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JP3029319B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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Publication number
JP3029319B2
JP3029319B2 JP11891091A JP11891091A JP3029319B2 JP 3029319 B2 JP3029319 B2 JP 3029319B2 JP 11891091 A JP11891091 A JP 11891091A JP 11891091 A JP11891091 A JP 11891091A JP 3029319 B2 JP3029319 B2 JP 3029319B2
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JP
Japan
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tft
liquid crystal
crystal display
pixel
variable resistor
Prior art date
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JP11891091A
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Japanese (ja)
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JPH04346318A (en
Inventor
政彦 秋山
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11891091A priority Critical patent/JP3029319B2/en
Publication of JPH04346318A publication Critical patent/JPH04346318A/en
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタをス
イッチング素子に用いたアクティブマトリクス方式の液
晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device using thin film transistors as switching elements.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、LCD(Liquid Cr
ystal Display)の表示方式として単純マ
トリクス方式を採用した液晶表示装置が広く利用されて
いる。しかしながら、画面を高精細化するために走査線
数を増加させると、液晶に印加される実効電圧の低下等
によってコントラストが低下したり、視覚範囲がせまく
なるという問題があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, LCD (Liquid Cr)
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device adopting a simple matrix system as a display system of the Yeast Display is widely used. However, when the number of scanning lines is increased in order to increase the definition of the screen, there has been a problem that the contrast is reduced due to a decrease in the effective voltage applied to the liquid crystal and the visual range is narrowed.

【0003】そこで、近年、表示方式として、画面を数
万から数十万に分割し、画素の1個1個に非線形素子、
例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を設け、そのスイ
ッチング特性を利用して各画素の動作を制御するという
アクティブマトリクス方式が、走査線を増加させてもコ
ントラストや視覚範囲,応答速度の低下を生じないとい
うことで注目されている。図12にはアクティブマトリ
クス方式を用いた従来のTFT−LCDの模式的な回路
図が示されている。
In recent years, as a display method, a screen is divided into tens of thousands to hundreds of thousands, and each pixel has a nonlinear element,
For example, an active matrix method in which a thin film transistor (TFT) is provided and the operation of each pixel is controlled using its switching characteristics does not cause a decrease in contrast, visual range, or response speed even when the number of scanning lines is increased. It is attracting attention. FIG. 12 is a schematic circuit diagram of a conventional TFT-LCD using the active matrix method.

【0004】このLCDは、TFT3,電極画素5及び
補助容量7とからなる基本画素1がマトリクス状に配列
された構成をしている。TFT3のゲ−ト,ソ−ス,ド
レインはそれぞれ走査線Gn ,信号線Sm ,画素電極5
に接続され、補助容量7は画素電極3に接続されてい
る。
This LCD has a configuration in which basic pixels 1 each including a TFT 3, an electrode pixel 5, and an auxiliary capacitor 7 are arranged in a matrix. The gate, source, and drain of the TFT 3 are a scanning line G n , a signal line S m , and a pixel electrode 5, respectively.
, And the storage capacitor 7 is connected to the pixel electrode 3.

【0005】このように構成された基本画素1を用いた
LCDでは、走査線Gn に与えられた走査信号によりT
FT3のオン/オフが選択されると共に、この走査信号
に同期した信号線Sm に与えられた映像信号によって振
幅変調されたパルス信号を、TFT3のドレインを介し
て画素電極5に与えることで液晶(不図示)の配向を制
御している。
In the LCD using the basic pixel 1 configured as described above, the scanning signal applied to the scanning line Gn causes the T.
With FT3 ON / OFF is selected, the liquid crystal by applying a pulse signal which is amplitude-modulated by a video signal applied to the scanning signal to the synchronization signal lines S m, a pixel electrode 5 through the drain of the TFT3 (Not shown) orientation is controlled.

【0006】しかしながら、構造、製造プロセスが複雑
なため、画面が大型化すると、歩留まりが急激に低下す
るという問題があった。例えば、TFT−LCDで64
0×480画素のカラ−表示の実現するには、640×
3×480=92万画素が必要になるので、92万個の
TFT,1920本の信号線,480本の走査線の全て
にわたり断線やショ−ト等の不良を無くさなければなら
ない。
However, since the structure and the manufacturing process are complicated, there is a problem that when the size of the screen is increased, the yield is sharply reduced. For example, 64
To realize a color display of 0 × 480 pixels, 640 ×
Since 3 × 480 = 920,000 pixels are required, it is necessary to eliminate defects such as disconnection and short-circuiting over all 920,000 TFTs, 1920 signal lines, and 480 scanning lines.

【0007】このような不良があると画面に表示欠陥が
生じる。表示欠陥には線欠陥と点欠陥があり、一般に、
点欠陥の方が発生しやすい。点欠陥となる原因はいくつ
かあるが、そのひとつしてTFTの不良がある。TFT
の不良による点欠陥の対策として、複数TFT方式のア
クティブマトリクス方式が提案されている。
[0007] Such defects cause display defects on the screen. Display defects include line defects and point defects.
Point defects are more likely to occur. There are several causes of point defects, one of which is a TFT defect. TFT
As a countermeasure against a point defect due to the defect of the above, an active matrix system of a plural TFT system has been proposed.

【0008】図13はこのような方式を用いた従来のT
FT−LCDの模式的な回路図が示されている。これが
先に説明したものと異なる点は、各基本画素1にそれぞ
れ2つのTFT3a,3bを設けたことにある。
FIG. 13 shows a conventional T using such a method.
A schematic circuit diagram of the FT-LCD is shown. This differs from that described above in that two TFTs 3a and 3b are provided for each basic pixel 1, respectively.

【0009】即ち、TFT3aのゲ−ト,ソ−ス,ドレ
インはそれぞれ走査線Gn ,信号線Sm ,画素電極5に
接続され、TFT3bのゲ−ト,ソ−ス,ドレインはそ
れぞれ走査線Gn+1 ,信号線Sm,画素電極5に接続さ
れている。そして、TFT3a,3bがともに正常の場
合には、TFT3bの出力信号が画素電極5に与えられ
ように制御されている。したがって、TFT3aが不良
の場合には、レ−ザ等を用いてTFT3aを画素電極5
又は信号線Sm から切り離すことでLCDの修復でき
る。
That is, the gate, source and drain of the TFT 3a are connected to the scanning line G n , signal line S m and pixel electrode 5, respectively, and the gate, source and drain of the TFT 3b are scanning line, respectively. G n + 1 , the signal line S m , and the pixel electrode 5. When the TFTs 3a and 3b are both normal, the output signal of the TFT 3b is controlled to be supplied to the pixel electrode 5. Therefore, when the TFT 3a is defective, the TFT 3a is connected to the pixel electrode 5 using a laser or the like.
Or LCD repair by disconnecting from the signal line S m.

【0010】また、TFT3bが不良の場合には、TF
T3aと同様にしてTFT3bを画素電極5又は信号線
m から切り離してLCDの修復を行なう。しかしなが
ら、この場合、TFT3aの信号は正規の信号ではな
く、1つ上の画素のTFTの信号と同じ信号であるた
め、1ドットごとに正規の信号を用いないと情報を正確
に表現できないLCD、例えば、OA用のLCDにおい
ては画像が変化するという問題が生じる。また、テレビ
用のLCDなどでは、1画素がずれても画像は大きく変
化しないが、やはりTFTの不良は点欠陥として現われ
るので画質が低下する。
When the TFT 3b is defective, TF
The TFT3b in the same manner as T3a disconnected from the pixel electrode 5 or the signal lines S m perform LCD repair. However, in this case, the signal of the TFT 3a is not a regular signal, but the same signal as the signal of the TFT of the pixel immediately above. For example, in an OA LCD, there is a problem that an image changes. In an LCD for a television or the like, the image does not greatly change even if one pixel is shifted, but the image quality is deteriorated because the defect of the TFT also appears as a point defect.

【0011】更に、顕微鏡等を用いても形状からは不良
なTFTを発見するのが困難であるため、どのTFTを
修復すればよいのか分からないという問題があった。何
故なら、不良なTFTでもその形状は正常であることが
多いからである。
Furthermore, it is difficult to find a defective TFT from the shape even by using a microscope or the like, so that there is a problem that it is not known which TFT should be repaired. This is because the shape of a defective TFT is often normal.

【0012】そこで、TFTに不良が生じた画素に正規
の信号を送るために、1画素当たりの走査線や信号線の
数を複数にすることが提案された。しかしながら、この
場合、配線領域が増えるので開口率が低下したり、隣接
する配線同志のショ−トが発生し易くなるという問題が
生じる。
Therefore, it has been proposed to increase the number of scanning lines or signal lines per pixel in order to send a normal signal to a pixel having a defective TFT. However, in this case, there is a problem that the aperture ratio is reduced due to an increase in the wiring area, and that short-circuiting between adjacent wirings is likely to occur.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述の如く従来のアク
ティブマトリクス方式を採用した液晶表示装置では、大
画面化すると、TFTの数が非常に多くなるため、TF
Tの不良による点欠陥が発生し易くなり、画質が低下す
るという問題があった。このような問題を解決する対策
はいくつか提案されていたが、その欠点も顕著になり、
本命視されるものはまだなかった。
As described above, in the conventional liquid crystal display device employing the active matrix system, when the screen is enlarged, the number of TFTs becomes very large.
There is a problem that a point defect due to a defect in T easily occurs and image quality is deteriorated. Several solutions have been proposed to solve these problems, but their disadvantages have become more pronounced,
There was nothing to be expected yet.

【0014】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、不良なTFTを容易に
見つけだせ、点欠陥の少ない液晶表示装置を提供するこ
とにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can easily find a defective TFT and has few point defects.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、各画素
に複数の電界効果トランジスタを設けると共にこれら電
界効果トランジスタのいずれかを介して信号線と画素電
極との間に可変抵抗体を挿設したことにある。
The gist of the present invention is to provide a plurality of field effect transistors for each pixel and to insert a variable resistor between a signal line and a pixel electrode via one of these field effect transistors. Has been established.

【0016】即ち、本願発明は、液晶の配向を入力信号
により制御する画素電極と、一方のソース・ドレインが
前記画素電極に接続され、他方のソース・ドレインが信
号線に接続され、ゲートが走査線に接続された複数の電
界効果トランジスタとを有する画素がマトリクス配列さ
れてなる液晶表示装置において、前記複数のトランジス
タのいずれかを介して前記信号線と前記画素電極との間
に2端子の可変抵抗体が挿設されていることを特徴とす
る。 また、本願発明は、液晶の配向を入力信号により制
御する画素電極と、一方のソース・ドレインが前記画素
電極に接続され、他方のソース・ドレインが信号線に接
続され、ゲートが走査線に接続された複数の電界効果ト
ランジスタとを有する画素がマトリクス配列されてなる
液晶表示装置において、前記複数のトランジスタのいず
れかを介して前記信号線と前記画素電極との間に3端子
の可変抵抗体が挿設され、該可変抵抗体の制御端子には
定電位を供給する手段が接続されていることを特徴とす
る。
That is, according to the present invention, the orientation of the liquid crystal is
The pixel electrode controlled by
Connected to the pixel electrode and the other source / drain
Lines, and gates connected to scan lines.
Pixels having field effect transistors are arranged in a matrix.
In the liquid crystal display device, the plurality of transistors
Between the signal line and the pixel electrode via any of the
Characterized in that a two-terminal variable resistor is inserted in
You. Further, the present invention controls the orientation of the liquid crystal by an input signal.
The pixel electrode to be controlled and one source / drain
Electrode and the other source / drain is connected to the signal line.
Multiple field-effect transistors whose gates are connected to scan lines.
Pixels having transistors are arranged in a matrix
In the liquid crystal display device, any of the plurality of transistors
3 terminals between the signal line and the pixel electrode via the
Is inserted and the control terminal of the variable resistor is
A means for supplying a constant potential is connected.
You.

【0017】[0017]

【作用】可変抵抗体が低抵抗の状態で液晶表示装置を駆
動すると、即ち、画素内の全電界トランジスタと画素電
極とを電気的に接続にすると、不良な電界効果トランジ
スタは正常な動作をしないため、表示や電気的応答等の
良否から不良な電界効果トランジスタを有する画素を発
見することができる。
When the liquid crystal display device is driven in a state where the variable resistor has a low resistance, that is, when all the field transistors in the pixel are electrically connected to the pixel electrode, the defective field effect transistor does not operate normally. Therefore, it is possible to find a pixel having a defective field-effect transistor based on the quality of display and electric response.

【0018】次に可変抵抗体が高抵抗の状態で液晶表示
装置を駆動すると、即ち、可変抵抗体に接続された電界
トランジスタと画素電極とを電気的に切断すると、可変
抵抗体に接続された電界効果トランジスタが不良な場合
と、可変抵抗体に接続されていない電界効果トランジス
タが不良な場合とでは、表示や電気的応答等などが異な
るため、どちらの電界効果トランジスタが不良なのか特
定できる。
Next, when the liquid crystal display device is driven with the variable resistor in a high resistance state, that is, when the electric field transistor connected to the variable resistor and the pixel electrode are electrically disconnected, the liquid crystal display device is connected to the variable resistor. The display and the electrical response are different between the case where the field-effect transistor is defective and the case where the field-effect transistor not connected to the variable resistor is defective. Therefore, it is possible to specify which field-effect transistor is defective.

【0019】このようにして不良な電界効果トランジス
タを特定できるので、その電界効果トランジスタを画素
電極又は信号線から分離することで点欠陥の発生を防止
できる。
Since a defective field-effect transistor can be specified in this manner, generation of a point defect can be prevented by separating the field-effect transistor from a pixel electrode or a signal line.

【0020】[0020]

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図1には本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置
の単位画素の模式的な回路図が示されている。
Embodiments will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a unit pixel of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【0021】単位画素1は、ゲ−トが走査線Gn に接続
され、ソ−ス、ドレインがそれぞれ信号線Sm ,画素電
極5に接続された2つのTFT3a,3bと、画素電極
5とグランド線GNDn との間に挿設された補助容量7
と、TFT3aのドレインと画素電極5との間に挿設さ
れた可変抵抗体9とで構成されている。図2は上記のよ
うに構成された単位画素1を用いて作成したLCDの平
面図を示し、図3は図2のA−A´断面図である。図3
に示すようにTFT3aは、ゲ−ト電極13がゲ−ト絶
縁膜15を介して活性層17の下部に形成された逆スタ
ガ−型TFTである。
The unit pixel 1, gate -: it is connected to the scanning line G n, source - scan, drain each signal line S m, 2 two TFT3a connected to the pixel electrode 5, and 3b, the pixel electrode 5 Auxiliary capacitance 7 inserted between ground line GND n
And a variable resistor 9 inserted between the drain of the TFT 3 a and the pixel electrode 5. FIG. 2 is a plan view of an LCD formed using the unit pixels 1 configured as described above, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA 'of FIG. FIG.
The TFT 3a is an inverted stagger type TFT in which a gate electrode 13 is formed below an active layer 17 via a gate insulating film 15 as shown in FIG.

【0022】即ち、TFT3aは、ガラス基板等の透光
性絶縁基板11上に設けられ、走査線Gn に接続したゲ
−ト電極13と、このゲ−ト電極13上に設けられたゲ
−ト絶縁膜15と、このゲ−ト絶縁膜15上に設けられ
たアモルファスシリコンからなる活性層17と、この活
性層17上に設けられた保護膜19と、信号線Sn に接
続し、不純物が添加されたコンタクト層21を介して活
性層17に接合したソ−ス電極23と、可変抵抗体9に
接続したドレイン電極25とからなる。なお、TFT3
bの構成はTFT3aのそれと同じである。
That is, the TFT 3a is provided on a light-transmitting insulating substrate 11 such as a glass substrate, and a gate electrode 13 connected to the scanning line Gn and a gate electrode provided on the gate electrode 13. a gate insulating film 15, the gate - a gate insulating film 15 active layer 17 made of amorphous silicon provided on a protective layer 19 provided on the active layer 17, connected to the signal line S n, impurity And a drain electrode 25 connected to the variable resistor 9 via the contact layer 21 to which the active layer 17 is added. Note that TFT3
The configuration of b is the same as that of the TFT 3a.

【0023】可変抵抗体9は、TFT3aからゲ−ト電
極を除いたものと基本的に同じ構成であり、接続電極2
7を介して画素電極5に接続されている。可変抵抗体9
の活性層17の材料及び形成工程はTFT3aのそれと
同じである。また、可変抵抗体9の抵抗は、通常強度の
バックライト光の照射で十分に小さくなるようになって
いる。
The variable resistor 9 has basically the same structure as that of the TFT 3a except for the gate electrode.
7 is connected to the pixel electrode 5. Variable resistor 9
The material and the formation process of the active layer 17 are the same as those of the TFT 3a. Further, the resistance of the variable resistor 9 is set to be sufficiently small by the irradiation of the backlight light of normal intensity.

【0024】TFT3a,可変抵抗体9上には保護膜2
9が堆積されている。そしてこのような基本画素1がマ
トリクス配列された透光性絶縁基板11(マトリクスア
レイ基板)上には、配向膜31,液晶33,配向膜3
5,対向電極37,カラ−フィルタ39,ブラックマト
リクス41が設けられ、マトリクスアレイ基板と透光性
絶縁基板43とにより挾持されている。また、液晶33
と反対側の透光性絶縁基板11,41の表面にはそれぞ
れ偏向板43,45が設けられている。
The protective film 2 is formed on the TFT 3 a and the variable resistor 9.
9 have been deposited. On the translucent insulating substrate 11 (matrix array substrate) on which such basic pixels 1 are arranged in a matrix, an alignment film 31, a liquid crystal 33, an alignment film 3
5, a counter electrode 37, a color filter 39, and a black matrix 41 are provided, and are sandwiched between a matrix array substrate and a translucent insulating substrate 43. The liquid crystal 33
Deflecting plates 43 and 45 are provided on the surfaces of the light-transmitting insulating substrates 11 and 41 on the opposite side from the light-transmitting insulating substrates 11 and 41, respectively.

【0025】なお、図2に示すように走査線Gn と信号
線Sm ,Sm+1 との交差部49a,b、グランド線GN
n と信号線Sm ,Sm+1 との交差部49c,dには活
性層17,コンタクト層21の材料膜が残されており、
オ−バエッチングによる層間ショ−トの低減が図られて
いる。このように構成された液晶表示装置では、以下の
ようにして不良なTFTが特定される。
[0025] The scanning lines G n and the signal line as shown in FIG. 2 S m, S m + 1 and the cross-section 49a, b, the ground line GN
D n and the signal line S m, intersections 49c between the S m + 1, the d are left behind material film of the active layer 17, the contact layer 21,
The interlayer short is reduced by over-etching. In the liquid crystal display device configured as described above, a defective TFT is specified as follows.

【0026】最初、TFTを駆動して画面全体の表示を
黒にすると共に、液晶表示装置のバックライトを調整し
て通常強度のバックライト光51をLCDに照射する。
そして、目視或いは画像認識を利用した装置により、表
示状態を調べて不良な画素、つまり、不良なTFTを有
する画素を見つけだす。
First, the TFT is driven to make the display of the entire screen black, and the backlight of the liquid crystal display device is adjusted to irradiate the backlight 51 with normal intensity to the LCD.
Then, the display state is examined by a device utilizing visual observation or image recognition to find a defective pixel, that is, a pixel having a defective TFT.

【0027】次にバックライト光の強度を弱め、上記不
良な基本画素の表示状態を調べる。このとき、不良な基
本画素の表示が良好になれば可変抵抗9に接続されたT
FT3aが不良だと特定でき、不良な基本画素の表示が
変わらなれば、可変抵抗体9に接続されていないTFT
3bが不良だと特定できる。このように不良なTFTを
特定できるのは次のように説明される。
Next, the display state of the defective basic pixel is examined by reducing the intensity of the backlight light. At this time, if the display of the defective basic pixel is improved, the T
If the FT 3a can be identified as defective and the display of the defective basic pixel does not change, the TFT not connected to the variable resistor 9
3b can be specified as defective. The reason why such a defective TFT can be specified is explained as follows.

【0028】バックライト光51の強度が弱いと、可変
抵抗体9の抵抗が高くなるため、可変抵抗体9に接続さ
れたTFT3aの良好,不良にかかわらずTFT3aの
出力レベルは低下する。即ち、可変抵抗体9に接続され
ていないTFT3bのみで画素電極5を制御しているの
と同じ状態になる。
If the intensity of the backlight 51 is low, the resistance of the variable resistor 9 increases, so that the output level of the TFT 3a decreases regardless of whether the TFT 3a connected to the variable resistor 9 is good or defective. That is, the state is the same as when the pixel electrode 5 is controlled only by the TFT 3b not connected to the variable resistor 9.

【0029】その結果、TFT3aが不良であっても、
画素電極5はその影響を受けないため、TFT3bが良
好であれば、表示は良好になり、TFT3bが不良であ
れば、表示は不良なまま変わらない。したがって、バッ
クライト光51の強度を弱くすることで基本画素1のT
FT3a,3bのどちらが不良なのか特定できる。
As a result, even if the TFT 3a is defective,
Since the pixel electrode 5 is not affected by that, if the TFT 3b is good, the display is good, and if the TFT 3b is bad, the display remains unchanged. Therefore, by reducing the intensity of the backlight 51, the T of the basic pixel 1 is reduced.
Which of the FTs 3a and 3b is defective can be specified.

【0030】次にLCDの修復を行なう。即ち、透光性
基板11の裏面からYAGレ−ザ等のレ−ザ光を照射
し、不良なTFTと画素電極との接続を断つ。例えば、
可変抵抗体9に接続しているTFT3aが不良ならば、
ドレイン電極25又は接続電極27にレ−ザ光を照射し
て切断すれば良い。このとき、TFT3a,3bのゲ−
トは共通の走査線Gn に接続されているので1つ上の基
本画素の信号が画素電極5に与えられるという問題は生
じない。
Next, the LCD is repaired. That is, laser light such as a YAG laser is irradiated from the back surface of the light-transmitting substrate 11 to disconnect the defective TFT from the pixel electrode. For example,
If the TFT 3a connected to the variable resistor 9 is defective,
The drain electrode 25 or the connection electrode 27 may be cut by irradiating a laser beam. At this time, the gates of the TFTs 3a and 3b
Since the gates are connected to the common scanning line Gn , the problem that the signal of the immediately preceding basic pixel is applied to the pixel electrode 5 does not occur.

【0031】また、可変抵抗体9の抵抗は、通常動作に
おけるバックライト光で十分小さくなるため、TFT3
bが不良の場合でも、TFT3aだけでも所定レベルの
信号を画素電極5に与えることができる。
Further, the resistance of the variable resistor 9 becomes sufficiently small by the backlight in the normal operation.
Even when b is defective, a signal of a predetermined level can be given to the pixel electrode 5 only with the TFT 3a.

【0032】更に、TFT3aの出力レベルが低下した
場合でも、TFT3aを含む基本画素1の表示は、周囲
の画素の表示が黒であっても白くなるということがな
く、実用上の問題はなっかた。なお、本実施例ではバッ
クライト光の強度を変えて不良なTFTを特定したが、
バックライト光の強度を一定にしたままでも、不良なT
FTを特定できる。
Further, even when the output level of the TFT 3a is lowered, the display of the basic pixel 1 including the TFT 3a does not become white even if the display of the surrounding pixels is black, so there is no practical problem. Was. In this embodiment, the defective TFT is specified by changing the intensity of the backlight light.
Even if the backlight light intensity is kept constant, poor T
FT can be specified.

【0033】即ち、可変抵抗体9の抵抗が十分小さくな
る程度の強度のバックライト光を透光性基板11の裏面
から照射して表示が異常な基本画素1を見つけた後、L
CDを裏返し、透光性基板41側からバックライト光を
照射して不良なTFTを特定する。
That is, after illuminating the back light of the translucent substrate 11 with backlight light having such an intensity that the resistance of the variable resistor 9 becomes sufficiently small, the basic pixel 1 having an abnormal display is found.
The CD is turned over, and backlight is irradiated from the translucent substrate 41 side to specify a defective TFT.

【0034】不良なTFTが特定できるのは、透光性基
板41側からバックライト光を照射すると、ブラックマ
トリクス39により可変抵抗体9への光が遮断されるた
めである。
The reason why a defective TFT can be specified is that when backlight light is irradiated from the light transmitting substrate 41 side, light to the variable resistor 9 is blocked by the black matrix 39.

【0035】かくして本実施例の液晶表示装置では不良
なTFTの検出が容易になるため、点欠陥を完全に修復
することができるようになり、その結果、画質の低下を
未然に防止することができ、歩留まりが改善される。
Thus, in the liquid crystal display device of the present embodiment, it is easy to detect a defective TFT, so that a point defect can be completely repaired. As a result, it is possible to prevent a deterioration in image quality. And yield is improved.

【0036】図4には本発明の第2の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。
なお、図1の基本画素1と対応する部分には図1と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の液晶
表示装置の第1の実施例のそれと異なる点は、可変抵抗
体9をTFT3bのソ−スと信号線Sm との間に挿設し
たことにある。
FIG. 4 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a second embodiment of the present invention.
Note that portions corresponding to the basic pixels 1 in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and detailed description thereof is omitted. It differs from the first embodiment of the liquid crystal display device of this embodiment, the variable resistor 9 to the TFT3b source - lies in the inserted between the scan and signal lines S m.

【0037】このように構成された基本画素1を用いた
LCDでも、バックライト光を照射することで可変抵抗
体9の抵抗を変えることでTFT3bの動作を制御でき
るので第1の実施例と同様な効果が得られるのは勿論の
こと、可変抵抗体9が基本画素の形成領域ではなく、配
線部分に形成されているので透光性基板11に占める基
本画素の割合を小さくでき、開口率等の性能指標が改善
されるという効果がある。
Also in the LCD using the basic pixel 1 configured as described above, the operation of the TFT 3b can be controlled by changing the resistance of the variable resistor 9 by irradiating the backlight, so that it is the same as the first embodiment. Of course, the variable resistor 9 is formed not in the region where the basic pixels are formed but in the wiring portion, so that the ratio of the basic pixels occupying the translucent substrate 11 can be reduced. There is an effect that the performance index is improved.

【0038】図5には本発明の第3の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。
なお、図1の基本画素1と対応する部分には図1と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。
FIG. 5 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.
Note that portions corresponding to the basic pixels 1 in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and detailed description thereof is omitted.

【0039】この実施例の液晶表示装置の第1の実施例
のそれと異なる点は、TFT3a,3bのゲ−トを走査
線Gn 上に形成するのではなく、走査線Gn から分岐し
た配線上に形成したことにある。
The difference of the liquid crystal display device of this embodiment from that of the first embodiment is that the gates of the TFTs 3a and 3b are not formed on the scanning line Gn , but are branched from the scanning line Gn. That is formed above.

【0040】このように構成されたLCDでも第1の実
施例と同様な効果が得られるは勿論のこと、走査線Gn
の幅をTFT3a,3bに左右されずに決めることがで
きるため、走査線Gn の抵抗を容易に制御できるという
効果がある。
The same effect as that of the first embodiment can be obtained with the LCD having the above-described structure, and the scanning line G n can be obtained.
Can be determined independently of the TFTs 3a and 3b, so that the resistance of the scanning line Gn can be easily controlled.

【0041】図6には本発明の第4の実施例に係る液晶
表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されている。
なお、図1の基本画素1と対応する部分には図1と同一
符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の液晶
表示装置が第1の実施例のそれと異なる点は、電極構造
体53を可変抵抗体9に並列接続したことにある。図7
は図6のように構成された基本画素1を用いて作成した
LCDの平面図を示し、図8,図9はそれぞれ図7のB
−B´断面図,C−C´断面図である。
FIG. 6 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.
Note that portions corresponding to the basic pixels 1 in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as in FIG. 1, and detailed description thereof is omitted. The liquid crystal display device of this embodiment differs from that of the first embodiment in that the electrode structure 53 is connected in parallel to the variable resistor 9. FIG.
8 is a plan view of an LCD formed using the basic pixels 1 configured as shown in FIG. 6, and FIGS.
It is -B 'sectional drawing and CC' sectional drawing.

【0042】電極構造体53の構成は、基本的にはTF
T3a,3bと同じある。下部電極55は、接続電極2
3と同一の材料からなり、上部電極57と平面的に重な
り合っている。電極構造体53のポイントは直流的には
絶縁されているが後の処理で電極館をショ−トできる構
造を有していることである。したがって、電極構造体5
3は本実施例の構成に限るものではない。
The structure of the electrode structure 53 is basically TF
Same as T3a, 3b. The lower electrode 55 is a connecting electrode 2
3 and overlaps the upper electrode 57 in a planar manner. The point of the electrode structure 53 is that the electrode structure is insulated in terms of direct current, but has a structure capable of shorting the electrode building in a later process. Therefore, the electrode structure 5
3 is not limited to the configuration of the present embodiment.

【0043】このように構成された基本画素を用いたL
CDでもバックライト光を照射することで可変抵抗体9
の抵抗を変えることでTFT3bの動作を制御できるの
で第1の実施例と同様な効果が得られる。
L using the basic pixels thus configured
Irradiating the backlight with CD also makes the variable resistor 9
By changing the resistance of the TFT 3b, the operation of the TFT 3b can be controlled, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0044】更に、TFT3aが不良の場合、透光性基
板11の裏面からYAGレ−ザ光等を用いて下部電極5
5を部分的に溶融して下部電極55と上部電極57とを
短絡することでTFT3bの駆動能力の低下を防止でき
るという利点がある。
Further, when the TFT 3a is defective, the lower electrode 5 is formed from the rear surface of the light transmitting substrate 11 by using YAG laser light or the like.
5 is partially melted to short-circuit the lower electrode 55 and the upper electrode 57, whereby there is an advantage that a decrease in the driving ability of the TFT 3b can be prevented.

【0045】即ち、TFT3bには可変抵抗体9が直列
接合しているのでTFT3bの駆動能力が低下する恐れ
があるが、下部電極55と上部電極57とを短絡するこ
とでTFT3bの出力信号を可変抵抗体9を介さずに低
抵抗の電極構造体53を介して画素電極5に与えること
ができる。このため、可変抵抗体9の形成領域が狭く、
断面積が小さい場合でもTFT3bの駆動能力の低下を
確実に防止できる。
That is, since the variable resistor 9 is connected in series to the TFT 3b, the driving capability of the TFT 3b may be reduced. However, the output signal of the TFT 3b can be varied by short-circuiting the lower electrode 55 and the upper electrode 57. This can be applied to the pixel electrode 5 via the low-resistance electrode structure 53 without passing through the resistor 9. For this reason, the formation region of the variable resistor 9 is narrow,
Even when the cross-sectional area is small, it is possible to reliably prevent the driving ability of the TFT 3b from decreasing.

【0046】図10には本発明の第5の実施例に係る液
晶表示装置の基本画素1の模式的な回路図が示されてい
る。なお、図1,図6の基本画素と対応する部分には図
1,図6と同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
FIG. 10 is a schematic circuit diagram of a basic pixel 1 of a liquid crystal display according to a fifth embodiment of the present invention. 1 and 6 are denoted by the same reference numerals as in FIGS. 1 and 6, and the detailed description is omitted.

【0047】この実施例の液晶表示装置が第1の実施例
のそれと異なる点は、予備用のTFT3cを設け、この
TFT3cと画素電極5との間に電極構造体53を挿設
したことにある。
The liquid crystal display of this embodiment differs from that of the first embodiment in that a spare TFT 3c is provided, and an electrode structure 53 is inserted between the TFT 3c and the pixel electrode 5. .

【0048】このように構成された基本画素からなるL
CDでは、不良なTFTを画素電極5とから切り離した
後、電極構造体53の下部電極と上部電極とを短絡する
こと修復できる。
The L composed of the basic pixels thus configured
In the CD, after the defective TFT is separated from the pixel electrode 5, a short circuit between the lower electrode and the upper electrode of the electrode structure 53 can be repaired.

【0049】その結果、TFT3cが不良なTFTの代
わりとして使用できるため、2つのTFTで画素電極の
電位を制御でるようになり、素子特性、例えば、オン電
流やトランジスタの電極間容量を正常な基本画素と同じ
にすることができる。したがって、修復にともなう基本
画素の特性のばらつきを抑制でき、より画質の優れた液
晶表示装置を得ることができる。なお、本実施例の液晶
表示装置でも第1の実施例のそれと同様な効果が得られ
るのはいうまでもない。
As a result, the TFT 3c can be used as a substitute for a defective TFT, so that the potential of the pixel electrode can be controlled by the two TFTs, and the element characteristics such as the ON current and the inter-electrode capacitance of the transistor can be adjusted to a normal basic value. It can be the same as the pixel. Therefore, variations in the characteristics of the basic pixels due to restoration can be suppressed, and a liquid crystal display device with better image quality can be obtained. It goes without saying that the liquid crystal display device of the present embodiment can also obtain the same effects as those of the first embodiment.

【0050】図11には本発明の第6の実施例に係る液
晶表示装置の基本画素の模式的な回路図が示されてい
る。なお、図1の基本画素と対応する部分には図1と同
一符号を付し、詳細な説明は省略する。
FIG. 11 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention. The portions corresponding to the basic pixels in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 1, and detailed description is omitted.

【0051】この実施例の液晶表示装置が第1の実施例
のそれと異なる点は、可変抵抗体9aにFETを用いた
ことにある。FETのゲ−ト,ソ−ス,ドレインはそれ
ぞれは補助容量7,TFT3aのドレイン,ゲ−トに接
続されている。このように構成された基本画素1からな
るLCDでは、以下のような手順で不良なTFTを特定
できる。
The liquid crystal display of this embodiment differs from that of the first embodiment in that an FET is used for the variable resistor 9a. The gate, source, and drain of the FET are connected to the storage capacitor 7 and the drain and gate of the TFT 3a, respectively. In the LCD including the basic pixels 1 configured as described above, a defective TFT can be specified by the following procedure.

【0052】最初、TFTを駆動すると共に、グランド
線GNDn の電位を高電位にしてFETのソ−ス・ドレ
イン間の抵抗を十分小さくする。この状態でLCDの表
示状態を調べて不良なTFTを有する基本画素を見つけ
る。
[0052] First, to drive the TFT, FET Seo and the potential of the ground line GND n to the high potential - sufficiently reduce the resistance between the scan and the drain. In this state, the display state of the LCD is examined to find a basic pixel having a defective TFT.

【0053】次にグランド線GNDGn の電位を低電位
にしてTFT3bのみで基本画素5の電位を制御する。
このとき、第1の実施例と同じ理由で、不良なTFTを
有する基本画素の表示が良くなれば、FETに接続され
たTFTが不良だと特定でき、表示状態が変わらなけれ
ばFETに接続されていない方のTFTが不良だと特定
できる。不良なTFTが特定されたら、第1の実施例と
同様にして不良なTFTを画素電極又は信号線から切り
離してLCDを修復する。
[0053] then the potential of the ground line GNDG n in the low potential TFT3b only by controlling the potential of the basic pixel 5.
At this time, for the same reason as in the first embodiment, if the display of the basic pixel having a defective TFT is improved, the TFT connected to the FET can be identified as defective. If the display state does not change, the connection to the FET is performed. It can be specified that the TFT that is not defective is defective. When the defective TFT is specified, the defective TFT is separated from the pixel electrode or the signal line and the LCD is repaired as in the first embodiment.

【0054】このように構成された基本画素を用いたL
CDでは、バックライト光を用いなくても可変抵抗体9
の抵抗を変えることができるので反射型の液晶表示装置
にも適用できるという利点がある。
L using the basic pixels thus configured
In a CD, the variable resistor 9 can be used without using backlight light.
Has the advantage that it can be applied to a reflection type liquid crystal display device.

【0055】なお、上記実施例では、不良なTFTを見
つけるために正規の信号を用いたが、例えば、可変抵抗
体9の抵抗を小さくできないとき、つまり、可変抵抗体
9が低抵抗の状態でもTFT3aの出力レベルが所定の
値まで上がらないときには、正規のパルス信号よりパル
ス幅が広いパルス信号を走査線Gに与えてTFT3aの
駆動力を高めても良い。
In the above embodiment, a normal signal is used to find a defective TFT. However, for example, when the resistance of the variable resistor 9 cannot be reduced, that is, even when the variable resistor 9 is in a low resistance state, When the output level of the TFT 3a does not rise to a predetermined value, a driving signal of the TFT 3a may be increased by supplying a pulse signal having a wider pulse width than a regular pulse signal to the scanning line G.

【0056】また、第1〜第5の実施例のように2つの
TFT3a,3bを用いた基本画素1では、これらTF
T3a,3bがともに正常なときは、TFT3aの能力
を完全には利用できないが,TFT3bが1つのみより
オン電流が大きくなるのでTFTが1つしかない基本画
素に比べて小さいTFTを用いることができる。
In the basic pixel 1 using the two TFTs 3a and 3b as in the first to fifth embodiments, the TF
When both T3a and T3b are normal, the capability of the TFT3a cannot be used completely. However, since the ON current is larger than that of only one TFT3b, it is necessary to use a TFT smaller than a basic pixel having only one TFT. it can.

【0057】即ち、TFTが1つの基本画素のTFTの
駆動力,大きさをともに1とすると、TFT3a,3b
の駆動力,大きさをそれぞれ0.7,0.4とすること
でTFT全体の駆動力,大きさをそれぞれ1.4,0.
8とすることができる。なお、本発明は上述した実施例
に限定されるものではない。
That is, assuming that the driving force and the size of the TFT of one basic pixel are both 1, the TFTs 3a, 3b
Are set to 0.7 and 0.4, respectively, so that the driving force and size of the entire TFT are 1.4 and 0.
8 can be set. The present invention is not limited to the embodiments described above.

【0058】例えば、上記実施例では透光性基板11の
裏面から光を照射したが、透光性基板41の表面から光
を照射してもTFTの検査を行なうことができる。ま
た、可変抵抗体9に光を照射する代わりに温度を変える
ことで抵抗を制御しても良い。更に、光と電圧とを利用
して可変抵抗体の抵抗を制御するなど、複数の制御方法
を組合わせて抵抗を制御してもよい。更にまた、可変抵
抗体9としてアモルファスシリコンを用いる代わりに多
結晶シリコンを用いても良い。
For example, in the above embodiment, light is irradiated from the back surface of the light-transmitting substrate 11, but the inspection of the TFT can be performed by irradiating light from the surface of the light-transmitting substrate 41. Alternatively, the resistance may be controlled by changing the temperature instead of irradiating the variable resistor 9 with light. Further, the resistance may be controlled by combining a plurality of control methods, such as controlling the resistance of the variable resistor using light and voltage. Furthermore, instead of using amorphous silicon as the variable resistor 9, polycrystalline silicon may be used.

【0059】また、上記実施例では1つのTFTにしか
可変抵抗体9を設けなかったが、複数のTFTに設けて
も良い。この場合、抵抗値の変化が各TFTで異なるよ
うにし、どのTFTが不良なのか特定し易いようにする
ことが望ましい。これは可変抵抗体9の幅や長さを調整
することで実現できる。
In the above embodiment, the variable resistor 9 is provided only for one TFT, but may be provided for a plurality of TFTs. In this case, it is desirable that the change in the resistance value be different for each TFT so that it is easy to specify which TFT is defective. This can be realized by adjusting the width and length of the variable resistor 9.

【0060】更に、上記実施例では、LCDを作成した
後に、TFTの検査を行なったが、マトリクスアレイ基
板の状態で行なっても良い。例えば、信号線から電荷を
書き込み、一定時間後にその電荷をTFTを介して読み
だし、正規の電荷が保持されているか否かを調べれば不
良なTFTを見つけることができる。更にまた、上記実
施では、TFTの検査について説明したが、同じ方法を
用いて補助容量7の検査もできる。そしてまた、本発明
は、TFT以外のスイッチング素子を用いた液晶表示装
置にも適用できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施できる。
Further, in the above-described embodiment, the TFT is inspected after the LCD is manufactured. However, the inspection may be performed in a state of the matrix array substrate. For example, a defective TFT can be found by writing electric charge from a signal line, reading out the electric charge after a certain period of time via a TFT, and examining whether or not a proper electric charge is held. Furthermore, in the above embodiment, the inspection of the TFT has been described. However, the inspection of the auxiliary capacitance 7 can be performed using the same method. Further, the present invention can be applied to a liquid crystal display device using a switching element other than the TFT. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、不
良なTFTを容易に見つけることができるので点欠陥が
少ない液晶表示装置を得ることができる。
As described in detail above, according to the present invention, a defective TFT can be easily found, so that a liquid crystal display device with few point defects can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係る液晶表示装置の単
位画素の模式的な回路図。
FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a unit pixel of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の単位画素を用いたLCDの平面図。FIG. 2 is a plan view of an LCD using the unit pixels of FIG.

【図3】図2のLCDのA−A´断面図。3 is a sectional view of the LCD of FIG. 2 taken along the line AA ';

【図4】本発明の第2の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。
FIG. 4 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。
FIG. 5 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第4の実施例に係る液晶表示装置の基
本画素の模式的な回路図。
FIG. 6 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】図6の単位画素を用いたLCDの平面図。7 is a plan view of an LCD using the unit pixels of FIG.

【図8】図7のLCDのB−B´断面図。8 is a cross-sectional view of the LCD of FIG. 7 taken along line BB '.

【図9】図7のLCDのC−C´断面図。9 is a cross-sectional view of the LCD of FIG. 7, taken along the line CC '.

【図10】本発明の第5の実施例に係る液晶表示装置の
基本画素の模式的な回路図。
FIG. 10 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第6の実施例に係る液晶表示装置の
基本画素の模式的な回路図。
FIG. 11 is a schematic circuit diagram of a basic pixel of a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図12】従来のTFT−LCDの模式的な回路図FIG. 12 is a schematic circuit diagram of a conventional TFT-LCD.

【図13】従来の複数TFT方式のTFT−LCDの模
式的な回路図
FIG. 13 is a schematic circuit diagram of a conventional multi-TFT TFT-LCD.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…単位画素、3a,3b,3c…TFT、5…画素電
極、7…補助容量、9,9a…可変抵抗体、11…透光
性絶縁基板、13…接続電極、15…ゲ−ト絶縁膜、1
7…活性層、19…保護膜、21…コンタクト層、2
3,25,27…接続電極、29,31…保護膜、33
…液晶、35…対向電極、37…カラ−フィルタ、39
…ブラックマトリクス、41…透光性絶縁基板、43,
45…偏向板、49a〜49b…交差部、51…バック
ライト、53…電極構造体、55…下部電極、57…上
部電極。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Unit pixel, 3a, 3b, 3c ... TFT, 5 ... Pixel electrode, 7 ... Auxiliary capacitance, 9, 9a ... Variable resistor, 11 ... Translucent insulating substrate, 13 ... Connection electrode, 15 ... Gate insulation Membrane, 1
7 active layer, 19 protective film, 21 contact layer, 2
3, 25, 27 ... connection electrodes, 29, 31 ... protective films, 33
... liquid crystal, 35 ... counter electrode, 37 ... color filter, 39
... black matrix, 41 ... translucent insulating substrate, 43,
45: deflection plate, 49a to 49b: intersection, 51: backlight, 53: electrode structure, 55: lower electrode, 57: upper electrode.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】液晶の配向を入力信号により制御する画素
電極と、一方のソース・ドレインが前記画素電極に接続
され、他方のソース・ドレインが信号線に接続され、ゲ
ートが走査線に接続された複数の電界効果トランジスタ
とを有する画素がマトリクス配列されてなる液晶表示装
置において、前記複数のトランジスタのいずれかを介し
て前記信号線と前記画素電極との間に2端子の可変抵抗
体が挿設されていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A pixel electrode for controlling the orientation of liquid crystal by an input signal, one source / drain is connected to the pixel electrode, the other source / drain is connected to a signal line, and a gate is connected to a scanning line. In a liquid crystal display device in which pixels having a plurality of field effect transistors are arranged in a matrix, a two-terminal variable resistor is inserted between the signal line and the pixel electrode via any one of the plurality of transistors. A liquid crystal display device, which is provided.
【請求項2】前記可変抵抗体は、光又は熱によって制御
されるものであることを特徴とする請求項1に記載の液
晶表示装置。
2. The variable resistor is controlled by light or heat.
The liquid according to claim 1, wherein
Crystal display device.
【請求項3】液晶の配向を入力信号により制御する画素
電極と、一方のソース・ドレインが前記画素電極に接続
され、他方のソース・ドレインが信号線に接続され、ゲ
ートが走査線に接続された複数の電界効果トランジスタ
とを有する画素がマトリクス配列されてなる液晶表示装
置において、前記複数のトランジスタのいずれかを介し
て前記信号線と前記画素電極との間に3端子の可変抵抗
体が挿設され、該可変抵抗体の制御端子には定電位を供
給する手段が接続されていることを特徴とする液晶表示
装置。
3. A pixel for controlling the orientation of a liquid crystal by an input signal.
The electrode and one of the source and drain are connected to the pixel electrode
And the other source / drain is connected to the signal line,
Multiple field effect transistors with gates connected to scan lines
Liquid crystal display device in which pixels having
Through any of the plurality of transistors.
And a three-terminal variable resistor between the signal line and the pixel electrode.
A constant potential is applied to the control terminal of the variable resistor.
Liquid crystal display, characterized in that means for supplying
apparatus.
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