JP3285111B2 - 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JP3285111B2 JP3285111B2 JP30047994A JP30047994A JP3285111B2 JP 3285111 B2 JP3285111 B2 JP 3285111B2 JP 30047994 A JP30047994 A JP 30047994A JP 30047994 A JP30047994 A JP 30047994A JP 3285111 B2 JP3285111 B2 JP 3285111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- single crystal
- silicon
- silicon single
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶欠陥の少ないチョ
クラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶を、高
生産性で製造する方法に関する。
クラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶を、高
生産性で製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスに使用されるシリコン単
結晶ウェーハ上にパーティクルが付着すると、半導体デ
バイス製造時にパターン切れなどを引き起してしまう。
特に最先端のデバイス（64M DRAM）のパターン幅は 0.3
μｍと非常に微細であるため、このようなパターン形成
時には 0.1μｍのパーティクルの存在でもパターン切れ
等の異常を引き起こし、デバイス製造時の歩留りを著し
く低下させてしまう。従って、シリコンウェーハ上に付
着するパーティクルは極力減少させなければならない。
結晶ウェーハ上にパーティクルが付着すると、半導体デ
バイス製造時にパターン切れなどを引き起してしまう。
特に最先端のデバイス（64M DRAM）のパターン幅は 0.3
μｍと非常に微細であるため、このようなパターン形成
時には 0.1μｍのパーティクルの存在でもパターン切れ
等の異常を引き起こし、デバイス製造時の歩留りを著し
く低下させてしまう。従って、シリコンウェーハ上に付
着するパーティクルは極力減少させなければならない。
【０００３】このためシリコンウェーハ製造工程では、
パーティクルカウンターを使用してパーティクルの厳重
な管理（発生源の究明、洗浄効果のチェック、クリーン
ルームのレベル管理、最終製品の出荷前検査等）が行わ
れている。
パーティクルカウンターを使用してパーティクルの厳重
な管理（発生源の究明、洗浄効果のチェック、クリーン
ルームのレベル管理、最終製品の出荷前検査等）が行わ
れている。
【０００４】従来のパーティクルカウンターの測定方式
は、例えばウェーハに10〜 100μｍ程度のレーザースポ
ットを照射し、ウェーハ表面上のパーティクルによる微
弱な散乱光を、多数の光ファイバや積分球で有効に集光
し、光電素子で電気信号に変換するというものである。
従って、従来のパーティクルカウンターはウェーハ表面
での光の散乱が起った点（輝点）の数をカウントしてい
ることになる。
は、例えばウェーハに10〜 100μｍ程度のレーザースポ
ットを照射し、ウェーハ表面上のパーティクルによる微
弱な散乱光を、多数の光ファイバや積分球で有効に集光
し、光電素子で電気信号に変換するというものである。
従って、従来のパーティクルカウンターはウェーハ表面
での光の散乱が起った点（輝点）の数をカウントしてい
ることになる。
【０００５】ところで、シリコン単結晶成長中には微細
な結晶欠陥（ＣＯＰ）が発生し、結晶冷却中に消滅しな
いで、そのまま加工製造されたウェーハ中に残存する。
このウェーハをパーティクル除去のため一般に行われる
アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ
2 ）の混合液中で洗浄すると、結晶欠陥部はエッチング
速度が早いため、ウェーハ表面に窪み（ピット）が形成
されることになる。（かかるピットをＣＯＰと称してい
る。）
な結晶欠陥（ＣＯＰ）が発生し、結晶冷却中に消滅しな
いで、そのまま加工製造されたウェーハ中に残存する。
このウェーハをパーティクル除去のため一般に行われる
アンモニア水（ＮＨ4 ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ
2 ）の混合液中で洗浄すると、結晶欠陥部はエッチング
速度が早いため、ウェーハ表面に窪み（ピット）が形成
されることになる。（かかるピットをＣＯＰと称してい
る。）
【０００６】このようなシリコンウェーハを前記パーテ
ィクルカウンターでパーティクル数を測定すると、ウェ
ーハ表面付着パーティクルのみならず、かかるピットに
よる光の散乱をも検出してしまい、真のパーティクル数
が求められないという欠点があった。
ィクルカウンターでパーティクル数を測定すると、ウェ
ーハ表面付着パーティクルのみならず、かかるピットに
よる光の散乱をも検出してしまい、真のパーティクル数
が求められないという欠点があった。
【０００７】特に、ＣＺ法により引き上げられたシリコ
ン単結晶から製造されるウェーハは、浮遊帯溶融法（Ｆ
Ｚ法）によるシリコン単結晶から製造されたウェーハ
や、ＣＺ法によるウェーハ上にシリコン単結晶薄膜を成
長させたエピタキシャルウェーハに比べて、著しくこの
ＣＯＰが多いことが知られている。
ン単結晶から製造されるウェーハは、浮遊帯溶融法（Ｆ
Ｚ法）によるシリコン単結晶から製造されたウェーハ
や、ＣＺ法によるウェーハ上にシリコン単結晶薄膜を成
長させたエピタキシャルウェーハに比べて、著しくこの
ＣＯＰが多いことが知られている。
【０００８】一方、ＣＺ法において、シリコン単結晶育
成時に導入される結晶欠陥（ＣＯＰ）を減少させるため
には、結晶成長速度を極端に低下（例えば 0.4mm/min以
下）させれば、著しく改善できることも知られている
（例えば、特開平2-267195号公報参照）。しかし、ＣＯ
Ｐを改善するために、単に結晶成長速度を従来の１mm/m
in以上から、 0.4mm/min以下に低下させたのでは、ＣＯ
Ｐは改善できるものの、単結晶の生産性が半分以下とな
り、著しいコストの上昇をもたらしてしまう。
成時に導入される結晶欠陥（ＣＯＰ）を減少させるため
には、結晶成長速度を極端に低下（例えば 0.4mm/min以
下）させれば、著しく改善できることも知られている
（例えば、特開平2-267195号公報参照）。しかし、ＣＯ
Ｐを改善するために、単に結晶成長速度を従来の１mm/m
in以上から、 0.4mm/min以下に低下させたのでは、ＣＯ
Ｐは改善できるものの、単結晶の生産性が半分以下とな
り、著しいコストの上昇をもたらしてしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点に鑑みなされたもので、ＣＺ法によって結晶欠陥
（ＣＯＰ）の少ない直径６インチのシリコン単結晶を、
高生産性で得ることを目的とする。
問題点に鑑みなされたもので、ＣＺ法によって結晶欠陥
（ＣＯＰ）の少ない直径６インチのシリコン単結晶を、
高生産性で得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＣＺ法に
よって、シリコン単結晶成長時にその成長単結晶が受け
た熱履歴と、導入された結晶欠陥との関係を種々、調査
し検討した結果本発明を完成させたもので、その主な要
旨とするところは、ＣＺ法によって直径６インチのシリ
コン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコ
ン単結晶が結晶成長時に１２００℃から１０００℃まで
の低温域を通過する時間が１３０分以下となるようにす
る、またさらにシリコンの融点から１２００℃までの高
温域を通過する時間が２００分未満であることを特徴と
する、シリコン単結晶の製造方法である。
よって、シリコン単結晶成長時にその成長単結晶が受け
た熱履歴と、導入された結晶欠陥との関係を種々、調査
し検討した結果本発明を完成させたもので、その主な要
旨とするところは、ＣＺ法によって直径６インチのシリ
コン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコ
ン単結晶が結晶成長時に１２００℃から１０００℃まで
の低温域を通過する時間が１３０分以下となるようにす
る、またさらにシリコンの融点から１２００℃までの高
温域を通過する時間が２００分未満であることを特徴と
する、シリコン単結晶の製造方法である。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明するが、説明に
先立ち各用語につき予め解説しておく。 1) ＳＣ−１洗浄とは、アンモニアと過酸化水素の混合
液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)で有機物とパーティクルを除
去する洗浄のことをいう。特にパーティクルの除去能力
が高い。 2) ＣＯＰ[Crystal Originated Particle] とは、研磨
後のシリコンウェーハをＳＣ−１洗浄すると、ウェーハ
表面にピットが形成され、このウェーハをパーティクル
カウンターで測定すると、ピットも本来のパーティクル
とともにパーティクルとして検出される。この様なピッ
トを本来のパーティクルと区別するためにＣＯＰと呼称
する。一般に、ＣＯＰが増加すると、酸化膜耐圧は劣化
することが知られている（「半導体メーカーのウェーハ
洗浄仕様と問題点」 ＵＬＳＩ生産技術緊急レポート編
集委員会編、 P58〜70、1993年12月20日第１版第１刷発
行参照）。またこのような現象があるため、従来のＣＺ
法によるシリコンウェーハは、デバイス工程等で使用さ
れるパーティクルモニター用のウェーハ（真のパーティ
クル数を知るためのウェーハ）としては、用いることが
できなかった。
先立ち各用語につき予め解説しておく。 1) ＳＣ−１洗浄とは、アンモニアと過酸化水素の混合
液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)で有機物とパーティクルを除
去する洗浄のことをいう。特にパーティクルの除去能力
が高い。 2) ＣＯＰ[Crystal Originated Particle] とは、研磨
後のシリコンウェーハをＳＣ−１洗浄すると、ウェーハ
表面にピットが形成され、このウェーハをパーティクル
カウンターで測定すると、ピットも本来のパーティクル
とともにパーティクルとして検出される。この様なピッ
トを本来のパーティクルと区別するためにＣＯＰと呼称
する。一般に、ＣＯＰが増加すると、酸化膜耐圧は劣化
することが知られている（「半導体メーカーのウェーハ
洗浄仕様と問題点」 ＵＬＳＩ生産技術緊急レポート編
集委員会編、 P58〜70、1993年12月20日第１版第１刷発
行参照）。またこのような現象があるため、従来のＣＺ
法によるシリコンウェーハは、デバイス工程等で使用さ
れるパーティクルモニター用のウェーハ（真のパーティ
クル数を知るためのウェーハ）としては、用いることが
できなかった。
【００１２】本発明者らは、低速成長させると何故、Ｃ
ＯＰが減少するのかを解明すべく、結晶成長時に成長速
度を高速から低速に急変させてみたところ、ＣＯＰは成
長速度変化点からではなく、その約８cm上部（既成長
部）から密度低下していることが判った。このことは、
結晶欠陥消滅過程として、シリコンの融点から約 1,200
℃までの高温域が影響していることを示唆する。
ＯＰが減少するのかを解明すべく、結晶成長時に成長速
度を高速から低速に急変させてみたところ、ＣＯＰは成
長速度変化点からではなく、その約８cm上部（既成長
部）から密度低下していることが判った。このことは、
結晶欠陥消滅過程として、シリコンの融点から約 1,200
℃までの高温域が影響していることを示唆する。
【００１３】そこで、シリコン単結晶が結晶成長時に、
シリコンの融点から 1,200℃までの高温域を通過するの
に要する時間とＣＯＰとの相関を、各種温度分布を持っ
た引き上げ炉ごとに調査したところ、この高温域通過時
間が 200分未満だとＣＯＰが急激に増加することがわか
った。従って、ＣＯＰを減少させ、結晶欠陥の少ないＣ
Ｚ法によるシリコン単結晶を得るには、結晶成長時にシ
リコンの融点から 1,200℃までの高温域を通過する時間
が 200分以上となるようにする必要があることが判っ
た。
シリコンの融点から 1,200℃までの高温域を通過するの
に要する時間とＣＯＰとの相関を、各種温度分布を持っ
た引き上げ炉ごとに調査したところ、この高温域通過時
間が 200分未満だとＣＯＰが急激に増加することがわか
った。従って、ＣＯＰを減少させ、結晶欠陥の少ないＣ
Ｚ法によるシリコン単結晶を得るには、結晶成長時にシ
リコンの融点から 1,200℃までの高温域を通過する時間
が 200分以上となるようにする必要があることが判っ
た。
【００１４】そして、結晶成長時にこの高温域を通過す
る時間を 200分以上とするには、結晶成長速度を極低速
（0.4mm/min 以下）とすればよいが、それでは前記のよ
うに、生産性が著しく低下し、本発明の目的を達し得な
い。そこで、炉内構造を例えば図１（ｂ）のように断熱
材を上部に伸ばし上部保温型とし、シリコンの融点から
1,200℃までの高温域を上部に拡張することによって、
成長シリコン単結晶がこれを通過する時間を 200分以上
となるようにした。
る時間を 200分以上とするには、結晶成長速度を極低速
（0.4mm/min 以下）とすればよいが、それでは前記のよ
うに、生産性が著しく低下し、本発明の目的を達し得な
い。そこで、炉内構造を例えば図１（ｂ）のように断熱
材を上部に伸ばし上部保温型とし、シリコンの融点から
1,200℃までの高温域を上部に拡張することによって、
成長シリコン単結晶がこれを通過する時間を 200分以上
となるようにした。
【００１５】しかし、このような上部保温型の炉から引
き上げられたシリコン単結晶は0.16μｍ以下の微小サイ
ズのＣＯＰは、従来法（図１(a) ）に比べ半分に減少さ
せることが出来たものの低速成長させた時ほど減少せ
ず、その上0.16μｍ以上の大きいサイズのＣＯＰは、従
来法より増加する傾向が見られた（図３III 参照）。こ
の現象を解析する為、実際に結晶が成長した際の結晶温
度を調査したところ、上部保温型（以下、徐冷品とい
う）でも図２曲線(III) のように、シリコンの融点から
1,200℃までの高温域を通過する時間は、企図した通り
低速品と同様 200分以上となっているにもかかわらず、
上記結果となっていることが判った。従って、ＣＯＰを
低速品並に減少させるためには、高温域の制御のみでは
不可能であることが判明した。
き上げられたシリコン単結晶は0.16μｍ以下の微小サイ
ズのＣＯＰは、従来法（図１(a) ）に比べ半分に減少さ
せることが出来たものの低速成長させた時ほど減少せ
ず、その上0.16μｍ以上の大きいサイズのＣＯＰは、従
来法より増加する傾向が見られた（図３III 参照）。こ
の現象を解析する為、実際に結晶が成長した際の結晶温
度を調査したところ、上部保温型（以下、徐冷品とい
う）でも図２曲線(III) のように、シリコンの融点から
1,200℃までの高温域を通過する時間は、企図した通り
低速品と同様 200分以上となっているにもかかわらず、
上記結果となっていることが判った。従って、ＣＯＰを
低速品並に減少させるためには、高温域の制御のみでは
不可能であることが判明した。
【００１６】そこで、低温域に着目して図２の結晶冷却
曲線をみると、徐冷品は 1,200℃から 1,000℃程度まで
の低温域の通過時間は、従来品（急冷品：曲線Ｉ）より
長い時間を経ているが、ＣＯＰ密度が極端に少ない低速
品（曲線II）は、更に長い時間を経て、低温域を通過し
ていることが判る。
曲線をみると、徐冷品は 1,200℃から 1,000℃程度まで
の低温域の通過時間は、従来品（急冷品：曲線Ｉ）より
長い時間を経ているが、ＣＯＰ密度が極端に少ない低速
品（曲線II）は、更に長い時間を経て、低温域を通過し
ていることが判る。
【００１７】これらのことから、低速品でＣＯＰ密度が
極端に低い理由は、 1,200℃以上の高温域を長く通過し
た為に、ＣＯＰの核となる点欠陥そのものが消滅作用を
受け、次に 1,000℃程度までの低温域を長い時間通過し
た為に、酸素等と反応し、成長・凝集して密度低下した
のではないかと推察された。実際、低速品では直径20μ
ｍ程度の巨大なピットが観察されるが、その密度は 100
ケ/cm2以下と非常に少ない。したがって、ＣＯＰといっ
た結晶欠陥は、およそ 1,200℃以上の高温域では点欠陥
の状態にあり、最近学会等で報告されている坂道拡散、
あるいは点欠陥同士の過飽和度に応じて生じる対消滅反
応により消滅過程を経た後、 1,200℃から 1,000℃程度
の低温域で、酸素等の不純物と絡んだ欠陥成長により巨
大な欠陥を形成するものと考えられる（Jpn. J. Appl.
Phys. Vol.32(1993) P1740〜1758, J.Eectorochem. So
c. Vol.140 No.11 November 1993 P3306〜3316参照）。
すなわち、低速品のＣＯＰが極端に少ないのは、パーテ
ィクルカウンターでＣＯＰとして検出される 0.2μｍ以
下のサイズのピットが少ないと言うだけであって、それ
らが凝集・成長してより大きなピットを形成しているの
である。
極端に低い理由は、 1,200℃以上の高温域を長く通過し
た為に、ＣＯＰの核となる点欠陥そのものが消滅作用を
受け、次に 1,000℃程度までの低温域を長い時間通過し
た為に、酸素等と反応し、成長・凝集して密度低下した
のではないかと推察された。実際、低速品では直径20μ
ｍ程度の巨大なピットが観察されるが、その密度は 100
ケ/cm2以下と非常に少ない。したがって、ＣＯＰといっ
た結晶欠陥は、およそ 1,200℃以上の高温域では点欠陥
の状態にあり、最近学会等で報告されている坂道拡散、
あるいは点欠陥同士の過飽和度に応じて生じる対消滅反
応により消滅過程を経た後、 1,200℃から 1,000℃程度
の低温域で、酸素等の不純物と絡んだ欠陥成長により巨
大な欠陥を形成するものと考えられる（Jpn. J. Appl.
Phys. Vol.32(1993) P1740〜1758, J.Eectorochem. So
c. Vol.140 No.11 November 1993 P3306〜3316参照）。
すなわち、低速品のＣＯＰが極端に少ないのは、パーテ
ィクルカウンターでＣＯＰとして検出される 0.2μｍ以
下のサイズのピットが少ないと言うだけであって、それ
らが凝集・成長してより大きなピットを形成しているの
である。
【００１８】そこで、本発明者らは、シリコンの融点か
ら 1,200℃までの高温域の通過時間は低速品と同様 200
分以上とすることによって、ＣＯＰの核となる点欠陥そ
のものの消滅作用を行い（この点は徐冷品も同様）、そ
の後 1,200℃から 1,000℃までの低温域の通過時間を 1
50分以下として、従来品と同様急冷却すれば、酸素等と
絡んだ欠陥成長が起こらず、ＣＯＰ特に巨大なピットの
ない結晶を成長させることが出来ることを見出し先に提
案した（特願平6-134274）。この発明における結晶の冷
却過程は、図２曲線IVのごときであり、その結晶成長速
度は従来品に対し、同じか約１割程度の低下がある。
ら 1,200℃までの高温域の通過時間は低速品と同様 200
分以上とすることによって、ＣＯＰの核となる点欠陥そ
のものの消滅作用を行い（この点は徐冷品も同様）、そ
の後 1,200℃から 1,000℃までの低温域の通過時間を 1
50分以下として、従来品と同様急冷却すれば、酸素等と
絡んだ欠陥成長が起こらず、ＣＯＰ特に巨大なピットの
ない結晶を成長させることが出来ることを見出し先に提
案した（特願平6-134274）。この発明における結晶の冷
却過程は、図２曲線IVのごときであり、その結晶成長速
度は従来品に対し、同じか約１割程度の低下がある。
【００１９】そこで本発明においては、上記先に提案し
た発明の結果から低温域を急冷却すれば、欠陥成長が抑
制される事が判明したため、従来品に比し更に低温域を
急冷却（１２００℃から１０００℃までの低温域の通過
時間を１３０分以下とする超急冷却）すれば、例え高温
域通過時間の不足（２００分未満）により点欠陥の消滅
効果が薄れても、その後の欠陥成長あるいは凝集過程を
略完全に抑制できることを見出し、本発明を完成させ
た。本発明における結晶の冷却過程は、図２曲線Ｖのご
ときであり、その結晶成長速度は従来品（急冷品、図３
のＩ）に対し、同じか約１〜２割程度の向上がはかられ
た。従って、従来品に対し、ＣＯＰを大幅に改善できる
とともに、生産性の向上もできる。
た発明の結果から低温域を急冷却すれば、欠陥成長が抑
制される事が判明したため、従来品に比し更に低温域を
急冷却（１２００℃から１０００℃までの低温域の通過
時間を１３０分以下とする超急冷却）すれば、例え高温
域通過時間の不足（２００分未満）により点欠陥の消滅
効果が薄れても、その後の欠陥成長あるいは凝集過程を
略完全に抑制できることを見出し、本発明を完成させ
た。本発明における結晶の冷却過程は、図２曲線Ｖのご
ときであり、その結晶成長速度は従来品（急冷品、図３
のＩ）に対し、同じか約１〜２割程度の向上がはかられ
た。従って、従来品に対し、ＣＯＰを大幅に改善できる
とともに、生産性の向上もできる。
【００２０】ＣＺ法によってシリコン単結晶を製造する
場合においては、結晶温度はシリコンの融点である約
1,412℃から室温に至るまで徐々に冷却される。この温
度分布は炉内に設置されたカーボンを主体とする構造物
の形状・位置により変更が可能である為、本発明は、例
えば図１（ｄ）のように炉内構造を変更することで実施
が可能である。炉内構造の変更方法は、種々の態様が考
えられ、図１（ｄ）の態様に限られず、種々置換が可能
である。要するに結晶冷却過程が図２曲線Ｖのごときに
なっていればよい。
場合においては、結晶温度はシリコンの融点である約
1,412℃から室温に至るまで徐々に冷却される。この温
度分布は炉内に設置されたカーボンを主体とする構造物
の形状・位置により変更が可能である為、本発明は、例
えば図１（ｄ）のように炉内構造を変更することで実施
が可能である。炉内構造の変更方法は、種々の態様が考
えられ、図１（ｄ）の態様に限られず、種々置換が可能
である。要するに結晶冷却過程が図２曲線Ｖのごときに
なっていればよい。
【００２１】
【作用】本発明では、例えシリコンの融点から 1,200℃
までの高温域通過時間が200 分未満で点欠陥の消滅効果
が少なくとも、1200℃から1000℃までの低温域の通過時
間を 130分以下と短くして結晶を超急冷却するので、そ
の後の欠陥成長あるいは凝集過程を略完全に抑制するこ
とができる。
までの高温域通過時間が200 分未満で点欠陥の消滅効果
が少なくとも、1200℃から1000℃までの低温域の通過時
間を 130分以下と短くして結晶を超急冷却するので、そ
の後の欠陥成長あるいは凝集過程を略完全に抑制するこ
とができる。
【００２２】
（実施例１、比較例１〜４）ＣＺ法で18”φ石英ルツボ
に、原料多結晶シリコン50kgをチャージし、６”φ，方
位〈１００〉の結晶を、５つの態様で引き上げた。これ
らの炉内構造、結晶冷却過程の関係は表１に示した通り
であり、（Ｉ）従来法による急冷品（比較例１）、（I
I）急冷品と同じ炉内構造による低速品、成長速度 0.4m
m/min（比較例２）、(III) シリコンの融点から 1,000
℃まで徐冷された徐冷品（比較例３）、（IV）シリコン
の融点から 1,200℃までは徐冷、 1,200℃から 1,000℃
までは急冷（比較例４）、（Ｖ）1200℃から1000℃まで
の通過時間を 130分以下と超急冷却した本発明（実施例
１）である。
に、原料多結晶シリコン50kgをチャージし、６”φ，方
位〈１００〉の結晶を、５つの態様で引き上げた。これ
らの炉内構造、結晶冷却過程の関係は表１に示した通り
であり、（Ｉ）従来法による急冷品（比較例１）、（I
I）急冷品と同じ炉内構造による低速品、成長速度 0.4m
m/min（比較例２）、(III) シリコンの融点から 1,000
℃まで徐冷された徐冷品（比較例３）、（IV）シリコン
の融点から 1,200℃までは徐冷、 1,200℃から 1,000℃
までは急冷（比較例４）、（Ｖ）1200℃から1000℃まで
の通過時間を 130分以下と超急冷却した本発明（実施例
１）である。
【００２３】
【表１】
【００２４】結晶成長後、ＰＷ加工（鏡面研磨）を施し
た後、液組成がNH4OH:H2O2:H2O=1:1:5なるＳＣ−１洗浄
液にて、液温度を77℃に保ちながら洗浄を行った。その
後、パーティクル測定器ＬＳ−6030にてパーティクル数
をカウントした。尚、外因性のパーティクルと区別する
為、ＳＣ−１洗浄及びパーティクル測定は５回繰り返し
て行った。結果を図３にＳＣ−１洗浄を５回繰り返し行
った後のＣＯＰサイズ分布ごとに示した。（Ｉ）は、
1,200℃以上の高温域は急冷である為、欠陥核密度は高
いが、 1,200℃以下でも急冷である為、成長過程を経
ず、0.10から0.16μｍの小さいサイズのＣＯＰのみ多い
結果となっている。（II）は、 1,200℃以上の高温域は
徐冷型である為、欠陥核密度は低いと考えられるが、
1,200℃以下の低温域で極端に徐冷型である為、欠陥が
成長・凝集し巨大化しており、ＣＯＰとしてカウントさ
れなくなっていると考えられる。(III) は、（II）と同
様、 1,200℃以上の高温域は徐冷型である為、欠陥核密
度は低いと考えられる。 1,200℃以下の低温域は低速品
程ではないが、徐冷型となっている為、ＣＯＰサイズ分
布に見られるような急冷品（Ｉ）に対しサイズアップ傾
向が生じたものと考えられる。（IV）では、 1,200℃以
上の高温域による点欠陥消滅過程を経ており、尚かつ、
1,200℃から 1,000℃程度までの低温域での欠陥成長過
程を経ていない為に、低速品以上のＣＯＰ低減を可能と
したものと考えられる。ただし、（IV）の結晶成長速度
は（Ｉ）に比べ約１割程度低下した。（Ｖ）では、1200
℃以上の高温域による点欠陥消滅過程の不足により、
（IV）よりＣＯＰは増加傾向が見られるものの、従来の
（Ｉ）に比べ顕著な改善効果が認められる。また（Ｖ）
の結晶成長速度は（Ｉ）に比べ約１〜２割程度向上し
た。
た後、液組成がNH4OH:H2O2:H2O=1:1:5なるＳＣ−１洗浄
液にて、液温度を77℃に保ちながら洗浄を行った。その
後、パーティクル測定器ＬＳ−6030にてパーティクル数
をカウントした。尚、外因性のパーティクルと区別する
為、ＳＣ−１洗浄及びパーティクル測定は５回繰り返し
て行った。結果を図３にＳＣ−１洗浄を５回繰り返し行
った後のＣＯＰサイズ分布ごとに示した。（Ｉ）は、
1,200℃以上の高温域は急冷である為、欠陥核密度は高
いが、 1,200℃以下でも急冷である為、成長過程を経
ず、0.10から0.16μｍの小さいサイズのＣＯＰのみ多い
結果となっている。（II）は、 1,200℃以上の高温域は
徐冷型である為、欠陥核密度は低いと考えられるが、
1,200℃以下の低温域で極端に徐冷型である為、欠陥が
成長・凝集し巨大化しており、ＣＯＰとしてカウントさ
れなくなっていると考えられる。(III) は、（II）と同
様、 1,200℃以上の高温域は徐冷型である為、欠陥核密
度は低いと考えられる。 1,200℃以下の低温域は低速品
程ではないが、徐冷型となっている為、ＣＯＰサイズ分
布に見られるような急冷品（Ｉ）に対しサイズアップ傾
向が生じたものと考えられる。（IV）では、 1,200℃以
上の高温域による点欠陥消滅過程を経ており、尚かつ、
1,200℃から 1,000℃程度までの低温域での欠陥成長過
程を経ていない為に、低速品以上のＣＯＰ低減を可能と
したものと考えられる。ただし、（IV）の結晶成長速度
は（Ｉ）に比べ約１割程度低下した。（Ｖ）では、1200
℃以上の高温域による点欠陥消滅過程の不足により、
（IV）よりＣＯＰは増加傾向が見られるものの、従来の
（Ｉ）に比べ顕著な改善効果が認められる。また（Ｖ）
の結晶成長速度は（Ｉ）に比べ約１〜２割程度向上し
た。
【００２５】
【発明の効果】本発明によって、ＣＺ法によって製造さ
れるシリコン単結晶のＣＯＰを減少させることを、従来
に比し同等以上の結晶成長速度で行うことができる。し
かも、得られるシリコン単結晶には、結晶成長速度を低
下させたもののごとき巨大なピットを持つこともない。
従って、結晶欠陥の少ない高品質のシリコン単結晶を高
生産性で得ることができる。また、ＣＯＰが少ないた
め、従来ＣＺ法では作製困難であった、パーティクルモ
ニター用のシリコンウェーハも、本発明によって供給が
可能となる。よって、従来コスト並もしくはそれ以下
で、良質のＣＺ法によるシリコン単結晶を提供すること
ができ、産業界でのその利用価値はすこぶる高い。
れるシリコン単結晶のＣＯＰを減少させることを、従来
に比し同等以上の結晶成長速度で行うことができる。し
かも、得られるシリコン単結晶には、結晶成長速度を低
下させたもののごとき巨大なピットを持つこともない。
従って、結晶欠陥の少ない高品質のシリコン単結晶を高
生産性で得ることができる。また、ＣＯＰが少ないた
め、従来ＣＺ法では作製困難であった、パーティクルモ
ニター用のシリコンウェーハも、本発明によって供給が
可能となる。よって、従来コスト並もしくはそれ以下
で、良質のＣＺ法によるシリコン単結晶を提供すること
ができ、産業界でのその利用価値はすこぶる高い。
【図１】（ａ）従来法による急冷品の炉内構造を示した
概略断面図である。 （ｂ）上部保温型による徐冷品の炉内構造を示した概略
断面図である。 （ｃ）先に提案した発明を実施する場合の炉内構造の一
例を示した概略断面図である。（高温徐冷＋低温急冷却
型） （ｄ）本発明を実施する場合の炉内構造の一例を示した
概略断面図である。（超急冷型）
概略断面図である。 （ｂ）上部保温型による徐冷品の炉内構造を示した概略
断面図である。 （ｃ）先に提案した発明を実施する場合の炉内構造の一
例を示した概略断面図である。（高温徐冷＋低温急冷却
型） （ｄ）本発明を実施する場合の炉内構造の一例を示した
概略断面図である。（超急冷型）
【図２】各炉内構造に対する結晶冷却過程を示した図で
ある。
ある。
【図３】各結晶冷却過程に対する、ＣＯＰの結果を示し
た図である。
た図である。
１…チャンバー ２…シリコン単結晶 ３…ルツボ ４…カーボンヒーター ５…断熱材 ６…上部伸長断熱材 ７…本発明用断熱材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山岸 浩利 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 半導体株式会社 半導体磯部研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−176197（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−223893（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−206591（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−275598（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−2993（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208 ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法によって直径６イン
チのシリコン単結晶を製造する場合において、育成され
るシリコン単結晶が結晶成長時に１２００℃から１００
０℃までの低温域を通過する時間が１３０分以下となる
ようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方
法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法によって直径６イン
チのシリコン単結晶を製造する場合において、育成され
るシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から１
２００℃までの高温域を通過する時間が２００分未満で
あり、１２００℃から１０００℃までの低温域を通過す
る時間が１３０分以下となるようにすることを特徴とす
る、シリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047994A JP3285111B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 |
| DE69508358T DE69508358T2 (de) | 1994-12-05 | 1995-11-29 | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalles mit verringerten Kristalldefekten |
| EP95118734A EP0716168B1 (en) | 1994-12-05 | 1995-11-29 | Method for the preparation of a single crystal of silicon with decreased crystal defects |
| US08/565,100 US5667584A (en) | 1994-12-05 | 1995-11-30 | Method for the preparation of a single crystal of silicon with decreased crystal defects |
| KR1019950046896A KR100362021B1 (ko) | 1994-12-05 | 1995-12-05 | 결정결함이적은실리콘단결정의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047994A JP3285111B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08157293A JPH08157293A (ja) | 1996-06-18 |
| JP3285111B2 true JP3285111B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=17885301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30047994A Expired - Lifetime JP3285111B2 (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5667584A (ja) |
| EP (1) | EP0716168B1 (ja) |
| JP (1) | JP3285111B2 (ja) |
| KR (1) | KR100362021B1 (ja) |
| DE (1) | DE69508358T2 (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08337490A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶及びその製造方法 |
| US5840120A (en) * | 1996-01-22 | 1998-11-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for controlling nucleation of oxygen precipitates in silicon crystals |
| DE19637182A1 (de) * | 1996-09-12 | 1998-03-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte |
| US5994761A (en) | 1997-02-26 | 1999-11-30 | Memc Electronic Materials Spa | Ideal oxygen precipitating silicon wafers and oxygen out-diffusion-less process therefor |
| US6379642B1 (en) | 1997-04-09 | 2002-04-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Vacancy dominated, defect-free silicon |
| US6190631B1 (en) | 1997-04-09 | 2001-02-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low defect density, ideal oxygen precipitating silicon |
| CN1253610C (zh) | 1997-04-09 | 2006-04-26 | Memc电子材料有限公司 | 低缺陷密度、自间隙原子受控制的硅 |
| JP3919308B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2007-05-23 | 信越半導体株式会社 | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造されたシリコン単結晶およびシリコンウエーハ |
| JP3346249B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2002-11-18 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの熱処理方法及びシリコンウエーハ |
| TW589415B (en) * | 1998-03-09 | 2004-06-01 | Shinetsu Handotai Kk | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
| JP3621290B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2005-02-16 | 信越半導体株式会社 | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ |
| JPH11349393A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
| DE69902911T2 (de) | 1998-06-26 | 2003-01-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Widerstandsheizung fur eine kristallzüchtungsvorrichtung und verfahren zu ihrer verwendung |
| US6328795B2 (en) | 1998-06-26 | 2001-12-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters |
| US6828690B1 (en) | 1998-08-05 | 2004-12-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-uniform minority carrier lifetime distributions in high performance silicon power devices |
| US6336968B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-01-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-oxygen precipitating czochralski silicon wafers |
| CN1155074C (zh) | 1998-09-02 | 2004-06-23 | Memc电子材料有限公司 | 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅-绝缘体结构 |
| US6191010B1 (en) | 1998-09-02 | 2001-02-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing an ideal oxygen precipitating silicon wafer |
| WO2000013209A2 (en) | 1998-09-02 | 2000-03-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Thermally annealed silicon wafers having improved intrinsic gettering |
| KR100622884B1 (ko) | 1998-10-14 | 2006-09-12 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 열적으로 어닐링된 저결함 밀도 단결정 실리콘 |
| US6312516B2 (en) | 1998-10-14 | 2001-11-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions |
| DE69913731T2 (de) | 1998-10-14 | 2004-10-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Im wesentlichen defektfreie epitaktische siliziumscheiben |
| JP2000154070A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-06-06 | Suminoe Textile Co Ltd | セラミックス三次元構造体及びその製造方法 |
| US6284384B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| US20030051656A1 (en) | 1999-06-14 | 2003-03-20 | Charles Chiun-Chieh Yang | Method for the preparation of an epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
| US6635587B1 (en) | 1999-09-23 | 2003-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for producing czochralski silicon free of agglomerated self-interstitial defects |
| DE60010496T2 (de) * | 1999-09-23 | 2005-04-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Czochralski-Verfahren zur Herstellung Silizium-Einkristalle durch Steuerung der Abkühlgeschwindigkeit |
| US6391662B1 (en) | 1999-09-23 | 2002-05-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for detecting agglomerated intrinsic point defects by metal decoration |
| KR100327340B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2002-03-06 | 윤종용 | 웨이퍼 표면 검사방법 |
| US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
| JP2001278692A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造方法 |
| US6835245B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-12-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method of manufacturing epitaxial wafer and method of producing single crystal as material therefor |
| US6339016B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming an epitaxial silicon wafer with a denuded zone |
| US6599815B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
| US7105050B2 (en) | 2000-11-03 | 2006-09-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| US6858307B2 (en) | 2000-11-03 | 2005-02-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the production of low defect density silicon |
| EP1356139B1 (en) * | 2001-01-26 | 2006-08-09 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Low defect density silicon substantially free of oxidation induced stacking faults having a vacancy-dominated core |
| JP2004537161A (ja) | 2001-04-11 | 2004-12-09 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 高抵抗率ｃｚシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御 |
| US6663709B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
| EP1560950B1 (en) * | 2002-11-12 | 2008-09-17 | MEMC Electronic Materials, Inc. | A crystal puller and method for growing a monocrystalline ingot |
| JP4432458B2 (ja) | 2003-10-30 | 2010-03-17 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| WO2005073439A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法 |
| EP2027312B1 (en) | 2006-05-19 | 2015-02-18 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of a silicon single crystal during cz growth |
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
| CN108998829B (zh) * | 2017-06-07 | 2020-12-04 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 冷却装置、单晶炉和晶棒的冷却方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0639352B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-05-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造装置 |
| JPH02229791A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 化合物半導体単結晶製造装置 |
| JPH0365593A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-20 | Nippon Mining Co Ltd | 単結晶成長装置 |
| JP2686460B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1997-12-08 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶製造方法 |
| JP3016897B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2000-03-06 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
| JP2509477B2 (ja) * | 1991-04-20 | 1996-06-19 | コマツ電子金属株式会社 | 結晶成長方法及び結晶成長装置 |
| JPH05294783A (ja) * | 1992-04-15 | 1993-11-09 | Kawasaki Steel Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JP3207573B2 (ja) * | 1993-01-05 | 2001-09-10 | ワッカー・エヌエスシーイー株式会社 | 単結晶体の製造方法及びその装置 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP30047994A patent/JP3285111B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-11-29 EP EP95118734A patent/EP0716168B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-29 DE DE69508358T patent/DE69508358T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-30 US US08/565,100 patent/US5667584A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-05 KR KR1019950046896A patent/KR100362021B1/ko not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69508358D1 (de) | 1999-04-22 |
| DE69508358T2 (de) | 1999-08-26 |
| EP0716168A1 (en) | 1996-06-12 |
| KR100362021B1 (ko) | 2003-02-07 |
| EP0716168B1 (en) | 1999-03-17 |
| US5667584A (en) | 1997-09-16 |
| KR960023272A (ko) | 1996-07-18 |
| JPH08157293A (ja) | 1996-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285111B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3901092B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| US5629216A (en) | Method for producing semiconductor wafers with low light scattering anomalies | |
| KR100369761B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 그 열처리 방법 | |
| US6517632B2 (en) | Method of fabricating a single crystal ingot and method of fabricating a silicon wafer | |
| JPWO2002002852A1 (ja) | シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 | |
| JP5682471B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
| CN1312327C (zh) | 外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法 | |
| JP4233651B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハ | |
| JP2015216375A (ja) | シリコンからなる半導体ウエハおよびその製造方法 | |
| JP4192530B2 (ja) | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
| JPH0393700A (ja) | シリコン単結晶の熱処理方法および装置ならびに製造装置 | |
| JP3800960B2 (ja) | シリコンウエーハ | |
| JP2003068743A (ja) | エピタキシャルウエーハおよびその製造方法 | |
| JP2822887B2 (ja) | 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3578263B2 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法及びこの方法により研磨されたシリコンウェーハ | |
| JP4049847B2 (ja) | シリコン単結晶およびその製造方法 | |
| JP3687403B2 (ja) | シリコンウェーハ | |
| JP4154891B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP3621290B2 (ja) | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法およびパーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ | |
| TW202314064A (zh) | 單晶矽半導體晶圓及其生產方法 | |
| US6291874B1 (en) | Method for producing silicon single crystal wafer for particle monitoring and silicon single crystal wafer for particle monitoring | |
| JPH09260447A (ja) | パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 | |
| JP7618707B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
| JPH03275598A (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140308 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |