JP2525781B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置の駆動方法Info
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- signal charge
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
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- Signal Processing (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は固体撮像装置に係り、特に固体撮像素子チッ
プに光導電体膜を積層した構造とした場合に、過大入力
光により生じた過剰信号電荷を除去して高ダイナミック
レンジを得る固体撮像装置の駆動方法に関する。
プに光導電体膜を積層した構造とした場合に、過大入力
光により生じた過剰信号電荷を除去して高ダイナミック
レンジを得る固体撮像装置の駆動方法に関する。
（従来の技術） CCD撮像素子チップに光導電体膜を積層し、光導電体
膜で光電変換を行なう積層型の固体撮像装置が知られて
いる。この固体撮像装置は、開口率を大きくとることが
できるため入射光の利用率が高くなり、高い光電感度を
持つ。また入射光の多くは光導電体膜内で吸収されるた
め、チップ基板内での電荷発生が少なく、固体撮像素子
固有のスミアが少なくなる特徴を有する。更に光導電体
膜の種類を選ぶことにより、分光感度を自由に選ぶこと
ができる。これらの理由で最近、ａ−Si膜やZnCdTe膜等
を積層した積層型固体撮像装置の開発が進んでいる。
膜で光電変換を行なう積層型の固体撮像装置が知られて
いる。この固体撮像装置は、開口率を大きくとることが
できるため入射光の利用率が高くなり、高い光電感度を
持つ。また入射光の多くは光導電体膜内で吸収されるた
め、チップ基板内での電荷発生が少なく、固体撮像素子
固有のスミアが少なくなる特徴を有する。更に光導電体
膜の種類を選ぶことにより、分光感度を自由に選ぶこと
ができる。これらの理由で最近、ａ−Si膜やZnCdTe膜等
を積層した積層型固体撮像装置の開発が進んでいる。
ところでインターライン転送型CCDを用いた積層型固
体撮像装置において、光電変換部の容量（入射光により
発生した信号電荷を蓄え得る量）が垂直信号電荷読出し
部即ち垂直CCDの容量（転送し得る信号電荷量）より大
きくなることが多い。このため、強い光が入射すると、
これによって生じた信号電荷のうち転送部で転送し得る
最大電荷量以上の電荷は過剰電荷として転送部で溢れ出
したり、蓄積部に読み残されたりする。これは、ブルー
ミングや残像の原因となり、再生画像では著しく画質劣
化をもたらす。
体撮像装置において、光電変換部の容量（入射光により
発生した信号電荷を蓄え得る量）が垂直信号電荷読出し
部即ち垂直CCDの容量（転送し得る信号電荷量）より大
きくなることが多い。このため、強い光が入射すると、
これによって生じた信号電荷のうち転送部で転送し得る
最大電荷量以上の電荷は過剰電荷として転送部で溢れ出
したり、蓄積部に読み残されたりする。これは、ブルー
ミングや残像の原因となり、再生画像では著しく画質劣
化をもたらす。
従来この問題を解決する技術として、電荷転送部の転
送容量を超える過剰信号電荷を、垂直ブランキング期間
に高速パルスを印加して水平信号電荷読出し部即ち水平
CCDを経て出力部へ掃出す方式が提案されている（特開
昭56−140773号公報）。しかしこの方式では、垂直ブラ
キング期間に高速パルスを印加して垂直CCDを駆動する
ので、転送し得る電荷量に制限がある。従って充分な過
剰電荷掃出しができない。また、過剰電荷を光電変換部
から垂直CCDへ転送した後、一度垂直CCDの全電極下の電
位を同一レベルにして過剰電荷を垂直転送方向に平均化
した後、出力部へ掃出す方式も提案されている（特願昭
59−90416号）。この方式は前述の方式に比べると効果
が大きいが、過剰電荷の量は実際には垂直CCDで転送し
得る電荷量の５〜10倍にも達するので、未だ充分な効果
は得られない。
送容量を超える過剰信号電荷を、垂直ブランキング期間
に高速パルスを印加して水平信号電荷読出し部即ち水平
CCDを経て出力部へ掃出す方式が提案されている（特開
昭56−140773号公報）。しかしこの方式では、垂直ブラ
キング期間に高速パルスを印加して垂直CCDを駆動する
ので、転送し得る電荷量に制限がある。従って充分な過
剰電荷掃出しができない。また、過剰電荷を光電変換部
から垂直CCDへ転送した後、一度垂直CCDの全電極下の電
位を同一レベルにして過剰電荷を垂直転送方向に平均化
した後、出力部へ掃出す方式も提案されている（特願昭
59−90416号）。この方式は前述の方式に比べると効果
が大きいが、過剰電荷の量は実際には垂直CCDで転送し
得る電荷量の５〜10倍にも達するので、未だ充分な効果
は得られない。
（発明が解決しようとする問題点） 以上のように従来の積層型固体撮像装置では、過大入
力光により生じる過剰電荷の除去が不十分であり、ブル
ーミングや残像が大きいという問題があった。
力光により生じる過剰電荷の除去が不十分であり、ブル
ーミングや残像が大きいという問題があった。
本発明はこの様な問題を解決した高ダイナミックレン
ズの積層型固体撮像装置の駆動方法を提供することを目
的とする。
ズの積層型固体撮像装置の駆動方法を提供することを目
的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、半導体基板上に複数の信号電荷蓄積部と垂
直信号電荷読出し部が配列形成された固体撮像素子と、
この固体撮像素子上に積層され前記信号電荷蓄積部と電
気的に接続された光導電体膜からなる光電変換部と、前
記垂直信号電荷読出し部の端部に設けられた電荷掃出し
部とを備え、垂直ブランキング期間に電荷掃出し部によ
り過剰電荷の掃出しを行なう固体撮像装置の駆動方法に
おいて、電荷掃出し動作として、第１の期間に前記垂直
信号電荷読出し部の複数の転送ゲート電極の電圧を制御
してこれら電極下のチャネル電位を同一レベルに設定し
た後、各電極下のチャネル電位を同一に保ったまま該チ
ャネル電位を浅くなるように制御し、前記電荷掃出し部
から垂直信号電荷読出し部の電荷量の一部を連続的に掃
出し、第２の期間に前記垂直信号読出し部の複数の転送
ゲートにクロックパルスを印加して電荷量の残りを順次
前記電荷掃出し部から掃出すようにしたことを特徴とす
る。
直信号電荷読出し部が配列形成された固体撮像素子と、
この固体撮像素子上に積層され前記信号電荷蓄積部と電
気的に接続された光導電体膜からなる光電変換部と、前
記垂直信号電荷読出し部の端部に設けられた電荷掃出し
部とを備え、垂直ブランキング期間に電荷掃出し部によ
り過剰電荷の掃出しを行なう固体撮像装置の駆動方法に
おいて、電荷掃出し動作として、第１の期間に前記垂直
信号電荷読出し部の複数の転送ゲート電極の電圧を制御
してこれら電極下のチャネル電位を同一レベルに設定し
た後、各電極下のチャネル電位を同一に保ったまま該チ
ャネル電位を浅くなるように制御し、前記電荷掃出し部
から垂直信号電荷読出し部の電荷量の一部を連続的に掃
出し、第２の期間に前記垂直信号読出し部の複数の転送
ゲートにクロックパルスを印加して電荷量の残りを順次
前記電荷掃出し部から掃出すようにしたことを特徴とす
る。
（作用） 本発明によれば、蓄積部で発生した過剰電荷を通常の
信号電荷転送方向と反対方向に掃出すことにより、掃出
し電荷量の増大が図られる。特に掃出し動作を二つのモ
ードに分け、チャネル電位を一定にして連続掃出しを行
なうモードとクロックパルスによる転送モードを組合わ
せた方式を採用すると、第１の動作モード期間で大量の
過剰電荷を掃出すことが可能である。そして第２の動作
モード期間では、クロックパルスにより通常とは反対方
向に残りの過剰電荷転送を行なうことで、確実に過剰電
荷の除去が行なえる。本発明では、通常の信号電荷転送
方向に高速のクロックパルス印加により過剰電荷掃出し
を行なう従来の方式と異なり、掃出す電荷量に制約が殆
どなく、大きい過剰電荷掃出し能力が得られる。従って
ブルーミングや残像を改善し、高いダイナミックレンジ
を有する固体撮像装置を得ることができる。
信号電荷転送方向と反対方向に掃出すことにより、掃出
し電荷量の増大が図られる。特に掃出し動作を二つのモ
ードに分け、チャネル電位を一定にして連続掃出しを行
なうモードとクロックパルスによる転送モードを組合わ
せた方式を採用すると、第１の動作モード期間で大量の
過剰電荷を掃出すことが可能である。そして第２の動作
モード期間では、クロックパルスにより通常とは反対方
向に残りの過剰電荷転送を行なうことで、確実に過剰電
荷の除去が行なえる。本発明では、通常の信号電荷転送
方向に高速のクロックパルス印加により過剰電荷掃出し
を行なう従来の方式と異なり、掃出す電荷量に制約が殆
どなく、大きい過剰電荷掃出し能力が得られる。従って
ブルーミングや残像を改善し、高いダイナミックレンジ
を有する固体撮像装置を得ることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、第１の実施例のインターライン転送型CCD
を用いた積層型CCD撮像装置の要部断面図である。図に
おいて、１はｐ型Si基板であり、その表面には垂直CCD
のチャネルである第１のn+型層121と、信号電荷蓄積部
であるダイオードを構成する第２のn+型層122が形成さ
れている。n++型層14はn+型層122と金属電極のオーミッ
ク接触をとるためのものであり、p+型層13はチャネルス
トッパ層である。この基板のCCDチャネル上にはゲート
絶縁膜を介して例えば二層多結晶シリコン膜により形成
された転送電極15a,15bがある。この転送電極が形成さ
れた基板上に第１の絶縁膜16aが堆積され、これに開け
られたコンタクト孔を介してn++型層14にコンタクトす
る第１の金属電極17aが各画素毎に形成され、更にこの
上に第２の絶縁膜16bを介して各画素毎に第１の金属電
極17aに接続される第２の金属電極17bが形成されてい
る。そしてこの上にａ−Si膜からなる光導電体膜18とIT
Oなどの透明電極19が形成されている。
を用いた積層型CCD撮像装置の要部断面図である。図に
おいて、１はｐ型Si基板であり、その表面には垂直CCD
のチャネルである第１のn+型層121と、信号電荷蓄積部
であるダイオードを構成する第２のn+型層122が形成さ
れている。n++型層14はn+型層122と金属電極のオーミッ
ク接触をとるためのものであり、p+型層13はチャネルス
トッパ層である。この基板のCCDチャネル上にはゲート
絶縁膜を介して例えば二層多結晶シリコン膜により形成
された転送電極15a,15bがある。この転送電極が形成さ
れた基板上に第１の絶縁膜16aが堆積され、これに開け
られたコンタクト孔を介してn++型層14にコンタクトす
る第１の金属電極17aが各画素毎に形成され、更にこの
上に第２の絶縁膜16bを介して各画素毎に第１の金属電
極17aに接続される第２の金属電極17bが形成されてい
る。そしてこの上にａ−Si膜からなる光導電体膜18とIT
Oなどの透明電極19が形成されている。
ここで、信号電荷蓄積ダイオードであるn+型層122,n
++型層14,第１の金属電極17aおよび第２の金属電極17b
は、各画素毎に独立に二次元的に配列形成される。即ち
第２の金属電極17bが撮像画素領域を定義するものとな
り、光導電体膜18による撮像の結果第２の金属電極17b
に得られる電位変化が第１の金属電極17aを介してn+型
層122に伝達され、ここに信号電荷として蓄積される。
垂直CCD転送電極15aの一部はn+型層122の信号電荷をCCD
チャネルに転送するための転送電極を兼ねており、図で
はこの転送部20の断面を示している。また図では示して
いないが、垂直CCDは、マトリクス配列された蓄積ダイ
オードの一方向に沿って複数個配列され、それらの一方
の端部に水平CCDが配置される。
++型層14,第１の金属電極17aおよび第２の金属電極17b
は、各画素毎に独立に二次元的に配列形成される。即ち
第２の金属電極17bが撮像画素領域を定義するものとな
り、光導電体膜18による撮像の結果第２の金属電極17b
に得られる電位変化が第１の金属電極17aを介してn+型
層122に伝達され、ここに信号電荷として蓄積される。
垂直CCD転送電極15aの一部はn+型層122の信号電荷をCCD
チャネルに転送するための転送電極を兼ねており、図で
はこの転送部20の断面を示している。また図では示して
いないが、垂直CCDは、マトリクス配列された蓄積ダイ
オードの一方向に沿って複数個配列され、それらの一方
の端部に水平CCDが配置される。
この様な積層型CCD撮像素子では信号電荷蓄積部の容
量が信号電荷転送部のそれより大きくなる。信号電荷蓄
積部の容量は、n+型層122の容量、光導電体膜18の容
量、金属電極17a,17bと転送電極15a,15bとの間の容量の
合計で決まるからである。
量が信号電荷転送部のそれより大きくなる。信号電荷蓄
積部の容量は、n+型層122の容量、光導電体膜18の容
量、金属電極17a,17bと転送電極15a,15bとの間の容量の
合計で決まるからである。
第２図は、この実施例のCCD撮像装置の制御回路部を
含む全体構成を示す。撮像素子20は、図示のようにマト
リクス配列された蓄積ダイオード22、複数本の垂直CCD2
3、これら垂直CCD23の一方の端部に設けられた水平CCD2
4を基本構成要素とする。垂直CCD23と水平CCD24の間に
は、信号電荷通過を制御するボトムゲート（BG）電極25
が設けられている。一方垂直CCD23の水平CCD24と反対側
の端部には、過剰電荷掃出しのためのスイープアウト・
ゲート（SG）電極26とスイープアウト・ドレイン（SD）
拡散層27が形成されている。この実施例では垂直CCD23
は、転送電極φV1,φV2,φV3,φV4で構成した４層駆動
であり、水平CCD24は転送電極φH1,φH2で構成した２層
駆動である。蓄積ダイオード22の信号電荷は垂直CCD23
から水平CCD25を経て出力アンプ28を通して出力端子OS
から電気信号として取出される。出力信号はプリアンプ
29でノイズ除去等が行われ、その後プロセスアンプ30で
ガンマ補正，ブランキング処理，白クリップ，直流分再
生等が行われて、通常の画像信号とされる。
含む全体構成を示す。撮像素子20は、図示のようにマト
リクス配列された蓄積ダイオード22、複数本の垂直CCD2
3、これら垂直CCD23の一方の端部に設けられた水平CCD2
4を基本構成要素とする。垂直CCD23と水平CCD24の間に
は、信号電荷通過を制御するボトムゲート（BG）電極25
が設けられている。一方垂直CCD23の水平CCD24と反対側
の端部には、過剰電荷掃出しのためのスイープアウト・
ゲート（SG）電極26とスイープアウト・ドレイン（SD）
拡散層27が形成されている。この実施例では垂直CCD23
は、転送電極φV1,φV2,φV3,φV4で構成した４層駆動
であり、水平CCD24は転送電極φH1,φH2で構成した２層
駆動である。蓄積ダイオード22の信号電荷は垂直CCD23
から水平CCD25を経て出力アンプ28を通して出力端子OS
から電気信号として取出される。出力信号はプリアンプ
29でノイズ除去等が行われ、その後プロセスアンプ30で
ガンマ補正，ブランキング処理，白クリップ，直流分再
生等が行われて、通常の画像信号とされる。
一方、タイミングパルス発生回路31は、垂直クロック
パルス，水平クロックパルス等CCD撮像素子21の駆動に
必要なタイミングパルスを発生する。垂直のクロックパ
ルスについては、レベル制御回路32によって後に第３図
に説明するような振幅になるように調整し、クロックド
ライバ33では振幅制御されたパルスを大容量の負荷（垂
直CCD23は通常2000〜3000pF）を駆動するために電流増
幅した後、転送クロック信号φV1,φV2,φV3,φV4、ボ
トムゲード制御パルスBG、スイープアウト・ゲート制御
パルスSGなどを発生する。スイープアウト・ドレイン27
には充分に深い直流電圧VsDを印加する。
パルス，水平クロックパルス等CCD撮像素子21の駆動に
必要なタイミングパルスを発生する。垂直のクロックパ
ルスについては、レベル制御回路32によって後に第３図
に説明するような振幅になるように調整し、クロックド
ライバ33では振幅制御されたパルスを大容量の負荷（垂
直CCD23は通常2000〜3000pF）を駆動するために電流増
幅した後、転送クロック信号φV1,φV2,φV3,φV4、ボ
トムゲード制御パルスBG、スイープアウト・ゲート制御
パルスSGなどを発生する。スイープアウト・ドレイン27
には充分に深い直流電圧VsDを印加する。
次にこのCCD撮像装置の具体的な動作を、第３図およ
び第４図を参照して説明する。第３図は第２図は示した
各電極に印加するパルスの具体的な一例であり、第４図
は第２図の一つの垂直CCD部分のＸ−Ｘ′断面での各期
間の電位分布と電荷移動の様子を示す図である。この実
施例では、垂直ブランキング期間に第３図に示すような
パルス駆動による垂直CCD23の過剰電荷の掃出しを行な
うことが特徴である。過剰電荷掃出しは、スイープアウ
ト・ゲート電極26に正パルス電圧VsGHを印加して垂直CC
D23を通常の動作とは逆方向に電荷を転送して、スイー
プアウト・ドレイン27にこれを逃がすものであり、この
間、ボトム・ゲート電極25には第３図に示すように負の
パルスVBGLを印加して、垂直CCD23と水平CCD24の間の信
号電荷の通過を止めておく。
び第４図を参照して説明する。第３図は第２図は示した
各電極に印加するパルスの具体的な一例であり、第４図
は第２図の一つの垂直CCD部分のＸ−Ｘ′断面での各期
間の電位分布と電荷移動の様子を示す図である。この実
施例では、垂直ブランキング期間に第３図に示すような
パルス駆動による垂直CCD23の過剰電荷の掃出しを行な
うことが特徴である。過剰電荷掃出しは、スイープアウ
ト・ゲート電極26に正パルス電圧VsGHを印加して垂直CC
D23を通常の動作とは逆方向に電荷を転送して、スイー
プアウト・ドレイン27にこれを逃がすものであり、この
間、ボトム・ゲート電極25には第３図に示すように負の
パルスVBGLを印加して、垂直CCD23と水平CCD24の間の信
号電荷の通過を止めておく。
過剰電荷掃出しの動作は具体的には、二つの動作モー
ドからなり、第３図に示すように第１期間（Ａ〜Ｃの期
間）と第２の期間（Ｄ期間）に分けられる。先ず、Ａ期
間では垂直CCD23の全転送電極φV1〜φV4に充分高い正
電圧VF1を印加しそのチャネル領域に一様に深い電位φ
F1を形成する。これにより各蓄積ダイオードPDの過剰電
荷Q1は余裕をもって垂直CCD23のチャネル領域に転送さ
れる。ここでスイーブアウト・ゲートSGは開いているの
で一部の過剰電荷はスイープアウト・ドレインSDに捨ら
れる。次のＢ期間には転送電極φV1〜φV4に一定の電圧
例えばVMを印加し、この４電極下に形成される電圧を一
様にしたままＡ期間の動作より浅い電位φVMとする。こ
れにより過剰電荷Q1はＡ期間より多くドレインSDに捨て
られる。Ｃ期間では更に電極φV1〜φV4により低い電圧
VPUが印加されてその電極下の電位はφPUと低くなり、
過剰電荷はドレインSDに捨てられる。ここで、電位φPU
に設定された時に残る過剰電荷Q2は、この後のＤ期間で
クロック転送を行なう際の最大転送電荷量以下になるよ
うに、制御電圧VPUが設定される。
ドからなり、第３図に示すように第１期間（Ａ〜Ｃの期
間）と第２の期間（Ｄ期間）に分けられる。先ず、Ａ期
間では垂直CCD23の全転送電極φV1〜φV4に充分高い正
電圧VF1を印加しそのチャネル領域に一様に深い電位φ
F1を形成する。これにより各蓄積ダイオードPDの過剰電
荷Q1は余裕をもって垂直CCD23のチャネル領域に転送さ
れる。ここでスイーブアウト・ゲートSGは開いているの
で一部の過剰電荷はスイープアウト・ドレインSDに捨ら
れる。次のＢ期間には転送電極φV1〜φV4に一定の電圧
例えばVMを印加し、この４電極下に形成される電圧を一
様にしたままＡ期間の動作より浅い電位φVMとする。こ
れにより過剰電荷Q1はＡ期間より多くドレインSDに捨て
られる。Ｃ期間では更に電極φV1〜φV4により低い電圧
VPUが印加されてその電極下の電位はφPUと低くなり、
過剰電荷はドレインSDに捨てられる。ここで、電位φPU
に設定された時に残る過剰電荷Q2は、この後のＤ期間で
クロック転送を行なう際の最大転送電荷量以下になるよ
うに、制御電圧VPUが設定される。
このようにして、期間Ａ〜Ｃで垂直CCDのチャネル領
域を一様電位に設定して過剰電荷の掃出しを行なった
後、期間Ｄでは垂直CCD23の転送電極φ１〜φV4に、電
荷をドレインSD側に転送するような４相のクロックパル
スを印加する。クロックパルス周波数は例えば1MHzとす
る。これにより、クロックパルス電圧VM,VLにより決め
られる電位φVM,φVLが第４図にように交互に形成さ
れ、残りの過剰電荷Q2は順次ドレインSDに捨てられる。
域を一様電位に設定して過剰電荷の掃出しを行なった
後、期間Ｄでは垂直CCD23の転送電極φ１〜φV4に、電
荷をドレインSD側に転送するような４相のクロックパル
スを印加する。クロックパルス周波数は例えば1MHzとす
る。これにより、クロックパルス電圧VM,VLにより決め
られる電位φVM,φVLが第４図にように交互に形成さ
れ、残りの過剰電荷Q2は順次ドレインSDに捨てられる。
通常の信号電荷Q4は、以上の過剰電荷掃出し動作の終
了後、Ｅ期間でフイールドシフトパルスVF2を印加して
蓄積ダイオード22から垂直CCD23に読出す。そしてＦ期
間に二つの蓄積ダイオードの信号電荷を加算して信号電
荷Q5とした後、ボトムゲートBGを開き、通常の垂直CCD
転送周波数15.75MHzでこの信号電荷Q5を読み出す。CCD
撮像素子の読出しモードをフィールド蓄積モードとした
場合、蓄積ダイオードから読出した信号電荷を二つ加算
するのは、奇，偶フィールドで加算の組合わせを一つず
つずらすことによって解像度向上を図るためである。
了後、Ｅ期間でフイールドシフトパルスVF2を印加して
蓄積ダイオード22から垂直CCD23に読出す。そしてＦ期
間に二つの蓄積ダイオードの信号電荷を加算して信号電
荷Q5とした後、ボトムゲートBGを開き、通常の垂直CCD
転送周波数15.75MHzでこの信号電荷Q5を読み出す。CCD
撮像素子の読出しモードをフィールド蓄積モードとした
場合、蓄積ダイオードから読出した信号電荷を二つ加算
するのは、奇，偶フィールドで加算の組合わせを一つず
つずらすことによって解像度向上を図るためである。
以上のようにこの実施例によれば、過剰電荷は充分な
余裕をもって掃出すことが可能になる。この結果、光導
電体膜を光電変換部に用いた積層型CCD撮像装置での過
大入力光による過剰電荷に起因するブルーミングや残像
現象を効果的に防止することができ、光導電体膜を用い
た場合の利点である高感度，低スミアの特性を活かして
高ダイナミックレンジの再生画像が得られる。また水平
CCD側に過剰電荷を掃出す従来の方式では、垂直ブラン
キング期間の過大信号が出力信号に含まれるため、信号
処理回路のダイナミックレンジを大きく必要としたが、
この実施例ではこの様な問題も解決される。
余裕をもって掃出すことが可能になる。この結果、光導
電体膜を光電変換部に用いた積層型CCD撮像装置での過
大入力光による過剰電荷に起因するブルーミングや残像
現象を効果的に防止することができ、光導電体膜を用い
た場合の利点である高感度，低スミアの特性を活かして
高ダイナミックレンジの再生画像が得られる。また水平
CCD側に過剰電荷を掃出す従来の方式では、垂直ブラン
キング期間の過大信号が出力信号に含まれるため、信号
処理回路のダイナミックレンジを大きく必要としたが、
この実施例ではこの様な問題も解決される。
次に本発明の第２の実施例を説明する。先の第１の実
施例で説明した期間Ａ〜ＤにおいてもCCD撮像素子に入
射光があり、これが強い場合この期間に発生した信号電
荷が垂直CCDで運べる信号電荷量以上になり、ブルーミ
ングや残像が発生する。従って第１の実施例をより効果
的にするためには期間Ａ〜Ｄの時間ができるだけ短い方
がよい。期間Ａ〜Ｄのうち最も時間が必要な期間はＤで
ある。例えば掃出し周波数を500Hzとした場合、垂直CCD
の転送段数は250であるから、期間Ｄの時間tDは、下式
により求められる。
施例で説明した期間Ａ〜ＤにおいてもCCD撮像素子に入
射光があり、これが強い場合この期間に発生した信号電
荷が垂直CCDで運べる信号電荷量以上になり、ブルーミ
ングや残像が発生する。従って第１の実施例をより効果
的にするためには期間Ａ〜Ｄの時間ができるだけ短い方
がよい。期間Ａ〜Ｄのうち最も時間が必要な期間はＤで
ある。例えば掃出し周波数を500Hzとした場合、垂直CCD
の転送段数は250であるから、期間Ｄの時間tDは、下式
により求められる。
tD ＝２（μｓ）×250＝500（μｓ） この期間Ｄの時間tD＝500μｓを短くできれば、更に
ブルーミング，残像を抑圧できる。そこで第２の実施例
では、期間Ｄの掃出し動作を単相駆動とする。
ブルーミング，残像を抑圧できる。そこで第２の実施例
では、期間Ｄの掃出し動作を単相駆動とする。
第５図は第２の実施例での駆動パルス発生回路の構成
である。タイミングパルス発生回路50は、期間Ｄ以外の
垂直CCDクロックパルスP1〜P4と期間Ｄの単相パルスの
原パルスPa、および期間Ｄを指定するパルスPbを発生す
る。パルスP1〜P4はレベル変換回路51により垂直CCDを
駆動するに必要なレベルに変換されて、パルスP5〜P8と
なる。パルスPa,Pbは単相パルス発生回路52に入り、正
のパルスPcと負のパルスPdの単相パルスを期間Ｄに限っ
て発生させる。そしてオフセット回路53によってパルス
Pcは電源Ｖaによりオフセット調整されてパルスPeとな
り、パルスPdは電源Ｖbによりオフセット調整されてパ
ルスPfとされる。そして切換回路54により、パルスPeは
期間Ｄ、パルスPfは期間A,B,C,E,Fとなるようにする。
同様に切換回路55により、パルスPfとパルスP7を切換え
る。また期間Ｄが直流でよい電極は電圧VcとパルスP6を
切換回路56で切換え、同様に切換回路57では電圧Vdとパ
ルスP8を切換える。これら切換回路54〜57の出力はクロ
ックドライバ58〜61を介して垂直CCDの各転送電極φV1
〜φV4に印加される。
である。タイミングパルス発生回路50は、期間Ｄ以外の
垂直CCDクロックパルスP1〜P4と期間Ｄの単相パルスの
原パルスPa、および期間Ｄを指定するパルスPbを発生す
る。パルスP1〜P4はレベル変換回路51により垂直CCDを
駆動するに必要なレベルに変換されて、パルスP5〜P8と
なる。パルスPa,Pbは単相パルス発生回路52に入り、正
のパルスPcと負のパルスPdの単相パルスを期間Ｄに限っ
て発生させる。そしてオフセット回路53によってパルス
Pcは電源Ｖaによりオフセット調整されてパルスPeとな
り、パルスPdは電源Ｖbによりオフセット調整されてパ
ルスPfとされる。そして切換回路54により、パルスPeは
期間Ｄ、パルスPfは期間A,B,C,E,Fとなるようにする。
同様に切換回路55により、パルスPfとパルスP7を切換え
る。また期間Ｄが直流でよい電極は電圧VcとパルスP6を
切換回路56で切換え、同様に切換回路57では電圧Vdとパ
ルスP8を切換える。これら切換回路54〜57の出力はクロ
ックドライバ58〜61を介して垂直CCDの各転送電極φV1
〜φV4に印加される。
第６図はこの実施例の期間Ｄの掃出しパルスを第１の
実施例と比較して示す図である。即ち第６図の上段が第
１の実施例での４相駆動掃出し動作のクロックパルスで
あり、下段が第２の実施例での単相駆動波形である。第
１の実施例では、クロックパルスの周期T1でそれぞれ90
゜の位相ずれであるT2のずれがあり、この場合クロック
パルスの応答特性劣化による鈍りはT2までであって、こ
れは周期T1に対して1/4である。このため高速化のため
には強いクロックドライバが要求される。これに対し第
２の実施例での単相駆動掃出しでは、例えば図示のよう
にクロックパルスφV1,φV2には同相パルスを用い、ク
ロックパルスφV3,φV4には値の異なった直流電圧を用
いる。第６図中破線で示す電圧Vxは、垂直CCDのチャネ
ル電位より求められるピンニング付近の電位を得るため
の印加電圧であり、この図の電圧はこれを基準として表
示している。パルスφV1ではオフセット電圧Vaによって
パルスの高レベルVa1,低レベルVa2を決め、パルスφV2
ではオフセット電圧Vbによってパルスの高レベルVb1,低
レベルVb2を決める。
実施例と比較して示す図である。即ち第６図の上段が第
１の実施例での４相駆動掃出し動作のクロックパルスで
あり、下段が第２の実施例での単相駆動波形である。第
１の実施例では、クロックパルスの周期T1でそれぞれ90
゜の位相ずれであるT2のずれがあり、この場合クロック
パルスの応答特性劣化による鈍りはT2までであって、こ
れは周期T1に対して1/4である。このため高速化のため
には強いクロックドライバが要求される。これに対し第
２の実施例での単相駆動掃出しでは、例えば図示のよう
にクロックパルスφV1,φV2には同相パルスを用い、ク
ロックパルスφV3,φV4には値の異なった直流電圧を用
いる。第６図中破線で示す電圧Vxは、垂直CCDのチャネ
ル電位より求められるピンニング付近の電位を得るため
の印加電圧であり、この図の電圧はこれを基準として表
示している。パルスφV1ではオフセット電圧Vaによって
パルスの高レベルVa1,低レベルVa2を決め、パルスφV2
ではオフセット電圧Vbによってパルスの高レベルVb1,低
レベルVb2を決める。
第７図は、第２の実施例での過剰電荷掃出しの動作を
説明するための垂直CCD内電位分布を、第４図に対応さ
せて示したものである。期間Ａ〜Ｃまでの動作は第１の
実施例と同じであるので、詳細な説明は省く。この後の
単相駆動掃出しでは先ず、期間D1の間クロックパルスの
電圧Va2,Vb2で決まるチャネル電位φVa2,φVb2と直流電
圧Vc,Vdで決まるチャネル電位φVc,φVdによって形成さ
れる電位分布で深い電位の井戸に過剰電荷Q3が溜まる。
次の期間D2では、クロックパルスの電圧Va1,Vb1で決ま
るチャネル電位φVa1,φVb1と直流電圧Vc,Vdで決まるチ
ャネル電位φVc,φVdによって形成される電位分布で電
位の深い方へ過剰電荷Q3が移動する。この移動方向が第
７図の矢印Ｋであり、この移動により過剰電荷Q3はドレ
インSDに捨られる。なお期間Ｃでチャネル電位φPUによ
り残される過剰電荷は、次に期間Ｄでの最大転送電荷量
以下に設定されることは先の第１の実施例と同じであ
る。
説明するための垂直CCD内電位分布を、第４図に対応さ
せて示したものである。期間Ａ〜Ｃまでの動作は第１の
実施例と同じであるので、詳細な説明は省く。この後の
単相駆動掃出しでは先ず、期間D1の間クロックパルスの
電圧Va2,Vb2で決まるチャネル電位φVa2,φVb2と直流電
圧Vc,Vdで決まるチャネル電位φVc,φVdによって形成さ
れる電位分布で深い電位の井戸に過剰電荷Q3が溜まる。
次の期間D2では、クロックパルスの電圧Va1,Vb1で決ま
るチャネル電位φVa1,φVb1と直流電圧Vc,Vdで決まるチ
ャネル電位φVc,φVdによって形成される電位分布で電
位の深い方へ過剰電荷Q3が移動する。この移動方向が第
７図の矢印Ｋであり、この移動により過剰電荷Q3はドレ
インSDに捨られる。なお期間Ｃでチャネル電位φPUによ
り残される過剰電荷は、次に期間Ｄでの最大転送電荷量
以下に設定されることは先の第１の実施例と同じであ
る。
以上のようにしてこの実施例によっても、過剰電荷の
効果的な掃出しが可能である。この実施例の場合、単相
のクロックパルスφV1,φV2は第６図に示すように、周
期T3に対して例えばデューティは1:1でよいので、クロ
ックパルスの応答特性劣化による鈍りはT3の1/2であるT
4でよい。このため第１の実施例に比べて低速のクロッ
クドライバを用い得る。またこの実施例ではパルスが単
相であるので、第１の実施例に対して1/4の原発振パル
スで必要なクロックパルスを形成することができ、従っ
てより高速の掃出しパルスが得られる。これにより、一
層効果的にブルーミングや残像を抑圧することができ
る。
効果的な掃出しが可能である。この実施例の場合、単相
のクロックパルスφV1,φV2は第６図に示すように、周
期T3に対して例えばデューティは1:1でよいので、クロ
ックパルスの応答特性劣化による鈍りはT3の1/2であるT
4でよい。このため第１の実施例に比べて低速のクロッ
クドライバを用い得る。またこの実施例ではパルスが単
相であるので、第１の実施例に対して1/4の原発振パル
スで必要なクロックパルスを形成することができ、従っ
てより高速の掃出しパルスが得られる。これにより、一
層効果的にブルーミングや残像を抑圧することができ
る。
本発明は上記実施例に限られるものではない。例えば
実施例では４相駆動および単相駆動による過剰電荷掃出
しを行なったが、３相駆動,2相駆動を利用することもで
きる。また実施例では垂直CCDと水平CCDの間に信号電荷
の通過をオン，オフするボトムゲート電極を設けたが、
このゲート電極としては垂直CCDの最終段転送電極を用
いることができる。同様にスイープアウト・ドレイン側
のゲート電極としても垂直CCDの最終段転送電極を利用
することが可能である。上記実施例ではNTSC標準TV方式
に合せて駆動する場合を説明したが、本発明はPAL方式
の場合にも適用することができ、更に高精細画像が得ら
れるハイビジョンTVカメラにおける固体撮像装置にも適
用することができる。ハイビジョンTVカメラの場合は垂
直CCDの転送段数が約500段になるので、掃出しクロック
パルスの回数もそれに合せることが必要である。
実施例では４相駆動および単相駆動による過剰電荷掃出
しを行なったが、３相駆動,2相駆動を利用することもで
きる。また実施例では垂直CCDと水平CCDの間に信号電荷
の通過をオン，オフするボトムゲート電極を設けたが、
このゲート電極としては垂直CCDの最終段転送電極を用
いることができる。同様にスイープアウト・ドレイン側
のゲート電極としても垂直CCDの最終段転送電極を利用
することが可能である。上記実施例ではNTSC標準TV方式
に合せて駆動する場合を説明したが、本発明はPAL方式
の場合にも適用することができ、更に高精細画像が得ら
れるハイビジョンTVカメラにおける固体撮像装置にも適
用することができる。ハイビジョンTVカメラの場合は垂
直CCDの転送段数が約500段になるので、掃出しクロック
パルスの回数もそれに合せることが必要である。
また実施例では一個のCCD撮像素子を用いた白黒カメ
ラの場合を説明したが、本発明はこれに制限されない。
即ち素子を３個用いた３板カラーカメラや１個用いた単
板カラーカメラに適用することにより、高いダイナミッ
クレンジで残像が少なく、かつ積層構造の特徴である高
感度，低スミアの高画質カラー再生像を得ることができ
る。
ラの場合を説明したが、本発明はこれに制限されない。
即ち素子を３個用いた３板カラーカメラや１個用いた単
板カラーカメラに適用することにより、高いダイナミッ
クレンジで残像が少なく、かつ積層構造の特徴である高
感度，低スミアの高画質カラー再生像を得ることができ
る。
その他本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、積層型固体撮像装
置において過大入力光による過剰電荷に起因して発生す
るブルーミングや残像を大幅に抑圧することができる。
また本発明では積層型固体撮像装置の持つ高感度，低ス
ミアの特徴が活かされて、かつ高ダイナミックレンジが
得られ、非常に明るいスポットが画面内にある場合にお
いても再現性よく再生像を得ることができる。
置において過大入力光による過剰電荷に起因して発生す
るブルーミングや残像を大幅に抑圧することができる。
また本発明では積層型固体撮像装置の持つ高感度，低ス
ミアの特徴が活かされて、かつ高ダイナミックレンジが
得られ、非常に明るいスポットが画面内にある場合にお
いても再現性よく再生像を得ることができる。
第１図は本発明の実施例に用いたCCD撮像素子の断面
図、第２図は第１の実施例撮像装置全体構成を示す図、
第３図はその過剰電荷掃出し動作を説明するための信号
波形図、第４図は同じく垂直CCDでの電位分布変化を示
す図、第５図は第２の実施例における駆動回路を示す
図、第６図はその掃出し動作のクロックパルス波形を第
１の実施例の場合と比較して示す図、第７図は同じく垂
直CCDの電位分布変化を示す図である。 １……ｐ型Si基板、121……n+型相（垂直CCDチャネ
ル）、122……n+型相（蓄積ダイオード）、13……p+型
相、14……n++型相、15a,15b……転送ゲート電極、16a,
16b……絶縁膜、17a,17b……金属電極、18……ａ−Si
膜、19……透明電極、21……CCD撮像素子、２……蓄積
ダイオード、23……垂直CCD、24……水平CCD、25……ボ
トムゲート電極、26……スイープアウト・ゲート電極、
27……スイープアウト・ドレイン、28……出力アンプ、
29……プリアンプ、30……プロセスアンプ、31……タイ
ミングパルス発生回路、32……レベル制御回路、33……
クロックドライバ。
図、第２図は第１の実施例撮像装置全体構成を示す図、
第３図はその過剰電荷掃出し動作を説明するための信号
波形図、第４図は同じく垂直CCDでの電位分布変化を示
す図、第５図は第２の実施例における駆動回路を示す
図、第６図はその掃出し動作のクロックパルス波形を第
１の実施例の場合と比較して示す図、第７図は同じく垂
直CCDの電位分布変化を示す図である。 １……ｐ型Si基板、121……n+型相（垂直CCDチャネ
ル）、122……n+型相（蓄積ダイオード）、13……p+型
相、14……n++型相、15a,15b……転送ゲート電極、16a,
16b……絶縁膜、17a,17b……金属電極、18……ａ−Si
膜、19……透明電極、21……CCD撮像素子、２……蓄積
ダイオード、23……垂直CCD、24……水平CCD、25……ボ
トムゲート電極、26……スイープアウト・ゲート電極、
27……スイープアウト・ドレイン、28……出力アンプ、
29……プリアンプ、30……プロセスアンプ、31……タイ
ミングパルス発生回路、32……レベル制御回路、33……
クロックドライバ。
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に複数の信号電荷蓄積部と垂
直信号電荷読出し部が配列形成された固体撮像素子と、
この固体撮像素子上に積層され前記信号電荷蓄積部と電
気的に接続された光導電体膜からなる光電変換部と、前
記垂直信号電荷読出し部の端部に設けられた電荷掃出し
部とを備え、垂直ブランキング期間に電荷掃出し部によ
り過剰電荷の掃出しを行なう固体撮像装置の駆動方法に
おいて、 電荷掃出し動作として、第１の期間に前記垂直信号電荷
読出し部の複数の転送ゲート電極の電圧を制御してこれ
ら電極下のチャネル電位を同一レベルに設定した後、各
電極下のチャネル電位を同一に保ったまま該チャネル電
位を浅くなるように制御し、前記電荷掃出し部から垂直
信号電荷読出し部の電荷量の一部を連続的に掃出し、第
２の期間に前記垂直信号読出し部の複数の転送ゲート電
極にクロックパルスを印加して電荷量の残りを順次前記
電荷掃出し部から掃出すようにしたことを特徴とする固
体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項２】前記電荷掃出し部は、ゲート電極とドレイ
ン拡散層とからなる特許請求の範第１項記載の固体撮像
装置の駆動方法。 - 【請求項３】前記チャネル電位の制御は、該チャネル電
位が時間的に順次浅くなるように制御することである特
許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項４】前記垂直信号電荷読出し部は、第１〜第４
の４電極で１画素信号電荷の転送を行なうものであり、
この垂直信号電荷読出し部の信号電荷を水平信号電荷読
出し部へ転送する際は前記４電極に順次90゜ずつ位相の
ずれた４層のクロックパルスが印加され、電荷を掃出す
期間は、第１および第２の電極に同相のクロックパルス
が印加され、第３および第４の電極に直流電圧が印加さ
れて、前記第１と第２および第３と第４の電極下に形成
される電位が前記電荷掃出し部側に電荷が流れる関係に
なるようにオフセット電圧が印加される特許請求の範囲
第１項記載の固体撮像装置の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212557A JP2525781B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
| US07/094,002 US4875101A (en) | 1986-09-11 | 1987-09-04 | Solid state photovoltaic imaging device with excess charge eliminator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212557A JP2525781B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6369267A JPS6369267A (ja) | 1988-03-29 |
| JP2525781B2 true JP2525781B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16624659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212557A Expired - Lifetime JP2525781B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4875101A (ja) |
| JP (1) | JP2525781B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4963980A (en) * | 1987-02-06 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device |
| US5031048A (en) * | 1988-08-09 | 1991-07-09 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Electric shutter control device for use in a still video camera, for example, and a method of controlling same |
| FR2638309B1 (fr) * | 1988-10-25 | 1996-05-24 | Trefimetaux | Plaquette de pretraitement des courants de sortie de diodes de detection soumises a un rayonnement thermique |
| JPH02164185A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JPH0831990B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1996-03-27 | 株式会社東芝 | Ｘ線診断装置 |
| US5172163A (en) * | 1989-05-10 | 1992-12-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic photo-receptor and electrophotographing apparatus |
| KR100276971B1 (ko) * | 1989-06-20 | 2001-01-15 | 다카노 야스아키 | 고체촬상소자의 구동방법 |
| US4985773A (en) * | 1989-06-28 | 1991-01-15 | Sperry Marine Inc. | Apparatus and method for inhibiting blooming in television cameras |
| JPH0358581A (ja) * | 1989-07-26 | 1991-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JP2808315B2 (ja) * | 1989-08-08 | 1998-10-08 | 旭光学工業株式会社 | 撮像素子駆動装置 |
| US5047862A (en) * | 1989-10-12 | 1991-09-10 | Eastman Kodak Company | Solid-state imager |
| EP0563846A1 (en) * | 1992-03-30 | 1993-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dynamic peaking aperture correction for use with a CCD camera |
| EP0621726B1 (en) * | 1993-04-20 | 1999-06-16 | Sony Corporation | Method of and apparatus for solid state imaging device |
| JPH08139303A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
| JP3213529B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2001-10-02 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
| JP3561596B2 (ja) * | 1996-11-27 | 2004-09-02 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
| JPH11331484A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| TW425563B (en) * | 1998-06-03 | 2001-03-11 | Nippon Electric Co | Solid state image pickup device and driving method therefore |
| JP4433528B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2010-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4419264B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4350924B2 (ja) * | 2001-09-07 | 2009-10-28 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| US20070210342A1 (en) * | 2003-02-26 | 2007-09-13 | Dialog Imaging Systems Gmbh | Vertical charge transfer active pixel sensor |
| US20040164321A1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Dialog Semiconductor | Vertical charge transfer active pixel sensor |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS56140773A (en) * | 1980-04-02 | 1981-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving method of solid state pickup element |
| JPS5831672A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Toshiba Corp | 電子カメラ |
| JPS58139463A (ja) * | 1982-02-13 | 1983-08-18 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JPS60165183A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-28 | Canon Inc | 撮像素子又は撮像装置 |
| JPS60233986A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-20 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の駆動方法 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212557A patent/JP2525781B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-04 US US07/094,002 patent/US4875101A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6369267A (ja) | 1988-03-29 |
| US4875101A (en) | 1989-10-17 |
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