[go: up one dir, main page]

JP2572924B2 - 大気圧プラズマによる金属の表面処理法 - Google Patents

大気圧プラズマによる金属の表面処理法

Info

Publication number
JP2572924B2
JP2572924B2 JP4260566A JP26056692A JP2572924B2 JP 2572924 B2 JP2572924 B2 JP 2572924B2 JP 4260566 A JP4260566 A JP 4260566A JP 26056692 A JP26056692 A JP 26056692A JP 2572924 B2 JP2572924 B2 JP 2572924B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
carbon
gas
surface treatment
argon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4260566A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0688242A (ja
Inventor
醇 西脇
範人 池宮
宏 内山
秀夫 稲垣
康夫 澤田
和己 荻野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
II SHII KAGAKU KK
ITOCHU FUAIN KEMIKARU KK
Original Assignee
II SHII KAGAKU KK
ITOCHU FUAIN KEMIKARU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by II SHII KAGAKU KK, ITOCHU FUAIN KEMIKARU KK filed Critical II SHII KAGAKU KK
Priority to JP4260566A priority Critical patent/JP2572924B2/ja
Priority to CA002091647A priority patent/CA2091647C/en
Priority to US08/031,492 priority patent/US5384167A/en
Publication of JPH0688242A publication Critical patent/JPH0688242A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2572924B2 publication Critical patent/JP2572924B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は大気圧プラズマによる金属の表面
処理法に関する。本発明は、不活性気体と反応性気体を
用い大気圧下で安定なグロー放電を行なわせて金属被処
理体の表面を改質する処理法を提供するものである。
【0002】従来、金属の表面処理法としては、所謂イ
オン注入法が行なわれている。従来知られているイオン
注入法としては、金属の基板に高真空中で数KeV〜数
MeVのイオンビームを照射して基板の表層に元素を添
加して表面の物性を改質する方法及び基板上に化学的に
作られた酸化被膜や窒化膜の単層または複数層にイオン
ビームを照射して該層と基板の原子を混合せしめ表面の
物性を改質する方法等が実用化されている。
【0003】これ等の技術は殊に半導体技術分野におい
て、不純物をドーピングする方法として開発され、現在
ではシリコンのp−n結合によるデバイスの製造工程で
利用されており、金属、セラミック、高分子材料の表面
特性を改質させる目的に利用されている。
【0004】一般に、金属に対するイオン注入法として
は、鉄、アルミニウム、チタン等に炭素、窒素、アルゴ
ン等の気体元素やアルミニウム、クロームのような金属
元素のイオンの注入が行なわれている。これ等のイオン
ビームを使ったイオンの注入は数百度以下の低温で行な
われるが、イオン速度を上げ、純度を保つため、高真空
の下で行なわねばならない。
【0005】例えば、イオン源となるガスや加熱金属の
蒸気の場合、10-3torrの高真空が必要であり、真
空ポンプ、高真空ポンプ、電子鏡加速装置等が欠かせな
いため、全体の装置は複雑で且つ極めて高価になる欠点
があった。
【0006】また、金属の表面改質は古くから行なわれ
ており、例えば、浸炭、窒化、浸炭窒化、浸硫、酸化、
金属浸透など元素の熱拡散現像により、金属表面に化合
物層や固溶相を形成させる方法が採用されて来た。クラ
ンクシャフト、バイト、ドリルなどにおいては鋼に浸炭
や窒化処理を施すことによって、表面硬度や耐摩耗性の
向上が計られている。しかし、これ等の処理においては
長時間の高温加熱が必要であり、このため表面の歪み、
寸法変化や結晶粒の粗大化等が生じ易く、これを防ぐた
め複雑な熱処理が必要であった。
【0007】また近年CVDやPVDなどの表面に薄膜
を形成する方法が行なわれているが、CVDでは一般に
1000℃前後、PVDでは一般に300℃前後の加熱
が必要であるという欠点があった。
【0008】本発明は、上記の従来技術の有した諸欠点
を凡て取り除いた新規な金属表面処理法を提供するもの
である。
【0009】本発明によれば、対向する2つの電極の間
にある金属被処理体の少くとも被処理面を不活性気体と
ケトン、ハロゲン化炭化水素またはトリアジンチオール
から選ばれる反応性気体との混合気体の雰囲気下にお
き、該金属被処理体を予熱することなく、該混合気体を
大気圧下プラズマ励起して電極間にグロー放電を行なわ
て、金属被処理体の表面から25オングストローム以
上の深さまで炭素原子、ハロゲン原子、または硫黄原子
を注入する金属被処理体の表面処理法が提供される。
【0010】本発明の表面処理法によれば、大気圧下で
プラズマ励起してグロー放電が行なわれるので、表面処
理に要する装置は従来技術に比し極めて簡便であるとい
う利点を有し、しかも金属の表面層中と従来技術では注
入が困難であった種類の元素の注入が可能となり更に金
属表面に有機結合性の被覆を形成させることも出来るの
で、金属表面の表面硬度の改善、表面濡れ性の改質、酸
化に対する抵抗性の改善等の表面特性を著しく改質する
ことが出来るといった優れた効果を奏すものである。
【0011】本発明の表面処理法で用いられる不活性気
体としては、ヘリウム、アルゴン、ネオンまたはそれ等
の混合気体等を例示することができる。なかでも、ヘリ
ウム、アルゴンおよびアルゴンとヘリウムの混合気体
が、好適に用いられる。
【0012】本発明の表面処理法で用いられる反応性気
体としては、炭素含有化合物の気体、硫黄含有化合物の
気体、酸素含有化合物の気体、ハロゲン含有化合物の気
体、窒素含有化合物の気体等を例示することができる。
なかでも炭素含有化合物の気体、硫黄含有化合物の気体
およびハロゲン含有化合物の気体が好適に用いられる。
【0013】炭素含有化合物としては、ケトン、等を例
示することができ、なかでもアセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のアルキル基の炭素原
子数が4以下のケトンが好適であり、殊にアセトンが好
ましい。
【0014】硫黄含有化合物としては、トリアジンチオ
ール、メルカプタン、二硫化炭素チオ尿素等を例示する
ことができ、なかでもトリアジンチオールが好適であ
り、トリアジンチオールの中でも殊に2−ジブチルアミ
ノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジンが好まし
い。
【0015】ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化
炭化水素等を例示することができ、なかでもハロゲン化
炭化水素、殊に炭素原子数が4以下のハロゲン化炭化水
素、殊に四弗化炭素が好適である。
【0016】反応性気体の添加量は、不活性気体中に5
〜10ppm以上、好ましくは10〜1000ppm、
最も好ましくは10〜100ppmである。
【0017】一方、本発明の表面処理法の対象である被
処理体の材質金属としては、銅、鋼、アルミニウムの
外、珪素、ゲルマニウムのようなIV族金属等を例示す
ることができる。なかでも銅、アルミニウム、軟鋼およ
び高炭素鋼が好適である。
【0018】本発明の表面処理法においては、グロー放
電は、高周波の高電圧の印加によって行なわれるが、印
加する電圧は一般には1,000〜8,000V、好ま
しくは1,000〜5,000Vが採用される。
【0019】また、電源の周波数は500〜100,0
00Hzまでの任意の周波数が使用できるが、好ましく
は1,000Hz〜10,000Hzが用いられる。1
00,000Hzを超えては、放送周波数となる許り
か、熱の発生を伴うので使用できないし、500Hz未
満では安定なグロー放電が得られない。
【0020】以下に、本発明の実施態様の幾つかの例を
挙げ、その詳細を述べる。図1は本発明で用いる大気圧
グロー放電プラズマ装置の一例であり、対向する2つの
電極(1)を有する装置内にアルゴンとアセトンの混合
気体が流入口(3)から導入され、装置内の空気が置換
される。アルゴンとアセトンの混合比率は容量比でアル
ゴン99.5部対アセトン0.5部(重量換算でアセト
ンがアルトン中に13ppm濃度に相当)である。な
お、火花放電が起こるのを防ぐため誘導体としてポリイ
ミドフイルム(100ミクロン厚)(4)を下部電極に
張り、被処理体である純銅板(2)を図1のように電極
の間に置く。誘電体は火花が回り込むのを防ぐため電極
より大きい面積のものを用い、下部および上部の両電極
に張ってもよいし、または上部電極のみに張ってもよ
い。
【0021】空気をアルゴンとアセトンの混合気体によ
って完全に置換した後、上下電極に3KHz、3000
Vの電圧を印加する。青白色のグロー放電が起こりプラ
ズマ励起される。2分間そのままの状態を維持して純銅
板の表面処理を終了する。
【0022】装置から取り出された純銅板の表面は目視
では全く変化が認められないが、X線光電子分光法(以
下ESCAともいう)でその表面を解析した結果を図2
と図3に示す。
【0023】図1は銅の存在を示すピークが無い。これ
は表面が銅の存在しない被膜(有機結合性の被膜を推定
される)で覆われているためである。プラズマ処理した
表面をアルゴンで100マイクロアンペア、500V、
30秒エッチングした表面には、銅のピークが低く現
われ、更に120秒エッチングした表面には銅のピー
クがはっきり出現し、120秒のエッチングで銅表面が
露出した事を示す。なお、アルゴンイオンによるエッチ
ングは深さ方向の元素分布とその結合状態の変化を見る
ためESCAにおいて行なわれる方法であり、100マ
イクロアンペア、500Vで30秒削れば25オングス
トローム、120秒削れば100オングストロームの深
さ迄削られる。
【0024】図2は炭素(C)の存在を調べたものだ
が、プラズマ処理したままの表面には炭素のピークが
はっきり現れている。アルゴンで上記と同条件で30秒
エッチングした表面では炭素のピーク高さは殆んど変
らず、120秒エッチングした表面では未だ炭素が残
っている。また結合エネルギーはプラズマを処理したま
までは287.6eVであり、これは有機結合性の炭素
を意味している。30秒エッチングした表面では285
eVにシフトしているが、これは純粋な黒鉛結合の炭素
原子を示すもので、本発明の大気圧プラズマ処理法によ
り、アセトンの炭素原子が銅の表面下100オングスト
ローム以上の深さ迄注入された事を示すものである。銅
は炭素と反応せず、化合物をつくらないにも拘わらず、
このように100オングストローム以上の深さにまで炭
素原子が銅に注入された例は従来技術には全く開示が無
く、驚くべきことである。
【0025】上記表面処理を施された純銅板の表面硬度
を図4に示した。本発明により表面処理を施された純銅
は表面硬度の向上によって耐摩耗性が著しく改善され且
つ有機結合性炭素被覆の存在によって酸化に対する抵抗
を著しく向上する。
【0026】不活性気体としてアルゴン、ヘリウム又は
アルゴンとヘリウムの混合気体(アルゴン:ヘリウムが
1:1または2:1)を用い、反応性気体としてアセト
ン、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−
トリアジンまたは四弗化炭素(CF4)を用い、アセト
ン、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−
トリアジンは10ppm、四弗化炭素の不活性気体97
重量部に3重量部の濃度で用いた以外は、上記実験と同
一条件で純銅の表面処理を行った。表面処理した純銅表
面の濡れ性を純水に対する接触角により測定した。結果
を図5に示す。図5より明らかなように、四弗化炭素を
用いたL、M及びNの場合には未処理のAに比し接触角
は顕著に増加し、濡れ性が大巾に低くなる事が判る。
【0027】なお、反応性気体は、必しも気体として流
入口より導入する必要はなく、例えば室温で固体の化合
物を、加熱されている下部電極上に薄く置いてグロー放
電を行う事の方法で、グロー放電状態においてその場で
気化プラズマ化させてもよい。
【0028】図6は、本発明の更なる実施態様の一例を
示す。ここでは、金属製容器1の内面のみが表面処理さ
れるが、不活性気体と反応性気体の混合気体は電極を兼
ねる導管2より容器内に導入され、グロー放電は電極4
と導管2の間で行なわれて容器内面の表面処理が行なわ
れる。なお、誘電体は使用されるが図示されていない。
【0029】以下に、実施例により本発明を更に具体的
に説明する。
【0030】
【実施例】実施例1 明細書本文中の実施態様例と全く同様の方法で厚み1m
mのアルミニューム板を使用した。アルゴンガスとアセ
トンの比率は容量でアルゴンガス99.7部アセトン
0.3部である。重量に換算するとアセトンが8ppm
である。
【0031】3000Hz、3000Vの電圧を印加し
てグロー放電を起こしそのまま2分プラズマ処理を行っ
た。これも目視では表面に全く異常は認められないが、
ESCAでその表面の解析を行った結果を図7−A及び
図7−Bに示す。
【0032】アルミニューム(A1)のプラズマ処理さ
れたままの状態では、その表面に全くA1が見当たら
ず、アルゴンエッチングしても150秒でもまだ見当た
らず、870秒エッチングを行ってA1が現れた。
アルゴンエッチングが30秒で25オングストローム削
れるとすれば実に725オングストロームの深さであ
る。
【0033】炭素(C)はプラズマ処理されたままの状
態では結合エネルギーが287.6eVであり、これ
は有機結合性炭素を意味している。すなわち表面は有機
質の結合膜で覆われているが、これをアルゴンエッチン
グしてゆくと30秒以上で285eVにシフトする。
これは明細書中の前記の銅の場合と全く同様で純粋な黒
鉛結合の炭素原子であり870秒エッチングしてもかす
かに痕跡が残るが725オングストロームの深さまで炭
素原子が注入されている事が分かった。更にアルミニ
ュームも図8に示すように硬度の上昇が見られその効果
を確認出来た。次にアルミニュームをヘリウムガスとア
セトンの混合ガスを使用した実施例1と全く同条件でプ
ラズマ処理を行った。その表面の解析結果を図9−A及
び図9−Bに示す。
【0034】すなわち、アルミニューム(A1)の場合
プラズマ処理されたままの状態でも僅かにA1の痕跡
があり、一方炭素(C)のを見れば結合エネルギー2
87.6eVの有機結合性炭素が実施例1のアルゴンよ
り多く、またの30秒、150秒とアルゴンエッチ
ングした時、285eVにシフトされている黒鉛結合の
炭素原子はアルゴンのときより遥かに少ない。したがっ
てアルミニウムの場合ヘリウムガスは本発明の目的であ
るイオンの注入効果が比較的小さい事が分かる。
【0035】また純水による濡れ性の測定も実施例と同
様の条件で接触角を測ったが銅と違って全体的に接触角
が減少する(濡れが良くなる)。結果を図10に示し
た。
【0036】実施例2 次に鋼の表面の性状変化について実施例1と全く同様の
条件で処理した。鋼としては厚みが1mmの軟鋼板を電
極の間に置き不活性ガスとしてアルゴン、ヘリウム、ア
ルゴンとヘリウムの等量混合ガスを使用しその中にアセ
トン、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s
−トリアジン(トリアジンチオールの1種)、四フッ化
炭素をそれぞれに添加してグロー放電プラズマ処理を行
った。処理条件は周波数3000Hz、電圧3000
V、出力50Wで2分間である。
【0037】まず、ヘリウム中に上記3種類の反応気体
をそれぞれ添加したものについてグロー放電プラズマ処
理を行い、その表面層の解析をESCAで調べた結果を
図11−A、図11−B及び図11−Cに示す。
【0038】なお、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメ
ルカプト−s−トリアジンは137℃のm.p.を有す
る粉末であるので、この粉末約1gを150℃に加熱し
た下部電極上の誘電体上に平坦に置いて加熱融解させて
プラズマ処理を行い、気化させた。
【0039】アセトンの場合は炭素原子、2−ジブチル
アミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジンでは硫
黄原子、四フッ化炭素ではフッ素原子が表面層に入り構
造の変化が認められた。
【0040】また、アセトンを添加した時には銅、アル
ミニウムと同じように微小硬度を測定したがこの結果を
図12に示す。未処理品と比較して硬度の上昇が認めら
れ炭素が内部に注入された事が分かる。これは図13A
〜C及び図14A〜CのESCAによる解析でも明らか
である。
【0041】すなわち、軟鋼のC原子を見た場合アルゴ
ンにアセトンを添加した時は150秒エッチングすると
殆ど無くなるがヘリウムにアセトンを添加したものでは
150秒エッチングを行ってもC原子の存在が確認出来
る。30秒のエッチングが25オングストロームとすれ
ば150秒は125オングストロームの深さになりさら
に285eVにシフトされているからこれも明らかに黒
鉛結合の炭素が100オングストローム以上の深さまで
注入されている事が分かる。又、不活性ガスも軟鋼には
ヘリウムの方がアルゴンより注入効果が大きい。
【0042】実施例3 市販の厚みが1mmの高炭素鋼を使用して実施例2と全
く同じ方法でグロー放電プラズマ処理を行った。使用し
た不活性ガス、添加材料も同一である。
【0043】処理された表面の濡れ性を純水による接触
角で測定した。その結果を図15に示すがアセトン、ト
リアジンチオール(2−ジブチルアミノ−4,6−ジメ
ルカプト−s−トリアジン)を添加したものは未処理品
と比較して接触角が減少し(濡れ性が向上)四フッ化炭
素では増加(濡れ性が低下)する傾向が認められた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の表面処理法を行う装置の1例の断面
図を示す。
【図2】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX線
光電子分光法で解析した図面である。
【図3】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX線
光電子分光法で解析した図面である。
【図4】 本発明の表面処理を施した金属の表面硬度を
示す。
【図5】 本発明の表面処理を施した金属の表面の濡れ
性を示す。
【図6】 本発明の表面処理法を行う装置の1例の断面
図を示す。
【図7】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX線
光電子分光法で解析した図面である。
【図8】 本発明の表面処理を施した金属の表面硬度を
示す。
【図9】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX線
光電子分光法で解析した図面である。
【図10】 本発明の表面処理を施した金属の表面の濡
れ性を示す。
【図11】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX
線光電子分光法で解析した図面である。
【図12】 本発明の表面処理を施した金属の表面硬度
を示す。
【図13】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX
線光電子分光法で解析した図面である。
【図14】 本発明の表面処理を施した金属の表面をX
線光電子分光法で解析した図面である。
【図15】 本発明の表面処理を施した金属の表面の濡
れ性を示す。
フロントページの続き (72)発明者 池宮 範人 大阪府高槻市日吉台4番町2−32 (72)発明者 内山 宏 大阪府枚方市星丘2−13−20 (72)発明者 稲垣 秀夫 大阪府枚方市招提東町1−40−1−501 (72)発明者 澤田 康夫 東京都目黒区上目黒5−13−5 (72)発明者 荻野 和己 大阪府大阪市生野区生野西1−14−1 (56)参考文献 特開 平2−80577(JP,A) 特開 平3−236475(JP,A) 特開 平4−231471(JP,A) 特開 平4−180564(JP,A) 特開 平3−230420(JP,A) 特開 平2−232372(JP,A) 特開 昭62−214174(JP,A) 特開 昭61−26051(JP,A)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向する2つの電極の間にある金属被処
    理体の少くとも被処理面を不活性気体とケトン、ハロゲ
    ン化炭化水素またはトリアジンチオールから選ばれる反
    応性気体との混合気体の雰囲気下におき、該金属被処理
    体を予熱することなく、該混合気体を大気圧下プラズマ
    励起して電極間にグロー放電を行なわせて、金属被処理
    体の表面から25オングストローム以上の深さまで炭素
    原子、ハロゲン原子または硫黄原子を注入する金属被処
    理体の表面処理法。
  2. 【請求項2】 反応性気体がアセトン、4弗化炭素また
    は2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−ト
    リアジンである特許請求の範囲第1項記載の処理法。
  3. 【請求項3】 不活性気体がアルゴンまたは/およびヘ
    リウムである特許請求の範囲第1項記載の処理法。
  4. 【請求項4】 金属が高炭素鋼、軟鋼、アルミニウムま
    たは銅である特許請求の範囲第1項記載の処理法。
JP4260566A 1992-09-04 1992-09-04 大気圧プラズマによる金属の表面処理法 Expired - Fee Related JP2572924B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4260566A JP2572924B2 (ja) 1992-09-04 1992-09-04 大気圧プラズマによる金属の表面処理法
CA002091647A CA2091647C (en) 1992-09-04 1993-03-15 Method for the surface treatment of a metal by atmospheric pressure plasma
US08/031,492 US5384167A (en) 1992-09-04 1993-03-15 Method for the surface treatment of a metal by atmospheric pressure plasma

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4260566A JP2572924B2 (ja) 1992-09-04 1992-09-04 大気圧プラズマによる金属の表面処理法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0688242A JPH0688242A (ja) 1994-03-29
JP2572924B2 true JP2572924B2 (ja) 1997-01-16

Family

ID=17349733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4260566A Expired - Fee Related JP2572924B2 (ja) 1992-09-04 1992-09-04 大気圧プラズマによる金属の表面処理法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5384167A (ja)
JP (1) JP2572924B2 (ja)
CA (1) CA2091647C (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4858899A (en) * 1985-10-28 1989-08-22 Nissan Motor Co., Ltd. Bushing type vibration insulator
JP3365511B2 (ja) * 1993-04-05 2003-01-14 セイコーエプソン株式会社 ろう材による接合方法及び装置
JP3312377B2 (ja) * 1993-12-09 2002-08-05 セイコーエプソン株式会社 ろう材による接合方法及び装置
WO1995018249A1 (en) 1993-12-24 1995-07-06 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for processing surface with plasma under atmospheric pressure, method of producing semiconductor device and method of producing ink-jet printing head
US6006763A (en) * 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
JP3521587B2 (ja) * 1995-02-07 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 基板周縁の不要物除去方法及び装置並びにそれを用いた塗布方法
JPH08279495A (ja) * 1995-02-07 1996-10-22 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置及びその方法
WO1996031997A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
WO1997013266A2 (en) 1995-06-19 1997-04-10 The University Of Tennessee Research Corporation Discharge methods and electrodes for generating plasmas at one atmosphere of pressure, and materials treated therewith
JP3598602B2 (ja) * 1995-08-07 2004-12-08 セイコーエプソン株式会社 プラズマエッチング方法、液晶表示パネルの製造方法、及びプラズマエッチング装置
WO1997019204A1 (en) * 1995-11-07 1997-05-29 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for surface treatment
JPH09233862A (ja) * 1995-12-18 1997-09-05 Seiko Epson Corp 圧電体を用いた発電方法、発電装置および電子機器
US5824604A (en) * 1996-01-23 1998-10-20 Mattson Technology, Inc. Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist
JPH09312545A (ja) 1996-03-18 1997-12-02 Seiko Epson Corp 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置
AU713054B2 (en) * 1996-03-27 1999-11-25 Ethicon Inc. Process for blackening surgical needles
AU1640997A (en) * 1996-03-27 1997-10-02 Ethicon Inc. Process for passivating surgical needles
US5918354A (en) * 1996-04-02 1999-07-06 Seiko Epson Corporation Method of making a piezoelectric element
US6379576B2 (en) 1997-11-17 2002-04-30 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers
CA2319018C (en) * 1998-01-28 2004-08-24 Anon, Inc. Process for ashing organic materials from substrates
WO2000010703A1 (en) 1998-08-20 2000-03-02 The University Of Tennessee Research Corporation Plasma treatment of polymer materials for increased dyeability
FR2782837B1 (fr) * 1998-08-28 2000-09-29 Air Liquide Procede et dispositif de traitement de surface par plasma a pression atmospherique
US6092714A (en) * 1999-03-16 2000-07-25 Mcms, Inc. Method of utilizing a plasma gas mixture containing argon and CF4 to clean and coat a conductor
US6441554B1 (en) 2000-11-28 2002-08-27 Se Plasma Inc. Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
US20030104141A1 (en) * 2001-08-27 2003-06-05 Amato-Wierda Carmela C. Dielectric barrier discharge process for depositing silicon nitride film on substrates
DE10157144A1 (de) * 2001-11-22 2003-06-05 Freudenberg Carl Kg Hydraulisch dämpfende Gummibuchse
JP4168676B2 (ja) * 2002-02-15 2008-10-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 製膜方法
US20080190558A1 (en) * 2002-04-26 2008-08-14 Accretech Usa, Inc. Wafer processing apparatus and method
US20080011332A1 (en) * 2002-04-26 2008-01-17 Accretech Usa, Inc. Method and apparatus for cleaning a wafer substrate
US6936546B2 (en) * 2002-04-26 2005-08-30 Accretech Usa, Inc. Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates
US20080017316A1 (en) * 2002-04-26 2008-01-24 Accretech Usa, Inc. Clean ignition system for wafer substrate processing
US6909237B1 (en) * 2002-07-25 2005-06-21 The Regents Of The University Of California Production of stable, non-thermal atmospheric pressure rf capacitive plasmas using gases other than helium or neon
US7842435B2 (en) * 2004-11-01 2010-11-30 Gm Global Technology Operations, Inc. Fuel cell water management enhancement method
US8084356B2 (en) * 2007-09-29 2011-12-27 Lam Research Corporation Methods of low-K dielectric and metal process integration
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US8575843B2 (en) * 2008-05-30 2013-11-05 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
JP2011522381A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマに基づく化学源装置およびその使用方法
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
JP5234011B2 (ja) 2010-01-07 2013-07-10 豊田合成株式会社 金属と樹脂との複合体の製造方法
JP2013529352A (ja) 2010-03-31 2013-07-18 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション 液体−気体界面プラズマデバイス
AU2010349785B2 (en) 2010-03-31 2014-02-27 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
RU2687616C1 (ru) * 2018-04-09 2019-05-15 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" Способ низкотемпературного ионного азотирования титановых сплавов с постоянной прокачкой газовой смеси

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2730693B2 (ja) * 1988-09-14 1998-03-25 住友電気工業株式会社 薄膜形成法
JP2517771B2 (ja) * 1990-02-13 1996-07-24 幸子 岡崎 大気圧プラズマ表面処理法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2091647A1 (en) 1994-03-05
CA2091647C (en) 2003-12-30
US5384167A (en) 1995-01-24
JPH0688242A (ja) 1994-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2572924B2 (ja) 大気圧プラズマによる金属の表面処理法
EP0242089B1 (en) Method of improving surface wear resistance of a metal component
JPS62294160A (ja) 反応性気体プラズマ中での材料の熱化学的表面処理方法
EP0536664A1 (en) A method for forming a thin film
JPS63239103A (ja) 立方晶窒化硼素被覆体およびその製造法
Singer Compositions of metals implanted to very high fluences
US6090223A (en) Chromium nitride film and method for forming the same
JPS6035989B2 (ja) ガスによる鋼のクロマイジング方法に関する改良
JP3225576B2 (ja) 自己修復性硬質固体潤滑膜で被覆した摺動機械部品
US5830540A (en) Method and apparatus for reactive plasma surfacing
JPH07268607A (ja) ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法
JPH0524230B2 (ja)
KR880001381B1 (ko) 표면 피복 고속도강 부재
Cho et al. The effects of carbon on ion-nitriding
Iwaki Formation of metal surface layers with high performance by ion implantation
JPS63166957A (ja) 表面被覆鋼製品
KR100594998B1 (ko) 티타늄계 금속의 질화 방법
RU2434074C1 (ru) Способ низкотемпературного азотирования в плазме несамостоятельного дугового разряда низкого давления титановых сплавов вт6 и вт16
JPS5948863B2 (ja) チタンおよびチタン合金の表面硬化法
Galarie et al. Radiation enhanced diffusion of silicon into iron for high temperature oxidation improvement
JP3572240B2 (ja) 導電部材の物理的表面改質方法および表面改質装置
JP4641091B2 (ja) 金属材料表面に対する炭窒化物層形成方法及び表面に炭窒化物層を備えるチタン系金属材料
JPH08104976A (ja) ハードコーティング膜及びその製造方法並びにハードコーティング膜の蒸着装置
JP2006206959A (ja) アルミニウム合金の窒化方法
JP2600092B2 (ja) 金属系材料の表面改質方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071024

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081024

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091024

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees