JP3163015B2 - 透明導電膜 - Google Patents
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜及びそれを製
造するために使用される焼結体に関する。
造するために使用される焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種ディスプレイ装置や薄膜太陽電池の
透明電極、あるいは将来莫大な需要が見込まれる紫外線
遮断・赤外線反射特性に優れた省エネルギー建築用窓硝
子コーティング材として、可視光透過率が高く、低抵抗
な特性を有する透明導電膜が欠かせない。現在最も広く
利用されている透明導電膜としては、金属酸化物薄膜が
主であり、高い化学的安定性を有する酸化錫ＳｎＯ2系
（Ｆまたはアンチモン（Ｓｂ）を添加したものが主とし
て利用されている。）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、
優れた電気的・光学的特性を有する錫添加酸化インジウ
ム［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−以下ＩＴＯという］が知られ
ている。最近では、申請者らによって亜鉛スタンネート
（ＺｎＳｎＯ3）やＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12、あるいはＳｎ添加
Ｚｎ2Ｉｎ2Ｏ5のような新しい多元系複合金属酸化物を
用いた透明導電膜の開発が進められている。これは透明
導電膜の性能を低下させることなく、あるいはその性能
の向上を図りつつ、高価な希少金属であるＩｎの使用量
を極力低減するためである。
透明電極、あるいは将来莫大な需要が見込まれる紫外線
遮断・赤外線反射特性に優れた省エネルギー建築用窓硝
子コーティング材として、可視光透過率が高く、低抵抗
な特性を有する透明導電膜が欠かせない。現在最も広く
利用されている透明導電膜としては、金属酸化物薄膜が
主であり、高い化学的安定性を有する酸化錫ＳｎＯ2系
（Ｆまたはアンチモン（Ｓｂ）を添加したものが主とし
て利用されている。）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、
優れた電気的・光学的特性を有する錫添加酸化インジウ
ム［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−以下ＩＴＯという］が知られ
ている。最近では、申請者らによって亜鉛スタンネート
（ＺｎＳｎＯ3）やＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12、あるいはＳｎ添加
Ｚｎ2Ｉｎ2Ｏ5のような新しい多元系複合金属酸化物を
用いた透明導電膜の開発が進められている。これは透明
導電膜の性能を低下させることなく、あるいはその性能
の向上を図りつつ、高価な希少金属であるＩｎの使用量
を極力低減するためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、膜中
に含まれるＳｎ量が多くなるにつれ通常の酸によるエッ
チングが次第に困難となり、パターニング処理に支障を
来すという問題があった。他方、透明導電膜に対し、近
年多様な用途が開発されるに及んで従来の透明導電膜材
料ではこれらに対応しきれなくなってきた。例えば、ア
ナログ入力用透明ペンタッチパネルの用途では、従来の
ように必ずしも低抵抗率を必要とせず、むしろ大面積に
わたって均一で適度な抵抗率と、高い可視光透過率が求
められる。さらに膜の電気的・光学的性能を低下させる
ことなく酸・アルカリ等に対する薬品耐性を自由に制御
できる透明導電膜の提供が要望されているが、従来の透
明導電膜ではこのような多様化する用途に対応すること
ができないという問題があった。
に含まれるＳｎ量が多くなるにつれ通常の酸によるエッ
チングが次第に困難となり、パターニング処理に支障を
来すという問題があった。他方、透明導電膜に対し、近
年多様な用途が開発されるに及んで従来の透明導電膜材
料ではこれらに対応しきれなくなってきた。例えば、ア
ナログ入力用透明ペンタッチパネルの用途では、従来の
ように必ずしも低抵抗率を必要とせず、むしろ大面積に
わたって均一で適度な抵抗率と、高い可視光透過率が求
められる。さらに膜の電気的・光学的性能を低下させる
ことなく酸・アルカリ等に対する薬品耐性を自由に制御
できる透明導電膜の提供が要望されているが、従来の透
明導電膜ではこのような多様化する用途に対応すること
ができないという問題があった。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】上記問題点を解決する
ため、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎを含む複合金属酸化物膜
が、少なくとも１種のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12結晶相を形成し、
Ｓｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で示されるＳｎ量が４０
〜６０原子％であり、Ｚｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で
示されるＺｎ量が１０〜９０原子％、好ましくは３０〜
７０原子％含有する該酸化物膜を形成した透明導電膜を
提供するものである。ここで、Ｚｎ量が１０％以下、９
０％以上では本発明の特徴が発揮出来ない。本発明に成
る透明導電膜は、従来知られているＳｎ添加Ｚｎ−Ｉｎ
−Ｏ系酸化物［特願平７ー９１３２７あるいは特開平６
ー３１８４０６］の組成とは大きく異なり、全く予想を
越えた組成領域と機能をもつという特徴を有する。本発
明によって、従来の非晶質や結晶質のＳｎ添加Ｚｎ−Ｉ
ｎ−ＯやＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5酸化物透明導電膜では得られな
い高い可視光透過率と成分組成を変えることによるエッ
チング速度の容易な制御を可能にした。本発明では、上
記のような特徴をいかんなく発揮するための新しい透明
導電膜、及び該膜を製造するために使用されるタ−ゲッ
ト材を提供することを目的としている。
ため、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎを含む複合金属酸化物膜
が、少なくとも１種のＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12結晶相を形成し、
Ｓｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で示されるＳｎ量が４０
〜６０原子％であり、Ｚｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で
示されるＺｎ量が１０〜９０原子％、好ましくは３０〜
７０原子％含有する該酸化物膜を形成した透明導電膜を
提供するものである。ここで、Ｚｎ量が１０％以下、９
０％以上では本発明の特徴が発揮出来ない。本発明に成
る透明導電膜は、従来知られているＳｎ添加Ｚｎ−Ｉｎ
−Ｏ系酸化物［特願平７ー９１３２７あるいは特開平６
ー３１８４０６］の組成とは大きく異なり、全く予想を
越えた組成領域と機能をもつという特徴を有する。本発
明によって、従来の非晶質や結晶質のＳｎ添加Ｚｎ−Ｉ
ｎ−ＯやＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5酸化物透明導電膜では得られな
い高い可視光透過率と成分組成を変えることによるエッ
チング速度の容易な制御を可能にした。本発明では、上
記のような特徴をいかんなく発揮するための新しい透明
導電膜、及び該膜を製造するために使用されるタ−ゲッ
ト材を提供することを目的としている。
【０００５】具体的には、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2−ＺｎＯ
系複合金属酸化物において、該金属成分組成として、Ｓ
ｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で示されるＳｎ量が４０〜
６０原子％であり、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で示されるＺ
ｎ量が１０〜９０、好ましくは３０〜７０原子％の範囲
にある混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あるいは
必要に応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに用い、
例えば、スパッタ法により、基体としてガラスのような
セラミック質基板あるいはプラスチックのような有機質
基板上に上記組成範囲にある該複合金属酸化物膜を形成
することによって本発明の目的を達成することができ
る。加えて、該酸化物におけるＳｎに対してVII族元素
であるＦを、Ｆ／（Ｓｎ＋Ｆ）で示される原子比で０．
０２（２％）以下の範囲で添加することは低抵抗率化に
寄与する。
系複合金属酸化物において、該金属成分組成として、Ｓ
ｎ×１００／（Ｉｎ＋Ｓｎ）で示されるＳｎ量が４０〜
６０原子％であり、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で示されるＺ
ｎ量が１０〜９０、好ましくは３０〜７０原子％の範囲
にある混合粉末、もしくは必要に応じて焼成、あるいは
必要に応じて成型・焼結したものをタ−ゲットに用い、
例えば、スパッタ法により、基体としてガラスのような
セラミック質基板あるいはプラスチックのような有機質
基板上に上記組成範囲にある該複合金属酸化物膜を形成
することによって本発明の目的を達成することができ
る。加えて、該酸化物におけるＳｎに対してVII族元素
であるＦを、Ｆ／（Ｓｎ＋Ｆ）で示される原子比で０．
０２（２％）以下の範囲で添加することは低抵抗率化に
寄与する。
【０００６】本発明になる該透明導電膜の製造法として
は、上記した方法のみならずレーザアブレーション法、
真空蒸着法、化学気相結晶成長（ＣＶＤ）法、ゾルーゲ
ル法、分子線エピタキシャル成長法等公知の任意の膜作
製法が利用できる。
は、上記した方法のみならずレーザアブレーション法、
真空蒸着法、化学気相結晶成長（ＣＶＤ）法、ゾルーゲ
ル法、分子線エピタキシャル成長法等公知の任意の膜作
製法が利用できる。
【０００７】
【作 用】本発明の目的に適う上記組成範囲内の膜を
該基体上に前述したような公知の膜作製法により形成す
る際、酸素空孔や格子間原子等の真性格子欠陥による内
因性ドナ−、及びVI族元素の一部がVII族元素で置換す
る外因性ドナ−の導入によるキャリアの生成が可能であ
る。本発明になる該酸化物膜は、非晶質、もしくはＩｎ
4Ｓｎ3Ｏ12、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＩｎ2Ｏ3、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ
12とＳｎＯ2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＺｎＯ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ
12とＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5、あるいはこれらの１種以上を組み
合わせた混相から成る結晶もしくは微結晶質であり上述
のメカニズムによる高いキャリア生成を可能とし、加え
て本発明になる該透明導電膜は、含まれるＺｎ量を変え
ることによって望みのエッチング速度が容易に得られる
という顕著な作用効果があるため各種のアナログ入力透
明タッチパネル、透明低抗パネル、あるいは透明タッチ
スイッチ等への利用に最適である。以下、本発明を実施
例により説明する。
該基体上に前述したような公知の膜作製法により形成す
る際、酸素空孔や格子間原子等の真性格子欠陥による内
因性ドナ−、及びVI族元素の一部がVII族元素で置換す
る外因性ドナ−の導入によるキャリアの生成が可能であ
る。本発明になる該酸化物膜は、非晶質、もしくはＩｎ
4Ｓｎ3Ｏ12、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＩｎ2Ｏ3、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ
12とＳｎＯ2、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＺｎＯ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ
12とＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5、あるいはこれらの１種以上を組み
合わせた混相から成る結晶もしくは微結晶質であり上述
のメカニズムによる高いキャリア生成を可能とし、加え
て本発明になる該透明導電膜は、含まれるＺｎ量を変え
ることによって望みのエッチング速度が容易に得られる
という顕著な作用効果があるため各種のアナログ入力透
明タッチパネル、透明低抗パネル、あるいは透明タッチ
スイッチ等への利用に最適である。以下、本発明を実施
例により説明する。
【０００８】
【実施例 １】Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＺｎＯ原料粉
末を用いて、金属成分組成、すなわちＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ
がそれぞれ１５、５０、３５原子％になるように調製し
た混合粉をアルゴン（Ａｒ）ガス中、１０００℃で５時
間焼成した焼成粉を直径８０ｍｍのステンレス製皿に詰
め、スパッタ用粉末ターゲットを作製した。スパッタガ
スにはＡｒ＋４％酸素（Ｏ2）を用いた。スパッタガス
圧を０．２Ｐａに設定し、ターゲット面に平行に保持さ
れた室温のガラス基板上に、直流投入電力４０Ｗでスパ
ッタを行ない、厚さ約３００ｎｍの膜を作製した。該膜
を１モルの希塩酸に浸漬した結果、図１に示すように、
上記組成に相当するＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）原
末を用いて、金属成分組成、すなわちＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ
がそれぞれ１５、５０、３５原子％になるように調製し
た混合粉をアルゴン（Ａｒ）ガス中、１０００℃で５時
間焼成した焼成粉を直径８０ｍｍのステンレス製皿に詰
め、スパッタ用粉末ターゲットを作製した。スパッタガ
スにはＡｒ＋４％酸素（Ｏ2）を用いた。スパッタガス
圧を０．２Ｐａに設定し、ターゲット面に平行に保持さ
れた室温のガラス基板上に、直流投入電力４０Ｗでスパ
ッタを行ない、厚さ約３００ｎｍの膜を作製した。該膜
を１モルの希塩酸に浸漬した結果、図１に示すように、
上記組成に相当するＺｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）原
【図１】子比が７０％で約１８０ｎｍ／ｍｉｎのエッチ
ング速度が得られた。尚、この際ＳｎのＩｎに対する添
加量は５０原子％一定とした。一方、膜厚を２０ｎｍに
なるように作製したＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎそれぞれ２５、２
５、５０原子％から成る該膜では、上記した厚い膜と同
じエッチング速度を得るＩｎに対する該Ｚｎの添加量は
約５５原子％であった。いずれの厚さの膜も平均可視光
透過率は９０％以上を示した。さらに両膜ともシート抵
抗は約１ｋΩ／□であった。また、作製した膜をｘ線回
折により分析した結果、いずれの膜も微結晶もしくは非
晶質であった。。尚、基板としてポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フイルムや硬質ポリカーボネート板に
形成されたＰＥＴフイルム上に該膜を形成した場合でも
上記とほぼ同じ結果が得られた。さらに基板温度を３０
０℃程度に上げて成膜した場合では、得られた膜にはＩ
ｎ4Ｓｎ3Ｏ12結晶相が弱いながらも含まれていることが
Ｘ線回折測定の結果から判明した。
ング速度が得られた。尚、この際ＳｎのＩｎに対する添
加量は５０原子％一定とした。一方、膜厚を２０ｎｍに
なるように作製したＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎそれぞれ２５、２
５、５０原子％から成る該膜では、上記した厚い膜と同
じエッチング速度を得るＩｎに対する該Ｚｎの添加量は
約５５原子％であった。いずれの厚さの膜も平均可視光
透過率は９０％以上を示した。さらに両膜ともシート抵
抗は約１ｋΩ／□であった。また、作製した膜をｘ線回
折により分析した結果、いずれの膜も微結晶もしくは非
晶質であった。。尚、基板としてポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フイルムや硬質ポリカーボネート板に
形成されたＰＥＴフイルム上に該膜を形成した場合でも
上記とほぼ同じ結果が得られた。さらに基板温度を３０
０℃程度に上げて成膜した場合では、得られた膜にはＩ
ｎ4Ｓｎ3Ｏ12結晶相が弱いながらも含まれていることが
Ｘ線回折測定の結果から判明した。
【０００９】
【実施例 ２】実施例１において使用したスパッタタ−
ゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により３０
０℃に加熱されたガラス基板上に、金属成分組成とし
て、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎがそれぞれ２０、５０、３０原子
％から成る厚さ約２５ｎｍの複合金属酸化物膜を作製し
た。得られたエッチング速度は最大５００ｎｍ／ｍｉｎ
に達した。他の電気的・光学的特性は実施例１とほぼ同
様であった。尚、Ｓｎに対して、ＳｎＦ2を用いて、Ｆ
を２原子％添加して得られた膜ではそのシート抵抗は２
００Ω／□と実施例１の結果に比べかなり低いになっ
た。また、該膜はＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＩｎ2Ｏ3の混相であ
ることがＸ線回折測定の結果、判明した。しかし、基板
温度を室温にして成膜した場合では結晶相は殆ど確認さ
れず非晶質様であった。
ゲットを用い高周波マグネトロンスパッタ法により３０
０℃に加熱されたガラス基板上に、金属成分組成とし
て、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎがそれぞれ２０、５０、３０原子
％から成る厚さ約２５ｎｍの複合金属酸化物膜を作製し
た。得られたエッチング速度は最大５００ｎｍ／ｍｉｎ
に達した。他の電気的・光学的特性は実施例１とほぼ同
様であった。尚、Ｓｎに対して、ＳｎＦ2を用いて、Ｆ
を２原子％添加して得られた膜ではそのシート抵抗は２
００Ω／□と実施例１の結果に比べかなり低いになっ
た。また、該膜はＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12とＩｎ2Ｏ3の混相であ
ることがＸ線回折測定の結果、判明した。しかし、基板
温度を室温にして成膜した場合では結晶相は殆ど確認さ
れず非晶質様であった。
【００１０】
【実施例 ３】実施例１で用いたスパッタターゲットと
同じ組成を有する焼結体ぺレットを用いてレーザアブレ
ーション法により厚さ３２０ｎｍの複合金属酸化物膜を
作製した。得られた膜の組成はエレクトロンマイクロプ
ローブアナライザ（ＥＰＭＡ）により分析を行なったと
ころターゲット組成とほぼ同じであることがわかった。
電気的・光学的特性やエッチング特性は実施例１の場合
と同様であった。
同じ組成を有する焼結体ぺレットを用いてレーザアブレ
ーション法により厚さ３２０ｎｍの複合金属酸化物膜を
作製した。得られた膜の組成はエレクトロンマイクロプ
ローブアナライザ（ＥＰＭＡ）により分析を行なったと
ころターゲット組成とほぼ同じであることがわかった。
電気的・光学的特性やエッチング特性は実施例１の場合
と同様であった。
【００１１】
【実施例 ４】大気圧ＣＶＤ法により、Ｉｎ原料として
インジウムアセチルアセトネ−ト、Ｓｎ原料としてＳｎ
アセテート、Ｚｎ原料としてＺｎアセチルアセトネー
ト、酸素原料としてＨ2Ｏを用い、全ての原料を加熱さ
れたステンレス製容器に充填し、ステンレス配管を通じ
て原料ガスをキャリアガスとともに、石英リアクタ内に
セットされ３５０℃に加熱されているガラス基板に向け
て供給し実施例２と同じ金属成分組成から成る複合金属
酸化物膜を該ガラス基板上に作製した。尚、原料温度
は、それぞれ８５℃、１５０℃、７３℃、並びにキャリ
アガス流量は、それぞれ５００CCM、２０CCM、２．６×
１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎであった。作製した膜は厚さ３３
０ｎｍ、エッチング速度は３２０ｎｍ／ｍｉｎであっ
た。また抵抗率は２．６×１０-3Ωｃｍ、平均可視光透
過率は８８％以上であった。また、該膜をＸ線回折によ
り分析を行なったところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12が弱いながら
も検出された。
インジウムアセチルアセトネ−ト、Ｓｎ原料としてＳｎ
アセテート、Ｚｎ原料としてＺｎアセチルアセトネー
ト、酸素原料としてＨ2Ｏを用い、全ての原料を加熱さ
れたステンレス製容器に充填し、ステンレス配管を通じ
て原料ガスをキャリアガスとともに、石英リアクタ内に
セットされ３５０℃に加熱されているガラス基板に向け
て供給し実施例２と同じ金属成分組成から成る複合金属
酸化物膜を該ガラス基板上に作製した。尚、原料温度
は、それぞれ８５℃、１５０℃、７３℃、並びにキャリ
アガス流量は、それぞれ５００CCM、２０CCM、２．６×
１０-3ｍｏｌ／ｍｉｎであった。作製した膜は厚さ３３
０ｎｍ、エッチング速度は３２０ｎｍ／ｍｉｎであっ
た。また抵抗率は２．６×１０-3Ωｃｍ、平均可視光透
過率は８８％以上であった。また、該膜をＸ線回折によ
り分析を行なったところ、Ｉｎ4Ｓｎ3Ｏ12が弱いながら
も検出された。
【００１２】本発明になる透明導電膜は、前記実施例の
みに限定されるものではなく、種々の公知の膜作製法が
利用できることは言うまでもない。
みに限定されるものではなく、種々の公知の膜作製法が
利用できることは言うまでもない。
【発明の効果】本発明によって、従来の非晶質や結晶質
のＳｎ添加Ｚｎ−Ｉｎ−ＯやＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5酸化物透明
導電膜では得られない高い可視光透過率と、Ｉｎ−Ｓｎ
−Ｚｎ−Ｏ系におけるＺｎのＩｎに対する原子比を変え
ることにより容易に該複合金属酸化物膜のエッチング速
度を容易に制御できるという顕著な効果が得られた。こ
のように含まれるＺｎ量を変えることによって望みのエ
ッチング速度が容易に得られるという顕著な効果がある
ため各種のアナログ入力透明タッチパネル、透明低抗パ
ネル、あるいは透明タッチスイッチ等への利用に最適で
ある。
のＳｎ添加Ｚｎ−Ｉｎ−ＯやＺｎ2Ｉｎ2Ｏ5酸化物透明
導電膜では得られない高い可視光透過率と、Ｉｎ−Ｓｎ
−Ｚｎ−Ｏ系におけるＺｎのＩｎに対する原子比を変え
ることにより容易に該複合金属酸化物膜のエッチング速
度を容易に制御できるという顕著な効果が得られた。こ
のように含まれるＺｎ量を変えることによって望みのエ
ッチング速度が容易に得られるという顕著な効果がある
ため各種のアナログ入力透明タッチパネル、透明低抗パ
ネル、あるいは透明タッチスイッチ等への利用に最適で
ある。
【図１】Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）原子比に対するエッチン
グ速度の膜厚依存性。
グ速度の膜厚依存性。
１・・・・・膜厚２０ｎｍ ２・・・・・膜
厚３００ｎｍ
厚３００ｎｍ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 5/14 H01B 13/00 H01B 1/00 - 1/24 C01G 15/00 C01G 19/00 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 基体上に、インジウム（In）、錫（S
n）、および亜鉛（Zn）からなる複合金属酸化物膜を形
成して成る透明導電膜において、前記複合金属酸化物膜
が少なくとも１種のIn4Sn3O12を含むことを特徴とする
透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740696A JP3163015B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25740696A JP3163015B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1083719A JPH1083719A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3163015B2 true JP3163015B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17305943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25740696A Expired - Fee Related JP3163015B2 (ja) | 1996-09-06 | 1996-09-06 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163015B2 (ja) |
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| JP4560149B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2010-10-13 | 出光興産株式会社 | 透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム |
| JP2002196348A (ja) * | 1999-06-11 | 2002-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP3961172B2 (ja) * | 1999-11-26 | 2007-08-22 | アルプス電気株式会社 | 酸化物透明導電膜と酸化物透明導電膜形成用ターゲットおよび先の酸化物透明導電膜を備えた基板の製造方法と電子機器および液晶表示装置 |
| JP4906027B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2012-03-28 | 日立マクセル株式会社 | 複合化酸化インジウム粒子およびその製造方法、ならびに導電性塗料、導電性塗膜および導電性シート |
| JP4804867B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-11-02 | 出光興産株式会社 | 透明導電膜、透明電極、電極基板及びその製造方法 |
| CN102337505A (zh) | 2005-09-01 | 2012-02-01 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法 |
| WO2007037191A1 (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット、透明導電膜及びタッチパネル用透明電極 |
| JP2007119289A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 酸化物粒子、焼結体及びそれらの製造方法 |
| JP5000131B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2012-08-15 | 出光興産株式会社 | 透明電極膜及び電子機器 |
| JP4816116B2 (ja) | 2006-02-08 | 2011-11-16 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングターゲット用酸化物焼結体および、それを用いて得られる酸化物膜、それを含む透明基材 |
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| JP4552950B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2010-09-29 | 住友金属鉱山株式会社 | ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜 |
| JP5244331B2 (ja) | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP25740696A patent/JP3163015B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1083719A (ja) | 1998-03-31 |
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