JP2543565B2 - セラミックスの焼成に用いるトンネル炉 - Google Patents
セラミックスの焼成に用いるトンネル炉Info
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- JP2543565B2 JP2543565B2 JP63076445A JP7644588A JP2543565B2 JP 2543565 B2 JP2543565 B2 JP 2543565B2 JP 63076445 A JP63076445 A JP 63076445A JP 7644588 A JP7644588 A JP 7644588A JP 2543565 B2 JP2543565 B2 JP 2543565B2
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- furnace
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- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
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- F27B9/3005—Details, accessories or equipment specially adapted for furnaces of these types arrangements for circulating gases
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、セラミックス、特にセラミックハニカム構
造体の焼成に用いるトンネル炉に関する。
造体の焼成に用いるトンネル炉に関する。
(従来の技術) 従来、セラミックハニカム成形体を焼成する場合、量
産性から第4図に示すトンネル炉が用いられていた。ト
ンネル炉は予熱帯11、焼成帯12および余熱帯13から構成
され、焼成帯12に設けられた燃焼バーナー14により発生
する燃焼ガスは予熱帯11の入口側の低温部に設けた排気
ファン15の吸引力により予熱帯11を通り炉外に排気され
る。このような構造のトンネル炉では、第5図に示すよ
うに、昇温部と一定の温度が維持される焼結部と降温部
を有する焼成条件になっていた。
産性から第4図に示すトンネル炉が用いられていた。ト
ンネル炉は予熱帯11、焼成帯12および余熱帯13から構成
され、焼成帯12に設けられた燃焼バーナー14により発生
する燃焼ガスは予熱帯11の入口側の低温部に設けた排気
ファン15の吸引力により予熱帯11を通り炉外に排気され
る。このような構造のトンネル炉では、第5図に示すよ
うに、昇温部と一定の温度が維持される焼結部と降温部
を有する焼成条件になっていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような焼成条件でセラミック成形
体を焼成すると、得られた焼成品に焼成割れや変形する
ものがあり、特に多数の貫通孔を有するセラミックハニ
カム構造体の場合その発生が多かった。
体を焼成すると、得られた焼成品に焼成割れや変形する
ものがあり、特に多数の貫通孔を有するセラミックハニ
カム構造体の場合その発生が多かった。
本発明の目的は上述した課題を解決して、焼成品に欠
陥がない焼成方法およびそれに用いるトンネル炉を提供
することにある。
陥がない焼成方法およびそれに用いるトンネル炉を提供
することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明のセラミックスの焼成に用いるトンネル炉は、
予熱帯、焼成帯および余熱帯から構成され焼成帯に設け
られた燃焼バーナからの燃焼ガスを予熱帯入口に設けら
れた排気手段により炉外に排気するトンネル炉におい
て、前記予熱帯の出口側の高温部に燃焼ガスを炉外に排
気する排気手段を設けたことを特徴とするものである。
予熱帯、焼成帯および余熱帯から構成され焼成帯に設け
られた燃焼バーナからの燃焼ガスを予熱帯入口に設けら
れた排気手段により炉外に排気するトンネル炉におい
て、前記予熱帯の出口側の高温部に燃焼ガスを炉外に排
気する排気手段を設けたことを特徴とするものである。
(作 用) 上述した構成において、成形助剤の分解温度までの昇
温速度が緩やかであるため成形助剤の熱分解が均一とな
るため、焼成割れあるいは焼成変形が発生しない。
温速度が緩やかであるため成形助剤の熱分解が均一とな
るため、焼成割れあるいは焼成変形が発生しない。
また、上記のセラミックスの焼成条件を単に排気手段
を予熱帯の出口側の高温部に設けるだけで実現可能とし
ている。
を予熱帯の出口側の高温部に設けるだけで実現可能とし
ている。
(実施例) 本発明のセラミックスの焼成法および焼成装置は、従
来の焼成炉およびその焼成条件について調査した知見に
基づく。
来の焼成炉およびその焼成条件について調査した知見に
基づく。
即ち、従来の焼成条件では、セラミック成形体の外表
面と内部との温度分布は、形成体に含まれる成形助剤が
150〜300℃で熱分解し、その発熱は、最初にセラミック
成形体の外周部に次いで内部に発生し、外周部の発熱は
放熱しやすいが、内部の発熱は放熱せず蓄熱されるた
め、第6図に示すようにセラミック成形体の外表面と内
部との間に温度差が生じ、焼成割れが発生しやすいこと
が判明した。特に、セラミックハニカム成形体はその構
造上押出成形法が採用されるため成形助剤がかなり含有
しており、貫通孔を構成する隔壁が薄いため僅かな温度
分布変化に対して焼成割れがあるいは熱変形が生じやす
いことも判明した。
面と内部との温度分布は、形成体に含まれる成形助剤が
150〜300℃で熱分解し、その発熱は、最初にセラミック
成形体の外周部に次いで内部に発生し、外周部の発熱は
放熱しやすいが、内部の発熱は放熱せず蓄熱されるた
め、第6図に示すようにセラミック成形体の外表面と内
部との間に温度差が生じ、焼成割れが発生しやすいこと
が判明した。特に、セラミックハニカム成形体はその構
造上押出成形法が採用されるため成形助剤がかなり含有
しており、貫通孔を構成する隔壁が薄いため僅かな温度
分布変化に対して焼成割れがあるいは熱変形が生じやす
いことも判明した。
従って、本発明のセラミックスの焼成方法は、第1図
に焼成温度と時間との関係を示すように、焼成開始のA
点からセラミック成形体に含有する成形助剤の熱分解温
度のB点までの昇温率を、該B点から焼結温度のC点の
昇温率より小さくする焼成法である。
に焼成温度と時間との関係を示すように、焼成開始のA
点からセラミック成形体に含有する成形助剤の熱分解温
度のB点までの昇温率を、該B点から焼結温度のC点の
昇温率より小さくする焼成法である。
成形助剤とは、メチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、ポリビニールアルコール、澱粉糊等の結合
剤及び表面活性剤、ワックス等の滑剤等である。従っ
て、熱分解温度はこれらの成形助剤の種類により特定さ
れ、昇温速度は成形体の寸法形状、成形助剤の含有量に
より定めることができる。
セルロース、ポリビニールアルコール、澱粉糊等の結合
剤及び表面活性剤、ワックス等の滑剤等である。従っ
て、熱分解温度はこれらの成形助剤の種類により特定さ
れ、昇温速度は成形体の寸法形状、成形助剤の含有量に
より定めることができる。
例えば、タルク、カオリン及びアルミナ原料にメチル
セルロースを主とする成形助剤を加えた杯土をハニカム
構造体に押出成形した場合、メチルセルロースの分解温
度の200℃迄を昇温速度80〜90℃/時で成形体を加熱
し、200℃から焼結保持温度1400℃までを100〜120℃/
時に加熱して、コージェライトセラミックハニカム構造
体が得られる。
セルロースを主とする成形助剤を加えた杯土をハニカム
構造体に押出成形した場合、メチルセルロースの分解温
度の200℃迄を昇温速度80〜90℃/時で成形体を加熱
し、200℃から焼結保持温度1400℃までを100〜120℃/
時に加熱して、コージェライトセラミックハニカム構造
体が得られる。
また、熱分解温度のB点から焼結温度のC点までの昇
温率は、A点からB点までの昇温遅れをもどすように設
定することにより、焼成温度を償うことができる。
温率は、A点からB点までの昇温遅れをもどすように設
定することにより、焼成温度を償うことができる。
次に本発明の焼成炉について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第2図は本発明の焼成方法を実施するトンネル炉の一
例の構成を示す概念図である。本実施例において、トン
ネル炉は予熱帯1、焼成帯2および余熱帯3とから構成
され、予熱帯1の入口側低温部に燃焼ガス排気用の排気
ファン4を設けるとともに、予熱帯1の出口側高温部に
高温のガスを排気するための排気ファン5を設けて構成
している。
例の構成を示す概念図である。本実施例において、トン
ネル炉は予熱帯1、焼成帯2および余熱帯3とから構成
され、予熱帯1の入口側低温部に燃焼ガス排気用の排気
ファン4を設けるとともに、予熱帯1の出口側高温部に
高温のガスを排気するための排気ファン5を設けて構成
している。
このように予熱帯1を構成することにより、焼成帯2
のバーナー6より発生する燃焼ガスが予熱帯1の入口側
の排気ファン4により吸引されて燃焼ガスの流れを生じ
させるとともに、この流れの途中でさらに高温ガスを排
気ファン5により吸引することにより、第1図に示すよ
うなトンネル炉の焼成条件が得られている。排気ファン
5による高温ガスの排気量を変化させることにより、昇
温率を自由に変化させることができる。その結果、焼成
すべき例えばセラミックハニカム成形体における成形助
剤の分解温度付近の昇温速度を遅くすることができ、成
形助剤の分解に起因する成形体の内部と外部との温度差
をなくすことができる。
のバーナー6より発生する燃焼ガスが予熱帯1の入口側
の排気ファン4により吸引されて燃焼ガスの流れを生じ
させるとともに、この流れの途中でさらに高温ガスを排
気ファン5により吸引することにより、第1図に示すよ
うなトンネル炉の焼成条件が得られている。排気ファン
5による高温ガスの排気量を変化させることにより、昇
温率を自由に変化させることができる。その結果、焼成
すべき例えばセラミックハニカム成形体における成形助
剤の分解温度付近の昇温速度を遅くすることができ、成
形助剤の分解に起因する成形体の内部と外部との温度差
をなくすことができる。
第3図は本発明の焼成方法を実施するトンネル炉の他
の例を示す概念図である。第3図に示す実施例におい
て、第2図に示す実施例と同一部材には同一の符号を付
し、その説明を省略する。第3図に示す実施例において
第1図に示す実施例と異なる点は、排気ファン5により
排気された予熱体1の高温部の高温ガスを、温度調節器
7を介して予熱帯1の低温部へ供給するよう構成した点
である。
の例を示す概念図である。第3図に示す実施例におい
て、第2図に示す実施例と同一部材には同一の符号を付
し、その説明を省略する。第3図に示す実施例において
第1図に示す実施例と異なる点は、排気ファン5により
排気された予熱体1の高温部の高温ガスを、温度調節器
7を介して予熱帯1の低温部へ供給するよう構成した点
である。
このように構成することにより、上述した実施例にお
いて、排気ファン5により多量の燃焼ガスを炉外に排出
する場合、即ち成形助剤の分解温度までの昇温率をより
小さくする場合、入口側の排気ファン4側への循環ガス
量が少なくなり、該循環ガスは高温であるため、炉上側
が高温となり炉底側は温度差が生ずることになる。本実
施例では、排気ファン5により排気された燃焼ガスを予
熱帯に導入することにより予熱帯が温度均一となる一
方、上述した実施例と比べて、高温の排気ガスを有効に
再利用できるとともに、温度調節器7により供給するガ
スの温度を変えさらには供給量を変えることにより、ト
ンネル炉全体の熱量を考えたとき全体の熱量をへらすこ
となく所定のヒートカーブを達成することができる。
いて、排気ファン5により多量の燃焼ガスを炉外に排出
する場合、即ち成形助剤の分解温度までの昇温率をより
小さくする場合、入口側の排気ファン4側への循環ガス
量が少なくなり、該循環ガスは高温であるため、炉上側
が高温となり炉底側は温度差が生ずることになる。本実
施例では、排気ファン5により排気された燃焼ガスを予
熱帯に導入することにより予熱帯が温度均一となる一
方、上述した実施例と比べて、高温の排気ガスを有効に
再利用できるとともに、温度調節器7により供給するガ
スの温度を変えさらには供給量を変えることにより、ト
ンネル炉全体の熱量を考えたとき全体の熱量をへらすこ
となく所定のヒートカーブを達成することができる。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
く、幾多の変形、変更が可能である。例えば、上述した
実施例では排気ファンをそれぞれ1個ずつ設けたが、そ
の数は1個に限定されるものでないことはいうまでもな
い。
く、幾多の変形、変更が可能である。例えば、上述した
実施例では排気ファンをそれぞれ1個ずつ設けたが、そ
の数は1個に限定されるものでないことはいうまでもな
い。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明のトンネル炉
は、予熱帯の出口側の高温部に排気ファンを設け、この
排気ファンから所定量の高温ガスを排気することによ
り、焼成時の所望の焼成条件を達成することができる。
その結果、焼成中の成形体の内部と外部との温度差をな
くし、焼成後クラックの発生のない製品を得ることがで
きる。
は、予熱帯の出口側の高温部に排気ファンを設け、この
排気ファンから所定量の高温ガスを排気することによ
り、焼成時の所望の焼成条件を達成することができる。
その結果、焼成中の成形体の内部と外部との温度差をな
くし、焼成後クラックの発生のない製品を得ることがで
きる。
第1図は本発明のセラミックスの焼成法の一実施例を示
す焼成条件図、 第2図は本発明の一実施例であるトンネル炉の側面図、 第3図は本発明の焼成方法を実施するトンネル炉の他の
例の構成を示す概念図、 第4図は従来の焼成法を実施するトンネル炉の一例の構
成を示す概念図、 第5図は第4図に示すトンネル炉のヒートカーブの一例
を示すグラフ、 第6図は従来法における焼成体の内部と外部の温度差を
示すグラフである。 1……予熱帯、2……焼成帯 3……余熱帯、4,5……排気ファン 6……バーナー、7……温度調節器
す焼成条件図、 第2図は本発明の一実施例であるトンネル炉の側面図、 第3図は本発明の焼成方法を実施するトンネル炉の他の
例の構成を示す概念図、 第4図は従来の焼成法を実施するトンネル炉の一例の構
成を示す概念図、 第5図は第4図に示すトンネル炉のヒートカーブの一例
を示すグラフ、 第6図は従来法における焼成体の内部と外部の温度差を
示すグラフである。 1……予熱帯、2……焼成帯 3……余熱帯、4,5……排気ファン 6……バーナー、7……温度調節器
Claims (2)
- 【請求項1】予熱帯、焼成帯および余熱帯から構成され
焼成帯に設けられた燃焼バーナからの燃焼ガスを予熱帯
入口に設けられた排気手段により炉外に排気するトンネ
ル炉において、前記予熱帯の出口側の高温部に燃焼ガス
を炉外に排気する排気手段を設けたことを特徴とするセ
ラミックスの焼成に用いるトンネル炉。 - 【請求項2】前記出口側の排気手段により排気された予
熱帯の高温部の高温ガスを、温度調節器を介して予熱帯
の低温部へ供給するよう構成した請求項1記載のセラミ
ックスの焼成に用いるトンネル炉。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076445A JP2543565B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックスの焼成に用いるトンネル炉 |
| DE1989607105 DE68907105T3 (de) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | Verfahren zum Brennen von keramischen Formkörpern und Tunnelofen dafür. |
| EP19890303202 EP0335735B2 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-31 | A process for firing ceramic shaped bodies and a tunnel kiln used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076445A JP2543565B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックスの焼成に用いるトンネル炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249665A JPH01249665A (ja) | 1989-10-04 |
| JP2543565B2 true JP2543565B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=13605352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076445A Expired - Lifetime JP2543565B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | セラミックスの焼成に用いるトンネル炉 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0335735B2 (ja) |
| JP (1) | JP2543565B2 (ja) |
| DE (1) | DE68907105T3 (ja) |
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| US7577719B2 (en) | 2002-04-10 | 2009-08-18 | Lg Electronics Inc. | Method for controlling home automation system |
| US7914728B2 (en) | 2004-07-14 | 2011-03-29 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing porous honeycomb structure |
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| JP3138656B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2001-02-26 | 日本碍子株式会社 | セラミック成形体の焼成方法 |
| JP3202945B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2001-08-27 | 日本碍子株式会社 | セラミックハニカム構造体の焼成方法 |
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| JP2008119664A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Denso Corp | 排ガス浄化フィルタの製造方法 |
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| CN110577407A (zh) * | 2019-09-19 | 2019-12-17 | 孟津青城古建制品有限公司 | 一种仿古城墙砖控制烧结曲线的方法 |
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1988
- 1988-03-31 JP JP63076445A patent/JP2543565B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1989
- 1989-03-31 EP EP19890303202 patent/EP0335735B2/en not_active Expired - Lifetime
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| EP0335735B1 (en) | 1993-06-16 |
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