JP3008015B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JP3008015B2 JP3008015B2 JP8178999A JP17899996A JP3008015B2 JP 3008015 B2 JP3008015 B2 JP 3008015B2 JP 8178999 A JP8178999 A JP 8178999A JP 17899996 A JP17899996 A JP 17899996A JP 3008015 B2 JP3008015 B2 JP 3008015B2
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- H10W72/5449—
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- H10W72/884—
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- H10W74/00—
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- H10W90/736—
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- H10W90/756—
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トランスファモー
ルド法により製造される半導体装置およびその製造方法
に関する。
ルド法により製造される半導体装置およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置のパッケージ技術と
してトランスファモールド成形がある。
してトランスファモールド成形がある。
【０００３】このトランスファモールド成形は、たとえ
ば、図６に示すように、リードフレーム１にＩＣチップ
などの半導体素子２を半田３などによってダイボンディ
ングした上で、金属細線４を用いて半導体素子２とリー
ドフレーム１の外部接続端子となるべき部分５との間を
ワイヤボンディングする。
ば、図６に示すように、リードフレーム１にＩＣチップ
などの半導体素子２を半田３などによってダイボンディ
ングした上で、金属細線４を用いて半導体素子２とリー
ドフレーム１の外部接続端子となるべき部分５との間を
ワイヤボンディングする。
【０００４】次に、図７に示すように、これをトランス
ファモールド金型６内に配置して、その上型６aと下型
６bとでリードフレーム１を押さえつけて密着させる。
ファモールド金型６内に配置して、その上型６aと下型
６bとでリードフレーム１を押さえつけて密着させる。
【０００５】この状態で、次に、エポキシ、シリコン等
の熱硬化性のモールド樹脂７を軟化するまで加熱して可
塑化し、これを図示しないプランジャでトランスファ金
型６の上型６aと下型６bとの間にできたキャビティ８内
に圧入して硬化させる。
の熱硬化性のモールド樹脂７を軟化するまで加熱して可
塑化し、これを図示しないプランジャでトランスファ金
型６の上型６aと下型６bとの間にできたキャビティ８内
に圧入して硬化させる。
【０００６】このとき、未充填部分の残すことなく成形
品の中心部までモールド樹脂７がよく回り込んで硬化す
るように、プランジャの押し出し圧力は、数百kg／cm3
程度の圧力で注入される。
品の中心部までモールド樹脂７がよく回り込んで硬化す
るように、プランジャの押し出し圧力は、数百kg／cm3
程度の圧力で注入される。
【０００７】また、半導体装置の種類によっては、装置
内部の自己発熱が高くなるものがあるので、モールド樹
脂７内にシリカ等の硬度の高い高熱伝導性の物質を充填
して放熱性を高めている。
内部の自己発熱が高くなるものがあるので、モールド樹
脂７内にシリカ等の硬度の高い高熱伝導性の物質を充填
して放熱性を高めている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、リードフレ
ーム１をトランスファ金型６にセットする場合、リード
フレーム１とトランスファモールド金型６の接触する面
が完全に平坦でないため、図８に示すように比較的内側
に入り込んだところまで隙間９ができる場合がある。
ーム１をトランスファ金型６にセットする場合、リード
フレーム１とトランスファモールド金型６の接触する面
が完全に平坦でないため、図８に示すように比較的内側
に入り込んだところまで隙間９ができる場合がある。
【０００９】そして、上記のように、プランジャの押し
出し圧力を大きくすると、未充填の部分がなくなって成
形性が向上するものの、トランスファモールド時にこの
隙間９にモールド樹脂７が回り込み、これがいわゆるバ
リとなって残る。
出し圧力を大きくすると、未充填の部分がなくなって成
形性が向上するものの、トランスファモールド時にこの
隙間９にモールド樹脂７が回り込み、これがいわゆるバ
リとなって残る。
【００１０】このようなバリがモールド金型６に付着し
ているときは、この状態で続けてトランスファモールド
を行うとモールド樹脂７内に充填されている上記のシリ
カ等の物質によりトランスファモールド金型６の内面を
摩耗させることになり、この金型６の寿命が短くなる。
ているときは、この状態で続けてトランスファモールド
を行うとモールド樹脂７内に充填されている上記のシリ
カ等の物質によりトランスファモールド金型６の内面を
摩耗させることになり、この金型６の寿命が短くなる。
【００１１】また、トランスファモールド成形された半
導体装置を半田等を用いて面実装するような場合に、上
記のバリが半導体装置側に付着しているときには、その
バリの部分が電気的接触が不良となるので、接触抵抗の
増大に伴う電力ロスや、素子の発生する熱を半田を介し
て十分に放熱できない等の不都合が起こる。
導体装置を半田等を用いて面実装するような場合に、上
記のバリが半導体装置側に付着しているときには、その
バリの部分が電気的接触が不良となるので、接触抵抗の
増大に伴う電力ロスや、素子の発生する熱を半田を介し
て十分に放熱できない等の不都合が起こる。
【００１２】このため、従来は、モールド工程後にさら
にバリ取り工程を設けているが、このようなバリ取り工
程を設けることは、余分な手間を要するためランニング
コストの上昇を招く。
にバリ取り工程を設けているが、このようなバリ取り工
程を設けることは、余分な手間を要するためランニング
コストの上昇を招く。
【００１３】しかも、シリカ等が添加されたモールド樹
脂７は硬度が高いために、厚みが数十μmを越えるよう
なバリが発生した場合には、上記のバリ取り工程ではこ
れを十分に除去できないことがある。
脂７は硬度が高いために、厚みが数十μmを越えるよう
なバリが発生した場合には、上記のバリ取り工程ではこ
れを十分に除去できないことがある。
【００１４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、トランスファモールド成形時のバリ発
生を確実に防止できるようにして、トランスファモール
ド金型の寿命を延ばすとともに、バリ取り工程を省略し
てランニングコストを下げることを課題とする。
なされたもので、トランスファモールド成形時のバリ発
生を確実に防止できるようにして、トランスファモール
ド金型の寿命を延ばすとともに、バリ取り工程を省略し
てランニングコストを下げることを課題とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、リードフレームに半導体素子をマウント
した上でワイヤボンディングしたものをトランスファモ
ールド金型内に配置して樹脂モールドしてなる半導体装
置において、次の構成を採用している。
解決するため、リードフレームに半導体素子をマウント
した上でワイヤボンディングしたものをトランスファモ
ールド金型内に配置して樹脂モールドしてなる半導体装
置において、次の構成を採用している。
【００１６】すなわち、請求項１記載に係る発明では、
リードフレームには、トランスファモールド金型と接触
する面でこの金型のキャビティに臨む外周部分に相当す
る箇所に隆起部が、該リードフレームの外周端から平坦
部を介して形成されており、かつ、この隆起部は、リー
ドフレームをパンチング加工する際に、パンチング金型
に設けられた突起によって溝とともに形成されたもので
ある。
リードフレームには、トランスファモールド金型と接触
する面でこの金型のキャビティに臨む外周部分に相当す
る箇所に隆起部が、該リードフレームの外周端から平坦
部を介して形成されており、かつ、この隆起部は、リー
ドフレームをパンチング加工する際に、パンチング金型
に設けられた突起によって溝とともに形成されたもので
ある。
【００１７】請求項２記載に係る発明では、請求項１記
載の構成において、リードフレームをトランスファモー
ルド金型内に配置した場合に、上記隆起部が前記トラン
スファモールド金型に押圧されることにより変形してこ
の金型とリードフレーム間への樹脂の侵入を堰止めする
ものとして形成されている。
載の構成において、リードフレームをトランスファモー
ルド金型内に配置した場合に、上記隆起部が前記トラン
スファモールド金型に押圧されることにより変形してこ
の金型とリードフレーム間への樹脂の侵入を堰止めする
ものとして形成されている。
【００１８】請求項３記載に係る発明では、リードフレ
ームにマウントした半導体素子をトランスファモールド
成形により樹脂モールドする半導体装置の製造方法であ
って、前記リードフレームをパンチング加工により形成
する際に、トランスファモールド金型に接触する面でこ
の金型のキャビティに臨むリードフレームの外周部分に
相当する箇所に、パンチング金型に設けられた突起によ
って溝とともに隆起部を形成する工程と、前記リードフ
レームに半導体素子をマウントした上でワイヤボンディ
ングする工程と、前記リードフレームと前記半導体素子
とをトランスファモールド金型内に配置して樹脂モール
ドする工程とを含んでいる。
ームにマウントした半導体素子をトランスファモールド
成形により樹脂モールドする半導体装置の製造方法であ
って、前記リードフレームをパンチング加工により形成
する際に、トランスファモールド金型に接触する面でこ
の金型のキャビティに臨むリードフレームの外周部分に
相当する箇所に、パンチング金型に設けられた突起によ
って溝とともに隆起部を形成する工程と、前記リードフ
レームに半導体素子をマウントした上でワイヤボンディ
ングする工程と、前記リードフレームと前記半導体素子
とをトランスファモールド金型内に配置して樹脂モール
ドする工程とを含んでいる。
【００１９】この構成によれば、リードフレームをトラ
ンスファモールド金型にセットしてその上型および下型
でリードフレームを押さえるときに隆起部がつぶれる。
そして、隆起部が押し潰されたところは金型との隙間が
無くなって密着し、モールド樹脂の侵入を堰止めするた
め、それよりも内側にはバリが発生しない。さらには、
パンチング加工の工程で同時に隆起部を形成するので、
新たに工程を追加する必要がなくその分、経済的にな
る。
ンスファモールド金型にセットしてその上型および下型
でリードフレームを押さえるときに隆起部がつぶれる。
そして、隆起部が押し潰されたところは金型との隙間が
無くなって密着し、モールド樹脂の侵入を堰止めするた
め、それよりも内側にはバリが発生しない。さらには、
パンチング加工の工程で同時に隆起部を形成するので、
新たに工程を追加する必要がなくその分、経済的にな
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態の半導
体装置において、リードフレームに半導体素子を組み込
んだ状態を示すもので、半導体素子のマウント側と反対
の裏面側から見た平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図であり、図６ないし図８の従来例に対応する部分
には同一の符号を付す。
体装置において、リードフレームに半導体素子を組み込
んだ状態を示すもので、半導体素子のマウント側と反対
の裏面側から見た平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う
断面図であり、図６ないし図８の従来例に対応する部分
には同一の符号を付す。
【００２１】図１および図２において、１はリードフレ
ーム、２は半導体素子、３は半田、４は金属細線、５は
リードフレーム１の外部接続端子となるべき部分であ
り、これらの構成は、従来例の場合と同様である。
ーム、２は半導体素子、３は半田、４は金属細線、５は
リードフレーム１の外部接続端子となるべき部分であ
り、これらの構成は、従来例の場合と同様である。
【００２２】この実施形態の特徴は、リードフレーム１
の所要箇所にＶ字状の溝１１が形成されるとともに、そ
の溝１１の形成に伴ってその両側に隆起部１２が形成さ
れていることである。
の所要箇所にＶ字状の溝１１が形成されるとともに、そ
の溝１１の形成に伴ってその両側に隆起部１２が形成さ
れていることである。
【００２３】この溝１１および隆起部１２は、図３に示
すように、リードフレーム１をトランスファモールド金
型６内に配置した場合に、その金型６(本例では下型６
a)と接触する面のキャビティ８に臨む外周部分に相当す
る箇所に、リードフレーム１の外周端から平坦部を介し
て形成される。
すように、リードフレーム１をトランスファモールド金
型６内に配置した場合に、その金型６(本例では下型６
a)と接触する面のキャビティ８に臨む外周部分に相当す
る箇所に、リードフレーム１の外周端から平坦部を介し
て形成される。
【００２４】そして、この溝１１と隆起部１２は、リー
ドフレーム１をパンチング加工する際に同時に形成され
たものである。すなわち、リードフレーム１は、通常、
図４に示すように、金属製の圧延板１４をパンチング金
型１５を用いてパンチング加工することにより成形され
るが、その場合に、パンチング金型１５の所定部分に、
図５(a)に示すように、溝１１形成用の楔形の突起１６
を設けておき、この突起１６をパンチングの際に圧延板
１４に食い込ませることで、溝１１と隆起部１２とが同
時に形成される。このように、従来からのパンチング加
工の工程で隆起部１２を形成することができるので、新
たに工程を追加する必要がなく経済的である。なお、図
５(a)では、溝１１形成用の突起１６を楔形としてＶ字
状の溝１１を形成しているが、図５(b)に示すように、
突起１７を凸状のものとすることも可能である。
ドフレーム１をパンチング加工する際に同時に形成され
たものである。すなわち、リードフレーム１は、通常、
図４に示すように、金属製の圧延板１４をパンチング金
型１５を用いてパンチング加工することにより成形され
るが、その場合に、パンチング金型１５の所定部分に、
図５(a)に示すように、溝１１形成用の楔形の突起１６
を設けておき、この突起１６をパンチングの際に圧延板
１４に食い込ませることで、溝１１と隆起部１２とが同
時に形成される。このように、従来からのパンチング加
工の工程で隆起部１２を形成することができるので、新
たに工程を追加する必要がなく経済的である。なお、図
５(a)では、溝１１形成用の突起１６を楔形としてＶ字
状の溝１１を形成しているが、図５(b)に示すように、
突起１７を凸状のものとすることも可能である。
【００２５】この実施形態の半導体装置を製造する場合
には、上述のように、パンチング加工の際に溝１１およ
び隆起部１２が予め形成されてなるリードフレーム１を
準備し、このリードフレーム１に半導体素子２を半田３
によってダイボンディングする。
には、上述のように、パンチング加工の際に溝１１およ
び隆起部１２が予め形成されてなるリードフレーム１を
準備し、このリードフレーム１に半導体素子２を半田３
によってダイボンディングする。
【００２６】次に、金属細線４を用いて半導体素子２と
リードフレーム１の外部接続端子となるべき部分５との
間をワイヤボンディングする。
リードフレーム１の外部接続端子となるべき部分５との
間をワイヤボンディングする。
【００２７】続いて、これをトランスファモールド金型
６内に配置して、その上型６aと下型６bとでリードフレ
ーム１を押さえつけて密着させる。
６内に配置して、その上型６aと下型６bとでリードフレ
ーム１を押さえつけて密着させる。
【００２８】その際、リードフレーム１の隆起部１２
は、図３に示すように、トランスファモールド金型６に
押圧されることにより変形して押し潰されてトランスフ
ァモールド金型６(この例では下型６a)と完全に密着さ
れる。
は、図３に示すように、トランスファモールド金型６に
押圧されることにより変形して押し潰されてトランスフ
ァモールド金型６(この例では下型６a)と完全に密着さ
れる。
【００２９】このため、次に、可塑化されたモールド樹
脂７が図示しないプランジャでトランスファ金型６の上
型６aと下型６bとの間にできたキャビティ８内に圧入さ
れた場合でも、この隆起部１２が押し潰された部分がモ
ールド樹脂の侵入を堰止めするため、それよりも内側に
はバリが発生しない。
脂７が図示しないプランジャでトランスファ金型６の上
型６aと下型６bとの間にできたキャビティ８内に圧入さ
れた場合でも、この隆起部１２が押し潰された部分がモ
ールド樹脂の侵入を堰止めするため、それよりも内側に
はバリが発生しない。
【００３０】こうして樹脂モールドされた後は、従来の
ようなバリ取り工程を省略して、リードフレーム１の露
出部分を半田めっきし、続いて、リードフレーム１のタ
イバー部分を切断してから、モールド樹脂の部分のマー
キング処理を行って製品検査される。
ようなバリ取り工程を省略して、リードフレーム１の露
出部分を半田めっきし、続いて、リードフレーム１のタ
イバー部分を切断してから、モールド樹脂の部分のマー
キング処理を行って製品検査される。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームのパン
チングの際に同時に隆起部を形成することにより、トラ
ンスファモールド成形時のバリ発生を確実に防止するこ
とができる。このため、トランスファモールド金型の寿
命を延ばすとともに、従来のバリ取り工程を省略できる
ためランニングコストを下げることができる。さらに
は、パンチング加工の工程で隆起部を同時に形成するの
で、新たに工程を追加する必要がなく経済的となり、そ
の分でもコストを下げることができる。
チングの際に同時に隆起部を形成することにより、トラ
ンスファモールド成形時のバリ発生を確実に防止するこ
とができる。このため、トランスファモールド金型の寿
命を延ばすとともに、従来のバリ取り工程を省略できる
ためランニングコストを下げることができる。さらに
は、パンチング加工の工程で隆起部を同時に形成するの
で、新たに工程を追加する必要がなく経済的となり、そ
の分でもコストを下げることができる。
【図１】本発明の実施形態の半導体装置において、リー
ドフレームに半導体素子を組み込んだ状態を示すもの
で、半導体素子のマウント側と反対の裏面側から見た平
面図である。
ドフレームに半導体素子を組み込んだ状態を示すもの
で、半導体素子のマウント側と反対の裏面側から見た平
面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図１のものをトランスファモールド金型にセッ
トしたときの断面図である。
トしたときの断面図である。
【図４】図１の半導体装置のリードフレーム形成のため
の工程を示す説明図である。
の工程を示す説明図である。
【図５】図１の半導体装置のリードフレーム形成時に同
時に溝を形成する場合のパンチング金型の形状を示す断
面図である。
時に溝を形成する場合のパンチング金型の形状を示す断
面図である。
【図６】従来技術において、リードフレームに半導体素
子を組み込んだ状態を示す平面図である。
子を組み込んだ状態を示す平面図である。
【図７】図６のものをトランスファモールド金型にセッ
トしたときの断面図である。
トしたときの断面図である。
【図８】図７の符号Ｂで示す部分を拡大して示す断面図
である。
である。
【符号の説明】 １…リードフレーム、２…半導体素子、３…ハンダ、４
…金属細線、６…トランスファモールド金型、６a…下
型、６b…上型、７…モールド樹脂、８…キャビティ、
９…隙間、１１…溝、１２…隆起部。
…金属細線、６…トランスファモールド金型、６a…下
型、６b…上型、７…モールド樹脂、８…キャビティ、
９…隙間、１１…溝、１２…隆起部。
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体素子をマウント
した上でワイヤボンディングしたものをトランスファモ
ールド金型内に配置して樹脂モールドしてなる半導体装
置において、 前記リードフレームには、トランスファモールド金型と
接触する面でこの金型のキャビティに臨む外周部分に相
当する箇所に隆起部が、該リードフレームの外周端から
平坦部を介して形成されており、かつ、この隆起部は、
リードフレームをパンチング加工する際に、パンチング
金型に設けられた突起によって溝とともに形成されたも
のであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、 前記リードフレームをトランスファモールド金型内に配
置した場合に、前記隆起部が前記トランスファモールド
金型に押圧されることにより変形してこの金型とリード
フレーム間への樹脂の侵入を堰止めするものであること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 リードフレームにマウントした半導体素
子をトランスファモールド成形により樹脂モールドする
半導体装置の製造方法であって、 前記リードフレームをパンチング加工により形成する際
に、トランスファモールド金型に接触する面でこの金型
のキャビティに臨むリードフレームの外周部分に相当す
る箇所に、パンチング金型に設けられた突起によって溝
とともに隆起部を形成する工程と、 前記リードフレームに半導体素子をマウントした上でワ
イヤボンディングする工程と、 前記リードフレームと前記半導体素子とをトランスファ
モールド金型内に配置して樹脂モールドする工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178999A JP3008015B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178999A JP3008015B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027874A JPH1027874A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3008015B2 true JP3008015B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=16058353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178999A Expired - Fee Related JP3008015B2 (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3008015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5101093B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-12-19 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電発振器及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP8178999A patent/JP3008015B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1027874A (ja) | 1998-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071203 Year of fee payment: 8 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 9 |
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