JP2884357B2 - 誘電体へテロ超低抵抗膜 - Google Patents
誘電体へテロ超低抵抗膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は有極性と無極性の誘電体膜とくにラングミュ
ア・プロジェット（LB）膜のＺ形膜或いはＡ形膜（有極
性膜）とＹ形膜（無極性膜）とを重ねて作製したLBヘテ
ロ膜を金属膜で挟み、膜面方向の抵抗が金属より極めて
低くなる様な超低抵抗膜に関係する。
ア・プロジェット（LB）膜のＺ形膜或いはＡ形膜（有極
性膜）とＹ形膜（無極性膜）とを重ねて作製したLBヘテ
ロ膜を金属膜で挟み、膜面方向の抵抗が金属より極めて
低くなる様な超低抵抗膜に関係する。
従来の技術 一般に誘電体は絶縁体でもある。本発明の様に誘電体
が室温あるいはそれ以上の温度において金属より遥かに
低い超低抵抗値を示す材料は今まで皆無である。しかし
本発明で作製された様に有極性と無極性のヘテロ膜によ
って電子ガスの充満する数十Åの厚さのポテンシャル井
戸の面が出来れば、十分に二次元低抵抗面の発生するこ
とが考えられる。
が室温あるいはそれ以上の温度において金属より遥かに
低い超低抵抗値を示す材料は今まで皆無である。しかし
本発明で作製された様に有極性と無極性のヘテロ膜によ
って電子ガスの充満する数十Åの厚さのポテンシャル井
戸の面が出来れば、十分に二次元低抵抗面の発生するこ
とが考えられる。
発明が解決しようとする問題点 電子ガスの充満したポテンシャル井戸による数十Åの
厚さの二次元導電面を構築することと、これを誘電体膜
で挟む構造を作製することが必要である。この様な構造
は［誘電体／金属の超薄膜／誘電体］の形と同様で、金
属面内で超伝導の発生することも期待されて来た。
厚さの二次元導電面を構築することと、これを誘電体膜
で挟む構造を作製することが必要である。この様な構造
は［誘電体／金属の超薄膜／誘電体］の形と同様で、金
属面内で超伝導の発生することも期待されて来た。
問題点を解決するための手段 有極性の膜として利用出来るものにＺ形又はＡ形のLB
膜がある。これは電圧を印加しなくても強誘電体の飽和
分極程の大きな分極を持っている。又広い面積にわたっ
て均一なポテンシャル井戸を形成させるために、膜を累
積する面を平滑にすることが必要であり、これにはシリ
コン・ウエーハの酸化膜（SiO2膜）面が使用出来る。
膜がある。これは電圧を印加しなくても強誘電体の飽和
分極程の大きな分極を持っている。又広い面積にわたっ
て均一なポテンシャル井戸を形成させるために、膜を累
積する面を平滑にすることが必要であり、これにはシリ
コン・ウエーハの酸化膜（SiO2膜）面が使用出来る。
（実施例） 次に本発明の誘電体ヘテロ超低抵抗膜の実施例につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
実施例１ この実施例においては第１図、第２図に示す様に、先
ず表面に酸化シリコン（SiO2）の絶縁膜（２）（厚さ:5
000Å程度）を持つシリコン・ウエーハ（１）の上にア
ルミニウムの薄い蒸着膜（３）を形成する。該蒸着膜
（３）は厚さ数百Åであり幅は10mmであって、その膜上
30mm離れた両端から測った抵抗はほぼ600Ωである。次
いで該蒸着膜（３）の上にLB法によって４〜６単分子層
アラキン酸のLB膜（４−ａ）とやはり同数の単分子層よ
りなる２−ペンタデシル−7,7′,8,8′−テトラシラノ
キノジメタン（C15・TCNQ）のLB膜（４−ｂ）重ねてLB
ヘテロ膜（４）を被着させる。更に該LBヘテロ膜（４）
の上に金蒸着薄膜（５）を被着させることによって該LB
ヘテロ膜（４）の垂直方向に対して［Al/LBヘテロ膜/A
u］の構造を有する本発明の誘電体ヘテロ超低抵抗膜が
形成される。そして最後に測定端子として９個の金の電
極（６）が該金蒸着薄膜（５）の上に蒸着される。ここ
でアラキン酸LB膜はＹ形で殆ど分極の無い無極性の膜
で、C15・TCNQのLB膜はＺ形で大きい分極を持つ有極性
の膜である。
ず表面に酸化シリコン（SiO2）の絶縁膜（２）（厚さ:5
000Å程度）を持つシリコン・ウエーハ（１）の上にア
ルミニウムの薄い蒸着膜（３）を形成する。該蒸着膜
（３）は厚さ数百Åであり幅は10mmであって、その膜上
30mm離れた両端から測った抵抗はほぼ600Ωである。次
いで該蒸着膜（３）の上にLB法によって４〜６単分子層
アラキン酸のLB膜（４−ａ）とやはり同数の単分子層よ
りなる２−ペンタデシル−7,7′,8,8′−テトラシラノ
キノジメタン（C15・TCNQ）のLB膜（４−ｂ）重ねてLB
ヘテロ膜（４）を被着させる。更に該LBヘテロ膜（４）
の上に金蒸着薄膜（５）を被着させることによって該LB
ヘテロ膜（４）の垂直方向に対して［Al/LBヘテロ膜/A
u］の構造を有する本発明の誘電体ヘテロ超低抵抗膜が
形成される。そして最後に測定端子として９個の金の電
極（６）が該金蒸着薄膜（５）の上に蒸着される。ここ
でアラキン酸LB膜はＹ形で殆ど分極の無い無極性の膜
で、C15・TCNQのLB膜はＺ形で大きい分極を持つ有極性
の膜である。
第３図はアルミニウムの蒸着膜（３）及び金の蒸着膜
（５）を含むLBヘテロ膜（４−ａ、４−ｂ）の膜に垂直
な断面のポテンシャル図（横方向は膜の断面、縦方向は
ポテンシャル）を示す。簡単化のために無極性誘電体と
考えられるアラキン酸のLB膜（４−ａ）と有極性誘電体
とされるC15・TCNQのLB膜（４−ｂ）の誘電率と厚さを
同じとしてこれらをεとｄとし、両LB膜の面とアルミニ
ウム及び金との間の障壁の高さを同じくφとした。両金
属蒸着膜が図のように同電位になるとき、有極性膜に生
じている分極電荷±Ｐ［C/cm2］）によってLB膜中には
電界Ｅ［V/cm］が発生し、LB膜には分極が生じる。無極
性LB膜（４−ａ）に発生した分極電荷を±ｑ［C/cm2］
とし有極性LB膜（４−ｂ）にも分極電荷が生じるのでこ
れを±ｐ［C/cm2］とする。また同時に両LB膜に接する
両金属蒸着膜の内表面にも電荷±Ｑ［C/cm2］が誘起さ
れる（電荷の中性から両金属蒸着膜に誘起される電荷は
等量で異符号である）。このように発生した電界Ｅによ
って両LB膜の界面のポテンシャルが低下してポテンシャ
ル井戸が生じる。第３図はこのように簡単化して描かれ
たものである。以下にポテンシャル井戸の深さＨをもと
めてみる。
（５）を含むLBヘテロ膜（４−ａ、４−ｂ）の膜に垂直
な断面のポテンシャル図（横方向は膜の断面、縦方向は
ポテンシャル）を示す。簡単化のために無極性誘電体と
考えられるアラキン酸のLB膜（４−ａ）と有極性誘電体
とされるC15・TCNQのLB膜（４−ｂ）の誘電率と厚さを
同じとしてこれらをεとｄとし、両LB膜の面とアルミニ
ウム及び金との間の障壁の高さを同じくφとした。両金
属蒸着膜が図のように同電位になるとき、有極性膜に生
じている分極電荷±Ｐ［C/cm2］）によってLB膜中には
電界Ｅ［V/cm］が発生し、LB膜には分極が生じる。無極
性LB膜（４−ａ）に発生した分極電荷を±ｑ［C/cm2］
とし有極性LB膜（４−ｂ）にも分極電荷が生じるのでこ
れを±ｐ［C/cm2］とする。また同時に両LB膜に接する
両金属蒸着膜の内表面にも電荷±Ｑ［C/cm2］が誘起さ
れる（電荷の中性から両金属蒸着膜に誘起される電荷は
等量で異符号である）。このように発生した電界Ｅによ
って両LB膜の界面のポテンシャルが低下してポテンシャ
ル井戸が生じる。第３図はこのように簡単化して描かれ
たものである。以下にポテンシャル井戸の深さＨをもと
めてみる。
電磁気学によると、電界Ｅは電荷Ｐ、Ｑ、ｐと誘電率
εによって次のように表される（ｐ《Ｐなるためにｐを
省略する）。
εによって次のように表される（ｐ《Ｐなるためにｐを
省略する）。
−Ｅ＝｛（−Ｑ＋ｑ）／ε｝＝｛（−Ｐ＋Ｑ）／ε｝ ∴（−Ｑ＋ｑ）＝（−Ｐ＋Ｑ） （１） よって 2Q＝Ｐ＋ｑ （２） 一方電磁気学の基本定理から、分極電荷ｑと電界Ｅとの
間には次の関係がある。
間には次の関係がある。
ｑ＝εo（εr−１）Ｅ （３） ただしεo、εrは真空誘電率、LB膜の比誘電率であ
る。（１）、（３）式より ｛q/εo（εr−１）｝＝−｛（−Ｑ＋ｑ）／εoεr｝ ∴ｑ＝｛（εr−１）／（２εr＋１）｝Ｑ （４） （２）、（４）式より Ｑ＝｛３（εr＋１）／（２εr＋１）｝Ｐ （５） （４）、（５）式より ｑ＝｛３（εr−１）（εr＋１）／（２εr＋１）2｝Ｐ （６） 従って井戸の深さＨは｛（Ｅ）ｘ（ｄ）｝であり、
（１）、（５）、（６）式より Ｈ＝（Ｅ）ｘ（ｄ）＝ｄ（1/εrεo）［｛３（εr＋
１）／（２εr＋１） −｛３（εr＋１）（εr−１）／（２εr＋１）2｝］
Ｐ （７） 実施例１では、C15・TCNQのLB膜の単分子層の厚さは約2
5Åであり、このLB膜は四層程度累積されている。従っ
てｄ＝100Åとする。両LB膜とも比誘電率はεr＝3.0程
度である。またC15・TCNQの分子は長さが単分子層の厚
さ25Åで、断面積はほぼ40Å2であって分子の体積は100
0Å3となる。また我々の研究によれば、この分子の双極
子モーメントは約13デバイであった。これらのデータを
用いて分極Ｐを計算すると Ｐ＝単位体積中の双極子モーメントの総和 ＝43.3x10-7［C/cm2］ （８） 上に得られたＰの値とεrの数値を（７）式に入れて井
戸の深さＨを計算する下式のような値が得られる。
る。（１）、（３）式より ｛q/εo（εr−１）｝＝−｛（−Ｑ＋ｑ）／εoεr｝ ∴ｑ＝｛（εr−１）／（２εr＋１）｝Ｑ （４） （２）、（４）式より Ｑ＝｛３（εr＋１）／（２εr＋１）｝Ｐ （５） （４）、（５）式より ｑ＝｛３（εr−１）（εr＋１）／（２εr＋１）2｝Ｐ （６） 従って井戸の深さＨは｛（Ｅ）ｘ（ｄ）｝であり、
（１）、（５）、（６）式より Ｈ＝（Ｅ）ｘ（ｄ）＝ｄ（1/εrεo）［｛３（εr＋
１）／（２εr＋１） −｛３（εr＋１）（εr−１）／（２εr＋１）2｝］
Ｐ （７） 実施例１では、C15・TCNQのLB膜の単分子層の厚さは約2
5Åであり、このLB膜は四層程度累積されている。従っ
てｄ＝100Åとする。両LB膜とも比誘電率はεr＝3.0程
度である。またC15・TCNQの分子は長さが単分子層の厚
さ25Åで、断面積はほぼ40Å2であって分子の体積は100
0Å3となる。また我々の研究によれば、この分子の双極
子モーメントは約13デバイであった。これらのデータを
用いて分極Ｐを計算すると Ｐ＝単位体積中の双極子モーメントの総和 ＝43.3x10-7［C/cm2］ （８） 上に得られたＰの値とεrの数値を（７）式に入れて井
戸の深さＨを計算する下式のような値が得られる。
Ｈ≒20［Ｖ］ （９） 第３図に示した障壁の高さφは種々の誘電体と金属に対
して1V程度であるので、井戸の深さは両側の金属のフェ
ルミ準位より十分に低くなり、両側の金属より自由電子
が井戸に流れ込んで、井戸は導電性になると考えられ
る。
して1V程度であるので、井戸の深さは両側の金属のフェ
ルミ準位より十分に低くなり、両側の金属より自由電子
が井戸に流れ込んで、井戸は導電性になると考えられ
る。
種々の分子の双極子モーメントの大きさが報告されて
いるが、大体１〜10デバイである。我々の研究結果の13
デバイは少し大きいと思われるが、もっとモーメントが
小さくても十分に二次元の導電性のポテンシャル井戸は
形成されると考えられる。
いるが、大体１〜10デバイである。我々の研究結果の13
デバイは少し大きいと思われるが、もっとモーメントが
小さくても十分に二次元の導電性のポテンシャル井戸は
形成されると考えられる。
第４図は四端子法による抵抗測定回路である。本発明
の誘電体ヘテロ超低抵抗膜の上に蒸着された９個の金電
極の中の最外側の一対の電極（６−１、６−９）から電
源（８）によって電流を流出入させ、他の一対の電極
（６−ａ、６−ｂ）の間の電圧降下（ｖ）を電圧計（1
0）で測って、該電極（６−ａ、６−ｂ）の間の誘電体
ヘテロ超低抵抗膜の抵抗を求める。この時、該電圧計
（10）は十分に内部抵抗が高いものであり、該電極（６
−ａ、６−ｂ）の間の該電圧降下（ｖ）を正しく測定し
ている。電流計（９）は最外側の該電極（６−１、６−
９）間を流れる電流Ｉを測定する。酸化シリコン（Si
O2）の絶縁膜（２）は厚さが5000Åもあって極めて良好
な絶縁性を持っているので、該電極（６−１、６−９）
の間を流れる該電流Ｉは非常に薄いアルミニーム蒸着膜
（３）、LBヘテロ膜（４）、金蒸着膜（５）等を通り、
該電極（６−ａ、６−ｂ）間の凡そ3.3mmの上記の薄い
膜の抵抗Ｒは Ｒ＝v/I （10） で求められる。
の誘電体ヘテロ超低抵抗膜の上に蒸着された９個の金電
極の中の最外側の一対の電極（６−１、６−９）から電
源（８）によって電流を流出入させ、他の一対の電極
（６−ａ、６−ｂ）の間の電圧降下（ｖ）を電圧計（1
0）で測って、該電極（６−ａ、６−ｂ）の間の誘電体
ヘテロ超低抵抗膜の抵抗を求める。この時、該電圧計
（10）は十分に内部抵抗が高いものであり、該電極（６
−ａ、６−ｂ）の間の該電圧降下（ｖ）を正しく測定し
ている。電流計（９）は最外側の該電極（６−１、６−
９）間を流れる電流Ｉを測定する。酸化シリコン（Si
O2）の絶縁膜（２）は厚さが5000Åもあって極めて良好
な絶縁性を持っているので、該電極（６−１、６−９）
の間を流れる該電流Ｉは非常に薄いアルミニーム蒸着膜
（３）、LBヘテロ膜（４）、金蒸着膜（５）等を通り、
該電極（６−ａ、６−ｂ）間の凡そ3.3mmの上記の薄い
膜の抵抗Ｒは Ｒ＝v/I （10） で求められる。
第５図はアラキン酸LB膜とC15・TCNQ LB膜がそれぞれ
５単分子層からなっているLBヘテロ膜を用いた本誘電体
ヘテロ超低抵抗膜の試料（Si−5L）について測定した９
個の電極の間の電圧降下を示している。電流Ｉを変え
て、Ｉ＝1.1A（5L−１）、Ｉ＝0.55A（5L−２）、Ｉ＝
0.16A（5L−３）の電流を流した時の特性を示してあ
る。図より判る様に電極（６−２）〜（６−８）の間で
は電圧降下が小さく、電極間によっても多少その値は異
なるけれども、隣接電極間では電圧降下を（１）式→に
よって抵抗に換算すると大体10-2〜10-3Ωである。電極
間（６−１）と（６−２）および（６−８）と（６−
９）の間では電圧降下が大きく、これは電極とLB膜との
接触抵抗などに依ると考えられる。
５単分子層からなっているLBヘテロ膜を用いた本誘電体
ヘテロ超低抵抗膜の試料（Si−5L）について測定した９
個の電極の間の電圧降下を示している。電流Ｉを変え
て、Ｉ＝1.1A（5L−１）、Ｉ＝0.55A（5L−２）、Ｉ＝
0.16A（5L−３）の電流を流した時の特性を示してあ
る。図より判る様に電極（６−２）〜（６−８）の間で
は電圧降下が小さく、電極間によっても多少その値は異
なるけれども、隣接電極間では電圧降下を（１）式→に
よって抵抗に換算すると大体10-2〜10-3Ωである。電極
間（６−１）と（６−２）および（６−８）と（６−
９）の間では電圧降下が大きく、これは電極とLB膜との
接触抵抗などに依ると考えられる。
第６図は、第１、２図に示す試料からLBヘテロ膜だけ
を取り除いた試料（Si−0L）についての電圧降下を示し
たものである。電流をＩとして、Ｉ＝0.026A（0L−
１）、Ｉ＝0.013A（0L−２）及びＩ＝0.0026A（0L−
３）の３通りの電流を流した場合に発生する電圧降下
は、電極（６−７）から測定してほぼ電極（６−７）か
らの距離に比例している。そして両外側の電極（６−
１）と（６−７）の間の抵抗は約28Ωであり、隣接電極
間では4.4Ωとなる。この抵抗値は電極直下のAl/Auの蒸
着膜の値にほぼ等しい。
を取り除いた試料（Si−0L）についての電圧降下を示し
たものである。電流をＩとして、Ｉ＝0.026A（0L−
１）、Ｉ＝0.013A（0L−２）及びＩ＝0.0026A（0L−
３）の３通りの電流を流した場合に発生する電圧降下
は、電極（６−７）から測定してほぼ電極（６−７）か
らの距離に比例している。そして両外側の電極（６−
１）と（６−７）の間の抵抗は約28Ωであり、隣接電極
間では4.4Ωとなる。この抵抗値は電極直下のAl/Auの蒸
着膜の値にほぼ等しい。
第７図は第４図と第５図の結果から得られた隣接電極
端子間の抵抗をLBヘテロ膜の無いSi−0Lとこれを含むSi
−3L、Si−4L、Si−5Lとで比較したものである。わずか
189Å（Si−3L）、252Å（Si−4L）、315Å（Si−5L）
の厚さのLB膜がAlとAuの蒸着膜の間に介在するだけで抵
抗は10-3倍も小さくなっている。このことは電流が極め
て薄いLB膜の面内を通っていることを示している。
端子間の抵抗をLBヘテロ膜の無いSi−0Lとこれを含むSi
−3L、Si−4L、Si−5Lとで比較したものである。わずか
189Å（Si−3L）、252Å（Si−4L）、315Å（Si−5L）
の厚さのLB膜がAlとAuの蒸着膜の間に介在するだけで抵
抗は10-3倍も小さくなっている。このことは電流が極め
て薄いLB膜の面内を通っていることを示している。
LBヘテロ膜の厚さが判っているので、これと電極の幅
及び電極間隔からLBヘテロ膜の抵抗率が求められる。こ
の値をLB膜に流れる電流に対してプロットしたものが第
７図である。それぞれ10-8〜10-9Ωcmの値が得られた
が、図示する様な金属の10-5Ωcm程度の値（Ｍ）に対し
て10-3〜10-4倍も小さい。
及び電極間隔からLBヘテロ膜の抵抗率が求められる。こ
の値をLB膜に流れる電流に対してプロットしたものが第
７図である。それぞれ10-8〜10-9Ωcmの値が得られた
が、図示する様な金属の10-5Ωcm程度の値（Ｍ）に対し
て10-3〜10-4倍も小さい。
以上示した実験から、本発明のLB膜による誘電体ヘテ
ロ膜は金属よりもはるかに低い抵抗値を持つ膜であるこ
とが判明した。
ロ膜は金属よりもはるかに低い抵抗値を持つ膜であるこ
とが判明した。
実施例２ 本発明のLB膜による誘電体ヘテロ超低抵抗膜は室温か
ら80→℃程度まで抵抗率が殆ど変化しない。第９図はSi
−4Lの試料についての例を示す。温度はシリコン基板に
熱電対の温接点を接触させて測ったものである。抵抗率
は約8.6x10-8Ωcm（4L−１）である。この温度の上昇は
印加電圧を大きくしていく途上での試料からの発熱に依
るものであって、各温度における電流（4L−２）も示し
てある。この実験から電流が基板のシリコン・ウエーハ
の中を通っていないことが明確に判る。それはシリコン
の抵抗率は温度と共に急速に減少するから、もし電流が
シリコン・ウエーハ中を通過していれば、抵抗率は図示
する様に一定ではなく、温度と共に低下する筈だからで
ある。
ら80→℃程度まで抵抗率が殆ど変化しない。第９図はSi
−4Lの試料についての例を示す。温度はシリコン基板に
熱電対の温接点を接触させて測ったものである。抵抗率
は約8.6x10-8Ωcm（4L−１）である。この温度の上昇は
印加電圧を大きくしていく途上での試料からの発熱に依
るものであって、各温度における電流（4L−２）も示し
てある。この実験から電流が基板のシリコン・ウエーハ
の中を通っていないことが明確に判る。それはシリコン
の抵抗率は温度と共に急速に減少するから、もし電流が
シリコン・ウエーハ中を通過していれば、抵抗率は図示
する様に一定ではなく、温度と共に低下する筈だからで
ある。
実施例３ 本発明のLBヘテロ超低抵抗膜には第９図に見られる様
に1A程度の電流が流れていて、これは電流密度になおす
と40万A/cm2にもなる。そしてこの時、第９図に示され
る様に温度が80℃にも上昇する。しかし、本LBヘテロ膜
は損傷されなかった。また印加電圧を更に増して電流を
増加させようとしてもスイッチング現象を起こし電流が
急に減少してしまい、それ以上は増大しなかった。
に1A程度の電流が流れていて、これは電流密度になおす
と40万A/cm2にもなる。そしてこの時、第９図に示され
る様に温度が80℃にも上昇する。しかし、本LBヘテロ膜
は損傷されなかった。また印加電圧を更に増して電流を
増加させようとしてもスイッチング現象を起こし電流が
急に減少してしまい、それ以上は増大しなかった。
第10図はスイッチング現象を示す一例で、印加電圧
（Ｖ）に対する電流（Ｉ）（5L−８）と隣接電極端子
（６−８）と（６−９）の間の電圧降下（5L−９）とを
示す。この図に見られる様に、電流は1.3Aで急に3x10-4
に減少し、同時に電圧降下は15.5Vに上昇している。こ
の電圧降下はこの時点で試料に印加されている電源の電
圧にほぼ等しい。印加電圧を下げていくと、再び電流が
急増し（印加電圧2V点）、元の状態に戻る。同時に抵抗
も減少して元に戻る。つまり印加電圧の増減に対して、
電流は０−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ａ−０、電圧降下は０−ｅ
−ｆ−ｂ−ｇ−ｈ−ａ−ｅ−０の様な道筋をたど。この
様なスイッチング現象は何回繰り返しても発生した。又
Si−4Lの試料にも同様な現が観測された。
（Ｖ）に対する電流（Ｉ）（5L−８）と隣接電極端子
（６−８）と（６−９）の間の電圧降下（5L−９）とを
示す。この図に見られる様に、電流は1.3Aで急に3x10-4
に減少し、同時に電圧降下は15.5Vに上昇している。こ
の電圧降下はこの時点で試料に印加されている電源の電
圧にほぼ等しい。印加電圧を下げていくと、再び電流が
急増し（印加電圧2V点）、元の状態に戻る。同時に抵抗
も減少して元に戻る。つまり印加電圧の増減に対して、
電流は０−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ａ−０、電圧降下は０−ｅ
−ｆ−ｂ−ｇ−ｈ−ａ−ｅ−０の様な道筋をたど。この
様なスイッチング現象は何回繰り返しても発生した。又
Si−4Lの試料にも同様な現が観測された。
本発明のLB膜を用いた誘電体ヘテロ超低抵抗膜の今後
の応用は種々考えられるが、最後に本発明のヘテロ膜の
特性を第11図の表１にまとめた。これらの特性はすべて
常温又はそれ以上の温度において得られた値である。
の応用は種々考えられるが、最後に本発明のヘテロ膜の
特性を第11図の表１にまとめた。これらの特性はすべて
常温又はそれ以上の温度において得られた値である。
第１図は本発明の誘電体ヘテロ超低抵抗膜の実施例の概
略図、第２図は第１図のII−II線による断面図、第３図
は実施例のヘテロ膜内に発生するポテンシャル井戸の
図、第４図は第１図に示した本発明の超低抵抗膜の抵抗
測定の概略図、第５図は本発明の超低抵抗膜について電
圧降下特性を示す図、第６図は本発明の超低抵抗膜の無
い試料の電圧降下特性を示す図、第７図は本発明の超低
抵抗膜の抵抗特性を示す図、第８図は本発明の超低抵抗
膜の抵抗率を金属の抵抗率と比較した図、第９図は本発
明の超低抵抗膜の温度特性を示す図、第10図は本発明の
超低抵抗膜のスイッチング特性を示す図、第11図は本発
明の超低抵抗膜の特性を示した表である。
略図、第２図は第１図のII−II線による断面図、第３図
は実施例のヘテロ膜内に発生するポテンシャル井戸の
図、第４図は第１図に示した本発明の超低抵抗膜の抵抗
測定の概略図、第５図は本発明の超低抵抗膜について電
圧降下特性を示す図、第６図は本発明の超低抵抗膜の無
い試料の電圧降下特性を示す図、第７図は本発明の超低
抵抗膜の抵抗特性を示す図、第８図は本発明の超低抵抗
膜の抵抗率を金属の抵抗率と比較した図、第９図は本発
明の超低抵抗膜の温度特性を示す図、第10図は本発明の
超低抵抗膜のスイッチング特性を示す図、第11図は本発
明の超低抵抗膜の特性を示した表である。
Claims (2)
- 【請求項１】有極性と無極性の誘電体膜を重ねたヘテロ
膜を金属膜で挟んだ構造で、ヘテロ膜の界面にポテンシ
ャル井戸が発生し、この井戸に電子ガスが充満すること
により二次元導電面を形成し、室温以上で膜面方向に金
属以下の抵抗率を持つ超低抵抗膜。 - 【請求項２】前記のヘテロ膜は少なくともその一方の有
極性の誘電体膜がラングミュア・プロジェット膜である
ことを特徴とする特許請求の範囲（１）に記載の超低抵
抗膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299563A JP2884357B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 誘電体へテロ超低抵抗膜 |
| DE1990624760 DE69024760T2 (de) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | Dielektrischer Heterofilm mit extrem niedrigem spezifischem Widerstand |
| EP19900312659 EP0429296B1 (en) | 1989-11-20 | 1990-11-20 | Dielectric ultra-low resistivity heterofilm |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299563A JP2884357B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 誘電体へテロ超低抵抗膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160759A JPH03160759A (ja) | 1991-07-10 |
| JP2884357B2 true JP2884357B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=17874247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299563A Expired - Fee Related JP2884357B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 誘電体へテロ超低抵抗膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0429296B1 (ja) |
| JP (1) | JP2884357B2 (ja) |
| DE (1) | DE69024760T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5689753B2 (ja) | 2011-06-14 | 2015-03-25 | 株式会社マキタ | 電動芝刈機 |
| JP5694065B2 (ja) | 2011-06-14 | 2015-04-01 | 株式会社マキタ | 電動芝刈機 |
| JP2013000028A (ja) | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Makita Corp | 電動芝刈機 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2564231B1 (fr) * | 1984-05-10 | 1986-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Films conducteurs de l'electricite comprenant au moins une couche monomoleculaire d'un complexe organique a transfert de charge et leur procede de fabrication |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299563A patent/JP2884357B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-11-20 DE DE1990624760 patent/DE69024760T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-20 EP EP19900312659 patent/EP0429296B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0429296A3 (en) | 1992-04-29 |
| EP0429296A2 (en) | 1991-05-29 |
| JPH03160759A (ja) | 1991-07-10 |
| EP0429296B1 (en) | 1996-01-10 |
| DE69024760T2 (de) | 1996-08-29 |
| DE69024760D1 (de) | 1996-02-22 |
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