JP2865055B2 - 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁界により直流抵
抗が変化する磁気抵抗効果（以下、「ＭＲ」と略称す
る。）型感磁素子、及びこのＭＲ型感磁素子を用いた磁
気ヘッドに関する。
抗が変化する磁気抵抗効果（以下、「ＭＲ」と略称す
る。）型感磁素子、及びこのＭＲ型感磁素子を用いた磁
気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、磁気情報を蓄積
する磁気記録媒体と、記録媒体の磁気情報から発生する
磁界を検出する磁気ヘッドが必要とされる。従来の磁気
ヘッドでは、この磁界を検出する素子すなわち感磁素子
は、電磁誘導型（インダクティブ型）が広く用いられて
いた。電磁誘導型の感磁素子は、磁気記録の再生度が低
いので、高密度記録用としては限界があった。
する磁気記録媒体と、記録媒体の磁気情報から発生する
磁界を検出する磁気ヘッドが必要とされる。従来の磁気
ヘッドでは、この磁界を検出する素子すなわち感磁素子
は、電磁誘導型（インダクティブ型）が広く用いられて
いた。電磁誘導型の感磁素子は、磁気記録の再生度が低
いので、高密度記録用としては限界があった。
【０００３】この限界を打ち破る高感度の磁気ヘッドと
して、ＭＲ型感磁素子を用いたＭＲ型磁気ヘッドが考案
され、その実用化が始まっている。
して、ＭＲ型感磁素子を用いたＭＲ型磁気ヘッドが考案
され、その実用化が始まっている。
【０００４】図１０及び図１１は従来のＭＲ型感磁素子
を示し、図１０は構成を示す平面図、図１１は磁気抵抗
効果特性を示すグラフである。以下、これらの図面に基
づき説明する。
を示し、図１０は構成を示す平面図、図１１は磁気抵抗
効果特性を示すグラフである。以下、これらの図面に基
づき説明する。
【０００５】従来のＭＲ型感磁素子７９は、磁化Ｍの方
向によって抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パ
タン８０と、感磁パタン８０にセンス電流Ｊを印加する
電極膜（図示せず）とを備えたものである。感磁パタン
８０は、ＮｉＦｅ合金薄膜等からなり、実効磁気異方性
が長軸に向いた長方形をなしている。外部磁界Ｈｓに対
する応答を直線的にするために、予めバイアス磁界を印
加することにより、感磁パタン８０内の磁化Ｍがセンス
電流Ｊとほぼ４５°になるようにしている。また、感磁
パタン８０の両側には、感磁パタン８０の磁区構造を単
磁区にする磁区安定化膜８２が設けられている。
向によって抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パ
タン８０と、感磁パタン８０にセンス電流Ｊを印加する
電極膜（図示せず）とを備えたものである。感磁パタン
８０は、ＮｉＦｅ合金薄膜等からなり、実効磁気異方性
が長軸に向いた長方形をなしている。外部磁界Ｈｓに対
する応答を直線的にするために、予めバイアス磁界を印
加することにより、感磁パタン８０内の磁化Ｍがセンス
電流Ｊとほぼ４５°になるようにしている。また、感磁
パタン８０の両側には、感磁パタン８０の磁区構造を単
磁区にする磁区安定化膜８２が設けられている。
【０００６】外部磁界Ｈｓが印加されると、感磁パタン
８０の磁化Ｍは回転する。すると、感磁パタン８０の直
流抵抗が、磁化Ｍとセンス電流Ｊとのなす角度θに応じ
て、図１１に示すように変化する。外部磁界Ｈｓが磁気
記録媒体からの信号磁界であれば、この抵抗変化を電気
的に検出することにより、高感度の磁気ヘッドが実現さ
れる。
８０の磁化Ｍは回転する。すると、感磁パタン８０の直
流抵抗が、磁化Ｍとセンス電流Ｊとのなす角度θに応じ
て、図１１に示すように変化する。外部磁界Ｈｓが磁気
記録媒体からの信号磁界であれば、この抵抗変化を電気
的に検出することにより、高感度の磁気ヘッドが実現さ
れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＲ型感磁素子
７９は、感磁パタン８０が矩形状である。このような感
磁パタン８０では、磁化Ｍの方向に対し、パタン内部の
反磁界は一定ではない。すなわち、長軸方向に対しては
反磁界は小さく、短軸方向に対しては反磁界は大きくな
る。このため、外部磁界Ｈｓに対する抵抗変化特性は、
図１１に示すように、屈曲部８４を有し、磁界に対する
直線応答性が悪くなるという欠点を有していた。
７９は、感磁パタン８０が矩形状である。このような感
磁パタン８０では、磁化Ｍの方向に対し、パタン内部の
反磁界は一定ではない。すなわち、長軸方向に対しては
反磁界は小さく、短軸方向に対しては反磁界は大きくな
る。このため、外部磁界Ｈｓに対する抵抗変化特性は、
図１１に示すように、屈曲部８４を有し、磁界に対する
直線応答性が悪くなるという欠点を有していた。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、磁界に対する抵抗変化
の直線応答性を改善したＭＲ型感磁素子、及びこのＭＲ
型感磁素子を用いた磁気ヘッドを提供することにある。
の直線応答性を改善したＭＲ型感磁素子、及びこのＭＲ
型感磁素子を用いた磁気ヘッドを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗効
果型感磁素子は、磁化の方向によって抵抗変化を生じる
磁気抵抗膜からなる感磁パタンと、この感磁パタンにセ
ンス電流を印加する電極膜とを備えている。そして、前
記感磁パタンは、所定の長さの弦で一部が切り取られ
た、円形状に形成されている。この構成により、磁化の
方向に対し、感磁パタン内部の反磁界が一定となるた
め、磁界に対する抵抗変化の直線応答性が改善される。
また、弦は外部磁界を効率よく検知する。
果型感磁素子は、磁化の方向によって抵抗変化を生じる
磁気抵抗膜からなる感磁パタンと、この感磁パタンにセ
ンス電流を印加する電極膜とを備えている。そして、前
記感磁パタンは、所定の長さの弦で一部が切り取られ
た、円形状に形成されている。この構成により、磁化の
方向に対し、感磁パタン内部の反磁界が一定となるた
め、磁界に対する抵抗変化の直線応答性が改善される。
また、弦は外部磁界を効率よく検知する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係るＭＲ
型感磁素子の第一実施形態を示し、図１は構成を示す平
面図、図２は磁気抵抗効果特性を示すグラフである。以
下、これらの図面に基づき説明する。
型感磁素子の第一実施形態を示し、図１は構成を示す平
面図、図２は磁気抵抗効果特性を示すグラフである。以
下、これらの図面に基づき説明する。
【００１１】ＭＲ型感磁素子１０は、磁化Ｍの方向によ
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン１
２と、感磁パタン１２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
（図示せず）とを備え、感磁パタン１２が円形状に形成
されているものである。
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン１
２と、感磁パタン１２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
（図示せず）とを備え、感磁パタン１２が円形状に形成
されているものである。
【００１２】感磁パタン１２は、例えば次のように製造
する。まず、スパッタリング等により、基板上に厚さ20
ｎｍのＮｉＦｅ薄膜を被着する。次に、フォトリソグラ
フィ等により、ＮｉＦｅ薄膜を円形状に加工する。感磁
パタン１２は、直径６μｍの真円を、Ｔｗ＝２μｍの弦
１６で切り取った形状となっている。弦１６を含む図面
に垂直な面がＡＢＳ面となる。
する。まず、スパッタリング等により、基板上に厚さ20
ｎｍのＮｉＦｅ薄膜を被着する。次に、フォトリソグラ
フィ等により、ＮｉＦｅ薄膜を円形状に加工する。感磁
パタン１２は、直径６μｍの真円を、Ｔｗ＝２μｍの弦
１６で切り取った形状となっている。弦１６を含む図面
に垂直な面がＡＢＳ面となる。
【００１３】また、感磁パタン１２の両側には、感磁パ
タン１２の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜１４が
設けられている。磁区安定化膜１４は、ＮｉＭｎやＮｉ
Ｏ等の反強磁性膜が積層されたＮｉＦｅ薄膜であり、そ
の異方性の方向がセンス電流Ｊに対して平行で、その磁
化Ｍｓの方向がセンス電流Ｊと一致している。
タン１２の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜１４が
設けられている。磁区安定化膜１４は、ＮｉＭｎやＮｉ
Ｏ等の反強磁性膜が積層されたＮｉＦｅ薄膜であり、そ
の異方性の方向がセンス電流Ｊに対して平行で、その磁
化Ｍｓの方向がセンス電流Ｊと一致している。
【００１４】次に、ＭＲ型感磁素子１０の作用を説明す
る。感磁パタン１２の磁化Ｍは、バイアス磁界（図示せ
ず）により、センス電流に対しほぼ45°の方向に向いて
いる。外部磁界Ｈｓの印加より、感磁パタン１２の磁化
Ｍはその安定方向から回転する。その際、感磁パタン１
２の形状がほぼ円形であるため、磁化Ｍの回転方向の違
いに基づく反磁界の大きさの差はほとんどない。したが
って、図２に示すように、外部磁界Ｈｓの方向にかかわ
らず、感磁パタン１２の抵抗値の変化率はほぼ一定であ
る。すなわち、感磁パタン１２の抵抗値の磁界応答性の
直線性は良好となる。
る。感磁パタン１２の磁化Ｍは、バイアス磁界（図示せ
ず）により、センス電流に対しほぼ45°の方向に向いて
いる。外部磁界Ｈｓの印加より、感磁パタン１２の磁化
Ｍはその安定方向から回転する。その際、感磁パタン１
２の形状がほぼ円形であるため、磁化Ｍの回転方向の違
いに基づく反磁界の大きさの差はほとんどない。したが
って、図２に示すように、外部磁界Ｈｓの方向にかかわ
らず、感磁パタン１２の抵抗値の変化率はほぼ一定であ
る。すなわち、感磁パタン１２の抵抗値の磁界応答性の
直線性は良好となる。
【００１５】図３は、本発明に係るＭＲ型感磁素子の第
二実施形態の構成を示す平面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
二実施形態の構成を示す平面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
【００１６】ＭＲ型感磁素子２０は、磁化Ｍの方向によ
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン２
２と、感磁パタン２２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
（図示せず）とを備え、感磁パタン２２が円形状に形成
されているものである。感磁パタン２２の両側には、感
磁パタン２２の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜２
４が設けられている。本実施形態のＭＲ型感磁素子２０
は、弦２６の長さがＴｗ＝2.5 μｍと大きくなっている
点を除き、第一実施形態のＭＲ型感磁素子１０と同じ構
成である。弦２６は、外部磁界Ｈｓを効率よく検知する
部分である。ＭＲ型感磁素子２０を用いた磁気ヘッドに
おける弦２６は、トラック幅を規定するパラメータとな
り、Ｔｗはほぼトラック幅に等しい。このように、弦２
６の長さは、例えばトラック幅に応じて変えられる。
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン２
２と、感磁パタン２２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
（図示せず）とを備え、感磁パタン２２が円形状に形成
されているものである。感磁パタン２２の両側には、感
磁パタン２２の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜２
４が設けられている。本実施形態のＭＲ型感磁素子２０
は、弦２６の長さがＴｗ＝2.5 μｍと大きくなっている
点を除き、第一実施形態のＭＲ型感磁素子１０と同じ構
成である。弦２６は、外部磁界Ｈｓを効率よく検知する
部分である。ＭＲ型感磁素子２０を用いた磁気ヘッドに
おける弦２６は、トラック幅を規定するパラメータとな
り、Ｔｗはほぼトラック幅に等しい。このように、弦２
６の長さは、例えばトラック幅に応じて変えられる。
【００１７】図４は、本発明に係るＭＲ型感磁素子の第
三実施形態の構成を示す端面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
三実施形態の構成を示す端面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
【００１８】ＭＲ型感磁素子３０は、磁化Ｍの方向によ
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン３
２と、感磁パタン３２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
３４とを備えている。感磁パタン３２は、図面に対して
垂直方向に広がって、円形状に形成されている。感磁パ
タン３２の両側には、感磁パタン３２の磁区構造を単磁
区にする磁区安定化膜３６が設けられている。
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜からなる感磁パタン３
２と、感磁パタン３２にセンス電流Ｊを印加する電極膜
３４とを備えている。感磁パタン３２は、図面に対して
垂直方向に広がって、円形状に形成されている。感磁パ
タン３２の両側には、感磁パタン３２の磁区構造を単磁
区にする磁区安定化膜３６が設けられている。
【００１９】磁気安定化膜３６は、永久磁石材料からな
る永久磁石薄膜である。永久磁石薄膜は、スパッタリン
グにより基板３８上に形成された厚さ15ｎｍ程度のＣｏ
ＣｒＰｔ合金膜であり、Ｈｃ≒500Oe の保磁力を有して
いる。この保磁力は、通常100Oe 程度である外部信号磁
界より十分に大きくする必要があるので、安全を見込ん
でＨｃ＞500Oe としている。電極膜３４は、スパッタリ
ングで磁区安定化膜３６上に形成された厚さ300 ｎｍの
金膜である。その他の事項は、第一実施形態とほぼ同じ
である。
る永久磁石薄膜である。永久磁石薄膜は、スパッタリン
グにより基板３８上に形成された厚さ15ｎｍ程度のＣｏ
ＣｒＰｔ合金膜であり、Ｈｃ≒500Oe の保磁力を有して
いる。この保磁力は、通常100Oe 程度である外部信号磁
界より十分に大きくする必要があるので、安全を見込ん
でＨｃ＞500Oe としている。電極膜３４は、スパッタリ
ングで磁区安定化膜３６上に形成された厚さ300 ｎｍの
金膜である。その他の事項は、第一実施形態とほぼ同じ
である。
【００２０】図５は、本発明に係るＭＲ型感磁素子の第
四実施形態の構成を示す端面図である。以下、この図面
に基づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号
を付すことにより重複説明を省略する。
四実施形態の構成を示す端面図である。以下、この図面
に基づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号
を付すことにより重複説明を省略する。
【００２１】ＭＲ型感磁素子４０は、磁化Ｍの方向によ
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜４２からなる感磁パタ
ン４４と、感磁パタン４４にセンス電流Ｊを印加する電
極膜３４とを備えている。感磁パタン４４の両側には、
感磁パタン４４の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜
３６が設けられている。感磁パタン４４は、磁区安定化
膜３６の形状によって、図面に対して垂直方向に広がっ
て、円形状に形成されている。
って抵抗変化を生じる磁気抵抗膜４２からなる感磁パタ
ン４４と、感磁パタン４４にセンス電流Ｊを印加する電
極膜３４とを備えている。感磁パタン４４の両側には、
感磁パタン４４の磁区構造を単磁区にする磁区安定化膜
３６が設けられている。感磁パタン４４は、磁区安定化
膜３６の形状によって、図面に対して垂直方向に広がっ
て、円形状に形成されている。
【００２２】磁気抵抗膜４２は、ＮｉＦｅ合金薄膜であ
り、磁区安定化膜３６に接して連続的に基板３８上に形
成されている。磁区安定化膜３６は、スパッタリングに
より厚さ30ｎｍに形成された反強磁性のＮｉＭｎ膜であ
り、異方性の方向がセンス電流Ｊに対し平行となってい
る。磁区安定化膜３６と磁気抵抗膜４２との界面では交
換結合力が働くので、磁区安定膜３６の異方性の方向と
同じ方向に磁気抵抗膜４２の磁化が固定される。そのた
め、ＭＲ型感磁素子４０にはその方向に有効磁界が働
き、磁区安定膜３６は単磁区化される。磁区安定膜３６
は、ＧｄＦｅの如きフェリ磁性体薄膜で形成しても同様
の効果が得られる。
り、磁区安定化膜３６に接して連続的に基板３８上に形
成されている。磁区安定化膜３６は、スパッタリングに
より厚さ30ｎｍに形成された反強磁性のＮｉＭｎ膜であ
り、異方性の方向がセンス電流Ｊに対し平行となってい
る。磁区安定化膜３６と磁気抵抗膜４２との界面では交
換結合力が働くので、磁区安定膜３６の異方性の方向と
同じ方向に磁気抵抗膜４２の磁化が固定される。そのた
め、ＭＲ型感磁素子４０にはその方向に有効磁界が働
き、磁区安定膜３６は単磁区化される。磁区安定膜３６
は、ＧｄＦｅの如きフェリ磁性体薄膜で形成しても同様
の効果が得られる。
【００２３】図６は、本発明に係るＭＲ型感磁素子の第
五実施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
五実施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
【００２４】本実施形態の感磁パタン５０は、ＭＲ薄膜
５０１、非磁性膜５０２及びバイアス磁界印加膜５０３
の三層構造となっている。バイアス磁界印加膜５０３
は、ＣｏＺｒＭｏ等の軟磁性スパッタ膜であり、感磁素
子の磁界応答の直線応答性を得るためのものである。感
磁部としてのＭＲ薄膜５０１は、厚さ２０ｎｍのＮｉＦ
ｅスパッタ膜であり、厚さ５ｎｍのＴｉ薄膜の非磁性膜
５０２を介して、バイアス磁界印加膜５０３上に設け
る。
５０１、非磁性膜５０２及びバイアス磁界印加膜５０３
の三層構造となっている。バイアス磁界印加膜５０３
は、ＣｏＺｒＭｏ等の軟磁性スパッタ膜であり、感磁素
子の磁界応答の直線応答性を得るためのものである。感
磁部としてのＭＲ薄膜５０１は、厚さ２０ｎｍのＮｉＦ
ｅスパッタ膜であり、厚さ５ｎｍのＴｉ薄膜の非磁性膜
５０２を介して、バイアス磁界印加膜５０３上に設け
る。
【００２５】図７は、本発明に係るＭＲ型感磁素子の第
六実施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
六実施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面
に基づき説明する。
【００２６】本実施形態の感磁パタン５２は、磁化回転
膜５２１、非磁性導体膜５２２、固定磁化膜５２３及び
磁化固定膜５２４の四層構造となっている。この構造は
いわゆるスピンバルブ構造である。磁化固定膜５２４は
ＮｉＭｎ反強磁性膜で、固定磁化膜５２３は固定磁化発
生用のＣｏ膜で、非磁性導体膜５２２はＣｕ薄膜で、磁
化回転膜５２１は信号磁界に応じて内部磁化が自由に回
転する軟磁性ＮｉＦｅ薄膜でそれぞれで形成されてい
る。
膜５２１、非磁性導体膜５２２、固定磁化膜５２３及び
磁化固定膜５２４の四層構造となっている。この構造は
いわゆるスピンバルブ構造である。磁化固定膜５２４は
ＮｉＭｎ反強磁性膜で、固定磁化膜５２３は固定磁化発
生用のＣｏ膜で、非磁性導体膜５２２はＣｕ薄膜で、磁
化回転膜５２１は信号磁界に応じて内部磁化が自由に回
転する軟磁性ＮｉＦｅ薄膜でそれぞれで形成されてい
る。
【００２７】図８は、本発明に係る磁気ヘッドの第一実
施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号を付
すことにより重複説明を省略する。
施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号を付
すことにより重複説明を省略する。
【００２８】磁気ヘッド６０は、信号情報の再生分解能
を向上させるために、軟磁性膜６２，６４の間に、非磁
性絶縁膜６６，６８を介してＭＲ型感磁素子３０を挟持
したものである。軟磁性膜６２，６４は、厚さ２μｍの
ＮｉＦｅ薄膜からなる磁気シールドである。非磁性絶縁
膜６６，６８はギャップ層である。磁気ヘッド６０によ
れば、非磁性絶縁膜６６，６８の厚さをそれぞれ100 ｎ
ｍとした場合、再生パタンの密度は１インチあたり130
ｋｂ以上の分解能を示す。
を向上させるために、軟磁性膜６２，６４の間に、非磁
性絶縁膜６６，６８を介してＭＲ型感磁素子３０を挟持
したものである。軟磁性膜６２，６４は、厚さ２μｍの
ＮｉＦｅ薄膜からなる磁気シールドである。非磁性絶縁
膜６６，６８はギャップ層である。磁気ヘッド６０によ
れば、非磁性絶縁膜６６，６８の厚さをそれぞれ100 ｎ
ｍとした場合、再生パタンの密度は１インチあたり130
ｋｂ以上の分解能を示す。
【００２９】図９は、本発明に係る磁気ヘッドの第二実
施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号を付
すことにより重複説明を省略する。
施形態の構成を示す断面図である。以下、この図面に基
づき説明する。ただし、図４と同一部分は同一符号を付
すことにより重複説明を省略する。
【００３０】磁気ヘッド７０は、信号情報の再生分解能
を向上させるために、ヨークの一部を形成する軟磁性膜
７２，７４の間に、非磁性絶縁膜７６，７８を介してＭ
Ｒ型感磁素子３０を挟持したものである。また、磁気ヘ
ッド７０は、ヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドであ
り、非磁性絶縁膜７０１，コイル用導体膜７０２、軟磁
性膜７０３、書き込み用ギャップ７０４等が付設されて
いる。磁気ヘッド７０によれば、磁気ヘッド７０と磁気
記録媒体とが摺動した場合でも、ＭＲ型感磁素子３０が
直接に磁気記録媒体に触れることがいないため、発生す
るノイズを極小に制御することができる。
を向上させるために、ヨークの一部を形成する軟磁性膜
７２，７４の間に、非磁性絶縁膜７６，７８を介してＭ
Ｒ型感磁素子３０を挟持したものである。また、磁気ヘ
ッド７０は、ヨーク型磁気抵抗効果型磁気ヘッドであ
り、非磁性絶縁膜７０１，コイル用導体膜７０２、軟磁
性膜７０３、書き込み用ギャップ７０４等が付設されて
いる。磁気ヘッド７０によれば、磁気ヘッド７０と磁気
記録媒体とが摺動した場合でも、ＭＲ型感磁素子３０が
直接に磁気記録媒体に触れることがいないため、発生す
るノイズを極小に制御することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係るＭＲ型感磁素子によれば、
感磁パタンを円形状に形成したことにより、磁化の方向
に対する感磁パタン内部の反磁界を一定にできるので、
磁界に対する抵抗変化の直線応答性を改善できる。しか
も、円形状の感磁パタンの一部が所定の長さの弦で切り
取られているので、この弦によって外部磁界を効率よく
検知することができる。また、本発明に係る磁気ヘッド
によれば、本発明に係るＭＲ型感磁素子を用いたことに
より、再生波形の対称性を向上できるので、信頼性の高
い磁気記録装置を実現できる。
感磁パタンを円形状に形成したことにより、磁化の方向
に対する感磁パタン内部の反磁界を一定にできるので、
磁界に対する抵抗変化の直線応答性を改善できる。しか
も、円形状の感磁パタンの一部が所定の長さの弦で切り
取られているので、この弦によって外部磁界を効率よく
検知することができる。また、本発明に係る磁気ヘッド
によれば、本発明に係るＭＲ型感磁素子を用いたことに
より、再生波形の対称性を向上できるので、信頼性の高
い磁気記録装置を実現できる。
【図１】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第一実施形態の
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図２】図１のＭＲ型感磁素子の磁気抵抗効果特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第二実施形態の
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図４】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第三実施形態の
構成を示す端面図である。
構成を示す端面図である。
【図５】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第四実施形態の
構成を示す端面図である。
構成を示す端面図である。
【図６】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第五実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図７】本発明に係るＭＲ型感磁素子の第六実施形態の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図８】本発明に係る磁気ヘッドの第一実施形態の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】本発明に係る磁気ヘッドの第二実施形態の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】従来のＭＲ型感磁素子の構成を示す平面図で
ある。
ある。
【図１１】図１０のＭＲ型感磁素子の磁気抵抗効果特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１０，２０，３０，４０ ＭＲ型感磁素子 １２，２２，３２，４４，５０，５２ 感磁パタン １４，２４，３６ 磁区安定化膜 ３４ 電極膜 ６０，７０ 磁気ヘッド Ｍ、Ｍｓ 磁化 Ｊ センス電流 Ｈｓ 外部磁界
Claims (8)
- 【請求項１】 磁化の方向によって抵抗変化を生じる磁
気抵抗膜からなる感磁パタンと、この感磁パタンにセン
ス電流を印加する電極膜とを備えた磁気抵抗効果型感磁
素子において、 前記感磁パタンは所定の長さの弦で一部が切り取られた
円形状に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型感磁素子。 - 【請求項２】 磁化の方向によって抵抗変化を生じる磁
気抵抗膜からなる感磁パタンと、この感磁パタンにセン
ス電流を印加する電極膜と、前記感磁パタンの磁区構造
を単磁区にする磁区安定化膜とを備えた磁気抵抗効果型
感磁素子において、 前記感磁パタンは所定の長さの弦で一部が切り取られた
円形状に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型感磁素子。 - 【請求項３】 前記磁区安定化膜は反強磁性体膜又はフ
ェリ磁性体膜である、請求項２記載の磁気抵抗効果型感
磁素子。 - 【請求項４】 前記磁区安定化膜は抗磁力が500Oｅ以上
の永久磁石薄膜である、請求項２記載の磁気抵抗効果型
感磁素子。 - 【請求項５】 前記感磁パタンは軟磁性膜、非磁性膜及
び磁気抵抗膜が順次積層されたものである、請求項１又
は２記載の磁気抵抗効果型感磁素子。 - 【請求項６】 前記感磁パタンは磁化固定膜、固定磁化
膜、非磁性導体膜及び軟磁性膜が順次積層されたもので
ある、請求項１又は２記載の磁気抵抗効果型感磁素子。 - 【請求項７】 第１の軟磁性膜と第２の軟磁性膜との間
に、非磁性絶縁膜を介して請求項１又は２記載の磁気抵
抗効果型感磁素子が挟持されてなる、磁気ヘッド。 - 【請求項８】 ヨークの一部を形成する第１の軟磁性膜
と第２の軟磁性膜との間に、非磁性絶縁膜を介して請求
項１又は２記載の磁気抵抗効果型感磁素子が挟持されて
なる、磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117790A JP2865055B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド |
| US08/855,279 US6529352B1 (en) | 1996-05-13 | 1997-05-13 | Magnetoresistive sensing element and magnetic head using the magnetoresistive sensing element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117790A JP2865055B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09305924A JPH09305924A (ja) | 1997-11-28 |
| JP2865055B2 true JP2865055B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=14720372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8117790A Expired - Fee Related JP2865055B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | 磁気抵抗効果型感磁素子及びこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6529352B1 (ja) |
| JP (1) | JP2865055B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7248836B2 (en) * | 2001-09-30 | 2007-07-24 | Schlage Lock Company | RF channel linking method and system |
| US7990978B1 (en) | 2004-12-17 | 2011-08-02 | Verizon Services Corp. | Dynamic bandwidth queue allocation |
| US9207291B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | XMR angle sensors |
| US8884616B2 (en) | 2011-06-22 | 2014-11-11 | Infineon Technologies Ag | XMR angle sensors |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814921A (en) * | 1984-10-17 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Multilayered magnetic films and thin-film magnetic heads using the same as a pole |
| JPH0419809A (ja) | 1990-05-11 | 1992-01-23 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| US5574367A (en) * | 1992-02-27 | 1996-11-12 | Logue; Delmar L. | Polar coordinates sensor array with rotating magnetic field driven pickup elements |
| US5669133A (en) * | 1992-08-25 | 1997-09-23 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a magnetoresistive sensor |
| US5528440A (en) * | 1994-07-26 | 1996-06-18 | International Business Machines Corporation | Spin valve magnetoresistive element with longitudinal exchange biasing of end regions abutting the free layer, and magnetic recording system using the element |
| JPH08203032A (ja) | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果再生ヘッド |
| JPH08297814A (ja) | 1995-04-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子 |
| US5650887A (en) * | 1996-02-26 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | System for resetting sensor magnetization in a spin valve magnetoresistive sensor |
-
1996
- 1996-05-13 JP JP8117790A patent/JP2865055B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-13 US US08/855,279 patent/US6529352B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09305924A (ja) | 1997-11-28 |
| US6529352B1 (en) | 2003-03-04 |
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Legal Events
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