射型表示において光は遮光
膜を２回通過するので、また、透過型表示において光は
反射膜の第１の開口部によって規定されるので、遮光膜
に黒色樹脂材料を用いたとしても、必要な膜厚は０．５
μｍ以下で済み、ほぼ半減させることが可能となる。こ
のため、第１の発明において、遮光膜に黒色樹脂材料を
用いても、基板の平坦性が悪化することがないし、開口
率が低下することもない。なお、一般的に反射型表示装
置のコントラスト比は１：１０〜１：２５程度であり、
この値は透過型液晶装置に比較して低いので、用いる液
晶モードに合わせて光学濃度を小さくして、黒色樹脂材
料の膜厚をさらに薄く済ませることも可能である。
一方、第１の発明において、前記遮光膜は、前記着色
層が２色以上積層されてなる構成も好ましい。この構成
では、遮光膜として別個の層を設ける必要がなくなるの
で、低コスト化を図ることが可能となる。一般的な反射
型液晶装置の着色層は、透過型表示装置の着色層の濃度
と比較して淡いので、２色以上の着色層を積層しても、
その光学濃度は、１以下の場合があり、必要な光学濃度
を得ることが困難である。これに対して、この構成で
は、反射型表示において光は、着色層が２色以上積層し
てなる遮光膜を２回通過するので、また、透過型表示に
おいて光は反射膜の第１の開口部によって規定されるの
で、淡い着色層を用いても充分な遮光性を得ることがで
きる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の
着色層を有する場合、これら３色の着色層を積層した場
合の光学濃度が０．７であれば、光が２回通過すること
による実質的な光学濃度は約１．４となるので、一般的
にコントラスト比が１：２５以下である反射型液晶装置
では、実用上充分な遮光性を有することになる。
層が２色以上積層されてなる構成も好ましい。この構成
では、遮光膜として別個の層を設ける必要がなくなるの
で、低コスト化を図ることが可能となる。一般的な反射
型液晶装置の着色層は、透過型表示装置の着色層の濃度
と比較して淡いので、２色以上の着色層を積層しても、
その光学濃度は、１以下の場合があり、必要な光学濃度
を得ることが困難である。これに対して、この構成で
は、反射型表示において光は、着色層が２色以上積層し
てなる遮光膜を２回通過するので、また、透過型表示に
おいて光は反射膜の第１の開口部によって規定されるの
で、淡い着色層を用いても充分な遮光性を得ることがで
きる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の
着色層を有する場合、これら３色の着色層を積層した場
合の光学濃度が０．７であれば、光が２回通過すること
による実質的な光学濃度は約１．４となるので、一般的
にコントラスト比が１：２５以下である反射型液晶装置
では、実用上充分な遮光性を有することになる。
また、遮光膜が、２色以上の着色層の積層部分からな
る場合に、濃度を濃くした着色層が、遮光膜の開口領域
に対してある割合で部分的に設けられる構成として、当
該開口領域内において反射され着色される光の平均濃度
が、反射型表示に適した値となるように設定しても良
い。この構成によれば、濃度の濃い着色層が積層された
部分が遮光膜となるので、当該遮光膜の光学濃度をさら
に大きくすることができる。例えば、３色の着色層を積
層した部分の光学濃度が１．６であれば、光が２回通過
することによる実質的な光学濃度は約３．０前後にまで
達するので、１：１００以上の高いコントラスト比の反
射型表示が可能となる。
る場合に、濃度を濃くした着色層が、遮光膜の開口領域
に対してある割合で部分的に設けられる構成として、当
該開口領域内において反射され着色される光の平均濃度
が、反射型表示に適した値となるように設定しても良
い。この構成によれば、濃度の濃い着色層が積層された
部分が遮光膜となるので、当該遮光膜の光学濃度をさら
に大きくすることができる。例えば、３色の着色層を積
層した部分の光学濃度が１．６であれば、光が２回通過
することによる実質的な光学濃度は約３．０前後にまで
達するので、１：１００以上の高いコントラスト比の反
射型表示が可能となる。
このように第１の発明において、（光が１回通過する
ことによる）前記遮光膜の光学濃度は、０．５以上１．
７以下である構成が好ましい。第１の発明では、上述し
たように、反射型表示において光は遮光膜を２回通過す
るので、その光学濃度が小さくても、実質的な（光が２
回通過することによる）光学濃度の値が大きくなるため
である。
ことによる）前記遮光膜の光学濃度は、０．５以上１．
７以下である構成が好ましい。第１の発明では、上述し
たように、反射型表示において光は遮光膜を２回通過す
るので、その光学濃度が小さくても、実質的な（光が２
回通過することによる）光学濃度の値が大きくなるため
である。
ところで、第１の発明において、前記遮光膜の開口領
域は、前記第１および第２の透明電極との交差領域に対
し、当該領域の周縁から前記第１および第２の透明電極
間の距離の略半分までを限度として当該領域の外側に拡
大している構成が好ましい。
域は、前記第１および第２の透明電極との交差領域に対
し、当該領域の周縁から前記第１および第２の透明電極
間の距離の略半分までを限度として当該領域の外側に拡
大している構成が好ましい。
ここで、液晶装置において、設計上の画素とは、第１
および第２の透明電極が平面的にみて互いに重なる領域
であるが、この設計上の画素領域外であっても、いわゆ
る斜め電界により液晶分子が駆動される領域がある。具
体的に言えば、第１の透明電極内であって、第２の透明
電極内である部分であって、第１および第２の透明電極
の交差領域の端部から、電極間距離（液晶層の厚さ）の
約１／２の距離に相当する部分までは、斜め電界によっ
て液晶分子が駆動されることが本件発明者によって確認
されている。例えば、ある液晶モードにおいて、電極間
距離が４．０μｍであるとき、電極の端部から外側に約
２．０μｍ近傍までの領域では液晶分子が駆動される。
そこで、この領域に対応する部分にまで、遮光膜の開口
領域を拡大して、反射膜により光が反射する構成とすれ
ば、実質的な開口率を向上することが可能となる。
および第２の透明電極が平面的にみて互いに重なる領域
であるが、この設計上の画素領域外であっても、いわゆ
る斜め電界により液晶分子が駆動される領域がある。具
体的に言えば、第１の透明電極内であって、第２の透明
電極内である部分であって、第１および第２の透明電極
の交差領域の端部から、電極間距離（液晶層の厚さ）の
約１／２の距離に相当する部分までは、斜め電界によっ
て液晶分子が駆動されることが本件発明者によって確認
されている。例えば、ある液晶モードにおいて、電極間
距離が４．０μｍであるとき、電極の端部から外側に約
２．０μｍ近傍までの領域では液晶分子が駆動される。
そこで、この領域に対応する部分にまで、遮光膜の開口
領域を拡大して、反射膜により光が反射する構成とすれ
ば、実質的な開口率を向上することが可能となる。
例えば、電圧無印加時に黒表示を行うノーマリーブラ
ックモードの液晶装置において、電圧印加によって白表
示を行う場合、設計上の画素の端部から多少離れていて
も、その領域では液晶分子が斜め電界によって駆動され
る。このため、当該領域に遮光膜を設けずに反射膜を配
置すれば、実質的に画素として機能する面積が設計上の
画素の面積よりも拡大する結果、開口率が向上して、明
るい表示を実現することが可能となる。
ックモードの液晶装置において、電圧印加によって白表
示を行う場合、設計上の画素の端部から多少離れていて
も、その領域では液晶分子が斜め電界によって駆動され
る。このため、当該領域に遮光膜を設けずに反射膜を配
置すれば、実質的に画素として機能する面積が設計上の
画素の面積よりも拡大する結果、開口率が向上して、明
るい表示を実現することが可能となる。
一方、設計上の画素領域内であっても、いわゆる斜め
電界により液晶分子が駆動されない領域があるが、この
ような領域には、遮光膜を設けて、反射膜により光が反
射しない構成とすれば、コントラスト比の低下を防止す
ることが可能となる。例えば、電圧無印加時に白表示を
行うノーマリーホワイトモードの液晶装置において、液
晶分子が駆動されない領域には、遮光膜を設けずに反射
膜を配置すると、電圧印加によって黒表示をする場合で
も、完全な黒表示とすることができないので、コントラ
スト比が低下することになるが、このような領域には、
遮光膜を設けて視認されない構成とすれば、コントラス
ト比の低下を防止することが可能となる。
電界により液晶分子が駆動されない領域があるが、この
ような領域には、遮光膜を設けて、反射膜により光が反
射しない構成とすれば、コントラスト比の低下を防止す
ることが可能となる。例えば、電圧無印加時に白表示を
行うノーマリーホワイトモードの液晶装置において、液
晶分子が駆動されない領域には、遮光膜を設けずに反射
膜を配置すると、電圧印加によって黒表示をする場合で
も、完全な黒表示とすることができないので、コントラ
スト比が低下することになるが、このような領域には、
遮光膜を設けて視認されない構成とすれば、コントラス
ト比の低下を防止することが可能となる。
また、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）であって、
ノーマリーホワイトモードを用いた液晶装置において、
ある画素を黒表示とする場合に、設計上の画素の領域内
であるにもかかわらず、その一辺では、斜め電界の影響
により液晶分子が完全に駆動されない領域が残存する、
という現象が発生して、コントラスト比が低下すること
もあるが、第１の発明のように反射膜と電極とが独立す
る構成では、当該領域を遮光膜で隠すことにより、コン
トラスト比の低下を防止することが可能となる。さら
に、当該画素の領域外であっても、斜め電界によって液
晶分子が駆動される領域には、遮光膜を設けずに反射膜
を配置することで、実質的な開口率が向上して、明るい
表示が可能となる。
ノーマリーホワイトモードを用いた液晶装置において、
ある画素を黒表示とする場合に、設計上の画素の領域内
であるにもかかわらず、その一辺では、斜め電界の影響
により液晶分子が完全に駆動されない領域が残存する、
という現象が発生して、コントラスト比が低下すること
もあるが、第１の発明のように反射膜と電極とが独立す
る構成では、当該領域を遮光膜で隠すことにより、コン
トラスト比の低下を防止することが可能となる。さら
に、当該画素の領域外であっても、斜め電界によって液
晶分子が駆動される領域には、遮光膜を設けずに反射膜
を配置することで、実質的な開口率が向上して、明るい
表示が可能となる。
このようなコントラスト比の低下防止と実質的な開口
率の向上とについては、第１の発明のように、反射膜と
画素電極とが独立して設けられることによってはじめて
実現可能となるものである。そこで、この点について図
を用いて今一度説明する。ここで、図１９Ａは、ＳＴＮ
の液晶を用いたパッシブマトリクス方式の液晶装置の構
成を示す概略平面図であり、図１９Ｂは、同液晶装置に
おける基板に隣接する液晶分子の配向方向と、液晶層の
バルクにおける液晶分子の配向方向とを示す概略平面図
である。また、図１９Ｃは、電圧無印加時における図１
９Ａの線ＧＧ−ＧＧ’についての概略断面図であり、図
１９Ｄは、電圧印加時における図１９Ａの線ＧＧ−Ｇ
Ｇ’についての概略断面図である、 図１９Ａに示されるように、パッシブマトリクス方式
の液晶装置においては、上基板２１に設けられる透明な
電極２２とこれに対向する下基板３１に設けられる透明
な電極３２とが平面的にみて互いに交差する領域が、設
計上の画素の領域５０となる。ここで、図１９Ｂに示さ
れるように、上基板２１のラビング方向２３と下基板３
１のラビング方向３３との組み合わせにより、左回りの
ＳＴＮ液晶モードを採用した場合を想定する。この場
合、上基板２１近傍の液晶分子４１は上基板２１のラビ
ング方向２３に、下基板３１近傍の液晶分子４２は下基
板３１のラビング方向３３に、それぞれ沿った形で配向
し、また、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３
は、下基板３１の電極３２の形成方向と直交する方向に
配向することになる。
率の向上とについては、第１の発明のように、反射膜と
画素電極とが独立して設けられることによってはじめて
実現可能となるものである。そこで、この点について図
を用いて今一度説明する。ここで、図１９Ａは、ＳＴＮ
の液晶を用いたパッシブマトリクス方式の液晶装置の構
成を示す概略平面図であり、図１９Ｂは、同液晶装置に
おける基板に隣接する液晶分子の配向方向と、液晶層の
バルクにおける液晶分子の配向方向とを示す概略平面図
である。また、図１９Ｃは、電圧無印加時における図１
９Ａの線ＧＧ−ＧＧ’についての概略断面図であり、図
１９Ｄは、電圧印加時における図１９Ａの線ＧＧ−Ｇ
Ｇ’についての概略断面図である、 図１９Ａに示されるように、パッシブマトリクス方式
の液晶装置においては、上基板２１に設けられる透明な
電極２２とこれに対向する下基板３１に設けられる透明
な電極３２とが平面的にみて互いに交差する領域が、設
計上の画素の領域５０となる。ここで、図１９Ｂに示さ
れるように、上基板２１のラビング方向２３と下基板３
１のラビング方向３３との組み合わせにより、左回りの
ＳＴＮ液晶モードを採用した場合を想定する。この場
合、上基板２１近傍の液晶分子４１は上基板２１のラビ
ング方向２３に、下基板３１近傍の液晶分子４２は下基
板３１のラビング方向３３に、それぞれ沿った形で配向
し、また、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３
は、下基板３１の電極３２の形成方向と直交する方向に
配向することになる。
ここで、電圧無印加時には、図１９Ｃに示されるよう
に、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３の配向は
均一であるが、電圧印加時には、図１９Ｄに示されるよ
うに、上基板２１の電極２２と下基板３１の電極３２と
の間に生じる電気力線５３が画素の周縁で歪む（すなわ
ち「斜め電界」の発生する）結果、画素５３の一端部で
は、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３の配向が
乱れ、リバースチルトドメインが発生して、液晶分子４
３が正常に駆動されない領域５１が出現する。一方、画
素の他方の端部では、下基板３１の電極３２外であって
も、バルクにおける液晶分子４３が正常に駆動される領
域５２が出現する。
に、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３の配向は
均一であるが、電圧印加時には、図１９Ｄに示されるよ
うに、上基板２１の電極２２と下基板３１の電極３２と
の間に生じる電気力線５３が画素の周縁で歪む（すなわ
ち「斜め電界」の発生する）結果、画素５３の一端部で
は、液晶層４０のバルクにおける液晶分子４３の配向が
乱れ、リバースチルトドメインが発生して、液晶分子４
３が正常に駆動されない領域５１が出現する。一方、画
素の他方の端部では、下基板３１の電極３２外であって
も、バルクにおける液晶分子４３が正常に駆動される領
域５２が出現する。
したがって、液晶分子４３が正常に駆動されない領域
５１に対応する位置にまで遮光膜を広げる一方、液晶分
子４３が正常に駆動される領域５２に対応する位置に
は、遮光膜を設けずに反射膜で光が反射する構成とし
て、コントラスト比を低下させることなく、実質的な開
口率の向上を図って、明るい表示が可能となる。このよ
うな効果は、電極に反射性を持たせた従来構成では不可
能であり、第１の発明のように、反射膜と画素電極とを
独立して設けることによってはじめて実現可能となるも
のである。
５１に対応する位置にまで遮光膜を広げる一方、液晶分
子４３が正常に駆動される領域５２に対応する位置に
は、遮光膜を設けずに反射膜で光が反射する構成とし
て、コントラスト比を低下させることなく、実質的な開
口率の向上を図って、明るい表示が可能となる。このよ
うな効果は、電極に反射性を持たせた従来構成では不可
能であり、第１の発明のように、反射膜と画素電極とを
独立して設けることによってはじめて実現可能となるも
のである。
ところで、第１の発明において、反射膜としては、ア
ルミニウムや、銀、クロム等を主成分とする金属合金ま
たは単体金属を用いることができる。反射膜として、ア
ルミニウムを主成分とする金属合金を用いると、比較的
反射率の高い反射膜を、製造コストを低く抑えて実現す
ることができる。この際、金属合金におけるアルミニウ
ムの含有割合は、８０重量％以上であると好ましい。ま
た、反射膜として、銀を主成分とする金属合金を用いる
と、その反射率を非常に高くすることができる。この
際、金属合金における銀の割合は、８０重量％以上であ
ると好ましい。
ルミニウムや、銀、クロム等を主成分とする金属合金ま
たは単体金属を用いることができる。反射膜として、ア
ルミニウムを主成分とする金属合金を用いると、比較的
反射率の高い反射膜を、製造コストを低く抑えて実現す
ることができる。この際、金属合金におけるアルミニウ
ムの含有割合は、８０重量％以上であると好ましい。ま
た、反射膜として、銀を主成分とする金属合金を用いる
と、その反射率を非常に高くすることができる。この
際、金属合金における銀の割合は、８０重量％以上であ
ると好ましい。
また、第２の基板としては、ガラス等のほか、例えば
プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板を用いる
ことも可能である。このような可撓性を有する基板を用
いると、反射膜を無電解メッキなどにより被膜可能な金
属、例えばニッケルを主成分とする金属合金などを用い
ることもできる。
プラスチックフィルム等の可撓性を有する基板を用いる
ことも可能である。このような可撓性を有する基板を用
いると、反射膜を無電解メッキなどにより被膜可能な金
属、例えばニッケルを主成分とする金属合金などを用い
ることもできる。
ここで第１の発明において、反射膜として用いられる
金属が、着色層を形成する際に、薬液やガスなどにより
ダメージを受ける可能性がある場合には、前記反射膜の
表面を少なくとも覆う第２の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この構成において、第２の膜は、反射膜の反
射率を著しく低下させない範囲内であることが望まし
い。なお、第１の発明では、着色層が実質的に反射膜を
保護しているので、この第２の膜は、着色層の形成する
際にさらされる薬液やガス等に対して耐性を有していれ
ば充分である。例えば、反射膜に印刷法や染色法などで
着色層を形成する場合には、第２の膜は、特別に必要で
はないが、感光性カラーレジストを用いた着色感材法で
着色層を形成する場合には、使用する材料によっては、
強アルカリ性の現像液が用いられるときもあるため、現
像液と反射膜に用いられる金属との組み合わせに応じ
て、第２の膜を設けて、反射膜の表面を覆う構成とする
方が好ましい。
金属が、着色層を形成する際に、薬液やガスなどにより
ダメージを受ける可能性がある場合には、前記反射膜の
表面を少なくとも覆う第２の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この構成において、第２の膜は、反射膜の反
射率を著しく低下させない範囲内であることが望まし
い。なお、第１の発明では、着色層が実質的に反射膜を
保護しているので、この第２の膜は、着色層の形成する
際にさらされる薬液やガス等に対して耐性を有していれ
ば充分である。例えば、反射膜に印刷法や染色法などで
着色層を形成する場合には、第２の膜は、特別に必要で
はないが、感光性カラーレジストを用いた着色感材法で
着色層を形成する場合には、使用する材料によっては、
強アルカリ性の現像液が用いられるときもあるため、現
像液と反射膜に用いられる金属との組み合わせに応じ
て、第２の膜を設けて、反射膜の表面を覆う構成とする
方が好ましい。
ただし、反射膜として、アルミニウム合金や銀合金等
を用いると、第２の膜を不要とすることができる場合が
ある。例えば、反射膜として、ネオジウムを１重量％含
むアルミニウム合金を用いると、耐蝕性が向上するた
め、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムの混合水溶液
や、テトラメチルアンモニウム水酸化物の水溶液などを
用いた一般的組成の現像液に対しては、反射率の低下を
招くようなダメージは受けにくくなるので、反射膜の表
面を覆う第２の膜を設ける必要をなくすることができ
る。
を用いると、第２の膜を不要とすることができる場合が
ある。例えば、反射膜として、ネオジウムを１重量％含
むアルミニウム合金を用いると、耐蝕性が向上するた
め、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムの混合水溶液
や、テトラメチルアンモニウム水酸化物の水溶液などを
用いた一般的組成の現像液に対しては、反射率の低下を
招くようなダメージは受けにくくなるので、反射膜の表
面を覆う第２の膜を設ける必要をなくすることができ
る。
また例えば、反射膜として、ネオジウムを３重量％含
むアルミニウム合金や、ネオジウムを３重量％とチタン
（Ｔｉ）を３重量％とを含むアルミニウム合金等を用い
ると、耐蝕性がより向上するため、第２の膜を設ける必
要がなくなる。
むアルミニウム合金や、ネオジウムを３重量％とチタン
（Ｔｉ）を３重量％とを含むアルミニウム合金等を用い
ると、耐蝕性がより向上するため、第２の膜を設ける必
要がなくなる。
さて、第２の透明電極は、ガラスや樹脂材料という異
なる特性を持つ表面に形成する必要があるので、これら
の表面に対して、ある程度の密着性を確保する必要があ
る。そこで、第１の発明において、前記第２の透明電極
は、密着性を高める第３の膜上に形成されている構成が
望ましい。このような第３の膜としては、ＳｉＯ2に代
表される無機酸化膜が挙げられ、特に、スパッタ法など
によってＳｉＯ2と、第２の透明電極としてのＩＴＯを
連続形成するのが望ましい。
なる特性を持つ表面に形成する必要があるので、これら
の表面に対して、ある程度の密着性を確保する必要があ
る。そこで、第１の発明において、前記第２の透明電極
は、密着性を高める第３の膜上に形成されている構成が
望ましい。このような第３の膜としては、ＳｉＯ2に代
表される無機酸化膜が挙げられ、特に、スパッタ法など
によってＳｉＯ2と、第２の透明電極としてのＩＴＯを
連続形成するのが望ましい。
ところで、第１の発明にあって、反射膜に第１の開口
部を備える構成においては、前記着色層を覆うように形
成された第４の膜と、前記遮光膜の開口領域にあって、
前記着色層を開口する第２の開口部とをさらに備える構
成が好ましい。これにより反射型表示と透過型表示とに
おける色再現性をそれぞれ最適化することが可能とな
る。
部を備える構成においては、前記着色層を覆うように形
成された第４の膜と、前記遮光膜の開口領域にあって、
前記着色層を開口する第２の開口部とをさらに備える構
成が好ましい。これにより反射型表示と透過型表示とに
おける色再現性をそれぞれ最適化することが可能とな
る。
あるいは、第１の発明において、単に、前記着色層を
覆うように形成された第４の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この第４の膜によって、遮光膜の開口領域の
有無や、着色層などに起因する段差、さらには、反射膜
に第１の開口部がある場合にも、それによる段差等が平
坦化されるので、表示品位の低下を防止することができ
る。
覆うように形成された第４の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この第４の膜によって、遮光膜の開口領域の
有無や、着色層などに起因する段差、さらには、反射膜
に第１の開口部がある場合にも、それによる段差等が平
坦化されるので、表示品位の低下を防止することができ
る。
ここで、前記第４の膜は、光散乱性を有する構成が好
ましい。この構成によれば、第４の膜自体が散乱層とな
るため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程
数を減らして低コストを図ることが可能となる。
ましい。この構成によれば、第４の膜自体が散乱層とな
るため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程
数を減らして低コストを図ることが可能となる。
このような第４の膜としては、樹脂材料中に、該樹脂
材料とは屈折率が異なり、かつ、前記第４の膜厚よりも
直径が小さい粒子を含む構成が考えられる。これによ
り、平坦性と散乱性とを両立した反射膜を得ることがで
きる。
材料とは屈折率が異なり、かつ、前記第４の膜厚よりも
直径が小さい粒子を含む構成が考えられる。これによ
り、平坦性と散乱性とを両立した反射膜を得ることがで
きる。
第４の膜における樹脂材料として、アクリル樹脂やポ
リイミド樹脂などが挙げられ、また、粒子として、ガラ
スビーズなどの無機粒子やポリスチレン球などの有機ポ
リマー粒子などが挙げられる。そして、樹脂材料の膜厚
や、屈折率差、粒子径、粒子の分散度などにより、散乱
特性をコントロールすることが可能である。
リイミド樹脂などが挙げられ、また、粒子として、ガラ
スビーズなどの無機粒子やポリスチレン球などの有機ポ
リマー粒子などが挙げられる。そして、樹脂材料の膜厚
や、屈折率差、粒子径、粒子の分散度などにより、散乱
特性をコントロールすることが可能である。
この際、光散乱特性においてはヘイズ値が４０〜９０
％の範囲内にあり、屈折率差が０．０５〜０．１２の範
囲内であることが望ましい。例えば樹脂材料として考え
られる材料の屈折率は、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート）が１．５０前後であり、ポリイミド樹脂が１．
６０〜１．６５前後である一方、粒子として考えられる
材料の屈折率は、ＰＴＦＥ（４−フッ化エチレン）が
１．３５前後であり、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）が
１．４２前後であり、ＬＦ１光学ガラスが１．５７前
後、スチレンが１．５９前後、Ｆ２光学ガラスが１．６
２前後、ＳＦ２光学ガラスが１．６５などの値を有して
いる。このため、これらを適宜組み合わせることで、所
望の散乱機能を得ることが可能となる。なお、ここで挙
げた材料の屈折率は、その製法や形態によって異なる値
となり得る。また、これらは利用可能な材料の一部であ
り、第１の発明はこれに限定されることなく、さまざま
な特性を有する材料を組み合わせて使用可能であるのは
言うまでもない。
％の範囲内にあり、屈折率差が０．０５〜０．１２の範
囲内であることが望ましい。例えば樹脂材料として考え
られる材料の屈折率は、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリ
レート）が１．５０前後であり、ポリイミド樹脂が１．
６０〜１．６５前後である一方、粒子として考えられる
材料の屈折率は、ＰＴＦＥ（４−フッ化エチレン）が
１．３５前後であり、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）が
１．４２前後であり、ＬＦ１光学ガラスが１．５７前
後、スチレンが１．５９前後、Ｆ２光学ガラスが１．６
２前後、ＳＦ２光学ガラスが１．６５などの値を有して
いる。このため、これらを適宜組み合わせることで、所
望の散乱機能を得ることが可能となる。なお、ここで挙
げた材料の屈折率は、その製法や形態によって異なる値
となり得る。また、これらは利用可能な材料の一部であ
り、第１の発明はこれに限定されることなく、さまざま
な特性を有する材料を組み合わせて使用可能であるのは
言うまでもない。
さて、第１の発明において、前記反射膜は、粗面に形
成されている構成が望ましい。この構成によっても、第
２の基板側で散乱特性を持つことになるため、別途散乱
層を設ける必要がなくなる結果、工程数を減らして低コ
ストを図ることが可能となる。さらに、第４の膜によっ
て、粗面が平坦化されるので、粗面に起因する段差によ
って表示品位の低下を防止することができる。例えば、
反射膜に良好な散乱特性を持たせるために、０．３μｍ
〜１．５μｍの差を有する山と谷を多数設けて粗面とし
た場合、その形状により、部分的に液晶層の厚みや液晶
分子のプレティルト角が変化してしまうため、良好な表
示特性が得られない可能性があるが、この構成では、第
４の膜により平坦化されるので、第２の透明電極の平坦
性を確保することができる。この構成は、１００度以下
のツイスト角を有するＴＮ（Twisted Nematic）モード
に対しても有効であるが、特に、液晶層の厚みに対して
高い精度が要求されるＳＴＮモードとの組み合わせにお
いて有効である。
成されている構成が望ましい。この構成によっても、第
２の基板側で散乱特性を持つことになるため、別途散乱
層を設ける必要がなくなる結果、工程数を減らして低コ
ストを図ることが可能となる。さらに、第４の膜によっ
て、粗面が平坦化されるので、粗面に起因する段差によ
って表示品位の低下を防止することができる。例えば、
反射膜に良好な散乱特性を持たせるために、０．３μｍ
〜１．５μｍの差を有する山と谷を多数設けて粗面とし
た場合、その形状により、部分的に液晶層の厚みや液晶
分子のプレティルト角が変化してしまうため、良好な表
示特性が得られない可能性があるが、この構成では、第
４の膜により平坦化されるので、第２の透明電極の平坦
性を確保することができる。この構成は、１００度以下
のツイスト角を有するＴＮ（Twisted Nematic）モード
に対しても有効であるが、特に、液晶層の厚みに対して
高い精度が要求されるＳＴＮモードとの組み合わせにお
いて有効である。
ここで、前記粗面は、前記第２の基板における前記液
晶層側の面に形成された樹脂材料の表面である構成が考
えられる。このような樹脂材料としては、アクリル系や
ポリイミド系などの感光性樹脂などが有用である。これ
らの樹脂材料は、耐熱性が高いので、反射膜や、着色
層、第２の透明電極などの形成プロセスに対して充分な
耐性を有している。なお、感光性についてはネガタイプ
でもポジタイプでも構わない、また、粗面の形成につい
ては、多数の山および谷を有する面の金型を、樹脂材料
を塗布した面に密着させ、圧力をかけて、当該面の形状
を樹脂材料の表面に転写する、というプレス法を用いる
こともできる。
晶層側の面に形成された樹脂材料の表面である構成が考
えられる。このような樹脂材料としては、アクリル系や
ポリイミド系などの感光性樹脂などが有用である。これ
らの樹脂材料は、耐熱性が高いので、反射膜や、着色
層、第２の透明電極などの形成プロセスに対して充分な
耐性を有している。なお、感光性についてはネガタイプ
でもポジタイプでも構わない、また、粗面の形成につい
ては、多数の山および谷を有する面の金型を、樹脂材料
を塗布した面に密着させ、圧力をかけて、当該面の形状
を樹脂材料の表面に転写する、というプレス法を用いる
こともできる。
また、前記粗面は、前記第２の基板における前記液晶
層側の面を粗面化処理した構成も考えられる。この粗面
化処理としては、粒子を分散させたゾルゲル溶液を塗布
焼成する方法や、基板表面を不均一にエッチングする方
法などが挙げられる。特に、第２の基板がガラス基板で
ある場合、その基板表面に酸化膜を形成した後に、酸化
膜の不均一な組成によって不均一にエッチングする第１
の方法や、基板自体に含有されるアルミニウムや、ボロ
ン、ナトリウムなどの濃度が高い部分を溶解させるエッ
チング液により不均一にエッチングする第２の方法、基
板の組成物を過飽和としたフッ化水素酸水溶液に浸漬す
ることにより組成物を析出させるＬＰＤ（Liquid Phase
Deposition）法により不均一にエッチングする第３の
方法などを用いることができる。これらのうち、第２お
よび第３の方法は、塗布工程や、スパッタ工程を要さ
ず、薬液に浸漬するだけで良いため、低コスト化の面で
有利である。
層側の面を粗面化処理した構成も考えられる。この粗面
化処理としては、粒子を分散させたゾルゲル溶液を塗布
焼成する方法や、基板表面を不均一にエッチングする方
法などが挙げられる。特に、第２の基板がガラス基板で
ある場合、その基板表面に酸化膜を形成した後に、酸化
膜の不均一な組成によって不均一にエッチングする第１
の方法や、基板自体に含有されるアルミニウムや、ボロ
ン、ナトリウムなどの濃度が高い部分を溶解させるエッ
チング液により不均一にエッチングする第２の方法、基
板の組成物を過飽和としたフッ化水素酸水溶液に浸漬す
ることにより組成物を析出させるＬＰＤ（Liquid Phase
Deposition）法により不均一にエッチングする第３の
方法などを用いることができる。これらのうち、第２お
よび第３の方法は、塗布工程や、スパッタ工程を要さ
ず、薬液に浸漬するだけで良いため、低コスト化の面で
有利である。
そして、このような第１の発明に係る液晶装置を備え
る電子機器では、明るくて表示品位が高い反射型表示が
可能である一方、必要に応じて透過型表示が可能となる
ので、どのような環境下でも視認性に優れることにな
る。
る電子機器では、明るくて表示品位が高い反射型表示が
可能である一方、必要に応じて透過型表示が可能となる
ので、どのような環境下でも視認性に優れることにな
る。
さて、上記目的は、第１の発明に係る液晶装置のうち
の、第２の基板側でも達成することが可能である。すな
わち、本件の第２の発明に係る液晶装置用基板にあって
は、液晶層を挟持する一対の基板のうち、観察側とは反
対側に位置する液晶装置用基板であって、前記液晶層側
の面に形成されて、少なくとも観察側から入射する光を
反射する反射膜と、前記液晶層側の面に形成されて、反
射膜に対して開口する開口領域を有する遮光膜と、前記
液晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成さ
れる着色層と、前記着色層上に形成された透明電極とを
具備することを特徴としている。
の、第２の基板側でも達成することが可能である。すな
わち、本件の第２の発明に係る液晶装置用基板にあって
は、液晶層を挟持する一対の基板のうち、観察側とは反
対側に位置する液晶装置用基板であって、前記液晶層側
の面に形成されて、少なくとも観察側から入射する光を
反射する反射膜と、前記液晶層側の面に形成されて、反
射膜に対して開口する開口領域を有する遮光膜と、前記
液晶層側の面にあって、前記遮光膜を覆うように形成さ
れる着色層と、前記着色層上に形成された透明電極とを
具備することを特徴としている。
この第２の発明によれば、観察側に位置する基板と貼
り合わせられることによって、液晶層が、同種の透明電
極によって挟持できるので、液晶装置の表示品位や長期
信頼性が低下することがない。また、反射膜上には、遮
光膜および着色層が形成されるので、反射膜反射膜への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層が遮光
膜を覆うように形成されているので、遮光膜での表面反
射が抑えられるだけでなく、遮光膜に要求される光学濃
度も小さくて済む。
り合わせられることによって、液晶層が、同種の透明電
極によって挟持できるので、液晶装置の表示品位や長期
信頼性が低下することがない。また、反射膜上には、遮
光膜および着色層が形成されるので、反射膜反射膜への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層が遮光
膜を覆うように形成されているので、遮光膜での表面反
射が抑えられるだけでなく、遮光膜に要求される光学濃
度も小さくて済む。
ここで、第２の発明において、前記遮光膜の開口領域
内にあって、前記反射膜に光を透過する第１の開口部を
備える構成が望ましい。この構成では、反射膜が電極と
して機能しないので、すなわち、反射膜の第１の開口部
であっても透明電極によって液晶層が駆動されるので、
当該開口部を透過する光による透過型表示が可能とな
り、さらに、透過型表示において光は、遮光膜の開口領
域ではなく、反射膜に設けられる第１の開口部によって
規定されるので、遮光膜に要求される光学濃度を、反射
型表示のみを考慮して設定すれば良いことになる。
内にあって、前記反射膜に光を透過する第１の開口部を
備える構成が望ましい。この構成では、反射膜が電極と
して機能しないので、すなわち、反射膜の第１の開口部
であっても透明電極によって液晶層が駆動されるので、
当該開口部を透過する光による透過型表示が可能とな
り、さらに、透過型表示において光は、遮光膜の開口領
域ではなく、反射膜に設けられる第１の開口部によって
規定されるので、遮光膜に要求される光学濃度を、反射
型表示のみを考慮して設定すれば良いことになる。
また、第２の発明において、前記反射膜と前記液晶層
側の面との間に第１の膜を、さらに備える構成が好まし
い。この構成によれば、反射膜に用いられる金属と第２
の基板表面との密着性が劣るような組み合わせであって
も、第１の膜により、反射膜の密着性を向上させること
が可能となる。
側の面との間に第１の膜を、さらに備える構成が好まし
い。この構成によれば、反射膜に用いられる金属と第２
の基板表面との密着性が劣るような組み合わせであって
も、第１の膜により、反射膜の密着性を向上させること
が可能となる。
さて、第２の発明において、前記遮光膜は、黒色の樹
脂材料からなり、その光学濃度が、０．５以上１．７以
下である構成が好ましい。この構成によれば、遮光膜に
黒色樹脂材料を用いても、基板の平坦性が悪化すること
がないし、開口率が低下することもない。
脂材料からなり、その光学濃度が、０．５以上１．７以
下である構成が好ましい。この構成によれば、遮光膜に
黒色樹脂材料を用いても、基板の平坦性が悪化すること
がないし、開口率が低下することもない。
一方、第２の発明において、前記遮光膜は、前記着色
層が２色以上積層されてなり、その光学濃度が、０．５
以上１．７以下である構成も好ましい。この構成では、
遮光膜として別個の層を設ける必要がなくなるので、低
コスト化を図ることが可能となる。
層が２色以上積層されてなり、その光学濃度が、０．５
以上１．７以下である構成も好ましい。この構成では、
遮光膜として別個の層を設ける必要がなくなるので、低
コスト化を図ることが可能となる。
また、第２の発明において、前記反射膜の表面を少な
くとも覆う第２の膜を、さらに備える構成が好ましい。
この構成によれば、反射膜として用いられる金属が、着
色層を形成する際において薬液やガスなどに直接さらさ
れないので、ダメージを受けないようにすることができ
る。
くとも覆う第２の膜を、さらに備える構成が好ましい。
この構成によれば、反射膜として用いられる金属が、着
色層を形成する際において薬液やガスなどに直接さらさ
れないので、ダメージを受けないようにすることができ
る。
さて、第２の発明において、前記透明電極は、密着性
を高める第３の膜上に形成されている構成が好ましい。
この構成によれば、透明電極が、ガラスや樹脂材料など
のように、それとは異なる特性を有する表面に対し、密
着性を確保した上で形成することが可能となる。
を高める第３の膜上に形成されている構成が好ましい。
この構成によれば、透明電極が、ガラスや樹脂材料など
のように、それとは異なる特性を有する表面に対し、密
着性を確保した上で形成することが可能となる。
ところで、第２の発明にあって、反射膜に第１の開口
部を備える構成においては、前記着色層を覆うように形
成された第４の膜と、前記遮光膜の開口領域にあって、
前記着色層を開口する第２の開口部とをさらに備える構
成が好ましい。これにより反射型表示と透過型表示とに
おける色再現性をそれぞれ最適化することが可能とな
る。
部を備える構成においては、前記着色層を覆うように形
成された第４の膜と、前記遮光膜の開口領域にあって、
前記着色層を開口する第２の開口部とをさらに備える構
成が好ましい。これにより反射型表示と透過型表示とに
おける色再現性をそれぞれ最適化することが可能とな
る。
あるいは、第２の発明において、単に、前記着色層を
覆うように形成された第４の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この第４の膜によって、遮光膜の開口領域の
有無や、着色層などに起因する段差、さらには、反射膜
に第１の開口部がある場合にも、それによる段差等が平
坦化されるので。表示品位の低下を防止することができ
る。
覆うように形成された第４の膜を、さらに備える構成が
好ましい。この第４の膜によって、遮光膜の開口領域の
有無や、着色層などに起因する段差、さらには、反射膜
に第１の開口部がある場合にも、それによる段差等が平
坦化されるので。表示品位の低下を防止することができ
る。
ここで、前記第４の膜は、光散乱性を有する構成が望
ましい。この構成によれば、第４の膜自体が散乱層のな
るため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程
数を減らして低コストを図ることが可能となる。
ましい。この構成によれば、第４の膜自体が散乱層のな
るため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程
数を減らして低コストを図ることが可能となる。
このような第４の膜としては、樹脂材料中に、該樹脂
材料とは屈折率が異なり、かつ、前記第４の膜厚よりも
直径が小さい粒子を含む構成が考えられる。これによ
り、平坦性と散乱性を両立した反射膜を得ることができ
る。
材料とは屈折率が異なり、かつ、前記第４の膜厚よりも
直径が小さい粒子を含む構成が考えられる。これによ
り、平坦性と散乱性を両立した反射膜を得ることができ
る。
また、第２の発明において、前記反射膜は、前記液晶
層側の粗面に形成されている構成も好ましい。この構成
によっても、この基板自体で散乱特性を持つことになる
ため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程数
を減らして低コストを図ることが可能となる。さらに、
第４の膜によって、粗面が平坦化されるので、粗面に起
因する段差によって表示品位の低下を防止することがで
きる。
層側の粗面に形成されている構成も好ましい。この構成
によっても、この基板自体で散乱特性を持つことになる
ため、別途散乱層を設ける必要がなくなる結果、工程数
を減らして低コストを図ることが可能となる。さらに、
第４の膜によって、粗面が平坦化されるので、粗面に起
因する段差によって表示品位の低下を防止することがで
きる。
ここで、前記粗面は、前記液晶層側の面に形成された
樹脂材料の表面である構成や、前記液晶層側の面を粗面
化処理した構成などが考えられる。
樹脂材料の表面である構成や、前記液晶層側の面を粗面
化処理した構成などが考えられる。
＜図面の簡単な説明＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る反射型の液晶
装置の構成を示す略断面図である。
装置の構成を示す略断面図である。
図２は、同実施形態において背面側に位置する基板の
一例を示す略断面図である。
一例を示す略断面図である。
図３は、同基板の別の一例を示す略断面図である。
図４は、同基板の別の一例を示す略断面図である。
図５は、同基板の別の一例を示す略断面図である。
図６は、同基板の別の一例を示す略断面図である。
図７Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基板
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す平面図であ
る。
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す平面図であ
る。
図７Ｂは、図７Ａにおける線Ａ−Ａ’線についての概
略断面図であって、着色層まで形成した構成を示す図で
ある。
略断面図であって、着色層まで形成した構成を示す図で
ある。
図７Ｃは、図７Ａにおける線Ａ−Ａ’線についての概
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
図８Ａは、同実施形態において背面側に位置する基板
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す部分平面図
である。
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す部分平面図
である。
図８Ｂは、図８Ａにおける線Ｅ−Ｅ’線についての概
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
図８Ｃは、図８Ａにおける線Ｆ−Ｆ’線についての概
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
図９Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基板
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す部分平面図
である。
における遮光膜の開口領域の位置関係を示す部分平面図
である。
図９Ｂは、図９Ａにおける線Ｌ−Ｌ’線についての概
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
図９Ｃは、図９Ａにおける線Ｍ−Ｍ’線についての概
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図であ
る。
図１０Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基
板の別例の構成を示す部部分平面図である。
板の別例の構成を示す部部分平面図である。
図１０Ｂは、図１０Ａにおける線Ｗ−Ｗ’線について
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
図１０Ｃは、図１０Ａにおける線Ｘ−Ｘ’線について
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
図１１Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基
板の別例の構成を示す部分平面図である。
板の別例の構成を示す部分平面図である。
図１１Ｂは、図１１Ａにおける線ＣＣ−ＣＣ’線につ
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
図１１Ｃは、図１１Ａにおける線ＤＤ−ＤＤ’線につ
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
図１２Ａは、同実施形態において背面側に位置する基
板の別例の構成を示す部分平面図である。
板の別例の構成を示す部分平面図である。
図１２Ｂは、図１２Ａにおける線ＥＥ−ＥＥ’線につ
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
図１２Ｃは、図１２Ａにおける線ＦＦ−ＦＦ’線につ
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
いての概略断面図であって、電極まで形成した構成を示
す図である。
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る反射型の液
晶装置の構成を示す略断面図である。
晶装置の構成を示す略断面図である。
図１４Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基
板における開口部の位置関係を示す部分平面図である。
板における開口部の位置関係を示す部分平面図である。
図１４Ｂは、図１４Ａにおける線Ｙ−Ｙ’線について
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
図１４Ｃは、図１４Ａにおける線Ｚ−Ｚ’線について
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
の概略断面図であって、電極まで形成した構成を示す図
である。
図１５Ａは、同実施形態において背面側に位置する基
板として適用可能な構成を示す部分平面図である。
板として適用可能な構成を示す部分平面図である。
図１５Ｂは、図１５Ａにおける線ＡＡ−ＡＡ’線につ
いての概略断面図である。
いての概略断面図である。
図１５Ｃは、図１５Ａにおける線ＢＢ−ＢＢ’線につ
いての概略断面図である。
いての概略断面図である。
図１６Ａは、透過型表示における各色着色層の特性を
示す図である。
示す図である。
図１６Ｂは、反射型表示における各色着色層の特性を
示す図である。
示す図である。
図１７Ａは、同実施形態にあって背面側に位置する基
板の一例における開口部の位置関係を示す部分平面図で
ある。
板の一例における開口部の位置関係を示す部分平面図で
ある。
図１７Ｂは、図１７Ａにおける線Ｎ−Ｎ’線について
の概略断面図である。
の概略断面図である。
図１７Ｃは、図１７Ａにおける線Ｏ−Ｏ’線について
の概略断面図である。
の概略断面図である。
図１８Ａは、実施形態に係る液晶装置を適用した携帯
情報機器の構成を示す斜視図である。
情報機器の構成を示す斜視図である。
図１８Ｂは、実施形態に係る液晶装置を適用した携帯
電話の構成を示す斜視図である。
電話の構成を示す斜視図である。
図１８Ｃは、実施形態に係る液晶装置を適用したウォ
ッチの構成を示す斜視図である。
ッチの構成を示す斜視図である。
図１９Ａは、一般的なパッシブマトリクス方式の液晶
装置の構成を示す概略平面図である。
装置の構成を示す概略平面図である。
図１９Ｂは、同液晶装置における基板に隣接する液晶
分子の配向方向と、液晶層のバルクにおける液晶分子の
配向方向とを示す平面図である。
分子の配向方向と、液晶層のバルクにおける液晶分子の
配向方向とを示す平面図である。
図１９Ｃは、電圧無印加時における図１９Ａの線ＧＧ
−ＧＧ’についての概略断面図である。
−ＧＧ’についての概略断面図である。
図１９Ｄは、電圧印加時における図１９Ａの線ＧＧ−
ＧＧ’についての概略断面図である。
ＧＧ’についての概略断面図である。
＜発明を実施するための最良の形態＞
以下、本発明を実施するための形態について図面を参
照して説明する。
照して説明する。
＜第１の実施形態＞
はじめに、本発明の第１の実施形態に係る反射型の液
晶装置について説明する。なお、便宜上、第１に、この
液晶装置の概略構成について図１を参照して説明し、第
２に、この液晶装置における一対の基板のうち、背面側
（観察側とは反対側）に位置する基板に適用可能な態様
について図２〜図６を参照して説明し、第３に、各態様
における遮光膜の位置関係について図７〜図９を参照し
て説明し、第４に、応用例・変形例について説明するこ
ととする。
晶装置について説明する。なお、便宜上、第１に、この
液晶装置の概略構成について図１を参照して説明し、第
２に、この液晶装置における一対の基板のうち、背面側
（観察側とは反対側）に位置する基板に適用可能な態様
について図２〜図６を参照して説明し、第３に、各態様
における遮光膜の位置関係について図７〜図９を参照し
て説明し、第４に、応用例・変形例について説明するこ
ととする。
まず、この液晶装置の概略構成について説明する。図
１は、その概略断面図である。この図に示されるよう
に、この液晶装置では、それぞれ透明性および絶縁性を
有する上側の基板（第１の基板）および下側の基板（第
２の基板）１０１の間に、所定のツイスト角を有するネ
マチック液晶である液晶層５８が枠状のシール材５９に
よって封止されて、これにより液晶セルが形成されてい
る。ここで、上側の基板１０１の内面上には、ＩＴＯな
どの透明性を有する導電層からなるストライプ状の電極
（第１の透明電極）１１０が、紙面垂直方向に複数形成
され、さらに、それらの表面には、配向膜１１２が形成
されて、所定方向にラビング処理されている。一方、基
板１０１の外面上には、基板１０１の側から順に、前方
散乱板１２１、位相差板１２３および偏光板１２５が配
置されている。
１は、その概略断面図である。この図に示されるよう
に、この液晶装置では、それぞれ透明性および絶縁性を
有する上側の基板（第１の基板）および下側の基板（第
２の基板）１０１の間に、所定のツイスト角を有するネ
マチック液晶である液晶層５８が枠状のシール材５９に
よって封止されて、これにより液晶セルが形成されてい
る。ここで、上側の基板１０１の内面上には、ＩＴＯな
どの透明性を有する導電層からなるストライプ状の電極
（第１の透明電極）１１０が、紙面垂直方向に複数形成
され、さらに、それらの表面には、配向膜１１２が形成
されて、所定方向にラビング処理されている。一方、基
板１０１の外面上には、基板１０１の側から順に、前方
散乱板１２１、位相差板１２３および偏光板１２５が配
置されている。
また、下側の基板１の内面上には、反射膜２、保護膜
３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５
および電極７が順次形成されている。これらの詳細につ
いては詳述するが、電極（第２の透明電極）７は、上側
の基板１０１に形成される電極１１０と同一材料、すな
わちＩＴＯなどの透明性を有する導電層からなり、電極
１１０と交差するように紙面左右方向に、ストライプ状
に複数形成されたものである。したがって、この液晶装
置では、電極７、１１０が互いに交差する領域が設計上
の画素となる。領域９は、この設計上の画素が配列する
領域、すなわち表示領域を示している。
３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５
および電極７が順次形成されている。これらの詳細につ
いては詳述するが、電極（第２の透明電極）７は、上側
の基板１０１に形成される電極１１０と同一材料、すな
わちＩＴＯなどの透明性を有する導電層からなり、電極
１１０と交差するように紙面左右方向に、ストライプ状
に複数形成されたものである。したがって、この液晶装
置では、電極７、１１０が互いに交差する領域が設計上
の画素となる。領域９は、この設計上の画素が配列する
領域、すなわち表示領域を示している。
一方、反射膜２は、例えばアルミニウムや銀などの反
射性を有する金属層からなり、上側の基板１０１から入
射した光を反射するものである。次に、保護膜（第２の
膜）３は、後述するように反射膜２の性質に応じて形成
されるものである。また、遮光膜１３は、黒色材料樹脂
やクロムなどの遮光性材料からなり、電極７、１０１の
交差領域に対応して開口するものである。さらに、着色
層４は、遮光膜１３の開口領域において、例えばＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色が所定パターンで配
列されたものである。続いて、保護膜（第４の膜）６
は、着色層４や遮光膜１３などによる段差を平坦化する
機能と、着色層４とともに反射膜２を保護する機能とを
兼用するものである。次に、密着性向上層（第３の膜）
５は、保護膜６の表面を含む全面に形成されて、電極７
の密着性を高めるために設けられるものであり、ＳｉＯ
2のような無機酸化膜からなる。そして、密着向上層５
や電極７の表面には、配向膜１１が形成されて、所定方
向にラビング処理が施されている。
射性を有する金属層からなり、上側の基板１０１から入
射した光を反射するものである。次に、保護膜（第２の
膜）３は、後述するように反射膜２の性質に応じて形成
されるものである。また、遮光膜１３は、黒色材料樹脂
やクロムなどの遮光性材料からなり、電極７、１０１の
交差領域に対応して開口するものである。さらに、着色
層４は、遮光膜１３の開口領域において、例えばＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色が所定パターンで配
列されたものである。続いて、保護膜（第４の膜）６
は、着色層４や遮光膜１３などによる段差を平坦化する
機能と、着色層４とともに反射膜２を保護する機能とを
兼用するものである。次に、密着性向上層（第３の膜）
５は、保護膜６の表面を含む全面に形成されて、電極７
の密着性を高めるために設けられるものであり、ＳｉＯ
2のような無機酸化膜からなる。そして、密着向上層５
や電極７の表面には、配向膜１１が形成されて、所定方
向にラビング処理が施されている。
このような構成において、外光は、偏光板１２５、位
相差板１２３、前方散乱板１２１、基板１０１、電極１
１０、液晶層５８、電極７、着色層４という経路を介し
て反射膜２に至り、ここで反射して、今きた経路を逆に
辿って、偏光板１２５から観察側に出射する。このと
き、偏光板１２５から出射する光量は、電極７、１１０
によって液晶層５８に印加される電圧に応じて、明状
態、暗状態およびその中間の明るさの状態とされる。し
たがって、液晶層５８への印加電圧を制御することで、
所望の表示が可能となる。
相差板１２３、前方散乱板１２１、基板１０１、電極１
１０、液晶層５８、電極７、着色層４という経路を介し
て反射膜２に至り、ここで反射して、今きた経路を逆に
辿って、偏光板１２５から観察側に出射する。このと
き、偏光板１２５から出射する光量は、電極７、１１０
によって液晶層５８に印加される電圧に応じて、明状
態、暗状態およびその中間の明るさの状態とされる。し
たがって、液晶層５８への印加電圧を制御することで、
所望の表示が可能となる。
したがって、この液晶装置によれば、液晶層５８は、
同じＩＴＯからなる電極７、１１０によって挟持される
ので、表示品位や長期信頼性が低下することがない。ま
た、反射膜２上には、遮光膜１３および着色層４が形成
されるので、反射膜２を露出させないようにすることが
できる。このため、液晶装置の製造工程において、反射
膜２が、薬液や、ガス、液晶層等にさらされないので、
反射膜２のダメージを抑えることができる、さらに、着
色層４が遮光膜１３を覆うように形成されているので、
遮光膜１３での表面反射が抑えられるだけでなく、遮光
膜１３に要求される光学濃度も小さくて済む。特に反射
型表示において光は遮光膜を２回通過することになるの
で、遮光膜１３の実質的な光学濃度は小さくて済む。
同じＩＴＯからなる電極７、１１０によって挟持される
ので、表示品位や長期信頼性が低下することがない。ま
た、反射膜２上には、遮光膜１３および着色層４が形成
されるので、反射膜２を露出させないようにすることが
できる。このため、液晶装置の製造工程において、反射
膜２が、薬液や、ガス、液晶層等にさらされないので、
反射膜２のダメージを抑えることができる、さらに、着
色層４が遮光膜１３を覆うように形成されているので、
遮光膜１３での表面反射が抑えられるだけでなく、遮光
膜１３に要求される光学濃度も小さくて済む。特に反射
型表示において光は遮光膜を２回通過することになるの
で、遮光膜１３の実質的な光学濃度は小さくて済む。
なお、この液晶装置は、パッシブマトリクス方式であ
るが、本発明は、これに限定されず、ＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）素子で代表される三端子型スイッチング
素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子で代表される
二端子型スイッチング素子などを用いたアクティブマト
リクス方式の液晶装置にも適用可能である。ここで、ア
クティブマトリクス型の液晶装置である場合には、電極
１１０は、例えば矩形状の画素電極として形成され、ス
イッチング素子を介して配線に接続されることになる。
このうち、ＴＦＤ素子を備える液晶装置では、画素電極
と対向するように、電極７をストライプ状にパターニン
グする必要があるが、ＴＦＴ素子を備える液晶装置で
は、電極７をパターニングする必要がない。
るが、本発明は、これに限定されず、ＴＦＴ（Thin Fil
m Transistor）素子で代表される三端子型スイッチング
素子や、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子で代表される
二端子型スイッチング素子などを用いたアクティブマト
リクス方式の液晶装置にも適用可能である。ここで、ア
クティブマトリクス型の液晶装置である場合には、電極
１１０は、例えば矩形状の画素電極として形成され、ス
イッチング素子を介して配線に接続されることになる。
このうち、ＴＦＤ素子を備える液晶装置では、画素電極
と対向するように、電極７をストライプ状にパターニン
グする必要があるが、ＴＦＴ素子を備える液晶装置で
は、電極７をパターニングする必要がない。
ところで、本実施形態において、下側の基板１の内面
構造は、図１に示されるものに限られず、種々の態様が
適用可能である。そこで、これらの態様の詳細につい
て、配向膜１１を省略した形で説明することとする。
構造は、図１に示されるものに限られず、種々の態様が
適用可能である。そこで、これらの態様の詳細につい
て、配向膜１１を省略した形で説明することとする。
図２は、この一態様の構成を示す概略断面図である。
まず、絶縁性および透明性を有するガラスなどの基板１
の内面側、すなわち、上側の基板１０１と対向する面側
には、アルミニウムを主成分とする反射膜２が形成され
ている。この反射膜２は、液晶装置の表示領域９を含む
ように、フォトリソグラフィー法などによりパターニン
グされたものである。
まず、絶縁性および透明性を有するガラスなどの基板１
の内面側、すなわち、上側の基板１０１と対向する面側
には、アルミニウムを主成分とする反射膜２が形成され
ている。この反射膜２は、液晶装置の表示領域９を含む
ように、フォトリソグラフィー法などによりパターニン
グされたものである。
次に、パターニングされた反射膜２には、黒色樹脂材
料からなる遮光膜１３が厚さ０．６μm程度で形成さ
れ、さらに、樹脂材料からなる着色層４が、着色感材法
によって、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色
が所定パターンで配列されるとともに、遮光膜１３を含
む反射膜２の全面を覆うように形成されている。これに
より、着色層４は、実質的に反射膜２の保護膜としても
機能することになる。
料からなる遮光膜１３が厚さ０．６μm程度で形成さ
れ、さらに、樹脂材料からなる着色層４が、着色感材法
によって、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色
が所定パターンで配列されるとともに、遮光膜１３を含
む反射膜２の全面を覆うように形成されている。これに
より、着色層４は、実質的に反射膜２の保護膜としても
機能することになる。
この際、遮光膜４のみの光学濃度（Optical Densit
y）は、１．４である。なお、光学濃度とは、被測定物で
ある遮光膜１３の透過率の逆数を対数で示した値であ
る。すなわち、光学濃度Ｄは、遮光膜１３に入射する光
の強度をＩoとし、遮光膜１３を透過する光の強度をＩ
とした場合に、次式によって示される。
y）は、１．４である。なお、光学濃度とは、被測定物で
ある遮光膜１３の透過率の逆数を対数で示した値であ
る。すなわち、光学濃度Ｄは、遮光膜１３に入射する光
の強度をＩoとし、遮光膜１３を透過する光の強度をＩ
とした場合に、次式によって示される。
Ｄ＝log10（Ｉo／Ｉ）
続いて、密着性向上層５と、透明金属であるＩＴＯ膜
とが連続形成され、このうち、ＩＴＯ膜は、適用する液
晶装置に合わせてパターニングされて、電極７となって
いる。このうち、密着性向上層５は、ＩＴＯからなる電
極７と樹脂材料からなる着色層４との密着性を確保する
ために設けられた厚さ２０〜８０ｎｍ程度のＳｉＯ2等
の無機酸化膜である。このため、ＩＴＯが充分な密着性
を有する場合には、この密着性向上層５を省略すること
が可能である。
とが連続形成され、このうち、ＩＴＯ膜は、適用する液
晶装置に合わせてパターニングされて、電極７となって
いる。このうち、密着性向上層５は、ＩＴＯからなる電
極７と樹脂材料からなる着色層４との密着性を確保する
ために設けられた厚さ２０〜８０ｎｍ程度のＳｉＯ2等
の無機酸化膜である。このため、ＩＴＯが充分な密着性
を有する場合には、この密着性向上層５を省略すること
が可能である。
このような構成では、遮光膜１３として、黒色樹脂材
料が用いられているので、これを、液晶装置を構成する
一対の基板のうち、背面側に位置する基板として用いる
と、その表面反射率が小さくなって、明るい場所におい
てコントラスト比が低下することを防ぐことができる。
ここで、遮光膜１３のみの光学濃度は１．４であるが、
遮光膜１３を覆うように着色層４が設けられて、反射型
表示において光は遮光膜１３を２度通過するので、遮光
膜１３の実質的な光学濃度は、反射型表示において充分
な２．８以上となる。
料が用いられているので、これを、液晶装置を構成する
一対の基板のうち、背面側に位置する基板として用いる
と、その表面反射率が小さくなって、明るい場所におい
てコントラスト比が低下することを防ぐことができる。
ここで、遮光膜１３のみの光学濃度は１．４であるが、
遮光膜１３を覆うように着色層４が設けられて、反射型
表示において光は遮光膜１３を２度通過するので、遮光
膜１３の実質的な光学濃度は、反射型表示において充分
な２．８以上となる。
さて、反射膜２としてアルミニウムを主成分とする金
属を用いる場合には、図３に示されるように、反射膜２
の表面を保護膜３で覆う構成としても良い。ここで、保
護膜３は、パターニングされた反射膜２を陽極酸化する
ことで形成されたものである。この陽極酸化における化
成溶液は、サリチル酸アンモニウム１〜１０重量％とエ
チレングリコール２０〜８０重量％とを含有する混合溶
液が用いられ、また、化成電圧は５〜２５０Ｖ、電流密
度は０．００１〜１ｍＡ／ｃｍ2の条件の範囲内で、所
望の膜厚が得られるように設定すれば良い。なお、化成
溶液としては、上記混合溶液に限定されるものではな
く、また、化成電圧や電流密度の各条件についても、用
いる化成液に合わせて適宜設定すればよい。
属を用いる場合には、図３に示されるように、反射膜２
の表面を保護膜３で覆う構成としても良い。ここで、保
護膜３は、パターニングされた反射膜２を陽極酸化する
ことで形成されたものである。この陽極酸化における化
成溶液は、サリチル酸アンモニウム１〜１０重量％とエ
チレングリコール２０〜８０重量％とを含有する混合溶
液が用いられ、また、化成電圧は５〜２５０Ｖ、電流密
度は０．００１〜１ｍＡ／ｃｍ2の条件の範囲内で、所
望の膜厚が得られるように設定すれば良い。なお、化成
溶液としては、上記混合溶液に限定されるものではな
く、また、化成電圧や電流密度の各条件についても、用
いる化成液に合わせて適宜設定すればよい。
一方、反射膜２としてはアルミニウムのほか、クロム
や、ニッケル、銀などの単体金属やこれらのいずれかを
主成分とする合金を用いることが可能である。これらの
うち、特に、銀単体やこれを主成分とする合金を反射膜
２として用いると、反射率を高くすることができるが、
陽極酸化が困難になるので、保護膜３の形成には、例え
ば化学気相成長法や、スピンコート法、ロールコート法
等が用いられることになる。なお、保護膜３としては、
化学気相成長法によって成膜する場合には、ＳｉＯ
2や、Ｓｉ3Ｎ4を用いることができ、また、スピンコー
トやロールコート等により形成する場合には、有機絶縁
膜が用いられることになる。
や、ニッケル、銀などの単体金属やこれらのいずれかを
主成分とする合金を用いることが可能である。これらの
うち、特に、銀単体やこれを主成分とする合金を反射膜
２として用いると、反射率を高くすることができるが、
陽極酸化が困難になるので、保護膜３の形成には、例え
ば化学気相成長法や、スピンコート法、ロールコート法
等が用いられることになる。なお、保護膜３としては、
化学気相成長法によって成膜する場合には、ＳｉＯ
2や、Ｓｉ3Ｎ4を用いることができ、また、スピンコー
トやロールコート等により形成する場合には、有機絶縁
膜が用いられることになる。
このように、保護膜３が、陽極酸化でない方法で形成
される場合には、図４に示されるように、反射膜２の露
出面だけではなく、基板１の内面全面に設けられること
になる。なお、反射膜２としてアルミニウムを主成分と
する金属を用いる場合でも、保護膜３としては、化学気
相成長法により成膜されたＳｉＯ2や、Ｓｉ3Ｎ4のほ
か、スピンコート法やロールコート法等により形成され
た有機絶縁膜を用いて、図３に示されるような構成とし
ても良いのはもちろんである。
される場合には、図４に示されるように、反射膜２の露
出面だけではなく、基板１の内面全面に設けられること
になる。なお、反射膜２としてアルミニウムを主成分と
する金属を用いる場合でも、保護膜３としては、化学気
相成長法により成膜されたＳｉＯ2や、Ｓｉ3Ｎ4のほ
か、スピンコート法やロールコート法等により形成され
た有機絶縁膜を用いて、図３に示されるような構成とし
ても良いのはもちろんである。
また、液晶装置として、ＳＴＮモードや、ＩＰＳ（In
Plain Switching）モードが用いられる場合、電極７の
形成面には平坦性が要求されるので、このような場合に
は、図４における着色層４と密着性向上層５との間に、
図５に示されるように保護膜６を別途設けた構成とする
のが好ましい。この構成について詳述すると、パターニ
ングされた反射膜２に、化学気相成長法によって、厚さ
６０ｎｍのＳｉＯ2からなる保護膜３が形成されてお
り、次いで、黒色樹脂材料からなる遮光膜１３が形成さ
れている。ここで、遮光膜１３の厚さは、０．４μｍ程
度であり、図２乃至図４と比較して薄くなっている。続
いて、遮光膜１３を含む反射膜２の全面を覆うように形
成された着色層４には、さらに、感光性アクリル樹脂な
どからなる保護膜６が、着色層４の全体を覆い隠すよう
に特定の領域に形成されている。
Plain Switching）モードが用いられる場合、電極７の
形成面には平坦性が要求されるので、このような場合に
は、図４における着色層４と密着性向上層５との間に、
図５に示されるように保護膜６を別途設けた構成とする
のが好ましい。この構成について詳述すると、パターニ
ングされた反射膜２に、化学気相成長法によって、厚さ
６０ｎｍのＳｉＯ2からなる保護膜３が形成されてお
り、次いで、黒色樹脂材料からなる遮光膜１３が形成さ
れている。ここで、遮光膜１３の厚さは、０．４μｍ程
度であり、図２乃至図４と比較して薄くなっている。続
いて、遮光膜１３を含む反射膜２の全面を覆うように形
成された着色層４には、さらに、感光性アクリル樹脂な
どからなる保護膜６が、着色層４の全体を覆い隠すよう
に特定の領域に形成されている。
このような構成では、遮光膜１３が０．４μｍ程度で
薄いので、遮光膜１３のみの光学濃度も、０．９と小さ
くなっているが、遮光膜１３を覆うように着色層４およ
び保護膜６が設けられ、さらに光は遮光膜１３を２度通
過するので、遮光膜１３の実質的な光学濃度は、反射型
表示において充分な１．８以上となる。さらに、遮光膜
１３を薄くすることにより、電極７の形成面における平
坦性を、表示領域９にあって０．１μｍ以内に抑えるこ
とができる。
薄いので、遮光膜１３のみの光学濃度も、０．９と小さ
くなっているが、遮光膜１３を覆うように着色層４およ
び保護膜６が設けられ、さらに光は遮光膜１３を２度通
過するので、遮光膜１３の実質的な光学濃度は、反射型
表示において充分な１．８以上となる。さらに、遮光膜
１３を薄くすることにより、電極７の形成面における平
坦性を、表示領域９にあって０．１μｍ以内に抑えるこ
とができる。
ところで、上述した態様では、反射膜２が基板１の上
面に直接形成されていたが、反射膜２の密着性が問題と
なるような場合には、図５に示されるように、反射膜２
と基板１の上面との間に、反射膜２の密着性を向上させ
る密着性向上層（第１の膜）８を別途設ける構成として
も良い。ここで、密着性向上層８としは、金属や、酸化
物、窒化物を用いることができる。このうち、金属とし
ては、Ｔａや、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの５ｂ〜６ｂ族に含
まれる遷移金属が挙げられる。また、酸化物の一例とし
ては、Ｔａ2Ｏ5などの上記遷移金属の酸化物やＳｉＯ2
等の酸化シリコンなどが挙げられ、別例としては、Ｔｉ
Ｏ2や、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせた
もの、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。さらに、窒化物とし
ては、Ｓｉ3Ｎ4に代表される窒化シリコンが挙げられ
る。この密着性向上層８は、反射膜２の密着性を向上さ
せるためのものであるので、その膜厚は、１００ｎｍ前
後、場合によっては３０〜６０ｎｍ程度で十分である。
さらに、導電性を有さないＳｉＯ2膜やＴａ2Ｏ5膜など
を用いた場合には、該密着性向上層８が基板１の上面全
面に残存していても構わないので、該密着性向上層８を
パターニングしないで済む。例えば、反射膜２として銀
や銀を主成分とする銀合金が用いられとともに、基板１
としてガラスが用いられる場合においては、密着性向上
層８としては、Ｍｏや、Ｔａ2Ｏ5 ＳｉＯ2膜などを用い
るのが望ましい。また、基板１にプラスチックフィルム
などの可撓性を有する材料を用いる場合においては、密
着性向上層８として、ＳｉＯ2膜や、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせたものなどを用
いるのが望ましい。なお、このような密着性向上層８
は、図５に示される基板のみならず、図２、図３または
図４に示される基板に設けても良いのはもちろんであ
る。
面に直接形成されていたが、反射膜２の密着性が問題と
なるような場合には、図５に示されるように、反射膜２
と基板１の上面との間に、反射膜２の密着性を向上させ
る密着性向上層（第１の膜）８を別途設ける構成として
も良い。ここで、密着性向上層８としは、金属や、酸化
物、窒化物を用いることができる。このうち、金属とし
ては、Ｔａや、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどの５ｂ〜６ｂ族に含
まれる遷移金属が挙げられる。また、酸化物の一例とし
ては、Ｔａ2Ｏ5などの上記遷移金属の酸化物やＳｉＯ2
等の酸化シリコンなどが挙げられ、別例としては、Ｔｉ
Ｏ2や、ＺｒＯ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせた
もの、Ａｌ2Ｏ3などが挙げられる。さらに、窒化物とし
ては、Ｓｉ3Ｎ4に代表される窒化シリコンが挙げられ
る。この密着性向上層８は、反射膜２の密着性を向上さ
せるためのものであるので、その膜厚は、１００ｎｍ前
後、場合によっては３０〜６０ｎｍ程度で十分である。
さらに、導電性を有さないＳｉＯ2膜やＴａ2Ｏ5膜など
を用いた場合には、該密着性向上層８が基板１の上面全
面に残存していても構わないので、該密着性向上層８を
パターニングしないで済む。例えば、反射膜２として銀
や銀を主成分とする銀合金が用いられとともに、基板１
としてガラスが用いられる場合においては、密着性向上
層８としては、Ｍｏや、Ｔａ2Ｏ5 ＳｉＯ2膜などを用い
るのが望ましい。また、基板１にプラスチックフィルム
などの可撓性を有する材料を用いる場合においては、密
着性向上層８として、ＳｉＯ2膜や、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、これらとＳｉＯ2を適宜組み合わせたものなどを用
いるのが望ましい。なお、このような密着性向上層８
は、図５に示される基板のみならず、図２、図３または
図４に示される基板に設けても良いのはもちろんであ
る。
さて、反射型表示では、光が、適度に散乱して、上側
の基板１０１側の偏光板１２５から出射する構成が好ま
しい。このため、図１に示される構成では、上側の基板
１０１の外面に、前方散乱板１２１が設けられていた
が、この散乱機能については、後述する応用例のように
反射膜２を基板１の粗面に形成するほか、保護膜６を図
６に示されるように構成して、下側の基板１で負担させ
ることも可能である。
の基板１０１側の偏光板１２５から出射する構成が好ま
しい。このため、図１に示される構成では、上側の基板
１０１の外面に、前方散乱板１２１が設けられていた
が、この散乱機能については、後述する応用例のように
反射膜２を基板１の粗面に形成するほか、保護膜６を図
６に示されるように構成して、下側の基板１で負担させ
ることも可能である。
すなわち、この図に示される保護膜６は、感光性アク
リル樹脂などの樹脂材料６ａ中に、これとは屈折率が異
なる材料の粒子６ｂが分散したものである。これらの樹
脂材料６ａと粒子６ｂとについては、両者の屈折率差が
０．０５〜０．１２の範囲内となるように材料を組み合
わせるのが望ましい。例えば、樹脂材料６ａとしてのＰ
ＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）樹脂中に、粒子６
ｂとしてのＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）粒子を分
散させる組み合わせを採用すると、０．８程度の屈折率
差が得られる。もちろん組み合わせはこれに限定される
こと無く、所望の屈折率差と散乱度が得られるように適
宜材料を組み合わせて使用することが可能である。この
ような保護膜６は、Ｍｉｅ散乱により、光の散乱機能を
有することになるので、図１における前方散乱板１２１
を省略することができる。
リル樹脂などの樹脂材料６ａ中に、これとは屈折率が異
なる材料の粒子６ｂが分散したものである。これらの樹
脂材料６ａと粒子６ｂとについては、両者の屈折率差が
０．０５〜０．１２の範囲内となるように材料を組み合
わせるのが望ましい。例えば、樹脂材料６ａとしてのＰ
ＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）樹脂中に、粒子６
ｂとしてのＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）粒子を分
散させる組み合わせを採用すると、０．８程度の屈折率
差が得られる。もちろん組み合わせはこれに限定される
こと無く、所望の屈折率差と散乱度が得られるように適
宜材料を組み合わせて使用することが可能である。この
ような保護膜６は、Ｍｉｅ散乱により、光の散乱機能を
有することになるので、図１における前方散乱板１２１
を省略することができる。
なお、図５または図６における保護膜６としては、感
光性アクリル樹脂以外の感光性を有する樹脂材料を用い
ることができる。また、保護膜６を特定の領域のみに設
ける場合であっても、印刷法や転写法などを用いる場合
や、保護膜６が基板１の全面に設けられても構わない場
合においては、保護膜６として、ゾルゲル膜や感光性を
有さない有機保護膜を用いることができる。
光性アクリル樹脂以外の感光性を有する樹脂材料を用い
ることができる。また、保護膜６を特定の領域のみに設
ける場合であっても、印刷法や転写法などを用いる場合
や、保護膜６が基板１の全面に設けられても構わない場
合においては、保護膜６として、ゾルゲル膜や感光性を
有さない有機保護膜を用いることができる。
次に、遮光膜１３における位置関係、特に遮光膜１３
の開口領域と電極７との位置関係について説明する。こ
こで、図７Ａは、下側の基板１の内面に形成される遮光
膜１３および着色層４の配列を示す概略平面図であり、
また、図７Ｂは、図７Ｂの線Ａ−Ａ’についての概略断
面図であり、両図は、いずれも着色層４が形成された段
階の構成を示すものである。なお、図７Ｃは、図７Ｂに
示される基板において、電極７までが形成された構成を
示す概略断面図である。
の開口領域と電極７との位置関係について説明する。こ
こで、図７Ａは、下側の基板１の内面に形成される遮光
膜１３および着色層４の配列を示す概略平面図であり、
また、図７Ｂは、図７Ｂの線Ａ−Ａ’についての概略断
面図であり、両図は、いずれも着色層４が形成された段
階の構成を示すものである。なお、図７Ｃは、図７Ｂに
示される基板において、電極７までが形成された構成を
示す概略断面図である。
これらの図に示されるように、遮光膜１３の開口領域
は、液晶層を有効に駆動できる領域２０毎に設けられて
いる。ここで、図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃに示される
基板にあって、領域２０とは、液晶装置として構成され
る場合に、下側の基板１に設けられる電極７と上側の基
板１０１に設けられる電極１１０との交差領域であっ
て、設計上の画素に一致している。すなわち、これらの
図における領域２０は、電極７の幅をＬ１とし、電極１
１０の幅をＷ１とした場合に、長さＬ１および幅Ｗ１で
規定される矩形状の領域をいう。
は、液晶層を有効に駆動できる領域２０毎に設けられて
いる。ここで、図７Ａ、図７Ｂおよび図７Ｃに示される
基板にあって、領域２０とは、液晶装置として構成され
る場合に、下側の基板１に設けられる電極７と上側の基
板１０１に設けられる電極１１０との交差領域であっ
て、設計上の画素に一致している。すなわち、これらの
図における領域２０は、電極７の幅をＬ１とし、電極１
１０の幅をＷ１とした場合に、長さＬ１および幅Ｗ１で
規定される矩形状の領域をいう。
なお、図１９Ｄを参照して説明したように、斜め電界
によって、該交差領域外であっても液晶分子が駆動され
る領域（ここでは便宜上、領域Ａと称呼する）が存在す
る一方、該交差領域内であっても液晶分子が正常に駆動
されない領域（便宜上、領域Ｂと称呼する）が存在する
ので、厳密に言えば、これらの領域を考慮して、遮光膜
１３の開口領域を設ける必要がある。ただし、液晶層の
厚みｄ（図１参照）に対して、領域２０（長さＬ1およ
び幅Ｗ1）が充分に大きいのであれば、領域Ａ、Ｂを無
視して考えることができる。図７Ａ、図７Ｂおよび図７
Ｃに示される基板については、液晶層の厚みｄに対し領
域２０（長さＬ1および幅Ｗ1）が充分に大きいとして、
領域Ａ、Ｂを無視して、遮光膜１３の開口領域を設定し
たものである。
によって、該交差領域外であっても液晶分子が駆動され
る領域（ここでは便宜上、領域Ａと称呼する）が存在す
る一方、該交差領域内であっても液晶分子が正常に駆動
されない領域（便宜上、領域Ｂと称呼する）が存在する
ので、厳密に言えば、これらの領域を考慮して、遮光膜
１３の開口領域を設ける必要がある。ただし、液晶層の
厚みｄ（図１参照）に対して、領域２０（長さＬ1およ
び幅Ｗ1）が充分に大きいのであれば、領域Ａ、Ｂを無
視して考えることができる。図７Ａ、図７Ｂおよび図７
Ｃに示される基板については、液晶層の厚みｄに対し領
域２０（長さＬ1および幅Ｗ1）が充分に大きいとして、
領域Ａ、Ｂを無視して、遮光膜１３の開口領域を設定し
たものである。
そこで今度は、領域Ａ、Ｂを考慮して、遮光膜１３の
開口領域を設定した基板について説明する。まず。領域
Ａ、Ｂを考慮した場合における遮光膜１３の開口領域と
は、液晶装置として２枚の基板１、１０１が貼り合わせ
られた場合に、電極７、１１０の交差領域に、領域Ａを
加えた領域であって、領域Ｂを除いた領域をいい、図８
Ａにおいて、長さＬ2および幅Ｗ2で規定される矩形状の
領域１２である。ここで、図８Ａは、下側の基板１の内
面に形成される遮光膜１３および着色層４の配列を示す
部分平面図であり、図８Ｂは、図８Ａにおける線Ｅ−
Ｅ’線についての概略断面図であり、図８Ｃは、図８Ａ
における線Ｆ−Ｆ’線についての概略断面図である。こ
れらの図に示されるように、領域Ａ、Ｂを考慮した遮光
膜１３の開口領域１２は、設計上の画素の領域９ｃ（長
さＬ1および幅Ｗ1で規定される矩形状の領域）に対し
て、液晶層のバルクにおける液晶分子のダイレクタ方向
と直交する辺の一方では、長さｄ1だけ狭く、それ以外
の辺においては、長さｄ2だけ広くなっている。したが
って、長さｄ2により広くなった領域が、斜め電界によ
って液晶分子が駆動される領域Ａに相当し、長さｄ1に
より狭くなった領域が、斜め電界によって液晶分子が駆
動されない領域Ｂに相当する。ここで、長さｄ1、ｄ2に
ついて詳述すると、図１に示されるように液晶装置とし
て２枚の基板１、１０１が貼り合わせられた場合に、電
極７、１１０間の距離（すなわち、液晶層５８の厚み）
をｄで表したとき、長さｄ1は、距離ｄの概ね同等以下
の値であり、また、長さｄ2は、距離ｄの概ね１／２以
下の値である。
開口領域を設定した基板について説明する。まず。領域
Ａ、Ｂを考慮した場合における遮光膜１３の開口領域と
は、液晶装置として２枚の基板１、１０１が貼り合わせ
られた場合に、電極７、１１０の交差領域に、領域Ａを
加えた領域であって、領域Ｂを除いた領域をいい、図８
Ａにおいて、長さＬ2および幅Ｗ2で規定される矩形状の
領域１２である。ここで、図８Ａは、下側の基板１の内
面に形成される遮光膜１３および着色層４の配列を示す
部分平面図であり、図８Ｂは、図８Ａにおける線Ｅ−
Ｅ’線についての概略断面図であり、図８Ｃは、図８Ａ
における線Ｆ−Ｆ’線についての概略断面図である。こ
れらの図に示されるように、領域Ａ、Ｂを考慮した遮光
膜１３の開口領域１２は、設計上の画素の領域９ｃ（長
さＬ1および幅Ｗ1で規定される矩形状の領域）に対し
て、液晶層のバルクにおける液晶分子のダイレクタ方向
と直交する辺の一方では、長さｄ1だけ狭く、それ以外
の辺においては、長さｄ2だけ広くなっている。したが
って、長さｄ2により広くなった領域が、斜め電界によ
って液晶分子が駆動される領域Ａに相当し、長さｄ1に
より狭くなった領域が、斜め電界によって液晶分子が駆
動されない領域Ｂに相当する。ここで、長さｄ1、ｄ2に
ついて詳述すると、図１に示されるように液晶装置とし
て２枚の基板１、１０１が貼り合わせられた場合に、電
極７、１１０間の距離（すなわち、液晶層５８の厚み）
をｄで表したとき、長さｄ1は、距離ｄの概ね同等以下
の値であり、また、長さｄ2は、距離ｄの概ね１／２以
下の値である。
この構成では、電極７、１１０との交差領域９ｃ外で
あっても、領域Ａには遮光膜１３が開口しているので、
反射膜２で光が反射する結果、実質的な開口率の向上が
図られる一方、交差領域９ｃ内であっても、領域Ｂには
遮光膜１３が設けられるので、液晶分子が駆動されない
ことによるコントラスト比の低下を抑えることが可能と
なる。
あっても、領域Ａには遮光膜１３が開口しているので、
反射膜２で光が反射する結果、実質的な開口率の向上が
図られる一方、交差領域９ｃ内であっても、領域Ｂには
遮光膜１３が設けられるので、液晶分子が駆動されない
ことによるコントラスト比の低下を抑えることが可能と
なる。
なお、電極７、１１０の交差領域９ｃに対して、拡大
する領域Ａの方向・面積、および、縮小する領域Ｂの方
向・面積は、用いる液晶モードや、基板１、１０１に対
するラビング方向等の各種条件によって異なるが、いず
れにしても、遮光膜１３における開口領域１２は、領域
９ｃに対して、距離ｄと概ね同等の長さｄ1だけ内側か
ら、距離ｄの概ね１／２である長さｄ2だけ外側まで、
となるようにパターニングされることになる（図９Ａ、
図９Ｂおよび図９Ｃ参照）。すなわち、遮光膜１３にお
ける開口領域１２の長さＬ2および幅Ｗ2は、それぞれ次
の範囲に収まることになる。
する領域Ａの方向・面積、および、縮小する領域Ｂの方
向・面積は、用いる液晶モードや、基板１、１０１に対
するラビング方向等の各種条件によって異なるが、いず
れにしても、遮光膜１３における開口領域１２は、領域
９ｃに対して、距離ｄと概ね同等の長さｄ1だけ内側か
ら、距離ｄの概ね１／２である長さｄ2だけ外側まで、
となるようにパターニングされることになる（図９Ａ、
図９Ｂおよび図９Ｃ参照）。すなわち、遮光膜１３にお
ける開口領域１２の長さＬ2および幅Ｗ2は、それぞれ次
の範囲に収まることになる。
Ｌ1−２・ｄ1≦Ｌ2≦Ｌ1＋２・ｄ2
Ｗ1−２・ｄ1≦Ｗ2≦Ｗ1＋２・ｄ2
＜第１の実施形態の応用・変形例＞
ところで、上述した例では、遮光膜１３を黒色の樹脂
材料から形成したが、次のように形成しても良い。すな
わち、遮光膜１３として別途の層を設けるのではなく、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層４が３色分積層
された部分を遮光膜１３として用いるのである。このよ
うな構成を図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃを参照し
て説明する。ここで、図１０Ａは、同構成を示す部分平
面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａにおける線Ｗ−Ｗ’
線についての概略断面図であり、図１０Ｃは、図１０Ａ
における線Ｘ−Ｘ’線についての概略断面図である。
材料から形成したが、次のように形成しても良い。すな
わち、遮光膜１３として別途の層を設けるのではなく、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層４が３色分積層
された部分を遮光膜１３として用いるのである。このよ
うな構成を図１０Ａ、図１０Ｂおよび図１０Ｃを参照し
て説明する。ここで、図１０Ａは、同構成を示す部分平
面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａにおける線Ｗ−Ｗ’
線についての概略断面図であり、図１０Ｃは、図１０Ａ
における線Ｘ−Ｘ’線についての概略断面図である。
これらの図に示されるように、パターニングされた反
射膜２上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの感光性カラーレジストが、
順番に、かつ、遮光膜１３となるべき部分で重なるよう
に、着色感材法を用いてパターニングされている。これ
により、着色層４が３色分積層された部分は、加法混色
により黒色となって、遮光膜１３として機能する一方、
１色のみの部分は、上述した例と同様に、遮光膜１３の
開口領域１２として機能することになる。そして、これ
らの表面を覆うように保護膜６が形成されて、これらの
保護とともに、着色層４が積層された部分とそうでない
部分との平坦化が図られている。
射膜２上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの感光性カラーレジストが、
順番に、かつ、遮光膜１３となるべき部分で重なるよう
に、着色感材法を用いてパターニングされている。これ
により、着色層４が３色分積層された部分は、加法混色
により黒色となって、遮光膜１３として機能する一方、
１色のみの部分は、上述した例と同様に、遮光膜１３の
開口領域１２として機能することになる。そして、これ
らの表面を覆うように保護膜６が形成されて、これらの
保護とともに、着色層４が積層された部分とそうでない
部分との平坦化が図られている。
ここで、着色層４が３色分積層された部分の光学濃度
は０．７程度であるが、この部分は、もともと着色層４
であるので、その表面反射率が小さい。このため、明る
い場所において、コントラスト比の低下といった悪影響
を及ぼさない。また、反射型表示において光は、着色層
４が３色分積層されて、遮光膜１３となる部分を２度通
過するため、遮光膜１３として光学濃度は実質的には
１．４以上となって、反射型表示において充分な遮光性
を有することなる。さらに、遮光膜１３として別途の層
を設ける工程が省略されるので、その分だけ、低コスト
化が可能となる。
は０．７程度であるが、この部分は、もともと着色層４
であるので、その表面反射率が小さい。このため、明る
い場所において、コントラスト比の低下といった悪影響
を及ぼさない。また、反射型表示において光は、着色層
４が３色分積層されて、遮光膜１３となる部分を２度通
過するため、遮光膜１３として光学濃度は実質的には
１．４以上となって、反射型表示において充分な遮光性
を有することなる。さらに、遮光膜１３として別途の層
を設ける工程が省略されるので、その分だけ、低コスト
化が可能となる。
なお、これらの図において、他の構成や説明したもの
と同様であるので、同一の符号を付してその説明を省略
することとする。また、着色層４が３色分積層された部
分を遮光膜１３とする構成においても、上述した保護膜
３、６および密着性向上層５、８を適宜選択して適用す
ることが可能であり、遮光膜１３の開口領域としても図
９のほか、図７、図８で説明したものとすることが可能
である。
と同様であるので、同一の符号を付してその説明を省略
することとする。また、着色層４が３色分積層された部
分を遮光膜１３とする構成においても、上述した保護膜
３、６および密着性向上層５、８を適宜選択して適用す
ることが可能であり、遮光膜１３の開口領域としても図
９のほか、図７、図８で説明したものとすることが可能
である。
さて、下側の基板１の側に光散乱特性を持たせる構成
については、図６に示した構成のほか、図１１Ａ、図１
１Ｂおよび図１１Ｃで示される構成でも可能である。こ
こで、図１１Ａは、光散乱特性を有する基板の構成を示
す部分平面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａにおける線
ＣＣ−ＣＣ’線についての概略断面図であり、図１１Ｃ
は、図１１Ａにおける線ＤＤ−ＤＤ’線についての概略
断面図である。
については、図６に示した構成のほか、図１１Ａ、図１
１Ｂおよび図１１Ｃで示される構成でも可能である。こ
こで、図１１Ａは、光散乱特性を有する基板の構成を示
す部分平面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａにおける線
ＣＣ−ＣＣ’線についての概略断面図であり、図１１Ｃ
は、図１１Ａにおける線ＤＤ−ＤＤ’線についての概略
断面図である。
これらの図に示されるように、基板１には、上側に粗
面を有する粗面層１６が形成されて、この粗面に反射膜
２が形成されている。ここで、粗面層１６は、例えば、
アクリルを主成分とする感光性樹脂であり、基板１上に
塗布された後に、次のような構造となるように、所定の
フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によって
パターニングされたものである。すなわち、粗面層１６
における粗面は、山および谷の差が０．２μｍ〜１．５
μｍであり、山および谷のピッチが２μｍ〜１５μｍで
あって、ランダムな山および谷の形状にパターニングさ
れたものである。
面を有する粗面層１６が形成されて、この粗面に反射膜
２が形成されている。ここで、粗面層１６は、例えば、
アクリルを主成分とする感光性樹脂であり、基板１上に
塗布された後に、次のような構造となるように、所定の
フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によって
パターニングされたものである。すなわち、粗面層１６
における粗面は、山および谷の差が０．２μｍ〜１．５
μｍであり、山および谷のピッチが２μｍ〜１５μｍで
あって、ランダムな山および谷の形状にパターニングさ
れたものである。
このような構成では、反射膜２は、粗面層１６の粗面
を反映したものとなって、上側の基板１０１側からの入
射光をランダムな角度で反射させるため、下側の基板１
側のみにより、適度な散乱特性を持たせることが可能と
なる。また、このような構成では、反射膜２の表面は、
粗面層１６の粗面を反映したものとなるが、反射膜２の
表面を覆うように形成される着色層４、保護膜６によっ
て平坦化されるため、電極７は、粗面を反映することな
く、平坦面に形成されることになる。
を反映したものとなって、上側の基板１０１側からの入
射光をランダムな角度で反射させるため、下側の基板１
側のみにより、適度な散乱特性を持たせることが可能と
なる。また、このような構成では、反射膜２の表面は、
粗面層１６の粗面を反映したものとなるが、反射膜２の
表面を覆うように形成される着色層４、保護膜６によっ
て平坦化されるため、電極７は、粗面を反映することな
く、平坦面に形成されることになる。
なお、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃにおいて、
他の構成や説明したものと同様であるので、同一の符号
を付してその説明を省略することとする。またこれらの
図において、遮光膜１３として着色層４が３色分積層さ
れた部分が用いられているが、黒色樹脂材料が用いられ
ても良いのはもちろんである。さらに、上述した保護膜
３、６および密着性向上層５、８を適宜選択して適用す
ることが可能であり、遮光膜１３の開口領域としても図
９のほか、図７、図８で説明したものとすることが可能
である。
他の構成や説明したものと同様であるので、同一の符号
を付してその説明を省略することとする。またこれらの
図において、遮光膜１３として着色層４が３色分積層さ
れた部分が用いられているが、黒色樹脂材料が用いられ
ても良いのはもちろんである。さらに、上述した保護膜
３、６および密着性向上層５、８を適宜選択して適用す
ることが可能であり、遮光膜１３の開口領域としても図
９のほか、図７、図８で説明したものとすることが可能
である。
また、下側の基板１の側に光散乱特性を持たせる構成
については、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示し
た構成のほか、図１２Ａ、図１２Ｂおよび図１２Ｃで示
される構成でも可能である。ここで、図１２Ａは、光散
乱特性を有する基板の構成を示す部分平面図であり、図
１２Ｂは、図１２Ａにおける線ＥＥ−ＥＥ’線について
の概略断面図であり、図１２Ｃは、図１２Ａにおける線
ＦＦ−ＦＦ’線についての概略断面図である。
については、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示し
た構成のほか、図１２Ａ、図１２Ｂおよび図１２Ｃで示
される構成でも可能である。ここで、図１２Ａは、光散
乱特性を有する基板の構成を示す部分平面図であり、図
１２Ｂは、図１２Ａにおける線ＥＥ−ＥＥ’線について
の概略断面図であり、図１２Ｃは、図１２Ａにおける線
ＦＦ−ＦＦ’線についての概略断面図である。
これらの図で示されるように、基板１の上面が直接的
に粗面化されて、この粗面１７に反射膜２が形成されて
いる。このような基板１における粗面１７は、基板１と
してガラスを用いて、その表面を、弗化水素酸を主成分
とする水溶液によって、次のような形状となるように不
均一にエッチングすることによって得られる。すなわ
ち、基板１の表面は、山および谷の差が０．０５μｍ〜
２．５μｍであり、山および谷のピッチが１μｍ〜５０
μｍであって、ランダムな山および谷の形状となるよう
に不均一にエッチングされる。
に粗面化されて、この粗面１７に反射膜２が形成されて
いる。このような基板１における粗面１７は、基板１と
してガラスを用いて、その表面を、弗化水素酸を主成分
とする水溶液によって、次のような形状となるように不
均一にエッチングすることによって得られる。すなわ
ち、基板１の表面は、山および谷の差が０．０５μｍ〜
２．５μｍであり、山および谷のピッチが１μｍ〜５０
μｍであって、ランダムな山および谷の形状となるよう
に不均一にエッチングされる。
このような構成でも、反射膜２は、基板１の粗面１７
を反映したものとなって、上側の基板１０１側からの入
射光をランダムな角度で反射させるため、下側の基板１
側のみにより、適度な散乱特性を持たせることが可能と
なる。また、このような構成では、反射膜２の表面は、
粗面１７の粗面を反映したものとなるが、反射膜２の表
面を覆うように形成される着色層４、保護膜６によって
平坦化されるため、電極７は、粗面を反映することな
く、平坦面に形成されることになる。
を反映したものとなって、上側の基板１０１側からの入
射光をランダムな角度で反射させるため、下側の基板１
側のみにより、適度な散乱特性を持たせることが可能と
なる。また、このような構成では、反射膜２の表面は、
粗面１７の粗面を反映したものとなるが、反射膜２の表
面を覆うように形成される着色層４、保護膜６によって
平坦化されるため、電極７は、粗面を反映することな
く、平坦面に形成されることになる。
なお、図１２Ａ、図１２Ｂおよび図１２Ｃにおいて、
他の構成は、すでに説明したものと同様であるので、同
一の符号を付してその説明を省略することとする。ま
た、これらの図において、遮光膜１３として着色層４が
３色分積層された部分が用いられているが、同様に、黒
色樹脂材料が用いられても良いのはもちろんである。さ
らに、上述した保護膜３、６および密着性向上層５、８
を適宜選択して適用することが可能であり、遮光膜１３
の開口領域としても図９のほか、図７、図８で説明した
ものとすることが可能である点も同様である。
他の構成は、すでに説明したものと同様であるので、同
一の符号を付してその説明を省略することとする。ま
た、これらの図において、遮光膜１３として着色層４が
３色分積層された部分が用いられているが、同様に、黒
色樹脂材料が用いられても良いのはもちろんである。さ
らに、上述した保護膜３、６および密着性向上層５、８
を適宜選択して適用することが可能であり、遮光膜１３
の開口領域としても図９のほか、図７、図８で説明した
ものとすることが可能である点も同様である。
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る半透過反射型の
液晶装置について説明する。上述した第１実施形態に係
る反射型の液晶装置では、外光の強度が充分であれば、
非常に明るい表示が可能であるが、その反面、外光の強
度が不充分であると、表示が見づらくなるという欠点が
ある。
液晶装置について説明する。上述した第１実施形態に係
る反射型の液晶装置では、外光の強度が充分であれば、
非常に明るい表示が可能であるが、その反面、外光の強
度が不充分であると、表示が見づらくなるという欠点が
ある。
そこで、第２実施形態に係る半透過反射型の液晶装置
は、反射膜２において画素毎に開口部を設けることによ
り、背面側から入射した光を通過可能として、外光の強
度が不充分であれば、開口部を通過する光による反射型
表示を行う一方、外光の強度が充分であれば、開口部以
外で反射する光による反射型表示を行うものである。
は、反射膜２において画素毎に開口部を設けることによ
り、背面側から入射した光を通過可能として、外光の強
度が不充分であれば、開口部を通過する光による反射型
表示を行う一方、外光の強度が充分であれば、開口部以
外で反射する光による反射型表示を行うものである。
図１３は、この第２の実施形態に係る液晶装置の構成
を示す概略断面図である。この図に示される液晶装置
が、図１における第１実施形態に係る液晶装置と相違す
る点は、白色光を発する線状の蛍光管３１と、一端面が
蛍光管３１に沿って配置する導光板３３とを含む補助光
源を備える第１の点、基板１の外面側に、位相差板２
３、偏光板２５が順に設けられている第２の点、遮光膜
１３の開口領域毎に、反射膜２に開口部（第１の開口
部）１４がそれぞれ設けられて、下側から入射した光を
透過させる第３の点、および、遮光膜１３として着色層
４が３色分積層された部分が用いられている第４の点に
ある。
を示す概略断面図である。この図に示される液晶装置
が、図１における第１実施形態に係る液晶装置と相違す
る点は、白色光を発する線状の蛍光管３１と、一端面が
蛍光管３１に沿って配置する導光板３３とを含む補助光
源を備える第１の点、基板１の外面側に、位相差板２
３、偏光板２５が順に設けられている第２の点、遮光膜
１３の開口領域毎に、反射膜２に開口部（第１の開口
部）１４がそれぞれ設けられて、下側から入射した光を
透過させる第３の点、および、遮光膜１３として着色層
４が３色分積層された部分が用いられている第４の点に
ある。
他の構成については、すでに説明したものと同様であ
るので、同一の符号を付してその説明を省略し、また、
第４の点についても、すでの説明しているので、その説
明を省略する。したがって、ここでは、第１、第２およ
び第３の点を中心にして説明することとする。
るので、同一の符号を付してその説明を省略し、また、
第４の点についても、すでの説明しているので、その説
明を省略する。したがって、ここでは、第１、第２およ
び第３の点を中心にして説明することとする。
まず、導光板３３は、裏面（図において下側の面）全
体に散乱用の粗面が形成された透明体、または、散乱用
の印刷層が形成されたアクリル樹脂板などの透明体であ
る。これにより、導光板３３は、蛍光管３１の光をその
一端面に入射すると、図の上面へ、ほぼ均一な光を照射
することになる。なお、補助光源としては、ほかにＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）や、ＥＬ（エレクトロルミネセン
ス）などを用いたものなどが適用可能である。
体に散乱用の粗面が形成された透明体、または、散乱用
の印刷層が形成されたアクリル樹脂板などの透明体であ
る。これにより、導光板３３は、蛍光管３１の光をその
一端面に入射すると、図の上面へ、ほぼ均一な光を照射
することになる。なお、補助光源としては、ほかにＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）や、ＥＬ（エレクトロルミネセン
ス）などを用いたものなどが適用可能である。
次に、基板１の外面に設けられる偏光板２５、位相差
板２３は、補助光源により照射される光を所定の偏光状
態とさせるために設けられている。
板２３は、補助光源により照射される光を所定の偏光状
態とさせるために設けられている。
そして、反射膜２の開口部１４は、図１４Ａに示され
るように、遮光膜１３の開口領域１２毎に、すなわち、
着色層４が１色分だけ設けられて領域毎に設けられるも
のであって、アルミニウムや、銀、クロムなどの反射性
を有する金属層を、表示領域９を含むように、かつ、開
口部１４に相当する部分を除去するように、パターニン
グして形成したものである。ここで、図１３または図１
４Ｂに示されるように、着色層４は、開口部１４に充填
されているので、背面側（図において下側）から入射し
て、開口部１４を通過し、観察側（図において上側）に
出射する光は、着色層４によって着色されることにな
る。なお、図１４Ａでは、開口部１４の平面形状は矩形
状であるが、いかなる形状であっても構わない。
るように、遮光膜１３の開口領域１２毎に、すなわち、
着色層４が１色分だけ設けられて領域毎に設けられるも
のであって、アルミニウムや、銀、クロムなどの反射性
を有する金属層を、表示領域９を含むように、かつ、開
口部１４に相当する部分を除去するように、パターニン
グして形成したものである。ここで、図１３または図１
４Ｂに示されるように、着色層４は、開口部１４に充填
されているので、背面側（図において下側）から入射し
て、開口部１４を通過し、観察側（図において上側）に
出射する光は、着色層４によって着色されることにな
る。なお、図１４Ａでは、開口部１４の平面形状は矩形
状であるが、いかなる形状であっても構わない。
なお、図１４Ａは、図１３における基板１の内面構
造、特に反射膜２の開口部１４と遮光膜１３の開口領域
１２との位置関係を示す図であり、図１４Ｂは、図１４
ＡにおけるＹ−Ｙ’線についての略断面図であり、図１
４Ｃは、図１４ＡにおけるＺ−Ｚ’線についての略断面
図であるが、遮光膜１３の開口領域１２については、す
でに説明しているので、ここでは省略することとする。
造、特に反射膜２の開口部１４と遮光膜１３の開口領域
１２との位置関係を示す図であり、図１４Ｂは、図１４
ＡにおけるＹ−Ｙ’線についての略断面図であり、図１
４Ｃは、図１４ＡにおけるＺ−Ｚ’線についての略断面
図であるが、遮光膜１３の開口領域１２については、す
でに説明しているので、ここでは省略することとする。
このような第２実施形態において、外光の強度が充分
であれば、蛍光管３１が非点灯状態にされて、反射型表
示が行われる。ここで、反射型表示において光は、偏光
板１２５、位相差板１２３、前方散乱板１２１、基板１
０１、電極１１０、液晶層５８、電極７、着色層４とい
う経路を介して反射膜２に至り、ここで反射して、今き
た経路を逆に辿って、偏光板１２５から観察側に出射す
る。このとき、偏光板１２５から出射する光量は、電極
７、１１０によって液晶層５８に印加される電圧に応じ
て、明状態、暗状態およびその中間の明るさの状態にさ
れるので、液晶層５８への印加電圧を制御することによ
り、所望の表示が可能となる。
であれば、蛍光管３１が非点灯状態にされて、反射型表
示が行われる。ここで、反射型表示において光は、偏光
板１２５、位相差板１２３、前方散乱板１２１、基板１
０１、電極１１０、液晶層５８、電極７、着色層４とい
う経路を介して反射膜２に至り、ここで反射して、今き
た経路を逆に辿って、偏光板１２５から観察側に出射す
る。このとき、偏光板１２５から出射する光量は、電極
７、１１０によって液晶層５８に印加される電圧に応じ
て、明状態、暗状態およびその中間の明るさの状態にさ
れるので、液晶層５８への印加電圧を制御することによ
り、所望の表示が可能となる。
一方、外光の強度が不充分であれば、蛍光管３１が点
灯状態にされて、透過型表示が行われる。ここで、透過
型表示において、蛍光管３１、導光板３３によって照射
される光は、偏光板２５、位相差板２３を経ることで所
定の偏光状態となり、基板１、開口部１４、電極７、液
晶層５８、電極１１０を経て、偏光板１２５から観察側
に出射する。このとき、偏光板１２５から出射する光量
は、透過型表示と同様に、電極７、１１０によって液晶
層５８に印加される電圧に応じて、明状態、暗状態およ
びその中間の明るさの状態にされるので、液晶層５８へ
の印加電圧を制御することで、所望の表示が可能とな
る。
灯状態にされて、透過型表示が行われる。ここで、透過
型表示において、蛍光管３１、導光板３３によって照射
される光は、偏光板２５、位相差板２３を経ることで所
定の偏光状態となり、基板１、開口部１４、電極７、液
晶層５８、電極１１０を経て、偏光板１２５から観察側
に出射する。このとき、偏光板１２５から出射する光量
は、透過型表示と同様に、電極７、１１０によって液晶
層５８に印加される電圧に応じて、明状態、暗状態およ
びその中間の明るさの状態にされるので、液晶層５８へ
の印加電圧を制御することで、所望の表示が可能とな
る。
この液晶装置によれば、液晶層５８は、同じＩＴＯか
らなる電極７、１１０によって挟持されるので、表示品
位や長期信頼性が低下することがない。また、反射膜２
上には、遮光膜１３および着色層４が形成されるので、
反射膜２を露出させないようにすることができる。この
ため、液晶装置の製造工程において、反射膜２が、薬液
や、ガス、液晶層等にさらされないので、反射膜２への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層４が遮
光膜１３を覆うように形成されているので、遮光膜１３
での表面反射が抑えられるだけでなく、遮光膜１３に要
求される光学濃度も小さくて済む。例えば反射型表示に
おいて光は遮光膜を２回通過することになるので、遮光
膜１３の実質的な光学濃度は小さくて済むし、透過型表
示において光は、遮光膜１３により規定されるのではな
く、反射膜２によって規定されるので、透過型表示にお
いて遮光膜１３の光学濃度はほとんど影響を与えない。
このため、本実施形態によれば、透過型表示においても
反射型表示においてコントラスト比の低下を抑えた明る
い高品位な表示が可能となる。
らなる電極７、１１０によって挟持されるので、表示品
位や長期信頼性が低下することがない。また、反射膜２
上には、遮光膜１３および着色層４が形成されるので、
反射膜２を露出させないようにすることができる。この
ため、液晶装置の製造工程において、反射膜２が、薬液
や、ガス、液晶層等にさらされないので、反射膜２への
ダメージを抑えることができる。さらに、着色層４が遮
光膜１３を覆うように形成されているので、遮光膜１３
での表面反射が抑えられるだけでなく、遮光膜１３に要
求される光学濃度も小さくて済む。例えば反射型表示に
おいて光は遮光膜を２回通過することになるので、遮光
膜１３の実質的な光学濃度は小さくて済むし、透過型表
示において光は、遮光膜１３により規定されるのではな
く、反射膜２によって規定されるので、透過型表示にお
いて遮光膜１３の光学濃度はほとんど影響を与えない。
このため、本実施形態によれば、透過型表示においても
反射型表示においてコントラスト比の低下を抑えた明る
い高品位な表示が可能となる。
また、反射膜が電極を兼ねる従来構成において、反射
膜に開口部を設けると、この部分では液晶層に電圧が印
加されないため、液晶分子が正常に駆動されない（表示
に寄与しない）領域が出現してしまうことになる。これ
に対して、本実施形態では、反射膜２と電極７とは独立
であり、開口部１４の地点にも電極７を設けることでき
るため、開口部１４にあっても、液晶分子が正常に駆動
されることになる。したがって、この意味でも、本実施
形態では、透過型表示におけるコントラスト比の低下が
抑えられることとなる。
膜に開口部を設けると、この部分では液晶層に電圧が印
加されないため、液晶分子が正常に駆動されない（表示
に寄与しない）領域が出現してしまうことになる。これ
に対して、本実施形態では、反射膜２と電極７とは独立
であり、開口部１４の地点にも電極７を設けることでき
るため、開口部１４にあっても、液晶分子が正常に駆動
されることになる。したがって、この意味でも、本実施
形態では、透過型表示におけるコントラスト比の低下が
抑えられることとなる。
ところで、第２実施形態における基板１の構造につい
ては、図１３や図１４等に示されるものに限らず、種々
の態様が適用可能である。そこで、これらの態様のいく
つかについて説明することとする。
ては、図１３や図１４等に示されるものに限らず、種々
の態様が適用可能である。そこで、これらの態様のいく
つかについて説明することとする。
まず、この態様について、図１５Ａ、図１５Ｂおよび
図１５Ｃを参照して説明する。ここで、図１５Ａは、こ
の態様に係る基板について、電極７までが形成された基
板の構成を示す部分平面図であり、図１５Ｂは、図１５
Ａにおける線ＡＡ−ＡＡ’線についての概略断面図であ
り、図１５Ｃは、図１５Ａにおける線ＢＢ−ＢＢ’線に
ついての概略断面図である。
図１５Ｃを参照して説明する。ここで、図１５Ａは、こ
の態様に係る基板について、電極７までが形成された基
板の構成を示す部分平面図であり、図１５Ｂは、図１５
Ａにおける線ＡＡ−ＡＡ’線についての概略断面図であ
り、図１５Ｃは、図１５Ａにおける線ＢＢ−ＢＢ’線に
ついての概略断面図である。
これらの図に示されるように、１つの画素について２
つの開口部１４、１５が設けられる。このうち、開口部
１４については、図１３や図１４Ｂ、図１４Ｃに示され
るように、反射膜２が存在しない部分に着色層４が充填
されたものであるが、開口部（第２の開口部）１５につ
いては、図１５Ｃに示されるように、反射膜２が存在す
る部分に着色層４が設けられないように形成されたも
の、すなわち、着色層４の形成段階において反射膜２が
露出するように形成されたものである。詳細には、開口
部１５は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の感光性カラ
ーレジストを、着色感材法を用いて順次形成する際に、
開口部１５に相当する部分に、該感光性カラーレジスト
が残らないようにしたものである。
つの開口部１４、１５が設けられる。このうち、開口部
１４については、図１３や図１４Ｂ、図１４Ｃに示され
るように、反射膜２が存在しない部分に着色層４が充填
されたものであるが、開口部（第２の開口部）１５につ
いては、図１５Ｃに示されるように、反射膜２が存在す
る部分に着色層４が設けられないように形成されたも
の、すなわち、着色層４の形成段階において反射膜２が
露出するように形成されたものである。詳細には、開口
部１５は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の感光性カラ
ーレジストを、着色感材法を用いて順次形成する際に、
開口部１５に相当する部分に、該感光性カラーレジスト
が残らないようにしたものである。
ここで、着色層４が設けられない開口部１５の面積
は、遮光膜１３の開口領域１２から開口部１４を除いた
部分の面積（すなわち、実質的に反射型表示において１
画素として機能する面積）に対して、次のようにして設
定する。すなわち、透過型表示において好適な着色層の
光透過特性が図１６Ａであり、反射型表示において好適
な着色層の光透過特性が図１６Ｂであるとすると、第１
に、開口部１４を通過する光のみによる特性が、図１６
Ａに示される特性になるように着色層４を形成し、第２
に、遮光膜１３の開口領域１２のうち開口部１４を除い
た部分で反射して該着色層４により着色される光と、開
口部１５で反射して着色されない光とを合わせた平均光
が、図１６Ｂに示される特性になるように、開口部１５
の面積を、各色にあわせてそれぞれ設定するのが望まし
い。なお、図１６Ａおよび図１６Ｂに示された各色の特
性はあくまでも一例であり、実際には、組み合わされる
液晶モードや、透過率、色濃度に合わせて適切に変更さ
れる。
は、遮光膜１３の開口領域１２から開口部１４を除いた
部分の面積（すなわち、実質的に反射型表示において１
画素として機能する面積）に対して、次のようにして設
定する。すなわち、透過型表示において好適な着色層の
光透過特性が図１６Ａであり、反射型表示において好適
な着色層の光透過特性が図１６Ｂであるとすると、第１
に、開口部１４を通過する光のみによる特性が、図１６
Ａに示される特性になるように着色層４を形成し、第２
に、遮光膜１３の開口領域１２のうち開口部１４を除い
た部分で反射して該着色層４により着色される光と、開
口部１５で反射して着色されない光とを合わせた平均光
が、図１６Ｂに示される特性になるように、開口部１５
の面積を、各色にあわせてそれぞれ設定するのが望まし
い。なお、図１６Ａおよび図１６Ｂに示された各色の特
性はあくまでも一例であり、実際には、組み合わされる
液晶モードや、透過率、色濃度に合わせて適切に変更さ
れる。
この態様によれば、光の色特性を、反射型表示と透過
型表示とに合わせて最適化することができるので、両表
示のいずれにおいても優れた色再現性を実現することが
可能となる。
型表示とに合わせて最適化することができるので、両表
示のいずれにおいても優れた色再現性を実現することが
可能となる。
なお、第２実施形態においては、着色層４が３色分積
層された部分が遮光膜１３として用いられているが、図
１７Ａ、図１７Ｂおよび図１７Ｃに示されるように、黒
色樹脂材料が用いられても良いのはもちろんである。
層された部分が遮光膜１３として用いられているが、図
１７Ａ、図１７Ｂおよび図１７Ｃに示されるように、黒
色樹脂材料が用いられても良いのはもちろんである。
また、第２実施形態における背面側に位置する基板と
しては、図１４Ａや、図１５Ａ、図１７Ａなどに示され
た基板に対して、第１実施形態で挙げた基板の各要素を
適宜選択して適用することが可能である。例えば、保護
膜３、６や、密着性向上層５、８を適宜選択して適用し
ても良いし、反射膜２を図１１Ｂにおける粗面層１６や
図１２Ｂにおける粗面１７に形成するとともに、開口部
１４、１５を設ける構成としても良い。
しては、図１４Ａや、図１５Ａ、図１７Ａなどに示され
た基板に対して、第１実施形態で挙げた基板の各要素を
適宜選択して適用することが可能である。例えば、保護
膜３、６や、密着性向上層５、８を適宜選択して適用し
ても良いし、反射膜２を図１１Ｂにおける粗面層１６や
図１２Ｂにおける粗面１７に形成するとともに、開口部
１４、１５を設ける構成としても良い。
＜電子機器＞
続いて、上述した第１実施形態や、第２実施形態、応
用例に係る液晶装置を適用した電子機器について説明す
る。上述したようにこれらの液晶装置は、様々な環境下
で用いられ、しかも低消費電力が必要とされる携帯機器
に適している。
用例に係る液晶装置を適用した電子機器について説明す
る。上述したようにこれらの液晶装置は、様々な環境下
で用いられ、しかも低消費電力が必要とされる携帯機器
に適している。
まず、図１８Ａは、電子機器の一例である携帯情報機
器の構成を示す斜視図である。この図に示されるように
携帯情報機器本体の上側には、実施形態に係る液晶装置
１８１が設けられ、また、下側には入力部１８３が設け
られる。一般に、この種の携帯情報機器の表示部の前面
には、タッチパネルを設けることが多い。通常のタッチ
パネルは、表面反射が多いため、表示が見づらい。この
ため、従来では、携帯型であっても表示部には、透過型
液晶装置が利用される場合が多かったが、透過型液晶装
置では、常時補助光源を利用するため消費電力が大き
く、電池寿命が短かった。これに対して、実施形態に係
る液晶装置は、反射型でも半透過反射型でも、表示が明
るく鮮やかであるため、携帯情報機器に好適である。
器の構成を示す斜視図である。この図に示されるように
携帯情報機器本体の上側には、実施形態に係る液晶装置
１８１が設けられ、また、下側には入力部１８３が設け
られる。一般に、この種の携帯情報機器の表示部の前面
には、タッチパネルを設けることが多い。通常のタッチ
パネルは、表面反射が多いため、表示が見づらい。この
ため、従来では、携帯型であっても表示部には、透過型
液晶装置が利用される場合が多かったが、透過型液晶装
置では、常時補助光源を利用するため消費電力が大き
く、電池寿命が短かった。これに対して、実施形態に係
る液晶装置は、反射型でも半透過反射型でも、表示が明
るく鮮やかであるため、携帯情報機器に好適である。
次に、図１８Ｂは、電子機器の一例である携帯電話の
構成を示す斜視図である。この図に示されるように携帯
電話本体の前面上方部には、実施形態に係る液晶装置１
８４が設けられる。携帯電話は、屋内屋外を問わず、あ
らゆる環境で利用される。特に自動車内で利用されるこ
とが多いが、夜間の車内は大変暗い。このため、表示装
置１８４としては、消費電力が低い反射型表示をメイン
とし、必要に応じて補助光を利用した透過型表示ができ
る半透過反射型の液晶装置、すなわち、第２実施形態に
係る液晶装置が望ましい。この液晶装置１８４では、反
射型表示でも透過型表示でも従来の液晶装置より明る
く、コントラスト比が高くて高品位な表示が可能とな
る。
構成を示す斜視図である。この図に示されるように携帯
電話本体の前面上方部には、実施形態に係る液晶装置１
８４が設けられる。携帯電話は、屋内屋外を問わず、あ
らゆる環境で利用される。特に自動車内で利用されるこ
とが多いが、夜間の車内は大変暗い。このため、表示装
置１８４としては、消費電力が低い反射型表示をメイン
とし、必要に応じて補助光を利用した透過型表示ができ
る半透過反射型の液晶装置、すなわち、第２実施形態に
係る液晶装置が望ましい。この液晶装置１８４では、反
射型表示でも透過型表示でも従来の液晶装置より明る
く、コントラスト比が高くて高品位な表示が可能とな
る。
続いて、図１８Ｃは、電子機器の一例であるウォッチ
の構成を示す斜視図である。この図に示されるようにウ
ォッチ本体の中央に、実施形態に係る表示部１８６が設
けられる。ウォッチ用途における重要な観点は、高級感
である。この液晶装置１８４は、明るくコントラストが
高いことはもちろん、光の波長による特性変化が少ない
ために色付きも小さい。従って、従来の液晶装置と比較
して、大変に高級感ある表示が得られる。
の構成を示す斜視図である。この図に示されるようにウ
ォッチ本体の中央に、実施形態に係る表示部１８６が設
けられる。ウォッチ用途における重要な観点は、高級感
である。この液晶装置１８４は、明るくコントラストが
高いことはもちろん、光の波長による特性変化が少ない
ために色付きも小さい。従って、従来の液晶装置と比較
して、大変に高級感ある表示が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平11−160698（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−28055（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−250416（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−286178（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−160462（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−49906（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1335
Claims (17)
- 【請求項１】 第１の基板の側に形成された第１の透明
電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極との
間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成される
とともに、前記第１および第２の透明電極が平面的にみ
て互いに重なる画素領域に対応した開口領域を有する遮
光膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面にあって、前
記遮光膜を覆うように形成された着色層と を具備し、 前記遮光膜の開口領域は、前記第１および第２の透明電
極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対し、当該画
素領域の端部から前記第１および第２の透明電極間の距
離の略半分までを限度として当該画素領域の外側に広く
なっている ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域に
おいて前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する
位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載
の液晶装置。 - 【請求項３】 前記遮光膜の開口領域において前記画素
領域の外側に広くなった領域は、斜め電界によって液晶
分子が駆動される領域である ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。 - 【請求項４】 第１の基板の側に形成された第１の透明
電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極との
間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成される
とともに、前記第１および第２の透明電極が平面的にみ
て互いに重なる画素領域に対応した開口領域を有する遮
光膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面にあって、前
記遮光膜を覆うように形成された着色層と を具備し、 前記画素領域は矩形状の領域であり、 前記遮光膜の開口領域は、前記画素領域に対して、前記
液晶層における液晶分子のダイレクタ方向と直交する辺
の一方では、長さｄ１だけ前記画素領域の内側に狭くな
っており、それ以外の辺においては、長さｄ２だけ前記
画素領域の外側に広くなっている ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項５】 前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域に
おいて前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くなっ
た領域に対応する位置に配置されていることを特徴とす
る請求項４に記載の液晶装置。 - 【請求項６】 前記遮光膜の開口領域において前記長さ
ｄ２だけ前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜め
電界によって液晶分子が駆動される領域であり、 前記遮光膜の開口領域において前記長さｄ１だけ前記画
素領域の内側に狭くなった領域は、斜め電界によって液
晶分子が駆動されない領域である ことを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶装置。 - 【請求項７】 前記画素領域の長さをＬ１で、前記画素
領域の幅をＷ１で表し、 前記第１および前記第２の透明電極間の距離をｄで表し
たとき、 前記長さｄ１は、距離ｄと概ね同等以下の値であり、 前記長さｄ２は、距離ｄの概ね１／２以下の値であり、 前記遮光膜の開口領域の長さＬ２および幅Ｗ２は、それ
ぞれ、 Ｌ１−２ｄ１≦Ｌ２≦Ｌ１＋２ｄ２ Ｗ１−２ｄ１≦Ｗ２≦Ｗ１＋２ｄ２ の範囲に収まることを特徴とする請求項４乃至６のいず
れかに記載の液晶装置。 - 【請求項８】 第１の基板の側に形成された第１の透明
電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極との
間で液晶層を挟持してなる液晶装置てあって、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成される
とともに、前記第１および第２の透明電極が平面的にみ
て互いに重なる画素領域に対応した開口領域を有する遮
光膜と を具備し、 前記遮光膜の開口領域は、前記第１および第２の透明電
極が平面的にみて互いに重なる画素領域に対し、当該画
素領域の端部から前記第１および第２の透明電極間の距
離の略半分までを限度として当該画素領域の外側に広く
なっている ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項９】 前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域に
おいて前記画素電極の外側に広くなった領域に対応する
位置に配置されていることを特徴とする請求項８に記載
の液晶装置。 - 【請求項１０】 前記遮光膜の開口領域において前記画
素領域の外側に広くなった領域は、斜め電界によって液
晶分子が駆動される領域である ことを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶装置。 - 【請求項１１】 第１の基板の側に形成された第１の透
明電極と第２の基板の側に形成された第２の透明電極と
の間で液晶層を挟持してなる液晶装置であって、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成され
て、少なくとも前記第１の基板側から入射する光を反射
する反射膜と、 前記第２の基板における前記液晶層側の面に形成される
とともに、前記第１および第２の透明電極が平面的にみ
て互いに重なる画素領域に対応した開口領域を有する遮
光膜と、 を具備し、 前記画素領域は矩形状の領域であり、 前記遮光膜の開口領域は、前記画素領域に対して、前記
液晶層における液晶分子のダイレクタ方向と直交する辺
の一方では、長さｄ１だけ前記画素領域の内側に狭くな
っており、それ以外の辺においては、長さｄ２だけ前記
画素領域の外側に広くなっている ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項１２】 前記反射膜が、前記遮光膜の開口領域
において前記長さｄ２だけ前記画素電極の外側に広くな
った領域に対応する位置に配置されていることを特徴と
する請求項１１に記載の液晶装置。 - 【請求項１３】 前記遮光膜の開口領域において前記長
さｄ２だけ前記画素領域の外側に広くなった領域は、斜
め電界によって液晶分子が駆動される領域であり、 前記遮光膜の開口領域において前記長さｄ１だけ前記画
素領域の内側に狭くなった領域は、斜め電界によって液
晶分子が駆動されない領域である ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液晶装
置。 - 【請求項１４】 前記遮光膜の開口領域内にあって、前
記反射膜に光を透過する第１の開口部を備える ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の
液晶装置。 - 【請求項１５】 前記反射膜と第２の基板における前記
液晶層側の面との間に第１の膜を、さらに備える ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の
液晶装置。 - 【請求項１６】 前記反射膜の表面を少なくとも覆う第
２の膜を、さらに備える ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の
液晶装置。 - 【請求項１７】 請求項１乃至１６のいずれかに記載の
液晶装置を備える ことを特徴とする電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20363599 | 1999-07-16 | ||
| JP11-203635 | 1999-07-16 | ||
| PCT/JP2000/004636 WO2001006308A1 (fr) | 1999-07-16 | 2000-07-11 | Afficheur a cristaux liquides, dispositif electronique et substrat d'afficheur a cristaux liquides |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001151029A Division JP3674537B2 (ja) | 1999-07-16 | 2001-05-21 | 液晶装置および電子機器 |
| JP2002277918A Division JP2003185999A (ja) | 1999-07-16 | 2002-09-24 | 液晶装置および電子機器 |
| JP2002277919A Division JP3963808B2 (ja) | 1999-07-16 | 2002-09-24 | 液晶装置、電子機器および液晶装置用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2001006308A1 JPWO2001006308A1 (ja) | 2003-02-12 |
| JP3379534B2 true JP3379534B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=16477322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001510886A Expired - Fee Related JP3379534B2 (ja) | 1999-07-16 | 2000-07-11 | 液晶装置および電子機器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6608660B1 (ja) |
| EP (1) | EP1122585B1 (ja) |
| JP (1) | JP3379534B2 (ja) |
| KR (1) | KR100417540B1 (ja) |
| CN (1) | CN1156732C (ja) |
| DE (1) | DE60039960D1 (ja) |
| TW (1) | TW548484B (ja) |
| WO (1) | WO2001006308A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3908552B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2007-04-25 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4583650B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2010-11-17 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | カラー液晶パネル、その製造方法及びカラー液晶表示装置 |
| JP4831450B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2011-12-07 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ |
| JP2002328396A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4831721B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2011-12-07 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5093709B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2012-12-12 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| FR2830660B1 (fr) | 2001-10-09 | 2003-12-12 | Commissariat Energie Atomique | Ecran plat a cristal liquide fonctionnant en mode reflectif et son procede de realisation |
| JP3674581B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2005-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板、その製造方法、液晶表示パネルおよび電子機器 |
| KR100829735B1 (ko) * | 2001-12-15 | 2008-05-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라 액정 표시장치 |
| TWI296062B (en) * | 2001-12-28 | 2008-04-21 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display device |
| JP3953320B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| TWI230304B (en) | 2002-03-04 | 2005-04-01 | Sanyo Electric Co | Display device with reflecting layer |
| JP3705229B2 (ja) | 2002-03-08 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法 |
| JP4117148B2 (ja) * | 2002-05-24 | 2008-07-16 | 日本電気株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
| JP2004061952A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP4797320B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2011-10-19 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子 |
| US7224426B2 (en) | 2002-07-31 | 2007-05-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Optical element |
| JP2004118039A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び電子機器 |
| US7301587B2 (en) * | 2003-02-28 | 2007-11-27 | Nec Corporation | Image display device and portable terminal device using the same |
| JP2005173037A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI226462B (en) | 2003-12-26 | 2005-01-11 | Au Optronics Corp | Color filter and fabricating method thereof |
| CN100510884C (zh) * | 2004-01-05 | 2009-07-08 | 友达光电股份有限公司 | 彩色滤光片及其制造方法 |
| JP2005196208A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルターパネル、これを有する表示装置、及びその製造方法 |
| JP4223992B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2009-02-12 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| US7379135B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-05-27 | Fujitsu Limited | Transflective liquid crystal display |
| KR101074412B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시소자 |
| KR101107269B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
| US7286192B2 (en) * | 2005-06-07 | 2007-10-23 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display |
| US7768604B2 (en) * | 2005-09-20 | 2010-08-03 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display with partially shifted reflectivity curve |
| US7683988B2 (en) * | 2006-05-10 | 2010-03-23 | Au Optronics | Transflective liquid crystal display with gamma harmonization |
| JP4658979B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2011-03-23 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2007140565A (ja) * | 2007-02-23 | 2007-06-07 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| CN101334558B (zh) * | 2007-06-29 | 2011-04-20 | 群康科技(深圳)有限公司 | 背光模组及液晶显示器 |
| JP5240694B2 (ja) * | 2010-08-02 | 2013-07-17 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | カラー液晶パネル、その製造方法及びカラー液晶表示装置 |
| CN103345884B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示装置及其制备方法 |
| KR20150005357A (ko) | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러필터 기판 및 그 제조방법과 이를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP6491825B2 (ja) * | 2014-05-28 | 2019-03-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| KR102342596B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102471130B1 (ko) * | 2016-02-17 | 2022-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102170123B1 (ko) * | 2016-12-14 | 2020-10-26 | 주식회사 엘지화학 | 차광막이 형성되어 있는 도파관 및 이의 제조방법 |
| CN106647001B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-05-10 | 惠科股份有限公司 | 液晶面板和液晶显示器 |
| CN106992268A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管器件及其制造方法、显示装置 |
| CN107300803A (zh) * | 2017-08-10 | 2017-10-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 半穿透半反射式液晶显示器 |
| KR102791249B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2025-04-08 | 현대자동차주식회사 | 투명도 가변 글래스 및 이의 제어 장치 |
| JP2023000275A (ja) * | 2021-06-17 | 2023-01-04 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
| IL309873B2 (en) | 2021-08-04 | 2025-04-01 | Kuraray Co | Polishing pad |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250416A (ja) | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Stanley Electric Co Ltd | Ｔｆｔ組込型カラ−液晶表示素子 |
| JPH06174916A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | カラ−フィルタおよびその製造方法 |
| CN1074136C (zh) * | 1993-06-07 | 2001-10-31 | 卡西欧计算机公司 | 液晶显示装置 |
| JP3049996B2 (ja) * | 1993-07-09 | 2000-06-05 | 凸版印刷株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH07181312A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Toshiba Corp | カラーフィルタおよびその基板回収装置 |
| JPH07191211A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法 |
| JP3469663B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2003-11-25 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3485997B2 (ja) | 1995-04-14 | 2004-01-13 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH0949906A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Toray Ind Inc | ブラックマトリクス基板、それを用いたマイクロレンズアレイシート、およびその製造方法 |
| WO1998023996A1 (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-04 | Philips Electronics N.V. | Reflective flat-panel display device |
| JP3482827B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2004-01-06 | 凸版印刷株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
| DE69810408T2 (de) | 1997-09-17 | 2003-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflektive Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| US6352804B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Black matrix of resin, method for producing the same, method for producing color filter using the same, and liquid crystal element produced by the same color filter production method |
-
2000
- 2000-06-21 TW TW089112227A patent/TW548484B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-07-11 WO PCT/JP2000/004636 patent/WO2001006308A1/ja not_active Ceased
- 2000-07-11 US US09/787,355 patent/US6608660B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-11 KR KR10-2001-7003279A patent/KR100417540B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-11 DE DE60039960T patent/DE60039960D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-11 EP EP00944403A patent/EP1122585B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-11 CN CNB008014191A patent/CN1156732C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-11 JP JP2001510886A patent/JP3379534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1122585A4 (en) | 2005-01-05 |
| EP1122585B1 (en) | 2008-08-20 |
| EP1122585A1 (en) | 2001-08-08 |
| KR20010075101A (ko) | 2001-08-09 |
| US6608660B1 (en) | 2003-08-19 |
| CN1156732C (zh) | 2004-07-07 |
| CN1318154A (zh) | 2001-10-17 |
| KR100417540B1 (ko) | 2004-02-05 |
| WO2001006308A1 (fr) | 2001-01-25 |
| TW548484B (en) | 2003-08-21 |
| DE60039960D1 (de) | 2008-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3379534B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JPWO2001006308A1 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP3324119B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| US6873383B1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| JP3987231B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3187385B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3777876B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3674537B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JPH11337931A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3690421B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP3963808B2 (ja) | 液晶装置、電子機器および液晶装置用基板 | |
| JP3867799B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP4106238B2 (ja) | 透過反射両用型表示装置用基板、透過反射両用型液晶表示装置及び電子機器 | |
| JP4306677B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2003185999A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP3120208B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| JP4582113B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP4042757B2 (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2001108818A (ja) | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶装置及び液晶装置の製造方法並びに電子機器 | |
| JP2000258773A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| JPH11119215A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| JP2001004984A (ja) | 液晶装置用基板、ならびにこれを用いた液晶装置、電子機器 | |
| JP2003315785A (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
| JPH11237624A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
| JP2000105367A (ja) | 液晶装置、その製造方法及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021112 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3379534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131213 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |