JP2927211B2 - ウェーハ処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体処理装置の１つで
あるウェーハ処理装置、特に１枚ずつ処理する枚葉式ウ
ェーハ処理装置に関するものである。
あるウェーハ処理装置、特に１枚ずつ処理する枚葉式ウ
ェーハ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造する工程の中に、熱エ
ネルギ・プラズマ放電等で励起されたガス分子を利用し
て試料台上のシリコンウェーハをエッチング、或は化学
蒸着（ＣＶＤ）等の処理を行う工程がある。
ネルギ・プラズマ放電等で励起されたガス分子を利用し
て試料台上のシリコンウェーハをエッチング、或は化学
蒸着（ＣＶＤ）等の処理を行う工程がある。
【０００３】これは気密な処理室内に、ウェーハを装入
し、該処理室内を真空に排気し、更に反応ガスを導入
し、高周波電力によって発生させたプラズマのイオン、
又はラジカル（中性活性種）を利用して、或はヒータ等
の熱を利用してエッチング、或は化学蒸着（ＣＶＤ）等
の処理を行うものである。
し、該処理室内を真空に排気し、更に反応ガスを導入
し、高周波電力によって発生させたプラズマのイオン、
又はラジカル（中性活性種）を利用して、或はヒータ等
の熱を利用してエッチング、或は化学蒸着（ＣＶＤ）等
の処理を行うものである。
【０００４】従来のウェーハ処理装置の中の、特にカソ
ード結合方式平行平板型プラズマエッチング装置の概略
を図６により説明する。
ード結合方式平行平板型プラズマエッチング装置の概略
を図６により説明する。
【０００５】処理室１の内部に相対向して電極２，３が
設けられ該電極２には高周波電源４が接続されている。
前記電極の一方、カソード電極２側にウェーハ６が装填
される。前記電極２，３は冷却系５によって冷却されて
おり、又前記電極の他方、アノード電極３からはガス導
入系７より反応ガスが導入される様になっている。
設けられ該電極２には高周波電源４が接続されている。
前記電極の一方、カソード電極２側にウェーハ６が装填
される。前記電極２，３は冷却系５によって冷却されて
おり、又前記電極の他方、アノード電極３からはガス導
入系７より反応ガスが導入される様になっている。
【０００６】更に、前記処理室１には排気系８が接続さ
れており、前記反応ガスを排気する様になっている。図
６中、９は流量調整弁、１０は排気ポンプである。
れており、前記反応ガスを排気する様になっている。図
６中、９は流量調整弁、１０は排気ポンプである。
【０００７】ウェーハ６のプラズマエッチング処理は、
一般に次の様に行われる。ウエーハ６が装入され、真空
排気された前記処理室１内に反応ガスを前記ガス導入系
７から前記アノード電極３の下面又はアノード電極３の
外周より導入する。前記排気系８により処理室１内を所
要の圧力にし、カソード電極２に高周波電力を印加しプ
ラズマを発生させる。
一般に次の様に行われる。ウエーハ６が装入され、真空
排気された前記処理室１内に反応ガスを前記ガス導入系
７から前記アノード電極３の下面又はアノード電極３の
外周より導入する。前記排気系８により処理室１内を所
要の圧力にし、カソード電極２に高周波電力を印加しプ
ラズマを発生させる。
【０００８】前記ウェーハ６はプラズマ内のラジカル、
高周波電極近傍に誘起されるセルフバイアス電圧により
加速された反応性ガスイオンとの相乗効果でエッチング
される。
高周波電極近傍に誘起されるセルフバイアス電圧により
加速された反応性ガスイオンとの相乗効果でエッチング
される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記排気系８の前記処
理室１に対する接続位置は、カソード電極２の中心部に
冷却系５等が設けられている為、該カソード電極２と同
心の位置に設けることが難しく、又構造的に複雑になる
為、前記カソード電極２の中心から外れた位置になって
いる。前記排気系８が前記処理室１と連通する排気孔１
１が前記カソード電極２と同心でない為、前記カソード
電極２上に同心に装填されるウェーハ６近傍の反応ガス
の流れに偏りが生じる。この為、ウェーハ６のエッチン
グ処理等、ウェーハ処理の均一性に問題を生ずる。
理室１に対する接続位置は、カソード電極２の中心部に
冷却系５等が設けられている為、該カソード電極２と同
心の位置に設けることが難しく、又構造的に複雑になる
為、前記カソード電極２の中心から外れた位置になって
いる。前記排気系８が前記処理室１と連通する排気孔１
１が前記カソード電極２と同心でない為、前記カソード
電極２上に同心に装填されるウェーハ６近傍の反応ガス
の流れに偏りが生じる。この為、ウェーハ６のエッチン
グ処理等、ウェーハ処理の均一性に問題を生ずる。
【００１０】図７で示す様に排気孔１１が設けられたと
して、ウェーハ６の中心を０、排気孔１１側を−、反排
気孔１１側を＋とすると、同一ウェーハのエッチング速
度をみると図８の様に排気孔１１側で速くなるという不
均一性を示す。
して、ウェーハ６の中心を０、排気孔１１側を−、反排
気孔１１側を＋とすると、同一ウェーハのエッチング速
度をみると図８の様に排気孔１１側で速くなるという不
均一性を示す。
【００１１】本発明は斯かる実情を鑑み、ウェーハ近傍
での反応ガスの流れを均一にし、ウェーハ処理の均一性
を改善しようとするものである。
での反応ガスの流れを均一にし、ウェーハ処理の均一性
を改善しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内に設
けた試料台上にウェーハを装填し、反応ガス雰囲気下で
熱エネルギ・プラズマ放電等で励起されたガス分子を利
用しウェーハを処理するウェーハ処理装置に於いて、前
記処理室内を流量分布調整手段により、反応ガス導入側
と反応ガス排出側に仕切り、該流量分布調整手段が前記
試料台の周囲を回転可能に設けられたバッフルプレート
を有し、該バッフルプレートに排気コンダクタンス調整
孔を設け、前記バッフルプレートの周方向の回転により
前記排気コンダクタンス調整孔の前記周方向に沿った位
置の流路断面積を連続的に変更して任意に設定可能に構
成したことを特徴とするものである。
けた試料台上にウェーハを装填し、反応ガス雰囲気下で
熱エネルギ・プラズマ放電等で励起されたガス分子を利
用しウェーハを処理するウェーハ処理装置に於いて、前
記処理室内を流量分布調整手段により、反応ガス導入側
と反応ガス排出側に仕切り、該流量分布調整手段が前記
試料台の周囲を回転可能に設けられたバッフルプレート
を有し、該バッフルプレートに排気コンダクタンス調整
孔を設け、前記バッフルプレートの周方向の回転により
前記排気コンダクタンス調整孔の前記周方向に沿った位
置の流路断面積を連続的に変更して任意に設定可能に構
成したことを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】反応ガスの導入位置、或は排出位置が処理室の
中心に無く偏在していてもウェーハに沿って流れる反応
ガスは、バッフルプレートにより整流され、ウェーハ全
面に亘って均一化される。
中心に無く偏在していてもウェーハに沿って流れる反応
ガスは、バッフルプレートにより整流され、ウェーハ全
面に亘って均一化される。
【００１４】
【実施例】以下、図１、図２に基づき本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】尚、図１中、図６中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【００１６】カソード電極２の周囲、処理室１を上下に
仕切る流量分布調整手段２１を設ける。該流量分布調整
手段２１はバッフルベース１４、バッフルプレート１７
から構成される。前記カソード電極２の周囲と処理室１
との境界位置にバッフルベース１４を設け、該バッフル
ベース１４には所要ピッチ円上に沿って、分散孔１３を
所要数穿設する。各分散孔１３に対して、バッフルプレ
ート１７を前記バッフルベース１４に重合させ取付け
る。前記バッフルプレート１７には前記バッフルベース
１４に穿設した分散孔１３と同一ピッチで排気コンダク
タンス調整孔１６を設けてある。
仕切る流量分布調整手段２１を設ける。該流量分布調整
手段２１はバッフルベース１４、バッフルプレート１７
から構成される。前記カソード電極２の周囲と処理室１
との境界位置にバッフルベース１４を設け、該バッフル
ベース１４には所要ピッチ円上に沿って、分散孔１３を
所要数穿設する。各分散孔１３に対して、バッフルプレ
ート１７を前記バッフルベース１４に重合させ取付け
る。前記バッフルプレート１７には前記バッフルベース
１４に穿設した分散孔１３と同一ピッチで排気コンダク
タンス調整孔１６を設けてある。
【００１７】この場合、前記分散孔１３、排気コンダク
タンス調整孔１６とも前記排気孔１１に近付く程、孔径
を小さく、又前記排気孔１１から遠ざかる程孔径を大き
くしてあり、前記ドーナッツ状バッフルプレート１７を
回転させることで、前記排気コンダクタンス調整孔１６
の開口率を変化させるものである。
タンス調整孔１６とも前記排気孔１１に近付く程、孔径
を小さく、又前記排気孔１１から遠ざかる程孔径を大き
くしてあり、前記ドーナッツ状バッフルプレート１７を
回転させることで、前記排気コンダクタンス調整孔１６
の開口率を変化させるものである。
【００１８】上記第１の実施例に於いて、分散孔、排気
コンダクタンス調整孔は必ずしも円である必要はなく、
楕円であっても、矩形であってもよい。
コンダクタンス調整孔は必ずしも円である必要はなく、
楕円であっても、矩形であってもよい。
【００１９】更に、図３〜図５は第２の実施例を示して
おり、該実施例では前記バッフルプレートとバッフルベ
ースとを一体としたバッフルプレート１８を設けてい
る。該バッフルプレート１８には前記カソード電極２よ
り充分大きな排気孔１９を偏心させて穿設している。該
排気孔１９の偏心で該排気孔１９と前記カソード電極２
とで形成されるリング状の排気コンダクタンス調整孔２
０は電極中心に対して対称ではなくなり、図４に示す様
に排気孔１１側で狭く、反排気孔１１側で広くなり、反
応ガスの流量調整がなされる。
おり、該実施例では前記バッフルプレートとバッフルベ
ースとを一体としたバッフルプレート１８を設けてい
る。該バッフルプレート１８には前記カソード電極２よ
り充分大きな排気孔１９を偏心させて穿設している。該
排気孔１９の偏心で該排気孔１９と前記カソード電極２
とで形成されるリング状の排気コンダクタンス調整孔２
０は電極中心に対して対称ではなくなり、図４に示す様
に排気孔１１側で狭く、反排気孔１１側で広くなり、反
応ガスの流量調整がなされる。
【００２０】更に、該バッフルプレート１８を回転させ
ることで、前記排気コンダクタンス調整孔２０の狭幅
部、広幅部の位置が移動し、反応ガスの流量調整状態を
変更することができる。
ることで、前記排気コンダクタンス調整孔２０の狭幅
部、広幅部の位置が移動し、反応ガスの流量調整状態を
変更することができる。
【００２１】尚、上記実施例では、反応ガスの導入を上
側電極（本実施例ではアノード電極）から導入すること
を想定しているが、下側電極（本実施例ではカソード電
極）から導入する様にしてもよく、この場合排気孔は上
側電極側に設けられ、排気系も上側電極側に連通され
る。
側電極（本実施例ではアノード電極）から導入すること
を想定しているが、下側電極（本実施例ではカソード電
極）から導入する様にしてもよく、この場合排気孔は上
側電極側に設けられ、排気系も上側電極側に連通され
る。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、排気孔
が中心以外の偏った位置に設けられた場合でも、ウェー
ハ全面に亘って反応ガスの流れを均一にすることがで
き、ウェーハの均一処理を可能とし、歩留まりの向上、
製品品質の向上に寄することができる。
が中心以外の偏った位置に設けられた場合でも、ウェー
ハ全面に亘って反応ガスの流れを均一にすることがで
き、ウェーハの均一処理を可能とし、歩留まりの向上、
製品品質の向上に寄することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】他の実施例を示す概略断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視図である。
【図５】整流状態を変更した図３のＢ−Ｂ矢視図であ
る。
る。
【図６】従来例の概略断面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ矢視図である。
【図８】従来例に於けるウェーハの各位置に於けるエッ
チング速度を示す線図である。
チング速度を示す線図である。
１ 処理室 ２ カソード電極 ３ アノード電極 ４ 高周波電源 ６ ウェーハ １１ 排気孔 １４ バッフルベース １６ 排気コンダクタンス調整孔 １７ バッフルプレート １８ バッフルプレート ２０ 排気コンダクタンス調整孔 ２１ 流量分布調整手段
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室内に設けた試料台上にウェーハを
装填し、反応ガス雰囲気下で熱エネルギ・プラズマ放電
等で励起されたガス分子を利用しウェーハを処理するウ
ェーハ処理装置に於いて、前記処理室内を流量分布調整
手段により、反応ガス導入側と反応ガス排出側に仕切
り、該流量分布調整手段が前記試料台の周囲を回転可能
に設けられたバッフルプレートを有し、該バッフルプレ
ートに排気コンダクタンス調整孔を設け、前記バッフル
プレートの周方向の回転により前記排気コンダクタンス
調整孔の前記周方向に沿った位置の流路断面積を連続的
に変更して任意に設定可能に構成したことを特徴とする
ウェーハ処理装置。 - 【請求項２】 流量分布調整手段が反応ガス導入側と反
応ガス排出側との境界に設けられ複数の分散孔を有する
バッフルベースと、排気コンダクタンス調整孔を有する
バッフルプレートから構成される請求項１のウェーハ処
理装置。 - 【請求項３】 バッフルプレートが前記試料台に対して
偏心した排気孔を有しリング状を成す請求項１のウェー
ハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7178136A JP2927211B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | ウェーハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7178136A JP2927211B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | ウェーハ処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20239797A Division JPH1074738A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | ウェーハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088239A JPH088239A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2927211B2 true JP2927211B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=16043286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7178136A Expired - Lifetime JP2927211B2 (ja) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | ウェーハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927211B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7648610B2 (en) | 1999-12-24 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Baffle plate, apparatus for producing the same, method of producing the same, and gas processing apparatus containing baffle plate |
| CN103021778A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
| US12322577B2 (en) | 2022-01-28 | 2025-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030894A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-28 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
| JP3403973B2 (ja) * | 1999-06-16 | 2003-05-06 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 半導体処理装置 |
| KR20010092869A (ko) * | 2000-03-27 | 2001-10-27 | 윤종용 | 펌핑에리어를 제어할 수 있는 드라이 에칭장치 |
| JP4731760B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法 |
| JP3779905B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2006-05-31 | 株式会社 ユニバーサル システムズ | 真空成膜装置 |
| US8236105B2 (en) | 2004-04-08 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber |
| JP2005332985A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体製造装置およびそれを用いて製造した光起電力装置 |
| US7648578B1 (en) | 2004-06-15 | 2010-01-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR100703654B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2007-04-06 | 주식회사 아이피에스 | 챔버내 덕트와 압력 조절구조 |
| US8043430B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber |
| KR101410819B1 (ko) * | 2007-07-10 | 2014-06-24 | 주성엔지니어링(주) | 구동 가능한 배플을 가지는 기판처리장치 및 이를 이용한배기방법 |
| KR100927375B1 (ko) | 2007-09-04 | 2009-11-19 | 주식회사 유진테크 | 배기 유닛 및 이를 이용하는 배기 조절 방법, 상기 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 |
| JP2010258265A (ja) * | 2009-04-27 | 2010-11-11 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
| US9443753B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
| JP5764350B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-08-19 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP5795923B2 (ja) * | 2011-09-25 | 2015-10-14 | 株式会社ユタカ技研 | 熱交換器 |
| KR101451244B1 (ko) * | 2013-03-22 | 2014-10-15 | 참엔지니어링(주) | 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| US9963782B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-05-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JP6574588B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-09-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6573498B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2019-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6521140B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2019-05-29 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN112908821B (zh) * | 2019-12-04 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种实现均匀排气的双工位处理器及其排气方法 |
| CN114420524B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置 |
| US20230162950A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber with a multiphase rotating gas cross-flow and peripheral conductance control rings |
| KR20250153089A (ko) * | 2023-03-07 | 2025-10-24 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 세라믹 히터 |
| WO2025191947A1 (ja) * | 2024-03-11 | 2025-09-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 整流板、成膜装置、及びその評価方法 |
| CN119843224A (zh) * | 2025-01-21 | 2025-04-18 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 布流件、布流组件、布流结构的设置方法及加工设备 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141318A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料処理用ガス排気装置 |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP7178136A patent/JP2927211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7648610B2 (en) | 1999-12-24 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Baffle plate, apparatus for producing the same, method of producing the same, and gas processing apparatus containing baffle plate |
| CN103021778A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
| CN103021778B (zh) * | 2011-09-21 | 2015-09-02 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 气流均衡板、腔室装置和基片处理设备 |
| US12322577B2 (en) | 2022-01-28 | 2025-06-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH088239A (ja) | 1996-01-12 |
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