JP2729005B2 - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
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- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
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- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ及
びその製造方法、特に、自動車等に搭載され、大気圧等
の圧力を測定する半導体圧力センサ及びその製造方法に
関するものである。
びその製造方法、特に、自動車等に搭載され、大気圧等
の圧力を測定する半導体圧力センサ及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３７は、従来の半導体圧力センサを示
す平面図であり、図３８はそのＢ−Ｂ線に沿った側面断
面図である。これらの図において、シリコン基板１１と
しては、圧力に対する感度を上げるため、及びダイヤフ
ラム７を形成するのに異方性シリコンエッチングを行う
ため、結晶方位（１ ０ ０）のシリコン基板を使用す
る。ゲージ抵抗１は、ダイヤフラム７が圧力の変化を受
けて歪み、最も歪みの大きくなるダイヤフラムエッジ部
３付近の裏面各辺に形成されている。このゲージ抵抗１
は、拡散配線２によってブリッジ結線されており、ダイ
ヤフラム７が圧力の変化を受けて歪み、この歪みをブリ
ッジの結線されたゲージ抵抗１により電気信号に変換さ
れる。
す平面図であり、図３８はそのＢ−Ｂ線に沿った側面断
面図である。これらの図において、シリコン基板１１と
しては、圧力に対する感度を上げるため、及びダイヤフ
ラム７を形成するのに異方性シリコンエッチングを行う
ため、結晶方位（１ ０ ０）のシリコン基板を使用す
る。ゲージ抵抗１は、ダイヤフラム７が圧力の変化を受
けて歪み、最も歪みの大きくなるダイヤフラムエッジ部
３付近の裏面各辺に形成されている。このゲージ抵抗１
は、拡散配線２によってブリッジ結線されており、ダイ
ヤフラム７が圧力の変化を受けて歪み、この歪みをブリ
ッジの結線されたゲージ抵抗１により電気信号に変換さ
れる。
【０００３】拡散配線２は、金属電極４に結線されてお
り、金属電極４は、外部回路に接続されている。シリコ
ン基板１１上に形成されたシリコン酸化膜９は、ゲージ
抵抗１、拡散配線２等を形成するためのマスク及び保護
膜となる。また、シリコン酸化膜９の上には、表面全体
を保護するガラスコート１０が形成されている。シリコ
ン基板１１の裏面には、表面のデバイス形成後、ゲージ
抵抗１の位置に合わせて裏面からのエッチングによって
ダイヤフラム７が形成されており、圧力を受圧する部分
である。
り、金属電極４は、外部回路に接続されている。シリコ
ン基板１１上に形成されたシリコン酸化膜９は、ゲージ
抵抗１、拡散配線２等を形成するためのマスク及び保護
膜となる。また、シリコン酸化膜９の上には、表面全体
を保護するガラスコート１０が形成されている。シリコ
ン基板１１の裏面には、表面のデバイス形成後、ゲージ
抵抗１の位置に合わせて裏面からのエッチングによって
ダイヤフラム７が形成されており、圧力を受圧する部分
である。
【０００４】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、その製造は、図３８〜図４２の側面断面図に
示すようにして行われる。まず、図３９に示す結晶方位
（１０ ０）の単結晶シリコン基板１１を用意し、その
表面側に、図４０に示すように、デバイスを形成する。
すなわち、シリコン基板１に熱酸化によりシリコン酸化
膜９を形成する。このシリコン酸化膜９の拡散配線形成
箇所を窓明けした後に、このシリコン酸化膜９をマスク
としてボロン等の不純物を拡散させ、低抵抗の拡散配線
２を形成し、さらにゲージ抵抗１を４つ形成する。この
ゲージ抵抗１は、拡散配線２によってブリッジに結線さ
れている。
構成され、その製造は、図３８〜図４２の側面断面図に
示すようにして行われる。まず、図３９に示す結晶方位
（１０ ０）の単結晶シリコン基板１１を用意し、その
表面側に、図４０に示すように、デバイスを形成する。
すなわち、シリコン基板１に熱酸化によりシリコン酸化
膜９を形成する。このシリコン酸化膜９の拡散配線形成
箇所を窓明けした後に、このシリコン酸化膜９をマスク
としてボロン等の不純物を拡散させ、低抵抗の拡散配線
２を形成し、さらにゲージ抵抗１を４つ形成する。この
ゲージ抵抗１は、拡散配線２によってブリッジに結線さ
れている。
【０００５】次に、図４１に示すように、拡散配線２に
一部を窓明けして金属電極４を形成し、半導体圧力セン
サの表面全体をガラスコート１０例えばシリコン窒化膜
で覆う。次に、表面側のゲージ抵抗１を後に形成するダ
イヤフラム７が受圧した時に最も大きく歪む部分に位置
するように、シリコン基板１１の裏面にエッチングマス
ク１３をシリコン窒化膜等で形成する（図４２）。次い
で、ダイヤフラム７が必要な厚さになるように、シリコ
ン基板１１の裏面から例えばアルカリ系のエッチャント
で異方性シリコンエッチングを行う。なお、図３８に示
すダイヤフラムのエッジ部３は、ダイヤフラム７が受圧
した時に最も歪む部分で、半導体圧力センサ表面のゲー
ジ抵抗１がこの上に位置するようにする。
一部を窓明けして金属電極４を形成し、半導体圧力セン
サの表面全体をガラスコート１０例えばシリコン窒化膜
で覆う。次に、表面側のゲージ抵抗１を後に形成するダ
イヤフラム７が受圧した時に最も大きく歪む部分に位置
するように、シリコン基板１１の裏面にエッチングマス
ク１３をシリコン窒化膜等で形成する（図４２）。次い
で、ダイヤフラム７が必要な厚さになるように、シリコ
ン基板１１の裏面から例えばアルカリ系のエッチャント
で異方性シリコンエッチングを行う。なお、図３８に示
すダイヤフラムのエッジ部３は、ダイヤフラム７が受圧
した時に最も歪む部分で、半導体圧力センサ表面のゲー
ジ抵抗１がこの上に位置するようにする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、シリコン基板１１（ウエハ）厚さのバ
ラツキ、バッチ間、バッチ内、ウエハ面内でのエッチン
グレートのバラツキ、さらには、深いエッチングを行う
等のため、精度良くダイヤフラム７の厚さを制御するこ
とが困難であり、作業性が著しく悪かった。また、ダイ
ヤフラム７の形成は、デバイス形成の最終段階で行うた
め、ウエハ表面を完全に保護する必要があった。さら
に、異方性エッチングは角度を持って進行すること、ダ
イヤフラム７の厚さを薄くすることに限界があるため、
小型化が困難であるなどという問題点があった。
圧力センサでは、シリコン基板１１（ウエハ）厚さのバ
ラツキ、バッチ間、バッチ内、ウエハ面内でのエッチン
グレートのバラツキ、さらには、深いエッチングを行う
等のため、精度良くダイヤフラム７の厚さを制御するこ
とが困難であり、作業性が著しく悪かった。また、ダイ
ヤフラム７の形成は、デバイス形成の最終段階で行うた
め、ウエハ表面を完全に保護する必要があった。さら
に、異方性エッチングは角度を持って進行すること、ダ
イヤフラム７の厚さを薄くすることに限界があるため、
小型化が困難であるなどという問題点があった。
【０００７】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、小型、高精度の半導体圧力セン
サ及びその製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、小型、高精度の半導体圧力セン
サ及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る半導体圧力センサは、第１のシリコン基板と第２
のシリコン基板との間に介在する界面絶縁膜により、真
空室及びアライメントマークを形成し、このアライメン
トマークに対応した位置の第２のシリコン基板にアライ
メントマーク観察窓を形成したものである。
に係る半導体圧力センサは、第１のシリコン基板と第２
のシリコン基板との間に介在する界面絶縁膜により、真
空室及びアライメントマークを形成し、このアライメン
トマークに対応した位置の第２のシリコン基板にアライ
メントマーク観察窓を形成したものである。
【０００９】この発明の請求項第２項に係る半導体圧力
センサの製造方法は、凹部が形成された第１のシリコン
基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜により貼り合
わせ、減圧中で上記凹部を真空室とした後、デバイスを
形成するものである。
センサの製造方法は、凹部が形成された第１のシリコン
基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜により貼り合
わせ、減圧中で上記凹部を真空室とした後、デバイスを
形成するものである。
【００１０】また、この発明の請求項第３項に係る半導
体圧力センサの製造方法は、第２のシリコン基板の裏面
にアライメントマーク観察窓を形成し、第１のシリコン
基板にアライメントマークを形成し、さらに、第１のシ
リコン基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜を介し
て減圧中で貼り合わせ、上記凹部を真空室とした後、第
２のシリコン基板にデバイスを形成するものである。
体圧力センサの製造方法は、第２のシリコン基板の裏面
にアライメントマーク観察窓を形成し、第１のシリコン
基板にアライメントマークを形成し、さらに、第１のシ
リコン基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜を介し
て減圧中で貼り合わせ、上記凹部を真空室とした後、第
２のシリコン基板にデバイスを形成するものである。
【００１１】
【作用】この発明の請求項第１項においては、真空室が
形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均一な
厚さのダイヤフラムが簡単に得られると共に、アライメ
ントマークにより貼り合わせる基板の正確な位置合わせ
を行うことができる。
形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均一な
厚さのダイヤフラムが簡単に得られると共に、アライメ
ントマークにより貼り合わせる基板の正確な位置合わせ
を行うことができる。
【００１２】この発明の請求項第２項においては、真空
室が形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均
一な厚さのダイヤフラムが簡単に得られ、高精度化した
半導体圧力センサを製造することができる。
室が形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均
一な厚さのダイヤフラムが簡単に得られ、高精度化した
半導体圧力センサを製造することができる。
【００１３】この発明の請求項第３項においては、真空
室が形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均
一な厚さのダイヤフラムが簡単に得られると共に、アラ
イメントマークにより貼り合わせる基板の正確な位置合
わせを行って、半導体圧力センサを製造することができ
る。
室が形成された後にデバイスを形成するので、平坦で均
一な厚さのダイヤフラムが簡単に得られると共に、アラ
イメントマークにより貼り合わせる基板の正確な位置合
わせを行って、半導体圧力センサを製造することができ
る。
【００１４】
【実施例】実施例１． 図１は、この発明の実施例１による半導体圧力センサを
示す平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線に沿った側面断
面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示しているので、説明は省略する。これらの図にお
いて、第１の（単結晶）シリコン基板１２と第２の（単
結晶）シリコン基板１１とは、真空室１４がその間に形
成されるように、界面絶縁膜８を介して貼り合わされ、
１枚の基板となっている。また、第２のシリコン基板１
１には、第２のシリコン基板１１と凹部が形成された第
１のシリコン基板１２とを貼り合わせることによって形
成された真空室１４を外部と開放するために、エッチン
グ開口部５が形成されている。このエッチング開口部５
には、減圧中で成膜される真空蓋６が形成されている。
示す平面図であり、図２はそのＡ−Ａ線に沿った側面断
面図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部
分を示しているので、説明は省略する。これらの図にお
いて、第１の（単結晶）シリコン基板１２と第２の（単
結晶）シリコン基板１１とは、真空室１４がその間に形
成されるように、界面絶縁膜８を介して貼り合わされ、
１枚の基板となっている。また、第２のシリコン基板１
１には、第２のシリコン基板１１と凹部が形成された第
１のシリコン基板１２とを貼り合わせることによって形
成された真空室１４を外部と開放するために、エッチン
グ開口部５が形成されている。このエッチング開口部５
には、減圧中で成膜される真空蓋６が形成されている。
【００１５】上述したように構成された半導体圧力セン
サの製造方法は、図３〜図１３に示すように行われる。
すなわち、図３に示す第２のシリコン基板１１の裏面に
界面絶縁膜８として例えばシリコン酸化膜を形成する
（図４）。また、図５に示す第１のシリコン基板１２の
表面に真空室１４となる凹部を形成するために、エッチ
ングマスク１３をその表面及び裏面に形成する（図
６）。シリコンエッチングを行って、第１のシリコン基
板１２に凹部を形成し、エッチングマスク１３を除去す
る（図７）。
サの製造方法は、図３〜図１３に示すように行われる。
すなわち、図３に示す第２のシリコン基板１１の裏面に
界面絶縁膜８として例えばシリコン酸化膜を形成する
（図４）。また、図５に示す第１のシリコン基板１２の
表面に真空室１４となる凹部を形成するために、エッチ
ングマスク１３をその表面及び裏面に形成する（図
６）。シリコンエッチングを行って、第１のシリコン基
板１２に凹部を形成し、エッチングマスク１３を除去す
る（図７）。
【００１６】次に、図８に示すように、第２のシリコン
基板１１と第１のシリコン基板１２とを界面絶縁膜８を
介して貼り合わせた後、第２のシリコン基板１１表面を
加工する。この第２のシリコン基板１１の厚さによって
圧力センサとしての感度が決まるため、必要な厚さに制
御して加工を行う（図９）。次に、真空室エッジ部１５
に隣接する部分の第２のシリコン基板１１に、シリコン
エッチングによりエッチング開口部５を形成する（図１
０）。さらに、エッチング開口部５から等方性エッチン
グを行って界面絶縁膜８をサイドエッチングし、後に真
空室１４となる空洞部を外部と開放させる（図１１）。
基板１１と第１のシリコン基板１２とを界面絶縁膜８を
介して貼り合わせた後、第２のシリコン基板１１表面を
加工する。この第２のシリコン基板１１の厚さによって
圧力センサとしての感度が決まるため、必要な厚さに制
御して加工を行う（図９）。次に、真空室エッジ部１５
に隣接する部分の第２のシリコン基板１１に、シリコン
エッチングによりエッチング開口部５を形成する（図１
０）。さらに、エッチング開口部５から等方性エッチン
グを行って界面絶縁膜８をサイドエッチングし、後に真
空室１４となる空洞部を外部と開放させる（図１１）。
【００１７】次に、減圧中で成膜してエッチング開口部
５に真空室蓋６を形成することにより、真空室１４が形
成される（図１２）。そして、図１３に示すように、第
２のシリコン基板１１に、デバイスを形成する。すなわ
ち、第２のシリコン基板１１が受圧して歪みが最も大き
くなる真空室エッジ部１５に、シリコン酸化膜をマス
ク、保護膜としてゲージ抵抗１を形成する。ゲージ抵抗
１は、真空室１４の各辺に対応する部分に４本形成し、
拡散配線２によってブリッジに結線されている。
５に真空室蓋６を形成することにより、真空室１４が形
成される（図１２）。そして、図１３に示すように、第
２のシリコン基板１１に、デバイスを形成する。すなわ
ち、第２のシリコン基板１１が受圧して歪みが最も大き
くなる真空室エッジ部１５に、シリコン酸化膜をマス
ク、保護膜としてゲージ抵抗１を形成する。ゲージ抵抗
１は、真空室１４の各辺に対応する部分に４本形成し、
拡散配線２によってブリッジに結線されている。
【００１８】この拡散配線２もゲージ抵抗１と同様に、
シリコン酸化膜９をマスクにして不純物を注入し、アニ
ールを行うことによって形成する。また、アニールと同
時に酸化も行って、拡散配線２上にシリコン酸化膜９を
形成し、保護膜とする。次いで、第２のシリコン基板１
１の表面を保護するため、ガラスコート１０を形成す
る。ただし、真空室１４上の第２のシリコン基板１１上
のガラスコート１０は除去する。こうして、半導体圧力
センサが製造される。
シリコン酸化膜９をマスクにして不純物を注入し、アニ
ールを行うことによって形成する。また、アニールと同
時に酸化も行って、拡散配線２上にシリコン酸化膜９を
形成し、保護膜とする。次いで、第２のシリコン基板１
１の表面を保護するため、ガラスコート１０を形成す
る。ただし、真空室１４上の第２のシリコン基板１１上
のガラスコート１０は除去する。こうして、半導体圧力
センサが製造される。
【００１９】なお、上述した実施例１では、界面絶縁膜
８を第２のシリコン基板１１に形成したが、図１４に示
すように、第１のシリコン基板１２の凹部１２Ａに形成
してもよい。この場合、真空室１４上の薄い第２のシリ
コン基板１１に界面絶縁膜８を形成しないため、第２の
シリコン基板１１が界面絶縁膜８の膜応力等の影響を受
けず、優れた特性が得られる効果を奏する。
８を第２のシリコン基板１１に形成したが、図１４に示
すように、第１のシリコン基板１２の凹部１２Ａに形成
してもよい。この場合、真空室１４上の薄い第２のシリ
コン基板１１に界面絶縁膜８を形成しないため、第２の
シリコン基板１１が界面絶縁膜８の膜応力等の影響を受
けず、優れた特性が得られる効果を奏する。
【００２０】また、真空室１４上の第２のシリコン基板
１１表面のガラスコート１０は除去していたが、図１５
に示すように、第２のシリコン基板１１表面の全面にガ
ラスコート１０を形成してもよい。さらに、界面絶縁膜
８は一層であったが、異種の材料で二層構造としてもよ
い。例えば、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等が好
適に使用できる。この場合、膜の応力特性の異なる材料
で界面絶縁膜８Ａ、８Ｂを構成することで、ＳＯＩ（si
licon on insulator）基板としてのそり量を減少できる
ため、欠陥や転位などを低減できるという効果を奏す
る。また、真空室１４上の第２のシリコン基板１１表面
の全体にガラスコート１０を形成することで、表面保護
を完全に行うことができる。
１１表面のガラスコート１０は除去していたが、図１５
に示すように、第２のシリコン基板１１表面の全面にガ
ラスコート１０を形成してもよい。さらに、界面絶縁膜
８は一層であったが、異種の材料で二層構造としてもよ
い。例えば、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜等が好
適に使用できる。この場合、膜の応力特性の異なる材料
で界面絶縁膜８Ａ、８Ｂを構成することで、ＳＯＩ（si
licon on insulator）基板としてのそり量を減少できる
ため、欠陥や転位などを低減できるという効果を奏す
る。また、真空室１４上の第２のシリコン基板１１表面
の全体にガラスコート１０を形成することで、表面保護
を完全に行うことができる。
【００２１】なお、図１６に示すように、真空室１４上
の第２のシリコン基板１１表面のガラスコート１０を除
去することで、膜の応力などの影響がなく、優れた特性
の圧力センサが得られる。また、図１７に示すように、
第１のシリコン基板１２の凹部１２Ａ上に界面絶縁膜８
を形成し、ガラスコート１０を第２のシリコン基板１１
表面の全体に形成してもよい。この場合、真空室１４上
の薄い第２のシリコン基板１１に界面絶縁膜８を形成し
ないため、膜の応力などの影響がなく、優れた特性が得
られる。また、ガラスコート１０を第２のシリコン基板
１１表面全体に形成することで、保護が完全にできる。
の第２のシリコン基板１１表面のガラスコート１０を除
去することで、膜の応力などの影響がなく、優れた特性
の圧力センサが得られる。また、図１７に示すように、
第１のシリコン基板１２の凹部１２Ａ上に界面絶縁膜８
を形成し、ガラスコート１０を第２のシリコン基板１１
表面の全体に形成してもよい。この場合、真空室１４上
の薄い第２のシリコン基板１１に界面絶縁膜８を形成し
ないため、膜の応力などの影響がなく、優れた特性が得
られる。また、ガラスコート１０を第２のシリコン基板
１１表面全体に形成することで、保護が完全にできる。
【００２２】上述した実施例１では、真空室１４上の第
２のシリコン基板１１表面のガラスコート１０は除去し
ていたが、図１８に示すようにシリコン基板１１表面に
ガラスコート１０を形成してもよく、表面保護が完全に
行える。
２のシリコン基板１１表面のガラスコート１０は除去し
ていたが、図１８に示すようにシリコン基板１１表面に
ガラスコート１０を形成してもよく、表面保護が完全に
行える。
【００２３】実施例２． 図１９は、この発明の実施例２による半導体圧力センサ
を示す側面断面図である。図において、第２のシリコン
基板１１の外周部の２箇所程度に、アライメントマーク
観察窓２０が形成されている。第１のシリコン基板１２
と第２のシリコン基板１１とは、界面絶縁膜８を介して
真空中で貼り合わせられることにより、真空室１４及び
アライメントマーク２１が形成されている。なお、拡散
配線２によってブリッジに結線された拡散抵抗２Ａが形
成されている。
を示す側面断面図である。図において、第２のシリコン
基板１１の外周部の２箇所程度に、アライメントマーク
観察窓２０が形成されている。第１のシリコン基板１２
と第２のシリコン基板１１とは、界面絶縁膜８を介して
真空中で貼り合わせられることにより、真空室１４及び
アライメントマーク２１が形成されている。なお、拡散
配線２によってブリッジに結線された拡散抵抗２Ａが形
成されている。
【００２４】このような半導体圧力センサは、図２０〜
図２６及び図１９に示すようにして製造される。すなわ
ち、まず、図２０に示す第２のシリコン基板１１を用意
し、この第２のシリコン基板１１の外周２箇所程度に、
後に形成するアライメントマーク２１を観察するアライ
メントマーク観察窓２０を形成するため、エッチングマ
スク１３をパターニングする（図２１）。次いで、エッ
チングマスク１３により第２のシリコン基板１１をシリ
コンエッチングする。この時のエッチング量は、後に第
２のシリコン基板１１を加工する厚さ以上にエッチング
を行う。このようにして、アライメントマーク観察窓２
０を形成する（図２２）。
図２６及び図１９に示すようにして製造される。すなわ
ち、まず、図２０に示す第２のシリコン基板１１を用意
し、この第２のシリコン基板１１の外周２箇所程度に、
後に形成するアライメントマーク２１を観察するアライ
メントマーク観察窓２０を形成するため、エッチングマ
スク１３をパターニングする（図２１）。次いで、エッ
チングマスク１３により第２のシリコン基板１１をシリ
コンエッチングする。この時のエッチング量は、後に第
２のシリコン基板１１を加工する厚さ以上にエッチング
を行う。このようにして、アライメントマーク観察窓２
０を形成する（図２２）。
【００２５】次に、図２３に示す第１のシリコン基板１
２を用意し、その表面に界面絶縁膜８を形成する（図２
４）。この界面絶縁膜８をエッチングすることにより、
第１のシリコン基板１２の外周部２箇所程度にアライメ
ントマーク２１を形成し、同時に後に真空室１４となる
凹部１２Ａを形成する。次に、第２のシリコン基板１１
及び第１のシリコン基板１２のそれぞれ加工面を対向さ
せて、図２５に示すように、真空中で貼り合わせる。こ
の時、第２のシリコン基板１１のアライメントマーク観
察窓２０と第１のシリコン基板１２のアライメントマー
ク２１とが重なるようにある程度の位置合わせをして貼
り合わせる。この真空中での貼り合わせによって、真空
室１４が形成される。
２を用意し、その表面に界面絶縁膜８を形成する（図２
４）。この界面絶縁膜８をエッチングすることにより、
第１のシリコン基板１２の外周部２箇所程度にアライメ
ントマーク２１を形成し、同時に後に真空室１４となる
凹部１２Ａを形成する。次に、第２のシリコン基板１１
及び第１のシリコン基板１２のそれぞれ加工面を対向さ
せて、図２５に示すように、真空中で貼り合わせる。こ
の時、第２のシリコン基板１１のアライメントマーク観
察窓２０と第１のシリコン基板１２のアライメントマー
ク２１とが重なるようにある程度の位置合わせをして貼
り合わせる。この真空中での貼り合わせによって、真空
室１４が形成される。
【００２６】次に、アライメントマーク観察窓２０を開
口し、アライメントマーク２１が認識できるように、第
２のシリコン基板１１の表面を研磨する（図２６）。続
いて、図１９に示すように、第２のシリコン基板１１表
面に、熱酸化によりシリコン酸化膜９を形成する。次い
で、シリコン酸化膜９の拡散配線形成箇所を窓明けした
後に、このシリコン酸化膜９をマスクにしてボロン等の
不純物を拡散させ、低抵抗の拡散配線２を形成する。第
２のシリコン基板１１のフォースト露光は、界面絶縁膜
８によって形成したアライメントマーク２１によりアラ
イメントして行う。このことにより、基板貼り合わせ後
の凹部１２Ａの位置を正確に認識することができ正確な
位置合わせを行える。
口し、アライメントマーク２１が認識できるように、第
２のシリコン基板１１の表面を研磨する（図２６）。続
いて、図１９に示すように、第２のシリコン基板１１表
面に、熱酸化によりシリコン酸化膜９を形成する。次い
で、シリコン酸化膜９の拡散配線形成箇所を窓明けした
後に、このシリコン酸化膜９をマスクにしてボロン等の
不純物を拡散させ、低抵抗の拡散配線２を形成する。第
２のシリコン基板１１のフォースト露光は、界面絶縁膜
８によって形成したアライメントマーク２１によりアラ
イメントして行う。このことにより、基板貼り合わせ後
の凹部１２Ａの位置を正確に認識することができ正確な
位置合わせを行える。
【００２７】続いて、真空室１４に対応した位置の拡散
抵抗形成箇所のシリコン酸化膜９を窓明けした後、この
シリコン酸化膜９をマスクにしてボロン等の不純物を注
入して拡散抵抗２Ａを形成する。これにより、真空室１
４の各辺の拡散抵抗２Ａが拡散配線２によってブリッジ
に結線される。次に、外部配線する箇所のシリコン酸化
膜９を除去し、金属電極４を形成する。次いで、半導体
圧力センサの表面全体をガラスコート１０例えばシリコ
ン窒化膜で覆い、最後に、金属電極４部分のガラスコー
ト１０を窓明けし、半導体圧力センサの製造は完了す
る。
抵抗形成箇所のシリコン酸化膜９を窓明けした後、この
シリコン酸化膜９をマスクにしてボロン等の不純物を注
入して拡散抵抗２Ａを形成する。これにより、真空室１
４の各辺の拡散抵抗２Ａが拡散配線２によってブリッジ
に結線される。次に、外部配線する箇所のシリコン酸化
膜９を除去し、金属電極４を形成する。次いで、半導体
圧力センサの表面全体をガラスコート１０例えばシリコ
ン窒化膜で覆い、最後に、金属電極４部分のガラスコー
ト１０を窓明けし、半導体圧力センサの製造は完了す
る。
【００２８】なお、上述した実施例２では、真空室１４
を界面絶縁膜８のエッチングによって形成したが、図２
７に示すように、第１のシリコン基板１２をエッチング
して形成してもよい。この場合、真空室１４を大きくす
ることで、ダイヤフラム７のたわみ量を大きく取れるた
め、圧力に対してより感度の高い半導体圧力センサが得
られる。なお、図２７に示した半導体圧力センサでは、
界面絶縁膜８を形成していないが、図２８に示すよう
に、第２のシリコン基板１１と第１のシリコン基板１２
の間に界面絶縁膜８を形成してもよい。
を界面絶縁膜８のエッチングによって形成したが、図２
７に示すように、第１のシリコン基板１２をエッチング
して形成してもよい。この場合、真空室１４を大きくす
ることで、ダイヤフラム７のたわみ量を大きく取れるた
め、圧力に対してより感度の高い半導体圧力センサが得
られる。なお、図２７に示した半導体圧力センサでは、
界面絶縁膜８を形成していないが、図２８に示すよう
に、第２のシリコン基板１１と第１のシリコン基板１２
の間に界面絶縁膜８を形成してもよい。
【００２９】また、図２８に示した半導体圧力センサで
は、界面絶縁膜８を一層形成したが、図２９、図３２、
図３４、図３５に示すように、異種の材料で２層以上形
成してもよい。例えば、それぞれの膜の影響を打ち消す
ような性質の材料で界面絶縁膜８Ａ、８Ｂを形成するこ
とで、第１のシリコン基板１２及び第２のシリコン基板
１１のそりを低減し、より欠陥の少ない基板が得られ
る。また、真空室１４を形成した後、第２のシリコン基
板１１にデバイスを形成するため、真空室１４上の薄く
加工された第２のシリコン基板１１は大気圧により下側
にたわむ。このことが問題となる場合は、上側にたわむ
ような性質の膜により、界面絶縁膜を形成すればよい。
は、界面絶縁膜８を一層形成したが、図２９、図３２、
図３４、図３５に示すように、異種の材料で２層以上形
成してもよい。例えば、それぞれの膜の影響を打ち消す
ような性質の材料で界面絶縁膜８Ａ、８Ｂを形成するこ
とで、第１のシリコン基板１２及び第２のシリコン基板
１１のそりを低減し、より欠陥の少ない基板が得られ
る。また、真空室１４を形成した後、第２のシリコン基
板１１にデバイスを形成するため、真空室１４上の薄く
加工された第２のシリコン基板１１は大気圧により下側
にたわむ。このことが問題となる場合は、上側にたわむ
ような性質の膜により、界面絶縁膜を形成すればよい。
【００３０】また、真空室１４上の第２のシリコン基板
１１両面に形成する膜は、半導体圧力センサを製造する
ために必要な膜であるが、半導体圧力センサの特性をよ
り優れたものとするため、図２９、図３１、図３４に示
すように、第２のシリコン基板１１の両面の形成される
膜、すなわち界面絶縁膜８及びシリコン酸化膜９を同一
の材質の膜で構成してもよい。これによって、両面に形
成された膜の影響を打ち消すことができる。また、第２
のシリコン基板１１の両面に形成される膜を図２７〜図
３５に示すように種々組み合わせを変えることにより、
半導体圧力センサの所望の特性を得ることができる。
１１両面に形成する膜は、半導体圧力センサを製造する
ために必要な膜であるが、半導体圧力センサの特性をよ
り優れたものとするため、図２９、図３１、図３４に示
すように、第２のシリコン基板１１の両面の形成される
膜、すなわち界面絶縁膜８及びシリコン酸化膜９を同一
の材質の膜で構成してもよい。これによって、両面に形
成された膜の影響を打ち消すことができる。また、第２
のシリコン基板１１の両面に形成される膜を図２７〜図
３５に示すように種々組み合わせを変えることにより、
半導体圧力センサの所望の特性を得ることができる。
【００３１】上述した実施例２では、アライメントマー
クの形成を、半導体圧力センサ用の基板について説明し
たが、貼り合わせ基板に形成したパターンと貼り合わせ
基板表面に形成するパターンを正確に位置合わせし複数
枚の基板を貼り合わせて基板を形成するものであれば、
他の半導体装置等にも同様に適用することができる。ま
た、図３６に示すように、界面絶縁膜８面内に他のパタ
ーンと同時にアライメントマーク２１を第２のシリコン
基板１１の外周２箇所以上に形成してもよい。さらに、
第１のシリコン基板１２と第２のシリコン基板１１との
間の真空室１４を多数設けることも可能である。なお、
この発明による半導体圧力センサは、台座を使用するこ
となく直接ステムに搭載することも可能である。
クの形成を、半導体圧力センサ用の基板について説明し
たが、貼り合わせ基板に形成したパターンと貼り合わせ
基板表面に形成するパターンを正確に位置合わせし複数
枚の基板を貼り合わせて基板を形成するものであれば、
他の半導体装置等にも同様に適用することができる。ま
た、図３６に示すように、界面絶縁膜８面内に他のパタ
ーンと同時にアライメントマーク２１を第２のシリコン
基板１１の外周２箇所以上に形成してもよい。さらに、
第１のシリコン基板１２と第２のシリコン基板１１との
間の真空室１４を多数設けることも可能である。なお、
この発明による半導体圧力センサは、台座を使用するこ
となく直接ステムに搭載することも可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したとおり、請求項第１項に係
る発明は、第１のシリコン基板と、この第１のシリコン
基板の表面に貼り合わされ、表面に拡散抵抗、拡散配線
などのデバイスが形成された第２のシリコン基板と、上
記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコン基板
の裏面との間に介在すると共に、真空室及びアライメン
トマークを形成する界面絶縁膜と、上記アライメントマ
ークに対応した位置の第２のシリコン基板に形成された
アライメントマーク観察窓と、上記第２のシリコン基板
の表面に形成され、上記デバイス及びアライメントマー
ク観察窓を保護するシリコン酸化膜とを備えたので、平
坦かつ均一な厚さでしかも薄いダイヤフラムが簡単に得
られ、小型で高精度な半導体圧力センサが得られると共
に、アライメントマークにより正確な位置合わせで基板
を貼り合わせた半導体圧力センサが得られるという効果
を奏する。
る発明は、第１のシリコン基板と、この第１のシリコン
基板の表面に貼り合わされ、表面に拡散抵抗、拡散配線
などのデバイスが形成された第２のシリコン基板と、上
記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコン基板
の裏面との間に介在すると共に、真空室及びアライメン
トマークを形成する界面絶縁膜と、上記アライメントマ
ークに対応した位置の第２のシリコン基板に形成された
アライメントマーク観察窓と、上記第２のシリコン基板
の表面に形成され、上記デバイス及びアライメントマー
ク観察窓を保護するシリコン酸化膜とを備えたので、平
坦かつ均一な厚さでしかも薄いダイヤフラムが簡単に得
られ、小型で高精度な半導体圧力センサが得られると共
に、アライメントマークにより正確な位置合わせで基板
を貼り合わせた半導体圧力センサが得られるという効果
を奏する。
【００３３】請求項第２項に係る発明は、第１のシリコ
ン基板の表面に真空室となる凹部を形成する工程と、こ
の第１のシリコン基板の表面と第２のシリコン基板の裏
面とを上記凹部を囲むように界面絶縁膜を介して貼り合
わせる工程と、上記第２のシリコン基板の表面を所定の
ダイヤフラム厚に加工する工程と、上記凹部の端部に隣
接した位置の第２のシリコン基板に開口部を形成して上
記界面絶縁膜を露出させる工程と、この露出した界面絶
縁膜をエッチングすることにより上記凹部を開放させる
工程と、減圧中で成膜することにより上記開口部を閉塞
すると共に、上記凹部を真空室とする工程と、上記第２
のシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程
と、及び、このシリコン酸化膜をマスク、保護膜とし
て、上記第２のシリコン基板に拡散抵抗、拡散配線など
のデバイスを形成する工程とを含むので、平坦かつ均一
な厚さでしかも薄いダイヤフラムが簡単に得られ、小型
で高精度な半導体圧力センサを製造することができると
いう効果を奏する。
ン基板の表面に真空室となる凹部を形成する工程と、こ
の第１のシリコン基板の表面と第２のシリコン基板の裏
面とを上記凹部を囲むように界面絶縁膜を介して貼り合
わせる工程と、上記第２のシリコン基板の表面を所定の
ダイヤフラム厚に加工する工程と、上記凹部の端部に隣
接した位置の第２のシリコン基板に開口部を形成して上
記界面絶縁膜を露出させる工程と、この露出した界面絶
縁膜をエッチングすることにより上記凹部を開放させる
工程と、減圧中で成膜することにより上記開口部を閉塞
すると共に、上記凹部を真空室とする工程と、上記第２
のシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する工程
と、及び、このシリコン酸化膜をマスク、保護膜とし
て、上記第２のシリコン基板に拡散抵抗、拡散配線など
のデバイスを形成する工程とを含むので、平坦かつ均一
な厚さでしかも薄いダイヤフラムが簡単に得られ、小型
で高精度な半導体圧力センサを製造することができると
いう効果を奏する。
【００３４】請求項第３項に係る発明は、第２のシリコ
ン基板の裏面にアライメントマーク観察窓を形成する工
程と、第１のシリコン基板の表面に真空室となる凹部を
形成する工程と、上記第１のシリコン基板の表面に真空
室の位置を認識するアライメントマークを形成する工程
と、上記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコ
ン基板の裏面とを界面絶縁膜を介して減圧中で貼り合わ
せ、上記凹部を真空室とする工程と、上記第２のシリコ
ン基板の表面を、アライメントマーク観察窓を開口し、
アライメントマークが認識でき、かつ、所定のダイヤフ
ラム厚となるように加工する工程と、上記真空室の上部
の位置に合わせて拡散抵抗、拡散配線、金属電極、表面
保護膜などのデバイスを上記第２のシリコン基板の表面
に形成する工程とを含むので、平坦かつ均一な厚さでし
かも薄いダイヤフラムが簡単に得られ、小型で高精度な
半導体圧力センサが得られると共に、アライメントマー
クにより正確な位置合わせで基板を貼り合わせた半導体
圧力センサを製造することができるという効果を奏す
る。
ン基板の裏面にアライメントマーク観察窓を形成する工
程と、第１のシリコン基板の表面に真空室となる凹部を
形成する工程と、上記第１のシリコン基板の表面に真空
室の位置を認識するアライメントマークを形成する工程
と、上記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコ
ン基板の裏面とを界面絶縁膜を介して減圧中で貼り合わ
せ、上記凹部を真空室とする工程と、上記第２のシリコ
ン基板の表面を、アライメントマーク観察窓を開口し、
アライメントマークが認識でき、かつ、所定のダイヤフ
ラム厚となるように加工する工程と、上記真空室の上部
の位置に合わせて拡散抵抗、拡散配線、金属電極、表面
保護膜などのデバイスを上記第２のシリコン基板の表面
に形成する工程とを含むので、平坦かつ均一な厚さでし
かも薄いダイヤフラムが簡単に得られ、小型で高精度な
半導体圧力センサが得られると共に、アライメントマー
クにより正確な位置合わせで基板を貼り合わせた半導体
圧力センサを製造することができるという効果を奏す
る。
【図１】 この発明の実施例１による半導体圧力センサ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 図１に示した半導体圧力センサのＡ−Ａ線に
沿った側面断面図である。
沿った側面断面図である。
【図３】 第２のシリコン基板を示す側面断面図であ
る。
る。
【図４】 第２のシリコン基板の裏面に界面絶縁膜を形
成した状態を示す側面断面図である。
成した状態を示す側面断面図である。
【図５】 第１のシリコン基板を示す側面断面図であ
る。
る。
【図６】 第１のシリコン基板の表面にエッチングマス
クを形成した状態を示す側面断面図である。
クを形成した状態を示す側面断面図である。
【図７】 第１のシリコン基板に凹部を形成した状態を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図８】 第１のシリコン基板と第２のシリコン基板と
を界面絶縁膜を介して貼り合わせた状態を示す側面断面
図である。
を界面絶縁膜を介して貼り合わせた状態を示す側面断面
図である。
【図９】 図８に示した第２のシリコン基板の表面を所
定の厚さとなるように加工した状態を示す側面断面図で
ある。
定の厚さとなるように加工した状態を示す側面断面図で
ある。
【図１０】 図９に示した第２のシリコン基板にエッチ
ング開口部を形成した状態を示す側面断面図である。
ング開口部を形成した状態を示す側面断面図である。
【図１１】 図１０に示したエッチング開口部からから
等方性エッチングを行って界面絶縁膜をサイドエッチン
グした状態を示す側面断面図である。
等方性エッチングを行って界面絶縁膜をサイドエッチン
グした状態を示す側面断面図である。
【図１２】 図１１に示したエッチング開口部に真空室
蓋を形成した状態を示す側面断面図である。
蓋を形成した状態を示す側面断面図である。
【図１３】 第２のシリコン基板表面にデバイスを形成
した状態を示す側面断面図である。
した状態を示す側面断面図である。
【図１４】 第１のシリコン基板の凹部に界面絶縁膜を
形成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
形成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図１５】 第２のシリコン基板の表面にガラスコート
を形成すると共に、２層構造の界面絶縁膜を形成した半
導体圧力センサを示す側面断面図である。
を形成すると共に、２層構造の界面絶縁膜を形成した半
導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図１６】 ２層構造の界面絶縁膜を形成した半導体圧
力センサを示す側面断面図である。
力センサを示す側面断面図である。
【図１７】 第１のシリコン基板の凹部に界面絶縁膜を
形成し、第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形
成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
形成し、第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形
成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図１８】 第２のシリコン基板の表面にガラスコート
を形成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
を形成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図１９】 この発明の実施例２による半導体圧力セン
サを示す平面図である。
サを示す平面図である。
【図２０】 第２のシリコン基板を示す側面断面図であ
る。
る。
【図２１】 第２のシリコン基板の裏面にエッチングマ
スクを形成した状態を示す側面断面図である。
スクを形成した状態を示す側面断面図である。
【図２２】 第２のシリコン基板にアライメントマーク
観察窓を形成した状態を示す側面断面図である。
観察窓を形成した状態を示す側面断面図である。
【図２３】 第１のシリコン基板を示す側面断面図であ
る。
る。
【図２４】 第１のシリコン基板の表面に界面絶縁膜を
形成した状態を示す側面断面図である。
形成した状態を示す側面断面図である。
【図２５】 第１のシリコン基板と第２のシリコン基板
とを貼り合わせた状態を示す側面断面図である。
とを貼り合わせた状態を示す側面断面図である。
【図２６】 第２のシリコン基板の表面を所定の厚さに
加工した状態を示す側面断面図である。
加工した状態を示す側面断面図である。
【図２７】 第１のシリコン基板に凹部を形成した半導
体圧力センサを示す側面断面図である。
体圧力センサを示す側面断面図である。
【図２８】 第１のシリコン基板に凹部を形成し、第１
のシリコン基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜を
介して貼り合わせた半導体圧力センサを示す側面断面図
である。
のシリコン基板と第２のシリコン基板とを界面絶縁膜を
介して貼り合わせた半導体圧力センサを示す側面断面図
である。
【図２９】 第１のシリコン基板に凹部を形成し、第１
のシリコン基板と第２のシリコン基板とを２層構造の界
面絶縁膜を介して貼り合わせた半導体圧力センサを示す
側面断面図である。
のシリコン基板と第２のシリコン基板とを２層構造の界
面絶縁膜を介して貼り合わせた半導体圧力センサを示す
側面断面図である。
【図３０】 真空室上部を除いた第２のシリコン基板の
表面にガラスコートを形成した半導体圧力センサを示す
側面断面図である。
表面にガラスコートを形成した半導体圧力センサを示す
側面断面図である。
【図３１】 真空室上部を除いた第２のシリコン基板の
表面にガラスコートを形成し、第１のシリコン基板と第
２のシリコン基板とを界面絶縁膜を介して貼り合わせた
半導体圧力センサを示す側面断面図である。
表面にガラスコートを形成し、第１のシリコン基板と第
２のシリコン基板とを界面絶縁膜を介して貼り合わせた
半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図３２】 真空室上部を除いた第２のシリコン基板の
表面にガラスコートを形成し、第１のシリコン基板と第
２のシリコン基板とを２層構造の界面絶縁膜を介して貼
り合わせた半導体圧力センサを示す側面断面図である。
表面にガラスコートを形成し、第１のシリコン基板と第
２のシリコン基板とを２層構造の界面絶縁膜を介して貼
り合わせた半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図３３】 界面絶縁膜で形成した真空室上部を除いた
第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形成した半
導体圧力センサを示す側面断面図である。
第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形成した半
導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図３４】 ２層のうちの１層の界面絶縁膜で形成した
真空室上部を除いた第２のシリコン基板の表面にガラス
コートを形成した半導体圧力センサを示す側面断面図で
ある。
真空室上部を除いた第２のシリコン基板の表面にガラス
コートを形成した半導体圧力センサを示す側面断面図で
ある。
【図３５】 ２層のうちの１層の界面絶縁膜で真空室を
形成し、第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形
成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
形成し、第２のシリコン基板の表面にガラスコートを形
成した半導体圧力センサを示す側面断面図である。
【図３６】 第１のシリコン基板と第２のシリコン基板
との間に多数の真空室を形成した状態を示す側面断面図
である。
との間に多数の真空室を形成した状態を示す側面断面図
である。
【図３７】 従来の半導体圧力センサを示す平面図であ
る。
る。
【図３８】 図３７に示した半導体圧力センサのＢ−Ｂ
線に沿った側面断面図である。
線に沿った側面断面図である。
【図３９】 第２のシリコン基板を示す側面断面図であ
る。
る。
【図４０】 第２のシリコン基板の表面にデバイスを形
成した状態を示す側面断面図である。
成した状態を示す側面断面図である。
【図４１】 図４０のデバイス表面にガラスコートを形
成した状態を示す側面断面図である。
成した状態を示す側面断面図である。
【図４２】 図４１に示した第２のシリコン基板の裏面
にエッチングマスクを形成した状態を示す側面断面図で
ある。
にエッチングマスクを形成した状態を示す側面断面図で
ある。
１ ゲージ抵抗、２ 拡散配線、２Ａ 拡散抵抗、３
エッジ部、４ 金属電極、５ エッチング開口部、６
真空室蓋、７ ダイヤフラム、８ 界面絶縁膜、８Ａ
界面絶縁膜、８Ｂ 界面絶縁膜、９ シリコン酸化膜、
１０ ガラスコート、１１ 第２のシリコン基板、１２
第１のシリコン基板、１２Ａ 凹部、１３ エッチン
グマスク、１４ 真空室、１４ａ 凹部、２０ アライ
メントマーク観察窓、２１ アライメントマーク。
エッジ部、４ 金属電極、５ エッチング開口部、６
真空室蓋、７ ダイヤフラム、８ 界面絶縁膜、８Ａ
界面絶縁膜、８Ｂ 界面絶縁膜、９ シリコン酸化膜、
１０ ガラスコート、１１ 第２のシリコン基板、１２
第１のシリコン基板、１２Ａ 凹部、１３ エッチン
グマスク、１４ 真空室、１４ａ 凹部、２０ アライ
メントマーク観察窓、２１ アライメントマーク。
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のシリコン基板と、 この第１のシリコン基板の表面に貼り合わされ、表面に
拡散抵抗、拡散配線などのデバイスが形成された第２の
シリコン基板と、 上記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコン基
板の裏面との間に介在すると共に、真空室及びアライメ
ントマークを形成する界面絶縁膜と、 上記アライメントマークに対応した位置の第２のシリコ
ン基板に形成されたアライメントマーク観察窓と、 上記第２のシリコン基板の表面に形成され、上記デバイ
ス及びアライメントマーク観察窓を保護するシリコン酸
化膜とを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 第１のシリコン基板の表面に真空室とな
る凹部を形成する工程と、 この第１のシリコン基板の表面と第２のシリコン基板の
裏面とを上記凹部を囲むように界面絶縁膜を介して貼り
合わせる工程と、 上記第２のシリコン基板の表面を所定のダイヤフラム厚
に加工する工程と、 上記凹部の端部に隣接した位置の第２のシリコン基板に
開口部を形成して上記界面絶縁膜を露出させる工程と、 この露出した界面絶縁膜をエッチングすることにより上
記凹部を開放させる工程と、 減圧中で成膜することにより上記開口部を閉塞すると共
に、上記凹部を真空室とする工程と、 上記第２のシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成
する工程と、及び このシリコン酸化膜をマスク、保護膜として、上記第２
のシリコン基板に拡散抵抗、拡散配線などのデバイスを
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体圧力セン
サの製造方法。 - 【請求項３】 第２のシリコン基板の裏面にアライメン
トマーク観察窓を形成する工程と、 第１のシリコン基板の表面に真空室となる凹部を形成す
る工程と、 上記第１のシリコン基板の表面に真空室の位置を認識す
るアライメントマークを形成する工程と、 上記第１のシリコン基板の表面と上記第２のシリコン基
板の裏面とを界面絶縁膜を介して減圧中で貼り合わせ、
上記凹部を真空室とする工程と、 上記第２のシリコン基板の表面を、アライメントマーク
観察窓を開口し、アライメントマークが認識でき、か
つ、所定のダイヤフラム厚となるように加工する工程
と、 上記真空室の上部の位置に合わせて拡散抵抗、拡散配
線、金属電極、表面保護膜などのデバイスを上記第２の
シリコン基板の表面に形成する工程とを含むことを特徴
とする半導体圧力センサの製造方法。
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