JP2965011B2 - 半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体光素子及びその製造方法Info
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体光素子及びそ
の製造方法に関し、特に曲線形状の光導波路を有する半
導体光素子及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に曲線形状の光導波路を有する半
導体光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）にお
ける、ストライプ状誘電体マスクを用いた選択成長は、
誘電体マスクの幅を変えることのみで誘電体マスクに挟
まれた成長領域に成長される半導体結晶の組成及び層厚
を変化させることができるため、光集積素子等を作製す
る基本技術として研究が盛んに行われている。従来の選
択成長では、ＩｎＰ等の半導体基板上に、幅１．５μｍ
程度の成長領域をはさんだ一対のストライプ状誘電体薄
膜のマスクを形成し、ＭＯＶＰＥをもちいて、ＩｎＧａ
ＡｓＰ等の結晶を選択的に成長させる。光導波路のシン
グルモード動作を維持するように成長領域幅を適当に選
択することにより、光導波路構造を半導体エッチング工
程なしで形成することができるため高品質な半導体光素
子を歩留まりよく作製することが可能である。また、選
択成長により形成される結晶の波長組成及び結晶層厚
は、前期誘電体マスク幅及び前期成長領域幅を変えるこ
とのみで制御でき、半導体レーザ、光変調器、光増幅器
等の光素子と受動光導波路とを集積した光集積素子を一
括形成できるため、半導体光素子の作製方法として非常
に有望である。とくに、成長領域への原料供給メカニズ
ムとしてＳｉＯ2 マスク上のIII 族原料種の表面マイ
グレーションと気相拡散が関与する成長領域幅３μｍ程
度以下での選択成長では、マスク幅の変化に対する波長
組成変化を大きくすることができる。前述した誘電体マ
スク幅により波長組成を変化させることができる原理に
ついては、加藤らによって、ELECTRONICS LETTERS誌VO
L.28, No.2(1992年1月16日号)第１５３ページから１５
４ページに記述されている。
ける、ストライプ状誘電体マスクを用いた選択成長は、
誘電体マスクの幅を変えることのみで誘電体マスクに挟
まれた成長領域に成長される半導体結晶の組成及び層厚
を変化させることができるため、光集積素子等を作製す
る基本技術として研究が盛んに行われている。従来の選
択成長では、ＩｎＰ等の半導体基板上に、幅１．５μｍ
程度の成長領域をはさんだ一対のストライプ状誘電体薄
膜のマスクを形成し、ＭＯＶＰＥをもちいて、ＩｎＧａ
ＡｓＰ等の結晶を選択的に成長させる。光導波路のシン
グルモード動作を維持するように成長領域幅を適当に選
択することにより、光導波路構造を半導体エッチング工
程なしで形成することができるため高品質な半導体光素
子を歩留まりよく作製することが可能である。また、選
択成長により形成される結晶の波長組成及び結晶層厚
は、前期誘電体マスク幅及び前期成長領域幅を変えるこ
とのみで制御でき、半導体レーザ、光変調器、光増幅器
等の光素子と受動光導波路とを集積した光集積素子を一
括形成できるため、半導体光素子の作製方法として非常
に有望である。とくに、成長領域への原料供給メカニズ
ムとしてＳｉＯ2 マスク上のIII 族原料種の表面マイ
グレーションと気相拡散が関与する成長領域幅３μｍ程
度以下での選択成長では、マスク幅の変化に対する波長
組成変化を大きくすることができる。前述した誘電体マ
スク幅により波長組成を変化させることができる原理に
ついては、加藤らによって、ELECTRONICS LETTERS誌VO
L.28, No.2(1992年1月16日号)第１５３ページから１５
４ページに記述されている。
【０００３】選択成長による光素子の例としては、例え
ば1997年春季応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎ
ｏ．３の１０８５ページに記載のスポットサイズ変換(S
pot-size converter: SSC,以後SSC)部付き半導体光増
幅器があげられる。近年、半導体光増幅器を電流注入型
のスイッチングゲートとして応用することが注目されて
いる。半導体光増幅器は一般的に５０ｄＢ以上の高い消
光比を容易にとることができるため、低クロストークな
マトリクス光スイッチを実現するためのスイッチングゲ
ートとして有望である。近年、半導体レーザ、半導体光
増幅器と光ファイバあるいは石英系光導波路とをレンズ
なしで光結合するために、これらの光素子の入出射端に
ＳＳＣを集積する研究が盛んに行われている。ＳＳＣは
半導体のコア層断面積が素子端に向かい徐々に小さくな
る構造であり、素子の入出射端に向かい信号光の光閉じ
込めを弱くすることによりスポットサイズを拡大し、ス
ポットサイズの大きな光ファイバや石英系光導波路とレ
ンズなしで光結合したときの光結合特性を改善するもの
である。
ば1997年春季応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ｎ
ｏ．３の１０８５ページに記載のスポットサイズ変換(S
pot-size converter: SSC,以後SSC)部付き半導体光増
幅器があげられる。近年、半導体光増幅器を電流注入型
のスイッチングゲートとして応用することが注目されて
いる。半導体光増幅器は一般的に５０ｄＢ以上の高い消
光比を容易にとることができるため、低クロストークな
マトリクス光スイッチを実現するためのスイッチングゲ
ートとして有望である。近年、半導体レーザ、半導体光
増幅器と光ファイバあるいは石英系光導波路とをレンズ
なしで光結合するために、これらの光素子の入出射端に
ＳＳＣを集積する研究が盛んに行われている。ＳＳＣは
半導体のコア層断面積が素子端に向かい徐々に小さくな
る構造であり、素子の入出射端に向かい信号光の光閉じ
込めを弱くすることによりスポットサイズを拡大し、ス
ポットサイズの大きな光ファイバや石英系光導波路とレ
ンズなしで光結合したときの光結合特性を改善するもの
である。
【０００４】この半導体光増幅器の素子構造及び素子作
製方法を図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は
この半導体光増幅器の構造を模式的に示した素子長手方
向の断面図である。図１４はこの素子の活性層を選択成
長により形成するために用いた誘電体マスクパターンで
あり、斜線部が誘電体マスクを示している。この素子で
は、偏光無依存な光増幅特性を得るために、活性層２０
８の断面形状が幅４２０ｎｍ高さ３００ｎｍと正方形に
近くなっている。活性層２０８はＳＳＣ部１０２におい
て素子の入出射端に向かい層厚が徐々に薄くなる形状と
なっており、この構造により信号光のスポットサイズ変
換を行っている。活性層の全体は厚さ６μｍのＰ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２０９で埋め込まれる。また、素子両端に
は反射戻り光低減のための無反射被覆（ＡＲコート）２
０７および窓部１０３が形成されている。従来、活性層
部３０１とＳＳＣ部１０２の活性層２０６は２度の結晶
成長工程により形成されていたが、この報告例では、図
１４のように、選択成長のマスク開口幅Ｗｏを０．７μ
ｍ程度とせまくし、さらにＳＳＣ部１０２におけるＳｉ
Ｏ2 マスク幅Ｗｍを素子入出射端に向かって狭くする
ことにより、活性層部９０１とＳＳＣ部１０２を一括し
て成長している。これにより半導体のエッチング工程な
しで活性層を形成することが可能である。また、ＳＳＣ
部を待たない従来の半導体光増幅器の同様の２度の結晶
成長のみでＳＳＣ付き半導体光増幅器が作製されてい
る。
製方法を図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は
この半導体光増幅器の構造を模式的に示した素子長手方
向の断面図である。図１４はこの素子の活性層を選択成
長により形成するために用いた誘電体マスクパターンで
あり、斜線部が誘電体マスクを示している。この素子で
は、偏光無依存な光増幅特性を得るために、活性層２０
８の断面形状が幅４２０ｎｍ高さ３００ｎｍと正方形に
近くなっている。活性層２０８はＳＳＣ部１０２におい
て素子の入出射端に向かい層厚が徐々に薄くなる形状と
なっており、この構造により信号光のスポットサイズ変
換を行っている。活性層の全体は厚さ６μｍのＰ−Ｉｎ
Ｐクラッド層２０９で埋め込まれる。また、素子両端に
は反射戻り光低減のための無反射被覆（ＡＲコート）２
０７および窓部１０３が形成されている。従来、活性層
部３０１とＳＳＣ部１０２の活性層２０６は２度の結晶
成長工程により形成されていたが、この報告例では、図
１４のように、選択成長のマスク開口幅Ｗｏを０．７μ
ｍ程度とせまくし、さらにＳＳＣ部１０２におけるＳｉ
Ｏ2 マスク幅Ｗｍを素子入出射端に向かって狭くする
ことにより、活性層部９０１とＳＳＣ部１０２を一括し
て成長している。これにより半導体のエッチング工程な
しで活性層を形成することが可能である。また、ＳＳＣ
部を待たない従来の半導体光増幅器の同様の２度の結晶
成長のみでＳＳＣ付き半導体光増幅器が作製されてい
る。
【０００５】選択成長による光集積素子の例としては、
例えば、ELECTRONICS LETTERS Ｖol．32の2265ページ
から2266ページに記載のK.Hamamoto Et.Al. による１
×４半導体光増幅器ゲート型モノリシックマトリクス光
スイッチが挙げられる。図１５にこの素子の構成を模式
的に示す平面図を示した。この例では、［０１１］方向
に活性層のストライプを持つ４つの半導体光増幅器４０
１とこれらを結ぶＹ分岐型の受動分岐光導波路４０２を
選択成長時の誘電体マスク幅を変化させることにより一
括形成し、１入力４出力の分岐／半導体光増幅器ゲート
型マトリクス光スイッチを形成している。半導体光増幅
器部及び受動光導波路部のマスク幅をそれぞれ、３０μ
ｍ、６μｍとしている。このとき、半導体光増幅器４０
１及び受動分岐光導波路４０２における結晶のバンドギ
ャップ波長はそれぞれ１．５５μｍ、１．４０μｍとな
り、受動分岐光導波路４０２は波長１．５５μｍの信号
光に対して吸収を持たない透明な組成となる。このよう
な光集積素子を従来の製造方法により作製した場合、半
導体光増幅器と受動光導波路部を２度の結晶成長工程に
より別々に形成する必要があったが、選択成長を用いる
ことにより種々の光素子をより簡便に作製することが可
能である。
例えば、ELECTRONICS LETTERS Ｖol．32の2265ページ
から2266ページに記載のK.Hamamoto Et.Al. による１
×４半導体光増幅器ゲート型モノリシックマトリクス光
スイッチが挙げられる。図１５にこの素子の構成を模式
的に示す平面図を示した。この例では、［０１１］方向
に活性層のストライプを持つ４つの半導体光増幅器４０
１とこれらを結ぶＹ分岐型の受動分岐光導波路４０２を
選択成長時の誘電体マスク幅を変化させることにより一
括形成し、１入力４出力の分岐／半導体光増幅器ゲート
型マトリクス光スイッチを形成している。半導体光増幅
器部及び受動光導波路部のマスク幅をそれぞれ、３０μ
ｍ、６μｍとしている。このとき、半導体光増幅器４０
１及び受動分岐光導波路４０２における結晶のバンドギ
ャップ波長はそれぞれ１．５５μｍ、１．４０μｍとな
り、受動分岐光導波路４０２は波長１．５５μｍの信号
光に対して吸収を持たない透明な組成となる。このよう
な光集積素子を従来の製造方法により作製した場合、半
導体光増幅器と受動光導波路部を２度の結晶成長工程に
より別々に形成する必要があったが、選択成長を用いる
ことにより種々の光素子をより簡便に作製することが可
能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザの活性層
のストライプ方向は一般的に［０１１］方位に形成され
る。これは半導体レーザ動作に必要な共振器構造を基板
のへき開面を利用して形成するためである。
のストライプ方向は一般的に［０１１］方位に形成され
る。これは半導体レーザ動作に必要な共振器構造を基板
のへき開面を利用して形成するためである。
【０００７】しかし、光素子の特性向上や光集積素子の
小型化のために、任意のストライプ方向の活性層をもつ
光素子も考えられるようになっている。例えば、前章で
示したモノリシックマトリクススイッチの例でも、分岐
曲線導波路の一部を半導体光増幅器部の活性層とするこ
とで素子の小型化が図られる。また、半導体光増幅器で
は、素子端のへき開面、光結合のためのレンズ、光ファ
イバの端面などからの活性層への反射戻り光を抑制する
ために、活性層のストライプ方向を基板面内において
［０１１］方位に対して６から８°程度の角度を持つよ
うに配置し、端面に角度を持たせる報告もある。さら
に、前章で示したＳＳＣ部付き半導体光増幅器では、ス
イッチングゲート動作時におけるＯＮ／ＯＦＦ消光比改
善のために、Ｓ字形状に活性層ストライプを形成する試
みが行われている。
小型化のために、任意のストライプ方向の活性層をもつ
光素子も考えられるようになっている。例えば、前章で
示したモノリシックマトリクススイッチの例でも、分岐
曲線導波路の一部を半導体光増幅器部の活性層とするこ
とで素子の小型化が図られる。また、半導体光増幅器で
は、素子端のへき開面、光結合のためのレンズ、光ファ
イバの端面などからの活性層への反射戻り光を抑制する
ために、活性層のストライプ方向を基板面内において
［０１１］方位に対して６から８°程度の角度を持つよ
うに配置し、端面に角度を持たせる報告もある。さら
に、前章で示したＳＳＣ部付き半導体光増幅器では、ス
イッチングゲート動作時におけるＯＮ／ＯＦＦ消光比改
善のために、Ｓ字形状に活性層ストライプを形成する試
みが行われている。
【０００８】以上述べたように、活性層を任意の形状に
形成できることはデバイス作製の自由度を著しく増加さ
せる。
形成できることはデバイス作製の自由度を著しく増加さ
せる。
【０００９】しかし、これまで選択成長を用いて曲線光
導波路のような受動光導波路の作製は行われてきたが、
電流注入し、光増幅媒質として使用される領域を含む能
動光導波路を任意のストライプ方向で作製したことはな
かった。そこで、（１００）基板面内において、［０１
１］方位に対して任意のストライプ方向をもつ活性層を
選択成長により形成した結果、ストライプ方向と［０１
１］方位とのなす角（以下導波路角度と呼ぶ）により、
活性層の波長組成や断面形状が変化することを見いだし
た。
導波路のような受動光導波路の作製は行われてきたが、
電流注入し、光増幅媒質として使用される領域を含む能
動光導波路を任意のストライプ方向で作製したことはな
かった。そこで、（１００）基板面内において、［０１
１］方位に対して任意のストライプ方向をもつ活性層を
選択成長により形成した結果、ストライプ方向と［０１
１］方位とのなす角（以下導波路角度と呼ぶ）により、
活性層の波長組成や断面形状が変化することを見いだし
た。
【００１０】図９にＩｎＰ基板の（１００）面上に様々
な導波路角度で選択成長により形成されたＩｎＧａＡｓ
Ｐバルク活性層における、導波路角度とフォトルミネッ
センス（ＰＬ）スペクトルのピーク波長及び活性層厚の
関係を示した。ここで成長圧力を７６０Ｔｏｒｒ、誘電
体マスク幅およびマスク開口幅をそれぞれ３５μｍ、
０．７μｍとした。導波路角度の増加に伴い、ＰＬピー
ク波長及び活性層厚の増加がみられる。従って、導波路
角度が任意に変化する形状の活性層構造を選択成長によ
り形成した場合、活性層の組成が不均一となり電流注入
時の利得特性が低下するおそれがある。また、活性層に
導入される歪量も不均一となるため、電流注入時の利得
の偏光依存性が生ずるおそれがある。これは選択成長に
より形成された活性層の波長組成の変化は、III 族原
料の組成比の変化によりもたらされるため、波長組成の
変化は活性層の結晶の面内歪の変化を伴うためである。
な導波路角度で選択成長により形成されたＩｎＧａＡｓ
Ｐバルク活性層における、導波路角度とフォトルミネッ
センス（ＰＬ）スペクトルのピーク波長及び活性層厚の
関係を示した。ここで成長圧力を７６０Ｔｏｒｒ、誘電
体マスク幅およびマスク開口幅をそれぞれ３５μｍ、
０．７μｍとした。導波路角度の増加に伴い、ＰＬピー
ク波長及び活性層厚の増加がみられる。従って、導波路
角度が任意に変化する形状の活性層構造を選択成長によ
り形成した場合、活性層の組成が不均一となり電流注入
時の利得特性が低下するおそれがある。また、活性層に
導入される歪量も不均一となるため、電流注入時の利得
の偏光依存性が生ずるおそれがある。これは選択成長に
より形成された活性層の波長組成の変化は、III 族原
料の組成比の変化によりもたらされるため、波長組成の
変化は活性層の結晶の面内歪の変化を伴うためである。
【００１１】よって本発明の解決しようとする課題は、
任意の導波路角度で選択成長により形成された活性層の
組成を活性層の各部で均一にすることである。
任意の導波路角度で選択成長により形成された活性層の
組成を活性層の各部で均一にすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】以上に記載の課題を解決
するための手段を以下に示す。
するための手段を以下に示す。
【００１３】本発明の第１の半導体光素子の製造方法
は、少なくとも部分的には光増幅媒体となる光導波路を
有し、該光導波路が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体
基板の（１００）面上あるいは（１００）面から１０度
以内の傾斜を持つ基板面上に形成され、該光導波路のス
トライプ方向が前記基板面上の面内において少なくとも
部分的には［０１１］結晶方位に対して角度を有するよ
うな半導体光素子において、前記光導波路が前記半導体
基板上に形成された少なくとも１対のストライプ状誘電
体薄膜に挟まれた成長領域に有機金属気相化学成長法に
より選択的に結晶成長する工程により形成される半導体
光素子の製造方法であって、前記ストライプ状誘電体薄
膜の幅あるい前記成長領域の幅を、前記光導波路のスト
ライプ方向と［０１１］結晶方位とのなす角に応じて前
記光導波路の各部において変化させることを特徴とす
る。
は、少なくとも部分的には光増幅媒体となる光導波路を
有し、該光導波路が閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体
基板の（１００）面上あるいは（１００）面から１０度
以内の傾斜を持つ基板面上に形成され、該光導波路のス
トライプ方向が前記基板面上の面内において少なくとも
部分的には［０１１］結晶方位に対して角度を有するよ
うな半導体光素子において、前記光導波路が前記半導体
基板上に形成された少なくとも１対のストライプ状誘電
体薄膜に挟まれた成長領域に有機金属気相化学成長法に
より選択的に結晶成長する工程により形成される半導体
光素子の製造方法であって、前記ストライプ状誘電体薄
膜の幅あるい前記成長領域の幅を、前記光導波路のスト
ライプ方向と［０１１］結晶方位とのなす角に応じて前
記光導波路の各部において変化させることを特徴とす
る。
【００１４】本発明の第２の半導体光素子の製造方法
は、第１の半導体光素子の製造方法において、前記スト
ライプ状誘電体薄膜の幅が、前記光導波路のストライプ
方向と［０１１］結晶方位とのなす角の増加に応じて狭
くなることを特徴とする。
は、第１の半導体光素子の製造方法において、前記スト
ライプ状誘電体薄膜の幅が、前記光導波路のストライプ
方向と［０１１］結晶方位とのなす角の増加に応じて狭
くなることを特徴とする。
【００１５】本発明の第３の半導体光素子の製造方法
は、第１の半導体光素子の製造方法において、前記成長
領域の幅が、前記光導波路のストライプ方向と［０１
１］結晶方位とのなす角の増加に応じて狭くなることを
特徴とする。
は、第１の半導体光素子の製造方法において、前記成長
領域の幅が、前記光導波路のストライプ方向と［０１
１］結晶方位とのなす角の増加に応じて狭くなることを
特徴とする。
【００１６】本発明の第４の半導体光素子の製造方法
は、第１から第３の半導体光素子の製造方法において、
前記成長領域の幅が２μｍ以下であることを特徴とす
る。
は、第１から第３の半導体光素子の製造方法において、
前記成長領域の幅が２μｍ以下であることを特徴とす
る。
【００１７】本発明の第５の半導体光素子の製造方法
は、第１から第４の半導体光素子の製造方法において、
前記ストライプ状誘電体薄膜に挟まれた成長領域に選択
的に形成される成長層がバルクであることを特徴とす
る。
は、第１から第４の半導体光素子の製造方法において、
前記ストライプ状誘電体薄膜に挟まれた成長領域に選択
的に形成される成長層がバルクであることを特徴とす
る。
【００１８】本発明の第６の半導体光素子の製造方法
は、第１から第５の半導体光素子の製造方法において、
前記閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体基板がＩｎＰ基
板であって、結晶を構成するIII 族原料がＩｎ、Ｇ
ａ、のいずれかあるいは両方であって、Ｖ族原料がＡ
ｓ、Ａｌ、Ｐ、Ｎのいずれかの組み合わせであることを
特徴とする。
は、第１から第５の半導体光素子の製造方法において、
前記閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体基板がＩｎＰ基
板であって、結晶を構成するIII 族原料がＩｎ、Ｇ
ａ、のいずれかあるいは両方であって、Ｖ族原料がＡ
ｓ、Ａｌ、Ｐ、Ｎのいずれかの組み合わせであることを
特徴とする。
【００１９】本発明の半導体光集積素子は、複数の半導
体光増幅器及び、曲線、分岐形状を有し、信号光を導波
するための半導体分岐光導波路を同一基板面内に少なく
とも有する半導体光集積素子において、前記半導体光増
幅器のストライプ方向が活性層の光導波方向の各部で異
なる曲線形状であり、前記半導体分岐光導波路の曲線部
の一部として形成されていることを特徴とする。
体光増幅器及び、曲線、分岐形状を有し、信号光を導波
するための半導体分岐光導波路を同一基板面内に少なく
とも有する半導体光集積素子において、前記半導体光増
幅器のストライプ方向が活性層の光導波方向の各部で異
なる曲線形状であり、前記半導体分岐光導波路の曲線部
の一部として形成されていることを特徴とする。
【００２０】本発明の光通信用モジュールは、前記第１
〜第６の製造方法により得られた半導体光素子と、該半
導体光素子からの出力光を外部に導波するための導波手
段と、この導波手段に前記半導体光素子からの出力光を
集光するための集光手段と、上記半導体光集積素子を駆
動するための駆動手段とを有することを特徴とする。
〜第６の製造方法により得られた半導体光素子と、該半
導体光素子からの出力光を外部に導波するための導波手
段と、この導波手段に前記半導体光素子からの出力光を
集光するための集光手段と、上記半導体光集積素子を駆
動するための駆動手段とを有することを特徴とする。
【００２１】本発明の第２の光通信用モジュールは、前
記第１〜第６の製造方法により得られた半導体光素子或
いは前記半導体光集積素子と、該半導体光素子に入力光
を導波させるための導波手段と、この導波手段から前記
半導体光素子へ入力光を集光するための集光手段と、前
記半導体光素子からの出力光を外部に導波するための導
波手段と、この導波手段に上記半導体光素子からの出力
光を集光するための集光手段と、上記半導体光集積素子
を駆動するための駆動手段とを有することを特徴とす
る。
記第１〜第６の製造方法により得られた半導体光素子或
いは前記半導体光集積素子と、該半導体光素子に入力光
を導波させるための導波手段と、この導波手段から前記
半導体光素子へ入力光を集光するための集光手段と、前
記半導体光素子からの出力光を外部に導波するための導
波手段と、この導波手段に上記半導体光素子からの出力
光を集光するための集光手段と、上記半導体光集積素子
を駆動するための駆動手段とを有することを特徴とす
る。
【００２２】本発明の光通信システムは、前記第１〜第
６の製造方法により得られた半導体光素子或いは前記半
導体光集積素子を有する通信手段と、この通信手段から
の出力光を受信するための受信手段とを有することを特
徴とする。
６の製造方法により得られた半導体光素子或いは前記半
導体光集積素子を有する通信手段と、この通信手段から
の出力光を受信するための受信手段とを有することを特
徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の作用を図１０、図１１、
図１２を用いて説明する。図１０は本発明の作用を説明
するための選択成長用誘電体マスクパターンである。図
１１は図１０のマスクパターンを用いて形成したＩｎＧ
ａＡｓＰバルク活性層のＰＬピーク波長を活性層の各位
置で測定した結果を示すグラフである。図１２は、本発
明の活性層組成の均一化を図る方法を説明するためのグ
ラフである。本発明の作用を説明するために、活性層の
素子長手方向の長さが３５０μｍ、入出力端における活
性層の光軸のずれ量３０μｍのＳ字形状をもつＩｎＧａ
ＡｓＰバルク活性層を選択成長により形成する場合を考
える。このような構造を選択成長で形成する際には図７
（ａ）のパターンが用いられてきた。図１０（ａ）のパ
ターンでは、マスク幅Ｗｍは３５μｍ、マスク開口幅Ｗ
ｏは０．７μｍである。このとき形成された活性層の各
部におけるＰＬピーク波長分布は図１１（ａ）の様にな
る。導波路角度の増加に伴いＰＬピーク波長は長波長化
し、導波路角度が最大の９．８°となる活性層中央部で
は、導波路角度が０°の場合と比較し、波長組成が約７
０ｎｍ長くなっている。このようにバンドギャップ組成
の不均一な活性層に電流注入した場合、信号光に対する
利得が低下するため動作電流の増大を招く。また、利得
の偏光依存性を生ずる。
図１２を用いて説明する。図１０は本発明の作用を説明
するための選択成長用誘電体マスクパターンである。図
１１は図１０のマスクパターンを用いて形成したＩｎＧ
ａＡｓＰバルク活性層のＰＬピーク波長を活性層の各位
置で測定した結果を示すグラフである。図１２は、本発
明の活性層組成の均一化を図る方法を説明するためのグ
ラフである。本発明の作用を説明するために、活性層の
素子長手方向の長さが３５０μｍ、入出力端における活
性層の光軸のずれ量３０μｍのＳ字形状をもつＩｎＧａ
ＡｓＰバルク活性層を選択成長により形成する場合を考
える。このような構造を選択成長で形成する際には図７
（ａ）のパターンが用いられてきた。図１０（ａ）のパ
ターンでは、マスク幅Ｗｍは３５μｍ、マスク開口幅Ｗ
ｏは０．７μｍである。このとき形成された活性層の各
部におけるＰＬピーク波長分布は図１１（ａ）の様にな
る。導波路角度の増加に伴いＰＬピーク波長は長波長化
し、導波路角度が最大の９．８°となる活性層中央部で
は、導波路角度が０°の場合と比較し、波長組成が約７
０ｎｍ長くなっている。このようにバンドギャップ組成
の不均一な活性層に電流注入した場合、信号光に対する
利得が低下するため動作電流の増大を招く。また、利得
の偏光依存性を生ずる。
【００２４】そこで、活性層の導波路角度の変化に応じ
てマスク幅及びマスク開口幅を変化させることにより、
導波路角度の変化に伴う波長組成の長波長化を補償する
ことを考える。
てマスク幅及びマスク開口幅を変化させることにより、
導波路角度の変化に伴う波長組成の長波長化を補償する
ことを考える。
【００２５】はじめにマスク幅による活性層組成の均一
化について説明する。図１２（ａ）のグラフは導波路角
度が０°、５°、１０°の場合におけるＩｎＧａＡｓＰ
バルク活性層のマスク幅ＷｍとＰＬピーク波長の関係を
示す。導波路角度０°の曲線は、従来の［０１１］方向
のストライプを持つ選択成長活性層の特性を示してい
る。前節において図９を用いて説明したように、同一マ
スク幅で比較した場合、導波路角度が大きくなるほどＰ
Ｌピーク波長が長波長化することが分かる。マスク幅Ｗ
ｍが３５μｍ、導波路角度０°におけるＰＬピーク波長
は約１４７０ｎｍである。導波路角度５°のストライプ
で０°と同じＰＬピーク波長を得るには、マスク幅Wmを
２７μｍとすればよいことが分かる。同様に導波路角度
が１０°ではマスク幅Wmが２７μｍにおいて同一のＰＬ
ピーク波長が得られる。本説明で使用している形状の活
性層における最大導波路角度は約９．８°である。した
がって導波路角度の増加に応じてマスク幅を３５μｍか
ら２７μｍまで、段階的もしくは連続的に変化させるこ
とにより、活性層組成の不均一を抑制することが可能で
ある。図９（ｂ）にマスク幅Wmを連続的に変化させるこ
とにより活性層組成の均一化を図る場合用いるマスクパ
ターンを示した。また、図１０（ｂ）のマスクパターン
を用いて形成した活性層の各部におけるＰＬピーク波長
の分布を図１１（ｂ）に示した。導波路角度の変化に応
じてマスク幅を連続的に変化させることにより、均一な
波長組成の活性層が実現できる。
化について説明する。図１２（ａ）のグラフは導波路角
度が０°、５°、１０°の場合におけるＩｎＧａＡｓＰ
バルク活性層のマスク幅ＷｍとＰＬピーク波長の関係を
示す。導波路角度０°の曲線は、従来の［０１１］方向
のストライプを持つ選択成長活性層の特性を示してい
る。前節において図９を用いて説明したように、同一マ
スク幅で比較した場合、導波路角度が大きくなるほどＰ
Ｌピーク波長が長波長化することが分かる。マスク幅Ｗ
ｍが３５μｍ、導波路角度０°におけるＰＬピーク波長
は約１４７０ｎｍである。導波路角度５°のストライプ
で０°と同じＰＬピーク波長を得るには、マスク幅Wmを
２７μｍとすればよいことが分かる。同様に導波路角度
が１０°ではマスク幅Wmが２７μｍにおいて同一のＰＬ
ピーク波長が得られる。本説明で使用している形状の活
性層における最大導波路角度は約９．８°である。した
がって導波路角度の増加に応じてマスク幅を３５μｍか
ら２７μｍまで、段階的もしくは連続的に変化させるこ
とにより、活性層組成の不均一を抑制することが可能で
ある。図９（ｂ）にマスク幅Wmを連続的に変化させるこ
とにより活性層組成の均一化を図る場合用いるマスクパ
ターンを示した。また、図１０（ｂ）のマスクパターン
を用いて形成した活性層の各部におけるＰＬピーク波長
の分布を図１１（ｂ）に示した。導波路角度の変化に応
じてマスク幅を連続的に変化させることにより、均一な
波長組成の活性層が実現できる。
【００２６】同様にマスク開口幅の制御による活性層組
成の均一化について説明する。図１２（ｂ）に導波路角
度が０°、５°、１０°におけるＩｎＧａＡｓＰバルク
活性層のマスク開口幅とＰＬピーク波長の関係を示す。
マスク開口幅Ｗｏが０．７μｍ、導波路角度０°におけ
るＰＬピーク波長は約１４７０ｎｍである。導波路角度
５°のストライプで０°と同じＰＬピーク波長を得るに
は、マスク幅開口幅Ｗｏを約１．１μｍとすればよいこ
とが分かる。同様に導波路角度が１０°ではマスク開口
幅Ｗｏが１．２３μｍにおいて同一のＰＬピーク波長が
得られる。従って、導波路角度の増加に応じて、マスク
開口幅を０．７μｍから１．２３μｍまで、段階的もし
くは連続的に変化させることにより、本作用の説明で使
用している構造の活性層の波長組成の均一化をはかるこ
とができる。図１０（ｃ）に、マスク開口幅Ｗｏを連続
的に変化させた場合の選択成長マスクの形状を示した。
また、図１１（ｃ）に、図１０（ｃ）のマスクパターン
を使用して形成した活性層の各部におけるＰＬピーク波
長の分布を示した。マスク幅を変化させた場合と同様、
マスク開口幅を変化させることにより、活性層の各部に
おける波長組成の均一化が図られる。
成の均一化について説明する。図１２（ｂ）に導波路角
度が０°、５°、１０°におけるＩｎＧａＡｓＰバルク
活性層のマスク開口幅とＰＬピーク波長の関係を示す。
マスク開口幅Ｗｏが０．７μｍ、導波路角度０°におけ
るＰＬピーク波長は約１４７０ｎｍである。導波路角度
５°のストライプで０°と同じＰＬピーク波長を得るに
は、マスク幅開口幅Ｗｏを約１．１μｍとすればよいこ
とが分かる。同様に導波路角度が１０°ではマスク開口
幅Ｗｏが１．２３μｍにおいて同一のＰＬピーク波長が
得られる。従って、導波路角度の増加に応じて、マスク
開口幅を０．７μｍから１．２３μｍまで、段階的もし
くは連続的に変化させることにより、本作用の説明で使
用している構造の活性層の波長組成の均一化をはかるこ
とができる。図１０（ｃ）に、マスク開口幅Ｗｏを連続
的に変化させた場合の選択成長マスクの形状を示した。
また、図１１（ｃ）に、図１０（ｃ）のマスクパターン
を使用して形成した活性層の各部におけるＰＬピーク波
長の分布を示した。マスク幅を変化させた場合と同様、
マスク開口幅を変化させることにより、活性層の各部に
おける波長組成の均一化が図られる。
【００２７】以上示した方法により、従来の［０１１］
方位の活性層と同等の品質の活性層を、任意のストライ
プ方向を有する活性層において実現できる。
方位の活性層と同等の品質の活性層を、任意のストライ
プ方向を有する活性層において実現できる。
【００２８】
（第一の実施例）第１の実施例である、スポットサイズ
変換導波路付き半導体光増幅器について説明する。図１
は本素子の活性層を選択成長で形成する際に用いる誘電
体マスクパターンの平面図である。図２は本素子の構造
を表す素子上面及び素子長手方向断面図である。図３は
本素子の他の構造例を模式的に示す活性層形状の平面図
である。従来例で述べたように、半導体光増幅器と光フ
ァイバをレンズ系を用いずに直接光結合するために、半
導体光増幅器にスポットサイズ変換構造を設ける試みが
なされている。しかし、従来例で述べた構造のスポット
サイズ変換部付き半導体光増幅器をファイバと直接光結
合しモジュール化した場合、消光比３０ｄＢ程度となっ
てしまうことがわかった。ゲート用途の半導体光増幅器
には高い消光比が要求される。これは、光スイッチにお
いて、クロストークによる受信感度劣化を１ｄＢ以下と
するには４０ｄＢ以上の消光比が必要とされ、これを下
回ると受信感度劣化は急激に増大するためである。半導
体光増幅器ゲート動作時において、ＯＮ時（電流注入
時）に光増幅する一方、ＯＦＦ時（電流非注入時）は高
い光吸収をするという動作原理によりスイッチングを行
なうため一般的に５０ｄＢ以上の高い消光比を有する。
しかし、スポットサイズ変換部付き半導体光増幅器とフ
ラット端光ファイバとの直接光結合では、入力側のスポ
ットサイズ変換部において半導体光増幅器の導波路光モ
ードに結合しない非導波光（迷光）が多くなる。半導体
光増幅器の信号ＯＦＦ時においては導波光は活性層で吸
収されるが、迷光はクラッド層或いは半導体基板を伝搬
したのち出力側ファイバに到達してしまうためＯＦＦ信
号時の光出力レベルを上昇させ、結果としてスイッチン
グ動作時の消光比が低下する。
変換導波路付き半導体光増幅器について説明する。図１
は本素子の活性層を選択成長で形成する際に用いる誘電
体マスクパターンの平面図である。図２は本素子の構造
を表す素子上面及び素子長手方向断面図である。図３は
本素子の他の構造例を模式的に示す活性層形状の平面図
である。従来例で述べたように、半導体光増幅器と光フ
ァイバをレンズ系を用いずに直接光結合するために、半
導体光増幅器にスポットサイズ変換構造を設ける試みが
なされている。しかし、従来例で述べた構造のスポット
サイズ変換部付き半導体光増幅器をファイバと直接光結
合しモジュール化した場合、消光比３０ｄＢ程度となっ
てしまうことがわかった。ゲート用途の半導体光増幅器
には高い消光比が要求される。これは、光スイッチにお
いて、クロストークによる受信感度劣化を１ｄＢ以下と
するには４０ｄＢ以上の消光比が必要とされ、これを下
回ると受信感度劣化は急激に増大するためである。半導
体光増幅器ゲート動作時において、ＯＮ時（電流注入
時）に光増幅する一方、ＯＦＦ時（電流非注入時）は高
い光吸収をするという動作原理によりスイッチングを行
なうため一般的に５０ｄＢ以上の高い消光比を有する。
しかし、スポットサイズ変換部付き半導体光増幅器とフ
ラット端光ファイバとの直接光結合では、入力側のスポ
ットサイズ変換部において半導体光増幅器の導波路光モ
ードに結合しない非導波光（迷光）が多くなる。半導体
光増幅器の信号ＯＦＦ時においては導波光は活性層で吸
収されるが、迷光はクラッド層或いは半導体基板を伝搬
したのち出力側ファイバに到達してしまうためＯＦＦ信
号時の光出力レベルを上昇させ、結果としてスイッチン
グ動作時の消光比が低下する。
【００２９】この問題を解決するための方法のひとつと
して、図２に示すように活性層を曲げることにより、入
出力光導波路の光軸にオフセット１０６を設け、迷光２
０３と出力信号光２０４を分離して出力側ファイバ２０
５において迷光２０３のみを除去することが考えられ
る。この場合、導波光は光導波路に沿って曲がって進む
が、迷光は基本的に直進するので切り分けられる。図２
は活性層がＳ字形状で入出力導波路の光軸が平行移動し
た例であるが、迷光除去の要点は入出力導波路の光軸が
重ならないような活性層形状であるので図３（ａ）から
（ｃ）に模式的に示した活性層形状も有効である。これ
らの構造により、ＳＳＣ部を付加した半導体光増幅器の
高消光比化が図られる。
して、図２に示すように活性層を曲げることにより、入
出力光導波路の光軸にオフセット１０６を設け、迷光２
０３と出力信号光２０４を分離して出力側ファイバ２０
５において迷光２０３のみを除去することが考えられ
る。この場合、導波光は光導波路に沿って曲がって進む
が、迷光は基本的に直進するので切り分けられる。図２
は活性層がＳ字形状で入出力導波路の光軸が平行移動し
た例であるが、迷光除去の要点は入出力導波路の光軸が
重ならないような活性層形状であるので図３（ａ）から
（ｃ）に模式的に示した活性層形状も有効である。これ
らの構造により、ＳＳＣ部を付加した半導体光増幅器の
高消光比化が図られる。
【００３０】この構造を、従来例で示したように、狭い
成長領域への選択成長により形成することを考える。マ
スク開口幅を０．７μｍ程度とすることで、偏光無依存
型のシングルモード動作可能な活性層が直接形成でき
る。また、このような狭い狭い成長領域への選択成長で
は、ＳｉＯ2 マスク上のIII 族原料種の気相拡散だけ
でなく、マイグレーション長が３μｍ程度であるIII
族原料種の表面マイグレーションの両効果により成長領
域への原料供給が行われ、この場合、マスク幅の変化に
対して大きな波長組成変化が得られるため、能動素子と
受動導波路の一括形成あるいは信号光波長に対して光吸
収の少ないＳＳＣ部の形成が可能となる。
成長領域への選択成長により形成することを考える。マ
スク開口幅を０．７μｍ程度とすることで、偏光無依存
型のシングルモード動作可能な活性層が直接形成でき
る。また、このような狭い狭い成長領域への選択成長で
は、ＳｉＯ2 マスク上のIII 族原料種の気相拡散だけ
でなく、マイグレーション長が３μｍ程度であるIII
族原料種の表面マイグレーションの両効果により成長領
域への原料供給が行われ、この場合、マスク幅の変化に
対して大きな波長組成変化が得られるため、能動素子と
受動導波路の一括形成あるいは信号光波長に対して光吸
収の少ないＳＳＣ部の形成が可能となる。
【００３１】しかし、Ｓ字形状の活性層構造を従来の一
様なマスク幅、マスク開口幅の選択成長で成長した場
合、作用の章で述べたとおり、活性層のストライプ方向
の角度により波長組成が変化し活性層の波長組成は７０
ｎｍの分布を持つ。このため従来例で示した［０１１］
方向に活性層をもつＳＳＣ付き半導体光増幅器と比較し
て動作電流が大きくなる。本実施例では、活性層を本発
明の選択成長マスクパターンを用いて形成し、半導体光
増幅器の動作電流の低減を図る。
様なマスク幅、マスク開口幅の選択成長で成長した場
合、作用の章で述べたとおり、活性層のストライプ方向
の角度により波長組成が変化し活性層の波長組成は７０
ｎｍの分布を持つ。このため従来例で示した［０１１］
方向に活性層をもつＳＳＣ付き半導体光増幅器と比較し
て動作電流が大きくなる。本実施例では、活性層を本発
明の選択成長マスクパターンを用いて形成し、半導体光
増幅器の動作電流の低減を図る。
【００３２】以下に、素子の具体的な作製方法について
説明する。はじめにｎ−ＩｎＰ基板２０８上に入出力導
波路のストライプ方向が［０１１］方位となるように図
１のＳｉＯ2 マスクを形成した。図１のパターンはＳ
字形状活性層部１０１、ＳＳＣ部１０２、および窓部１
０３からなる。Ｓ字形状活性層部１０１は長手方向の長
さが３５０μｍ、入出力導波路の光軸のオフセット３０
μｍのストライプ形状をもつ。Ｓ字形状活性層１０１の
マスク幅は導波路角度が０°の場所で３５μｍとし、導
波路角度の増加に従い連続的に狭くなる形状とした。導
波路角度が最大の約９．８°となる素子中央部における
マスク幅は２７μｍとした。ＳＳＣ部はストライプ方向
が［０１１］方向であり、素子の入出射端に向かい、マ
スクが３５μｍから４μｍまで徐々に狭くなる形状とし
た。マスク開口幅Ｗｏは素子各部にわたり０．７μｍで
一定とした。このパターンを用いて波長組成１．５μｍ
の無歪ＩｎＧａＡｓＰバルク層をＭＯＶＰＥ選択成長に
より形成した。厚さ３００ｎｍ幅４５０ｎｍの正方形に
近い断面で偏光無依存な増幅利得を有する活性層を形成
した。活性層はＳＳＣ部においては、素子の入出射端に
向かい層厚が３００ｎｍから５０ｎｍまで徐々に薄くな
る構造である。このテーパ状の層厚変化をもつ活性層構
造により、光導波路端での光スポットサイズが広げられ
る。光スポットサイズを広げたことにより、レンズ系を
用いない直接光結合方法でフラット端ファイバと良好な
光結合が得られた。形成した活性層の各部のＰＬピーク
波長を測定した結果、活性層全体でのＰＬピーク波長の
ばらつきは±５ｎｍであった。したがって、本発明によ
り波長組成の均一な活性層が形成された。
説明する。はじめにｎ−ＩｎＰ基板２０８上に入出力導
波路のストライプ方向が［０１１］方位となるように図
１のＳｉＯ2 マスクを形成した。図１のパターンはＳ
字形状活性層部１０１、ＳＳＣ部１０２、および窓部１
０３からなる。Ｓ字形状活性層部１０１は長手方向の長
さが３５０μｍ、入出力導波路の光軸のオフセット３０
μｍのストライプ形状をもつ。Ｓ字形状活性層１０１の
マスク幅は導波路角度が０°の場所で３５μｍとし、導
波路角度の増加に従い連続的に狭くなる形状とした。導
波路角度が最大の約９．８°となる素子中央部における
マスク幅は２７μｍとした。ＳＳＣ部はストライプ方向
が［０１１］方向であり、素子の入出射端に向かい、マ
スクが３５μｍから４μｍまで徐々に狭くなる形状とし
た。マスク開口幅Ｗｏは素子各部にわたり０．７μｍで
一定とした。このパターンを用いて波長組成１．５μｍ
の無歪ＩｎＧａＡｓＰバルク層をＭＯＶＰＥ選択成長に
より形成した。厚さ３００ｎｍ幅４５０ｎｍの正方形に
近い断面で偏光無依存な増幅利得を有する活性層を形成
した。活性層はＳＳＣ部においては、素子の入出射端に
向かい層厚が３００ｎｍから５０ｎｍまで徐々に薄くな
る構造である。このテーパ状の層厚変化をもつ活性層構
造により、光導波路端での光スポットサイズが広げられ
る。光スポットサイズを広げたことにより、レンズ系を
用いない直接光結合方法でフラット端ファイバと良好な
光結合が得られた。形成した活性層の各部のＰＬピーク
波長を測定した結果、活性層全体でのＰＬピーク波長の
ばらつきは±５ｎｍであった。したがって、本発明によ
り波長組成の均一な活性層が形成された。
【００３３】選択ＭＯＶＰＥにより活性層２０６を一括
形成した後、活性層部以外のＩｎＧａＡｓＰ成長層をエ
ッチングにより除去した。その後埋め込み選択成長のた
めのＳｉＯ2 膜（膜厚８０ｎｍ）を全面に再形成し、
埋め込み選択成長用パターンを形成し、ドーピング濃度
７．０×１０17／ｃｍ3 のｐ−ＩｎＰクラッド層２０
９（層厚６μｍ）およびドーピング濃度１０×１０19／
ｃ3 のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１０（層厚４
０ｎｍ）を選択ＭＯＶＰＥにより形成した。埋め込み成
長の後、再びＳｉＯ2 膜を全面に形成し、Ｔｉ−Ａｕ
電極のコンタクト窓形成用ＳｉＯ２マスク２１１をパタ
ーニングした。その後、Ｔｉ−Ａｕスパッタ膜を全面に
スパッタしたのち、Ｔｉ−Ａｕ電極２１２のパターンニ
ングを行った。つぎに、ＩｎＰ基板裏面の研磨と裏面電
極形成、劈開による素子端面の形成を行った。最後に劈
開後の素子端面にＳｉＯN 膜により無反射被覆（ＡＲ
コート）２０７を形成した。このＡＲコート２０７と実
効的に反射率を下げるための窓部１０３により端面反射
率は０．１％程度に抑えられた。以上で、素子の作製を
完了した。
形成した後、活性層部以外のＩｎＧａＡｓＰ成長層をエ
ッチングにより除去した。その後埋め込み選択成長のた
めのＳｉＯ2 膜（膜厚８０ｎｍ）を全面に再形成し、
埋め込み選択成長用パターンを形成し、ドーピング濃度
７．０×１０17／ｃｍ3 のｐ−ＩｎＰクラッド層２０
９（層厚６μｍ）およびドーピング濃度１０×１０19／
ｃ3 のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１０（層厚４
０ｎｍ）を選択ＭＯＶＰＥにより形成した。埋め込み成
長の後、再びＳｉＯ2 膜を全面に形成し、Ｔｉ−Ａｕ
電極のコンタクト窓形成用ＳｉＯ２マスク２１１をパタ
ーニングした。その後、Ｔｉ−Ａｕスパッタ膜を全面に
スパッタしたのち、Ｔｉ−Ａｕ電極２１２のパターンニ
ングを行った。つぎに、ＩｎＰ基板裏面の研磨と裏面電
極形成、劈開による素子端面の形成を行った。最後に劈
開後の素子端面にＳｉＯN 膜により無反射被覆（ＡＲ
コート）２０７を形成した。このＡＲコート２０７と実
効的に反射率を下げるための窓部１０３により端面反射
率は０．１％程度に抑えられた。以上で、素子の作製を
完了した。
【００３４】はじめに、作製した素子とフラット端ファ
イバとの光結合損失を測定した。フラット端ファイバを
近づけた後、外部からファイバを通して光挿入し半導体
光増幅器に流れるフォトカレントを測定した。これより
ファイバと本半導体光増幅器間の光結合損失は片側３ｄ
Ｂと見積もられた。次に本素子の利得特性を測定した。
半導体光増幅器に２０ｍＡを電流注入し、λ＝１．５５
μｍ、強度０ｄＢｍの信号光をファイバを通して入力を
したところ、挿入損失無し（ファイバ間利得０ｄＢ）で
出力側ファイバから信号光が出力された。電流注入無し
にした場合（ＯＦＦの場合）、出力側ファイバからの出
力は−５０ｄＢｍ以下であった。
イバとの光結合損失を測定した。フラット端ファイバを
近づけた後、外部からファイバを通して光挿入し半導体
光増幅器に流れるフォトカレントを測定した。これより
ファイバと本半導体光増幅器間の光結合損失は片側３ｄ
Ｂと見積もられた。次に本素子の利得特性を測定した。
半導体光増幅器に２０ｍＡを電流注入し、λ＝１．５５
μｍ、強度０ｄＢｍの信号光をファイバを通して入力を
したところ、挿入損失無し（ファイバ間利得０ｄＢ）で
出力側ファイバから信号光が出力された。電流注入無し
にした場合（ＯＦＦの場合）、出力側ファイバからの出
力は−５０ｄＢｍ以下であった。
【００３５】活性層形成時のＳｉＯ2 マスク幅を活性
層各部で一定として作製した従来の素子についても同様
に利得特性の測定を行ったところ、ファイバ間利得０ｄ
Ｂとなる注入電流は３０ｍＡであった。したがって、本
実施例の素子作製方法により曲線形状の活性層を有する
半導体光増幅器の動作電流を１０ｍＡ低減することがで
きた。
層各部で一定として作製した従来の素子についても同様
に利得特性の測定を行ったところ、ファイバ間利得０ｄ
Ｂとなる注入電流は３０ｍＡであった。したがって、本
実施例の素子作製方法により曲線形状の活性層を有する
半導体光増幅器の動作電流を１０ｍＡ低減することがで
きた。
【００３６】（第２の実施例）第２の実施例である１×
４半導体光増幅器ゲート型モノリシックマトリクス光ス
イッチについて説明する。図４は本素子の構成を示した
平面図である。図５は本素子の活性層および受動分岐光
導波路のコア層を選択成長により形成する際に使用する
誘電体マスクパターンの平面図である。本素子は従来例
の図１２に示したマトリクス光スイッチと同様、４つの
半導体光増幅器４０１とこれらを結ぶＹ分岐型の受動分
岐光導波路４０２により１入力４出力の分岐／半導体光
増幅器ゲート型マトリクス光スイッチを形成している。
ただし、本素子では半導体光増幅器４０１を曲線光導波
路の一部に形成する。半導体光増幅器４０１の曲線に沿
った長さは５００μｍである。このとき、半導体光増幅
器４０１内での導波路角度は６．４°を中心に３．５°
から９．３°まで変化している。受動分岐光導波路４０
２は曲率半径５mmの円弧形状により形成されている。出
力側ポートの隣接した導波路の間隔は２５０μｍであ
る。
４半導体光増幅器ゲート型モノリシックマトリクス光ス
イッチについて説明する。図４は本素子の構成を示した
平面図である。図５は本素子の活性層および受動分岐光
導波路のコア層を選択成長により形成する際に使用する
誘電体マスクパターンの平面図である。本素子は従来例
の図１２に示したマトリクス光スイッチと同様、４つの
半導体光増幅器４０１とこれらを結ぶＹ分岐型の受動分
岐光導波路４０２により１入力４出力の分岐／半導体光
増幅器ゲート型マトリクス光スイッチを形成している。
ただし、本素子では半導体光増幅器４０１を曲線光導波
路の一部に形成する。半導体光増幅器４０１の曲線に沿
った長さは５００μｍである。このとき、半導体光増幅
器４０１内での導波路角度は６．４°を中心に３．５°
から９．３°まで変化している。受動分岐光導波路４０
２は曲率半径５mmの円弧形状により形成されている。出
力側ポートの隣接した導波路の間隔は２５０μｍであ
る。
【００３７】この半導体光増幅器部を従来の選択成長に
より作製した場合、曲線導波路上に形成された活性層は
５０ｎｍの波長組成分布を有する。しかし本実施例で
は、本発明の素子作製法により、従来例で示したような
［０１１］方向に活性層ストライプを有する半導体光増
幅器と同等の特性を得ることが可能である。本発明によ
り、選択成長による素子作製時においても活性層部を、
その素子特性を犠牲にすることなく任意の形状で作製す
ることが可能となった。これにより能動素子と受動導波
路を集積した光集積素子においては、曲線部に利得領域
を形成することができ、素子サイズの小型化が図られ
る。
より作製した場合、曲線導波路上に形成された活性層は
５０ｎｍの波長組成分布を有する。しかし本実施例で
は、本発明の素子作製法により、従来例で示したような
［０１１］方向に活性層ストライプを有する半導体光増
幅器と同等の特性を得ることが可能である。本発明によ
り、選択成長による素子作製時においても活性層部を、
その素子特性を犠牲にすることなく任意の形状で作製す
ることが可能となった。これにより能動素子と受動導波
路を集積した光集積素子においては、曲線部に利得領域
を形成することができ、素子サイズの小型化が図られ
る。
【００３８】本素子の素子構造及び作製方法は実施例１
のＳＳＣ付き半導体光増幅器と埋め込み成長工程以外の
工程は同一であるため、簡単に述べるにとどめる。はじ
めにｎ−ＩｎＰ基板２０８上に入出力導波路のストライ
プ方向が［０１１］方位となるように図５のＳｉＯ2
マスクを形成した。半導体光増幅器部ＳｉＯ2 マスク
５０１はマスク幅を３５μｍから３０μｍまで、導波路
角度の増加に応じて減少させることにより、組成分布の
均一化を図った。。半導体光増幅器部のマスク開口幅Wo
は素子各部にわたり０．７μｍで一定とした。受動分岐
光導波路部ＳｉＯ2 マスク５０２のマスク幅は６μ
ｍ、マスク開口幅は１０μｍで一定であり、半導体光増
幅器部ＳｉＯ2 マスク４０１と受動分岐光導波路部Ｓ
ｉＯ2 マスク５０２の間は長さ５０μｍにわたって次
第にマスク開口幅を変化させることによりなめらかに続
く構造としている。
のＳＳＣ付き半導体光増幅器と埋め込み成長工程以外の
工程は同一であるため、簡単に述べるにとどめる。はじ
めにｎ−ＩｎＰ基板２０８上に入出力導波路のストライ
プ方向が［０１１］方位となるように図５のＳｉＯ2
マスクを形成した。半導体光増幅器部ＳｉＯ2 マスク
５０１はマスク幅を３５μｍから３０μｍまで、導波路
角度の増加に応じて減少させることにより、組成分布の
均一化を図った。。半導体光増幅器部のマスク開口幅Wo
は素子各部にわたり０．７μｍで一定とした。受動分岐
光導波路部ＳｉＯ2 マスク５０２のマスク幅は６μ
ｍ、マスク開口幅は１０μｍで一定であり、半導体光増
幅器部ＳｉＯ2 マスク４０１と受動分岐光導波路部Ｓ
ｉＯ2 マスク５０２の間は長さ５０μｍにわたって次
第にマスク開口幅を変化させることによりなめらかに続
く構造としている。
【００３９】このパターンを用いて波長組成１．５μｍ
の無歪ＩｎＧａＡｓＰバルク層をＭＯＶＰＥ選択成長に
より形成する。活性層の断面形状は厚さ３００ｎｍ幅４
５０ｎｍの正方形に近い断面で偏光無依存な増幅利得を
有する。半導体光増幅器部及び受動光導波路部における
結晶のバンドギャップ波長はそれぞれ１．５５μｍ、
１．４０μｍとなり、受動導波路部は波長１．５５μｍ
の信号光に対して吸収を持たない透明な組成となるため
受動導波路として機能する。選択ＭＯＶＰＥにより活性
層２０６を一括形成した後、はじめに受動分岐光導波路
部４０２を２μｍ厚のアンドープＩｎＰ層で埋め込ん
だ。その後半導体光増幅器に、ドーピング濃度度７．０
×１０17／ｃｍ3 のｐ−ＩｎＰクラッド層２０９（層
厚２μｍ）およびドーピング濃度１０×１０19／ｃｍ3
のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１０（層厚４０ｎ
ｍ）を選択ＭＯＶＰＥにより形成した。埋め込み成長の
後、Ｔｉ−Ａｕ電極パターンニング工程、裏面電極形成
工程、劈開による素子端面形成工程、無反射被覆（ＡＲ
コート）形成工程を経て、素子の作製を完了する。なお
実施例１及び本実施例においてｎ−ＩｎＰ基板の面方位
については触れなかったが、（１００）基板あるいは
（１００）面から１０度以内の傾斜を持つ基板を使用す
ることにより良好な素子が作製できる。
の無歪ＩｎＧａＡｓＰバルク層をＭＯＶＰＥ選択成長に
より形成する。活性層の断面形状は厚さ３００ｎｍ幅４
５０ｎｍの正方形に近い断面で偏光無依存な増幅利得を
有する。半導体光増幅器部及び受動光導波路部における
結晶のバンドギャップ波長はそれぞれ１．５５μｍ、
１．４０μｍとなり、受動導波路部は波長１．５５μｍ
の信号光に対して吸収を持たない透明な組成となるため
受動導波路として機能する。選択ＭＯＶＰＥにより活性
層２０６を一括形成した後、はじめに受動分岐光導波路
部４０２を２μｍ厚のアンドープＩｎＰ層で埋め込ん
だ。その後半導体光増幅器に、ドーピング濃度度７．０
×１０17／ｃｍ3 のｐ−ＩｎＰクラッド層２０９（層
厚２μｍ）およびドーピング濃度１０×１０19／ｃｍ3
のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１０（層厚４０ｎ
ｍ）を選択ＭＯＶＰＥにより形成した。埋め込み成長の
後、Ｔｉ−Ａｕ電極パターンニング工程、裏面電極形成
工程、劈開による素子端面形成工程、無反射被覆（ＡＲ
コート）形成工程を経て、素子の作製を完了する。なお
実施例１及び本実施例においてｎ−ＩｎＰ基板の面方位
については触れなかったが、（１００）基板あるいは
（１００）面から１０度以内の傾斜を持つ基板を使用す
ることにより良好な素子が作製できる。
【００４０】本素子は本発明の素子作製法により半導体
光増幅器部を、その素子特性を犠牲にすることなく曲線
光導波路部に形成することが可能である。これにより従
来例で示したマトリクス光スイッチと比較して、素子長
を７００μｍ短縮することができる。
光増幅器部を、その素子特性を犠牲にすることなく曲線
光導波路部に形成することが可能である。これにより従
来例で示したマトリクス光スイッチと比較して、素子長
を７００μｍ短縮することができる。
【００４１】なお、本実施例ではマスク幅を変化させる
ことにより半導体光増幅器４０１の波長組成の均一化を
図ったが、作用の章で述べたようにマスク開口幅により
組成の均一化を図ることも可能である。この場合、導波
路角度の増加に応じて、マスク開口幅を０．６μｍから
０．８μｍまで変化させることにより均一な組成を有す
る活性層を得ることができる。
ことにより半導体光増幅器４０１の波長組成の均一化を
図ったが、作用の章で述べたようにマスク開口幅により
組成の均一化を図ることも可能である。この場合、導波
路角度の増加に応じて、マスク開口幅を０．６μｍから
０．８μｍまで変化させることにより均一な組成を有す
る活性層を得ることができる。
【００４２】本実施例によるマトリクス光スイッチは従
来構造と比較し素子の小型化が図られるため、マトリク
ス規模の拡大が容易であり、４×４、１×８、８×８等
のモノリシック集積型マトリクス光スイッチを実現する
ために有効である。
来構造と比較し素子の小型化が図られるため、マトリク
ス規模の拡大が容易であり、４×４、１×８、８×８等
のモノリシック集積型マトリクス光スイッチを実現する
ために有効である。
【００４３】（第３の実施例）図６はサブマウント６０
３上に半導体光素子６０２として実施例１のスポットサ
イズ変換部付き半導体光増幅器をを固定し、その光軸上
の両素子端端において光ファイバ６０１を光結合させ、
さらに駆動回路６０４を内蔵した光通信用中継モジュー
ル６０５である。本モジュールを用いれば、毎秒１０ギ
ガビット程度の高速光信号の光経路切り替えにおいて、
低消費電力、高ＯＮ／ＯＦＦ比の光スイッッチングが可
能となる。
３上に半導体光素子６０２として実施例１のスポットサ
イズ変換部付き半導体光増幅器をを固定し、その光軸上
の両素子端端において光ファイバ６０１を光結合させ、
さらに駆動回路６０４を内蔵した光通信用中継モジュー
ル６０５である。本モジュールを用いれば、毎秒１０ギ
ガビット程度の高速光信号の光経路切り替えにおいて、
低消費電力、高ＯＮ／ＯＦＦ比の光スイッッチングが可
能となる。
【００４４】（第４の実施例）図７はサブマウント６０
３上に実施例２の１×４半導体光増幅器ゲート型モノリ
シックマトリクス光スイッチと、その入出力光導波路の
光軸上に光ファイバ６０１をレンズ７０１を介して光結
合させ、さらに駆動回路６０４を内蔵した光通信用中継
モジュール６０５である。本モジュールを用いれば、毎
秒１０ギガビット程度の高速光信号の光経路切り替えに
おいて、小型、低消費電力、高ＯＮ／ＯＦＦ比の光スイ
ッッチング特性が容易に得られる。
３上に実施例２の１×４半導体光増幅器ゲート型モノリ
シックマトリクス光スイッチと、その入出力光導波路の
光軸上に光ファイバ６０１をレンズ７０１を介して光結
合させ、さらに駆動回路６０４を内蔵した光通信用中継
モジュール６０５である。本モジュールを用いれば、毎
秒１０ギガビット程度の高速光信号の光経路切り替えに
おいて、小型、低消費電力、高ＯＮ／ＯＦＦ比の光スイ
ッッチング特性が容易に得られる。
【００４５】（第５の実施例）図８は実施例４の光通信
用中堅モジュール６０５を用いたクロスコネクト系光通
信システムである。送信装置８０１は送信モジュール８
０３とこのモジュール８０３を駆動するための鼓動系８
０２とを有する。送信モジュール８０３からの光信号
は、光通信用中継モジュール６０５により光経路を選択
されたのち伝送され、受光部８０６を有する受信装置８
０７により受信される。本実施例に係る光通信システム
によれば、低消費電力、低クロストークでスケーラビリ
ティに優れた光クロスコネクトシステムを容易に構築で
きる。
用中堅モジュール６０５を用いたクロスコネクト系光通
信システムである。送信装置８０１は送信モジュール８
０３とこのモジュール８０３を駆動するための鼓動系８
０２とを有する。送信モジュール８０３からの光信号
は、光通信用中継モジュール６０５により光経路を選択
されたのち伝送され、受光部８０６を有する受信装置８
０７により受信される。本実施例に係る光通信システム
によれば、低消費電力、低クロストークでスケーラビリ
ティに優れた光クロスコネクトシステムを容易に構築で
きる。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、曲
線等の任意のストライプ形状を有し、少なくとも部分的
には光増幅媒体である半導体光導波路を選択ＭＯＶＰＥ
により形成する際に、半導体光導波路の結晶組成を導波
路のストライプ方向によらずに導波路各部で一定にする
ことができる。この素子作製技術により、選択成長を用
いた半導体光素子の可能性が著しく広げられる。
線等の任意のストライプ形状を有し、少なくとも部分的
には光増幅媒体である半導体光導波路を選択ＭＯＶＰＥ
により形成する際に、半導体光導波路の結晶組成を導波
路のストライプ方向によらずに導波路各部で一定にする
ことができる。この素子作製技術により、選択成長を用
いた半導体光素子の可能性が著しく広げられる。
【００４７】尚、本発明は上記の実施例に限定されるも
のではない。実施例としては、ＩｎＰ系の半導体光増幅
器、および半導体モノリシック集積型マトリクス光スイ
ッチの例のみを示したが、この実施例に限る必要はな
い。他の例としては、互いに異なるストライプ方向に形
成された複数の半導体レーザの発振波長の均一化を図る
ことができる。或いは、Ｙ分岐型の活性層を有する空間
スイッチングや波長チューニング可能な半導体レーザ等
を素子特性を犠牲にすることなく選択成長により形成可
能である。さらに、光変調器や方向性結合器、導波路ア
レイ回折格子型合分波器などが集積された素子など、選
択成長により形成され、利得領域を含むあらゆる半導体
光素子に対して、本発明は適用可能である。さらに本発
明は光素子単体だけに留まらず、本発明の光素子を構成
要素に持つ図１４から図１６に示すような光通信モジュ
ールや光通信システムの性能を著しく向上させることが
可能であり、光通信モジュールや光通信システムのスケ
ーラビリティ向上に極めて有効である。
のではない。実施例としては、ＩｎＰ系の半導体光増幅
器、および半導体モノリシック集積型マトリクス光スイ
ッチの例のみを示したが、この実施例に限る必要はな
い。他の例としては、互いに異なるストライプ方向に形
成された複数の半導体レーザの発振波長の均一化を図る
ことができる。或いは、Ｙ分岐型の活性層を有する空間
スイッチングや波長チューニング可能な半導体レーザ等
を素子特性を犠牲にすることなく選択成長により形成可
能である。さらに、光変調器や方向性結合器、導波路ア
レイ回折格子型合分波器などが集積された素子など、選
択成長により形成され、利得領域を含むあらゆる半導体
光素子に対して、本発明は適用可能である。さらに本発
明は光素子単体だけに留まらず、本発明の光素子を構成
要素に持つ図１４から図１６に示すような光通信モジュ
ールや光通信システムの性能を著しく向上させることが
可能であり、光通信モジュールや光通信システムのスケ
ーラビリティ向上に極めて有効である。
【図１】本発明の第一実施例である半導体光増幅器の作
製に使用する誘電体マスクパターンを示す平面図であ
る。
製に使用する誘電体マスクパターンを示す平面図であ
る。
【図２】本発明の第一の実施例である半導体光増幅器の
構造を示す平面図および断面図である。
構造を示す平面図および断面図である。
【図３】本発明の第一の実施例である半導体光増幅器の
他の構造例を示す平面図である。
他の構造例を示す平面図である。
【図４】本発明により製造される半導体光増幅器の第二
の実施例である、Ｙ分岐／半導体光増幅器ゲート型１×
４モノリシックマトリクス光スイッチの構造を示す平面
図および断面図である。
の実施例である、Ｙ分岐／半導体光増幅器ゲート型１×
４モノリシックマトリクス光スイッチの構造を示す平面
図および断面図である。
【図５】本発明の第二の実施例であるY分岐／半導体光
増幅器ゲート型１×４モノリシックマトリクス光スイッ
チを製作する際に用いられる選択成長マスクの形状を示
す平面図である。
増幅器ゲート型１×４モノリシックマトリクス光スイッ
チを製作する際に用いられる選択成長マスクの形状を示
す平面図である。
【図６】本発明の第３の実施例である光中継モジュール
の構成を説明するための図である。
の構成を説明するための図である。
【図７】本発明の第４の実施例である中継モジュールの
構成を説明するための図である。
構成を説明するための図である。
【図８】本発明の第５の実施例である光通信システムの
構成を説明するための図である。
構成を説明するための図である。
【図９】本発明の半導体光素子の作製方法の原理を説明
するための図である。
するための図である。
【図１０】本発明の半導体光素子の作製方法の原理を説
明するための誘電体マスクパターン形状の平面図であ
る。
明するための誘電体マスクパターン形状の平面図であ
る。
【図１１】本発明の半導体光素子の作製方法の原理を説
明するための図である。
明するための図である。
【図１２】本発明の半導体光素子の作製方法の原理を説
明するための図である。
明するための図である。
【図１３】選択成長技術を用いて作製した半導体光素子
の従来例であるスポットサイズ変換部付き半導体光増幅
器の構造を示す断面斜視図である。
の従来例であるスポットサイズ変換部付き半導体光増幅
器の構造を示す断面斜視図である。
【図１４】選択成長技術を用いて作製した半導体光素子
の従来例であるスポットサイズ変換部付き半導体光増幅
器の作製に用いられる誘電体マスクパターンの形状を示
す平面図である。
の従来例であるスポットサイズ変換部付き半導体光増幅
器の作製に用いられる誘電体マスクパターンの形状を示
す平面図である。
【図１５】選択成長技術を用いて作製した半導体光素子
の従来例であるY分岐／半導体光増幅器ゲート型１×４
モノリシックマトリクス光スイッチの構成を示す平面図
である。
の従来例であるY分岐／半導体光増幅器ゲート型１×４
モノリシックマトリクス光スイッチの構成を示す平面図
である。
１０１ Ｓ字形状活性層部 １０２ ＳＳＣ部 １０３ 窓部 １０４ ＳｉＯ2 マスク １０５ 成長領域 １０６ オフセット ２０１ 入力側ファイバ ２０２ 入力信号光 ２０３ 迷光 ２０４ 出力信号光 ２０５ 出力側ファイバ ２０６ 活性層 ２０７ ＡＲコート ２０８ ＩｎＰ基板 ２０９ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２１０ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ２１１ 電極窓形成用ＳｉＯ2 マスク ２１２ Ｔｉ／Ａｕ電極 ３０１ 活性層部 ４０１ 半導体光増幅器 ４０２ 受動分岐光導波路 ５０１ 半導体光増幅器部ＳｉＯ2 マスク ５０２ 受動分岐光導波路部ＳｉＯ2 マスク ６０１ 光ファイバ ６０２ 半導体光素子 ６０３ サブマウント ６０４ 駆動回路 ６０５ 光通信用中継モジュール ７０１ レンズ ８０１ 送信装置 ８０２ 送信モジュール駆動系 ８０３ 光通信用送信モジュール ８０４ 中継装置 ８０５ 中継モジュール駆動系 ８０６ 受光部 ８０７ 受信装置
Claims (10)
- 【請求項１】少なくとも部分的には光増幅媒体となる光
導波路を有し、該光導波路が閃亜鉛鉱型結晶構造を有す
る半導体基板の（１００）面上あるいは（１００）面か
ら１０度以内の傾斜を持つ基板面上に形成され、該光導
波路のストライプ方向が前記基板面上の面内において少
なくとも部分的には［０１１］結晶方位に対して角度を
有するような半導体光素子において、前記光導波路が前
記半導体基板上に形成された少なくとも１対のストライ
プ状誘電体薄膜に挟まれた成長領域に有機金属気相化学
成長法により選択的に結晶成長する工程により形成され
る半導体光素子の製造方法であって、前記ストライプ状
誘電体薄膜の幅あるい前記成長領域の幅を、前記光導波
路のストライプ方向と［０１１］結晶方位とのなす角に
応じて前記光導波路の各部において変化させることを特
徴とする半導体光素子の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体光素子の製造方法
であって、前記ストライプ状誘電体薄膜の幅が、前記光
導波路のストライプ方向と［０１１］結晶方位とのなす
角の増加に応じて狭くなることを特徴とする半導体光素
子の製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の半導体光素子の製造方法
であって、前記成長領域の幅が、前記光導波路のストラ
イプ方向と［０１１］結晶方位とのなす角の増加に応じ
て広くなることを特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 【請求項４】請求項１から３に記載の半導体光素子の製
造方法であって、前記成長領域の幅が２μｍ以下である
ことを特徴とする半導体光素子の作製方法。 - 【請求項５】請求項１から４に記載の半導体光素子の製
造方法であって、前記ストライプ状誘電体薄膜に挟まれ
た成長領域に選択的に形成される成長層がバルクである
ことを特徴とする半導体光素子の作製方法。 - 【請求項６】請求項１から５に記載の半導体光素子の製
造方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導
体基板がＩｎＰ基板であって、結晶を構成するIII 族
原料がＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかあるいはその組み合
わせであって、Ｖ族原料がＡｓ、Ｐ、Ｎのいずれかある
いはその組み合わせであることを特徴とする半導体光素
子の作製方法。 - 【請求項７】複数の半導体光増幅器及び、曲線、分岐形
状を有し、信号光を導波するための半導体分岐光導波路
を同一基板面内に少なくとも有する半導体光集積素子に
おいて、前記半導体光増幅器のストライプ方向が活性層
の光導波方向の各部で異なる曲線形状であり、前記半導
体分岐光導波路の曲線部の一部として形成されているこ
とを特徴とする半導体光集積素子。 - 【請求項８】請求項１から６に記載の素子作製方法によ
り作製された半導体光素子と、該半導体光素子からの出
力光を外部に導波するための導波手段と、この導波手段
に前記半導体光素子からの出力光を集光するための集光
手段と、上記半導体光集積素子を駆動するための駆動手
段とを有する光通信用モジュール。 - 【請求項９】請求項１から６に記載の素子作製方法によ
り作製された半導体光素子或いは請求項７に記載の半導
体光集積素子と、該半導体光素子に入力光を導波させる
ための導波手段と、この導波手段から前記半導体光素子
へ入力光を集光するための集光手段と、前記半導体光素
子からの出力光を外部に導波するための導波手段と、こ
の導波手段に上記半導体光素子からの出力光を集光する
ための集光手段と、上記半導体光集積素子を駆動するた
めの駆動手段とを有する光通信用モジュール。 - 【請求項１０】請求項１から６に記載の素子作製方法に
より作製された半導体光素子或いは請求項７に記載の半
導体光集積素子を有する通信手段と、この通信手段から
の出力光を受信するための受信手段とを有する光通信シ
ステム。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP26422497A JP2965011B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26422497A JP2965011B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体光素子及びその製造方法 |
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|---|---|
| JPH11103126A JPH11103126A (ja) | 1999-04-13 |
| JP2965011B2 true JP2965011B2 (ja) | 1999-10-18 |
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| JP26422497A Expired - Fee Related JP2965011B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 半導体光素子及びその製造方法 |
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-
1997
- 1997-09-29 JP JP26422497A patent/JP2965011B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11103126A (ja) | 1999-04-13 |
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