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JP2701780B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JP2701780B2
JP2701780B2 JP7073110A JP7311095A JP2701780B2 JP 2701780 B2 JP2701780 B2 JP 2701780B2 JP 7073110 A JP7073110 A JP 7073110A JP 7311095 A JP7311095 A JP 7311095A JP 2701780 B2 JP2701780 B2 JP 2701780B2
Authority
JP
Japan
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input
signal
buffer
circuit
output
Prior art date
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Application number
JP7073110A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH08271586A (en
Inventor
真吾 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7073110A priority Critical patent/JP2701780B2/en
Publication of JPH08271586A publication Critical patent/JPH08271586A/en
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に電圧比較回路を用いた高速入力バッファを備えて構
成される半導体集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a high-speed input buffer using a voltage comparison circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の、この種の半導体集積回路におけ
る入力バッファの回路図を図3(a)および(b)に示
す。図3(a)に示される従来例に含まれる入力バッフ
ァは、基準電圧端子57、入力端子58および出力端子
59に対応して、電圧比較回路9および基準電圧源10
により構成されており、入力端子58より入力される入
力信号の電位が、基準電圧端子57より入力される基準
電圧の電位よりも高い場合には、出力端子59からは
“H”レベルの信号が出力され、また、入力端子58よ
り入力される入力信号の電位が、基準電圧端子57より
入力される基準電圧の電位よりも低い場合には、出力端
子59からは“L”レベルの信号が出力されて、それぞ
れ当該半導体集積回路に含まれる内部回路(図示されな
い)に入力される。この場合に、半導体集積回路の高速
化とともに、当該入力バッファに対しても高速化が要求
されており、この高速化に伴ない、入力バッファに対す
る入力信号の電圧レベルは低レベルに抑制されている。
2. Description of the Related Art FIGS. 3A and 3B are circuit diagrams of a conventional input buffer in a semiconductor integrated circuit of this kind. The input buffer included in the conventional example shown in FIG. 3A includes a voltage comparison circuit 9 and a reference voltage source 10 corresponding to a reference voltage terminal 57, an input terminal 58, and an output terminal 59.
When the potential of the input signal input from the input terminal 58 is higher than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 57, the output terminal 59 outputs an “H” level signal. When the potential of the input signal output and input from the input terminal 58 is lower than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 57, an “L” level signal is output from the output terminal 59. Then, each is input to an internal circuit (not shown) included in the semiconductor integrated circuit. In this case, as the speed of the semiconductor integrated circuit increases, the speed of the input buffer is also required to be higher. With the increase in the speed, the voltage level of the input signal to the input buffer is suppressed to a low level. .

【0003】この低レベルの小振幅の入力信号を処理す
るために、入力バッファとしては、図4(a)に示され
るように、差動入力回路を用いた電圧比較回路を備えて
構成されており、当該電圧比較回路9は、基準電圧端子
57、入力端子58、出力端子59、電源端子60およ
び接地端子61に対応して、定電流源13、PMOSト
ランジスタ14、15およびNMOSトランジスタ1
6、17を含む差動入力回路と、定電流源18、NMO
Sトランジスタ20およびバッファ19を含む出力回路
とを備えて構成される。図4(a)においては、当該差
動入力回路には定電流源13が直列に接続されており、
動作時においては常時定電流源13に対応する定電流が
流れている。
In order to process this low-level, small-amplitude input signal, the input buffer is provided with a voltage comparison circuit using a differential input circuit, as shown in FIG. The voltage comparison circuit 9 includes a constant current source 13, PMOS transistors 14, 15 and an NMOS transistor 1 corresponding to a reference voltage terminal 57, an input terminal 58, an output terminal 59, a power supply terminal 60, and a ground terminal 61.
6, a differential input circuit including a constant current source 18, an NMO
An output circuit including an S transistor 20 and a buffer 19 is provided. In FIG. 4A, a constant current source 13 is connected in series to the differential input circuit.
During operation, a constant current corresponding to the constant current source 13 always flows.

【0004】また、図3(b)に示される他の従来例に
おける入力バッファは、基準電圧端子62、入力端子6
3、パワーセーブ端子64および出力端子65に対応し
て、電圧比較回路11および基準電圧源12により構成
されており、電圧比較回路11に対しては、パワーセー
ブ端子64が接続されている。正常動作状態において
は、前述の従来例における入力バッファの場合と同様
に、入力端子63より入力される入力信号の電位が、基
準電圧端子62より入力される基準電圧の電位よりも高
い場合には、出力端子65からは“H”レベルの信号が
出力され、また、入力端子63より入力される入力信号
の電位が、基準電圧端子62より入力される基準電圧の
電位よりも低い場合には、出力端子65からは“L”レ
ベルの信号が出力されて、半導体集積回路の内部回路に
入力されている。なお、本従来例においては、消費電流
抑制を目的として、非動作時においては、パワーセーブ
端子64より入力される制御信号により、当該電圧比較
回路11における定電流源による電流が遮断されるよう
に回路構成されている。
An input buffer according to another conventional example shown in FIG. 3B includes a reference voltage terminal 62 and an input terminal 6.
3. A voltage comparison circuit 11 and a reference voltage source 12 are provided corresponding to the power save terminal 64 and the output terminal 65. The power save terminal 64 is connected to the voltage comparison circuit 11. In the normal operation state, as in the case of the input buffer in the above-described conventional example, when the potential of the input signal input from the input terminal 63 is higher than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 62, When an "H" level signal is output from the output terminal 65 and the potential of the input signal input from the input terminal 63 is lower than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 62, An “L” level signal is output from the output terminal 65 and input to the internal circuit of the semiconductor integrated circuit. In this conventional example, for the purpose of suppressing current consumption, the current by the constant current source in the voltage comparison circuit 11 is cut off by the control signal input from the power save terminal 64 when the operation is not performed. The circuit is configured.

【0005】本従来例においても、入力バッファの高速
化に伴ない、入力バッファに対する入力信号の電圧レベ
ルは低レベルに抑制されており、小振幅の入力信号を処
理するために、本従来例における入力バッファとして
は、図4(b)に示されるように、パワーセーブ端子6
4を有する差動入力回路を用いた電圧比較回路として構
成されており、当該電圧比較回路11は、基準電圧端子
62、入力端子63、パワーセーブ端子64、出力端子
65、電源端子66および接地端子67に対応して、定
電流源21、PMOSトランジスタ22〜24およびN
MOSトランジスタ25、26を含む差動入力回路と、
定電流源27、PMOSトランジスタ28、NMOSト
ランジスタ29およびバッファ30を含む出力回路とを
備えて構成される。図4(b)に示されるように、差動
入力回路および出力回路には、それぞれ電流経路を遮断
する機能を有するPMOSトランジスタ22および28
が設けられており、パワーセーブ端子64より入力され
る制御信号により、そのオン・オフが制御されている。
これにより、一時的に、これらの差動入力回路および出
力回路における定常電流を停止させることが可能とな
る。但し、定常電流をストップした場合には、入力バッ
ファとしての機能も停止される。
In this prior art, the voltage level of the input signal to the input buffer is suppressed to a low level as the speed of the input buffer is increased. As an input buffer, as shown in FIG.
The voltage comparison circuit 11 is configured as a voltage comparison circuit using a differential input circuit including a reference voltage terminal 62, an input terminal 63, a power save terminal 64, an output terminal 65, a power supply terminal 66, and a ground terminal. 67, constant current source 21, PMOS transistors 22 to 24 and N
A differential input circuit including MOS transistors 25 and 26;
An output circuit including a constant current source 27, a PMOS transistor 28, an NMOS transistor 29, and a buffer 30 is provided. As shown in FIG. 4B, the differential input circuit and the output circuit respectively include PMOS transistors 22 and 28 each having a function of interrupting a current path.
And its on / off is controlled by a control signal input from a power save terminal 64.
This makes it possible to temporarily stop the steady-state current in these differential input circuits and output circuits. However, when the steady current is stopped, the function as the input buffer is also stopped.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】一般に、半導体集積回
路の集積度の飛躍的な向上に伴ない、回路規模が数百万
ゲートにも及ぶ大規模半導体集積回路の場合には、当該
半導体集積回路の不良検出を行うためには極めて大きな
テストパターンが必要となる。例えば、ゲート数がn倍
の規模になると、そのテストパターンとしてはn2 倍の
規模のものが必要になると云われている。
In general, in a large-scale semiconductor integrated circuit having a circuit scale of several million gates with a dramatic improvement in the degree of integration of the semiconductor integrated circuit, An extremely large test pattern is required to detect the failure of the test. For example, it is said that when the number of gates becomes n times larger, the test pattern needs to be n 2 times larger.

【0007】その中で、CMOSタイプの半導体集積回
路の場合には、定電流源などにより意図的に電流を流さ
ない限り、静的には殆ど電源電流が半導体集積回路内に
流入しない。一般には、その際の静的電流は数μA程度
である。しかしながら、製造上の不具合により半導体集
積回路内に欠陥が生じると、当該半導体集積回路内に電
流が流入するようになる。従って、半導体集積回路にお
ける静的電流を測定することにより、当該半導体集積回
路の製造上の不具合を発見することができる。その際、
半導体集積回路に対する入力信号の形態を種々に変化さ
せて、これにより半導体集積回路内に異なる内部動作状
態を作りだし、複数回にわたり静的電流を測定すること
により、上述のような大きいテストパターンを用いるこ
となく、半導体集積回路内の不具合を検出することが可
能となる。
Among them, in the case of a CMOS type semiconductor integrated circuit, almost no power supply current statically flows into the semiconductor integrated circuit unless a current is intentionally supplied by a constant current source or the like. Generally, the static current at that time is about several μA. However, when a defect occurs in the semiconductor integrated circuit due to a manufacturing defect, a current flows into the semiconductor integrated circuit. Therefore, by measuring the static current in the semiconductor integrated circuit, it is possible to find a manufacturing defect of the semiconductor integrated circuit. that time,
Using a large test pattern as described above by changing the form of the input signal to the semiconductor integrated circuit in various ways, thereby creating different internal operating states in the semiconductor integrated circuit and measuring the static current several times Without this, it is possible to detect a defect in the semiconductor integrated circuit.

【0008】このような半導体集積回路における不具合
検出の実情に対して、上述した従来の電圧比較回路を用
いた高速入力バッファを含む半導体集積回路において
は、当該入力バッファの電圧比較回路内に定電流源が設
けられており、動作時においては定常的に電流が流れて
おり、その電流値は数mA程度である。この入力バッフ
ァを含む従来の半導体集積回路の静的電流を測定して、
当該半導体集積回路の不合具検出のための試験を行う場
合には、前記定電流源による定常電流分だけ電流の規格
を緩和することが必要となる。即ち、静的電流測定時に
は、本来は数μA程度であるべき電流規格が上述のよう
に数mA程度とならざるを得ず、微小な不具合を検出す
ることができなくなるという欠点がある。
[0008] In order to deal with the situation of detecting a defect in such a semiconductor integrated circuit, in a semiconductor integrated circuit including a high-speed input buffer using the above-described conventional voltage comparison circuit, a constant current is included in the voltage comparison circuit of the input buffer. A source is provided, and a current constantly flows during operation, and the current value is about several mA. By measuring the static current of the conventional semiconductor integrated circuit including this input buffer,
When performing a test for detecting a malfunction of the semiconductor integrated circuit, it is necessary to relax the standard of the current by the steady current by the constant current source. That is, at the time of measuring the static current, the current standard, which should be about several μA, must be about several mA as described above, and there is a disadvantage that a minute defect cannot be detected.

【0009】また、パワーセーブ端子を設けて、定常電
流を停止することができる電圧比較回路を用いた入力バ
ッファを含む半導体集積回路の場合には、パワーセーブ
端子に入力される制御信号により、前記電圧比較回路に
流れる定常電流が流れないようにすることはできるが、
その場合には、当該電圧比較回路が動作しない状態とな
っており、入力信号の形態を変化させて半導体集積回路
内の内部回路に異なる内部動作状態を作りだして静的電
流を測定することが不可能となって、半導体集積回路内
の不具合を検出することができないという欠点がある。
Further, in the case of a semiconductor integrated circuit including an input buffer using a voltage comparison circuit capable of stopping a steady current by providing a power save terminal, the control signal input to the power save terminal causes Although it is possible to prevent the steady current flowing through the voltage comparison circuit from flowing,
In this case, the voltage comparison circuit is in a non-operational state, and it is not possible to measure the static current by changing the form of the input signal to create a different internal operation state in the internal circuit in the semiconductor integrated circuit. This makes it possible to detect a defect in the semiconductor integrated circuit.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、外部からの入力信号の電圧と所定の基準電圧とを比
較して“H”レベルまたは“L”レベルの信号を出力す
る動作機能を有し、所定のテスト制御信号により動作機
能のオン・オフを制御される電圧比較回路と、前記外部
からの入力信号に対する入力バッファとして機能する補
助入力バッファと前記テスト制御信号のレベルを反転し
て出力するインバータと、前記電圧比較回路の出力信号
を入力し、前記インバータの出力信号により動作機能の
オン・オフを制御されて、動作機能オンの時点におい
て、入力される前記出力信号を所定の内部回路に出力す
るように機能する第1の3ステートバッファと、前記補
助入力バッファの出力信号を入力し、前記テスト制御信
号により動作機能のオン・オフを制御されて、動作機能
オンの時点において、入力される前記出力信号を前記内
部回路に出力するように機能する第2の3ステートバッ
ファと、を少なくとも備えて構成される入力バッファ
を、入力回路手段として備えることを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor integrated circuit according to the present invention has an operation function of comparing a voltage of an external input signal with a predetermined reference voltage and outputting an "H" level or "L" level signal. A voltage comparison circuit whose operation function is controlled on / off by a predetermined test control signal, an auxiliary input buffer functioning as an input buffer for the external input signal, and a level of the test control signal. And an output signal of the voltage comparison circuit, and the output signal of the inverter controls the on / off of the operation function. A first three-state buffer that functions to output to an internal circuit; and an output signal of the auxiliary input buffer. And a second three-state buffer functioning to output the input output signal to the internal circuit when the operation function is turned on. , As input circuit means.

【0011】なお、前記補助入力バッファは、ソースが
電源側に接続され、ゲートが入力側に接続されて、ドレ
インが出力側に接続されるPMOSトランジスタと、ド
レインが前記出力側に接続され、ゲートが前記入力側に
接続されて、ソースが低電位側に接続されるNMOSト
ランジスタとを備えるCMOSレベル入力バッファとし
て構成してもよい。
The auxiliary input buffer includes a PMOS transistor having a source connected to the power supply side, a gate connected to the input side, and a drain connected to the output side; a drain connected to the output side; May be configured as a CMOS level input buffer including an NMOS transistor connected to the input side and having a source connected to the low potential side.

【0012】[0012]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】図1は本発明の一実施例に含まれる入力バ
ッファの構成を示すブロック図である。図1に示される
ように、本実施例における入力バッファは、基準電圧端
子51、入力端子52、テスト制御端子53および出力
端子54に対応して、電圧比較回路1と、CMOSレベ
ル入力バッファ2と、3ステートバッファ3および5
と、インバータ4と、基準電圧源6とを備えて構成され
る。なお、本実施例における入力バッファの電圧比較回
路1は、前述の図4(b)に示される電圧比較回路と同
様に構成される。また、図2は、CMOSレベル入力バ
ッファ2の内部構成例を示す回路図であり、入力端子5
5および出力端子56に対応して、PMOSトランジス
タ7およびNMOSトランジスタ8により構成される。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an input buffer included in an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the input buffer according to the present embodiment includes a voltage comparison circuit 1 and a CMOS level input buffer 2 corresponding to a reference voltage terminal 51, an input terminal 52, a test control terminal 53, and an output terminal 54. , 3-state buffers 3 and 5
, An inverter 4 and a reference voltage source 6. The voltage comparison circuit 1 of the input buffer according to the present embodiment is configured in the same manner as the voltage comparison circuit shown in FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the internal configuration of the CMOS level input buffer 2.
5 and an output terminal 56, and are constituted by a PMOS transistor 7 and an NMOS transistor 8.

【0014】図1において、テスト制御端子53より入
力される制御信号が“L”レベルで入力される場合に
は、電圧比較回路1に含まれる定電流源が稼働状態とな
り、入力端子52より入力される入力信号の電位は、基
準電圧端子51より入力される基準電源6より印加され
る基準電圧の電位と比較される。入力端子52より入力
される入力信号の電位が、基準電圧端子51より入力さ
れる基準電圧の電位よりも高い場合には、電圧比較回路
1からは“H”レベルの信号が出力され、また、入力端
子52より入力される入力信号の電位が、基準電圧端子
51より入力される基準電圧の電位よりも低い場合に
は、電圧比較回路1からは“L”レベルの信号が出力さ
れて、それぞれ3ステートバッファ3に入力される。3
ステートバッファ3は、テスト制御端子53より入力さ
れる“L”レベルの制御信号が、インバータ4により反
転されて“H”レベルの制御信号として入力されてお
り、オンの状態となっている。従って、電圧比較回路1
の“H”レベルまたは“L”レベルの出力信号は、当該
3ステートバッファ3を経由して出力端子54に出力さ
れ、半導体集積回路の内部回路(図示されない)に入力
される。また、前記入力信号はCMOSレベル入力バッ
ファ2にも入力されており、当該CMOSレベル入力バ
ッファ2を介して3ステートバッファ5に入力されてい
る。しかしながら、3ステートバッファ5の制御端子に
は、テスト制御端子53に入力される“L”レベルの制
御信号が入力されており、当該3ステートバッファ5は
オフの状態となっているため、前記入力信号が出力端子
54に出力されることはない。
In FIG. 1, when the control signal input from the test control terminal 53 is input at the “L” level, the constant current source included in the voltage comparison circuit 1 is activated, and the input from the input terminal 52 is input. The potential of the input signal is compared with the potential of the reference voltage applied from the reference power supply 6 input from the reference voltage terminal 51. When the potential of the input signal input from the input terminal 52 is higher than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 51, the voltage comparison circuit 1 outputs an "H" level signal. When the potential of the input signal input from the input terminal 52 is lower than the potential of the reference voltage input from the reference voltage terminal 51, an “L” level signal is output from the voltage comparison circuit 1, Input to the three-state buffer 3. 3
The state buffer 3 is turned on because the “L” level control signal input from the test control terminal 53 is inverted by the inverter 4 and input as an “H” level control signal. Therefore, the voltage comparison circuit 1
The output signal of “H” level or “L” level is output to the output terminal 54 via the three-state buffer 3 and is input to an internal circuit (not shown) of the semiconductor integrated circuit. The input signal is also input to the CMOS level input buffer 2, and is input to the three-state buffer 5 via the CMOS level input buffer 2. However, the control terminal of the three-state buffer 5 receives an “L” level control signal input to the test control terminal 53, and the three-state buffer 5 is in an off state. No signal is output to the output terminal 54.

【0015】また、テスト制御端子53に“H”レベル
の制御信号が入力される場合には、電圧比較回路1にお
いては定電流源による電流がオフとなり、3ステートバ
ッファ3もオフの状態となる。従って、この場合には入
力端子52より入力される入力信号の電位は、基準電圧
端子51より入力される基準電源6より印加される基準
電圧の電位と比較されることはなく、3ステートバッフ
ァ3からも信号は出力されない。一方、3ステートバッ
ファ5はオンの状態となり、入力端子52より入力され
る入力信号は、CMOSレベル入力バッファ2および3
ステートバッファ5を経由して出力端子54に出力さ
れ、半導体集積回路の内部回路(図示されない)に入力
される。
When a "H" level control signal is input to the test control terminal 53, the current from the constant current source is turned off in the voltage comparison circuit 1, and the three-state buffer 3 is also turned off. . Therefore, in this case, the potential of the input signal input from the input terminal 52 is not compared with the potential of the reference voltage applied from the reference power supply 6 input from the reference voltage terminal 51, and the three-state buffer 3 No signal is output. On the other hand, the 3-state buffer 5 is turned on, and the input signal input from the input terminal 52 is applied to the CMOS level input buffers 2 and 3.
The signal is output to the output terminal 54 via the state buffer 5 and is input to an internal circuit (not shown) of the semiconductor integrated circuit.

【0016】本実施例における入力バッファの正常動作
時においては、テスト制御端子53に入力される制御信
号は“L”レベルに設定されており、電圧比較回路1を
含む入力バッファは、小振幅の入力信号に対応する高速
入力バッファとして機能するように設定される。また、
本実施例における入力バッファのテスト時においては、
テスト制御端子53に入力される制御信号は“H”レベ
ルに設定されて、電圧比較回路1に流れる電流が遮断さ
れ、CMOSレベル入力バッファ2による入力バッファ
として機能するようになる。しかも、このCMOSレベ
ル入力バッファ2は、図2に示されるように構成されて
おり、その静的電流が流れないような回路構成となって
いる。従って、半導体集積回路の不具合を検出するため
に、半導体集積回路の内部状態を変えて静的電流を測定
する際には、テスト制御信号を“H”レベルに設定して
当該入力バッファの電圧比較回路の電流を零にしながら
も、入力バッファ自体は、CMOSレベル入力バッファ
2による入力バッファとして動作させることが可能とな
り、このCMOSレベル入力バッファ2を介して半導体
集積回路内部の不具合検出の測定を行うことができる。
これにより、静的電流の測定時には電圧比較回路1の電
流を零にし、且つ静的電流の流れないCMOSレベル入
力バッファ2を介することにより、入力バッファの正常
動作時における余分の電流を排除して、より精度の高い
電流測定を行うことができる。
In the normal operation of the input buffer according to the present embodiment, the control signal input to the test control terminal 53 is set at the "L" level, and the input buffer including the voltage comparison circuit 1 has a small amplitude. It is set to function as a high-speed input buffer corresponding to an input signal. Also,
In testing the input buffer in this embodiment,
The control signal input to the test control terminal 53 is set to “H” level, the current flowing through the voltage comparison circuit 1 is cut off, and the CMOS level input buffer 2 functions as an input buffer. Moreover, the CMOS level input buffer 2 is configured as shown in FIG. 2, and has a circuit configuration in which the static current does not flow. Therefore, when the static current is measured by changing the internal state of the semiconductor integrated circuit in order to detect a defect of the semiconductor integrated circuit, the test control signal is set to “H” level and the voltage of the input buffer is compared. The input buffer itself can be operated as an input buffer by the CMOS level input buffer 2 while the current of the circuit is reduced to zero. Through this CMOS level input buffer 2, measurement of a failure detection inside the semiconductor integrated circuit is performed. be able to.
Thus, when measuring the static current, the current of the voltage comparison circuit 1 is set to zero, and the extra current during the normal operation of the input buffer is eliminated through the CMOS level input buffer 2 through which the static current does not flow. Thus, more accurate current measurement can be performed.

【0017】なお、本実施例の正常動作時と静的電流測
定時においては、それぞれ入力信号レベルが異なっては
いるが、半導体集積回路を試験する際に用いられる半導
体検査装置においては、自由に試験用の信号レベルを設
定することができるので、上記の静的電流測定による試
験には支障がない。
Although the input signal level is different between the normal operation and the static current measurement of the present embodiment, the semiconductor inspection apparatus used for testing the semiconductor integrated circuit is free to use any signal level. Since the signal level for the test can be set, there is no problem in the test based on the static current measurement described above.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電圧比
較回路を用いた入力バッファを含む半導体集積回路に適
用されて、当該半導体集積回路内部の不具合検出に際し
て、前記入力バッファに流れる余分の電流を排除するこ
とにより、前記不具合検出のための静的電流測定精度を
向上させることができるという効果がある。
As described above, the present invention is applied to a semiconductor integrated circuit including an input buffer using a voltage comparison circuit, and when detecting a defect inside the semiconductor integrated circuit, an extra current flowing through the input buffer is detected. Eliminating the current has the effect of improving the static current measurement accuracy for detecting the failure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例における入力バッファの構成
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an input buffer according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例におけるCMOSレベル入力バッファ
の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a CMOS level input buffer in the present embodiment.

【図3】従来例における入力バッファの構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an input buffer in a conventional example.

【図4】電圧比較回路例の構成を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration of a voltage comparison circuit example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、9、11 電圧比較回路 2 CMOSレベル入力バッファ 3、5 3ステートバッファ 4 インバータ 6、10、12 基準電圧源 7 PMOSトランジスタ 8 NMOSトランジスタ 13、18、21、27 定電流源 14、15、22〜24、28 PMOSトランジス
タ 16、17、20、25、26、29 NMOSトラ
ンジスタ
1, 9, 11 Voltage comparison circuit 2 CMOS level input buffer 3, 5, 3-state buffer 4 Inverter 6, 10, 12 Reference voltage source 7 PMOS transistor 8 NMOS transistor 13, 18, 21, 27 Constant current source 14, 15, 22 ~ 24,28 PMOS transistor 16,17,20,25,26,29 NMOS transistor

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 外部からの入力信号の電圧と所定の基準
電圧とを比較して“H”レベルまたは“L”レベルの信
号を出力する動作機能を有し、所定のテスト制御信号に
より動作機能のオン・オフを制御される電圧比較回路
と、 前記外部からの入力信号に対する入力バッファとして機
能する補助入力バッファと前記テスト制御信号のレベル
を反転して出力するインバータと、 前記電圧比較回路の出力信号を入力し、前記インバータ
の出力信号により動作機能のオン・オフを制御されて、
動作機能オンの時点において、入力される前記出力信号
を所定の内部回路に出力するように機能する第1の3ス
テートバッファと、 前記補助入力バッファの出力信号を入力し、前記テスト
制御信号により動作機能のオン・オフを制御されて、動
作機能オンの時点において、入力される前記出力信号を
前記内部回路に出力するように機能する第2の3ステー
トバッファと、 を少なくとも備えて構成される入力バッファを、入力回
路手段として備えることを特徴とする半導体集積回路。
An operation function of comparing a voltage of an external input signal with a predetermined reference voltage and outputting an "H" level or an "L" level signal, and operating by a predetermined test control signal A voltage comparison circuit that controls the on / off of the voltage control circuit; an auxiliary input buffer that functions as an input buffer for the external input signal; an inverter that inverts and outputs the level of the test control signal; and an output of the voltage comparison circuit. A signal is input, and on / off of an operation function is controlled by an output signal of the inverter,
A first three-state buffer functioning to output the input output signal to a predetermined internal circuit when the operation function is turned on; an output signal of the auxiliary input buffer being input and operating by the test control signal A second three-state buffer that controls on / off of a function and outputs the input output signal to the internal circuit when the operation function is on. A semiconductor integrated circuit comprising a buffer as input circuit means.
【請求項2】 前記補助入力バッファが、ソースが電源
側に接続され、ゲートが入力側に接続されて、ドレイン
が出力側に接続されるPMOSトランジスタと、ドレイ
ンが前記出力側に接続され、ゲートが前記入力側に接続
されて、ソースが低電位側に接続されるNMOSトラン
ジスタとを備えるCMOSレベル入力バッファとして構
成されることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回
路。
2. A PMOS transistor having a source connected to the power supply side, a gate connected to the input side, and a drain connected to the output side; a drain connected to the output side; 2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit is configured as a CMOS level input buffer including: an NMOS transistor connected to the input side and a source connected to the low potential side.
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