JP2024031961A - 絶縁電線およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着した絶縁電線を提供すること。
【解決手段】導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂層を剥離することにより測定されるピール強度が、０．３０Ｎ／ｍｍ以上である絶縁電線を提供する。
【選択図】 なし

Description

本開示は、絶縁電線およびその製造方法に関する。

特許文献１には、導体上にフッ素樹脂からなる絶縁層を設けた絶縁電線において、前記導体と共に前記絶縁層を誘導加熱処理して前記導体に対する前記絶縁層のピール強度を０．０５Ｎ／ｍｍ以上にしたことを特徴とする絶縁電線が記載されている。

特許文献２には、通電加熱で導体表面の酸化膜を形成させた絶縁電線が記載されている。

特許文献３には、ポリエーテルケトンケトン樹脂を主成分としてポリエーテルケトンケトンを結晶化させない条件において導体を加熱し製造される絶縁電線が記載されている。

特許文献４には、ポリフェニレンサルファイドおよびポリエーテルケトンケトンを主成分とし、通電加熱で最大３６０度導体加熱した絶縁電線が記載されている。

特開２００９－２４５８５７号公報 特開２０１４－１５４５１１号公報 特開２０１５－１３８６２６号公報 特開２０１４－１０３０４５号公報

本開示では、導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着した絶縁電線を提供することを目的とする。

本開示によれば、導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂層を剥離することにより測定されるピール強度が、０．３０Ｎ／ｍｍ以上である絶縁電線が提供される。

本開示によれば、導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着した絶縁電線を提供することができる。

以下、本開示の具体的な実施形態について詳細に説明するが、本開示は、以下の実施形態に限定されるものではない。

本開示の絶縁電線は、導体と、導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えている。

フッ素樹脂は、非粘着性を有していることから、絶縁電線の導体上にフッ素樹脂層を直接設ける場合には、導体とフッ素樹脂層とが十分な強度で密着しない問題がある。したがって、従来の絶縁電線を湾曲させたり、折り曲げたりすると、フッ素樹脂層が導体から浮いてしまったり、フッ素樹脂層にシワが生じたりする問題がある。

本開示の第１の絶縁電線は、導体からフッ素樹脂層を剥離することにより測定されるピール強度が、０．３０Ｎ／ｍｍ以上である。したがって、本開示の第１の絶縁電線は、導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着しており、湾曲または折り曲げによりフッ素樹脂層が導体から浮きにくく、フッ素樹脂層にシワが生じにくい。

本開示の第１の絶縁電線が有する導体の断面形状は、典型的には、略矩形である。本開示の第１の絶縁電線は平角線であってよい。特に、導体の断面形状が長方形である場合には、絶縁電線をエッジワイズ方向に折り曲げると、曲げ外周部を被覆するフッ素樹脂層は、曲げ内周部を被覆するフッ素樹脂層よりも大きく伸ばされることになり、フッ素樹脂層が導体から剥がれて浮きが生じやすい。また、絶縁電線をエッジワイズ方向に折り曲げると、曲げ内周部を被覆するフッ素樹脂層は、曲げ外周部を被覆するフッ素樹脂層よりも大きく縮むことになり、フッ素樹脂層にシワが生じやすい。本開示の第１の絶縁電線は、導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着していることから、エッジワイズ方向に折り曲げた場合でも、フッ素樹脂層が導体から浮きにくく、フッ素樹脂層にシワが生じにくい。

本開示の第１の絶縁電線が示すピール強度は、好ましくは０．５０Ｎ／ｍｍ以上であり、より好ましくは１．００Ｎ／ｍｍ以上、さらに好ましくは１．７０Ｎ／ｍｍ以上、特に好ましくは３．００Ｎ／ｍｍ以上である。ピール強度の上限は限定されないが、たとえば、１０．００Ｎ／ｍｍであってよい。

ピール強度は、１００ｍｍ／ｍｉｎの速度で、フッ素樹脂層を導体から長軸方向（長手方向）に３０ｍｍの距離を剥離する際に測定される最大の引張応力である。

本開示の第２の絶縁電線は、導体からフッ素樹脂を引き抜くことにより測定される引き抜き強度が、４Ｎ以上である。したがって、本開示の第２の絶縁電線は、導体と、導体を被覆するフッ素樹脂層とが十分な強度で密着しており、湾曲または折り曲げによりフッ素樹脂層が導体から浮きにくく、フッ素樹脂層にシワが生じにくい。

本開示の第２の絶縁電線が有する導体の断面形状は、典型的には、略円形である。本開示の第２の絶縁電線は、丸線であってよい。

本開示の第１の絶縁電線が示す引き抜き強度は、好ましくは５Ｎ以上であり、より好ましくは６Ｎ以上であり、さらに好ましくは１２Ｎ以上であり、尚さらに好ましくは２０Ｎ以上である。引き抜き強度の上限は限定されないが、たとえば、５０Ｎであってよい。

引き抜き強度は、５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で、フッ素樹脂層を導体から長軸方向（長手方向）に３０ｍｍの距離を引き抜く際に測定される最大の引張応力である。

なお、断面形状が略矩形の絶縁電線には、通常、導体上にピール強度が測定できる程度の幅を有する平面が存在する。一方、断面形状が略円形の絶縁電線には、通常、導体上にピール強度が測定できる程度の幅を有する平面が存在しておらず、この点で、断面形状が略矩形の絶縁電線と断面形状が略円形の絶縁電線とは相違している。

次に、導体および被覆層の構成について、より詳細に説明する。本開示において、第１の絶縁電線および第２の絶縁電線を、単に「絶縁電線」ということがある。

（導体）
導体は、単線、集合線、撚線などであってよいが、単線であることが好ましい。導体の断面の形状は、略矩形および略円形のいずれであってもよい。

導体としては、導電材料から構成されるものであれば特に限定されないが、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、銀、ニッケルなどの材料により構成することができ、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金により構成されたものが好ましい。また、銀めっき、ニッケルめっきなどのめっきを施した導体を用いることもできる。銅としては、無酸素銅、低酸素銅、銅合金などを用いることができる。

導体の断面が略矩形である場合、すなわち、導体が平角導体である場合、導体の断面の幅は１～７５ｍｍであってよく、導体の断面の厚さは０．１～３０ｍｍであってよい。導体の外周径は、６．５ｍｍ以上であってよく、２００ｍｍ以下であってよい。また、幅の厚さに対する比は、１超３０以下であってよい。

導体の断面が略円形である場合、すなわち、導体が丸導体である場合、導体の直径は、好ましくは０．１～１０ｍｍであり、より好ましくは０．３～３ｍｍである。

導体の面粗さＳｚは、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、好ましくは０．２～１２μｍであり、より好ましくは１μｍ以上であり、さらに好ましくは５μｍ以上であり、より好ましくは１０μｍ以下である。

導体の面粗さは、エッチング処理、ブラスト処理、レーザー処理などの表面処理方法により、導体を表面処理することにより調整することができる。また、表面処理により、導体の表面に凹凸を設けてもよい。凸部から凸部の凹凸間距離は小さいほど好ましく、たとえば、５μｍ以下である。また、凹凸の大きさは、たとえば、未加工面に対する凸部を切断した時の１つあたりの凹部面積が１μｍ^２以下である。凹凸形状は、クレーター型の単一な凹凸形状でもよく、アリの巣状に枝分かれしているものでもよい。

（フッ素樹脂層）
フッ素樹脂層は、溶融加工性のフッ素樹脂を含有する。本開示において、溶融加工性とは、押出機および射出成形機などの従来の加工機器を用いて、ポリマーを溶融して加工することが可能であることを意味する。従って、溶融加工性のフッ素樹脂は、後述する測定方法により測定されるメルトフローレートが０．０１～５００ｇ／１０分であることが通常である。

フッ素樹脂のメルトフローレートは、好ましくは１０～１００ｇ／１０分である。メルトフローレートの上限は、より好ましくは８０ｇ／１０分以下であり、さらに好ましくは７０ｇ／１０分以下である。メルトフローレートが１００ｇ／１０分以下である場合、当該樹脂を被覆した電線を曲げ加工した際のクラックを抑制できる点で好ましい。メルトフローレートの下限は、好ましくは２０ｇ／１０分以上であり、より好ましくは５０ｇ／１０分以上である。メルトフローレートが１０ｇ／１０分以上である場合、当該樹脂を被覆成形する際のメルトフラクチャーの発生を抑制できる点で好ましい。フッ素樹脂のメルトフローレートが上記範囲内にあることにより、フッ素樹脂層を容易に形成できるとともに、得られるフッ素樹脂層の機械的強度および外観が優れたものとなる。

本開示において、フッ素樹脂のメルトフローレートは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に従って、メルトインデクサー（安田精機製作所社製）を用いて、３７２℃、５ｋｇ荷重下で内径２．１ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間あたりに流出するポリマーの質量（ｇ／１０分）として得られる値である。

フッ素樹脂の融点は、好ましくは２００～３２２℃であり、より好ましくは２１０℃以上であり、さらに好ましくは２２０℃以上であり、特に好ましくは２４０℃以上であり、より好ましくは３２０℃以下である。

融点は、示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて測定できる。

溶融加工性のフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／フルオロアルキルビニルエーテル（ＦＡＶＥ）共重合体、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）共重合体、ＴＦＥ／エチレン共重合体〔ＥＴＦＥ〕、ＴＦＥ／エチレン／ＨＦＰ共重合体、エチレン／クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）共重合体〔ＥＣＴＦＥ〕、ポリクロロトリフルオロエチレン〔ＰＣＴＦＥ〕、ＣＴＦＥ／ＴＦＥ共重合体、ポリビニリデンフルオライド〔ＰＶｄＦ〕、ＴＦＥ／ビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）共重合体〔ＶＴ〕、ポリビニルフルオライド〔ＰＶＦ〕、ＴＦＥ／ＶｄＦ／ＣＴＦＥ共重合体〔ＶＴＣ〕、ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦ共重合体などが挙げられる。

フッ素樹脂としては、耐熱性、成形性、電気特性に優れており、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体、および、ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体は、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）単位およびフルオロアルキルビニルエーテル（ＦＡＶＥ）単位を含有する共重合体である。

ＦＡＶＥ単位を構成するＦＡＶＥとしては、一般式（１）：
ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２ＣＦＹ^１Ｏ）_ｐ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑ－Ｒｆ （１）
（式中、Ｙ^１はＦまたはＣＦ_３を表し、Ｒｆは炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。ｐは０～５の整数を表し、ｑは０～５の整数を表す。）で表される単量体、および、一般式（２）：
ＣＦＸ＝ＣＸＯＣＦ_２ＯＲ^１ （２）
（式中、Ｘは、同一または異なり、Ｈ、ＦまたはＣＦ_３を表し、Ｒ^１は、直鎖または分岐した、Ｈ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも１種の原子を１～２個含んでいてもよい炭素数が１～６のフルオロアルキル基、若しくは、Ｈ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも１種の原子を１～２個含んでいてもよい炭素数が５または６の環状フルオロアルキル基を表す。）で表される単量体からなる群より選択される少なくとも１種を挙げることができる。

ＦＡＶＥとしては、なかでも、一般式（１）で表される単量体が好ましく、パーフルオロ（メチルビニルエーテル）、パーフルオロ（エチルビニルエーテル）（ＰＥＶＥ）およびパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましく、ＰＥＶＥおよびＰＰＶＥからなる群より選択される少なくとも１種がさらに好ましく、ＰＰＶＥが特に好ましい。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体のＦＡＶＥ単位の含有量は、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、全モノマー単位に対して、好ましくは１．０～３０．０モル％であり、より好ましくは１．２モル％以上であり、さらに好ましくは１．４モル％以上であり、尚さらに好ましくは１．６モル％以上であり、特に好ましくは１．８モル％以上であり、より好ましくは３．５モル％以下であり、さらに好ましくは３．２モル％以下であり、尚さらに好ましくは２．９モル％以下であり、特に好ましくは２．６モル％以下である。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体のＴＦＥ単位の含有量は、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、全モノマー単位に対して、好ましくは９９．０～７０．０モル％であり、より好ましくは９６．５モル％以上であり、さらに好ましくは９６．８モル％以上であり、尚さらに好ましくは９７．１モル％以上であり、特に好ましくは９７．４モル％以上であり、より好ましくは９８．８モル％以下であり、さらに好ましくは９８．６モル％以下であり、尚さらに好ましくは９８．４モル％以下であり、特に好ましくは９８．２モル％以下である。

本開示において、共重合体中の各モノマー単位の含有量は、^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定する。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体は、ＴＦＥおよびＦＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位を含有することもできる。この場合、ＴＦＥおよびＦＡＶＥと共重合可能な単量体の含有量は、ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体の全モノマー単位に対して、好ましくは０～２９．０モル％であり、より好ましくは０．１～５．０モル％であり、さらに好ましくは０．１～１．０モル％である。

ＴＦＥおよびＦＡＶＥと共重合可能な単量体としては、ＨＦＰ、ＣＺ^１Ｚ^２＝ＣＺ^３（ＣＦ_２）_ｎＺ^４（式中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、同一または異なって、ＨまたはＦを表し、Ｚ^４は、Ｈ、ＦまたはＣｌを表し、ｎは２～１０の整数を表す。）で表されるビニル単量体、および、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＣＨ_２－Ｒｆ^１（式中、Ｒｆ^１は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体、官能基を有する単量体等が挙げられる。なかでも、ＨＦＰが好ましい。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体としては、ＴＦＥ単位およびＦＡＶＥ単位のみからなる共重合体、および、上記ＴＦＥ／ＨＦＰ／ＦＡＶＥ共重合体からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＴＦＥ単位およびＦＡＶＥ単位のみからなる共重合体がより好ましい。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体の融点は、耐熱性および耐ストレスクラック性の観点から、好ましくは２４０～３２２℃であり、より好ましくは２８５℃以上であり、より好ましくは３２０℃以下であり、さらに好ましくは３１５℃以下であり、特に好ましくは３１０℃以下である。融点は、示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて測定できる。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは７０～１１０℃であり、より好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは１００℃以下である。ガラス転移温度は、動的粘弾性測定により測定できる。

ＴＦＥ／ＦＡＶＥ共重合体の比誘電率は、電気特性の観点から、好ましくは２．４以下であり、より好ましくは２．１以下であり、下限は特に限定されないが、好ましくは１．８以上である。比誘電率は、ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃ（ヒューレットパッカード社製）および空洞共振器を用いて、共振周波数および電界強度の変化を２０～２５℃の温度下で測定して得られる値である。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体は、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）単位およびヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）単位を含有する共重合体である。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体のＨＦＰ単位の含有量は、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、全モノマー単位に対して、好ましくは０．１～３０．０モル％であり、より好ましくは０．７モル％以上であり、さらに好ましくは１．４モル％以上であり、より好ましくは１０．０モル％以下である。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体のＴＦＥ単位の含有量は、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、全モノマー単位に対して、好ましくは７０．０～９９．９モル％であり、より好ましくは９０．０モル％以上であり、より好ましくは９９．３モル％以下であり、さらに好ましくは９８．６モル％である。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体は、ＴＦＥおよびＨＦＰと共重合可能な単量体に由来する単量体単位を含有することもできる。この場合、ＴＦＥおよびＨＦＰと共重合可能な単量体の含有量は、ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体の全モノマー単位に対して、好ましくは０～２９．９モル％であり、より好ましくは０．１～５．０モル％であり、さらに好ましくは０．１～１．０モル％である。

ＴＦＥおよびＨＦＰと共重合可能な単量体としては、ＦＡＶＥ、ＣＺ^１Ｚ^２＝ＣＺ^３（ＣＦ_２）_ｎＺ^４（式中、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、同一または異なって、ＨまたはＦを表し、Ｚ^４は、Ｈ、ＦまたはＣｌを表し、ｎは２～１０の整数を表す。）で表されるビニル単量体、および、ＣＦ_２＝ＣＦ－ＯＣＨ_２－Ｒｆ^１（式中、Ｒｆ^１は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体、官能基を有する単量体等が挙げられる。なかでも、ＦＡＶＥが好ましい。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体の融点は、好ましくは２００～３２２℃であり、より好ましくは２１０℃以上であり、さらに好ましくは２２０℃以上であり、特に好ましくは２４０℃以上であり、より好ましくは３２０℃以下であり、さらに好ましくは３００℃未満であり、特に好ましくは２８０℃以下である。

ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは６０～１１０℃であり、より好ましくは６５℃以上であり、より好ましくは１００℃以下である。

フッ素樹脂は、官能基を有することが好ましい。フッ素樹脂が官能基を有することにより、導体とフッ素樹脂層とをより一層強固に密着させることができる。

官能基としては、カルボニル基含有基、アミノ基、ヒドロキシ基、－ＣＦ_２Ｈ基、オレフィン基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

カルボニル基含有基は、構造中にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を含有する基である。カルボニル基含有基としては、たとえば、
カーボネート基［－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＯＲ^３（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～２０のアルキル基またはエーテル結合性酸素原子を含む炭素原子数２～２０のアルキル基である）］、
アシル基［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^３（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～２０のアルキル基またはエーテル結合性酸素原子を含む炭素原子数２～２０のアルキル基である）］
ハロホルミル基［－Ｃ（＝Ｏ）Ｘ^５、Ｘ^５はハロゲン原子］、
ホルミル基［－Ｃ（＝Ｏ）Ｈ］、
式：－Ｒ^４－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^５（式中、Ｒ^４は、炭素原子数１～２０の２価の有機基であり、Ｒ^５は、炭素原子数１～２０の１価の有機基である）で示される基、
式：－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^６（式中、Ｒ^６は、炭素原子数１～２０のアルキル基またはエーテル結合性酸素原子を含む炭素原子数２～２０のアルキル基である）で示される基、
カルボキシル基［－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ］、
アルコキシカルボニル基［－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^７（式中、Ｒ^７は、炭素原子数１～２０の１価の有機基である）］、
カルバモイル基［－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^８Ｒ^９（式中、Ｒ^８およびＲ^９は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１～２０の１価の有機基である）］、
酸無水物結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］、
などをあげることができる。

Ｒ^３の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などがあげられる。上記Ｒ^４の具体例としては、メチレン基、－ＣＦ_２－基、－Ｃ_６Ｈ_４－基などがあげられ、Ｒ^５の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などがあげられる。Ｒ^７の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基などがあげられる。また、Ｒ^８およびＲ^９の具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、フェニル基などがあげられる。

ヒドロキシ基は、－ＯＨで示される基または－ＯＨで示される基を含む基である。本開示において、カルボキシル基を構成する－ＯＨは、ヒドロキシ基に含まない。ヒドロキシ基としては、－ＯＨ、メチロール基、エチロール基などが挙げられる。

オレフィン基（Ｏｌｅｆｉｎｉｃ ｇｒｏｕｐ）とは、炭素－炭素二重結合を有する基である。オレフィン基としては、下記式：
－ＣＲ^１０＝ＣＲ^１１Ｒ^１２
（式中、Ｒ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子または炭素原子数１～２０の１価の有機基である。）で表される官能基が挙げられ、－ＣＦ＝ＣＦ_２、－ＣＨ＝ＣＦ_２、－ＣＦ＝ＣＨＦ、－ＣＦ＝ＣＨ_２および－ＣＨ＝ＣＨ_２からなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。

イソシアネート基は、－Ｎ＝Ｃ＝Ｏで示される基である。

また、官能基として、－ＣＨ_３基、－ＣＦＨ_２基などの非フッ素化アルキル基または部分フッ素化アルキル基を挙げることもできる。

フッ素樹脂の官能基数は、導体とフッ素樹脂層とが一層強固に密着することから、炭素原子１０^６個あたり、５～２０００個であることが好ましい。官能基の個数は、炭素原子１０^６個あたり、より好ましくは５０個以上であり、さらに好ましくは１００個以上であり、特に好ましくは２００個以上であり、より好ましくは１５００個以下であり、さらに好ましくは１３００個以下であり、特に好ましくは１１００個以下であり、最も好ましくは１０００個以下である。

また、フッ素樹脂の官能基数は、電気特性に優れる被覆層を形成できることから、炭素原子１０^６個あたり５個未満であってよい。

上記官能基は、共重合体（フッ素樹脂）の主鎖末端または側鎖末端に存在する官能基、および、主鎖中または側鎖中に存在する官能基であり、好適には主鎖末端に存在する。上記官能基としては、－ＣＦ＝ＣＦ_２、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２、－ＯＨ、－ＣＨ_２ＯＨなどが挙げられ、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３および－ＣＨ_２ＯＨからなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。－ＣＯＯＨには、２つの－ＣＯＯＨが結合することにより形成されるジカルボン酸無水物基（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）が含まれる。

上記官能基の種類の同定および官能基数の測定には、赤外分光分析法を用いることができる。

官能基数については、具体的には、以下の方法で測定する。まず、共重合体を３３０～３４０℃にて３０分間溶融し、圧縮成形して、厚さ０．２０～０．２５ｍｍのフィルムを作製する。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析により分析して、共重合体の赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化されて官能基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得る。この差スペクトルに現れる特定の官能基の吸収ピークから、下記式（Ａ）に従って、共重合体における炭素原子１×１０^６個あたりの官能基数Ｎを算出する。
Ｎ＝Ｉ×Ｋ／ｔ （Ａ）
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚さ（ｍｍ）

参考までに、本開示における官能基について、吸収周波数、モル吸光係数および補正係数を表１に示す。また、モル吸光係数は低分子モデル化合物のＦＴ－ＩＲ測定データから決定したものである。

なお、－ＣＨ_２ＣＦ_２Ｈ、－ＣＨ_２ＣＯＦ、－ＣＨ_２ＣＯＯＨ、－ＣＨ_２ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＨ_２ＣＯＮＨ_２の吸収周波数は、それぞれ表中に示す、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ ｆｒｅｅと－ＣＯＯＨ ｂｏｎｄｅｄ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２の吸収周波数から数十カイザー（ｃｍ^－１）低くなる。
従って、たとえば、－ＣＯＦの官能基数とは、－ＣＦ_２ＣＯＦに起因する吸収周波数１８８３ｃｍ^－１の吸収ピークから求めた官能基数と、－ＣＨ_２ＣＯＦに起因する吸収周波数１８４０ｃｍ^－１の吸収ピークから求めた官能基数との合計である。

上記官能基数は、－ＣＦ＝ＣＦ_２、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３、－ＣＯＮＨ_２および－ＣＨ_２ＯＨの合計数であってよく、－ＣＦ_２Ｈ、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨ、－ＣＯＯＣＨ_３および－ＣＨ_２ＯＨの合計数であってよい。

上記官能基は、たとえば、フッ素樹脂を製造する際に用いた連鎖移動剤や重合開始剤によって、フッ素樹脂（共重合体）に導入される。たとえば、連鎖移動剤としてアルコールを使用したり、重合開始剤として－ＣＨ_２ＯＨの構造を有する過酸化物を使用したりした場合、フッ素樹脂の主鎖末端に－ＣＨ_２ＯＨが導入される。また、官能基を有する単量体を重合することによって、上記官能基がフッ素樹脂の側鎖末端に導入される。フッ素樹脂は、官能基を有する単量体に由来する単位を含有してもよい。

官能基を有する単量体としては、特開２００６－１５２２３４号に記載のジカルボン酸無水物基（（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）を有しかつ環内に重合性不飽和基を有する環状炭化水素モノマー、国際公開第２０１７／１２２７４３号に記載の官能基（ｆ）を有する単量体などが挙げられる。官能基を有する単量体としては、なかでも、カルボキシ基を有する単量体（マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸、ウンデシレン酸等）；酸無水物基を有する単量体（無水イタコン酸、無水シトラコン酸、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸等）；水酸基またはエポキシ基を有する単量体（ヒドロキシブチルビニルエーテル、グリシジルビニルエーテル等）等が挙げられる。

フッ素樹脂は、例えば、その構成単位となるモノマーや、重合開始剤等の添加剤を適宜混合して、乳化重合、懸濁重合を行う等の従来公知の方法により製造することができる。

フッ素樹脂層は、必要に応じて他の成分を含んでもよい。他の成分としては、架橋剤、帯電防止剤、耐熱安定剤、発泡剤、発泡核剤、酸化防止剤、界面活性剤、光重合開始剤、摩耗防止剤、表面改質剤、有機・無機系の各種顔料、銅害防止剤、気泡防止剤密着付与剤、潤滑剤、加工助剤、着色剤、リン系安定剤、潤滑剤、離型剤、摺動材、紫外線吸収剤、染顔料、補強材、ドリップ防止剤、充填材、硬化剤、紫外線硬化剤、難燃剤等の添加剤等を挙げることができる。フッ素樹脂層中の他の成分の含有量としては、フッ素樹脂層中のフッ素樹脂の質量に対して、好ましくは３０質量％未満であり、より好ましくは１０質量％未満であり、さらに好ましくは５質量％以下であり、下限は特に限定されないが、０質量％以上であってもよい。すなわち、フッ素樹脂層は、他の成分を含有しなくてもよい。

機械特性の向上、成形加工性の向上の図る等の目的で、フッ素樹脂層は、添加剤、充填剤を含んでもよい。例えば、ガラス繊維、炭素繊維、カーボンミルドファイバー、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、メタルファイバー、アスベスト、ロックウール、セラミックファイバー、スラグファイバー、チタン酸カリウムウィスカー、ボロンウィスカー、ホウ酸アルミニウムウィスカー、炭酸カルシウムウィスカー、酸化チタンウィスカー、ワラストナイト、パリゴルスカイト、セピオライト、アラミド繊維、アルミナ繊維、炭化珪素繊維、セラミック繊維、アスベスト繊維、石コウ繊維、金属繊維、ポリイミド繊維及びポリベンズチアゾール繊維、等の繊維状充填剤、あるいはフラーレン、タルク、ワラステナイト、ゼオライト、マイカ、クレー、パイロフィライト、グラファイト、シリカ、ベントナイト、アスベスト、アルミナシリケートなどの珪酸塩、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化鉄などの金属化合物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイトなどの炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸塩、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウムなどの水酸化物、ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラス粉、窒化ホウ素、炭化珪素、カーボンブラック、黒鉛、等が例示される。

低誘電化の向上のために、フッ素樹脂層に気泡を持たせることも有効である。無機系の発泡核剤として窒化ホウ素、タルク、ゼオライト、マイカ、珪酸アルミニウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、ドロマイト、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、酸化チタン、酸化鉄、等が例示される。電線加工時に、不活性なガス、窒素、二酸化炭素、アルゴン、ヘリウム等を被覆材に注入し、発泡させることで、気泡を得ることができる。微細な中空粒子、中空カプセル、中空バルーン、中空ポリマー粒子等を材料に混ぜ込むことで、気泡を得ることができる。例えば、アクリル中空粒子、シリカ中空粒子、アルミナ中空粒子、セラミック中空粒子、ガラスバルーン、ガラス中空粒子等を挙げることができる。中空粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ未満であり、さらに好ましくは５００ｎｍ以下であり、下限は特に限定されないが、３０ｎｍ以上であってもよい。

フッ素樹脂層の厚みは、絶縁特性の観点から、好ましくは４０～３００μｍであり、より好ましくは５０μｍ以上であり、さらに好ましくは６０μｍ以上であり、より好ましくは２５０μｍ以下であり、さらに好ましくは２００μｍ以下である。

フッ素樹脂層の比誘電率は、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．４以下であり、さらに好ましくは２．３以下であり、尚さらに好ましくは２．２以下であり、特に好ましくは２．１以下であり、好ましくは１．８以上である。比誘電率は、ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃ（ヒューレットパッカード社製）および空洞共振器を用いて、共振周波数および電界強度の変化を２０～２５℃の温度下で測定して得られる値である。

絶縁電線の２５℃で測定する部分放電開始電圧は、絶縁特性の観点から、下記の関係式を充足することが好ましい。
部分放電開始電圧（Ｖ） ≧ ５．５×ｔ ＋ ６００
ｔ：フッ素樹脂層の膜厚（μｍ）

絶縁電線の部分放電開始電圧は、温度が変化しても変化しにくいことが好ましい。絶縁電線の２５℃で測定する部分放電開始電圧と、２００℃で測定する部分放電開始電圧とから、下記式により算出される変化率は、好ましくは１０％未満であり、より好ましくは５％未満である。
変化率（％）＝［（２５℃で測定する部分放電開始電圧）－（２００℃で測定する部分放電開始電圧）］／（２５℃で測定する部分放電開始電圧）×１００

（その他の層）
本開示の絶縁電線は、フッ素樹脂層の外周に形成された他の層をさらに備えるものであってもよい。

本開示の絶縁電線においては、導体とフッ素樹脂層とが十分な強度で密着しており、したがって、導体とフッ素樹脂層との間には他の層は存在せず、導体とフッ素樹脂層とが直接密着している。

他の層としては、フッ素樹脂層の外周に形成され、熱可塑性樹脂を含有する層が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、フッ素樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、変性ポリオレフィン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリエステル、エチレン／ビニルアルコール共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン樹脂（ＡＢＳ）、塩化ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタラートなどが挙げられる。

（絶縁電線の製造方法）
本開示の絶縁電線は、たとえば、押出機を用いて、フッ素樹脂を加熱して溶融させ、溶融した状態のフッ素樹脂を導体上に押し出して、被覆層を形成することにより製造することができる。

この際、溶融状態のフッ素樹脂の温度よりも高い温度に加熱した導体上に、溶融状態のフッ素樹脂を押し出すことにより、導体とフッ素樹脂層とが十分な強度で密着した絶縁電線を得ることができる。

押出成形機としては、特に限定されないが、シリンダー、ダイおよび導体を送り出す通過口を有するニップルを備える押出成形機を用いることができる。

溶融状態のフッ素樹脂の温度は、通常、フッ素樹脂の融点以上であり、好ましくはフッ素樹脂の融点から１５℃高い温度以上であり、より好ましくはフッ素樹脂の融点から２０℃高い温度以上であり、さらに好ましくはフッ素樹脂の融点から２５℃以上高い温度であり、尚さらに好ましくはフッ素樹脂の融点から４０℃高い温度以上であり、特に好ましくはフッ素樹脂の融点から８０℃高い温度以上であり、最も好ましくはフッ素樹脂の融点から１００℃高い温度以上である。溶融状態のフッ素樹脂の温度の上限には限定はないが、電線成形時の樹脂の熱分解を抑えられる点と、電線成形時に樹脂の変色を抑えられる点で、５１０℃以下が好ましく、４５０℃以下がより好ましい。溶融状態のフッ素樹脂の温度は、押出成形機のシリンダーの温度、ダイの温度などを調整することにより、調整することができる。溶融状態のフッ素樹脂の温度は、たとえば、熱電対を用いて、ダイヘッド出口から吐出されるフッ素樹脂の温度を測定することにより、特定することができる。

加熱した導体の温度は、溶融状態のフッ素樹脂の温度よりも高い温度であり、好ましくは溶融状態のフッ素樹脂の温度から１５℃高い温度以上であり、より好ましくは２０℃高い温度以上であり、さらに好ましくは３０℃高い温度以上である。加熱した導体の温度の上限には限定はないが、たとえば、７００℃以下である。
加熱した導体の温度は、たとえば、接触式温度計または非接触温度計を用いて、加熱装置と押出成形機の間の導体の温度を測定することにより、特定することができる。

加熱した導体の温度は、押出成形機に送り込む前の導体を加熱装置により加熱することにより、調整することができる。加熱装置としては、ハロゲンヒータ、カーボンヒータ、タングステンヒータ、熱風加熱装置、誘導加熱装置、マイクロ波加熱装置、過熱水蒸気発生装置、バーナーなど、高温で一定の範囲内を一気に加熱する装置であれば大きさや形状、装置個数、加熱源個数は問わない。また、異なる手法同士を組み合わせて使用することもでき、熱源は複数使用してもよい。一気に広範囲を均一に照射できる理由より、ハロゲンヒータでの加熱が好ましい。

加熱の条件は、導体と樹脂とが接触する時の導体温度が成形温度（ヘッド温度）よりも高くなる条件であれば特に限定されず、成形機と加熱装置の距離は近くても離れていてもよい。また、導体加熱範囲通過後の走行線周囲には導体の保温目的で異なる加熱装置や加熱管、保温管、断熱材があってもよい。

押出成形の際のライン速度は、０．１～５０ｍ／分であってよく、好ましくは２０ｍ／分以下である。

フッ素樹脂層を形成した後、絶縁電線を冷却することができる。冷却方法は、特に限定されず、水冷、空冷などの方法であってよい。空冷により絶縁電線を冷却すると、適度な速度で冷却することができるので、フッ素樹脂層の厚みが均一になる傾向がある。

フッ素樹脂層を形成した後、絶縁電線に対して、熱処理をしてもよい。熱処理は、フッ素樹脂層を形成した後あれば、冷却の前に行ってもよいし、冷却の後に行ってもよい。熱処理の温度は、通常、フッ素樹脂のガラス転移点以上であり、好ましくは融点から１５℃高い温度以上であり、好ましくはフッ素樹脂の融点から５０℃高い温度以下である。

フッ素樹脂層を形成した後、フッ素樹脂層上に他の層を形成する材料を押し出して、他の層を形成してもよいし、同時多層溶融押出成形法により、フッ素樹脂層を形成するとともに、フッ素樹脂層上に他の層を形成してもよい。

本開示の絶縁電線は、たとえば、ＬＡＮ用ケーブル、ＵＳＢケーブル、Ｌｉｇｈｔｎｉｎｇケーブル、ＨＤＭＩ（登録商標）ケーブル、ＱＳＦＰケーブル、航空宇宙用電線、地中送電ケーブル、海底電力ケーブル、高圧ケーブル、超電導ケーブル、ラッピング電線、自動車用電線、ワイヤーハーネス・電装品、ロボット・ＦＡ用電線、ＯＡ機器用電線、情報機器用電線（光ファイバケーブル、ＬＡＮケーブル、ＨＤＭＩケーブル、ライトニングケーブル、オーディオケーブル等）、通信基地局用内部配線、大電流内部配線（インバーター、パワーコンディショナー、蓄電池システム等）、電子機器内部配線、小型電子機器・モバイル配線、可動部配線、電気機器内部配線、測定機器類内部配線、電力ケーブル（建設用、風力／太陽光発電用等）、制御・計装配線用ケーブル、モーター用ケーブル等に好適に使用できる。

本開示の絶縁電線は、巻回されて、コイルとして使用することができる。本開示の絶縁電線およびコイルは、モータ、発電機、インダクターなどの電気機器または電子機器に好適に用いることができる。また、本開示の絶縁電線およびコイルは、車載用モータ、車載用発電機、車載用インダクターなどの車載用電気機器または車載用電子機器に好適に用いることができる。

以上、実施形態を説明したが、特許請求の範囲の趣旨および範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。

＜１＞ 本開示の第１の観点によれば、
導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂層を剥離することにより測定されるピール強度が、０．３０Ｎ／ｍｍ以上である絶縁電線が提供される。
＜２＞ 本開示の第２の観点によれば、
前記導体の断面形状が、略矩形である第１の観点による絶縁電線が提供される。
＜３＞ 本開示の第３の観点によれば、
導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂を引き抜くことにより測定される引き抜き強度が、４Ｎ以上である絶縁電線が提供される。
＜４＞ 本開示の第４の観点によれば、
前記導体の断面形状が、略円形である第３の観点による絶縁電線が提供される。
＜５＞ 本開示の第５の観点によれば、
前記フッ素樹脂層が、溶融状態の前記フッ素樹脂の温度よりも高い温度に加熱した前記導体上に、溶融状態の前記フッ素樹脂を押し出すことにより、形成される第１～第４のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜６＞ 本開示の第６の観点によれば、
前記導体が、銅、銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金からなる群より選択される少なくとも１種から構成される第１～第５のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜７＞ 本開示の第７の観点によれば、
前記導体の面粗さＳｚが、０．２～１２μｍである第１～第６のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜８＞ 本開示の第８の観点によれば、
前記フッ素樹脂層の厚みが、４０～３００μｍである第１～第７のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜９＞ 本開示の第９の観点によれば、
前記フッ素樹脂層の比誘電率が、２．５以下である第１～第８のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１０＞ 本開示の第１０の観点によれば、
２５℃で測定する部分放電開始電圧が、下記の関係式を充足する第１～第９のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
部分放電開始電圧（Ｖ） ≧ ５．５×ｔ ＋ ６００
ｔ：フッ素樹脂層の膜厚（μｍ）
＜１１＞ 本開示の第１１の観点によれば、
下記式で算出される変化率が、１０％未満である第１～第１０のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
変化率（％）＝［（２５℃で測定する部分放電開始電圧）－（２００℃で測定する部分放電開始電圧）］／（２５℃で測定する部分放電開始電圧）×１００
＜１２＞ 本開示の第１２の観点によれば、
前記フッ素樹脂のメルトフローレートが、０．１～１２０ｇ／１０分である第１～第１１のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１３＞ 本開示の第１３の観点によれば、
前記フッ素樹脂の融点が、２４０～３２０℃である第１～第１２のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１４＞ 本開示の第１４の観点によれば、
前記フッ素樹脂が官能基を有しており、前記フッ素樹脂の官能基数が、炭素原子１０^６個あたり、５～２０００個である第１～第１３のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１５＞ 本開示の第１５の観点によれば、
前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン単位およびフルオロアルキルビニルエーテル単位を含有する第１～第１４のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１６＞ 本開示の第１６の観点によれば、
前記フッ素樹脂のフルオロアルキルビニルエーテル単位の含有量が、全モノマー単位に対して、１．０～３０．０モル％である第１５の観点による絶縁電線が提供される。
＜１７＞ 本開示の第１７の観点によれば、
前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン単位およびヘキサフルオロプロピレン単位を含有する第１～第１４のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１８＞ 本開示の第１８の観点によれば、
前記フッ素樹脂が、カルボニル基含有基、アミノ基、ヒドロキシ基、－ＣＦ_２Ｈ基、オレフィン基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも１種の官能基を有する第１～第１７のいずれかの観点による絶縁電線が提供される。
＜１９＞ 本開示の第１９の観点によれば、
押出成形機を用いて、第１～第１８の観点による絶縁電線を製造するための絶縁電線の製造方法であって、
前記フッ素樹脂を加熱することにより前記フッ素樹脂を溶融させ、溶融状態の前記フッ素樹脂の温度よりも高い温度に加熱した導体上に、溶融状態の前記フッ素樹脂を押し出すことにより、前記導体上に前記フッ素樹脂層を形成する製造方法が提供される。
＜２０＞ 本開示の第２０の観点によれば、
ハロゲンヒータを用いて前記導体を加熱する第１９の観点による製造方法が提供される。

つぎに本開示の実施形態について実施例をあげて説明するが、本開示はかかる実施例のみに限定されるものではない。

実施例の各数値は以下の方法により測定した。

（メルトフローレート（ＭＦＲ））
ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に従って、メルトインデクサー（安田精機製作所社製）を用いて、３７２℃、５ｋｇ荷重下で、内径２．１ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間あたりに流出する共重合体の質量（ｇ／１０分）を求めた。

（融点）
示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における融解熱量の極大値に対応する温度として求めた。

（フッ素樹脂の組成）
^１９Ｆ－ＮＭＲ法により測定した。

（官能基数）
フッ素樹脂を３３０～３４０℃にて３０分間溶融し、圧縮成形して、厚さ０．２０～０．２５ｍｍのフィルムを作製した。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析装置〔ＦＴ－ＩＲ（商品名：１７６０Ｘ型、パーキンエルマー社製）により４０回スキャンし、分析して赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化されて官能基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得た。この差スペクトルに現れる特定の官能基の吸収ピークから、下記式（Ａ）に従って、フッ素樹脂における炭素原子１０^６個あたりの官能基数Ｎを算出した。

Ｎ＝Ｉ×Ｋ／ｔ （Ａ）
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚さ（ｍｍ）

参考までに、本開示における官能基について、吸収周波数、モル吸光係数および補正係数を表２に示す。また、モル吸光係数は低分子モデル化合物のＦＴ－ＩＲ測定データから決定したものである。

（フッ素樹脂層の厚み）
マイクロメータにより測定した。

（導体と樹脂とが接触する時の導体温度）
導体加熱範囲の走行線の動く方向の下流側の端部から走行線の動く方向に１０ｃｍ離れた箇所に焦点が当たるように非接触式放射温度センサー（ジャパンセンサー社製）を固定し、導体加熱範囲外での導体温度を測定した。導体の断面形状が略矩形の場合、測定面は導体の長面部（主面）、短面部（側面）それぞれを測定し、校正としてそれぞれの面における加熱前の導体表面を接触式温度計（安立計器社製）で測定した温度（室温）を設定した。測定角度は面に対し垂直となるようにし、熱源および室内の光反射の影響を受けないよう、熱源と温度測定部との間に遮光板を設置した。

また、導体加熱範囲の走行線の動く方向の下流側の端部から走行線の動く方向に１０ｃｍ離れた箇所に走査型接触式温度計を固定し、導体表面温度を測定することもできる。測定面は導体の断面形状が略矩形の場合、導体の長面部（主面）、短面部（側面）それぞれを測定し、センサーに対し直角に導体が接触するように設置する。また、導体の断面形状が丸形の場合、走行導体がセンサーに対し直角に導体が接触するように設置する。

また、導体の断面形状が略矩形の場合、長面部（主面）と短面部（側面）との温度差が±２０℃以内となっていることを確認する。

（導体の加熱方法）
加熱源はハロゲンヒータ（ランプヒータ）のライン光加熱（インフリッヂ工業社製）を用い、押出成形機入口とハロゲンヒータの中央ランプの長さが３５ｃｍになるように設置した。また、導体表面に対しランプが垂直に当たるようにしてヒーターを固定した。

（導体と樹脂とが接触する時の樹脂温度）
電線被覆成形を開始する前に、押出成形機のダイから溶融状態のフッ素樹脂を押し出し、押し出されたフッ素樹脂のダイヘッド出口での温度を、熱電対により測定した。

（面粗さＳｚ）
レーザー顕微鏡（キーエンス製）で８０００μｍ^２の視野における面粗さＳｚを測定した。

（比誘電率）
上述したメルトインデクサーで作成したストランドを、幅２ｍｍ・長さ１００ｍｍの短冊状に切り出し、ネットワークアナライザーＨＰ８５１０Ｃ（ヒューレットパッカード社製）および空洞共振器を用いて、２．４５ＧＨｚの時の共振周波数および電界強度の変化を２０～２５℃の温度下で測定した。

（引き抜き強度）
ＡＧＳ－Ｘ オートグラフ（５ｋＮ）（島津製作所製）を用い、測定した。電線を７０ｍｍに切断し、端から２０ｍｍのみの被覆をあらかじめ引き剥がした後、上部チャックに導体径より太く電線径より細い穴をあけた治具を取り付けた。次に、引き剥がした導体のみの部分を治具に通した後、下部チャックに引き剥がした導体を固定した。そして、引張方向に装置を動かすことで、被膜部分のみを引き抜いた。移動距離が３０ｍｍとなるまで５０ｍｍ／ｍｉｎで引っ張った時の最大点応力を引き抜き強度とした。

（ピール強度）
ＡＧＳ－Ｊ オートグラフ（５０Ｎ）（島津製作所製）を用い、測定した。長軸方向に５０ｍｍ略平行に２本、その両端を短軸方向に被膜を直角に切り込み、端を１０ｍｍ剥離させ、上部チャックに挟んだ。導体は長面方向が水平になるよう下部に固定した。引張方向に装置を動かしたとき、その縦方向の移動距離に応じて横方向に連動して動く治具を用い、剥離した被膜が常に長面方向の導体と垂直になるよう角度を調整した。３０ｍｍ剥離させるまで１００ｍｍ／ｍｉｎで引っ張った時の引張応力を測定し、その最大点応力をピール強度とした。

すなわち、ＡＧＳ－Ｊ オートグラフ（５０Ｎ）（島津製作所製）を用い、絶縁電線の導体（平角線）の主面上の被膜のピール強度を測定した。ここで、平角線の二組の対向する面のうち、導体の幅方向の寸法の大きい面（導体長手方向に対して直角な長辺の面）を主面とし、主面に直交する面導体（長手方向に対して直角な短辺の面）を側面とする。主面の導体の幅方向の寸法は、側面の導体の幅方向の寸法よりも大きい。一方の主面上の被膜に、絶縁電線の長手方向に沿って、略平行する２本の切り込みを入れ、さらに、５０ｍｍの間隔で、長手方向に直交した２本の切り込みを入れた。切り込みを入れた被膜の端部を導体から剥離させ、１０ｍｍのつかみしろを設けた。他方の主面が下を向くように、絶縁電線を治具に固定し、つかみしろを上部チャックに挟み、９０度に折り返した。治具に固定された絶縁電線と被膜との角度が９０度に保たれるように動く治具を用いた。被膜を１００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で３０ｍｍ剥離させ、引張応力を測定し、その最大点応力をピール強度とした。

（曲げ試験）
Ｕ字コイルを用い、基点から１０ｍｍ地点の両側を長軸方向（長手方向）にＲ２曲げた時に、フッ素樹脂層に浮き、しわおよびクラックの少なくとも１つが発生したものを×、浮き、しわおよびクラックが発生しなかったものを〇とした。

（絶縁電線の外観）
絶縁被覆にメルトフラクチャーおよび変色の少なくとも１つが発生したものを×、メルトフラクチャーおよび変色発生しなかったものを〇とした。

（部分放電開始電圧（ＰＤＩＶ）（２５℃、２００℃））
絶縁電線を９０ｃｍの長さで２本切り出し、１３．５Ｎの張力をかけながらより合わせ、中央部の１２５ｍｍの範囲に８回のより部を持つ、よりあわせコイルを作成した。その後、試料端部１０ｍｍの絶縁被膜を取り払い、部分放電測定器（総研電気社製ＤＡＣ－ＰＤ－７）を用いて、環境温度２５℃（相対湿度５０％）または２００℃（相対湿度５０％）で、２本の絶縁電線の導体間に５０Ｈｚ正弦波の交流電圧を加えることで測定した。昇圧速度５０Ｖ／ｓｅｃ、降圧速度５０Ｖ／ｓｅｃ、電圧保持時間を０ｓｅｃとして、１０ｐＣ以上の放電が発生した時点の電圧を部分放電開始電圧とした。

実施例および比較例では、次の導体を用いた。
導体１：断面が略矩形の銅製平角線、厚さ（短辺）２．０ｍｍ、幅（長辺）３．４ｍｍ
導体２：断面が略円形の銅製丸線、直径１．０ｍｍ

比較例１、比較例１’
比較例１、比較例１’の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の共重合体（ＰＦＡ）で、ＭＦＲが１４ｇ／１０ｍｉｎ、融点が３０６℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３６５℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は２６０℃とした。
密着性の指標として、比較例１での丸線における引き抜き強度は２．０Ｎ、比較例１’での平角線におけるピール強度は０．００１Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時にも被膜の浮きおよびしわが見られたことから、導体に対する樹脂の密着は抱きつき程度で非密着であることが確認できた。

比較例２
比較例２の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の共重合体（ＰＦＡ）で、ＭＦＲが６８ｇ／１０ｍｉｎ、融点が２９５℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３６０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３００℃とした。
密着性の指標として、比較例２での平角線におけるピール強度は０．２５Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時にも被膜の浮きおよびしわが見られたことから、導体に対する樹脂の密着は抱きつき程度で非密着であることが確認できた。

実施例１、実施例１’
実施例１、実施例１’の絶縁被膜形成樹脂は比較例２と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３３０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３５０℃とした。
密着性の指標として、実施例１での丸線における引き抜き強度は１４．０Ｎ、実施例１’での平角線におけるピール強度は１．８０Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きも見られなかったことから、導体に対する樹脂の密着は導体形状に関わらず比較例１、比較例１’よりそれぞれ高くなっていることが確認できた。

実施例２、実施例２’
実施例２、実施例２’の絶縁被膜形成樹脂は比較例１、比較例１’と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は４２０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は４５０℃とした。
密着性の指標として、実施例１での丸線における引き抜き強度は２０．０Ｎ、実施例１’での平角線におけるピール強度は２．８０Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きも見られなかったことから、導体に対する樹脂の密着は導体形状に関わらず実施例１、実施例１’よりそれぞれ高くなっていることが確認できた。

実施例３、実施例３’
実施例３、実施例３’の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の共重合体（ＰＦＡ）で、ＭＦＲが２８ｇ／１０ｍｉｎ、融点が３０３℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３３０℃とし、押出被覆層を１４０μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３５０℃とした。
密着性の指標として、実施例３での丸線における引き抜き強度は１５．０Ｎ、実施例３’での平角線におけるピール強度は１．８０Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きも見られなかった。

実施例４、実施例４’
実施例４、実施例４’の絶縁被膜形成樹脂は比較例１、比較例１’と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３５０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は４００℃とした。また、実施例４’の絶縁電線は、成形後の電線を３３０℃で２分、３５０℃で１分焼成した。
密着性の指標として、実施例４、実施例４’での平角線におけるピール強度はそれぞれ２．２１Ｎ／ｍｍ、２．２０Ｎ／ｍｍとなり、密着力は同等レベルとなった。

実施例５
実施例５の絶縁被膜形成樹脂には実施例３’と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３１０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３２０℃とした。
密着性の指標として、実施例５での平角線におけるピール強度は０．９３Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きも見られなかった。

実施例６
実施例６の絶縁被膜形成樹脂は比較例２と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３００℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３２０℃とした。
密着性の指標として、実施例６での平角線におけるピール強度は１．００Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きもが見られなかった。

実施例７、実施例７’
実施例７の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の共重合体（ＰＦＡ）で、ＭＦＲが２ｇ／１０ｍｉｎ、融点が３０７℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は４２４℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は４５５℃とした。
密着性の指標として、実施例７での丸線における引き抜き強度は１６．０Ｎ、実施例７‘での平角線におけるピール強度は１．７０Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きもが見られなかったが、電線表面にメルトフラクチャーが発生し、外観不良となった。

実施例８
実施例８の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の共重合体（ＰＦＡ）で、ＭＦＲが６８ｇ／１０ｍｉｎ、融点が２９５℃のものを用いた。実施例８の導体には、表面粗度Ｓｚが７．７２μｍのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３６０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は４００℃とした。
密着性の指標として、実施例８での平角線におけるピール強度は３．５０Ｎ／ｍｍとなり、平角線での曲げ加工時には被膜のしわだけでなく浮きも見られなかった。

比較例３、比較例３’
比較例３、比較例３’の絶縁被膜形成樹脂は比較例１、比較例１’と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３６５℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、ヘッド出口の導体温度は２６０℃とした。また、 比較例３、比較例３’の絶縁電線は、成形後の電線を３３０℃で２分、３５０℃で１分焼成した。
密着性の指標として、比較例３での丸線における引き抜き強度は３．０Ｎ、比較例３’での平角線におけるピール強度は０．００１Ｎ／ｍｍとなり、密着力は比較例１と同等レベルとなった。

比較例４
比較例４の絶縁被膜形成樹脂は比較例１と同じのものを用いた。比較例４の導体には、導体のみを３８０℃で加熱し、巻き取ったものを使用した。導体巻取り後は比較例１と同様に、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度を３６５℃、導体と樹脂とが接触する時の導体温度を２６０℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。
密着性の指標として、比較例４での丸線における引き抜き強度は３．０Ｎとなり、密着力は比較例１と同等レベルとなった。

実施例９、実施例９’
実施例９、実施例９’の絶縁被膜形成樹脂は比較例１と同じのものを用いた。電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３６５℃とし、押出被覆層をそれぞれ１００μｍ、６０μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３８０℃とした。
密着性の指標として、実施例９での丸線における引き抜き強度は１１．０Ｎ、実施例９’での平角線におけるピール強度は０．６２Ｎ／ｍｍとなり、密着力は比較例３’、比較例４よりも高い密着力となった。

実施例１０
実施例１０の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンとパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）の３元共重合体で、ＭＦＲが６ｇ／１０ｍｉｎ、融点が２６５℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３００℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３２３℃とした。
密着性の指標として、実施例１０での平角線におけるピール強度は１．２０Ｎ／ｍｍとなったが、電線表面にメルトフラクチャーが発生し、外観不良となった。

実施例１１
実施例１１の絶縁被膜形成樹脂にはテトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共重合体で、ＭＦＲが６ｇ／１０ｍｉｎ、融点が２７０℃のものを使用した。また、電線成形におけるダイ出口の樹脂温度は３２５℃とし、押出被覆層を２００μｍ形成した。ここで、導体と樹脂とが接触する時の導体温度は３５０℃とした。
密着性の指標として、実施例１１での丸線における引き抜き強度は１５．０Ｎとなった。

電線成形の条件および結果を表３および表４に示す。

Claims (20)

1. 導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂層を剥離することにより測定されるピール強度が、０．３０Ｎ／ｍｍ以上である絶縁電線。
2. 前記導体の断面形状が、略矩形である請求項１に記載の絶縁電線。
3. 導体と、前記導体上に形成され、溶融加工性のフッ素樹脂を含有するフッ素樹脂層とを備えており、前記導体から前記フッ素樹脂を引き抜くことにより測定される引き抜き強度が、４Ｎ以上である絶縁電線。
4. 前記導体の断面形状が、略円形である請求項３に記載の絶縁電線。
5. 前記フッ素樹脂層が、溶融状態の前記フッ素樹脂の温度よりも高い温度に加熱した前記導体上に、溶融状態の前記フッ素樹脂を押し出すことにより、形成される請求項１または３に記載の絶縁電線。
6. 前記導体が、銅、銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金からなる群より選択される少なくとも１種から構成される請求項１または３に記載の絶縁電線。
7. 前記導体の面粗さＳｚが、０．２～１２μｍである請求項１または３に記載の絶縁電線。
8. 前記フッ素樹脂層の厚みが、４０～３００μｍである請求項１または３に記載の絶縁電線。
9. 前記フッ素樹脂層の比誘電率が、２．５以下である請求項１または３に記載の絶縁電線。
10. ２５℃で測定する部分放電開始電圧が、下記の関係式を充足する請求項１または３に記載の絶縁電線。
    部分放電開始電圧（Ｖ） ≧ ５．５×ｔ ＋ ６００
    ｔ：フッ素樹脂層の膜厚（μｍ）
11. 下記式で算出される変化率が、１０％未満である請求項１または３に記載の絶縁電線。
    変化率（％）＝［（２５℃で測定する部分放電開始電圧）－（２００℃で測定する部分放電開始電圧）］／（２５℃で測定する部分放電開始電圧）×１００
12. 前記フッ素樹脂のメルトフローレートが、０．１～１２０ｇ／１０分である請求項１または３に記載の絶縁電線。
13. 前記フッ素樹脂の融点が、２４０～３２０℃である請求項１または３に記載の絶縁電線。
14. 前記フッ素樹脂が官能基を有しており、前記フッ素樹脂の官能基数が、炭素原子１０^６個あたり、５～２０００個である請求項１または３に記載の絶縁電線。
15. 前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン単位およびフルオロアルキルビニルエーテル単位を含有する請求項１または３に記載の絶縁電線。
16. 前記フッ素樹脂のフルオロアルキルビニルエーテル単位の含有量が、全モノマー単位に対して、１．０～３０．０モル％である請求項１５に記載の絶縁電線。
17. 前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン単位およびヘキサフルオロプロピレン単位を含有する請求項１または３に記載の絶縁電線。
18. 前記フッ素樹脂が、カルボニル基含有基、アミノ基、ヒドロキシ基、－ＣＦ_２Ｈ基、オレフィン基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群より選択される少なくとも１種の官能基を有する請求項１または３に記載の絶縁電線。
19. 押出成形機を用いて、請求項１または３に記載の絶縁電線を製造するための絶縁電線の製造方法であって、
    前記フッ素樹脂を加熱することにより前記フッ素樹脂を溶融させ、溶融状態の前記フッ素樹脂の温度よりも高い温度に加熱した導体上に、溶融状態の前記フッ素樹脂を押し出すことにより、前記導体上に前記フッ素樹脂層を形成する製造方法。
20. ハロゲンヒータを用いて前記導体を加熱する請求項１９に記載の製造方法。