[go: up one dir, main page]

JP2676001B2 - 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 - Google Patents

1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法

Info

Publication number
JP2676001B2
JP2676001B2 JP2057273A JP5727390A JP2676001B2 JP 2676001 B2 JP2676001 B2 JP 2676001B2 JP 2057273 A JP2057273 A JP 2057273A JP 5727390 A JP5727390 A JP 5727390A JP 2676001 B2 JP2676001 B2 JP 2676001B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bis
tetramethyl
reaction
derivative
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2057273A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03258787A (ja
Inventor
正人 田中
祐子 内丸
Original Assignee
工業技術院長
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 工業技術院長 filed Critical 工業技術院長
Priority to JP2057273A priority Critical patent/JP2676001B2/ja
Publication of JPH03258787A publication Critical patent/JPH03258787A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2676001B2 publication Critical patent/JP2676001B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規な反応を利用し、入手容易な化合物を
原料として、環状の1,2−ビスシリルエチレン誘導体で
ある、1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を簡
単に製造する方法に関する。
従来の技術 環状ジシランとアセチレンの反応、いわゆるダブルシ
リル化反応により種々の環状1,2−ビスシリルエチレン
誘導体を製造する方法は知られているが、入手可能な環
状ジシランは限られており、しかも一般には高価である
ため工業的に有利な方法とはいえない。
また、シリレンとアセチレン類の反応により1,4−ジ
シラ−2,5−シクロヘキサジエン誘導体を製造する方法
も知られているが、原料として用いられるシリレンを得
るには一般には紫外光の照射又は300℃付近の高温とい
う厳しい条件が必要であり、副生物としてシラシクロペ
ンタジエンを生成することが多く、一連の方法として工
業的に実施するには不適当である。
さらに別の方法として、Si−H結合を有するケイ素原
子を含む有機基をケイ素上の置換基として有するシリル
アセチレンの分子内ヒドロシリル化反応を利用する方法
が知られているが[Topics of Current Chemistry,5
0(1974)44]、原料物質である上記シリルアセチレン
を製造する工程が複雑であり、工業的に実施するには満
足できる方法ではない。
発明が解決しようとする課題 本発明は、安価かつ大量に入手可能な原料を用い温和
な条件で、1,2−ビスシリルエチレン誘導体、特に1,4−
ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を工業的に有利に
製造しうる方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、1,2−ビスシリルエチレン誘導体の製
造方法について種々研究を重ねた結果、ジシリル化合物
とアセチレン化合物との間の新規反応を利用することに
より、温和な条件下で、簡単に環状の1,2−ビスシリル
エチレン誘導体である1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体が得られることを見出し、本発明をなすに
至った。
すなわち、本発明は、(A)一般式 (式中のYはアルキレン基又は隣接炭素原子に結合手を
有するアリーレン基、R1,R2,R3及びR4はそれぞれ水素原
子又はアルキル基である) で表わされるジシリル化合物と、(B)一般式 R5C≡CR6 (II) (式中のR5及びR6はそれぞれ水素原子、炭化水素基、ヒ
ドロカルビルオキシカルボニル基である) で表わされるアセチレン化合物とを、(C)Pt、Ru、Rh
及びPdの中から選ばれた遷移金属の錯体から成る触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、 で表わされる1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導
体の製造方法を提供するものである。
本発明方法の反応は、次の反応式に従って進行する。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
つ) この際、副反応として以下に示す反応が進行し、1,4
−ジシラシクロアルカン誘導体や1,3−ジシラシクロア
ルカン誘導体が副生することがある。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
つ) これらの反応はいずれも、これまで知られていない新
規反応である。
本発明方法において原料に用いる(A)成分のヒドロ
シラン類は前記一般式(イ)で表わされ、該式中のYで
示される二価の基は1,2−フェニレン、1,2−ナフチレン
などの1,2−アリーレン基又はエチレン、プロピレン、
トリメチレンなどのアルキレンであって、このヒドロシ
ラン類を例示すると、o−ビス(ジメチルシリル)ベン
ゼン、o−ビス(ジフェニルシリル)ベンゼン、1,2−
ビス(ジメチルシリル)ナフタレン、1,2−ビス(ジメ
チルシリル)アントラセン、1,2−ビス(ジメチルシリ
ル)エタンなどが挙げられる。
また、原料に用いる(B)成分のアセチレン類として
は、例えばアセチレン、1−プロピン、1−ブチン、2
−ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、3−ヘキシ
ン、1−デシン、4−デシン、シクロノニン、シクロド
デシン、フェニルアセチレン、o−、m−又はp−トリ
ルアセチレン、1−フェニル−1−プロピン、1−フェ
ニル−2−プロピン、4−フェニル−1−ブチン、ジフ
ェニルアセチレン、1−フェニル−2−シクロヘキシル
アセチレン、プロピオール酸メチル、アセチレンジカル
ボン酸ジメチルなどが挙げられる。
これら原料のヒドロシラン類とアセチレン類の使用割
合については、通常ヒドロシラン類とアセチレン類のモ
ル比で100:1ないし1:100、好ましくは10:1ないし1:10の
範囲で選ばれる。ただし、アセチレンのようにガス状の
原料を用いる場合には、該ガス状原料をこの範囲を超え
て使用しても差し支えなく、また該ガス状原料を反応系
中にバブリングするのが有利である。
本発明方法で触媒として用いる(C)の遷移金属錯体
としては、従来知られているPt,Ru,Rh又はPdの錯体の中
から任意に選択することができるが、少なくとも一部が
反応媒体に可溶の化合物を用いるのが反応速度を高める
点で好ましい。この錯体としては有機配位子あるいは一
酸化炭素を含む錯体が特に好適に用いられる。これら錯
体の例を示すと、(η−エチレン)ビス(トリフェニル
ホスフィン)白金、テトラキス(ジフェニルメチルホス
フィン)白金、ジクロロビス(フェニルジメチルホスフ
ィン)白金、クロロヒドリドビス(トリブチルホスフィ
ン)白金、ジクロロ(テトラメチルエチレンジアミン)
白金、ジブロモビス(トリエチルホスファイト)白金、
ジクロロビス(ベンゾニトリル)白金、ビス(η−1,5
−シクロオクタジエン)白金、ジクロロ(η−1,5−シ
クロオクタジエン)白金、ジカルボニルビス(トリブチ
ルホスフィン)白金、カルボナトビス(トリシクロヘキ
シルホスフィン)白金、ビス(ジベンジリデンアセト
ン)ビス(トリフェニルホスフィン)白金、(η−エチ
レン)ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テ
トラキス(ジフェニルメチルホスフィン)パラジウム、
ジクロロビス(フェニルジメチルホスフィン)パラジウ
ム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム、
ジクロロ(η−1,5−シクロオクタジエン)パラジウ
ム、ビス(η−アリル)パラジウム、ビス(アセチルア
セトナト)ニッケル、クロロトリス(トリフェニルホス
フィン)ロジウム、クロロ(カルボニル)トリス(トリ
ブチルホスフィン)ロジウム、ドデカカルボニル四ロジ
ウム、ジ−μ−クロロ−ビス(シクロオクタジエン)二
ロジウム、ビス(η−エチレン)(η−シクロペンタジ
エニル)ロジウム、ドデカカルボニル三ルテニウム、
(η−1,5−シクロオクタジエン)(η−シクロオクタ
トリエン)ルテニウムなどが挙げられる。これらの錯体
は単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
さらに、これらの遷移金属化合物と共にそれに含まれ
るものと同一又は異なる有機配位子を併用するのが有利
である。
このような有機配位子としては、例えばホスフィン、
ホスホナイト、ホスフィナイト、ホスファイト、オレフ
ィン、β−ジケトン、アミン、ニトリルなどが挙げられ
る。これらを例示すると、トリメチルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリシク
ロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
(p−トリル)ホスフィン、トリ(p−アニシル)ホス
フィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチ
ルホスフィンなどの鎖状ホスフィン、p−メチルホスホ
レン、p−メチルホスホール、9−メチル−9−ホスフ
ァビシクロ[4.2.1]ノナンなどの環状ホスフィン、1,2
−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジ
メチルホスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジメチルホ
スフィノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パン、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,
1′−ビス(ジメチルホスフィノ)フェロセン、1,1′−
ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、α,α′−
ビス(ジメチルホスフィノ)−o−キシレン、1,2−ビ
ス(ジメチルホスフィノ)ベンゼンなどのビスホスフィ
ン、ジメチルメチルホスホナイト、ジメチルフェニルホ
スホナイトなどのホスホナイト、メチルジメチルホスフ
ィナイト、ジフェニルホスフィナイトなどのホスフィナ
イト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファ
イト、トリメチロールプロパンホスファイトなどのホス
ファイト、エチレン、プロペン、シクロオクテン、1,5
−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−シク
ロペンタジエン、ノルボルナジエン、1,3,5,7−シクロ
オクタテトラエンなどのオレフィン、アセチルアセトン
などのβ−ジケトン、エチレンジアミン、2,2′−ビピ
リジルなどのアミン、ベンゾニトリルなどのニトリルが
挙げられる。
(C)の遷移金属錯体の使用量はいわゆる触媒量でよ
く、ヒドロシラン類に対し、モル比で0.0001〜0.5の範
囲で選ぶのがよい。
本発明の反応は特に溶媒を使用することなく、反応に
供すべきヒドロシラン類とアセチレン類の混合物を用い
ることにより容易に実施される。しかし、溶媒の使用は
本発明の反応の生起にとって障害となるものではなく、
必要に応じ溶媒中で実施される。これらの溶媒の選択は
反応させるべきヒドロシラン類の反応性や沸点、及びア
セチレン類の沸点などを考慮して一般に用いられる溶
媒、例えば炭化水素系、又はエーテル系の溶媒の中から
選ぶのが好ましい。
本発明の反応は0℃以下でも進行するが、好ましい速
度に達するためには250℃までの温度に加熱することも
できる。原料物質の構造にもよるが、一般的に好ましい
温度領域は0〜150℃である。
反応後の生成物の分離は未反応原料などを蒸留などで
分離後、精留、再結晶、クロマトグラフィーなどに付す
ことで容易に実施される。
本発明方法を用いると、これまでの方法では製造する
ことができなかった化合物、例えば次の一般式で表わさ
れる新規な1,4−ベンゾジシリン誘導体を提供すること
ができる。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
ち、Rはアルキル基、nは0又は1〜4の整数である) 発明の効果 本発明方法によると、入手容易な化合物を原料とし
て、温和な条件下で、1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体を製造することができる上に従来の方法で
は得られなかった文献に未収載の新規化合物を製造する
ことができる。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 Pt(CH2=CH2)(PPh3を0.005ミリモル及びo−
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液2ミリリットルに30℃にて、フェニルアセチ
レンを0.25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを
加え、30℃にて撹拌し、反応させた。19時間反応させた
後濃縮し、蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−2−フ
ェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベン
ゾジシラ−4−シクロペンテン の混合物がそれぞれ収率68%及び10%で得られた。この
生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化合
物はいずれも文献に未収載の新規化合物であり、その物
性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
1,1,4,4−テトラメチル−2−フェニル−1,4−ベンゾ
ジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 沸点:110℃/1mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ 7.65−7.58(4H,m),7.45−7.2
0(7H,m),6.85(1H,s),0.37(6H,s),0.36(6H,s) GC−MS(El,70eV):294(M+,47),279(100) IR(第1図) 元素分析値:実測値C73.86%,H7.63% 理論値C73.40%H7.53% 1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジ
シラ−4−シクロペンテン1 H−NMR(CDCl3):δ7.6−7.2(9H,m),2.93(2H,d,J
=8.5Hz),0.74(1H,t,J=8.5Hz),0.21(6H,s),0.15
(6H,s) GC−MS:296(M+,2),281(100) 実施例2〜7 触媒を変えて80℃にて7時間、実施例1と同様に反応
を行った結果を第1表に示す。
Aは1,1,4,4−テトラメチル−2−フェニル−1,4−ベ
ンゾジシラ−5−シクロヘキサジエン、Bは1,1,3,3−
テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジシラ−4
−シクロペンテンを示す。
また、収率はガスクロマトグラフィーで分析した値で
ある。
実施例8〜11 アセチレン、反応温度、反応時間を変えて実施例1と
同様に反応を行った結果を第2表に示す。
以下の生成物は全て文献に未収載の新規化合物であ
る。
実施例12 Pt(CH2=CH2)(PPh3を0.005ミリモル及びo−
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液4ミリリットルをアセチレンガス雰囲気下
(風船使用)30℃で撹拌し19時間反応させた。濃縮し、
蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ
−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−
シクロヘキセン の混合物がそれぞれ46%及び23%の収率で得られた。そ
の生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化
合物はいづれも文献に未収載の新規化合物であり、その
物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シ
クロヘキセナジエン 沸点:95℃/20mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),7.1(2H,s),0.29(12H,
s) GC−MS:218(M+,46),203(100) IR(第6図) 1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−シク
ロヘキセン1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),1.02(4H,s),0.23(12H,
s) GC−MS:220(M+,22),205(100) 実施例13 Pt(CH2=CH2)(PPh3を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、4−オクチンを0.25ミリモ
ル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃にて滴下し、
80℃にて24時間反応を行った。濃縮後蒸留し、1,1,4,4
−テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−
シクロヘキセンを60%の収率で得た。
沸点:115℃/25mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ2.1−1.9(4H,m),1.4−1.1(4H,
s),0.86(6H,t,J=7Hz),0.71(4H,s),0.02(12H,s) GC−MS:254(M+,24),59(100) IR(第7図) 元素分析値:実測値C66.10%,H11.94% 理論値C66.06%,H11.88% 実施例14 1,2−ビス(ジメチルシリル)エタンの代わりに1,3−
ビス(ジメチルシリル)プロパン0.25ミリモルを用い、
4−オクチン0.25ミリモル用いて実施例13と同様に、2
時間反応を行った。反応後濃縮し蒸留して、1,1,4,4−
テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シ
クロヘプテンを11%の収率で得た。
沸点90℃/2mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ2.20−2.00(4H,m),1.41−1.15
(6H,m),0.97〜0.77(10H,m),0.06(12H,s) GC−MS:268(M+,20),225(52),59(100) IR(第8図) 実施例15 Pt(CH2=CH2)(PPh3を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、ジフェニルアセチレンを0.
25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃で滴
下し、80℃で1時間反応させた。次いで生成物を濃縮後
蒸留して、1,1,4,4−テトラメチル−2,3−ジフェニル−
1,4−ジシラ−2−シクロヘキセンを83%の収率で得
た。このものの物性は次のとおりであった。
沸点 115℃/25mmHg(クーゲルロール) 融点 114〜115℃1 H−NMR(CDCl3):δ7.2−6.7(10H,m),1.04(4H,
s),0.07(12H,s) GC−MS:322(M-,100),307(62) IR(第9図) 元素分析値:実測値C74.64%,H8.13% 理論値C66.06%,H8.12%
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2−フェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第2図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジフェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第3図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第4図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2−ヘキシル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第5図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−1,4−
ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエンの赤外吸収ス
ペクトル、 第6図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジ
エンの赤外吸収スペクトル、 第7図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シク
ロヘキセンの赤外吸収スペクトル、 第8図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
プテンの赤外吸収スペクトル、 第9図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジフェニル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
キセンの赤外吸収スペクトルである。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)一般式 (式中のYはアルキレン基又は隣接炭素原子に結合手を
    有するアリーレン基、R1,R2,R3及びR4はそれぞれ水素原
    子又はアルキル基である) で表わされるジシリル化合物と、(B)一般式 R5C≡CR6 (式中のR5及びR6はそれぞれ水素原子、炭化水素基又は
    ヒドロカルビルオキシカルボニル基である) で表わされるアセチレン化合物とを、(C)Pt、Ru、Rh
    及びPdの中から選ばれた遷移金属の錯体から成る触媒の
    存在下に反応させることを特徴とする、 で表わされる1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導
    体の製造方法。
JP2057273A 1990-03-08 1990-03-08 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 Expired - Lifetime JP2676001B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2057273A JP2676001B2 (ja) 1990-03-08 1990-03-08 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2057273A JP2676001B2 (ja) 1990-03-08 1990-03-08 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03258787A JPH03258787A (ja) 1991-11-19
JP2676001B2 true JP2676001B2 (ja) 1997-11-12

Family

ID=13050925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2057273A Expired - Lifetime JP2676001B2 (ja) 1990-03-08 1990-03-08 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2676001B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19619138C2 (de) * 1996-05-11 2002-04-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von vinylierten Silicium-organischen Verbindungen
US5998649A (en) * 1999-05-17 1999-12-07 Jung; Il Nam Organosilicon compounds and method for preparation

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03258787A (ja) 1991-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Uchimaru et al. Selective arylation of a silicon-hydrogen bond in o-bis (dimethylsilyl) benzene via carbon-hydrogen bond activation of arenes
Schumann et al. Organometallic compounds of the lanthanides. CXXIII. Lanthanide bent-sandwich complexes with the bulky tetramethyl-iso-propylcyclopentadienyl ligand—synthesis, structures and catalytic activity for the hydrosilylation of alkenes/alkynes
JP6085892B2 (ja) 単核鉄錯体およびそれを使用した有機合成反応
JP2676001B2 (ja) 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法
JP6617264B2 (ja) 単核鉄錯体およびそれを使用した有機合成反応
JP6241966B2 (ja) 単核ルテニウム錯体およびそれを使用した有機合成反応
JP3662501B2 (ja) アルケニルホスフィンオキシド類の製造方法
JP6089286B2 (ja) 単核ルテニウム錯体およびそれを使用した有機合成反応
JP5046225B2 (ja) 1,2−ビス(ジアリールホスフィニル)エテン骨格を有する化合物の製造方法
KR101133865B1 (ko) 할로유기알콕시실란의 제조 방법
US6872845B2 (en) Process for making haloorganoalkoxysilanes
JP2535794B2 (ja) 含ケイ素5環性化合物及びその製造方法
JP4156857B2 (ja) 3−クロロ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法
JP3561237B2 (ja) ベータアリールチオアクリル酸エステル誘導体の製造法
JPH06263770A (ja) アリールシラン類の製造方法
JP4142880B2 (ja) ジエステル化ジエン誘導体の製造方法
JPH03258788A (ja) 4,5−ベンゾ−1,3−ジシラシクロペンテン誘導体及びその製造方法
JPH03258789A (ja) 2h―2,1,4―ベンゾアザジシリン誘導体及びその製造方法
JPH0730095B2 (ja) 2,1,3―ベンゾアザジシロリジン誘導体の製造方法
JP2500382B2 (ja) ビス(1,2―ビスシリルエチレン)類及びその製造方法
JP2690037B2 (ja) 5,6−ベンゾ−1,4−ジシラシクロヘキセン誘導体及びその製造方法
JPS60214750A (ja) 新規なテトラエン,その製法
JP2003026635A (ja) 4−ハロ−2−オキソ−3−ブテン酸エステル誘導体及びその製造方法
JPH07113035B2 (ja) 1―シロキシ―1―シリルメタン誘導体及びその製造方法
JPH11255778A (ja) シリルチオアルケン化合物及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term