JP2768021B2 - 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のチップ電
極と外部リードとを接続するために使用される半導体装
置用ボンディングワイヤおよびその製造方法に関するも
のである。
極と外部リードとを接続するために使用される半導体装
置用ボンディングワイヤおよびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、ＩＣチップ（半導体素
子）が組み込まれた半導体装置の組立において、半導体
素子と外部リードとを接続する金属細線（ボンディング
ワイヤ）としては、金線、アルミニウム線、または一部
には銅線が用いられている。これらのボンディングワイ
ヤの中でも金線は最も古くから使用されており、耐食性
が優れている点で、金または金合金よりなる半導体装置
用ボンディングワイヤの使用量は他に比べて圧倒的に多
い。
子）が組み込まれた半導体装置の組立において、半導体
素子と外部リードとを接続する金属細線（ボンディング
ワイヤ）としては、金線、アルミニウム線、または一部
には銅線が用いられている。これらのボンディングワイ
ヤの中でも金線は最も古くから使用されており、耐食性
が優れている点で、金または金合金よりなる半導体装置
用ボンディングワイヤの使用量は他に比べて圧倒的に多
い。
【０００３】図２に示すように、従来、このようなボン
ディングワイヤ１は糸巻き状のボンディングスプール２
の胴部に一重に巻回された状態で支持され、その端部よ
り巻きほどかれて前記半導体素子と外部リードとの接合
部に供給される。
ディングワイヤ１は糸巻き状のボンディングスプール２
の胴部に一重に巻回された状態で支持され、その端部よ
り巻きほどかれて前記半導体素子と外部リードとの接合
部に供給される。
【０００４】ところが、このような従来から使用されて
きた一層巻のボンディングワイヤでは、巻取量は一般に
１００〜２００m が限度であることから、最近では図３
に示すようなクロス巻された多層巻のボンディングワイ
ヤが用いられるようになり、巻取量も１０００〜２００
０m へと長尺化してきている。
きた一層巻のボンディングワイヤでは、巻取量は一般に
１００〜２００m が限度であることから、最近では図３
に示すようなクロス巻された多層巻のボンディングワイ
ヤが用いられるようになり、巻取量も１０００〜２００
０m へと長尺化してきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにクロス巻された多層巻のボンディングワイヤでは、
細線が巻きほどかれる際に内側の細線に擦られてしまう
ため、この摩擦によってワイヤが損亡したりボンディン
グ時に不要な張力が生じたりしてループ異常や断線の原
因となっていた。
うにクロス巻された多層巻のボンディングワイヤでは、
細線が巻きほどかれる際に内側の細線に擦られてしまう
ため、この摩擦によってワイヤが損亡したりボンディン
グ時に不要な張力が生じたりしてループ異常や断線の原
因となっていた。
【０００６】このような問題を解消するために、巻き方
法の調整等がなされてきたが、金や金合金製のボンディ
ングワイヤのように細線表面に酸化皮膜が形成されない
場合には多層巻された細線の間で金属結合が進行し易
く、巻き方法を調整しただけでは前記問題を解消するこ
とは困難であった。
法の調整等がなされてきたが、金や金合金製のボンディ
ングワイヤのように細線表面に酸化皮膜が形成されない
場合には多層巻された細線の間で金属結合が進行し易
く、巻き方法を調整しただけでは前記問題を解消するこ
とは困難であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の課題を解
決するためになされたもので、請求項１の半導体装置用
ボンディングワイヤは、金または金合金よりなる細線の
表面に有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜
５０００Åで被覆して２００〜７００℃、より好ましく
は３００〜６５０℃で焼鈍することにより、平均膜厚５
〜１０００Åの前記界面活性剤の残存被膜を被覆したこ
とを特徴とするものである。
決するためになされたもので、請求項１の半導体装置用
ボンディングワイヤは、金または金合金よりなる細線の
表面に有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜
５０００Åで被覆して２００〜７００℃、より好ましく
は３００〜６５０℃で焼鈍することにより、平均膜厚５
〜１０００Åの前記界面活性剤の残存被膜を被覆したこ
とを特徴とするものである。
【０００８】また請求項２の半導体装置用ボンディング
ワイヤの製造方法は、金または金合金よりなる細線の表
面に有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜５
０００Åで被覆し、この細線を２００〜７００℃、より
好ましくは３００〜６５０℃で焼鈍して、平均膜厚５〜
１０００Åの前記界面活性剤の残存被覆を形成すること
を特徴とする。
ワイヤの製造方法は、金または金合金よりなる細線の表
面に有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜５
０００Åで被覆し、この細線を２００〜７００℃、より
好ましくは３００〜６５０℃で焼鈍して、平均膜厚５〜
１０００Åの前記界面活性剤の残存被覆を形成すること
を特徴とする。
【０００９】さらに請求項３の半導体装置用ボンディン
グワイヤは、前記請求項１の半導体装置用ボンディング
ワイヤにおいて、前記残存被膜が形成された細線の表面
に有機カーボンを含む第２の界面活性剤を被覆して、こ
の第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜厚
１０〜５０００Åの被膜を形成したことを特徴とするも
のである。
グワイヤは、前記請求項１の半導体装置用ボンディング
ワイヤにおいて、前記残存被膜が形成された細線の表面
に有機カーボンを含む第２の界面活性剤を被覆して、こ
の第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜厚
１０〜５０００Åの被膜を形成したことを特徴とするも
のである。
【００１０】さらにまた、請求項４の半導体装置用ボン
ディングワイヤの製造方法は、前記請求項１の半導体装
置用ボンディングワイヤの製造方法において、前記残存
被膜が形成された細線の表面に有機カーボンを含む第２
の界面活性剤を被覆して、この第２の界面活性剤と前記
残存被膜とからなる平均膜厚１０〜５０００Åの被膜を
形成することを特徴とする。
ディングワイヤの製造方法は、前記請求項１の半導体装
置用ボンディングワイヤの製造方法において、前記残存
被膜が形成された細線の表面に有機カーボンを含む第２
の界面活性剤を被覆して、この第２の界面活性剤と前記
残存被膜とからなる平均膜厚１０〜５０００Åの被膜を
形成することを特徴とする。
【００１１】そして請求項５の半導体装置用ボンディン
グワイヤおよびその製造方法は、前記界面活性剤を脂肪
酸エステル、ポリエチレングリコール、およびアルキル
アミンの少なくとも一種より構成することを特徴とす
る。
グワイヤおよびその製造方法は、前記界面活性剤を脂肪
酸エステル、ポリエチレングリコール、およびアルキル
アミンの少なくとも一種より構成することを特徴とす
る。
【００１２】
【作用】本発明の発明者らは、前記の課題を解決するた
めに金および金合金の表面性状に関して鋭意研究を重ね
た結果、次のような知見を得た。
めに金および金合金の表面性状に関して鋭意研究を重ね
た結果、次のような知見を得た。
【００１３】すなわち、金または金合金よりなる細線の
表面に有機カーボンを含む界面活性剤を被覆し、管状熱
処理炉に通して焼鈍すると、一般に処理温度が７００℃
以下では焼鈍後でも前記界面活性剤が微量に残存し、細
線表面に強く固着して残存被膜を形成する。この残存被
膜は、半導体装置のボンディング加工工程におけるボン
ディングワイヤの接触等によっても剥離することなく、
ボンディングワイヤ同志の金属間結合が抑制されるとと
もに細線自身の保護、強化も図られる。
表面に有機カーボンを含む界面活性剤を被覆し、管状熱
処理炉に通して焼鈍すると、一般に処理温度が７００℃
以下では焼鈍後でも前記界面活性剤が微量に残存し、細
線表面に強く固着して残存被膜を形成する。この残存被
膜は、半導体装置のボンディング加工工程におけるボン
ディングワイヤの接触等によっても剥離することなく、
ボンディングワイヤ同志の金属間結合が抑制されるとと
もに細線自身の保護、強化も図られる。
【００１４】そして、この熱処理前の界面活性剤の膜厚
を厚くするか、あるいは２種以上の界面活性剤の混合物
を用いることにより、残存被膜の膜厚が大きくなるとと
もに、細線表面への固着もより一層強くなる。
を厚くするか、あるいは２種以上の界面活性剤の混合物
を用いることにより、残存被膜の膜厚が大きくなるとと
もに、細線表面への固着もより一層強くなる。
【００１５】また前記金または金合金よりなる細線に、
このような熱処理された残存皮膜を介して第２の界面活
性剤を被覆すると、この第２の界面活性剤の成分が前記
残存被膜に結合することによってこれら第２の界面活性
剤と残存被膜とからなる被膜が形成され、結果的にこの
第２の界面活性剤が金または金合金の細線表面に強固に
固着する。
このような熱処理された残存皮膜を介して第２の界面活
性剤を被覆すると、この第２の界面活性剤の成分が前記
残存被膜に結合することによってこれら第２の界面活性
剤と残存被膜とからなる被膜が形成され、結果的にこの
第２の界面活性剤が金または金合金の細線表面に強固に
固着する。
【００１６】従って請求項３および４の半導体装置用ボ
ンディングワイヤおよびその製造方法のように、熱処理
前に有機カーボンを含有する界面活性剤を被覆してお
き、熱処理後、有機カーボンを含有する第２の界面活性
剤を被覆すると、細線表面に形成される残存被膜が下地
処理効果を奏して非常に強い有機カーボンの被膜が形成
される。これにより、ワイヤの金属間結合はより一層効
果的に抑えられ、また細線自体も巻きほどき時のボンデ
ィングワイヤ同志の摩擦からより強く保護される。
ンディングワイヤおよびその製造方法のように、熱処理
前に有機カーボンを含有する界面活性剤を被覆してお
き、熱処理後、有機カーボンを含有する第２の界面活性
剤を被覆すると、細線表面に形成される残存被膜が下地
処理効果を奏して非常に強い有機カーボンの被膜が形成
される。これにより、ワイヤの金属間結合はより一層効
果的に抑えられ、また細線自体も巻きほどき時のボンデ
ィングワイヤ同志の摩擦からより強く保護される。
【００１７】ここで請求項１および２の半導体装置用ボ
ンディングワイヤおよびその製造方法において、熱処理
前の界面活性剤の平均膜厚が１０Å未満であると、熱処
理後の残存被膜の平均膜厚が５Åより薄くなるおそれが
あり、ワイヤの金属間結合やボンディング時の摩擦が抑
えられなくなる危険性がある。また、熱処理前の界面活
性剤の平均膜厚が５０００Åを超えると、残存被膜の平
均膜厚が１０００Åを超えてしまってボンディング時に
ステッチボンド不良等が発生するおそれがある。
ンディングワイヤおよびその製造方法において、熱処理
前の界面活性剤の平均膜厚が１０Å未満であると、熱処
理後の残存被膜の平均膜厚が５Åより薄くなるおそれが
あり、ワイヤの金属間結合やボンディング時の摩擦が抑
えられなくなる危険性がある。また、熱処理前の界面活
性剤の平均膜厚が５０００Åを超えると、残存被膜の平
均膜厚が１０００Åを超えてしまってボンディング時に
ステッチボンド不良等が発生するおそれがある。
【００１８】さらに、請求項３および４の半導体装置用
ボンディングワイヤおよびその製造方法において、第２
の界面活性剤と残存被膜とからなる被膜の平均膜厚を１
０〜５０００Åとしたのは、熱処理によって既に平均膜
厚５〜１０００Åの残存被膜の下地が形成されているか
らであり、前記被膜の平均膜厚が１０Åを下回ると金属
間結合の抑制効果が著しく弱くなり、逆に平均膜厚が５
０００Åを超えるとステッチボンド不良等のボンディン
グトラブルを起こす原因となる。
ボンディングワイヤおよびその製造方法において、第２
の界面活性剤と残存被膜とからなる被膜の平均膜厚を１
０〜５０００Åとしたのは、熱処理によって既に平均膜
厚５〜１０００Åの残存被膜の下地が形成されているか
らであり、前記被膜の平均膜厚が１０Åを下回ると金属
間結合の抑制効果が著しく弱くなり、逆に平均膜厚が５
０００Åを超えるとステッチボンド不良等のボンディン
グトラブルを起こす原因となる。
【００１９】なお、本発明では界面活性剤を被覆した，
後の熱処理温度(焼鈍温度)を２００〜７００℃に設定し
たが、前記残存被膜をより効果的に細線表面に固着させ
るには、熱処理温度を３００〜６５０℃とすることが望
ましい。
後の熱処理温度(焼鈍温度)を２００〜７００℃に設定し
たが、前記残存被膜をより効果的に細線表面に固着させ
るには、熱処理温度を３００〜６５０℃とすることが望
ましい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２１】線径２５μｍの金よりなる細線に、有機カ
ーボンを含む界面活性剤である脂肪酸エステルを平均膜
厚２００Åおよび４５００Åで被覆し、４５０℃に保持
した管状の熱処理炉に３５m／minの速度で挿通して焼鈍
し、平均膜厚５０Åおよび９００Åの残存被膜を形成し
た。これらを、それぞれ実施例１および実施例２とす
る。
ーボンを含む界面活性剤である脂肪酸エステルを平均膜
厚２００Åおよび４５００Åで被覆し、４５０℃に保持
した管状の熱処理炉に３５m／minの速度で挿通して焼鈍
し、平均膜厚５０Åおよび９００Åの残存被膜を形成し
た。これらを、それぞれ実施例１および実施例２とす
る。
【００２２】また、実施例１および実施例２の半導体装
置用ボンディングワイヤを前記焼鈍後、有機カーボンを
含む第２の界面活性剤であるアルキルアミンで被覆し、
この第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜
厚２００Åおよび１０００Åの被膜が形成された半導体
装置用ボンディングワイヤを製造した。これらをそれぞ
れ実施例３および実施例４とする。
置用ボンディングワイヤを前記焼鈍後、有機カーボンを
含む第２の界面活性剤であるアルキルアミンで被覆し、
この第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜
厚２００Åおよび１０００Åの被膜が形成された半導体
装置用ボンディングワイヤを製造した。これらをそれぞ
れ実施例３および実施例４とする。
【００２３】さらに、前記線径２５μｍの金よりなる細
線表面を前記界面活性剤脂肪酸エステルで被覆して平均
膜厚１００Åの被膜を形成し、４５０℃に保持された管
状熱処理炉に３５m／minで挿通して焼鈍し、平均膜厚３
０Åの残存被膜が形成された半導体装置用ボンディング
ワイヤを製造した。そして、これを前記第２の界面活性
剤アルキルアミンで被覆し、第２の界面活性剤と前記残
存被膜とからなる平均膜厚１５０Åの被膜を形成した。
これを実施例５とする。
線表面を前記界面活性剤脂肪酸エステルで被覆して平均
膜厚１００Åの被膜を形成し、４５０℃に保持された管
状熱処理炉に３５m／minで挿通して焼鈍し、平均膜厚３
０Åの残存被膜が形成された半導体装置用ボンディング
ワイヤを製造した。そして、これを前記第２の界面活性
剤アルキルアミンで被覆し、第２の界面活性剤と前記残
存被膜とからなる平均膜厚１５０Åの被膜を形成した。
これを実施例５とする。
【００２４】一方、比較のため、界面活性剤による被覆
を全く行なわなかった線径２５μｍの半導体装置用ボン
ディングワイヤ、および前記界面活性剤脂肪酸エステル
により平均膜厚１２０００Åの被膜を形成して焼鈍した
後、前記第２の界面活性剤アルキルアミンで被覆して残
存被覆と第２の界面活性剤とからなる平均膜厚７０００
Åの被膜が形成された半導体装置用ボンディングワイヤ
を製造した。これらをそれぞれ比較例１および比較例２
とする。
を全く行なわなかった線径２５μｍの半導体装置用ボン
ディングワイヤ、および前記界面活性剤脂肪酸エステル
により平均膜厚１２０００Åの被膜を形成して焼鈍した
後、前記第２の界面活性剤アルキルアミンで被覆して残
存被覆と第２の界面活性剤とからなる平均膜厚７０００
Åの被膜が形成された半導体装置用ボンディングワイヤ
を製造した。これらをそれぞれ比較例１および比較例２
とする。
【００２５】ここでワイヤの巻きほどき性について、こ
れらの実施例および比較例をボンディングスプールに巻
回して８０℃で１０時間保持した後、保存の加速試験と
して図１に示すように巻きほどき試験を行ない、異常の
有無を調査した。但し、図１において符号１はボンディ
ングワイヤ、符号２はボンディングスプール胴部の断面
である。
れらの実施例および比較例をボンディングスプールに巻
回して８０℃で１０時間保持した後、保存の加速試験と
して図１に示すように巻きほどき試験を行ない、異常の
有無を調査した。但し、図１において符号１はボンディ
ングワイヤ、符号２はボンディングスプール胴部の断面
である。
【００２６】また、これらの実施例および比較例によっ
て実際に半導体装置のボンディングを行なった上でボン
ディングテストを行ない、ステッチボンド不良等の有無
を調査した。
て実際に半導体装置のボンディングを行なった上でボン
ディングテストを行ない、ステッチボンド不良等の有無
を調査した。
【００２７】これら巻きほどき試験およびボンディング
テストの結果を表１に示す。
テストの結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】巻きほどき性については、巻きほどきが正
常に行なわれている場合には、ボンディングワイヤ１は
図１に実線で示すようにボンディングスプール２の鉛直
下向きの接線に沿って巻きほどかれる。しかし、内側の
ボンディングワイヤとの結合や摩擦によって巻きほどき
に異常が生じた場合は、図１に破線で示すように前記接
線には沿わずに巻きほどかれ、ボンディングワイヤの供
給に支障を来すことがある。
常に行なわれている場合には、ボンディングワイヤ１は
図１に実線で示すようにボンディングスプール２の鉛直
下向きの接線に沿って巻きほどかれる。しかし、内側の
ボンディングワイヤとの結合や摩擦によって巻きほどき
に異常が生じた場合は、図１に破線で示すように前記接
線には沿わずに巻きほどかれ、ボンディングワイヤの供
給に支障を来すことがある。
【００３０】そして表１より判るように、実施例１〜５
および比較例２の半導体装置用ボンディングワイヤで
は、このような巻きほどきの異常は認められなかった
が、比較例１のボンディングワイヤでは巻きほどき異常
が発生した。またボンディングテストについては、実施
例１〜５では異常が認められなかったのに対し、比較例
１および２では異常の発生が確認された。
および比較例２の半導体装置用ボンディングワイヤで
は、このような巻きほどきの異常は認められなかった
が、比較例１のボンディングワイヤでは巻きほどき異常
が発生した。またボンディングテストについては、実施
例１〜５では異常が認められなかったのに対し、比較例
１および２では異常の発生が確認された。
【００３１】また、細線に金合金を用いて前記実施例と
同じ様に本発明のボンディングワイヤを製造して巻きほ
どき試験およびボンディングテストを行なったが、前記
実施例同様、良好な結果を得ることができた。
同じ様に本発明のボンディングワイヤを製造して巻きほ
どき試験およびボンディングテストを行なったが、前記
実施例同様、良好な結果を得ることができた。
【００３２】このように本発明の半導体装置用ボンディ
ングワイヤでは、残存被膜、もしくは残存被膜と第２の
界面活性剤とからなる被膜によってワイヤ同志の金属間
結合が抑えられるので、ワイヤのボンディングスプール
からの巻きほどきを安定的に行なうことができ、これに
伴ってボンディングワイヤの安定供給を図ることができ
る。また、これらの被膜により金もしくは金合金よりな
る細線自体が保護、強化されるので、巻きほどき時の摩
擦による張力によってボンディングワイヤが断線するよ
うな事態を未然に防ぐことが可能であり、さらにステッ
チボンド不良等のボンディングトラブルの発生も抑える
ことが可能となる。
ングワイヤでは、残存被膜、もしくは残存被膜と第２の
界面活性剤とからなる被膜によってワイヤ同志の金属間
結合が抑えられるので、ワイヤのボンディングスプール
からの巻きほどきを安定的に行なうことができ、これに
伴ってボンディングワイヤの安定供給を図ることができ
る。また、これらの被膜により金もしくは金合金よりな
る細線自体が保護、強化されるので、巻きほどき時の摩
擦による張力によってボンディングワイヤが断線するよ
うな事態を未然に防ぐことが可能であり、さらにステッ
チボンド不良等のボンディングトラブルの発生も抑える
ことが可能となる。
【００３３】さらにまた、本実施例のうち実施例３およ
び実施例４では、第２の界面活性剤としてアルキルアミ
ンを用いたが、ここでアルキルアミンは親油性であって
通常の金または金合金の表面には固着し難いことが知ら
れている。しかしながら本発明では、このような親油性
の界面活性剤であっても、金または金合金よりなる細線
との間に残存被膜を介在させることによってこれらの細
線表面に強固に固着することが可能である。そして、こ
れにより前述した効果をより一層向上せしめることが可
能である。
び実施例４では、第２の界面活性剤としてアルキルアミ
ンを用いたが、ここでアルキルアミンは親油性であって
通常の金または金合金の表面には固着し難いことが知ら
れている。しかしながら本発明では、このような親油性
の界面活性剤であっても、金または金合金よりなる細線
との間に残存被膜を介在させることによってこれらの細
線表面に強固に固着することが可能である。そして、こ
れにより前述した効果をより一層向上せしめることが可
能である。
【００３４】なお、このように前記実施例３および実施
例４では第２の界面活性剤として親油性のアルキルアミ
ンを用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、他の親油性の界面活性剤や、ポリエチレングリコー
ル等の親水性の界面活性剤を用いても構わない。
例４では第２の界面活性剤として親油性のアルキルアミ
ンを用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、他の親油性の界面活性剤や、ポリエチレングリコー
ル等の親水性の界面活性剤を用いても構わない。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
または金合金よりなる細線を有機カーボンを含有する界
面活性剤で被覆して比較的低温度で焼鈍することによ
り、細線表面にこの界面活性剤の残存被膜が固着する。
そして、この残存被膜によってボンディングワイヤ同志
の金属間結合が抑制されるので巻きほどき性の向上が図
られ、安定した供給を行なうことが可能となる。また細
線自体が残存被膜により保護されて強化されるので、巻
きほどきの際のボンディングワイヤ同志の摩擦によって
細線が損亡したり、この摩擦による張力によってボンデ
ィングワイヤが断線したりするような事態を未然に防止
することが可能となる。
または金合金よりなる細線を有機カーボンを含有する界
面活性剤で被覆して比較的低温度で焼鈍することによ
り、細線表面にこの界面活性剤の残存被膜が固着する。
そして、この残存被膜によってボンディングワイヤ同志
の金属間結合が抑制されるので巻きほどき性の向上が図
られ、安定した供給を行なうことが可能となる。また細
線自体が残存被膜により保護されて強化されるので、巻
きほどきの際のボンディングワイヤ同志の摩擦によって
細線が損亡したり、この摩擦による張力によってボンデ
ィングワイヤが断線したりするような事態を未然に防止
することが可能となる。
【００３６】また、このような半導体装置用ボンディン
グワイヤを、さらに有機カーボンを含む第２の界面活性
剤で被覆した場合には、細線表面に強く固着した残存被
膜を、さらに第２の界面活性剤が強く被覆する。そし
て、この第２の界面活性剤と前記残存被覆とからなる被
膜により、ボンディングワイヤ同志の金属間結合はより
一層効果的に抑制されるので、ボンディングスプールか
らの巻きほどき性が向上し、安定供給をなすことができ
る。さらに、細線自体は前記被膜によってより強く保護
されるので、巻きほどき時の摩擦や張力によるボンディ
ングワイヤの損亡や断線、ステッチボンド不良等のボン
ディングトラブルをより効果的に防止することが可能と
なる。
グワイヤを、さらに有機カーボンを含む第２の界面活性
剤で被覆した場合には、細線表面に強く固着した残存被
膜を、さらに第２の界面活性剤が強く被覆する。そし
て、この第２の界面活性剤と前記残存被覆とからなる被
膜により、ボンディングワイヤ同志の金属間結合はより
一層効果的に抑制されるので、ボンディングスプールか
らの巻きほどき性が向上し、安定供給をなすことができ
る。さらに、細線自体は前記被膜によってより強く保護
されるので、巻きほどき時の摩擦や張力によるボンディ
ングワイヤの損亡や断線、ステッチボンド不良等のボン
ディングトラブルをより効果的に防止することが可能と
なる。
【図１】本発明の実施例および比較例による巻きほどき
試験の状態を示すずである。
試験の状態を示すずである。
【図２】ボンディングスプールに一層巻されたボンディ
ングワイヤを示す図である。
ングワイヤを示す図である。
【図３】ボンディングスプールにクロス巻きで多層巻さ
れたボンディングワイヤを示す図である。
れたボンディングワイヤを示す図である。
１ ボンディングワイヤ ２ ボンディングスプール
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−363036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−167044（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−11336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−139217（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−94534（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−200514（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−165044（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 301
Claims (5)
- 【請求項１】 金または金合金よりなる細線の表面に、
有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜５００
０Åで被覆して２００〜７００℃で焼鈍することにより
形成される平均膜厚５〜１０００Åの前記界面活性剤の
残存被膜が被覆されていることを特徴とする半導体装置
用ボンディングワイヤ。 - 【請求項２】 金または金合金よりなる細線の表面に、
有機カーボンを含む界面活性剤を平均膜厚１０〜５００
０Åで被覆し、 この細線を２００〜７００℃で焼鈍して、平均膜厚５〜
１０００Åの前記界面活性剤の残存被覆を形成すること
を特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤの製造方
法。 - 【請求項３】 前記残存被膜が形成された細線の表面に
有機カーボンを含む第２の界面活性剤が被覆されて、こ
の第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜厚
１０〜５０００Åの被膜が形成されていることを特徴と
する請求項１の半導体装置用ボンディングワイヤ。 - 【請求項４】 前記残存被膜が形成された細線の表面に
有機カーボンを含む第２の界面活性剤を被覆して、この
第２の界面活性剤と前記残存被膜とからなる平均膜厚１
０〜５０００Åの被膜を形成することを特徴とする請求
項２の半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法。 - 【請求項５】 前記界面活性剤が、脂肪酸エステル、ポ
リエチレングリコール、およびアルキルアミンの少なく
とも一種より成ることを特徴とする請求項１，３の半導
体装置用ボンディングワイヤおよび請求項２，４の半導
体装置用ボンディングワイヤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023609A JP2768021B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3023609A JP2768021B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521499A JPH0521499A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2768021B2 true JP2768021B2 (ja) | 1998-06-25 |
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ID=12115356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3023609A Expired - Fee Related JP2768021B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 半導体装置用ボンディングワイヤおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768021B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4655426B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2011-03-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 半導体素子接続用Ａｕボンディングワイヤおよびその製造方法 |
| DE602004024610D1 (de) | 2003-03-18 | 2010-01-28 | Ngk Spark Plug Co | Sauerstoff-Detektionssystem und Fahrzeugsteuerungssystem mit einem solchen Sauerstoff-Detektionssystem |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023609A patent/JP2768021B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521499A (ja) | 1993-01-29 |
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