[go: up one dir, main page]

JP2025109030A - 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体 - Google Patents

基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体

Info

Publication number
JP2025109030A
JP2025109030A JP2024002678A JP2024002678A JP2025109030A JP 2025109030 A JP2025109030 A JP 2025109030A JP 2024002678 A JP2024002678 A JP 2024002678A JP 2024002678 A JP2024002678 A JP 2024002678A JP 2025109030 A JP2025109030 A JP 2025109030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
camera
patches
chuck
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2024002678A
Other languages
English (en)
Inventor
享 杉山
Susumu Sugiyama
康敏 梅原
Yasutoshi Umehara
拓也 森
Takuya Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2024002678A priority Critical patent/JP2025109030A/ja
Publication of JP2025109030A publication Critical patent/JP2025109030A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】キャリブレーションが容易な基板撮像装置を提供する。
【解決手段】基板撮像装置50は、基板Wに対する処理を行う基板処理装置1内において、基板Wを保持するチャック201と、チャック201により保持された基板Wに光を照射する光源と、チャック201により保持された基板Wを撮像するカメラと、カメラの視野内において互いに異なる位置にそれぞれ固定され、光源からの光を互いに異なる色でカメラに反射する複数のパッチ600と、を備え、複数のパッチ600は、基板処理装置1内に常在する部材に固定されている。
【選択図】図8

Description

本開示は、基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体に関する。
特許文献1には、WISモジュールの較正方法が開示されている。この較正方法は、所定のパターンの厚さ変化又は色変化を有するテストウェハーを使用して、マルチスペクトルバンドオフセット値を生成し得る。マルチスペクトルバンドオフセット値は、基板から取得されたマルチスペクトルバンド値に適用されて、複数のWISモジュール内に含まれるカメラシステム同士の間のスペクトル応答性の差を補償する、較正されたRGB値を生成し得る。
特表2023-502872号公報
本開示は、キャリブレーションが容易な基板撮像装置を提供する。
本開示の一側面に係る基板撮像装置は、基板に対する処理を行う基板処理装置内において、基板を保持するチャックと、チャックにより保持された基板に光を照射する光源と、チャックにより保持された基板を撮像するカメラと、カメラの視野内において互いに異なる位置にそれぞれ固定され、光源からの光を互いに異なる色でカメラに反射する複数のパッチと、を備える。
本開示によれば、キャリブレーションが容易な基板撮像装置を提供することができる。
ウェハ処理システムの構成を模式的に例示する平面図である。 図1のウェハ処理システムの正面図である。 基板撮像装置の一例を上方から見た断面図である。 図3の基板撮像装置を側方から見た断面図である。 図3の基板撮像装置の斜視図である。 周縁撮像サブユニット及び裏面撮像サブユニットを例示する斜視図である。 裏面撮像サブユニットを例示する側面図である。 チャックに固定された複数のパッチを例示する平面図である。 チャックに固定された複数のパッチを例示する断面図である。 パッチの構造を例示する側面図である。 被膜に刻まれた凹凸パターンを例示する図である。 拡張ブラケットを例示する側面図である。 拡張ブラケットに固定された複数のパッチを例示する平面図である。 拡張ブラケットの変形例を示す平面図である。 ステージに固定された複数のパッチを例示する平面図である。 ミラー部材に固定された複数のパッチを例示する斜視図である。 ウェハ搬送装置のハンドに固定された複数のパッチを例示する平面図である。 制御装置の機能的な構成を例示するブロック図である。 制御装置の変形例を示すブロック図である。 制御装置の更なる変形例を示すブロック図である。 制御装置のハードウェア構成を例示するブロック図である。 基板撮像手順を例示するフローチャートである。
以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
〔ウェハ処理システム〕
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図1、2は、それぞれウェハ処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウェハ処理システム1がウェハWに対してレジスト膜の形成処理および現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
ウェハ処理システム1は、図1に示すように複数枚のウェハWを収容したカセットCが搬入出されるカセットステーション2と、ウェハWに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション3と、を有する。そしてウェハ処理システム1は、カセットステーション2と、処理ステーション3と、処理ステーション3とは反対側に隣接する露光装置(図示せず)との間でウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション4と、を一体に接続した構成を有している。なお、処理ステーション3は図1に示すようにカセットステーション2とインターフェイスステーション4の間に2基設置されているが、1基でもよく3基以上設置されてもよい。
カセットステーション2には、複数のカセット載置台21とウェハ搬送装置22および23が設けられている。カセットステーション2は、ウェハ搬送装置22または23によって、載置台12に載置されたカセットCと処理ステーション3との間でウェハWを搬送する。そのために、ウェハ搬送装置22および23は、各々がX方向、Y方向、上下方向、鉛直軸回り(θ方向)といった方向の駆動機構が必要に応じて備わっており、全ての方向の駆動機構を備えていてもよい。
ウェハ搬送装置22および23の少なくともいずれかがカセットCとウェハWの受け渡しが可能であり、また、処理ステーション3とのウェハWの受け渡し動作が可能である。なお、処理ステーション3とのウェハWの受け渡し動作とは、例えば、後述の処理ステーション3内のウェハ搬送装置33がアクセス可能な受け渡し装置を備える第3のブロックG3との間でウェハWの受け渡しを行うことである。第3のブロックG3は、上下方向に並ぶ複数の受け渡し装置(図示無し)を備えていてもよい。
なお、カセットステーション2は、ウェハ搬送装置22および23のいずれかがアクセス可能な位置に、ウェハWに対して検査を行う検査装置(図示無し)を備えていてもよい。
処理ステーション3には、複数のブロック、例えば第1,第2,第4の3つのブロックG1、G2、G4が設けられている。また、図2に示すように第1,第2のブロックG1、G2を備える層31が複数、上下方向に積層されている。例えば処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1のブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2のブロックG2が設けられている。処理ステーション3のインターフェイスステーション4側(図1のY方向正方向側)あるいは隣接する別の処理ステーション3との接続部分には、第4のブロックG4が設けられている。第4のブロックG4は、上下方向に並ぶ複数の受け渡し装置を備えていてもよい。また、前述の第3のブロックG3が処理ステーション3内に設けられていてもよい。
第1のブロックG1には、複数の処理装置、例えば共に図示されないパターニング用膜形成装置や現像処理装置が配置される。パターニング用膜形成装置としては、例えば、レジスト膜形成装置のほか、反射防止膜形成装置を含むことができる。例えば複数の処理装置が水平方向に並べて配置されている。なお、これら処理装置の数や配置、種類は、任意に選択できる。
これらパターニング用膜形成装置や現像処理装置では、例えばウェハW上に所定の処理液を供給すること、または、所定のガスを供給することが行われる。そのようにして、パターニング用膜形成装置では、下層側の膜のパターンを形成する際のマスクとして利用されるレジスト膜の形成や、露光処理を一例とする光照射処理を効率的に行うための反射防止膜などの形成が行われる。また一方、現像処理装置では、露光されたレジスト膜の一部を除去して上記マスクとしての凹凸形状が形成される。
例えば第2のブロックG2には、ウェハWの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置(図示無し)が上下方向と水平方向に並べて設けられている。また第2のブロックG2には、いずれも図示しないが、レジスト液とウェハWとの定着性を高めるために疎水化処理を行う疎水化処理装置、ウェハWの外周部を露光する周辺露光装置が上下方向(図2のZ方向)と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置、疎水化処理装置、周辺露光装置の数や配置についても、任意に選択できる。
図1に示すように平面視において第1のブロックG1と第2のブロックG2とに挟まれた領域には、ウェハ搬送領域32が形成されている。ウェハ搬送領域32には、例えばウェハ搬送装置33が配置されている。
ウェハ搬送装置33は、例えばX方向、Y方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置33は、ウェハ搬送領域32内を移動し、周囲の第1のブロックG1、第2のブロックG2や、第3のブロックG3及び第4のブロックG4内の所定の装置にウェハWを搬送できる。図1のように処理ステーション3が複数ある場合、インターフェイスステーション4側に位置する処理ステーション3に設けられたウェハ搬送装置33は、第1,第2,第4のブロックG1、G2、G4のほかに後述の第5のブロックG5内の所定の装置にウェハWを搬送できる。
ウェハ搬送装置33は、例えば上下に複数台配置される。1つのウェハ搬送装置33は、上下に積層された複数の層31(図2を参照)のうち、上側における複数の層31の高さに位置する所定の装置にウェハWを搬送できる。それらの層31より下方に位置する複数の層31の高さに位置する所定の装置に対しては、別のウェハ搬送装置33がウェハWを搬送できる。このようなウェハWの搬送を可能とするように複数のウェハ搬送領域32が設けられる。なお、ウェハ搬送装置33を1つの層31ごとに設けるなど、ウェハ搬送装置33の数や、1つのウェハ搬送装置33に対応する層31の数は、任意に選択できる。
また、ウェハ搬送領域32あるいは第1のブロックG1や第2のブロックG2には、シャトル搬送装置(図示無し)があってもよい。シャトル搬送装置は、処理ステーション3の一方に隣接する空間とその反対側に隣接する別の空間との間で直線的にウェハWを搬送する。
インターフェイスステーション4には、複数の受け渡し装置を備える第5のブロックG5と、ウェハ搬送装置41および42が設けられている。インターフェイスステーション4は、ウェハ搬送装置33によってウェハWの受け渡しが行われる第5のブロックG5と露光装置との間で、ウェハ搬送装置41または42を用いてウェハWを搬送する。そのために、ウェハ搬送装置41および42は、各々がX方向、Y方向、上下方向、鉛直軸回り(θ方向)といった方向の駆動機構が必要に応じて備わっており、全ての方向の駆動機構を備えていてもよい。ウェハ搬送装置41および42の少なくともいずれかが、ウェハWを支持して、第5のブロックG5内の受け渡し装置および露光装置との間でウェハWを搬送できる。
ウェハWの表面を洗浄する洗浄装置や、前述した周辺露光装置が、インターフェイスステーション4内で、ウェハ搬送装置41および42のいずれかがアクセス可能な位置に設けられていても良い。
検査装置は、上述の通りカセットステーション2に備えられていてもよいが、処理ステーション3とインターフェイスステーション4においても、各々の内部に設けられたいずれかの搬送アーム(図1または図2における33,41,42)がアクセス可能な位置に備えられていてもよい。
以上のウェハ処理システム1には、制御装置100が設けられている。制御装置100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム1におけるウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御装置100にインストールされたものであってもよい。
〔ウェハ処理システムの動作〕
ウェハ処理システム1は以上のように構成されている。次に、以上のように構成されたウェハ処理システム1を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。
先ず、複数のウェハWを収納したカセットCが、ウェハ処理システム1のカセットステーション2に搬入され、カセット載置台21に載置される。次に、ウェハ搬送装置22あるいは23によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、第3のブロックG3の受け渡し装置に搬送される。
第3のブロックG3の受け渡し装置に搬送されたウェハWは、ウェハ搬送装置33で支持されて第2のブロックG2内に設けられた疎水化処理装置に搬送され、疎水化処理が行われる。次いで、ウェハ搬送装置33によって、レジスト膜形成装置に搬送されてウェハW上にレジスト膜が形成され、その後、ウェハWは熱処理装置に搬送されてプリベーク処理された後で、第5のブロックG5の受け渡し装置に搬送される。なお、図1、2のように処理ステーション3が複数ある場合は、ウェハWは第5のブロックG5の受け渡し装置に搬送される前に第4のブロックG4の受け渡し装置に一度置かれてから、複数のウェハ搬送装置33との間での受け渡しがなされる。また、ウェハWは必要に応じて、ウェハ搬送装置33によって周辺露光装置に搬送され、ウェハWの周縁部に対する露光処理がされても良い。
第5のブロックG5の受け渡し装置に搬送されたウェハWは、ウェハ搬送装置41および42によって、露光装置に搬送され、所定のパターンで露光処理される。なお、露光処理の前に洗浄装置がウェハWを洗浄してもよい。
露光処理されたウェハWは、ウェハ搬送装置41および42によって第5のブロックG5の受け渡し装置に搬送される。その後、ウェハWはウェハ搬送装置33によって熱処理装置に搬送され、露光後ベーク処理される。
露光後ベーク処理されたウェハWは、ウェハ搬送装置33によって現像処理装置に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハWは、ウェハ搬送装置33によって熱処理装置40に搬送され、ポストベーク処理される。
その後ウェハWは、ウェハ搬送装置33によって第3のブロックG3の受け渡し装置に搬送され、カセットステーション2のウェハ搬送装置22あるいは23によって所定のカセット載置台21のカセットCに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
なお、本開示におけるウェハ処理システムは上記に説明した構成および動作に限定されるものではない。例えば、上記の実施に係る形態では、インターフェイスステーション4と露光装置との間でウェハWを受け渡すことを説明したが、露光装置と直接的に接続されていなくともよい。その場合は、例えば、ウェハWがカセットステーション2から処理ステーション3に搬送されて必要な処理がなされた後、外部に搬出するために再度カセットステーション2に搬送される。また、処理装置として挙げたもののうち必要としないものについては設けられない、あるいはその装置における処理が行われなくともよい。
〔基板撮像装置〕
上述したように、ウェハ処理システム1は、検査装置を備えていてもよい。以下、検査装置の例として、基板撮像装置50を例示する。基板撮像装置は、基板に対する処理を行う基板処理装置(例えばウェハ処理システム1)内において、基板を保持するチャックと、チャックにより保持された基板に光を照射する光源と、チャックにより保持された基板を撮像するカメラと、を備える。
基板撮像装置50は、チャックを支持するステージと、基板の表面の全域がカメラの視野内に入るように、ステージに対してチャックを移動させるアクチュエータと、を更に備えてもよい。
基板撮像装置50は、複数の光源と、複数の光源にそれぞれ対応する複数のカメラとを備えていてもよい。たとえば基板撮像装置50は、第1光源と、第1光源に対応する第1カメラと、第2光源と、第2光源に対応する第2カメラと、を備えていてもよい。第1光源は、チャックにより保持された基板の表面に光を照射する。第1カメラは、チャックにより保持された基板の表面を撮像する。第1光源及び第1カメラは、例えばステージに対して固定されている。アクチュエータは、基板の表面の全域が第1カメラの視野内に入るように、ステージに対してチャックを移動させてもよい。
第2光源は、チャックにより保持された基板の少なくとも周縁に光を照射する。第2カメラは、チャックにより保持された基板の周縁を撮像する。第2光源及び第2カメラは、例えばステージに対して固定されている。基板撮像装置50は、基板からの光を第2カメラに反射させるミラーを備えていてもよい。例えばミラーは、基板の周縁からの光を第2カメラに反射させる。
例えば図3~図5に示されるように、基板撮像装置50は、筐体10と、回転保持サブユニット200(回転保持部)と、表面撮像サブユニット300と、周縁撮像サブユニット400と、裏面撮像サブユニット500とを有する。各サブユニット200~500は、筐体10内に配置されている。筐体10のうち一端壁には、ウェハWを筐体10の内部に搬入及び筐体10の外部に搬出するための搬入出口11が形成されている。
回転保持サブユニット200は、チャック201と、ステージ210と、アクチュエータ202,203と、ガイドレール204を含む。チャック201は、ウェハ処理システム1内において、ウェハW(基板)を保持する。チャック201は、例えば、吸着等によりウェハWを略水平に保持する吸着チャックである。チャック201(吸着チャック)の形状は特に限定されないが、例えば円形であってもよい。チャック201のサイズは、ウェハWよりも小さくてもよい。
ステージ210は、チャック201を支持する。例えばステージ210は、筐体10の内部において、筐体10の底部に固定されている。アクチュエータ202は、例えば電動モータであり、ステージ210に対してチャック201を回転させる。すなわち、アクチュエータ202は、チャック201に保持されているウェハWを回転させる。アクチュエータ202は、チャック201の回転位置を検出するためのエンコーダを含んでいてもよい。この場合、各撮像サブユニット300,400,500によるウェハWの各面の撮像位置と、回転位置との対応付けを行うことができる。ウェハWが切り欠き部を有する場合には、各撮像サブユニット300,400,500によって判別された当該切り欠き部とエンコーダによって検出された回転位置とに基づいて、ウェハWの姿勢を特定することができる。
アクチュエータ203は、例えばリニアアクチュエータであり、ステージ210に対してチャック201をガイドレール204に沿って移動させる。すなわち、アクチュエータ203は、チャック201に保持されているウェハWをガイドレール204の一端側と他端側との間で搬送する。従って、チャック201に保持されているウェハWは、搬入出口11寄りの第1の位置と、周縁撮像サブユニット400及び裏面撮像サブユニット500寄りの第2の位置との間で移動可能である。ガイドレール204は、筐体10内において線状(例えば直線状)に延びている。図5に示すように、ステージ210がチャック201を支持することは、ガイドレール204及びアクチュエータ203等を介してチャック201を支持することを含む。図5において、ステージ210は、上方に開口した凹部を有し、凹部内において、ガイドレール204及びアクチュエータ203を介してチャック201を支持している(図4参照)。
表面撮像サブユニット300は、カメラ310と、照明モジュール320とを含む。カメラ310及び照明モジュール320は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ310は、レンズと、一つの撮像素子(例えば、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等)とを含む。カメラ310は、照明モジュール320(照明部)に対向している。
カメラ310及び照明モジュール320は、チャック201に保持されたウェハWの上方に位置し、ステージ210に固定されている。ここでの固定は、相対位置が不変であることを意味するので、例えば筐体10に固定されることも、ステージ210に固定されることに含まれる。以下においても同様である。カメラ310は、アクチュエータ203によるチャック201の移動方向(ガイドレール204の延在方向)において、照明モジュール320から離れている。
照明モジュール320は、ハーフミラー321と、光源322とを含む。ハーフミラー321は、光源322よりも下方に位置しており、光源322からの光を下方に透過させ、下方からの光をカメラ310に向かって反射させる。ガイドレール204の延在方向に交差(例えば直交)する方向(以下、「幅方向」という。)におけるハーフミラー321の長さは、ウェハWの直径よりも大きい。
光源322は、上記第1光源の一例であり、チャック201により保持されたウェハWの表面Waに光を照射する。光は、例えば視認可能な複数の波長帯域の電磁波を含む。例えば光は、約400nm~700nmの範囲にて複数の波長帯域の電磁波を含む。例えば光は、少なくとも、赤色として視認される波長帯域と、緑色として視認される波長帯域と、青色として視認される波長帯域とを含んでいる。以下、他の光源からの光についても同様である。
例えば光源322は、ハーフミラー321の上方に位置しており、下方に向かって光を出射する。光源322から出射された光は、ハーフミラー321を透過して、ハーフミラー321の下に位置するウェハWの表面Waに照射される。幅方向において、光源322は、ハーフミラー321よりも長くてもよい。この場合、幅方向におけるハーフミラー321の全長に亘って、光がウェハWの表面Waに照射される。
カメラ310は、上記第1カメラの一例であり、チャック201により保持されたウェハWの表面Waを撮像する。例えばカメラ310は、ハーフミラー321において反射されたウェハWの表面Waからの光を結像させる。幅方向において、カメラ310の視野は、ハーフミラー321の長さよりも大きくてもよい。上述したように、幅方向におけるハーフミラ321の長さは、ウェハWの直径よりも大きい。このため、少なくとも幅方向におけるウェハWの全域がカメラ310の視野に入ることとなる。アクチュエータ203が、チャック201を移動させると、ウェハWの表面Waのうち、カメラ310の視野内に入る部分がガイドレール204の延在方向に沿って変化する。これにより、ウェハWの表面Waの全域をカメラ310の視野内に入れることが可能となる。カメラ310によって撮像された撮像画像のデータは、制御装置100に送信される。
周縁撮像サブユニット400は、図3~図6に示されるように、カメラ410(撮像手段)と、照明モジュール420と、ミラー部材430とを含む。カメラ410、照明モジュール420(照明部)及びミラー部材430は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ410は、レンズ411と、一つの撮像素子412(例えば、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等)とを含む。カメラ410は、照明モジュール420に対向している。
カメラ410及び照明モジュール420は、チャック201に保持されたウェハWよりも上方に位置し、ステージ210に固定されている。カメラ410は、水平方向に沿って照明モジュール320から離れている。
照明モジュール420は、ハーフミラー424と、光源421とを含む。ハーフミラー424は、光源421よりも下方に位置しており、光源421からの光を下方に透過させ、下方からの光をカメラ410に向かって反射させる。図6に示されるように、照明モジュール420は、光源421と、ハーフミラー424とを含む。ハーフミラー424は、光源421の下方に位置する。ハーフミラー424は、光源421からの光を下方に透過させ、下方からの反射光をカメラ410に反射させる。
光源421は、チャック201により保持されたウェハWの周縁部の表面Wa(表面Waの周縁領域Wd)に光を照射する。例えば光源421は、ハーフミラー424の上方に位置しており、下方に向かって光を出射する。光源421から出射された光は、ハーフミラー424を透過して、ハーフミラー424の下に位置する表面Waの周縁領域Wdに照射される。
カメラ410は、チャック201により保持されたウェハWの表面Waの周縁領域Wdを撮像する。例えばカメラ410は、ハーフミラー424において反射された表面Waの周縁領域Wdからの光を撮像素子412に結像させる。カメラ410によって撮像された撮像画像のデータは、制御装置100に送信される。
ミラー部材430は、上記ミラーの一例であり、ウェハWからの光をカメラ410に反射させる。例えばミラー部材430は、照明モジュール420よりも下方に位置する。ウェハWの周縁の端面Wcからの光をカメラ410に反射させる。ミラー部材430は、本体431と、反射面432とを含む。本体431は、アルミブロックによって構成されている。本体431は、少なくともウェハWの裏面Wbの周縁領域Wdと、ウェハWの周縁(周縁の端面Wc)とに対向する。
反射面432は、本体431において、裏面Wbの周縁領域Wd及び端面Wcに対向する面に形成されている。反射面432は、裏面Wbの周縁領域Wd及び端面Wcに対向するように凹状に湾曲している。
ミラー部材430によって、光源421は、上記第2光源の一例となり、チャック201により保持されたウェハWの少なくとも周縁に光を照射する。例えば光源421から出射され、ハーフミラー424を透過した光の少なくとも一部は、ミラー部材430の反射面432によって、端面Wcに向かうように反射され、端面Wcに照射される。
ミラー部材430によって、カメラ410は、上記第2カメラの一例となり、チャック201により保持されたウェハWの少なくとも周縁を撮像する。例えばミラー部材430は、ウェハWの周縁からの光をカメラ410に反射させる。例えばウェハWの端面Wcの反射光は、ミラー部材430の反射面432とハーフミラー424とで順次反射して、カメラ410に入射する。一方、ウェハWの表面Waの周縁領域Wdから反射した反射光は、ミラー部材430の反射面432には向かわずにハーフミラー424で再び反射して、カメラ410に入射する。カメラ410は、反射面432を経て端面Wcから入射した光、及び反射面432を経ずに表面Waの周縁領域Wdから入射した光を、撮像素子412において互いに異なる位置に結像させる。
裏面撮像サブユニット500は、図7に示されるように、カメラ510(撮像手段)と、照明モジュール520(照明部)とを含む。カメラ510及び照明モジュール520は、一組の撮像モジュールを構成している。カメラ510は、レンズ511と、一つの撮像素子512(例えば、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等)とを含む。カメラ510は、照明モジュール520(照明部)に対向している。
カメラ510及び照明モジュール520は、チャック201に保持されたウェハWよりも下方に位置し、ステージ210に固定されている。カメラ510は、水平方向に沿って照明モジュール520から離れている。
照明モジュール520は、ハーフミラー521と、光源522とを含む。ハーフミラー521は、光源522よりも上方に位置しており、光源522からの光を上方に透過させ、情報からの光をカメラ510に向かって反射させる。
光源522は、チャック201により保持されたウェハWの周縁部の裏面Wb(裏面Wbの周縁領域Wd)に光を照射する。例えば光源522は、ハーフミラー521の下方に位置しており、上方に向かって光を出射する。光源522から出射された光は、ハーフミラー521を透過して、ハーフミラー521の上に位置する裏面Wbの周縁領域Wdに照射される。
カメラ510は、チャック201により保持されたウェハWの裏面Wbの周縁領域Wdを撮像する。例えばカメラ510は、ハーフミラー521において反射された裏面Wbの周縁領域Wdからの光を撮像素子512に結像させる。カメラ510によって撮像された撮像画像のデータは、制御装置100に送信される。
〔キャリブレーション用の構成〕
以上に例示した基板撮像装置において、各光源から出射された光は、ウェハWで反射してカメラに入射する。以下、ウェハWで反射された光を、反射前の光と区別して「反射光」という。また、ウェハWのうち光が反射した部位を「反射部位」という。反射光における複数の波長帯の強度分布は、反射部位の特性によって変わりうる。このため、射光における複数の波長帯の強度分布は、カメラが撮像した画像において色となって現れる。このため、カメラが撮像した画像における反射部位の色は、反射部位の特性を表すこととなる。例えば、カメラ310が撮像した画像におけるウェハWの表面Waの色は、ウェハWの表面Waに形成された被膜の特性を表すこととなる。これを利用し、反射部位の色に基づいて、反射部位の特性を評価することが可能である。
同じ反射部位からの反射光が、いかなる色になるかは、光源の個体差、及びカメラの個体差によって変わり得る。このため、全く同じ反射部位から得られた画像であっても、反射部位の色が複数の基板撮像装置50間で変わり得る。また、全く同じ反射部位から得られた画像が、基板撮像装置50の経時的な劣化(例えば光源の劣化)等によって経時的に変化し得る。反射部位の色に基づいて反射部位の特性を高い信頼性で評価するためには、複数の基板撮像装置50間のばらつき、及び1の基板撮像装置50における経時的な変化への対策が必要となる。
複数の基板撮像装置50間のばらつき、及び1の基板撮像装置50における経時的な変化への対策としては、特性が既知である反射部位の色を、予め定められた基準色に近付けるように補正するキャリブレーションが有効である。信頼性の向上には、こまめなキャリブレーションが有効である。しかしながら、キャリブレーションのためには、特性が既知である反射部位を有するサンプル基板を、ウェハWの代わりにウェハ処理システム1に搬入する必要がある。このため、ウェハ処理システム1の可動現場において、こまめなキャリブレーションを実行するのは困難である。
そこで、基板撮像装置50は、カメラの視野内において互いに異なる位置にそれぞれ固定され、光源からの光を互いに異なる色でカメラに反射する複数のパッチ600を更に備える。複数のパッチ600は、ウェハ処理システム1内に常在する部材に固定されている、キャリブレーション用のウェハWをウェハ処理システム1に搬入することなく、カメラのキャリブレーションを実行することができる。従って、キャリブレーションが容易である。このため、少なくともウェハWに対する処理の合間を利用して容易にキャリブレーションを実行し、色により表される情報の信頼性を容易に維持することができる。
ウェハ処理システム1内に常在することは、例えばウェハ処理システム1自体によってウェハ処理システム1外に搬出することができないことを意味する。ウェハWは、上述したように、ウェハ処理システム1自体によって(例えばウェハ搬送装置22,23,33等によって)ウェハ処理システム1外に搬出することができるので、ウェハ処理システム1内に常在しない。各処理装置の構成要素は、ウェハ処理システム1自体によってウェハ処理システム1外に搬出することができないので、ウェハ処理システム1内に常在する。また、22,23,23は、ウェハWをウェハ処理システム1外に搬出し得るが、自身をウェハ処理システム1外に搬出することはできないので、ウェハ処理システム1内に常在する。
光を互いに異なる色でカメラに反射するとは、光を複数の波長帯域の分布が互いに異なる反射光に変換してカメラに反射することを意味する。
ウェハWに垂直な方向において、複数のパッチ600のそれぞれは、チャック201に保持されたウェハWの裏面Wbと、ウェハWの裏面Wbに対向する面との間に位置していてもよい。複数のパッチ600が、チャック201へのウェハWの搬入と、チャック201からのウェハWの搬出との妨げになり難い。
例えば、複数のパッチ600のそれぞれは、チャック201に水平に保持されたウェハWの裏面Wbよりも下方に位置していてもよい。ウェハWに沿った方向(例えば水平方向)において、ウェハWの位置と複数のパッチ600の位置とは必ずしも重複していなくてもよい。例えばパッチ600は、チャック201に水平に保持されたウェハWの裏面Wbよりも低い高さにおいて、ウェハWの下の領域の外に位置していてもよい。このような場合も、ウェハWに垂直な方向において、パッチ600は、裏面Wbと、裏面Wbに対向する面との間に位置しているといえる。
複数のパッチ600の表面と、ウェハWの表面Waとが、いずれもカメラの焦点深度内に位置していてもよい。焦点深度とは、カメラの光軸中心に沿ったライン上において、必要とされる解像度(例えば色の識別に必要とされる解像度)が維持され得る範囲を意味する。ウェハWを撮像する際と、複数のパッチ600を撮像する際とで、カメラの焦点位置を変更することなくキャリブレーションを実行することができる。
基板撮像装置50は、表面撮像サブユニット300、周縁撮像サブユニット400及び裏面撮像サブユニット500のそれぞれに対して複数のパッチ600を備えていてもよく、表面撮像サブユニット300,周縁撮像サブユニット400及び裏面撮像サブユニット500のいずれかに対して複数のパッチ600を備えていてもよい図8及び図9は、複数のパッチ600の例として、表面撮像サブユニット300に対し設けられた複数のパッチ600Aを示している。
図8及び図9に示すように、複数のパッチ600Aは、ウェハ処理システム1内に常在する部材として、チャック201に固定されていてもよい。チャック201における余剰スペースを複数のパッチ600Aの配置に利用することができる。
複数のパッチ600Aがチャック201に設けられる場合、203によって、204の延在方向に沿って複数のパッチ600Aを移動させることが可能である。そこで、203は、少なくともチャック201がウェハWを保持していない状態において、複数のパッチ600Aのうちカメラ310の視野内に入るパッチ600Aを変更するように203を移動させてもよい。より広い範囲を複数のパッチ600Aの配置に利用することができる。
例えばチャック201は、ウェハWの裏面Wbに対向する対向面221と、対向面221から突出してウェハWの裏面Wbに接する環状の支持部222とを有する。複数のパッチ600Aは、支持部222内において、対向面221に設けられている。例えば複数のパッチ600Aのそれぞれは、支持部222内において、ウェハWの裏面Wbと対向面221との間に配置され、接着又は締結などによって対向面221に固定されている。チャック201によるウェハWの保持(例えば吸着保持)を妨げることなく、チャック201における広範囲に複数のパッチ600Aを配置することができる。
チャック201は、多重の複数の支持部222を有してもよく、複数の支持部222のそれぞれがウェハWの裏面Wbに接してもよい。この場合、複数のパッチ600Aの少なくともいずれかは、支持部222と支持部222との間において対向面221に設けられていてもよい。例えば、図8及び図9の例において、チャック201は、最内の支持部222と、最内の支持部222を囲む中間の支持部222と、中間の支持部222を囲む最外の支持部222と、を有している。複数のパッチ600Aのいずれかは、最内の支持部222(第1支持部)と、中間の支持部222(第2支持部)との間に設けられている。複数のパッチ600Aの他のいずれかは、中間の支持部222(第1支持部)と、最外の支持部222(第2支持部)との間に設けられている。
図10に示すように、複数のパッチ600Aのそれぞれは、ベースチップ610と、被膜620とを有する。ベースチップ610は、平板状であり、表面611と、裏面612とを有する。表面611は、カメラ310に面する。なお、カメラ310に面するとは、カメラ310から視認され得ることを意味し、かならずしも、一直線に沿ってカメラ310に面する(例えば正対する)ことには限られない。裏面612は、表面611の反対面であり、対向面221等に固定される。
被膜620は、表面611を覆うように形成される。表面611が被膜620により覆われることで、パッチ600Aからカメラ310へは、被膜620の特性に相関する色にて光が反射され得る。例えば、被膜620の特性の違いにより、反射光における複数の波長帯の分布に被膜620が及ぼす影響が変わるため、反射光の色が被膜620の特性に相関し得る。
被膜の特性と色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310により撮像された画像におけるウェハWの色によって、ウェハWに形成された被膜の特性を高い信頼性で表すことができる。
被膜は酸化膜であってもよい。被膜の特性が経時的に変化し難いので、信頼性の高いキャリブレーションを長期間にわたって繰り返すことができる。ベースチップ610の材料は、ウェハWと同材質であってもよい。例えばベースチップ610の材料はシリコンを含んでいてもよい。この場合、被膜は酸化シリコン膜であってもよい。
酸化膜の種類は、ベースチップ610の材料によって変わり得る。酸化膜の他の例としては、酸化チタン膜、酸化亜鉛膜等が挙げられる。
被膜620の特性としては、例えば厚さが挙げられる。厚さの違いにより、被膜620の吸光特性等が相違するため、複数のパッチ600Aのそれぞれは、被膜620の厚さに相関する色で、光源からの光をカメラ310に反射し得る。被膜の厚さと色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310により撮像された画像におけるウェハWの色によって、ウェハWに形成された被膜の厚さを高い信頼性で表すことができる。
被膜620の特性の他の例としては、被膜620に刻まれた凹凸パターンの線幅等が挙げられる。凹凸パターンの線幅は、図11に例示するように、被膜620に刻まれた凹凸パターン621における凸部の幅LWである。線幅の違いにより、被膜620による光の散乱特性等が相違するため、複数のパッチ600Aのそれぞれは、被膜620の線幅に相関する色で、光源からの光をカメラ310に反射し得る。被膜に刻まれた凹凸パターンの線幅と色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310により撮像された画像におけるウェハWの色によって、ウェハWに形成された被膜に刻まれた凹凸パターンの線幅を高い信頼性で表すことができる。
複数のパッチ600Aが固定される部材は、チャック201に限られない。例えば図12及び図13に示すように、基板撮像装置50は、チャック201よりもウェハWの裏面Wbから離れた位置にて、チャック201の外周から外方に張り出した拡張ブラケット230を更に備えてもよい。
例えば拡張ブラケット230は、チャック201よりも下方において、全周に亘って、チャック201の外周から外方に張り出している。拡張ブラケット230は、チャック201に対し固定されていてもよい。この場合、202はチャック201と共に拡張ブラケット230を回転させ、チャック201と共に拡張ブラケット230を移動させる。
複数のパッチ600Aの少なくともいずれかは、拡張ブラケット230の表面(上面)に固定されていてもよい。図示の例においては、複数のパッチ600Aの全てが、拡張ブラケット230の表面に固定されている。より広範囲に、複数のパッチを配置することができる。
拡張ブラケット230は、必ずしも全周に亘ってチャック201の外周から張り出していなくてもよい。例えば図14に示すように、チャック201の外周から部分的に張り出していてもよい。図14において、拡張ブラケット230は、互いに垂直な4方向に向かって張り出しているが、これに限られない。
複数のパッチ600Aの少なくともいずれかは、チャック201により保持されたウェハWに隠れない位置に固定されていてもよい。ウェハWの撮像の直前にキャリブレーションを実行し、色により表される情報の信頼性を更に向上させることができる。
複数のパッチ600Aの少なくともいずれかが、ウェハ処理システム1内に常在する部材として、ステージ210に固定されていてもよい。例えば図15に示すように、複数のパッチ600Aは、カメラ310の視野311に沿って並ぶようにステージ210に固定されていてもよい。ステージ210における余剰スペースを複数のパッチ600Aの配置に利用することができる。
図16に示すように、基板撮像装置50は、複数のパッチ600の例として、周縁撮像サブユニット400に対し設けられた複数の複数のパッチ600Bを有していてもよい。複数の複数のパッチ600Bのそれぞれは、複数のパッチ600Aのそれぞれと同様に構成される。複数の複数のパッチ600Bは、ウェハ処理システム1内に常在する部材として、ミラー部材430に固定されていてもよい。ミラー部材430における余剰スペースを利用することで、ミラー部材430を経る撮像系のための複数の複数のパッチ600Bを配置することができる。
例えば複数の複数のパッチ600Bは、反射面432のうち、ウェハWの裏面Wbに対向する部分に固定されている。反射面432のうち、裏面Wbに対向する部分は、端面Wcからの光をカメラ410に反射させることには用いられない。このため、端面Wcの画像に影響を及ぼすことなく、複数の複数のパッチ600Bを配置することができる。
以上に示した基板撮像装置50の構成は適宜変更可能である。例えば基板撮像装置50は、カメラ310に対する複数のパッチ600Aと、カメラ410に対する複数の複数のパッチ600Bとに加えて、カメラ510に対する複数のパッチ600を有してもよい。基板撮像装置50は、専用のチャック201、及びアクチュエータ202,203を有しなくてもよく、ウェハ搬送装置33のハンド34により保持されたウェハWを撮影するように構成されていてもよい。このようにハンド34が基板撮像装置50に含まれる場合、複数のパッチ600Aは、図17に示すように、ウェハ処理システム1内に常在する部材として、ハンド34に固定されていてもよい。
基板撮像装置50は、制御装置100を含んでいてもよい。制御装置100は、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を取得し、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、カメラ310に基板を撮像させて基板画像を取得し、基板画像を補正データに基づき補正することと、を実行するように構成されている。
基板撮像装置50において、同じ基板に対する色の再現性を容易に向上させることができる。また、複数の基板撮像装置50間においても色の再現性を向上させることができる。例えば、1つの基板撮像装置50において、上述した手順で基板画像を取得・補正した後、長期間の経過後に再度基板画像を取得・補正する場合に、それぞれのタイミングで補正データを生成することで色再現性が向上する。また、複数の基板撮像装置50のそれぞれにおいて、同一の基準色に対して生成した補正データを用いることで、複数の基板撮像装置50間における色再現性が向上する。
制御装置100は、カメラ410に複数の複数のパッチ600Bを撮像させてキャリブレーション画像を取得し、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、カメラ410に基板を撮像させて基板画像を取得し、基板画像を補正データに基づき補正することと、を更に実行するように構成されていてもよい。
カメラ510に対して複数のパッチ600が設けられる場合、制御装置100は、カメラ510に対して更に同様の手順を実行してもよい。カメラ310に関わる説明と、カメラ410に関わる説明と、カメラ510に関わる説明とは重複するので、以下においてはカメラ410に関わる説明及びカメラ510に関わる説明を省略する。
例えば図18に示すように、制御装置100は、機能上の構成要素(以下、「機能ブロック」という。)として、基準色記憶部111と、キャリブレーション部112と、補正データ記憶部113と、基板画像処理部114と、基板画像記憶部115とを有する。基準色記憶部111は、上述した基準色を記憶する。例えば基準色記憶部111は、複数のパッチ600にそれぞれ対応付けられた複数の基準色を記憶する。例えば基準色記憶部111は、複数の基準色は、複数のパッチ600のいずれかの識別情報と対応付けられている。
キャリブレーション部112は、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を取得し、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成する。例えばキャリブレーション部112は、波長帯域ごとに、補正前の強度と、補正後の強度との関係を表す補正データを生成し、補正データ記憶部113に記憶させる。キャリブレーション部112は、カメラ310により繰り返し撮像された複数のキャリブレーション画像に統計処理を施し、統計処理結果に基づいて補正データを生成してもよい。
基板画像処理部114は、カメラ310に基板を撮像させて基板画像を取得し、基板画像を補正データに基づき補正する。例えば基板画像処理部114は、補正データにより表される補正前の強度と補正後の強度との関係に合うように、波長帯域ごとの強度を補正する。基板画像処理部114は、補正済みの基板画像を基板画像記憶部115に記憶させる。
制御装置100は、機能ブロックとして、キャリブレーション画像処理部116と、再生成判定部117とを更に有してもよい。キャリブレーション画像処理部116は、補正データの生成後に、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を再取得し、再取得したキャリブレーション画像を補正データに基づき補正する。再生成判定部117は、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色と、基準色との差に基づいて、補正データの再生成の要否を判定する。例えば再生成判定部117は、複数のパッチ600Aの少なくともいずれかの色と基準色との差が所定の閾値を超えた場合に、補正データの再生成が必要であると判定する。再生成判定部117により補正データの再生成が必要であると判定された場合、キャリブレーション部112は補正データを再生成する。キャリブレーションの実行頻度を抑えつつ、色が表す情報の信頼性を維持することができる。
図19に示すように、制御装置100は、機能ブロックとして、相関モデル記憶部121と、膜厚算出部122と、線幅算出部123とを更に有してもよい。相関モデル記憶部121は、基準色と、被膜の特性との関係を表すように予め生成された相関モデルを記憶する。例えば相関モデル記憶部121は、基準色と、被膜の厚さとの関係を表すように予め生成された相関モデル(以下、「膜厚相関モデル」という。)を記憶する。相関モデル記憶部121は、基準色と、線幅との関係を表すように予め生成された相関モデル(以下、「線幅相関モデル」という。)を記憶してもよい。相関モデル記憶部121は、膜厚相関モデル及び線幅相関モデルの両方を記憶してもよく、いずれか一方を記憶してもよい。
膜厚算出部122は、基板画像記憶部115が記憶する補正済みの基板画像と、相関モデル記憶部121が記憶する膜厚相関モデルとに基づいて、ウェハWに形成された被膜の厚さ分布を算出する。補正済みの基板画像と、相関モデルとに基づくことで、複数の基板撮像装置50間で相関モデルを共通化しつつ、各基板撮像装置50で高い信頼性で膜厚分布を算出することができる。線幅算出部123は、基板画像記憶部115が記憶する補正済みの基板画像と、相関モデル記憶部121が記憶する線幅相関モデルとに基づいて、ウェハWに形成された被膜の線幅分布を算出する。補正済みの基板画像と、相関モデルとに基づくことで、複数の基板撮像装置50間で相関モデルを共通化しつつ、各基板撮像装置50で高い信頼性で線幅分布を算出することができる。制御装置100は、膜厚算出部122及び線幅算出部123の両方を有してもよく、いずれか一方を有してもよい。
基板撮像装置50は、光源322の温度を検出する温度センサ329(図5参照)と、光源421の温度を検出する温度センサ429(図6参照)とを更に備えてもよい。図20に示すように、制御装置100は、機能ブロックとして、監視部131と、温度履歴記憶部132とを更に有してもよい。監視部131は、少なくとも、カメラ310に対するキャリブレーション画像が取得された際からの、温度センサ329による検出結果の推移を記録する。例えば監視部131は、温度センサ329による検出結果を周期的に取得して温度履歴記憶部132に記憶させる。監視部131は、少なくとも、カメラ410に対するキャリブレーション画像が取得された際からの、温度センサ429による検出結果の推移を記録してもよい。例えば監視部131は、温度センサ429による検出結果を周期的に取得して温度履歴記憶部132に記憶させる。監視部により記録された検出結果に基づくことで、色の再現性が低下した場合の要因を迅速に特定することができる。
制御装置100は、機能ブロックとして、汚染検出部134を更に有してもよい。汚染検出部134は、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600A間の色の関係に基づいて、複数のパッチ600Aの少なくともいずれかの汚染を検出する。例えば汚染検出部134は、複数のパッチ600Aのそれぞれについて、基準色に対する色の再現性の劣化度を算出し、複数のパッチ600Aにおける劣化度のばらつきに基づいて、複数のパッチ600Aのいずれかの汚染を検出してもよい。例えば、複数のパッチ600Aにおける劣化度のばらつきが所定のばらつき閾値を超えている場合に、ばらつき要因となっているパッチ600Aの汚染を検出してもよい。汚染検出部134は、汚染の検出結果を、後述のユーザインタフェース195への表示等によってオペレータに報知してもよい。
汚染検出部134は、色の再現性の劣化度と、温度履歴記憶部132が記憶する温度の推移とに基づいて、複数のパッチ600Aのいずれかの汚染を検出してもよい。例えば汚染検出部134は、温度履歴記憶部132が記憶する温度の推移において、光源322の温度に変化がないことが示されているにもかかわらず、色の再現性の劣化度が所定の劣化閾値を超えたパッチ600Aの汚染を検出してもよい。再生成判定部117は、色の再現性の劣化度と、温度履歴記憶部132が記憶する温度の推移とに基づいて、補正データの再生成の要否を判定してもよい。例えば再生成判定部117は、色の再現性の劣化度と、温度履歴記憶部132が記憶する温度の推移とに相関がある場合に、補正データの再生成が必要であると判定してもよい。
図21は、制御装置100のハードウェア構成を例示するブロック図である。図21に示すように、制御装置100は回路190を有する。回路190は、プロセッサ191と、メモリ192と、ストレージ193と、画像処理回路194と、ユーザインタフェース195とを有する。
ストレージ193は、例えば1以上の不揮発性記憶媒体を含む。不揮発性記憶媒体の例としては、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ、フラッシュメモリ等が挙げられる。不揮発性記憶媒体は、光ディスク等の可搬型の記憶媒体を含んでいてもよい。ストレージ193は、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を取得し、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、カメラ310に基板を撮像させて基板画像を取得し、基板画像を補正データに基づき補正することと、を制御装置100に実行させるためのプログラムを記憶している。例えばストレージ193は、上述した各機能ブロックを制御装置100に構成させるためのプログラムを記憶している。
メモリ192は、1以上の揮発性記憶媒体を含む。揮発性記憶媒体の例としては、ランダムアクセスメモリが挙げられる。メモリ192は、ストレージ193からロードされたプログラムを一時的に記憶する。プロセッサ191は、1以上の演算デバイスを含む。演算デバイスの例としては、CPU(Centreal Processing Unit)、又はGPU(Graphics Processing Unit)等が挙げられる。プロセッサ191は、メモリ192にロードされたプログラムを実行することで、上述した各機能ブロックを制御装置100に構成させる。プロセッサ191は、演算結果を一時的にメモリ192に記憶させてもよい。
画像処理回路194は、プロセッサ191からの要求に応じてカメラ310,410,510に撮影を実行させ、撮影された画像をカメラ310,410,510から取得する。ユーザインタフェース195は、1以上の入力デバイスと、1以上の表示デバイスとを含む。入力デバイスの例としては、キーボード又はマウス等が挙げられる。表示デバイスの例としては、液晶モニタ等が挙げられる。入力デバイスは、表示デバイスに組み込まれてタッチパネルを構成していてもよい。ユーザインタフェース195は、プロセッサ191からの要求に応じて、1以上の入力デバイスへの入力を取得し、1以上の表示デバイスにテキスト及び画像等を表示する。
〔基板撮像手順〕
基板撮像方法の例として、制御装置100がカメラ310を用いて実行する基板撮像手順を例示する。この手順は、ウェハ処理システム1内に常在する部材に固定されている複数のパッチ600Aに光源322から光を照射し、複数の60Aをカメラ310により撮像させてキャリブレーション画像を取得することと、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、カメラ310の視野内にウェハWを搬入してチャック201により保持させることと、チャック201により保持されたウェハWに光源から光を照射し、ウェハWをカメラ310により撮像させて基板画像を取得することと、基板画像を補正データに基づき補正することと、を含む。
図22に示すように、制御装置100は、まずステップS01,S02を実行する。ステップS01では、キャリブレーション部112が、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を取得する。複数のパッチ600Aが同時に視野311に入らない場合、複数のパッチ600Aの全てが視野311に入るように、203によりチャック201を移動させながらキャリブレーション画像を取得してもよい。ステップS02では、キャリブレーション部112が、キャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成する。
次に、制御装置100はステップS03,S04を実行する。ステップS03では、基板画像処理部114が、カメラ310に基板を撮像させて基板画像を取得する。ステップS04では、基板画像処理部114が、補正データに基づいて基板画像を補正し、補正済みの基板画像を基板画像記憶部115に記憶させる。
次に、制御装置100はステップS05を実行する。ステップS05では、基板画像記憶部115が記憶する補正済みの基板画像と、相関モデル記憶部121が記憶する膜厚相関モデルとに基づいて、ウェハWに形成された被膜の厚さ分布を膜厚算出部122が算出する。膜厚算出部122は、算出結果をユーザインタフェース195等に表示させてもよい。基板画像記憶部115が記憶する補正済みの基板画像と、相関モデル記憶部121が記憶する線幅相関モデルとに基づいて、ウェハWに形成された被膜の線幅分布を線幅算出部123が算出してもよい。線幅算出部123は、算出結果をユーザインタフェース195等に表示させてもよい。
次に、制御装置100はステップS06を実行する。ステップS06では、キャリブレーション画像処理部116が、現在が、キャリブレーション画像の再取得タイミングであるか否かを確認する。キャリブレーション画像の再取得タイミングは予め定められている。
ステップS06において、現在がキャリブレーション画像の再取得タイミングであると判定した場合、制御装置100はステップS07,S08,S09を実行する。ステップS07では、キャリブレーション画像処理部116が、カメラ310に複数のパッチ600Aを撮像させてキャリブレーション画像を再取得する。ステップS08では、キャリブレーション画像処理部116が、再取得したキャリブレーション画像を補正データに基づき補正する。ステップS09では、再生成判定部117は、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600Aのそれぞれの色と、基準色との差に基づいて、補正データの再生成の要否を判定する。
ステップS08において、補正データの再生成は不要と判定した場合、制御装置100はステップS11を実行する。ステップS11では、汚染検出部134が、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600A間の色の関係に基づいて、複数のパッチ600Aの少なくともいずれかの汚染の有無を確認する。
ステップS11において、複数のパッチ600Aの少なくともいずれかの汚染があると判定した場合、制御装置100はステップS12を実行する。ステップS12では、汚染検出部134が、汚染の検出結果を、ユーザインタフェース195への表示等によってオペレータに報知する。その後、制御装置100は処理をステップS03に戻す。ステップS11において、複数のパッチ600Aのいずれにも汚染はないと判定した場合、制御装置100はステップS12を実行することなく処理をステップS03に戻す。以後、ステップS08において補正データの再生成が必要と判定するまでは、生成済みの補正データに基づく基板画像の取得、補正、及び記録が繰り返される。ステップS08において、補正データの再生成が必要であると判定した場合、制御装置100は処理をステップS01に戻して補正データを再生成する。
〔まとめ〕
本開示は、以下の構成を含む。
(1) 基板Wに対する処理を行う基板処理装置1内において、基板Wを保持するチャック201と、チャック201により保持された基板Wに光を照射する光源322,421,522と、チャック201により保持された基板Wを撮像するカメラ310,410,510と、カメラ310,410,510の視野内において互いに異なる位置にそれぞれ固定され、光源322,421,522からの光を互いに異なる色でカメラ310,410,510に反射する複数のパッチ600と、を備え、複数のパッチ600は、基板処理装置1内に常在する部材に固定されている、基板撮像装置50。
この基板撮像装置50によれば、キャリブレーション用の基板Wを基板処理装置1に搬入することなく、カメラ310,410,510のキャリブレーションを実行することができる。従って、キャリブレーションが容易である。このため、少なくとも基板W処理の合間を利用して容易にキャリブレーションを実行し、色により表される情報の信頼性を容易に維持することができる。
(2) 複数のパッチ600のそれぞれは、カメラ310,410,510に面する表面を有するベースチップ610と、ベースチップ610の表面に形成された被膜620と、を有し、被膜620の特性に相関する色で、光源322,421,522からの光をカメラ310,410,510に反射する、(1)記載の基板撮像装置50。
被膜620の特性と色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310,410,510により撮像された画像における基板Wの色によって、基板Wに形成された被膜620の特性を高い信頼性で表すことができる。
(3) 被膜620は酸化膜である、(2)記載の基板撮像装置50。
被膜620の特性が経時的に変化し難いので、信頼性の高いキャリブレーションを長期間にわたって繰り返すことができる。
(4) 複数のパッチ600のそれぞれは、被膜620の厚さに相関する色で、光源322,421,522からの光をカメラ310,410,510に反射する、(2)又は(3)記載の基板撮像装置50。
被膜620の厚さと色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310,410,510により撮像された画像における基板Wの色によって、基板Wに形成された被膜620の厚さを高い信頼性で表すことができる。
(5) 複数のパッチ600のそれぞれは、被膜620に刻まれた凹凸パターン621の線幅に相関する色で、光源322,421,522からの光をカメラ310,410,510に反射する、(2)又は(3)記載の基板撮像装置50。
被膜620に刻まれた凹凸パターン621の線幅と色との関係をキャリブレーションしておくことで、カメラ310,410,510により撮像された画像における基板Wの色によって、基板Wに形成された被膜620に刻まれた凹凸パターン621の線幅を高い信頼性で表すことができる。
(6) 基板Wに垂直な方向において、複数のパッチ600のそれぞれは、基板Wの裏面と、基板Wの裏面に対向する面との間に位置している、(1)~(5)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
複数のパッチ600が、チャック201への基板Wの搬入と、チャック201からの基板Wの搬出との妨げになり難い。
(7) 複数のパッチ600の表面と、基板Wの表面とが、いずれもカメラ310,410,510の焦点深度内に位置している、(6)記載の基板撮像装置50。
基板Wを撮像する際と、複数のチャック201を撮像する際とで、カメラ310,410,510の焦点位置を変更することなくキャリブレーションを実行することができる。
(8) 複数のパッチ600は、基板処理装置1内に常在する部材として、チャック201に固定されている、(1)~(7)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
チャック201における余剰スペースを複数のパッチ600の配置に利用することができる。
(9) チャック201を支持するステージ210と、基板Wの表面の全域がカメラ310,410,510の視野内に入るように、ステージ210に対してチャック201を移動させるアクチュエータ202,203と、を更に備え、アクチュエータ202,203は、少なくともチャック201が基板Wを保持していない状態において、複数のパッチ600のうちカメラ310,410,510の視野内に入るパッチ600を変更するようにチャック201を移動させる、(8)記載の基板撮像装置50。
より広い範囲を複数のパッチ600の配置に利用することができる。
(10) チャック201は、基板Wの裏面に対向する対向面221と、対向面221から突出して基板Wの裏面に接する環状の支持部222と、を有し、複数のパッチ600の少なくともいずれかが、支持部222内において対向面221に設けられている、(8)記載の基板撮像装置50。
基板Wの保持を妨げることなく、チャック201における広範囲に複数のパッチ600を配置することができる。
(11) チャック201よりも基板Wの裏面から離れた位置にて、チャック201の外周から外方に張り出した拡張ブラケット230を更に備え、複数のパッチ600の少なくともいずれかが、基板処理装置1内に常在する部材として、拡張ブラケット230に固定されている、(8)記載の基板撮像装置50。
より広範囲に、複数のパッチ600を配置することができる。
(12) 複数のパッチ600の少なくともいずれかは、チャック201により保持された基板Wに隠れない位置に固定されている、(1)~(11)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
基板W撮像の直前にキャリブレーションを実行し、色により表される情報の信頼性を更に向上させることができる。
(13) チャック201を支持するステージ210と、基板Wの表面の全域がカメラ310,410,510の視野内に入るように、ステージ210に対してチャック201を移動させるアクチュエータ202,203と、を更に備え、複数のパッチ600の少なくともいずれかが、基板処理装置1内に常在する部材として、ステージ210に固定されている、(12)記載の基板撮像装置50。
ステージ210における余剰スペースを複数のパッチ600の配置に利用することができる。
(14) 基板Wからの光をカメラ310,410,510に反射させるミラー430を更に備え、複数のパッチ600の少なくともいずれかが、基板処理装置1内に常在する部材として、ミラー430に固定されている、(1)~(13)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
ミラー430における余剰スペースを利用することで、ミラー430を経る撮像系のための複数のパッチ600を配置することができる。
(15) カメラ310,410,510に複数のパッチ600を撮像させてキャリブレーション画像を取得し、キャリブレーション画像における複数のパッチ600のそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成するキャリブレーション部112と、カメラ310,410,510に基板Wを撮像させて基板W画像を取得し、基板W画像を補正データに基づき補正する基板画像処理部114と、を更に備える、(1)~(14)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
1つの基板撮像装置50において、同じ基板Wに対する色の再現性を容易に向上させることができる。また、複数の基板撮像装置50間においても色の再現性を向上させることができる。
(16) 光源322,421,522の温度を検出する温度センサ329,429と、少なくとも、キャリブレーション画像が取得された際からの、温度センサ329,429による検出結果の推移を記録する監視部131と、を更に備える、(15)記載の基板撮像装置50。
監視部131により記録された検出結果に基づくことで、色の再現性が低下した場合の要因を迅速に特定することができる。
(17) 補正データの生成後に、カメラ310,410,510に複数のパッチ600を撮像させてキャリブレーション画像を再取得し、再取得したキャリブレーション画像を補正データに基づき補正するキャリブレーション画像処理部116と、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600のそれぞれの色と、基準色との差に基づいて、補正データの再生成の要否を判定する再生成判定部117と、を更に備える、(15)又は(16)記載の基板撮像装置50。
キャリブレーションの実行頻度を抑えつつ、色が表す情報の信頼性を維持することができる。
(18) 補正データの生成後に、カメラ310,410,510に複数のパッチ600を撮像させてキャリブレーション画像を再取得し、再取得したキャリブレーション画像を補正データに基づき補正するキャリブレーション画像処理部116と、補正済みのキャリブレーション画像における複数のパッチ600間の色の関係に基づいて、複数のパッチ600の少なくともいずれかの汚染を検出する汚染検出部134と、を更に備える、(15)~(17)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
複数のパッチ600の汚染による信頼性低下を抑制することができる。
(19) 基準色と、被膜620の厚さとの関係を表すように予め生成された相関モデルと、補正済みの基板W画像とに基づいて、基板Wに形成された被膜620の厚さ分布を算出する膜厚算出部122を更に備える、(15)~(18)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
補正済みの基板W画像と、相関モデルとに基づくことで、複数の基板撮像装置50間で相関モデルを共通化しつつ、各基板撮像装置50で高い信頼性で膜厚分布を算出することができる。
(20) 基準色と、線幅との関係を表すように予め生成された相関モデルと、補正済みの基板W画像とに基づいて、基板Wに形成された被膜620に刻まれた凹凸パターン621の線幅分布を算出する線幅算出部123を更に備える、(15)~(19)のいずれか一項記載の基板撮像装置50。
補正済みの基板W画像と、相関モデルとに基づくことで、複数の基板撮像装置50間で相関モデルを共通化しつつ、各基板撮像装置50で高い信頼性で線幅分布を算出することができる。
(21) 基板処理装置1内に常在する部材に固定されている複数のパッチ600に光源322,421,522から光を照射し、複数のパッチ600をカメラ310,410,510により撮像させてキャリブレーション画像を取得することと、キャリブレーション画像における複数のパッチ600のそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、カメラ310,410,510の視野内に基板Wを搬入してチャック201により保持させることと、チャック201により保持された基板Wに光源322,421,522から光を照射し、基板Wをカメラ310,410,510により撮像させて基板W画像を取得することと、基板W画像を補正データに基づき補正することと、を含む基板W撮像方法。
(22) (21)記載の基板W撮像方法を装置に実行させるプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。複数のパッチ600は一体化されていてもよい。例えば複数のパッチ600は、一列に並んで一体化されていてもよい。この場合に、複数のパッチ600による反射光の色が、複数のパッチ600の配列の一端から他端に向かって徐々に変化していてもよい。例えば、複数のパッチ600による反射光の色に、一端から他端へ向かうのに応じグラデーションがかかっていてもよい。
基板の例として半導体ウェハを例示したがこれに限られない。例えば、基板はガラス基板であってもよい。また、流体が気体である場合を主に例示したが、流体は液体であってもよい。流体が液体であってもシュリーレン効果が得られるので、上述した構成によって流体の流れの分布を可視化することが可能である。
1…基板処理装置、50…基板撮像装置、W…基板、201…チャック、221…対向面、222…支持部、600…パッチ、610…ベースチップ、620…被膜、621…凹凸パターン、230…拡張ブラケット、210…ステージ、430…ミラー、202,203…アクチュエータ、112…キャリブレーション部、114…基板画像処理部、116…キャリブレーション画像処理部、117…再生成判定部、122…膜厚算出部、123…線幅算出部、329,429…温度センサ、131…監視部、134…汚染検出部、310,410,510…カメラ。

Claims (22)

  1. 基板に対する処理を行う基板処理装置内において、前記基板を保持するチャックと、
    前記チャックにより保持された前記基板に光を照射する光源と、
    前記チャックにより保持された前記基板を撮像するカメラと、
    前記カメラの視野内において互いに異なる位置にそれぞれ固定され、前記光源からの光を互いに異なる色で前記カメラに反射する複数のパッチと、
    を備え、
    前記複数のパッチは、前記基板処理装置内に常在する部材に固定されている、
    基板撮像装置。
  2. 前記複数のパッチのそれぞれは、
    前記カメラに面する表面を有するベースチップと、
    前記ベースチップの表面に形成された被膜と、
    を有し、
    前記被膜の特性に相関する色で、前記光源からの光を前記カメラに反射する、
    請求項1記載の基板撮像装置。
  3. 前記被膜は酸化膜である、
    請求項2記載の基板撮像装置。
  4. 前記複数のパッチのそれぞれは、前記被膜の厚さに相関する色で、前記光源からの光を前記カメラに反射する、
    請求項2又は3記載の基板撮像装置。
  5. 前記複数のパッチのそれぞれは、前記被膜に刻まれた凹凸パターンの線幅に相関する色で、前記光源からの光を前記カメラに反射する、
    請求項2又は3記載の基板撮像装置。
  6. 前記基板に垂直な方向において、前記複数のパッチのそれぞれは、前記基板の裏面と、前記基板の裏面に対向する面との間に位置している、
    請求項1~3のいずれか一項記載の基板撮像装置。
  7. 前記複数のパッチの表面と、前記基板の表面とが、いずれも前記カメラの焦点深度内に位置している、
    請求項6記載の基板撮像装置。
  8. 前記複数のパッチは、前記基板処理装置内に常在する部材として、前記チャックに固定されている、
    請求項1~3のいずれか一項記載の基板撮像装置。
  9. 前記チャックを支持するステージと、
    前記基板の表面の全域が前記カメラの視野内に入るように、前記ステージに対して前記チャックを移動させるアクチュエータと、
    を更に備え、
    前記アクチュエータは、少なくとも前記チャックが前記基板を保持していない状態において、前記複数のパッチのうち前記カメラの視野内に入るパッチを変更するように前記チャックを移動させる、
    請求項8記載の基板撮像装置。
  10. 前記チャックは、前記基板の裏面に対向する対向面と、
    前記対向面から突出して前記基板の裏面に接する環状の支持部と、
    を有し、
    前記複数のパッチの少なくともいずれかが、前記支持部内において前記対向面に設けられている、
    請求項8記載の基板撮像装置。
  11. 前記チャックよりも前記基板の裏面から離れた位置にて、前記チャックの外周から外方に張り出した拡張ブラケットを更に備え、
    前記複数のパッチの少なくともいずれかが、前記基板処理装置内に常在する部材として、前記拡張ブラケットに固定されている、
    請求項8記載の基板撮像装置。
  12. 前記複数のパッチの少なくともいずれかは、前記チャックにより保持された前記基板に隠れない位置に固定されている、
    請求項1~3のいずれか一項記載の基板撮像装置。
  13. 前記チャックを支持するステージと、
    前記基板の表面の全域が前記カメラの視野内に入るように、前記ステージに対して前記チャックを移動させるアクチュエータと、
    を更に備え、
    前記複数のパッチの少なくともいずれかが、前記基板処理装置内に常在する部材として、前記ステージに固定されている、
    請求項12記載の基板撮像装置。
  14. 前記基板からの光を前記カメラに反射させるミラーを更に備え、
    前記複数のパッチの少なくともいずれかが、前記基板処理装置内に常在する部材として、前記ミラーに固定されている、
    請求項1~3のいずれか一項記載の基板撮像装置。
  15. 前記カメラに前記複数のパッチを撮像させてキャリブレーション画像を取得し、前記キャリブレーション画像における前記複数のパッチのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、前記キャリブレーション画像に対する補正データを生成するキャリブレーション部と、
    前記カメラに前記基板を撮像させて基板画像を取得し、前記基板画像を前記補正データに基づき補正する基板画像処理部と、
    を更に備える、
    請求項1~3のいずれか一項記載の基板撮像装置。
  16. 前記光源の温度を検出する温度センサと、
    少なくとも、前記キャリブレーション画像が取得された際からの、前記温度センサによる検出結果の推移を記録する監視部と、
    を更に備える、
    請求項15記載の基板撮像装置。
  17. 前記補正データの生成後に、前記カメラに前記複数のパッチを撮像させて前記キャリブレーション画像を再取得し、再取得した前記キャリブレーション画像を前記補正データに基づき補正するキャリブレーション画像処理部と、
    補正済みの前記キャリブレーション画像における前記複数のパッチのそれぞれの色と、前記基準色との差に基づいて、前記補正データの再生成の要否を判定する再生成判定部と、
    を更に備える、
    請求項15記載の基板撮像装置。
  18. 前記補正データの生成後に、前記カメラに前記複数のパッチを撮像させて前記キャリブレーション画像を再取得し、再取得した前記キャリブレーション画像を前記補正データに基づき補正するキャリブレーション画像処理部と、
    補正済みの前記キャリブレーション画像における前記複数のパッチ間の色の関係に基づいて、前記複数のパッチの少なくともいずれかの汚染を検出する汚染検出部と、
    を更に備える、
    請求項15記載の基板撮像装置。
  19. 前記基準色と、被膜の厚さとの関係を表すように予め生成された相関モデルと、補正済みの前記基板画像とに基づいて、前記基板に形成された前記被膜の厚さ分布を算出する膜厚算出部を更に備える、
    請求項15記載の基板撮像装置。
  20. 前記基準色と、線幅との関係を表すように予め生成された相関モデルと、補正済みの前記基板画像とに基づいて、前記基板に形成された被膜に刻まれた凹凸パターンの線幅分布を算出する線幅算出部を更に備える、
    請求項15記載の基板撮像装置。
  21. 基板処理装置内に常在する部材に固定されている複数のパッチに光源から光を照射し、前記複数のパッチをカメラにより撮像させてキャリブレーション画像を取得することと、
    前記キャリブレーション画像における前記複数のパッチのそれぞれの色を予め定められた基準色に近付けるように、前記キャリブレーション画像に対する補正データを生成することと、
    前記カメラの視野内に基板を搬入してチャックにより保持させることと、
    前記チャックにより保持された前記基板に前記光源から光を照射し、前記基板を前記カメラにより撮像させて基板画像を取得することと、
    前記基板画像を前記補正データに基づき補正することと、
    を含む基板撮像方法。
  22. 請求項21記載の基板撮像方法を装置に実行させるプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
JP2024002678A 2024-01-11 2024-01-11 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体 Pending JP2025109030A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024002678A JP2025109030A (ja) 2024-01-11 2024-01-11 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024002678A JP2025109030A (ja) 2024-01-11 2024-01-11 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2025109030A true JP2025109030A (ja) 2025-07-24

Family

ID=96473486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024002678A Pending JP2025109030A (ja) 2024-01-11 2024-01-11 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2025109030A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11287798B2 (en) Substrate processing capable of suppressing a decrease in throughput while reducing the impact on exposure treatment caused by warping of a substrate
TWI783270B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取記錄媒體
US8730317B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer storage medium
US7289661B2 (en) Apparatus and method for inspecting a substrate
TWI649557B (zh) 基板之檢查方法、基板處理系統及電腦記錄媒體
TWI658341B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP7202828B2 (ja) 基板検査方法、基板検査装置および記録媒体
WO2018042743A1 (ja) 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法
TWI896956B (zh) 攝像裝置、檢查裝置、檢查方法及基板處理裝置
JP6956024B2 (ja) 液処理装置及び液膜状態判定方法
JP7763106B2 (ja) 基板検査装置、基板検査方法、及び、基板検査プログラム
JP6524185B2 (ja) 基板処理システム
JP5766316B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2025109030A (ja) 基板撮像装置、基板撮像方法、及び記憶媒体
JP5825268B2 (ja) 基板検査装置
TW202409549A (zh) 基板檢查裝置,基板檢查方法及基板檢查程式
TWI901079B (zh) 觀察裝置、觀察方法以及基板處理裝置
WO2024252981A1 (ja) 基板検査装置、基板検査方法及び記憶媒体
WO2025041392A1 (ja) 基板エッジ検出方法
TW202501598A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2024170790A (ja) 観察装置、観察方法および基板処理装置
JP4018899B2 (ja) 基板処理ユニット、基板処理装置及び基板処理方法
JP2017092306A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202505594A (zh) 資訊收集系統、檢查用基板及資訊收集方法
JP2022015474A (ja) 検査装置及び基板搬送方法