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JP2918531B1 - Cache memory controller - Google Patents

Cache memory controller

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Publication number
JP2918531B1
JP2918531B1 JP10063350A JP6335098A JP2918531B1 JP 2918531 B1 JP2918531 B1 JP 2918531B1 JP 10063350 A JP10063350 A JP 10063350A JP 6335098 A JP6335098 A JP 6335098A JP 2918531 B1 JP2918531 B1 JP 2918531B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
memory device
cache memory
management information
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP10063350A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11259361A (en
Inventor
清光 中根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP10063350A priority Critical patent/JP2918531B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2918531B1 publication Critical patent/JP2918531B1/en
Publication of JPH11259361A publication Critical patent/JPH11259361A/en
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  • Memory System (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

【要約】 【課題】 低速キャッシュメモリの容量を有効に活用し
て読み出し要求のデータが低速キャッシュメモリに存在
する確率を向上させる。 【解決手段】 キャッシュメモリ制御装置は、上記2つ
のキャッシュメモリに記憶されている複数のデータに対
して、個別のデータに対するアドレス及びいずれのキャ
ッシュメモリにあるかを示す管理情報を記憶するTAG
メモリ7と、上記2つのキャッシュメモリの記憶内容が
相互に異なるように、データを高速小容量キャッシュ1
又は低速大容量キャッシュ2のいずれか一方に書き込む
と共に、データの管理情報をTAGメモリ7に書き込む
書き込み部9と、データの読み出し要求を受けた場合、
TAGメモリ7からデータの管理情報を読み出し、この
管理情報に基づいて高速小容量キャッシュ1又は低速大
容量キャッシュ2のいずれか一方からデータを読み出す
読み出し部11と、を有する。
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the probability that data of a read request exists in a low-speed cache memory by effectively utilizing the capacity of a low-speed cache memory. A cache memory control device stores, for a plurality of data stored in the two cache memories, an address for individual data and management information indicating which cache memory is present in the TAG.
The data is stored in the high-speed small-capacity cache 1 so that the storage contents of the memory 7 and the two cache memories are different from each other.
Alternatively, when a write unit 9 that writes data to one of the low-speed and large-capacity caches 2 and writes data management information to the TAG memory 7 and a data read request are received,
A reading unit for reading data management information from the TAG memory and reading data from either the high-speed small-capacity cache or the low-speed large-capacity cache based on the management information;

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、キャッシュメモリ
を制御するキャッシュメモリ制御装置、特に高速小容量
キャッシュメモリ及び低速大容量キャッシュメモリを制
御するキャッシュメモリ制御装置に関する。
The present invention relates to a cache memory control device for controlling a cache memory, and more particularly to a cache memory control device for controlling a high-speed small-capacity cache memory and a low-speed large-capacity cache memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、計算機等の情報処理システム
には、主記憶装置とCPU等のプロセッサとの間に位置
するバッファ装置として、キャッシュメモリ装置が含ま
れている。そして、プロセッサの性能を最大に生かすよ
うに、キャッシュメモリ装置を構成することが要望され
ている。
2. Description of the Related Art Generally, an information processing system such as a computer includes a cache memory device as a buffer device located between a main storage device and a processor such as a CPU. There is a demand for configuring a cache memory device so as to maximize the performance of the processor.

【0003】従来のキャッシュメモリ装置では、キャッ
シュメモリをSRAM等の高速RAMで構成していた。
この構成によれば、キャッシュメモリにデータが存在す
る場合には、データの読み出しが高速に行われる。
In the conventional cache memory device, the cache memory is constituted by a high-speed RAM such as an SRAM.
According to this configuration, when data exists in the cache memory, the data is read at high speed.

【0004】しかし、高速RAMは、高価格であるた
め、必要な容量のキャッシュメモリを高速RAMで構成
すると、コストが非常に高くなってしまう。また、高速
RAMは集積密度も大きくないため、必要な容量のキャ
ッシュメモリを高速RAMで構成すると、チップ面積が
大きくなってしまう。このため、高速RAMでキャッシ
ュメモリを構成する場合、その容量を小さくするしかな
いので、キャッシュメモリにおけるヒット率が低くなっ
てしまう。この結果、ミスヒットが多発した場合、主記
憶装置からデータを読み出すことが多くなり、高速化が
阻害されることになる。
However, since the high-speed RAM is expensive, if a cache memory having a required capacity is constituted by the high-speed RAM, the cost becomes extremely high. Further, since the high-speed RAM does not have a high integration density, if a cache memory having a necessary capacity is constituted by the high-speed RAM, the chip area increases. For this reason, when a cache memory is constituted by a high-speed RAM, the capacity must be reduced, and the hit rate in the cache memory is reduced. As a result, when there are many miss hits, data is frequently read from the main storage device, which hinders speeding up.

【0005】これに対して、従来、キャッシュメモリを
DRAM等の低速RAMで構成したキャッシュメモリ装
置もあった。しかし、このキャッシュメモリ装置におい
ては、キャッシュメモリにおけるヒット率を向上させる
ことができるが、高速なデータ読み出しを実現すること
はできない。
On the other hand, there has conventionally been a cache memory device in which the cache memory is constituted by a low-speed RAM such as a DRAM. However, in this cache memory device, although the hit rate in the cache memory can be improved, high-speed data reading cannot be realized.

【0006】そこで、特開平5−35589号公報によ
る技術(以下、従来改良技術という)がある。この従来
改良技術によれば、階層構造のキャッシュメモリを制御
するキャッシュメモリシステムが示されている。このキ
ャッシュメモリシステムは、高速小容量キャッシュメモ
リ及び低速大容量キャッシュメモリと、これらを制御す
る制御部と、を有する。なお、この制御動作とは、例え
ば、アドレスをキャッシュメモリに供給しデータを読み
出す動作や、データを主記憶から読み出してキャッシュ
メモリに書き込む動作等のことである。
Accordingly, there is a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-35589 (hereinafter referred to as a conventional improved technique). According to this conventional improvement, a cache memory system for controlling a cache memory having a hierarchical structure is disclosed. This cache memory system includes a high-speed small-capacity cache memory, a low-speed large-capacity cache memory, and a control unit that controls these. The control operation is, for example, an operation of supplying an address to the cache memory and reading data, an operation of reading data from the main memory and writing the data to the cache memory, and the like.

【0007】従来改良技術のキャッシュメモリシステム
においては、SRAM等の高速小容量メモリが上位階層
キャッシュメモリであり、DRAM等の低速大容量メモ
リが下位階層キャッシュメモリであり、高速小容量キャ
ッシュメモリに書き込まれるデータは、低速大容量キャ
ッシュメモリにも書き込まれている。
In the conventional improved cache memory system, a high-speed small-capacity memory such as an SRAM is an upper-layer cache memory, and a low-speed large-capacity memory such as a DRAM is a lower-layer cache memory, and is written in the high-speed small-capacity cache memory. The data to be written is also written in the low-speed large-capacity cache memory.

【0008】そして、データの読み出し要求に対して、
先ず、高速小容量キャッシュメモリがアクセスされ、ヒ
ットした場合には、高速小容量キャッシュメモリからデ
ータが読み出される。また、高速小容量キャッシュメモ
リに上記データがない場合、低速大容量キャッシュメモ
リがアクセスされ、ヒットした場合、低速小容量キャッ
シュメモリからデータが読み出される。
In response to a data read request,
First, the high-speed small-capacity cache memory is accessed, and when a hit occurs, data is read from the high-speed small-capacity cache memory. If the high-speed small-capacity cache memory does not have the data, the low-speed large-capacity cache memory is accessed. If a hit occurs, data is read from the low-speed small-capacity cache memory.

【0009】この従来改良技術によれば、キャッシュメ
モリを高速小容量メモリのみで構成した場合に比べて、
主記憶装置にアクセスしてデータを読み出す頻度を低下
させることができると共に、キャッシュメモリを低速大
容量メモリのみで構成した場合に比べて、データの高速
読み出しを実現できる。
According to this conventional improvement technique, compared with the case where the cache memory is constituted only by a high-speed small-capacity memory,
The frequency of reading data by accessing the main storage device can be reduced, and high-speed reading of data can be realized as compared with the case where the cache memory is constituted only by a low-speed large-capacity memory.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来改良技術には、以下に示す問題点があった。即ち、
下位の階層である低速キャッシュメモリには、上位の階
層である高速小容量キャッシュメモリが記憶しているデ
ータが全て記憶されており、低速大容量キャッシュメモ
リの記憶内容に無駄が生じていた。このため、読み出し
要求のデータが低速大容量キャッシュメモリに存在する
確率が低くなってしまった。
However, the above-mentioned prior art has the following problems. That is,
The low-speed cache memory, which is the lower hierarchy, stores all the data stored in the high-speed, small-capacity cache memory, which is the upper hierarchy, and wastes the storage contents of the low-speed, large-capacity cache memory. Therefore, the probability that the data of the read request exists in the low-speed large-capacity cache memory is reduced.

【0011】また、従来改良技術では、低速大容量キャ
ッシュメモリにのみ存在するデータを読み出す場合で
も、制御部は、以下のような動作を行っている。即ち、
制御部は、先ず、読み出し要求のデータが高速キャッシ
ュメモリに存在するかを調べ、存在しないと判定したと
き、初めて、読み出し要求のデータが低速キャッシュメ
モリに存在するかを調べ、存在すると判定したとき、そ
のアドレスからデータを読み出している。このため、デ
ータを低速キャッシュメモリから読み出す動作が遅れて
しまう。
In the related art, the control unit operates as follows even when reading data existing only in the low-speed large-capacity cache memory. That is,
The control unit first checks whether the data of the read request exists in the high-speed cache memory, and when it is determined that the data does not exist, first checks whether the data of the read request exists in the low-speed cache memory and determines that the data exists. , Data is read from the address. Therefore, the operation of reading data from the low-speed cache memory is delayed.

【0012】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、その目的は、高速キャッシュメモ
リ及び低速キャッシュメモリを制御する制御装置におい
て、低速キャッシュメモリの容量を有効に活用して読み
出し要求のデータが低速キャッシュメモリに存在する確
率を向上させると共に、低速キャッシュメモリからデー
タを迅速に読み出すことができる装置を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a control device for controlling a high-speed cache memory and a low-speed cache memory by effectively utilizing the capacity of the low-speed cache memory. It is an object of the present invention to provide a device which can improve the probability that the data of the read request exists in the low-speed cache memory and can quickly read the data from the low-speed cache memory.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために、第1の発明に係るキャッシュメモリ制御装
置は、高速小容量の第1キャッシュメモリ及び低速大容
量の第2キャッシュメモリを制御するキャッシュメモリ
制御装置において、前記第1キャッシュメモリに記憶さ
れている複数のデータに対して、個別のデータに対する
前記第1キャッシュメモリ上のアドレス及び第1キャッ
シュメモリにある旨を示す管理情報を記憶する第1管理
情報記憶手段と、前記第1キャッシュメモリに記憶され
ている複数のデータと、前記第2キャッシュメモリに記
憶されている複数のデータと、に対して、個別のデータ
に対するそのデータが記憶されているキャッシュメモリ
上のアドレス及びいずれのキャッシュメモリにあるかを
示す管理情報を記憶する第2管理情報記憶手段と、前記
第1キャッシュメモリの記憶内容と前記第2キャッシュ
メモリの記憶内容とが異なるように、データを前記第1
キャッシュメモリ又は前記第2キャッシュメモリのいず
れか一方に書き込むと共に、前記データが第1キャッシ
ュメモリに書き込まれた場合には、前記データの管理情
報を前記第2管理情報記憶手段及び前記第1管理情報記
憶手段に書き込み、前記データが第2キャッシュメモリ
に書き込まれた場合には、前記データの管理情報を前記
第2管理情報記憶手段に書き込む書き込み手段と、デー
タの読み出し要求を行うデータ読み出し指令手段と、こ
のデータ読み出し指令手段によりデータ読み出し要求を
受けた場合、前記第1管理情報記憶手段又は前記第2管
理情報記憶手段のうち少なくとも一方から前記データの
管理情報を読み出し、この管理情報に基づいて、前記第
1キャッシュメモリ又は前記第2キャッシュメモリのい
ずれか一方から前記データを読み出す読み出し手段と、
を有し、前記読み出し手段は、システムバスを介して演
算制御装置と接続されており、前記演算制御装置による
データの読み出し要求に対しては、前記データの管理情
報を前記第2管理情報記憶手段のみから読み出し、前記
データ読み出し指令手段によるデータ読み出し要求に基
づいた読み出し動作を行っていないときに、前記第1キ
ャッシュメモリ又は前記第2キャッシュメモリのいずれ
か一方から前記データを読み出すものである。
In order to achieve the above object, a cache memory control device according to a first aspect of the present invention comprises a high-speed small-capacity first cache memory and a low-speed large-capacity second cache memory. In the controlling cache memory control device, for a plurality of data stored in the first cache memory,
First management information storage means for storing an address on the first cache memory and management information indicating that the address is in the first cache memory; a plurality of data stored in the first cache memory; For a plurality of data stored in the memory, for each individual data, a cache memory in which the data is stored
A second management information storage means for storing the above address and management information indicating which cache memory is in the cache memory; and a data storage device for storing the storage content of the first cache memory and the storage content of the second cache memory. The first
When the data is written to either the cache memory or the second cache memory and the data is written to the first cache memory, the management information of the data is stored in the second management information storage unit and the first management information. A writing unit that writes the management information of the data to the second management information storage unit; and a data read command unit that issues a data read request when the data is written to the second cache memory. When a data read request is received by the data read command means, the data management information is read from at least one of the first management information storage means or the second management information storage means, and based on the management information, From either the first cache memory or the second cache memory And reading means for reading the data,
Wherein the read means is connected to an arithmetic and control unit via a system bus, and in response to a data read request from the arithmetic and control apparatus, stores the data management information in the second management information storage means. And reading the data from either the first cache memory or the second cache memory when the read operation based on the data read request by the data read command means is not performed.

【0014】第2の発明に係るキャッシュメモリ制御装
置は、第1の発明において、前記第1管理情報記憶手段
は、高速動作のメモリであり、前記第2管理情報記憶手
段は、低速動作のメモリであり、前記システムバスに
は、主記憶装置と、システムバスの使用権を与えるシス
テムバス使用権付与手段と、が接続されており、前記読
み出し手段は、前記データ読み出し指令手段によるデー
タ読み出し要求に対して、前記第1管理情報記憶手段及
び前記第2管理情報記憶手段にアクセスし、前記第1管
理情報記憶手段から送られた管理情報から、前記データ
が前記第1キャッシュメモリに存在しないと判定した場
合には、前記システムバス使用権付与手段にシステムバ
ス使用権の要求信号を送り、前記第2管理情報記憶手段
から送られた管理情報から、前記データが前記第1キャ
ッシュメモリ及び前記第2キャッシュメモリの両者に存
在しないと判定した場合には、前記システムバス使用権
付与手段により付与されたシステムバス使用権に基づい
て、主記憶装置にアクセスするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the cache memory control device according to the first aspect, the first management information storage means is a high-speed operation memory, and the second management information storage means is a low-speed operation memory. The system bus is connected to a main storage device and system bus use right granting means for giving a right to use the system bus, and the reading means responds to a data read request by the data read command means. On the other hand, the first management information storage means and the second management information storage means are accessed, and it is determined from the management information sent from the first management information storage means that the data does not exist in the first cache memory. In this case, a request signal for a system bus use right is sent to the system bus use right granting means, and the management information sent from the second management information storage means is transmitted. From the above, when it is determined that the data does not exist in both the first cache memory and the second cache memory, the main storage device is determined based on the system bus usage right granted by the system bus usage right granting means. Is what you access.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
好適な実施の形態について説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】実施の形態1. 図1は、実施の形態1であるキャッシュメモリ制御装置
を含むキャッシュメモリ制御システムの構成を示すブロ
ック図である。
Embodiment 1 FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a cache memory control system including the cache memory control device according to the first embodiment.

【0017】 (1−1)キャッシュメモリ制御システムの構成 キャッシュメモリ制御システムは、高速小容量キャッシ
ュメモリ(以下、高速小容量キャッシュという)1及び
低速大容量キャッシュメモリ(以下、低速大容量キャッ
シュという)2と、これらのキャッシュメモリ1、2を
制御するキャッシュメモリ制御装置と、システムバス3
を介して上記キャッシュメモリ制御装置と接続されてい
る主記憶装置4と、I/Oコントローラ5と、を有す
る。
(1-1) Configuration of Cache Memory Control System The cache memory control system includes a high-speed small-capacity cache memory (hereinafter, referred to as a high-speed small-capacity cache) 1 and a low-speed large-capacity cache memory (hereinafter, referred to as a low-speed large-capacity cache). 2, a cache memory control device for controlling these cache memories 1 and 2, and a system bus 3
And a main storage device 4 connected to the cache memory control device via the I / O controller 5.

【0018】このI/Oコントローラ5には、周辺装置
(図示せず)が接続されている。
A peripheral device (not shown) is connected to the I / O controller 5.

【0019】 (1−2)キャッシュメモリ制御装置の各部 以下、キャッシュメモリ制御装置を構成している各部の
説明を行う。
(1-2) Each Unit of the Cache Memory Control Device Hereinafter, each unit constituting the cache memory control device will be described.

【0020】 (1)第1TAGメモリ及び第2TAGメモリ 第1TAGメモリ31は、高速小容量キャッシュ1に記
憶されている複数のデータに対して、個別のデータに対
するアドレス及び高速小容量キャッシュ1にある旨を示
す管理情報を記憶する。
(1) First TAG Memory and Second TAG Memory The first TAG memory 31 has an address for individual data and an indication that the plurality of data stored in the high-speed small-capacity cache 1 are in the high-speed small-capacity cache 1. Is stored.

【0021】第2TAGメモリ32は、高速小容量キャ
ッシュ1に記憶されている複数のデータと、低速大容量
キャッシュ2に記憶されている複数のデータと、に対し
て、個別のデータに対するアドレス及びいずれのキャッ
シュメモリにあるかを示す管理情報を記憶する。
The second TAG memory 32 stores, for a plurality of data stored in the high-speed small-capacity cache 1 and a plurality of data stored in the low-speed large-capacity cache 2, addresses for individual data and The management information indicating whether the cache memory exists in the cache memory is stored.

【0022】(2)データ読み出し指令部 データ読み出し指令部8は、データの読み出し要求を後
述する読み出し部に指令する。
(2) Data read command section The data read command section 8 issues a data read request to a read section described later.

【0023】(3)書き込み部 書き込み部9は、書き込み制御部10と書き込み用デー
タパス選択部14とを有する。
(3) Write Unit The write unit 9 has a write control unit 10 and a write data path selection unit 14.

【0024】書き込み制御部10は、データを高速小容
量キャッシュ1又は低速大容量キャッシュ2のいずれか
一方に書き込む旨を示す情報と書き込み対象データと
を、書き込み用データパス選択部に送ると共に、データ
を高速小容量キャッシュ1に書き込んだ場合には、デー
タの管理情報を第1TAGメモリ31及び第2TAGメ
モリ32に書き込み、データを低速大容量キャッシュ2
に書き込んだ場合には、データの管理情報を第2TAG
メモリ32に書き込む。書き込み用データパス選択部1
4は、書き込み制御部10から送られた上記情報に基づ
いて、書き込み制御部10から送られたデータを高速小
容量キャッシュ1又は低速大容量キャッシュ2のいずれ
か一方に書き込む。
The write control unit 10 sends information indicating that data is to be written to either the high-speed small-capacity cache 1 or the low-speed large-capacity cache 2 and data to be written to the write data path selecting unit. Is written to the high-speed and small-capacity cache 1, data management information is written to the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32, and data is written to the low-speed and large-capacity cache 2.
If the data management information is written in the second TAG,
Write to memory 32. Write data path selector 1
4 writes the data sent from the write control unit 10 to either the high-speed small-capacity cache 1 or the low-speed large-capacity cache 2 based on the information sent from the write control unit 10.

【0025】(4)読み出し部 読み出し部11は、読み出し制御部12と読み出し用デ
ータパス選択部とを有する。
(4) Reading Unit The reading unit 11 has a reading control unit 12 and a reading data path selecting unit.

【0026】読み出し制御部12は、データ読み出し指
令部8によるデータの読み出し要求を受けた場合、第1
TAGメモリ31又は第2TAGメモリ32のうち少な
くとも一方から上記データの管理情報を読み出す。そし
て、読み出し制御部12は、管理情報を読み出し用デー
タパス選択部14に送り、高速小容量キャッシュ1又は
低速大容量キャッシュ2のいずれか一方から読み出し用
データパス選択部14を介して、データを読み出す。
When receiving a data read request from the data read command unit 8, the read control unit 12
The management information of the data is read from at least one of the TAG memory 31 and the second TAG memory 32. Then, the read control unit 12 sends the management information to the read data path selecting unit 14 and transfers the data from either the high-speed small-capacity cache 1 or the low-speed large-capacity cache 2 via the read data path selecting unit 14. read out.

【0027】また、読み出し制御部12は、演算制御装
置30によるデータの読み出し要求に対しては、データ
の管理情報を第2TAGメモリ32のみから読み出す。
そして、データ読み出し指令部8によるデータ読み出し
要求に基づいた読み出し動作を行っていないときに、読
み出し制御部12は、管理情報を読み出し用データパス
選択部14に送り、高速小容量キャッシュ1又は低速大
容量キャッシュ2のいずれか一方から読み出し用データ
パス選択部14を介して、データを読み出す。
In response to a data read request from the arithmetic and control unit 30, the read control unit 12 reads data management information only from the second TAG memory 32.
Then, when the read operation based on the data read request by the data read command unit 8 is not being performed, the read control unit 12 sends the management information to the read data path selecting unit 14, and the high-speed small-capacity cache 1 or the low-speed large Data is read from one of the capacity caches 2 via the read data path selector 14.

【0028】なお、読み出し制御部12は、必要に応じ
て、システムバス3を介して、主記憶装置4からもデー
タを読み出す。また、書き込み部9が書き込むデータ
は、読み出し制御部12により主記憶装置4から読み出
されたデータである。
The read controller 12 reads data from the main storage device 4 via the system bus 3 as necessary. The data written by the writing unit 9 is data read from the main storage device 4 by the read control unit 12.

【0029】そして、本実施の形態においては、データ
読み出し指令部8、書き込み制御部10及び読み出し制
御部12は、演算制御部13に搭載されている。また、
読み出し用データパス選択部14及び書き込み用データ
パス選択部14は、データパス選択部14に搭載されて
いる。
In this embodiment, the data read command unit 8, the write control unit 10, and the read control unit 12 are mounted on the arithmetic control unit 13. Also,
The read data path selector 14 and the write data path selector 14 are mounted on the data path selector 14.

【0030】(1−3)キャッシュメモリ制御装置の動
作(データの書き込み動作、データの読み出し動作)に
ついて以下に説明する。
(1-3) Operations of the cache memory control device (data write operation, data read operation) will be described below.

【0031】(1−3−1)データの書き込み動作 読み出し制御部12は、例えば、データAの読み出し要
求を受けた場合、第1TAGメモリ31及び第2TAG
メモリ32にアクセスし、上記データAの管理情報があ
るか否かを調べる。この結果、データAの管理情報が存
在しない場合、読み出し制御部12は、主記憶装置4か
らデータAを読み出し、このデータAを書き込み制御部
10へ送る。書き込み制御部10は、データAを書き込
み用データパス選択部14を介して、高速小容量キャッ
シュ1に書き込む。
(1-3-1) Data Write Operation The read control unit 12 receives the first data from the first TAG memory 31 and the second
It accesses the memory 32 and checks whether there is management information of the data A. As a result, when the management information of the data A does not exist, the read control unit 12 reads the data A from the main storage device 4 and sends the data A to the write control unit 10. The write controller 10 writes the data A to the high-speed small-capacity cache 1 via the write data path selector 14.

【0032】また、書き込み制御部10は、上記データ
Aの管理情報を第1TAGメモリ31及び第2TAGメ
モリ32に送り、更新させる。
Further, the write control unit 10 sends the management information of the data A to the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 for updating.

【0033】また、書き込み部9がデータを低速大容量
キャッシュ2に書き込んだ場合には、上記データの管理
情報を第2TAGメモリ32に送り、上記データの管理
情報を更新させる。
When the writing unit 9 writes the data in the low-speed large-capacity cache 2, the management information of the data is sent to the second TAG memory 32 to update the management information of the data.

【0034】(1−3−2)データの読み出し動作 (1)データ読み出し指令部8によりデータ読み出し要
求を受けた場合におけるデータの読み出し動作を以下に
説明する。
(1-3-2) Data Read Operation (1) The data read operation when a data read request is received by the data read command unit 8 will be described below.

【0035】読み出し制御部12は、第1TAGメモリ
31及び第2TAGメモリ32の両者にアクセスし、デ
ータの管理情報があるか否かを調べる。この結果、デー
タの管理情報が存在する場合、データの管理情報を読み
出し、管理情報のアドレスに基づいて、高速小容量キャ
ッシュ1及び低速大容量キャッシュ2の両者にアクセス
する。
The read control unit 12 accesses both the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 and checks whether there is data management information. As a result, if the data management information exists, the data management information is read, and both the high-speed small-capacity cache 1 and the low-speed large-capacity cache 2 are accessed based on the address of the management information.

【0036】そして、読み出し制御部12は、管理情報
(読み出し対象データが高速小容量キャッシュ1にある
ことを示す情報)をデータパス選択部14へ送る。この
結果、読み出し制御部12は、データパス選択部14を
介して、高速小容量キャッシュ1のデータ出力部と接続
される。そして、読み出し制御部12は、データパス選
択部14を介して、高速小容量キャッシュ1からデータ
を読み出す。
Then, the read control unit 12 sends management information (information indicating that the data to be read is in the high-speed small-capacity cache 1) to the data path selection unit 14. As a result, the read control unit 12 is connected to the data output unit of the high-speed small-capacity cache 1 via the data path selection unit 14. Then, the read control unit 12 reads data from the high-speed small-capacity cache 1 via the data path selection unit 14.

【0037】(2)演算制御装置30によりデータ読み
出し要求を受けた場合におけるデータの読み出し動作を
以下に説明する。
(2) The data read operation when a data read request is received by the arithmetic and control unit 30 will be described below.

【0038】読み出し制御部12は、第2TAGメモリ
32のみにアクセスし、上記データの管理情報があるか
否かを調べる。この結果、データの管理情報が存在する
場合、データの管理情報を読み出す。
The read control unit 12 accesses only the second TAG memory 32 and checks whether or not there is management information of the data. As a result, when the data management information exists, the data management information is read.

【0039】ここで、読み出し制御部12は、読み出し
指令部8に基づいたキャッシュメモリへの読み出し動作
を行っていないときに、管理情報のアドレスに基づい
て、高速小容量キャッシュ1及び低速大容量キャッシュ
2の両者にアクセスする。即ち、上述した読み出し指令
部8に基づいたキャッシュメモリへの読み出し動作を行
っているときはその動作を優先して行い、上記読み出し
動作が完了した後、演算制御装置30によるキャッシュ
メモリへの読み出し動作を行う。例えば、読み出し指令
部8に基づいたキャッシュメモリへの読み出し動作が連
続的に行われている場合には、演算制御装置30による
キャッシュメモリへの読み出し動作は行わない。
When the read control unit 12 is not performing a read operation to the cache memory based on the read command unit 8, the read control unit 12 stores the high-speed small-capacity cache 1 and the low-speed large-capacity cache based on the address of the management information. Access both of them. That is, when a read operation to the cache memory based on the above-described read command unit 8 is performed, the operation is performed with priority, and after the read operation is completed, the read operation to the cache memory by the arithmetic and control unit 30 is performed. I do. For example, when the read operation to the cache memory based on the read command unit 8 is continuously performed, the arithmetic control unit 30 does not perform the read operation to the cache memory.

【0040】そして、読み出し指令部8に基づいたキャ
ッシュメモリへの読み出し動作が行われていないとき、
読み出し制御部12は、管理情報(読み出し対象データ
が高速小容量キャッシュにあることを示す情報)をデー
タパス選択部14へ送る。この結果、読み出し部11
は、データパス選択部14を介して、高速小容量キャッ
シュ1のデータ出力部と接続される。そして、読み出し
制御部12は、データパス選択部14を介して、高速小
容量キャッシュ1からデータを読み出す。
When the read operation to the cache memory based on the read command section 8 is not performed,
The read control unit 12 sends management information (information indicating that the data to be read is in the high-speed small-capacity cache) to the data path selection unit 14. As a result, the reading unit 11
Are connected to the data output unit of the high-speed small-capacity cache 1 via the data path selection unit 14. Then, the read control unit 12 reads data from the high-speed small-capacity cache 1 via the data path selection unit 14.

【0041】なお、演算制御部13は、I/Oコントロ
ーラ5を制御して周辺装置からデータを主記憶装置4に
記憶させることができる。
The arithmetic control unit 13 can control the I / O controller 5 to store data from the peripheral device in the main storage device 4.

【0042】本実施の形態においては、読み出し部11
は、データ読み出し指令部8によるデータ読み出し要求
を受けた場合、第1TAGメモリ31及び第2TAGメ
モリ32にアクセスするが、演算制御装置30によるデ
ータ読み出し要求を受けた場合、第2TAGメモリ32
にのみアクセスする。また、読み出し部11は、演算制
御装置30からデータの読み出し要求を受けても、デー
タ読み出し指令部8によるデータ読み出し要求に基づい
た読み出し動作を行っているときは、その動作を優先し
て行う。
In the present embodiment, the reading unit 11
Accesses the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 when a data read request is received by the data read command unit 8, but when the data read request is received by the arithmetic and control unit 30, the second TAG memory 32
Access only to. Further, even when receiving a data read request from the arithmetic and control unit 30, the read unit 11 gives priority to the read operation when performing a read operation based on the data read request from the data read command unit 8.

【0043】このため、システムバス3に他の演算制御
装置30が接続されていて、上記演算制御装置30がキ
ャッシュメモリにアクセスできる場合であっても、高速
小容量キャッシュ1にあるデータが、データ読み出し指
令部8により連続的に読み出し要求を受けている場合に
は、高速小容量キャッシュ1からデータを高速に読み出
す動作は途中で中断されずに、連続的に行われる。
Therefore, even if another arithmetic and control unit 30 is connected to the system bus 3 and the arithmetic and control unit 30 can access the cache memory, the data in the high-speed small-capacity cache 1 is When a read request is continuously received by the read command unit 8, the operation of reading data from the high-speed small-capacity cache 1 at high speed is continuously performed without interruption.

【0044】実施の形態2. 図2は、実施の形態2であるキャッシュメモリ制御シス
テムの構成を示す図である。実施の形態2であるキャッ
シュメモリ制御システムにおいて、実施の形態7である
キャッシュメモリ制御システムと異なる点は、以下に示
す点である。
Embodiment 2 FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a cache memory control system according to the second embodiment. The cache memory control system according to the second embodiment differs from the cache memory control system according to the seventh embodiment in the following points.

【0045】 (2−1)キャッシュメモリ制御システムの構成 実施の形態2であるシステムバス3には、システムバス
の使用権を与えるシステムバス使用権付与部33(バス
アービトレーション部)が接続されている。
(2-1) Configuration of Cache Memory Control System The system bus 3 according to the second embodiment is connected to a system bus use right granting unit 33 (bus arbitration unit) that gives a right to use the system bus. .

【0046】また、実施の形態2であるキャッシュメモ
リ制御装置においては、実施の形態1であるキャッシュ
メモリ制御装置と比較して、第1TAGメモリ31及び
第2TAGメモリ32の構成、読み出し部11の機能が
異なる。
The cache memory control device according to the second embodiment is different from the cache memory control device according to the first embodiment in the configuration of the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 and the function of the read unit 11. Are different.

【0047】 (1)第1TAGメモリ及び第2TAGメモリ 第1TAGメモリ31は、高速メモリであり、第2TA
Gメモリ32は低速メモリである。
(1) First TAG Memory and Second TAG Memory The first TAG memory 31 is a high-speed memory,
The G memory 32 is a low-speed memory.

【0048】(2)読み出し部 読み出し制御部12は、データ読み出し指令部8による
データ読み出し要求に対して、第1TAGメモリ31及
び第2TAGメモリ32にアクセスし、第1TAGメモ
リ31から送られた管理情報から、データが高速小容量
キャッシュ1に存在しないと判定した場合には、前記シ
ステムバス使用権付与部33にシステムバス使用権の要
求信号を送る。
(2) Read Unit The read control unit 12 accesses the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 in response to a data read request from the data read command unit 8, and sends the management information transmitted from the first TAG memory 31. Therefore, when it is determined that the data does not exist in the high-speed small-capacity cache 1, a request signal for a system bus use right is sent to the system bus use right granting unit 33.

【0049】また、読み出し制御部12は、第2TAG
メモリ32から送られた管理情報から、データが高速小
容量キャッシュ1及び低速大容量キャッシュ2の両者に
存在しないと判定した場合には、システムバス使用権付
与部33により付与されたシステムバス使用権に基づい
て、主記憶装置4にアクセスする。
Further, the read control unit 12 controls the second TAG
If it is determined from the management information sent from the memory 32 that the data does not exist in both the high-speed small-capacity cache 1 and the low-speed large-capacity cache 2, the system bus usage right granted by the system bus usage right granting unit 33 is given. Access the main storage device 4 based on the

【0050】 (2−2)キャッシュメモリ制御装置の動作 本実施の形態におけるキャッシュメモリ制御装置の動作
について説明する。
(2-2) Operation of Cache Memory Control Device The operation of the cache memory control device according to the present embodiment will be described.

【0051】読み出し制御部12は、データ読み出し指
令部8によるデータの読み出し要求に対して、第1TA
Gメモリ31及び第2TAGメモリ32にアクセスす
る。この際、第1TAGメモリ31は高速メモリなの
で、第1TAGメモリ31の方が早くアクセス結果を読
み出し制御部12に返す。
The read control unit 12 responds to the data read request from the data read command unit 8 by the first TA
The G memory 31 and the second TAG memory 32 are accessed. At this time, since the first TAG memory 31 is a high-speed memory, the first TAG memory 31 returns an access result to the read control unit 12 earlier.

【0052】この結果、読み出し要求データが高速小容
量キャッシュ1に存在しないと読み出し制御部12が判
定した場合、システムバス3を介して、システムバス使
用権付与部33にシステムバス使用権要求信号を送る。
As a result, if the read control unit 12 determines that the read request data does not exist in the high-speed small-capacity cache 1, it sends a system bus use right request signal to the system bus use right granting unit 33 via the system bus 3. send.

【0053】続いて、低速メモリである第2TAGメモ
リ32からアクセス結果が読み出し制御部12に送られ
る。このアクセス結果から、読み出し要求データが低速
大容量キャッシュ2に存在すると読み出し制御部12が
判定した場合には、読み出し制御部12は、システムバ
ス使用権付与部33に、システムバス3を使用しない旨
を示す信号を送る。
Subsequently, the access result is sent to the read control unit 12 from the second TAG memory 32 which is a low-speed memory. When the read control unit 12 determines that the read request data exists in the low-speed large-capacity cache 2 from the access result, the read control unit 12 informs the system bus use right granting unit 33 that the system bus 3 is not used. Is sent.

【0054】一方、アクセス結果から、読み出し要求デ
ータが高速大容量キャッシュ1及び低速大容量キャッシ
ュ2の両者に存在しないと読み出し制御部12が判定し
た場合には、読み出し制御部12は、システムバス使用
権付与部33からシステムバス使用権が送られるのを待
つ。
On the other hand, if the read control unit 12 determines that the read request data does not exist in both the high-speed large-capacity cache 1 and the low-speed large-capacity cache 2 from the access result, the read control unit 12 uses the system bus. It waits until the right granting unit 33 sends the right to use the system bus.

【0055】そして、読み出し制御部12は、システム
バス使用権付与部33により付与されたシステムバス使
用権に基づいて、主記憶装置4にアクセスし、上記デー
タを読み出す。
Then, the read control unit 12 accesses the main storage device 4 based on the system bus usage right granted by the system bus usage right granting unit 33 and reads the data.

【0056】本実施の形態においては、第1TAGメモ
リ31及び第2TAGメモリ32は、それぞれ、高速メ
モリ及び低速メモリである。このため、読み出し部11
は、読み出し要求データに対して、第1TAGメモリ3
1及び第2TAGメモリ32の両者にアクセスすると、
第1TAGメモリ31から早くアクセス結果を得られ
る。そして、読み出し要求データが高速小容量キャッシ
ュ1に存在しない場合、読み出し部11は、予めシステ
ムバス使用権付与部33にシステムバス使用権要求を出
す。
In the present embodiment, the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 are a high-speed memory and a low-speed memory, respectively. For this reason, the reading unit 11
Indicates that the first TAG memory 3
When both the first and second TAG memories 32 are accessed,
An access result can be obtained from the first TAG memory 31 quickly. If the read request data does not exist in the high-speed small-capacity cache 1, the reading unit 11 issues a system bus use right request to the system bus use right granting unit 33 in advance.

【0057】そして、第2TAGメモリ32からのアク
セス結果が読み出し部11に返されたとき、高速小容量
キャッシュ1及び低速大容量キャッシュ2のいずれにも
データが存在しない場合、既にシステムバス使用権要求
を出しているので、迅速にシステムバス使用権を得るこ
とができる。この結果、読み出し部11は、読み出し要
求データが高速小容量キャッシュ1及び低速大容量キャ
ッシュ2の両者に存在しない場合、上記システムバス使
用権に基づいて、主記憶装置4に迅速にアクセスするこ
とができる。従って、本実施の形態においては、2つの
キャッシュメモリにミスヒットしたときのペナルティを
低減することができる。
When the access result from the second TAG memory 32 is returned to the reading unit 11 and there is no data in either the high-speed small-capacity cache 1 or the low-speed large-capacity cache 2, the system bus use right request is already issued. , The right to use the system bus can be obtained quickly. As a result, when the read request data does not exist in both the high-speed and small-capacity cache 1 and the low-speed and large-capacity cache 2, the read unit 11 can quickly access the main storage device 4 based on the right to use the system bus. it can. Therefore, in the present embodiment, it is possible to reduce a penalty when a miss occurs in two cache memories.

【0058】実施の形態3. (3−1)キャッシュメモリ制御システムの構成 図3は、実施の形態3であるキャッシュメモリ制御シス
テムの構成を示す図である。実施の形態3であるキャッ
シュメモリ制御システムが、実施の形態2であるキャッ
シュメモリ制御システムと異なる点は、以下に示す点で
ある。
Embodiment 3 FIG. (3-1) Configuration of Cache Memory Control System FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a cache memory control system according to the third embodiment. The cache memory control system according to the third embodiment differs from the cache memory control system according to the second embodiment in the following points.

【0059】即ち、実施の形態3であるキャッシュメモ
リ制御装置は、低速小容量キャッシュ2から読み出され
たデータと、高速大容量キャッシュ1に記憶された各デ
ータのうち読み出し部11による最近の読み出し頻度が
少ないデータと、を相互に入れ替えると共に、移動させ
たデータの管理情報を第1TAGメモリ31及び第2T
AGメモリ32に更新させるキャッシュメモリ制御部3
5を有する。
That is, the cache memory control device according to the third embodiment reads out the data read from the low-speed small-capacity cache 2 and the latest read-out of the data stored in the high-speed large-capacity cache 1 by the reading unit 11. The infrequently exchanged data is exchanged with each other, and the management information of the moved data is stored in the first TAG memory 31 and the second T
Cache memory control unit 3 for updating AG memory 32
5

【0060】また、第1TAGメモリ31及び第2TA
Gメモリ32には、各データに対する読み出し部11に
よる最近の読み出し頻度が記憶される。
Further, the first TAG memory 31 and the second TA
The G memory 32 stores the latest reading frequency of each data by the reading unit 11.

【0061】 (3−2)キャッシュメモリ制御装置の動作 本実施の形態であるキャッシュメモリ制御装置による動
作について以下に説明する。
(3-2) Operation of Cache Memory Control Device The operation of the cache memory control device according to the present embodiment will be described below.

【0062】キャッシュメモリ制御部35は、読み出し
部11により低速大容量キャッシュ2からデータが読み
出された場合、読み出されたデータを低速大容量キャッ
シュ2から第1バッファ36に移動させる。また、キャ
ッシュメモリ制御部35は、第1TAGメモリ31又は
第2TAGメモリ32にアクセスして、高速小容量キャ
ッシュ1に記憶された各データのうち、読み出し部11
による最近の読み出し頻度が少ないデータを調べ、この
データを高速小容量キャッシュ1から第2バッファ37
に移動させる。
When data is read from the low-speed large-capacity cache 2 by the reading unit 11, the cache memory control unit 35 moves the read data from the low-speed large-capacity cache 2 to the first buffer 36. Further, the cache memory control unit 35 accesses the first TAG memory 31 or the second TAG memory 32 and reads out the read unit 11 out of the data stored in the high-speed small-capacity cache 1.
And examines the data which has recently been read infrequently by the high-speed small-capacity cache 1 to the second buffer 37.
Move to

【0063】そして、キャッシュメモリ制御部35は、
第1バッファ36に格納されたデータを高速小容量キャ
ッシュ1のデータが格納されていたアドレスに移動させ
ると共に、第2バッファ37に格納されたデータを低速
大容量キャッシュ2のデータが格納されていたアドレス
に移動させる。そして、キャッシュメモリ制御部35
は、新たなデータ(高速小容量キャッシュ1に新たに記
憶されたデータ)の管理情報を第1TAGメモリ31及
び第2TAGメモリ32に送ると共に、新たなデータ
(低速大容量キャッシュ2に新たに記憶されたデータ)
の管理情報を第2TAGメモリ32に送る。そして、第
1TAGメモリ31、第2TAGメモリ32では、それ
ぞれ、移動されたデータの管理情報が更新される。
Then, the cache memory control unit 35
The data stored in the first buffer 36 is moved to the address where the data in the high-speed small-capacity cache 1 is stored, and the data stored in the second buffer 37 is stored in the low-speed large-capacity cache 2. Move to address. Then, the cache memory control unit 35
Sends management information of new data (data newly stored in the high-speed small-capacity cache 1) to the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32, and also stores new data (data newly stored in the low-speed large-capacity cache 2). Data)
Is transmitted to the second TAG memory 32. Then, in the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32, the management information of the moved data is updated.

【0064】この際、第1TAGメモリ31と第2TA
Gメモリ32とでは、その動作速度が異なるので、読み
出し制御部12による第1TAGメモリ31及び第2T
AGメモリ32へのアクセスは、第1TAGメモリ31
と第2TAGメモリ32における更新動作が終了してか
ら行う。なお、第1TAGメモリ31及び第2TAGメ
モリ32の更新動作が終了する前に、読み出し制御部1
2による高速小容量キャッシュ1へのアクセスを開始さ
せたい場合には、データ入れ替えを行ったアドレスへの
アクセスを抑制させる。
At this time, the first TAG memory 31 and the second TA
Since the operation speed is different from that of the G memory 32, the first TAG memory 31 and the second T
The access to the AG memory 32 is performed by the first TAG memory 31.
And after the update operation in the second TAG memory 32 is completed. Before the update operation of the first TAG memory 31 and the second TAG memory 32 is completed, the read controller 1
When it is desired to start access to the high-speed small-capacity cache 1 by 2, access to the address whose data has been replaced is suppressed.

【0065】本実施の形態においては、キャッシュメモ
リ制御部35は、読み出し部11により読み出されたデ
ータが低速大容量キャッシュ2にある場合、上記データ
と、高速小容量キャッシュ1に記憶された各データのう
ち読み出し部11による最近の読み出し頻度が少ないデ
ータと、を相互に入れ替える。この結果、低速大容量キ
ャッシュ2から読み出されたデータを読み出し部11が
再度読み出すときは、高速小容量キャッシュ1から読み
出すことになり、データの読み出しの高速化を図ること
ができる。
In this embodiment, when the data read by the reading unit 11 is in the low-speed large-capacity cache 2, the cache memory control unit 35 Of the data, the data that is recently read by the reading unit 11 at a low frequency is interchanged. As a result, when the data read from the low-speed and large-capacity cache 2 is read again by the reading unit 11, the data is read from the high-speed and small-capacity cache 1, and the speed of data reading can be increased.

【0066】なお、本実施の形態においては、第1TA
Gメモリ31を演算制御部13内に含めることもでき
る。この場合におけるキャッシュメモリ制御システムの
構成を図4に示す。これにより、読み出し制御部12
は、第1TAGメモリ31に一層迅速にアクセスするこ
とができる。
In this embodiment, the first TA
The G memory 31 can be included in the arithmetic and control unit 13. FIG. 4 shows the configuration of the cache memory control system in this case. Thereby, the read control unit 12
Can access the first TAG memory 31 more quickly.

【0067】実施の形態4. 一般的に、コンピュータ等の情報処理装置には、メモリ
デバイスと、これを制御するメモリデバイス制御装置が
使用されている。従来、1つのメモリデバイス制御装置
は、1つのチップ(以下、メモリデバイス制御チップと
いう)内に組み込まれていた。
Embodiment 4 Generally, an information processing device such as a computer uses a memory device and a memory device control device that controls the memory device. Conventionally, one memory device control device has been incorporated in one chip (hereinafter, referred to as a memory device control chip).

【0068】図5は、従来のメモリデバイス制御チップ
を含むメモリデバイス制御システムの構成を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a memory device control system including a conventional memory device control chip.

【0069】 (4−1)従来のメモリデバイス制御システムの構成 従来のメモリデバイス制御システムは、メモリデバイス
60と、CPU61と、CPU61の指令に基づいてメ
モリデバイス60を制御するメモリデバイス制御装置6
2を含むメモリデバイス制御チップ63と、を有する。
(4-1) Configuration of Conventional Memory Device Control System The conventional memory device control system includes a memory device 60, a CPU 61, and a memory device controller 6 that controls the memory device 60 based on a command from the CPU 61.
2 including a memory device control chip 63 including

【0070】メモリデバイス制御チップ63の構成につ
いて以下に説明する。
The configuration of the memory device control chip 63 will be described below.

【0071】メモリデバイス制御チップ63の一方側の
端部には、CPU61からの信号を入力するためのCP
U用入力端子64が設けられている。また、メモリデバ
イス制御チップ63の他方側の端部には、メモリデバイ
ス60へ信号を出力するためのメモリデバイス用出力端
子65と、メモリデバイス60から出力される信号を入
力するためのメモリデバイス用入力端子66と、が設け
られている。
A CP for inputting a signal from the CPU 61 is provided at one end of the memory device control chip 63.
A U input terminal 64 is provided. The other end of the memory device control chip 63 has a memory device output terminal 65 for outputting a signal to the memory device 60 and a memory device output terminal 65 for inputting a signal output from the memory device 60. And an input terminal 66.

【0072】メモリデバイス制御チップ63内には、メ
モリデバイス制御装置62が含まれている。そして、メ
モリデバイス制御装置62の一方側の入力部は、CPU
用入力端子64と接続されている。また、メモリデバイ
ス制御装置の他方側の出力部は、メモリデバイス用出力
端子65と接続されている。また、メモリデバイス制御
装置62の他方側の入力部は、メモリデバイス用入力端
子66と接続されている。
The memory device control chip 63 includes a memory device control device 62. The input unit on one side of the memory device control device 62 has a CPU
Input terminal 64. The output unit on the other side of the memory device control device is connected to a memory device output terminal 65. The other input section of the memory device control device 62 is connected to a memory device input terminal 66.

【0073】そして、メモリデバイス制御チップ63の
CPU用入力端子64はCPU61と接続され、メモリ
デバイス制御チップ63のメモリデバイス用出力端子6
5はメモリデバイス60の入力部と接続され、メモリデ
バイス制御チップ63のメモリデバイス用入力端子66
はメモリデバイス60の出力部と接続される。
The CPU input terminal 64 of the memory device control chip 63 is connected to the CPU 61 and the memory device output terminal 6 of the memory device control chip 63 is connected.
5 is connected to the input section of the memory device 60, and the memory device input terminal 66 of the memory device control chip 63
Is connected to the output unit of the memory device 60.

【0074】このようにして構成されたメモリデバイス
制御システムの動作について以下に説明する。
The operation of the memory device control system thus configured will be described below.

【0075】 (4−2)従来のメモリデバイス制御システムの動作 メモリデバイス60の所定アドレスからデータを読み出
すように指示する信号を、CPU61がメモリデバイス
制御チップ63のCPU用入力端子64に送る。上記信
号は、メモリデバイス制御装置62の一方側の入力部へ
送られる。メモリデバイス制御装置62は、その他方側
の出力部から上記所定アドレスをメモリデバイス用出力
端子65を介して、メモリデバイス60の入力部に送
る。この結果、メモリデバイス60は、その出力部から
所定アドレスに格納されたデータをメモリデバイス制御
チップ63のメモリデバイス用入力端子66に送る。上
記データがメモリデバイス用入力端子66からメモリデ
バイス制御装置62の他方側の入力部に入力される。
(4-2) Operation of the Conventional Memory Device Control System The CPU 61 sends a signal to instruct to read data from a predetermined address of the memory device 60 to the CPU input terminal 64 of the memory device control chip 63. The above signal is sent to an input section on one side of the memory device controller 62. The memory device control device 62 sends the predetermined address from the output unit on the other side to the input unit of the memory device 60 via the output terminal 65 for the memory device. As a result, the memory device 60 sends the data stored at the predetermined address from the output unit to the memory device input terminal 66 of the memory device control chip 63. The above data is input from the memory device input terminal 66 to the other input section of the memory device control device 62.

【0076】しかしながら、従来のメモリデバイス制御
システムには、以下に示すような問題点があった。即
ち、従来では、1つのメモリデバイス制御チップには、
1つのメモリデバイス制御装置しか含めることができな
かった。このため、複数のメモリデバイス制御装置が必
要な場合には、複数のメモリデバイス制御チップを製造
する必要があり、製造コストが高くなるという問題点が
あった。また、製造した各メモリデバイス制御チップを
管理する必要があり、管理コストも高くなってしまっ
た。
However, the conventional memory device control system has the following problems. That is, conventionally, one memory device control chip includes:
Only one memory device controller could be included. For this reason, when a plurality of memory device control devices are required, it is necessary to manufacture a plurality of memory device control chips, resulting in a problem that the manufacturing cost is increased. In addition, it is necessary to manage each manufactured memory device control chip, and the management cost has increased.

【0077】そこで、本実施の形態では、1つのメモリ
デバイス制御チップ内に複数のメモリデバイス制御装置
を含めることができるメモリデバイス制御システムを提
供することを目的とする。
Therefore, an object of the present embodiment is to provide a memory device control system capable of including a plurality of memory device control devices in one memory device control chip.

【0078】一般的に、メモリデバイス制御装置はゲー
ト数が少ないので、複数のメモリデバイス制御装置を1
つのメモリデバイス制御チップに含めることは可能であ
る。しかし、2つのメモリデバイス制御装置をそのまま
1つのチップに含める場合、メモリデバイス制御チップ
に設ける端子数は、1つのメモリデバイス制御装置を含
むメモリデバイス制御チップに設ける端子数に比べて、
約2倍必要となる。このため、メモリデバイス制御チッ
プが大きくなってしまい、チップ製造コストが高くなっ
てしまう。
Generally, since a memory device controller has a small number of gates, a plurality of memory device controllers are
It is possible to include them in one memory device control chip. However, when two memory device control devices are directly included in one chip, the number of terminals provided on the memory device control chip is smaller than the number of terminals provided on the memory device control chip including one memory device control device.
About twice as much. Therefore, the memory device control chip becomes large, and the chip manufacturing cost increases.

【0079】本実施の形態では、1つのメモリデバイス
制御チップ内に複数のメモリデバイス制御装置を含める
ことができると共に、チップの小型化を図ることができ
るシステムを以下に説明する。
In this embodiment, a system in which a plurality of memory device control devices can be included in one memory device control chip and the size of the chip can be reduced will be described below.

【0080】図6は、実施の形態4であるメモリデバイ
ス制御システムの構成を示す図である。なお、対比のた
めに、従来のメモリデバイス制御システムの構成(メモ
リデバイスAを制御するメモリデバイスA制御システ
ム、メモリデバイスBを制御するメモリデバイスB制御
システム)も合わせて示す。図6において、従来のメモ
リデバイス制御システムのCPUは省略してある。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a memory device control system according to the fourth embodiment. For comparison, a configuration of a conventional memory device control system (a memory device A control system for controlling the memory device A and a memory device B control system for controlling the memory device B) is also shown. In FIG. 6, the CPU of the conventional memory device control system is omitted.

【0081】(4−3)実施の形態4であるメモリデバ
イス制御システムの構成メモリデバイス制御システム
は、メモリデバイスA60a及びメモリデバイスB60
bと、CPU61と、CPU61の指令に基づいてメモ
リデバイスA60a及びメモリデバイスB60bを制御
するメモリデバイス制御チップ68と、を有する。
(4-3) Configuration of Memory Device Control System of Embodiment 4 The memory device control system comprises a memory device A 60a and a memory device B 60
b, a CPU 61, and a memory device control chip 68 that controls the memory device A 60a and the memory device B 60b based on a command from the CPU 61.

【0082】 (4−3−1)メモリデバイス制御チップの構成 先ず、メモリデバイス制御チップ68に形成された各端
子について説明する。
(4-3-1) Configuration of Memory Device Control Chip First, each terminal formed on the memory device control chip 68 will be described.

【0083】メモリデバイス制御チップ68の一方側の
端部には、CPU61からの信号を入力するためのCP
U用入力端子70が設けられている。また、メモリデバ
イス制御チップ68の他方側の端部には、メモリデバイ
スへ信号を出力するためのメモリデバイス用出力端子7
1と、メモリデバイスから出力される信号を入力するた
めのメモリデバイス用入力端子72とが設けられてい
る。
A CP for inputting a signal from the CPU 61 is provided at one end of the memory device control chip 68.
A U input terminal 70 is provided. The other end of the memory device control chip 68 has a memory device output terminal 7 for outputting a signal to the memory device.
1 and a memory device input terminal 72 for inputting a signal output from the memory device.

【0084】メモリデバイス制御チップ内には、メモリ
デバイスA60aを制御するメモリデバイスA制御装置
62aと、メモリデバイスB60bを制御するメモリデ
バイスB制御装置62bと、が含まれている。
The memory device control chip includes a memory device A control device 62a for controlling the memory device A 60a and a memory device B control device 62b for controlling the memory device B 60b.

【0085】メモリデバイスA制御装置62aの一方側
の入力部及びメモリデバイスB制御装置62bの一方側
の入力部は、共に、CPU用入力端子70と接続されて
いる。なお、CPU用入力端子70の一部の端子は、後
述する第1セレクタ部と接続されている。
The input unit on one side of the memory device A control unit 62a and the input unit on one side of the memory device B control unit 62b are both connected to the CPU input terminal 70. Note that some terminals of the CPU input terminal 70 are connected to a first selector unit described later.

【0086】また、メモリデバイス制御チップ68内に
は、メモリデバイスA制御装置62aの他方側の出力部
と、メモリデバイスB制御装置62bの他方側の出力部
と、のうちいずれか一方の出力部をメモリデバイス用出
力端子71と接続させる第1セレクタ部73が含まれ
る。
In the memory device control chip 68, one of the output unit on the other side of the memory device A control unit 62a and the output unit on the other side of the memory device B control unit 62b is provided. Is connected to the memory device output terminal 71.

【0087】なお、第1セレクタ部73には、CPU用
入力端子70から切り替え信号(いずれのメモリデバイ
ス制御装置の出力部をメモリデバイス用出力端子71と
接続させるかを示す信号)が送られる。そして、第1セ
レクタ部73は、上記切り替え信号に基づいて、メモリ
デバイスA制御装置62aの他方側の出力部又はメモリ
デバイスB制御装置62bの他方側の出力部のうち、い
ずれか一方の出力部を、メモリデバイス用出力端子71
と接続させる。
A switching signal (a signal indicating which memory device control unit is to be connected to the memory device output terminal 71) is sent from the CPU input terminal 70 to the first selector unit 73. Then, based on the switching signal, the first selector unit 73 outputs one of the output unit on the other side of the memory device A control device 62a and the output unit on the other side of the memory device B control device 62b. To the output terminal 71 for the memory device.
To connect.

【0088】また、メモリデバイスA制御装置62aの
他方側の入力部及びメモリデバイスB制御装置62bの
他方側の入力部は、メモリデバイス用入力端子72と接
続されている。
The other input portion of the memory device A control device 62a and the other input portion of the memory device B control device 62b are connected to the memory device input terminal 72.

【0089】(4−3−2)メモリデバイス制御チップ
を含めたシステムの構成の説明 そして、メモリデバイス制御チップ68のCPU用入力
端子70は、CPU61と接続される。メモリデバイス
制御チップ68のメモリデバイス用出力端子71は、メ
モリデバイスA60aの入力部及びメモリデバイスB6
0bの入力部に接続される。
(4-3-2) Description of System Configuration Including Memory Device Control Chip The CPU input terminal 70 of the memory device control chip 68 is connected to the CPU 61. The memory device output terminal 71 of the memory device control chip 68 is connected to the input of the memory device A 60a and the memory device B6.
0b.

【0090】また、メモリデバイス制御システムは、メ
モリデバイスA60aの出力部と、メモリデバイスB6
0bの出力部と、のうちいずれか一方の出力部をメモリ
デバイス用入力端子72と接続させる第2セレクタ部7
4を有する。なお、第2セレクタ部74には、CPU6
1から切り替え信号(いずれのメモリデバイスの出力部
をメモリデバイス用入力端子72と接続させるかを示す
信号)が送られる。そして、第2セレクタ部74は、上
記切り替え信号に基づいて、メモリデバイスA60aの
出力部又はメモリデバイスB60bの出力部のうち、い
ずれか一方の出力部を、メモリデバイス用入力端子72
と接続させる。
The memory device control system includes an output section of the memory device A 60a and a memory device B6.
0b, and a second selector section 7 for connecting one of the output sections to the memory device input terminal 72.
4 Note that the second selector unit 74 includes the CPU 6
A switching signal (a signal indicating which memory device output unit is to be connected to the memory device input terminal 72) is transmitted from 1. Then, based on the switching signal, the second selector unit 74 connects one of the output unit of the memory device A 60a and the output unit of the memory device B 60b to the memory device input terminal 72.
To connect.

【0091】このようにして構成されたメモリデバイス
制御システムにおいて、各メモリデバイス制御装置がそ
れぞれ対応するメモリデバイスからデータを読み出す動
作について、以下に説明する。
In the memory device control system thus configured, the operation of each memory device control device reading data from the corresponding memory device will be described below.

【0092】(4−4)メモリデバイスA制御装置62
aがメモリデバイスA60aからデータを読み出す動作 (1)メモリデバイスA60aからデータを読み出す動
作 CPU61がメモリデバイスA60aの所定アドレスか
らデータを読み出すように指示する信号をメモリデバイ
ス制御チップ68のCPU用入力端子70に送る。上記
信号は、メモリデバイスA制御装置62aの一方側の入
力部及びメモリデバイスB制御装置62bの一方側の入
力部へ送られる。また、CPU61は、第1セレクタ部
73に、切り替え信号(メモリデバイスA制御装置62
aの出力部をメモリデバイス用出力端子71と接続させ
るかを示す信号)を送ると共に、第2セレクタ部74に
切り替え信号(メモリデバイスA60aの出力部をメモ
リデバイス用入力端子72と接続させるかを示す信号)
を送る。
(4-4) Memory device A control device 62
a Reads data from the memory device A 60a (1) Operations to read data from the memory device A 60a The CPU 61 sends a signal instructing the CPU 61 to read data from a predetermined address of the memory device A 60a to the CPU input terminal 70 of the memory device control chip 68. Send to The above signal is sent to one input of the memory device A control device 62a and one input of the memory device B control device 62b. Further, the CPU 61 sends a switching signal (the memory device A control device 62) to the first selector unit 73.
a) indicating whether or not to connect the output unit a to the memory device output terminal 71, and to the second selector unit 74 to determine whether to switch the output unit of the memory device A 60a to the memory device input terminal 72. Signal)
Send.

【0093】メモリデバイスA制御装置62a及びメモ
リデバイスB制御装置62bは、その他方側の出力部か
ら上記所定アドレスを第1セレクタ部73へ送る。な
お、メモリデバイスA制御装置62aは、所定アドレス
をメモリデバイスA60aが受信するのに適した方法で
アドレスを出力し、メモリデバイスB制御装置62b
は、所定アドレスをメモリデバイスB60bが受信する
のに適した方法でアドレスを出力する。
The memory device A control device 62a and the memory device B control device 62b send the predetermined address to the first selector unit 73 from the other output unit. The memory device A control device 62a outputs an address in a manner suitable for the memory device A 60a to receive a predetermined address, and the memory device B control device 62b
Outputs an address in a manner suitable for the memory device B60b to receive the predetermined address.

【0094】本動作の場合、メモリデバイスA制御装置
62aから所定アドレスをメモリデバイスA60aに送
る必要があるので、第1セレクタ部73は、CPU61
からの切り替え信号に基づいて、メモリデバイスA制御
装置62aから出力された所定アドレスをメモリデバイ
ス用出力端子71を介して、メモリデバイスA60aに
送る。
In the case of this operation, it is necessary to send a predetermined address from the memory device A control device 62a to the memory device A 60a.
A predetermined address output from the memory device A control device 62a is sent to the memory device A 60a via the memory device output terminal 71 based on the switching signal from the memory device A 60a.

【0095】この結果、メモリデバイスA60aは、そ
の出力部から所定アドレスに格納されたデータを第2セ
レクタ部74へ送る。また、上記所定アドレスはメモリ
デバイスB60bにも送られるので、メモリデバイスB
60bからもデータが第2セレクタ部74に送られる。
本動作の場合、メモリデバイスA60aからデータをメ
モリデバイスA制御装置62aに送る必要があるので、
第2セレクタ部74は、CPU61からの切り替え信号
に基づいて、メモリデバイスA60aのデータをメモリ
デバイス用入力端子72に送る。そして、メモリデバイ
ス入力端子72からメモリデバイスA制御装置62aの
他方側の入力部にデータが送られる。
As a result, the memory device A 60 a sends the data stored at the predetermined address from the output section to the second selector section 74. Further, since the predetermined address is also sent to the memory device B 60b,
Data is also sent to the second selector unit 74 from 60b.
In the case of this operation, it is necessary to send data from the memory device A 60a to the memory device A control device 62a.
The second selector 74 sends the data of the memory device A 60 a to the memory device input terminal 72 based on the switching signal from the CPU 61. Then, data is sent from the memory device input terminal 72 to the other input unit of the memory device A control device 62a.

【0096】 (2)メモリデバイスBからデータを読み出す動作 CPU61が、メモリデバイスB60bの所定アドレス
からデータを読み出すように指示する信号をメモリデバ
イス制御チップ68のCPU用入力端子70に送る。上
記信号は、メモリデバイスA制御装置62aの一方側の
入力部及びメモリデバイスB制御装置62bの一方側の
入力部へ送られる。また、CPU61は、第1セレクタ
部73に、切り替え信号(メモリデバイスB制御装置6
2bの出力部をメモリデバイス用出力端子71と接続さ
せるかを示す信号)を送ると共に、第2セレクタ部74
に切り替え信号(メモリデバイスB60bの出力部をメ
モリデバイス用入力端子72と接続させるかを示す信
号)を送る。
(2) Operation of Reading Data from Memory Device B The CPU 61 sends a signal to instruct to read data from a predetermined address of the memory device B 60 b to the CPU input terminal 70 of the memory device control chip 68. The above signal is sent to one input of the memory device A control device 62a and one input of the memory device B control device 62b. Further, the CPU 61 supplies a switching signal (the memory device B control device 6) to the first selector section 73.
2b) to send the output section 2b to the output terminal 71 for the memory device.
(A signal indicating whether to connect the output unit of the memory device B 60b to the memory device input terminal 72).

【0097】メモリデバイスA制御装置62a及びメモ
リデバイスB制御装置62bは、その他方側の出力部か
ら上記所定アドレスを第1セレクタ部73へ送る。
The memory device A control device 62a and the memory device B control device 62b send the predetermined address to the first selector unit 73 from the output unit on the other side.

【0098】本動作の場合、メモリデバイスB制御装置
62bから所定アドレスをメモリデバイスB60bに送
る必要があるので、第1セレクタ部73は、CPU61
からの切り替え信号に基づいて、メモリデバイスB制御
装置62bから出力された所定アドレスをメモリデバイ
ス用出力端子71を介して、メモリデバイスB60bに
送る。なお、所定アドレスは、メモリデバイスA60a
の入力部にも送られる。
In the case of this operation, it is necessary to send a predetermined address from the memory device B control device 62b to the memory device B 60b.
A predetermined address output from the memory device B control device 62b is sent to the memory device B 60b via the memory device output terminal 71 based on the switching signal from the memory device B 60b. The predetermined address is the memory device A60a
Also sent to the input section.

【0099】この結果、メモリデバイスA60a及びメ
モリデバイスB60bは、共に、その出力部から所定ア
ドレスに格納されたデータを第2セレクタ部74へ送
る。本動作の場合、メモリデバイスB60bからデータ
をメモリデバイスB制御装置62bに送る必要があるの
で、第2セレクタ部74は、CPU61からの切り替え
信号に基づいて、メモリデバイスB60bのデータをメ
モリデバイス用入力端子72に送る。そして、メモリデ
バイス入力端子72からメモリデバイスB制御装置62
bの他方側の入力部にデータが送られる。
As a result, both the memory device A 60a and the memory device B 60b send the data stored at the predetermined address from the output section thereof to the second selector section 74. In the case of this operation, since it is necessary to send data from the memory device B 60b to the memory device B control device 62b, the second selector unit 74 converts the data of the memory device B 60b into a memory device input signal based on the switching signal from the CPU 61. Send to terminal 72. Then, from the memory device input terminal 72 to the memory device B control device 62
The data is sent to the input section on the other side of b.

【0100】なお、メモリデバイス制御チップ68にお
いては、CPU61からのI/O信号に基づいて、メモ
リデバイス制御装置の他方側の入力部を出力部に切り替
えると共に、メモリデバイスのデータ出力部をデータ入
力部に切り替えることができる。
In the memory device control chip 68, based on the I / O signal from the CPU 61, the input unit on the other side of the memory device control device is switched to the output unit, and the data output unit of the memory device is connected to the data input unit. Can be switched to department.

【0101】そして、データの書き込み動作を行う場合
には、CPU61からのI/O信号に基づいて、メモリ
デバイス制御装置の他方側の入力部は、データ出力部と
なり、メモリデバイスのデータ出力部はデータ入力部と
なる。そして、第2セレクタ部74は、CPU61から
の切り替え信号に基づいて、メモリデバイスA制御装置
62aのデータ出力部とメモリデバイス制御装置62b
のデータ出力部とのうち、いずれか一方のデータ出力部
をメモリデバイスのデータ入力部に接続させる。この結
果、メモリデバイス制御装置のデータ出力部からメモリ
デバイスのデータ入力部にデータを書き込むことができ
る。
When performing a data write operation, the input unit on the other side of the memory device control device becomes a data output unit based on the I / O signal from the CPU 61, and the data output unit of the memory device becomes Becomes a data input unit. Then, based on the switching signal from the CPU 61, the second selector unit 74 connects the data output unit of the memory device A control device 62a and the memory device control device 62b
One of the data output units is connected to the data input unit of the memory device. As a result, data can be written from the data output unit of the memory device control device to the data input unit of the memory device.

【0102】また、本実施の形態では、2つのメモリデ
バイスを制御できるメモリデバイス制御チップについて
説明したが、いずれか一方のメモリデバイスを制御する
ように設定できる。この設定については、第1セレクタ
部73及び第2セレクタ部74に対して、システム起動
時にコンフィグレーションを行う。即ち、いずれのメモ
リデバイス制御装置の出力部がメモリデバイス用出力端
子71に常時接続されるように第1セレクタ部73を設
定する。また、いずれのメモリデバイスの出力部がメモ
リデバイス用入力端子72に常時接続されるように第2
セレクタ部74を設定する。このように各セレクタ部を
設定することにより、メモリデバイス制御チップは、い
ずれか一方のメモリデバイスを制御するように設定でき
る。
In the present embodiment, a memory device control chip capable of controlling two memory devices has been described. However, it is possible to set so as to control one of the memory devices. For this setting, the first selector unit 73 and the second selector unit 74 are configured when the system is started. That is, the first selector unit 73 is set such that the output unit of any of the memory device control devices is always connected to the output terminal 71 for the memory device. In addition, the second unit is configured such that the output unit of any memory device is always connected to the memory device input terminal 72.
The selector 74 is set. By setting each selector unit in this manner, the memory device control chip can be set to control one of the memory devices.

【0103】また、本実施の形態においては、3つ以上
のメモリデバイス制御装置を1つのチップに含めること
もできる。そして、3つ以上のメモリデバイスを制御す
るメモリデバイス制御チップを構成することも可能であ
る。この場合においては、第1セレクタ部73及び第2
セレクタ部74には、3つ以上の入力データのうち、1
つのデータを出力できるセレクタを用いる必要がある。
In this embodiment, three or more memory device controllers can be included in one chip. It is also possible to configure a memory device control chip for controlling three or more memory devices. In this case, the first selector unit 73 and the second selector
The selector unit 74 includes one of three or more pieces of input data.
It is necessary to use a selector that can output two data.

【0104】本実施の形態においては、1つのチップに
複数のメモリデバイス制御装置を含めることができるの
で、複数のメモリデバイス制御装置を使用する場合、そ
の製造コスト、管理コストを低減できる。そして、本実
施の形態では、複数メモリデバイス制御装置を含むメモ
リ制御チップの端子数は、1つのメモリデバイス制御装
置を含むメモリデバイス制御チップの端子数と、同程度
にできる。このため、複数のメモリデバイス制御装置を
1つのチップに含めても、チップの大きさは従来程度に
抑えることができる。
In this embodiment, since a plurality of memory device controllers can be included in one chip, when a plurality of memory device controllers are used, the manufacturing cost and management cost can be reduced. In the present embodiment, the number of terminals of the memory control chip including the plurality of memory device control devices can be substantially equal to the number of terminals of the memory device control chip including one memory device control device. For this reason, even if a plurality of memory device control devices are included in one chip, the size of the chip can be suppressed to a conventional level.

【0105】実施の形態5. メモリデバイス制御装置62は、メモリデバイスに固有
な制御を行う機能と、メモリデバイスに依存しない制御
を行う機能と、を有する。そして、メモリデバイス制御
装置62が有する各機能をハードウェア化すると、メモ
リデバイス制御装置は、以下のような各部に分けられ
る。即ち、図7(a)に示すように、メモリデバイス制
御装置62は、メモリデバイスに固有な制御を行う第1
メモリデバイス制御固有部82及び第2メモリデバイス
制御固有部85と、メモリデバイスに依存しない制御を
行うメモリデバイス制御共通部84と、に分けられる。
Embodiment 5 FIG. The memory device control device 62 has a function of performing control unique to the memory device and a function of performing control independent of the memory device. When the functions of the memory device control device 62 are implemented as hardware, the memory device control device is divided into the following units. That is, as shown in FIG. 7A, the memory device control device 62 performs the first control for performing the control unique to the memory device.
It is divided into a memory device control unique unit 82 and a second memory device control unique unit 85, and a memory device control common unit 84 that performs control independent of a memory device.

【0106】そして、本実施の形態では、複数のメモリ
デバイスを制御するメモリデバイス制御チップ内に、第
1メモリデバイス制御固有部及び第2メモリデバイス制
御固有部を複数個設ける必要があるが、メモリデバイス
制御共通部は1個設ければよい。このため、複数のメモ
リデバイス制御装置を1つのチップに含める場合、メモ
リデバイス制御共通部に関するハードウェア量を低減で
きる。
In this embodiment, it is necessary to provide a plurality of first memory device control unique units and a plurality of second memory device control unique units in a memory device control chip for controlling a plurality of memory devices. One device control common unit may be provided. Therefore, when a plurality of memory device control devices are included in one chip, the amount of hardware related to the memory device control common unit can be reduced.

【0107】本実施の形態であるメモリデバイス制御シ
ステムにおいて、実施の形態4であるメモリデバイス制
御システムと異なる点は、メモリデバイス制御チップの
構成が異なる点にあり、その他の構成は実施の形態4と
同様である。
The memory device control system according to the present embodiment differs from the memory device control system according to the fourth embodiment in that the configuration of the memory device control chip is different. Is the same as

【0108】(5−1)メモリデバイス制御チップの構
成 図7(b)は、本実施の形態であるメモリデバイス制御
チップの構成を示す図である。
(5-1) Configuration of Memory Device Control Chip FIG. 7B is a diagram showing a configuration of a memory device control chip according to the present embodiment.

【0109】本実施の形態であるメモリデバイス制御チ
ップ80には、実施の形態4であるメモリデバイス制御
チップの端子(CPU用入力端子70、メモリデバイス
用出力端子71、メモリデバイス用入力端子72)が設
けられている。
The memory device control chip 80 according to the present embodiment includes the terminals (CPU input terminal 70, memory device output terminal 71, memory device input terminal 72) of the memory device control chip according to the fourth embodiment. Is provided.

【0110】(メモリデバイス制御チップ内の各部につ
いて) メモリデバイス制御チップ80には、CPU用入力端子
70と接続され、CPU61(図7(b)には示してい
ない)からの指令信号を解読して、解読結果を後述する
メモリデバイス制御共通部に送る第1メモリデバイスA
制御固有部82a及び第1メモリデバイスB制御固有部
82bが含まれる。
(Regarding Each Unit in Memory Device Control Chip) The memory device control chip 80 is connected to the CPU input terminal 70 and decodes a command signal from the CPU 61 (not shown in FIG. 7B). The first memory device A that sends the decryption result to the memory device control common unit
A control unique unit 82a and a first memory device B control unique unit 82b are included.

【0111】ここで、第1メモリデバイス制御固有部8
2a,82bは、それぞれ、制御するメモリデバイスに
固有の指令信号を解読するので、各第1メモリデバイス
制御固有部の構成は、制御するメモリデバイスに固有な
構成となる。
Here, the first memory device control specific unit 8
2a and 82b each decode a command signal unique to the memory device to be controlled, so that the configuration of each first memory device control unique unit is a configuration unique to the memory device to be controlled.

【0112】メモリデバイス制御チップ80には、第1
メモリデバイスA制御固有部82aの出力部及び第1メ
モリデバイスB制御固有部82bの出力部のうち、CP
U61からの切り替え信号に基づいて、いずれか一方の
出力部を後述するメモリデバイス制御共通部と接続させ
る第3セレクタ部83と、第3セレクタ部83からの出
力(解読結果)を後述する第2メモリデバイスA制御固
有部及び第2メモリデバイスB制御固有部に送るメモリ
デバイス制御共通部84と、が含まれる。
The memory device control chip 80 has the first
Of the output unit of the memory device A control unique unit 82a and the output unit of the first memory device B control unique unit 82b, CP
Based on a switching signal from U61, a third selector unit 83 for connecting one of the output units to a memory device control common unit to be described later, and an output (decoding result) from the third selector unit 83 to a second to be described later. A memory device control common unit 84 for sending to the memory device A control unique unit and the second memory device B control unique unit.

【0113】なお、CPU用入力端子70の一部の端子
は、第3セレクタ部83と接続されており、CPU用入
力端子70を介して、CPU61から切り替え信号が第
3セレクタ部83に送られる。また、メモリデバイス制
御共通部84は、後述する第2メモリデバイス制御固有
部が動作を行っているとき、必要に応じて、上記解読結
果を一時的に保持することもできる。
Note that some terminals of the CPU input terminal 70 are connected to the third selector unit 83, and a switching signal is sent from the CPU 61 to the third selector unit 83 via the CPU input terminal 70. . Also, the memory device control common unit 84 can temporarily hold the decryption result, if necessary, when a second memory device control specific unit described later is operating.

【0114】メモリデバイス制御チップ80には、メモ
リデバイス制御共通部84から送られた解読結果に基づ
いてCPU61からの指令を実行する(例えば、アドレ
スの送信)第2メモリデバイスA制御固有部85a及び
第2メモリデバイスB制御固有部85bと、これらの第
2メモリデバイス制御固有部の出力をCPU61からの
切り替え信号に基づいて、いずれか一方の出力をメモリ
デバイス用出力端子71に接続させる第4セレクタ部8
6と、を有する。
The memory device control chip 80 executes a command from the CPU 61 based on the decoding result sent from the memory device control common unit 84 (for example, transmits an address). A second memory device B control unique part 85b and a fourth selector for connecting one of the outputs to the memory device output terminal 71 based on a switching signal from the CPU 61, based on the output of the second memory device control unique part Part 8
And 6.

【0115】なお、CPU用入力端子72の一部の端子
は、第4セレクタ部86と接続されており、CPU用入
力端子72を介して、CPU61からの切り替え信号が
第4セレクタ部86に送られる。
Note that some terminals of the CPU input terminal 72 are connected to the fourth selector unit 86, and a switching signal from the CPU 61 is transmitted to the fourth selector unit 86 via the CPU input terminal 72. Can be

【0116】また、第2メモリデバイスA制御固有部8
5aの他方側の入力部及び第2メモリデバイスB制御固
有部85bの他方側の入力部は、メモリデバイス用入力
端子72と接続されている。
The second memory device A control unique unit 8
The input part on the other side of 5a and the input part on the other side of the second memory device B control unique part 85b are connected to the memory device input terminal 72.

【0117】(5−2)メモリデバイス制御チップの動
作 本実施の形態におけるメモリデバイス制御チップ80の
動作について、メモリデバイスAからデータを読み出す
場合について説明する。
(5-2) Operation of Memory Device Control Chip The operation of the memory device control chip 80 in the present embodiment will be described in the case where data is read from the memory device A.

【0118】CPU61がメモリデバイスA60aから
データを読み出すように指示する指令信号をメモリデバ
イス制御チップ80のCPU用入力端子70に送る。上
記指令信号は、第1メモリデバイスA制御固有部82a
の一方側の入力部及び第1メモリデバイスB制御固有部
82bの一方側の入力部へ送られる。各第1メモリデバ
イス制御固有部では、CPU61からの指令を解読し、
解読結果を第3セレクタ部83へ送る。本動作の場合、
第1メモリデバイスA制御固有部82aの解読結果が必
要なので、第3セレクタ部83は、CPU61からの切
り替え信号(第1メモリデバイスA制御固有部の出力部
をメモリデバイス制御共通部と接続させる旨を示す信
号)に基づいて、第1メモリデバイスA制御固有部82
aから出力された解読結果をメモリデバイス制御共通部
84へ送る。
The CPU 61 sends a command signal instructing to read data from the memory device A 60a to the CPU input terminal 70 of the memory device control chip 80. The command signal is transmitted to the first memory device A control unique unit 82a.
Of the first memory device B control unique unit 82b. Each first memory device control specific section decodes a command from the CPU 61,
The decoding result is sent to the third selector unit 83. In the case of this operation,
Since the decoding result of the first memory device A control unique unit 82a is required, the third selector unit 83 outputs a switching signal from the CPU 61 (a signal that the output unit of the first memory device A control unique unit is connected to the memory device control common unit). Based on the first memory device A control unique unit 82
The decoding result output from a is sent to the memory device control common unit 84.

【0119】メモリデバイス制御共通部84から上記解
読結果が第2メモリデバイスA制御固有部85a及び第
2メモリデバイスB制御固有部85bに送られる。第2
メモリデバイスA制御固有部85a及び第2メモリデバ
イスB制御固有部85bでは、上記解読結果に基づい
て、アドレスの送信を行う。そして、アドレスは第4セ
レクタ部86に送られる。本動作では、第2メモリデバ
イスA制御固有部85aからアドレスをメモリデバイス
A60aに送る必要があるので、第4セレクタ部86
は、CPU61からの切り替え信号に基づいて、第2メ
モリデバイスA制御固有部85aから出力されたアドレ
スをメモリデバイス用出力端子71に出力する。このア
ドレスは、メモリデバイスA60a及びメモリデバイス
B60bの入力部に送られる。
The decryption result is sent from the memory device control common unit 84 to the second memory device A control unique unit 85a and the second memory device B control unique unit 85b. Second
The memory device A control unique unit 85a and the second memory device B control unique unit 85b transmit addresses based on the decryption result. Then, the address is sent to the fourth selector unit 86. In this operation, since it is necessary to send an address from the second memory device A control unique unit 85a to the memory device A 60a, the fourth selector unit 86
Outputs the address output from the second memory device A control unique unit 85a to the memory device output terminal 71 based on the switching signal from the CPU 61. This address is sent to the inputs of the memory device A 60a and the memory device B 60b.

【0120】この結果、メモリデバイスA60a及びメ
モリデバイスB60bは、共に、その出力部から所定ア
ドレスに格納されたデータを第2セレクタ部74へ送
る。第2セレクタ部74は、CPU61からの切り替え
信号に基づいて、メモリデバイスA60aのデータをメ
モリデバイス用入力端子72に送る。そして、メモリデ
バイス入力端子72から第2メモリデバイスA制御固有
部85aの他方側の入力部にデータが送られる。
As a result, both the memory device A 60a and the memory device B 60b send the data stored at the predetermined address from the output section thereof to the second selector section 74. The second selector 74 sends the data of the memory device A 60 a to the memory device input terminal 72 based on the switching signal from the CPU 61. Then, data is sent from the memory device input terminal 72 to the other input portion of the second memory device A control unique portion 85a.

【0121】本実施の形態では、メモリデバイス制御チ
ップ80内に含まれるメモリデバイス制御装置は複数に
分けられている(第1メモリデバイス制御固有部、2メ
モリデバイス制御固有部、メモリデバイス制御共通
部)。そして、本実施の形態のメモリデバイス制御チッ
プ内に含めるメモリデバイス制御共通部84は、1個だ
けでよい。このため、複数のメモリデバイス制御装置を
1つのチップに含める場合、メモリデバイス制御共通部
に関するハードウェア量を低減できる。
In the present embodiment, the memory device control device included in the memory device control chip 80 is divided into a plurality (a first memory device control specific portion, a second memory device control specific portion, a memory device control common portion). ). Then, only one memory device control common unit 84 is included in the memory device control chip of the present embodiment. Therefore, when a plurality of memory device control devices are included in one chip, the amount of hardware related to the memory device control common unit can be reduced.

【0122】[0122]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、書き込
み手段は、第1キャッシュメモリの記憶内容と第2キャ
ッシュメモリの記憶内容とが異なるように、データ(主
記憶装置から読み込まれたデータ)を第1キャッシュメ
モリ又は第2キャッシュメモリのいずれか一方に書き込
んでいる。このため、第2キャッシュメモリの記憶内容
は、全て第1キャッシュメモリの記憶内容と異なってい
るので、第2キャッシュメモリの容量を有効に活用する
ことができ、第2キャッシュメモリがアクセスされたと
きのヒット率を向上させることができる。
According to the first aspect of the present invention, the writing means reads the data (read from the main storage device) such that the storage contents of the first cache memory and the second cache memory are different. Data) is written to either the first cache memory or the second cache memory. For this reason, the storage contents of the second cache memory are all different from the storage contents of the first cache memory, so that the capacity of the second cache memory can be effectively utilized, and when the second cache memory is accessed. Hit rate can be improved.

【0123】また、第1管理情報記憶手段には、第1キ
ャッシュメモリに記憶されているデータの管理情報が、
第2管理情報記憶手段には、第1キャッシュメモリに記
憶されているデータの管理情報及び第2キャッシュメモ
リに記憶されているデータの管理情報と、が記憶されて
いる。そして、データの読み出し要求を受けた場合、読
み出し手段は、データの管理情報を読み出すことがで
き、読み出し要求のデータに対して、そのアドレスとい
ずれのキャッシュメモリに存在するかを知ることができ
る。このため、読み出し手段は、管理情報に基づいて、
データの存在するキャッシュメモリから迅速に、データ
を読み出すことができる。
Further, the first management information storage means stores management information of data stored in the first cache memory.
The second management information storage means stores management information of data stored in the first cache memory and management information of data stored in the second cache memory. When receiving the data read request, the read unit can read the data management information, and can know the address and the cache memory of the data of the read request. For this reason, the reading means, based on the management information,
Data can be quickly read from the cache memory where the data exists.

【0124】また、読み出し手段は、データ読み出し指
令手段によるデータ読み出し要求を受けた場合、第1管
理情報記憶手段及び第2管理情報記憶手段にアクセスす
るが、演算制御装置によるデータ読み出し要求を受けた
場合、第2管理情報記憶手段にのみアクセスする。ま
た、読み出し手段は、演算制御装置からデータの読み出
し要求を受けても、データ読み出し指令手段によるデー
タ読み出し要求に基づいた読み出し動作を行っていると
きは、その動作を優先して行う。
When the read means receives a data read request from the data read command means, it accesses the first management information storage means and the second management information storage means, but receives the data read request from the arithmetic and control unit. In this case, only the second management information storage unit is accessed. Further, the reading means gives priority to the reading operation, even when receiving the data reading request from the arithmetic and control unit, when the reading operation is being performed based on the data reading request by the data reading instruction means.

【0125】このため、システムバスに演算制御装置が
接続されていて、この演算制御装置がキャッシュメモリ
にアクセスできる場合であっても、第1キャッシュメモ
リにあるデータが、データ読み出し指令手段により連続
的に読み出し要求を受けている場合には、第1キャッシ
ュメモリからデータを高速に読み出す動作は途中で中断
されずに、連続的に行われる。
Therefore, even if the arithmetic and control unit is connected to the system bus and this arithmetic and control unit can access the cache memory, the data in the first cache memory is continuously read by the data read command means. , The operation of reading data from the first cache memory at high speed is continuously performed without interruption.

【0126】請求項2に記載の発明によれば、第1管理
情報記憶手段及び第2管理情報記憶手段は、それぞれ、
高速メモリ及び低速メモリである。このため、読み出し
手段は、読み出し要求データに対して、第1管理情報記
憶手段及び第2管理情報記憶手段の両者にアクセスする
と、第1管理情報記憶手段から早くアクセス結果を得ら
れる。そして、読み出し要求データが第1キャッシュメ
モリに存在しない場合、読み出し手段は、予めシステム
バス使用権付与手段にシステムバス使用権要求を出す。
According to the second aspect of the present invention, the first management information storage means and the second management information storage means each
High-speed memory and low-speed memory. For this reason, when the readout unit accesses both the first management information storage unit and the second management information storage unit for the read request data, the readout unit can quickly obtain an access result from the first management information storage unit. If the read request data does not exist in the first cache memory, the read unit issues a system bus use right request to the system bus use right grant unit in advance.

【0127】そして、第2管理情報記憶手段からのアク
セス結果が読み出し手段に返されたとき、第1キャッシ
ュメモリ及び第2キャッシュメモリのいずれにデータが
存在しない場合、既にシステムバス使用権要求を出して
いるので、迅速にシステムバス使用権を得ることができ
る。この結果、読み出し手段は、読み出し要求データが
第1キャッシュメモリ及び第2キャッシュメモリの両者
に存在しない場合、上記システムバス使用権に基づい
て、主記憶装置に迅速にアクセスすることができる。従
って、2つのキャッシュメモリにミスヒットしたときの
ペナルティを低減することができる。
When the access result from the second management information storage means is returned to the reading means, and there is no data in either the first cache memory or the second cache memory, a system bus use right request is already issued. Therefore, the right to use the system bus can be obtained quickly. As a result, when the read request data does not exist in both the first cache memory and the second cache memory, the read unit can quickly access the main storage device based on the right to use the system bus. Therefore, it is possible to reduce a penalty when a miss occurs in two cache memories.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施の形態1であるキャッシュメモリ制御シ
ステムの構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a cache memory control system according to a first embodiment;

【図2】 実施の形態2であるキャッシュメモリ制御シ
ステムの構成を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a cache memory control system according to a second embodiment;

【図3】 実施の形態3であるキャッシュメモリ制御シ
ステムの構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a cache memory control system according to a third embodiment;

【図4】 実施の形態3であるキャッシュメモリ制御シ
ステムの別の構成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating another configuration of the cache memory control system according to the third embodiment;

【図5】 従来のメモリデバイス制御システムの構成を
示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional memory device control system.

【図6】 実施の形態4であるメモリデバイス制御シス
テムの構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of a memory device control system according to a fourth embodiment;

【図7】 実施の形態5であるメモリデバイス制御装置
を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a memory device control device according to a fifth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高速小容量キャッシュ、2 低速大容量キャッシ
ュ、3 システムバス、4 主記憶装置、5 I/Oコ
ントローラ、8 データ読み出し指令部、9 書き込み
部、10 書き込み制御部、11 読み出し部、12
読み出し制御部、13 演算制御部、14 データパス
選択部(読み出し用データパス選択部及び書き込み用デ
ータパス選択部)、15,35 キャッシュメモリ制御
部、30演算制御装置、31 第1TAGメモリ、32
第2TAGメモリ、33 システムバス使用権付与
部、36 第1バッファ、37 第2バッファ、60,
60a,60b メモリデバイス、61 CPU、6
2,62a,62b メモリデバイス制御装置、63,
80 メモリデバイス制御チップ、64,64a,64
b,65,65a,65b,71 メモリデバイス用出
力端子、66,66a,66b,72 メモリデバイス
用入力端子、70 CPU用入力端子、73 第1セレ
クタ部、74 第2セレクタ部、82,82a,82b
第1メモリデバイス制御固有部、83 第3セレクタ
部、84 メモリデバイス制御共通部、85,85a,
85b 第2メモリデバイス制御固有部、86 第4セ
レクタ部。
1 High-speed small-capacity cache, 2 Low-speed large-capacity cache, 3 system bus, 4 main memory, 5 I / O controller, 8 data read command section, 9 write section, 10 write control section, 11 read section, 12
Read control unit, 13 operation control unit, 14 data path selection unit (read data path selection unit and write data path selection unit), 15, 35 cache memory control unit, 30 operation control unit, 31 first TAG memory, 32
Second TAG memory, 33 system bus use right granting unit, 36 first buffer, 37 second buffer, 60,
60a, 60b memory device, 61 CPU, 6
2, 62a, 62b memory device control device, 63,
80 memory device control chip, 64, 64a, 64
b, 65, 65a, 65b, 71 output terminal for memory device, 66, 66a, 66b, 72 input terminal for memory device, 70 CPU input terminal, 73 first selector section, 74 second selector section, 82, 82a, 82b
1st memory device control specific section, 83 3rd selector section, 84 memory device control common section, 85, 85a,
85b second memory device control specific part, 86 fourth selector part.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−288645(JP,A) 特開 昭61−241853(JP,A) 特開 昭53−33023(JP,A) 特開 昭62−260248(JP,A) 特開 平6−250926(JP,A) 特開 平3−63852(JP,A) 特開 平6−168119(JP,A) 特開 平3−225695(JP,A) 特開 平5−73415(JP,A) 特開 平4−319746(JP,A) 特開 昭61−15247(JP,A) 特開 平4−288644(JP,A) 特開 平3−42745(JP,A) 特開 昭52−35533(JP,A) 特開 平1−166147(JP,A) Motorola Inc.著,「M C68020ユーザーズ・マニュアル」,第 6版,CQ出版株式会社、昭和63年5月 30日,p.89−91 (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06F 12/08 G06F 12/02 Continuation of the front page (56) References JP-A-4-288645 (JP, A) JP-A-61-241853 (JP, A) JP-A-53-33023 (JP, A) JP-A-62-260248 (JP, A) JP-A-6-250926 (JP, A) JP-A-3-63852 (JP, A) JP-A-6-168119 (JP, A) JP-A-3-225695 (JP, A) 5-73415 (JP, A) JP-A-4-319746 (JP, A) JP-A-61-15247 (JP, A) JP-A-4-288644 (JP, A) JP-A-3-42745 (JP, A A) JP-A-52-35533 (JP, A) JP-A-1-166147 (JP, A) Motorola Inc. Author, "MC68020 Users Manual", 6th edition, CQ Publishing Co., Ltd., May 30, 1988, p. 89-91 (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) G06F 12/08 G06F 12/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 高速小容量の第1キャッシュメモリ及び
低速大容量の第2キャッシュメモリを制御するキャッシ
ュメモリ制御装置において、 前記第1キャッシュメモリに記憶されている複数のデー
タに対して、個別のデータに対する前記第1キャッシュ
メモリ上のアドレス及び第1キャッシュメモリにある旨
を示す管理情報を記憶する第1管理情報記憶手段と、 前記第1キャッシュメモリに記憶されている複数のデー
タと、前記第2キャッシュメモリに記憶されている複数
のデータと、に対して、個別のデータに対するそのデー
タが記憶されているキャッシュメモリ上のアドレス及び
いずれのキャッシュメモリにあるかを示す管理情報を記
憶する第2管理情報記憶手段と、 前記第1キャッシュメモリの記憶内容と前記第2キャッ
シュメモリの記憶内容とが異なるように、データを前記
第1キャッシュメモリ又は前記第2キャッシュメモリの
いずれか一方に書き込むと共に、前記データが第1キャ
ッシュメモリに書き込まれた場合には、前記データの管
理情報を前記第2管理情報記憶手段及び前記第1管理情
報記憶手段に書き込み、前記データが第2キャッシュメ
モリに書き込まれた場合には、前記データの管理情報を
前記第2管理情報記憶手段に書き込む書き込み手段と、 データの読み出し要求を行うデータ読み出し指令手段
と、 このデータ読み出し指令手段によりデータ読み出し要求
を受けた場合、前記第1管理情報記憶手段又は前記第2
管理情報記憶手段のうち少なくとも一方から前記データ
の管理情報を読み出し、この管理情報に基づいて、前記
第1キャッシュメモリ又は前記第2キャッシュメモリの
いずれか一方から前記データを読み出す読み出し手段
と、を有し、 前記読み出し手段は、システムバスを介して演算制御装
置と接続されており、前記演算制御装置によるデータの
読み出し要求に対しては、前記データの管理情報を前記
第2管理情報記憶手段のみから読み出し、前記データ読
み出し指令手段によるデータ読み出し要求に基づいた読
み出し動作を行っていないときに、前記第1キャッシュ
メモリ又は前記第2キャッシュメモリのいずれか一方か
ら前記データを読み出すことを特徴とするキャッシュメ
モリ制御装置。
1. A cache memory control device for controlling a high-speed small-capacity first cache memory and a low-speed large-capacity second cache memory, wherein a plurality of data stored in the first cache memory are individually The first cache for data
First management information storage means for storing an address on the memory and management information indicating that the address is in the first cache memory; a plurality of data stored in the first cache memory; and a plurality of data stored in the second cache memory respect, a plurality of data is, in its data for individual data
A second management information storage means for storing management information indicating whether data is in the address and any of the cache memory in the cache memory is stored, the memory storage contents of said first cache memory of the second cache memory The data is written to either the first cache memory or the second cache memory so that the contents are different from each other. When the data is written to the first cache memory, the management information of the data is written to the first cache memory or the second cache memory. Writing means for writing to the second management information storage means and the first management information storage means, and when the data is written to the second cache memory, writing means for writing the management information of the data to the second management information storage means; Data read command means for requesting data read, and the data read command means When receiving the chromatography data read request, the first management information storage means or said second
Reading means for reading the management information of the data from at least one of the management information storage means, and reading the data from either the first cache memory or the second cache memory based on the management information. The readout means is connected to an arithmetic and control unit via a system bus, and in response to a data readout request by the arithmetic and control unit, the data management information is transmitted only from the second management information storage means. A cache memory for reading the data from one of the first cache memory and the second cache memory when a read operation is not being performed based on a data read request by the data read command unit; Control device.
【請求項2】 前記第1管理情報記憶手段は、高速動作
のメモリであり、前記第2管理情報記憶手段は、低速動
作のメモリであり、 前記システムバスには、主記憶装置と、システムバスの
使用権を与えるシステムバス使用権付与手段と、が接続
されており、 前記読み出し手段は、前記データ読み出し指令手段によ
るデータ読み出し要求に対して、前記第1管理情報記憶
手段及び前記第2管理情報記憶手段にアクセスし、 前記第1管理情報記憶手段から送られた管理情報から、
前記データが前記第1キャッシュメモリに存在しないと
判定した場合には、前記システムバス使用権付与手段に
システムバス使用権の要求信号を送り、 前記第2管理情報記憶手段から送られた管理情報から、
前記データが前記第1キャッシュメモリ及び前記第2キ
ャッシュメモリの両者に存在しないと判定した場合に
は、前記システムバス使用権付与手段により付与された
システムバス使用権に基づいて、主記憶装置にアクセス
することを特徴とする請求項1に記載のキャッシュメモ
リ制御装置。
2. The first management information storage means is a high-speed operation memory, the second management information storage means is a low-speed operation memory, and the system bus has a main storage device and a system bus. And a system bus use right granting means for granting a use right of the first and second management information. The readout means responds to a data read request by the data read command means with the first management information storage means and the second management information. Accessing the storage means, from the management information sent from the first management information storage means,
When it is determined that the data does not exist in the first cache memory, a request signal for a system bus use right is sent to the system bus use right granting means, and ,
If it is determined that the data does not exist in both the first cache memory and the second cache memory, access to the main storage device is performed based on the system bus usage right granted by the system bus usage right granting means. 2. The cache memory control device according to claim 1, wherein:
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