JP2025518170A - サイズが低減された弾性表面波デバイス - Google Patents

Abstract

いくつかの実施形態において、弾性表面波デバイスが、圧電基板と、圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含んでよく、弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする。いくつかの実施形態において、位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満であり、弾性表面波は最低非対称（Ａ０）モードを含み得る。いくつかの実施形態において、かかる弾性表面波デバイスが、無線周波数フィルタ、無線周波数モジュール、無線デバイスなどの製品に実装され得る。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０２２年５月３０日に出願された「サイズが低減された弾性表面波デバイス」との名称の米国仮出願第６３／３４６，９５９号の優先権を主張し、その開示は、参照によりその全体がここに明示的に組み込まれる。

本開示は、弾性表面波デバイスおよび関連方法に関する。

弾性表面波（ＳＡＷ）共振器は典型的に、圧電層の一表面に実装されるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。かかる電極は、２つの櫛状セットの指を含み、かかる構成において、同じセットの２つの隣接指間の距離は、ＩＤＴ電極によりサポートされる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。

多くのアプリケーションにおいて、上記ＳＡＷ共振器は、波長λに基づいて無線周波数（ＲＦ）フィルタとして利用することができる。かかるフィルタは、一定数の所望の特徴を与え得る。

米国特許出願公開第２０２０／０２７４５１３号明細書 米国特許出願公開第２０１９／０１３１９５３号明細書 米国特許出願公開第２０２１／０１１９６０６号明細書 米国特許出願公開第２０１９／０３１９６０３号明細書

一定数の実装例によれば、本開示は、圧電基板と、圧電基板の一表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含む弾性表面波デバイスに関し、弾性表面波デバイスは、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートし、電気機械結合係数が少なくとも９．０である。

いくつかの実施形態において、位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満となり得る。

いくつかの実施形態において、弾性表面波は、最低非対称（Ａ０）モードを含み得る。

いくつかの実施形態において、圧電基板は、オイラー角（φ，θ，ψ）を有するＬｉＮｂＯ_３結晶を含み得る。いくつかの実施形態において、角度θは、３０度＜θ＜５０度の範囲としてよい。いくつかの実施形態において、角度θは、３５度＜θ＜４５度の範囲としてよい。いくつかの実施形態において、ＬｉＮｂＯ_３圧電基板は、０．１５λから０．４０λまでの範囲、０．１６λから０．３５λまでの範囲、０．１７λから０．３０λまでの範囲、または０．１８λから０．２５λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成され得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、０．０２λから０．１０λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、弾性表面波デバイスはさらに、圧電基板の上または下に実装された一層を含み得る。この一層は、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するように構成され得る。いくつかの実施形態において、当該一層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から形成されてよい。いくつかの実施形態において、ＳｉＯ_２層は圧電基板の下に実装され得る。いくつかの実施形態において、ＳｉＯ_２層は、０．０３λから０．１λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、弾性表面波デバイスはさらに、圧電基板の下に実装された支持基板を含み得る。いくつかの実施形態において、支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成されてよい。いくつかの実施形態において、支持基板は圧電基板の直下に存在してよい。

いくつかの実施形態において、改善されたＴＣＦ特性を与える当該一層は、支持基板と圧電基板の間に存在してよい。いくつかの実施形態において、支持基板は、当該一層の一部を露出させるキャビティを画定してよい。

いくつかの実装例において、本開示は、信号を受信する入力ノードと、フィルタリングされた信号を与える出力ノードとを含む無線周波数フィルタに関する。無線周波数フィルタはさらに、入力ノードと出力ノードとの間に電気的に存在するように実装された弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、圧電基板と、圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする。

いくつかの実施形態において、位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満となり得る。いくつかの実施形態において、弾性表面波は、最低非対称（Ａ０）モードを含み得る。いくつかの実施形態において、圧電基板はＬｉＮｂＯ_３結晶を含み得る。いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成され得る。

いくつかの実施形態において、無線周波数フィルタはさらに、圧電基板の上または下に実装された一層を含み、当該一層は、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するように構成される。いくつかの実施形態において、当該一層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から形成されてよい。いくつかの実施形態において、ＳｉＯ_２層は圧電基板の下に実装され得る。

いくつかの実施形態において、無線周波数フィルタはさらに、圧電基板の下に実装された支持基板を含み得る。いくつかの実施形態において、支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成されてよい。いくつかの実施形態において、支持基板は圧電基板の直下に存在してよい。

いくつかの実施形態において、改善されたＴＣＦ特性を与える当該一層は、支持基板と圧電基板の間に存在してよい。いくつかの実施形態において、支持基板は、当該一層の一部を露出させるキャビティを画定してよい。

いくつかの教示において、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成されるパッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装されて信号の送信および受信の一方または双方をサポートするべく構成された無線周波数回路とを含む無線周波数モジュールに関する。無線周波数モジュールはさらに、当該信号の少なくともいくつかをフィルタリングするように構成された無線周波数フィルタを含む。無線周波数フィルタは、圧電基板と、圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする。

いくつかの実装例によれば、本開示は、送受信器と、アンテナと、電気的に当該送受信器と当該アンテナとの間に実装される無線システムとを含む無線デバイスに関する。無線システムは、無線システムのためにフィルタリング機能を与えるように構成されたフィルタを含む。フィルタは、圧電基板と、圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする。

いくつかの教示において、本開示は、弾性波デバイスを作製する方法に関する。方法は、圧電基板を形成することまたは設けることと、圧電基板の表面にインターディジタルトランスデューサ電極を実装することとを含み、弾性表面デバイスが、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする。

いくつかの実施形態において、位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満となり得る。いくつかの実施形態において、弾性表面波は、最低非対称（Ａ０）モードを含み得る。

いくつかの実施形態において、圧電基板は、オイラー角（φ，θ，ψ）を有するＬｉＮｂＯ_３結晶を含み得る。いくつかの実施形態において、角度θは、３０度＜θ＜５０度の範囲としてよい。いくつかの実施形態において、角度θは、３５度＜θ＜４５度の範囲としてよい。いくつかの実施形態において、ＬｉＮｂＯ_３圧電基板は、０．１５λから０．４０λまでの範囲、０．１６λから０．３５λまでの範囲、０．１７λから０．３０λまでの範囲、または０．１８λから０．２５λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成され得る。いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、０．０２λから０．１０λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、方法はさらに、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するために、圧電基板の上または下に一層を実装することを含み得る。いくつかの実施形態において、当該一層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から形成されてよい。いくつかの実施形態において、ＳｉＯ_２層は圧電基板の下に実装され得る。いくつかの実施形態において、ＳｉＯ_２層は、０．０３λから０．１λまでの範囲の厚さを有し得る。

いくつかの実施形態において、方法はさらに、圧電基板の下に支持基板を実装することを含み得る。いくつかの実施形態において、支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成されてよい。いくつかの実施形態において、支持基板は圧電基板の直下に存在してよい。

いくつかの実施形態において、改善されたＴＣＦ特性を与える当該一層は、支持基板と圧電基板の間に存在してよい。いくつかの実施形態において、支持基板は、当該一層の一部を露出させるキャビティを画定してよい。

いくつかの実施形態では、弾性表面デバイスは無線周波数フィルタの一部としてよい。

本開示をまとめることを目的として、本発明の所定の側面、利点、および新規な特徴がここに記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、本発明のいずれかの特定の実施形態に従って達成されるわけではないことを理解すべきである。すなわち、本発明は、ここに教示または示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示される一つの利点または複数の利点の一群を達成または最適化する態様で具体化しまたは実施することができる。

圧電基板およびその上に実装されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を有する弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスの平面図を示す。 図１ＡのＳＡＷデバイスの側断面図を示す。 波長λを有する波の最低非対称モード（Ａ０モード）で動作するように構成された例示的なＳＡＷデバイスを示し、一定厚さを有するＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）から形成された圧電基板と、一定厚さを有するアルミニウム（Ａｌ）から形成されたＩＤＴ電極とを備える。 ＬＮ圧電基板の厚さの関数として、様々なモードの位相速度曲線を示す。 いくつかの実施形態において、ここに記載されるＡ０モードをサポートするように構成されたＳＡＷデバイスが、オイラー角（φ，θ，ψ）の圧電基板カット角θの好ましい範囲を含み得ることを示す。 いくつかの実施形態において、ここに記載されるＡ０モードをサポートするように構成されたＳＡＷデバイスが、圧電基板の厚さの好ましい範囲を含み得ることを示す。 いくつかの実施形態において、ＳＡＷデバイスが、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するべく圧電基板の下に設けられたアンダーコート層を含み得ることを示す。 いくつかの実施形態において、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するために、ＳＡＷデバイスがＩＤＴ電極および圧電基板の上に設けられたオーバーコート層を含み得ることを示す。 二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層の厚さを０から０．２λまで掃引したときの、図６のＳＡＷデバイスのシミュレーションによるｋ^２、位相速度、およびＴＣＦのプロットを示す。 二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層の厚さを０．１λから０．２λまで掃引したときの、図７のＳＡＷデバイスのシミュレーションによるｋ^２、位相速度、およびＴＣＦのプロットを示す。 異なるＩＤＴ電極材料を有するＳＡＷデバイスのシミュレーションから得られた、ＩＤＴ電極の厚さの関数としての位相速度およびｋ^２のプロットを示す。 ここに記載される一以上の特性を与えるように、圧電基板と、その上に実装されたＩＤＴ電極とを含むＳＡＷデバイスを示す。 ここに記載される一以上の特性を与えるように、圧電基板と、その上に実装されたＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極を覆うオーバーコート層とを含むＳＡＷデバイスを示す。 ここに記載される一以上の特性を与えるように、圧電基板と、その上に実装されたＩＤＴ電極と、圧電基板の、ＩＤＴ電極が実装された表面とは反対側の表面に接触して設けられたアンダーコート層とを含むＳＡＷデバイスを示す。 図１３のＳＡＷデバイスと同様のＳＡＷデバイスを示す。ここで、支持基板が、アンダーコート層の下面のそれぞれの部分を露出させるキャビティを画定するように示される。 いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器の複数ユニットが、アレイ形態にある間に作製され得ることを示す。 いくつかの実施形態において、ここで説明される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器が、パッケージ化されたデバイスの一部として実装され得ることを示す。 いくつかの実施形態において、図１６のＳＡＷ共振器ベースのパッケージデバイスがパッケージフィルタデバイスとなり得ることを示す。 いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュールが、一以上のＲＦフィルタのアセンブリを含み得ることを示す。 ここに説明される一以上の有利な特徴を有する無線デバイスの一例を描く。

ここに与えられる見出しは、あったとしても便宜上にすぎず、必ずしも特許請求される発明の範囲又は意味に影響を与えるわけではない。

多くの無線周波数（ＲＦ）アプリケーションにおいて、フィルタのダイサイズが、対応するＲＦモジュールのサイズに有意に寄与する。一つのサイズ低減技法が、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器のサイズを低減するように低速度伝搬モードを使用することに関与する。

ここに開示されるのは、低速度特性を有するＳＡＷ共振器に関する例である。いくつかの実施形態において、低速度は、伝搬モードの位相速度を含み、位相速度は、３，０００ｍ／ｓ未満、２，５００ｍ／ｓ未満、または２，１００ｍ／ｓ未満である。いくつかの実施形態において、ここに記載されるＳＡＷ共振器は、薄いＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）層によってＡ０（最低非対称）モードをサポートし、非常に低速度の伝搬モードを生成するように構成され得る。例えば、約２，０００ｍ／ｓの位相速度を達成することができるが、これは従来のソリューションよりも著しく遅い。

図１Ａは、圧電基板１０１およびその上に実装されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１０２を有する弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス１００の平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＳＡＷデバイス１００の側断面図を示す。いくつかの実施形態において、図１Ｂに示すように、ＩＤＴ電極１０２は圧電基板１０１上に形成されてよい。

図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、ＩＤＴ電極１０２の２つの隣接する指間の距離は、ＩＤＴ電極１０２に関連する弾性表面波の波長λと近似的に同じである。さらに、ＩＤＴ電極１０２の各指は横方向の幅Ｆを有するように示され、２つの櫛状にされた隣接する指間にはギャップ距離Ｇが設けられるように示される。

図１Ｂを参照すると、圧電基板１０１はｈ_{ｐｉｅｚｏ}の厚さを有し、ＩＤＴ電極１０２はｈ_ＩＤＴの厚さを有することが示される。

図２は、波長λ＝４μｍの波の最低非対称モード（Ａ０モード）で動作するように構成されたＳＡＷデバイス１００の一例を示し、これは、オイラー角（０，４０，０）および厚さｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λを有するＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）から形成された圧電基板（Ｐｉｅｚｏ）１０１と、厚さｈ_ＩＤＴ＝０．０８λを有するアルミニウム（Ａｌ）から形成されたＩＤＴ電極１０２とを備える。図２のＩＤＴ電極の指カウントＮＩＤＴ代表値は７５λ、指幅は８０μｍである。

前述の方法の構成で、アドミタンス係数プロットの一例を含むシミュレーションにより、図２はさらに、領域１２３のＡ０モードと領域１２４のＡ１（１次非対称）モードとを含むＳＡＷデバイス１００のアドミタンス応答１２０を示す。

サイズ比較の例として、図２の例示的なアドミタンスプロットはさらに、オイラー角（０，３８，０）を有するＬＮと厚さ０．３λのＳｉＯ_２を有する温度補償（ＴＣ）ＳＡＷデバイスに対するアドミタンス応答１２１と、オイラー角（０，１３２，０）を有するＬＮと厚さ０．０８λのアルミニウム（Ａｌ）ＩＤＴ電極とを有する非ＴＣＳＡＷデバイスのアドミタンス応答１２２とを示す。アドミタンス応答１２１、１２２それぞれには、一般に１２４と示される領域にＡ１モードを有することが示される。

図２の例示的なシミュレーションにおいて、ＴＣＳＡＷデバイスのＡ１モード（応答１２１を有する）が、３，５８８ｍ／ｓの位相速度Ｖおよび２．８１ｐＦのＩＤＴ電極容量Ｃを与え、これによりサイズの指標となる比率Ｖ／Ｃが得られることがわかる。前述のＴＣＳＡＷデバイスのＶ／Ｃ比と比較すると、非ＴＣＳＡＷデバイス（応答１２２）は、４，１０８ｍ／ｓの位相速度Ｖ、２．４８ｐＦのＩＤＴ電極容量Ｃを与え、これによりＴＣＳＡＷデバイスのＶ／Ｃ比の１．３倍となる比率Ｖ／Ｃが得られる。ＳＡＷデバイス１００（応答１２０を有する）に対し、Ａ０モードは、１，８９６ｍ／ｓの位相速度Ｖ、２．８０ｐＦのＩＤＴ電極容量Ｃを与え、これによりＴＣＳＡＷデバイスのＶ／Ｃ比の０．５３倍となる比率Ｖ／Ｃが得られる。すなわち、（ＴＣＳＡＷデバイスと比較して）５３％の例示的なサイズ低減が有意となることがわかる。

図３は、オイラー角（０，０，０）を有するＬＮ圧電基板の厚さの関数として、様々なモードの位相速度曲線を示す。詳しくは、Ａ１（１次非対称）モード、Ｓ０（最低対称）モード、ＳＨ０（最低せん断水平（Ｓｈｅａｒ Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ））モード、Ａ０（最低非対称）モードのシミュレーションプロットが示される。ＬＮ圧電基板が０．７λまたは０．６λ未満の場合、Ａ０モードは一般に、他のモード（ＳＨ０，Ｓ０，Ａ１）よりも低い位相速度を与えることがわかる。かかるＬＮ圧電基板の厚さの範囲内において、Ａ０モードの位相速度がＬＮの厚さとともに単調増加することが示されている。すなわち、ＬＮ圧電基板を薄くすることで、例えば１２５と表示された０．２λの厚さにすることで、望ましい低位相速度値を得ることができる。したがって、いくつかの実施形態において、ここに記載の一以上の特徴を有するＳＡＷデバイスは、０．４λ未満、０．３５λ未満、０．３λ未満、または０．２５λ未満の厚さを有する薄いＬＮ圧電基板などの薄い圧電基板を有し得る。

図４は、いくつかの実施形態において、ここに記載されるＡ０モードをサポートするように構成されたＳＡＷデバイスが、オイラー角（φ，θ，ψ）の圧電基板カット角θの好ましい範囲を含み得ることを示す。詳しくは、図４は、カット角θが０度から１８０度の範囲で掃引されたときの、カット角θが変化すること以外は図２の例と同様であるＳＡＷデバイス１００に対する電気機械結合係数ｋ^２のプロットを示す。

ｋ^２は、カット角θが２０度＜θ＜７０度の範囲の値を有するときに良好な値を示し、カット角θが近似的に４０度の値を有するときに近似的に１０％のピーク値を示すことがわかる。すなわち、いくつかの実施形態において、ここに記載の一以上の特徴を有するＳＡＷデバイスは、２０度＜θ＜７０度の範囲内、２０度＜θ＜６０度の範囲内、２５度＜θ＜５５度の範囲内、３０度＜θ＜５０度の範囲内、または３５度＜θ＜４５度の範囲内のカット角θを有するＬＮ圧電基板などの圧電基板を有し得る。図４において、かかるカット角θの好ましい範囲を一般に１２６として示す。

図４の例では、１２７と表示された好ましいカット角θの範囲を含む、０度から１８０度までのカット角θの範囲を通して、位相速度が２，０００ｍ／ｓ未満または２，０００ｍ／ｓに近いままであることが、下側パネルにおいてわかる。

図５は、いくつかの実施形態において、ここに記載されるＡ０モードをサポートするように構成されたＳＡＷデバイスが、圧電基板の厚さの好ましい範囲を含み得ることを示す。詳しくは、図５は、ＬＮ圧電基板の厚さを０．１λから０．４５λまでの範囲を通して掃引したときの、ＬＮ厚さが変化すること以外は図２の例と同様であるＳＡＷデバイス１００に対する電気機械結合係数ｋ^２のプロットを示す。

ＬＮ厚さが０．１５λから０．４５λまでの範囲内の値を有するとき、ｋ^２が良好な値を有することがわかる。しかしながら、図５の下側パネルに示すように、３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度（ＬＮ厚さが約０．４５λの場合）が望ましい場合、０．１５λから０．４０λまでのＬＮ厚さ範囲が、低い位相速度および高いｋ^２が高い方が望ましい場合に好ましい。すなわち、いくつかの実施形態において、ここに記載の一以上の特徴を有するＳＡＷデバイスは、０．１５λから０．４０λまでの範囲内、０．１６λから０．３５λまでの範囲内、０．１７λから０．３０λまでの範囲内、または０．１８λから０．２５λまでの範囲内の厚さを有するＬＮ圧電基板などの圧電基板を有し得る。

図５を参照すると、選択された０．２λのＬＮ厚さ（上側パネルにおいて１２８として表示）がｋ^２の最大値を与えないことがわかる。しかしながら、そのような選択された０．２λのＬＮ厚（下側パネルにおいて１２９として表示）は、２，０００ｍ／ｓ未満の位相速度、および－５５／－６６ｐｐｍ／ｄｅｇのＴＣＦ（周波数温度係数）を与える。したがって、０．２λのＬＮ厚さは、ｋ^２が１０以上の値を有し、位相速度が２，０００ｍ／ｓ以下である所望のパラメータセットの一例となり得る。

図６は、いくつかの実施形態において、ＳＡＷデバイス１００が、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するために、圧電基板１０１の下に設けられたアンダーコート層１０４を含み得ることを示す。図６の例において、ＩＤＴ電極１０２が、図１ＢのＳＡＷデバイス１００と同様に圧電基板１０１上に形成されるように示される。いくつかの実施形態において、アンダーコート層１０４は、厚さｈ_ＳｉＯ２を有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などの材料から形成され得る。

図７は、いくつかの実施形態において、ＳＡＷデバイスが、ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するために、ＩＤＴ電極１０２および圧電基板１０１の上に設けられたオーバーコート層１０４を含み得ることを示す。図７の例において、ＩＤＴ電極１０２が、図１ＢのＳＡＷデバイス１００と同様に圧電基板１０１上に形成されるように示される。いくつかの実施形態において、オーバーコート層１０４はＩＤＴ電極１０２を完全に覆ってよい。いくつかの実施形態において、オーバーコート層１０４は、一定厚さｈ_ＳｉＯ２を有する二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）などの材料から形成され得る。

図８は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層（１０４）の厚さｈ_ＳｉＯ２を０から０．２λまで掃引したときの、図６のＳＡＷデバイス１００のシミュレーションによるｋ^２、位相速度、およびＴＣＦのプロットを示す。図８の例において、ＬＮ圧電基板１０１およびＩＤＴ電極１０２は図２のＳＡＷデバイス１００と同様に構成され、ＬＮオイラー角（０，４０，０）、ＬＮ厚さｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λ、およびＡｌ製のＩＤＴ電極厚さｈ_ＩＤＴ＝０．０８λである。

図８のｋ^２プロットを参照すると、ＳｉＯ_２層のない図５のｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λ構成（ｈ_ＳｉＯ２＝０の図８の構成も同様）の、近似的に１０のｋ^２値と比較した場合、ＳｉＯ_２厚さｈ_ＳｉＯ２の範囲（例えば、約０．０３λから０．１λまで、一般に１３０として表示）では、ｋ^２性能が改善する（例えば、ｋ^２≧１０．４）ことがわかる。

図８の位相速度プロットを参照すると、ＳｉＯ_２の厚さｈ_ＳｉＯ２が増加するにつれて、位相速度が単調増加することがわかる。ｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λの図５の例（ＳｉＯ_２層なし）と同様に、図８の位相速度は、ｈ_ＳｉＯ２＝０の場合に２，０００ｍ／ｓ未満となる。位相速度はその後、ｈ_ＳｉＯ２＝０．２λの場合に約２，５００ｍ／ｓまで増加する。

図８の底部パネルを参照すると、１３２、１３１として表示された２つの曲線が、ＳｉＯ_２層の厚さを０から０．２λまで掃引したときの、共振周波数のＴＣＦおよび反共振周波数のＴＣＦそれぞれに対応する。ＳｉＯ_２層１０４の存在が一般に、ＴＣＦ性能を改善することがわかる。

図９は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層（１０４）の厚さｈ_ＳｉＯ２を０．１λから０．２λまで掃引したときの、図７のＳＡＷデバイス１００のシミュレーションによるｋ^２、位相速度、およびＴＣＦのプロットを示す。図９の例において、ＬＮ圧電基板１０１およびＩＤＴ電極１０２は図２のＳＡＷデバイス１００と同様に構成され、ＬＮオイラー角（０，４０，０）、ＬＮ厚さｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λ、およびＡｌ製のＩＤＴ電極厚さｈ_ＩＤＴ＝０．０８λである。

図９のｋ^２プロットを参照すると、ＳｉＯ_２の厚さｈ_ＳｉＯ２の全範囲（０．１λから０．２λまで）に対し、ＳｉＯ_２層なしの図５のｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λ構成の近似的に１０のｋ^２値と比較した場合、ｋ^２性能が劣化している（例えば、ｋ^２≦９）ことがわかる。

図９の位相速度プロットを参照すると、ＳｉＯ_２の厚さｈ_ＳｉＯ２が増加するにつれて、位相速度が単調増加することがわかる。例えば、位相速度は、ｈ_ＳｉＯ２＝０．１λのときに約２，５００ｍ／ｓであり、ｈ_ＳｉＯ２＝０．２λのときに約２，５００ｍ／ｓである。

図９の底部パネルを参照すると、１３４、１３３として表示された２つの曲線が、ＳｉＯ_２層の厚さを０．１λから０．２λまで掃引したときの、共振周波数のＴＣＦおよび反共振周波数のＴＣＦそれぞれに対応する。ＳｉＯ_２層１０４の存在が一般に、ＴＣＦ性能を改善することがわかる。

図８および図９の例を参照すると、いくつかの実施形態において、ｋ^２性能の改善が望まれる場合には、図８の構成（ＳｉＯ_２アンダーコート層１０４あり）が図９の構成（ＳｉＯ_２オーバーコート層１０４あり）よりも好ましいことがわかる。

図１０は、異なるＩＤＴ電極材料を有するＳＡＷデバイスのシミュレーションから得られた、ＩＤＴ電極の厚さの関数としての位相速度およびｋ^２のプロットを示す。図１０の例において、ＳＡＷデバイス１００が、図２のＳＡＷデバイス１００と同様のＬＮ圧電基板１０１を有し、ＬＮオイラー角（０、４０、０）およびＬＮ厚さｈ_{ｐｉｅｚｏ}＝０．２λであることが示される。かかるＳＡＷデバイスは、２．７０ｇ／ｃｍ^３の密度を有するアルミニウム（Ａｌ）、８．９６ｇ／ｃｍ^３の密度を有する銅（Ｃｕ）、１０．２８ｇ／ｃｍ^３の密度を有するモリブデン（Ｍｏ）、１９．２５ｇ／ｃｍ^３の密度を有するタングステン（Ｗ）、または２１．４５ｇ／ｃｍ^３の密度を有する白金（Ｐｔ）から形成されたＩＤＴ電極１０２を備える。

図１０の位相速度プロットに示すように、ＩＤＴ電極の厚さｈ_ＩＤＴが０．０２λから０．１０λまで増加するにつれて、位相速度が一般に減少し（Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔの場合）、または一般に同程度のままとなる（Ａｌの場合）ことがわかる。例示的な材料および厚さの値のすべてにおいて、位相速度の値は２，０００ｍ／ｓ未満である。

図１０のｋ^２プロットに示されるように、ＩＤＴ電極の厚さｈ_ＩＤＴが、０．０２λから０．１０λまで増加するにつれて、ｋ^２が一般に増加することがわかる。例示的な材料および厚さの値のすべてにおいて、位相速度の値は２，０００ｍ／ｓ未満である。

図１０のｋ^２および位相速度のプロットを参照すると、一般に、ＩＤＴ電極の密度が高ければ高いほど、位相速度の値が低くなり、ｋ^２の値が高くなることがわかる。例えば、Ｗ電極およびＰｔ電極のような高密度のＩＤＴ電極は、Ａｌ電極およびＭｏ電極のような低密度のＩＤＴ電極よりも低い位相速度値を与える。さらに、Ｗ電極およびＰｔ電極のような高密度のＩＤＴ電極は、Ａｌ電極のような低密度のＩＤＴ電極よりも低い位相速度値を与える。これらを総合すると、いくつかの実施形態において、ＳＡＷデバイスに低い位相速度特性および高いｋ^２特性を与えるには、高密度のＩＤＴ電極が望ましくなり得ることがわかる。

図１１から図１４は、いくつかの実施形態において、ここに記載の一以上の特徴を有するＳＡＷデバイスが支持基板を含み得ることを示す。例えば、図１１は、圧電基板１０１と、その上に、図２のＳＡＷデバイス１００に関連する一以上の特性など、ここに記載の一以上の特性を与えるべく実装されたＩＤＴ電極１０２とを含むＳＡＷデバイス１００を示す。図１１において、ＳＡＷデバイス１００はさらに、圧電基板１０１の、ＩＤＴ電極１０２が設けられている表面とは反対側の表面に接触して設けられた支持基板１０５を含むように示される。

他例において、図１２は、圧電基板１０１と、その上に実装されたＩＤＴ電極１０２と、図７のＳＡＷデバイス１００に関連する１つ以上の特性など、ここに記載の一以上の特性を与えるべくＩＤＴ電極１０２を覆うオーバーコート層１０４とを含むＳＡＷデバイス１００を示す。図１２において、ＳＡＷデバイス１００はさらに、圧電基板１０１の、ＩＤＴ電極１０２が設けられている表面とは反対側の表面に接触して設けられた支持基板１０５を含むように示される。

さらなる他例において、図１３は、圧電基板１０１と、その上に実装されたＩＤＴ電極１０２と、図５のＳＡＷデバイス１００に関連する一以上の特性など、ここに記載の一以上の特性を与えるべく、圧電基板１０１の、ＩＤＴ電極１０２が実装された表面とは反対側の表面と接触するように設けられたアンダーコート層１０４とを含むＳＡＷデバイス１００を示す。図１３において、ＳＡＷデバイス１００はさらに、アンダーコート層１０４の表面に接触して設けられた支持基板１０５を含み、アンダーコート層１０４が圧電基板１０１と支持基板１０５との間に存在するように示される。

さらなる他例において、図１４は、図１３のＳＡＷデバイス１００と同様のＳＡＷデバイス１００を示す。図１４の例において、支持基板１０５は、アンダーコート層１０４の下側のそれぞれの部分を露出させるキャビティ１０６を画定するように示される。いくつかの実施形態において、かかるキャビティは、ＩＤＴ電極１０２の一般に下に存在するように寸法決めおよび配置がされてよい。

いくつかの実施形態において、図１１から図１４の例における支持基板１０５は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナなどの半導体または絶縁体から形成されてよい。いくつかの実施形態において、かかる支持基板は、特に圧電基板が比較的薄い場合に、それぞれの圧電基板を支持するように構成されてよい。

いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を、製品として実装することができ、かかる製品を他の製品に含ませることができる。かかる異なる製品の例が図８から１２を参照して記載される。

図１５は、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器の複数ユニットが、アレイ形態にある間に作製され得ることを示す。例えば、ウェハ２００が、一アレイのユニット１００’を含み、かかるユニットが、一緒に結合されたまま一定数のプロセスステップを介して処理される。

上述したウェハ形式でのプロセスステップの完了時、当該一アレイのユニット１００’を個片化して多数のＳＡＷ共振器１００を与えることができる。図１５は、そのようなＳＡＷ共振器１００の一つを描いており、かかるＳＡＷ共振器は、ここで説明される一以上の特徴を含み得る。

図１６は、いくつかの実施形態において、ここで説明される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器１００が、パッケージ化されたデバイス３００の一部として実装され得ることを示す。かかるパッケージデバイスは、ＳＡＷ共振器１００を含む一以上のコンポーネントを受容および支持するように構成されたパッケージング基板３０２を含み得る。

図１７は、いくつかの実施形態において、図１６のＳＡＷ共振器ベースのパッケージデバイス３００がパッケージフィルタデバイス３００となり得ることを示す。かかるフィルタデバイスは、ＲＦフィルタリング機能のようなフィルタリング機能を与えるように構成されたＳＡＷ共振器１００を受容及び支持するのに適切なパッケージング基板３０２を含み得る。

図１８は、いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュール４００が、一以上のＲＦフィルタのアセンブリ４０６を含み得ることを示す。かかるフィルタは、ＳＡＷ共振器ベースのフィルタ１００、パッケージフィルタ３００、またはこれらの何らかの組み合わせとしてよい。いくつかの実施形態において、図１８のＲＦモジュール４００はまた、例えば、ＲＦ集積回路（ＲＦＩＣ）４０４およびアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）４０８も含んでよい。かかるモジュールは、例えば、無線動作をサポートするべく構成されたフロントエンドモジュールとしてよい。いくつかの実施形態において、上述したコンポーネントの一部またはすべてが、パッケージング基板４０２によって取り付けられおよび支持されてよい。

いくつかの実装において、ここに記載される一以上の特徴を有するデバイスおよび／または回路が、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含まれてよい。かかるデバイスおよび／または回路は、無線デバイスに直接実装し、ここに記載されるモジュラー形式で実装し、またはこれらの何らかの組み合わせで実装してよい。いくつかの実施形態において、かかる無線デバイスは、例えば、携帯電話機、スマートフォン、電話機能ありまたはなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。

図１９は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイス５００の一例を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュールは一般に破線の四角４００によって描かれ、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）として実装することができる。かかる例において、ここに記載される一以上のＳＡＷフィルタは、例えば、デュプレクサ５２６のようなフィルタのアセンブリに含まれてよい。

図１９を参照すると、複数の電力増幅器（ＰＡ）５２０が、対応するＲＦ信号を送受信器５１０から受信し得る。送受信器５１０は、増幅および送信されるＲＦ信号を生成するべく、および受信した信号を処理するべく、周知の態様で構成されおよび動作し得る。送受信器５１０は、ベース帯域サブシステム４０８と相互作用するように示される。ベース帯域サブシステム４０８は、ユーザにとって適切なデータおよび／または音声信号と、送受信器５１０にとって適切なＲＦ信号との変換を与えるように構成される。送受信器５１０はまた、無線デバイス５００の動作のための電力を管理するように構成された電力管理コンポーネント５０６と通信することができる。かかる電力管理はまた、ベース帯域サブシステム５０８およびモジュール４００の動作も制御することができる。

ベース帯域サブシステム５０８は、ユーザへ与えられ及びユーザから受信される音声および／またはデータの様々な入出力を容易にするべくユーザインタフェイス５０２に接続されるように示される。ベース帯域サブシステム５０８はまた、無線デバイスの動作を容易にするべく、および／またはユーザのために情報を格納するべく、データおよび／または命令を格納するように構成されたメモリ５０４にも接続される。

無線デバイス５００の例において、複数のＰＡ５２０の出力は、対応するデュプレクサ５２６に引き回されるように示される。かかる増幅およびフィルタリングされた信号は、送信を目的として、アンテナスイッチ５１４を介してアンテナ５１６へと引き回される。いくつかの実施形態において、デュプレクサ５２６により、共通アンテナ（例えば５１６）を使用しての送信動作および受信動作が同時に行われるようになる。図１９において、受信信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示せず）へと引き回されるように示される。

ここでは、ＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）を含む圧電基板の文脈で様々な例が説明されるにもかかわらず、本開示の一以上の特徴は、ＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）などの他の圧電基板を利用して実施することもできることが理解される。

文脈が明確にそうでないことを要求しない限り、明細書および特許請求の範囲全体を通して、「含む」、「備える」等の用語は、排他的または網羅的な意味とは逆の、包括的な意味で、すなわち「～を含むがこれに限られない」意味で解釈されるべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、２つ以上の要素が、直接に接続されるか、または一以上の中間要素を経由して接続されるかのいずれかとなり得ることを言及する。加えて、本願において使用される場合、用語「ここで」、「上」、「下」、および同様の意味の用語は、本願全体を言及するものとし、本願のいずれか特定の部分を言及するわけではない。文脈上許容される場合、単数又は複数の数を使用する上記の説明における用語は、それぞれ複数又は単数の数も含み得る。２つ以上の項目のリストを参照する「または」および「もしくは」という用語は、その用語の以下の解釈、すなわち、リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目のすべて、およびリスト内の項目の任意の組み合わせ、のすべてをカバーする。

本発明の実施形態の上記説明は、網羅的であることを意図したものではなく、または上記開示の正確な形態に本発明を限定することを意図したものでもない。本発明の特定の実施形態および例は、説明目的のために上述されているが、当業者が認識するように、本発明の範囲内で様々な等価な修正例が可能である。例えば、プロセスまたはブロックが所与の順序で提示される一方、代替の実施形態が異なる順序でステップを有するルーチンを実行しまたはブロックを有するシステムを用いることができ、いくつかのプロセスまたはブロックは、削除、移動、追加、細分化、結合および／または修正され得る。これらのプロセスまたはブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装してよい。また、プロセスまたはブロックは、直列に実行されるように示されることがある一方、これらのプロセスまたはブロックは、その代わりに並列に実行されてもよく、または異なる時刻に実行されてもよい。

ここに与えられる本発明の教示は、必ずしも上述のシステムというわけではない他のシステムに適用することができる。上述の様々な実施形態の要素および作用は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせてよい。

本発明の一定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は例としてのみ提示されており、本開示の範囲を限定することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法およびシステムは、様々な他の形式で具体化してよく、さらには、ここに記載される方法およびシステムの形式の様々な省略、置換および変更を、本開示の要旨から逸脱することなく行ってよい。添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物は、本開示の範囲および要旨に収まるような形式または修正をカバーすることが意図される。

Claims (52)

1. 弾性表面波デバイスであって、
   圧電基板と、
   前記圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極と
   を含み、
   前記弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする、弾性表面波デバイス。
2. 前記位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満である、請求項１の弾性表面波デバイス。
3. 前記弾性表面波は最低非対称（Ａ０）モードを含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
4. 前記圧電基板は、オイラー角（φ，θ，ψ）を有するＬｉＮｂＯ_３結晶を含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
5. 角度θが３０度＜θ＜５０度の範囲にある、請求項４の弾性表面波デバイス。
6. 角度θが３５度＜θ＜４５度の範囲にある、請求項５の弾性表面波デバイス。
7. 前記ＬｉＮｂＯ_３圧電基板は、０．１５λから０．４０λまでの範囲、０．１６λから０．３５λまでの範囲、０．１７λから０．３０λまでの範囲、または０．１８λから０．２５λの範囲にある厚さを有する、請求項４の弾性表面波デバイス。
8. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成される、請求項１の弾性表面波デバイス。
9. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は０．０２λから０．１０λまでの範囲にある厚さを有する、請求項８の弾性表面波デバイス。
10. 前記圧電基板の上または下に実装された一層をさらに含み、
    前記一層は、前記ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するように構成される、請求項１の弾性表面波デバイス
11. 前記一層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から形成される、請求項１０の弾性表面波デバイス。
12. 前記ＳｉＯ_２層は前記圧電基板の下に実装される、請求項１１の弾性表面波デバイス。
13. 前記ＳｉＯ_２層は０．０３λから０．１λまでの範囲にある厚さを有する、請求項１１の弾性表面波デバイス。
14. 前記圧電基板の下に実装された支持基板をさらに含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
15. 前記支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成される、請求項１４の弾性表面波デバイス。
16. 前記支持基板は前記圧電基板の直下に存在する、請求項１４の弾性表面波デバイス。
17. ＴＣＦ特性を改善するための前記一層は、前記支持基板と前記圧電基板との間に存在する、請求項１４の弾性表面波デバイス。
18. 前記支持基板は、前記一層の一部を露出させるキャビティを画定する、請求項１７の弾性表面波デバイス。
19. 無線周波数フィルタであって、
    信号を受信する入力ノードと、
    フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
    前記入力ノードと前記出力ノードとの間に電気的に存在するように実装された弾性表面波デバイスと
    を含み、
    前記弾性表面波デバイスは、圧電基板と、前記圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、前記弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする、無線周波数フィルタ。
20. 前記位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満である、請求項１９の無線周波数フィルタ。
21. 前記弾性表面波は最低非対称（Ａ０）モードを含む、請求項１９の無線周波数フィルタ。
22. 前記圧電基板はＬｉＮｂＯ_３結晶を含む、請求項１９の無線周波数フィルタ。
23. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成される、請求項１９の無線周波数フィルタ。
24. 前記圧電基板の上または下に実装された一層をさらに含み、
    前記一層は、前記ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するように構成される、請求項１９の無線周波数フィルタ
25. 前記一層は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成される、請求項２４の無線周波数フィルタ。
26. 前記ＳｉＯ_２層は前記圧電基板の下に実装される、請求項２５の無線周波数フィルタ。
27. 前記圧電基板の下に実装された支持基板をさらに含む、請求項１９の無線周波数フィルタ。
28. 前記支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成される、請求項２７の無線周波数フィルタ。
29. 前記支持基板は前記圧電基板の直下に存在する、請求項２７の無線周波数フィルタ。
30. ＴＣＦ特性を改善するための前記一層は、前記支持基板と前記圧電基板との間に存在する、請求項２７の無線周波数フィルタ。
31. 前記支持基板は、前記一層の一部を露出させるキャビティを画定する、請求項３０の無線周波数フィルタ。
32. 無線周波数モジュールであって、
    複数のコンポーネントを受容するように構成されたパッケージ基板と、
    前記パッケージ基板に実装されて複数の信号の送信および受信の一方または双方をサポートするように構成された無線周波数回路と、
    前記信号の少なくとも一部に対してフィルタリングを与えるように構成された無線周波数フィルタと
    を含み、
    前記無線周波数フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、前記弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする、無線周波数モジュール。
33. 無線デバイスであって、
    送受信器と、
    アンテナと、
    前記送受信器と前記アンテナとの間に電気的に存在するように実装された無線システムとを
    含み、
    前記無線システムは、前記無線システムにフィルタリング機能を与えるように構成されたフィルタを含み、前記フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板の表面に実装されたインターディジタルトランスデューサ電極とを含み、前記弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする、無線デバイス。
34. 弾性表面波デバイスを製作する方法であって、
    圧電基板を形成することまたは設けることと、
    前記圧電基板の表面にインターディジタルトランスデューサ電極を実装することと
    を含み、
    前記弾性表面波デバイスは、少なくとも９．０の電気機械結合係数により、波長λおよび３，０００ｍ／ｓ未満の位相速度を有する弾性表面波をサポートする、方法。
35. 前記位相速度は２，０００ｍ／ｓ未満である、請求項３４の方法。
36. 前記弾性表面波は最低非対称（Ａ０）モードを含む、請求項３４の方法。
37. 前記圧電基板は、オイラー角（φ，θ，ψ）を有するＬｉＮｂＯ_３結晶を含む、請求項３４の方法。
38. 角度θが３０度＜θ＜５０度の範囲にある、請求項３７の方法。
39. 角度θが３５度＜θ＜４５度の範囲にある、請求項３８の方法。
40. 前記ＬｉＮｂＯ_３圧電基板は、０．１５λから０．４０λまでの範囲、０．１６λから０．３５λまでの範囲、０．１７λから０．３０λまでの範囲、または０．１８λから０．２５λの範囲にある厚さを有する、請求項３７の方法。
41. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、モリブデン、銅、タングステンまたは白金から形成される、請求項３４の方法。
42. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は０．０２λから０．１０λまでの範囲にある厚さを有する、請求項４１の方法。
43. 前記ＳＡＷデバイスの周波数温度係数（ＴＣＦ）特性を改善するために、前記圧電基板の上または下に一層を実装することをさらに含む、請求項３４の方法。
44. 前記一層は二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）から形成される、請求項４３の方法。
45. 前記ＳｉＯ_２層は前記圧電基板の下に実装される、請求項４４の方法。
46. 前記ＳｉＯ_２層は０．０３λから０．１λまでの範囲にある厚さを有する、請求項４４の方法。
47. 前記圧電基板の下に支持基板を実装することをさらに含む、請求項３４の方法。
48. 前記支持基板は、ケイ素、水晶、サファイア、ガラス、シリカ、ゲルマニウム、またはアルミナから形成される、請求項４７の方法。
49. 前記支持基板は前記圧電基板の直下に存在する、請求項４７の方法。
50. ＴＣＦ特性を改善するための前記一層は、前記支持基板と前記圧電基板との間に存在する、請求項４７の方法。
51. 前記支持基板は、前記一層の一部を露出させるキャビティを画定する、請求項５０の方法。
52. 前記弾性表面デバイスは無線周波数フィルタの一部である、請求項３４の方法。

Images