JP2676001B2 - 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 - Google Patents
1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、新規な反応を利用し、入手容易な化合物を
原料として、環状の1,2−ビスシリルエチレン誘導体で
ある、1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を簡
単に製造する方法に関する。
原料として、環状の1,2−ビスシリルエチレン誘導体で
ある、1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を簡
単に製造する方法に関する。
従来の技術 環状ジシランとアセチレンの反応、いわゆるダブルシ
リル化反応により種々の環状1,2−ビスシリルエチレン
誘導体を製造する方法は知られているが、入手可能な環
状ジシランは限られており、しかも一般には高価である
ため工業的に有利な方法とはいえない。
リル化反応により種々の環状1,2−ビスシリルエチレン
誘導体を製造する方法は知られているが、入手可能な環
状ジシランは限られており、しかも一般には高価である
ため工業的に有利な方法とはいえない。
また、シリレンとアセチレン類の反応により1,4−ジ
シラ−2,5−シクロヘキサジエン誘導体を製造する方法
も知られているが、原料として用いられるシリレンを得
るには一般には紫外光の照射又は300℃付近の高温とい
う厳しい条件が必要であり、副生物としてシラシクロペ
ンタジエンを生成することが多く、一連の方法として工
業的に実施するには不適当である。
シラ−2,5−シクロヘキサジエン誘導体を製造する方法
も知られているが、原料として用いられるシリレンを得
るには一般には紫外光の照射又は300℃付近の高温とい
う厳しい条件が必要であり、副生物としてシラシクロペ
ンタジエンを生成することが多く、一連の方法として工
業的に実施するには不適当である。
さらに別の方法として、Si−H結合を有するケイ素原
子を含む有機基をケイ素上の置換基として有するシリル
アセチレンの分子内ヒドロシリル化反応を利用する方法
が知られているが[Topics of Current Chemistry,5
0(1974)44]、原料物質である上記シリルアセチレン
を製造する工程が複雑であり、工業的に実施するには満
足できる方法ではない。
子を含む有機基をケイ素上の置換基として有するシリル
アセチレンの分子内ヒドロシリル化反応を利用する方法
が知られているが[Topics of Current Chemistry,5
0(1974)44]、原料物質である上記シリルアセチレン
を製造する工程が複雑であり、工業的に実施するには満
足できる方法ではない。
発明が解決しようとする課題 本発明は、安価かつ大量に入手可能な原料を用い温和
な条件で、1,2−ビスシリルエチレン誘導体、特に1,4−
ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を工業的に有利に
製造しうる方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
な条件で、1,2−ビスシリルエチレン誘導体、特に1,4−
ジシラシクロアルケン−(2)誘導体を工業的に有利に
製造しうる方法を提供することを目的としてなされたも
のである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、1,2−ビスシリルエチレン誘導体の製
造方法について種々研究を重ねた結果、ジシリル化合物
とアセチレン化合物との間の新規反応を利用することに
より、温和な条件下で、簡単に環状の1,2−ビスシリル
エチレン誘導体である1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体が得られることを見出し、本発明をなすに
至った。
造方法について種々研究を重ねた結果、ジシリル化合物
とアセチレン化合物との間の新規反応を利用することに
より、温和な条件下で、簡単に環状の1,2−ビスシリル
エチレン誘導体である1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体が得られることを見出し、本発明をなすに
至った。
すなわち、本発明は、(A)一般式 (式中のYはアルキレン基又は隣接炭素原子に結合手を
有するアリーレン基、R1,R2,R3及びR4はそれぞれ水素原
子又はアルキル基である) で表わされるジシリル化合物と、(B)一般式 R5C≡CR6 (II) (式中のR5及びR6はそれぞれ水素原子、炭化水素基、ヒ
ドロカルビルオキシカルボニル基である) で表わされるアセチレン化合物とを、(C)Pt、Ru、Rh
及びPdの中から選ばれた遷移金属の錯体から成る触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、 で表わされる1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導
体の製造方法を提供するものである。
有するアリーレン基、R1,R2,R3及びR4はそれぞれ水素原
子又はアルキル基である) で表わされるジシリル化合物と、(B)一般式 R5C≡CR6 (II) (式中のR5及びR6はそれぞれ水素原子、炭化水素基、ヒ
ドロカルビルオキシカルボニル基である) で表わされるアセチレン化合物とを、(C)Pt、Ru、Rh
及びPdの中から選ばれた遷移金属の錯体から成る触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、 で表わされる1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導
体の製造方法を提供するものである。
本発明方法の反応は、次の反応式に従って進行する。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
つ) この際、副反応として以下に示す反応が進行し、1,4
−ジシラシクロアルカン誘導体や1,3−ジシラシクロア
ルカン誘導体が副生することがある。
つ) この際、副反応として以下に示す反応が進行し、1,4
−ジシラシクロアルカン誘導体や1,3−ジシラシクロア
ルカン誘導体が副生することがある。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
つ) これらの反応はいずれも、これまで知られていない新
規反応である。
つ) これらの反応はいずれも、これまで知られていない新
規反応である。
本発明方法において原料に用いる(A)成分のヒドロ
シラン類は前記一般式(イ)で表わされ、該式中のYで
示される二価の基は1,2−フェニレン、1,2−ナフチレン
などの1,2−アリーレン基又はエチレン、プロピレン、
トリメチレンなどのアルキレンであって、このヒドロシ
ラン類を例示すると、o−ビス(ジメチルシリル)ベン
ゼン、o−ビス(ジフェニルシリル)ベンゼン、1,2−
ビス(ジメチルシリル)ナフタレン、1,2−ビス(ジメ
チルシリル)アントラセン、1,2−ビス(ジメチルシリ
ル)エタンなどが挙げられる。
シラン類は前記一般式(イ)で表わされ、該式中のYで
示される二価の基は1,2−フェニレン、1,2−ナフチレン
などの1,2−アリーレン基又はエチレン、プロピレン、
トリメチレンなどのアルキレンであって、このヒドロシ
ラン類を例示すると、o−ビス(ジメチルシリル)ベン
ゼン、o−ビス(ジフェニルシリル)ベンゼン、1,2−
ビス(ジメチルシリル)ナフタレン、1,2−ビス(ジメ
チルシリル)アントラセン、1,2−ビス(ジメチルシリ
ル)エタンなどが挙げられる。
また、原料に用いる(B)成分のアセチレン類として
は、例えばアセチレン、1−プロピン、1−ブチン、2
−ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、3−ヘキシ
ン、1−デシン、4−デシン、シクロノニン、シクロド
デシン、フェニルアセチレン、o−、m−又はp−トリ
ルアセチレン、1−フェニル−1−プロピン、1−フェ
ニル−2−プロピン、4−フェニル−1−ブチン、ジフ
ェニルアセチレン、1−フェニル−2−シクロヘキシル
アセチレン、プロピオール酸メチル、アセチレンジカル
ボン酸ジメチルなどが挙げられる。
は、例えばアセチレン、1−プロピン、1−ブチン、2
−ブチン、1−ペンチン、2−ペンチン、3−ヘキシ
ン、1−デシン、4−デシン、シクロノニン、シクロド
デシン、フェニルアセチレン、o−、m−又はp−トリ
ルアセチレン、1−フェニル−1−プロピン、1−フェ
ニル−2−プロピン、4−フェニル−1−ブチン、ジフ
ェニルアセチレン、1−フェニル−2−シクロヘキシル
アセチレン、プロピオール酸メチル、アセチレンジカル
ボン酸ジメチルなどが挙げられる。
これら原料のヒドロシラン類とアセチレン類の使用割
合については、通常ヒドロシラン類とアセチレン類のモ
ル比で100:1ないし1:100、好ましくは10:1ないし1:10の
範囲で選ばれる。ただし、アセチレンのようにガス状の
原料を用いる場合には、該ガス状原料をこの範囲を超え
て使用しても差し支えなく、また該ガス状原料を反応系
中にバブリングするのが有利である。
合については、通常ヒドロシラン類とアセチレン類のモ
ル比で100:1ないし1:100、好ましくは10:1ないし1:10の
範囲で選ばれる。ただし、アセチレンのようにガス状の
原料を用いる場合には、該ガス状原料をこの範囲を超え
て使用しても差し支えなく、また該ガス状原料を反応系
中にバブリングするのが有利である。
本発明方法で触媒として用いる(C)の遷移金属錯体
としては、従来知られているPt,Ru,Rh又はPdの錯体の中
から任意に選択することができるが、少なくとも一部が
反応媒体に可溶の化合物を用いるのが反応速度を高める
点で好ましい。この錯体としては有機配位子あるいは一
酸化炭素を含む錯体が特に好適に用いられる。これら錯
体の例を示すと、(η−エチレン)ビス(トリフェニル
ホスフィン)白金、テトラキス(ジフェニルメチルホス
フィン)白金、ジクロロビス(フェニルジメチルホスフ
ィン)白金、クロロヒドリドビス(トリブチルホスフィ
ン)白金、ジクロロ(テトラメチルエチレンジアミン)
白金、ジブロモビス(トリエチルホスファイト)白金、
ジクロロビス(ベンゾニトリル)白金、ビス(η−1,5
−シクロオクタジエン)白金、ジクロロ(η−1,5−シ
クロオクタジエン)白金、ジカルボニルビス(トリブチ
ルホスフィン)白金、カルボナトビス(トリシクロヘキ
シルホスフィン)白金、ビス(ジベンジリデンアセト
ン)ビス(トリフェニルホスフィン)白金、(η−エチ
レン)ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テ
トラキス(ジフェニルメチルホスフィン)パラジウム、
ジクロロビス(フェニルジメチルホスフィン)パラジウ
ム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム、
ジクロロ(η−1,5−シクロオクタジエン)パラジウ
ム、ビス(η−アリル)パラジウム、ビス(アセチルア
セトナト)ニッケル、クロロトリス(トリフェニルホス
フィン)ロジウム、クロロ(カルボニル)トリス(トリ
ブチルホスフィン)ロジウム、ドデカカルボニル四ロジ
ウム、ジ−μ−クロロ−ビス(シクロオクタジエン)二
ロジウム、ビス(η−エチレン)(η−シクロペンタジ
エニル)ロジウム、ドデカカルボニル三ルテニウム、
(η−1,5−シクロオクタジエン)(η−シクロオクタ
トリエン)ルテニウムなどが挙げられる。これらの錯体
は単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
としては、従来知られているPt,Ru,Rh又はPdの錯体の中
から任意に選択することができるが、少なくとも一部が
反応媒体に可溶の化合物を用いるのが反応速度を高める
点で好ましい。この錯体としては有機配位子あるいは一
酸化炭素を含む錯体が特に好適に用いられる。これら錯
体の例を示すと、(η−エチレン)ビス(トリフェニル
ホスフィン)白金、テトラキス(ジフェニルメチルホス
フィン)白金、ジクロロビス(フェニルジメチルホスフ
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ン)白金、ジクロロ(テトラメチルエチレンジアミン)
白金、ジブロモビス(トリエチルホスファイト)白金、
ジクロロビス(ベンゾニトリル)白金、ビス(η−1,5
−シクロオクタジエン)白金、ジクロロ(η−1,5−シ
クロオクタジエン)白金、ジカルボニルビス(トリブチ
ルホスフィン)白金、カルボナトビス(トリシクロヘキ
シルホスフィン)白金、ビス(ジベンジリデンアセト
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レン)ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、テ
トラキス(ジフェニルメチルホスフィン)パラジウム、
ジクロロビス(フェニルジメチルホスフィン)パラジウ
ム、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム、
ジクロロ(η−1,5−シクロオクタジエン)パラジウ
ム、ビス(η−アリル)パラジウム、ビス(アセチルア
セトナト)ニッケル、クロロトリス(トリフェニルホス
フィン)ロジウム、クロロ(カルボニル)トリス(トリ
ブチルホスフィン)ロジウム、ドデカカルボニル四ロジ
ウム、ジ−μ−クロロ−ビス(シクロオクタジエン)二
ロジウム、ビス(η−エチレン)(η−シクロペンタジ
エニル)ロジウム、ドデカカルボニル三ルテニウム、
(η−1,5−シクロオクタジエン)(η−シクロオクタ
トリエン)ルテニウムなどが挙げられる。これらの錯体
は単独で用いてもよいし、また2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
さらに、これらの遷移金属化合物と共にそれに含まれ
るものと同一又は異なる有機配位子を併用するのが有利
である。
るものと同一又は異なる有機配位子を併用するのが有利
である。
このような有機配位子としては、例えばホスフィン、
ホスホナイト、ホスフィナイト、ホスファイト、オレフ
ィン、β−ジケトン、アミン、ニトリルなどが挙げられ
る。これらを例示すると、トリメチルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリシク
ロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
(p−トリル)ホスフィン、トリ(p−アニシル)ホス
フィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチ
ルホスフィンなどの鎖状ホスフィン、p−メチルホスホ
レン、p−メチルホスホール、9−メチル−9−ホスフ
ァビシクロ[4.2.1]ノナンなどの環状ホスフィン、1,2
−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジ
メチルホスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジメチルホ
スフィノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パン、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,
1′−ビス(ジメチルホスフィノ)フェロセン、1,1′−
ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン、α,α′−
ビス(ジメチルホスフィノ)−o−キシレン、1,2−ビ
ス(ジメチルホスフィノ)ベンゼンなどのビスホスフィ
ン、ジメチルメチルホスホナイト、ジメチルフェニルホ
スホナイトなどのホスホナイト、メチルジメチルホスフ
ィナイト、ジフェニルホスフィナイトなどのホスフィナ
イト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファ
イト、トリメチロールプロパンホスファイトなどのホス
ファイト、エチレン、プロペン、シクロオクテン、1,5
−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−シク
ロペンタジエン、ノルボルナジエン、1,3,5,7−シクロ
オクタテトラエンなどのオレフィン、アセチルアセトン
などのβ−ジケトン、エチレンジアミン、2,2′−ビピ
リジルなどのアミン、ベンゾニトリルなどのニトリルが
挙げられる。
ホスホナイト、ホスフィナイト、ホスファイト、オレフ
ィン、β−ジケトン、アミン、ニトリルなどが挙げられ
る。これらを例示すると、トリメチルホスフィン、トリ
ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリシク
ロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
(p−トリル)ホスフィン、トリ(p−アニシル)ホス
フィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチ
ルホスフィンなどの鎖状ホスフィン、p−メチルホスホ
レン、p−メチルホスホール、9−メチル−9−ホスフ
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−ビス(ジメチルホスフィノ)エタン、1,3−ビス(ジ
メチルホスフィノ)プロパン、1,4−ビス(ジメチルホ
スフィノ)ブタン、1,2−ビス(ジフェニルホスフィ
ノ)エタン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロ
パン、1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,
1′−ビス(ジメチルホスフィノ)フェロセン、1,1′−
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ン、ジメチルメチルホスホナイト、ジメチルフェニルホ
スホナイトなどのホスホナイト、メチルジメチルホスフ
ィナイト、ジフェニルホスフィナイトなどのホスフィナ
イト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファ
イト、トリメチロールプロパンホスファイトなどのホス
ファイト、エチレン、プロペン、シクロオクテン、1,5
−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−シク
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オクタテトラエンなどのオレフィン、アセチルアセトン
などのβ−ジケトン、エチレンジアミン、2,2′−ビピ
リジルなどのアミン、ベンゾニトリルなどのニトリルが
挙げられる。
(C)の遷移金属錯体の使用量はいわゆる触媒量でよ
く、ヒドロシラン類に対し、モル比で0.0001〜0.5の範
囲で選ぶのがよい。
く、ヒドロシラン類に対し、モル比で0.0001〜0.5の範
囲で選ぶのがよい。
本発明の反応は特に溶媒を使用することなく、反応に
供すべきヒドロシラン類とアセチレン類の混合物を用い
ることにより容易に実施される。しかし、溶媒の使用は
本発明の反応の生起にとって障害となるものではなく、
必要に応じ溶媒中で実施される。これらの溶媒の選択は
反応させるべきヒドロシラン類の反応性や沸点、及びア
セチレン類の沸点などを考慮して一般に用いられる溶
媒、例えば炭化水素系、又はエーテル系の溶媒の中から
選ぶのが好ましい。
供すべきヒドロシラン類とアセチレン類の混合物を用い
ることにより容易に実施される。しかし、溶媒の使用は
本発明の反応の生起にとって障害となるものではなく、
必要に応じ溶媒中で実施される。これらの溶媒の選択は
反応させるべきヒドロシラン類の反応性や沸点、及びア
セチレン類の沸点などを考慮して一般に用いられる溶
媒、例えば炭化水素系、又はエーテル系の溶媒の中から
選ぶのが好ましい。
本発明の反応は0℃以下でも進行するが、好ましい速
度に達するためには250℃までの温度に加熱することも
できる。原料物質の構造にもよるが、一般的に好ましい
温度領域は0〜150℃である。
度に達するためには250℃までの温度に加熱することも
できる。原料物質の構造にもよるが、一般的に好ましい
温度領域は0〜150℃である。
反応後の生成物の分離は未反応原料などを蒸留などで
分離後、精留、再結晶、クロマトグラフィーなどに付す
ことで容易に実施される。
分離後、精留、再結晶、クロマトグラフィーなどに付す
ことで容易に実施される。
本発明方法を用いると、これまでの方法では製造する
ことができなかった化合物、例えば次の一般式で表わさ
れる新規な1,4−ベンゾジシリン誘導体を提供すること
ができる。
ことができなかった化合物、例えば次の一般式で表わさ
れる新規な1,4−ベンゾジシリン誘導体を提供すること
ができる。
(式中のR1,R2,R3,R4,R5及びR6は前記と同じ意味をも
ち、Rはアルキル基、nは0又は1〜4の整数である) 発明の効果 本発明方法によると、入手容易な化合物を原料とし
て、温和な条件下で、1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体を製造することができる上に従来の方法で
は得られなかった文献に未収載の新規化合物を製造する
ことができる。
ち、Rはアルキル基、nは0又は1〜4の整数である) 発明の効果 本発明方法によると、入手容易な化合物を原料とし
て、温和な条件下で、1,4−ジシラシクロアルケン−
(2)誘導体を製造することができる上に従来の方法で
は得られなかった文献に未収載の新規化合物を製造する
ことができる。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及びo−
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液2ミリリットルに30℃にて、フェニルアセチ
レンを0.25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを
加え、30℃にて撹拌し、反応させた。19時間反応させた
後濃縮し、蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−2−フ
ェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベン
ゾジシラ−4−シクロペンテン の混合物がそれぞれ収率68%及び10%で得られた。この
生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化合
物はいずれも文献に未収載の新規化合物であり、その物
性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液2ミリリットルに30℃にて、フェニルアセチ
レンを0.25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを
加え、30℃にて撹拌し、反応させた。19時間反応させた
後濃縮し、蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−2−フ
ェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベン
ゾジシラ−4−シクロペンテン の混合物がそれぞれ収率68%及び10%で得られた。この
生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化合
物はいずれも文献に未収載の新規化合物であり、その物
性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
1,1,4,4−テトラメチル−2−フェニル−1,4−ベンゾ
ジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 沸点:110℃/1mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ 7.65−7.58(4H,m),7.45−7.2
0(7H,m),6.85(1H,s),0.37(6H,s),0.36(6H,s) GC−MS(El,70eV):294(M+,47),279(100) IR(第1図) 元素分析値:実測値C73.86%,H7.63% 理論値C73.40%H7.53% 1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジ
シラ−4−シクロペンテン1 H−NMR(CDCl3):δ7.6−7.2(9H,m),2.93(2H,d,J
=8.5Hz),0.74(1H,t,J=8.5Hz),0.21(6H,s),0.15
(6H,s) GC−MS:296(M+,2),281(100) 実施例2〜7 触媒を変えて80℃にて7時間、実施例1と同様に反応
を行った結果を第1表に示す。
ジシラ−2,5−シクロヘキサジエン 沸点:110℃/1mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ 7.65−7.58(4H,m),7.45−7.2
0(7H,m),6.85(1H,s),0.37(6H,s),0.36(6H,s) GC−MS(El,70eV):294(M+,47),279(100) IR(第1図) 元素分析値:実測値C73.86%,H7.63% 理論値C73.40%H7.53% 1,1,3,3−テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジ
シラ−4−シクロペンテン1 H−NMR(CDCl3):δ7.6−7.2(9H,m),2.93(2H,d,J
=8.5Hz),0.74(1H,t,J=8.5Hz),0.21(6H,s),0.15
(6H,s) GC−MS:296(M+,2),281(100) 実施例2〜7 触媒を変えて80℃にて7時間、実施例1と同様に反応
を行った結果を第1表に示す。
Aは1,1,4,4−テトラメチル−2−フェニル−1,4−ベ
ンゾジシラ−5−シクロヘキサジエン、Bは1,1,3,3−
テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジシラ−4
−シクロペンテンを示す。
ンゾジシラ−5−シクロヘキサジエン、Bは1,1,3,3−
テトラメチル−2−ベンジル−1,3−ベンゾジシラ−4
−シクロペンテンを示す。
また、収率はガスクロマトグラフィーで分析した値で
ある。
ある。
実施例8〜11 アセチレン、反応温度、反応時間を変えて実施例1と
同様に反応を行った結果を第2表に示す。
同様に反応を行った結果を第2表に示す。
以下の生成物は全て文献に未収載の新規化合物であ
る。
る。
実施例12 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及びo−
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液4ミリリットルをアセチレンガス雰囲気下
(風船使用)30℃で撹拌し19時間反応させた。濃縮し、
蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ
−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−
シクロヘキセン の混合物がそれぞれ46%及び23%の収率で得られた。そ
の生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化
合物はいづれも文献に未収載の新規化合物であり、その
物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
ビス(ジメチルシリル)ベンゼンを0.25ミリモル含むベ
ンゼン溶液4ミリリットルをアセチレンガス雰囲気下
(風船使用)30℃で撹拌し19時間反応させた。濃縮し、
蒸留すると1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ
−2,5−シクロヘキサジエン 及び1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−
シクロヘキセン の混合物がそれぞれ46%及び23%の収率で得られた。そ
の生成比はガスクロマトグラフィーにより求めた。本化
合物はいづれも文献に未収載の新規化合物であり、その
物性値、スペクトルデータは以下の通りであった。
1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シ
クロヘキセナジエン 沸点:95℃/20mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),7.1(2H,s),0.29(12H,
s) GC−MS:218(M+,46),203(100) IR(第6図) 1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−シク
ロヘキセン1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),1.02(4H,s),0.23(12H,
s) GC−MS:220(M+,22),205(100) 実施例13 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、4−オクチンを0.25ミリモ
ル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃にて滴下し、
80℃にて24時間反応を行った。濃縮後蒸留し、1,1,4,4
−テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−
シクロヘキセンを60%の収率で得た。
クロヘキセナジエン 沸点:95℃/20mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),7.1(2H,s),0.29(12H,
s) GC−MS:218(M+,46),203(100) IR(第6図) 1,1,4,4−テトラメチル−1,4−ベンゾジシラ−5−シク
ロヘキセン1 H−NMR:δ7.7−7.2(4H,m),1.02(4H,s),0.23(12H,
s) GC−MS:220(M+,22),205(100) 実施例13 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、4−オクチンを0.25ミリモ
ル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃にて滴下し、
80℃にて24時間反応を行った。濃縮後蒸留し、1,1,4,4
−テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−
シクロヘキセンを60%の収率で得た。
沸点:115℃/25mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ2.1−1.9(4H,m),1.4−1.1(4H,
s),0.86(6H,t,J=7Hz),0.71(4H,s),0.02(12H,s) GC−MS:254(M+,24),59(100) IR(第7図) 元素分析値:実測値C66.10%,H11.94% 理論値C66.06%,H11.88% 実施例14 1,2−ビス(ジメチルシリル)エタンの代わりに1,3−
ビス(ジメチルシリル)プロパン0.25ミリモルを用い、
4−オクチン0.25ミリモル用いて実施例13と同様に、2
時間反応を行った。反応後濃縮し蒸留して、1,1,4,4−
テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シ
クロヘプテンを11%の収率で得た。
s),0.86(6H,t,J=7Hz),0.71(4H,s),0.02(12H,s) GC−MS:254(M+,24),59(100) IR(第7図) 元素分析値:実測値C66.10%,H11.94% 理論値C66.06%,H11.88% 実施例14 1,2−ビス(ジメチルシリル)エタンの代わりに1,3−
ビス(ジメチルシリル)プロパン0.25ミリモルを用い、
4−オクチン0.25ミリモル用いて実施例13と同様に、2
時間反応を行った。反応後濃縮し蒸留して、1,1,4,4−
テトラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シ
クロヘプテンを11%の収率で得た。
沸点90℃/2mmHg(クーゲルロール)1 H−NMR(CDCl3):δ2.20−2.00(4H,m),1.41−1.15
(6H,m),0.97〜0.77(10H,m),0.06(12H,s) GC−MS:268(M+,20),225(52),59(100) IR(第8図) 実施例15 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、ジフェニルアセチレンを0.
25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃で滴
下し、80℃で1時間反応させた。次いで生成物を濃縮後
蒸留して、1,1,4,4−テトラメチル−2,3−ジフェニル−
1,4−ジシラ−2−シクロヘキセンを83%の収率で得
た。このものの物性は次のとおりであった。
(6H,m),0.97〜0.77(10H,m),0.06(12H,s) GC−MS:268(M+,20),225(52),59(100) IR(第8図) 実施例15 Pt(CH2=CH2)(PPh3)2を0.005ミリモル及び1,2−
ビス(ジメチルシリル)エタンを0.25ミリモル含むベン
ゼン溶液2ミリリットルに、ジフェニルアセチレンを0.
25ミリモル含むベンゼン溶液2ミリリットルを80℃で滴
下し、80℃で1時間反応させた。次いで生成物を濃縮後
蒸留して、1,1,4,4−テトラメチル−2,3−ジフェニル−
1,4−ジシラ−2−シクロヘキセンを83%の収率で得
た。このものの物性は次のとおりであった。
沸点 115℃/25mmHg(クーゲルロール) 融点 114〜115℃1 H−NMR(CDCl3):δ7.2−6.7(10H,m),1.04(4H,
s),0.07(12H,s) GC−MS:322(M-,100),307(62) IR(第9図) 元素分析値:実測値C74.64%,H8.13% 理論値C66.06%,H8.12%
s),0.07(12H,s) GC−MS:322(M-,100),307(62) IR(第9図) 元素分析値:実測値C74.64%,H8.13% 理論値C66.06%,H8.12%
第1図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2−フェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第2図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジフェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第3図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第4図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2−ヘキシル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第5図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−1,4−
ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエンの赤外吸収ス
ペクトル、 第6図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジ
エンの赤外吸収スペクトル、 第7図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シク
ロヘキセンの赤外吸収スペクトル、 第8図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
プテンの赤外吸収スペクトル、 第9図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジフェニル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
キセンの赤外吸収スペクトルである。
トラメチル−2−フェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第2図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジフェニル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第3図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ベンゾジシラ−2,
5−シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第4図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2−ヘキシル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−
シクロヘキサジエンの赤外吸収スペクトル、 第5図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ビス(メトキシカルボニル)−1,4−
ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジエンの赤外吸収ス
ペクトル、 第6図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−1,4−ベンゾジシラ−2,5−シクロヘキサジ
エンの赤外吸収スペクトル、 第7図は、本発明の実施例により得られた1,1,4,4−テ
トラメチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シク
ロヘキセンの赤外吸収スペクトル、 第8図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジプロピル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
プテンの赤外吸収スペクトル、 第9図は、本発明の実施例で得られた1,1,4,4−テトラ
メチル−2,3−ジフェニル−1,4−ジシラ−2−シクロヘ
キセンの赤外吸収スペクトルである。
Claims (1)
- 【請求項1】(A)一般式 (式中のYはアルキレン基又は隣接炭素原子に結合手を
有するアリーレン基、R1,R2,R3及びR4はそれぞれ水素原
子又はアルキル基である) で表わされるジシリル化合物と、(B)一般式 R5C≡CR6 (式中のR5及びR6はそれぞれ水素原子、炭化水素基又は
ヒドロカルビルオキシカルボニル基である) で表わされるアセチレン化合物とを、(C)Pt、Ru、Rh
及びPdの中から選ばれた遷移金属の錯体から成る触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、 で表わされる1,4−ジシラシクロアルケン−(2)誘導
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057273A JP2676001B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057273A JP2676001B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258787A JPH03258787A (ja) | 1991-11-19 |
| JP2676001B2 true JP2676001B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=13050925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057273A Expired - Lifetime JP2676001B2 (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 1,2―ビスシリルエチレン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676001B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19619138C2 (de) * | 1996-05-11 | 2002-04-18 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von vinylierten Silicium-organischen Verbindungen |
| US5998649A (en) * | 1999-05-17 | 1999-12-07 | Jung; Il Nam | Organosilicon compounds and method for preparation |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP2057273A patent/JP2676001B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03258787A (ja) | 1991-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |