[go: up one dir, main page]

JP2025099031A - 光学装置および3次元造形装置 - Google Patents

光学装置および3次元造形装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2025099031A
JP2025099031A JP2023215365A JP2023215365A JP2025099031A JP 2025099031 A JP2025099031 A JP 2025099031A JP 2023215365 A JP2023215365 A JP 2023215365A JP 2023215365 A JP2023215365 A JP 2023215365A JP 2025099031 A JP2025099031 A JP 2025099031A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis direction
lens
optical
axis side
long axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023215365A
Other languages
English (en)
Inventor
博文 水野
Hirobumi Mizuno
佳三 橋本
Yoshizo Hashimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2023215365A priority Critical patent/JP2025099031A/ja
Priority to PCT/JP2024/043592 priority patent/WO2025134863A1/ja
Publication of JP2025099031A publication Critical patent/JP2025099031A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20Direct sintering or melting
    • B22F10/28Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F12/00Apparatus or devices specially adapted for additive manufacturing; Auxiliary means for additive manufacturing; Combinations of additive manufacturing apparatus or devices with other processing apparatus or devices
    • B22F12/40Radiation means
    • B22F12/44Radiation means characterised by the configuration of the radiation means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/082Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20Bonding
    • B23K26/21Bonding by welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34Laser welding for purposes other than joining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10Processes of additive manufacturing
    • B29C64/141Processes of additive manufacturing using only solid materials
    • B29C64/153Processes of additive manufacturing using only solid materials using layers of powder being selectively joined, e.g. by selective laser sintering or melting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/20Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B29C64/264Arrangements for irradiation
    • B29C64/268Arrangements for irradiation using laser beams; using electron beams [EB]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

Figure 2025099031000001
【課題】光学装置の構造を簡素化する。
【解決手段】光学装置の第2光学系23は、短軸側遮光部236と、第3レンズ233と、長軸側遮光部235と、第4レンズ234と、走査機構237と、を備える。長軸側遮光部235は、第3レンズ233による変調ビームL33の長軸側の集光位置に配置される。長軸側遮光部235は、変調ビームL33の長軸側の非0次回折光を遮る。走査機構237は、第3レンズ233と第4レンズ234との間において長軸側遮光部235に隣接して配置される。走査機構237は、長軸側遮光部235に入射する変調ビームL33、または、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33を、長軸方向および短軸方向のうち少なくとも一方において走査する。これにより、光学装置12の構造を簡素化することができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、対象物上にスポット光アレイを照射して走査する光学装置、および、当該光学装置を備える3次元造形装置に関する。
近年、金属粉末や樹脂粉末等の造形材料に変調されたレーザ光を照射し、造形材料を焼結させることにより3次元造形を行うSLS(Selective Laser Sintering)式の3次元造形装置が使用されている。
例えば、特許文献1の3次元造形物製造装置では、粉末層の上方に設けられたレーザ光照射ユニット61により、粉末層の上面に単スポットのレーザ光が照射されて走査される。レーザ光照射ユニット61は、レーザ発振器に接続された光ファイバコネクタ83と、光ファイバコネクタ83から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメートレンズ85と、コリメートレンズ85を通過したレーザ光を2次元走査する走査機構であるガルバノ光学スキャナ89と、ガルバノ光学スキャナ89によって走査されるレーザ光を集光して粉末層に照射するFθレンズ99と、を備える。
また、3次元造形装置では、生産性を向上するために、光変調器を用いてライン状のパターン光を形成し、造形材料上に複数の光スポットを同時に照射して(すなわち、スポット光アレイを照射して)走査することが検討されている。
スポット光アレイを照射する3次元造形装置では、造形材料に照射されるレーザ光のパワー密度(すなわち、単位面積当たりの光強度)を増大させるために、ライン状のパターン光を形成する光変調器に、パワー密度の高い光が照射される。このとき、強度分布がガウス分布であるライン状のレーザ光を光変調器に照射すると、変調器の変調面におけるピーク強度(すなわち、最大強度)が過大となり、光変調器が損傷するおそれがある。
そこで、特許文献2の3次元造形装置では、光変調器に入射するライン状のレーザ光の強度分布をトップハットビームシェイパによって平坦に整形することにより、光変調器を損傷させることなく、光変調器への投入光量を増大させることが提案されている。
特開2011-127192号公報 特開2021-165769号公報
ところで、特許文献2の3次元造形装置では、上記目的を達成するために、照明光学系および投影光学系はそれぞれ、比較的多くのレンズ等を含む。また、特許文献2では詳述されていないが、当該3次元造形装置の走査部は、投影光学系を通過したライン状のレーザ光を造形材料の上面(すなわち、被走査面)に結像させて走査するために、特許文献1と略同様の複数の光学素子(すなわち、コリメートレンズ、ガルバノスキャナおよびFθレンズ等)を備える必要がある。このため、当該3次元造形装置では、光源から出射されたレーザ光を造形材料の被走査面へと導いて走査する光学装置について、その構造の簡素化に限界がある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、光学装置の構造を簡素化することを目的としている。
本発明の態様1は、対象物上にスポット光アレイを照射して走査する光学装置であって、レーザ光を長軸方向に長い整形ビームに整形する第1光学系と、前記整形ビームを変調し、前記長軸方向においてパターンを有する変調ビームを形成する光変調器と、前記変調ビームを対象物の被走査面に導いて前記長軸方向に延びるスポット光アレイを前記被走査面上に形成するとともに、前記スポット光アレイを前記被走査面上にて走査する第2光学系と、を備える。前記第2光学系は、前記変調ビームの短軸側の集光位置に配置され、前記変調ビームの短軸側の非0次回折光を遮る短軸側遮光部と、前記短軸側遮光部と前記被走査面との間に配置され、前記変調ビームを前記長軸方向において集光する第1投影光学素子と、前記第1投影光学素子と前記被走査面との間において前記第1投影光学素子による前記変調ビームの前記長軸側の集光位置に配置され、前記変調ビームの長軸側の非0次回折光を遮る長軸側遮光部と、前記長軸側遮光部と前記被走査面との間に配置され、前記長軸側遮光部を通過した前記変調ビームを前記短軸方向において収束させて前記被走査面に集光させることにより、前記被走査面上にスポット光アレイを形成する第2投影光学素子と、前記第1投影光学素子と前記第2投影光学素子との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、前記長軸側遮光部に入射する前記変調ビームまたは前記長軸側遮光部を通過した前記変調ビームを、前記長軸方向および前記短軸方向のうち少なくとも一方において走査する走査機構と、を備える。前記第2光学系により、前記光変調器の変調面と前記被走査面とが前記長軸方向について光学的に共役とされる。
本発明の態様2は、態様1の光学装置であって、前記走査機構は、前記変調ビームの反射方向を変更するガルバノスキャナである。
本発明の態様3は、態様2の光学装置であって、前記ガルバノスキャナは、前記第1投影光学素子と前記長軸側遮光部との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、回転することによって前記長軸方向および前記短軸方向のうち一の方向における前記変調ビームの反射方向を変更する第1ガルバノミラーと、前記長軸側遮光部と前記第2投影光学素子との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、回転することによって前記長軸方向および前記短軸方向のうち他の方向における前記変調ビームの反射方向を変更する第2ガルバノミラーと、を備える。
本発明の態様4は、態様3の光学装置であって、前記第1ガルバノミラーは、前記変調ビームの前記短軸方向における反射方向を変更する。
本発明の態様5は、態様1(態様1ないし4のいずれか1つ、であってもよい。)の光学装置であって、前記第1光学系は、前記レーザ光の前記長軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、前記変調面における前記整形ビームの前記長軸方向の強度分布をトップハット分布とするビームシェイパを備える。
本発明の態様6は、態様5の光学装置であって、前記ビームシェイパは、前記レーザ光の前記短軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、前記変調面における前記整形ビームの前記短軸方向の強度分布もトップハット分布とする。
本発明の態様7は、態様1(態様1ないし6のいずれか1つ、であってもよい。)の光学装置であって、前記走査機構と前記長軸側遮光部との間に光学素子は配置されない。
本発明の態様8は、態様1(態様1ないし7のいずれか1つ、であってもよい。)の光学装置であって、前記光変調器はPLVである。
本発明の態様9は、3次元造形装置であって、態様1ないし8のいずれか1つの光学装置と、前記光学装置へと前記レーザ光を出射するレーザ光源と、前記光学装置からの前記変調ビームが照射される前記対象物である造形材料を保持する材料保持部と、を備える。
本発明では、光学装置の構造を簡素化することができる。
第1の実施の形態に係る3次元造形装置の構成を示す図である。 光変調器の構造を示す図である。 光学装置の構造および光学装置における光路を示す図である。 光学装置の構造および光学装置における光路を示す図である。 短軸側遮光部を示す斜視図である。 長軸側遮光部を示す斜視図である。 第2の実施の形態に係る光学装置の構造および光学装置における光路を示す図である。 光学装置の構造および光学装置における光路を示す図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る3次元造形装置1の構成を示す図である。3次元造形装置1は、粉末状またはペースト状の造形材料に変調されたレーザ光を照射し、造形材料を焼結または溶融させることにより3次元造形を行うSLS(Selective Laser Sintering)式の3次元造形装置である。造形材料は、例えば、金属、エンジニアリングプラスチック、セラミックスまたは合成樹脂等である。当該造形材料は、複数種類の材料を含んでいてもよい。
3次元造形装置1は、レーザ光源11と、光学装置12と、材料供給機構14とを備える。図1では、材料供給機構14を縦断面にて示す。3次元造形装置1では、レーザ光源11から出射されたレーザ光L31は、光学装置12によって材料供給機構14へと導かれ、材料供給機構14の造形空間140内の造形材料91上にて走査される。これにより、造形材料91のうち、レーザ光が照射された部位が焼結する。そして、造形空間140への造形材料91の供給、および、造形材料91上におけるレーザ光の走査が繰り返されることにより、3次元造形物が形成される。図1では、図の理解を容易にするために、光学装置12の各構成を二点鎖線にて囲む。
3次元造形装置1では、製造される予定の3次元造形物の設計データ(例えば、CADデータ)等に基づいて、レーザ光源11、光学装置12および材料供給機構14等の構成が、図示省略の制御部により制御される。当該制御部は、例えば、プロセッサと、メモリと、入出力部と、バスとを備える通常のコンピュータである。なお、制御部の構成は様々に変更されてよい。
レーザ光源11は、光学装置12へとレーザ光L31を出射する。レーザ光源11は、例えば、ファイバレーザ光源である。レーザ光L31の波長は、例えば1.070μmである。なお、レーザ光源11の種類、および、レーザ光L31の波長は、様々に変更されてよい。
光学装置12は、レーザ光源11からのレーザ光L31を変調ビームL33に変調し、造形空間140内の造形材料91の上面92(以下、「被走査面92」とも呼ぶ。)へと照射する。被走査面92上では、光学装置12によって導かれる変調ビームL33により、複数のスポット光が略直線状に並んだスポット光アレイが形成される。光学装置12は、また、当該スポット光アレイを被走査面92上において走査する。
光学装置12は、第1光学系21と、光変調器22と、第2光学系23とを備える。第1光学系21および第2光学系23はそれぞれ、後述するように、レンズ等の光学素子を複数備える。第1光学系21は、レーザ光源11からのレーザ光L31を光変調器22へと導く照明光学系である。第2光学系23は、光変調器22からの変調ビームL33を造形材料91の被走査面92へと導く投影光学系の内部に、変調ビームL33を被走査面92上にて走査する走査機構を組み込んだ光学系である。
第1光学系21は、レーザ光源11からのレーザ光L31を、一の方向(以下、「長軸方向」と呼ぶ。)に長い略矩形状の整形ビームL32に整形して光変調器22へと導く。換言すれば、整形ビームL32の断面形状は、長軸方向に長く、長軸方向に垂直な短軸方向に短い略矩形である。整形ビームL32は、第1光学系21を通過してから光変調器22に入射するまでの光ビームを指す。
上述の長軸方向および短軸方向は、整形ビームL32の進行方向(すなわち、光軸方向)に垂直な方向である。また、整形ビームL32の断面形状とは、整形ビームL32の光軸方向に対して垂直な面における整形ビームL32の形状である。以下の説明において、光の断面とは、上記と同様に、当該光の光軸方向に対して垂直な面における当該光の断面を意味する。整形ビームL32の断面形状は、長軸方向に延びる略直線状と捉えることもできる。光変調器22上における整形ビームL32の照射領域の形状は、例えば、長軸方向の長さが約28mm、短軸方向の長さが約1mmの略矩形である。
光変調器22は、第1光学系21からの整形ビームL32を変調することにより、長軸方向においてパターンを有する変調ビームL33を形成して第2光学系23へと導く。光変調器22としては、例えば、PLV(Planar Light Valve)の一種であるLPLV(Liner Planar Light Valve)が利用される。
図2は、光変調器22(すなわち、LPLV)の構造を簡素化して示す図である。光変調器22は、図示省略の基板上に隣接してマトリクス状に配置された(すなわち、2次元配列された)複数の略矩形状のピクセル221を備える。光変調器22では、当該複数のピクセル221の表面が変調面となる。図2に示す例では、図中の縦方向にM個かつ横方向にN個のピクセル221が配置される。図2中の横方向は、整形ビームL32(図1参照)の長軸方向に対応し、図2中の縦方向は、整形ビームL32の短軸方向に対応する。
各ピクセル221は、固定部材222と、可動部材223とを備えた変調要素である。固定部材222は、上記基板に固定された平面状の略矩形の部材であり、中央に略円形の開口が設けられる。可動部材223は、固定部材222の当該開口に設けられる略円形の部材である。固定部材222の上面(すなわち、図2中の紙面に垂直な方向における手前側の面)には、固定反射面が設けられる。可動部材223の上面には、可動反射面が設けられる。可動部材223は、図2中の紙面に垂直な方向に移動可能である。
各ピクセル221では、図2中の紙面に垂直な方向における固定部材222と可動部材223との相対位置が変更されることにより、ピクセル221からの反射光が、0次光(すなわち、正反射光)と非0次回折光との間で切り替えられる。換言すれば、ピクセル221では、可動部材223が固定部材222に対して相対移動することにより、回折格子を利用した光変調が行われる。光変調器22により生成された0次光は、第2光学系23(図1参照)により造形材料91の被走査面92へと導かれる。また、光変調器22により生成された非0次回折光は、第2光学系23により遮光されて造形材料91の被走査面92には到達しない。上述の非0次回折光は、主として、1次回折光(すなわち、(+1)次回折光および(-1)次回折光))であり、2次以上の回折光も含む。
光変調器22では、図2中の縦方向に1列に並ぶM個のピクセル221(以下、「ピクセル列」とも呼ぶ。)からの反射光の回折状態は同じである。すなわち、一のピクセル221からの反射光が0次光である場合、当該一のピクセル221が含まれるピクセル列の他の全てのピクセル221(すなわち、M-1個のピクセル221)からの反射光も0次光である。また、一のピクセル221からの反射光が非0次回折光である場合、当該一のピクセル221が含まれるピクセル列の他の全てのピクセル221からの反射光も非0次回折光である。すなわち、光変調器22では、整形ビームL32の短軸方向において変調は行わず、長軸方向において変調を行う。
第2光学系23では、光変調器22上における整形ビームL32の長軸方向に1列に並ぶN列のピクセル列について、各ピクセル列に含まれるM個のピクセル221からの反射光が積算されて造形材料91の被走査面92へと導かれ、長軸方向に並ぶN個のスポット光(すなわち、長軸方向に延びるスポット光アレイ)が被走査面92上に形成される。これにより、スポット光アレイにおける各スポット光のパワー密度を増大させることができる。
なお、光変調器22では、1つのピクセル列のM個のピクセル221(すなわち、M個の変調要素)を、1つの単位空間に対応する1つの変調要素と捉えることもできる。光変調器22は、光変調器22上における整形ビームL32の長軸方向に1列に並ぶN個の変調要素を備える光変調器として機能する。
図1に示す材料供給機構14は、造形部141と、供給部142とを備える。造形部141は、第1シリンダ143と、第1ピストン144とを備える。第1シリンダ143は、上下方向に延びる筒状の部材である。第1シリンダ143の内部空間の平面視における形状は、例えば略矩形である。第1ピストン144は、第1シリンダ143の内部空間に収容される略平板状または略柱状の部材であり、平面視における形状は、第1シリンダ143の内部空間と略同じである。第1ピストン144は、第1シリンダ143の内部空間において、上下方向に移動可能である。造形部141では、第1シリンダ143の内側面と第1ピストン144の上面とにより囲まれる3次元空間が、変調ビームL33による3次元造形が行われる造形空間140となる。
供給部142は、第2シリンダ145と、第2ピストン146と、スキージ147とを備える。第2シリンダ145は、上下方向に延びる筒状の部材であり、第1シリンダ143の側方に隣接して配置される。第2シリンダ145の内部空間の平面視における形状は、例えば略矩形である。第2ピストン146は、第2シリンダ145の内部空間に収容される略平板状または略柱状の部材であり、平面視における形状は、第2シリンダ145の内部空間と略同じである。第2ピストン146は、第2シリンダ145の内部空間において、上下方向に移動可能である。供給部142では、第2シリンダ145の内側面と第2ピストン146の上面とにより囲まれる3次元空間が、造形部141に供給される予定の造形材料91が貯溜される貯溜空間となる。スキージ147は、第2シリンダ145の上部開口を横断して水平方向に延びる棒状(例えば、略円柱状)の部材である。スキージ147は、第2シリンダ145の上端面に沿って水平方向に移動可能である。
供給部142では、第2ピストン146が所定距離だけ上昇し、第2シリンダ145内の造形材料91が上方へと持ち上げられる。そして、スキージ147が第2シリンダ145上から第1シリンダ143上へと移動することにより、第2シリンダ145の上端面よりも上側に突出する造形材料91が、造形部141の造形空間140内に供給されて保持される。造形部141は、光学装置12からの変調ビームL33が照射される対象物である造形材料91を保持する材料保持部である。造形空間140内に保持された造形材料91の上面である被走査面92は、所定の高さ(例えば、第1シリンダ143の上端面と同じ高さ)に位置する。
3次元造形装置1では、造形空間140内の造形材料91に対して、上述の変調ビームL33により形成されたスポット光アレイの走査が行われる。これにより、造形空間140内の造形材料91の表層部において、変調ビームL33が照射された部位が焼結し、3次元造形物を上下方向に積層される複数の層に分割した場合の1つの層に相当する部位が形成される。造形空間140内の造形材料91に対する上記スポット光アレイの走査が終了すると、第1ピストン144が所定距離だけ下降する。その後、上述のように、供給部142から造形空間140への造形材料91の供給が行われ、スポット光アレイの走査が行われる。3次元造形装置1では、造形空間140に対する造形材料91の供給と、造形空間140内の造形材料91に対するスポット光アレイの走査とが繰り返されることにより、造形空間140内に3次元造形物が形成される。
次に、光学装置12の詳細な構造について、図3および図4を参照しつつ説明する。図3および図4は、光学装置12におけるレーザ光L31、整形ビームL32および変調ビームL33の光路を模式的に示す図である。図1に例示する光学装置12では、第1光学系21と第2光学系23とは斜めに(すなわち、第1光学系21の光軸と第2光学系23の光軸とが交差するように)配置されるが、図3および図4では、図の理解を容易にするために、第1光学系21の光軸と第2光学系23の光軸とが一直線となるように、第1光学系21および第2光学系23の位置を変更して描いている。後述する図7および図8においても同様である。
図3では、整形ビームL32および変調ビームL33の短軸方向が、紙面に垂直な方向と一致するように、整形ビームL32および変調ビームL33の光路を示す。図3では、整形ビームL32および変調ビームL33の長軸方向は、図中の上下方向と一致する。また、図4では、整形ビームL32および変調ビームL33の長軸方向が、紙面に垂直な方向と一致するように、整形ビームL32および変調ビームL33の光路を示す。図4では、整形ビームL32および変調ビームL33の短軸方向は、図中の上下方向と一致する。後述する図7および図8においても同様である。
光学装置12の第1光学系21は、コリメートレンズ211と、ビームシェイパ213と、ビームエキスパンダ216とを備える。コリメートレンズ211、ビームシェイパ213およびビームエキスパンダ216は、レーザ光源11から光変調器22へと向かう光軸方向において、この順番で配列される。コリメートレンズ211は、レーザ光L31から平行光を生成する。コリメートレンズ211のレンズ形状は、球面であっても、非球面であっても、シリンドリカルであってもよい。なお、図3および図4に示す例では、コリメートレンズ211は単一のレンズで構成されるが、複数のレンズにより構成されてもよい。
ビームシェイパ213は、ビームシェイパ213に入射するガウス分布のコリメートビームの断面における長軸方向および短軸方向の光強度の分布(以下、単に「強度分布」とも呼ぶ。)を、ガウス分布から、最大強度の領域の幅が広い(すなわち、上部が略平坦な)トップハット分布へと変換するトップハットビームシェイパである。ビームシェイパ213は、例えば、単一の光学素子である。本実施の形態では、ビームシェイパ213は非球面凹レンズである。なお、ビームシェイパ213として、非球面凹レンズ以外の様々な光学素子(例えば、フリーフォームレンズ等の屈折光学素子、または、回折光学素子(DOE:Diffractive Optical Element))が利用されてもよい。
ビームエキスパンダ216は、ビームシェイパ213を通過することで生成された矩形像を、長軸および短軸のそれぞれの方向に異なる倍率で拡大し、光変調器22の変調面に結像させる。ビームエキスパンダ216は、上記矩形像を長軸方向に拡大するためのシリンダーレンズ214aおよびシリンダーレンズ214bを備える。また、ビームエキスパンダ216は、上記矩形像を短軸方向に拡大するためのシリンダーレンズ215aおよびシリンダーレンズ215bを備える。図3および図4に示す例では、レーザ光源11から光変調器22へと向かう光軸方向において、シリンダーレンズ214a、シリンダーレンズ215a、シリンダーレンズ214bおよびシリンダーレンズ215bが、この順番で配列される。
なお、第1光学系21では、上記以外の光学素子が追加されてもよい。また、ビームエキスパンダ216の構成は様々に変更されてよい。第1光学系21では、ビームエキスパンダ216は必ずしも設けられる必要はなく、例えば、光変調器22の変調面に所望の大きさの矩形像を直接的に形成するビームシェイパ213が用いられてもよい。
第1光学系21は、上述のように、レーザ光源11から出射されるレーザ光L31をコリメートビームに変換して光変調器22へと導く。第1光学系21に入射するレーザ光L31の断面における長軸方向および短軸方向の強度分布は、それぞれガウス分布である。実際には、これらの強度分布は、厳密なガウス分布ではなく、ガウス関数に近似した形状の分布である場合もあるが、以下の説明では、厳密なガウス分布、および、ガウス分布に近似した分布をまとめて「ガウス分布」と呼ぶ。
第1光学系21では、レーザ光源11から出射されたレーザ光L31は、コリメートレンズ211を通過することにより、長軸方向および短軸方向において平行光であるコリメートビームとなる。コリメートビームは、ビームシェイパ213およびビームエキスパンダ216を通過して光変調器22へと導かれる。ビームシェイパ213に入射する前のコリメートビームの強度分布は、図3および図4の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、長軸方向においてガウス分布であり、短軸方向においてもガウス分布である。
コリメートビームの長軸方向および短軸方向における強度分布は、ビームシェイパ213を通過することにより、図3および図4の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、ガウス分布からトップハット分布(矩形分布とも呼ばれる。)に変換される。また、当該コリメートビームの長軸方向および短軸方向における強度分布は、ビームエキスパンダ216を通過する際に、トップハット分布のまま維持される。したがって、第1光学系21を通過して光変調器22に入射した整形ビームL32の強度分布(すなわち、光変調器22の変調面における整形ビームL32の強度分布)は、長軸方向および短軸方向のそれぞれにおいてトップハット分布である。
第2光学系23は、第1レンズ231と、第2レンズ232と、第3レンズ233と、第4レンズ234と、長軸側遮光部235と、短軸側遮光部236と、走査機構237と、を備える。第1レンズ231および第2レンズ232は、例えば、シリンドリカル凸レンズである。第3レンズ233および第4レンズ234は、例えば、球面凸レンズである。長軸側遮光部235は、例えば、短軸方向に平行に延びる矩形状の開口2350が中央部に設けられた平板部材である。短軸側遮光部236は、例えば、長軸方向に平行に延びる矩形状の開口2360が中央部に設けられた平板部材である。長軸側遮光部235および短軸側遮光部236の材料は、例えば、ステンレス鋼等の金属やセラミックス等である。
本実施の形態では、走査機構237はガルバノスキャナである。走査機構237は、第1ガルバノミラー371と、第2ガルバノミラー372と、第1ガルバノモータ(図示省略)と、第2ガルバノモータ(図示省略)と、を備える。第1ガルバノモータは、第1ガルバノミラー371を回転させることにより、第1ガルバノミラー371による変調ビームL33の反射方向を変更する。第2ガルバノモータは、第2ガルバノミラー372を回転させることにより、第2ガルバノミラー372による変調ビームL33の反射方向を変更する。
第2レンズ232および第3レンズ233は、光軸方向において第1レンズ231の被走査面92側(すなわち、光変調器22とは反対側)に位置する。換言すれば、第2レンズ232および第3レンズ233は、光軸上において第1レンズ231よりも被走査面92に近い位置に位置する。図3および図4に示す例では、第3レンズ233は、光軸方向において第2レンズ232の被走査面92側(すなわち、第1レンズ231とは反対側)に位置する。換言すれば、第2レンズ232は、第1レンズ231と第3レンズ233との間に位置する。なお、第3レンズ233は、第1レンズ231と第2レンズ232との間に配置されてもよい。第4レンズ234は、光軸方向において第1レンズ231、第2レンズ232および第3レンズ233の被走査面92側に位置する。換言すれば、第4レンズ234は、光軸上において第1レンズ231、第2レンズ232および第3レンズ233よりも被走査面92に近い位置に位置する。
図3および図4に例示する第2光学系23では、光変調器22から被走査面92に向かう光軸上において、第1レンズ231、短軸側遮光部236、第2レンズ232、第3レンズ233、長軸側遮光部235および第4レンズ234が、この順番で配列される。
短軸側遮光部236は、第1レンズ231と、第2レンズ232および第3レンズ233との間において、変調ビームL33の短軸側の集光位置近傍に配置される。具体的には、短軸側遮光部236は、第1レンズ231の焦点距離をf、短軸方向における光変調器22からの1次回折角をθ1、短軸側遮光部236に入射して集光する光の角度(NA)をθ2としたとき、光軸上において当該集光位置から(f/2)×(tanθ1/tanθ2)以内に配置されることが好ましく、当該集光位置上に配置されることがより好ましい。短軸側遮光部236は、例えば、第1レンズ231の短軸側の後側焦点位置に配置される。
長軸側遮光部235は、第3レンズ233と第4レンズ234との間において、変調ビームL33の長軸側の集光位置近傍に配置される。具体的には、長軸側遮光部235は、第3レンズ233の焦点距離をf、長軸方向における光変調器22からの1次回折角をθ3、長軸側遮光部235に入射して集光する光の角度(NA)をθ4としたとき、光軸上において当該集光位置(f/2)×(tanθ3/tanθ4)以内に配置されることが好ましく、当該集光位置上に配置されることがより好ましい。長軸側遮光部235が配置される位置は、例えば、第3レンズ233の後側焦点位置近傍である。
第2光学系23では、また、光軸上における第3レンズ233と第4レンズ234との間に、走査機構237が配置される。走査機構237は、長軸側遮光部235に隣接して長軸側遮光部235の近傍に配置される。光軸方向において、走査機構237と長軸側遮光部235との間の距離は、走査機構237と第3レンズ233との間の距離、および、走査機構237と第4レンズ234との間の距離よりも小さい。
具体的には、走査機構237の第1ガルバノミラー371は、光軸方向において長軸側遮光部235の光変調器22側に配置される。換言すれば、第1ガルバノミラー371は、光軸上において第2レンズ232および第3レンズ233と長軸側遮光部235との間に位置する。光軸方向において、第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間の距離は、第1ガルバノミラー371と第3レンズ233との間の距離、および、第1ガルバノミラー371と第2レンズ232との間の距離よりも小さい。第2ガルバノミラー372は、光軸方向において長軸側遮光部235の被走査面92側に配置される。換言すれば、第2ガルバノミラー372は、光軸上において長軸側遮光部235と第4レンズ234との間に位置する。光軸方向において、第2ガルバノミラー372と長軸側遮光部235との間の距離は、第2ガルバノミラー372と第4レンズ234との間の距離よりも小さい。
第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372はそれぞれ、長軸側遮光部235に隣接して長軸側遮光部235の近傍に配置される。光軸方向における第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間の距離は、例えば、10mm~20mmである。光軸方向における長軸側遮光部235と第2ガルバノミラー372との間の距離は、例えば、10mm~20mmである。光軸方向における第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間の距離と、光軸方向における長軸側遮光部235と第2ガルバノミラー372との間の距離は、異なっていてもよいが、略同じであることが好ましい。
図3および図4に例示する光学装置12では、図示されたもの以外の光学素子は設けられないことが好ましい。例えば、光軸上における第3レンズ233と第4レンズ234との間には、長軸側遮光部235および走査機構237以外の光学素子は配置されない。当然に、第3レンズ233と第1ガルバノミラー371との間、および、第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間には、他の光学素子は配置されない。したがって、第3レンズ233を通過した変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第1ガルバノミラー371に入射し、第1ガルバノミラー371にて反射された変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)長軸側遮光部235に入射する。
また、長軸側遮光部235と第2ガルバノミラー372との間、および、第2ガルバノミラー372と第4レンズ234との間にも、他の光学素子は配置されない。したがって、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第2ガルバノミラー372に入射し、第2ガルバノミラー372にて反射された変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第4レンズ234に入射する。
なお、第3レンズ233が第1レンズ231と第2レンズ232との間に配置される場合、光軸上における第2レンズ232と第4レンズ234との間には、長軸側遮光部235および走査機構237以外の光学素子は配置されないことが好ましい。
第2光学系23では、第1レンズ231の短軸側の前側焦点位置(すなわち、光変調器22側の焦点位置)と、光変調器22の変調面とが一致していることが好ましい。このように、光変調器22と第1レンズ231との間隔を、第1レンズ231の前側焦点距離以下(好ましくは、当該前側焦点距離未満)としておくことで、第1レンズ231を通過した後に生じる0次回折光と1次回折光との集光点間隔が広がる。その結果、0次回折光を1次回折光等の非0次回折光から容易に分離することができる。
第2光学系23では、また、第3レンズ233の前側焦点位置と、光変調器22の変調面とが一致している。第1レンズ231の短軸側の後側焦点位置(すなわち、被走査面92側の焦点位置)は、第2レンズ232および第3レンズ233の短軸側の前側合成焦点位置と一致する。第3レンズ233の後側焦点位置は、第4レンズ234の前側焦点位置と一致する。第4レンズ234の後側焦点位置は、造形材料91の被走査面92と一致する。
第2光学系23では、第3レンズ233および第4レンズ234により、光変調器22の変調面と造形材料91の被走査面92とが、長軸方向について光学的に共役とされる。また、短軸方向について、第1レンズ231、第2レンズ232および第3レンズ233により、光変調器22の変調面と、第4レンズ234の前側焦点位置とが光学的に共役とされる。第4レンズ234は、短軸方向について、変調ビームL33を被走査面92上に集光させる。被走査面92は、第2レンズ232、第3レンズ233および第4レンズ234により、第1レンズ231の後側焦点位置と短軸方向について光学的に共役である。換言すれば、短軸方向について、第2レンズ232、第3レンズ233および第4レンズ234により、短軸側遮光部236と被走査面92とが光学的に共役とされる。
なお、第2光学系23では、第1レンズ231、第2レンズ232、第3レンズ233および第4レンズ234の種類は様々に変更されてよく、上記以外の光学素子が追加されてもよい。また、長軸側遮光部235および短軸側遮光部236の材料、形状および構造も様々に変更されてよい。
第2光学系23は、上述のように、光変調器22からの変調ビームL33を造形材料91の被走査面92へと導き、被走査面92上にスポット光アレイを形成するとともに、当該スポット光アレイを被走査面92上にて走査する。
具体的には、光変調器22にて生成された平行光である変調ビームL33は、第1レンズ231を通過することにより、短軸方向において、第1レンズ231の後側焦点位置(すなわち、第2レンズ232および第3レンズ233の前側合成焦点位置)に集光される。変調ビームL33は、長軸方向に関しては、第1レンズ231の通過時に屈折しない。
第1レンズ231を通過した変調ビームL33は、第1レンズ231の短軸側の後側焦点位置に位置する短軸側遮光部236の開口2360を通過する。詳細には、光変調器22にて反射された反射光のうち、0次光および長軸側の非0次回折光が短軸側遮光部236の矩形状の開口2360を通過する。また、光変調器22にて反射された反射光のうち、短軸側の非0次回折光(主として、1次回折光)は、短軸側遮光部236により遮られる。短軸側の非0次回折光は、図5に示すように、短軸側遮光部236の開口2360よりも上側および下側(すなわち、開口2360の短軸方向両側)の部位において、長軸方向に延びる略線状の照射領域81に照射される。
短軸側遮光部236の開口2360を通過した変調ビームL33の断面は、光軸方向において短軸側遮光部236から離れるに従って、短軸方向において広がる。短軸側遮光部236を通過した変調ビームL33は、短軸方向において、第2レンズ232を通過することにより平行光となり、第3レンズ233の通過時には屈折しない。なお、短軸側遮光部236を通過した変調ビームL33は、短軸方向において、第2レンズ232および第3レンズ233のそれぞれの通過時に屈折することにより、第3レンズ233を通過した時点で平行光となってもよい。変調ビームL33は、長軸方向において、第2レンズ232の通過時には屈折せず、第3レンズ233を通過することにより第3レンズ233の後側焦点位置(すなわち、第4レンズ234の前側焦点位置)に集光される。
第2レンズ232および第3レンズ233を通過した変調ビームL33は、走査機構237の第1ガルバノミラー371に入射する。具体的には、変調ビームL33のうち、0次光が第1ガルバノミラー371に入射し、長軸側の非0次回折光(主として、1次回折光)は、第1ガルバノミラー371には入射しない。第1ガルバノミラー371によって反射された変調ビームL33の0次光は、長軸側遮光部235の開口2350を通過する。走査機構237では、第1ガルバノモータによって第1ガルバノミラー371が回転されることにより、第1ガルバノミラー371による0次光の短軸方向における反射方向が変更される。これにより、変調ビームL33の長軸側の集光位置に配置された長軸側遮光部235において、開口2350を通過する0次光の短軸方向における位置が変更される。
一方、変調ビームL33のうち長軸側の非0次回折光は、上述のように第1ガルバノミラー371には入射せず、長軸側遮光部235に直接的に入射して遮られる。長軸側の非0次回折光は、図6に示すように、長軸側遮光部235の開口2350よりも図中の左側および右側(すなわち、開口2350の長軸方向両側)の部位において、短軸方向に延びる略線状の照射領域82に照射される。
長軸側遮光部235の開口2350を通過した変調ビームL33(すなわち、0次光)の断面は、光軸方向において長軸側遮光部235から離れるに従って、長軸方向において広がる。長軸側遮光部235の開口2350を通過した変調ビームL33は、走査機構237の第2ガルバノミラー372に入射する。第2ガルバノミラー372によって反射された変調ビームL33は、第4レンズ234に入射する。走査機構237では、第2ガルバノモータによって第2ガルバノミラー372が回転されることにより、第2ガルバノミラー372による変調ビームL33の長軸方向における反射方向が変更される。これにより、第4レンズ234に入射する変調ビームL33の長軸方向における位置が変更される。
変調ビームL33は、第4レンズ234を通過することにより、長軸方向において平行光となって造形材料91の被走査面92に入射する。また、短軸方向において平行光として第4レンズ234に入射した変調ビームL33は、第4レンズ234を通過することにより、第4レンズ234の後側焦点位置に位置する被走査面92上に、短軸方向において集光される。
上述のように、長軸方向について、光変調器22の変調面と、造形材料91の被走査面92とは光学的に共役である。また、光変調器22の変調面におけるコリメートビームの長軸方向の強度分布は、図3の矩形枠中に示すようにトップハット分布である。したがって、被走査面92上における変調ビームL33の長軸方向の強度分布も、トップハット分布となる。換言すれば、変調ビームL33によって被走査面92上に形成されるスポット光アレイの長軸方向における強度分布が、トップハット分布となる。
また、短軸方向について、光変調器22の変調面と第4レンズ234の前側焦点位置(すなわち、第3レンズ233の後側焦点位置)とは光学的に共役である。また、光変調器22の変調面におけるコリメートビームの短軸方向の強度分布は、ビームシェイパ213により、図4の矩形枠中に示すように、トップハット分布に変換されている。したがって、第3レンズ233を通過した変調ビームL33の短軸方向の強度分布は、第4レンズ234の前側焦点位置においてトップハット分布となる。
このため、第4レンズ234によるフーリエ変換作用により、造形材料91の被走査面92上の集光点(すなわち、上述のスポット光アレイ)における変調ビームL33の短軸方向の強度分布はsinc関数を二乗した分布となる。実際には、変調ビームL33の短軸方向における強度分布は、厳密なsinc関数を二乗した分布ではなく、sinc関数関数の二乗に近似した形状の分布である場合もあるが、以下の説明では、厳密なsinc関数を二乗した分布、および、sinc関数を二乗した分布に近似した分布をまとめて「sinc関数の二乗分布」と呼ぶ。sinc関数の二乗分布は、ガウス分布と略同様に、主たるピークを有する分布であるため、被走査面92上において変調ビームL33を好適に集光することができる。
3次元造形装置1では、光学装置12の走査機構237において第1ガルバノミラー371が回転することにより、上述のスポット光アレイが、造形材料91の被走査面92上において短軸方向に対応する方向(すなわち、スポット光アレイにおける複数のスポット光の配列方向に垂直な方向)へと走査される。また、走査機構237において第2ガルバノミラー372が回転することにより、上述のスポット光アレイが、造形材料91の被走査面92上において長軸方向に対応する方向(すなわち、スポット光アレイにおける複数のスポット光の配列方向に平行な方向)へと走査される。3次元造形装置1では、造形材料91上におけるスポット光アレイの走査、および、造形空間140への造形材料91の供給が繰り返されることにより、3次元造形物が形成される。
造形材料91の被走査面92上における変調ビームL33の大きさは、以下のように求められる。例えば、レーザ光L31の波長λは1.070μmであり、光変調器22の変調面上における照射領域は、長軸方向の長さLが28mm、短軸方向の長さLが1mmの略線状(または略矩形状)であるものとする。第1レンズ231および第2レンズ232の短軸側の焦点距離f,fはそれぞれ、40mmおよび400mmであり、第3レンズ233および第4レンズ234の焦点距離f,fはそれぞれ、240mmおよび240mmであるものとする。第2レンズ232と第3レンズ233との間隔dは50mmであるものとする。この場合、第2レンズ232および第3レンズ233の短軸側の合成焦点距離f23は、約163mmとなる。
短軸方向については、上述のように、第1レンズ231の後側焦点位置(すなわち、短軸側遮光部236が配置される位置)に変調ビームL33が集光される。第1レンズ231の後側焦点位置における変調ビームL33の短軸方向の集光幅(すなわち、sinc関数の二乗分布の第1暗線間幅)dS1は、2.0xλxf/L≒86μmとなる。第1レンズ231の後側焦点位置は、短軸方向について、造形材料91の被走査面92と光学的に共役である。したがって、被走査面92上における変調ビームL33の短軸方向の集光径は、86μmxf/f23≒126μmとなる。
長軸方向については、上述のように、第3レンズ233の後側焦点位置に変調ビームL33が集光される。第3レンズ233の後側焦点位置における変調ビームL33の長軸方向の集光幅(すなわち、sinc関数の二乗分布の第1暗線間幅)dL3は、2.0xλxf/L≒18μmとなる。なお、第3レンズ233の後側焦点位置における変調ビームL33の短軸方向の長さLは、Lxf23/f=4mmとなる。長軸方向については、光変調器22の変調面と造形材料91の被走査面92とが光学的に共役である。したがって、被走査面92上における変調ビームL33の長軸方向の長さは、Lxf/f=28mmとなる。
上述のように、短軸側遮光部236は、第1レンズ231の後側焦点位置に配置されるため、短軸側遮光部236の開口2360の短軸方向両側に照射される1次回折光(すなわち、(+1)次回折光および(-1)次回折光))の照射領域81(図5参照)は、長軸方向がL=28mmであり、短軸方向がdS1≒86μmである略線状となる。また、長軸側遮光部235は、第3レンズ233の後側焦点位置に配置されるため、長軸側遮光部235の開口2350の長軸方向両側に照射される1次回折光の照射領域82(図6参照)は、長軸方向がdL3≒18μmであり、短軸方向がL=4mmである略線状となる。
一方、変調ビームL33が、長軸方向および短軸方向の双方において、1枚の凸レンズにより光路上の同じ位置(すなわち、当該凸レンズの後側焦点位置)に集光される光学装置(以下、「比較例の光学装置」と呼ぶ。)を仮定すると、当該後側焦点位置に配置された遮光部上において、1次回折光が点状の照射領域に照射される。例えば、当該凸レンズの焦点距離を240mmとした場合、当該遮光部上における1次回折光の照射領域の直径は約326μmとなる。
したがって、本実施の形態に係る光学装置12では、短軸側遮光部236上における1次回折光のパワー密度、および、長軸側遮光部235上における1次回折光のパワー密度が、比較例の光学装置の遮光部上における1次回折光のパワー密度の10%以下に低減される。
第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372の大きさは、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372の位置によって変更される。例えば、第1ガルバノミラー371は、長軸側遮光部235から20mm前側(すなわち、光軸方向における光変調器22側)に配置され、第2ガルバノミラー372は長軸側遮光部235から20mm後側(すなわち、光軸方向における被走査面92側)に配置されるものとする。この場合、長軸側遮光部235上における変調ビームL33の照射領域は、上述のように、長軸方向が22μm、短軸方向が4mmの略線状であり、当該変調ビームL33を形成するNAは、長軸側で約0.058、短軸側でほぼ0であるため、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372上における変調ビームL33の照射領域は、長軸方向が約2.3mm、短軸方向が約4mmの略矩形状となる。したがって、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372の大きさは、当該照射領域が収まる大きさ以上とされる。
次に、本発明の第2の実施の形態に係る光学装置12aについて、図7および図8を参照しつつ説明する。図7および図8は、光学装置12aにおけるレーザ光L31、整形ビームL32および変調ビームL33の光路を模式的に示す図であり、上述の図3および図4に対応する。
図7および図8に示す光学装置12aでは、図3および図4に示す第1光学系21および第2光学系23に代えて、第1光学系21および第2光学系23とは構成が異なる第1光学系21aおよび第2光学系23aが設けられる。具体的には、第1光学系21aは、図3および図4に示すビームエキスパンダ216(すなわち、シリンダーレンズ214a、シリンダーレンズ215a、シリンダーレンズ214bおよびシリンダーレンズ215b)に代えて、照明光学素子216aを備える。第2光学系23aは、図3および図4に示す第1レンズ231、第2レンズ232、第3レンズ233および第4レンズ234に代えて、第1レンズ231a、第2レンズ232aおよび第3レンズ233aを備える。光学装置12aの他の構成は、光学装置12の構成と略同様であり、以下の説明では、光学装置12の対応する構成と同符号を付す。
第1光学系21aは、上述の第1光学系21と略同様に、レーザ光源11から出射されるレーザ光L31を、長軸方向に長い略矩形状の整形ビームL32に整形して光変調器22へと導く。第1光学系21aでは、コリメートレンズ211、ビームシェイパ213および照明光学素子216aが、レーザ光源11から光変調器22へと向かう光の進行方向(すなわち、光軸方向)において、この順番で配列される。照明光学素子216aは、例えば、単一のレンズであり、図7および図8に示す例では、1つの球面凸レンズである。照明光学素子216aは、非球面凸レンズであってもよい。また、照明光学素子216aは、複数の光学素子により構成されていてもよい。
図7および図8に例示する第1光学系21aでは、ビームシェイパ213と光変調器22との間には、単一のレンズである照明光学素子216a以外の光学素子は配置されない。換言すれば、ビームシェイパ213から出射されたビームは、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)照明光学素子216aに入射する。また、照明光学素子216aを通過した整形ビームL32は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)光変調器22に入射する。
第1光学系21aでは、第1光学系21と略同様に、レーザ光源11から出射されたレーザ光L31は、コリメートレンズ211を通過することにより、長軸方向および短軸方向において平行光であるコリメートビームとなる。コリメートビームは、ビームシェイパ213および照明光学素子216aを通過して光変調器22へと導かれる。ビームシェイパ213に入射する前のコリメートビームの強度分布は、図7および図8の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、長軸方向においてガウス分布であり、短軸方向においてもガウス分布である。
ビームシェイパ213は、ビームシェイパ213に入射するコリメートビーム(すなわち、入射光)を長軸方向および短軸方向において互いに異なる発散角にて広げる。コリメートビームの長軸方向および短軸方向における強度分布は、ビームシェイパ213を通過することにより、ガウス分布からトップハット分布(矩形分布とも呼ばれる。)に変換される。また、当該コリメートビームの長軸方向および短軸方向における強度分布は、照明光学素子216aを通過する際に、トップハット分布のまま維持される。したがって、図7および図8の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、第1光学系21aを通過して光変調器22に入射した整形ビームL32の強度分布(すなわち、光変調器22の変調面における整形ビームL32の強度分布)は、長軸方向および短軸方向のそれぞれにおいてトップハット分布である。
第1光学系21aでは、上述のコリメートビームがビームシェイパ213および照明光学素子216aを通過することにより、長軸方向において平行光であって短軸方向において収束光である整形ビームL32となって光変調器22の変調面に入射する。照明光学素子216aによる整形ビームL32の短軸方向における集光位置は、光変調器22を挟んで第1光学系21aとは反対側(すなわち、光変調器22の被走査面92側)に位置する。このため、整形ビームL32は、短軸側における集光位置に達するよりも前に光変調器22に入射する。
光変調器22に入射した整形ビームL32は、光変調器22により変調され、変調ビームL33として第2光学系23aに入射する。光変調器22から第2光学系23aに入射する変調ビームL33は、長軸方向において平行光であり、短軸方向において収束光である。光変調器22は、例えばLPLVである。
第2光学系23aは、上述の第2光学系23と略同様に、光変調器22からの変調ビームL33を造形材料91の被走査面92へと導く投影光学系の内部に、変調ビームL33を被走査面92上にて走査する走査機構237を組み込んだ光学系である。第2光学系23aは、第1レンズ231aと、第2レンズ232aと、第3レンズ233aと、長軸側遮光部235と、短軸側遮光部236と、走査機構237とを備える。
第1レンズ231aは、例えば単一のレンズであり、図7および図8に示す例では、単一の球面凸レンズである。第2レンズ232aは、例えば単一のレンズであり、図7および図8に示す例では、単一の球面凸レンズである。第1レンズ231aおよび第2レンズ232aはそれぞれ、非球面凸レンズであってもよい。第3レンズ233aは、例えば単一のレンズであり、図7および図8に示す例では、単一のシリンドリカル凸レンズである。
本実施の形態においても、上記と同様に、走査機構237はガルバノスキャナである。走査機構237では、第1ガルバノモータ(図示省略)によって第1ガルバノミラー371が回転されることにより、第1ガルバノミラー371による変調ビームL33の反射方向が変更される。また、第2ガルバノモータ(図示省略)によって第2ガルバノミラー372が回転されることにより、第2ガルバノミラー372による変調ビームL33の反射方向が変更される。
図7および図8に例示する第2光学系23aでは、光変調器22から被走査面92に向かう光軸上において、短軸側遮光部236、第3レンズ233a、第1レンズ231a、長軸側遮光部235および第2レンズ232aが、この順番で配列される。
短軸側遮光部236は、光変調器22と第3レンズ233aとの間において、上述の第2光学系23と同様に、変調ビームL33の短軸側の集光位置近傍に配置される。図7および図8に例示する第2光学系23aでは、光変調器22と短軸側遮光部236との間には、レンズ等の他の光学素子は配置されない。換言すれば、光変調器22にて変調された変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を経由することなく)短軸側遮光部236に入射する。また、短軸側遮光部236の開口2360を通過した変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を経由することなく)第3レンズ233に入射する。
長軸側遮光部235は、第1レンズ231aと第2レンズ232aとの間において、上述の第2光学系23と同様に、変調ビームL33の長軸側の集光位置近傍に配置される。長軸側遮光部235が配置される位置は、例えば、第1レンズ231aの後側焦点位置近傍である。第1レンズ231aの後側焦点位置は、第2レンズ232aの前側焦点位置と一致する。
第2光学系23aでは、また、光軸上における第1レンズ231aと第2レンズ232aとの間に、走査機構237が配置される。走査機構237は、上述の第2光学系23と同様に、長軸側遮光部235に隣接して長軸側遮光部235の近傍に配置される。光軸方向において、走査機構237と長軸側遮光部235との間の距離は、走査機構237と第1レンズ231aとの間の距離、および、走査機構237と第2レンズ232aとの間の距離よりも小さい。
具体的には、走査機構237の第1ガルバノミラー371は、光軸方向において長軸側遮光部235の光変調器22側に配置される。換言すれば、第1ガルバノミラー371は、光軸上において第1レンズ231aと長軸側遮光部235との間に位置する。光軸方向において、第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間の距離は、第1ガルバノミラー371と第1レンズ231aとの間の距離よりも小さい。第2ガルバノミラー372は、光軸方向において長軸側遮光部235の被走査面92側に配置される。換言すれば、第2ガルバノミラー372は、光軸上において長軸側遮光部235と第2レンズ232aとの間に位置する。光軸方向において、第2ガルバノミラー372と長軸側遮光部235との間の距離は、第2ガルバノミラー372と第2レンズ232aとの間の距離よりも小さい。第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372と長軸側遮光部235等との位置関係は、上述の第2光学系23におけるものと略同様である。
図7および図8に例示する第2光学系23aでは、図示されたもの以外の光学素子は設けられないことが好ましい。例えば、光軸上における第1レンズ231aと第2レンズ232aとの間には、長軸側遮光部235および走査機構237以外の光学素子は配置されない。当然に、第1レンズ231aと第1ガルバノミラー371との間、および、第1ガルバノミラー371と長軸側遮光部235との間には、他の光学素子は配置されない。したがって、第1レンズ231aを通過した変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第1ガルバノミラー371に入射し、第1ガルバノミラー371にて反射された変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)長軸側遮光部235に入射する。
また、長軸側遮光部235と第2ガルバノミラー372との間、および、第2ガルバノミラー372と第2レンズ232aとの間にも、他の光学素子は配置されない。したがって、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第2ガルバノミラー372に入射し、第2ガルバノミラー372にて反射された変調ビームL33は、直接的に(すなわち、他の光学素子を通過することなく)第2レンズ232aに入射する。
第2光学系23aでは、第1レンズ231aおよび第2レンズ232aにより、光変調器22の変調面と造形材料91の被走査面92とが、長軸方向について光学的に共役とされる。また、短軸方向について、第3レンズ233a、第1レンズ231aおよび第2レンズ232aにより、短軸側遮光部236と被走査面92とが光学的に共役とされる。なお、第2光学系23aでは、第1レンズ231a、第2レンズ232aおよび第3レンズ233aの種類は様々に変更されてよく、上記以外の光学素子が追加されてもよい。
第2光学系23aは、第2光学系23と同様に、光変調器22からの変調ビームL33を造形材料91の被走査面92へと導き、被走査面92上にスポット光アレイを形成するとともに、当該スポット光アレイを被走査面92上にて走査する。
具体的には、短軸側が収束光である変調ビームL33は、短軸側遮光部236が配置されている集光位置にて短軸側において集光され、短軸側遮光部236の開口2360を通過する。詳細には、光変調器22にて反射された反射光である変調ビームL33のうち、0次光および長軸側の非0次回折光が短軸側遮光部236の開口2360を通過する。短軸側遮光部236の開口2360を通過する変調ビームL33の断面形状は、長軸方向に長い略直線状または略矩形状である。短軸側遮光部236の開口2360を通過する変調ビームL33の強度分布は、図7よび図8の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、長軸方向において略トップハット分布であり、短軸方向においてsinc関数の二乗分布である。
一方、変調ビームL33のうち、短軸側の非0次回折光は短軸側遮光部236により遮られる。短軸側の非0次回折光は、図5に示す短軸側遮光部236の開口2360よりも上側および下側(すなわち、開口2360の短軸方向両側)の部位において、長軸方向に長い略直線状または略矩形状の照射領域81に照射される。
図7および図8に示すように、短軸側遮光部236の開口2360を通過した変調ビームL33の断面は、光軸方向において短軸側遮光部236から離れるに従って、短軸方向において広がる。短軸側遮光部236を通過した変調ビームL33は、第3レンズ233aおよび第1レンズ231aを通過することにより、短軸方向において平行光となる。例えば、短軸側遮光部236を通過した変調ビームL33は、第3レンズ233aを通過することにより短軸方向において平行光となり、第1レンズ231aの通過時には短軸方向において屈折しない。また、変調ビームL33は、長軸方向において、第3レンズ233aの通過時には屈折せず、第1レンズ231aを通過することにより収束されて第1レンズ231aの後側焦点位置(すなわち、第2レンズ232aの前側焦点位置)に集光される。
第3レンズ233aおよび第1レンズ231aを通過した変調ビームL33は、走査機構237の第1ガルバノミラー371に入射する。具体的には、変調ビームL33のうち、0次光が第1ガルバノミラー371に入射し、長軸側の非0次回折光(主として、1次回折光)は、第1ガルバノミラー371には入射しない。第1ガルバノミラー371によって反射された変調ビームL33の0次光は、長軸側遮光部235の開口2350を通過する。走査機構237では、第1ガルバノモータによって第1ガルバノミラー371が回転されることにより、第1ガルバノミラー371による0次光の短軸方向における反射方向が変更される。これにより、変調ビームL33の長軸側の集光位置に配置された長軸側遮光部235において、開口2350を通過する0次光の短軸方向における位置が変更される。
一方、変調ビームL33のうち長軸側の非0次回折光は、上述のように第1ガルバノミラー371には入射せず、長軸側遮光部235に直接的に入射して遮られる。長軸側の非0次回折光は、図6に示す長軸側遮光部235の開口2350よりも図中の左側および右側(すなわち、開口2350の長軸方向両側)の部位において、短軸方向に延びる略線状の照射領域82に照射される。
長軸側遮光部235の開口2350を通過する変調ビームL33の断面形状は、短軸方向に長い略直線状または略矩形状である。長軸側遮光部235の開口2350を通過する変調ビームL33の強度分布は、図7および図8の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、長軸方向においてsinc関数の二乗分布であり、短軸方向においてトップハット分布である。
長軸側遮光部235の開口2350を通過した変調ビームL33(すなわち、0次光)の断面は、光軸方向において長軸側遮光部235から離れるに従って、長軸方向において広がる。長軸側遮光部235の開口2350を通過した変調ビームL33は、走査機構237の第2ガルバノミラー372に入射する。第2ガルバノミラー372によって反射された変調ビームL33は、第2レンズ232aに入射する。走査機構237では、第2ガルバノモータによって第2ガルバノミラー372が回転されることにより、第2ガルバノミラー372による変調ビームL33の長軸方向における反射方向が変更される。これにより、第2レンズ232aに入射する変調ビームL33の長軸方向における位置が変更される。
変調ビームL33は、第2レンズ232aを通過することにより、長軸方向において平行光となって造形材料91の被走査面92に入射する。また、短軸方向において平行光として第2レンズ232aに入射した変調ビームL33は、第2レンズ232aを通過することにより、第2レンズ232aの後側焦点位置に位置する被走査面92上に、短軸方向において集光される。
造形材料91の被走査面92上における変調ビームL33の断面形状は、長軸方向に長い略矩形である。被走査面92上における変調ビームL33の強度分布は、図7および図8の光路図の下側に矩形枠で囲んで示すように、長軸方向においてトップハット分布であり、短軸方向においてsinc関数の二乗分布である。換言すれば、変調ビームL33によって被走査面92上に形成されるスポット光アレイの長軸方向における強度分布、および、短軸方向における強度分布がそれぞれ、トップハット分布およびsinc関数の二乗分布となる。これにより、被走査面92上において変調ビームL33を好適に集光することができる。
光学装置12aが設けられる3次元造形装置1では、上記と略同様に、光学装置12aの走査機構237において第1ガルバノミラー371が回転することにより、上述のスポット光アレイが、造形材料91の被走査面92上において短軸方向に対応する方向(すなわち、スポット光アレイにおける複数のスポット光の配列方向に垂直な方向)へと走査される。また、走査機構237において第2ガルバノミラー372が回転することにより、上述のスポット光アレイが、造形材料91の被走査面92上において長軸方向に対応する方向(すなわち、スポット光アレイにおける複数のスポット光の配列方向に平行な方向)へと走査される。3次元造形装置1では、造形材料91上におけるスポット光アレイの走査、および、造形空間140への造形材料91の供給が繰り返されることにより、3次元造形物が形成される。
上述の光学装置12,12aにおいて、短軸側遮光部236と造形材料91の被走査面92との間に配置されて変調ビームL33を長軸方向において集光する光学素子を「第1投影光学素子」と呼ぶと、光学装置12では第3レンズ233が第1投影光学素子であり、光学装置12aでは第1レンズ231aが第1投影光学素子である。また、長軸側遮光部235と被走査面92との間に配置されて、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33を短軸方向において収束させて被走査面92に集光させる光学素子を「第2投影光学素子」と呼ぶと、光学装置12では、第4レンズ234が第2投影光学素子であり、光学装置12aでは第2レンズ232aが第2投影光学素子である。
上述の光学装置12,12aでは、第1ガルバノミラー371が回転することにより、変調ビームL33の短軸方向における反射方向が変更され、第2ガルバノミラー372が回転することにより、変調ビームL33の長軸方向における反射方向が変更されるが、これには限定されない。例えば、第1ガルバノミラー371が回転することにより、変調ビームL33の長軸方向における反射方向が変更され、第2ガルバノミラー372が回転することにより、変調ビームL33の短軸方向における反射方向が変更されてもよい。すなわち、第1ガルバノミラー371は、回転することによって変調ビームL33の長軸方向および短軸方向のうち一の方向における反射方向を変更する。また、第2ガルバノミラー372は、回転することによって変調ビームL33の長軸方向および短軸方向のうち他の方向における反射方向を変更する。
上述の光学装置12,12aでは、第1ガルバノミラー371は、第1投影光学素子(すなわち、第3レンズ233/第1レンズ231a)と長軸側遮光部235との間に配置され、第2ガルバノミラー372は、長軸側遮光部235と第2投影光学素子(すなわち、第4レンズ234/第2レンズ232a)との間に配置されるが、これには限定されない。例えば、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372は、長軸側遮光部235と上述の第2投影光学素子との間に配置されてもよい。この場合、光軸方向において長軸側遮光部235よりも光変調器22側に変調ビームL33の向きを変更する機構が存在しないため、長軸側遮光部235の開口2350を小さくすることができる。また、長軸側の非0次回折光がガルバノミラーに入射することがないため、走査機構237および長軸側遮光部235の設計を容易とすることができる。
あるいは、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372は、上述の第1投影光学素子と長軸側遮光部235との間に配置されてもよい。このように、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372を、光軸方向において長軸側遮光部235のいずれか一方側に配置することにより、第1ガルバノミラー371と第2ガルバノミラー372との光軸方向における距離を小さくすることができる。その結果、第1ガルバノミラー371によって反射方向が変更された変調ビームL33を受光する必要がある第2ガルバノミラー372を小型化することができる。
第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372の配置は、当該配置によるディストーション特性、および、上述の第2投影光学素子のディストーション特性等も考慮して、造形材料91の被走査面92上における変調ビームL33の照射領域の形状が、所望の形状に近くなるように決定されることが好ましい。
光学装置12,12aでは、走査機構237は、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372のうち、いずれか一方のみを備えていてもよい。当該一方のガルバノミラーは、光軸方向において長軸側遮光部235の光変調器22側に配置されてもよく、長軸側遮光部235の被走査面92側に配置されてもよい。また、当該一方のガルバノミラーが回転することにより変更される変調ビームL33の反射方向は、長軸方向におけるものであってもよく、短軸方向におけるものであってもよい。
すなわち、上記一方のガルバノミラーが光軸方向において長軸側遮光部235の光変調器22側に配置されている場合、当該一方のガルバノミラーが回転することにより、長軸側遮光部235に入射する前の変調ビームL33が、長軸方向および短軸方向のうち一の方向において走査される。また、上記一方のガルバノミラーが光軸方向において長軸側遮光部235の被走査面92側に配置されている場合、当該一方のガルバノミラーが回転することにより、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33が、長軸方向および短軸方向のうち一の方向において走査される。そして、長軸方向および短軸方向のうち他の方向における変調ビームL33の走査は、例えば、材料供給機構14に設けられたリニアモータ等の移動機構によって造形空間140内の造形材料91が当該他の方向に対応する方向に移動されることによって実現される。
以上に説明したように、光学装置12,12aは、対象物(上記例では、造形材料91)上にスポット光アレイを照射して走査する装置である。光学装置12,12aは、第1光学系21,21aと、光変調器22と、第2光学系23,23aとを備える。第1光学系21,21aは、レーザ光L31を長軸方向に長い整形ビームL32に整形する。光変調器22は、整形ビームL32を変調し、長軸方向においてパターンを有する変調ビームL33を形成する。第2光学系23,23aは、変調ビームL33を対象物の被走査面92に導いて長軸方向に延びるスポット光アレイを被走査面92上に形成するとともに、当該スポット光アレイを被走査面92上にて走査する。
第2光学系23,23aは、短軸側遮光部236と、第1投影光学素子(上記例では、第3レンズ233または第1レンズ231a)と、長軸側遮光部235と、第2投影光学素子(上記例では、第4レンズ234または第2レンズ232a)と、走査機構237と、を備える。
短軸側遮光部236は、変調ビームL33の短軸側の集光位置に配置される。短軸側遮光部236は、変調ビームL33の短軸側の非0次回折光を遮る。第1投影光学素子は、短軸側遮光部236と被走査面92との間に配置される。第1投影光学素子は、変調ビームL33を長軸方向において集光する。長軸側遮光部235は、第1投影光学素子と被走査面92との間において第1投影光学素子による変調ビームL33の長軸側の集光位置に配置される。長軸側遮光部235は、変調ビームL33の長軸側の非0次回折光を遮る。第2投影光学素子は、長軸側遮光部235と被走査面92との間に配置される。第2投影光学素子は、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33を短軸方向において収束させて被走査面92に集光させることにより、被走査面92上にスポット光アレイを形成する。
走査機構237は、第1投影光学素子と第2投影光学素子との間において長軸側遮光部235に隣接して配置される。走査機構237は、長軸側遮光部235に入射する変調ビームL33、または、長軸側遮光部235を通過した変調ビームL33を、長軸方向および短軸方向のうち少なくとも一方において走査する。光学装置12,12aでは、第2光学系23,23aにより、光変調器22の変調面と被走査面92とが長軸方向について光学的に共役とされる。
このように、光学装置12,12aの第2光学系23,23aでは、光変調器22からの変調ビームL33を対象物へとリレーして被走査面92上にスポット光アレイを形成する投影光学系の内部に、当該スポット光アレイを被走査面92上にて走査する走査機構237が組み込まれている。このため、投影光学系と走査部とが別々に設けられる場合に当該走査部において必要とされる走査機構以外の光学素子(例えば、走査部においてガルバノスキャナの前後に設けられるコリメートレンズおよびFθレンズ等)を省略することができる。その結果、光学装置12,12aの構造を簡素化することができる。また、光学装置12,12aを小型化することができる。さらには、光学装置12,12aの製造コストを低減することもできる。
上述のように、走査機構237は、変調ビームL33の反射方向を変更するガルバノスキャナであることが好ましい。これにより、被走査面92上におけるスポット光アレイの走査を、簡素な構造で実現することができる。その結果、光学装置12,12aの構造をさらに簡素化することができる。
上述のように、ガルバノスキャナは、第1ガルバノミラー371と、第2ガルバノミラー372とを備えることが好ましい。第1ガルバノミラー371は、第1投影光学素子と長軸側遮光部235との間において、長軸側遮光部235に隣接して配置されることが好ましい。第1ガルバノミラー371は、回転することによって長軸方向および短軸方向のうち一の方向における変調ビームL33の反射方向を変更する。また、第2ガルバノミラー372は、長軸側遮光部235と第2投影光学素子との間において、長軸側遮光部235に隣接して配置されることが好ましい。第2ガルバノミラー372は、回転することによって長軸方向および短軸方向のうち他の方向における変調ビームL33の反射方向を変更する。
このように、光軸方向において、第1ガルバノミラー371および第2ガルバノミラー372を長軸側遮光部235の前後両側に配置することにより、第1投影光学素子と長軸側遮光部235との間の距離と、長軸側遮光部235と第2投影光学素子との間の距離とを略同じにすることができる。すなわち、光軸方向において、変調ビームL33の長軸側の集光位置と第1投影光学素子との間の距離と、変調ビームL33の長軸側の集光位置と第2投影光学素子との間の距離とを略同じにすることができる。これにより、光学装置12,12aのディストーション特性を向上することができる。
上述のように、第1ガルバノミラー371は、変調ビームL33の短軸方向における反射方向を変更することが好ましい。これにより、長軸側遮光部235において、開口2350の長軸方向の幅(すなわち、図6中の左右方向の幅)を小さくすることができる。その結果、長軸側の非0次回折光が開口2350に入射することを抑制することができ、光変調器22によるスポット光アレイの変調を精度良く行うことができる。
上述のように、第1光学系21,21aは、ビームシェイパ213を備えることが好ましい。ビームシェイパ213は、レーザ光L31の長軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、変調面における整形ビームL32の長軸方向の強度分布をトップハット分布とすることが好ましい。これにより、光変調器22に入射する整形ビームL32の最大パワー密度を低下させつつ投入総光量を増大させることができる。したがって、光変調器22の損傷リスクを低減しつつ、光変調器22への投入光量を増大させることができる。その結果、対象物に照射される変調ビームL33のパワー密度を好適に増大させることができる。
上述のように、ビームシェイパ213は、レーザ光L31の短軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、変調面における整形ビームL32の短軸方向の強度分布もトップハット分布とすることが好ましい。これにより、光変調器22に入射する整形ビームL32の最大パワー密度をさらに低下させつつ投入総光量をさらに増大させることができる。
上述のように、走査機構237と長軸側遮光部235との間に光学素子は配置されないことが好ましい。これにより、光学装置12,12aの構造をさらに簡素化することができる。
上述のように、光変調器22はPLVであることが好ましい。PLVは耐パワー性能が高いため、投入光量の増大が求められる光変調器22に特に適している。
上述の3次元造形装置1は、光学装置12,12aと、レーザ光源11と、材料保持部(上記例では、造形部141)とを備える。レーザ光源11は、光学装置12,12aへとレーザ光L31を出射する。材料保持部は、光学装置12,12aからの変調ビームL33が照射される上記対象物である造形材料91を保持する。3次元造形装置1では、上述のように、光学装置12,12aの構造を簡素化することができる。したがって、3次元造形装置1の構造を簡素化して小型化することができる。
上述の光学装置12,12aおよび3次元造形装置1では、様々な変更が可能である。
例えば、光変調器22は、必ずしもLPLVには限定されず、LPLV以外のPLVであってもよい。また、光変調器22として、GLV(Grating Light Valve)(登録商標)やDMD(Digital Micromirror Device)等、PLV以外のものも利用可能である。
走査機構237は、必ずしもガルバノスキャナである必要はなく、例えば、ポリゴンレーザスキャナ等の他の構造を有する走査機構であってもよい。
光学装置12,12aでは、ビームシェイパ213は、必ずしも単一の光学素子である必要はなく、複数の光学素子によって構成されていてもよい。ビームシェイパ213は、レーザ光L31の短軸方向における強度分布をトップハット分布に変換することなく、長軸方向における強度分布のみをトップハット分布に変換してもよい。あるいは、光学装置12,12aでは、レーザ光L31の強度分布をトップハット分布に変換するビームシェイパ213は、省略されてもよい。
光学装置12,12aでは、走査機構237と長軸側遮光部235との間に他の光学素子が配置されてもよい。
光学装置12,12aは、上述の3次元造形装置1とは異なる構造を有する3次元造形装置に設けられてもよい。また、光学装置12,12aは、必ずしも3次元造形装置1に設けられる必要はなく、3次元造形装置以外の様々な装置(例えば、レーザーマーキング装置やレーザドリリング装置等のレーザ加工機)にて使用されてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
1 3次元造形装置
11 レーザ光源
12,12a 光学装置
21,21a 第1光学系
22 光変調器
23,23a 第2光学系
91 造形材料
92 被走査面
141 造形部
213 ビームシェイパ
231,231a 第1レンズ
232,232a 第2レンズ
233,233a 第3レンズ
234 第4レンズ
235 長軸側遮光部
236 短軸側遮光部
237 走査機構
371 第1ガルバノミラー
372 第2ガルバノミラー
L31 レーザ光
L32 整形ビーム
L33 変調ビーム

Claims (9)

  1. 対象物上にスポット光アレイを照射して走査する光学装置であって、
    レーザ光を長軸方向に長い整形ビームに整形する第1光学系と、
    前記整形ビームを変調し、前記長軸方向においてパターンを有する変調ビームを形成する光変調器と、
    前記変調ビームを対象物の被走査面に導いて前記長軸方向に延びるスポット光アレイを前記被走査面上に形成するとともに、前記スポット光アレイを前記被走査面上にて走査する第2光学系と、
    を備え、
    前記第2光学系は、
    前記変調ビームの短軸側の集光位置に配置され、前記変調ビームの短軸側の非0次回折光を遮る短軸側遮光部と、
    前記短軸側遮光部と前記被走査面との間に配置され、前記変調ビームを前記長軸方向において集光する第1投影光学素子と、
    前記第1投影光学素子と前記被走査面との間において前記第1投影光学素子による前記変調ビームの前記長軸側の集光位置に配置され、前記変調ビームの長軸側の非0次回折光を遮る長軸側遮光部と、
    前記長軸側遮光部と前記被走査面との間に配置され、前記長軸側遮光部を通過した前記変調ビームを前記短軸方向において収束させて前記被走査面に集光させることにより、前記被走査面上にスポット光アレイを形成する第2投影光学素子と、
    前記第1投影光学素子と前記第2投影光学素子との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、前記長軸側遮光部に入射する前記変調ビームまたは前記長軸側遮光部を通過した前記変調ビームを、前記長軸方向および前記短軸方向のうち少なくとも一方において走査する走査機構と、
    を備え、
    前記第2光学系により、前記光変調器の変調面と前記被走査面とが前記長軸方向について光学的に共役とされる光学装置。
  2. 請求項1に記載の光学装置であって、
    前記走査機構は、前記変調ビームの反射方向を変更するガルバノスキャナである光学装置。
  3. 請求項2に記載の光学装置であって、
    前記ガルバノスキャナは、
    前記第1投影光学素子と前記長軸側遮光部との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、回転することによって前記長軸方向および前記短軸方向のうち一の方向における前記変調ビームの反射方向を変更する第1ガルバノミラーと、
    前記長軸側遮光部と前記第2投影光学素子との間において前記長軸側遮光部に隣接して配置され、回転することによって前記長軸方向および前記短軸方向のうち他の方向における前記変調ビームの反射方向を変更する第2ガルバノミラーと、
    を備える光学装置。
  4. 請求項3に記載の光学装置であって、
    前記第1ガルバノミラーは、前記変調ビームの前記短軸方向における反射方向を変更する光学装置。
  5. 請求項1に記載の光学装置であって、
    前記第1光学系は、前記レーザ光の前記長軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、前記変調面における前記整形ビームの前記長軸方向の強度分布をトップハット分布とするビームシェイパを備える光学装置。
  6. 請求項5に記載の光学装置であって、
    前記ビームシェイパは、前記レーザ光の前記短軸方向における強度分布をガウス分布から変換することにより、前記変調面における前記整形ビームの前記短軸方向の強度分布もトップハット分布とする光学装置。
  7. 請求項1に記載の光学装置であって、
    前記走査機構と前記長軸側遮光部との間に光学素子は配置されない光学装置。
  8. 請求項1に記載の光学装置であって、
    前記光変調器はPLVである光学装置。
  9. 3次元造形装置であって、
    請求項1ないし8のいずれか1つに記載の光学装置と、
    前記光学装置へと前記レーザ光を出射するレーザ光源と、
    前記光学装置からの前記変調ビームが照射される前記対象物である造形材料を保持する材料保持部と、
    を備える3次元造形装置。
JP2023215365A 2023-12-21 2023-12-21 光学装置および3次元造形装置 Pending JP2025099031A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023215365A JP2025099031A (ja) 2023-12-21 2023-12-21 光学装置および3次元造形装置
PCT/JP2024/043592 WO2025134863A1 (ja) 2023-12-21 2024-12-10 光学装置および3次元造形装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023215365A JP2025099031A (ja) 2023-12-21 2023-12-21 光学装置および3次元造形装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2025099031A true JP2025099031A (ja) 2025-07-03

Family

ID=96136826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023215365A Pending JP2025099031A (ja) 2023-12-21 2023-12-21 光学装置および3次元造形装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2025099031A (ja)
WO (1) WO2025134863A1 (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005017341A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射装置
JP7425640B2 (ja) * 2020-03-25 2024-01-31 株式会社Screenホールディングス 3次元造形装置
JP7395410B2 (ja) * 2020-04-06 2023-12-11 株式会社Screenホールディングス 光学装置および3次元造形装置
JP7538016B2 (ja) * 2020-11-30 2024-08-21 株式会社Screenホールディングス 光学装置および3次元造形装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2025134863A1 (ja) 2025-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7395410B2 (ja) 光学装置および3次元造形装置
US9273846B1 (en) Apparatus for producing patterned illumination including at least one array of light sources and at least one array of microlenses
WO2024062696A1 (ja) 3次元造形装置
US7833000B2 (en) Optical modeling apparatus
JP2018518601A5 (ja)
CN104950438B (zh) 光照射装置与绘制装置
JP5023975B2 (ja) 光造形装置及び光造形方法
JP2004512549A (ja) 直接レーザイメージング装置
US11079580B2 (en) Exposure optics and device for producing a three-dimensional object
JP2009113294A (ja) 光造形装置及び光造形方法
CN115279574B (zh) 三维造型装置
US20240036344A1 (en) Optical apparatus and three-dimensional modeling apparatus
JP2025099031A (ja) 光学装置および3次元造形装置
KR20160132376A (ko) 빔 노광 장치
US20240064275A1 (en) Optical apparatus and three-dimensional modeling apparatus
JP2024045830A (ja) レーザマーカ
EP3820678B1 (en) Three dimensional (3d) printer and method
JP2021151759A (ja) 3次元造形装置
US20250319659A1 (en) Additive manufacturing system with optical modulator for additively manufacturing three-dimensional objects
JP2009137230A (ja) 光造形装置
CN118544584A (zh) 三维造型装置及三维造型方法
JP2021170050A (ja) 光造形装置用光学系
KR20220004140A (ko) 물체를 층층이 적층 제조하기 위한 적층 제조 기계
JP2016035548A (ja) 回折パターン投影光学系

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20250507