JP2645368B2 - Method of programming data into an electrically programmable ROM - Google Patents
Method of programming data into an electrically programmable ROMInfo
- Publication number
- JP2645368B2 JP2645368B2 JP15954287A JP15954287A JP2645368B2 JP 2645368 B2 JP2645368 B2 JP 2645368B2 JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP 15954287 A JP15954287 A JP 15954287A JP 2645368 B2 JP2645368 B2 JP 2645368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- integrated circuit
- program
- time
- rom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 claims description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 19
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 7
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Storage Device Security (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路の一部を構成する電気的にプログ
ラム可能なROMにデータをプログラムする方法に関す
る。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for programming data in an electrically programmable ROM forming part of an integrated circuit.
本明細書においては特に、「メモリ付カード（ICカー
ド）」、すなわち電気的にプログラム可能なROMを含む
集積回路を備えるカードへの応用を考えている。In this specification, application to a “card with memory (IC card)”, that is, a card including an integrated circuit including an electrically programmable ROM is particularly considered.
従来の技術 「電気的にプログラム可能なROM」とは、適当な電気
信号をこのROMを含む集積回路の入力に入力することに
よりデータの記憶が可能なメモリのことである。このデ
ータは、長期間にわたって電力の供給がなくてもこのメ
モリ中に記憶されたままになっている。この期間は保持
期間と呼ばれ、数年にわたることがある。2. Description of the Related Art An "electrically programmable ROM" is a memory that can store data by inputting appropriate electrical signals to the input of an integrated circuit that includes the ROM. This data remains stored in this memory without power for a long period of time. This period is called the retention period and may extend over several years.
メモリ付カードを応用することのできる多くの分野に
おいて、このようなカードを大量に生産する必要があ
る。また、各カードは多数のビット、例えば8Kビットの
容量を備えていることが好ましい。In many areas where cards with memory can be applied, it is necessary to mass produce such cards. Also, each card preferably has a capacity of a large number of bits, for example, 8K bits.
各ビットのプログラムを行うには、あるいはバイトご
とにプログラムする場合には、短いとはいえ無視できな
い有限の時間がかかる。It takes a finite but non-negligible time to program each bit, or to program byte by byte.
例えば、１バイトのプログラムを行うためにまず考え
られた方法では、プログラム電圧VPPを50ミリ秒にわた
って印加することが必要である。このプログラム電圧印
加時間は実際に必要とされる時間よりもはるかに長い。
しかし、この時間は、保持期間が10年になっても大丈夫
なように安全を見込んだ長さである。For example, the method first conceived for performing one-byte programming requires that the program voltage VPP be applied for 50 milliseconds. This program voltage application time is much longer than the time actually required.
However, this time is long enough to allow for a 10-year retention period.
このプログラム電圧印加時間を短くするために提案さ
れているのは、メモリを構成しているトランジスが十分
な電荷を浮け取って保持期間が確実になったことを書込
みの直後に確かめるという方法である。このように確認
を行うことにより、以前のように非常に大きな安全性を
見込んでプログラム電圧を印加する必要はなくなる。確
かに、プログラム操作を２ミリ秒の間行い、その結果を
（数マイクロ秒で）読出し、正しい場合には安全のため
再度プログラムを４ミリ秒にわたって行うということが
可能である。読み出しの確認結果が正しくない場合に
は、再び最初からプログラムをやり直す。In order to shorten the program voltage application time, a method has been proposed in which it is confirmed immediately after writing that the transistors constituting the memory have a sufficient amount of charge to float and the retention period has been ensured. . By performing such confirmation, it is no longer necessary to apply the program voltage in anticipation of very large security as before. Indeed, it is possible to perform the program operation for 2 milliseconds, read the result (in a few microseconds), and if correct, reprogram for 4 milliseconds for safety. If the read confirmation result is incorrect, the program is restarted from the beginning.
発明が解決しようとする問題点 しかし、何100万枚ものカードにプログラムする必要
がある場合にはこれでもプログラム時間が長すぎる。な
ぜなら、これらカード全部にプログラムを行うカード製
造業者にとっては、この時間はプログラムの記憶操作の
実行を思いとどまらせるぐらいの長さになるからであ
る。Problems to be Solved by the Invention However, when it is necessary to program on millions of cards, the programming time is still too long. This is because for a card manufacturer who programs all of these cards, this time would be long enough to discourage the execution of the storage operations of the program.
このようなわけで、プログラム操作を（カード製造業
者の代わりに）使用者の側に押しつけることが考えられ
ている。使用者ひとりひとりのもつプログラムすべきカ
ードの数は少ないので、時間の問題はそれほど重要でな
くなる。For this reason, it is contemplated that the program operation be pushed to the user (instead of the card manufacturer). Since the number of cards to be programmed by each user is small, the time issue becomes less important.
しかし、記憶させるデータが秘密データで、絶対にカ
ード製造業者が記憶させなければならない場合等はこの
解決法に頼ることができない。秘密データとは例えば使
用者の識別情報で、このようなデータは使用者自身に記
憶させるわけにはいかない。However, if the data to be stored is confidential and must be stored by the card manufacturer, this solution cannot be relied upon. The secret data is, for example, user identification information, and such data cannot be stored in the user himself.
問題点を解決するための手段 プログラム時間に関する上記問題点を解決するため、
本発明では以下の２段階の操作からなる簡単なプログラ
ム法を提供する。まず第１段階においては、カード製造
業者がデータを非常に短い時間プログラムする。この時
間は、次の第２段階までこのデータを保持しておくには
十分な長さである。続く第２段階においては、カード製
造業者ではなく使用者が関与する。この第２段階では、
第１段階でプログラムされたメモリに再プログラムされ
る。しかし、このときにはこのメモリを含む集積回路の
入力に再度データを入力するのではなく、既にこのメモ
リ内にプログラムされているデータが再プログラムされ
る。しかし、その際、プログラムされているデータを読
出すためにこの集積回路の外部からこのデータにアクセ
スすることはできない。さらに、このデータを外部から
変更することもできない。この第２段階では、所望の最
終保持期間（例えば10年間）を実現するのに必要なだけ
の時間をかけてプログラムを行う。Means to solve the problem In order to solve the above program time problem,
The present invention provides a simple programming method comprising the following two steps. In the first step, the card manufacturer programs the data for a very short time. This time is long enough to hold this data until the next second stage. The subsequent second stage involves the user, not the card manufacturer. In this second stage,
The first stage is reprogrammed into the programmed memory. However, at this time, the data already programmed in the memory is reprogrammed instead of re-inputting the data to the input of the integrated circuit including the memory. However, at this time, it is not possible to access the programmed data from outside the integrated circuit in order to read the data. Furthermore, this data cannot be changed externally. In this second stage, the program is run with as much time as necessary to achieve the desired final retention period (eg, 10 years).
さらに詳しく説明すると、本発明により、集積回路の
一部を構成する電気的にプログラム可能なROMをプログ
ラムする方法であって、 第１段階として、このROMに書込むデータを上記集積
回路の入力に入力し、各データをプログラムするにあた
っては、このデータを最終的に保持しておくのに必要な
時間の理論値よりもはるかに短いが、以下の第２段階ま
でデータを保持しておくには十分な時間にわたってプロ
グラム電圧を印加し、 第２段階として、このデータを最終的に保持しておく
のに十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加す
ることにより各データを機械的に再プログラムし、この
再プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からも
この集積回路の入力にデータを入力することなく、上記
ROM内のデータの読出し、再書込みを行う、集積回路内
に備えられた内部プログラム手段を用いて行うことを特
徴とする方法が提供される。More specifically, according to the present invention, there is provided a method of programming an electrically programmable ROM constituting a part of an integrated circuit. As a first step, data to be written in the ROM is input to the integrated circuit. When inputting and programming each data, it is much shorter than the theoretical time required to finally hold this data, but it is necessary to hold the data until the second stage below. The program voltage is applied for a sufficient time, and in a second step each data is mechanically reprogrammed by applying the program voltage for said time sufficient to finally retain the data, The reprogramming is performed without inputting data to the input of the integrated circuit from outside or inside the integrated circuit.
A method for reading and rewriting data in a ROM is provided, wherein the method is performed using internal program means provided in an integrated circuit.
実施例 本発明の方法が特定のメモリや特定の集積回路のみに
限定されることはない。本発明は一般に、（少なくとも
ある程度の範囲内では）プログラム電圧VPPを印加する
時間を長くすることによってデータ保持期間を長くする
ことのできる不揮発性メモリに関するものである。Embodiments The method of the present invention is not limited to a particular memory or a particular integrated circuit. The present invention generally relates to a non-volatile memory in which a data retention period can be extended by extending a time for applying a program voltage VPP (at least within a certain range).
電荷が局所的にトラップされるという形でデータが記
憶されるタイプの不揮発性メモリの大部分についてこの
ことがあてはまる。電荷がトラップされる場所は、例え
ばフローティングゲートや、２つの絶縁層間である。This is the case for most non-volatile memories of the type in which data is stored in the form of trapped charges locally. The place where the electric charge is trapped is, for example, a floating gate or between two insulating layers.
本発明の一実施例によれば、集積回路に含まれる主な
素子は、プログラム可能なROMと、このROMに接続される
データ処理用の少数の特殊な回路（例えば、比較器、カ
ウンタ、加算器）である。According to one embodiment of the present invention, the main elements included in the integrated circuit are a programmable ROM and a few special circuits for data processing (eg, comparators, counters, adders) connected to the ROM. Container).
この場合、本発明の方法を適用するために、プログラ
ムの第２段階におけるプログラム操作の実施機能をもつ
書込用オートマトンを集積回路内に備えつける。この書
込用オートマトンはメモリ内の各データをビットごとま
たはワードごとに連続的に読出し、この読出したデータ
の値を変えることなく同じ位置に再び記憶させる。この
書込用オートマトンは、例えば集積回路の外部からトリ
ガして作動させる。しかし、読出し、再書込み中には、
集積回路の外部端子に現れる読出されて再書込みされた
データとは無関係に読出用オートマトンとメモリが接続
される。In this case, in order to apply the method of the present invention, a writing automaton having a function of performing the program operation in the second stage of the program is provided in the integrated circuit. The writing automaton continuously reads each data in the memory bit by bit or word by word and stores the data again in the same position without changing the value of the read data. This automaton for writing is triggered and activated, for example, from outside the integrated circuit. However, during reading and rewriting,
The read automaton and the memory are connected irrespective of the read and rewritten data appearing at the external terminals of the integrated circuit.
本発明の別の実施例によると、集積回路にはマイクロ
プロセッサが含まれる。マイクロプロセッサとはすなわ
ち、論理信号として入力された命令により定義される様
々な機能を実行することのできる回路のことである。入
力された命令列により一連のジョブが決定され、マイク
ロプロセッサがこれらジョブを連続して実行する。命令
列はプログラム用のROMに記憶される（たいていの場合
はマスクによりプログラムされる）。マイクロプロセッ
サには、可能な命令のうちで、メモリ読出し命令または
メモリ書込み命令が必ず含まれている。According to another embodiment of the present invention, the integrated circuit includes a microprocessor. A microprocessor is a circuit that can execute various functions defined by instructions input as logic signals. A series of jobs is determined by the input instruction sequence, and the microprocessor executes these jobs continuously. The instruction sequence is stored in a program ROM (mostly programmed by a mask). The microprocessor always includes a memory read instruction or a memory write instruction among the possible instructions.
この場合、プログラム用ROMには、電気的にプログラ
ム可能なROMの読出し、再書込みをデータ１つごとに実
行させる命令列を記憶させることが考えられる。この命
令列を実行させるには、集積回路の外部端子からマイク
ロプロセッサに向けて適当な命令を送る。ところで、こ
の命令列を実行している間は、マイクロプロセッサによ
りメモリから読出されて再書込みされたデータは集積回
路内にとどまって外部端子には現れない。従って、命令
実行中はこの外部端子と絶縁されている内部データバス
が、マイクロプロセッサと電気的にプログラム可能なメ
モリの間に設けられている。In this case, it is conceivable that the program ROM stores an instruction sequence for executing reading and rewriting of an electrically programmable ROM for each data. To execute this instruction sequence, an appropriate instruction is sent from an external terminal of the integrated circuit to the microprocessor. By the way, while this instruction sequence is being executed, the data read from the memory and rewritten by the microprocessor remains in the integrated circuit and does not appear on the external terminals. Accordingly, an internal data bus is provided between the microprocessor and the electrically programmable memory that is isolated from the external terminals during instruction execution.
集積回路がマイクロプロセッサを備えているかいない
かに応じて、上記のプログラミング２段階を開始させる
自動手段を備えるか、あるいは集積回路の外部端子に入
力される信号により制御されるトリガ操作（すなわち、
マイクロプロセッサに対する命令を構成する複数の信
号）を与えるかを決めることができる。Depending on whether the integrated circuit is equipped with a microprocessor or not, it may be provided with automatic means for initiating the above two phases of programming, or a trigger operation controlled by a signal input to an external terminal of the integrated circuit (ie,
(A plurality of signals constituting instructions to the microprocessor) can be determined.
例えば、上記の集積回路が現金の引出しカードに組込
まれていると、このカードが再生された場合にはカード
読取り装置が適当なトリガ信号を発生することになろ
う。For example, if the above integrated circuit is incorporated into a cash withdrawal card, the card reader will generate an appropriate trigger signal if the card is played.
メモリが参照ビットを備えており、この参照ビットの
保持期間がこのメモリの他のビットの保持期間よりも短
い場合には、プログラム中にこの参照ビットを消すこと
により、プログラムの第２段階を開始させることができ
る。If the memory has a reference bit and the retention time of this reference bit is shorter than the retention time of the other bits of this memory, the second phase of the program is started by erasing this reference bit during programming Can be done.
Claims (1)
ラム可能なROMをプログラムする方法であって、 第１段階として、このROMに書込むデータを上記集積回
路の入力に入力し、各データをプログラムするにあたっ
ては、このデータを最終的に保持しておくのに必要な時
間の理論値よりもはるかに短いが、以下の第２段階まで
データを保持しておくには十分な時間にわたってプログ
ラム電圧を印加し、 第２段階として、このデータを最終的に保持しておくの
に十分な上記時間にわたってプログラム電圧を印加する
ことにより各データを機械的に再プログラムし、この再
プログラムは、上記集積回路の外部からも内部からもこ
の集積回路の入力にデータを入力することなく上記ROM
内のデータの読出し、再書込みを行う、集積回路内に備
えられた内部プログラム手段を用いて行うことを特徴と
する方法。1. A method for programming an electrically programmable ROM that forms part of an integrated circuit, comprising, as a first step, inputting data to be written to the ROM to an input of the integrated circuit, In programming the data, it is much less than the theoretical time required to ultimately hold this data, but for a time sufficient to hold the data until the second stage below. Applying a program voltage, and, as a second step, mechanically reprogram each data by applying the program voltage for a time sufficient to finally retain the data, the reprogramming comprising: The ROM without inputting data to the input of this integrated circuit from outside or inside of the integrated circuit
Using internal program means provided in the integrated circuit to read and rewrite data in the internal circuit.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8609355 | 1986-06-27 | ||
| FR8609355A FR2600810A1 (en) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN AN ELECTRICALLY PROGRAMMABLE DEAD MEMORY |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325893A JPS6325893A (en) | 1988-02-03 |
| JP2645368B2 true JP2645368B2 (en) | 1997-08-25 |
Family
ID=9336800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15954287A Expired - Lifetime JP2645368B2 (en) | 1986-06-27 | 1987-06-26 | Method of programming data into an electrically programmable ROM |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4870574A (en) |
| EP (1) | EP0251889B1 (en) |
| JP (1) | JP2645368B2 (en) |
| DE (1) | DE3765470D1 (en) |
| FR (1) | FR2600810A1 (en) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293560A (en) * | 1988-06-08 | 1994-03-08 | Eliyahou Harari | Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods |
| US5268319A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Highly compact EPROM and flash EEPROM devices |
| US5043940A (en) * | 1988-06-08 | 1991-08-27 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM memory systems having multistate storage cells |
| US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
| US5095344A (en) * | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
| DE69034227T2 (en) | 1989-04-13 | 2007-05-03 | Sandisk Corp., Sunnyvale | EEprom system with block deletion |
| FR2660465B1 (en) * | 1990-04-02 | 1992-06-12 | Gemplus Card Int | SECURITY CARD COMBINING A HIGH DENSITY STORAGE INFORMATION MEDIUM AND A MICROCIRCUIT, AND ITS USE IN A CARD READER. |
| FR2667715A1 (en) * | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Gemplus Card Int | METHOD AND DEVICE FOR INCREASING THE PROTECTION OF A MEMORY CARD. |
| JP2938732B2 (en) * | 1993-11-10 | 1999-08-25 | 松下電送システム株式会社 | Memory management device and facsimile device using the same |
| US6416714B1 (en) | 1995-04-25 | 2002-07-09 | Discovery Partners International, Inc. | Remotely programmable matrices with memories |
| US6331273B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-18 | Discovery Partners International | Remotely programmable matrices with memories |
| US6017496A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Irori | Matrices with memories and uses thereof |
| US5874214A (en) * | 1995-04-25 | 1999-02-23 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
| US6329139B1 (en) | 1995-04-25 | 2001-12-11 | Discovery Partners International | Automated sorting system for matrices with memory |
| US5751629A (en) * | 1995-04-25 | 1998-05-12 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
| US5741462A (en) * | 1995-04-25 | 1998-04-21 | Irori | Remotely programmable matrices with memories |
| DE19607724A1 (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Siemens Ag | Circuit arrangement for a programmable non-volatile memory |
| US6210016B1 (en) * | 1997-01-27 | 2001-04-03 | Frank J Prineppi | Christmas tree lighting |
| DE10335612B3 (en) * | 2003-08-04 | 2005-01-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Data storage method for storing data in a non-volatile memory supports a non-volatile memory with regular and accelerated writing modes as well as a reduced data-holding time |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4173791A (en) * | 1977-09-16 | 1979-11-06 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Insulated gate field-effect transistor read-only memory array |
| DE2910891C2 (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-11 | Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf | Electronic control device for a program-dependent, single-step machine |
| US4412310A (en) * | 1980-10-14 | 1983-10-25 | Intel Corporation | EPROM Cell with reduced programming voltage and method of fabrication |
| NL8400225A (en) * | 1984-01-25 | 1985-08-16 | Philips Nv | CIRCUIT FOR GENERATING THE PROGRAMMING VOLTAGE OF AN ERASABLE READING MEMORY. |
| NL8400326A (en) * | 1984-02-03 | 1985-09-02 | Philips Nv | INTEGRATED CIRCUIT WITH FIELD EFFECT TRANSISTORS AND PROGRAMMABLE READING MEMORY. |
| JPS6154585A (en) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Toppan Printing Co Ltd | Data writing system of ic card |
-
1986
- 1986-06-27 FR FR8609355A patent/FR2600810A1/en not_active Withdrawn
-
1987
- 1987-06-23 DE DE8787401432T patent/DE3765470D1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 EP EP87401432A patent/EP0251889B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-23 US US07/065,554 patent/US4870574A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-26 JP JP15954287A patent/JP2645368B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＮＥＷ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ １５［３］（１９８２−２）Ｐ．４６−５０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2600810A1 (en) | 1987-12-31 |
| DE3765470D1 (en) | 1990-11-15 |
| EP0251889B1 (en) | 1990-10-10 |
| EP0251889A1 (en) | 1988-01-07 |
| JPS6325893A (en) | 1988-02-03 |
| US4870574A (en) | 1989-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2645368B2 (en) | Method of programming data into an electrically programmable ROM | |
| JP3234331B2 (en) | PC card with multiple communication protocols | |
| JP2682700B2 (en) | IC card | |
| EP0991081B1 (en) | Emulated EEPROM memory device and corresponding method | |
| US4920518A (en) | Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory | |
| EP0664046B1 (en) | Remotely re-programmable program memory for a microcontroller | |
| US5991197A (en) | Semiconductor memory device having data protection feature | |
| US20010053090A1 (en) | Semiconductor storage device | |
| KR20010070149A (en) | Microcontroller incorporating an electrically rewritable non-volatile memory | |
| JPH11203204A (en) | Electrically erasable and rewritable non-volatile memory including read and/or write protectable area and electronic system incorporating the same | |
| JPH06231317A (en) | Ic card for protection of data and program from secular change | |
| US5039850A (en) | IC card | |
| US5159183A (en) | Ic card | |
| US5517460A (en) | Semiconductor integrated circuit and IC card using the same | |
| US6584540B1 (en) | Flash memory rewriting circuit for microcontroller | |
| KR950010304B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device with nonvolatile memory device | |
| JPS623516B2 (en) | ||
| US5261110A (en) | System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time | |
| JP4138291B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof | |
| JPS61249156A (en) | semiconductor storage device | |
| US5313650A (en) | System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time | |
| JP2833621B2 (en) | Non-volatile storage device | |
| JPH0435780B2 (en) | ||
| JPS62289999A (en) | Data writing method | |
| JP3357240B2 (en) | Write protection method for integrated circuit memory and corresponding integrated circuit |