JP3003311B2 - Fingerprint sensor - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、圧電薄膜を利用した指
紋センサに関し、特に指の指紋パターンを検出するため
のセンサ部の構成に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fingerprint sensor using a piezoelectric thin film, and more particularly, to a structure of a sensor unit for detecting a fingerprint pattern of a finger.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報システムの発展、普及、多様
化に伴って、「万人不同」、「終生不変」という指紋情
報を用いた情報セキュリティが注目を集めている。現
在、実用化されている指紋照合システムは、各種端末に
組み込むためには形状も大きく高価であり、今後、情報
システム機器に組み込み可能な、小型化あるいはカード
形状の指紋センサが切望されている。2. Description of the Related Art In recent years, information security using fingerprint information such as "everyone is unmatched" and "lifelong invariant" has attracted attention with the development, spread and diversification of information systems. Currently, a fingerprint matching system that is in practical use has a large shape and is expensive in order to be incorporated into various terminals. In the future, a small-sized or card-shaped fingerprint sensor that can be incorporated into information system equipment has been desired.
【０００３】従来の指紋検出方法は、指先をガラス面な
どに押し当てて、その部分を光源で照射し、その反射光
をＣＣＤ等により光電変換して電気出力信号とし、この
電気出力信号を処理することにより、指紋を検出してい
る（例えば特開昭６０−１１４９７９号公報）。この様
な光学式の指紋センサ以外には、感圧シートにマトリッ
クス電極を形成し、感圧シートの抵抗値を電気的に取り
出すこよにより、指紋パターンを圧力的に検出する方法
（例えば特開昭６３−２０４３７４号公報）なども提案
されている。In the conventional fingerprint detection method, a fingertip is pressed against a glass surface or the like, the portion is irradiated with a light source, and the reflected light is photoelectrically converted by a CCD or the like into an electric output signal, and the electric output signal is processed. By doing so, a fingerprint is detected (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-114979). In addition to such an optical fingerprint sensor, a method of forming a matrix electrode on a pressure-sensitive sheet and electrically extracting the resistance value of the pressure-sensitive sheet to detect a fingerprint pattern pressure-wise (for example, see 63-204374) has also been proposed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の光
学式指紋センサにおいては、光源およびその電源やレン
ズなどを含む光学系とＣＣＤなどの光電変換素子が必要
であるため、センサ部が大型化すると共にコスト高とな
るという問題点を有していた。また上記の感圧式指紋セ
ンサにおいては、感圧シートを用いているためセンサ部
の構成が簡素であり薄型化が可能であるが、センシング
に感圧導電ゴムを用いるため、再現性、クリープなど信
頼性に欠けるという問題点を有していた。However, the above-mentioned optical fingerprint sensor requires a light source, an optical system including a power source and a lens, and a photoelectric conversion element such as a CCD. There was a problem that the cost was high. The pressure-sensitive fingerprint sensor described above uses a pressure-sensitive sheet, so the structure of the sensor unit is simple and can be made thin.However, since pressure-sensitive conductive rubber is used for sensing, reliability such as reproducibility and creep are high. There was a problem of lack of nature.
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、小型化が可能でかつ高分解能で信頼性の高い指紋セ
ンサを提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a fingerprint sensor that can be reduced in size, has high resolution, and has high reliability.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の指紋センサは、複数個のセンサ素子と、各セ
ンサ素子の出力信号を増幅する増幅素子またはインピー
ダンス変換するインピーダンス変換素子と、増幅素子ま
たはインピーダンス変換素子の出力を順次走査するスイ
ッチング素子とを備え、上記センサ素子は圧電薄膜より
構成されていることを特徴とする。 In order to achieve this object, a fingerprint sensor according to the present invention comprises a plurality of sensor elements and each sensor.
Amplifying element or Inpi amplify the output signal of the capacitors elements
An impedance conversion element for performing a dance conversion, and a switching element for sequentially scanning an output of the amplification element or the impedance conversion element , wherein the sensor element is made of a piezoelectric thin film.
It is characterized by comprising.
【０００７】[0007]
【作用】この構成によって、圧電薄膜よりなる圧電素子
が指紋の山部（隆線）と接触し、各圧電素子における圧
電効果により、指紋の山部と接触している各圧電素子の
圧力が電気出力信号として検出される。この圧電素子は
マトリックス状に複数個配置されており、各圧電素子は
増幅素子またはインピーダンス変換素子とスイッチング
素子とを備えているため、指の指紋パターンに応じた圧
力分布を検出するこができる。According to this structure, the piezoelectric element made of the piezoelectric thin film comes into contact with the peaks (ridges) of the fingerprint, and the pressure of each piezoelectric element in contact with the peak of the fingerprint is reduced by the piezoelectric effect of each piezoelectric element. Detected as an output signal. Since a plurality of the piezoelectric elements are arranged in a matrix and each of the piezoelectric elements includes an amplifying element or an impedance conversion element and a switching element, a pressure distribution according to a fingerprint pattern of a finger can be detected.
【０００８】[0008]
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００９】図１は、本発明の指紋センサのマトリック
ス単位つまり１つのセンサ素子部分の構成を示す平面図
である。同図において、１は上下面に電極を備えた圧電
薄膜より構成されるセンサ素子であり、２はこのセンサ
素子１を走査するためのスイッチング用のＭＯＳ型電界
効果トランジスタ（以下ＦＥＴと記す）であり、３はこ
のセンサ素子１の出力信号のインピーダンスを低くして
信号処理しやすくするためのインピーダンス変換用ＦＥ
Ｔであり、また３はセンサ素子１の出力信号を増幅する
増幅用ＦＥＴであってもよい。FIG. 1 is a plan view showing the structure of a matrix unit, that is, one sensor element portion of a fingerprint sensor according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a sensor element composed of a piezoelectric thin film having electrodes on upper and lower surfaces, and 2 denotes a switching MOS field effect transistor (hereinafter referred to as FET) for scanning the sensor element 1. There is an FE for impedance conversion 3 for lowering the impedance of the output signal of the sensor element 1 to facilitate signal processing.
T may be T, and 3 may be an amplifying FET for amplifying the output signal of the sensor element 1.
【００１０】圧電薄膜より構成されるセンサ素子１の出
力は非常に小さく、しかも出力インピーダンスがきわめ
て大きいので、センサ素子１の出力を正確に読み出すた
めには、出力の増幅かインピーダンスの変換またはこれ
らの両方が必要であり、本実施例の指紋センサの特徴と
しては、このセンサ素子１と１対１に対応するスイッチ
ング用ＦＥＴ２と増幅用ＦＥＴまたはインピーダンス変
換用ＦＥＴ３を同一の半導体基板上に構成している。Since the output of the sensor element 1 composed of a piezoelectric thin film is very small and the output impedance is extremely large, in order to accurately read the output of the sensor element 1, the output of the sensor element 1 is converted or the impedance is converted or the impedance is converted. Both of them are required. The feature of the fingerprint sensor of this embodiment is that the switching FET 2 and the amplifying FET or the impedance converting FET 3 corresponding to the sensor element 1 on a one-to-one basis are formed on the same semiconductor substrate. I have.
【００１１】同実施例において、センサ素子１は、真空
蒸着法あるいはスパッタリング法により、アルミニウム
等からなる下面電極４を形成し、この電極上にスパッタ
リング法により酸化亜鉛あるいはジルコンチタン酸鉛か
らなる一辺が約３０μｍで厚さが約１μｍの圧電薄膜５
を形成し、さらにこの圧電薄膜５上に真空蒸着法あるい
はスパッタリング法により、アルミニウム等からなる上
面電極６を形成し、さらに上面電極６上には図示しない
絶縁性保護膜を被覆形成することにより構成されてい
る。In the embodiment, the sensor element 1 has a lower electrode 4 made of aluminum or the like formed by a vacuum evaporation method or a sputtering method, and one side made of zinc oxide or lead zircon titanate is formed on this electrode by a sputtering method. Piezoelectric thin film 5 having a thickness of about 30 μm and a thickness of about 1 μm
A top electrode 6 made of aluminum or the like is formed on the piezoelectric thin film 5 by a vacuum evaporation method or a sputtering method, and an insulating protective film (not shown) is formed on the top electrode 6 by coating. Have been.
【００１２】ここで、センサ素子１が指紋パターンの山
部と接触し、圧電薄膜５に圧力が加えられた際に、下面
電極４と上面電極６との間に発生する電位差つまり出力
電圧は、圧電材料の圧電定数に比例し、圧電材料の厚み
に反比例するため、この圧電薄膜の材料としては、厚さ
が均一でしかも薄く、圧電定数の大きな材料である必要
がある。これに加えて、成膜の容易性、成膜温度、膜の
均一性などを考慮すると、酸化亜鉛あるいはジルコンチ
タン酸鉛が望ましく、これらの厚みとしては１μｍ程度
が適している。Here, when the sensor element 1 comes into contact with the peak of the fingerprint pattern and pressure is applied to the piezoelectric thin film 5, the potential difference generated between the lower electrode 4 and the upper electrode 6, that is, the output voltage is: Since it is proportional to the piezoelectric constant of the piezoelectric material and inversely proportional to the thickness of the piezoelectric material, the material of the piezoelectric thin film must be uniform in thickness, thin, and have a large piezoelectric constant. In addition, in consideration of easiness of film formation, film formation temperature, film uniformity, and the like, zinc oxide or lead zircon titanate is desirable, and the thickness thereof is preferably about 1 μm.
【００１３】また、スイッチング用ＦＥＴ２および増幅
用またはインピーダンス変換用ＦＥＴ３は、単結晶シリ
コン基板７上にイオン注入法により形成されたｎ型ある
いはｐ型のソースおよびドレインと多結晶シリコンゲー
トにより構成され、増幅用またはインピーダンス変換用
ＦＥＴ３のゲート８からセンサ部の下面電極４が取り出
され、ソース９からセンサ部の上面電極６が取り出さ
れ、ドレイン１０は電極１１を介してスイッチング用Ｆ
ＥＴのドレイン１２と接続され、かつこの電極１１を介
してドレイン抵抗１３が接続されており、電極１４は図
示しない電源のプラス側に接続されている。The switching FET 2 and the amplifying or impedance converting FET 3 are composed of an n-type or p-type source and drain formed on a single crystal silicon substrate 7 by an ion implantation method, and a polycrystalline silicon gate. The lower electrode 4 of the sensor section is extracted from the gate 8 of the amplification or impedance conversion FET 3, the upper electrode 6 of the sensor section is extracted from the source 9, and the drain 10 is connected to the switching F
The drain is connected to the drain 12 of the ET, the drain resistor 13 is connected via the electrode 11, and the electrode 14 is connected to the plus side of a power source (not shown).
【００１４】ドレイン抵抗１３の大きさにより、センサ
出力の増幅かインピーダンス変換が実現される（当然増
幅とインピーダンス変換の両方の機能を実現することも
できる）。またスイッチング用ＦＥＴ２のゲート１５に
は電極１６を介して制御信号が印加され、ソース１７か
ら電極１８を介して出力信号を検出している。Depending on the size of the drain resistance 13, amplification of the sensor output or impedance conversion is realized (of course, both functions of amplification and impedance conversion can be realized). A control signal is applied to the gate 15 of the switching FET 2 via the electrode 16, and an output signal is detected from the source 17 via the electrode 18.
【００１５】ここで、指紋の山部の構造（隆線構造）
は、空間周波数２〜３本／ｍｍの細かいパターンであ
り、指紋の谷部（谷線）の幅は狭い所では１００μｍ程
度になるため、指紋パターンを再現性良く正確に入力す
るためには、センサとして５０μｍ（２０本／ｍｍ）程
度の分解能が必要になってくる。従って、検出面積を２
０×２０〜２５×２５ｍｍとし分解能を５０μｍとする
と、４００×４００〜５００×５００個（１６万画素〜
２５万画素）のセンサ単位を構成する必要がある。Here, the structure of the ridge of the fingerprint (ridge structure)
Is a fine pattern with a spatial frequency of 2 to 3 lines / mm, and the width of the valley (valley line) of the fingerprint is about 100 μm in a narrow place. Therefore, in order to accurately input the fingerprint pattern with good reproducibility, A resolution of about 50 μm (20 lines / mm) is required as a sensor. Therefore, the detection area is 2
Assuming 0 × 20 to 25 × 25 mm and a resolution of 50 μm, 400 × 400 to 500 × 500 (160,000 pixels to
It is necessary to configure a sensor unit of 250,000 pixels).
【００１６】つまり、図１に示した一辺が約３０μｍの
センサ素子１と、スイッチング用ＦＥＴ２と、増幅用ま
たはインピーダンス変換用ＦＥＴ３とにより構成される
一辺が約５０μｍの１つのセンサ単位（図中の斜線部領
域）を、図２に示した様にマトリックス状に複数個配置
することにより、本実施例の指紋センサを構成してい
る。That is, as shown in FIG. 1, one sensor unit having a side of about 50 μm is constituted by a sensor element 1 having a side of about 30 μm, a switching FET 2 and an amplification or impedance conversion FET 3. By arranging a plurality of hatched areas in a matrix as shown in FIG. 2, the fingerprint sensor of this embodiment is configured.
【００１７】上記構成とすることにより、指紋の山部と
谷部とを、十分な精度で検出することが可能となり、指
の指紋パターンに応じた圧力分布を精度良く検出するこ
とができる。なお、上記実施例においては、１つのセン
サ単位をマトリックス状に整列配置しているが、これに
限定されるものではなく、例えば千鳥形状に配列させる
ことも可能である。With the above configuration, the peaks and valleys of the fingerprint can be detected with sufficient accuracy, and the pressure distribution according to the fingerprint pattern of the finger can be detected with high accuracy. In the above embodiment, one sensor unit is arranged in a matrix. However, the present invention is not limited to this. For example, the sensor units may be arranged in a staggered shape.
【００１８】また、同実施例においては、電気出力信号
の検出手段として、単結晶シリコンのＦＥＴアレイを用
いたが、この理由について説明する。上記ＦＥＴアレイ
以外の検出方法としては、ＣＣＤにより出力信号を転送
する方法もあるが、最小取扱電荷が約６．３×１０−１
７Ｃであるため、圧電薄膜による小さな出力電荷を正確
に検出するための充分な階調が得られないという問題点
がある。In this embodiment, a single crystal silicon FET array is used as a means for detecting an electric output signal. The reason for this will be described. As a detection method other than the above-mentioned FET array, there is a method of transferring an output signal by a CCD, but the minimum handling charge is about 6.3 × 10 −1.
Because it is 7C, there is a problem that sufficient gradation is obtained for accurately detecting small output charge due to the piezoelectric thin film.
【００１９】さらに、アモルファスシリコンあるいは多
結晶シリコンの薄膜トランジスタ（ＴＥＴ）を用いてス
イッチング素子を構成する方法もあるが、両者とも単結
晶シリコンのＦＥＴに比較して、漏れ電流が大きいた
め、μｓｅｃオーダの非常に短時間の間に出力信号を読
み出す必要があるという問題点がある。Further, there is a method of forming a switching element using a thin film transistor (TET) made of amorphous silicon or polycrystalline silicon. However, since both of them have a large leakage current as compared with a single crystal silicon FET, they are on the order of μsec. There is a problem that an output signal needs to be read in a very short time.
【００２０】これに比較して、単結晶シリコン上に増幅
素子またはインピーダンス変換素子とスイッチング素子
とを構成することにより、単結晶シリコンはアモルファ
スシリコンあるいは多結晶シリコンと比較して、漏れ電
流が１０2 〜１０4 倍程度少なく、出力信号の読み取り
時間がｍｓｅｃ〜ｓｅｃオーダになるため、圧電薄膜に
よる小さな出力電荷を正確に検出することが可能とな
る。On the other hand, by forming the amplifying element or the impedance conversion element and the switching element on the single crystal silicon, the single crystal silicon has a leakage current of 10 2 compared to the amorphous silicon or the polycrystalline silicon. 10 4 times less, read time of the output signal to become msec~sec order, it is possible to accurately detect small output charge due to the piezoelectric thin film.
【００２１】次に、この指紋センサの出力信号の検出方
法を説明する。説明を簡略化するために、３行×３列の
マトリックス状の検出素子から構成される指紋センサの
回路図を図３に示す。Next, a method of detecting the output signal of the fingerprint sensor will be described. In order to simplify the explanation, FIG. 3 shows a circuit diagram of a fingerprint sensor composed of a matrix of 3 rows × 3 columns of detection elements.
【００２２】同図において、まず制御端子Ｃ1 、Ｃ2 、
Ｃ3 のうち１つの制御端子例えばＣ 1 に正電圧を加え、
他の制御端子Ｃ2 、Ｃ3 を０電圧にすると、制御端子Ｃ
1 に接続されているスイッチング用ＦＥＴ２１１、２１
２、２１３のみがオン状態となり、インピーダンス変換
用ＦＥＴ３１１、３１２、３１３によりセンサ素子１１
１、１１２、１１３の出力をインピーダンス変換して、
ドレイン抵抗４１１、４１２、４１３を介してセンサ素
子１１１、１１２、１１３の出力信号の読み出しが可能
な状態となる。Referring to FIG.1 , CTwo ,
CThree One of the control terminals, for example, C 1 Apply a positive voltage to
Other control terminal CTwo , CThree Is set to 0 voltage, the control terminal C
1 Switching FETs 211 and 21 connected to
Only 2 and 213 are turned on and impedance conversion
Sensor element 11 by using FETs 311, 312, and 313.
The outputs of 1, 112 and 113 are impedance-converted,
Sensor elements via drain resistances 411, 412, 413
Can read output signals of slaves 111, 112, 113
It becomes a state.
【００２３】次に出力端子Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 のうち１つ
の出力端子例えばＲ1 を選択することにより、センサ素
子１１１の出力信号のみが読み出されることになる。こ
の様に、制御端子Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 を用いて行を選択
し、出力端子Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3を用いて列を選択するこ
とにより、この行と列との交差する部分に接続された特
定のセンサ素子の出力信号を順次読み出すことが可能と
なる。Next, by selecting one of the output terminals R 1 , R 2 , R 3 , for example, R 1 , only the output signal of the sensor element 111 is read. Thus, by selecting a row using the control terminals C 1 , C 2 and C 3 and selecting a column using the output terminals R 1 , R 2 and R 3 , the row and the column intersect. It becomes possible to sequentially read output signals of specific sensor elements connected to the portion.
【００２４】なお、上記実施例においては、センサ部本
体の構成のみについて記載したが、上記回路構成以外に
も、制御端子を用いて行を選択する回路と出力端子を用
いて列を選択する回路および出力信号の処理回路が別途
必要であるが、これらの周辺回路構成については、特に
限定されるものではなく、本実施例においては、センサ
基板として半導体基板を用いているため、上記周辺回路
部をセンサの周辺部に一体形成することも可能である。In the above embodiment, only the configuration of the sensor section main body has been described. However, in addition to the above-described circuit configuration, a circuit for selecting rows using control terminals and a circuit for selecting columns using output terminals are provided. And a separate output signal processing circuit are required. However, the configuration of these peripheral circuits is not particularly limited. In this embodiment, since the semiconductor substrate is used as the sensor substrate, Can be formed integrally with the periphery of the sensor.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上のように本発明は、マトリックス状
に配置された複数個の圧電薄膜センサと、上記各圧電薄
膜センサの出力信号を増幅またはインピーダンス変換す
る増幅素子またはインピーダンス変換素子と、上記増幅
素子またはインピーダンス変換素子の出力を順次走査す
るスイチング素子とを同一の半導体基板上に構成するこ
とにより、各圧電薄膜センサによる指の指紋パターンに
応じた圧力分布を精度良く検出することができるため、
小型化が可能でありかつ高分解能で指紋パターンを検出
することができる優れた指紋センサを実現できるもので
ある。As described above, the present invention provides a plurality of piezoelectric thin film sensors arranged in a matrix, an amplifying element or an impedance converting element for amplifying or impedance converting an output signal of each of the piezoelectric thin film sensors, By configuring the switching element for sequentially scanning the output of the amplification element or the impedance conversion element on the same semiconductor substrate, it is possible to accurately detect the pressure distribution according to the fingerprint pattern of the finger by each piezoelectric thin film sensor. ,
An excellent fingerprint sensor that can be miniaturized and that can detect a fingerprint pattern with high resolution can be realized.
【図１】本発明の一実施例における指紋センサの１つの
センサ素子部分の平面図FIG. 1 is a plan view of one sensor element portion of a fingerprint sensor according to an embodiment of the present invention.
【図２】同実施例センサの全体構成を示す平面図FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the sensor of the embodiment.
【図３】同実施例センサの回路図FIG. 3 is a circuit diagram of the sensor of the embodiment.
１ センサ素子 ２ スイッチング用ＦＥＴ ３ インピーダンス変換用ＦＥＴ ４ 下面電極 ５ 圧電薄膜 ６ 上面電極 ７ シリコン基板 ８ インピーダンス変換用ＦＥＴのゲート ９ インピーダンス変換用ＦＥＴのソース １０ インピーダンス変換用ＦＥＴのドレイン １１、１４、１６、１８ 電極 １２ スイッチング用ＦＥＴのドレイン １３ ドレイン抵抗 １５ スイッチング用ＦＥＴのゲート １７ スイッチング用ＦＥＴのソース １１１、１１２、１１３ センサ素子 １２１、１２２、１２３ センサ素子 １３１、１３２、１３３ センサ素子 ２１１、２１２、２１３ スイッチング用ＦＥＴ ２２１、２２２、２２３ スイッチング用ＦＥＴ ２３１、２３２、２３３ スイッチング用ＦＥＴ ３１１、３１２、３１３ インピーダンス用ＦＥＴ ３２１、３２２、３２３ インピーダンス用ＦＥＴ ３３１、３３２、３３３ インピーダンス用ＦＥＴ ４１１、４１２、４１３ ドレイン抵抗 ４２１、４２２、４２３ ドレイン抵抗 ４３１、４３２、４３３ ドレイン抵抗 Ｃ1 、Ｃ2 、Ｃ3 制御端子 Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 出力端子 Ｖ 電源端子 Ｇ アースDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor element 2 Switching FET 3 Impedance conversion FET 4 Lower electrode 5 Piezoelectric thin film 6 Upper electrode 7 Silicon substrate 8 Gate of impedance conversion FET 9 Source of impedance conversion FET 10 Drain of impedance conversion FET 11, 14, 16 , 18 electrode 12 drain of switching FET 13 drain resistance 15 gate of switching FET 17 source of switching FET 111, 112, 113 sensor element 121, 122, 123 sensor element 131, 132, 133 sensor element 211, 212, 213 Switching FETs 221, 222, 223 Switching FETs 231, 232, 233 Switching FETs 311, 312, 313 Impedance FETs 321, 32 , For 323 impedance FET 331, 332, 333 impedance for FET 411, 412, 413 drain resistance 421, 422, 423 drain resistance 431, 432, 433 drain resistance C 1, C 2, C 3 control terminals R 1, R 2, R 3 output terminal V power supply terminal G ground
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川崎 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−253624（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−27277（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−61966（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G06T 1/00 G06F 3/03 315 G06F 3/03 345 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Osamu Kawasaki, inventor 1006 Kazuma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A 1-253624 (JP, A) JP-A 58- 27277 (JP, A) JP-A-5-61966 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G06T 1/00 G06F 3/03 315 G06F 3/03 345
Claims (4)
センサであって、複数個のセンサ素子と、上記各センサ
素子の出力信号を増幅する増幅素子またはインピーダン
ス変換するインピーダンス変換素子と、上記増幅素子ま
たはインピーダンス変換素子の出力を順次走査するスイ
ッチング素子とを備え、上記センサ素子は圧電薄膜より
構成されていることを特徴とする指紋センサ。1. A fingerprint sensor for converting the fingerprint information into an electrical output signal, and a double several sensor elements, each sensor
Amplifying element or impedance you amplify the output signal of the element
And a switching element for sequentially scanning the output of the amplifying element or the impedance converting element . The sensor element is made of a piezoelectric thin film.
A fingerprint sensor characterized by being constituted .
徴とする請求項１に記載の指紋センサ。2. The fingerprint sensor according to claim 1, wherein the piezoelectric thin film is a zinc oxide thin film.
ることを特徴とする請求項１に記載の指紋センサ。3. The fingerprint sensor according to claim 1, wherein the piezoelectric thin film is a lead zircon titanate thin film.
ダンス変換素子と、スイッチング素子とが同一の半導体
基板上に構成されていることを特徴とする請求項１に記
載の指紋センサ。 4. A sensor element and an amplifying element or an impedance element.
Semiconductor with the same dance conversion element and switching element
2. The device according to claim 1, wherein the device is configured on a substrate.
On-board fingerprint sensor.
Priority Applications (1)
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