JP3376045B2 - 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 - Google Patents
走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法Info
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- JP3376045B2 JP3376045B2 JP27957593A JP27957593A JP3376045B2 JP 3376045 B2 JP3376045 B2 JP 3376045B2 JP 27957593 A JP27957593 A JP 27957593A JP 27957593 A JP27957593 A JP 27957593A JP 3376045 B2 JP3376045 B2 JP 3376045B2
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- exposure
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は走査型露光装置及び該走
査型露光装置を用いるデバイス製造方法に関し、特にＩ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶素子、磁気ヘッド及
びＣＣＤ（撮像素子）等のデバイスを製造するための走
査型露光装置及び該走査型露光装置を用いる各種デバイ
スの製造方法に関する。
査型露光装置を用いるデバイス製造方法に関し、特にＩ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体チップ、液晶素子、磁気ヘッド及
びＣＣＤ（撮像素子）等のデバイスを製造するための走
査型露光装置及び該走査型露光装置を用いる各種デバイ
スの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の半導体デバイス製造用の走
査型露光装置を示しており、この装置は、スリット状露
光光７１によりレチクル１０上を照明し、投影レンズ系
１５によりレチクル１０の回路パターン７０をウエハ１
４上に縮小投影し、レチクル１０及びウエハ１４を、各
々露光光７１と投影レンズ系１５に対し、投影レンス系
１５の縮小倍率と同じ速度比で図示されている様に各々
逆方向に走査することにより、レチクル１０全面のパタ
ーンをウエハ１４上の領域７２に転写する。
査型露光装置を示しており、この装置は、スリット状露
光光７１によりレチクル１０上を照明し、投影レンズ系
１５によりレチクル１０の回路パターン７０をウエハ１
４上に縮小投影し、レチクル１０及びウエハ１４を、各
々露光光７１と投影レンズ系１５に対し、投影レンス系
１５の縮小倍率と同じ速度比で図示されている様に各々
逆方向に走査することにより、レチクル１０全面のパタ
ーンをウエハ１４上の領域７２に転写する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この露光装置は、主に
露光の均一性を確保するためにレチクル１０とウエハ１
４の各々が一定速度に到達してから露光を開始する。
露光の均一性を確保するためにレチクル１０とウエハ１
４の各々が一定速度に到達してから露光を開始する。
【０００４】この様子をレチクル１０側を例にし、図７
を用いて以下に説明する。
を用いて以下に説明する。
【０００５】図７から解る様に、パターン７０上を完全
にスリット状露光光７１が走査するためには、パターン
７０の幅Ｌにスリット状の露光光７１の幅ｌ１を加えた
距離だけ走査すればよい。
にスリット状露光光７１が走査するためには、パターン
７０の幅Ｌにスリット状の露光光７１の幅ｌ１を加えた
距離だけ走査すればよい。
【０００６】しかし、この露光装置では、走査速度が一
定になってから露光を開始するようになっていたため、
加速及び減速のための余計なストロークｌ２，ｌ３を必
要とし、従って露光に余計な時間を費やしていた。
定になってから露光を開始するようになっていたため、
加速及び減速のための余計なストロークｌ２，ｌ３を必
要とし、従って露光に余計な時間を費やしていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、余計な
時間を短くすることができる走査型露光装置と該走査型
露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することにあ
る。
時間を短くすることができる走査型露光装置と該走査型
露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【０００９】本発明の形態は、露光光に対して原板と基
板を走査することにより前記原板のパターンで前記基板
を露光する走査型露光装置において、前記走査の加速時
及び／または減速時に前記基板を露光する露光手段を有
し、前記露光手段が、前記加速時及び／または減速時の
前記基板に対する露光量がほぼ一定になるように前記走
査の速度の変化に応じて前記原板面での前記露光光の強
度を変える強度変調手段を有することを特徴とする。さ
らに前記原板面での前記露光光の強度を検出する検出手
段を有することが好ましい。
板を走査することにより前記原板のパターンで前記基板
を露光する走査型露光装置において、前記走査の加速時
及び／または減速時に前記基板を露光する露光手段を有
し、前記露光手段が、前記加速時及び／または減速時の
前記基板に対する露光量がほぼ一定になるように前記走
査の速度の変化に応じて前記原板面での前記露光光の強
度を変える強度変調手段を有することを特徴とする。さ
らに前記原板面での前記露光光の強度を検出する検出手
段を有することが好ましい。
【００１０】本発明の走査型露光装置の形態において、
前記強度変調手段には、開口径が可変な絞り手段や、前
記露光光に対する傾き角が可変な干渉フィルターや、回
転方向に透過率が変化しているNDフィルタ回転板を備え
る形態がある。
前記強度変調手段には、開口径が可変な絞り手段や、前
記露光光に対する傾き角が可変な干渉フィルターや、回
転方向に透過率が変化しているNDフィルタ回転板を備え
る形態がある。
【００１１】本発明のデバイス製造方法は前記の走査型
露光装置を用いて原板のデバイスパターンでウエハを露
光する段階と該露光したウエハを現像する段階を含む。
露光装置を用いて原板のデバイスパターンでウエハを露
光する段階と該露光したウエハを現像する段階を含む。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるデバイス製造
用走査型露光装置の概略図を示しており、図１におい
て、１は露光光を発生する水銀灯ランプ、２は水銀灯ラ
ンプ１からの光を集光する楕円ミラー、３はコンデンサ
レンズ、４はコンデンサレンズ３により集光された光を
長方形に整形する光学系、５は回転方向に透過率が連続
的に変化しているＮＤフィルター回転板、６はＮＤフィ
ルター回転板５を回転させるモータ、７は光路を９０°
曲げる為の平面ミラー、８はレチクル面の照度を検出す
るホトセンサー、９はコンデンサレンズ、１０はレチク
ル、１１はレチクル１０を保持しているレチクルステー
ジ、１２はレチクルステージ１１を図示してある方向に
スキャン駆動をさせるリニアモータ、１３はレチクルス
テージ１１に固定されているバーミラー、１４はミラー
１３にレーザ光を当ててレチクルステージ１１の速度を
検出するレーザ干渉計、１５はレチクル１０上のデバイ
スパターンをウエハ１６上に縮小投影するための投影レ
ンズ系、１６はウエハ、１７はウエハ１６を保持してい
るウエハチャック、１８はウエハチャック１７を保持し
ているウエハステージ、１９はウエハステージ１８を図
示してある方向にスキャン駆動をさせるリニアモータ、
２０はウエハステージ１８に固定されているバーミラ
ー、２１はミラー２０にレーザ光を当ててウエハステー
ジ１８の速度を検出するレーザ干渉計、３０はレチクル
ステージ１１と、ウエハステージ１８の制御を行なうた
めのＣＰＵ、３１はＣＰＵ３０により実行されるプログ
ラムコードを記憶しているＲＯＭ、３２はＣＰＵ３０が
データの書き込みと読み出しに使用しているＲＡＭ，３
３はＣＰＵ３０からのレチクルステージ１１のスキャン
速度指令値を保持するためのメモリー３４はメモリー３
３からのデジタルデータをアナログデータに変換するＡ
Ｄコンバータ、３５はＡＤコンバータ３４からのアナロ
グ値をリニアモータ１２を駆動するために増幅するドラ
イバー、３６はＣＰＵ３０からのウエハステージ１８の
スキャン速度指令値を保持するためのメモリー、３７は
メモリー３６からのデジタルデータをアナログデータに
変換するＡＤコンバータ、３８はＡＤコンバータ３７か
らのアナログ値をリニアモータ１９を駆動するために増
幅するドライバー、３９はレチクルステージ１１側のレ
ーザ干渉計１４から出力されるスキャン速度に比例した
パルス列を積分カウントして位置情報にする為のカウン
タ、４０はウエハステージ１８側のレーザ干渉計２１か
ら出力されるスキャン速度に比例したパルス列を積分カ
ウントして位置情報にする為のカウンタ、４１はレチク
ル面照度を検出するホトセンサー８からの光電流信号を
電圧信号に変換する為の電流電圧変換器、４２は電流電
圧変換器４１の電圧出力信号をデジタルデータに変換す
るＡＤコンバータ、４４はＣＰＵ３０からのＮＤフィル
ター回転板５の位置（角度）指令値を保持するためのメ
モリー、４５はメモリー４４からのデジタルデータであ
る位置指令値をアナログデータに変換するＤＡコンバー
タ、４６はＤＡコンバータ４５からのアナログデータで
ある位置指令値を受け取り、その位置にＮＤフィルター
回転板を駆動するドライバ、４７はＣＰＵ３０からの水
銀灯ランプへの投入電力指令値を保持するためのメモリ
ー、４８はメモリー４７からのデジタルデータである水
銀灯ランプへの投入電力指令値をアナログデータに変換
するＤＡコンバータ、４９はＤＡコンバータ４８からの
アナログデータである投入電力指令値を受け取り、水銀
灯ランプ１をドライブする点灯装置電源である。
用走査型露光装置の概略図を示しており、図１におい
て、１は露光光を発生する水銀灯ランプ、２は水銀灯ラ
ンプ１からの光を集光する楕円ミラー、３はコンデンサ
レンズ、４はコンデンサレンズ３により集光された光を
長方形に整形する光学系、５は回転方向に透過率が連続
的に変化しているＮＤフィルター回転板、６はＮＤフィ
ルター回転板５を回転させるモータ、７は光路を９０°
曲げる為の平面ミラー、８はレチクル面の照度を検出す
るホトセンサー、９はコンデンサレンズ、１０はレチク
ル、１１はレチクル１０を保持しているレチクルステー
ジ、１２はレチクルステージ１１を図示してある方向に
スキャン駆動をさせるリニアモータ、１３はレチクルス
テージ１１に固定されているバーミラー、１４はミラー
１３にレーザ光を当ててレチクルステージ１１の速度を
検出するレーザ干渉計、１５はレチクル１０上のデバイ
スパターンをウエハ１６上に縮小投影するための投影レ
ンズ系、１６はウエハ、１７はウエハ１６を保持してい
るウエハチャック、１８はウエハチャック１７を保持し
ているウエハステージ、１９はウエハステージ１８を図
示してある方向にスキャン駆動をさせるリニアモータ、
２０はウエハステージ１８に固定されているバーミラ
ー、２１はミラー２０にレーザ光を当ててウエハステー
ジ１８の速度を検出するレーザ干渉計、３０はレチクル
ステージ１１と、ウエハステージ１８の制御を行なうた
めのＣＰＵ、３１はＣＰＵ３０により実行されるプログ
ラムコードを記憶しているＲＯＭ、３２はＣＰＵ３０が
データの書き込みと読み出しに使用しているＲＡＭ，３
３はＣＰＵ３０からのレチクルステージ１１のスキャン
速度指令値を保持するためのメモリー３４はメモリー３
３からのデジタルデータをアナログデータに変換するＡ
Ｄコンバータ、３５はＡＤコンバータ３４からのアナロ
グ値をリニアモータ１２を駆動するために増幅するドラ
イバー、３６はＣＰＵ３０からのウエハステージ１８の
スキャン速度指令値を保持するためのメモリー、３７は
メモリー３６からのデジタルデータをアナログデータに
変換するＡＤコンバータ、３８はＡＤコンバータ３７か
らのアナログ値をリニアモータ１９を駆動するために増
幅するドライバー、３９はレチクルステージ１１側のレ
ーザ干渉計１４から出力されるスキャン速度に比例した
パルス列を積分カウントして位置情報にする為のカウン
タ、４０はウエハステージ１８側のレーザ干渉計２１か
ら出力されるスキャン速度に比例したパルス列を積分カ
ウントして位置情報にする為のカウンタ、４１はレチク
ル面照度を検出するホトセンサー８からの光電流信号を
電圧信号に変換する為の電流電圧変換器、４２は電流電
圧変換器４１の電圧出力信号をデジタルデータに変換す
るＡＤコンバータ、４４はＣＰＵ３０からのＮＤフィル
ター回転板５の位置（角度）指令値を保持するためのメ
モリー、４５はメモリー４４からのデジタルデータであ
る位置指令値をアナログデータに変換するＤＡコンバー
タ、４６はＤＡコンバータ４５からのアナログデータで
ある位置指令値を受け取り、その位置にＮＤフィルター
回転板を駆動するドライバ、４７はＣＰＵ３０からの水
銀灯ランプへの投入電力指令値を保持するためのメモリ
ー、４８はメモリー４７からのデジタルデータである水
銀灯ランプへの投入電力指令値をアナログデータに変換
するＤＡコンバータ、４９はＤＡコンバータ４８からの
アナログデータである投入電力指令値を受け取り、水銀
灯ランプ１をドライブする点灯装置電源である。
【００１３】本実施例の露光装置は、レチクルステージ
１１とウエハステージ１８の位置が各々、レーザ干渉計
１４、２１からの各々速度に比例したパルス信号を位置
カウンタ３９、４０で積算カウントすることによりリア
ルタイムに計測可能なようになっている。走査露光時に
は、ＣＰＵ３０はＲＯＭ３１に予め書き込まれているプ
ログラムにより、レチクル１０とウエハ１６が予め決め
られた位置関係を保ちつつ投影レンズ系１５の倍率と同
一の速度比で互いに逆方向に駆動される。
１１とウエハステージ１８の位置が各々、レーザ干渉計
１４、２１からの各々速度に比例したパルス信号を位置
カウンタ３９、４０で積算カウントすることによりリア
ルタイムに計測可能なようになっている。走査露光時に
は、ＣＰＵ３０はＲＯＭ３１に予め書き込まれているプ
ログラムにより、レチクル１０とウエハ１６が予め決め
られた位置関係を保ちつつ投影レンズ系１５の倍率と同
一の速度比で互いに逆方向に駆動される。
【００１４】又、本露光装置では、走査露光中のレチク
ル面の照度をセンサ８により検出可能になっており、レ
チクル１０とウエハ１６のスキャンスピードが一定速度
の領域においては、常にレチクル面の照度が一定になる
様に、ＣＰＵ３０がＲＯＭ３１に予め書き込まれている
プログラムにより、水銀灯１に対する投入電力を、点灯
装置電源４９への投入電力指令値を制御することにより
制御する様にしている。
ル面の照度をセンサ８により検出可能になっており、レ
チクル１０とウエハ１６のスキャンスピードが一定速度
の領域においては、常にレチクル面の照度が一定になる
様に、ＣＰＵ３０がＲＯＭ３１に予め書き込まれている
プログラムにより、水銀灯１に対する投入電力を、点灯
装置電源４９への投入電力指令値を制御することにより
制御する様にしている。
【００１５】露光装置で特徴的なことは、回転方向に透
過率が連続的に変化しているようなＮＤフィルター回転
板５を照明系内に持っていることであり、このＮＤフィ
ルター回転板５は、レチクルステージ１１、ウエハステ
ージ１８のスキャン速度指令値を保持するためのメモリ
ー３３、３６に書き込まれるスキャン速度指令値に比例
したレチクル面の照度を達成する為、ＣＰＵ３０からレ
チクルステージ１１、ウエハステージ１８の位置に依存
したスキャン速度指令値がメモリー３３、３６に書き込
まれるのに同期して、ＣＰＵ３０からＮＤフィルター回
転板５の位置指令値がメモリー４４に書き込まれ、制御
される。この位置指令値はＤＡコンバータ４５によりア
ナログデータに変換されて、ＮＤフィルター回転板５を
駆動するドライバ４６に入力され、ドライバ４６は、Ｎ
Ｄフィルター回転板５を、回転可能に支持しているモー
タ６により指令位置に駆動し、走査における加速時及び
／又は減速時にもウエハ１６に対する露光量がほぼ一定
になるようにしている。
過率が連続的に変化しているようなＮＤフィルター回転
板５を照明系内に持っていることであり、このＮＤフィ
ルター回転板５は、レチクルステージ１１、ウエハステ
ージ１８のスキャン速度指令値を保持するためのメモリ
ー３３、３６に書き込まれるスキャン速度指令値に比例
したレチクル面の照度を達成する為、ＣＰＵ３０からレ
チクルステージ１１、ウエハステージ１８の位置に依存
したスキャン速度指令値がメモリー３３、３６に書き込
まれるのに同期して、ＣＰＵ３０からＮＤフィルター回
転板５の位置指令値がメモリー４４に書き込まれ、制御
される。この位置指令値はＤＡコンバータ４５によりア
ナログデータに変換されて、ＮＤフィルター回転板５を
駆動するドライバ４６に入力され、ドライバ４６は、Ｎ
Ｄフィルター回転板５を、回転可能に支持しているモー
タ６により指令位置に駆動し、走査における加速時及び
／又は減速時にもウエハ１６に対する露光量がほぼ一定
になるようにしている。
【００１６】露光装置では、まず走査露光の前に、ＮＤ
フィルター回転５を回転させて、透過率ほぼ１００％の
完全透光状態にし、センサ８でレチクル面の照度を検出
し、照度が所定の値になるように水銀灯ランプ１に対す
る投入電力を制御する。
フィルター回転５を回転させて、透過率ほぼ１００％の
完全透光状態にし、センサ８でレチクル面の照度を検出
し、照度が所定の値になるように水銀灯ランプ１に対す
る投入電力を制御する。
【００１７】次に、レチクル１０上のアライメントマー
クと、ウエハ１６上の複数のチップ上にあるアライメン
トマークの相対位置を走査露光時と同様の走査動作を実
行しながら、不図示のアライメントマーク検出系にて検
出する。この動作により、レチクル１０のパターンとウ
エハ１６上の各チップとの位置関係がわかり、レチクル
ステージ１１、ウエハステージ１８の走査露光時の相対
位置をどの様に制御すべきかが決まる。
クと、ウエハ１６上の複数のチップ上にあるアライメン
トマークの相対位置を走査露光時と同様の走査動作を実
行しながら、不図示のアライメントマーク検出系にて検
出する。この動作により、レチクル１０のパターンとウ
エハ１６上の各チップとの位置関係がわかり、レチクル
ステージ１１、ウエハステージ１８の走査露光時の相対
位置をどの様に制御すべきかが決まる。
【００１８】上記動作の後、レチクルステージ１１、ウ
エハステージ１８は上記動作により決めた相対位置関係
を保ちつつ、スキャン走査露光動作に入る。この際、従
来露光装置では、図７に示す様な加速ストローク１２が
必要であったものが、本発明のスキャンタイプの半導体
露光装置では、レチクル１１のパターン７０の直前から
走査露光を開始する。露光を開始する直前は、ＮＤフィ
ルター回転板５が完全遮光の状態になっており、露光が
パターン７０に領域にかかると、その時のレチクル１１
側のスキャンスピードに比例したレチクル面照度が達成
される様に、ＮＤフィルター回転板５を制御する。走査
露光の間、特に、加速時間、減速時間の間、レチクル面
照度を常時センサー８により検出しており、この検出さ
れたレチクル面照度が目標とするレチクル面照度と一致
しない場合には、ＮＤフィルター回転板５のさらなる補
正駆動を行なう。このレチクル面照度の制御は減速時に
も加速時と同様に行なわれ、１チップの走査露光が完了
する。さらに、この様な動作がウエハ１６上の全てのチ
ップについて行なわれ、１枚のウエハの処理が完了する
ことになる。
エハステージ１８は上記動作により決めた相対位置関係
を保ちつつ、スキャン走査露光動作に入る。この際、従
来露光装置では、図７に示す様な加速ストローク１２が
必要であったものが、本発明のスキャンタイプの半導体
露光装置では、レチクル１１のパターン７０の直前から
走査露光を開始する。露光を開始する直前は、ＮＤフィ
ルター回転板５が完全遮光の状態になっており、露光が
パターン７０に領域にかかると、その時のレチクル１１
側のスキャンスピードに比例したレチクル面照度が達成
される様に、ＮＤフィルター回転板５を制御する。走査
露光の間、特に、加速時間、減速時間の間、レチクル面
照度を常時センサー８により検出しており、この検出さ
れたレチクル面照度が目標とするレチクル面照度と一致
しない場合には、ＮＤフィルター回転板５のさらなる補
正駆動を行なう。このレチクル面照度の制御は減速時に
も加速時と同様に行なわれ、１チップの走査露光が完了
する。さらに、この様な動作がウエハ１６上の全てのチ
ップについて行なわれ、１枚のウエハの処理が完了する
ことになる。
【００１９】本実施例では、レチクル面の照度を制御す
る為に、露光光の強度を変調する手段としてＮＤフィル
ター回転板５を用いていたが、これ以外に図２に示すよ
うな光軸に対する角度を変化させることにより透過率が
連続的に可変な干渉フィルター７０や図３に示すような
光軸に対して開口部の大きさが連続的に可変な絞り、
又、上記レチクル面照度を制御する機構が露光量制御の
ためのシャター機能を併用する様な構成も実施可能であ
る。
る為に、露光光の強度を変調する手段としてＮＤフィル
ター回転板５を用いていたが、これ以外に図２に示すよ
うな光軸に対する角度を変化させることにより透過率が
連続的に可変な干渉フィルター７０や図３に示すような
光軸に対して開口部の大きさが連続的に可変な絞り、
又、上記レチクル面照度を制御する機構が露光量制御の
ためのシャター機能を併用する様な構成も実施可能であ
る。
【００２０】又投影レンズ系１５の代わりに、投影ミラ
ー系の様な投影光学系を用いてもよい。
ー系の様な投影光学系を用いてもよい。
【００２１】次に上記説明した走査型露光装置を利用し
たデバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは
液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップ
１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。
たデバイスの製造方法の実施例を説明する。図４は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは
液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステップ
１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハとを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程
を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２２】図５は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に多重
に回路パターンが形成される。
【００２３】本実施例の製造方法を用いれば、高いスル
ープットで高集積度の半導体デバイスを製造することが
できる。
ープットで高集積度の半導体デバイスを製造することが
できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の露光装置は、以下のような大き
な効果がある。
な効果がある。
【００２５】１．スキャン動作の加速時間及び／又は減
速時間を露光に有効に使用することが可能になり、スル
ープットの向上を達成可能である。
速時間を露光に有効に使用することが可能になり、スル
ープットの向上を達成可能である。
【００２６】２．スキャン動作時の助走区間及び／又は
オーバーラン区間を減らしたり失くしたりすることがで
きる。
オーバーラン区間を減らしたり失くしたりすることがで
きる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】強度変調手段の他の例を示す模式図である。
【図３】強度変調手段の他の例を示す模式図である。
【図４】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図５】図４のウエハプロセスを示す図である。
【図６】従来の走査型露光装置を示す図である。
【図７】図６の露光装置の走査露光の様子を示す説明図
である。
である。
１ 水銀灯ランプ
２ 楕円ミラー
３ コンデンサレンズ
４ 光学エレメント
５ ＮＤフィルター回転板
６ モータ
７ 平面ミラー
８ ホトセンサー
９ コンデンサレンズ
１０ レチクル
１１ レチクルステージ
１２ リニアモータ
１３ バーミラー
１４ レーザ干渉計
１５ 投影レンズ系
１６ ウエハ
１７ ウエハチャック
１８ ウエハステージ
１９ リニアモータ
２０ バーミラー
２１ レーザ干渉計
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03B 27/32
G03F 7/20 521
Claims (6)
- 【請求項１】 露光光に対して原板と基板を走査するこ
とにより前記原板のパターンで前記基板を露光する走査
型露光装置において、前記走査の加速時及び／または減
速時に前記基板を露光する露光手段を有し、前記露光手
段が、前記加速時及び／または減速時の前記基板に対す
る露光量がほぼ一定になるように前記走査の速度の変化
に応じて前記原板面での前記露光光の強度を変える強度
変調手段を有することを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項２】 さらに前記原板面での前記露光光の強度
を検出する検出手段を有することを特徴とする請求項１
に記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】 前記強度変調手段は、開口径が可変な絞
り手段を備えることを特徴とする請求項１または２に記
載の走査型露光装置。 - 【請求項４】 前記強度変調手段は、前記露光光に対す
る傾き角が可変な干渉フィルターを備えることを特徴と
する請求項１または２に記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】 前記強度変調手段は、回転方向に透過率
が変化しているNDフィルタ回転板を備えることを特徴と
する請求項１または２に記載の走査型露光装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項記
載の走査型露光装置を用いて原板のデバイスパターンで
ウエハを露光する段階と該露光したウエハを現像する段
階を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27957593A JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27957593A JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135158A JPH07135158A (ja) | 1995-05-23 |
| JP3376045B2 true JP3376045B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=17612897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27957593A Expired - Fee Related JP3376045B2 (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3376045B2 (ja) |
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| TWI628698B (zh) | 2003-10-28 | 2018-07-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
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| US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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-
1993
- 1993-11-09 JP JP27957593A patent/JP3376045B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07135158A (ja) | 1995-05-23 |
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