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JP2024110014A - Conductive Substrate - Google Patents

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JP2024110014A
JP2024110014A JP2022033777A JP2022033777A JP2024110014A JP 2024110014 A JP2024110014 A JP 2024110014A JP 2022033777 A JP2022033777 A JP 2022033777A JP 2022033777 A JP2022033777 A JP 2022033777A JP 2024110014 A JP2024110014 A JP 2024110014A
Authority
JP
Japan
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group
formula
conductive substrate
conductive
nitrogen
Prior art date
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Pending
Application number
JP2022033777A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
亜矢 中山
Aya NAKAYAMA
克行 温井
Katsuyuki Nukui
大悟 澤木
Daigo Sawaki
厚 武尾
Atsushi Takeo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to PCT/JP2022/011771 priority Critical patent/WO2022215465A1/en
Publication of JP2024110014A publication Critical patent/JP2024110014A/en
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Abstract

To provide a conductive substrate which exhibits excellent performance of inhibiting migration between conductive thin wires, while having excellent light resistance.SOLUTION: A conductive substrate comprises a base material, and conductive thin wires that are arranged on the base material and contain metal. The conductive substrate contains at least one specific compound that is selected from the group consisting of compounds represented by formula (1), compounds represented by formula (2), and compounds represented by formula (3) and proton tautomers thereof.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、導電性基板に関する。 The present invention relates to a conductive substrate.

導電性細線(導電性を示す細線状の配線)を有する導電性基板は、タッチパネル、太陽電池、および、EL(エレクトロルミネッセンス:Electro luminescence)素子等種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話および携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板の需要が急速に拡大している。 Conductive substrates having conductive fine wires (fine wires that exhibit conductivity) are widely used for various applications such as touch panels, solar cells, and EL (electroluminescence) elements. In particular, in recent years, the rate at which touch panels are installed in mobile phones and portable game devices has increased, and the demand for conductive substrates for capacitive touch panels capable of multi-point detection has rapidly expanded.

導電性基板が有する導電性細線の劣化を防止する技術として、例えば、特許文献1には、透明フィルム基材上に銀ナノ材料を含有する金属導電性パターンを有する透明導電性フィルムと、透明導電性フィルムの金属導電性パターン側の面に積層された、紫外線吸収剤を含有する透明アクリル粘着剤とから形成された、パターン電極シートにおいて、粘着剤層に光安定剤または防錆剤を更に添加する技術が開示されている。 As a technique for preventing deterioration of conductive thin wires in a conductive substrate, for example, Patent Document 1 discloses a technique for further adding a light stabilizer or rust inhibitor to the adhesive layer in a pattern electrode sheet formed from a transparent conductive film having a metal conductive pattern containing a silver nanomaterial on a transparent film substrate, and a transparent acrylic adhesive containing an ultraviolet absorber laminated on the surface of the transparent conductive film on the side of the metal conductive pattern.

特許第6357012号公報Patent No. 6357012

近年、導電性細線のより一層の細線化が求められているところ、このような導電性細線を用いて形成される金属導電性パターンでは、マイグレーションがより発生しやすいという問題がある。マイグレーションが導電性細線間で起こると、導電性細線間が導通してしまい、回路機能を果たさなくなるため、マイグレーションの抑制性能が向上した導電性基板が求められている。
本発明者らは、特許文献1に記載されたような特定成分を含む部材を導電性基材に積層する技術では、マイグレーションの抑制性能が十分ではないことを知見した。
また、導電性細線を有する導電性基板に対しては、上述の通り各種光学部材の用途で利用されることから、耐光性に優れることも求められている。
In recent years, there has been a demand for thinner conductive thin wires, but there is a problem in that metal conductive patterns formed using such thin conductive wires are more susceptible to migration. If migration occurs between the conductive thin wires, the conductive thin wires become conductive and the circuit function is no longer fulfilled, so there is a demand for conductive substrates with improved migration suppression performance.
The present inventors have found that the technique of laminating a member containing a specific component onto a conductive substrate as described in Patent Document 1 does not provide sufficient migration suppression performance.
Furthermore, since the conductive substrate having the conductive thin wires is used for various optical components as described above, it is also required to have excellent light resistance.

本発明は、上記実情に鑑みて、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、かつ、耐光性に優れる導電性基板を提供することを課題とする。 In view of the above-mentioned circumstances, the present invention aims to provide a conductive substrate that has excellent performance in suppressing migration between conductive fine wires and excellent light resistance.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。 As a result of thorough investigation into the above-mentioned problems, the inventors have discovered that the above-mentioned problems can be solved by the following configuration.

〔1〕
基材と、上記基材上に配置され、金属を含む導電性細線と、を有する導電性基板であって、上記導電性基板に、後述する式(1)で表される化合物、後述する式(2)で表される化合物、並びに、後述する式(3)で表される化合物およびそのプロトン互変異性体からなる群より選択される特定化合物が少なくとも1つ含まれている、導電性基板。
〔2〕
式(1)および式(2)中、RおよびRが、それぞれ独立して、フェニル基およびヒドロキシ基からなる群より選択される置換基を有してもよい炭素数1~5のアルキル基を表し、RおよびRが互いに結合して形成される上記窒素含有ヘテロ環が、メチル基もしくはエチル基を有してもよい環員数が5~7個の窒素含有非芳香族ヘテロ環である、〔1〕に記載の導電性基板。
〔3〕
式(1)中、Aで表される有機基が、後述する式(4)で表される基である、〔1〕または〔2〕に記載の導電性基板。
〔4〕
式(1)中、RおよびRが、それぞれ独立してメチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して上記窒素原子とともに1-ピロリジン環または1-ピペリジン環を形成し、Aが、水素原子、メチル基、エチル基、カルボキシメチル基、ベンジル基、ジメチルチオカルバモイル基、ジメチルチオカルバモイルスルフィド基、ジエチルチオカルバモイル基またはジエチルチオカルバモイルスルフィド基を表す、〔1〕~〔3〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔5〕
式(2)中、nが1を表し、Xn+が、水素イオン、金属イオン、または、脂肪族炭化水素基を有してもよいアンモニウムイオンを表す、〔1〕~〔4〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔6〕
式(2)中、RおよびRが、それぞれ独立してメチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して上記窒素原子とともに1-ピロリジン環または1-ピペリジン環を形成し、Xn+が、水素イオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、または、ピペリジニウムイオンを表し、nが1を表す、〔1〕~〔5〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔7〕
式(3)中、R~Rが、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基を表し、RおよびRが互いに結合して上記窒素含有ヘテロ環を形成する場合、上記窒素含有ヘテロ環基が、置換基としてメチル基もしくはエチル基を有してもよいイミダゾリン環もしくはイミダゾリジン環、または、置換基としてメチル基、エチル基、メトキシ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾイミダゾリン環であり、かつ、RおよびRの少なくとも一方が水素原子を表す、〔1〕~〔6〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔8〕
式(3)中、R~Rのうち1~3個が水素原子を表し、R~Rの残りが、炭素数1~5のアルキル基、アセチル基、または、フェニル基を表し、RおよびRが互いに結合しない、〔1〕~〔7〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔9〕
上記特定化合物が、上記導電性細線、および、上記導電性基板の表面において複数の上記導電性細線の間に配置される非導電部の少なくとも一方に含まれている、〔1〕~〔8〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔10〕
上記特定化合物が上記導電性細線に含まれている、〔1〕~〔9〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔11〕
上記金属が銀を含む、〔1〕~〔10〕のいずれかに記載の導電性基板。
〔12〕
上記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、〔1〕~〔11〕のいずれかに記載の導電性基板。
[1]
A conductive substrate having a base material and a conductive thin wire containing a metal disposed on the base material, the conductive substrate containing at least one specific compound selected from the group consisting of a compound represented by formula (1) described below, a compound represented by formula (2) described below, and a compound represented by formula (3) described below and a proton tautomer thereof.
[2]
In the formulas (1) and (2), R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may have a substituent selected from the group consisting of a phenyl group and a hydroxy group, and the nitrogen-containing heterocycle formed by bonding R 1 and R 2 to each other is a nitrogen-containing non-aromatic heterocycle having 5 to 7 ring members which may have a methyl group or an ethyl group. The conductive substrate according to [1].
[3]
The conductive substrate according to [1] or [2], wherein the organic group represented by A in formula (1) is a group represented by formula (4) described below.
[4]
The conductive substrate according to any one of [1] to [3], wherein in formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a methyl group or an ethyl group, or are bonded to each other to form a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring together with the nitrogen atom, and A represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a carboxymethyl group, a benzyl group, a dimethylthiocarbamoyl group, a dimethylthiocarbamoyl sulfide group, a diethylthiocarbamoyl group, or a diethylthiocarbamoyl sulfide group.
[5]
In the formula (2), n represents 1, and X n+ represents a hydrogen ion, a metal ion, or an ammonium ion which may have an aliphatic hydrocarbon group. The conductive substrate according to any one of [1] to [4].
[6]
In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a methyl group or an ethyl group, or are bonded to each other to form a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring together with the nitrogen atom, X n+ represents a hydrogen ion, a sodium ion, an ammonium ion, a dimethylammonium ion, a diethylammonium ion, or a piperidinium ion, and n represents 1. The conductive substrate according to any one of [1] to [5].
[7]
The conductive substrate according to any one of [1] to [6], wherein in formula (3), R 3 to R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a cyclohexyl group; when R 4 and R 5 are bonded to each other to form the nitrogen-containing heterocycle, the nitrogen-containing heterocycle is an imidazoline ring or imidazolidine ring which may have a methyl group or an ethyl group as a substituent, or a benzoimidazoline ring which may have a methyl group, an ethyl group, a methoxy group, or an amino group as a substituent; and at least one of R 3 and R 6 represents a hydrogen atom.
[8]
The conductive substrate according to any one of [1] to [7], wherein in formula (3), 1 to 3 of R 3 to R 6 represent a hydrogen atom, the remaining of R 3 to R 6 represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetyl group, or a phenyl group, and R 4 and R 5 are not bonded to each other.
[9]
The conductive substrate according to any one of [1] to [8], wherein the specific compound is contained in at least one of the conductive thin wires and non-conductive portions arranged between a plurality of the conductive thin wires on the surface of the conductive substrate.
[10]
The conductive substrate according to any one of [1] to [9], wherein the specific compound is contained in the conductive thin wire.
[11]
The conductive substrate according to any one of [1] to [10], wherein the metal comprises silver.
[12]
The conductive substrate according to any one of [1] to [11], having a mesh pattern formed by the conductive thin wires.

本発明によれば、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、かつ、耐光性に優れる導電性基板を提供できる。 The present invention provides a conductive substrate that has excellent migration suppression performance between conductive fine wires and excellent light resistance.

本発明の導電性基板の構成の一例を示す模式的斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of a configuration of a conductive substrate of the present invention. 本発明の導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of a mesh pattern formed by conductive thin wires of the conductive substrate of the present invention.

以下、図面を参照しながら、本発明の導電性基板について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされるものであり、本発明はそのような実施形態に制限されない。また、以下に示す図は、本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す図によって本発明は制限されない。
本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、ある成分が2種以上存在する場合、その成分の「含有量」は、それら2種以上の成分の合計含有量を意味する。
本明細書において、「g」および「mg」は、「質量g」および「質量mg」をそれぞれ表す。
本明細書において、「高分子」または「高分子化合物」は、重量平均分子量が2000以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、GPC(Gel Permeation Chromatography)測定によるポリスチレン換算値として定義される。
本明細書において、具体的な数値で表された角度、並びに、「平行」、「垂直」および「直交」等の角度に関する表記は、特に記載がなければ、該当する技術分野で一般的に許容される誤差範囲を含む。
本明細書中における「有機基」とは、少なくとも1個の炭素原子を含む基をいう。
The conductive substrate of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
The following description of the components is based on a representative embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to such an embodiment. Also, the drawings shown below are illustrative for explaining the present invention, and the present invention is not limited by the drawings shown below.
In this specification, a numerical range expressed using "to" means a range that includes the numerical values before and after "to" as the lower and upper limits.
In this specification, when two or more types of a component are present, the "content" of the component means the total content of those two or more components.
In this specification, "g" and "mg" represent "g mass" and "mg mass", respectively.
In this specification, the term "polymer" or "polymer compound" refers to a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more. Here, the weight average molecular weight is defined as a polystyrene equivalent value measured by GPC (Gel Permeation Chromatography).
In this specification, angles expressed by specific numerical values and expressions relating to angles such as "parallel,""perpendicular," and "orthogonal" include error ranges generally accepted in the relevant technical field, unless otherwise specified.
As used herein, an "organic group" refers to a group containing at least one carbon atom.

[導電性基板]
本発明に係る導電性基板は、基材と、基材上に配置され、金属を含む導電性細線とを有する。本発明に係る導電性基板には、更に、後述する特定化合物が含まれる。
図1は、本発明に係る導電性基板の構成の一例を示す模式的斜視図である。
図1に示す導電性基板10は、基材12と、基材12の表面12a上に配置された導電性細線14とを有する。なお、図1では、一方向に延びる導電性細線14が2つ示されているが、導電性細線14の配置形態、および、その数は特に制限されない。
[Conductive Substrate]
The conductive substrate according to the present invention includes a base material and a conductive thin wire that is disposed on the base material and contains a specific compound described below.
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of the configuration of a conductive substrate according to the present invention.
The conductive substrate 10 shown in Fig. 1 has a base material 12 and conductive thin wires 14 arranged on a surface 12a of the base material 12. Note that, although two conductive thin wires 14 extending in one direction are shown in Fig. 1, the arrangement of the conductive thin wires 14 and the number thereof are not particularly limited.

〔基材〕
基材は、感光性層および導電性細線を支持できる部材であれば、その種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板および金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
基材としては、得られる導電性部材の折り曲げ性に優れる点で、可撓性を有する基材が好ましい。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基板が挙げられる。
基材の厚みは特に制限されず、25~500μmの場合が多い。なお、導電性基板をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚みは500μmを超えていてもよい。
[Substrate]
The type of substrate is not particularly limited as long as it is a member capable of supporting the photosensitive layer and the conductive thin wires. Examples of the substrate include a plastic substrate, a glass substrate, and a metal substrate, with a plastic substrate being preferred.
The substrate is preferably a flexible substrate in that the conductive member to be obtained has excellent foldability. Examples of the flexible substrate include the above-mentioned plastic substrates.
The thickness of the substrate is not particularly limited and is often 25 to 500 μm. When the conductive substrate is applied to a touch panel and the substrate surface is used as a touch surface, the thickness of the substrate may exceed 500 μm.

基材を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)(258℃)、ポリシクロオレフィン(134℃)、ポリカーボネート(250℃)、アクリルフィルム(128℃)、ポリエチレンナフタレート(269℃)、ポリエチレン(135℃)、ポリプロピレン(163℃)、ポリスチレン(230℃)、ポリ塩化ビニル(180℃)、ポリ塩化ビニリデン(212℃)、および、トリアセチルセルロース(290℃)等の融点が約290℃以下である樹脂が好ましく、PET、ポリシクロオレフィン、または、ポリカーボネートがより好ましい。なかでも、導電性細線との密着性が優れることから、PETが特に好ましい。上記の( )内の数値は融点またはガラス転移温度である。
基材の全光線透過率は、85~100%が好ましい。全光透過率は、JIS(日本工業規格) K 7375:2008に規定される「プラスチック-全光線透過率および全光線反射率の求め方」を用いて測定される。
As materials constituting the substrate, resins with a melting point of about 290°C or less, such as polyethylene terephthalate (PET) (258°C), polycycloolefin (134°C), polycarbonate (250°C), acrylic film (128°C), polyethylene naphthalate (269°C), polyethylene (135°C), polypropylene (163°C), polystyrene (230°C), polyvinyl chloride (180°C), polyvinylidene chloride (212°C), and triacetyl cellulose (290°C), are preferred, with PET, polycycloolefin, or polycarbonate being more preferred. Of these, PET is particularly preferred due to its excellent adhesion to the conductive thin wires. The numbers in parentheses above are melting points or glass transition temperatures.
The total light transmittance of the substrate is preferably 85 to 100%. The total light transmittance is measured according to "Plastics - Determination of total light transmittance and total light reflectance" as specified in JIS (Japanese Industrial Standards) K 7375:2008.

基材の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する特定高分子を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の基材に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、後述する特定高分子を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、特定高分子を含む下塗り層形成用組成物として、特定高分子の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電層の基材に対する密着性がより優れる点で、0.02~0.3μmが好ましく、0.03~0.2μmがより好ましい。
A primer layer may be disposed on the surface of the substrate.
The undercoat layer preferably contains a specific polymer, which will be described later. Use of this undercoat layer further improves the adhesion of the conductive thin wire, which will be described later, to the substrate.
The method of forming the undercoat layer is not particularly limited, and for example, a method of applying a composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer described later onto a substrate and performing a heat treatment as necessary can be mentioned. The composition for forming an undercoat layer may contain a solvent as necessary. The type of the solvent is not particularly limited, and examples thereof include the solvents used in the composition for forming a photosensitive layer described later. In addition, a latex containing particles of a specific polymer may be used as the composition for forming an undercoat layer containing a specific polymer.
The thickness of the undercoat layer is not particularly limited, but is preferably from 0.02 to 0.3 μm, and more preferably from 0.03 to 0.2 μm, in that the adhesiveness of the conductive layer to the substrate is superior.

〔導電性細線〕
基材の表面には、金属を含む導電性細線が配置されている。導電性細線は、金属を含むことにより導電性基板の導電特性を担保する部分である。
金属としては、導電特性がより優れる点で、銀(金属銀)、銅(金属銅)、金(金属金)、ニッケル(金属ニッケル)およびパラジウム(金属パラジウム)からなる群より選択される1つ以上の金属との混合物が好ましく、銀単体、または、銀と銅の混合物がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
[Conductive thin wire]
The conductive thin wires containing a metal are disposed on the surface of the base material. The conductive thin wires are a portion that ensures the conductive properties of the conductive substrate by containing a metal.
As the metal, a mixture of one or more metals selected from the group consisting of silver (metallic silver), copper (metallic copper), gold (metallic gold), nickel (metallic nickel) and palladium (metallic palladium) is preferable, as these have superior conductive properties, and simple silver or a mixture of silver and copper is more preferable, with simple silver being even more preferable.

なお本明細書において、導電性細線とは、基材の表面に配置され、金属を含む材料で一体的に形成された細線状の領域を意図する。例えば、後述する工程Hにより形成されるハロゲン化銀不含有層、および、後述する工程Iにより形成される保護層は、後述する工程Aおよび工程Bにより形成される細線状の銀含有層とともに、導電性細線を構成する。
また、基材の表面に配置された導電性細線は、導電性基板の外部の部材と電気的に接続していてもよく、電気的に接続していなくてもよい。導電性細線の一部は、外部と電気的に絶縁されたダミー電極であってもよい。
In this specification, the conductive thin wire refers to a thin line-shaped region that is disposed on the surface of the substrate and is integrally formed of a material containing a metal. For example, the silver halide-free layer formed in step H described below and the protective layer formed in step I described below constitute the conductive thin wire together with the thin line-shaped silver-containing layer formed in steps A and B described below.
In addition, the conductive thin wires arranged on the surface of the base material may or may not be electrically connected to a member external to the conductive substrate, and a part of the conductive thin wires may be a dummy electrode electrically insulated from the outside.

導電性細線に含まれる金属は、通常、固体粒子状である。金属の平均粒子径は、球相当径で10~1000nmが好ましく、10~200nmがより好ましい。なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径であり、金属粒子の平均粒子径は、100個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均した平均値として得られる。
金属粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状、八面体状、および、十四面体状等の形状が挙げられる。また、金属粒子が融着により一部または全体にわたって結合していてもよい。
導電性細線は、複数の金属が後述する高分子化合物中に分散してなる構造を有してもよく、高分子化合物中で金属粒子が凝集して凝集体として存在してもよい。また、導電性細線に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、後述するめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
導電性細線における金属の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、3.0~20.0g/mが好ましく、5.0~15.0g/mがより好ましい。
The metal contained in the conductive thin wire is usually in the form of solid particles. The average particle diameter of the metal is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, in terms of the equivalent sphere diameter. The equivalent sphere diameter is the diameter of a spherical particle having the same volume, and the average particle diameter of metal particles is obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 objects and arithmetically averaging them.
The shape of the metal particles is not particularly limited, and examples thereof include spherical, cubic, tabular, octahedral, tetradecahedral, etc. The metal particles may be bonded in part or entirely by fusion.
The conductive thin wire may have a structure in which a plurality of metals are dispersed in a polymer compound described later, or metal particles may be aggregated in the polymer compound to exist as aggregates. Also, at least some of the plurality of metals contained in the conductive thin wire may be bonded to each other by a metal derived from metal ions used in a plating process described later.
The metal content in the conductive thin wires is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g/ m2 , and more preferably 5.0 to 15.0 g/ m2 , in that the conductive substrate has better conductivity.

導電性細線は、金属に加えて高分子化合物を含んでいてもよい。
導電性細線に含まれる高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が使用できる。なかでも、強度がより優れる銀含有層および導電性細線を形成できる点で、ゼラチンとは異なる高分子化合物(以下、「特定高分子」とも記載する。)が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素または酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子(非水溶性高分子)が挙げられ、例えば、(メタ)アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、および、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、または、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、導電性細線は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
The conductive thin wire may contain a polymer compound in addition to a metal.
The type of polymer compound contained in the conductive thin wire is not particularly limited, and any known polymer compound can be used. Among them, a polymer compound other than gelatin (hereinafter also referred to as a "specific polymer") is preferred in that it can form a silver-containing layer and a conductive thin wire having superior strength.
The type of the specific polymer is not particularly limited as long as it is different from gelatin, and a polymer that is not decomposed by protease or oxidizing agent that decomposes gelatin, which will be described later, is preferable.
The specific polymer may be a hydrophobic polymer (a water-insoluble polymer), such as at least one resin selected from the group consisting of (meth)acrylic resins, styrene resins, vinyl resins, polyolefin resins, polyester resins, polyurethane resins, polyamide resins, polycarbonate resins, polydiene resins, epoxy resins, silicone resins, cellulose polymers, and chitosan polymers, or a copolymer consisting of monomers constituting these resins.
In addition, the specific polymer preferably has a reactive group that reacts with a crosslinking agent described below.
The specific polymer is preferably in the form of particles, that is, the conductive thin wire preferably contains particles of the specific polymer.

特定高分子としては、以下の一般式(1)で表される高分子(共重合体)が好ましい。
一般式(1): -(A)-(B)-(C)-(D)
なお、一般式(1)中、A、B、C、およびDはそれぞれ、下記一般式(A)~(D)で表される繰り返し単位を表す。
The specific polymer is preferably a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1).
General formula (1): -(A) x -(B) y -(C) z -(D) w -
In addition, in the general formula (1), A, B, C, and D represent repeating units represented by the following general formulas (A) to (D), respectively.

11は、メチル基またはハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、または、臭素原子が好ましい。pは0~2の整数を表し、0または1が好ましく、0がより好ましい。
12は、メチル基またはエチル基を表し、メチル基が好ましい。
13は、水素原子またはメチル基を表し、水素原子が好ましい。Lは、2価の連結基を表し、下記一般式(2)で表される基が好ましい。
一般式(2):-(CO-X)r-X
一般式(2)中、Xは、酸素原子または-NR30-を表す。ここでR30は、水素原子、アルキル基、アリール基、または、アシル基を表し、それぞれ置換基(例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、および、ヒドロキシル基)を有してもよい。R30としては、水素原子、炭素数1~10のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n-ブチル基、および、n-オクチル基)、または、アシル基(例えば、アセチル基、および、ベンゾイル基)が好ましい。Xとしては、酸素原子または-NH-が好ましい。
は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、または、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には-O-、-S-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO-、-N(R31)-、または、-N(R31)SO-等が途中に挿入されてもよい。R31は、炭素数1~6の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基を表す。Xとしては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、o-フェニレン基、m-フェニレン基、p-フェニレン基、-CHCHOCOCHCH-、または、-CHCHOCO(C)-が好ましい。
rは0または1を表す。
qは0または1を表し、0が好ましい。
R 11 represents a methyl group or a halogen atom, and is preferably a methyl group, a chlorine atom, or a bromine atom. p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
R 12 represents a methyl group or an ethyl group, and is preferably a methyl group.
R 13 represents a hydrogen atom or a methyl group, and preferably a hydrogen atom. L represents a divalent linking group, and preferably a group represented by the following formula (2).
General formula (2): -(CO-X 1 ) r-X 2 -
In general formula (2), X 1 represents an oxygen atom or -NR 30 -. Here, R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, each of which may have a substituent (e.g., a halogen atom, a nitro group, and a hydroxyl group). R 30 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (e.g., a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, and an n-octyl group), or an acyl group (e.g., an acetyl group and a benzoyl group). X 1 is preferably an oxygen atom or -NH-.
X2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylenearylene group, an arylenealkylene group, or an alkylenearylenealkylene group, and these groups may have -O-, -S-, -CO-, -COO-, -NH-, -SO 2 -, -N(R 31 )-, or -N(R 31 )SO 2 - or the like inserted therein. R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. X2 is preferably a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, an o-phenylene group, an m-phenylene group, a p-phenylene group, -CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2 -, or -CH 2 CH 2 OCO(C 6 H 4 )-.
r represents 0 or 1.
q represents 0 or 1, with 0 being preferred.

14は、アルキル基、アルケニル基、または、アルキニル基を表し、炭素数5~50のアルキル基が好ましく、炭素数5~30のアルキル基がより好ましく、炭素数5~20のアルキル基が更に好ましい。
15は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、または、-CHCOOR16を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、または、-CHCOOR16が好ましく、水素原子、メチル基、または、-CHCOOR16がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
16は、水素原子または炭素数1~80のアルキル基を表し、R14と同じでも異なってもよく、R16の炭素数は1~70が好ましく、1~60がより好ましい。
R 14 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, preferably an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms, and further preferably an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms.
R 15 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom or —CH 2 COOR 16 , preferably a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or —CH 2 COOR 16 , more preferably a hydrogen atom, a methyl group or —CH 2 COOR 16 , and even more preferably a hydrogen atom.
R 16 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms, and may be the same as or different from R 14. R 16 preferably has 1 to 70 carbon atoms, and more preferably has 1 to 60 carbon atoms.

一般式(1)中、x、y、z、およびwは各繰り返し単位のモル比率を表す。
xは、3~60モル%であり、3~50モル%が好ましく、3~40モル%がより好ましい。
yは、30~96モル%であり、35~95モル%が好ましく、40~90モル%がより好ましい。
zは、0.5~25モル%であり、0.5~20モル%が好ましく、1~20モル%がより好ましい。
wは、0.5~40モル%であり、0.5~30モル%が好ましい。
一般式(1)において、xは3~40モル%、yは40~90モル%、zは0.5~20モル%、wは0.5~10モル%の場合が好ましい。
In formula (1), x, y, z, and w represent the molar ratios of each repeating unit.
x is from 3 to 60 mol %, preferably from 3 to 50 mol %, and more preferably from 3 to 40 mol %.
y is from 30 to 96 mol %, preferably from 35 to 95 mol %, and more preferably from 40 to 90 mol %.
z is from 0.5 to 25 mol %, preferably from 0.5 to 20 mol %, and more preferably from 1 to 20 mol %.
w is from 0.5 to 40 mol %, preferably from 0.5 to 30 mol %.
In the general formula (1), it is preferable that x is 3 to 40 mol %, y is 40 to 90 mol %, z is 0.5 to 20 mol %, and w is 0.5 to 10 mol %.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(2)で表される高分子が好ましい。 As the polymer represented by general formula (1), a polymer represented by the following general formula (2) is preferred.

一般式(2)中、x、y、zおよびwは、上述の定義の通りである。 In general formula (2), x, y, z, and w are as defined above.

一般式(1)で表される高分子は、上述の一般式(A)~(D)で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、および、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第3754745号公報の段落0010~0022にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類またはメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレートまたはヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式(1)で表される高分子は、一般式(E)で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
The polymer represented by the general formula (1) may contain repeating units other than the repeating units represented by the above general formulae (A) to (D).
Examples of monomers for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonates, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, fumaric acid diesters, acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745. From the viewpoint of hydrophobicity, acrylic acid esters or methacrylic acid esters are preferred, and hydroxyalkyl methacrylate or hydroxyalkyl acrylate is more preferred.
The polymer represented by general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by general formula (E).

上述の式中、Lはアルキレン基を表し、炭素数1~10のアルキレン基が好ましく、炭素数2~6のアルキレン基がより好ましく、炭素数2~4のアルキレン基が更に好ましい。 In the above formula, L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(3)で表される高分子が特に好ましい。 As the polymer represented by general formula (1), the polymer represented by the following general formula (3) is particularly preferred.

上述の式中、a1、b1、c1、d1、およびe1は各繰り返し単位のモル比率を表し、a1は3~60(モル%)、b1は30~95(モル%)、c1は0.5~25(モル%)、d1は0.5~40(モル%)、e1は1~10(モル%)を表す。
a1の好ましい範囲は上述のxの好ましい範囲と同じであり、b1の好ましい範囲は上述のyの好ましい範囲と同じであり、c1の好ましい範囲は上述のzの好ましい範囲と同じであり、d1の好ましい範囲は上述のwの好ましい範囲と同じである。
e1は、1~10モル%であり、2~9モル%が好ましく、2~8モル%がより好ましい。
In the above formula, a1, b1, c1, d1, and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, where a1 represents 3 to 60 (mol%), b1 represents 30 to 95 (mol%), c1 represents 0.5 to 25 (mol%), d1 represents 0.5 to 40 (mol%), and e1 represents 1 to 10 (mol%).
The preferred range of a1 is the same as the preferred range of x described above, the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y described above, the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z described above, and the preferred range of d1 is the same as the preferred range of w described above.
e1 is from 1 to 10 mol %, preferably from 2 to 9 mol %, and more preferably from 2 to 8 mol %.

特定高分子は、例えば、特許第3305459号公報および特許第3754745号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、1000~1000000が好ましく、2000~750000がより好ましく、3000~500000が更に好ましい。
The specific polymer can be synthesized by referring to, for example, Japanese Patent No. 3,305,459 and Japanese Patent No. 3,754,745.
The weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, but is preferably from 1,000 to 1,000,000, more preferably from 2,000 to 750,000, and even more preferably from 3,000 to 500,000.

導電性細線には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
例えば、特開2009-004348号公報の段落0220~0241に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、および、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
また、導電性細線には、上述の特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、導電性細線中の金属同士の連結が保たれる。
The conductive thin wires may contain materials other than the above-mentioned materials as necessary.
Examples of the additives include antistatic agents, nucleation accelerators, spectral sensitizing dyes, surfactants, antifoggants, hardeners, anti-black spot agents, redox compounds, monomethine compounds, and dihydroxybenzenes, as described in paragraphs 0220 to 0241 of JP-A-2009-004348. Furthermore, the photosensitive layer may contain physical development nuclei.
The conductive thin wire may also contain a crosslinking agent used for crosslinking the specific polymers described above. By containing the crosslinking agent, crosslinking between the specific polymers progresses, and the connection between the metals in the conductive thin wire is maintained.

導電性細線の線幅Waは、導電性細線が視認されにくい点から、5.0μm未満が好ましく、2.5μm以下がより好ましく、2.0μm以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、0.5μm以上が好ましく、1.2μm以上がより好ましい。なお、導電性細線の線幅とは、基材の表面に沿った方向のうち、導電性細線が延在する方向に対して直交する方向における導電性細線の全長を意味する。
上述の導電性細線の線幅Waは、走査型電子顕微鏡を用いて、1本の導電性細線の線幅に相当する任意の5箇所を選択し、5箇所の線幅相当の算術平均値を線幅Waとする。
The line width Wa of the conductive thin wire is preferably less than 5.0 μm, more preferably 2.5 μm or less, and even more preferably 2.0 μm or less, from the viewpoint that the conductive thin wire is difficult to visually recognize. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1.2 μm or more, from the viewpoint that the conductivity of the conductive thin wire is better. The line width of the conductive thin wire means the total length of the conductive thin wire in the direction perpendicular to the direction in which the conductive thin wire extends, among the directions along the surface of the substrate.
The line width Wa of the above-mentioned conductive thin wire is determined by using a scanning electron microscope to arbitrarily select five points equivalent to the line width of one conductive thin wire, and the arithmetic average value equivalent to the line width of the five points is defined as the line width Wa.

導電性細線の厚みTは特に制限されないが、0.5~3.0μmが好ましく、1.0~2.0μmがより好ましい。
上述の導電性細線の厚みTは、走査型電子顕微鏡を用いて、1本の導電性細線の厚みに相当する任意の5箇所を選択し、5箇所の厚みに相当する部分の算術平均値を厚みTとする。
The thickness T of the conductive thin wire is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 3.0 μm, and more preferably 1.0 to 2.0 μm.
The thickness T of the above-mentioned conductive thin wire is determined by using a scanning electron microscope to arbitrarily select five points corresponding to the thickness of a single conductive thin wire, and the arithmetic average value of the five thicknesses is determined as the thickness T.

導電性細線の線抵抗値は、200Ω/mm未満であることが好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、100Ω/mm未満であることがより好ましく、60Ω/mm未満が更に好ましい。
線抵抗値とは、4探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の1本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、4本(A、B、C、D)のマイクロプローブ(株式会社マイクロサポート製タングステンプローブ(直径0.5μm))を該切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブA、Dにソースメーター(KEITHLEY製ソースメーター 2400型汎用ソースメーター)を用いて内部プローブB、C間の電圧Vが5mVになるよう定電流Iを印加し、抵抗値Ri=V/Iを測定し、得られた抵抗値RiをB、C間距離で除して線抵抗値を求める。
The line resistance of the conductive thin wire is preferably less than 200 Ω/mm, more preferably less than 100 Ω/mm, and even more preferably less than 60 Ω/mm, from the viewpoint of operability when used as a touch panel.
The linear resistance value is obtained by dividing the resistance value measured by the four-probe method by the distance between the measurement terminals. More specifically, after cutting both ends of any one conductive thin wire constituting the mesh pattern and separating it from the mesh pattern, four microprobes (A, B, C, D) (tungsten probes (diameter 0.5 μm) manufactured by Micro Support Co., Ltd.) are brought into contact with the separated conductive thin wire, and a constant current I is applied to the outermost probes A and D using a source meter (KEITHLEY source meter 2400 type general-purpose source meter) so that the voltage V between the inner probes B and C is 5 mV, and the resistance value Ri=V/I is measured, and the obtained resistance value Ri is divided by the distance between B and C to obtain the linear resistance value.

導電性細線は所定のパターンを形成していてもよい。即ち、導電性基板は、導電性細線によって形成されたパターンを有していてもよい。そのパターンは特に制限されず、例えば、正三角形、二等辺三角形および直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形および台形等の四角形、(正)六角形および(正)八角形等の(正)n角形、円、楕円、星形、並びに、これらの図形を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状(メッシュパターン)であることがより好ましい。 The conductive thin wires may form a predetermined pattern. That is, the conductive substrate may have a pattern formed by the conductive thin wires. The pattern is not particularly limited, and is preferably, for example, a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, or a right-angled triangle; a quadrangle such as a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, or a trapezoid; a (regular) n-gon such as a (regular) hexagon or a (regular) octagon; a circle, an ellipse, a star, or a geometric figure that combines these figures, and more preferably, a mesh shape (mesh pattern).

図2は、本発明に係る導電性基板の導電性細線により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。
メッシュ状とは、図2に示すように、交差する導電性細線14Bにより構成される複数の開口部(格子)20を含む形状を意図する。図2において、開口部20は、一辺の長さがLであるひし形(正方形)の形状を有しているが、メッシュパターンの開口部は、他の形状であってもよく、例えば、多角形状(例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形)であってもよい。また、辺の形状は、直線以外の湾曲した形状であってもよいし、円弧状であってもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。
FIG. 2 is a plan view showing an example of a mesh pattern formed by conductive thin wires of a conductive substrate according to the present invention.
The mesh shape refers to a shape including a plurality of openings (lattices) 20 formed by intersecting conductive thin wires 14B, as shown in FIG. 2. In FIG. 2, the openings 20 have a rhombus (square) shape with a side length of L, but the openings of the mesh pattern may have other shapes, for example, polygonal shapes (for example, triangles, rectangles, hexagons, and random polygons). The shape of the sides may be curved shapes other than straight lines, or may be arc-shaped. When the sides are arc-shaped, for example, two opposing sides may be arc-shaped convex outward, and the other two opposing sides may be arc-shaped convex inward. The shape of each side may be a wavy line shape in which an outwardly convex arc and an inwardly convex arc are continuous. Of course, the shape of each side may be a sine curve.

開口部20の一辺の長さLは特に制限されないが、1500μm以下が好ましく、1300μm以下がより好ましく、1000μm以下が更に好ましい。長さLの下限値は特に制限されないが、5μm以上が好ましく、30μm以上がより好ましく、80μm以上が更に好ましい。開口部の一辺の長さが上述の範囲である場合には、更に透明性も良好に保つことが可能であり、導電性基板を表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。 The length L of one side of the opening 20 is not particularly limited, but is preferably 1500 μm or less, more preferably 1300 μm or less, and even more preferably 1000 μm or less. The lower limit of the length L is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more, more preferably 30 μm or more, and even more preferably 80 μm or more. When the length of one side of the opening is within the above-mentioned range, it is possible to maintain good transparency, and when the conductive substrate is attached to the front of a display device, the display can be viewed without any sense of incongruity.

可視光透過率の点から、導電性細線により形成されるメッシュパターンの開口率は、90%以上が好ましく、95%以上がより好ましく、99%以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、100%未満が挙げられる。
開口率とは、導電性基板の表面の法線方向から観察したときの、メッシュパターン領域中における導電性細線がある領域を除いた領域のメッシュパターン領域全体に占める割合の面積比に相当する。
From the viewpoint of visible light transmittance, the opening ratio of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and even more preferably 99% or more. The upper limit is not particularly limited, but may be less than 100%.
The aperture ratio corresponds to the area ratio of the region excluding the region in the mesh pattern where the conductive thin wires are located to the entire mesh pattern region when observed from the normal direction of the surface of the conductive substrate.

<他の部材>
導電性基板は、上述の基材および導電性細線以外に他の部材を有してもよい。
導電性基板が有してもよい他の部材としては、導電性基板の表面において複数の導電性細線の間に配置される非導電部、および、後述する導電性細線とは構成が異なる導電部が挙げられる。
<Other components>
The conductive substrate may include other members in addition to the above-mentioned base material and conductive thin wires.
Other components that the conductive substrate may have include non-conductive portions disposed between a plurality of conductive thin wires on the surface of the conductive substrate, and conductive portions having a different configuration from the conductive thin wires described below.

非導電部は、導電性を示さない領域であり、導電性の金属を実質的に含まない。ここで、「実質的に」とは、非導電部における金属の含有量が、非導電部の総質量に対して0.1質量%以下であることを意味する。
非導電部は、高分子化合物を主成分として含むことが好ましい。
非導電部に含まれる高分子化合物としては、導電性細線に含まれる高分子化合物が挙げられ、特定高分子が好ましい。なかでも、導電性細線に含まれる高分子化合物(好ましくは特定高分子)と同じ高分子化合物を含むことがより好ましい。
非導電部が高分子化合物を「主成分として含む」とは、高分子化合物の含有量が非導電部の総質量に対して50質量%以上であることを意味する。非導電部における高分子化合物の含有量は、90質量%以上が好ましく、95質量%以上がより好ましい。上限値は特に制限されず、100質量%であってよい。
The non-conductive portion is a region that does not exhibit electrical conductivity and does not substantially contain a conductive metal, where "substantially" means that the content of metal in the non-conductive portion is 0.1 mass % or less relative to the total mass of the non-conductive portion.
The non-conductive portion preferably contains a polymer compound as a main component.
The polymer compound contained in the non-conductive portion may be the polymer compound contained in the conductive thin wire, and is preferably the specific polymer. In particular, it is more preferable that the non-conductive portion contains the same polymer compound as the polymer compound (preferably the specific polymer) contained in the conductive thin wire.
The non-conductive portion "contains a polymer compound as a main component" means that the content of the polymer compound is 50 mass% or more relative to the total mass of the non-conductive portion. The content of the polymer compound in the non-conductive portion is preferably 90 mass% or more, more preferably 95 mass% or more. The upper limit is not particularly limited and may be 100 mass%.

非導電部の形成方法は、特に制限されず、例えば、後述する導電性基板の製造方法において、ハロゲン化銀含有感光性層をパターン状に露光する露光処理を施すことにより未露光部を形成し、続いて未露光部に対して現像処理を実施することにより、高分子化合物を主成分とする非導電部が形成される。また、必要に応じてゼラチンを除去する処理を実施することにより、特定高分子を主成分とする非導電部が形成される。 The method for forming the non-conductive portion is not particularly limited. For example, in the method for producing a conductive substrate described below, an exposure process is performed in which a silver halide-containing photosensitive layer is exposed to light in a pattern to form unexposed portions, and then a development process is performed on the unexposed portions to form non-conductive portions whose main component is a polymer compound. In addition, a process for removing gelatin is performed as necessary to form non-conductive portions whose main component is a specific polymer.

〔特定化合物〕
本発明に係る導電性基板には、後述する特定化合物が少なくとも1つ含まれる。本発明に係る導電性基材は特定化合物を含有することにより、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能に優れ、かつ、耐光性に優れたものとなる。
以下、導電性基材において、導電性細線間のマイグレーションの抑制性能および耐光性のいずれか一方が優れることを「本発明の効果が優れる」とも記載する。
[Specific Compound]
The conductive substrate according to the present invention contains at least one specific compound described below. By containing the specific compound, the conductive base material according to the present invention has excellent migration suppression performance between conductive thin wires and excellent light resistance.
Hereinafter, when a conductive base material has excellent light resistance or excellent migration suppression performance between conductive fine wires, this will also be referred to as "the effect of the present invention is excellent."

以下、特定化合物について詳細に説明する。
特定化合物は、下記式(1)で表される化合物、下記式(2)で表される化合物、並びに、下記式(3)で表される化合物およびそのプロトン互変異性体からなる群より選択される化合物である。
特定化合物としては、下記式(1)で表される化合物が挙げられる。
The specific compound will be described in detail below.
The specific compound is a compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3) and a proton tautomer thereof.
The specific compound includes a compound represented by the following formula (1).

式(1)中、Aは水素原子または有機基を表し、
およびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基を表す。
また、RおよびRは、互いに結合して、RおよびRの両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
In formula (1), A represents a hydrogen atom or an organic group.
R 1 and R 2 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent.
In addition, R 1 and R 2 may be bonded to each other to form, together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 , a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent.

Aで表される有機基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を2個以上組み合わせてなる基からなる群より選択される1価の基が挙げられる。
Aで表される有機基の炭素数は、例えば1~20であり、1~15が好ましく、1~10がより好ましい。
脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。脂肪族炭化水素基の炭素数は、1~10が好ましく、1~5がより好ましい。
芳香族炭化水素基としては、炭素数6~10の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
The organic group represented by A includes a monovalent group selected from the group consisting of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by combining two or more of these groups.
The organic group represented by A has, for example, 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 1 to 10 carbon atoms.
The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, more preferably linear. The number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 5.
The aromatic hydrocarbon group is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a phenyl group.

上記の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を2個以上組み合わせてなる基は、更に置換基を有してもよい。
上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基(メルカプト基)、チオキソ基、チオカルボニルスルフィド基、置換基を有してもよいアミノ基、リン酸基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、および、アリール基が挙げられ、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基、チオキソ基、チオカルボニルスルフィド基、炭素数1~4のアルキル基を1個または2個有してもよいアミノ基、または、フェニル基が好ましく、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数1~4のアルキル基を1個もしくは2個有してもよいアミノ基、または、フェニル基がより好ましい。
上記の置換基の個数は特に制限されず、例えば1~3個であり、1個または2個が好ましい。
また、上記の脂肪族炭化水素基は、その脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基(-CH-)に代えて、-S-、または、-O-を有してもよい。
The above aliphatic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups and groups formed by combining two or more of these groups may further have a substituent.
Examples of the substituent include a hydroxy group, an oxo group, a carboxy group, a thiol group (mercapto group), a thioxo group, a thiocarbonyl sulfide group, an amino group which may have a substituent, a phosphate group, a sulfo group, a cyano group, a nitro group, and an aryl group. A hydroxy group, an oxo group, a carboxy group, a thiol group, a thioxo group, a thiocarbonyl sulfide group, an amino group which may have one or two alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, or a phenyl group is preferable, and a hydroxy group, a carboxy group, an amino group which may have one or two alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, or a phenyl group is more preferable.
The number of the above-mentioned substituents is not particularly limited and is, for example, 1 to 3, with 1 or 2 being preferred.
Furthermore, the above aliphatic hydrocarbon groups may have —S— or —O— instead of a methylene group (—CH 2 —) constituting the aliphatic hydrocarbon group.

上記のAで表される有機基は、下記式(4)で表される基であることが好ましい。
*-A-A (4)
式(4)中、Aは、炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基、チオカルボニル基、および、チオカルボニルスルフィド基からなる群より選択される2価の連結基を表す。
は、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数1~4のアルキル基を1個または2個有してもよいアミノ基、および、フェニル基からなる群より選択される基を表す。
*は、上記式(1)中の硫黄原子と結合する箇所を表す。
The organic group represented by A above is preferably a group represented by the following formula (4).
*-A 1 -A 2 (4)
In formula (4), A 1 represents a divalent linking group selected from the group consisting of a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, a thiocarbonyl group, and a thiocarbonyl sulfide group.
A2 represents a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, an amino group which may have one or two alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and a phenyl group.
* indicates the site of bonding with the sulfur atom in the above formula (1).

で表される2価の連結基としては、なかでも、炭素数1~3のアルキレン基、チオカルボニル基、または、チオカルボニルスルフィド基が好ましい。
で表される基としては、なかでも、水素原子、カルボキシ基、メチル基もしくはエチル基を2個有するアミノ基、または、フェニル基が好ましい。
As the divalent linking group represented by A 1 , an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, a thiocarbonyl group, or a thiocarbonyl sulfide group is preferable.
Among these, the group represented by A2 is preferably a hydrogen atom, a carboxy group, an amino group having two methyl or ethyl groups, or a phenyl group.

式(1)中のAとしては、水素原子、または、上記式(4)で表される基が好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、カルボキシメチル基、ベンジル基、ジメチルチオカルバモイル基、ジメチルチオカルバモイルスルフィド基、ジエチルチオカルバモイル基またはジエチルチオカルバモイルスルフィド基がより好ましい。 As A in formula (1), a hydrogen atom or a group represented by the above formula (4) is preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a carboxymethyl group, a benzyl group, a dimethylthiocarbamoyl group, a dimethylthiocarbamoyl sulfide group, a diethylthiocarbamoyl group, or a diethylthiocarbamoyl sulfide group is more preferable.

およびRで表される脂肪族炭化水素基としては、その好ましい態様も含めて、上記のAで表される脂肪族炭化水素基として挙げた基が挙げられる。
また、RおよびRで表される脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include the groups exemplified above as the aliphatic hydrocarbon group represented by A, including preferred embodiments thereof.
Moreover, the aliphatic hydrocarbon groups represented by R 1 and R 2 are preferably saturated aliphatic hydrocarbon groups.

およびRで表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基としては、例えば、アリール基、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基、チオキソ基、および、チオカルボニルスルフィド基が挙げられ、フェニル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、または、チオール基が好ましく、フェニル基、または、ヒドロキシ基がより好ましい。
上記脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合の置換基の個数は特に制限されないが、1個または2個が好ましく、1個がより好ましい。
Examples of the substituent that the aliphatic hydrocarbon group represented by R1 and R2 may have include an aryl group, a hydroxy group, an oxo group, a carboxy group, a thiol group, a thioxo group, and a thiocarbonyl sulfide group. A phenyl group, a hydroxy group, a carboxy group, or a thiol group is preferable, and a phenyl group or a hydroxy group is more preferable.
When the aliphatic hydrocarbon group has a substituent, the number of the substituent is not particularly limited, but one or two substituents are preferred, and one is more preferred.

また、RおよびRが互いに結合して、RおよびRの両者と結合する窒素原子とともに形成される窒素含有ヘテロ環基としては、例えば、窒素含有非芳香族ヘテロ環が挙げられる。
上記窒素含有ヘテロ環基の環員数は、例えば5~8個であり、5~7個が好ましく、5個または6個がより好ましい。
上記窒素含有ヘテロ環基としては、1-ピロリジン環または1-ピペリジン環が好ましい。
In addition, examples of the nitrogen-containing heterocyclic group formed by R 1 and R 2 bonding to each other together with the nitrogen atom bonding to both R 1 and R 2 include nitrogen-containing non-aromatic heterocycles.
The nitrogen-containing heterocyclic group has, for example, 5 to 8 ring members, preferably 5 to 7 ring members, and more preferably 5 or 6 ring members.
The nitrogen-containing heterocyclic group is preferably a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring.

上記窒素含有ヘテロ環基が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基、および、上記のRおよびRで表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基として挙げた基が挙げられ、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
上記窒素含有ヘテロ環基が置換基を有する場合の置換基の個数は、特に制限されないが、1個または2個が好ましく、1個がより好ましい。
上記窒素含有ヘテロ環基は、置換基を有さないことが好ましい。
Examples of the substituent that the nitrogen-containing heterocyclic group may have include an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms and the groups exemplified as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group represented by R1 and R2 may have. An alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
When the nitrogen-containing heterocyclic group has a substituent, the number of the substituent is not particularly limited, but one or two are preferable, and one is more preferable.
The nitrogen-containing heterocyclic group preferably has no substituent.

およびRは、上記置換基(より好ましくはフェニル基またはヒドロキシ基)を有してもよい炭素数1~5のアルキル基を表すか、または、互いに結合して、メチル基もしくはエチル基を有してもよい環員数が5~7個の窒素含有非芳香族ヘテロ環を形成することが好ましく、メチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して1-ピロリジン環もしくは1-ピペリジン環を形成することがより好ましい。
およびRが環を形成しない場合、RおよびRは同じであっても異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
R 1 and R 2 preferably represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may have the above-mentioned substituent (more preferably a phenyl group or a hydroxy group), or combine with each other to form a nitrogen-containing non-aromatic heterocycle having 5 to 7 ring members which may have a methyl group or an ethyl group, and more preferably represent a methyl group or an ethyl group, or combine with each other to form a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring.
When R 1 and R 2 do not form a ring, R 1 and R 2 may be the same or different, but are preferably the same.

上記式(1)で表される化合物としては、式(1)中のAが上記の好ましい基であり、かつ、式(1)中のRおよびRが上記の好ましい基である化合物が挙げられる。 The compound represented by the above formula (1) includes a compound in which A in formula (1) is the above preferred group, and R 1 and R 2 in formula (1) are the above preferred groups.

特定化合物としては、下記式(2)で表される化合物も挙げられる。 The specific compound also includes a compound represented by the following formula (2):

式(2)中、Xn+はn価の対イオンを表し、
nは1~3の整数を表し、
およびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基を表す。
また、RおよびRは、互いに結合して、RおよびRの両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
なお、上記式(2)において、Xn+が2価または3価のカチオンを表す場合、式(2)で表されるXn+以外の構造を2または3個有する。
In formula (2), X n+ represents an n-valent counter ion;
n represents an integer of 1 to 3;
R 1 and R 2 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent.
In addition, R 1 and R 2 may be bonded to each other to form, together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 , a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent.
In addition, in the above formula (2), when X n+ represents a divalent or trivalent cation, the compound has two or three structures other than X n+ represented by formula (2).

上記式(2)において、RおよびRにより表される置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基は、その好ましい態様も含めて、上記式(1)におけるRおよびRにより表される置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基と同じであってよい。
また、上記式(2)において、RおよびRが互いに結合して形成される置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環は、その好ましい態様も含めて、上記式(1)におけるRおよびRが互いに結合して形成される置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環と同じであってよい。
In the above formula (2), the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent represented by R 1 and R 2 may be the same as the aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent represented by R 1 and R 2 in the above formula (1), including preferred embodiments thereof.
In addition, in the above formula (2), the nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent formed by R 1 and R 2 bonding to each other may be the same as the nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent formed by R 1 and R 2 bonding to each other in the above formula (1), including preferred embodiments thereof.

式(2)中、Xn+で表される対イオンとしては、例えば、水素イオン(H)、金属イオン、および、脂肪族炭化水素基を有してもよいアンモニウムイオンが挙げられる。
金属イオンを構成する金属元素としては、ナトリウムおよびカリウム等のアルカリ金属元素、カルシウム、マグネシウムおよびストロンチウム等のアルカリ土類金属元素、並びに、銅、亜鉛、ニッケル、鉄、マンガンおよびコバルト等の遷移金属元素が挙げられる。なかでも、ナトリウム、カリウム、銅、亜鉛、ニッケル、または、鉄が好ましく、ナトリウムがより好ましい。
In formula (2), examples of the counter ion represented by Xn + include a hydrogen ion (H + ), a metal ion, and an ammonium ion which may have an aliphatic hydrocarbon group.
Examples of metal elements constituting the metal ions include alkali metal elements such as sodium and potassium, alkaline earth metal elements such as calcium, magnesium, and strontium, and transition metal elements such as copper, zinc, nickel, iron, manganese, and cobalt. Among these, sodium, potassium, copper, zinc, nickel, or iron is preferred, and sodium is more preferred.

脂肪族炭化水素基を有してもよいアンモニウムイオンとしては、下記式(5)で表される化合物が好ましい。
(4-p) (5)
式(5)中、pは0~4の整数を表し、Rは炭素数1~5のアルキル基を表す。pが2~4の整数を表す場合、Rは同じであっても異なっていてもよい。また、pが2~4の整数を表す場合、2つのRが互いに結合して窒素原子とともに炭素数1~5のアルキル基を有してもよい窒素含有非芳香族ヘテロ環を形成してもよい。
As the ammonium ion which may have an aliphatic hydrocarbon group, a compound represented by the following formula (5) is preferred.
N + R p H (4-p) (5)
In formula (5), p represents an integer of 0 to 4, and R represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. When p represents an integer of 2 to 4, R may be the same or different. When p represents an integer of 2 to 4, two R may be bonded to each other to form a nitrogen-containing non-aromatic heterocycle, which may have an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms together with the nitrogen atom.

pとしては、0~3の整数が好ましく、0~2の整数がより好ましい。
Rで表される炭素数1~5のアルキル基としては、メチル基またはエチル基が好ましい。
上記の窒素含有非芳香族ヘテロ環は、その好ましい態様も含めて、上述の式(1)におけるRおよびRが互いに結合して形成する窒素含有非芳香族ヘテロ環と同じであってよい。なかでも、メチル基またはエチル基を有してもよい1-ピペリジン環または1-アゼパン環が好ましく、1-ピペリジン環がより好ましい。
脂肪族炭化水素基を有してもよいアンモニウムイオンとしては、NH 、ジメチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、または、ピペリジニウムイオンが好ましい。
As p, an integer of 0 to 3 is preferable, and an integer of 0 to 2 is more preferable.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R is preferably a methyl group or an ethyl group.
The nitrogen-containing non-aromatic heterocycle, including preferred embodiments thereof, may be the same as the nitrogen-containing non-aromatic heterocycle formed by bonding R 1 and R 2 in the above formula (1). Among them, a 1-piperidine ring or a 1-azepane ring which may have a methyl group or an ethyl group is preferred, and a 1-piperidine ring is more preferred.
As the ammonium ion which may have an aliphatic hydrocarbon group, NH 4 + , a dimethylammonium ion, a diethylammonium ion, or a piperidinium ion is preferred.

式(2)において、Xn+で表される対イオンとしては、水素イオン(H)、ナトリウムイオン(Na)、カリウムイオン(K)、銅イオン(Cu2+)、亜鉛イオン(Zn2+)、ニッケルイオン(Ni2+)、鉄イオン(Fe3+)、または、上記式(5)で表されるアンモニウムイオンが好ましく、水素イオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、または、ピペリジニウムイオンがより好ましい。 In formula (2), the counter ion represented by Xn + is preferably a hydrogen ion (H + ), a sodium ion (Na + ), a potassium ion (K + ), a copper ion ( Cu2+ ), a zinc ion (Zn2 + ), a nickel ion (Ni2 + ), an iron ion (Fe3 + ), or an ammonium ion represented by the above formula (5), and more preferably a hydrogen ion, a sodium ion, an ammonium ion, a dimethylammonium ion, a diethylammonium ion, or a piperidinium ion.

上記式(2)で表される化合物としては、式(2)中のXn+が上記の好ましい基であり、nが1を表し、かつ、式(2)中のRおよびRが上記の好ましい基である化合物が挙げられる。 The compound represented by the above formula (2) includes a compound in which Xn + in formula (2) is the above-mentioned preferred group, n is 1, and R1 and R2 in formula (2) are the above-mentioned preferred groups.

上記式(1)で表される化合物、および、上記式(2)で表される化合物の具体例を以下に示す。上記式(1)で表される化合物、および、上記式(2)で表される化合物は、下記の具体例に制限されない。 Specific examples of the compound represented by the above formula (1) and the compound represented by the above formula (2) are shown below. The compound represented by the above formula (1) and the compound represented by the above formula (2) are not limited to the following specific examples.

特定化合物としては、下記式(3)で表される化合物およびそのプロトン互変異性体も挙げられる。 Specific compounds include the compound represented by the following formula (3) and its proton tautomer.

式(3)中、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子または有機基を表す。
およびRは、互いに結合して、上記式(3)において表されている2個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
ただし、RおよびRが互いに結合して上記窒素含有ヘテロ環を形成する場合、RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子または上記有機基を表す。
上記式(3)で表される化合物のプロトン互変異性体としては、例えば、下記式(3a)で表される化合物および下記式(3b)で表される化合物が挙げられる。
In formula (3), R 3 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or an organic group.
R4 and R5 may be bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent together with the two nitrogen atoms and carbon atom represented in the above formula (3).
However, when R4 and R5 are bonded to each other to form the nitrogen-containing heterocycle, R3 and R6 each independently represent a hydrogen atom or the above organic group.
Examples of the proton tautomer of the compound represented by the above formula (3) include a compound represented by the following formula (3a) and a compound represented by the following formula (3b).

式(3a)および式(3b)中、R、RおよびRは、それぞれ、上記式(3)におけるR、RおよびRと同じである。
式(3b)中、Xn+はn価の対イオンを表し、nは1~3の整数を表す。式(3b)におけるXn+およびnについては、それらの好ましい態様も含めて、上述した式(2)におけるXn+およびnと同じであってよい。
以下、式(3)で表される化合物に関する説明は、特に言及しない限り、式(3a)および式(3b)で表されるような、式(3)で表される化合物のプロトン互変異性体も含むものとする。
In formula (3a) and formula (3b), R 3 , R 4 and R 5 are the same as R 3 , R 4 and R 5 in formula (3) above, respectively.
In formula (3b), X n+ represents an n-valent counter ion, and n represents an integer of 1 to 3. X n+ and n in formula (3b) may be the same as X n+ and n in formula (2) described above, including preferred embodiments thereof.
Hereinafter, the description of the compound represented by formula (3) includes proton tautomers of the compound represented by formula (3), such as those represented by formula (3a) and formula (3b), unless otherwise specified.

~Rで表される有機基としては、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を2個以上組み合わせてなる基からなる群より選択される1価の基が挙げられる。
~Rで表される有機基の炭素数は、例えば1~20であり、1~15が好ましく、1~10がより好ましい。
脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状および環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、直鎖状であることがより好ましい。脂肪族炭化水素基の炭素数は、1~8が好ましく、1~5がより好ましい。
芳香族炭化水素基としては、炭素数6~10の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
The organic groups represented by R 3 to R 6 include monovalent groups selected from the group consisting of aliphatic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups, and groups formed by combining two or more of these groups.
The organic group represented by R 3 to R 6 has, for example, 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 1 to 10 carbon atoms.
The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic, preferably linear or branched, more preferably linear. The number of carbon atoms in the aliphatic hydrocarbon group is preferably 1 to 8, more preferably 1 to 5.
The aromatic hydrocarbon group is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, and more preferably a phenyl group.

上記の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、および、これらの基を2個以上組み合わせてなる基は、更に置換基を有してもよい。
上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、オキソ基、カルボキシ基、チオール基、チオキソ基、チオカルボニルスルフィド基、置換基を有してもよいアミノ基、リン酸基、スルホ基、シアノ基、ニトロ基、および、アリール基が挙げられ、ヒドロキシ基、オキソ基、または、カルボキシ基が好ましい。
上記の置換基の個数は、例えば1~3個であり、1個が好ましい。
また、上記の脂肪族炭化水素基は、その脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基(-CH-)に代えて、-S-、または、-O-、を有してもよい。
The above aliphatic hydrocarbon groups, aromatic hydrocarbon groups and groups formed by combining two or more of these groups may further have a substituent.
Examples of the substituent include a hydroxy group, an oxo group, a carboxy group, a thiol group, a thioxo group, a thiocarbonyl sulfide group, an amino group which may have a substituent, a phosphate group, a sulfo group, a cyano group, a nitro group, and an aryl group, and a hydroxy group, an oxo group, or a carboxy group is preferable.
The number of the above-mentioned substituents is, for example, 1 to 3, and 1 is preferable.
Furthermore, the above aliphatic hydrocarbon group may have —S— or —O— instead of a methylene group (—CH 2 —) constituting the aliphatic hydrocarbon group.

上記のR~Rで表される有機基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基が好ましく、炭素数1~5のアルキル基、アセチル基、または、フェニル基がより好ましい。これらの基は置換基を有さないことが好ましい。 The organic groups represented by R3 to R6 above are preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a cyclohexyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetyl group, or a phenyl group. It is preferable that these groups have no substituent.

また、RおよびRが互いに結合して、上記式(3)において表される2個の窒素原子および炭素原子とともに形成される窒素含有ヘテロ環基としては、チオウレア構造(>N-C(=S)-N<)を含む環状構造を有するものであれば特に制限されない。
上記の窒素含有ヘテロ環基は、芳香族性および非芳香族性のいずれであってもよい。また、上記の窒素含有ヘテロ環基の環員数は、例えば5個または6個であり、5個が好ましい。上記の窒素含有ヘテロ環基としては、イミダゾリン環またはイミダゾリジン環が好ましい。
In addition, the nitrogen-containing heterocyclic group formed by combining R4 and R5 with each other together with the two nitrogen atoms and the carbon atom represented by the above formula (3) is not particularly limited as long as it has a cyclic structure containing a thiourea structure (>N-C(=S)-N<).
The nitrogen-containing heterocyclic group may be either aromatic or non-aromatic. The number of ring members of the nitrogen-containing heterocyclic group is, for example, 5 or 6, and preferably 5. The nitrogen-containing heterocyclic group is preferably an imidazoline ring or an imidazolidine ring.

上記の窒素含有ヘテロ環基が有してもよい置換基としては、例えば、炭素数1~5の脂肪族炭化水素基、および、上記のR~Rで表される脂肪族炭化水素基が有してもよい置換基として挙げた基が挙げられ、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
上記置換基の個数は、例えば1~3個であり、1個または2個が好ましい。
上記窒素含有ヘテロ環基において、隣接する炭素原子がそれぞれ有する水素原子と置換した置換基が互いに結合して、置換基を有してもよいフェニル基を形成してもよい。即ち、RおよびRは、互いに結合して、上記式(3)において表される2個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよいベンゾイミダゾリン環を形成してもよい。このベンゾイミダゾリン環が有してもよい置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、アミノ基およびスルホ基が挙げられ、メチル基、エチル基、メトキシ基、アミノ基またはスルホ基が好ましい。
Examples of the substituent that the nitrogen-containing heterocyclic group may have include an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms and the groups exemplified as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group represented by R3 to R6 may have. An alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The number of the above-mentioned substituents is, for example, 1 to 3, and 1 or 2 is preferable.
In the nitrogen-containing heterocyclic group, the substituents replacing the hydrogen atoms of the adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a phenyl group which may have a substituent. That is, R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a benzimidazoline ring which may have a substituent together with the two nitrogen atoms and carbon atoms represented by the above formula (3). Examples of the substituent which the benzimidazoline ring may have include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, an amino group, and a sulfo group, and a methyl group, an ethyl group, a methoxy group, an amino group, or a sulfo group is preferable.

およびRが互いに結合して窒素含有ヘテロ環基を形成する場合、RおよびRの少なくとも一方が水素原子を表すことが好ましく、RおよびRの一方が水素原子を表し、他方が水素原子、メチル基またはエチル基を表すことがより好ましい。 When R4 and R5 are bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocyclic group, it is preferable that at least one of R3 and R6 represents a hydrogen atom, and it is more preferable that one of R3 and R6 represents a hydrogen atom and the other represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group.

上記式(3)におけるR~Rのうち、1~3個が水素原子を表すことが好ましく、2個が水素原子を表すことがより好ましい。 Of R 3 to R 6 in the above formula (3), it is preferable that 1 to 3 represent a hydrogen atom, and more preferably 2 represent a hydrogen atom.

上記式(3)で表される化合物としては、R~Rが、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基を表し、RおよびRが互いに結合して窒素含有ヘテロ環を形成する場合、その窒素含有ヘテロ環基が、置換基としてメチル基もしくはエチル基を有してもよいイミダゾリン環もしくはイミダゾリジン環、または、置換基としてメチル基、エチル基、メトキシ基、スルホ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾイミダゾリン環であり、かつ、RおよびRの少なくとも一方が水素原子を表す化合物であることが、好ましい。 As the compound represented by the above formula (3), a compound in which R 3 to R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a cyclohexyl group, and when R 4 and R 5 are bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle, the nitrogen-containing heterocycle is an imidazoline ring or imidazolidine ring which may have a methyl group or an ethyl group as a substituent, or a benzoimidazoline ring which may have a methyl group, an ethyl group, a methoxy group, a sulfo group, or an amino group as a substituent, and at least one of R 3 and R 6 represents a hydrogen atom is preferred.

上記式(3)で表される化合物の具体例を以下に示す。上記式(3)で表される化合物は、下記の具体例に制限されない。 Specific examples of the compound represented by the above formula (3) are shown below. The compound represented by the above formula (3) is not limited to the following specific examples.

特定化合物は、導電性基板を構成する任意の部材に存在してよいが、導電性細線および上述の非導電部の少なくとも一方に含まれていることが好ましく、導電性細線に含まれていることがより好ましい。 The specific compound may be present in any of the components constituting the conductive substrate, but is preferably contained in at least one of the conductive thin wires and the non-conductive portion described above, and is more preferably contained in the conductive thin wires.

導電性基板に含まれる特定化合物の含有量は、本発明の効果がより優れる点で、導電性基板の重量当たり、1.0μg/g以上が好ましく、3.0μg/g以上がより好ましく、8.0μg/g以上が更に好ましい。
上限値は特に制限されないが、導電性および面状がより優れる点で、導電性基板の重量当たり、1000μg/g以下が好ましく、400μg/g以下がより好ましい。
導電性基板に含まれる特定化合物の含有量は、導電性基板を抽出溶媒に浸漬して特定化合物を抽出した後、抽出溶媒中の特定化合物の含有量を定量することにより、測定できる。特定化合物の含有量の詳しい測定方法は、後述する実施例に記載する。
The content of the specific compound contained in the conductive substrate is preferably 1.0 μg/g or more, more preferably 3.0 μg/g or more, and even more preferably 8.0 μg/g or more, per weight of the conductive substrate, in terms of better effects of the present invention.
The upper limit is not particularly limited, but in terms of better conductivity and surface condition, the amount is preferably 1000 μg/g or less, and more preferably 400 μg/g or less, per weight of the conductive substrate.
The content of the specific compound contained in the conductive substrate can be measured by immersing the conductive substrate in an extraction solvent to extract the specific compound, and then quantifying the content of the specific compound in the extraction solvent. A detailed method for measuring the content of the specific compound will be described in the Examples below.

導電性基板に特定化合物を含有させる方法は特に制限されず、例えば、導電性細線または非導電部の形成に用いる組成物に特定化合物を予め含有させる方法、および、導電性細線を有する導電性基板を製造する途中または製造した後、特定化合物を導電性基板に接触させる方法が挙げられる。なかでも、後述する工程Pにより、特定化合物を導電性基板に接触させることが好ましい。 The method of incorporating the specific compound into the conductive substrate is not particularly limited, and examples of the method include incorporating the specific compound into the composition used to form the conductive thin wires or non-conductive parts in advance, and contacting the specific compound with the conductive substrate during or after the production of the conductive substrate having the conductive thin wires. In particular, it is preferable to contact the specific compound with the conductive substrate by process P, which will be described later.

〔導電性基板の製造方法〕
次に、導電性基板の製造方法について説明する。
導電性基板の製造方法は、上述した構成の導電性基板が製造できれば特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法、支持体の全面に金属含有層を形成した後、レジストパターンを用いて金属含有層の一部を除去して、細線状の金属含有層を形成する方法、並びに、金属および樹脂を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線状の金属含有層を形成する方法が挙げられる。
なかでも、生産性および導電性細線の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光および現像を行う方法が好ましい。具体的には、後述する工程A~工程Eをこの順に有する導電性基板の製造方法が挙げられる。
以下、工程A~工程Eを有する導電性基板の製造方法について詳述するが、本発明に係る導電性基板の製造方法は、下記の製造方法に制限されない。
[Method for producing conductive substrate]
Next, a method for producing the conductive substrate will be described.
The method for producing the conductive substrate is not particularly limited as long as the conductive substrate having the above-mentioned configuration can be produced, and a known method can be adopted.For example, the method of performing exposure and development using silver halide, the method of forming a metal-containing layer on the entire surface of a support, and then removing a part of the metal-containing layer using a resist pattern to form a thin line-shaped metal-containing layer, and the method of ejecting a composition containing metal and resin onto a substrate by a known printing method such as inkjet to form a thin line-shaped metal-containing layer can be included.
Among them, the method of performing exposure and development using silver halide is preferred in terms of superior productivity and conductivity of the conductive thin wires. Specifically, a method of producing a conductive substrate having steps A to E described below in this order can be mentioned.
Hereinafter, a method for producing a conductive substrate having steps A to E will be described in detail, but the method for producing a conductive substrate according to the present invention is not limited to the following production method.

<工程A>
工程Aは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子(ゼラチンとは異なる高分子化合物)とを含むハロゲン化銀含有感光性層(以下、「感光性層」ともいう。)を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
まず、工程Aで使用される材料および部材について詳述し、その後、工程Aの手順について詳述する。
なお、工程Aで使用される基材、および、特定高分子については上述の通りである。
<Step A>
Step A is a step of forming a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter also referred to as a "photosensitive layer") containing silver halide, gelatin, and a specific polymer (a polymer compound different from gelatin) on a substrate. This step produces a substrate with a photosensitive layer that is to be subjected to an exposure treatment described later.
First, the materials and members used in step A will be described in detail, and then the procedure of step A will be described in detail.
The base material and the specific polymer used in the step A are as described above.

(ハロゲン化銀)
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子およびフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀またはヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀または臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀またはヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が50%以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオンおよび/またはヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
(Silver halide)
The halogen atom contained in silver halide may be any of chlorine atom, bromine atom, iodine atom and fluorine atom, or may be a combination of these.For example, silver halide mainly made of silver chloride, silver bromide or silver iodide is preferred, and silver halide mainly made of silver chloride or silver bromide is more preferred.In addition, silver chlorobromide, silver iodochlorobromide or silver iodobromide is also preferably used.
Here, for example, "silver halide mainly composed of silver chloride" refers to a silver halide in which the molar fraction of chloride ions in the total halide ions in the silver halide composition is 50% or more. This silver halide mainly composed of silver chloride may contain bromide ions and/or iodide ions in addition to chloride ions.

ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で10~1000nmが好ましく、10~200nmがより好ましく、湿熱環境下において導電性細線の抵抗値の変化がより小さい点で、50~150nmが更に好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。
上述のハロゲン化銀の平均粒子径として用いられる「球相当径」は平均値であり、100個のハロゲン化銀の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
The silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle size of the silver halide is preferably from 10 to 1,000 nm, more preferably from 10 to 200 nm, in terms of the equivalent sphere diameter, and even more preferably from 50 to 150 nm, in that the change in resistance value of the conductive thin wire is smaller in a moist and hot environment.
The equivalent sphere diameter is the diameter of a spherical particle having the same volume.
The "equivalent sphere diameter" used as the average grain diameter of the above-mentioned silver halide is an average value, which is obtained by measuring the equivalent sphere diameters of 100 silver halide particles and calculating the arithmetic average thereof.

ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状(6角平板状、三角形平板状、4角形平板状等)、八面体状、および、14面体状等の形状が挙げられる。 The shape of the silver halide grains is not particularly limited, and examples of such shapes include spherical, cubic, tabular (hexagonal tabular, triangular tabular, quadrangular tabular, etc.), octahedral, and tetradecahedral shapes.

(ゼラチン)
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、および、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基および/またはカルボキシル基で修飾されたゼラチン(フタル化ゼラチン、および、アセチル化ゼラチン)等を用いてもよい。
(gelatin)
The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-processed gelatin and acid-processed gelatin. In addition, gelatin hydrolysates, gelatin enzymatic decomposition products, and gelatins modified with amino groups and/or carboxyl groups (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may also be used.

感光性層には、上述の特定高分子が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される導電性細線の強度がより向上する。 The photosensitive layer contains the specific polymer described above. By including this specific polymer in the photosensitive layer, the strength of the conductive thin wire formed from the photosensitive layer is further improved.

(工程Aの手順)
工程Aにおいて上述の成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
(Procedure of Step A)
The method for forming the photosensitive layer containing the above-mentioned components in step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a method in which a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a specific polymer is brought into contact with a substrate to form a photosensitive layer on the substrate is preferred.
The form of the photosensitive layer forming composition used in this method will be described in detail below, and then the steps will be described in detail.

(感光性層形成用組成物に含まれる材料)
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
溶剤としては、水、有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類およびエーテル類)、イオン性液体、並びに、これらの混合溶剤が挙げられる。
(Materials contained in the composition for forming the photosensitive layer)
The composition for forming the photosensitive layer contains the above-mentioned silver halide, gelatin, and specific polymer. If necessary, the specific polymer may be contained in the composition for forming the photosensitive layer in the form of particles.
The photosensitive layer forming composition may contain a solvent, if necessary.
Examples of the solvent include water, organic solvents (for example, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.

感光性層形成用組成物と基材とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基材上に塗布する方法、および、感光性層形成用組成物中に基材を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上述の処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
The method for contacting the composition for forming a photosensitive layer with the substrate is not particularly limited, and examples thereof include a method of applying the composition for forming a photosensitive layer onto the substrate, and a method of immersing the substrate in the composition for forming a photosensitive layer.
After the above-mentioned treatment, a drying treatment may be carried out, if necessary.

(ハロゲン化銀含有感光性層)
上述の手順により形成された感光性層には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、銀換算で3.0~20.0g/mが好ましく、5.0~15.0g/mがより好ましい。銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性基板の導電性がより優れる点で、0.04~2.0g/mが好ましく、0.08~0.40g/mがより好ましく、0.10~0.40g/mが更に好ましい。
(Silver halide-containing light-sensitive layer)
The light-sensitive layer formed by the above-mentioned procedure contains silver halide, gelatin and a specific polymer.
The content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g/m 2 , and more preferably 5.0 to 15.0 g/m 2 , calculated as silver, in order to provide a more excellent electrical conductivity for the conductive substrate. The silver content is calculated as the mass of silver produced by reducing all of the silver halide.
The content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 0.04 to 2.0 g/ m2 , more preferably 0.08 to 0.40 g/ m2 , and even more preferably 0.10 to 0.40 g/ m2 , in order to provide a conductive substrate with superior conductivity.

<工程B>
工程Bは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程である。
<Step B>
Step B is a step of exposing the photosensitive layer to light and then developing it to form a fine line-shaped silver-containing layer that contains metallic silver, gelatin, and a polymer.

感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、および、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、および、X線が挙げられる。
By subjecting the photosensitive layer to an exposure process, a latent image is formed in the exposed areas.
Exposure may be carried out in a pattern. For example, in order to obtain a mesh pattern consisting of conductive thin wires as described below, examples of the method include a method of exposing through a mask having a mesh-shaped opening pattern, and a method of exposing in a mesh pattern by scanning with laser light.
There is no particular limitation on the type of light used for exposure, so long as it can form a latent image in the silver halide, and examples of such light include visible light, ultraviolet light, and X-rays.

露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域(潜像が形成された領域)では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、PQ(phenidone hydroquinone)現像液、MQ(Metol hydroquinone)現像液、および、MAA(メトール・アスコルビン酸)現像液が挙げられる。
By subjecting the exposed photosensitive layer to a development process, metallic silver is precipitated in the exposed areas (areas where a latent image is formed).
The method of development is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver halide photographic films, photographic papers, films for printing plate making, and emulsion masks for photomasks.
In the development process, a developer is usually used. The type of developer is not particularly limited, and examples thereof include a PQ (phenidone hydroquinone) developer, an MQ (metol hydroquinone) developer, and an MAA (metol ascorbic acid) developer.

本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
定着処理は、現像と同時および/または現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、および、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」(笹井著、株式会社写真工業出版社)p321記載の定着液が挙げられる。
This process may further include a fixing treatment for the purpose of removing and stabilizing the silver halide in the unexposed areas.
Fixing treatment is carried out simultaneously with and/or after development. The method of fixing treatment is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic films, photographic papers, films for printing plate making, and emulsion masks for photomasks.
In the fixing process, a fixing solution is usually used. The type of fixing solution is not particularly limited, and examples thereof include the fixing solutions described on page 321 of "Chemistry of Photography" (by Sasai, Shashin Kogyo Publishing Co., Ltd.).

上述の処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含む、細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を1.0μm以上5.0μm未満にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。すなわち、露光量により、導電性細線の線幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲および/または走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
By carrying out the above-mentioned treatment, a fine line-shaped silver-containing layer containing metallic silver, gelatin and a specific polymer is formed.
The width of the silver-containing layer can be adjusted, for example, by adjusting the opening width of a mask used during exposure. For example, the exposure area can be adjusted by setting the opening width of the mask to 1.0 μm or more and less than 5.0 μm.
In addition, when using a mask during exposure, the width of the silver-containing layer formed can also be adjusted by adjusting the amount of exposure. For example, when the opening width of the mask is narrower than the width of the silver-containing layer to be targeted, the width of the region in which the latent image is formed can be adjusted by increasing the amount of exposure more than usual. That is, the line width of the conductive thin line can be adjusted by the amount of exposure.
Furthermore, when a laser beam is used, the exposure area can be adjusted by adjusting the focusing range and/or scanning range of the laser beam.

銀含有層の幅は、1.0μm以上5.0μm未満が好ましく、形成される導電性細線が視認されにくい点から、2.0μm以下がより好ましい。
なお、上述の手順によって得られる銀含有層は細線状であり、銀含有層の幅とは細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向における銀含有層の長さ(幅)を意味する。
The width of the silver-containing layer is preferably 1.0 μm or more and less than 5.0 μm, and more preferably 2.0 μm or less, since the formed conductive thin lines are difficult to visually recognize.
The silver-containing layer obtained by the above-mentioned procedure is in the form of thin lines, and the width of the silver-containing layer means the length (width) of the silver-containing layer in a direction perpendicular to the direction in which the thin lines of the silver-containing layer extend.

<工程C>
工程Cは、工程Bで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
<Step C>
Step C is a step of subjecting the silver-containing layer obtained in step B to a heat treatment. By carrying out this step, fusion between specific polymers in the silver-containing layer progresses, and the strength of the silver-containing layer is improved.

加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、および、温調装置(例えば、ヒーター)で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。 The method of heat treatment is not particularly limited, and examples include a method of contacting the silver-containing layer with superheated steam and a method of heating the silver-containing layer with a temperature control device (e.g., a heater), with the method of contacting the silver-containing layer with superheated steam being preferred.

過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、10~70秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、500~600g/m3が好ましく、過熱蒸気の温度は、1気圧で100~160℃(好ましくは100~120℃)が好ましい。
The superheated steam may be superheated water vapor or a mixture of superheated water vapor and other gases.
The contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, but is preferably from 10 to 70 seconds.
The supply amount of the superheated steam is preferably 500 to 600 g/m 3 , and the temperature of the superheated steam is preferably 100 to 160° C. (preferably 100 to 120° C.) at 1 atmospheric pressure.

温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、100~200℃(好ましくは100~150℃)で1~240分間(好ましくは60~150分間)加熱する条件が好ましい。 In the method of heating the silver-containing layer with a temperature control device, the heating conditions are preferably 100 to 200°C (preferably 100 to 150°C) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes).

<工程D>
工程Dは、工程Cで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層中に空間が形成される。
<Step D>
Step D is a step of removing gelatin from the silver-containing layer obtained in step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer, and voids are formed in the silver-containing layer.

ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法(以下、「方法1」ともいう。)、および、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法(以下、「方法2」ともいう。)が挙げられる。 The method for removing gelatin is not particularly limited, and examples include a method using a protease (hereinafter also referred to as "Method 1") and a method for decomposing and removing gelatin using an oxidizing agent (hereinafter also referred to as "Method 2").

方法1において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性または動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、および、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、または、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法1における手順としては、銀含有層と上述のタンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液(以下、「酵素液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、0.05~20質量%が好ましく、0.5~10質量%がより好ましい。
酵素液には、上述のタンパク質分解酵素に加え、水が含まれることが多い。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤(例えば、pH緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、および、保恒剤)が含まれていてもよい。
酵素液のpHは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、5~9が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度が好ましい。具体的には20~45℃が好ましい。
The proteolytic enzyme used in Method 1 includes known plant or animal enzymes capable of hydrolyzing proteins such as gelatin.
Examples of proteolytic enzymes include pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, cathepsin, papain, ficin, thrombin, renin, collagenase, bromelain, and bacterial proteases, with trypsin, papain, ficin, and bacterial proteases being preferred.
The procedure in Method 1 may be any method that brings the silver-containing layer into contact with the above-mentioned protease, for example, a method of bringing the silver-containing layer into contact with a treatment liquid containing a protease (hereinafter also referred to as "enzyme liquid"). Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the enzyme liquid and a method of applying the enzyme liquid onto the silver-containing layer.
The content of the protease in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, and more preferably 0.5 to 10% by mass, based on the total amount of the enzyme solution, in that the degree of decomposition and removal of gelatin can be easily controlled.
The enzyme solution often contains water in addition to the above-mentioned proteolytic enzymes.
The enzyme solution may contain other additives, if necessary, such as a pH buffer, an antibacterial compound, a humectant, and a preservative.
The pH of the enzyme solution is selected so as to obtain maximum activity of the enzyme, and is preferably 5 to 9.
The temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the activity of the enzyme is enhanced, specifically, 20 to 45°C.

なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、および、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、20~80℃が好ましく、40~60℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間(洗浄時間)は特に制限されず、生産性の点から、1~600秒間が好ましく、30~360秒間がより好ましい。
If necessary, after the treatment with the enzyme solution, a washing treatment may be carried out in which the obtained silver-containing layer is washed with warm water.
The washing method is not particularly limited, and a method of contacting the silver-containing layer with warm water is preferred. Examples of the washing method include a method of immersing the silver-containing layer in warm water and a method of applying warm water onto the silver-containing layer.
The temperature of the hot water is appropriately selected optimally depending on the type of protease used, and from the viewpoint of productivity, a temperature of 20 to 80°C is preferable, and a temperature of 40 to 60°C is more preferable.
The contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and from the viewpoint of productivity, it is preferably from 1 to 600 seconds, more preferably from 30 to 360 seconds.

方法2で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が+1.5V以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位(25℃、E0)を意図する。
上述の酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸またはその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水(標準電極電位:1.76V)、次亜塩素酸またはその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
The oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and is preferably an oxidizing agent having a standard electrode potential of +1.5 V or more. The standard electrode potential here refers to the standard electrode potential (25° C., E0) of the oxidizing agent in an aqueous solution with respect to a standard hydrogen electrode.
Examples of the oxidizing agent include persulfuric acid, percarbonic acid, perphosphoric acid, hypoperchloric acid, peracetic acid, metachloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide, perchloric acid, periodic acid, potassium permanganate, ammonium persulfate, ozone, hypochlorous acid or a salt thereof, and the like. From the viewpoints of productivity and economy, however, hydrogen peroxide (standard electrode potential: 1.76 V), hypochlorous acid or a salt thereof are preferred, and sodium hypochlorite is more preferred.

方法2における手順としては、銀含有層と上述の酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液(以下、「酸化剤液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、および、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水、および、有機溶剤が挙げられる。
The procedure in Method 2 may be any method that brings the silver-containing layer into contact with the above-mentioned oxidizing agent, for example, a method of bringing the silver-containing layer into contact with a treatment liquid containing an oxidizing agent (hereinafter also referred to as "oxidizing agent liquid"). Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the oxidizing agent liquid and a method of applying the oxidizing agent liquid onto the silver-containing layer.
The type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and examples thereof include water and organic solvents.

<工程E>
工程Eは、工程Dで得られた銀含有層に対してめっき処理を施し、導電性細線を得る工程である。本工程を実施することにより、ゼラチンを除去することにより形成された空間に金属(めっき金属)が充填された導電性細線が形成される。
<Step E>
Step E is a step of obtaining a conductive thin wire by plating the silver-containing layer obtained in step D. By carrying out this step, a conductive thin wire is formed in which a metal (plating metal) is filled in the space formed by removing the gelatin.

めっき処理の種類は特に制限されないが、無電解めっき(化学還元めっき、または、置換めっき)および電解めっきが挙げられ、無電解めっきが好ましい。無電解めっきとしては、公知の無電解めっき技術が用いられる。
めっき処理としては、例えば、銀めっき処理、銅めっき処理、ニッケルめっき処理、および、コバルトめっき処理が挙げられ、導電性細線の導電性がより優れる点で、銀めっき処理または銅めっき処理が好ましく、銀めっき処理がより好ましい。
The type of plating is not particularly limited, but examples include electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating) and electrolytic plating, and electroless plating is preferred. As the electroless plating, a known electroless plating technique is used.
Examples of plating treatments include silver plating treatment, copper plating treatment, nickel plating treatment, and cobalt plating treatment. In terms of superior conductivity of the conductive thin wire, silver plating treatment or copper plating treatment is preferred, and silver plating treatment is more preferred.

めっき処理で用いられるめっき液に含まれる成分は特に制限されないが、通常、溶剤(例えば、水)の他に、1.めっき用の金属イオン、2.還元剤、3.金属イオンの安定性を向上させる添加剤(安定剤)、4.pH調整剤が主に含まれている。このめっき浴には、これらに加えて、めっき浴の安定剤等、公知の添加剤が含まれていてもよい。
めっき液に含まれるめっき用の金属イオンの種類は析出させたい金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、および、コバルトイオンが挙げられる。
The components contained in the plating solution used in the plating process are not particularly limited, but typically contain, in addition to a solvent (e.g., water), 1. metal ions for plating, 2. a reducing agent, 3. an additive (stabilizer) for improving the stability of the metal ions, and 4. a pH adjuster. In addition to these, the plating bath may contain known additives such as a plating bath stabilizer.
The type of metal ion contained in the plating solution for plating can be appropriately selected depending on the type of metal to be deposited, and examples thereof include silver ions, copper ions, nickel ions, and cobalt ions.

上述のめっき処理の手順は特に制限されず、銀含有層とめっき液とを接触させる方法であればよく、例えば、めっき液中に銀含有層を浸漬させる方法、および、めっき液を銀含有層に塗布する方法が挙げられる。
銀含有層とめっき液との接触時間は特に制限されず、導電性細線の導電性がより優れる点および生産性の点から、20秒間~30分間が好ましい。
The procedure for the above-mentioned plating treatment is not particularly limited, and any method that brings the silver-containing layer into contact with a plating solution may be used. For example, a method of immersing the silver-containing layer in a plating solution and a method of applying a plating solution to the silver-containing layer may be used.
The contact time between the silver-containing layer and the plating solution is not particularly limited, but is preferably 20 seconds to 30 minutes from the standpoint of superior conductivity of the conductive thin wire and productivity.

<工程F>
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた導電性細線に、更に平滑化処理を施す工程Fを有していてもよい。
<Step F>
The method for producing a conductive substrate may further include a step F of subjecting the conductive thin wire obtained in the above step to a smoothing treatment.

平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線を有する基材を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、および、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、2MPa以上が好ましく、4MPa以上がより好ましく、120MPa以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール(高圧用)を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、10~100℃が好ましく、10~50℃がより好ましい。
The method of the smoothing treatment is not particularly limited, and for example, a calendering treatment step in which the substrate having the conductive thin wires is passed between at least a pair of rolls under pressure is preferred. Hereinafter, the smoothing treatment using a calender roll will be referred to as the calendering treatment.
The rolls used in the calendar treatment include plastic rolls and metal rolls, with plastic rolls being preferred from the viewpoint of preventing wrinkles.
The pressure between the rolls is not particularly limited, but is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and is preferably 120 MPa or less. The pressure between the rolls can be measured using a Prescale (for high pressure) manufactured by FUJIFILM Corporation.
The temperature for the smoothing treatment is not particularly limited, but is preferably from 10 to 100°C, and more preferably from 10 to 50°C.

<工程G>
導電性基板の製造方法は、上記の工程で得られた導電性細線に加熱処理を施す工程Gを有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Cで述べた方法が挙げられる。
<Process G>
The method for producing a conductive substrate may include a step G of subjecting the conductive thin wire obtained in the above step to a heat treatment. By carrying out this step, a conductive thin wire having superior conductivity can be obtained.
The method for subjecting the conductive thin wire to the heat treatment is not particularly limited, and the methods described in step C can be mentioned.

<工程H>
導電性基板の製造方法は、工程Aの前に、基材上にゼラチンおよび特定高分子を含むハロゲン化銀不含有層を形成する工程Hを有していてもよい。本工程を実施することにより、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層が形成される。このハロゲン化銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電層と基材との密着性向上に寄与する。
ハロゲン化銀不含有層には、上述したゼラチンと特定高分子とが含まれる。一方、ハロゲン化銀不含有層には、ハロゲン化銀が含まれない。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0.1~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0.03g/m2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、1.0g/m2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、1.63g/m2以下の場合が多い。
<Step H>
The method for producing a conductive substrate may include a step H of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer on the substrate before the step A. By carrying out this step, a silver halide-free layer is formed between the substrate and the silver halide-containing photosensitive layer. This silver halide-free layer plays a role of a so-called antihalation layer and contributes to improving the adhesion between the conductive layer and the substrate.
The silver halide-free layer contains the above-mentioned gelatin and specific polymer, while the silver halide-free layer does not contain any silver halide.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the silver halide-free layer (mass of specific polymer/mass of gelatin) is not particularly limited, but is preferably from 0.1 to 5.0, and more preferably from 1.0 to 3.0.
The content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, but is often 0.03 g/ m2 or more, and is preferably 1.0 g/ m2 or more in terms of better adhesion of the conductive thin wire. The upper limit is not particularly limited, but is often 1.63 g/ m2 or less.

ハロゲン化銀不含有層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
ハロゲン化銀不含有層の厚みは特に制限されず、0.05μm以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、1.0μm超が好ましく、1.5μm以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、3.0μm未満であることが好ましい。
The method for forming the silver halide-free layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer is applied onto a substrate, and then heat-treated as necessary.
The layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvents used in the photosensitive layer-forming composition described above.
The thickness of the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 μm or more. In terms of better adhesion to the conductive thin wire, the thickness is preferably more than 1.0 μm, and more preferably 1.5 μm or more. The upper limit is not particularly limited, but it is preferably less than 3.0 μm.

<工程I>
導電性基板の製造方法は、工程Aの後で工程Bの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層を形成する工程Iを有していてもよい。保護層を設けることにより、感光性層の擦り傷防止および力学特性を改良できる。
保護層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0超2.0以下が好ましく、0超1.0以下がより好ましい。
また、保護層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0g/m超0.3g/m以下が好ましく、0.005~0.1g/mがより好ましい。
<Step I>
The method for producing a conductive substrate may include a step I of forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer after the step A and before the step B. By providing the protective layer, it is possible to improve scratch resistance and mechanical properties of the photosensitive layer.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of gelatin in the protective layer (mass of specific polymer/mass of gelatin) is not particularly limited, and is preferably more than 0 and not more than 2.0, and more preferably more than 0 and not more than 1.0.
The content of the specific polymer in the protective layer is not particularly limited, but is preferably more than 0 g/ m2 and 0.3 g/ m2 or less, and more preferably 0.005 to 0.1 g/ m2 .

保護層の形成方法は特に制限されず、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
保護層の厚みは特に制限されず、0.03~0.3μmが好ましく、0.075~0.20μmがより好ましい。
The method for forming the protective layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer is applied onto a silver halide-containing photosensitive layer, and if necessary, a heat treatment is performed.
The composition for forming a protective layer may contain a solvent, if necessary. The type of the solvent may be the same as that used in the composition for forming a photosensitive layer described above.
The thickness of the protective layer is not particularly limited, but is preferably from 0.03 to 0.3 μm, and more preferably from 0.075 to 0.20 μm.

なお、上述した工程H、工程Aおよび工程Iは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。 The above-mentioned steps H, A, and I may be carried out simultaneously by simultaneous multi-layer coating.

<工程P>
工程Pは、上記の導電性基板に特定化合物を接触させ、特定化合物が導電性細線に含まれている本発明の導電性基板を作製する工程である。
導電性基板と特定化合物とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、特定化合物を含む処理液中に導電性基板を浸漬する方法、および、特定化合物を含む処理液を導電性細線が形成された基材の表面に塗布する方法が挙げられる。また、上記処理液中に細線状の金属含有層を有する基材を浸漬する方法、および、上記処理液を細線状の金属含有層を有する基材の表面に塗布する方法も挙げられる。
工程Pを実施することにより、特定化合物が導電性細線に浸透および吸着し、導電性細線間のマイグレーションが抑制される。
<Process P>
Step P is a step of contacting the conductive substrate with a specific compound to produce the conductive substrate of the present invention in which the specific compound is contained in the conductive thin wires.
The method of contacting the conductive substrate with the specific compound is not particularly limited, and examples thereof include a method of immersing the conductive substrate in a treatment liquid containing the specific compound, and a method of applying a treatment liquid containing the specific compound to the surface of a substrate on which conductive thin wires are formed.Furthermore, examples thereof include a method of immersing a substrate having a thin-line metal-containing layer in the treatment liquid, and a method of applying the treatment liquid to the surface of a substrate having a thin-line metal-containing layer.
By carrying out step P, the specific compound penetrates into and is adsorbed to the conductive thin wires, and migration between the conductive thin wires is suppressed.

上記の特定化合物を含む処理液は、特定化合物を溶剤に溶解させてなる溶液であることが好ましい。使用される溶剤の種類は特に制限されず、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が挙げられる。
上記の処理液における特定化合物の含有量は、目的とする導電性基板に含有させる特定化合物の量、および、処理条件に応じて適宜すればよいが、処理液の総質量に対して、0.01~2質量%が好ましく、0.1~0.5質量%がより好ましい。
上記処理液を導電性基板に接触させる際の処理液の温度は、例えば、25~60℃である。
特定化合物と導電性基板との接触時間は特に制限されないが、0.1~10分間が好ましく、0.2~3分間がより好ましい。
The treatment liquid containing the specific compound is preferably a solution obtained by dissolving the specific compound in a solvent. The type of the solvent used is not particularly limited, and examples thereof include the solvents used in the composition for forming the photosensitive layer described above.
The content of the specific compound in the treatment liquid may be appropriately determined depending on the amount of the specific compound to be contained in the target conductive substrate and the treatment conditions, but is preferably 0.01 to 2 mass %, and more preferably 0.1 to 0.5 mass %, relative to the total mass of the treatment liquid.
The temperature of the treatment liquid when it is brought into contact with the conductive substrate is, for example, 25 to 60°C.
The contact time between the specific compound and the conductive substrate is not particularly limited, but is preferably from 0.1 to 10 minutes, and more preferably from 0.2 to 3 minutes.

〔導電性基板の用途〕
上述のようにして得られた導電性基板は、種々の用途に適用でき、タッチパネル(または、タッチパネルセンサー)、半導体チップ、各種電気配線板、FPC(Flexible Printed Circuits)、COF(Chip on Film)、TAB(Tape Automated Bonding)、アンテナ、多層配線基板、および、マザーボード等の用途に適用できる。なかでも、本発明の導電性基板は、タッチパネル(静電容量式タッチパネル)に用いることが好ましい。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
本発明の導電性基板をタッチパネルに用いる場合、導電性基板と組み合わせて使用する表示パネルとしては、例えば、液晶パネル、および、OLED(Organic Light Emitting Diode)パネルが挙げられ、OLEDパネルとの組合せが好ましい。
[Uses of conductive substrates]
The conductive substrate obtained as described above can be used in various applications, including touch panels (or touch panel sensors), semiconductor chips, various electric wiring boards, FPCs (Flexible Printed Circuits), COFs (Chip on Film), TABs (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards. In particular, the conductive substrate of the present invention is preferably used for touch panels (capacitive touch panels).
When the conductive substrate of the present invention is used in a touch panel, the above-mentioned conductive thin wires can effectively function as detection electrodes.
When the conductive substrate of the present invention is used for a touch panel, examples of the display panel used in combination with the conductive substrate include a liquid crystal panel and an OLED (Organic Light Emitting Diode) panel, and a combination with an OLED panel is preferable.

なお、導電性基板においては、導電性細線とは別に、導電性細線とは構成が異なる導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と電気的に接続して、導通していてもよい。導電部としては、例えば、上述した導電性細線に電圧を印加する機能を有する周辺配線、および、導電性基板と積層する部材の位置を調整するアライメントマーク等が挙げられる。 In addition to the conductive thin wires, the conductive substrate may have a conductive part having a different configuration from the conductive thin wires. This conductive part may be electrically connected to the conductive thin wires and be conductive. Examples of the conductive part include peripheral wiring that has the function of applying a voltage to the conductive thin wires, and alignment marks that adjust the position of the conductive substrate and the members to be laminated.

本発明の導電性基板の上記以外の用途としては、例えば、パーソナルコンピュータおよびワークステーション等の電子機器から発生する電波およびマイクロ波(極超短波)等の電磁波を遮断し、かつ静電気を防止する電磁波シールドが挙げられる。このような電磁波シールドは、パーソナルコンピュータ本体以外に、映像撮影機器および電子医療機器等の電子機器にも使用できる。
本発明の導電性基板は、透明発熱体にも使用できる。
Other uses of the conductive substrate of the present invention include, for example, an electromagnetic wave shield that blocks electromagnetic waves such as radio waves and microwaves (ultra-high frequency waves) generated from electronic devices such as personal computers and workstations, and prevents static electricity. Such an electromagnetic wave shield can be used not only in personal computer bodies, but also in electronic devices such as video recording devices and electronic medical devices.
The conductive substrate of the present invention can also be used for a transparent heating element.

本発明の導電性基板は、取り扱い時および搬送時において、導電性基板と、粘着シートおよび剥離シート等の他の部材とを有する積層体の形態で用いられてもよい。剥離シートは、積層体の搬送時に、導電性基板における傷の発生を防止するための保護シートとして機能する。
また、導電性基板は、例えば、導電性基板、粘着シートおよび保護層をこの順で有する複合体の形態で取り扱われてもよい。
The conductive substrate of the present invention may be used in the form of a laminate having the conductive substrate and other members such as an adhesive sheet and a release sheet during handling and transportation. The release sheet functions as a protective sheet for preventing the conductive substrate from being scratched during transportation of the laminate.
The conductive substrate may also be handled in the form of a composite having, for example, a conductive substrate, an adhesive sheet, and a protective layer in this order.

本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。本発明の導電性基板について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更を行ってもよい。 The present invention is basically configured as described above. The conductive substrate of the present invention has been described in detail, but the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements or modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

以下に本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 The present invention will be explained in more detail below with reference to examples. Note that the materials, amounts used, ratios, processing contents, and processing procedures shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the specific examples shown below.

[実施例1]
〔ハロゲン化銀乳剤の調製〕
38℃、pH4.5に保たれた下記1液に、下記の2液および3液の各々90%に相当する量を、1液を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.16μmの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記4液および5液を8分間にわたって加え、さらに、下記の2液および3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、核粒子を0.21μmまで成長させた。さらに、得られた溶液にヨウ化カリウム0.15gを加え、5分間熟成し、粒子形成を終了した。
[Example 1]
[Preparation of Silver Halide Emulsion]
To the following solution 1, which was kept at 38°C and pH 4.5, 90% of each of the following solutions 2 and 3 were added simultaneously over 20 minutes while stirring the solution 1, forming core particles of 0.16 μm. Next, the following solutions 4 and 5 were added to the resulting solution over 8 minutes, and the remaining 10% of the following solutions 2 and 3 were added over 2 minutes to grow the core particles to 0.21 μm. Furthermore, 0.15 g of potassium iodide was added to the resulting solution, which was aged for 5 minutes to complete the grain formation.

1液:
水 750ml
ゼラチン 8.6g
塩化ナトリウム 3g
1,3-ジメチルイミダゾリジン-2-チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
2液:
水 300ml
硝酸銀 150g
3液:
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム
(0.005%KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
(0.001%NaCl 20%水溶液) 7ml
4液:
水 100ml
硝酸銀 50g
5液:
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
Part 1:
750ml water
Gelatin: 8.6g
Sodium chloride 3g
1,3-Dimethylimidazolidine-2-thione 20mg
Sodium benzenethiosulfonate 10mg
Citric acid 0.7g
Part 2:
300ml water
Silver nitrate 150g
Solution 3:
300ml water
Sodium chloride 38g
Potassium bromide 32g
Potassium hexachloroiridate (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml
Ammonium hexachlororhodate
(0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7ml
Solution 4:
100ml water
Silver nitrate 50g
Solution 5:
100ml water
Sodium chloride 13g
Potassium bromide 11g
Yellow prussia salt 5mg

その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上述の得られた溶液の温度を35℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでpHを下げた(pH3.6±0.2の範囲であった)。次に、得られた溶液から上澄み液を約3リットル除去した(第1水洗)。次に、上澄み液を除去した溶液に、3リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を3リットル除去した(第2水洗)。第2水洗と同じ操作をさらに1回繰り返して(第3水洗)、水洗および脱塩工程を終了した。水洗および脱塩後の乳剤をpH6.4、pAg7.5に調整し、ゼラチン2.5g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム10mg、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム3mg、チオ硫酸ナトリウム15mgおよび塩化金酸10mgを加え、55℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、さらに、得られた乳剤に、安定剤として1,3,3a,7-テトラアザインデン100mg、および、防腐剤としてプロキセル(商品名、ICI Co.,Ltd.製)100mgを加えた。最終的に得られた乳剤は、沃化銀を0.08モル%含み、塩臭化銀の比率を塩化銀70モル%、臭化銀30モル%とする、平均粒子径(球相当径)200nm、変動係数9%の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。 After that, the emulsion was washed by the usual flocculation method. Specifically, the temperature of the above-mentioned obtained solution was lowered to 35°C, and the pH was lowered using sulfuric acid until the silver halide precipitated (pH was in the range of 3.6 ± 0.2). Next, about 3 liters of the supernatant liquid was removed from the obtained solution (first washing). Next, 3 liters of distilled water was added to the solution from which the supernatant liquid had been removed, and then sulfuric acid was added until the silver halide precipitated. Again, 3 liters of the supernatant liquid was removed from the obtained solution (second washing). The same operation as the second washing was repeated once more (third washing), completing the washing and desalting process. The emulsion after washing and desalting was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and 2.5 g of gelatin, 10 mg of sodium benzenethiosulfonate, 3 mg of sodium benzenethiosulfinate, 15 mg of sodium thiosulfate, and 10 mg of chloroauric acid were added, and chemical sensitization was performed at 55°C to obtain the optimal sensitivity. Then, 100 mg of 1,3,3a,7-tetraazaindene as a stabilizer and 100 mg of Proxel (product name, manufactured by ICI Co., Ltd.) as a preservative were added to the resulting emulsion. The final emulsion was a silver chlorobromide cubic grain emulsion containing 0.08 mol % of silver iodide and a ratio of silver chlorobromide of 70 mol % of silver chloride and 30 mol % of silver bromide, with an average grain size (equivalent sphere diameter) of 200 nm and a coefficient of variation of 9%.

〔感光性層形成用組成物の調製〕
上述の乳剤に1,3,3a,7-テトラアザインデン(1.2×10-4モル/モルAg)、ハイドロキノン(1.2×10-2モル/モルAg)、クエン酸(3.0×10-4モル/モルAg)、2,4-ジクロロ-6-ヒドロキシ-1,3,5-トリアジンナトリウム塩(0.90g/モルAg)、および、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のpHを5.6に調整した。
上述の組成物に、下記(P-1)で表される高分子(以下、「高分子1」ともいう。)とジアルキルフェニルPEO(PEOはポリエチレンオキシドの略号である。)硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス(高分子1の質量に対する分散剤の質量の比(分散剤の質量/高分子1の質量、単位はg/g)が0.02であって、固形分含有量が22質量%である。)を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子1の質量の比(高分子1の質量/ゼラチンの質量、単位g/g)が0.25/1となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比(ゼラチンの質量/ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はg/gである。)は0.11であった。
さらに、架橋剤としてEPOXY RESIN DY 022(商品名:ナガセケムテックス株式会社製)を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が0.09g/m2となるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子1は、特許第3305459号公報および特許第3754745号公報を参照して合成した。
[Preparation of Photosensitive Layer Forming Composition]
To the above emulsion, 1,3,3a,7-tetraazaindene (1.2×10 −4 mol/mol Ag), hydroquinone (1.2×10 −2 mol/mol Ag), citric acid (3.0×10 −4 mol/mol Ag), 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt (0.90 g/mol Ag) and a trace amount of a hardener were added to obtain a composition. The pH of the composition was then adjusted to 5.6 using citric acid.
To the above composition, a polymer latex (ratio of the mass of the dispersant to the mass of polymer 1 (mass of dispersant/mass of polymer 1, unit: g/g) was 0.02, and the solid content was 22% by mass) containing a polymer represented by the following (P-1) (hereinafter also referred to as "polymer 1"), a dispersant consisting of dialkylphenyl PEO (PEO is an abbreviation for polyethylene oxide) sulfate ester, and water was added so that the ratio of the mass of polymer 1 to the total mass of gelatin in the composition (mass of polymer 1/mass of gelatin, unit: g/g) was 0.25/1, thereby obtaining a polymer latex-containing composition. Here, in the polymer latex-containing composition, the ratio of the mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide (mass of gelatin/mass of silver derived from silver halide, unit: g/g) was 0.11.
Furthermore, EPOXY RESIN DY 022 (product name: manufactured by Nagase Chemtex Corporation) was added as a crosslinking agent. The amount of the crosslinking agent added was adjusted so that the amount of the crosslinking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described below was 0.09 g/ m2 .
In this manner, a composition for forming a photosensitive layer was prepared.
Polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3,305,459 and Japanese Patent No. 3,754,745.

厚み40μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(「富士フイルム株式会社製ロール状の長尺フィルム」)からなる基材の表面に上述のポリマーラテックスを塗布して、厚み0.05μmの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理(工程)もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は1m、長さは1000mであった。 The above-mentioned polymer latex was applied to the surface of a substrate made of a 40 μm-thick polyethylene terephthalate film ("a long rolled film manufactured by Fujifilm Corporation") to provide a 0.05 μm-thick undercoat layer. This treatment was carried out by roll-to-roll, and the following treatments (steps) were also carried out by roll-to-roll in the same manner. The roll width at this time was 1 m, and the length was 1000 m.

〔工程H1、工程A1、工程I1〕
次に、下塗り層上に、上述のポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上述の感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは2.0μmであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は2/1であり、高分子1の含有量は1.3g/m2であった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは2.5μmであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.25/1であり、高分子1の含有量は0.19g/m2であった。
また、保護層の厚みは0.15μmであり、保護層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.1/1であり、高分子1の含有量は0.015g/m2であった。
[Step H1, Step A1, Step I1]
Next, on the undercoat layer, a composition for forming a silver halide-free layer, which is a mixture of the above-mentioned polymer latex and gelatin, and a protective layer, which is a mixture of the above-mentioned composition for forming a photosensitive layer, a polymer latex and gelatin, are applied. The layer-forming composition and the layer-forming composition were simultaneously coated in multiple layers to form a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer, and a protective layer on the undercoat layer.
The thickness of the silver halide-free layer was 2.0 μm, and the mixture mass ratio of polymer 1 to gelatin in the silver halide-free layer (polymer 1/gelatin) was 2/1. The content of molecule 1 was 1.3 g/ m2 .
The thickness of the silver halide-containing photosensitive layer was 2.5 μm, and the mixture mass ratio of polymer 1 to gelatin in the silver halide-containing photosensitive layer (polymer 1/gelatin) was 0.25/1. and the content of polymer 1 was 0.19 g/ m2 .
The thickness of the protective layer was 0.15 μm, the mixture mass ratio of polymer 1 to gelatin in the protective layer (polymer 1/gelatin) was 0.1/1, and the content of polymer 1 was The coating density was 0.015 g/ m2 .

〔工程B1〕
作製した上述の感光性層に、図1に示す試験パターンの現像銀像を与えうるフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。マイグレーション試験パターンは、IPC-TM650orSM840に準拠したパターンであって、ライン幅が50μm、スペース幅が50μmで、ライン数は17本/18本である(以下、「くし型パターン電極」ともいう。)。
また、別途作製した上述の感光性層に、格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した(以下、「メッシュパターン電極」ともいう。)。フォトマスクとしてはパターン形成用のマスクを用いており、図2に示すような格子を形成する単位正方格子の線幅は1.2μm、格子(開口部)の一辺の長さLは600μmになるようにした。
[Step B1]
The photosensitive layer thus prepared was exposed to parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source through a photomask capable of providing a developed silver image of the test pattern shown in Figure 1. The migration test pattern was a pattern conforming to IPC-TM650 or SM840, with a line width of 50 μm, a space width of 50 μm, and a line number of 17/18 (hereinafter also referred to as a "comb-shaped pattern electrode").
In addition, the above-mentioned photosensitive layer, which was separately prepared, was exposed to parallel light from a high-pressure mercury lamp as a light source through a lattice-shaped photomask (hereinafter, also referred to as a "mesh pattern electrode"). As the photomask, a mask for pattern formation was used, and the line width of the unit square lattice forming the lattice as shown in Figure 2 was set to 1.2 μm, and the length L of one side of the lattice (opening) was set to 600 μm.

露光後、得られた各サンプルに対して、後述する現像液で現像し、さらに定着液(商品名:CN16X用N3X-R:富士フイルム株式会社製)を用いて現像処理を行った後、25℃の純水でリンスし、その後乾燥して、くし型パターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルAと、メッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルBを得た。サンプルBにおいては、21.0cm×29.7cmの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。 After exposure, each sample was developed with a developer described below, and then developed with a fixing solution (product name: N3X-R for CN16X: manufactured by Fujifilm Corporation), rinsed with pure water at 25°C, and then dried to obtain Sample A having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a comb pattern, and Sample B having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a mesh pattern. In Sample B, a conductive mesh pattern area measuring 21.0 cm x 29.7 cm was formed.

(現像液の組成)
現像液1リットル(L)中に、以下の化合物が含まれる。
ハイドロキノン 0.037mol/L
N-メチルアミノフェノール 0.016mol/L
メタホウ酸ナトリウム 0.140mol/L
水酸化ナトリウム 0.360mol/L
臭化ナトリウム 0.031mol/L
メタ重亜硫酸カリウム 0.187mol/L
(Composition of Developer)
The following compounds are contained in 1 liter (L) of the developer.
Hydroquinone 0.037 mol/L
N-methylaminophenol 0.016 mol/L
Sodium metaborate 0.140 mol/L
Sodium hydroxide 0.360 mol/L
Sodium bromide 0.031 mol/L
Potassium metabisulfite 0.187 mol/L

得られた上述の各サンプルを、50℃の温水中に180秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。 Each of the above samples was immersed in warm water at 50°C for 180 seconds. After this, the water was removed with an air shower and the samples were allowed to dry naturally.

〔工程C1〕
工程B1で得られた各サンプルを、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
[Step C1]
Each sample obtained in step B1 was transferred to a superheated steam treatment tank at 110° C. and left to stand for 30 seconds to perform a superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg/h.

〔工程D1〕
工程C1で得られた各サンプルを、タンパク質分解酵素水溶液(40℃)に30秒間浸漬した。各サンプルをタンパク質分解酵素水溶液から取り出し、各サンプルを温水(液温:50℃)に120秒間浸漬して、洗浄した。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。
なお、使用したタンパク質分解酵素水溶液は、以下の手順に従って調製した。
タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス社製ビオプラーゼ30L)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%)に、トリエタノールアミンおよび硫酸を加えてpHを8.5に調整した。
[Step D1]
Each sample obtained in step C1 was immersed in an aqueous protease solution (40° C.) for 30 seconds. Each sample was removed from the aqueous protease solution and washed by immersing in warm water (liquid temperature: 50° C.) for 120 seconds. Thereafter, the water was removed with an air shower and the sample was naturally dried.
The aqueous protease solution used was prepared according to the following procedure.
Triethanolamine and sulfuric acid were added to an aqueous solution of a protease (Biophrase 30L, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) (protease concentration: 0.5% by mass) to adjust the pH to 8.5.

〔工程E1〕
工程D1で得られた各サンプルを、以下組成のめっき液(30℃)に5分間浸漬した。各サンプルをめっき液から取り出し、各サンプルを温水(50℃)に120秒間浸漬して、洗浄した。
めっき液(全量1200ml)の組成は、以下の通りであった。なお、めっき液のpHは9.9であり、炭酸カリウム(富士フイルム和光純薬株式会社製)を所定量加えることにより調整した。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
[Step E1]
Each sample obtained in step D1 was immersed for 5 minutes in a plating solution (30° C.) having the following composition. Each sample was removed from the plating solution and immersed in warm water (50° C.) for 120 seconds to be washed.
The plating solution (total volume 1200 ml) had the following composition: The pH of the plating solution was 9.9, which was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) The following components used were all manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

(めっき液の組成)
・AgNO 2.1g
・亜硫酸ナトリウム 86g
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 60g
・アロンT-50(東亞合成(株)製、固形分濃度40%) 36g
・メチルヒドロキノン 13g
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
(Composition of plating solution)
AgNO3 2.1g
・86g sodium sulfite
・Sodium thiosulfate pentahydrate 60g
・Aron T-50 (manufactured by Toagosei Co., Ltd., solid content concentration 40%) 36g
・Methylhydroquinone 13g
Potassium carbonate (prescribed amount) Water (remainder)

〔工程P1〕
工程E1で得られた各サンプルを、処理液A(30℃)に1分間浸漬した。各サンプルを処理液Aから取り出し、各サンプルを30℃の水に30秒間浸漬して、洗浄した。処理液A(全量1200mL)の組成は、以下の通りであった。また、使用した以下の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
(処理液Aの組成)
・ジエチルジチオカルバミン酸ジエチルアンモニウム 2.4g
・プロピレングリコール 360g
・水 残部
[Step P1]
Each sample obtained in step E1 was immersed in treatment liquid A (30° C.) for 1 minute. Each sample was removed from treatment liquid A and immersed in water at 30° C. for 30 seconds to be washed. Treatment liquid A (total volume 1200 mL) had the following composition. The following components used were all manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
(Composition of Treatment Solution A)
・Diethylammonium diethyldithiocarbamate 2.4g
・Propylene glycol 360g
Water Remainder

〔工程G1〕
工程P1で得られた各サンプルに対して、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
[Step G1]
Each sample obtained in step P1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110° C. and left to stand for 30 seconds to undergo superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg/h.

[実施例2~14、比較例2、比較例3]
実施例2~14、並びに、比較例2および3として、上記工程P1において、処理液Aに代えて後述する表1に示す組成を有する処理液B~Sをそれぞれ使用したこと以外は、実施例1に記載の手順に従って、くし型パターン電極を有するサンプルA、および、メッシュパターン電極を有するサンプルBをそれぞれ作製した。使用した浸漬液の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
処理液Nについては、特定化合物を溶解後、水酸化ナトリウムを添加してpHが12となるように調整した。
[Examples 2 to 14, Comparative Example 2, Comparative Example 3]
In Examples 2 to 14 and Comparative Examples 2 and 3, Sample A having an interdigital pattern electrode and Sample B having a mesh pattern electrode were prepared according to the procedure described in Example 1, except that in step P1, Treatment Solutions B to S having the compositions shown in Table 1 below were used instead of Treatment Solution A. All of the components of the immersion solutions used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
For treatment solution N, the specific compound was dissolved, and then sodium hydroxide was added to adjust the pH to 12.

[比較例1]
工程E1で得られた各サンプルに対して、工程P1を実施せずに、工程G1を実施したこと以外は、実施例1に記載の手順に従って、サンプルAおよびBをそれぞれ作製した。
[Comparative Example 1]
Samples A and B were produced according to the procedure described in Example 1, except that step G1 was carried out without carrying out step P1 for each sample obtained in step E1.

[比較例4]
<粘着シートの製造>
ポリイソプレン重合物の無水マレイン酸付加物と2-ヒドロキシエチルメタクリレートとのエステル化物(商品名UC203、(株)クラレ製、分子量36000)21.8質量部、ポリブタジエン(商品名Polyvest110、エボニックデグサ社製)11.4質量部、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレート(商品名 FA512M、日立化成工業(株)製)5質量部、2-エチルヘキシメタクリレート(和光純薬社製)20質量部、テルペン系水素添加樹脂(商品名クリアロンP-135、ヤスハラケミカル(株)製)38.8質量部、および、ジエチルジチオカルバミン酸0.05質量部を130℃の恒温槽中で混練機にて混練した。続いて、恒温槽の温度を80℃に調整し、光重合開始剤(商品名Lucirin TPO、BASF社製)0.6質量部、および、光重合開始剤(商品名IRGACURE184、BASF社製)2.4質量部を恒温槽に投入し、混練機にて混練し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着剤組成物を、厚さ75μmの剥離フィルム(重剥離フィルム)の表面処理面上に、形成される粘着層の厚みが50μmとなるように塗布した。得られた塗膜上に、厚さ50μmの剥離フィルム(軽剥離フィルム)の表面処理面を貼り合わせた。平行露光機(オーク製作所社製、型番:EXM-1172B-00)を用いて、剥離フィルムで挟まれた塗膜に対して、照射エネルギーが3J/cmになるようにUV光を照射し、両面粘着シートを得た。
[Comparative Example 4]
<Production of Pressure-Sensitive Adhesive Sheet>
21.8 parts by mass of an ester of a maleic anhydride adduct of a polyisoprene polymer and 2-hydroxyethyl methacrylate (product name UC203, manufactured by Kuraray Co., Ltd., molecular weight 36,000), 11.4 parts by mass of polybutadiene (product name Polyvest 110, manufactured by Evonik Degussa Co., Ltd.), 5 parts by mass of dicyclopentenyloxyethyl methacrylate (product name FA512M, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), 20 parts by mass of 2-ethylhexymethacrylate (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 38.8 parts by mass of a terpene-based hydrogenated resin (product name Clearon P-135, manufactured by Yasuhara Chemical Co., Ltd.), and 0.05 parts by mass of diethyldithiocarbamic acid were kneaded in a constant temperature bath at 130° C. using a kneader. Next, the temperature of the thermostatic chamber was adjusted to 80° C., and 0.6 parts by mass of a photopolymerization initiator (trade name Lucirin TPO, manufactured by BASF Corporation) and 2.4 parts by mass of a photopolymerization initiator (trade name IRGACURE184, manufactured by BASF Corporation) were added to the thermostatic chamber and kneaded with a kneader to obtain a pressure-sensitive adhesive composition.
The obtained adhesive composition was applied onto the surface-treated surface of a 75 μm-thick release film (heavy release film) so that the thickness of the adhesive layer formed was 50 μm. The surface-treated surface of a 50 μm-thick release film (light release film) was attached onto the obtained coating film. Using a parallel exposure machine (manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., model number: EXM-1172B-00), UV light was irradiated to the coating film sandwiched between the release films so that the irradiation energy was 3 J/ cm2 , and a double-sided adhesive sheet was obtained.

上記両面粘着シートの一方の剥離フィルムを剥離することで他方の剥離フィルム(重剥離フィルム)(厚み:75μm)および粘着層(50μm)からなるフィルムBを得た。得られたフィルムBの粘着層の面を、比較例1と同様の手法で作製した導電性基板(サンプルAおよびB)の導電性細線側に貼り合わせ、比較例4のサンプルAおよびサンプルBをそれぞれ作製した。 One of the release films of the double-sided adhesive sheet was peeled off to obtain film B consisting of the other release film (heavy release film) (thickness: 75 μm) and adhesive layer (50 μm). The adhesive layer surface of the obtained film B was attached to the conductive thin wire side of conductive substrates (samples A and B) prepared in the same manner as in Comparative Example 1, to produce samples A and B of Comparative Example 4.

[評価]
〔マイグレーション試験(1)〕
作製した上述のくし型パターン電極を有するサンプルAを、60℃90%RHの湿熱雰囲気下に静置し、サンプルAの両端に配線を接続し、片側から直流5Vの電流を連続的に印加した。一定時間が経過するごとに、60℃90%RHの雰囲気下からサンプルAを取り出し、アドバンテスト社製のR8340Aを用いてサンプルAの絶縁性抵抗を測定した。
試験開始からの経過時間とサンプルAの絶縁性抵抗の測定値から、以下の基準に従って、サンプルAのマイグレーション抑制性能を評価した。
[evaluation]
[Migration test (1)]
The prepared sample A having the comb-shaped pattern electrode described above was placed in a humid and hot atmosphere at 60° C. and 90% RH, wiring was connected to both ends of sample A, and a direct current of 5 V was continuously applied from one side. After each fixed time, sample A was taken out from the atmosphere at 60° C. and 90% RH, and the insulation resistance of sample A was measured using an R8340A manufactured by Advantest Corporation.
Based on the elapsed time from the start of the test and the measured value of the insulation resistance of Sample A, the migration suppression performance of Sample A was evaluated according to the following criteria.

(マイグレーション試験(1)評価基準)
「A」:試験開始から500時間以上経過しても絶縁抵抗値が1010Ω以上であった。
「B」:試験開始から240時間以上経過しても絶縁抵抗値が1010Ω以上であったが、500時間が経過するまでに絶縁抵抗値が1010Ω未満に低下した。
「C」:試験開始から240時間経過するまでに絶縁抵抗値が1010Ω未満に低下した。
(Migration Test (1) Evaluation Criteria)
"A": The insulation resistance value was 10 10 Ω or more even after 500 hours or more had passed since the start of the test.
"B": The insulation resistance value was 10 10 Ω or more even after 240 hours or more had passed since the start of the test, but the insulation resistance value decreased to less than 10 10 Ω within 500 hours.
"C": The insulation resistance value decreased to less than 10 10 Ω within 240 hours after the start of the test.

〔耐光性試験〕
作製した上述のメッシュパターン電極を有するサンプルBを用いて、評価面を上にして、上から順番に、「ガラス/OCA/サンプルB/OCA/偏光板1/OCA/偏光板2(偏光板1に対して互いの偏光軸が直交するように配置した)/黒PET」の順番で貼り合わせて、積層体を得た。
OCA:3M株式会社製、光学粘着剤8146-2
黒PET:(パナック株式会社製、工業用黒PET(GPH100E82A04)
[Light resistance test]
Using the sample B having the above-mentioned mesh pattern electrode prepared, the evaluation surface was placed facing up and laminated in the following order from top to bottom: glass/OCA/sample B/OCA/polarizing plate 1/OCA/polarizing plate 2 (arranged so that their polarization axes were perpendicular to polarizing plate 1)/black PET, to obtain a laminate.
OCA: Optical adhesive 8146-2 manufactured by 3M Corporation
Black PET: (Panac Corporation, industrial black PET (GPH100E82A04)

得られた積層体について、評価面の半分の領域に上からアルミホイルを被せて遮光した。積層体に対して、スガ試験機株式会社製X75Lを用いて、キセノンランプ(インナーフィルタ:石英、アウターフィルタ:#275)を、340nmの照度が70W/m、ブラックパネル温度30℃、湿度50%RHの条件で80時間照射した。照射は積層体のガラス面側(評価面側)から行った。
照射から80時間後、アルミホイルを取り外して、アルミホイルで遮光されていた遮光部と、遮光されずにキセノンランプで照射されていた露光部のそれぞれについて、Gray値を測定した。
Half of the evaluation surface of the obtained laminate was covered with aluminum foil to block light. The laminate was irradiated with a xenon lamp (inner filter: quartz, outer filter: #275) using X75L manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. for 80 hours under the conditions of 340 nm illuminance of 70 W/ m2 , black panel temperature of 30°C, and humidity of 50% RH. Irradiation was performed from the glass surface side (evaluation surface side) of the laminate.
After 80 hours from the irradiation, the aluminum foil was removed, and the gray value was measured for both the light-shielded area that had been shielded by the aluminum foil and the exposed area that had not been shielded from the light and was irradiated with the xenon lamp.

Gray値は以下の方法で測定した。LEDライトを照度850で積層体のガラス面に対して入射角度8°で照射し、ガラス面の法線方向から検出器を用いて積層体を観測した。得られた画像をImageJにて白黒256階調化してGray値を取得した。256階調の値は毎回標準校正板で補正した値であった。
このようにして測定された遮光部のGray値および露光部のGray値から両者の差分であるΔGray値を算出し、下記の基準に従って、サンプルBの耐光性を評価した。
(ΔGray値)=(遮光部のGray値)-(露光部のGray値)
The gray value was measured by the following method. An LED light was irradiated to the glass surface of the laminate at an incidence angle of 8° with an illuminance of 850, and the laminate was observed using a detector from the normal direction of the glass surface. The obtained image was converted to 256 grayscales in black and white using ImageJ to obtain the gray value. The value of the 256 grayscales was corrected using a standard calibration plate each time.
From the thus measured Gray value of the light-shielded portion and the Gray value of the exposed portion, a ΔGray value which is the difference between the two values was calculated, and the light resistance of sample B was evaluated according to the following criteria.
(ΔGray value)=(Gray value of light-shielded portion)−(Gray value of exposed portion)

(耐光性評価基準)
「A」:ΔGray値が10未満。
「B」:ΔGray値が10以上20未満。
「C」:ΔGray値が20以上。
(Lightfastness Evaluation Criteria)
"A": ΔGray value is less than 10.
"B": ΔGray value is 10 or more and less than 20.
"C": ΔGray value is 20 or more.

なお、ΔGray値が10未満である場合(評価A)、色調の違いを目視では確認できず、ΔGray値が10以上20未満である場合(評価B)、高輝度のLEDを照射することにより色調の違いを目視で確認でき、ΔGray値が20以上である場合(評価C)、蛍光灯下でも色調の違いを目視で確認できた。 When the ΔGray value was less than 10 (evaluation A), the difference in color tone could not be visually confirmed; when the ΔGray value was 10 or more and less than 20 (evaluation B), the difference in color tone could be visually confirmed by irradiating it with a high-brightness LED; and when the ΔGray value was 20 or more (evaluation C), the difference in color tone could be visually confirmed even under fluorescent lighting.

表1に、工程P1で使用した処理液の組成、並びに、マイグレーション試験(1)および耐光性試験の評価結果を示す。なお、処理液Hに含まれる2-メルカプトベンゾイミダゾールは、1H-ベンゾイミダゾール-2(3H)-チオンのプロトン互変異性体であり、処理液Sに含まれる2-メルカプト-5-ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウムは、2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-1H-ベンゾイミダゾール-5-スルホン酸ナトリウムのプロトン互変異性体である。
表中、「特定化合物(参照用化合物)」欄は、各処理液に添加した特定化合物または特定化合物以外の参照用化合物の種類を示す。
表中、「濃度(質量%)」欄は、各処理液の総量に対する特定化合物または参照用化合物の含有量(単位:質量%)を示す。
表中、「溶媒(質量比)」欄は、各処理液に含まれる溶媒の種類を示し、2種以上の溶媒を使用した場合は、各溶媒の含有量の比率(質量比)を示す。なお、「PG」はプロピレングリコールを表し、「DGMEE」はジエチレングリコールモノエチルエーテルを表す。
The compositions of the treatment solutions used in step P1, as well as the evaluation results of the migration test (1) and the light resistance test, are shown in Table 1. Note that 2-mercaptobenzimidazole contained in treatment solution H is a proton tautomer of 1H-benzimidazole-2(3H)-thione, and 2-mercapto-5-benzimidazolesodium sulfonate contained in treatment solution S is a proton tautomer of 2,3-dihydro-2-thioxo-1H-benzimidazole-5-sodium sulfonate.
In the table, the column "Specific compound (reference compound)" indicates the type of specific compound or reference compound other than the specific compound added to each processing solution.
In the table, the column "Concentration (mass %)" indicates the content (unit: mass %) of a specific compound or a reference compound relative to the total amount of each treatment liquid.
In the table, the "Solvent (mass ratio)" column indicates the type of solvent contained in each treatment liquid, and when two or more solvents are used, the content ratio (mass ratio) of each solvent is indicated. Note that "PG" stands for propylene glycol, and "DGMEE" stands for diethylene glycol monoethyl ether.

実施例1~13で得られたサンプルAおよびサンプルBに対して、Biイオン銃(Bi ++)を備える飛行時間型2次イオン質量分析装置(TOF-SIMS:Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry、ION-TOF社製)を用いて測定した結果、特定化合物が導電性細線に存在することが確認された。 Samples A and B obtained in Examples 1 to 13 were measured using a time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS, manufactured by ION-TOF) equipped with a Bi ion gun (Bi 3 ++ ), and it was confirmed that a specific compound was present in the conductive thin wire.

[実施例21~30、比較例5]
実施例21~30および比較例5として、上記工程P1において、後述する表2に示す組成を有する処理液をそれぞれ使用したこと以外は、実施例1に記載の手順に従って、くし型パターン電極を有するサンプルAを作製した。使用した浸漬液の成分は、すべて富士フイルム和光純薬株式会社製を用いた。
処理液NおよびP~Rについては、特定化合物を溶解後、水酸化ナトリウムを添加してpHが12となるように調整した。
[Examples 21 to 30, Comparative Example 5]
As Examples 21 to 30 and Comparative Example 5, Sample A having an interdigital pattern electrode was produced according to the procedure described in Example 1, except that in the above step P1, a treatment solution having a composition shown in Table 2 below was used. All of the components of the immersion solutions used were manufactured by FUJIFILM Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
For the treatment solutions N and P to R, after the specific compound was dissolved, sodium hydroxide was added to adjust the pH to 12.

〔特定化合物の含有量の測定〕
以下の方法で、サンプルAが有する導電性細線に含まれる特定化合物(比較例5ではベンゾトリアゾール。以下同じ)の含有量を測定した。
得られたサンプルAの導電性細線(幅50μm)を基材ごと切り出し、導電性基板の試験片を得た。得られた試験片をエタノールに浸漬し、暗所で10時間以上静置し、特定化合物をエタノール中に抽出した。エタノール溶液から試験片を除去した後、乾燥Nフローで溶媒のエタノールを除去し、特定化合物を回収した。回収した特定化合物に、DMF(0.2mL)、炭酸ナトリウム飽和DMF(0.2mL)およびICH(0.1mL)を加えて混合後、混合物を室温(25℃)で暗所に3時間静置することにより、特定化合物のメチル誘導体化を行った。
後述する特定化合物の定量に使用する標準試料に対しても、同様の手順でメチル誘導体化を行った。ただし、2-メルカプト-5-ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウム、および、ベンゾトリアゾールについては、メチル化処理を行わなかった。
[Measurement of the content of specific compounds]
The content of the specific compound (benzotriazole in Comparative Example 5; the same applies below) contained in the conductive thin wire of Sample A was measured by the following method.
The obtained conductive thin wire (width 50 μm) of sample A was cut out together with the substrate to obtain a test piece of a conductive substrate. The obtained test piece was immersed in ethanol and left to stand in a dark place for 10 hours or more, and the specific compound was extracted into ethanol. After removing the test piece from the ethanol solution, the solvent ethanol was removed with a dry N2 flow to recover the specific compound. After adding DMF (0.2 mL), sodium carbonate-saturated DMF (0.2 mL), and ICH 3 (0.1 mL) to the recovered specific compound and mixing, the mixture was left to stand in a dark place at room temperature (25 ° C) for 3 hours to perform methyl derivatization of the specific compound.
The standard samples used for the quantification of specific compounds described later were also derivatized with methyl in the same manner, except that sodium 2-mercapto-5-benzimidazole sulfonate and benzotriazole were not methylated.

上記で得られた特定化合物のメチル誘導体を含む試料(上記混合物)を、液体クロマトグラフィートリプル四重極質量分析法(LC-MS/MS法)により測定し、絶対検量線法にて特定化合物を定量した。測定には上記メチル誘導体の定量下限が0.04μg/mLより高い感度を有する測定装置を用いた。測定では、分離カラムとしてODS(Octadecyl Silyl)カラムを用いた。また、溶離液として溶離液A:10mM酢酸アンモニウム水溶液、および、溶離液B:10mM酢酸アンモニウムメタノールを用い、溶離液Bの濃度(時間)が、30%(開始時(0分))→100%(8分)→100% (12分)となるようなグラジエントプログラムでカラムを溶出した。試料注入量は2μLとした。イオン源として大気圧化学イオン化法(APCI)を使用した。
標準試料のメチル誘導体をLC-MS/MSにより測定して得られたピーク面積値から検量線を作成した。各実施例および比較例の試料の測定結果と検量線とを比較して、導電性基板の試験片の重量当たりの特定化合物の含有量を算出した。
The sample (above mixture) containing the methyl derivative of the specific compound obtained above was measured by liquid chromatography triple quadrupole mass spectrometry (LC-MS/MS method), and the specific compound was quantified by the absolute calibration curve method. For the measurement, a measuring device having a sensitivity higher than 0.04 μg/mL of the quantification lower limit of the methyl derivative was used. For the measurement, an ODS (Octadecyl Silyl) column was used as a separation column. In addition, eluent A: 10 mM ammonium acetate aqueous solution and eluent B: 10 mM ammonium acetate methanol were used as eluents, and the column was eluted with a gradient program in which the concentration (time) of eluent B was 30% (start time (0 minutes)) → 100% (8 minutes) → 100% (12 minutes). The sample injection amount was 2 μL. Atmospheric pressure chemical ionization (APCI) was used as the ion source.
A calibration curve was created from the peak area values obtained by measuring the methyl derivatives of the standard samples by LC-MS/MS. The measurement results of the samples of each Example and Comparative Example were compared with the calibration curve to calculate the content of the specific compound per weight of the test piece of the conductive substrate.

〔マイグレーション試験(2)〕
作製した上述のくし型電極を有するサンプルAを用いて、評価面を上にして、上から順番に、「ガラス/OCA/サンプルA」の順番で貼り合わせて、積層体を得た。その際、後述する配線を接続できるように、サンプルAのくし型電極の両端以外の場所にOCAを貼り付けた。
OCA:3M株式会社製、光学粘着剤8146-2
作製した積層体を、60℃90%RHの湿熱雰囲気下に静置し、サンプルAの両端に配線を接続し、片側から直流5Vの電流を連続的に印加した。一定時間が経過するごとに、60℃90%RHの雰囲気下からを取り出し、アドバンテスト社製のR8340Aを用いてサンプルAの絶縁性抵抗を測定した。
試験開始からの経過時間とサンプルAの絶縁性抵抗の測定値から、以下の基準に従って、サンプルAのマイグレーション抑制性能を評価した。
[Migration test (2)]
The prepared sample A having the above-mentioned comb-shaped electrodes was laminated in the order of "glass/OCA/sample A" from the top with the evaluation surface facing up to obtain a laminate. At this time, OCA was attached to locations other than both ends of the comb-shaped electrodes of sample A so that wiring described later could be connected.
OCA: Optical adhesive 8146-2 manufactured by 3M Corporation
The prepared laminate was placed in a humid and hot atmosphere at 60° C. and 90% RH, wiring was connected to both ends of Sample A, and a direct current of 5 V was continuously applied from one side. After each set time, Sample A was taken out from the atmosphere at 60° C. and 90% RH, and the insulation resistance of Sample A was measured using an R8340A manufactured by Advantest Corporation.
Based on the elapsed time from the start of the test and the measured value of the insulation resistance of Sample A, the migration suppression performance of Sample A was evaluated according to the following criteria.

(マイグレーション試験(2)評価基準)
「A」:試験開始から300時間以上経過しても絶縁抵抗値が1010Ω以上であった。
「B」:試験開始から200時間以上経過しても絶縁抵抗値が1010Ω以上であったが、300時間が経過するまでに絶縁抵抗値が1010Ω未満に低下した。
「C」:試験開始から200時間経過するまでに絶縁抵抗値が1010Ω未満に低下した。
(Migration Test (2) Evaluation Criteria)
"A": The insulation resistance value was 10 10 Ω or more even after 300 hours or more had elapsed since the start of the test.
"B": The insulation resistance value was 10 10 Ω or more even after 200 hours or more had elapsed since the start of the test, but the insulation resistance value decreased to less than 10 10 Ω within 300 hours.
"C": The insulation resistance value decreased to less than 10 10 Ω within 200 hours after the start of the test.

表2に、工程P1で使用した処理液の組成、特定化合物またはベンゾトリアゾールの吸着量、および、マイグレーション試験(2)の評価結果を示す。
表中、「吸着量(μg/g)」欄は、上記の方法で定量されたサンプルAが有する導電性基板の試験片の重量当たりの特定化合物またはベンゾトリアゾールの含有量を示す。その他の欄の内容は、表1と同様である。
Table 2 shows the composition of the treatment solution used in step P1, the adsorption amount of the specific compound or benzotriazole, and the evaluation results of the migration test (2).
In the table, the column "adsorption amount (μg/g)" indicates the content of the specific compound or benzotriazole per weight of the test piece of the conductive substrate of sample A, which is quantified by the above method. The contents of the other columns are the same as those in Table 1.

表1及び表2に示すように、本発明の導電性基板によれば、所望の効果が得られることが確認された。 As shown in Tables 1 and 2, it was confirmed that the conductive substrate of the present invention can achieve the desired effects.

10 導電性基板
12 基材
12a 表面
14、14B 導電性細線
20 開口部
10 conductive substrate 12 base material 12a surface 14, 14B conductive thin wire 20 opening

Claims (12)

基材と、
前記基材上に配置され、金属を含む導電性細線と、を有する
導電性基板であって、
前記導電性基板に、下記式(1)で表される化合物、下記式(2)で表される化合物、並びに、下記式(3)で表される化合物およびそのプロトン互変異性体からなる群より選択される特定化合物が少なくとも1つ含まれている、導電性基板。
式(1)中、Aは水素原子または有機基を表し、
およびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基を表す。
およびRは、互いに結合して、RおよびRの両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
式(2)中、Xn+はn価の対イオンを表し、
nは1~3の整数を表し、
およびRは、それぞれ独立して、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基を表す。
およびRは、互いに結合して、RおよびRの両者と結合する窒素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
式(3)中、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子または有機基を表す。
およびRは、互いに結合して、前記式(3)において表されている2個の窒素原子および炭素原子とともに、置換基を有してもよい窒素含有ヘテロ環を形成してもよい。
ただし、RおよびRが互いに結合して前記窒素含有ヘテロ環を形成する場合、RおよびRは、それぞれ独立して、水素原子または前記有機基を表す。
A substrate;
A conductive substrate having a conductive thin wire including a metal disposed on the base material,
The conductive substrate contains at least one specific compound selected from the group consisting of a compound represented by the following formula (1), a compound represented by the following formula (2), and a compound represented by the following formula (3) and a proton tautomer thereof.
In formula (1), A represents a hydrogen atom or an organic group.
R 1 and R 2 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent.
R 1 and R 2 may be bonded to each other to form, together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 , a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent.
In formula (2), X n+ represents an n-valent counter ion;
n represents an integer of 1 to 3;
R 1 and R 2 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group which may have a substituent.
R 1 and R 2 may be bonded to each other to form, together with the nitrogen atom bonded to both R 1 and R 2 , a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent.
In formula (3), R 3 to R 6 each independently represent a hydrogen atom or an organic group.
R 4 and R 5 may be bonded to each other to form a nitrogen-containing heterocycle which may have a substituent together with the two nitrogen atoms and carbon atom represented in the formula (3).
However, when R 4 and R 5 are bonded to each other to form the nitrogen-containing heterocycle, R 3 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or the organic group.
前記式(1)および前記式(2)中、前記Rおよび前記Rが、それぞれ独立して、フェニル基およびヒドロキシ基からなる群より選択される置換基を有してもよい炭素数1~5のアルキル基を表し、
前記Rおよび前記Rが互いに結合して形成される前記窒素含有ヘテロ環が、メチル基もしくはエチル基を有してもよい環員数が5~7個の窒素含有非芳香族ヘテロ環である、
請求項1に記載の導電性基板。
In the formula (1) and the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms which may have a substituent selected from the group consisting of a phenyl group and a hydroxy group;
the nitrogen-containing heterocycle formed by bonding R 1 and R 2 to each other is a nitrogen-containing non-aromatic heterocycle having 5 to 7 ring members and which may have a methyl group or an ethyl group;
The conductive substrate according to claim 1 .
前記式(1)中、前記Aで表される有機基が、下記式(4)で表される基である、請求項1または2に記載の導電性基板。
*-A-A (4)
式(4)中、Aは、炭素数1~5の2価の脂肪族炭化水素基、チオカルボニル基、および、チオカルボニルスルフィド基からなる群より選択される2価の連結基を表し、
は、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数1~4のアルキル基を1個または2個有してもよいアミノ基、および、フェニル基からなる群より選択される基を表し、
*は、前記式(1)中の硫黄原子と結合する箇所を表す。
The conductive substrate according to claim 1 or 2, wherein the organic group represented by A in the formula (1) is a group represented by the following formula (4):
*-A 1 -A 2 (4)
In formula (4), A 1 represents a divalent linking group selected from the group consisting of a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms, a thiocarbonyl group, and a thiocarbonyl sulfide group;
A2 represents a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, an amino group which may have one or two alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and a phenyl group;
* indicates the position of bonding to the sulfur atom in formula (1).
前記式(1)中、前記Rおよび前記Rが、それぞれ独立してメチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して前記窒素原子とともに1-ピロリジン環または1-ピペリジン環を形成し、
前記Aが、水素原子、メチル基、エチル基、カルボキシメチル基、ベンジル基、ジメチルチオカルバモイル基、ジメチルチオカルバモイルスルフィド基、ジエチルチオカルバモイル基またはジエチルチオカルバモイルスルフィド基を表す、
請求項1~3のいずれか1項に記載の導電性基板。
In the formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a methyl group or an ethyl group, or are bonded to each other to form a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring together with the nitrogen atom;
A represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a carboxymethyl group, a benzyl group, a dimethylthiocarbamoyl group, a dimethylthiocarbamoyl sulfide group, a diethylthiocarbamoyl group, or a diethylthiocarbamoyl sulfide group;
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 3.
前記式(2)中、前記nが1を表し、前記Xn+が、水素イオン、金属イオン、または、脂肪族炭化水素基を有してもよいアンモニウムイオンを表す、
請求項1~4のいずれか1項に記載の導電性基板。
In the formula (2), n represents 1, and Xn + represents a hydrogen ion, a metal ion, or an ammonium ion which may have an aliphatic hydrocarbon group.
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 4.
前記式(2)中、前記Rおよび前記Rが、それぞれ独立してメチル基もしくはエチル基を表すか、または、互いに結合して前記窒素原子とともに1-ピロリジン環または1-ピペリジン環を形成し、
前記Xn+が、水素イオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、ジメチルアンモニウムイオン、ジエチルアンモニウムイオン、または、ピペリジニウムイオンを表し、前記nが1を表す、
請求項1~5のいずれか1項に記載の導電性基板。
In the formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a methyl group or an ethyl group, or are bonded to each other to form a 1-pyrrolidine ring or a 1-piperidine ring together with the nitrogen atom;
The X n+ represents a hydrogen ion, a sodium ion, an ammonium ion, a dimethylammonium ion, a diethylammonium ion, or a piperidinium ion, and the n represents 1.
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 5.
前記式(3)中、前記R~Rが、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルキルカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、または、シクロヘキシル基を表し、
前記Rおよび前記Rが互いに結合して前記窒素含有ヘテロ環を形成する場合、前記窒素含有ヘテロ環基が、置換基としてメチル基もしくはエチル基を有してもよいイミダゾリン環もしくはイミダゾリジン環、または、置換基としてメチル基、エチル基、メトキシ基もしくはアミノ基を有してもよいベンゾイミダゾリン環であり、かつ、
前記Rおよび前記Rの少なくとも一方が水素原子を表す、
請求項1~6のいずれか1項に記載の導電性基板。
In the formula (3), R 3 to R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkylcarbonyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a cyclohexyl group;
When R 4 and R 5 are bonded to each other to form the nitrogen-containing heterocycle, the nitrogen-containing heterocycle is an imidazoline ring or imidazolidine ring which may have a methyl group or an ethyl group as a substituent, or a benzimidazoline ring which may have a methyl group, an ethyl group, a methoxy group or an amino group as a substituent, and
At least one of R3 and R6 represents a hydrogen atom;
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 6.
前記式(3)中、前記R~Rのうち1~3個が水素原子を表し、前記R~Rの残りが、炭素数1~5のアルキル基、アセチル基、または、フェニル基を表し、RおよびRが互いに結合しない、請求項1~7のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein in the formula (3), 1 to 3 of R 3 to R 6 represent a hydrogen atom, the remainder of R 3 to R 6 represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an acetyl group, or a phenyl group, and R 4 and R 5 are not bonded to each other. 前記特定化合物が、前記導電性細線、および、前記導電性基板の表面において複数の前記導電性細線の間に配置される非導電部の少なくとも一方に含まれている、
請求項1~8のいずれか1項に記載の導電性基板。
the specific compound is contained in at least one of the conductive thin wires and non-conductive portions disposed between the conductive thin wires on the surface of the conductive substrate;
The conductive substrate according to any one of claims 1 to 8.
前記特定化合物が前記導電性細線に含まれている、請求項1~9のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to any one of claims 1 to 9, wherein the specific compound is contained in the conductive thin wire. 前記金属が銀を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to any one of claims 1 to 10, wherein the metal comprises silver. 前記導電性細線によって形成されたメッシュパターンを有する、請求項1~11のいずれか1項に記載の導電性基板。 The conductive substrate according to any one of claims 1 to 11, having a mesh pattern formed by the conductive thin wires.
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