JP3003016B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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- JP3003016B2 JP3003016B2 JP4357985A JP35798592A JP3003016B2 JP 3003016 B2 JP3003016 B2 JP 3003016B2 JP 4357985 A JP4357985 A JP 4357985A JP 35798592 A JP35798592 A JP 35798592A JP 3003016 B2 JP3003016 B2 JP 3003016B2
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- tank
- liquid tank
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- H10P70/15—
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- F26B21/471—
-
- H10P72/0408—
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、処理液を貯留した処
理液槽の底部に処理液を加熱する加熱手段を備えた処理
装置及び処理方法に関するものである。
理液槽の底部に処理液を加熱する加熱手段を備えた処理
装置及び処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造工程において
は、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体
を、洗浄液やリンス液等の処理液が貯留された処理液槽
に順次浸漬して洗浄を行う洗浄装置が広く用いられてい
る。また、このような洗浄装置では、処理液槽内に例え
ばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を有す
る処理液を貯留し、これを加熱手段にて加熱して蒸気を
発生させ、この処理液槽の上部に被処理体を配置してそ
の表面に処理液の蒸気を凝縮させ、被処理体の水分の除
去及び乾燥を行う処理装置が用いられている。
は、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体
を、洗浄液やリンス液等の処理液が貯留された処理液槽
に順次浸漬して洗浄を行う洗浄装置が広く用いられてい
る。また、このような洗浄装置では、処理液槽内に例え
ばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を有す
る処理液を貯留し、これを加熱手段にて加熱して蒸気を
発生させ、この処理液槽の上部に被処理体を配置してそ
の表面に処理液の蒸気を凝縮させ、被処理体の水分の除
去及び乾燥を行う処理装置が用いられている。
【０００３】そして、このような処理装置においては、
処理液槽内の処理液に水分が混入して処理能力が低下す
ることから、所定処理回数毎（例えば１０バッチに１
回）に処理液の入れ替えを行うようにしている。
処理液槽内の処理液に水分が混入して処理能力が低下す
ることから、所定処理回数毎（例えば１０バッチに１
回）に処理液の入れ替えを行うようにしている。
【０００４】ところで、上記処理液は沸点が低く（６０
〜８０℃）、かつ着火し易いことから安全のために処理
液が沸点以下になるのを待って処理液槽から排出するよ
うにしている。
〜８０℃）、かつ着火し易いことから安全のために処理
液が沸点以下になるのを待って処理液槽から排出するよ
うにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た処理装置においては、処理液槽の底部に設けられてい
る加熱手段の熱容量が大きいことに起因して処理液が冷
めにくかったため、処理液の入れ替えに多くの時間を要
し、処理能力の低下を招くという問題があった。
た処理装置においては、処理液槽の底部に設けられてい
る加熱手段の熱容量が大きいことに起因して処理液が冷
めにくかったため、処理液の入れ替えに多くの時間を要
し、処理能力の低下を招くという問題があった。
【０００６】この発明は、上記事情を考慮してなされて
もので、処理液を強制的に冷却して入れ替え時間の短縮
を図ると共に、スループットの向上を図れるようにした
処理装置及び処理方法を提供することを目的としてい
る。
もので、処理液を強制的に冷却して入れ替え時間の短縮
を図ると共に、スループットの向上を図れるようにした
処理装置及び処理方法を提供することを目的としてい
る。
【０００７】また、この発明は、瞬停時に予熱を冷却し
て、不要なベーパーの発生を抑え、安全性を確保するこ
とを目的としている。
て、不要なベーパーの発生を抑え、安全性を確保するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明は、処理液を貯留した処理液槽の
底部に処理液を加熱する加熱手段を備えた処理装置を前
提とし、上記処理液槽内に処理液の排出に際して処理液
を冷却する冷却手段を設け、 上記加熱手段が処理液の
冷却に際して昇降機構により上記処理液槽の底部から離
反させるように構成されていることを特徴とする。
に請求項１記載の発明は、処理液を貯留した処理液槽の
底部に処理液を加熱する加熱手段を備えた処理装置を前
提とし、上記処理液槽内に処理液の排出に際して処理液
を冷却する冷却手段を設け、 上記加熱手段が処理液の
冷却に際して昇降機構により上記処理液槽の底部から離
反させるように構成されていることを特徴とする。
【０００９】また、請求項２記載の発明は、処理液を貯
留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給す
る処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出
する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能
に設けられ、熱伝導により処理液槽内の処理液を加熱す
る加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得
るように上記処理液槽内に設けられ、上記排出手段で排
出されるべき処理液を冷媒により冷却する冷却手段と、
上記処理液槽の下方に設けられ、上記加熱手段を上記
処理液槽の外部底面から離反させるように移動する昇降
機構と、を具備 することを特徴とする。
留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給す
る処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出
する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能
に設けられ、熱伝導により処理液槽内の処理液を加熱す
る加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得
るように上記処理液槽内に設けられ、上記排出手段で排
出されるべき処理液を冷媒により冷却する冷却手段と、
上記処理液槽の下方に設けられ、上記加熱手段を上記
処理液槽の外部底面から離反させるように移動する昇降
機構と、を具備 することを特徴とする。
【００１０】また、請求項３記載の発明は、処理液を貯
留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給す
る処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出
する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能
に設けられ、熱伝導により処理液槽内の処理液を加熱す
る加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得
るように上記処理液槽内に設けられ、上記排出手段で排
出されるべき処理液を冷媒により冷却する冷却手段と、
上記処理液槽の上部に乾燥処理部を形成すべく処理液
槽及び上記加熱手段を包囲すると共に、側壁部に設けた
支持部材を介して処理液槽を支持し、かつ乾燥処理部の
下部側の側壁部両側に排気口を設けたケースと、 上記
ケースの上部に開閉自在に設けられるシャッタと、 上
記被処理体を昇降可能に支持する被処理体支持機構と、
を具備することを特徴とする。また、請求項４記載の発
明は、処理液槽内に貯留された処理液を加熱して処理液
の蒸気を処理液槽内に発生させ、 被処理体を上記処理
液槽内の蒸気発生領域に位置させて、処理液の蒸気を被
処理体に作用させることにより被処理体に付着した他の
液を被処理体から除去し、 上記処理液を上記処理液槽
から排出する際、処理液の加熱手段を上記処理液槽の外
部底面から離反させると共に、処理液を強制的に冷却す
る、ことを特徴とする。
留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給す
る処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出
する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能
に設けられ、熱伝導により処理液槽内の処理液を加熱す
る加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得
るように上記処理液槽内に設けられ、上記排出手段で排
出されるべき処理液を冷媒により冷却する冷却手段と、
上記処理液槽の上部に乾燥処理部を形成すべく処理液
槽及び上記加熱手段を包囲すると共に、側壁部に設けた
支持部材を介して処理液槽を支持し、かつ乾燥処理部の
下部側の側壁部両側に排気口を設けたケースと、 上記
ケースの上部に開閉自在に設けられるシャッタと、 上
記被処理体を昇降可能に支持する被処理体支持機構と、
を具備することを特徴とする。また、請求項４記載の発
明は、処理液槽内に貯留された処理液を加熱して処理液
の蒸気を処理液槽内に発生させ、 被処理体を上記処理
液槽内の蒸気発生領域に位置させて、処理液の蒸気を被
処理体に作用させることにより被処理体に付着した他の
液を被処理体から除去し、 上記処理液を上記処理液槽
から排出する際、処理液の加熱手段を上記処理液槽の外
部底面から離反させると共に、処理液を強制的に冷却す
る、ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記のように構成されるこの発明によれば、処
理液槽内に処理液の排出に際して処理液を冷却する冷却
手段を設けることにより、処理液槽の底部に設けられて
いる加熱手段の熱容量に拘らず、処理液槽内の処理液を
冷却手段により強制的に迅速に冷却することができ、処
理液の入れ替え時間の短縮が図れる。
理液槽内に処理液の排出に際して処理液を冷却する冷却
手段を設けることにより、処理液槽の底部に設けられて
いる加熱手段の熱容量に拘らず、処理液槽内の処理液を
冷却手段により強制的に迅速に冷却することができ、処
理液の入れ替え時間の短縮が図れる。
【００１２】また、加熱手段を処理液の冷却に際して昇
降機構により処理液槽の底部から離反させるように構成
することにより、更に短時間に処理液の冷却を可能にす
ることができる。
降機構により処理液槽の底部から離反させるように構成
することにより、更に短時間に処理液の冷却を可能にす
ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。
いて詳述する。
【００１４】図１は、本実施例の処理装置が配置された
洗浄装置の構成を示すもので、この洗浄装置１は洗浄装
置本体２と、この洗浄装置本体２の両側端部に設けられ
たインプットバッファ機構３及びアウトプットバッファ
機構４から主に構成されている。
洗浄装置の構成を示すもので、この洗浄装置１は洗浄装
置本体２と、この洗浄装置本体２の両側端部に設けられ
たインプットバッファ機構３及びアウトプットバッファ
機構４から主に構成されている。
【００１５】また、洗浄装置本体２の両側端部には、ロ
ーダ部５とアンローダ部６が設けられており、これらの
間に、例えば石英等から構成させた処理液槽を備えた複
数（本実施例では９個）の処理機構７ａ〜７ｉが一列に
配置されている。本実施例において、これらの処理機構
７ａ〜７ｉは、ローダ部５側から順に、ウエハチャック
の洗浄乾燥用処理機構７ａ、薬液用処理機構７ｂ，水洗
用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理機構
７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、ウエ
ハチャックの洗浄乾燥用処理機構７ｈ、ウエハ乾燥処理
機構７ｉとされている。
ーダ部５とアンローダ部６が設けられており、これらの
間に、例えば石英等から構成させた処理液槽を備えた複
数（本実施例では９個）の処理機構７ａ〜７ｉが一列に
配置されている。本実施例において、これらの処理機構
７ａ〜７ｉは、ローダ部５側から順に、ウエハチャック
の洗浄乾燥用処理機構７ａ、薬液用処理機構７ｂ，水洗
用処理機構７ｃ、水洗用処理機構７ｄ、薬液用処理機構
７ｅ、水洗用処理機構７ｆ、水洗用処理機構７ｇ、ウエ
ハチャックの洗浄乾燥用処理機構７ｈ、ウエハ乾燥処理
機構７ｉとされている。
【００１６】また、これらの処理機構７ａ〜７ｉの側方
には、ウエハチャックによって複数例えば５０枚の被処
理体である半導体ウエハを把持し、これらの半導体ウエ
ハを垂直及び水平方向に搬送する搬送機構８が設けられ
ている。本実施例では、この搬送機構８は３台設けられ
ており、その搬送範囲を制限することによって、例えば
薬液処理用処理機構７ｂ内の薬液が薬液用処理機構７ｅ
内に混入しないように配慮されている。また、ローダ部
５の上部から各搬送機構８の上部を通ってアンローダ部
６の上部に至るように空のウエハキャリア９を搬送する
ためのキャリア搬送機構１０が設けられており、ローダ
部５及びアンローダ部６には空のウエハキャリア９を上
昇及び下降させるためのキャリアリフタ１１（アンロー
ダ部６側は図示せず）が設けられている。
には、ウエハチャックによって複数例えば５０枚の被処
理体である半導体ウエハを把持し、これらの半導体ウエ
ハを垂直及び水平方向に搬送する搬送機構８が設けられ
ている。本実施例では、この搬送機構８は３台設けられ
ており、その搬送範囲を制限することによって、例えば
薬液処理用処理機構７ｂ内の薬液が薬液用処理機構７ｅ
内に混入しないように配慮されている。また、ローダ部
５の上部から各搬送機構８の上部を通ってアンローダ部
６の上部に至るように空のウエハキャリア９を搬送する
ためのキャリア搬送機構１０が設けられており、ローダ
部５及びアンローダ部６には空のウエハキャリア９を上
昇及び下降させるためのキャリアリフタ１１（アンロー
ダ部６側は図示せず）が設けられている。
【００１７】ウエハ乾燥処理機構７ｉとしての処理装置
は、図２に示すように例えばステンレス等から矩形容器
状に形成されたケース２０を備えており、このケース２
０内の下部にはＩＰＡ等の処理液２１を貯留する石英等
から構成された処理液槽２２が、側壁部に設けた支持部
材３５を介して支持されている。ケース２０によって包
囲されたこの処理液槽２２の下部には加熱手段である加
熱体２３が設けられており、この加熱体２３からの熱伝
導によって処理液２１を所定温度に加熱し、蒸気を発生
させるように構成されている。処理液槽２２の上端部近
傍には冷却水循環配管２４が設けられており、ここで蒸
気を冷却して凝縮させ、液滴として処理液槽２２内に戻
すように構成されている。
は、図２に示すように例えばステンレス等から矩形容器
状に形成されたケース２０を備えており、このケース２
０内の下部にはＩＰＡ等の処理液２１を貯留する石英等
から構成された処理液槽２２が、側壁部に設けた支持部
材３５を介して支持されている。ケース２０によって包
囲されたこの処理液槽２２の下部には加熱手段である加
熱体２３が設けられており、この加熱体２３からの熱伝
導によって処理液２１を所定温度に加熱し、蒸気を発生
させるように構成されている。処理液槽２２の上端部近
傍には冷却水循環配管２４が設けられており、ここで蒸
気を冷却して凝縮させ、液滴として処理液槽２２内に戻
すように構成されている。
【００１８】上記処理液槽２２内の処理液２１の液面
と、冷却水循環配管２４との間には図２に点線で示すよ
うに石英等からなるウエハ支持機構２５に複数例えば５
０枚の半導体ウエハ２６を一列に配置した状態で配置可
能な空間が形成されており、ここが蒸気処理部２７とさ
れている。また、ケース２０の上部には開閉自在に構成
されたシャッタ２８が配設されており、このシャッタ２
８の下部と冷却水循環配管２４との間にはウエハ支持機
構２５によって半導体ウエハ２６を配置可能な空間が形
成されており、ここが乾燥処理部２９とされている。こ
の乾燥処理部２９の下部に位置するケース２０の側壁部
両側にはスリット状の排気口３０が設けられており、こ
の排気口３０にはそれぞれ排気配管３１が接続されてい
る。このように構成することにより、ウエハ支持機構２
５によって半導体ウエハ２６を蒸気発生領域に位置させ
て半導体ウエハ２６に付着した洗浄液を除去すると共
に、乾燥することができる。また、乾燥処理時には、ケ
ース２０における乾燥処理部２９の下部側の側壁部両側
から効率よく排気することができるので、乾燥処理部２
９内の温度が必要以上に高くなるのを防止することがで
き、安全性を高めることができる。
と、冷却水循環配管２４との間には図２に点線で示すよ
うに石英等からなるウエハ支持機構２５に複数例えば５
０枚の半導体ウエハ２６を一列に配置した状態で配置可
能な空間が形成されており、ここが蒸気処理部２７とさ
れている。また、ケース２０の上部には開閉自在に構成
されたシャッタ２８が配設されており、このシャッタ２
８の下部と冷却水循環配管２４との間にはウエハ支持機
構２５によって半導体ウエハ２６を配置可能な空間が形
成されており、ここが乾燥処理部２９とされている。こ
の乾燥処理部２９の下部に位置するケース２０の側壁部
両側にはスリット状の排気口３０が設けられており、こ
の排気口３０にはそれぞれ排気配管３１が接続されてい
る。このように構成することにより、ウエハ支持機構２
５によって半導体ウエハ２６を蒸気発生領域に位置させ
て半導体ウエハ２６に付着した洗浄液を除去すると共
に、乾燥することができる。また、乾燥処理時には、ケ
ース２０における乾燥処理部２９の下部側の側壁部両側
から効率よく排気することができるので、乾燥処理部２
９内の温度が必要以上に高くなるのを防止することがで
き、安全性を高めることができる。
【００１９】上記シャッタ２８にはガス供給口３２が設
けられており、このガス供給口３２の上部にはガス供給
配管３３及び塵埃除去フィルタ３４が配設されている。
そして、ガス供給配管３３から供給されるＮ2 等の不活
性ガスを塵埃除去フィルタ３４で清浄化し、ガス供給口
３２から乾燥処理部２９内に供給するように構成されて
いる。
けられており、このガス供給口３２の上部にはガス供給
配管３３及び塵埃除去フィルタ３４が配設されている。
そして、ガス供給配管３３から供給されるＮ2 等の不活
性ガスを塵埃除去フィルタ３４で清浄化し、ガス供給口
３２から乾燥処理部２９内に供給するように構成されて
いる。
【００２０】上記処理液槽２２内における処理液２１の
入れ替えを行うために、図２及び図３に示すように、処
理液槽２２には処理液供給管３６とドレン管３７がケー
ス２０を貫通して設けられており、処理液供給管３６に
は開閉弁４０を介して処理液供給タンク３８が接続され
て処理液供給手段が形成され、ドレン管３７には開閉弁
４１を介してドレンタンク３９がそれぞれ接続されてい
る。また、上記処理液２１を処理液槽２２から排出する
に際して処理液２１を強制的に冷却する手段として、処
理液槽２２内には冷媒としての冷却水を循環させて処理
液２１との間で熱交換して処理液２１を冷却する冷却管
４２を用いた水冷システムが設けられている。この冷却
管４２の導入端４２ａ及び導出端４２ｂはケース２０を
貫通して外部に導出され、この導出管４２ｂは開閉弁４
３を介して上記ドレンタンク３９に接続されるようにな
っている。冷却管４２の導入端４２ａは分岐されてお
り、一方には冷却水が開閉弁４４を介して供給されるよ
うになっており、他方には冷却終了後に冷却管４２内に
残留する冷却水を空にすべく冷媒排出手段としてのＮ2
等の不活性ガスが開閉弁４５を介して供給されるように
なっている。なお、ドレンタンク３９には、排液ポンプ
６０を介して排液管６１が接続され、ドレンタンク３９
には排気管４６が接続されると共に、非常時用の冷却管
４７が設けられている。
入れ替えを行うために、図２及び図３に示すように、処
理液槽２２には処理液供給管３６とドレン管３７がケー
ス２０を貫通して設けられており、処理液供給管３６に
は開閉弁４０を介して処理液供給タンク３８が接続され
て処理液供給手段が形成され、ドレン管３７には開閉弁
４１を介してドレンタンク３９がそれぞれ接続されてい
る。また、上記処理液２１を処理液槽２２から排出する
に際して処理液２１を強制的に冷却する手段として、処
理液槽２２内には冷媒としての冷却水を循環させて処理
液２１との間で熱交換して処理液２１を冷却する冷却管
４２を用いた水冷システムが設けられている。この冷却
管４２の導入端４２ａ及び導出端４２ｂはケース２０を
貫通して外部に導出され、この導出管４２ｂは開閉弁４
３を介して上記ドレンタンク３９に接続されるようにな
っている。冷却管４２の導入端４２ａは分岐されてお
り、一方には冷却水が開閉弁４４を介して供給されるよ
うになっており、他方には冷却終了後に冷却管４２内に
残留する冷却水を空にすべく冷媒排出手段としてのＮ2
等の不活性ガスが開閉弁４５を介して供給されるように
なっている。なお、ドレンタンク３９には、排液ポンプ
６０を介して排液管６１が接続され、ドレンタンク３９
には排気管４６が接続されると共に、非常時用の冷却管
４７が設けられている。
【００２１】一方、上記加熱体２３を処理液２１の冷却
に際して処理液槽２２の底部２２ａから離反させるため
に、ケース２０内の底部２０ａと処理液槽２２の底部２
２ａとの間にはガイドロッド４８及びガイド４９を介し
て加熱体２３が昇降自在に設けられ、ケース２０内の底
部２０ａには加熱体２３を処理液槽２２の底部２２ａに
接触離反させる昇降機構としてのエアシリンダ５０が設
けられている（図４参照）。この場合、加熱体２３は例
えば図５に示すようにシースヒータ５１あるいはカート
リッジヒータを鋳込んだアルミ製のヒータブロックから
なり、内部には非常時用の冷却管５２が設けられてい
る。
に際して処理液槽２２の底部２２ａから離反させるため
に、ケース２０内の底部２０ａと処理液槽２２の底部２
２ａとの間にはガイドロッド４８及びガイド４９を介し
て加熱体２３が昇降自在に設けられ、ケース２０内の底
部２０ａには加熱体２３を処理液槽２２の底部２２ａに
接触離反させる昇降機構としてのエアシリンダ５０が設
けられている（図４参照）。この場合、加熱体２３は例
えば図５に示すようにシースヒータ５１あるいはカート
リッジヒータを鋳込んだアルミ製のヒータブロックから
なり、内部には非常時用の冷却管５２が設けられてい
る。
【００２２】次に上記実施例の作用を述べる。上述した
ように、半導体ウエハ２６を蒸気発生領域に位置させて
ウエハに付着した洗浄液を除去し、乾燥した後に、処理
液２１の交換を行う場合には、先ずドレン管３７及び冷
却管４２の導出端４２ｂにドレンタンク３９を接続する
と共に、加熱体２３をエアシリンダ５０により降下して
処理液槽２２の底部２２ａから離反させる。次いで、冷
却管４２の開閉弁４３，４４を開いて導入端４２ａより
冷却水を供給し、処理液２１を冷却水と熱交換させて強
制的に冷却する。処理液２１の冷却に供された冷却水は
ドレンタンク３９に収容される。
ように、半導体ウエハ２６を蒸気発生領域に位置させて
ウエハに付着した洗浄液を除去し、乾燥した後に、処理
液２１の交換を行う場合には、先ずドレン管３７及び冷
却管４２の導出端４２ｂにドレンタンク３９を接続する
と共に、加熱体２３をエアシリンダ５０により降下して
処理液槽２２の底部２２ａから離反させる。次いで、冷
却管４２の開閉弁４３，４４を開いて導入端４２ａより
冷却水を供給し、処理液２１を冷却水と熱交換させて強
制的に冷却する。処理液２１の冷却に供された冷却水は
ドレンタンク３９に収容される。
【００２３】こうして処理液２１の温度が所定温度（沸
点）以下に下がったなら、冷却管４２の導入端４２ａの
開閉弁４４を閉じ、開閉弁４５を開いて不活性ガスを冷
却管４２内に送り込み、冷却水を押出して冷却管４２内
を空にした後、開閉弁４３，４５を閉じる。次いで、ド
レン管３７の開閉弁４１を開いて処理液２１をドレンタ
ンク３９に排出する。
点）以下に下がったなら、冷却管４２の導入端４２ａの
開閉弁４４を閉じ、開閉弁４５を開いて不活性ガスを冷
却管４２内に送り込み、冷却水を押出して冷却管４２内
を空にした後、開閉弁４３，４５を閉じる。次いで、ド
レン管３７の開閉弁４１を開いて処理液２１をドレンタ
ンク３９に排出する。
【００２４】処理液２１を排出し終わった後、ドレン管
３７の開閉弁４１を閉じ、処理液供給管３６の開閉弁４
０を開き、不活性ガスの圧力により処理液を処理液供給
タンク３８内から処理液槽２２内に送り込む。処理液槽
２２内に処理液２１が所定量供給された後、開閉弁４０
を閉じ、加熱体２３を上昇させて処理液槽２２の底部２
２ａに接触させて加熱すればよい。
３７の開閉弁４１を閉じ、処理液供給管３６の開閉弁４
０を開き、不活性ガスの圧力により処理液を処理液供給
タンク３８内から処理液槽２２内に送り込む。処理液槽
２２内に処理液２１が所定量供給された後、開閉弁４０
を閉じ、加熱体２３を上昇させて処理液槽２２の底部２
２ａに接触させて加熱すればよい。
【００２５】このように処理液槽２２内に処理液２１の
排出に際して処理液２１を冷却する冷却管４２を設けた
ので、処理液槽２２の底部２２ａに設けられている加熱
体２３の熱容量に拘らず、処理液槽２２内の処理液２１
を冷却管４２により強制的に迅速に冷却することがで
き、処理液２１の入れ替え時間の短縮が図れ、スループ
ットの向上が図れる。また、上記加熱体２３を処理液２
１の冷却に際して昇降機構５０により上記処理液槽２２
の底部２２ａから離反させるようにしたので、処理液槽
２２内の処理液２１を更に迅速に冷却することができ、
処理液２１の入れ替え時間を更に短縮できる。更に、こ
れにより加熱体２３の電源を切る必要がなく、加熱体２
３が加熱状態を維持されているため、次の処理液を迅速
に加熱することができる。
排出に際して処理液２１を冷却する冷却管４２を設けた
ので、処理液槽２２の底部２２ａに設けられている加熱
体２３の熱容量に拘らず、処理液槽２２内の処理液２１
を冷却管４２により強制的に迅速に冷却することがで
き、処理液２１の入れ替え時間の短縮が図れ、スループ
ットの向上が図れる。また、上記加熱体２３を処理液２
１の冷却に際して昇降機構５０により上記処理液槽２２
の底部２２ａから離反させるようにしたので、処理液槽
２２内の処理液２１を更に迅速に冷却することができ、
処理液２１の入れ替え時間を更に短縮できる。更に、こ
れにより加熱体２３の電源を切る必要がなく、加熱体２
３が加熱状態を維持されているため、次の処理液を迅速
に加熱することができる。
【００２６】なお、この発明の処理装置及び処理方法は
熱硫酸等の処理液を排出する場合にも適用することが可
能である。また、上記実施例では加熱体２３が大きい熱
容量を有しているために加熱体２３を処理液槽２２の底
部２２ａから離反させるようにしたが、加熱体２３とし
てＳｉＣヒータ等の熱容量の小さいものを用いれば、必
ずしも加熱体２３を処理液槽２２の底部２２ａから離反
させなくてもよい。
熱硫酸等の処理液を排出する場合にも適用することが可
能である。また、上記実施例では加熱体２３が大きい熱
容量を有しているために加熱体２３を処理液槽２２の底
部２２ａから離反させるようにしたが、加熱体２３とし
てＳｉＣヒータ等の熱容量の小さいものを用いれば、必
ずしも加熱体２３を処理液槽２２の底部２２ａから離反
させなくてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したようにこの発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。
ば、上記のように構成されているので、以下のような優
れた効果が得られる。
【００２８】１）処理液槽内の処理液の排出に際して処
理液を冷却する冷却手段を設けたので、処理液槽の底部
に設けられている加熱手段の熱容量に拘らず、処理液槽
内の処理液を冷却管により強制的に迅速に冷却すること
ができ、処理液の入れ替え時間の短縮が図れると共に、
スループットの向上が図れる。また、瞬停時の予熱を冷
却し、不要なベーパーの発生を抑えることもできる。
理液を冷却する冷却手段を設けたので、処理液槽の底部
に設けられている加熱手段の熱容量に拘らず、処理液槽
内の処理液を冷却管により強制的に迅速に冷却すること
ができ、処理液の入れ替え時間の短縮が図れると共に、
スループットの向上が図れる。また、瞬停時の予熱を冷
却し、不要なベーパーの発生を抑えることもできる。
【００２９】２）加熱手段を処理液の冷却に際して昇降
機構により処理液槽の底部から離反させるように構成す
ることにより、処理液槽内の処理液を更に迅速に冷却す
ることができる。
機構により処理液槽の底部から離反させるように構成す
ることにより、処理液槽内の処理液を更に迅速に冷却す
ることができる。
【図１】この発明の処理装置が配置された洗浄装置の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例である処理装置の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２の処理装置の構成を概略的に示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】この発明における加熱手段の昇降機構を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
【図５】この発明における加熱手段を示す斜視図であ
る。
る。
２０ ケース ２１ 処理液 ２２ 処理液槽 ２３ 加熱体（加熱手段） ２５ ウエハ支持機構（被処理体支持機構） ２８ シャッタ２９ 乾燥処理部 ３０ 排気口 ３５ 支持部材 ３６ 処理液供給管（処理液供給手段） ３８ 処理液供給タンク（処理液供給手段） ３９ ドレンタンク ４２ 冷却管（冷却手段） ５０ エアシリンダ（昇降機構）
Claims (4)
- 【請求項１】 処理液を貯留した処理液槽の底部に処理
液を加熱する加熱手段を備えた処理装置において、 上記処理液槽内に処理液の排出に際して処理液を冷却す
る冷却手段を設け、 上記加熱手段が処理液の冷却に際して昇降機構により処
理液槽の底部から離反されるように構成されていること
を特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 処理液を貯留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能に設けられ、熱伝導
により処理液槽内の処理液を加熱する加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得るように上記処理
液槽内に設けられ、上記排出手段で排出されるべき処理
液を冷媒により冷却する冷却手段と、上記処理液槽の下方に設けられ、上記加熱手段を上記処
理液槽の外部底面から離反させるように移動する昇降機
構と、を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項３】 処理液を貯留する処理液槽と、 上記処理液槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、 上記処理液槽内の処理液を排出する排出手段と、 上記処理液槽の外部底面に接触可能に設けられ、熱伝導
により処理液槽内の処理液を加熱する加熱手段と、 上記処理液と冷媒との間で熱交換し得るように上記処理
液槽内に設けられ、上記排出手段で排出されるべき処理
液を冷媒により冷却する冷却手段と、 上記処理液槽の上部に乾燥処理部を形成すべく処理液槽
及び上記加熱手段を包囲すると共に、側壁部に設けた支
持部材を介して処理液槽を支持し、かつ乾燥処理部の下
部側の側壁部両側に排気口を設けたケースと、 上記ケースの上部に開閉自在に設けられるシャッタと、 上記被処理体を昇降可能に支持する被処理体支持機構
と、を具備することを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 処理液槽内に貯留された処理液を加熱し
て処理液の蒸気を処理液槽内に発生させ、 被処理体を上記処理液槽内の蒸気発生領域に位置させ
て、処理液の蒸気を被処理体に作用させることにより被
処理体に付着した他の液を被処理体から除去し、上記処理液を上記処理液槽から排出する際、処理液の加
熱手段を上記処理液槽の外部底面から離反させると共
に、処理液を強制的に冷却する、ことを特徴とする処理
方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP4357985A JP3003016B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 処理装置及び処理方法 |
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| JP4357985A Expired - Fee Related JP3003016B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 処理装置及び処理方法 |
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1993
- 1993-12-22 US US08/171,643 patent/US5443540A/en not_active Expired - Lifetime
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