JP2622267B2 - 感光性樹脂組成物 - Google Patents
感光性樹脂組成物Info
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- JP2622267B2 JP2622267B2 JP63068465A JP6846588A JP2622267B2 JP 2622267 B2 JP2622267 B2 JP 2622267B2 JP 63068465 A JP63068465 A JP 63068465A JP 6846588 A JP6846588 A JP 6846588A JP 2622267 B2 JP2622267 B2 JP 2622267B2
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- sulfonyl chloride
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，紫外線に吸収の強いポジ型感光性樹脂組成
物に関する。
物に関する。
（従来の技術） 半導体素子などの微細加工技術としてはポジ型感光性
樹脂組成物を用いてｇ線（436nmの光）縮小投影露光装
置によるパターン形成が広く用いられている。感光性樹
脂の解像度を高める手法としては感光性樹脂の改良もあ
るが露光装置の改良としてはレンズの開口数を上げるこ
とや露光波長の短波長がある。露光波長と解像度との関
係は比例関係にあり,g線をｉ線（365nmの光）へ変更す
ることによつて解像度は16％程向上する。またさらに短
波長化し250nm付近の光を使用する露光装置も現在開発
中であるが，完成までには未だ時間がかかる。そこでｉ
線露光装置が注目されており，用いる感光性樹脂として
はノボラツク樹脂と1,2−ナフトキノン−（２）−ジア
ジド−スルホン酸エステルからなる感光剤とから作られ
たものが使用される。
樹脂組成物を用いてｇ線（436nmの光）縮小投影露光装
置によるパターン形成が広く用いられている。感光性樹
脂の解像度を高める手法としては感光性樹脂の改良もあ
るが露光装置の改良としてはレンズの開口数を上げるこ
とや露光波長の短波長がある。露光波長と解像度との関
係は比例関係にあり,g線をｉ線（365nmの光）へ変更す
ることによつて解像度は16％程向上する。またさらに短
波長化し250nm付近の光を使用する露光装置も現在開発
中であるが，完成までには未だ時間がかかる。そこでｉ
線露光装置が注目されており，用いる感光性樹脂として
はノボラツク樹脂と1,2−ナフトキノン−（２）−ジア
ジド−スルホン酸エステルからなる感光剤とから作られ
たものが使用される。
感光性樹脂は，通常シリコン酸化膜やシリコン窒化膜
上で用いられるがアルミニウム膜などの光反射率の高い
基板上などでは，反射光のためにパターンの細りが見ら
れる問題がある。
上で用いられるがアルミニウム膜などの光反射率の高い
基板上などでは，反射光のためにパターンの細りが見ら
れる問題がある。
本発明者らはｉ線において基板上からの光反射の少な
い感光性樹脂組成を見い出し，本発明を完成した。
い感光性樹脂組成を見い出し，本発明を完成した。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は，光吸収性の強いポジ型感光性樹脂組成物を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は，アルカリ水溶液可溶性ノボラツク樹脂
（Ａ），没食子酸エステル，トリヒドロキシベンゾフエ
ノン，テトラヒドロキシベンゾフエノンまたはこれらの
混合物（以下ポリヒドロキシ化合物とする）と1,2−ナ
フトキノン−（２）−ジアジド−５−スルホニルクロラ
イドまたは1,2−ナフトキン−（２）−ジアジド−４−
スルホニルクロライドとを反応させた感光剤（Ｂ）およ
び下記の一般式（Ｉ）で示される紫外線吸収剤（Ｃ）を
含有し（Ａ）および（Ｂ）の合計量を100重量部として
（Ａ）と（Ｂ）との割合を（Ａ）／（Ｂ）＝90〜71/10
〜29（重量比）とし，（Ａ）および（Ｂ）の合計量100
重量部に対して（Ｃ）を0.1〜10重量部の範囲としてな
る感光性樹脂組成物に関する。
（Ａ），没食子酸エステル，トリヒドロキシベンゾフエ
ノン，テトラヒドロキシベンゾフエノンまたはこれらの
混合物（以下ポリヒドロキシ化合物とする）と1,2−ナ
フトキノン−（２）−ジアジド−５−スルホニルクロラ
イドまたは1,2−ナフトキン−（２）−ジアジド−４−
スルホニルクロライドとを反応させた感光剤（Ｂ）およ
び下記の一般式（Ｉ）で示される紫外線吸収剤（Ｃ）を
含有し（Ａ）および（Ｂ）の合計量を100重量部として
（Ａ）と（Ｂ）との割合を（Ａ）／（Ｂ）＝90〜71/10
〜29（重量比）とし，（Ａ）および（Ｂ）の合計量100
重量部に対して（Ｃ）を0.1〜10重量部の範囲としてな
る感光性樹脂組成物に関する。
（ここでR1はＨまたはCnH2n+1（ｎは１〜10の整数）,R2
はＨまたはCKH2K+1（Ｋは１〜10の整数）を表わし,R1と
R2は同一でも異なつてもよい） 本発明に使用するアリカル水溶液可溶性ノボラツク樹
脂（Ａ）は，アルカリ水溶液である水酸化ナトリウム，
水酸化カリウム，水酸化テトラメチルアンモニウム，コ
リン等の５重量％以下の水溶液に可溶とされる。ノボラ
ツク樹脂は，フエノール，クレゾール，キシレノールな
どのフエノール類とホルムアリデヒドとの縮合樹脂であ
る。ノボラツク樹脂は，耐熱性，合成の上から軟化温度
が135〜165℃の範囲であることが好ましい。ノボラツク
樹脂の軟化温度の調整は公知の方法によつて行なうこと
ができる。なお軟化温度とはJIS K2207に基づく測定に
よる温度である。ノボラツク樹脂は，例えば塩酸，しゆ
う酸等の触媒の存在下でフェノール類とホルムアルデヒ
ドとを60〜120℃の温度で数時間反応させた後，水分お
よび未反応フエノール類を減圧下で加熱して除去するこ
とにより合成することができる。
はＨまたはCKH2K+1（Ｋは１〜10の整数）を表わし,R1と
R2は同一でも異なつてもよい） 本発明に使用するアリカル水溶液可溶性ノボラツク樹
脂（Ａ）は，アルカリ水溶液である水酸化ナトリウム，
水酸化カリウム，水酸化テトラメチルアンモニウム，コ
リン等の５重量％以下の水溶液に可溶とされる。ノボラ
ツク樹脂は，フエノール，クレゾール，キシレノールな
どのフエノール類とホルムアリデヒドとの縮合樹脂であ
る。ノボラツク樹脂は，耐熱性，合成の上から軟化温度
が135〜165℃の範囲であることが好ましい。ノボラツク
樹脂の軟化温度の調整は公知の方法によつて行なうこと
ができる。なお軟化温度とはJIS K2207に基づく測定に
よる温度である。ノボラツク樹脂は，例えば塩酸，しゆ
う酸等の触媒の存在下でフェノール類とホルムアルデヒ
ドとを60〜120℃の温度で数時間反応させた後，水分お
よび未反応フエノール類を減圧下で加熱して除去するこ
とにより合成することができる。
本発明に用いる感光剤（Ｂ）は，ポリヒドロキシ化合
物と1,2−ナフトキン−（２）−ジアジド−５−スルホ
ニルクロライドまたは1,2−ナフトキノン−（２）−ジ
アジド−４−スルホニルクロライドとを，ジオキサン，
テトラヒドロフラン，アセトン，メチルエチルケトン，
水，セロソルブ等の溶媒に溶かし，反応の促進のために
塩基性触媒を用いて合成される。
物と1,2−ナフトキン−（２）−ジアジド−５−スルホ
ニルクロライドまたは1,2−ナフトキノン−（２）−ジ
アジド−４−スルホニルクロライドとを，ジオキサン，
テトラヒドロフラン，アセトン，メチルエチルケトン，
水，セロソルブ等の溶媒に溶かし，反応の促進のために
塩基性触媒を用いて合成される。
上記塩基性触媒としては，炭酸ナトリウム，炭酸カリ
ウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等の無機塩基
やトリエチルアミン，トリエタノールアミン，ジエチル
アミン等の有機塩基が通常用いられる。
ウム，水酸化ナトリウム，水酸化カリウム等の無機塩基
やトリエチルアミン，トリエタノールアミン，ジエチル
アミン等の有機塩基が通常用いられる。
合成温度には特に制限はないが，主生成物の安定性，
反応速度等の点から,0〜40℃が好ましい。また合成反応
は，黄色光下または赤色光下で行なうことが好ましい。
反応速度等の点から,0〜40℃が好ましい。また合成反応
は，黄色光下または赤色光下で行なうことが好ましい。
ポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノン−（２）
−ジアジド−５−スルホニルクロライドまたは1,2−ナ
フトキノン−（２）−ジアジド−４−スルホニルクロラ
イドとの反応の割合は，通常，ポリヒドロキシ化合物１
モル当り1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジド−５−
スルホニルクロライドを1.5〜４モルとされる。
−ジアジド−５−スルホニルクロライドまたは1,2−ナ
フトキノン−（２）−ジアジド−４−スルホニルクロラ
イドとの反応の割合は，通常，ポリヒドロキシ化合物１
モル当り1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジド−５−
スルホニルクロライドを1.5〜４モルとされる。
本発明に用いる紫外線吸収剤（Ｃ）は，上の一般式
（Ｉ）で示される化合物が用いられるがその例として
は,2−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフエニル）−
ベンゾトリアゾール,2−（２′−ヒドロキシ−３′,5′
−ジ−ｔ−アミルフエニル）−ベンゾトリアゾール,2−
（２′−ヒドロキシ−３′,5′−ジ−ｔ−ブチルフエニ
ル）−ベンゾトリアゾール,2−（２′−ヒドロキシ−
５′−ｔ−ブチルフエニル）−ベンゾトリアゾール,2−
（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−オクチルフエニル）−
ベンゾトリアゾールなどがあげられる。これらは，チバ
・ガイギー社，シプロ化成（株）などによつて市場に提
供されている。
（Ｉ）で示される化合物が用いられるがその例として
は,2−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフエニル）−
ベンゾトリアゾール,2−（２′−ヒドロキシ−３′,5′
−ジ−ｔ−アミルフエニル）−ベンゾトリアゾール,2−
（２′−ヒドロキシ−３′,5′−ジ−ｔ−ブチルフエニ
ル）−ベンゾトリアゾール,2−（２′−ヒドロキシ−
５′−ｔ−ブチルフエニル）−ベンゾトリアゾール,2−
（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−オクチルフエニル）−
ベンゾトリアゾールなどがあげられる。これらは，チバ
・ガイギー社，シプロ化成（株）などによつて市場に提
供されている。
前記のアルカリ水溶液可溶性ノボラツク樹脂（Ａ），
感光剤（Ｂ）の合計量，および紫外線吸収剤（Ｃ）の混
合割合は（Ａ）および（Ｂ）を100重量部として（Ａ）
と（Ｂ）との割合を（Ａ）／（Ｂ）＝90〜71/10〜29
（重量比）とし，（Ａ）および（Ｂ）の合計量100重量
部に対して（Ｃ）を0.1〜10重量部の範囲とする必要が
ある。アルカリ水溶液可溶性ノボラツク樹脂（Ａ）が90
重量比よりも多く，感光剤（Ｂ）が10重量比よりも少な
いと現像時において膜減りが多く，（Ａ）が71重量比よ
りも少なく，（Ｂ）が29重量比よりも多いと感度が低下
する。一方（Ｃ）が0.1重量比よりも少ないと紫外線の
吸収の効果が少なく,10重量比よりも多いと，溶媒に対
する溶解性が不足する。
感光剤（Ｂ）の合計量，および紫外線吸収剤（Ｃ）の混
合割合は（Ａ）および（Ｂ）を100重量部として（Ａ）
と（Ｂ）との割合を（Ａ）／（Ｂ）＝90〜71/10〜29
（重量比）とし，（Ａ）および（Ｂ）の合計量100重量
部に対して（Ｃ）を0.1〜10重量部の範囲とする必要が
ある。アルカリ水溶液可溶性ノボラツク樹脂（Ａ）が90
重量比よりも多く，感光剤（Ｂ）が10重量比よりも少な
いと現像時において膜減りが多く，（Ａ）が71重量比よ
りも少なく，（Ｂ）が29重量比よりも多いと感度が低下
する。一方（Ｃ）が0.1重量比よりも少ないと紫外線の
吸収の効果が少なく,10重量比よりも多いと，溶媒に対
する溶解性が不足する。
また本発明になる感光性樹脂組成物は更に溶剤を含ん
でもよい。
でもよい。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は，溶剤に溶解した
状態で，シリコン，アルミ，石英，ガラス等の基板表面
に塗布される。この際使用する溶剤としては，例えばア
セトン，メチルエチルメトン，メチルイソブチルケト
ン，シクロヘキサノン等のケトン系溶剤，トルエン，キ
シレン等の芳香族系溶剤，メチルセロソルブ，メチルセ
ロソルブアセテート，エチルセロソルブアセテート等の
セロソルブ系溶剤，酢酸エチル，酢酸ブチル，酢酸イソ
アミル等のエステル系溶剤，メタノール，エタノール，
プロパノール等のアルコール系溶液等がある。これらの
溶剤は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
状態で，シリコン，アルミ，石英，ガラス等の基板表面
に塗布される。この際使用する溶剤としては，例えばア
セトン，メチルエチルメトン，メチルイソブチルケト
ン，シクロヘキサノン等のケトン系溶剤，トルエン，キ
シレン等の芳香族系溶剤，メチルセロソルブ，メチルセ
ロソルブアセテート，エチルセロソルブアセテート等の
セロソルブ系溶剤，酢酸エチル，酢酸ブチル，酢酸イソ
アミル等のエステル系溶剤，メタノール，エタノール，
プロパノール等のアルコール系溶液等がある。これらの
溶剤は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
本発明になる感光性樹脂組成物において，感光剤が光
化学的に分解し，分解後アルカリ水溶液に可溶となる。
光化学的に分解は水銀灯等の照射等，公知の手段により
行なわれる。上記アルカリ水溶液としては，例えば水酸
化ナトリウム，水酸化カリウム水酸化テトラメチルアン
モニウム，コリン等の５重量％以下の水溶液が用いられ
る。
化学的に分解し，分解後アルカリ水溶液に可溶となる。
光化学的に分解は水銀灯等の照射等，公知の手段により
行なわれる。上記アルカリ水溶液としては，例えば水酸
化ナトリウム，水酸化カリウム水酸化テトラメチルアン
モニウム，コリン等の５重量％以下の水溶液が用いられ
る。
本発明になる感光性樹脂組成物は，目的に応じて，副
次的な成分を含有していてもよい。これらの例として
は，例えば貯蔵安定性を図るための熱重合防止剤，基板
との密着剤を向上させるための密着性向上等が挙げられ
る。
次的な成分を含有していてもよい。これらの例として
は，例えば貯蔵安定性を図るための熱重合防止剤，基板
との密着剤を向上させるための密着性向上等が挙げられ
る。
（実施例） 本発明の実施例を説明する。
実施例１ メタクレゾール／パラクレゾールが，重量比で55/45
の軟化温度が150℃であるクレゾールノボラツク樹脂
（以下（Ａ−１）とする）20重量部及び没食子酸メチル
１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジド−５−
スルホニルクロライド2.5モルを反応させた感光剤（以
下（Ｂ−１）とする）６重量部およびシプロ化成（株）
２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフエニル）−ベ
ンゾトリアゾール0.52重量部をエチルセロソルブアセテ
ート74重量部に溶解させ，感光性樹脂組成物を調整し
た。
の軟化温度が150℃であるクレゾールノボラツク樹脂
（以下（Ａ−１）とする）20重量部及び没食子酸メチル
１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジド−５−
スルホニルクロライド2.5モルを反応させた感光剤（以
下（Ｂ−１）とする）６重量部およびシプロ化成（株）
２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフエニル）−ベ
ンゾトリアゾール0.52重量部をエチルセロソルブアセテ
ート74重量部に溶解させ，感光性樹脂組成物を調整し
た。
得られた組成物を，石英基板上に3000rpmで30秒間回
転塗布し,90℃で20分間乾燥して，厚さ１μｍの感光膜
を得た。
転塗布し,90℃で20分間乾燥して，厚さ１μｍの感光膜
を得た。
次いで上記基板について（株）日立製作所製スペクト
ロホトメータを用いて波長365nmでの透過率を測定した
ところ18％と低く，強い吸収が得られた。
ロホトメータを用いて波長365nmでの透過率を測定した
ところ18％と低く，強い吸収が得られた。
また上記組成物を同一条件でアルミニウム膜付きシリ
コンウエーハ上に塗布し，（株）日立製作所製露光装置
LD−5010i（波長365mmの光）を用いて，フオトマスクを
介して700ミリ秒で露光し,238重量％のテトラメチルア
ンモニウム水溶液（以下現像液（１）とする）で23℃で
60秒間現像し，脱イオン水で60秒間リンスした所，線幅
が0.7μｍのパターンが得られた。
コンウエーハ上に塗布し，（株）日立製作所製露光装置
LD−5010i（波長365mmの光）を用いて，フオトマスクを
介して700ミリ秒で露光し,238重量％のテトラメチルア
ンモニウム水溶液（以下現像液（１）とする）で23℃で
60秒間現像し，脱イオン水で60秒間リンスした所，線幅
が0.7μｍのパターンが得られた。
実施例２ メタクレゾール／パラゾールが，重量比で60/40の軟
化温度が155℃であるクレゾールノボラツク樹脂（以下
（Ａ−２）とする）20重量部,2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフエノン１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジ
アジド−５−スルホニルクロライド３モルを反応させて
得た感光剤（以下（Ｂ−２）とする）5.5重量部および
２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−ブチルフエニル）
−ベンゾトリアゾール0.77重量部を，エチルセロソルブ
アセテート74重量部に溶解させ，上記実施例１と同様に
して，厚さ１μｍの感光膜を得た。
化温度が155℃であるクレゾールノボラツク樹脂（以下
（Ａ−２）とする）20重量部,2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフエノン１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジ
アジド−５−スルホニルクロライド３モルを反応させて
得た感光剤（以下（Ｂ−２）とする）5.5重量部および
２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−ブチルフエニル）
−ベンゾトリアゾール0.77重量部を，エチルセロソルブ
アセテート74重量部に溶解させ，上記実施例１と同様に
して，厚さ１μｍの感光膜を得た。
次いで，上記基板について実施例１と同様にして波長
365nmでの透過率を測定したところ17％と低く，強い吸
収が得られた。
365nmでの透過率を測定したところ17％と低く，強い吸
収が得られた。
実施例３ クレゾールノボラツク樹脂として実施例１で得た（Ａ
−１）を20重量部,2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フエノン１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド3.3モルを反応させて得
た感光剤（以下（Ｂ−３）とする）5.5重量部および日
本サイアナミツド（株）製２−（２′−ヒドロキシ−
５′−ｔ−オクチルフエニル）−ベンゾトリアゾール1.
0重量部をエチルセロソルブアセテート75重量部に溶解
させ実施例１と同様にして厚さ１μｍの感光膜を得た。
−１）を20重量部,2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フエノン１モルと1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジ
ド−５−スルホニルクロライド3.3モルを反応させて得
た感光剤（以下（Ｂ−３）とする）5.5重量部および日
本サイアナミツド（株）製２−（２′−ヒドロキシ−
５′−ｔ−オクチルフエニル）−ベンゾトリアゾール1.
0重量部をエチルセロソルブアセテート75重量部に溶解
させ実施例１と同様にして厚さ１μｍの感光膜を得た。
この基板について実施例１と同様にして波長365nmで
の透過率を測定したところ12％と低く強い吸収が得られ
た。
の透過率を測定したところ12％と低く強い吸収が得られ
た。
比較例１ 実施例１において２−（２′−ヒドロキシ−５′−メ
チルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除いた感光性樹
脂組成物を調整し，石英基板上に１μｍ厚に塗布し，感
光膜を得た。この基板について実施例１と同様にして波
長365nmでの透過率を測定したところ25％であつた。
チルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除いた感光性樹
脂組成物を調整し，石英基板上に１μｍ厚に塗布し，感
光膜を得た。この基板について実施例１と同様にして波
長365nmでの透過率を測定したところ25％であつた。
比較例２ 実施例２において２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ
−ブチルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除き，同様
に塗膜を作製した後，実施例１と同様にして波長365nm
での透過率を測定したところ25％であつた。
−ブチルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除き，同様
に塗膜を作製した後，実施例１と同様にして波長365nm
での透過率を測定したところ25％であつた。
比較例３ 実施例３において２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ
−オクチルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除いた感
光性樹脂組成物を作製し，同様に１μｍの塗膜を作製
し，実施例と同様にして波長365nmでの透過率を測定し
たところ24％であつた。
−オクチルフエニル）−ベンゾトリアゾールを除いた感
光性樹脂組成物を作製し，同様に１μｍの塗膜を作製
し，実施例と同様にして波長365nmでの透過率を測定し
たところ24％であつた。
感光剤の合成 500mlの褐色フラスコの中に，アセトン50gとジオキサ
ン150gを入れ、クレゾール・ホルムアルデヒド樹脂（ア
メリカン・ヘキスト・コーポレーション製、アルノバー
ル（Alnoval）PN−430）38gを溶解した。溶解を目視で
確認後に、２−ジアゾ−1,2−ナフトキノン−５−スル
ホニルクロライド8.18gを加えて、溶解させた。このフ
ラスコ内に、ジメチルアミノピリジン0.15gを加え、溶
解させた後に、トリエチルアミン3.08gを１時間で滴下
した。反応の終了後に、生成した塩をガラスフィルタで
除去後、脱イオン水１リットルと濃塩酸1ccから成る溶
液内にろ液を滴下し、感光剤を析出させた。感光剤をろ
過によって得、ロート上から脱イオン水0.1リットルで
洗浄した。次に１リットルのビーカーを用意し、ロート
愛の感光剤を0.3リットルのメタノールにあけて洗浄
し、再びろ過で感光剤を分別し、0.1リットルのメタノ
ールでロート上から洗浄した。
ン150gを入れ、クレゾール・ホルムアルデヒド樹脂（ア
メリカン・ヘキスト・コーポレーション製、アルノバー
ル（Alnoval）PN−430）38gを溶解した。溶解を目視で
確認後に、２−ジアゾ−1,2−ナフトキノン−５−スル
ホニルクロライド8.18gを加えて、溶解させた。このフ
ラスコ内に、ジメチルアミノピリジン0.15gを加え、溶
解させた後に、トリエチルアミン3.08gを１時間で滴下
した。反応の終了後に、生成した塩をガラスフィルタで
除去後、脱イオン水１リットルと濃塩酸1ccから成る溶
液内にろ液を滴下し、感光剤を析出させた。感光剤をろ
過によって得、ロート上から脱イオン水0.1リットルで
洗浄した。次に１リットルのビーカーを用意し、ロート
愛の感光剤を0.3リットルのメタノールにあけて洗浄
し、再びろ過で感光剤を分別し、0.1リットルのメタノ
ールでロート上から洗浄した。
得られた感光剤を25℃、740mmHgの真空度で24時間乾
燥した。
燥した。
比較例４ メタクレゾール／バラクレゾールが、重量比で55/45
の軟化温度が150℃であるクレゾールノボラック樹脂20
重量部、上記で合成した感光剤4.5重量部、1,2−ナフト
キノンジアジド４−スルホニルクロライド1.5重量部及
び２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−
ベンゾトリアゾール0,52重量部をエチルセロソルブアセ
テート74重量部に溶解させ、感光性樹脂組成物を得た。
の軟化温度が150℃であるクレゾールノボラック樹脂20
重量部、上記で合成した感光剤4.5重量部、1,2−ナフト
キノンジアジド４−スルホニルクロライド1.5重量部及
び２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−
ベンゾトリアゾール0,52重量部をエチルセロソルブアセ
テート74重量部に溶解させ、感光性樹脂組成物を得た。
次に、実施例１と同様にして感光膜を得て、（株）日
立製作所製露光装置LD−5010iを用いて、フォトマスク
を介して700ミリ秒露光し、2.38重量％のテトラメチル
アンモニウム水溶液により23℃で60秒間現像し、脱イオ
ン水で60秒間リンスした。
立製作所製露光装置LD−5010iを用いて、フォトマスク
を介して700ミリ秒露光し、2.38重量％のテトラメチル
アンモニウム水溶液により23℃で60秒間現像し、脱イオ
ン水で60秒間リンスした。
線幅0.7μｍのパターンが得られたが、線間に現像残
りが見られた。
りが見られた。
（発明の効果） 本発明になる感光性樹脂組成物はｉ線（波長365nm）
に対する吸収が強く，基板上からの光反射の少ない効果
があり，写真工業，印刷工業，電子工業等の分野に広く
使用することが可能である。
に対する吸収が強く，基板上からの光反射の少ない効果
があり，写真工業，印刷工業，電子工業等の分野に広く
使用することが可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 通晰 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−214847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−67531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−155534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−262043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−45240（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】アルカリ水溶液可溶性ノボラツク樹脂
（Ａ），没食子酸エステル，トリヒドロキシベンゾフエ
ノン，テトラヒドロキシベンゾフエノンまたはこれらの
混合物と1,2−ナフトキノン−（２）−ジアジド−５−
スルホニルクロライドまたは1,2−ナフトキノン−
（２）−ジアジド−４−スルホニルクロライドとを反応
させた感光剤（Ｂ）および下記の一般式（Ｉ）で示され
る紫外線吸収剤（Ｃ）を含有し（Ａ）および（Ｂ）の合
計量を100重量部として（Ａ）と（Ｂ）との割合を
（Ａ）／（Ｂ）＝90〜71/10〜29（重量比）とし，
（Ａ）および（Ｂ）の合計量100重量部に対して（Ｃ）
を0.1〜10重量部の範囲としてなる感光性樹脂組成物。 （ここでR1はＨまたはCnH2n+1（ｎは１〜10の整数）,R2
はＨまたはCKH2K+1（Ｋは１〜10の整数）を表わし,R1と
R2は同一でも異なってもよい。）
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP63068465A JP2622267B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 感光性樹脂組成物 |
| EP19890104820 EP0334233A3 (en) | 1988-03-23 | 1989-03-17 | Photosensitive resin composition and pattern formation using the same |
| US07/326,740 US5215858A (en) | 1988-03-23 | 1989-03-21 | Photosensitive resin composition and pattern formation using the same |
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| JP63068465A JP2622267B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 感光性樹脂組成物 |
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|---|---|
| JPH01241546A JPH01241546A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2622267B2 true JP2622267B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
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| JP (1) | JP2622267B2 (ja) |
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| CN102576192B (zh) * | 2009-10-26 | 2014-01-01 | 株式会社东进世美肯 | 感光性树脂组合物 |
| KR20120027685A (ko) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | 삼성테크윈 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
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| AU8021782A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-26 | Polychrome Corp. | Non-silver positive working radiation sensitive compositions |
| US4486518A (en) * | 1981-02-20 | 1984-12-04 | Polychrome Corporation | Duplicating film mask with radiation absorbing benzophenone in processed positive-working radiation sensitive layer on transparent substrate |
| JPS59214847A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-04 | Nagase Kasei Kogyo Kk | フオトレジスト組成物 |
| JPS6145240A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS6267531A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Nippon Zeon Co Ltd | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS62262043A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US4871644A (en) * | 1986-10-01 | 1989-10-03 | Ciba-Geigy Corporation | Photoresist compositions with a bis-benzotriazole |
| JP2622267B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1997-06-18 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068465A patent/JP2622267B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-17 EP EP19890104820 patent/EP0334233A3/en not_active Withdrawn
- 1989-03-21 US US07/326,740 patent/US5215858A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-23 KR KR1019890003679A patent/KR910005873B1/ko not_active Expired
-
1992
- 1992-11-02 US US07/970,031 patent/US5314783A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR890015067A (ko) | 1989-10-28 |
| KR910005873B1 (ko) | 1991-08-06 |
| US5215858A (en) | 1993-06-01 |
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| US5314783A (en) | 1994-05-24 |
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