JP2568071B2 - 半導体ウエハ−の湿式処理方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の湿式処理方法Info
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
本発明は、電子部品の製造に関するものである。特に
は、本発明は、拡散、イオン打込み、エピタキシャル成
長及び化学的蒸着（CVD）段階のような高温処理段階に
先立っての半導体ウエハーの処理方法に関する。殊に、
本発明は、半導体ウエハーの拡散前クリーニング（pred
iffnsion cleaning）の為の方法に関する。
は、本発明は、拡散、イオン打込み、エピタキシャル成
長及び化学的蒸着（CVD）段階のような高温処理段階に
先立っての半導体ウエハーの処理方法に関する。殊に、
本発明は、半導体ウエハーの拡散前クリーニング（pred
iffnsion cleaning）の為の方法に関する。
半導体ウエハーの作製において、幾つかのプロセス段
階はウエハーと流体との接触を必要とする。そうしたプ
ロセス段階の例としては、エッチング、ホトレジスト剥
離及び拡散前クリーニングが挙げられる。これら段階に
おいて使用される薬剤は、それらが強酸性、強アルカリ
性或いは揮発性溶剤である点きわめて危険なことが多
い。 半導体ウエハーとの接触の為に従来から使用された設
備は、一般に、半導体ウエハーのラックを浸漬する一連
のタンク或いはシンクから成る。ウエハー搬送手段は、
例えば米国特許第3,607,478、3,964,957及び3,977,926
号に記載されている。こうした従来からの湿式処理装置
は幾つかの難点を呈した。 タンクは大気に開放されているから、空気浮遊粒子が
プロセス溶液中に侵入する恐れがある。表面張力を通し
て、これら粒子は、ウエハーがシンク中に浸漬されそし
てそこから持上げられるに際してウエハー表面に容易に
転移する。こうした粒状汚染物はウエハー作製プロセス
が創出する微細回路に対してきわめて有害である。拡散
前クリーニング中粒子汚染を最小限にすることが殊に重
要である。 また、プロセス薬剤タンクは開放されているから、作
業者が危険な薬剤に曝露される。これは安全性の問題と
して認識されている。更に、薬剤は新たな溶液と定期的
に交換されねばならずそしてこれは一般にタンクから外
へ溶液は吸引しそしてシンク内へボトルら新しい溶液を
注入することにより達成される。クリーンルーム作業員
は通常、フェイスマスク、作業グローブ及びエプロンを
着用して、プロセス流体の手作業交換中の傷害を防止し
ている。 従来プロセスの欠点はまた、シンク型プロセスに対し
て明らかである。薬剤が経時するにつれ、これらは大気
からのそしてウエハーからの不純物で汚染されるように
なる。流体再生前のウエハーの最後のバッチの処理は、
新しい溶液でのウエハーの最初のバッチの処理程有効で
ない。こうした不均一な処理は半導体プロセス技術者に
とって最大の関心事である。 従来からの湿式プロセスステーションシンクは流れ停
滞状態により特徴づけられる。化学プロセス反応はウエ
ハーの表面において起りそして停滞状態は境界層即ち表
層皮膜現象をもたらし、その結果としてウエハーの或る
帯域は他の帯域より化学反応の程度が少なくなる事態を
招いた。これは所望されざることでありそしてエッチン
グ作業において特に重大事である。好適な温度管理もま
た停滞条件により悪影響を受けた。湿式プロセス設備製
造業者はこれら問題を軽減する為に攪拌手段を組込むこ
とを試みた。不均一エッチングを克服せんと試みた一方
法が米国特許第3,437,543号に開示される。 流体処理後、ウエハーは一般に乾燥されることを必要
とする。乾燥工程中汚染が生じないことが重要であるか
ら、これは特に課題の多い注意を有するプロセスであ
る。蒸発操作はそれが点状或いは縞状の表面汚染を生じ
ることが多いから所望されない。超高純度水を使用して
の蒸発操作でさえ、そうした水はウエハーの表面に対し
て侵食性であり微量のシリコン及び二酸化シリコンを溶
解するから、幾つかの問題を生起する可能性がある。続
いての蒸発はウエハー表面に溶質物質の残渣を残すこと
になる。半導体の汚染及びその故障の他の原因について
は、例えば、「ソリッド ステート デバイス、1983、
Cont.Ser No.69（インスティテュート オブ フィジッ
クス、ロンドン、1984）105〜120頁における「集積回路
におけるデバイス故障のメカニズム」に論議されてい
る。 スピン−リンサ−ドライヤ（回転−洗浄器−乾燥器）
として知られる装置が水の蒸発なしにウエハーを乾燥す
るのにしばしば使用されている。これら装置は遠心力を
利用してウエハー表面から水を振り切るものである。ウ
エハー、特に大きなウエハー寸法のものを使用した場合
にかかる機械的応力により、ウエハー破損と関連する問
題が生じうる。製造業者はまたこれら通常的には幾分複
雑な機械的装置において粒状物の発生を最小限にするこ
とをも要求されている。これにもかかわらず、幾つかの
製造業者は、スピン−リンサ−ドライヤ技術を一般的な
流体処理に拡張してきた。 酸処理装置として知られる装置が現在利用されてい
る。これはプロセス流体をウエハー表面上に噴霧するも
のである。これら装置は、化学薬剤を節約し、同時にウ
エハーの各バッチが新しい溶液に曝露されるという利点
を呈する。シャワー（噴霧）が浴を使用することにより
有利であると同じく、酸プロセスはシンクプロセスより
優れている。しかし、幾つかの難点があるため、酸処理
装置はいまだ広範な使用を得るに至っていない。 粒状物発生と機械的複雑さに関してのスピン−リンサ
−ドライヤに伴う困難さは酸処理装置においては一層深
刻となる。高純度水の場合どころか、酸処理装置は流体
処理において使用される高温の腐食性酸の侵食に対処せ
ねばならない。機械的破損や粒状物発生の問題はスピン
−リンサ−ドライヤに代って酸処理装置の使用によって
改善されない。 噴霧法はまた新たなプロセス上の困難さを導入する。
少量の薬剤が使用されるだけであるから高温プロセス処
理を実現することはほとんど困難である。例えば拡散前
クリーニングにおいて、ウエハーを80〜150℃の範囲の
温度にある濃硫酸にウエハーを曝露することが所望され
る。噴霧溶液の熱容量は殊にウエハー自体に対して十分
に大きくはないからウエハー表面上に所望の温度を実現
することはほとんど不可能である。酸処理装置における
温度の一様性とコントロールは疑問である。同じく、比
較的急速な化学反応が起るフッ化水素酸エッチングのよ
うなプロセスの一様性とコントロールを実現することも
困難である。 密閉された酸処理装置によってさえも安全上の問題が
取除かれるわけではない。これら装置の噴霧ノズルは適
正なスプレィ模様を確立する為に比較的高い試薬圧力を
使用する。こうした危険が薬剤が加圧される時にはいつ
でも、事故の可能性が存在する。
階はウエハーと流体との接触を必要とする。そうしたプ
ロセス段階の例としては、エッチング、ホトレジスト剥
離及び拡散前クリーニングが挙げられる。これら段階に
おいて使用される薬剤は、それらが強酸性、強アルカリ
性或いは揮発性溶剤である点きわめて危険なことが多
い。 半導体ウエハーとの接触の為に従来から使用された設
備は、一般に、半導体ウエハーのラックを浸漬する一連
のタンク或いはシンクから成る。ウエハー搬送手段は、
例えば米国特許第3,607,478、3,964,957及び3,977,926
号に記載されている。こうした従来からの湿式処理装置
は幾つかの難点を呈した。 タンクは大気に開放されているから、空気浮遊粒子が
プロセス溶液中に侵入する恐れがある。表面張力を通し
て、これら粒子は、ウエハーがシンク中に浸漬されそし
てそこから持上げられるに際してウエハー表面に容易に
転移する。こうした粒状汚染物はウエハー作製プロセス
が創出する微細回路に対してきわめて有害である。拡散
前クリーニング中粒子汚染を最小限にすることが殊に重
要である。 また、プロセス薬剤タンクは開放されているから、作
業者が危険な薬剤に曝露される。これは安全性の問題と
して認識されている。更に、薬剤は新たな溶液と定期的
に交換されねばならずそしてこれは一般にタンクから外
へ溶液は吸引しそしてシンク内へボトルら新しい溶液を
注入することにより達成される。クリーンルーム作業員
は通常、フェイスマスク、作業グローブ及びエプロンを
着用して、プロセス流体の手作業交換中の傷害を防止し
ている。 従来プロセスの欠点はまた、シンク型プロセスに対し
て明らかである。薬剤が経時するにつれ、これらは大気
からのそしてウエハーからの不純物で汚染されるように
なる。流体再生前のウエハーの最後のバッチの処理は、
新しい溶液でのウエハーの最初のバッチの処理程有効で
ない。こうした不均一な処理は半導体プロセス技術者に
とって最大の関心事である。 従来からの湿式プロセスステーションシンクは流れ停
滞状態により特徴づけられる。化学プロセス反応はウエ
ハーの表面において起りそして停滞状態は境界層即ち表
層皮膜現象をもたらし、その結果としてウエハーの或る
帯域は他の帯域より化学反応の程度が少なくなる事態を
招いた。これは所望されざることでありそしてエッチン
グ作業において特に重大事である。好適な温度管理もま
た停滞条件により悪影響を受けた。湿式プロセス設備製
造業者はこれら問題を軽減する為に攪拌手段を組込むこ
とを試みた。不均一エッチングを克服せんと試みた一方
法が米国特許第3,437,543号に開示される。 流体処理後、ウエハーは一般に乾燥されることを必要
とする。乾燥工程中汚染が生じないことが重要であるか
ら、これは特に課題の多い注意を有するプロセスであ
る。蒸発操作はそれが点状或いは縞状の表面汚染を生じ
ることが多いから所望されない。超高純度水を使用して
の蒸発操作でさえ、そうした水はウエハーの表面に対し
て侵食性であり微量のシリコン及び二酸化シリコンを溶
解するから、幾つかの問題を生起する可能性がある。続
いての蒸発はウエハー表面に溶質物質の残渣を残すこと
になる。半導体の汚染及びその故障の他の原因について
は、例えば、「ソリッド ステート デバイス、1983、
Cont.Ser No.69（インスティテュート オブ フィジッ
クス、ロンドン、1984）105〜120頁における「集積回路
におけるデバイス故障のメカニズム」に論議されてい
る。 スピン−リンサ−ドライヤ（回転−洗浄器−乾燥器）
として知られる装置が水の蒸発なしにウエハーを乾燥す
るのにしばしば使用されている。これら装置は遠心力を
利用してウエハー表面から水を振り切るものである。ウ
エハー、特に大きなウエハー寸法のものを使用した場合
にかかる機械的応力により、ウエハー破損と関連する問
題が生じうる。製造業者はまたこれら通常的には幾分複
雑な機械的装置において粒状物の発生を最小限にするこ
とをも要求されている。これにもかかわらず、幾つかの
製造業者は、スピン−リンサ−ドライヤ技術を一般的な
流体処理に拡張してきた。 酸処理装置として知られる装置が現在利用されてい
る。これはプロセス流体をウエハー表面上に噴霧するも
のである。これら装置は、化学薬剤を節約し、同時にウ
エハーの各バッチが新しい溶液に曝露されるという利点
を呈する。シャワー（噴霧）が浴を使用することにより
有利であると同じく、酸プロセスはシンクプロセスより
優れている。しかし、幾つかの難点があるため、酸処理
装置はいまだ広範な使用を得るに至っていない。 粒状物発生と機械的複雑さに関してのスピン−リンサ
−ドライヤに伴う困難さは酸処理装置においては一層深
刻となる。高純度水の場合どころか、酸処理装置は流体
処理において使用される高温の腐食性酸の侵食に対処せ
ねばならない。機械的破損や粒状物発生の問題はスピン
−リンサ−ドライヤに代って酸処理装置の使用によって
改善されない。 噴霧法はまた新たなプロセス上の困難さを導入する。
少量の薬剤が使用されるだけであるから高温プロセス処
理を実現することはほとんど困難である。例えば拡散前
クリーニングにおいて、ウエハーを80〜150℃の範囲の
温度にある濃硫酸にウエハーを曝露することが所望され
る。噴霧溶液の熱容量は殊にウエハー自体に対して十分
に大きくはないからウエハー表面上に所望の温度を実現
することはほとんど不可能である。酸処理装置における
温度の一様性とコントロールは疑問である。同じく、比
較的急速な化学反応が起るフッ化水素酸エッチングのよ
うなプロセスの一様性とコントロールを実現することも
困難である。 密閉された酸処理装置によってさえも安全上の問題が
取除かれるわけではない。これら装置の噴霧ノズルは適
正なスプレィ模様を確立する為に比較的高い試薬圧力を
使用する。こうした危険が薬剤が加圧される時にはいつ
でも、事故の可能性が存在する。
半導体湿式処理の分野で必要とされていることは、
ａ）雰囲気汚染が回避される、ｂ）薬剤への作業員の曝
露が最小限とされる、ｃ）ウエハーの一様な処理が促進
される、ｄ）迅速にして有効な熱伝達が可能とされる、
ｅ）流れ停滞条件が最小限とされそして表層化現象が回
避される、ｆ）装置が機械的に簡単である、そしてｇ）
侵食性薬剤が安全に取扱われる、ような態様で、プロセ
ス流体を半導体ウエハーと接触状態に持ちきたすことの
出来る方法の開発である。
ａ）雰囲気汚染が回避される、ｂ）薬剤への作業員の曝
露が最小限とされる、ｃ）ウエハーの一様な処理が促進
される、ｄ）迅速にして有効な熱伝達が可能とされる、
ｅ）流れ停滞条件が最小限とされそして表層化現象が回
避される、ｆ）装置が機械的に簡単である、そしてｇ）
侵食性薬剤が安全に取扱われる、ような態様で、プロセ
ス流体を半導体ウエハーと接触状態に持ちきたすことの
出来る方法の開発である。
本発明は、プロセス流体或いは周囲雰囲気を内部に捕
捉しない内面を備える容器内に半導体ウエハーを位置付
け、該容器を周囲環境に対して密閉し、そして該容器内
の半導体ウエハーを横切って複数のプロセス流体を各プ
ロセス流体を相境界を実質上含まない単一流体相として
ウエハーと接触するように順次してそして連続的に流す
半導体ウエハーの湿式処理方法であって、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため該半導
体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と接
触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含し、それにより前記段階間で半導体ウエハーの移
動および作業者の取扱を必要とせずそして各段階中半導
体ウエハーを収納する容器をそれぞれのプロセス流体で
充満状態に維持することを特徴とする半導体ウエハーの
湿式処理方法を提供する。本発明はまた、上記（ａ）〜
（ｃ）に替えて、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため、該半
導体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と
接触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）前記半導体ウエハーの表面を少なくとも１種の化
学薬剤と反応せしめる段階と、 （ｄ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーから前
記化学薬剤を除去する段階と、 （ｅ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含する半導体ウエハーの湿式処理方法を提供する。
捉しない内面を備える容器内に半導体ウエハーを位置付
け、該容器を周囲環境に対して密閉し、そして該容器内
の半導体ウエハーを横切って複数のプロセス流体を各プ
ロセス流体を相境界を実質上含まない単一流体相として
ウエハーと接触するように順次してそして連続的に流す
半導体ウエハーの湿式処理方法であって、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため該半導
体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と接
触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含し、それにより前記段階間で半導体ウエハーの移
動および作業者の取扱を必要とせずそして各段階中半導
体ウエハーを収納する容器をそれぞれのプロセス流体で
充満状態に維持することを特徴とする半導体ウエハーの
湿式処理方法を提供する。本発明はまた、上記（ａ）〜
（ｃ）に替えて、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため、該半
導体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と
接触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）前記半導体ウエハーの表面を少なくとも１種の化
学薬剤と反応せしめる段階と、 （ｄ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーから前
記化学薬剤を除去する段階と、 （ｅ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含する半導体ウエハーの湿式処理方法を提供する。
本発明フロー及び設備の好ましい具体例が第１図に例
示されている。本発明方法を第１図の装置を参照して説
明するが、第１図の装置は本方法を実施するのに使用さ
れうる装置の単なる例示であり、他の装置も使用されう
る。 本発明プロセスによって処理されるべきウエハーは密
閉型ウエハー容器200内に存在する。容器200は好ましく
は、1985年６月24日付米国特許出願第747,894及び747,8
95号並びに米国特許第4,577,650号に開示されるような
ものでありそして上方三方弁25と下方三方弁24との間に
縦型に設置されている。好ましくは、ウエハー容器は、
そこに収納されるウエハーの処理に先立って或いは処理
に続いて容器が開放される時最大限に清浄な環境を与え
る為にクリーンルーム内に設置される。設備の他のもの
は保守の為の立入りを容易ならしめる為にまた比較的高
価につくクリーンルームのスペースを減ずる為にクリー
ンルームの外側に配置されうる。 上記出願に開示されるウエハー容器及びウエハーキャ
リヤに加えて、他の設計の密閉式ウエハー容器が使用さ
れうる。しかし、ウエハー容器が密閉式であることが本
発明プロセスにとって重要である。即ち、ウエハー容器
は、それがウエハーの装入と取出の為に開放される時を
除いて周囲雰囲気に開放されてはならない。ウエハーの
容器の設計はまた本発明プロセス中容器が流体圧的に充
満状態となることを許容するような設計のものでなけれ
ばならない。「流体圧的に充満即ちフルフロー」とは、
ウエハー容器が各プロセス段階中それぞれのプロセス流
体で完全に充満された状態となることを意味する。「プ
ロセス流体」とは、ウエハーと接触に供される気体或い
は液体を意味する。容器設計は、容器が閉じられそして
プロセス流体で充填された後残留周囲雰囲気が容器内に
捕捉されることを許容してはならない。同様に、容器設
計は、プロセス流体がウエハーを処理する過程中切換え
られるのに際して、残留する先の流体が容器を通しての
次のプロセス流体の流れが開始された後ある有意な時間
にわたって容器内に捕捉されないようにすべきである。
従って、容器は、プロセス流体や周囲雰囲気が捕捉され
やすい盲ら部位、デットポイント端、内表面不整部等を
持つべきでない。これら特性は、それらがウエハー表面
汚染の可能性を増大し、処理プロセスの効率を減じそし
て本発明の個々のプロセスの変動を生じる精度の減少を
もたらすので、所望されない。 クリーニング用流体のような腐食性流体が液体のよう
な単一の流体相としてウエハーと接触しそして気／液界
面のような相境界を実質含まないことが必要である。そ
うした界面の存在は気泡が液体中に懸濁する部位を形成
するからである。 本発明方法は、二酸化シリコンの表面層を形成するべ
くシリコンの表面を酸化するに先立って或いはイオン打
込みに先立ってウエハーのシリコン表面から僅かの薄い
所望されざる酸化物層を除去する為ウエハー表面を軽く
エッチングするのに使用されうる。シリコン表面の酸化
は半導体分野において拡散段階と呼ばれる製造プロセス
における代表的な初期段階である。二酸化シリコンを形
成する為のシリコン表面の酸化に加えて、拡散段階は追
加的に、ホトマスキング、酸化物エッチング、ホトレジ
スト剥離及び／或いは高温拡散或いはイオン打込みによ
るシリコン基板中への不純物原子或いはイオンの拡散を
順次して含みうる。半導体デバィスの作製は例えばレス
トンパブリッシング社刊「半導体及び集積回路作製技
術」に概述されている。 本発明はまた、こうした拡散段階中に行われるウエハ
ーの湿式処理においても使用されうる。例えば、本発明
は酸化物エッチングにおいても使用されうる。この場
合、フッ酸或いはフッ化アンモニウム緩衝フッ酸のよう
な二酸化シリコンに対する代表的エッチング剤が使用さ
れうる。同様に、本発明は、ホトレジスト材料を取除く
為の化学薬剤と共に使用されうる。必要とされる薬剤の
濃度、処理されねばならないシリコンウエハーの数、プ
ロセス流体の再循回することの望ましさその他の因子に
依存して、本発明の、腐食性流体ポンピング方法及び装
置が使用されるか或いは濃縮薬剤注入及び希釈方法及び
装置いずれかが使用されうる。 拡散段階での使用に加えて、本発明は、合金電気接点
をウエハー表面上に形成する接点形成段階においても使
用されうる。例えば、写真製版プロセスが接点形成用材
料を付着するのに使用される時、レジストの除去は本発
明の利用によりもたらされうる。同様に、接点形成プロ
セスがアルミニウムのような余剰の金属の除去を必要と
する時、リン酸、酢酸或いは硝酸のようなエッチング剤
が本発明に従って使用されうる。 クリーニング用流体プロセス 本発明は、ウエハー表面をクリーニングする為従来か
ら使用されている薬剤のような高温の腐食性溶液を送給
しそしてろ過する為の方法の提供を目的の一つとする。
第１図に例示される好ましい具体例において、そのシス
テムは２つの室或いは溜め１及び２を使用し、これらは
腐食性流体の移送の為の受取容器及びポンプとして交互
に機能する。加圧下の窒素、アルゴン、圧縮空気等の気
体が腐食性溶液の移送の為の駆動力源として働く。４つ
の送止弁11、12、13及び14（２つの溜めの各々に２つが
関連する）が、腐食性流体が所望の方向に流れることを
保証する。 実施されることを所望される特定のウエハー処理仕様
に依存して、腐食性流体は酸或いは塩基いずれかに選定
される。例えば「ピラニア クリーン」においては、硫
酸が使用される。別様には、硝酸或いは王水のような他
の種が酸が使用されうる。更に、酸は単に酸の水溶液で
あってもよいし或いは酸と弱塩基のような緩衝剤とを含
有する緩衝酸溶液であってもよい。 高温の濃硫酸のような高温の濃縮酸がクリーニング用
流体として使用されうる。高温濃硫酸がクリーニング用
流体として使用される時には、それは好ましくは約80〜
150℃の温度と約90〜100重量％硫酸の濃度とを有する。 「RCAクリーン」のような別の型式のウエハー処理仕
様においては、水酸化アンモニウムのような腐食性塩基
が使用されうる。複数の腐食性塩基の混合物即ち緩衝塩
基が使用されうる。水酸化アンモニウムがクリーニング
用流体として使用される時、それは好ましくは、約60〜
100℃の温度と約30重量％水酸化アンモニウムの濃度を
有する。 第１図は単一の腐食性プロセス流体をウエハー容器に
移送する為の装置を例示するが、硫酸と水酸化アンモニ
ウムのような幾つかの異った腐食性流体を必要とする処
理仕様が実施されうるよう、複数のこうした装置が設置
されうる。更に、第１図は２つのみの腐食性流体溜めを
使用する具体例を例示するが、第１、第２及び第３溜め
のような複数の溜めを使用することも出来、その場合例
えば流体は第１から第２溜めへと、第２から第３溜めへ
とそして第３から第１溜めへと順次して送給される。 第１図に例示した具体例において、酸のような腐食性
流体は、左側の腐食性流体溜め１から窒素の圧力下で
（弁201によりコントロール）出口逆止弁13及びフィル
ター入口９を通してフィルター18内に流れる。溜め各々
は、その内部に収蔵される腐食性流体の表面に窒素その
他の圧縮気体を重力により適用する為の関連手段を具備
している。 別の具体例（図示なし）において、酸は気体圧力下で
供給溜めから昇高受取溜めへと循回し、後者は重力によ
って前者へと周期的に酸を排出する。 例示具体例において、バンドヒータ３及び４が溜め１
及び２内の腐食性流体を加熱する為に装備される。加え
て、逃し弁203及び204が溜めの各々を大気に通気する為
に設けられる。流体レベル指示計７及び８が溜め各々の
内部の腐食性流体の水準を指示する為設けられる。温度
感知器５及び６が、各溜め内の流体温度を感知する為に
設けられる。各溜め内の腐食性流体を攪拌する為の攪拌
器を温度及び濃度勾配を最小限にする為に設けることも
できる。例えば、予備ろ過された窒素或いは圧縮空気の
ような予備ろ過された気体が溜め内の腐食性流体を通し
てその攪拌の為にバブリングされうる。 窒素、アルゴンのような別の不活性気体、圧縮空気の
ような別の圧縮気体が本発明プロセスにおいて使用され
る場合には、気体は粒状異物を除去する為使用前にろ過
することが好ましい。気体から粒状物をろ過する為の適
当な方法及び装置は斯界でよく知られている。 腐食性流体中への粒子の導入を更に最小限化する為に
は、すべての弁が好ましくは粒子の発生を最小化するよ
う選択される。例えば、溜めへの窒素導入を制御する弁
201及び202は、故障時閉成式、バネ負荷式、ポリテトラ
フルオロエチレン内張り鋼製ダイヤフラム弁或いは剪断
力を使用しない他の型式の弁とされる。 レベル指示計７及び８は最大及び／或いは最小といっ
た予備設定水準が実現されたことを単に指示するもので
もよいが、レベル指示計が溜め内の腐食性流体の水準を
連続的に感知しうる全深さ測定式のアノログセンサであ
ることが好ましい。全深さ測定式アナログセンサは、溜
め内へのまたそこからの流体流量の計算を可能ならしめ
る。 好ましくは、硫酸、フツ酸、塩酸等のような試薬等級
の、より好ましくは電子工業用試薬級の薬剤が、粒状物
汚染を最小限にする為に本発明プロセスにおいて使用さ
れる。 第１図に戻ると、腐食性流体は、フィルター入口弁21
を通過した後、複数の粒子フィルターカートリッジ18に
分配される。例示具体例において、腐食性流体は、個々
のフィルターカートリッジを構成するチューブの内部か
らチューブ壁を通して外部へと流れる。別様には、腐食
性流体は個々の管の外部から内部へと流れるようにもで
きる。粒子フィルタ自体はディスクのような他の形態も
とりうるが、チューブ状が好ましい。フィルタカートリ
ッジ自体は好ましくは多孔質セラミック材から作製され
る管束から構成される。 腐食性流体用フィルターは、ポリテトラフルオロエチ
レンで内張りされた鋼パイプと２つのポリテトラフルオ
ロエチレン製フィルターフランジ16及び17から作製され
る本体15を具備する。バンドヒータ19が、フィルター内
の腐食性流体を所望の温度に維持するのに使用される。
粒状物を除く為フィルタ要素を通過した後、ろ過ずみの
腐食性流体は上方流体出口205を通して流出する。 苛酷な化学的及び温度条件に耐えうることに加えて、
この腐食性流体フィルターのまた別の利点は、そのろ過
能力を再生する為に逆洗可能なことである。これとは対
照的に、半導体業界において現在使用されている大半の
ミクロろ過カートリッジは、それらが粒状物質で詰まる
と廃棄される。 例示具体例の腐食性流体フィルターにおいて、フィル
ターの逆洗はシステムからの使用ずみ酸の排出と同時に
実現される。通常の流体送給操作の場合と丁度同じく、
腐食性流体をフィルターを通して（但し逆の方向で）そ
して酸ドレン20から外へと強送するのに気体圧力が使用
される。弁21及び22がフィルターを通して逆方向に流れ
を差向けるのに使用される。フィルター入口弁21が閉成
されそしてフィルターバイパス弁22が開放される。追加
的に、ウエハー容器バイパス弁23が閉じられそしてウエ
ハー容器下方三方弁24もまた腐食性流体の流れを阻止す
る位置をとる。この弁配列は、腐食性流体が溜めから逆
方向でフィルターを通ってドレンへと流れることを保証
する。 新しい腐食性流体をシステムに補給する為に異った弁
配列状態が使用される。腐食性流体は、従来型式の空気
推進式固体ポリテトラフルオロエチレン製ダイヤフラム
ポンプを使用して充填口26を通して補給される。新しい
腐食性流体がフィルターを通して上方にそしてバイパス
弁23に向けて流れることを保証する為に弁21及び22の両
方が閉成位置に維持される。両方の三方弁24及び29は腐
食性流体の流れを阻止するよう位置決めされる。バイパ
ス弁23は開放されて、新しい腐食性流体が戻り管路10内
へと、そして逆止弁11及び12を通して溜め１及び２にそ
れぞれ流れることを許容する。 第１図において、太線は、腐食性流体が左側の溜めか
ら右側の溜めへと流れる状態でシステムがウエハー処理
サイクルで機能している時のシステムを通しての腐食性
流体の流れをたどるものである。 ウエハー処理サイクルにおいて、フィルターを離れた
腐食性流体は、出口205から管路210内へと差向けられそ
してウエハー容器200と関連する下方三方弁24に送られ
る。腐食性流体は、その存在を感知する液体レベル指示
計29を横切って上方に流れ、ウエハー容器200内のウエ
ハーを横切って上方に流れ続けそして上方三方弁25を通
してウエハー容器から流出する。この上方三方弁25は戻
り管路10と通じそして戻り管路10は戻り逆止弁11或いは
12と通じる。戻り逆止弁11或いは12は適用流体の圧力下
で開いて、腐食性流体が第２溜めに流入することを許容
する。この第２溜め大気に通気されており従って圧力が
適用されている供給溜めより低い圧力にある。 三方弁25と逆止弁11或いは12とを繋ぐ戻り管路10は好
ましくはオゾン注入弁206を含むオゾン注入手段と接触
される。加えて、腐食性流体サンプル口が関連するサン
プル口弁207を含めて設置されうる。オゾン発生装置
（図示なし）は好ましくは戻り管路10内に注入の為オゾ
ンを供給しそれによりオゾンが腐食性流体中に注入され
ることを許容する。 腐食性流体が高温硫酸のような酸化性薬剤である時、
オゾンは、腐食性流体によりウエハーから除去された有
機汚染物を酸化しそして処理されたウエハー表面上の物
質種との化学反応により生成された硫酸の還元誘導体を
酸化する作用を為す。例えば、硫酸はウエハー汚染物と
反応する時亜硫酸に還元される場合がありそしてオゾン
は亜硫酸を硫酸に酸化することにより酸の再生を行う。
注入オゾンはまた溜め内でのバブリングにより腐食性流
体の攪拌を生じそれにより溜め加熱壁とその内部に収蔵
される腐食性流体との間の熱伝達を促進する。オゾン化
による腐食性流体の再生は、クリーニング用流体が数週
間以上にわたって交換の必要なく何度も使用されること
を可能ならしめる。これは原材料費用を減ずるだけでな
く廃物処分問題を軽減する。 本発明のクリーニング段階は高温の腐食性流体を送給
しそして同時にろ過する為の手段を提供する。例示した
送給システムの作動手順は次のようにまとめることが出
来る： 送給システムが休止している時、左側及び右側両方の
溜め１及び２はほぼ半分満されている。両方の溜めが大
気に通気されそして弁21及び22が閉成される。しかし、
弁23は開放されて、フィルター内の腐食性流体が温度変
動中膨脹及び収縮するに際してフィルターが気体を吸排
することを許容する。 送給が始まると、弁21が開きそして弁23が閉じる。２
つの三方弁24及び25は、腐食性流体が第１図に例示され
るようにして流れうるよう調整される。気体圧力が任意
的に選択された溜めの一方１或いは２に導入されそして
腐食性流体はフィルタそしてウエハー容器を通して上方
に流れ始める。ウエハー容器中に最初存在した空気或い
は気体は頂部から外へ推しやられ、逆止弁25を介して戻
り管路10へと、弁11或いは12を通って通気下の溜めへと
送られる。別様には、弁25がベント系統排気器27を通し
て空気及び気体を送出すよう調整されうる。しかし、前
記した方法のほうが好ましい。何となれば、前記の方法
は、腐食性流体が装置の腐食性流体系統側にとどまり、
それにより腐食性流体と洗浄水のような他の処理流体と
の接触の可能性を防止するからである。 腐食性流体は、一方の溜めからフィルター及びウエハ
ー容器を通して他方の溜めへとレベル検出器７及び８が
流れが逆転されるべきことを指示するまで送給される。
このポンプ往復作用は、所望程度のクリーニングをもた
らすべくウエハーを横切って充分な量の腐食性流体流れ
を許容するに所定の期間続行される。 ウエハー容器を通しての腐食性流体の流れは次のよう
にして終了される：弁21が酸フィルターの僅かの一時的
逆洗を防止するべく閉じられる。弁23が開放されて、腐
食性流体がウエハー容器の底から流出し、逆止弁11及び
12を通してそしてフィルターの頂部へではなく溜め１及
び２内へと流れることを許容する。弁25が圧縮気体が圧
縮気体源から弁28を通してウエハー容器に流入すること
を許容するよう調整される。溜め通気弁203及び204もま
た開かれて圧縮気体が送り出されそして腐食性流体が溜
めに戻ることを可能ならしめる。 腐食性流体はレベルスイッチ29が気体が液体に代って
存在することを示すまでウエハー容器から排斥される。
この時点において、弁24が流通管路210を閉止するよう
設定されそして源28からの圧縮気体は同時に遮断され
る。使用される逆止弁の配列構成に由り、溜め間に圧力
差が存在しない時には、溜め内の腐食性流体は自動的に
同一水準となる。 洗浄用流体プロセス 本発明はまた、ウエハー容器内に収納されるウエハー
を洗浄するのに使用される高品質洗浄用流体を生成し、
送給しそしてろ過する為の方法及び装置をも提供する。
大半の半導体湿式プロセスは、最終ろ過されそして後一
回通しの貫流方式で使用される高純度水を比較的少量使
用している。対照的に、本発明は、フィルターを通して
循回する多量の洗浄液を与え、これは従来技術よりはる
かに良好な純度と洗浄効率を与える。 高循回流量の実現は米国特許出願第747,894及び747,8
95号並びに米国特許第4,577,650号に記載されるものの
ような完全密閉式ウエハー容器の使用により容易化され
る。 好ましい洗浄用流体は水である。しかし、洗浄される
べきウエハー表面の性状、表面上に存在する汚染物の性
状及び洗浄されるべきプロセス薬剤（例えば浄化用流体
或いはエッチング流体）の性質に依存して、他の洗浄用
流体も使用される。使用しうる他の洗浄用流体として
は、有機溶剤、有機溶剤と水の混合物、有機溶剤の混合
物等がある。別の洗浄用流体を選択する時、その選択さ
れた洗浄用流体が溶解物質を除去するのに使用されるろ
過膜材料やイオン交換樹脂と適合しうるかどうかを確認
することが重要である。洗浄用流体が溶解及び懸濁物質
を除去するべく脱イオン及びろ過処理ずみの水であるこ
とが好ましい。 洗浄用流体がウエハーと液体のような単一相として接
触しそして気／液界面のような相境界を実質含まないこ
ともまた好ましい。そうした界面は液体中に気泡が存在
する時発生する。粒子はそうした界面に集りやすく、そ
のため所望されない。 好ましい具体例において、洗浄用流体はウエハーを洗
浄するのに使用する前に陽イオン交換樹脂及び陰イオン
交換樹脂を通して連続的に循回される水である。 本発明において使用される洗浄用流体は、ウエハーを
洗浄する為使用されるに先立って粒状物質を除去する為
ろ過される。ろ過は好ましくは、溶存イオンがイオン交
換樹脂を通しての洗浄用流体の流れにより除去した後行
われる。使用されるべきろ過媒体の選択は洗浄されたウ
エハーの用途にある程度依存する。例えば、ウエハーが
大規模集積（VLSI）回路の作製に使用されるべき場合、
粒状物を含まない液を生成するよう選択されたろ過媒体
が好ましい。洗浄用流体中の粒状汚染物の量と平均寸法
の両方を最小限化することが一般に所望される。 システムに洗浄用流体を循回するのに、送給される液
体からモータを保護する為のシールを必要としない垂直
式サンプポンプ30の使用が好ましい。 好ましい具体例において、洗浄用流体貯蔵タンク35
は、未使用無着色二フッ化ポリビニルデンから作製され
る。洗浄用流体用の戻しノズルはタンクの内側に僅かの
渦巻き作用を与えるようにタンクに対して接線方向に取
付けられる。この攪拌は停滞の防止を助成する。追加的
に、洗浄用流体はバクテリアの増殖を回避する為照射を
受けることが好ましい。好ましい具体例において、照射
はバクテリア増殖を阻止するべくタンク35内に装備され
る紫外線ランプ35によりもたらされる。３つのレベルス
イッチ37a、37bおよび37cがタンクの外面に取付けられ
そしてこれらスイッチからの信号が適性洗浄液タンク水
準を維持するよう感知される。タンクベント（図示な
し）は、タンクが排気する時タンクは周囲雰囲気へ排気
を行うが、タンクが吸気する時タンクは精製窒素のよう
な加圧下の精製気体を吸入するよう設計されている。 洗浄用流体循回系における温度が温度検知器39により
測定されるものとしてその設定温度に精確に維持される
ようタンク35内に挿入型ヒータ38が取付けられることが
好ましい。温度設定点はウエハー表面の特性及び使用さ
れる特定の処理プロセスに対し最適化されうる。 洗浄用流体がウエハー容器内で汚染されるにつれ洗浄
用流体は消耗される。従って、補給洗浄用流体が系に付
加されねばならない。例示具体例においては、新しい脱
イオン補給水は50kw加熱容量を有する水加熱器40を通し
て導入される。温度制御ループ41が、導入水が再循回温
度設定点に等しい温度を有するように補給水の流量を調
整する。補給水流れは、水タンク水準が上部レベルスイ
ッチ37cにより検知される最大レベルを越えると完全に
遮断される。補給水の供給は、タンク内の水レベルが中
間レベルスイッチ37bにより検知される所定の中間レベ
ル以下に落ちる時再開される。 ウエハー洗浄サイクル中洗浄用流体循回サイクルの操
作は次の通りである： ウエハーの腐食性流体処理中、洗浄用流体系は、バイ
パス弁45を通してウエハー容器まで流れそしてタンク35
に戻る再循回状態にある。この期間中、洗浄用流体は多
パスろ過を通して精製されつつある。 洗浄に先立って、腐食性流体は、先に開示したように
加圧気体によって排斥された後ウエハーの表面から重力
により排除せしめられる。腐食性流体がウエハー容器20
0から排斥された後、上方三方弁25及び下方三方弁24が
ウエハー容器を洗浄用流体系統に開くように調整され
る。弁42が開かれそして排気器27がオンに切換えられる
のでウエハー容器200内に部分真空が創出されそして洗
浄用流体が容器を通して、ベント弁を通してそして排気
器内へと吸入される。これは、ウエハー容器内に含まれ
る僅かの空気その他の気体が完全に排斥されることを保
証する。 また、この期間中、排気器には限外ろ過モジュール32
の廃棄側からの洗浄用流体が弁209を通して供給され
る。これは、ろ過モジュールの供給側に捕集された固形
物の周期的洗い流しを許容する。 予備設定時間間隔後、弁42を閉めたまま弁43及び44が
開放される。この時点で、弁44を通してドレンサージタ
ンク208への急速な降下流れ洗浄が起る。ドレンサージ
タンクへの管路内には、ウエハー容器から流出する洗浄
用流体の量を探知する抵抗型センサが存在する。測定抵
抗が予備設定点にまで増加する時、弁42が開かれそして
弁44が閉じられる。この時点において洗浄流れはもはや
ドレンサージタンク208へと通過せずに、洗浄用流体は
タンク35に戻って再循回する。再循回洗浄は、抵抗指示
計33及び粒状物計数器34がウエハー容器から流出する洗
浄用流体の純度が満足しうるものであることを検出する
まで継続される。 例示される好ましい具体例において、限外ろ過モジュ
ール32は周期的に逆洗されうる。これは、弁47及び48を
開いたまま弁43、45及び46を閉じることによって達成さ
れうる。この態様で、限外ろ過モジュールを通しての流
れは逆転されて、精製洗浄用流体は限外ろ過モジュール
32の出口に流入し、限外ろ過フィルター壁を通して逆方
向に流れ、該モジュールの入口から流出しそして弁48を
通してドレンサージタンク208に流れる。周期的逆洗が
行われる期間は使用される補給水の品質に依存する。 薬剤注入プロセス 集積回路の作製の為のウエハーの拡散前クリーニング
におけるような、シリコン表面の拡散前クリーニングに
おいて、表面はしばしばフッ化水素酸のようなエッチン
グ剤を使用して軽くエッチングされる。こうしたエッチ
ング反応を行う為のバッチ式浸漬法が斯界では良く知ら
れている。 本発明はまた、ウエハー容器内のウエハーの表面を少
くとも１種の薬剤と反応せしめそして洗浄用流体を使用
してウエハーから薬剤を除去する為の方法及び装置をも
提供する。好ましくは、腐食性流体及び洗浄用流体の場
合と同じく、薬剤は液体か気体の単一物理的相としてウ
エハー容器内に導入され、液体及び気体間で生じる相境
界のような相不連続部を含まないものとされる。例え
ば、連行気泡を含む液相の形での或いは液滴を含む気相
の形での薬剤は、殊に気相が周囲空気を含有する時回避
されるべきである。 化学薬剤は、塩化水素酸やフッ化水素酸のようなエッ
チング剤でありうる。好ましくは、濃縮形態の薬剤は希
釈された薬剤を与えるよう洗浄用流体で希釈される。濃
縮形態の薬剤が洗浄段階の完了後所定の割合で洗浄用流
体中に調量されることが好ましい。この時点で、洗浄用
流体は脱イオン化及びろ過されておりそして残留腐食性
流体のような汚染物を実質含んでいない。希釈された薬
剤を続いてウエハーと接触される。 一具体例において、薬剤は約0.05〜５重量％フッ化水
素酸の濃度を有するフッ化水素酸水溶液であることが好
ましい。同具体例において、濃縮形態の薬剤が約40〜50
重量％の濃度を有するフッ化水素酸水溶液でありそして
この濃縮薬剤が約1:10〜1:1000の比率において洗浄用流
体で濃縮薬剤を希釈するに充分の割合で洗浄用流体中に
調量されることが殊に好ましい。 また別の具体例において、薬剤は、約0.05〜５重量％
過酸化水素の濃度を有する過酸化水素水溶液でありう
る。薬剤が約30％過酸化水素の濃度を有しそしてこの濃
縮薬剤を約1:5〜1:500の比率で洗浄用流体中に調量する
ことが好ましい。 濃縮薬剤がそれが洗浄用流体中に調量されていない時
連続的に再循回されうるような弁手段により洗浄流体中
に注入されることが好ましい。適当な弁は、Mace社から
シリーズ803として入手しうる。この５口４方弁は、一
つの弁位置において薬剤と洗浄用流体とを混合なく弁を
通して流れることを許容し、同時にまた別の弁位置にお
いて弁内への洗浄用流体の流れが阻止されそして薬剤入
口が洗浄用流体流れへの出口に接続されることを可能と
する。 濃縮薬剤が洗浄用流体中への注入前にろ過膜を通して
ろ過されることもまた好ましい。濃縮薬剤が洗浄液中に
注入されずに連続的に再循回されている時、濃縮薬剤は
同時にろ過膜を通して連続的にろ過されている。濃縮薬
剤の流れはパルスフィーダ オブ ロックエステル社に
よりモデルNo.680として販売される調量ポンプによりも
たらされることが好ましい。濃縮薬剤を連続的にろ過す
るのに使用されるろ過膜は好ましくは、ゲルマン オブ
アーバ社により商品名「polypure」として作製される
もののような0.2μ（２×10-5cm）の公称孔寸法を有す
るポリプロピレン膜フィルターである。 濃縮薬剤の注入完了に続いて、洗浄液の流れの一部が
弁手段及び関連する管路を洗浄するよう注入弁手段を通
して流れるよう差向けられることが好ましい。洗浄液の
一部は好ましくは、主流路から注入弁を通る行路にオリ
フィスプレートによって転流される。 本発明の薬剤注入系を使用するプロセスを第１図の好
ましい具体例を参照して説明する。好ましい注入系は、
好ましくは50重量％フッ化水素酸溶液を含有するの濃縮
薬剤容器49、精密計量ポンプ50、ミクロフィルタ51及び
５口４方弁52から成る。この装置の目的は、正確な量の
薬剤溶液を高純度の洗浄用流体流れ中に正確にコントロ
ールされた時間注入することである。注入前に、ポンプ
50は、容器49から濃縮薬剤を吸入し、フィルタ51及び弁
52を通して容器49に戻して循回させる。この注入前の循
回はポンプがきわめて精密な流量を実現することを許容
する。この始動時と関連する系内の過渡期は安定化に与
えられた時間である。同時に、洗浄用流体流量及び洗浄
用流体温度が精確にコントロールされた条件を実現する
為に流れ制御弁46及びヒータ38を介して調整される。同
時に、水バイパス弁45が濃縮薬剤の正確な希釈を与える
べく洗浄用流体の正確な流送を許容するよう閉じられ
る。 検知されるすべての条件が所定の注入要件をかなえる
ことがわかった時点で、弁52が、濃縮薬剤が容器に戻っ
て再循回されるのではなく流動中の洗浄用流体管路に注
入されるよう切換わる。スタチックミキサーが、注入さ
れた濃縮薬剤が流れている洗浄用流体と良好に混合する
ことを保証する。この態様で、精確にして再現性のある
濃度の希釈試剤がウエハー容器を通して送給されうる。
通常、弁44は開かれそして弁42は閉じられているので、
薬剤は洗浄流体タンクに戻らずドレンサージタンク208
に送られる。 予備設定注入期間が経過した後、弁52は再循回位置に
戻される。こうなると、洗浄用流体は５口４方弁を経由
して流送せしめられる。弁を通してのこの洗浄用流体流
れは弁から残留薬剤を洗い流して注入段階のきわめて迅
速にして清浄な終了を保証する。オリフィス板53は、洗
浄用流体が弁52を通して洗浄用流体管路に戻って流れる
誘因を提供する。 別様には、４方弁は一対の３方弁と代替されうる。こ
の具体例において、３方弁の一方は、弁の一つの口が粒
状物フィルター51の出口に接続されそして別の口が濃縮
薬剤容器49への返送口に接続されるよう濃縮薬剤再循回
ループの一要素を形成する。これら口は再循回状態にお
いて接続される。第１弁の第３の口は第２弁の入口に接
続される。第２弁の残る２つの口の一方はオリフィス板
53の上流で入口側洗浄用流体管路に接続されそして第２
弁の残る第３の口はオリフィス板53の下流で洗浄用流体
管路に戻る出口管路に接続される。 注入サイクルにおいて、第１弁は、粒状物フィルター
51からの入口が第２弁への第１弁の出口に接続されそし
て第２弁入口が第１弁からポンプ50により送出された濃
縮薬剤の流れを受取るよう調整される。第２弁は濃縮薬
剤をオリフィス板54の下流で出口側直送管路に差向ける
よう調整される。他の弁構成配列は当業者に容易に明ら
かであろう。 好ましい具体例において、濃縮薬剤注入装置全体が、
腐食に対する高い耐性を保証する為に未使用のポリテト
ラフルオロエチレン並びにテトラフルオロエチレン及び
フッ素化ビニルエーテルの共重合体から構成される。 ウエハー容器内のウエハーの表面と接触する前に、希
釈薬剤が乱流状態の不全流を増進しそしてウエハーを横
切っての薬剤のチャンネリングを実質回避する為らせん
流れ差向け器に通されることが好ましい。米国特許出願
番号第747,894号に開示されるようならせん流れ差向け
器が好ましいが、希釈薬剤溶液に角運動量を付与しそし
て上記出願に開示されるようなウエハーとの接触前に流
体流れを横断しての断面積を増大する装置と関連して使
用される他の型式の流れ差向け器もまた使用されうる。
薬剤注入段階の初期において洗浄用流体と薬剤との一様
な置換を許容しそしてその段階の終りにおいて希釈薬剤
と洗浄用流体との一様な置換を許容する他の流れ付与構
造体もまた使用されうる。 薬剤反応段階が終了した後、洗浄用流体再循回システ
ムは洗浄状態に戻る。再度第１図を参照すると、洗浄用
流体は測定抵抗が予備設定水準に達するまでドレンサー
ジタンクへとウエハー容器200を通して下方向に流れ
る。この時点で洗浄用流体は、抵抗センサ33及び粒子係
数器34がウエハー容器から流出する洗浄用流体の品質が
所定の基準に合うことを示すまで全量再循環状態に戻
る。この時点で、ウエハー容器200は、気体入口28を開
きそして弁43を閉じることにより洗浄用流体をパージす
る。洗浄用流体は、レベル指示スイッチ29が容器内に液
体が残存していないことを検出するまで系から追い出さ
れる。この時点で、弁42が閉じそして洗浄用流体系統は
今や完全バイパス状態となる。 ウエハーの表面をエッチング或いはポリシングするの
に使用するべく洗浄用流体流れにエッチング剤を正確に
計量された量分与する用途に加えて、本装置は、ウエハ
ーの表面との反応の為洗浄用流体流れ中に精密に他の薬
剤を注入するのにも使用されうる。例えば、洗浄用流体
中に濃塩酸を注入しそれにより希釈塩酸によるウエハー
表面の精確に制御された洗浄を行うにも上記と同一の装
置が使用される。例えば、濃縮状態の薬剤は約10〜40重
量％塩酸でありそしてこれが約1:5〜1:500の比率で洗浄
用流体による濃縮薬剤の希釈に充分な割合で洗浄用流体
中に調量送出される。こうした塩酸洗浄段階は拡散の為
にシリコンウエハーをコンディショニングする幾つかの
技術において推奨されている。 ウエハー乾燥プロセス 従来、半導体をスピン−リンサードライヤにおいて遠
心力を利用して乾燥されている。これら装置は遠心力に
頼っている為その使用は幾つかの問題を生じる。第１
に、ウエハーに機械的応力が付与されウエハーの破損を
生じやすい。第２に、スピン−リンサ−ドライヤ内部は
多くの可動部品が存在する為汚染管理が困難な問題とな
る。第３に、ウエハーは従来乾燥窒素中を通して高速で
運動するから、ウエハー表面上に静電荷が発生する。ス
ピン−リンサ−ドライヤが開かれた時反対電荷の空気中
浮遊粒子がウエハー表面に急速に吸引されるので、粒子
汚染が生じる。第４に、回転中ウエハーの表面から水の
蒸発を回避することは困難である。ウエハー表面と超高
純度水との短時間の接触でさえ、水が微量のシリコン或
いは二酸化シリコンを溶解しうるので、溶解シリコン或
いは二酸化シリコン（付着したシリコン或いは二酸化シ
リコン）を含む水の蒸発はウエハー表面上に縞状或いは
点状の表面模様を残す。これらは最終的にデバイスの故
障を生じることが多い。 本発明の乾燥用流体は、第１図に例示されるようにし
て発生されうる過熱スチームである。洗浄用流体再循回
システムからの水がステンレス鋼製圧力容器160を部分
的に満すのに使用されうる。水は、乾燥サイクルにない
時、ポンプ163により粒子フィルタ164を通して連続的に
循回される。乾燥段階を開始するに先立って、弁162及
び165が閉じられ、そしてバンドヒータ161を通して熱が
容器160に加えられる。温度センサ167及び圧力センサ16
6が、圧力容器160の内容物の温度及び圧力を検出する。
弁168及びニードル弁169が開かれそして弁170はスチー
ムがベント凝縮器171に流入しうるよう調節される。ニ
ードル弁169は圧力容器160からの飽和スチームが断熱膨
脹して過熱不飽和スチームを生成するよう調整される。
ウエハー容器200内でのウエハーの乾燥を開始する為
に、弁170は開放されている弁172及び175にスチームを
差向けるよう調整される。弁43が閉じられ、そして弁62
及び25が、スチームがウエハー容器内に流入してウエハ
ー容器から下方三方弁24を通して洗浄用流体を排斥する
ことを可能とするよう調整される。洗浄用流体が排斥さ
れた時点で、ウエハーを横切っての飽和スチームの流れ
が継続されて、ウエハーを加熱しそして残留洗浄液を揮
化する。 別様には、過熱スチームは斯界で周知の態様で飽和ス
チームを加熱することにより調製されうる。 三方弁24を通してウエハー容器200から流出するスチ
ームはベント凝縮器（図示なし）に差向けられそして凝
縮液が排棄される。 スチームは、窒素、アルゴン或いは圧縮空気のような
キャリヤガスと混合されうる。キャリヤガスによる希釈
は、スチームが最初ウエハー容器200内に導入されると
同時して或いはその後開始されうる。キャリヤガスの流
れは、スチーム流れが終了した後にも続行されうる。 好ましくは、乾燥用流体はウエハー表面と実質上非反
応性である。 本発明プロセスは別法として、機械的或いはスチーム
乾燥ではなく「化学的乾燥」方式を使用しうる。「化学
的乾燥」は２段階で行われる。第１段階において、好ま
しくは水である洗浄用流体がウエハーから駆除されそし
て非水性乾燥用流体により置換される。第２段階におい
て、非水性乾燥用流体が、好ましくは窒素のような不活
性ガスである予備乾燥ガスを使用して低流速において蒸
発せしめられる。 一具体例において、非水性乾燥用流体は、ウエハー表
面から蒸発せしめられた後それを凝縮しそして凝縮した
乾燥用流体を収集することにより再循回される。この具
体例において、メタノールのような水と共沸混合物を形
成しない非水性流体を使用することが好ましい。これ
は、水のような残留洗浄用流体から乾燥用流体の比較的
容易な分離を可能ならしめる。 他方、非水性乾燥用流体の再循回は、比較的少量の乾
燥用流体が使用される時のような場合に、必ずしも必要
或いは所望されない。この場合、イソプロパノールのよ
うな、洗浄用流体（水）と共沸混合物を形成する非水性
乾燥用流体を使用することが好ましい。共沸混合物形成
乾燥用流体は再循回に先立って流出乾燥用流体の回収と
その精製を困難たらしめるけれども、共沸混合物形成乾
燥用流体の使用は、洗浄用流体が乾燥用流体の最終蒸発
前にウエハーの表面から完全に除去されることを保証す
る。低沸点共沸混合物はそれより高い沸点の乾燥用流体
より先にウエハー表面から揮化する。しかし、ウエハー
の表面上で洗浄用流体上方に実質過剰の乾燥用流体が存
在する時、洗浄用流体のすべてが残留乾燥用流体の蒸発
前に共沸混合物として蒸発する。 洗浄用流体が水でありそして水と共沸混合物を形成し
ないメタノールのような乾燥用流体が使用される時、乾
燥用流体はそれより高沸点の水が完全に蒸発する前に完
全に蒸発することがあり、これは所望されない結果をも
たらす。 好ましくは、非水性乾燥用流体は蒸気を形成するよう
加熱され、蒸気はウエハータンクに流入しそして乾燥さ
れるべきウエハー表面を含めて内部表面で凝縮する。凝
縮蒸気はウエハーの表面から洗浄用流体を排斥する。乾
燥用流体源からウエハー容器内部への乾燥用流体の気体
としての移行が好ましい。こうすると、ウエハー表面か
ら洗浄用流体を排斥するのに使用されねばならない乾燥
用流体量が低減するからである。乾燥用流体はイソプロ
パノール或いはメタノールのような有機化合物であるこ
とが多く、廃棄処分問題を呈するから、本プロセスにお
いて使用される乾燥用流体量を最小限とすることが好ま
しい。 洗浄用流体と混和性であり且つウエハー表面と非反応
性である任意の流体が乾燥用流体として使用されうる。
しかし、乾燥用流体が比較的低い沸点を持つことが望ま
しい。乾燥用流体は大気圧において約140℃より低い沸
点を有する有機化合物から選択されうる。使用しうる乾
燥用流体の例は、スチーム、メタノール、エタノール、
１−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノー
ル、sec−ブタノール、tert−ブタノール、tert−アミ
ルアルコール、アセトン、アセトニトリル、ヘキサフル
オロアセトン、ニトロメタン、酢酸、プロピオン酸、エ
チレングリコール モノ−メチルエーテル、ジフルオロ
エタン、イソプロピルアセテート、1,1,2−トリクロロ
−1,2,2−トリフルオロエタン、1,2−ジクロロエタン、
トリクロロエタン、ペルフルオロ−２−ブチルテトラヒ
ドロフラン、ペルフルオロ−1,4−ジメチルシクロヘキ
サン及びその混合物である。乾燥用流体が、イソプロパ
ノール、メタノール、１−プロパノール、メタノール、
tert−ブタノール及びその混合物から選択されるアルコ
ールであることが殊に好ましい。上述したように、一具
体例においてアルコールがメタノールでありそして別の
例においてそれがイソプロパノールであることが好まし
い。 本発明は、ウエハーの拡散前クリーニングにおいて殊
に有用でありそして一般的には高温での改質或いは処理
に先立ってのそして殊に拡散、エピタキシャル成長及び
化学的蒸着（CVD）に先立ってのウエハー表面のクリー
ニングに有用である。本発明は、分子ビームエピタキシ
ー、ホトデポジション、プラズマエッチング、イオン打
込み、真空メタライゼーション等のプロセスのような手
段による表面改質及び表面層成長技術を含めて半導体材
料の表面組織及び特性を変えるのに使用される様々の技
術に先立ってウエハー表面を浄化するのに使用されう
る。 本発明はまた、他の型式の半導体ウエハー湿式処理に
おいて使用されうる。本発明は、ホトレジストプライマ
ー被覆、ホトレジスト現像、現像後洗浄、ウエットエッ
チング、ホトレジスト剥離におけるような湿式プロセス
全般に使用されうる。例えば、半導体ウエハー表面をエ
ッチングするに当り、フッ化水素及びフッ化アンモニウ
ムで緩衝されたフッ化水素のようなエッチング剤が二酸
化シリコンをエッチングするのに使用されうる。リン
酸、硝酸或いは酢酸がアルミニウムをエッチングするの
に使用されうる。リン酸がチッ化ケイ素等をエッチング
するのに使用されうる。 ウエハー表面を精確にコントロールされた濃度の試剤
に正確に決定された期間曝露しうることは、本発明が現
在の乾式処理及びプラズマ、真空或いは気相処理技術と
類似して今や開発発展されよう様々の湿式処理技術にお
いて有用であることを示す。 本発明により処理されうるウエハー体は代表的にシリ
コンであるが、GaAsその他のウエハー基板も使用されう
る。斯くして、基板は、半導体、半絶縁体、半抵抗体或
いは絶縁体でありうる。ウエハー表面は半導体製造技術
において使用される任意の表面でありうる。例えば、表
面帯域は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルフ
ァルシリコン或いは二酸化シリコンでありうる。シリコ
ン及び／或いは二酸化シリコン表面は、ドープされない
ものでもよいしまた斯界で周知されているようにホウ
素、リン、砒素等のような不純物原子或いはイオンでド
ープされたものでもよい。同じく、表面はアルミニウ
ム、金その他の金属帯域を含むことが出来る。
示されている。本発明方法を第１図の装置を参照して説
明するが、第１図の装置は本方法を実施するのに使用さ
れうる装置の単なる例示であり、他の装置も使用されう
る。 本発明プロセスによって処理されるべきウエハーは密
閉型ウエハー容器200内に存在する。容器200は好ましく
は、1985年６月24日付米国特許出願第747,894及び747,8
95号並びに米国特許第4,577,650号に開示されるような
ものでありそして上方三方弁25と下方三方弁24との間に
縦型に設置されている。好ましくは、ウエハー容器は、
そこに収納されるウエハーの処理に先立って或いは処理
に続いて容器が開放される時最大限に清浄な環境を与え
る為にクリーンルーム内に設置される。設備の他のもの
は保守の為の立入りを容易ならしめる為にまた比較的高
価につくクリーンルームのスペースを減ずる為にクリー
ンルームの外側に配置されうる。 上記出願に開示されるウエハー容器及びウエハーキャ
リヤに加えて、他の設計の密閉式ウエハー容器が使用さ
れうる。しかし、ウエハー容器が密閉式であることが本
発明プロセスにとって重要である。即ち、ウエハー容器
は、それがウエハーの装入と取出の為に開放される時を
除いて周囲雰囲気に開放されてはならない。ウエハーの
容器の設計はまた本発明プロセス中容器が流体圧的に充
満状態となることを許容するような設計のものでなけれ
ばならない。「流体圧的に充満即ちフルフロー」とは、
ウエハー容器が各プロセス段階中それぞれのプロセス流
体で完全に充満された状態となることを意味する。「プ
ロセス流体」とは、ウエハーと接触に供される気体或い
は液体を意味する。容器設計は、容器が閉じられそして
プロセス流体で充填された後残留周囲雰囲気が容器内に
捕捉されることを許容してはならない。同様に、容器設
計は、プロセス流体がウエハーを処理する過程中切換え
られるのに際して、残留する先の流体が容器を通しての
次のプロセス流体の流れが開始された後ある有意な時間
にわたって容器内に捕捉されないようにすべきである。
従って、容器は、プロセス流体や周囲雰囲気が捕捉され
やすい盲ら部位、デットポイント端、内表面不整部等を
持つべきでない。これら特性は、それらがウエハー表面
汚染の可能性を増大し、処理プロセスの効率を減じそし
て本発明の個々のプロセスの変動を生じる精度の減少を
もたらすので、所望されない。 クリーニング用流体のような腐食性流体が液体のよう
な単一の流体相としてウエハーと接触しそして気／液界
面のような相境界を実質含まないことが必要である。そ
うした界面の存在は気泡が液体中に懸濁する部位を形成
するからである。 本発明方法は、二酸化シリコンの表面層を形成するべ
くシリコンの表面を酸化するに先立って或いはイオン打
込みに先立ってウエハーのシリコン表面から僅かの薄い
所望されざる酸化物層を除去する為ウエハー表面を軽く
エッチングするのに使用されうる。シリコン表面の酸化
は半導体分野において拡散段階と呼ばれる製造プロセス
における代表的な初期段階である。二酸化シリコンを形
成する為のシリコン表面の酸化に加えて、拡散段階は追
加的に、ホトマスキング、酸化物エッチング、ホトレジ
スト剥離及び／或いは高温拡散或いはイオン打込みによ
るシリコン基板中への不純物原子或いはイオンの拡散を
順次して含みうる。半導体デバィスの作製は例えばレス
トンパブリッシング社刊「半導体及び集積回路作製技
術」に概述されている。 本発明はまた、こうした拡散段階中に行われるウエハ
ーの湿式処理においても使用されうる。例えば、本発明
は酸化物エッチングにおいても使用されうる。この場
合、フッ酸或いはフッ化アンモニウム緩衝フッ酸のよう
な二酸化シリコンに対する代表的エッチング剤が使用さ
れうる。同様に、本発明は、ホトレジスト材料を取除く
為の化学薬剤と共に使用されうる。必要とされる薬剤の
濃度、処理されねばならないシリコンウエハーの数、プ
ロセス流体の再循回することの望ましさその他の因子に
依存して、本発明の、腐食性流体ポンピング方法及び装
置が使用されるか或いは濃縮薬剤注入及び希釈方法及び
装置いずれかが使用されうる。 拡散段階での使用に加えて、本発明は、合金電気接点
をウエハー表面上に形成する接点形成段階においても使
用されうる。例えば、写真製版プロセスが接点形成用材
料を付着するのに使用される時、レジストの除去は本発
明の利用によりもたらされうる。同様に、接点形成プロ
セスがアルミニウムのような余剰の金属の除去を必要と
する時、リン酸、酢酸或いは硝酸のようなエッチング剤
が本発明に従って使用されうる。 クリーニング用流体プロセス 本発明は、ウエハー表面をクリーニングする為従来か
ら使用されている薬剤のような高温の腐食性溶液を送給
しそしてろ過する為の方法の提供を目的の一つとする。
第１図に例示される好ましい具体例において、そのシス
テムは２つの室或いは溜め１及び２を使用し、これらは
腐食性流体の移送の為の受取容器及びポンプとして交互
に機能する。加圧下の窒素、アルゴン、圧縮空気等の気
体が腐食性溶液の移送の為の駆動力源として働く。４つ
の送止弁11、12、13及び14（２つの溜めの各々に２つが
関連する）が、腐食性流体が所望の方向に流れることを
保証する。 実施されることを所望される特定のウエハー処理仕様
に依存して、腐食性流体は酸或いは塩基いずれかに選定
される。例えば「ピラニア クリーン」においては、硫
酸が使用される。別様には、硝酸或いは王水のような他
の種が酸が使用されうる。更に、酸は単に酸の水溶液で
あってもよいし或いは酸と弱塩基のような緩衝剤とを含
有する緩衝酸溶液であってもよい。 高温の濃硫酸のような高温の濃縮酸がクリーニング用
流体として使用されうる。高温濃硫酸がクリーニング用
流体として使用される時には、それは好ましくは約80〜
150℃の温度と約90〜100重量％硫酸の濃度とを有する。 「RCAクリーン」のような別の型式のウエハー処理仕
様においては、水酸化アンモニウムのような腐食性塩基
が使用されうる。複数の腐食性塩基の混合物即ち緩衝塩
基が使用されうる。水酸化アンモニウムがクリーニング
用流体として使用される時、それは好ましくは、約60〜
100℃の温度と約30重量％水酸化アンモニウムの濃度を
有する。 第１図は単一の腐食性プロセス流体をウエハー容器に
移送する為の装置を例示するが、硫酸と水酸化アンモニ
ウムのような幾つかの異った腐食性流体を必要とする処
理仕様が実施されうるよう、複数のこうした装置が設置
されうる。更に、第１図は２つのみの腐食性流体溜めを
使用する具体例を例示するが、第１、第２及び第３溜め
のような複数の溜めを使用することも出来、その場合例
えば流体は第１から第２溜めへと、第２から第３溜めへ
とそして第３から第１溜めへと順次して送給される。 第１図に例示した具体例において、酸のような腐食性
流体は、左側の腐食性流体溜め１から窒素の圧力下で
（弁201によりコントロール）出口逆止弁13及びフィル
ター入口９を通してフィルター18内に流れる。溜め各々
は、その内部に収蔵される腐食性流体の表面に窒素その
他の圧縮気体を重力により適用する為の関連手段を具備
している。 別の具体例（図示なし）において、酸は気体圧力下で
供給溜めから昇高受取溜めへと循回し、後者は重力によ
って前者へと周期的に酸を排出する。 例示具体例において、バンドヒータ３及び４が溜め１
及び２内の腐食性流体を加熱する為に装備される。加え
て、逃し弁203及び204が溜めの各々を大気に通気する為
に設けられる。流体レベル指示計７及び８が溜め各々の
内部の腐食性流体の水準を指示する為設けられる。温度
感知器５及び６が、各溜め内の流体温度を感知する為に
設けられる。各溜め内の腐食性流体を攪拌する為の攪拌
器を温度及び濃度勾配を最小限にする為に設けることも
できる。例えば、予備ろ過された窒素或いは圧縮空気の
ような予備ろ過された気体が溜め内の腐食性流体を通し
てその攪拌の為にバブリングされうる。 窒素、アルゴンのような別の不活性気体、圧縮空気の
ような別の圧縮気体が本発明プロセスにおいて使用され
る場合には、気体は粒状異物を除去する為使用前にろ過
することが好ましい。気体から粒状物をろ過する為の適
当な方法及び装置は斯界でよく知られている。 腐食性流体中への粒子の導入を更に最小限化する為に
は、すべての弁が好ましくは粒子の発生を最小化するよ
う選択される。例えば、溜めへの窒素導入を制御する弁
201及び202は、故障時閉成式、バネ負荷式、ポリテトラ
フルオロエチレン内張り鋼製ダイヤフラム弁或いは剪断
力を使用しない他の型式の弁とされる。 レベル指示計７及び８は最大及び／或いは最小といっ
た予備設定水準が実現されたことを単に指示するもので
もよいが、レベル指示計が溜め内の腐食性流体の水準を
連続的に感知しうる全深さ測定式のアノログセンサであ
ることが好ましい。全深さ測定式アナログセンサは、溜
め内へのまたそこからの流体流量の計算を可能ならしめ
る。 好ましくは、硫酸、フツ酸、塩酸等のような試薬等級
の、より好ましくは電子工業用試薬級の薬剤が、粒状物
汚染を最小限にする為に本発明プロセスにおいて使用さ
れる。 第１図に戻ると、腐食性流体は、フィルター入口弁21
を通過した後、複数の粒子フィルターカートリッジ18に
分配される。例示具体例において、腐食性流体は、個々
のフィルターカートリッジを構成するチューブの内部か
らチューブ壁を通して外部へと流れる。別様には、腐食
性流体は個々の管の外部から内部へと流れるようにもで
きる。粒子フィルタ自体はディスクのような他の形態も
とりうるが、チューブ状が好ましい。フィルタカートリ
ッジ自体は好ましくは多孔質セラミック材から作製され
る管束から構成される。 腐食性流体用フィルターは、ポリテトラフルオロエチ
レンで内張りされた鋼パイプと２つのポリテトラフルオ
ロエチレン製フィルターフランジ16及び17から作製され
る本体15を具備する。バンドヒータ19が、フィルター内
の腐食性流体を所望の温度に維持するのに使用される。
粒状物を除く為フィルタ要素を通過した後、ろ過ずみの
腐食性流体は上方流体出口205を通して流出する。 苛酷な化学的及び温度条件に耐えうることに加えて、
この腐食性流体フィルターのまた別の利点は、そのろ過
能力を再生する為に逆洗可能なことである。これとは対
照的に、半導体業界において現在使用されている大半の
ミクロろ過カートリッジは、それらが粒状物質で詰まる
と廃棄される。 例示具体例の腐食性流体フィルターにおいて、フィル
ターの逆洗はシステムからの使用ずみ酸の排出と同時に
実現される。通常の流体送給操作の場合と丁度同じく、
腐食性流体をフィルターを通して（但し逆の方向で）そ
して酸ドレン20から外へと強送するのに気体圧力が使用
される。弁21及び22がフィルターを通して逆方向に流れ
を差向けるのに使用される。フィルター入口弁21が閉成
されそしてフィルターバイパス弁22が開放される。追加
的に、ウエハー容器バイパス弁23が閉じられそしてウエ
ハー容器下方三方弁24もまた腐食性流体の流れを阻止す
る位置をとる。この弁配列は、腐食性流体が溜めから逆
方向でフィルターを通ってドレンへと流れることを保証
する。 新しい腐食性流体をシステムに補給する為に異った弁
配列状態が使用される。腐食性流体は、従来型式の空気
推進式固体ポリテトラフルオロエチレン製ダイヤフラム
ポンプを使用して充填口26を通して補給される。新しい
腐食性流体がフィルターを通して上方にそしてバイパス
弁23に向けて流れることを保証する為に弁21及び22の両
方が閉成位置に維持される。両方の三方弁24及び29は腐
食性流体の流れを阻止するよう位置決めされる。バイパ
ス弁23は開放されて、新しい腐食性流体が戻り管路10内
へと、そして逆止弁11及び12を通して溜め１及び２にそ
れぞれ流れることを許容する。 第１図において、太線は、腐食性流体が左側の溜めか
ら右側の溜めへと流れる状態でシステムがウエハー処理
サイクルで機能している時のシステムを通しての腐食性
流体の流れをたどるものである。 ウエハー処理サイクルにおいて、フィルターを離れた
腐食性流体は、出口205から管路210内へと差向けられそ
してウエハー容器200と関連する下方三方弁24に送られ
る。腐食性流体は、その存在を感知する液体レベル指示
計29を横切って上方に流れ、ウエハー容器200内のウエ
ハーを横切って上方に流れ続けそして上方三方弁25を通
してウエハー容器から流出する。この上方三方弁25は戻
り管路10と通じそして戻り管路10は戻り逆止弁11或いは
12と通じる。戻り逆止弁11或いは12は適用流体の圧力下
で開いて、腐食性流体が第２溜めに流入することを許容
する。この第２溜め大気に通気されており従って圧力が
適用されている供給溜めより低い圧力にある。 三方弁25と逆止弁11或いは12とを繋ぐ戻り管路10は好
ましくはオゾン注入弁206を含むオゾン注入手段と接触
される。加えて、腐食性流体サンプル口が関連するサン
プル口弁207を含めて設置されうる。オゾン発生装置
（図示なし）は好ましくは戻り管路10内に注入の為オゾ
ンを供給しそれによりオゾンが腐食性流体中に注入され
ることを許容する。 腐食性流体が高温硫酸のような酸化性薬剤である時、
オゾンは、腐食性流体によりウエハーから除去された有
機汚染物を酸化しそして処理されたウエハー表面上の物
質種との化学反応により生成された硫酸の還元誘導体を
酸化する作用を為す。例えば、硫酸はウエハー汚染物と
反応する時亜硫酸に還元される場合がありそしてオゾン
は亜硫酸を硫酸に酸化することにより酸の再生を行う。
注入オゾンはまた溜め内でのバブリングにより腐食性流
体の攪拌を生じそれにより溜め加熱壁とその内部に収蔵
される腐食性流体との間の熱伝達を促進する。オゾン化
による腐食性流体の再生は、クリーニング用流体が数週
間以上にわたって交換の必要なく何度も使用されること
を可能ならしめる。これは原材料費用を減ずるだけでな
く廃物処分問題を軽減する。 本発明のクリーニング段階は高温の腐食性流体を送給
しそして同時にろ過する為の手段を提供する。例示した
送給システムの作動手順は次のようにまとめることが出
来る： 送給システムが休止している時、左側及び右側両方の
溜め１及び２はほぼ半分満されている。両方の溜めが大
気に通気されそして弁21及び22が閉成される。しかし、
弁23は開放されて、フィルター内の腐食性流体が温度変
動中膨脹及び収縮するに際してフィルターが気体を吸排
することを許容する。 送給が始まると、弁21が開きそして弁23が閉じる。２
つの三方弁24及び25は、腐食性流体が第１図に例示され
るようにして流れうるよう調整される。気体圧力が任意
的に選択された溜めの一方１或いは２に導入されそして
腐食性流体はフィルタそしてウエハー容器を通して上方
に流れ始める。ウエハー容器中に最初存在した空気或い
は気体は頂部から外へ推しやられ、逆止弁25を介して戻
り管路10へと、弁11或いは12を通って通気下の溜めへと
送られる。別様には、弁25がベント系統排気器27を通し
て空気及び気体を送出すよう調整されうる。しかし、前
記した方法のほうが好ましい。何となれば、前記の方法
は、腐食性流体が装置の腐食性流体系統側にとどまり、
それにより腐食性流体と洗浄水のような他の処理流体と
の接触の可能性を防止するからである。 腐食性流体は、一方の溜めからフィルター及びウエハ
ー容器を通して他方の溜めへとレベル検出器７及び８が
流れが逆転されるべきことを指示するまで送給される。
このポンプ往復作用は、所望程度のクリーニングをもた
らすべくウエハーを横切って充分な量の腐食性流体流れ
を許容するに所定の期間続行される。 ウエハー容器を通しての腐食性流体の流れは次のよう
にして終了される：弁21が酸フィルターの僅かの一時的
逆洗を防止するべく閉じられる。弁23が開放されて、腐
食性流体がウエハー容器の底から流出し、逆止弁11及び
12を通してそしてフィルターの頂部へではなく溜め１及
び２内へと流れることを許容する。弁25が圧縮気体が圧
縮気体源から弁28を通してウエハー容器に流入すること
を許容するよう調整される。溜め通気弁203及び204もま
た開かれて圧縮気体が送り出されそして腐食性流体が溜
めに戻ることを可能ならしめる。 腐食性流体はレベルスイッチ29が気体が液体に代って
存在することを示すまでウエハー容器から排斥される。
この時点において、弁24が流通管路210を閉止するよう
設定されそして源28からの圧縮気体は同時に遮断され
る。使用される逆止弁の配列構成に由り、溜め間に圧力
差が存在しない時には、溜め内の腐食性流体は自動的に
同一水準となる。 洗浄用流体プロセス 本発明はまた、ウエハー容器内に収納されるウエハー
を洗浄するのに使用される高品質洗浄用流体を生成し、
送給しそしてろ過する為の方法及び装置をも提供する。
大半の半導体湿式プロセスは、最終ろ過されそして後一
回通しの貫流方式で使用される高純度水を比較的少量使
用している。対照的に、本発明は、フィルターを通して
循回する多量の洗浄液を与え、これは従来技術よりはる
かに良好な純度と洗浄効率を与える。 高循回流量の実現は米国特許出願第747,894及び747,8
95号並びに米国特許第4,577,650号に記載されるものの
ような完全密閉式ウエハー容器の使用により容易化され
る。 好ましい洗浄用流体は水である。しかし、洗浄される
べきウエハー表面の性状、表面上に存在する汚染物の性
状及び洗浄されるべきプロセス薬剤（例えば浄化用流体
或いはエッチング流体）の性質に依存して、他の洗浄用
流体も使用される。使用しうる他の洗浄用流体として
は、有機溶剤、有機溶剤と水の混合物、有機溶剤の混合
物等がある。別の洗浄用流体を選択する時、その選択さ
れた洗浄用流体が溶解物質を除去するのに使用されるろ
過膜材料やイオン交換樹脂と適合しうるかどうかを確認
することが重要である。洗浄用流体が溶解及び懸濁物質
を除去するべく脱イオン及びろ過処理ずみの水であるこ
とが好ましい。 洗浄用流体がウエハーと液体のような単一相として接
触しそして気／液界面のような相境界を実質含まないこ
ともまた好ましい。そうした界面は液体中に気泡が存在
する時発生する。粒子はそうした界面に集りやすく、そ
のため所望されない。 好ましい具体例において、洗浄用流体はウエハーを洗
浄するのに使用する前に陽イオン交換樹脂及び陰イオン
交換樹脂を通して連続的に循回される水である。 本発明において使用される洗浄用流体は、ウエハーを
洗浄する為使用されるに先立って粒状物質を除去する為
ろ過される。ろ過は好ましくは、溶存イオンがイオン交
換樹脂を通しての洗浄用流体の流れにより除去した後行
われる。使用されるべきろ過媒体の選択は洗浄されたウ
エハーの用途にある程度依存する。例えば、ウエハーが
大規模集積（VLSI）回路の作製に使用されるべき場合、
粒状物を含まない液を生成するよう選択されたろ過媒体
が好ましい。洗浄用流体中の粒状汚染物の量と平均寸法
の両方を最小限化することが一般に所望される。 システムに洗浄用流体を循回するのに、送給される液
体からモータを保護する為のシールを必要としない垂直
式サンプポンプ30の使用が好ましい。 好ましい具体例において、洗浄用流体貯蔵タンク35
は、未使用無着色二フッ化ポリビニルデンから作製され
る。洗浄用流体用の戻しノズルはタンクの内側に僅かの
渦巻き作用を与えるようにタンクに対して接線方向に取
付けられる。この攪拌は停滞の防止を助成する。追加的
に、洗浄用流体はバクテリアの増殖を回避する為照射を
受けることが好ましい。好ましい具体例において、照射
はバクテリア増殖を阻止するべくタンク35内に装備され
る紫外線ランプ35によりもたらされる。３つのレベルス
イッチ37a、37bおよび37cがタンクの外面に取付けられ
そしてこれらスイッチからの信号が適性洗浄液タンク水
準を維持するよう感知される。タンクベント（図示な
し）は、タンクが排気する時タンクは周囲雰囲気へ排気
を行うが、タンクが吸気する時タンクは精製窒素のよう
な加圧下の精製気体を吸入するよう設計されている。 洗浄用流体循回系における温度が温度検知器39により
測定されるものとしてその設定温度に精確に維持される
ようタンク35内に挿入型ヒータ38が取付けられることが
好ましい。温度設定点はウエハー表面の特性及び使用さ
れる特定の処理プロセスに対し最適化されうる。 洗浄用流体がウエハー容器内で汚染されるにつれ洗浄
用流体は消耗される。従って、補給洗浄用流体が系に付
加されねばならない。例示具体例においては、新しい脱
イオン補給水は50kw加熱容量を有する水加熱器40を通し
て導入される。温度制御ループ41が、導入水が再循回温
度設定点に等しい温度を有するように補給水の流量を調
整する。補給水流れは、水タンク水準が上部レベルスイ
ッチ37cにより検知される最大レベルを越えると完全に
遮断される。補給水の供給は、タンク内の水レベルが中
間レベルスイッチ37bにより検知される所定の中間レベ
ル以下に落ちる時再開される。 ウエハー洗浄サイクル中洗浄用流体循回サイクルの操
作は次の通りである： ウエハーの腐食性流体処理中、洗浄用流体系は、バイ
パス弁45を通してウエハー容器まで流れそしてタンク35
に戻る再循回状態にある。この期間中、洗浄用流体は多
パスろ過を通して精製されつつある。 洗浄に先立って、腐食性流体は、先に開示したように
加圧気体によって排斥された後ウエハーの表面から重力
により排除せしめられる。腐食性流体がウエハー容器20
0から排斥された後、上方三方弁25及び下方三方弁24が
ウエハー容器を洗浄用流体系統に開くように調整され
る。弁42が開かれそして排気器27がオンに切換えられる
のでウエハー容器200内に部分真空が創出されそして洗
浄用流体が容器を通して、ベント弁を通してそして排気
器内へと吸入される。これは、ウエハー容器内に含まれ
る僅かの空気その他の気体が完全に排斥されることを保
証する。 また、この期間中、排気器には限外ろ過モジュール32
の廃棄側からの洗浄用流体が弁209を通して供給され
る。これは、ろ過モジュールの供給側に捕集された固形
物の周期的洗い流しを許容する。 予備設定時間間隔後、弁42を閉めたまま弁43及び44が
開放される。この時点で、弁44を通してドレンサージタ
ンク208への急速な降下流れ洗浄が起る。ドレンサージ
タンクへの管路内には、ウエハー容器から流出する洗浄
用流体の量を探知する抵抗型センサが存在する。測定抵
抗が予備設定点にまで増加する時、弁42が開かれそして
弁44が閉じられる。この時点において洗浄流れはもはや
ドレンサージタンク208へと通過せずに、洗浄用流体は
タンク35に戻って再循回する。再循回洗浄は、抵抗指示
計33及び粒状物計数器34がウエハー容器から流出する洗
浄用流体の純度が満足しうるものであることを検出する
まで継続される。 例示される好ましい具体例において、限外ろ過モジュ
ール32は周期的に逆洗されうる。これは、弁47及び48を
開いたまま弁43、45及び46を閉じることによって達成さ
れうる。この態様で、限外ろ過モジュールを通しての流
れは逆転されて、精製洗浄用流体は限外ろ過モジュール
32の出口に流入し、限外ろ過フィルター壁を通して逆方
向に流れ、該モジュールの入口から流出しそして弁48を
通してドレンサージタンク208に流れる。周期的逆洗が
行われる期間は使用される補給水の品質に依存する。 薬剤注入プロセス 集積回路の作製の為のウエハーの拡散前クリーニング
におけるような、シリコン表面の拡散前クリーニングに
おいて、表面はしばしばフッ化水素酸のようなエッチン
グ剤を使用して軽くエッチングされる。こうしたエッチ
ング反応を行う為のバッチ式浸漬法が斯界では良く知ら
れている。 本発明はまた、ウエハー容器内のウエハーの表面を少
くとも１種の薬剤と反応せしめそして洗浄用流体を使用
してウエハーから薬剤を除去する為の方法及び装置をも
提供する。好ましくは、腐食性流体及び洗浄用流体の場
合と同じく、薬剤は液体か気体の単一物理的相としてウ
エハー容器内に導入され、液体及び気体間で生じる相境
界のような相不連続部を含まないものとされる。例え
ば、連行気泡を含む液相の形での或いは液滴を含む気相
の形での薬剤は、殊に気相が周囲空気を含有する時回避
されるべきである。 化学薬剤は、塩化水素酸やフッ化水素酸のようなエッ
チング剤でありうる。好ましくは、濃縮形態の薬剤は希
釈された薬剤を与えるよう洗浄用流体で希釈される。濃
縮形態の薬剤が洗浄段階の完了後所定の割合で洗浄用流
体中に調量されることが好ましい。この時点で、洗浄用
流体は脱イオン化及びろ過されておりそして残留腐食性
流体のような汚染物を実質含んでいない。希釈された薬
剤を続いてウエハーと接触される。 一具体例において、薬剤は約0.05〜５重量％フッ化水
素酸の濃度を有するフッ化水素酸水溶液であることが好
ましい。同具体例において、濃縮形態の薬剤が約40〜50
重量％の濃度を有するフッ化水素酸水溶液でありそして
この濃縮薬剤が約1:10〜1:1000の比率において洗浄用流
体で濃縮薬剤を希釈するに充分の割合で洗浄用流体中に
調量されることが殊に好ましい。 また別の具体例において、薬剤は、約0.05〜５重量％
過酸化水素の濃度を有する過酸化水素水溶液でありう
る。薬剤が約30％過酸化水素の濃度を有しそしてこの濃
縮薬剤を約1:5〜1:500の比率で洗浄用流体中に調量する
ことが好ましい。 濃縮薬剤がそれが洗浄用流体中に調量されていない時
連続的に再循回されうるような弁手段により洗浄流体中
に注入されることが好ましい。適当な弁は、Mace社から
シリーズ803として入手しうる。この５口４方弁は、一
つの弁位置において薬剤と洗浄用流体とを混合なく弁を
通して流れることを許容し、同時にまた別の弁位置にお
いて弁内への洗浄用流体の流れが阻止されそして薬剤入
口が洗浄用流体流れへの出口に接続されることを可能と
する。 濃縮薬剤が洗浄用流体中への注入前にろ過膜を通して
ろ過されることもまた好ましい。濃縮薬剤が洗浄液中に
注入されずに連続的に再循回されている時、濃縮薬剤は
同時にろ過膜を通して連続的にろ過されている。濃縮薬
剤の流れはパルスフィーダ オブ ロックエステル社に
よりモデルNo.680として販売される調量ポンプによりも
たらされることが好ましい。濃縮薬剤を連続的にろ過す
るのに使用されるろ過膜は好ましくは、ゲルマン オブ
アーバ社により商品名「polypure」として作製される
もののような0.2μ（２×10-5cm）の公称孔寸法を有す
るポリプロピレン膜フィルターである。 濃縮薬剤の注入完了に続いて、洗浄液の流れの一部が
弁手段及び関連する管路を洗浄するよう注入弁手段を通
して流れるよう差向けられることが好ましい。洗浄液の
一部は好ましくは、主流路から注入弁を通る行路にオリ
フィスプレートによって転流される。 本発明の薬剤注入系を使用するプロセスを第１図の好
ましい具体例を参照して説明する。好ましい注入系は、
好ましくは50重量％フッ化水素酸溶液を含有するの濃縮
薬剤容器49、精密計量ポンプ50、ミクロフィルタ51及び
５口４方弁52から成る。この装置の目的は、正確な量の
薬剤溶液を高純度の洗浄用流体流れ中に正確にコントロ
ールされた時間注入することである。注入前に、ポンプ
50は、容器49から濃縮薬剤を吸入し、フィルタ51及び弁
52を通して容器49に戻して循回させる。この注入前の循
回はポンプがきわめて精密な流量を実現することを許容
する。この始動時と関連する系内の過渡期は安定化に与
えられた時間である。同時に、洗浄用流体流量及び洗浄
用流体温度が精確にコントロールされた条件を実現する
為に流れ制御弁46及びヒータ38を介して調整される。同
時に、水バイパス弁45が濃縮薬剤の正確な希釈を与える
べく洗浄用流体の正確な流送を許容するよう閉じられ
る。 検知されるすべての条件が所定の注入要件をかなえる
ことがわかった時点で、弁52が、濃縮薬剤が容器に戻っ
て再循回されるのではなく流動中の洗浄用流体管路に注
入されるよう切換わる。スタチックミキサーが、注入さ
れた濃縮薬剤が流れている洗浄用流体と良好に混合する
ことを保証する。この態様で、精確にして再現性のある
濃度の希釈試剤がウエハー容器を通して送給されうる。
通常、弁44は開かれそして弁42は閉じられているので、
薬剤は洗浄流体タンクに戻らずドレンサージタンク208
に送られる。 予備設定注入期間が経過した後、弁52は再循回位置に
戻される。こうなると、洗浄用流体は５口４方弁を経由
して流送せしめられる。弁を通してのこの洗浄用流体流
れは弁から残留薬剤を洗い流して注入段階のきわめて迅
速にして清浄な終了を保証する。オリフィス板53は、洗
浄用流体が弁52を通して洗浄用流体管路に戻って流れる
誘因を提供する。 別様には、４方弁は一対の３方弁と代替されうる。こ
の具体例において、３方弁の一方は、弁の一つの口が粒
状物フィルター51の出口に接続されそして別の口が濃縮
薬剤容器49への返送口に接続されるよう濃縮薬剤再循回
ループの一要素を形成する。これら口は再循回状態にお
いて接続される。第１弁の第３の口は第２弁の入口に接
続される。第２弁の残る２つの口の一方はオリフィス板
53の上流で入口側洗浄用流体管路に接続されそして第２
弁の残る第３の口はオリフィス板53の下流で洗浄用流体
管路に戻る出口管路に接続される。 注入サイクルにおいて、第１弁は、粒状物フィルター
51からの入口が第２弁への第１弁の出口に接続されそし
て第２弁入口が第１弁からポンプ50により送出された濃
縮薬剤の流れを受取るよう調整される。第２弁は濃縮薬
剤をオリフィス板54の下流で出口側直送管路に差向ける
よう調整される。他の弁構成配列は当業者に容易に明ら
かであろう。 好ましい具体例において、濃縮薬剤注入装置全体が、
腐食に対する高い耐性を保証する為に未使用のポリテト
ラフルオロエチレン並びにテトラフルオロエチレン及び
フッ素化ビニルエーテルの共重合体から構成される。 ウエハー容器内のウエハーの表面と接触する前に、希
釈薬剤が乱流状態の不全流を増進しそしてウエハーを横
切っての薬剤のチャンネリングを実質回避する為らせん
流れ差向け器に通されることが好ましい。米国特許出願
番号第747,894号に開示されるようならせん流れ差向け
器が好ましいが、希釈薬剤溶液に角運動量を付与しそし
て上記出願に開示されるようなウエハーとの接触前に流
体流れを横断しての断面積を増大する装置と関連して使
用される他の型式の流れ差向け器もまた使用されうる。
薬剤注入段階の初期において洗浄用流体と薬剤との一様
な置換を許容しそしてその段階の終りにおいて希釈薬剤
と洗浄用流体との一様な置換を許容する他の流れ付与構
造体もまた使用されうる。 薬剤反応段階が終了した後、洗浄用流体再循回システ
ムは洗浄状態に戻る。再度第１図を参照すると、洗浄用
流体は測定抵抗が予備設定水準に達するまでドレンサー
ジタンクへとウエハー容器200を通して下方向に流れ
る。この時点で洗浄用流体は、抵抗センサ33及び粒子係
数器34がウエハー容器から流出する洗浄用流体の品質が
所定の基準に合うことを示すまで全量再循環状態に戻
る。この時点で、ウエハー容器200は、気体入口28を開
きそして弁43を閉じることにより洗浄用流体をパージす
る。洗浄用流体は、レベル指示スイッチ29が容器内に液
体が残存していないことを検出するまで系から追い出さ
れる。この時点で、弁42が閉じそして洗浄用流体系統は
今や完全バイパス状態となる。 ウエハーの表面をエッチング或いはポリシングするの
に使用するべく洗浄用流体流れにエッチング剤を正確に
計量された量分与する用途に加えて、本装置は、ウエハ
ーの表面との反応の為洗浄用流体流れ中に精密に他の薬
剤を注入するのにも使用されうる。例えば、洗浄用流体
中に濃塩酸を注入しそれにより希釈塩酸によるウエハー
表面の精確に制御された洗浄を行うにも上記と同一の装
置が使用される。例えば、濃縮状態の薬剤は約10〜40重
量％塩酸でありそしてこれが約1:5〜1:500の比率で洗浄
用流体による濃縮薬剤の希釈に充分な割合で洗浄用流体
中に調量送出される。こうした塩酸洗浄段階は拡散の為
にシリコンウエハーをコンディショニングする幾つかの
技術において推奨されている。 ウエハー乾燥プロセス 従来、半導体をスピン−リンサードライヤにおいて遠
心力を利用して乾燥されている。これら装置は遠心力に
頼っている為その使用は幾つかの問題を生じる。第１
に、ウエハーに機械的応力が付与されウエハーの破損を
生じやすい。第２に、スピン−リンサ−ドライヤ内部は
多くの可動部品が存在する為汚染管理が困難な問題とな
る。第３に、ウエハーは従来乾燥窒素中を通して高速で
運動するから、ウエハー表面上に静電荷が発生する。ス
ピン−リンサ−ドライヤが開かれた時反対電荷の空気中
浮遊粒子がウエハー表面に急速に吸引されるので、粒子
汚染が生じる。第４に、回転中ウエハーの表面から水の
蒸発を回避することは困難である。ウエハー表面と超高
純度水との短時間の接触でさえ、水が微量のシリコン或
いは二酸化シリコンを溶解しうるので、溶解シリコン或
いは二酸化シリコン（付着したシリコン或いは二酸化シ
リコン）を含む水の蒸発はウエハー表面上に縞状或いは
点状の表面模様を残す。これらは最終的にデバイスの故
障を生じることが多い。 本発明の乾燥用流体は、第１図に例示されるようにし
て発生されうる過熱スチームである。洗浄用流体再循回
システムからの水がステンレス鋼製圧力容器160を部分
的に満すのに使用されうる。水は、乾燥サイクルにない
時、ポンプ163により粒子フィルタ164を通して連続的に
循回される。乾燥段階を開始するに先立って、弁162及
び165が閉じられ、そしてバンドヒータ161を通して熱が
容器160に加えられる。温度センサ167及び圧力センサ16
6が、圧力容器160の内容物の温度及び圧力を検出する。
弁168及びニードル弁169が開かれそして弁170はスチー
ムがベント凝縮器171に流入しうるよう調節される。ニ
ードル弁169は圧力容器160からの飽和スチームが断熱膨
脹して過熱不飽和スチームを生成するよう調整される。
ウエハー容器200内でのウエハーの乾燥を開始する為
に、弁170は開放されている弁172及び175にスチームを
差向けるよう調整される。弁43が閉じられ、そして弁62
及び25が、スチームがウエハー容器内に流入してウエハ
ー容器から下方三方弁24を通して洗浄用流体を排斥する
ことを可能とするよう調整される。洗浄用流体が排斥さ
れた時点で、ウエハーを横切っての飽和スチームの流れ
が継続されて、ウエハーを加熱しそして残留洗浄液を揮
化する。 別様には、過熱スチームは斯界で周知の態様で飽和ス
チームを加熱することにより調製されうる。 三方弁24を通してウエハー容器200から流出するスチ
ームはベント凝縮器（図示なし）に差向けられそして凝
縮液が排棄される。 スチームは、窒素、アルゴン或いは圧縮空気のような
キャリヤガスと混合されうる。キャリヤガスによる希釈
は、スチームが最初ウエハー容器200内に導入されると
同時して或いはその後開始されうる。キャリヤガスの流
れは、スチーム流れが終了した後にも続行されうる。 好ましくは、乾燥用流体はウエハー表面と実質上非反
応性である。 本発明プロセスは別法として、機械的或いはスチーム
乾燥ではなく「化学的乾燥」方式を使用しうる。「化学
的乾燥」は２段階で行われる。第１段階において、好ま
しくは水である洗浄用流体がウエハーから駆除されそし
て非水性乾燥用流体により置換される。第２段階におい
て、非水性乾燥用流体が、好ましくは窒素のような不活
性ガスである予備乾燥ガスを使用して低流速において蒸
発せしめられる。 一具体例において、非水性乾燥用流体は、ウエハー表
面から蒸発せしめられた後それを凝縮しそして凝縮した
乾燥用流体を収集することにより再循回される。この具
体例において、メタノールのような水と共沸混合物を形
成しない非水性流体を使用することが好ましい。これ
は、水のような残留洗浄用流体から乾燥用流体の比較的
容易な分離を可能ならしめる。 他方、非水性乾燥用流体の再循回は、比較的少量の乾
燥用流体が使用される時のような場合に、必ずしも必要
或いは所望されない。この場合、イソプロパノールのよ
うな、洗浄用流体（水）と共沸混合物を形成する非水性
乾燥用流体を使用することが好ましい。共沸混合物形成
乾燥用流体は再循回に先立って流出乾燥用流体の回収と
その精製を困難たらしめるけれども、共沸混合物形成乾
燥用流体の使用は、洗浄用流体が乾燥用流体の最終蒸発
前にウエハーの表面から完全に除去されることを保証す
る。低沸点共沸混合物はそれより高い沸点の乾燥用流体
より先にウエハー表面から揮化する。しかし、ウエハー
の表面上で洗浄用流体上方に実質過剰の乾燥用流体が存
在する時、洗浄用流体のすべてが残留乾燥用流体の蒸発
前に共沸混合物として蒸発する。 洗浄用流体が水でありそして水と共沸混合物を形成し
ないメタノールのような乾燥用流体が使用される時、乾
燥用流体はそれより高沸点の水が完全に蒸発する前に完
全に蒸発することがあり、これは所望されない結果をも
たらす。 好ましくは、非水性乾燥用流体は蒸気を形成するよう
加熱され、蒸気はウエハータンクに流入しそして乾燥さ
れるべきウエハー表面を含めて内部表面で凝縮する。凝
縮蒸気はウエハーの表面から洗浄用流体を排斥する。乾
燥用流体源からウエハー容器内部への乾燥用流体の気体
としての移行が好ましい。こうすると、ウエハー表面か
ら洗浄用流体を排斥するのに使用されねばならない乾燥
用流体量が低減するからである。乾燥用流体はイソプロ
パノール或いはメタノールのような有機化合物であるこ
とが多く、廃棄処分問題を呈するから、本プロセスにお
いて使用される乾燥用流体量を最小限とすることが好ま
しい。 洗浄用流体と混和性であり且つウエハー表面と非反応
性である任意の流体が乾燥用流体として使用されうる。
しかし、乾燥用流体が比較的低い沸点を持つことが望ま
しい。乾燥用流体は大気圧において約140℃より低い沸
点を有する有機化合物から選択されうる。使用しうる乾
燥用流体の例は、スチーム、メタノール、エタノール、
１−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノー
ル、sec−ブタノール、tert−ブタノール、tert−アミ
ルアルコール、アセトン、アセトニトリル、ヘキサフル
オロアセトン、ニトロメタン、酢酸、プロピオン酸、エ
チレングリコール モノ−メチルエーテル、ジフルオロ
エタン、イソプロピルアセテート、1,1,2−トリクロロ
−1,2,2−トリフルオロエタン、1,2−ジクロロエタン、
トリクロロエタン、ペルフルオロ−２−ブチルテトラヒ
ドロフラン、ペルフルオロ−1,4−ジメチルシクロヘキ
サン及びその混合物である。乾燥用流体が、イソプロパ
ノール、メタノール、１−プロパノール、メタノール、
tert−ブタノール及びその混合物から選択されるアルコ
ールであることが殊に好ましい。上述したように、一具
体例においてアルコールがメタノールでありそして別の
例においてそれがイソプロパノールであることが好まし
い。 本発明は、ウエハーの拡散前クリーニングにおいて殊
に有用でありそして一般的には高温での改質或いは処理
に先立ってのそして殊に拡散、エピタキシャル成長及び
化学的蒸着（CVD）に先立ってのウエハー表面のクリー
ニングに有用である。本発明は、分子ビームエピタキシ
ー、ホトデポジション、プラズマエッチング、イオン打
込み、真空メタライゼーション等のプロセスのような手
段による表面改質及び表面層成長技術を含めて半導体材
料の表面組織及び特性を変えるのに使用される様々の技
術に先立ってウエハー表面を浄化するのに使用されう
る。 本発明はまた、他の型式の半導体ウエハー湿式処理に
おいて使用されうる。本発明は、ホトレジストプライマ
ー被覆、ホトレジスト現像、現像後洗浄、ウエットエッ
チング、ホトレジスト剥離におけるような湿式プロセス
全般に使用されうる。例えば、半導体ウエハー表面をエ
ッチングするに当り、フッ化水素及びフッ化アンモニウ
ムで緩衝されたフッ化水素のようなエッチング剤が二酸
化シリコンをエッチングするのに使用されうる。リン
酸、硝酸或いは酢酸がアルミニウムをエッチングするの
に使用されうる。リン酸がチッ化ケイ素等をエッチング
するのに使用されうる。 ウエハー表面を精確にコントロールされた濃度の試剤
に正確に決定された期間曝露しうることは、本発明が現
在の乾式処理及びプラズマ、真空或いは気相処理技術と
類似して今や開発発展されよう様々の湿式処理技術にお
いて有用であることを示す。 本発明により処理されうるウエハー体は代表的にシリ
コンであるが、GaAsその他のウエハー基板も使用されう
る。斯くして、基板は、半導体、半絶縁体、半抵抗体或
いは絶縁体でありうる。ウエハー表面は半導体製造技術
において使用される任意の表面でありうる。例えば、表
面帯域は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルフ
ァルシリコン或いは二酸化シリコンでありうる。シリコ
ン及び／或いは二酸化シリコン表面は、ドープされない
ものでもよいしまた斯界で周知されているようにホウ
素、リン、砒素等のような不純物原子或いはイオンでド
ープされたものでもよい。同じく、表面はアルミニウ
ム、金その他の金属帯域を含むことが出来る。
電子部品の製造においてウエハーとプロセス流体との
接触をもたらすのに従来からの方法を上回る幾つかの利
点を提供する。例えば、ウエハーの拡散前クリーニング
におけるような一連のプロセス流体が使用されるべき
時、本発明は一つのプロセス流体から別のプロセス流体
へとウエハーの移動を必要としない。これは、大気浮遊
粒子による汚染の可能性を減ずる。本発明は、拡散前ク
リーニングのような多段階流体プロセスの各段階間でウ
エハーの人間或いはロボットオペレータによる取扱いを
必要としない。これは同様に汚染の可能性を減少する。 更に、本発明は、プロセス薬剤とウエハーとの間で良
好な熱伝達を提供する。また別の重要な利点は、本発明
が正確に制限された時間のうちにウエハーに一様な濃度
における反応性薬剤へのとりわけ一様な露呈を与えうる
点にある。また別の有意義な利点は、本方法及び装置が
ウエハーを処理するに際して使用する為の、懸濁固体及
び溶解不純物いずれをもほとんど含まない、水のよう
な、高品質洗浄用流体を提供しうることである。本発明
がウエハーを洗浄するのにこの洗浄用流体を高流量で提
供しそしてフッ化水素酸エッチング剤のような濃縮薬剤
を正確に希釈しうることもまた有意義である。 本発明のまた別の利点は、ウエハーの表面上で水のよ
うな洗浄液を排斥するのにスチームのような乾燥用流体
を提供しうることである。更に別の利点は、プロセス流
体の再循環により使用されるプロセス流体の量を減少す
ることにある。本発明は、先行技術プロセスと関連した
汚染を導入する危険性を減じ、同時に欠陥のない半導体
デバイスの収率を改善する。 本発明に従えば、収率、汚染コントロール、再現性、
安全性及び保守を改善し、同時に廃棄物の発生を減ずる
半導体ウエハー湿式処理方法が、プロセス流体がウエハ
ーを横切って順次してそして連続的に流れそして（ａ）
ウエハーを少くなくとも１種の化学薬剤と接触しそして
（ｂ）該薬剤をウエハーから洗浄用流体を使用して除去
する段階を包含する密閉式フルーフロー（全流量）式方
法により提供される。 この処理プロセスは、段階間でウエハーの移動或いは
作業員の取扱いを必要としない。ウエハーを収容する容
器は各処理段階中流体で充満されている。プロセス流体
がウエハーと接触するのに使用されていない時点におい
て、非接触プロセス流体は連続的に再循環されうる。好
ましくは、化学薬剤と洗浄用流体との間の切換えは、周
囲空気のような中間流体がウエハーと接触しないようし
て行われる。 本発明について具体例を呈示したが、本発明の範囲内
で多くの改変を為しうることを銘記されたい。
接触をもたらすのに従来からの方法を上回る幾つかの利
点を提供する。例えば、ウエハーの拡散前クリーニング
におけるような一連のプロセス流体が使用されるべき
時、本発明は一つのプロセス流体から別のプロセス流体
へとウエハーの移動を必要としない。これは、大気浮遊
粒子による汚染の可能性を減ずる。本発明は、拡散前ク
リーニングのような多段階流体プロセスの各段階間でウ
エハーの人間或いはロボットオペレータによる取扱いを
必要としない。これは同様に汚染の可能性を減少する。 更に、本発明は、プロセス薬剤とウエハーとの間で良
好な熱伝達を提供する。また別の重要な利点は、本発明
が正確に制限された時間のうちにウエハーに一様な濃度
における反応性薬剤へのとりわけ一様な露呈を与えうる
点にある。また別の有意義な利点は、本方法及び装置が
ウエハーを処理するに際して使用する為の、懸濁固体及
び溶解不純物いずれをもほとんど含まない、水のよう
な、高品質洗浄用流体を提供しうることである。本発明
がウエハーを洗浄するのにこの洗浄用流体を高流量で提
供しそしてフッ化水素酸エッチング剤のような濃縮薬剤
を正確に希釈しうることもまた有意義である。 本発明のまた別の利点は、ウエハーの表面上で水のよ
うな洗浄液を排斥するのにスチームのような乾燥用流体
を提供しうることである。更に別の利点は、プロセス流
体の再循環により使用されるプロセス流体の量を減少す
ることにある。本発明は、先行技術プロセスと関連した
汚染を導入する危険性を減じ、同時に欠陥のない半導体
デバイスの収率を改善する。 本発明に従えば、収率、汚染コントロール、再現性、
安全性及び保守を改善し、同時に廃棄物の発生を減ずる
半導体ウエハー湿式処理方法が、プロセス流体がウエハ
ーを横切って順次してそして連続的に流れそして（ａ）
ウエハーを少くなくとも１種の化学薬剤と接触しそして
（ｂ）該薬剤をウエハーから洗浄用流体を使用して除去
する段階を包含する密閉式フルーフロー（全流量）式方
法により提供される。 この処理プロセスは、段階間でウエハーの移動或いは
作業員の取扱いを必要としない。ウエハーを収容する容
器は各処理段階中流体で充満されている。プロセス流体
がウエハーと接触するのに使用されていない時点におい
て、非接触プロセス流体は連続的に再循環されうる。好
ましくは、化学薬剤と洗浄用流体との間の切換えは、周
囲空気のような中間流体がウエハーと接触しないようし
て行われる。 本発明について具体例を呈示したが、本発明の範囲内
で多くの改変を為しうることを銘記されたい。
第１図は本発明の好ましい設備例を示す流れ図である。 200:ウエハー容器 24、25:三方弁 １、2:第１及び第２溜め（クリーニング用流体） 18:フィルタ 206:オゾン注入弁 35:洗浄用流体タンク 31:脱塩基 32:限外ろ過モジュール 40:補給洗浄液加温器 208:ドレンサージタンク 30:ポンプ 49:濃縮薬剤容器 50:精密計量ポンプ 51:フィルタ 52:弁 53:オリフィス板 160:圧力容器（スチーム） 164:フィルタ 27:排気器
フロントページの続き (72)発明者 アラン・イー・ウオルター 米国ペンシルベニア州エクストン、ブレ ツクノツク・ドライブ 606 (56)参考文献 特開 昭47−38666（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−42121（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−218135（ＪＰ，Ａ)
Claims (53)
- 【請求項１】プロセス流体或いは周囲雰囲気を内部に捕
捉しない内面を備える容器内に半導体ウエハーを位置付
け、該容器を周囲環境に対して密閉し、そして該容器内
の半導体ウエハーを横切って複数のプロセス流体を各プ
ロセス流体が相境界を実質上含まない単一流体相として
ウエハーと接触するように順次してそして連続的に流す
半導体ウエハーの湿式処理方法であって、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため該半導
体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と接
触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含し、それにより前記段階間で半導体ウエハーの移
動および作業者の取扱を必要とせずそして各段階中半導
体ウエハーを収納する容器をそれぞれのプロセス流体で
充満状態に維持することを特徴とする半導体ウエハーの
湿式処理方法。 - 【請求項２】クリーニング用流体が少なくとも１種の酸
でありそしてオゾン及び過酸化水素から選択される酸化
剤を追加的に含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】酸化剤がオゾンでありそして気体として酸
中に注入され、それにより気体オゾンにより酸を撹拌す
る特許請求の範囲第２項記載の方法。 - 【請求項４】クリーニング用流体が高温濃縮酸である特
許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項５】クリーニング用流体が少なくとも１種の塩
基である特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項６】塩基が水酸化アンモニウムである特許請求
の範囲第５項記載の方法。 - 【請求項７】クリーニング用流体が、ウエハーと接触す
る前に、0.2ミクロンを超える平均粒寸を有する粒子を
ろ過する粒子フィルターを通して予備ろ過される特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項８】クリーニング用流体が粒子フィルターを通
して再循回される特許請求の範囲第７項記載の方法。 - 【請求項９】クリーニング用流体の流れが第１溜めにお
いて該クリーニング用流体の表面に圧力を適用すること
によりもたらされ、そして該圧力が第１溜めから、粒子
フィルターを通して、ウエハーと接触状態へのそして後
第２溜めへのクリーニング流体の流れをもたらす特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１０】粒子フィルターを通してのまたウエハー
を横切っての流体流れ方向を維持したまま第１溜めから
第２溜めへの流体流れが逆転される特許請求の範囲第９
項記載の方法。 - 【請求項１１】圧力の適用が加圧下の気体によりもたら
されそして該気体が窒素、アルゴン及び圧縮空気から選
択される特許請求の範囲第９項記載の方法。 - 【請求項１２】クリーニング用流体が洗浄段階（ｂ）前
に加圧気体により置換される特許請求の範囲第１項記載
の方法。 - 【請求項１３】クリーニング用流体が洗浄段階（ｂ）前
にウエハー表面から重力により排出せしめられる特許請
求の範囲第12項記載の方法。 - 【請求項１４】乾燥用流体が洗浄用流体と混合性であり
そしてウエハー表面と実質上非反応性である特許請求の
範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１５】乾燥用流体が大気圧において約140℃よ
り低い沸点を有する有機化合物から選択される特許請求
の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１６】乾燥用流体が過熱スチームである特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１７】過熱スチームが窒素、アルゴンおよび乾
燥空気から選択されるキャリヤガスで稀釈される特許請
求の範囲第16項記載の方法。 - 【請求項１８】乾燥用流体がイソプロパノール、メタノ
ール、１−プロパノール、tert−ブタノールおよびその
混合物から選択されるアルコールである特許請求の範囲
第15項記載の方法。 - 【請求項１９】洗浄されたウエハーが洗浄用流体がアル
コール蒸気により置換されるに際して該アルコール蒸気
の流れと接触せしめられる特許請求の範囲第18項記載の
方法。 - 【請求項２０】ウエハーがアルコール蒸気より低い温度
にあり、その結果液体アルコールがウエハー上に凝縮す
る特許請求の範囲第18項記載の方法。 - 【請求項２１】アルコールがウエハー上の洗浄用流体と
実質上置換された後アルコールがウエハーから蒸発せし
められる特許請求の範囲第19項記載の方法。 - 【請求項２２】アルコールの蒸発がウエハーを横切って
流れる気体の流れにより促進される特許請求の範囲第21
項記載の方法。 - 【請求項２３】プロセス流体或いは周囲雰囲気を内部に
捕捉しない内面を備える容器内に半導体ウエハーを位置
付け、該容器を周囲環境に対して密閉し、そして該容器
内の半導体ウエハーを横切って複数のプロセス流体を各
プロセス流体が相境界を実質上含まない単一流体相とし
てウエハーと接触するように順次してそして連続的に流
す半導体ウエハーの湿式処理方法であって、 （ａ）半導体ウエハーから汚染物を除去するため、該半
導体ウエハーを少なくとも１種のクリーニング用流体と
接触する段階と、 （ｂ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーからク
リーニング流体を除去する段階と、 （ｃ）前記半導体ウエハーの表面を少なくとも１種の化
学薬剤と反応せしめる段階と、 （ｄ）洗浄用流体を使用して前記半導体ウエハーから前
記化学薬剤を除去する段階と、 （ｅ）乾燥用流体を使用して前記半導体ウエハーから洗
浄用流体を除去する段階と を包含し、それにより前記段階間で半導体ウエハーの移
動および作業者の取扱を必要とせずそして各段階中半導
体ウエハーを収納する容器をそれぞれのプロセス流体で
充満状態に維持することを特徴とする半導体ウエハーの
湿式処理方法。 - 【請求項２４】クリーニング用流体が少なくとも１種の
酸でありそしてオゾン及び過酸化水素から選択される酸
化剤を追加的に含む特許請求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項２５】酸化剤がオゾンでありそして気体として
酸中に注入され、それにより気体オゾンにより酸を撹拌
する特許請求の範囲第24項記載の方法。 - 【請求項２６】クリーニング用流体が高温濃縮酸である
特許請求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項２７】クリーニング用流体が少なくとも１種の
塩基である特許請求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項２８】塩基が水酸化アンモニウムである特許請
求の範囲第27項記載の方法。 - 【請求項２９】クリーニング用流体が、ウエハーと接触
する前に、0.2ミクロンを超える平均粒寸を有する粒子
をろ過する粒子フィルターを通して予備ろ過される特許
請求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項３０】クリーニング用流体が粒子フィルターを
通して再循回される特許請求の範囲第29項記載の方法。 - 【請求項３１】クリーニング用流体の流れが第１溜めに
おいて該クリーニング用流体の表面に圧力を適用するこ
とによりもたらされ、そして該圧力が第１溜めから、粒
子フィルターを通して、ウエハーと接触状態へのそして
後第２溜めへのクリーニング流体の流れをもたらす特許
請求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項３２】粒子フィルターを通してのまたウエハー
を横切っての流体流れ方向を維持したまま第１溜めから
第２溜めへの流体流れが逆転される特許請求の範囲第31
項記載の方法。 - 【請求項３３】圧力の適用が加圧下の気体によりもたら
されそして該気体が窒素、アルゴン及び圧縮空気から選
択される特許請求の範囲第31項記載の方法。 - 【請求項３４】クリーニング用流体が洗浄段階（ｂ）前
に加圧気体により置換される特許請求の範囲第23項記載
の方法。 - 【請求項３５】クリーニング用流体が洗浄段階（ｂ）前
にウエハー表面から重力により排出せしめられる特許請
求の範囲第34項記載の方法。 - 【請求項３６】化学薬剤がエッチング剤である特許請求
の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項３７】エッチング剤がフッ化水素酸溶液である
特許請求の範囲第36項記載の方法。 - 【請求項３８】濃縮形態の化学薬剤が所定の稀釈された
化学薬剤を与えるよう洗浄用流体で稀釈される特許請求
の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項３９】濃縮形態の化学薬剤が洗浄段階（ｂ）の
完了後所定の割合で脱イオン化及びろ過されている洗浄
用流体中に調量されてウエハーと接触されるべき稀釈さ
れた化学薬剤を与える特許請求の範囲第38項記載の方
法。 - 【請求項４０】濃縮形態の化学薬剤が洗浄用流体中に調
量されていないときそれを再循回せしめる弁手段により
洗浄用流体中に注入される特許請求の範囲第39項記載の
方法。 - 【請求項４１】弁手段が弁体内に少なくとも２つの流路
を具備して、化学薬剤が該流路の一つを通して連続的に
循回されそして洗浄用流体が該流路の別の一つを通して
循回される特許請求の範囲第40項記載の方法。 - 【請求項４２】濃縮形態の化学薬剤と洗浄用流体とが化
学薬剤がウエハーと接触する前にスタチックミキサによ
って混合される特許請求の範囲第41項記載の方法。 - 【請求項４３】濃縮形態の化学薬剤の注入完了に続い
て、洗浄用流体流れの一部が弁手段を洗いまた関連する
流体流通部分を洗うために弁手段を通して流れるよう差
し向けられる特許請求の範囲第40項記載の方法。 - 【請求項４４】洗浄用流体がオリフィス板により転流さ
れる特許請求の範囲第43項記載の方法。 - 【請求項４５】乾燥用流体が洗浄用流体と混合性であり
そしてウエハー表面と実質上非反応性である特許請求の
範囲第23項記載の方法。 - 【請求項４６】乾燥用流体が大気圧において約140℃よ
り低い沸点を有する有機化合物から選択される特許請求
の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項４７】乾燥用流体が過熱スチームである特許請
求の範囲第23項記載の方法。 - 【請求項４８】過熱スチームが窒素、アルゴンおよび乾
燥空気から選択されるキャリヤガスで稀釈される特許請
求の範囲第47項記載の方法。 - 【請求項４９】乾燥用流体がイソプロパノール、メタノ
ール、１−プロパノール、tert−ブタノールおよびその
混合物から選択されるアルコールである特許請求の範囲
第46項記載の方法。 - 【請求項５０】洗浄されたウエハーが洗浄用流体がアル
コール蒸気により置換されるに際して該アルコール蒸気
の流れと接触せしめられる特許請求の範囲第49項記載の
方法。 - 【請求項５１】ウエハーがアルコール蒸気より低い温度
にあり、その結果液体アルコールがウエハー上に凝縮す
る特許請求の範囲第49項記載の方法。 - 【請求項５２】アルコールがウエハー上の洗浄用流体と
実質上置換された後アルコールがウエハーから蒸発せし
められる特許請求の範囲第50項記載の方法。 - 【請求項５３】アルコールの蒸発がウエハーを横切って
流れる気体の流れにより促進される特許請求の範囲第52
項記載の方法。
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Families Citing this family (175)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4911761A (en) * | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
| US4984597B1 (en) * | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
| US5205927A (en) * | 1987-09-25 | 1993-04-27 | Battelle Memorial Institute | Apparatus for treatment of soils contaminated with organic pollutants |
| US5269943A (en) * | 1987-09-25 | 1993-12-14 | Battelle Memorial Institute | Method for treatment of soils contaminated with organic pollutants |
| US4869821A (en) * | 1988-04-28 | 1989-09-26 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Drainage disc for membrane assembly |
| US4885085A (en) * | 1988-08-12 | 1989-12-05 | Beall Jr Richard W | Direct acting reverse osmosis water purifier valves |
| US5290151A (en) * | 1988-10-28 | 1994-03-01 | Snamprogetti S.P.A. | Process for pumping a multi-phase gas-liquid mixture by means of the use of a pump |
| US4964919A (en) * | 1988-12-27 | 1990-10-23 | Nalco Chemical Company | Cleaning of silicon wafers with an aqueous solution of KOH and a nitrogen-containing compound |
| US4872356A (en) * | 1988-12-27 | 1989-10-10 | Micron Technology Inc. | Resistivity probe fixture |
| NL8900480A (nl) | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
| US5288333A (en) * | 1989-05-06 | 1994-02-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefore |
| JPH069195B2 (ja) * | 1989-05-06 | 1994-02-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
| US5000795A (en) * | 1989-06-16 | 1991-03-19 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor wafer cleaning method and apparatus |
| JPH03130368A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-06-04 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハプロセス装置の洗浄方法 |
| MY107434A (en) * | 1989-10-26 | 1995-12-30 | Momentive Performance Mat Jp | Cleaning compositions. |
| DE68921757T2 (de) * | 1989-11-23 | 1995-10-26 | Cfm Technologies Inc | Verfahren zum Trocknen von Oberflächen. |
| JPH06103686B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1994-12-14 | シー エフ エム テクノロジーズ，インコーポレイテッド | 表面乾燥処理方法および装置 |
| US5503681A (en) * | 1990-03-16 | 1996-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning an object |
| US5027841A (en) * | 1990-04-24 | 1991-07-02 | Electronic Controls Design, Inc. | Apparatus to clean printed circuit boards |
| FR2663000B1 (fr) * | 1990-06-07 | 1992-09-11 | Goavec Sa | Procede de sanitation sous phase liquide d'un reservoir ainsi que dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
| US5593507A (en) * | 1990-08-22 | 1997-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method and cleaning apparatus |
| US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
| US5261966A (en) * | 1991-01-28 | 1993-11-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns |
| US5242468A (en) * | 1991-03-19 | 1993-09-07 | Startec Ventures, Inc. | Manufacture of high precision electronic components with ultra-high purity liquids |
| JP3154814B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2001-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
| AU2884992A (en) | 1991-10-04 | 1993-05-03 | Cfm Technologies, Inc. | Ultracleaning of involuted microparts |
| US5201958A (en) * | 1991-11-12 | 1993-04-13 | Electronic Controls Design, Inc. | Closed-loop dual-cycle printed circuit board cleaning apparatus and method |
| US5290528A (en) * | 1992-02-12 | 1994-03-01 | Texas Romec, Inc. | Process for removing arsenic from soil |
| TW217422B (ja) * | 1992-04-20 | 1993-12-11 | Mitsubishi Chem Ind | |
| US5277715A (en) * | 1992-06-04 | 1994-01-11 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of reducing particulate concentration in process fluids |
| US5308400A (en) * | 1992-09-02 | 1994-05-03 | United Microelectronics Corporation | Room temperature wafer cleaning process |
| US5288332A (en) * | 1993-02-05 | 1994-02-22 | Honeywell Inc. | A process for removing corrosive by-products from a circuit assembly |
| US5580394A (en) * | 1993-07-12 | 1996-12-03 | Airtronic, Inc. | Method for cleaning industrial parts including sequential direct spray and immersion of the part |
| US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5911837A (en) * | 1993-07-16 | 1999-06-15 | Legacy Systems, Inc. | Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid |
| US5383484A (en) * | 1993-07-16 | 1995-01-24 | Cfmt, Inc. | Static megasonic cleaning system for cleaning objects |
| JP3338134B2 (ja) * | 1993-08-02 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハ処理方法 |
| JP2586304B2 (ja) * | 1993-09-21 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
| JP2976776B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1999-11-10 | 住友化学工業株式会社 | 過酸化水素水の精製方法 |
| US5950645A (en) | 1993-10-20 | 1999-09-14 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| US5656097A (en) * | 1993-10-20 | 1997-08-12 | Verteq, Inc. | Semiconductor wafer cleaning system |
| DE4336704A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Wacker Chemitronic | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken mit einer Flüssigkeit |
| US5350714A (en) * | 1993-11-08 | 1994-09-27 | Shipley Company Inc. | Point-of-use purification |
| US5496778A (en) * | 1994-01-07 | 1996-03-05 | Startec Ventures, Inc. | Point-of-use ammonia purification for electronic component manufacture |
| US5632866A (en) * | 1994-01-12 | 1997-05-27 | Fsi International, Inc. | Point-of-use recycling of wafer cleaning substances |
| US5534078A (en) * | 1994-01-27 | 1996-07-09 | Breunsbach; Rex | Method for cleaning electronic assemblies |
| US5556479A (en) * | 1994-07-15 | 1996-09-17 | Verteq, Inc. | Method and apparatus for drying semiconductor wafers |
| US5849104A (en) * | 1996-09-19 | 1998-12-15 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| US5772784A (en) * | 1994-11-14 | 1998-06-30 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5634978A (en) * | 1994-11-14 | 1997-06-03 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor method |
| US5571337A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US5653045A (en) * | 1995-06-07 | 1997-08-05 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist |
| US5968285A (en) * | 1995-06-07 | 1999-10-19 | Gary W. Ferrell | Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases |
| US5964958A (en) * | 1995-06-07 | 1999-10-12 | Gary W. Ferrell | Methods for drying and cleaning objects using aerosols |
| US5882598A (en) * | 1995-06-09 | 1999-03-16 | Scp Global Technologies | Wafer gap conductivity cell for characterizing process vessels and semiconductor fabrication processes and method of use |
| US6001223A (en) * | 1995-07-07 | 1999-12-14 | Air Liquide America Corporation | On-site ammonia purification for semiconductor manufacture |
| US5715612A (en) * | 1995-08-17 | 1998-02-10 | Schwenkler; Robert S. | Method for precision drying surfaces |
| US5752532A (en) * | 1995-08-17 | 1998-05-19 | Schwenkler; Robert S. | Method for the precision cleaning and drying surfaces |
| KR0147659B1 (ko) * | 1995-08-18 | 1998-08-17 | 김광호 | 반도체 장치의 세정에 사용되는 세정액 및 이를 이용한 세정방법 |
| TW322605B (ja) * | 1995-12-07 | 1997-12-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| TW310452B (ja) * | 1995-12-07 | 1997-07-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5662793A (en) * | 1996-01-05 | 1997-09-02 | Beall, Jr.; Richard W. | Valve assembly of a reverse osmosis water purification system |
| JP3690619B2 (ja) * | 1996-01-12 | 2005-08-31 | 忠弘 大見 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| US5732724A (en) * | 1996-05-15 | 1998-03-31 | Ecolab Inc. | Sink mounted water agitation |
| US6004399A (en) * | 1996-07-01 | 1999-12-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers |
| US5762804A (en) * | 1996-07-12 | 1998-06-09 | Striefler; Martin J. | Filter prewetting and decontamination method and apparatus |
| US5908041A (en) * | 1996-07-17 | 1999-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for cleaning a photoresist developer spray stream nozzle |
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| ATE202421T1 (de) * | 1996-12-09 | 2001-07-15 | Interuniversitaire Microelektr | Metallspülungsverfahren mit kontrollierter metallmikrokorrosionsreduktion |
| US6136724A (en) * | 1997-02-18 | 2000-10-24 | Scp Global Technologies | Multiple stage wet processing chamber |
| JP3772456B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-05-10 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置 |
| US6736148B2 (en) | 1997-05-05 | 2004-05-18 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
| US6701941B1 (en) | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
| US7163588B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US20050215063A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-29 | Bergman Eric J | System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone |
| US7378355B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-05-27 | Semitool, Inc. | System and methods for polishing a wafer |
| US20020157686A1 (en) * | 1997-05-09 | 2002-10-31 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| US20060177987A1 (en) * | 1997-05-09 | 2006-08-10 | Bergman Eric J | Methods for forming thin oxide layers on semiconductor wafers |
| US6869487B1 (en) | 1997-05-09 | 2005-03-22 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US20050034745A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-02-17 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive |
| US7404863B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-07-29 | Semitool, Inc. | Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone |
| US5855792A (en) * | 1997-05-14 | 1999-01-05 | Integrated Process Equipment Corp. | Rinse water recycling method for semiconductor wafer processing equipment |
| US5972123A (en) * | 1997-06-13 | 1999-10-26 | Cfmt, Inc. | Methods for treating semiconductor wafers |
| JP3282563B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2002-05-13 | 栗田工業株式会社 | 膜モジュールの洗浄装置 |
| EP1044465A4 (en) * | 1997-12-10 | 2001-07-18 | Cfmt Inc | METHOD FOR WET TREATMENT FOR THE PRODUCTION OF ELECTRONIC COMPONENTS |
| US5849103A (en) * | 1997-12-22 | 1998-12-15 | Seh America, Inc. | Method of monitoring fluid contamination |
| JPH11204478A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
| US6143663A (en) * | 1998-01-22 | 2000-11-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Employing deionized water and an abrasive surface to polish a semiconductor topography |
| US6200896B1 (en) | 1998-01-22 | 2001-03-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Employing an acidic liquid and an abrasive surface to polish a semiconductor topography |
| US6171180B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-01-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Planarizing a trench dielectric having an upper surface within a trench spaced below an adjacent polish stop surface |
| US6047717A (en) * | 1998-04-29 | 2000-04-11 | Scd Mountain View, Inc. | Mandrel device and method for hard disks |
| EP1082271A4 (en) * | 1998-06-02 | 2005-02-16 | Mattson Technology Ip Inc | WET TREATMENT TECHNIQUES FOR THE MANUFACTURE OF ELECTRONIC COMPONENTS USING TEMPERATURE VARIABLE LIQUIDS |
| US6534378B1 (en) | 1998-08-31 | 2003-03-18 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for forming an integrated circuit device |
| US5972124A (en) | 1998-08-31 | 1999-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for cleaning a surface of a dielectric material |
| US6232231B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-05-15 | Cypress Semiconductor Corporation | Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form interconnect |
| US6571806B2 (en) | 1998-09-04 | 2003-06-03 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
| US6216709B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-04-17 | Komag, Inc. | Method for drying a substrate |
| US6165912A (en) * | 1998-09-17 | 2000-12-26 | Cfmt, Inc. | Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel |
| US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-11 | Scp Global Technologies, Inc. | Vapor drying system and method |
| US20010013355A1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-08-16 | Busnaina Ahmed A. | Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning |
| US6037271A (en) * | 1998-10-21 | 2000-03-14 | Fsi International, Inc. | Low haze wafer treatment process |
| US6566249B1 (en) | 1998-11-09 | 2003-05-20 | Cypress Semiconductor Corp. | Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form wide interconnect structures |
| US6517636B1 (en) | 1999-01-05 | 2003-02-11 | Cfmt, Inc. | Method for reducing particle contamination during the wet processing of semiconductor substrates |
| US6261845B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-07-17 | Cfmt, Inc. | Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates |
| JP3550507B2 (ja) * | 1999-03-25 | 2004-08-04 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 被洗浄体のすすぎ方法およびその装置 |
| US6328814B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cleaning and drying substrates |
| US6955516B2 (en) * | 2001-11-02 | 2005-10-18 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
| US6203659B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for controlling the quality of a photoresist stripper bath |
| US6378544B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-04-30 | Cfmt, Inc. | Pressure relief device and method of using the same |
| JP3148201B2 (ja) * | 1999-06-03 | 2001-03-19 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | パーティクル量評価装置ならびにディップ式洗浄システムおよびパーティクル付着量評価方法 |
| US6338803B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-01-15 | Koch Microelectronic Service Co., Inc. | Process for treating waste water containing hydrofluoric acid and mixed acid etchant waste |
| US6192600B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-02-27 | Semitool, Inc. | Thermocapillary dryer |
| US6217667B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-04-17 | Semitool, Inc. | Method for cleaning copper surfaces |
| US6199298B1 (en) | 1999-10-06 | 2001-03-13 | Semitool, Inc. | Vapor assisted rotary drying method and apparatus |
| US6395101B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-05-28 | Semitool, Inc. | Single semiconductor wafer processor |
| US6387822B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Application of an ozonated DI water spray to resist residue removal processes |
| EP1272288A1 (en) | 2000-03-13 | 2003-01-08 | Cfmt, Inc. | Processes and apparatus for treating electronic components |
| US7364625B2 (en) * | 2000-05-30 | 2008-04-29 | Fsi International, Inc. | Rinsing processes and equipment |
| JP3635026B2 (ja) * | 2000-06-14 | 2005-03-30 | 株式会社サンテックシステム | 硫酸リサイクル装置 |
| JP2003536270A (ja) | 2000-06-16 | 2003-12-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 単一基板ウェット−ドライ一体型クラスター洗浄機 |
| US7205023B2 (en) * | 2000-06-26 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical mixing in a single wafer process |
| US6841008B1 (en) * | 2000-07-17 | 2005-01-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for cleaning plasma etch chamber structures |
| EP1178300A1 (en) * | 2000-08-04 | 2002-02-06 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for removing an organic material from a semiconductor device |
| JP2002075950A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Nec Corp | 半導体ウエハーの乾燥方法 |
| US6488039B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-12-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing | State of the art constant flow device |
| JP4014127B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2007-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2002114993A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
| TW478062B (en) * | 2000-12-05 | 2002-03-01 | Nat Science Council | A method of surface treatment on the improvement of electrical properties for doped SiO2 films |
| JP2002278473A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Sony Corp | 表示パネルの製造方法 |
| US6584989B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for wet cleaning |
| KR100488376B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 설비 |
| US6969684B1 (en) | 2001-04-30 | 2005-11-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of making a planarized semiconductor structure |
| US20030127603A1 (en) * | 2001-05-15 | 2003-07-10 | Bernard Horowitz | Apparatus for the inactivation of pathogens in protein-containing fluids and uses thereof |
| US20030011774A1 (en) * | 2001-06-05 | 2003-01-16 | Dibello Gerald N. | Methods and systems for monitoring process fluids |
| US6899111B2 (en) | 2001-06-15 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Configurable single substrate wet-dry integrated cluster cleaner |
| EP1293589A3 (en) * | 2001-09-17 | 2004-10-13 | Nissan Motor Company, Limited | Apparatus for pretreatment prior to painting |
| JP2005504908A (ja) | 2001-10-01 | 2005-02-17 | エフエスアイ インターナショナル | 流体を滴下させる装置と、この方法 |
| US20030073242A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Kitchens Keith G. | Apparatus for controlling stripping solutions methods thereof |
| US7513062B2 (en) * | 2001-11-02 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Single wafer dryer and drying methods |
| US6828678B1 (en) | 2002-03-29 | 2004-12-07 | Silicon Magnetic Systems | Semiconductor topography with a fill material arranged within a plurality of valleys associated with the surface roughness of the metal layer |
| US7156927B2 (en) | 2002-04-03 | 2007-01-02 | Fsi International, Inc. | Transition flow treatment process and apparatus |
| KR100909184B1 (ko) * | 2004-03-11 | 2009-07-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 근적외선 분광기를 이용한 리쏘그래피 공정용 조성물의실시간 제어 시스템 및 제어 방법 |
| JP3884440B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | フィルタおよび半導体処理装置 |
| WO2006010109A2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Akrion Technologies, Inc. | Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration |
| US20060011214A1 (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-19 | Zhi Liu | System and method for pre-gate cleaning of substrates |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| WO2006137330A1 (ja) | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2007038263A2 (en) * | 2005-09-23 | 2007-04-05 | Applied Materials, Inc. | Ozonation for elimination of bacteria for wet processing systems |
| DE102007030957A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung |
| WO2011034841A2 (en) * | 2009-09-15 | 2011-03-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for showerhead cleaning |
| DE102009053574A1 (de) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Anlage zur Fertigung von Leiterplatten und Halbleiterprodukten |
| CN102214563B (zh) * | 2010-04-09 | 2013-03-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金属栅极/高k栅介质叠层结构的制备和成形方法 |
| JP5459185B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
| JP5561137B2 (ja) * | 2010-12-07 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
| US9028617B2 (en) | 2011-04-12 | 2015-05-12 | Diversey, Inc. | Cleaning device with single tank recycling system |
| US9293305B2 (en) * | 2011-10-31 | 2016-03-22 | Lam Research Corporation | Mixed acid cleaning assemblies |
| JP6063644B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2017-01-18 | 昭和電工株式会社 | ろう付け用アルミニウム材の製造方法 |
| JP6311956B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2018-04-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液ろ過フィルタの洗浄液、洗浄装置および洗浄方法 |
| KR20170088341A (ko) * | 2014-11-19 | 2017-08-01 | 비코 프리시젼 서피스 프로세싱 엘엘씨 | 탈이온수의 저항률의 금속 무함유 감소 및 제어를 위한 장치 및 방법 |
| US10957529B2 (en) * | 2016-11-28 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for drying wafer with gaseous fluid |
| US10903065B2 (en) * | 2017-05-12 | 2021-01-26 | Lam Research Corporation | Halogen removal module and associated systems and methods |
| JP7133857B2 (ja) * | 2017-08-13 | 2022-09-09 | 株式会社フジキン | 流体供給装置およびこの装置における液体排出方法 |
| US11229856B2 (en) * | 2017-09-29 | 2022-01-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Etching solution recycling system and method for wafer etching apparatus |
| US10663865B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photoresist recycling apparatus |
| SG11202100982SA (en) * | 2018-08-21 | 2021-02-25 | Fujifilm Electronic Materials Usa Inc | Method for processing chemical liquid |
| CN109570162A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-04-05 | 蓝思科技股份有限公司 | 吸塑盒的清洗方法 |
| JP7187303B2 (ja) * | 2018-12-26 | 2022-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置 |
| WO2020226094A1 (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 株式会社キッツ | 洗浄水処理装置と除菌・浄水処理装置並びに洗浄水処理方法 |
| CN115066292B (zh) * | 2019-12-17 | 2025-09-26 | 科发龙技术公司 | 涂覆器件的反应器以及相关系统和方法 |
| EP4205167A4 (en) * | 2020-08-28 | 2024-10-30 | Gatan, Inc. | APPARATUS AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE FAILURE ANALYSIS |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US539075A (en) * | 1895-05-14 | Apparatus for circulating and pumping liquids | ||
| US1318160A (en) * | 1919-10-07 | George w | ||
| US539074A (en) * | 1895-05-14 | Device for circulating or pumping liquids | ||
| US728148A (en) * | 1902-10-18 | 1903-05-12 | Frank M Wever | Acid or other liquid distributing system. |
| US1066993A (en) * | 1908-07-17 | 1913-07-08 | Edward J Carey | Apparatus for pickling meal. |
| US1845139A (en) * | 1928-06-12 | 1932-02-16 | Exley William Herbert | Apparatus for elevating acids and other liquids |
| US2180274A (en) * | 1937-06-30 | 1939-11-14 | Holmes W C & Co Ltd | Pneumatic ejector plant |
| US3005417A (en) * | 1957-04-26 | 1961-10-24 | United States Steel Corp | Pneumatic system for pumping liquid |
| US3437543A (en) * | 1965-03-09 | 1969-04-08 | Western Electric Co | Apparatus for polishing |
| GB1239573A (ja) * | 1968-02-09 | 1971-07-21 | ||
| US3607549A (en) * | 1968-10-09 | 1971-09-21 | Gen Dynamics Corp | Automatic chemical analyzer and controller |
| GB1399867A (en) * | 1971-09-27 | 1975-07-02 | Ici Ltd | Cleaning process |
| US3871914A (en) * | 1971-10-18 | 1975-03-18 | Chemcut Corp | Etchant rinse apparatus |
| US3813311A (en) * | 1973-01-24 | 1974-05-28 | Gen Motors Corp | Process for etching silicon wafers |
| US3964957A (en) * | 1973-12-19 | 1976-06-22 | Monsanto Company | Apparatus for processing semiconductor wafers |
| DE2434305C2 (de) * | 1974-07-17 | 1983-09-29 | Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg | Ätzanlage |
| JPS5141640A (en) * | 1974-10-05 | 1976-04-08 | Kobe Steel Ltd | Kanjosozaino naimensanaraisochi |
| US3977926A (en) * | 1974-12-20 | 1976-08-31 | Western Electric Company, Inc. | Methods for treating articles |
| GB1530978A (en) * | 1976-05-10 | 1978-11-01 | Rca Corp | Method for removing material from a substrate |
| US4079522A (en) * | 1976-09-23 | 1978-03-21 | Rca Corporation | Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors |
| US4159917A (en) * | 1977-05-27 | 1979-07-03 | Eastman Kodak Company | Method for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US4169807A (en) * | 1978-03-20 | 1979-10-02 | Rca Corporation | Novel solvent drying agent |
| US4323452A (en) * | 1979-11-01 | 1982-04-06 | Caterpillar Tractor Co. | Pumpless flow system for a corrosive liquid |
| JPS5742121A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method and apparatus for drying wafer |
| US4479849A (en) * | 1980-09-25 | 1984-10-30 | Koltron Corporation | Etchant removal apparatus and process |
| US4408960A (en) * | 1981-09-11 | 1983-10-11 | Logic Devices, Inc. | Pneumatic method and apparatus for circulating liquids |
| JPS58218135A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Fujitsu Ltd | 自動搬送処理装置 |
| US4426246A (en) * | 1982-07-26 | 1984-01-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch |
| SE440719B (sv) * | 1983-06-17 | 1985-08-12 | Holmstrands Plaatindustri Ab | Sett och anordning vid rengoring av kretskort, som tidigare underkastats en lodningsoperation med flussmedel |
| US4519846A (en) * | 1984-03-08 | 1985-05-28 | Seiichiro Aigo | Process for washing and drying a semiconductor element |
| US4577650A (en) * | 1984-05-21 | 1986-03-25 | Mcconnell Christopher F | Vessel and system for treating wafers with fluids |
-
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