JP2841395B2 - Ｎｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JP2841395B2 JP2841395B2 JP63297911A JP29791188A JP2841395B2 JP 2841395 B2 JP2841395 B2 JP 2841395B2 JP 63297911 A JP63297911 A JP 63297911A JP 29791188 A JP29791188 A JP 29791188A JP 2841395 B2 JP2841395 B2 JP 2841395B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ntc thermistor
- present
- resistance
- metal electrode
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はNTC（Negative Temperature Coefficient）
サーミスタに係り、特に高温使用下の抵抗変化率が小さ
いNTCサーミスタの製造方法に関するものである。
サーミスタに係り、特に高温使用下の抵抗変化率が小さ
いNTCサーミスタの製造方法に関するものである。
NTCサーミスタは温度上昇にともなってその抵抗値が
減少するため、例えば感温素子等に使用されている。
減少するため、例えば感温素子等に使用されている。
一般にNTCサーミスタ組成物に、例えばAgなどの貴金
属電極を形成し、酸化性雰囲気で焼付けを行ってNTCサ
ーミスタ素子を製造している。
属電極を形成し、酸化性雰囲気で焼付けを行ってNTCサ
ーミスタ素子を製造している。
ところで、前記のような、NTCサーミスタ組成物にAg
などの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付けを
行うと、得られたNTCサーミスタ素子は120℃以上の高温
使用下における抵抗変化率が大きいという問題があっ
た。
などの貴金属電極を形成して酸化性雰囲気中で焼付けを
行うと、得られたNTCサーミスタ素子は120℃以上の高温
使用下における抵抗変化率が大きいという問題があっ
た。
特にCuOを含有したNTCサーミスタ組成物はこの抵抗変
化率が非常に大きく、80℃以上での使用は不可能であっ
た。
化率が非常に大きく、80℃以上での使用は不可能であっ
た。
従って本発明の目的は前記の問題点を解決した、高温
の使用下における抵抗変化率の小さなNTCサーミスタを
提供することである。
の使用下における抵抗変化率の小さなNTCサーミスタを
提供することである。
このために本発明者等は鋭意研究の結果、Mn、Ni、C
o、Fe、Cu、Cr等の遷移金属酸化物の複数種類あるいは
これらにAl、Zrなどの金属酸化物を加えたものを主成分
とするNTCサーミスタ組成物に卑金属電極を塗布形成し
た後に、還元または中性雰囲気で、この塗布形成した卑
金属電極の焼付けを行ってNTCサーミスタを製造するこ
とにより、前記目的を達成したNTCサーミスタを提供で
きることを見出した。
o、Fe、Cu、Cr等の遷移金属酸化物の複数種類あるいは
これらにAl、Zrなどの金属酸化物を加えたものを主成分
とするNTCサーミスタ組成物に卑金属電極を塗布形成し
た後に、還元または中性雰囲気で、この塗布形成した卑
金属電極の焼付けを行ってNTCサーミスタを製造するこ
とにより、前記目的を達成したNTCサーミスタを提供で
きることを見出した。
これにより120℃においても抵抗変化率が１％以下と
非常に低いものを得る。しかもCuOを含有するNTCサーミ
スタについても120℃における抵抗変化率を同様に非常
に低いものとすることができる。
非常に低いものを得る。しかもCuOを含有するNTCサーミ
スタについても120℃における抵抗変化率を同様に非常
に低いものとすることができる。
本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
出発材料としてMnCO3、NiO、Co2O3、CuO、Fe2O3、Cr
O、ZrO2、Al2O3のように焼成後に各金属の酸化物になる
ものを、その焼成後に第１表の組成比になるように化学
天秤で選択的に秤量配合し、メディアとともにポットミ
ル中に入れて純水を加えて16時間湿式混合する。その後
脱水、乾燥し、乳鉢、乳棒で粉体にする。
O、ZrO2、Al2O3のように焼成後に各金属の酸化物になる
ものを、その焼成後に第１表の組成比になるように化学
天秤で選択的に秤量配合し、メディアとともにポットミ
ル中に入れて純水を加えて16時間湿式混合する。その後
脱水、乾燥し、乳鉢、乳棒で粉体にする。
それからAl2O3厘鉢にこの原料を入れて800℃〜1000℃
で２時間仮焼する。次いでこれを粉砕し、ボールミルで
微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバインダーとして
ポリビニールアルコール（PVA）を加え、乳鉢、乳棒で
顆粒に造粒した後、直径16mm、厚さ2.5mmの円板状に加
圧成型する。この加圧成型に際し2t/cm2の圧力を加え
る。
で２時間仮焼する。次いでこれを粉砕し、ボールミルで
微粉砕後、脱水、乾燥し、この材料にバインダーとして
ポリビニールアルコール（PVA）を加え、乳鉢、乳棒で
顆粒に造粒した後、直径16mm、厚さ2.5mmの円板状に加
圧成型する。この加圧成型に際し2t/cm2の圧力を加え
る。
そして大気中で600℃で２時間加熱してバインダーを
除脱した後に、大気中で1000℃〜1400℃の範囲で２時間
本焼成する。
除脱した後に、大気中で1000℃〜1400℃の範囲で２時間
本焼成する。
このようにして得られた試料に、第１表に示す如く、
AgまたはCu、Niのペーストをスクリーン印刷で塗布して
電極を形成し、Agについては大気中で、Cu及びNiについ
てはN2雰囲気中で、500℃以上で10分間以上電極焼付け
を行った。
AgまたはCu、Niのペーストをスクリーン印刷で塗布して
電極を形成し、Agについては大気中で、Cu及びNiについ
てはN2雰囲気中で、500℃以上で10分間以上電極焼付け
を行った。
このようにして得られた、NTCサーミスタの各試料を
直流四端子法を用いて、ヒューレット・パッカー社製の
HP 3456Aという番号の測定器を使用して抵抗値を測定
した結果、第１表に示す通りのものが得られた。
直流四端子法を用いて、ヒューレット・パッカー社製の
HP 3456Aという番号の測定器を使用して抵抗値を測定
した結果、第１表に示す通りのものが得られた。
なお、この第１表に示す如く、各試料をそれぞれ125
℃で100時間、500時間、1000時間の高温保管試験後に抵
抗値を測定して25℃での抵抗値との抵抗変化率（％）も
測定した結果、第１表の通りのものが得られた。
℃で100時間、500時間、1000時間の高温保管試験後に抵
抗値を測定して25℃での抵抗値との抵抗変化率（％）も
測定した結果、第１表の通りのものが得られた。
また25℃での比抵抗換算は、25℃での抵抗値をR25と
したとき次式で算出する。
したとき次式で算出する。
Ｂ定数は、25℃及び85℃の抵抗値をそれぞれR25、R85
とするとき、次式により換算算出する。
とするとき、次式により換算算出する。
第１表において○印が本発明によるものであり、×印
は本発明によらないものである。
は本発明によらないものである。
この第１表により明らかな如く、試料No.1、２、７、
８、13、14、19、20、25、28、31、34に示すように、本
発明によらないものは、125℃において1000時間保持後
の抵抗変化率がいずれも１％を大きくあるいは相当越え
ているが、本発明によるものは１％以下と小さいもので
あることがわかる。
８、13、14、19、20、25、28、31、34に示すように、本
発明によらないものは、125℃において1000時間保持後
の抵抗変化率がいずれも１％を大きくあるいは相当越え
ているが、本発明によるものは１％以下と小さいもので
あることがわかる。
しかも試料No.9〜12、21〜24に示す如く、比抵抗の低
いCuの酸化物を含有する場合でも1000時間保管後の抵抗
変化率が１％以下となり120℃以上での使用が十分可能
である。
いCuの酸化物を含有する場合でも1000時間保管後の抵抗
変化率が１％以下となり120℃以上での使用が十分可能
である。
勿論、本発明のNTCサーミスタ素子の製造に際して
は、Mn、Ni、Co、Fe、Cu、Crといった遷移金属酸化物あ
るいはこれらにAl、Zrなどの金属酸化物のうち、必要な
特性を満たすように２〜４成分を主成分となるように選
択配合されるものであり、仮焼、粉砕、本焼成して得ら
れた粉末を加圧成型して卑金属電極を形成し、500℃以
上の還元性または中性雰囲気中で焼付けるものである。
は、Mn、Ni、Co、Fe、Cu、Crといった遷移金属酸化物あ
るいはこれらにAl、Zrなどの金属酸化物のうち、必要な
特性を満たすように２〜４成分を主成分となるように選
択配合されるものであり、仮焼、粉砕、本焼成して得ら
れた粉末を加圧成型して卑金属電極を形成し、500℃以
上の還元性または中性雰囲気中で焼付けるものである。
第１表のデータは、これらの一部を示すものにすぎな
い。
い。
本発明によれば120℃以上の高温下で使用しても、そ
の抵抗変化率の非常に小さいNTCサーミスタ素子を簡単
な方法により提供することができる。
の抵抗変化率の非常に小さいNTCサーミスタ素子を簡単
な方法により提供することができる。
しかも、CuOを含有するものに対しても、このような
高温で使用可能なNTCサーミスタ素子を簡単な方法によ
り提供することができる。
高温で使用可能なNTCサーミスタ素子を簡単な方法によ
り提供することができる。
また卑金属電極を使用するので、貴金属電極のものに
比して安価なNTCサーミスタ素子を提供することができ
る。
比して安価なNTCサーミスタ素子を提供することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 淀川 正忠 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−111004（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−119503（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Mn、Ni、Co、Fe、Cu、Cr等の遷移金属酸化
物の複数種類あるいはこれらにAl、Zrなどの金属酸化物
を加えたものを主成分とするNTCサーミスタ組成物に卑
金属電極を塗布形成した後に、還元または中性雰囲気
で、この塗布形成した卑金属電極の焼付けを行うことを
特徴とするNTCサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297911A JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297911A JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143502A JPH02143502A (ja) | 1990-06-01 |
| JP2841395B2 true JP2841395B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17852688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297911A Expired - Fee Related JP2841395B2 (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841395B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319043A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-01-28 | 广州新莱福磁电有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片电极的制造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582308A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| JPH0582310A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| US5497139A (en) * | 1994-09-23 | 1996-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature sensor and its manufacturing method |
| US6099164A (en) * | 1995-06-07 | 2000-08-08 | Thermometrics, Inc. | Sensors incorporating nickel-manganese oxide single crystals |
| US6125529A (en) * | 1996-06-17 | 2000-10-03 | Thermometrics, Inc. | Method of making wafer based sensors and wafer chip sensors |
| WO1997048644A1 (en) * | 1996-06-17 | 1997-12-24 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-cobalt-manganese oxide single crystals |
| WO1998007656A1 (en) * | 1996-08-23 | 1998-02-26 | Thermometrics, Inc. | Growth of nickel-iron-manganese oxide single crystals |
| CN115073140B (zh) * | 2022-06-08 | 2023-05-05 | 盐城工学院 | 一种含铜系负温度系数热敏陶瓷材料的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57111004A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-10 | Tdk Electronics Co Ltd | Voltage non-linear resistance element and method of producing same |
| JPS63119503A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | 株式会社村田製作所 | サ−ミスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297911A patent/JP2841395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319043A (zh) * | 2014-10-10 | 2015-01-28 | 广州新莱福磁电有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片电极的制造方法 |
| CN104319043B (zh) * | 2014-10-10 | 2017-05-03 | 广州新莱福磁电有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片电极的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02143502A (ja) | 1990-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2841395B2 (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP3202273B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP2572310B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3569810B2 (ja) | 高温用サーミスタ | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH08162302A (ja) | サーミスタとその製造方法 | |
| JP3202275B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| CN115894026B (zh) | 一种低电阻率高b值的ntc热敏电阻材料及制备方法 | |
| JP2572313B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS6143841B2 (ja) | ||
| JP3559911B2 (ja) | サーミスタ | |
| JP3202278B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3642184B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP4850330B2 (ja) | サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子 | |
| JP3202276B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3551269B2 (ja) | 高温測定用サーミスタ | |
| JP3202274B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP2948933B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH04701A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP3202277B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP3334264B2 (ja) | 半導体セラミック素子 | |
| JPS6211202A (ja) | サ−ミスタ用組成物 | |
| JPH0259462A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH0727802B2 (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体 | |
| JPH03271154A (ja) | サーミスタ用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |