JP2778405B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半
導体を用いた発光素子に係り、特に順方向電圧（Ｖｆ）
が低く、さらに発光出力が高い窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子に関する。
導体を用いた発光素子に係り、特に順方向電圧（Ｖｆ）
が低く、さらに発光出力が高い窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパントをドープした高抵抗なｉ型の
窒化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるＭＩＳ
構造の青色発光ダイオードが知られている。
ＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移
を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変
化するため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発
光素子の材料として有望視されている。現在、この材料
を用いた発光素子には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導
体の上に、ｐ型ドーパントをドープした高抵抗なｉ型の
窒化ガリウム系化合物半導体を積層したいわゆるＭＩＳ
構造の青色発光ダイオードが知られている。
【０００３】ＭＩＳ構造の発光素子は、一般に発光出力
が非常に低く、実用化するには未だ不十分であった。高
抵抗なｉ型を低抵抗なｐ型とし、発光出力を向上させた
ｐ−ｎ接合の発光素子を実現するための技術として、例
えば特開平３−２１８３２５号公報において、ｉ型窒化
ガリウム系化合物半導体層に電子線照射する技術が開示
されている。また、我々は、特願平３−３５７０４６号
でｉ型窒化ガリウム系化合物半導体層を４００℃以上で
アニーリングすることにより低抵抗なｐ型とする技術を
提案した。
が非常に低く、実用化するには未だ不十分であった。高
抵抗なｉ型を低抵抗なｐ型とし、発光出力を向上させた
ｐ−ｎ接合の発光素子を実現するための技術として、例
えば特開平３−２１８３２５号公報において、ｉ型窒化
ガリウム系化合物半導体層に電子線照射する技術が開示
されている。また、我々は、特願平３−３５７０４６号
でｉ型窒化ガリウム系化合物半導体層を４００℃以上で
アニーリングすることにより低抵抗なｐ型とする技術を
提案した。
【０００４】ｐ−ｎ接合の窒化ガリウム系化合物半導体
を利用した発光素子として、例えば特開平４−２４２９
８５号公報において、ダブルへテロ構造のレーザー素子
が提案されており、また特開平４−２０９５７７号公報
ではＩｎＧａＡｌＮを発光層とするダブルへテロ構造の
発光ダイオードが提案されている。
を利用した発光素子として、例えば特開平４−２４２９
８５号公報において、ダブルへテロ構造のレーザー素子
が提案されており、また特開平４−２０９５７７号公報
ではＩｎＧａＡｌＮを発光層とするダブルへテロ構造の
発光ダイオードが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ｐ−ｎ接合の半導体発
光素子は、ホモ構造よりもダブルへテロ構造の方が発光
出力が大きく、またレーザー素子は少なくともへテロ構
造でなければ実現できないことは知られている。しかし
ながら、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子を実現した場合、用いられる窒化ガリウム系
化合物半導体の種類、組成比等の要因により、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の結晶性が著しく異なってくるので
発光出力に大きな差が現れる。極端な場合には全く発光
を示さない素子ができてしまうのが現実である。しか
も、実際に電極を設けて素子構造とした場合、窒化ガリ
ウム系化合物半導体のｐ型結晶と、そのｐ型結晶に形成
する電極とがオーミック接触していないため、定められ
た順方向電流に対し、順方向電圧（Ｖｆ）が高くなり、
発光効率が低下するという問題がある。このため、未だ
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、ヘテロ構造
の発光ダイオードは製品化されておらず、レーザー素子
に至っては発振さえしていないのが実状である。
光素子は、ホモ構造よりもダブルへテロ構造の方が発光
出力が大きく、またレーザー素子は少なくともへテロ構
造でなければ実現できないことは知られている。しかし
ながら、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子を実現した場合、用いられる窒化ガリウム系
化合物半導体の種類、組成比等の要因により、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の結晶性が著しく異なってくるので
発光出力に大きな差が現れる。極端な場合には全く発光
を示さない素子ができてしまうのが現実である。しか
も、実際に電極を設けて素子構造とした場合、窒化ガリ
ウム系化合物半導体のｐ型結晶と、そのｐ型結晶に形成
する電極とがオーミック接触していないため、定められ
た順方向電流に対し、順方向電圧（Ｖｆ）が高くなり、
発光効率が低下するという問題がある。このため、未だ
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、ヘテロ構造
の発光ダイオードは製品化されておらず、レーザー素子
に至っては発振さえしていないのが実状である。
【０００６】従って、本発明の第１の目的は、ｐ型結晶
とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導
体の構造を提供することによりＶｆを低下させ、発光効
率を向上させることにある。また、第２の目的はその窒
化ガリウム系化合物半導体を用いて、新規なダブルヘテ
ロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素
子の発光出力を向上させることにある。
とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導
体の構造を提供することによりＶｆを低下させ、発光効
率を向上させることにある。また、第２の目的はその窒
化ガリウム系化合物半導体を用いて、新規なダブルヘテ
ロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素
子の発光出力を向上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は、特定のｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体の上に積層したｐ型窒化ガリウ
ムに電極を形成することにより、電極とｐ型窒化ガリウ
ム層とのオーミック接触が得られ、発光効率が向上する
ことを新たに見いだした。さらにそのｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層を用いた発光素子を特定のダブルヘテ
ロ構造とし、ダブルヘテロ構造を構成する窒化ガリウム
系化合物半導体の種類を限定することにより、最も結晶
性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を積層した素子
が得られ、発光出力が向上することを見いだした。即
ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、
ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮ（但し、Xは０＜X＜０．５）クラッド
層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドー
プされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴
とし、さらに特定のダブルヘテロ構造の発光素子は、ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、ｎ型Ｇａ1-Y
ＡｌYＮクラッド層（但し、Yは０＜Y＜１）と、ｎ型Ｉ
ｎZＧａ1-ZＮ活性層（但し、Zは０＜Z＜１）と、前記ｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層と、前記ｐ型ＧａＮコンタ
クト層とが積層されていることを特徴とする。
ガリウム系化合物半導体の上に積層したｐ型窒化ガリウ
ムに電極を形成することにより、電極とｐ型窒化ガリウ
ム層とのオーミック接触が得られ、発光効率が向上する
ことを新たに見いだした。さらにそのｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体層を用いた発光素子を特定のダブルヘテ
ロ構造とし、ダブルヘテロ構造を構成する窒化ガリウム
系化合物半導体の種類を限定することにより、最も結晶
性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を積層した素子
が得られ、発光出力が向上することを見いだした。即
ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、
ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮ（但し、Xは０＜X＜０．５）クラッド
層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドー
プされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴
とし、さらに特定のダブルヘテロ構造の発光素子は、ｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、ｎ型Ｇａ1-Y
ＡｌYＮクラッド層（但し、Yは０＜Y＜１）と、ｎ型Ｉ
ｎZＧａ1-ZＮ活性層（但し、Zは０＜Z＜１）と、前記ｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層と、前記ｐ型ＧａＮコンタ
クト層とが積層されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光
素子の構造を示す断面図を図１に示す。下から順に、基
板１の上に、バッファ層２と、ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層３と、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４（０
＜Y＜１）と、ｎ型ＩｎZＧａ 1-ZＮ（０＜Z＜１）活性層
５と、Ｍｇドープｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮ（０＜X＜０．
５）クラッド層６と、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト
層７とが順に積層された構造を有する。なお、８はＭｇ
ドープｐ型ＧａＮコンタクト層７に設けられた電極、９
はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３に設けられた電
極である。基板１にはサファイア、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ等が使用される。バッファ層２にはＡｌＮ、ＧａＮ、
ＧａＡｌＮ等が使用される。
素子の構造を示す断面図を図１に示す。下から順に、基
板１の上に、バッファ層２と、ｎ型窒化ガリウム系化合
物半導体層３と、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４（０
＜Y＜１）と、ｎ型ＩｎZＧａ 1-ZＮ（０＜Z＜１）活性層
５と、Ｍｇドープｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮ（０＜X＜０．
５）クラッド層６と、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト
層７とが順に積層された構造を有する。なお、８はＭｇ
ドープｐ型ＧａＮコンタクト層７に設けられた電極、９
はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３に設けられた電
極である。基板１にはサファイア、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉ等が使用される。バッファ層２にはＡｌＮ、ＧａＮ、
ＧａＡｌＮ等が使用される。
【０００９】前記、窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３の種
類は特に限定するものなく、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、Ｉｎ
ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等、ノンドープ（無添加）の窒
化ガリウム系化合物半導体、またはノンドープの窒化ガ
リウム系化合物半導体に、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すよう
に成長した層を用いることができる。
子において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３の種
類は特に限定するものなく、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、Ｉｎ
ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等、ノンドープ（無添加）の窒
化ガリウム系化合物半導体、またはノンドープの窒化ガ
リウム系化合物半導体に、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓ
ｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すよう
に成長した層を用いることができる。
【００１０】次に、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４
は、その組成をＩｎを含まない三元混晶の窒化ガリウム
アルミニウムとする必要がある。なぜなら、ｎ型Ｇａ
1-YＡｌYＮクラッド層４に新たにインジウムを含有させ
ると、クラッド層４の結晶性が悪くなり、発光出力が低
下するからである。また、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド
層のY値を０＜Y＜１の範囲とすることにより、ｎ型クラ
ッド層として作用し好ましいダブルヘテロ構造とするこ
とができる。さらに好ましくは、Y値を０．５以下とす
ることにより格子欠陥が少なく結晶性のよいｎ型クラッ
ド層４が得られる。ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４に
は、前記したように、ノンドープのＧａ1-YＡｌYＮ、ま
たはｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように
成長したＧａ1-YＡｌYＮを用いることができる。
は、その組成をＩｎを含まない三元混晶の窒化ガリウム
アルミニウムとする必要がある。なぜなら、ｎ型Ｇａ
1-YＡｌYＮクラッド層４に新たにインジウムを含有させ
ると、クラッド層４の結晶性が悪くなり、発光出力が低
下するからである。また、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド
層のY値を０＜Y＜１の範囲とすることにより、ｎ型クラ
ッド層として作用し好ましいダブルヘテロ構造とするこ
とができる。さらに好ましくは、Y値を０．５以下とす
ることにより格子欠陥が少なく結晶性のよいｎ型クラッ
ド層４が得られる。ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４に
は、前記したように、ノンドープのＧａ1-YＡｌYＮ、ま
たはｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように
成長したＧａ1-YＡｌYＮを用いることができる。
【００１１】次に、ｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層５は、そ
の組成をＡｌを含まない三元混晶の窒化インジウムガリ
ウムとする必要がある。なぜなら、活性層は発光層であ
り、この発光層にＡｌを含有させると深い準位の発光が
現れ、ＩｎＧａＮのバンド間発光を阻害する傾向にある
ため、活性層として使用することは好ましくない。ｎ型
ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層５は、そのZ値を０＜Z＜１の範囲
にすることにより、発光波長を紫色から赤色にまで変換
させることができるため、非常に有利である。ｎ型Ｉｎ
ZＧａ1-ZＮ活性層は、前記したように、ノンドープのＩ
ｎZＧａ1-ZＮ層、またはｎ型ドーパントをドープしてｎ
型特性を示すように成長したＩｎZＧａ1-Z層が使用でき
る。また、発光中心としてＭｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃ
ａ等のｐ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すよう
に成長したＩｎZＧａ1-ZＮ層を使用することもできる。
さらにｎ型ドーパント、およびｐ型ドーパントをドープ
してｎ型特性を示すように成長したＩｎZＧａ1-Z層も使
用できる。これらのドーパントをドープしてｎ型とする
ことにより、発光色の色純度をよくし、発光出力を向上
させることができる。
の組成をＡｌを含まない三元混晶の窒化インジウムガリ
ウムとする必要がある。なぜなら、活性層は発光層であ
り、この発光層にＡｌを含有させると深い準位の発光が
現れ、ＩｎＧａＮのバンド間発光を阻害する傾向にある
ため、活性層として使用することは好ましくない。ｎ型
ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層５は、そのZ値を０＜Z＜１の範囲
にすることにより、発光波長を紫色から赤色にまで変換
させることができるため、非常に有利である。ｎ型Ｉｎ
ZＧａ1-ZＮ活性層は、前記したように、ノンドープのＩ
ｎZＧａ1-ZＮ層、またはｎ型ドーパントをドープしてｎ
型特性を示すように成長したＩｎZＧａ1-Z層が使用でき
る。また、発光中心としてＭｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｃ
ａ等のｐ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すよう
に成長したＩｎZＧａ1-ZＮ層を使用することもできる。
さらにｎ型ドーパント、およびｐ型ドーパントをドープ
してｎ型特性を示すように成長したＩｎZＧａ1-Z層も使
用できる。これらのドーパントをドープしてｎ型とする
ことにより、発光色の色純度をよくし、発光出力を向上
させることができる。
【００１２】次に、Ｍｇドープｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラ
ッド層６は、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４と同じ
く、その組成をＩｎを含まない三元混晶の窒化ガリウム
アルミニウムとする必要がある。なぜなら、前記したよ
うにインジウムを含有させることにより、ｐ型クラッド
層６の結晶性が悪くなり、ｐ型特性を示しにくくなるか
らである。また、ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６のX
値は０＜X＜０．５の範囲にする必要がある。０より大
きくすることにより、ｐ型クラッド層として作用し好ま
しいダブルヘテロ構造とすることができ、０．５より小
さくすることにより格子欠陥が少なく結晶性のよいｐ型
クラッド層６が得られる。逆に０．５以上であると、ｐ
型クラッド層６の上に積層するｐ型ＧａＮコンタクト層
７の結晶性が悪くなり、コンタクト層７と電極８とのオ
ーミック接触が得られないため、０．５未満を限定値と
した。またさらに、このＭｇドープｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮ
クラッド層６の膜厚は、１０オングストローム以上、
０．２μｍ以下の範囲にすることが好ましい。１０オン
グストロームより薄いと、その下に積層するｎ型ＩｎZ
Ｇａ1-ZＮ活性層５と電気的に短絡しやすくなり、クラ
ッド層として作用しにくい。逆に０．２μｍよりも厚い
と結晶にクラックが入りやすくなり結晶性が悪くなる傾
向にある。さらに、このｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層
において、重要なことはｐ型ドーパントをＭｇとして、
このＭｇによりｐ型特性を得ていることである。このＭ
ｇのかわりに他のｐ型ドーパント、例えばＺｎ、Ｃｄ、
Ｂｅ、Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープするとｐ型特性
が得られにくくなり、発光出力が低下する傾向にある。
ッド層６は、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層４と同じ
く、その組成をＩｎを含まない三元混晶の窒化ガリウム
アルミニウムとする必要がある。なぜなら、前記したよ
うにインジウムを含有させることにより、ｐ型クラッド
層６の結晶性が悪くなり、ｐ型特性を示しにくくなるか
らである。また、ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６のX
値は０＜X＜０．５の範囲にする必要がある。０より大
きくすることにより、ｐ型クラッド層として作用し好ま
しいダブルヘテロ構造とすることができ、０．５より小
さくすることにより格子欠陥が少なく結晶性のよいｐ型
クラッド層６が得られる。逆に０．５以上であると、ｐ
型クラッド層６の上に積層するｐ型ＧａＮコンタクト層
７の結晶性が悪くなり、コンタクト層７と電極８とのオ
ーミック接触が得られないため、０．５未満を限定値と
した。またさらに、このＭｇドープｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮ
クラッド層６の膜厚は、１０オングストローム以上、
０．２μｍ以下の範囲にすることが好ましい。１０オン
グストロームより薄いと、その下に積層するｎ型ＩｎZ
Ｇａ1-ZＮ活性層５と電気的に短絡しやすくなり、クラ
ッド層として作用しにくい。逆に０．２μｍよりも厚い
と結晶にクラックが入りやすくなり結晶性が悪くなる傾
向にある。さらに、このｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層
において、重要なことはｐ型ドーパントをＭｇとして、
このＭｇによりｐ型特性を得ていることである。このＭ
ｇのかわりに他のｐ型ドーパント、例えばＺｎ、Ｃｄ、
Ｂｅ、Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープするとｐ型特性
が得られにくくなり、発光出力が低下する傾向にある。
【００１３】次に、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層
７は、その組成をＩｎ、Ａｌを含まない二元混晶の窒化
ガリウムとする必要がある。なぜなら、インジウム、ア
ルミニウムを含有させることにより、電極８とオーミッ
ク接触が得られにくくなり、発光効率が低下するからで
ある。特に、そのｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚は１０
オングストローム以上、０．５μｍ以下に調整すること
が好ましい。１０オングストロームよりも薄いと、ｐ型
ＧａＡｌＮクラッド層６と電気的に短絡しやすくなり、
コンタクト層として作用しにくい。また、三元混晶のＧ
ａＡｌＮクラッド層６の上に、組成の異なる二元混晶の
ＧａＮコンタクト層を積層するため、逆にその膜厚を
０．５μｍよりも厚くすると、結晶間のミスフィットに
よる格子欠陥がＧａＮコンタクト層７中に発生しやす
く、結晶性が低下する傾向にある。なお、コンタクト層
７の膜厚は薄いほどＶｆを低下させ発光効率を向上させ
ることができる。また、このｐ型ＧａＮコンタクト層７
のｐ型ドーパントはＭｇである必要がある。Ｍｇのかわ
りに他のｐ型ドーパントをドープするとｐ型特性が得ら
れにくくなる傾向にあり、またオーミック接触が得られ
にくい傾向にある。
７は、その組成をＩｎ、Ａｌを含まない二元混晶の窒化
ガリウムとする必要がある。なぜなら、インジウム、ア
ルミニウムを含有させることにより、電極８とオーミッ
ク接触が得られにくくなり、発光効率が低下するからで
ある。特に、そのｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚は１０
オングストローム以上、０．５μｍ以下に調整すること
が好ましい。１０オングストロームよりも薄いと、ｐ型
ＧａＡｌＮクラッド層６と電気的に短絡しやすくなり、
コンタクト層として作用しにくい。また、三元混晶のＧ
ａＡｌＮクラッド層６の上に、組成の異なる二元混晶の
ＧａＮコンタクト層を積層するため、逆にその膜厚を
０．５μｍよりも厚くすると、結晶間のミスフィットに
よる格子欠陥がＧａＮコンタクト層７中に発生しやす
く、結晶性が低下する傾向にある。なお、コンタクト層
７の膜厚は薄いほどＶｆを低下させ発光効率を向上させ
ることができる。また、このｐ型ＧａＮコンタクト層７
のｐ型ドーパントはＭｇである必要がある。Ｍｇのかわ
りに他のｐ型ドーパントをドープするとｐ型特性が得ら
れにくくなる傾向にあり、またオーミック接触が得られ
にくい傾向にある。
【００１４】また、ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６、
ｐ型ＧａＮ層をさらに低抵抗化する手段として、上記し
た特願平３−３５７０４６号に開示する４００℃以上の
アニーリング処理を行ってもよい。アニーリングを行う
とｐ型クラッド層、およびｐ型コンタクト層、両方が抵
抗化し、発光出力をより向上させることができる。
ｐ型ＧａＮ層をさらに低抵抗化する手段として、上記し
た特願平３−３５７０４６号に開示する４００℃以上の
アニーリング処理を行ってもよい。アニーリングを行う
とｐ型クラッド層、およびｐ型コンタクト層、両方が抵
抗化し、発光出力をより向上させることができる。
【００１５】
【作用】ｐ−ｎ接合を用いたダブルへテロ構造の窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇドープｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６の上に、Ｍｇドープｐ型
ＧａＮコンタクト層７を形成し、そのＧａＮコンタクト
層の上に電極８を形成することによりオーミック接触が
得られ、発光効率が向上する。詳しい原理は不明である
が、我々がそれらの層のホールキャリア濃度を測定した
結果、ｐ型Ｇａ1- XＡｌXＮ層はおよそ１０16／cm3であ
り、ｐ型ＧａＮ層はおよそ１０17／cm3と一桁高かっ
た。つまり、ホールキャリア濃度の大きい層の方に電極
を形成する方がオーミック接触が得られやすいのではな
いかと推察する。また、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６の
上に組成の異なるｐ型ＧａＮコンタクト層７を形成する
ことにより、ｐ型ＧａＮ層にミスフィットによる格子欠
陥が生じやすくなり、結晶性が低下する。ミスフィット
を少なくするには、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６のＡｌ
混晶比は少ない方がよい。従って、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層７の結晶性がよく、電極８とオーミックコンタクト
が得られる限界値、即ち、X値０．５未満を限定値とし
た。
リウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇドープｐ
型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層６の上に、Ｍｇドープｐ型
ＧａＮコンタクト層７を形成し、そのＧａＮコンタクト
層の上に電極８を形成することによりオーミック接触が
得られ、発光効率が向上する。詳しい原理は不明である
が、我々がそれらの層のホールキャリア濃度を測定した
結果、ｐ型Ｇａ1- XＡｌXＮ層はおよそ１０16／cm3であ
り、ｐ型ＧａＮ層はおよそ１０17／cm3と一桁高かっ
た。つまり、ホールキャリア濃度の大きい層の方に電極
を形成する方がオーミック接触が得られやすいのではな
いかと推察する。また、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６の
上に組成の異なるｐ型ＧａＮコンタクト層７を形成する
ことにより、ｐ型ＧａＮ層にミスフィットによる格子欠
陥が生じやすくなり、結晶性が低下する。ミスフィット
を少なくするには、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６のＡｌ
混晶比は少ない方がよい。従って、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層７の結晶性がよく、電極８とオーミックコンタクト
が得られる限界値、即ち、X値０．５未満を限定値とし
た。
【００１６】
【実施例】以下有機金属気相成長法により、本発明の窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述
べる。
化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述
べる。
【００１７】［実施例１］サファイア基板１を反応容器
内に配置し、サファイア基板１のクリーニングを行った
後、成長温度を５１０℃にセットし、キャリアガスとし
て水素、原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮバッ
ファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
内に配置し、サファイア基板１のクリーニングを行った
後、成長温度を５１０℃にセットし、キャリアガスとし
て水素、原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮバッ
ファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
【００１８】バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、
温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス、ドーパ
ントガスにシランガスを用い、Ｓｉをドープしたｎ型Ｇ
ａＮ層３を４μｍ成長させる。
温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になった
ら、同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス、ドーパ
ントガスにシランガスを用い、Ｓｉをドープしたｎ型Ｇ
ａＮ層３を４μｍ成長させる。
【００１９】ｎ型ＧａＮ層３成長後、原料ガス、ドーパ
ントガスを止め、温度を８００℃にして、原料ガスとし
てＴＭＧとＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とアンモ
ニア、ドーパントガスとしてシランガスを用い、ｎ型ク
ラッド層４としてＳｉドープＧａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層を
０．１５μｍ成長させる。
ントガスを止め、温度を８００℃にして、原料ガスとし
てＴＭＧとＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とアンモ
ニア、ドーパントガスとしてシランガスを用い、ｎ型ク
ラッド層４としてＳｉドープＧａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層を
０．１５μｍ成長させる。
【００２０】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、
温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替
え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジ
ウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてシランガス
を用い、ｎ型活性層５としてＳｉドープＩｎ0.01Ｇａ0.
99Ｎ層を１００オングストローム成長させる。
温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替
え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジ
ウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてシランガス
を用い、ｎ型活性層５としてＳｉドープＩｎ0.01Ｇａ0.
99Ｎ層を１００オングストローム成長させる。
【００２１】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、
再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴ
ＭＧと、ＴＭＡと、アンモニア、ドーパントガスとして
Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを
用い、ｐ型クラッド層６として、Ｍｇをドープしたｐ型
Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層を０．１５μｍ成長させる。
再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴ
ＭＧと、ＴＭＡと、アンモニア、ドーパントガスとして
Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを
用い、ｐ型クラッド層６として、Ｍｇをドープしたｐ型
Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層を０．１５μｍ成長させる。
【００２２】次に、ＴＭＡのみ止めて、ｐ型コンタクト
層７として、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長
させる。
層７として、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長
させる。
【００２３】成長後、基板を反応容器から取り出し、ア
ニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００℃で２０分間
アニーリングを行い、ｐ型Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層、ｐ型
ＧａＮコンタクト層をさらに低抵抗化する。
ニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００℃で２０分間
アニーリングを行い、ｐ型Ｇａ0.86Ａｌ0.14Ｎ層、ｐ型
ＧａＮコンタクト層をさらに低抵抗化する。
【００２４】以上のようにして得られたウエハーを図１
に示すようにエッチングして、ｎ型ＧａＮ層３を露出さ
せ、ｐ型ＧａＮコンタクト層７にはＡｕよりなる電極
８、ｎ型ＧａＮ層３にはＡｌよりなる電極９を設け、５
００℃で再度アニーリングを行い電極と窒化ガリウム系
化合物半導体とをなじませる。後は、常法に従い５００
μｍ角のチップにカットした後、発光ダイオードとした
ところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは５Ｖ、発
光波長３７０ｎｍで発光出力は７００μＷ、発光効率
０．７％と優れた特性を示した。
に示すようにエッチングして、ｎ型ＧａＮ層３を露出さ
せ、ｐ型ＧａＮコンタクト層７にはＡｕよりなる電極
８、ｎ型ＧａＮ層３にはＡｌよりなる電極９を設け、５
００℃で再度アニーリングを行い電極と窒化ガリウム系
化合物半導体とをなじませる。後は、常法に従い５００
μｍ角のチップにカットした後、発光ダイオードとした
ところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは５Ｖ、発
光波長３７０ｎｍで発光出力は７００μＷ、発光効率
０．７％と優れた特性を示した。
【００２５】［実施例２］実施例１において、Ｍｇドー
プｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚を０．１μｍにする他
は実施例１と同様にして発光ダイオードを得たところ、
順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長、発光出力は同
一であったが、Ｖｆが４Ｖにまで下がり、発光効率が
０．８８％と向上した。
プｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚を０．１μｍにする他
は実施例１と同様にして発光ダイオードを得たところ、
順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長、発光出力は同
一であったが、Ｖｆが４Ｖにまで下がり、発光効率が
０．８８％と向上した。
【００２６】［実施例２］実施例１において、ｐ型Ｍｇ
ドープｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚を０．１μｍにす
る他は実施例１と同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長、発光出力
は同一であったが、Ｖｆが４Ｖにまで下がり、発光効率
が０．８８％と向上した。
ドープｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚を０．１μｍにす
る他は実施例１と同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、順方向電流２０ｍＡにおいて、発光波長、発光出力
は同一であったが、Ｖｆが４Ｖにまで下がり、発光効率
が０．８８％と向上した。
【００２７】［実施例３］実施例１において、ＴＭＡの
流量を多くして、ｐ型クラッド層６のＡｌ混晶比をＧａ
0.55Ａｌ0.45Ｎとする他は、同様にして発光ダイオード
を得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは６
Ｖとオーミック接触が得られているほぼ限界値を示し、
発光波長は同一で、発光出力は４００μＷ、発光効率
０．２％であった。
流量を多くして、ｐ型クラッド層６のＡｌ混晶比をＧａ
0.55Ａｌ0.45Ｎとする他は、同様にして発光ダイオード
を得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは６
Ｖとオーミック接触が得られているほぼ限界値を示し、
発光波長は同一で、発光出力は４００μＷ、発光効率
０．２％であった。
【００２８】［実施例４］実施例１において、ｎ型クラ
ッド層４を成長しない他は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、
Ｖｆは５Ｖであったが、発光出力は２００μＷ、発光効
率０．２％であった。
ッド層４を成長しない他は実施例１と同様にして発光ダ
イオードを得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、
Ｖｆは５Ｖであったが、発光出力は２００μＷ、発光効
率０．２％であった。
【００２９】［比較例１］実施例１において、ＴＭＡの
流量を多くして、ｐ型クラッド層６のＡｌ混晶比をＧａ
0.5Ａｌ0.5Ｎとする他は、同様にして発光ダイオードを
得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３０
Ｖにまで上昇しオーミック接触は得られていないことが
確認された。なお、この素子はＶｆが大きいため、すぐ
に発光しなくなった。
流量を多くして、ｐ型クラッド層６のＡｌ混晶比をＧａ
0.5Ａｌ0.5Ｎとする他は、同様にして発光ダイオードを
得たところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３０
Ｖにまで上昇しオーミック接触は得られていないことが
確認された。なお、この素子はＶｆが大きいため、すぐ
に発光しなくなった。
【００３０】［比較例２］実施例１において、ｐ型コン
タクト層７を形成せず、ｐ型クラッド層６に直接電極を
形成する他は、同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３０Ｖにまで
上昇し、オーミック接触が得られていないため、比較例
１と同様にすぐに発光しなくなった。
タクト層７を形成せず、ｐ型クラッド層６に直接電極を
形成する他は、同様にして発光ダイオードを得たとこ
ろ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３０Ｖにまで
上昇し、オーミック接触が得られていないため、比較例
１と同様にすぐに発光しなくなった。
【００３１】［比較例３］実施例１において、ｐ型クラ
ッド層６を成長する際、原料ガスに新たにＴＭＩを加
え、キャリアガスを窒素に切り替え、成長温度を８００
℃にしてＭｇドープｐ型Ｉｎ0.01Ａｌ0.14Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層を成長させる他は、同様にして発光ダイオード
を得たところ、順方向電流２０ｍＡ流すとすぐに発光し
なくなった。
ッド層６を成長する際、原料ガスに新たにＴＭＩを加
え、キャリアガスを窒素に切り替え、成長温度を８００
℃にしてＭｇドープｐ型Ｉｎ0.01Ａｌ0.14Ｇａ0.85Ｎク
ラッド層を成長させる他は、同様にして発光ダイオード
を得たところ、順方向電流２０ｍＡ流すとすぐに発光し
なくなった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッ
ド層の上に、コンタクト層としてｐ型ＧａＮ層を具備し
ているため、Ｖｆが低く発光効率に優れた素子とするこ
とができる。しかもｐ型ＧａＡｌＮ層のＡｌ混晶比を限
定することにより結晶性に優れた前記ｐ型クラッド層、
前記ｐ型コンタクト層を得ることができ、Ｖｆ低下に大
きく寄与している。
ウム系化合物半導体発光素子は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッ
ド層の上に、コンタクト層としてｐ型ＧａＮ層を具備し
ているため、Ｖｆが低く発光効率に優れた素子とするこ
とができる。しかもｐ型ＧａＡｌＮ層のＡｌ混晶比を限
定することにより結晶性に優れた前記ｐ型クラッド層、
前記ｐ型コンタクト層を得ることができ、Ｖｆ低下に大
きく寄与している。
【００３３】さらに、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、ｎ型ＩｎＧａＮ層を積
層し、前記ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層、前記ｐ型ＧａＮ
コンタクト層を積層することにより発光出力、発光効率
に優れた発光素子を実現でき、るため、未だ実現されて
いないレーザー素子の構造のヒントとして、その産業上
の利用価値は大きい。
層、ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、ｎ型ＩｎＧａＮ層を積
層し、前記ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層、前記ｐ型ＧａＮ
コンタクト層を積層することにより発光出力、発光効率
に優れた発光素子を実現でき、るため、未だ実現されて
いないレーザー素子の構造のヒントとして、その産業上
の利用価値は大きい。
【００３４】
【図１】 本発明の一実施例に係る発光素子の構造を示
す模式断面図。
す模式断面図。
１ ・・・・・サファイア基板 ２ ・・・・・ＧａＮバッファ層 ３ ・・・・・ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層 ４ ・・・・・ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層 ５ ・・・・・ｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層 ６ ・・・・・ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層 ７ ・・・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層 ８、９ ・・・電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (4)
- 【請求項１】 ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇが
ドープされたｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮ（但し、Xは０＜X＜
０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層と
して、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具
備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子。 - 【請求項２】 前記ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層の膜
厚は１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚は１
０オングストローム以上、０．５μｍ以下であることを
特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。 - 【請求項４】 ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上
に、ｎ型Ｇａ1-YＡｌYＮクラッド層（但し、Yは０＜Y＜
１）と、ｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ活性層（但し、Zは０＜Z＜
１）とが順に積層されており、そのｎ型ＩｎZＧａ1-ZＮ
活性層の上に、前記ｐ型Ｇａ1-XＡｌXＮクラッド層が積
層されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7904693A JP2778405B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7904693A JP2778405B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268259A JPH06268259A (ja) | 1994-09-22 |
| JP2778405B2 true JP2778405B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=13678969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7904693A Expired - Lifetime JP2778405B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778405B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296314A2 (en) | 2001-09-20 | 2003-03-26 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording carrier |
| US7012860B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-03-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7133331B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-11-07 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7177262B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| WO2007138656A1 (ja) | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2007138658A1 (ja) | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| EP2267194A2 (en) | 2003-02-24 | 2010-12-29 | Waseda University | Thin-film single crystal growing method |
| US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9130068B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-08 | Manutius Ip, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US9490392B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Toshiba Corporation | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US9617656B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-04-11 | Toshiba Corporation | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6005258A (en) | 1994-03-22 | 1999-12-21 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities |
| DE69503299T2 (de) * | 1994-04-20 | 1999-01-21 | Akasaki, Isamu, Nagoya, Aichi | Galliumnitrid-Diodenlaser und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6136626A (en) * | 1994-06-09 | 2000-10-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| JP3121617B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2001-01-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP2666237B2 (ja) * | 1994-09-20 | 1997-10-22 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物半導体発光素子 |
| JP3254931B2 (ja) * | 1994-10-17 | 2002-02-12 | 松下電器産業株式会社 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| JP2890392B2 (ja) * | 1994-11-02 | 1999-05-10 | 日亜化学工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体発光素子 |
| US6900465B2 (en) | 1994-12-02 | 2005-05-31 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor light-emitting device |
| US5777350A (en) | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
| JPH08167735A (ja) * | 1994-12-12 | 1996-06-25 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
| EP0742622A3 (en) * | 1995-03-27 | 1997-02-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Laser diode |
| JP3561057B2 (ja) * | 1995-10-27 | 2004-09-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| KR100267839B1 (ko) | 1995-11-06 | 2000-10-16 | 오가와 에이지 | 질화물 반도체 장치 |
| US6165812A (en) * | 1996-01-19 | 2000-12-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound semiconductor |
| EP1017113B1 (en) * | 1997-01-09 | 2012-08-22 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US6677619B1 (en) | 1997-01-09 | 2004-01-13 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| US6069021A (en) * | 1997-05-14 | 2000-05-30 | Showa Denko K.K. | Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer |
| US6841800B2 (en) | 1997-12-26 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device comprising a gallium-nitride-group compound-semiconductor |
| JP3589000B2 (ja) | 1997-12-26 | 2004-11-17 | 松下電器産業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6194744B1 (en) | 1998-03-17 | 2001-02-27 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer |
| JPH11340505A (ja) | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2000036616A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6657236B1 (en) * | 1999-12-03 | 2003-12-02 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements |
| US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
| JP3726252B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2005-12-14 | 独立行政法人理化学研究所 | 紫外発光素子およびＩｎＡｌＧａＮ発光層の製造方法 |
| JP3618076B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2005-02-09 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法 |
| JP2002100803A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法 |
| JP2003173543A (ja) | 2001-09-26 | 2003-06-20 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体及び情報記録担体の再生方法及び情報記録担体の再生装置 |
| JP3758562B2 (ja) * | 2001-11-27 | 2006-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体多色発光素子 |
| US6881983B2 (en) | 2002-02-25 | 2005-04-19 | Kopin Corporation | Efficient light emitting diodes and lasers |
| US6911079B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-06-28 | Kopin Corporation | Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors |
| US6734091B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-05-11 | Kopin Corporation | Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors |
| WO2003107444A2 (en) | 2002-06-17 | 2003-12-24 | Kopin Corporation | Light-emitting diode device geometry |
| US7002180B2 (en) | 2002-06-28 | 2006-02-21 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device |
| US6955985B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-10-18 | Kopin Corporation | Domain epitaxy for thin film growth |
| US7122841B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-10-17 | Kopin Corporation | Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices |
| JP2004006970A (ja) * | 2003-07-31 | 2004-01-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| WO2005043635A1 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device having pn-junction type hetero structure and forming method thereof |
| JP2009021424A (ja) | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Opnext Japan Inc | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2009177219A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-08-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系半導体素子の製造方法 |
| CN105655456B (zh) * | 2016-04-08 | 2017-12-08 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种外延增加led光取出效率的底部粗化生长方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235999B2 (ja) * | 1974-08-26 | 1977-09-12 | ||
| JPS609355B2 (ja) * | 1975-08-30 | 1985-03-09 | 富士通株式会社 | 半導体発光装置の製法 |
| JPS5493380A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Fujitsu Ltd | Semiconductor light emitting device |
| JPH06101587B2 (ja) † | 1989-03-01 | 1994-12-12 | 日本電信電話株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2681094B2 (ja) † | 1990-02-28 | 1997-11-19 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP3193981B2 (ja) † | 1990-02-28 | 2001-07-30 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP3160914B2 (ja) † | 1990-12-26 | 2001-04-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード |
| JP2791448B2 (ja) † | 1991-04-19 | 1998-08-27 | 日亜化学工業 株式会社 | 発光ダイオード |
| JPH0529653A (ja) † | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
| JP3251046B2 (ja) † | 1992-03-03 | 2002-01-28 | シャープ株式会社 | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2681733B2 (ja) † | 1992-10-29 | 1997-11-26 | 豊田合成株式会社 | 窒素−３族元素化合物半導体発光素子 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP7904693A patent/JP2778405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＪＡＮ．Ｊ．ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ，ＶＯＬ．３２ （１９９３），ＰＰ．Ｌ８−Ｌ１１，ＰＡＲＴ２ |
Cited By (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7903509B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-03-08 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7133331B2 (en) | 2000-12-28 | 2006-11-07 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7729211B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-06-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US8238205B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-08-07 | JVC Kenwood Corporation | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7729210B2 (en) | 2000-12-28 | 2010-06-01 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7907483B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-03-15 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7961564B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-06-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7457207B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-11-25 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US7411873B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-08-12 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| US8228767B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-07-24 | JVC Kenwood Corporation | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
| EP2117000A1 (en) | 2001-09-20 | 2009-11-11 | Victor Company of Japan Limited | Information recording carrier |
| EP1296314A2 (en) | 2001-09-20 | 2003-03-26 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording carrier |
| US7391678B2 (en) | 2001-10-15 | 2008-06-24 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7400559B2 (en) | 2001-10-15 | 2008-07-15 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7012860B2 (en) | 2001-10-15 | 2006-03-14 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7957230B2 (en) | 2001-10-15 | 2011-06-07 | Victor Company Of Japan, Ltd | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7391681B2 (en) | 2001-10-15 | 2008-06-24 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7391679B2 (en) | 2001-10-15 | 2008-06-24 | Victor Company Of Japan Ltd. | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7193938B2 (en) | 2001-10-15 | 2007-03-20 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7675839B2 (en) | 2001-10-15 | 2010-03-09 | Victor Compay of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7688688B2 (en) | 2001-10-15 | 2010-03-30 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7688707B2 (en) | 2001-10-15 | 2010-03-30 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7706232B2 (en) | 2001-10-15 | 2010-04-27 | Victor Company Of Japan, Limited | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US7170830B2 (en) | 2001-10-15 | 2007-01-30 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Information recording medium having a wobbling groove structure |
| US8179773B2 (en) | 2002-04-19 | 2012-05-15 | JVC Kenwood Corporation | Optical recording medium having auxiliary information and reference clock |
| US7336595B2 (en) | 2002-04-19 | 2008-02-26 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| US7177262B2 (en) | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| US7668072B2 (en) | 2002-04-19 | 2010-02-23 | Victor Company Of Japan, Limited | Producing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| US7656781B2 (en) | 2002-04-19 | 2010-02-02 | Victor Company Of Japan, Limited | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| US7907504B2 (en) | 2002-04-19 | 2011-03-15 | Victor Company Of Japan Limited | Optical recording medium having auxiliary information and reference clock |
| US7349324B2 (en) | 2002-04-19 | 2008-03-25 | Victor Company Of Japan, Limited | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
| US8189451B2 (en) | 2002-04-19 | 2012-05-29 | JVC Kenwood Corporation | Optical recording medium having auxiliary information and reference clock |
| EP2267194A2 (en) | 2003-02-24 | 2010-12-29 | Waseda University | Thin-film single crystal growing method |
| EP2273569A2 (en) | 2003-02-24 | 2011-01-12 | Waseda University | Beta-Ga203 light-emitting device and its manufacturing method |
| US8053756B2 (en) | 2006-05-26 | 2011-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting element |
| WO2007138658A1 (ja) | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| WO2007138656A1 (ja) | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体発光素子 |
| US8664747B2 (en) | 2008-04-28 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding |
| US9142742B2 (en) | 2009-06-10 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8536601B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-09-17 | Toshiba Techno Center, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8546832B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Thin-film LED with p and n contacts electrically isolated from the substrate |
| US8871539B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| US8525221B2 (en) | 2009-11-25 | 2013-09-03 | Toshiba Techno Center, Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US9012953B2 (en) | 2009-11-25 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED with improved injection efficiency |
| US8684749B2 (en) | 2009-11-25 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | LED with improved injection efficiency |
| US8395165B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-12 | Bridelux, Inc. | Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer |
| US10174439B2 (en) | 2011-07-25 | 2019-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
| US9617656B2 (en) | 2011-07-25 | 2017-04-11 | Toshiba Corporation | Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow |
| US8916906B2 (en) | 2011-07-29 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon |
| US9012939B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers |
| US9343641B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-05-17 | Manutius Ip, Inc. | Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process |
| US8865565B2 (en) | 2011-08-02 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate |
| US9142743B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes |
| US9159869B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer |
| US9070833B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8564010B2 (en) | 2011-08-04 | 2013-10-22 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed current blocking structures for light emitting diodes |
| US8624482B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8981410B1 (en) | 2011-09-01 | 2015-03-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
| US8994064B2 (en) | 2011-09-03 | 2015-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer |
| US9018643B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-04-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8558247B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Toshiba Techno Center Inc. | GaN LEDs with improved area and method for making the same |
| US8686430B2 (en) | 2011-09-07 | 2014-04-01 | Toshiba Techno Center Inc. | Buffer layer for GaN-on-Si LED |
| US9130068B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-08 | Manutius Ip, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
| US9490392B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-11-08 | Toshiba Corporation | P-type doping layers for use with light emitting devices |
| US9123853B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-09-01 | Manutius Ip, Inc. | Series connected segmented LED |
| US8581267B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-11-12 | Toshiba Techno Center Inc. | Series connected segmented LED |
| US9391234B2 (en) | 2011-11-09 | 2016-07-12 | Toshiba Corporation | Series connected segmented LED |
| US8552465B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-10-08 | Toshiba Techno Center Inc. | Method for reducing stress in epitaxial growth |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06268259A (ja) | 1994-09-22 |
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| JP2560964B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
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